TW201224097A - Resin paste for die bonding, semiconductor device and fabricating method thereof - Google Patents

Resin paste for die bonding, semiconductor device and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW201224097A
TW201224097A TW100135888A TW100135888A TW201224097A TW 201224097 A TW201224097 A TW 201224097A TW 100135888 A TW100135888 A TW 100135888A TW 100135888 A TW100135888 A TW 100135888A TW 201224097 A TW201224097 A TW 201224097A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin
semiconductor
coating film
semiconductor device
slurry
Prior art date
Application number
TW100135888A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshifumi Sugiura
Shinjiro Fujii
Shuichi Mori
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW201224097A publication Critical patent/TW201224097A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/83805—Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92147—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01084—Polonium [Po]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

201224097 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種半導體裝置的製造方法，更詳細 而言，本發明是有關於一種製造藉由接合材料（以下，有 時亦稱為黏晶材料）將積體電路（Integrated Circuit，IC)、 大型積體電路（Large Scale Integration，LSI)等的半導體 晶片（以下，有時亦稱為晶片）與用以搭載晶片的導線架 或絕緣性支撐基板等（以下，有時亦稱為基板）半導體支 撐構件接合的半導體裝置的方法。 【先前技術】
tF 马 IC、LSI ^· .ν — 一Α寸叼干导體晶月興導線架或絕緣性支— .基板等半導體支㈣件的接合材料，即所 自先前以來已知有八㈣共晶合金、焊錫、銀漿等材
Au-Si共晶合金雖然耐熱性及耐濕性高，但彈性模j 大’因此存在應用於大型晶片時容易破損的傾向。另外 晶，亦存在價格高的缺點。另—方面，焊锡1 同^5耐熱性欠佳，其彈性模數與Au_Si共晶知 而難以應用於大型晶片。相對於此，銀漿自 性高、彈性模數比Au_Si共晶合金及焊錫低 應用於35(rc的熱壓接型焊線 專，文獻。。因此，織被廣泛地用於 厂中但疋’ 1C或LSI不斷高積體化，若曰 ’ =型化’職以將轉擴展至晶片整行 利用銀聚的接合稱不上有效率。 ·^仃塗佈， 4
Jir 201224097 —作為可應對晶片的大型化的黏晶材料，已知有使用特 f的聚酿亞胺概的雜膜、或於特定的聚難胺樹脂中 周配導電性填料或無機土真料而成的黏晶用黏接膜等（例 照專利文獻2〜專利文獻4)。但是，該些黏接膜存 勘接性欠佳的傾向。另外，當將黏接膜貼附於支樓 ς反^時’需要用以縣將黏制切出或沖裁成晶片尺 =進而貼附雜__付裝置。#對純膜進行沖裁 if 亦會產生浪#。糾，支撐基㈣大部分於基 ，形成有㈣配線，因此#將黏接麟附於表面上凹 乂部位時，存在容易產生空隙、可靠性受損的情況。 ;分==:==:==成: 版印刷科觀而錄佈於切基板±的 導體晶片後被加熱硬化。.，、梟而編又化’於搭載半 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 專利文獻2 專利文獻3 專利文獻4 專利文獻5 .日本專利特開遞6·342·號公報 曰本專利特開2002-179769號公報 曰本專利特開平07-228697號公報 曰本專利特開平06-145639號公報 曰本專利特開平06-264035號公報 201224097 專利文獻6 :日本專利特開2〇〇7_246875號公報 近年來，較多使用將晶片搭載於有機基板等絕緣性支 撐基板上的晶片貼板（Board 〇n Chip，BOC)型半導體裝 置。該半導體裝置被大量生產的情況較多，而要求節拍時 間（takt time )的減少。 於BOC專的組裝步驟中，先前進行如下的步驟。首 先，利用網版印刷法將黏晶用樹脂聚料塗佈於絕緣性支樓 基板上。其次，藉由在烘箱中對其進行加熱乾燥來進行黏 晶用樹脂漿料的溶劑揮發及半硬化，而將所塗佈的樹脂漿 料㈣段化。其後，隔著經㈣段化的樹脂聚料使&晶 片壓接於絕緣性支撐基板上，並於烘箱中進行加熱，藉此 使黏晶用樹脂漿料完全硬化。 曰 …〜‘，V ,…王和日日⑺钶舳策料的黏度、觸變指數而 添加，且是以於漿料的印刷後使其揮發為前提而添加。若 =溶劑充分地揮發，财時會產生空隙、晶片污染等不 此於ϊ用黏晶用樹脂漿料的半導體裝置的組裝 冑要使浴劑揮發的步驟。—般而言，如上述般藉 中的加熱來使溶劑自塗膜中揮發。此時，為了 是使； 製程疋二過上述先前的利用加熱乾燥的Β·階段化的 絲大60分鐘以上的乾燥時間，節拍時間的損 中進乂ί加減少I階段化的節拍時間，而縮短於供箱 中進仃加熱的時間，則有時溶劑未充分地揮發而於β_階段 201224097 ,
* ^ w JiJL 化以後的步驟中的加熱時揮發，從而產生空隙、晶片污》 等不良情況。 木 、、進而，於烘箱等B-階段化裝置中’每一批次配置多片 塗佈有樹脂聚料的基板。若烘箱内的溫度分布有偏差，則 有時會因烘箱内的位置而產生硬化不足或過度的硬化，從 而於其後的半導體裝置的組裝中產生不良情況。作為 階段化溫度的偏差，一般存在相對於設定溫度偏差士 左右的情況。另外，有時亦因B_階段化的裝置等的偏差， 而導致B-階段化時間產生偏差，從而於其後的半導體裝置 的組裝中產生不良情況。作為B-階段化時間的偏差，一般 存在相對於設定時間偏差±5分鐘左右的情況。另一方面， 當為了削減B-階段化的節拍時間，而提高加熱溫度來於短 時間内進行加熱乾燥時，樹脂漿料的反應控制變得困難， 更谷易產生硬化不足或過度的硬化。就絕緣性支撐基板等 的耐熱性的觀點而言，亦要求於B-階段化時儘可能非高溫 的製程，因此難以削減節拍時間。 【發明内容】 本發明是鑒於如上所述的情況而完成的發明，其目的 在於提供一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置的製 ^5-方法可削減利用印刷法將黏晶材料塗佈於半導體支撐構 件上來接合半導體晶片時的節拍時間，並且可充分地防止 由階段化中的硬化不足或過度的硬化所引起的組裝不 良，而可生產性較佳地製造可靠性優異的半導體裝置。 另外，本發明的目的在於提供一種黏晶用樹脂漿料及 201224097 使用其的半導體裝置的製造方法，其可削減利用網版 法將黏晶材料塗佈於半導體支撐構件上來接合半導體 時的節拍時間，並且可充分地防止由B-階段化中的硬^ 足或過度的硬化、殘留的溶劑所引起的組裝不良，而 產性較佳地製造可靠性優異的半導體裝置。 為了解決上述課題，本發明提供如下的第一種半 裝置的製造方法，其包括：第i步驟，於用以搭载半= =的+導體支撐構件上，印職㈣含有光硬化性 熱硬化性成分且溶劑的含量為5 f量％以下的黏晶 用祕脂漿料來設置樹脂衆料的塗膜；第 =絲射來使光硬化性成分光硬化；以及第3 接/導體切構㈣半導“ 將+導體支撐構件與半導體晶片接人。 用上種ίΓ裝置‘方法，藉由使 :塗膜B姻化。藉此’可削減B-階段化令的 間的分地防結朗於加熱溫度或加熱時 可生不足或過度的硬化所弓1起的組裝不良，而 生產性較佳地製造可靠性優異的半導體裝置。 為前提而添加，因此選擇於室溫、：氣壓 :而可於B-階段化中的條件下揮發 仁疋右於Β·階段化已結束的時_溶_ 8 201224097 f -._pif 部’則有時於作為後續步驟的晶粒黏著或後硬化、打線接 合、製模、岔封材硬化、回流焊等步驟中溶劑揮發而形 空隙’從而變成_不良。再者，當使用容易揮發的溶劑 時，樹脂漿料的保管穩定性變差。另外，許多溶劑有害二 亦存在加熱時有爆炸的危險性的溶劑。相對於此，本發明 的第-種製造方法中所使用的含有上述特定成分的樹脂 料即便溶劑的含量為5質量％以下，亦可良好地進行利用 印刷法的塗佈，從而可防止上述問題。 最近，不僅更加期望組裝時間的短時間化，亦更加期 望能源的節約。根據本發明的第一種半導體裝置的製造方 法，可降低B-階段化時的熱能。 、 很像本發明的第一種半導體裝置的製造方法， 可防止以下的先前技術所具有的問題。 伴隨著半導體裝置的複雜化、小型化，進而伴隨著基 板厚度的薄化，晶#或導線架、基板變得不耐熱。當使用 先前的網版印刷用的黏晶用樹賴料時，_晶^的用 於提昇黏接性的半硬化（B_階段化）是於刚。c以上的溫 ^。若對與半導體晶片進行壓接前的半導體支撐構 件溫’财時於錢基板料產絲曲，而產生斑
BallGndArray，μ_Β(ΪΑ)的基板中，伴隨著半導 基板翹曲變得容易產生。根據本發 月的第-種方法，㈣使用上猶定的樹脂漿料，可實現 低溫下的Β-階段化而可防止上述問題。 201224097 於本發明的第一種半導體裝置的製造方法中，就抑制 逸氣、降低黏性的觀點而言，上述第2步驟中的光照射的 曝光量較佳為1 mJ/cm2以上。 若曝光量未滿1 mJ/cm2 ’則存在光硬化性成分無法充 分地硬化完的可能性，於此情況下，當於第3步驟以後進 行熱硬化性成分的熱硬化時容易成為逸氣。另外，若光硬 化性成分不充分地硬化完，則黏性變得過大而於組裝時容 易產生不良情況。 另外，就抑制逸氣、降低黏性的觀點而言，上述第2 f驟中的光照射較佳為於氮氣環境下進行。若於空氣中進 订光照射’則空氣中的氧會阻礙光硬化反應，光硬化性成 2充分地硬化完，當於第3步驟錢進行熱硬化性成分 ?、、硬化時容易成為逸氣。另外，黏性變得過 時容易產生不良愔況。 0 & 於本發明的第-種半導體裝置的製造方法中，可 導在_〜18〇°C下以6〇分鐘以下的時間對半 2步ίΪ ΐ行加熱。藉由設置此種爾步驟，當於第 時H ^過祕樹__膜表_著有水分 若於水分大量地附 步驟，則會成步驟以後_ 為於第3步驟之前進行/的翔。上義烤步驟較佳 本發明的第一種半導體裝 點而言，較佳為更包括於第3 置的製造方法就可靠性的觀 步騾之後，在6(TC〜200°c 201224097 pif 下=與半導體晶料合辭導體切構件 3〇〇分鐘时驟。藉由此 聚料的硬化反應。再者，若於心丰2 = /促進樹脂 保晶片抗切強度，則可省:=二=後的_ 本發明的第-種半導體裝置的製造方法可更包括 合來將經過上述各步驟後的半導體晶片與^ 樓構件電連接’其後對半導體晶片進行獅密封的步驟支 脂激:外決上述課題’本發明提供一種黏晶用樹 曰八3有25 C下的黏度為1〇〇 pa.s以下的光聚合性 化合物、熱硬化性化合物及熱舰彈性體，且溶劑的^ 為5質量％以下。 根據本發明的黏晶用樹脂漿料，藉由具有上述構成， 可利用網版印刷法將其塗佈於半導體切構件上來形成塗 膜，並可形成藉由光照射而Β-階段化的黏晶層。藉此，可 ^分地防止由用以使溶劑揮發的步驟所引起的節拍時間的 增，，由B_階段化中的硬化不足或過度的硬化、殘留的溶 齊J荨所引起的組裝不良。根據本發明的黏晶用樹脂渡料， 可生產性較佳地製造可靠性優異的半導體裝置。 然而，最近，欲使化學製品的自生產至廢棄為止的整 個生命週期中對生態系造成的影響變成最小限度、且提昇 經濟效率性的動向變得活躍。於黏晶用樹脂漿料中，較理 想的是減少溶劑的含量，於B-階段化後亦儘可能有效地使 用祕脂漿料。即，於先前的樹脂漿料的情況下，藉由溶劑 於P刷後揮發而形成規疋厚度的塗膜’因此溶劑的比例越 201224097 f，樹脂賴巾所含有的於B•階段化後不需要 多。相對於此，本發明的點晶用樹脂賴可成為上述不Ϊ 要的成分的含有比例小的黏晶用樹脂聚料。 而 +本發明的黏晶用樹脂聚料可進而包含光聚合起始 =此’可選擇性地於短時間内將光聚合性化合* &階段 本發明的黏晶用樹脂聚料可進而包含硬化促進 此，能夠以更低的溫度或更短的時間進行加熱硬化。精 本發明的黏晶用樹脂漿料可進而包含填料。
賦予觸變性或提昇可靠性。 g J 本發明的黏晶用樹脂聚料可進而包含選自由消泡 破泡劑及抑泡劑所組成的_巾的一_上的添二 此’可提昇印刷性。 稽 本發明的黏晶用樹脂漿料就印刷性的觀點而言 為於25°C下的黏度為5 Pa.s〜1〇〇〇 pa.s。 本發明的黏晶用樹脂㈣較佳為當將黏晶用樹脂聚料 度為100 μπι的塗膜，於氧濃度為丨卿以下的氣 =裒丨兄下’並在25 C下以1000 mj/cm2的曝光量對該塗膜
照射波長為365 nm的光時，經光照射的塗膜的於1〇(rCT 的熔融黏度成為100 Pa.s〜1〇〇〇〇〇 Pa.s，當進而於氧濃度 為1 ppm以下的氮氣環境下，並在140°C下對經光照射的 上述塗膜進行5小時加熱時’經加熱的塗膜的於25°c下的 楊氏彈性模數（Y〇ung，s elastic modulus)成為！ MPa〜3〇〇〇 MPa 〇 12 201224097 if 若上述溶融黏度未滿100 pa.s，則存在印刷後難以保. 持印刷形狀的傾向，另外，難以藉由黏晶機的負荷精度來 調^'濕潤情況。右私融黏度超過100000 Pa. s，則存在於晶 粒黏箸時未藉由樹脂漿料充分地濕潤晶片，而導致於晶粒 黏^以後的步驟中晶片容易剝落的傾向，或者於晶粒黏著 或密封時無法充分地填埋空隙而導致可靠性下降的傾向。 若上述揚氏彈性模數未滿1 MPa，則存在印刷後難以 保持印刷形狀的傾向，另外，存在難以藉由黏晶機的負荷 精度來調整濕潤情況的傾向，若超過3〇〇〇141>&，則存在基 板或晶片容易龜曲的傾向。 、另外，本發明提供如下的第二種半導體裝置的製造方 法，其包括：第1步驟，於用以搭載半導體晶片的半導體 =構件上，利用網版印刷法塗佈本發明的黏晶用樹脂衆 料來设置樹脂轉的塗膜；第2步驟，對塗膜進行光昭射· 隔著經光照射的塗膜壓接半導體支撐構件 很料發明的第二種半導體|置的製造方法，藉 膜且了开，成藉由光照射而3_階段化的黏晶層 =止由用贿_揮發的倾利起 由糾皆段化中的硬化不足或過度的硬化、殘力口 良。根據本發明的第二種半g 方法，可生產性較佳地製造可靠性優異的 如上所述，先前黏晶用樹脂聚料是藉由添加^ 13 201224097 ^黏度或觸變;日數。此時所使用的溶劑是以於Β·階段化時 Ϊ其大，分或完全地揮發為前提而添加，因此選擇於室 /皿、^氣壓中不容易揮發，而可於Β_階段化中的條件下揮 發的/合劑。但是’若於1階段化已結束的時間點溶劑仍殘 留於聚料内。卩’則有時於作為後續步驟的晶粒黏著或後硬 化打線接合、製模、密封材硬化、回流焊等步驟中溶劑 揮發而形成空隙，從而魏組裝不良。再者，當使用容易 2發的溶劑時，樹脂漿料的保管穩定性變差。另外，許多 溶劑有害’亦存在加熱時有爆炸的危險性的溶劑。相對於 ^ ’本發明的第二種製造方法巾所制的含有上述特定成 /刀的掠m漿料即便溶劑的含量為5質量％以下，亦可良好 地進订利用印刷法的塗佈，從而可防止上述問題。 另外’本發明提供—種半賴裝置，錢由本發明的 第一種半導體裝置的製造方法而獲得。 [發明的效果] 根據本發明’可提供可削減利用印刷法將黏晶材料塗 佈於半導體讀構件上來接合半導體以時的節拍時間， f且可充分地防止由Β·階段化中的硬化不足或過度的硬 化所引起的崎不良，而可生產性較佳地製造 里 的半導體I置的第—種半導體裝置的製造方法。 〇另外，根據本發明的第一種半導體裝置的製造方法， 可實現比先前的_加熱的Β.Ρ!段化更低的溫度下的β =化’可抑制基_岭逸氣，進而可_對於 負何。 201224097〆 另外’根據本發明的第一種半導體裝置的製造方法， 可充分地抑制於階段化後的步驟中因溶劑殘留而產生 的空隙等不良情;兄。 根據本發明’可提供可削減利用網版印刷法將黏晶材 料塗佈於半導體支撐構件上來接合半導體晶片時的節拍時 間，並且可充分地防止由B—階段化中的硬化不足或過度的 硬化、殘留的溶劑所引起的組裝不良，而可生產性較佳地 製造可靠性優異的半導體裝置的黏晶用樹脂漿料、及使用 其的第二種半導體裝置的製造方法。 另外’根據本發明的黏晶用樹脂漿料及使用其的第二 導體裝置的製造方法，可實現比先前的利用加熱的& ，段化更低的溫度下的B_階段化，可抑制基板翹曲或逸 氣’進而可抑制對於環境的負荷。 一另外，根據本發明的黏晶用樹脂漿料及使用其的第二 種半導體裝置的製造方法，可充分地抑制於B_階段化後的 步驟中因溶劑殘留而產生的空隙等不良情況。 【實施方式】 二乂下，視需要一面參照圖式，一面對用於實施本發明 態進仃詳細說明。但是，本發明並不限定於以下的實 ^ Γ再者，圖式中，對相同要素標註相同符號，並省 則的說明。另外’上下左右等位置關係只要事先無特 s ’ I’UX圖式巾所示的位置義為基準，圖式的尺寸 比率亚不限定於圖示的比率。 圖1及圖2是用於說明本發明的半導體裝置的製造方 15 201224097 法的一實施形態的示意剖面圖。 [第1實施形態] 本實施形態的半導體裝置的萝 為第一種fe Ik方法（以下，有時稱 為第種（+導體的）製造方法）包括 以搭載半導體晶片的半導體支樓帛1步驟於用 含有光硬化性成分及熱硬化it件二，印=塗佈 量％以下的黏晶用樹脂聚料來設置=的含里為5質 硬化（參照圖1的（b))，·以及第3步驟，藉由隔 者經光照射的塗難接半導體支撐構件財導體晶片，以 將半導體支·件與半導體晶片接合（參照圖丨的（c))。 本實施形態的半導體裝置的製造絲較佳為更包括藉由打 線接合來將經過上述各步驟後的半導體晶片與半導體支撐 構件電連接，其後對半導體晶片進行樹脂密封的步驟（參 知圖2的（a )及（b ))。 於本實施形態中，使用設置有電極12的絕緣性支撐基 板10作為半導體支樓構件，但作為半導體支撐構件，例如 可列舉：42合金導線架或銅導線架等導線架；聚醯亞胺樹 脂、環氧樹脂、聚醯亞胺系樹脂等的塑膠膜；使聚醯亞胺 樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺系樹脂等的塑膠含浸於玻璃不 織布等基材中並硬化而成者；氧化鋁等的陶瓷製等的絕緣 性支#基板、堆疊封裝的情況下的下部半導體晶片；顯示 器等的情況下的玻璃基板等。 作為印刷法，可列舉網版印刷法等。 ,.f 201224097 於本實施形態的網版印刷中，將設置有開口部的遮罩 20配置於絕緣性支撐基板10上，並藉由刮板40的移動而 將黏晶用樹脂漿料埋入至開口部中來形成樹脂漿料的塗膜 30 〇 再者，網版印刷可使用印刷機來進行。印刷機較佳為 可選擇印刷速度、印刷壓力、刮板角度、版脫離速度、作 為被印刷物的半導體支撐構件與遮罩的距離（間隙）等印 刷因素的印刷機。U 3是用於說明網版印刷中的印刷因素 的示意剖面圖。刮板40的移動速度（圖3的箭頭A)較佳 為1 mm/秒〜2〇〇mm/秒。另外，印刷壓力較佳為〇n〜3〇 N。再者，所謂印刷壓力’是指由相對於遮罩⑽為垂直方 向的刮板40所產生的壓力，當印刷壓力為0N時，是指刮 ，40與遮罩2〇未接觸的狀態。另外，刮板角度（圖3的 )較佳為10。〜9〇。。另外，版脫離速度較佳為〇1麵& 版麟速度，是指於遮罩開口部由樹脂聚 ==導，支樓構件1〇與遮罩2G分離時的速度（圖 L Γ 間隙（圖3的D)較佳為❹軸〜簡。再 者’备間隙為0 mm時，是指丰導舻*产磁 20接觸。 行疋知+導體支撐構件10與遮罩 於本實施形態中，藉由調節遮單2〇的厚度，可調整塗 即塗膜30的厚度。作為遮罩，可使 用金屬遮罩#。另外’鮮可根制途 遮罩的開口部成為網目狀的遮罩。 塗膜的厚度就降低成本的觀點而言，較佳為獅哗 17 201224097 以下，更佳為30 μπι〜200 μιη。若塗膜3〇的厚度未滿3〇 μΐΏ，則存在可靠性容易下降的傾向。 本實施形態中所使用的黏晶用樹脂毁料將後述。 作為上述第2步驟中的光照射，可列舉使用高壓水銀 燈等曝光裝置的紫外線的照射。作為其他光源，例如可列 舉：低壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬齒化物燈、發光二 極體-紫外線（Light Emitting Diode-Ultraviolet，LED-UV) 燈等。 光照射中所使用的光的波長是根據光聚合起始劑的種 類、調配比率而適宜設定，但較佳為作為一般的光聚合起 始劑的吸收區域的1 〇 nm〜400 nm。 光照射就抑制逸氣、降低黏性的觀點而言，較佳為對 於塗膜的曝光量為1 mJ/cm2以上’就黏性降低及節拍時間 的觀點而言’更佳為1 mJ/cm2〜4000mJ/cm2，進而更佳為 1000 mJ/cm2〜3000 mJ/cm2。再者，本案中的節拍時間是 指B-階段化之前的時間，於光照射的情況下表示曝光時 間’於熱乾燥的情況下表示加熱時間。所謂熱乾燥的情況 下的加熱時間，例如於經過昇溫、恒溫（維持）、降溫的步 驟的情況下表示該些步驟的合計時間，於僅為怪溫的情況 下表示該步驟的時間。若曝光量未滿1 mJ/cm2，則存在光 硬化性成分無法充分地硬化完的可能性，於此情況下，當 於第3步驟以後進行熱硬化性化合物的熱硬化時容易成為 逸氣。另外，若光聚合性化合物不充分地硬化完，則黏性 變得過大而於組裝時容易產生不良情況。 18 201224097〆 光照射較佳為於室溫（1 〇°C〜25°c左右）下照射1秒 〜5分鐘左右。進而，光照射可於真空下、氮氣下、空氣 下等環境下進行，但為了減少氧阻礙，較佳為於將經離形 處理的 t 對本一曱酸乙二酯（p〇lyethyiene terephthalate， PET)膜或聚丙烯膜等膜積層在塗膜上的狀態下進行、或 者於氮氣環境下進行，尤其，更佳為於氧濃度為i ppm以 下的氮氣環境下進行。若於空氣中進行光照射，則空氣中 的氧會阻礙光硬化反應，光硬化性成分不充分地硬化完， 當於第3步驟以後進行熱硬化性成分的熱硬化時容易成為 逸氣。另外，有時黏性變得過大而於組裝時容易產生不良 情況。 於本實施形態中，視需要亦可經由經圖案化的遮罩進 行曝光。 上述第3步驟可藉由如下方式進行：例如使用黏晶裝 置，將半導體晶片50搭載於半導體支撐構件1〇的經光照 射的塗膜32上’然後如圖i的（c)所示，例如使用加埶 塊51 ’於例如20。〇〜200t下以i N〜2〇〇 N對搭載有該 導體晶片50的半導體支撐構件1〇進行〇 〇1秒〜卯秒左 右的加熱、加壓。藉此，塗膜32中的熱硬化性成分熱硬化二 塗膜32成為㈣層，半導體支撐構件與半導體晶片得以接 合（黏晶）。再者，黏晶時的加熱溫度、壓力、壓接時間、 壓接速度可賴於B·階段化的條件或細旨㈣的组^而 適宜變更。就半導體晶片或半導體支簡件的耐壓性 點而言，第3步驟較佳為於100N以下的壓力下進疒^ I. I.201224097 外，就晶片或支樓構件的耐熱性的觀點而言，第 佳為於m°C以下的溫度下進行，就可靠性的觀點而= 較佳為於_〜not:的溫度下進行。糾，就ς 的觀點而言’第3步驟較佳為以丨0秒以下的時間來進^ : 作為半導體晶片50 ’例如可列舉ic、[si等。 於本實施形態中，可設置如下的預烤步驟：於 3步驟之前’在6G°C〜18(TC下以6G分鐘以下的時間 導體支樓構件進行加熱。藉此，當於第2步驟_間 而於樹脂漿料的塗膜表面附著有水分時，可於進行第3 + 驟前去除該水分。若於水分大量地崎在樹脂_的塗ς 上的狀態下進行第3步驟以後的組裝步驟，則會成為空 隙、裂紋等的原因。預烤步驟與第3步驟之間經過的時^ 越長，樹脂㈣越容易對水分進行吸濕，因此上述 ^ 驟較佳為於第3步驟之前進行。 夕 上述預烤步驟可使用烘箱來進行，亦可使用熱處理 或加熱板來進行。 預烤步驟是以去除樹脂漿料表面的水分為主要目的， 並不以促進樹脂㈣的硬化為目的。因此，就不促進樹脂 漿料的硬化反應的觀點而言，較佳為於_〜15叱的^ 溫下進行，更佳為於60〇C〜12(TC的低溫下進行。時間較 佳為30分鐘以下’更佳為15分鐘以下。就減少逸氣、防 止基板翹曲的觀點而言，以更短的時間、更低的溫度進疒 預烤步驟亦較佳，就節拍時間的觀點而言，以更短= 進行預烤步驟亦較佳。 1 20 201224097 於本實施形態中，可在上述第3步驟之後進行後硬 化。後硬化步驟可使用烘箱來進行，亦可使用熱處理爐或 加熱板來進行。當使用烘箱進行後硬化時，藉由將自室溫 起的昇溫步驟加入至程式中，可平穩地開始硬化反應，並 抑制逸氣。就防止黏晶層的龜裂的觀點而言，較佳為歷時 10分鐘以上緩慢地加熱、降溫來進行自室溫起的昇溫、及 朝向室溫的降溫步驟。作為後硬化的溫度，可列舉8〇它〜 200 C，但就逸氣、基板耐性的觀點而言，較理想的是175它 以下。就抑制基板翹曲的觀點而言，溫度儘可能越低越好。 藉由向所使用的黏晶用樹脂漿料中調配活性區域的溫度低 的硬化促進劑、或者調配低溫反應性的熱硬化性化合物， 可實現低溫（較佳為1 3〇aC以下）下的後硬化（c_階段化）。 再者，若藉由上述第3步驟，而以使半導體晶片於窗 式球柵陣列（Window Ball Grid Array，W-BGA)的打線接 合或μ-BGA的佈線時不移動的方式充分地固定晶片， 可省略後硬化。 、' 其後，如圖2的（a)所示，利用打線接合52將藉由 黏晶層34而接合的半導體晶片1G的電極與半導體支^ 件的電極12電連接。其後，如圖2的㈦所*，可^ 密封樹脂60對半導體晶片5G進行樹脂密封，進而= 搭載焊錫球54而獲得半導體裝置（半導體封裝體）1〇〇 黏晶層的频化料存在安餘好驟 顏 的情況下’亦可於將密封材後硬化時—併進行。= 處所述的安裝_步驟中的問題是指时導體晶片與半導 21 201224097 體支撐構件的固定不充分，導致晶片於打線接合時振動而 產生打線接合的不良情況，或者於樹脂密封時因晶片側面 的密封材的流動而導致晶片剝落。另外，此處所述的c 階段化是指形成比B·階段化之後的樹脂漿料的硬化狀態 更進步硬化的狀悲（C-階段）的步驟，通常，c_階段的 树脂漿料的Tg或彈性模數高於B_階段的樹脂漿料。 說明其次，對本實施形態中所使用的黏晶用樹脂漿料進行 八黏晶用樹脂漿料使用含有光硬化性成分與熱硬化性成 f、且溶劑的含量為5 f量％以下者。就可靠性的觀點而 5，黏晶用樹脂漿料較佳為實質上不含溶劑。 於本說明書中，所謂溶劑，是指為了調整先前的黏晶 樹脂㈣的黏度或觸變指數而用於樹脂組成物的稀釋 ，例如為不具有光反應性基及熱硬反應性基、分子量為 500以下且於25¾下為液狀的有機化合物等。 於本實施形態中’根據以下的方法來測定黏晶用樹脂 聚料的不揮發成分，若該不揮發成分為95質量％以上，則 量為5質量%以下。首先，將點晶用樹脂 4抖氣成2〇。μιη卩下的塗膜，並以100。mJ/cm2的曝光量 亥塗膜曝級長為365 nm的光’繼而於烘箱中歷時3〇 鐘自室溫的昇溫至140t為止，並將14〇ΐ_ i小時。 此婦驟，光硬化性成分及熱硬化性成分等反應 的化5物充分地反應而於·。c程度下不易揮發。然 後，以200。(：/2小時的條件測定不揮發成分。 22 201224097〆 本實施形態的黏晶用樹脂裝料 合物及光=劑作為光硬化性成分，4=: 要3有硬化促進劑或熱聚合起始劑作為熱硬化 成分者。 另外 '，个貝他彤怨的黏晶用樹脂漿料就賦予適度的彈 性模數與賴㈣觀點㈣，較佳為進而含有敎塑性樹 脂，就觸變性的賦予、可靠性的提昇、散熱義 言，較佳為進而含有填料。 ^ 作為光聚合性化合物’可列舉具有乙稀性不飽和基的 化合物作為較佳者。作為乙烯性不飽和基，可列舉：乙烯 基、婦丙基、炔丙基、丁稀基、乙快基、苯基乙炔基 來醯亞胺基、耐祕亞絲、（？基)@顧鱗。就 ，觀點而言’較佳為(甲基)丙稀酸基。作為含有此^ 基)丙烯酸基（CH=CR-CO- ; R為η或CH3)的化合物， 官能(曱基)丙烯酸酯化合物、多官能(甲基):烯酸 ^:物。再者，此處的單m官能是針對乙稀性不 飽和基而言者。於本發明中，較佳為包含多官能 烯酸酿化合物，特別是二官能（甲基)丙烯酸酷化合土 些可單獨使用一種、或者將兩種以上組合使用。 μ 為t官能以上的（甲基）丙稀賴，並無特別限制， 一二二一乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四 ^二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二曱基丙烯酸酯、三乙二醇 一甲基丙烯酸酯、四乙二醇二曱基丙烯酸酯、聚乙二二 丙烯酸酯、聚乙二醇二曱基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷一°; 23 201224097 3醋、，曱基吨二甲基丙埽_、m丁 稀酸醋、1,6-己二隨-工，χ 畔一丙 酯、1，6-己二醇二甲λ说：酯、Μ_丁二醇二曱基丙烯酸 三經甲基丙院三:ί:酸醋等二官能(甲基卿 醋、季戊四醇三丙稀酉t、季二三甲基丙稀酸 一李戍四醇六甲基丙烯酸酯等三官能以卜 1，3-丙_氧基_2姻丙H^A·1)所表示的化合物， 丙烧，三Φ-經乙基丙稀上氧基趣基 丙嬌酸脸其㈣」 酯的三丙烯酸酯，多官能 納”二IT·曰或甲基丙烯酸胺基曱酸酯，多官能脲丙 稀酉欠酉曰或腺甲基丙埽酸酯等。 [化1] h2
ο—^ch2ch2o
(A-1) 上述通式（A-1)巾’ Ri9及r20分別獨立地表示氮原 子或甲基，g及h分別獨立地表示的整數。 作為單官能（甲基)丙烯酸酯，可列舉：苯紛£〇改質（甲 基)丙烯酸酯（EO ;環氧乙烷），苯酚p〇改質（曱基)丙烯 酸酯（PO ;環氧丙烷）’壬酚EO改質（甲基）丙烯酸酯，壬 酚PO改質（曱基）丙烯酸酯，含酚性羥基的（甲基）丙烯酸 酯，丙烯酸2-經基乙酯、甲基丙烤酸2-經基乙酯等含經基 的（甲基)丙烯酸酯，苯基苯酚縮水甘油醚（曱基)丙烯酸酯、 24 201224097 jf (甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸苄酯等芳香族系 (甲基)丙烯酸酯，含醯亞胺基的（甲基)丙烯酸酯，含羧基的 (甲基)丙烯酸酯，（甲基)丙烯酸異莰酯等含異莰基的（甲"基) 丙烯酸酯，含二環戊二烯基的（曱基)丙烯酸酯等。 虽使用單宫能（甲基)丙稀酸酯時，就B-階段化後的與 被黏接體的密接性、硬化後的黏接性、耐熱性的觀點而言， 較佳為具有選自胺基曱酸酯基、異三聚氰酸基、醯亞胺基 及羥基中的至少一種官能基。特佳為具有醯亞胺基的單官 能（甲基)丙稀酸g旨。 進而，作為光聚合性化合物，亦可使用苯乙烯、二乙 烯基苯、4-乙烯基曱苯、4_乙烯基吡啶、N•乙烯基吡咯啶 酮、亞甲基雙丙婦醯胺、N，N-二甲基丙婦酿胺、N-經曱基 丙烯醯胺等具有乙烯基或（甲基)丙烯醯胺基的化合物。 虽使用二官能（甲基）丙稀酸酯化合物時，就調整黏度 的觀點而言，較佳為光聚合性化合物中的二官能（甲基）丙 烯酸酯化合物的含有比例為5質量。/。〜9〇質量％。 另外，本貫施形態的黏晶用樹脂漿料就濕潤性或黏接 性的觀點而言，較佳為含有具有光硬化性與熱硬化性兩方 面的功能的化合物作為光硬化性成分。 作為此種化合物，可較佳地使用具有（曱基）丙烯酸基 作為光硬化性的基、且具有環氧基作為熱硬化性的基的（曱 基)丙稀酸酯化合物。 具有環氧基的（曱基）丙烯酸酯的5%重量減少溫度就 保存穩定性、黏接性、低逸氣性、耐熱.耐濕可靠性的觀點 25 201224097‘ 而言，較佳為150°C以上，更佳為i8(TC以上，進而更佳為 200°C以上。具有環氧基的單宫能（甲基）丙烯酸酯的5%重 量減少溫度就可抑制由膜形成時的加熱乾燥所引起的揮 發、或朝向表面的偏析的觀點而言，較佳為15〇〇c以上， 就可抑制由熱硬化時的逸氣所產生的空隙及剝離或黏接性 下降的觀點而言，更佳為18(TC以上，進而更佳為2〇〇它以 上，就可抑制由未反應成分於回流焊時揮發所產生的空隙 及剝離的觀點而言，最佳為26(TC以上。此種具有環^基 的單官能（曱基)丙烯酸酯較佳為具有芳香環者。藉由將5 % 重量減少溫度為15 01以上的多官能環氧樹脂用作單官能 (曱基)丙烯酸酯的原料，可獲得高耐熱性。 作為具有環氧基的（甲基）丙烯酸酯化合物，並無特別 限定’除甲基丙稀酸縮水甘油醋、丙稀酸縮水甘油醋、丙 烯酸4-羥基丁酯縮水甘油醚 '曱基丙烯酸4_羥基丁酯縮水 甘油驗以外’可列舉使具有與環氧基進行反應的官能基及 乙稀性不飽和基的化合物與多官能縣樹脂進行反應而獲 付的化合物等。作為與上述環氧基進行反應的官能基，並 無特別限定’可列舉.異氰旨基、敌基、射續基、經 基、酸酐、胺基、硫醇基、醯胺基等。該些化合物可單獨 使用一種、或者將兩種以上組合使用。 具有環氧基的（曱基）丙烯酸酯化合物可藉由如下方式 獲得：例如於三苯基膦或溴化四丁基銨的存在下，使i分 子中具有至少2個以上的環氧基的多官能魏樹脂與相 於環氧基1當量為0.1當量〜0.9當量的（曱基)丙焊酸進行 26 201224097〆 反應。另外，於二月桂酸二丁基锡的存在下，使多官能異 氰酸酯化合物與含羥基的（甲基）丙烯酸酯及含羥基的環氧 化合物進行反應、或者使多官能環氧樹脂與含異氰酸酯基 的（曱基)丙烯酸醋進行反應，藉此可獲得含縮水甘油基的 (曱基)丙烯酸胺基曱酸酯等。 具有環氧基的（曱基）丙烯酸酯化合物就防止電遷移戋 防止金屬導體電路的腐蚀的觀點而言’較佳為使用將作為 雜質離子的鹼金屬離子、鹼土金屬離子、鹵素離子、尤其 氯離子或水解性氯等減少至1000 ppm以下的高純度品了 例如，藉由將減少了驗金屬離子、驗土金屬離離 子等的多官能環氧樹脂用作原料，可滿足上述雜質離子濃 度。總氣量可依據JISK 7243-3來測定。 ' ' 作為滿足上述耐熱性與純度的具有環氧基的（甲義)丙 烯酸酯化合物，並無特別限定，可列舉將雙酚A型1(或 AD型、S型、F型）縮水甘油醚、水添加雙酚a型縮水甘 油醚、環氧乙烷加成物雙酚A及/或F型縮水甘油醚、環 氧丙燒加成物㈣A及/或F型縮水甘_、苯 漆樹脂的縮水甘油醚、甲酚酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚= 雙酚A酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚、萘樹脂的縮水甘由 驗、三官能型（或四官能型）縮水甘油醚、二環戊_歸/ 樹脂的縮水甘油醚、二聚酸的縮水甘油酯、三官能型， 四官能型）的縮水甘油胺、萘樹脂的縮水甘油胺等作為或 料者。 ’、 尤其，為了改善熱壓接性、低應力性及黏接性，較佳 27 1 1201224097 為環氧基及乙烯性不飽和基的數量分別為3個以下，特佳 為乙烯性不飽和基的數量為2個以下。此種化合物並無特 別限定，可較佳地使用由下述通式（A-2)、通式（A-3)、 通式（A-4)、通式（A-5)或通式（A-6)所表示的化合物 等。於下述通式（A-2)〜通式（A-6)中，R12及R16表示 氫原子或曱基，R1()、R11、R13及R14表示二價的有機基’ 另外，R15是具有環氧基的有機基，R17及R18中的1個是 具有乙烯性不飽和基的有機基，剩下的1個是具有環氧基 的有機基。進而，（A-5)中的f表示0〜3的整數。 [化2]
28 201224097 於本實施形態中’光聚合性化合物（例如（曱基）丙烯 酸醋化合物）的5°/。重量減少溫度較佳為1〇〇〇C以上，更佳 為120C以上，進而更佳為150。〇以上，進而更佳為18〇。匸 以上。此處的5%質量減少溫度是針對光聚合性化合物， 使用示差熱熱重里同時測定裝置（Slj Nan〇Techn〇l〇gy製 造：TG/DTA6300)於昇溫速度1(rc/min、氮氣流量（4〇〇 ml/min)的條件下進行測定。例如，當使用5%重量減少溫 度高的單官能（甲基)丙烯酸酯時，可抑制藉由曝光而B—階 段化後所殘存的未反應單官能（曱基）丙烯酸酯於熱壓接或 熱硬化時揮發。 於本κ施升>態中，較佳為將光聚合性化合物與光聚合 起始劑一同用作光硬化性成分，並藉由利用光照射的B_ 階段化來使光硬化性成分的反應大致結束。 作為光聚合起始劑，可使用藉由光照射而生成自由 基、酸或鹼等的化合物。其中，就遷移等耐腐蝕性的觀點 而言，較佳為使用藉由光照射而生成自由基及/或鹼的化合 物，就不需要曝光後的加熱處理的觀點或高感光度的觀點 而5，可更佳地使用生成自由基的化合物。藉由光照射而 生成酸或鹼的化合物表現出促進環氧樹脂的聚合及/或反 應的功能。 作為藉由光照射而生成自由基的化合物，例如可列 舉.2_节基二曱胺基小(4_嗎啉基笨基)-丁酮_1、2,2_二 甲氧基_1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基_環己基-笨基-酮、 曱基-1-(4-(曱硫基)苯基)-2-嗎啉基丙酮_丨、2,4_二乙基硫雜 29 201224097. 慧酮、2-乙基慧酿及菲醌等芳香族酮；节 ^衍生物；2_(減苯基)n基料二聚體鄰 ^本基)·4,5-二（間甲氧基苯基）0米唾二聚體、權說苯 基)-4,5-苯基·二聚體、2_(鄰甲氧基苯基)_4 &二苯 嗤二聚體、2·(對曱氧基苯基)_4,5H㈣丄雜、土Μ· -(對曱氧基本基)-5_苯基料二聚體及2_(2 4· 基Μ，5·二苯基料二聚體等2,4,5.三芳基咪^聚體土 9 苯二=u·雙(9,9,十定基)纽^丫飾生物;雙(26-Γ 本曱醯基):2,4,4_三甲基·戊基氧化膦及雙(2,4,6，_ =曱土本甲醯基)·本基氧化膦等雙醯基氧化膦；職系化 ==亞胺化合物。該些可單獨使用、或者將兩種 人上述藉由光照射而生成自由基的化合物之中，就於不 含溶劑的黏接劑組成物中的溶解性的觀點而言，可較佳地 使用2,2_二曱氧基-12-二苯基乙烷-1-酮、2-苄基_2_二曱胺 基_1_(4_嗎啉基苯基)_丁酮小2 2_二甲氧基]2_二苯基乙烷 -1·嗣、2_甲基-1-(4-(甲硫基)苯基)-2-嗎啉基丙烷_1_酮。另 外’就即便於空氣環境下中，亦可藉由曝光而實現Β-階段 化的觀點而言’可較佳地使用2-苄基-2-二甲胺基4-(4-嗎 啦基笨基)_丁酮_1、2,2-二曱氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-甲基曱硫基)笨基)·2嗎啉基丙烷小酮。 藉由向本實施形態的黏晶用樹脂漿料中調配藉由曝光 而生成鹼的化合物（光鹼產生劑），玎進一步提昇樹脂漿料 的對於被點接體的高溫黏接性及对满性。可認為其理由如 201224097 if :^光鹼產生劑所生成的鹼作為環氧樹脂的硬化觸媒而 尚發揮作用，藉此可進—步提高交_度，另外，所 生成的硬化觸媒腐錄板等的情況較少。另外，藉由使黏 接劑組成物含有級產生劑，可提昇交聯密度，並可進一 步減少高溫放置時的逸氣。進而，可認為能夠使硬化製程 溫度低溫化、短時間化。 光鹼產生劑只要是藉由放射線（光）照射而產生鹼的 化合物，則可無_限制地使用。作為產生的驗，就反應 性、硬化速度的觀點而言，較佳為強鹼性化合物。更具體 而σ，藉由光驗產生劑而產生的驗的於水溶液中的pKa值 較佳為7以上’更佳為8以上。pKa —般是作為驗性的指 標的酸解離常數的對數。 作為藉由放射線照射而產生的驗，例如可列舉：咪唑、 2,4-二曱基咪唑、丨_曱基咪唑等咪唑衍生物，哌嗪及2,5_ 二甲基哌嗪等哌嗪衍生物，哌啶及丨，2_二曱基哌啶等哌啶 衍生物，三曱胺、三乙胺及三乙醇胺等三烷基胺衍生物， 4-曱胺基吡啶及4-二甲胺基吡啶等4位上取代有胺基或烷 基胺基的吡啶衍生物，吡咯啶、正甲基吡咯啶等吡咯啶衍 生物，1，8-二氮雙環(5,4,〇)十一烯-1 (DBU)等脂環式胺衍 生物，苄基甲胺、苄基二甲胺及苄基二乙胺等苄基胺衍生 物，脯胺酸衍生物，三乙二胺，嗎琳衍生物，一級烧基胺。 作為上述以外的光聚合起始劑，可使用：藉由活性光 線（光）的照射而產生一級胺基的肟衍生物、作為光自由 基產生劑來銷售的2-甲基曱硫基)苯基)_2_嗎啉基丙 31 201224097 院-1-酮（汽巴精化公司製造’ Irgacure907)、2-节基-2_二 曱胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1 (汽巴精化公司製造’
Irgacure369)、3,6-雙-(2曱基-2嗎啉基-丙醯基)-9-N-辛基咔 。坐（ADEKA公司製造，OptomerN-1414)、六芳基雙0米0坐 衍生物（鹵素、烷氧基、硝基、氰基等的取代基可被苯基 取代）、苯并異噁唑酮衍生物、胺甲酸酯衍生物等。 作為熱硬化性樹脂，可列舉：具有環氧基的化合物、 酴樹脂、1分子中具有至少2個熱硬化性醯亞胺基的醯亞 胺化合物等。該些可單獨使用一種、或者將兩種以上組合 使用。 再者 本貫施形悲的黏晶用樹脂漿料中所含有的熱々 化|·生成为因没想使其於利用光照射的B_階段化中不發j 反應，而於其後的加熱，進而於。階段化中發生反應，左 較佳為使祕光硬化起始劑的存在下不發纽應的敎硬^ 性成分。 … 與作為具有環氧基的化合物，並無特別限定’例如可歹, C甘油喊、二乙二醇二縮水甘油越、丙二 油触心k 1 —縮水甘㈣、甘油三縮水甘 顿專縮水甘油環氧化合物夕，^ 其酐作為補轉水 ^ ^讀s夂及 :作為原料的縮水甘油胺型環氧：二：脂： 物、對苯二盼、甲基對苯二驗 U肪，乳化合 對苯二酚、間苯二酚、甲:基對本-酚、三甲基 齡、基間本-盼、兒茶盼、甲其兑苯 盼聯本紛、四甲基聯苯紛、r暴兒木 一經基萘、二羥甲基萘、二 32 ηΐ 201224097 羥基二曱基萘、雙(4-羥笨基)酮、雙羥基_3,5_二曱基苯 基)酮、雙(4_羥基-3,5-二氯苯基)酮、雙…經苯基)石風、雙(4_ 羥基-3,5-二甲基苯基)碾、雙(4-羥基-3,5-二氯苯基)砜、雙 (4-羥苯基）六氟丙烷、雙(4-羥基-3,5-二曱基苯基）六氟丙 烧、雙(4-羥基-3,5-二氯笨基)六氟丙烷、雙(4_羥苯基)二曱 基矽烷、雙(4-羥基-3,5-二曱基苯基)二曱基矽烷、雙(4_羥 基-3,5-一氣笨基)一曱基石夕烧、雙(4_經苯基）曱烧、雙(4_經 基-3,5-二氯苯基）曱烧、雙(4_羥基_3,5_二溴苯基）曱烧、2,2-雙(4-羥苯基）丙烷、2,2-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基）丙烷、 2,2-雙(4-經基-3,5-一氣笨基)丙烧、2,2·雙(4_經基-3-曱基苯 基）丙烧、2,2-雙(4-羥基-3-氣苯基）丙烷、雙(4_羥苯基)醚、 雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基）醚、雙(4_羥基_3,5_二氣苯基） 趟、9,9-雙(4_羥苯基)第、9,9·雙(4_羥基_3_曱基苯基)第、9,9_ 雙(4-羥基-3-氯苯基）蕹、9,9-雙(4-羥基_3_溴苯基）荞、9,9-雙(4-羥基-3-氟笨基)第、9,9-雙(4-羥基-3-曱氧基苯基)荞、 9,9-雙(4-經基-3,5-一甲基笨基）第、9,9_雙(4_經基_3,5_二 笨基）第、9,9-雙(4_經基_3,5_二演苯基)g等的—種以上^矣 ，醇的縮合所獲得的二縮水甘油基化合物等具有芳严 &乳化合物等1分子内具有2個環氧基的化合物。長、 另外，亦可使祕的縮水甘油㈣型環氧樹脂。作 it::可列舉:雙紛A、雙紛AD、雙紛s、雙盼F或： 油i，甲氣ί的縮合物’苯_崎漆樹脂的缩水甘 樹r㈣料賴關縮水甘㈣，频a㈣、Ί 仏的‘水甘_等。該些可單獨使用、或者將兩種2 33 201224097 組合使用。 =崎氧_旨作為熱硬化性樹脂時 ，其調配量就耐 ιω _點而言’以樹脂祕總量為基準，較佳 為10質量％〜80質量％。 树月日是分子中具有至少2個SH罐基者，例如可列 舉.苯驗紛駿清漆翻旨、ψ ⑯清漆樹脂 、雙酚A型酚 酿?漆樹脂、料乙縣料、《統基齡等。該些 可單獨使用-種、或者將兩種以上組合使用。 當調配盼樹脂與環氧樹脂作為熱硬化性樹脂時，考慮 到封裝的可靠性，其調配量較佳為以使酚官能基當量成為 環氧官能基當量以下的方式進行調整。 就可提昇封裝可靠性的觀點而言，較佳為併用環氧樹 脂與酚樹脂。於此情況下，環氧樹脂及酚樹脂的調配量分 別以樹脂漿料總量為基準，較佳為10質量％〜80質量％及 10質量％〜80質量％。 作為1分子中具有至少2個熱硬化性醯亞胺基的醯亞 胺化合物，例如可列舉：鄰雙馬來酿亞胺苯、間雙馬來酿 亞胺苯、對雙馬來醯亞胺苯、1，4-雙(對馬來醯亞胺異丙苯 基)笨、1,4-雙（間馬來醯亞胺異丙苯基)苯等。該些可單獨 使用一種、或者將兩種以上組合使用。 另外，較佳為使用由下述的式（C_1)〜式（C_3)所 表示的醯亞胺化合物。 [化3] 34 201224097』
式中，X 及 Y 表示 o、ch2、cf2、so2、s、co、c(ch3)2 或 C(CF3)2，Rl、R2、R3、R4、R5、尺6、R7 及 R8 分別獨立 地表示氳、低級烷基、低級烷氧基、氟、氣或溴；D表示 具有乙烯性不飽和雙鍵的二羧酸殘基；m表示0〜4的整 數。 作為式（C-1)的醯亞胺化合物，例如可列舉：4,4-雙 馬來醯亞胺二苯醚、4,4-雙馬來醯亞胺二苯基曱烷、4,4-雙馬來醯亞胺-3,3'-二曱基-二苯基甲烷、4,4-雙馬來醯亞胺 二苯基砜、4,4-雙馬來醯亞胺二苯硫醚、4,4-雙馬來醯亞胺 二苯基酮、2,2'-雙(4-馬來醯亞胺苯基)丙烷、4,4-雙馬來醯 亞胺二苯基氟甲烷、1，1,1，3,3,3-六氟-2,2-雙(4-馬來醯亞胺 35 201224097 苯基)丙烷等。 作為式（C-2)的醯亞胺化合物，例如可列舉：雙[4_(4_ 馬來醯亞胺笨氧基）笨基]醚、雙[4_(4_馬來醯亞胺苯氧基） 苯基]曱烷 '雙[4-(4-馬來醯亞胺苯氧基）苯基]氟曱烷、雙 [4_(4_馬來醯亞胺苯氧基)苯基]石風、雙[4_(3_馬來酿亞胺苯氧 基）苯基]砜、雙[4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基]硫化物 '雙 馬來醯亞胺苯氧基)苯基]酮' 2,2雙[4 (4馬來醯亞胺 苯氧基)苯基]丙:1¾、1，1，1，3,3,3_六氟_22_雙[4_(4_馬來醯亞 胺苯氧基)苯基]丙烷等。 作為硬化促進劑，可列舉：咪唑類、咪唑啶類、二氰 二胺衍生物、二羧酸二醯肼、有機膦（三苯基膦或其衍生 物、氧化膦類、二膦類、四苯基蝴酸四苯基鱗、2_乙基-4_ 曱基咪唑-四苯基硼酸鹽、丨，8_二氮雙環(5,4,〇)十一烯_7_四 本基爛酸鹽等膦-爛化合物）、錫化合物、爛化合物等。 作為熱聚合起始劑，可列舉有機過氧化物等。 本實施形態的黏晶用樹脂漿料就提昇低應力性、與被 黏接體的密接性、熱壓接性的觀點而言，較佳為含有熱塑 性樹脂。 作為熱塑性樹脂，可列舉：（曱基）丙烯酸系樹脂、丁 二烯系樹脂、聚丁二烯丙烯腈共聚物、聚酯樹脂' 聚醚樹 脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚 謎醯亞胺樹脂、聚胺基曱酸酯樹脂、聚胺基曱酸酯醯亞胺 樹脂、聚胺基甲酸酯醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷聚醯亞胺樹 脂、聚酯醯亞胺樹脂、該些的共聚物、該些的前驅物（聚 36 201224097〆 酿胺酸等）、聚苯并°惡销脂、苯氧基樹脂、聚颯樹脂、聚 鍵颯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚碳酸醋樹脂、聚_樹脂、 酚醛清漆樹脂、酚樹脂等。 t該些之中，較佳為（曱基）丙烯酸系樹脂、丁二烯系樹 ，、聚丁二烯丙烯腈共聚物等，更佳為聚丁二烯丙烯腈共 聚物及丁二缔系植m，特佳為聚丁二婦丙稀猜共聚物。其 中，特佳為具有竣基的共聚物。 作為上述共聚物，具體而言，可列舉將丁二稀與丙烯 腈及視需要的其他聚合性化合物的共聚物作為主鏈、且於 其末端的至少一方具有羧基者。就印刷性、黏接強度及作 業性的觀點而言，該共聚物的數量平均分子量較佳為5〇〇 〜10000，更佳為10⑻〜7漏。進而，更佳為由下述通式 〇)所表示的具有羧基的丁二烯-丙烯腈共聚物。 [化4]
H00C-[-(CH2-CH=CH-CH2^{CH2-CH^|^C00H 通式（1)中，x/y為95/5〜50/50, η為5〜50的整數。 上述通式（1)所表示的化合物亦可由市售品而獲得。 例如’作為市售品，可由Hycar CTBN-2009><162、 CTBN-130〇x31、CTBN-130〇x8、CTBN-130〇xl3、 CTBNX-1300x9 (均為PTI JAPAN股份有限公司製造）而 獲得。 37 201224097 另外’作為具有羧基的丁二烯系樹脂’可列舉作為具 有羧基的低分子量液狀聚丁二烯的NISSO-PB-C-2000 (日 本曹達股份有限公司製造，商品名）（日本曹達（股份）製 造，商品名）等。 該些可單獨使用、或者將兩種以上組合使用。 熱塑性樹脂的Tg較佳為150°C以下，更佳為120°C以 下，進而更佳為l〇〇t：以下，最佳為8(TC以下。當該Tg 超過150°C時，存在樹脂漿料的黏度上昇的傾向。另外， 存在當熱壓接於被黏接體上時需要150°C以上的高溫的傾 向。此處’所謂「Tg」，是指將熱塑性樹脂加以膜化時的 主分散峰值溫度，將使用Rheometrics公司製造的黏彈性 分析儀「RSA-2」（商品名），於膜厚1〇〇 μηι、昇溫速度 5°C/min、頻率1 Hz、測定溫度_150。(：〜30(TC的條件下測 定時的Tg附近的tan5峰值溫度作為主分散峰值溫度。 熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳為於1〇〇〇〜 500000的範圍内進行控制，就可使熱壓接性與高溫黏接性 南度地並存的觀點而言’更佳為1〇〇〇〜3〇〇〇〇〇。此處，所 謂「重量平均分子量」’是指使用島津製作所公司製造的高 速液相層析儀「C-R4A」（商品名），並以聚苯乙烯換算來 測定時的重量平均分子量。 樹脂漿料的黏度（25。(：）較佳為5 Pa.s〜1000 pa.s， 更佳為20Pa.s〜500Pa.s，特佳為50Pa.s〜200 Pa.s。若樹 脂漿料的黏度為5 Pa.s〜1〇〇〇 pa.s，則就印刷作業性的觀 點而言較佳。樹脂漿料的黏度較佳為對應於網版印刷中的 38 201224097yif 印刷速度、下降偏移量 刷壓力）、版脫離速度、刮板角 開口部的形狀、金屬遮置叫 雕、间I糸）至屬毛卓 素而適宜調整，例如，^^部侧面的表面處理等印刷因 口部的情況下，考相_目°=版等般網目㈣在遮罩開 _Pa.S的_，於模㈣^1的脫雜，較佳為5 Pa.S〜 〜snnp. μ欣阁 4的情況下，較佳為調整成20Pa.s 的黏曰：U: p“另外’於看到許多殘存在B-階段化後 :::層中的扇情況下，較佳為調整成ΐ5〇Μ以下 的黏度。 樹脂襞料的觸變指數較佳為15〜1〇〇，更佳為2 〇〜 7.0’特佳為2.0〜5.0。若樹脂製料的觸變指數為15以上， 則就抑制藉由網版印刷法所供給·塗佈的㈣的滴液等的 產生、良好地保持印刷形狀的觀點而言較佳。進而，若該 觸變指數為削町，職抑由職印刷法所供給. 塗佈的漿料的「缺失」或模糊等的產生的觀點而言較佳。 上述黏度是設定為使用E型旋轉黏度計，於25<t下以 0.5 rpm的轉速測定時的值。觸變指數是定義為利用E型旋 轉黏度計，於25°C下以0.5 rpm的轉速測定時的值與以5 卬m的轉速測定時的值的比（觸變指數= [0 5 rpm下'的黏 度]/[5 rpm下的黏度])。 根據上述本實施形態的半導體裝置的製造方法，可削 減利用印刷法將黏晶材料塗佈於半導體支撐構件上來接合 半導體晶片時的節拍時間，並且可充分地防止由B_階段化 中的硬化不足或過度的硬化所引起的組裝不良，而可生產 39 201224097 性較佳地製造可靠性優異的半導體裝置。另外，可實現比 先前的利用加熱的B-階段化更低的溫度下的B_階段化，可 抑制基板翹曲或逸氣，進而可抑制對於環境的負荷。進而， 可充分地抑制於BH段化後的步驟巾因溶劑殘留而產生 的空隙等不良情況。 根據本發明，除上述效果以外，可消除以下所說明的 圖扉外延區（dog ear )的問題。 圖4的（a)是自上方所觀察到的實施網版印刷的基板 j配置的遮罩20的圖。於網版印刷中，將樹脂祕供給 土板上所配置的遮罩2G上，且刮板朝箭頭&的方向（印 方向）移動，藉此將樹脂漿料埋入至開口部22中。萨此， =對應於開π部22的形狀的樹脂㈣的塗膜。針對曰藉由 二：版印刷所形成的塗膜’觀察沿著其印刷方向a進行切 ，成的剖面（圖4的（a )中的沿著m_m線的剖面）， j如圖4的⑻所示於塗膜的端部產生了凸起（以下， ^稱為圖廓外延區）。圖4的㈦中，&表示印刷方向， 若= 凸ί二而且’由於先前的樹脂聚料含有溶劑，因此 加 =乾燥而Β·階段化，則溶劑揮發，膜厚如圖 凡)斤= 變薄。但是，存在_卜延區的高度於該& 的讀不怎麼變化的情況，於此情況下，與圖廓外 延區的高度H 興圖廊外
(H2/HO (Η4/Η3Γ(ατ^0^^1ί :'、、圖廓外延II比率）顯著増大。此種圖料延區的增又可 201224097 f Μ 能成為於晶姉著時產生㈣、或⑸傾斜地搭載等 不良的主要原因。 义 、根據本實施形態的半導财置的製造方法，藉由具備 ^述各步驟，可防止上述組裝不良的產生而生產性較佳地 製造可靠性優異的半導體裝置。本發明者等人認為其理由 如下.因可藉由光照射來將塗膜Β_階段化，故可抑制由上 述溶劑的揮發所引起的圖廓外延區比率的增大。 、於本實施形態中，較佳為適宜調整樹脂漿料的黏度、 或觸變指數，保持由網版印刷所形成的塗膜的印刷形狀。 較佳為圖廓外延區對於塗佈後的膜厚的比率藉由調整印刷 因素而降低。再者，所謂圖廓外延區，是指針對所印刷的 塗膜，如圖4的（b)所示般觀察沿著網版印刷的印刷方向 a!的剖面時，印刷部分的最後的位置上所產生的如狗耳的 形狀的突起b。若於搭載半導體晶片時該圖廓外延區的高 度尚’則因所搭載的晶片相對於基板未平行地搭載、或產 生空隙、或不充分地黏接等現象，而導致半導體封裝體的 可靠性下降。再者，於本實施形態中，藉由使用上述本發 明的黏晶用樹脂漿料’可充分地抑制B-階段化後的圖廓外 延區比率的增大，而可有效地防止上述問題。 圖廓外延區比率可藉由使用非接觸型的形狀測定裝置 (KEYENCE (股份）製造，KS-1100系列等）測定塗膜表 面的形狀’並如圖4的（b)及（c)所示般將剖面的形狀 視覺化而求出。圖4的（b)表示B-階段化前的塗膜的剖 面形狀，圖廓外延區比率為H2/H卜另外，圖4的（c)表 201224097 示B-階段化後的塗膜的剖面形狀，圖廓外延區比率為 H4/H3 〇 於本實施形態中，較佳為以藉由光照射將於下述條件 下所形成的塗膜B-階段化時的圖靡外延區比率為指標，調 整印刷因素及樹脂漿料黏度或觸變指數。 基板（光阻劑）：MCL-E-679F (AUS-308) 遮罩：厚度為1〇〇微米的金屬遮罩 印刷形狀：3 mmxlO mmxlOO μιη 厚 印刷機：Minami (股份）製造，MK-838SV 於本實施形態中，較佳為於上述條件下形成、且藉由 光照射而B-階段化的塗膜的圖廓外延區比率成為5〇0/〇以 下。 [第2實施形態] 其次，對本發明的黏晶用樹脂漿料的其他實施形態進 行說明。黏晶用樹脂漿料是含有25〇c下的黏度為1〇() Pa,s 以下的光聚合性化合物、熱硬化性化合物及熱塑性彈性 體，且溶劑的含量為5質量％以下者。 光聚合性化合物的黏度是指使用東機產業股份有限公 司製造的E型黏度計（VISC⑽c助），於直徑28 _、 3。錐體、l〇〇rpm、25t的條件下測定時的黏度。 於本說明書中，所謂溶劑，是指為了調整先前的點曰曰 :樹脂漿料的黏度或觸變指數而用於樹脂組成物的稀^ 者’例如為不具有歧級基及熱硬反應性基 、分子量為 以下且於25 C下為液狀的有機化合物等。 *、、、 42 201224097 lf 於第2實施形態中’使用高壓水銀燈’於氧濃度為1 pp 以下的氮氣環境下，對黏晶用樹脂漿料進行曝光量為1〇〇〇 mJ/cm2的紫外線的曝光，繼而放入至烘箱中，歷時3〇分 鐘自40°C昇溫至14〇。(：為止，將該溫度維持30分鐘，其後 歷時30分鐘降溫至4〇°c為止，其後，求出於烘箱中以2〇(Γ(： 進行2小時的加熱時的曝光及加熱後的樹脂漿料的質量對 於曝光及加熱前的樹脂漿料的質量的比例，若該比例為 95%以上’則可判斷溶劑的含量為5質量％以下。 就了罪性的觀點而s，黏晶用樹脂浆料較佳為溶劑的 含量為5質量％以下，更佳為實質上不含溶劑。 ^作為光聚合性化合物，可較佳地使用上述第1實施形 愍中的光聚合性化合物中的於25〇c下的黏度為1〇〇 pa s以 下者:再者，於第2實施形態中，亦可在無損本發明的效 $的範圍内，將25。(：下的黏度超過i〇〇i>a.s的光聚合性化 合物與25 C下的黏度為1 〇〇 Pa.s以下的光聚合性化合物併 用0 敕作為光聚合性化合物的調配量，就樹脂漿料的黏度調 正的觀點而言’以樹脂漿料總量為基準，較佳為10質量％ 〜80質量％。 ^第2實施形態中’較佳為—併使用光聚合性化合物 二合起始劑，並藉由利用光照射的B-階段化來使光硬 化性成分的反應大致結束。 =為光聚合起始劑，可使用與上述第1實施形態中的 ’口起始劑相同的化合物。作為光聚合起始劑的調配 43 201224097 量’就樹脂漿料的反應靈敏度或穩定性的觀點而言，以樹 脂紧料總量為基準，較佳為0.01質量％〜5質量％。 作為熱硬化性化合物’可使用與上述第1實施形態中 的熱硬化性樹脂相同的化合物。再者，第2實施形態的黏 晶用樹脂聚料中所含有的熱硬化性化合物因設想使其於利 用光照射的B-階段化中不發生反應，而於其後的加熱，進 而於C-階段化中發生反應，故較佳為於光硬化起始劑存在 下，即於僅存在光硬化起始劑與熱硬化性化合物的體系 中，即便照射光，黏度亦不會上昇原來的黏度的5%以上。 當凋配環氧樹脂作為熱硬化性化合物時，其調配量就 耐熱性及黏接性的觀點而言，以樹脂漿料總量為基準，較 佳為10質量％〜70質量％。 當調配紛樹脂作為熱硬化性化合物時，考慮到封裝的 可罪性，其調配量以樹脂漿料總量為基準，較佳為丨質量 %〜20質量％。 就可提昇封裝可靠性的觀點而言，較佳為併用環氧樹 脂與_脂。於此情況下，環氧齡及_脂的調配量分 別以樹脂漿料總量為基準’較佳為1〇質量％〜7〇質量％及 1質量％〜20質量％。 當调配醯亞胺化合物作為熱硬化性化合物時，考慮到 聚料的保管穩定性’其調配量讀脂㈣齡為基準了較 佳為5質量％〜2〇質量％。 -第2實施形態的黏晶用樹脂漿料就以更低的溫度 短的時間進行C.階段化的觀點而言，較佳為進而含有硬化 201224097 促進劑。作為硬化促進劑，可使用與上述第1實施形態中 的硬化促進劑相同的化合物。 作為硬化促進劑的調配量，就樹脂漿料的反應靈敏度 或穩定性的觀點而言，以樹脂漿料總量為基準，較佳為0.1 質量％〜5質量％。 作為熱塑性彈性體，例如可列舉：聚苯乙烯系樹脂、 聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚酯系樹脂、丁二烯系樹 脂 '聚丁二烯丙烯腈共聚物。其中，較佳為具有羧基的共 聚物。 熱塑性彈性體的Tg較佳為40°C以下，更佳為20。(：以 下’進而更佳為〇。(：以下，最佳為-20°C以下。當該Tg超 過4〇°C時，存在樹脂漿料的黏度上昇的傾向。另外，存在 當熱壓接於被黏接體上時需要15〇°C以上的高溫的傾向。 此處，熱塑性彈性體的Tg是指藉由TA Instrument公司製 造的DSC (Q200)所測定的值。 第2實施形態的黏晶用樹脂漿料就賦予適度的彈性模 數與濕潤性的觀點而言，較佳為進而含有熱塑性彈性體以 外的熱塑性樹脂。 作為熱塑性彈性體的調配量，就樹脂漿料硬化物的低 彈性化的觀點而言’以樹脂漿料總量為基準，較佳為1〇 質量％〜85質量％。 作為第2實施形態中的上述熱塑性彈性體以外的熱塑 性樹脂，可列舉：（甲基)丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚醚 樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、 45 201224097 聚醚醯亞胺樹脂、聚胺基曱酸酯樹脂、聚胺基曱酸酯醯亞 胺樹脂、聚胺基曱酸酯醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷聚醯亞胺 樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、該些的共聚物、該些的前驅物（聚 醯胺酸等）、聚苯并噁唑樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、聚 醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹脂、 酚醛清漆樹脂等。 該些可單獨使用、或者將兩種以上組合使用。 熱塑性樹脂的Tg較佳為15〇。(：以下，更佳為12〇。〇以 下，進而更佳為100°C以下，最佳為80°C以下。當該Tg 超過150C時’存在樹脂漿料的黏度上昇的傾向。另外， 存在當熱壓接於被黏接體上時需要15(η：ιΧ上的高溫的傾 向。 熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳為於ι〇〇〇〃 5一00000的範_進行控制，就可使熱祕性與高溫黏接士 尚度地並存的觀點而言，更佳為1〇〇〇〜3〇〇〇〇〇。 塑性樹脂的調配量，就㈣硬化_彈_ 為性的觀點而言，以樹難料總量為基準，較仓 為10質量°/❶〜80質量％。 干平 散執用樹脂漿料就可靠性、觸變性、 的觀點而言，較佳為進而含有填料。 (金屬舉氧::、金粉、鋼粉等導電性 銅粉等導等。該些之中，銀粉、金粉、 (孟屬）填料能夠以對黏接劑賦予導電性、 46 201224097^ 傳熱性或觸變性的目的而添加。另外，二氧化石夕、氧化銘、 二氧化鈦、玻璃、氧化鐵、陶I等無機物質填料能夠以對 黏接劑賦予低熱膨脹性、低吸濕率、觸變性的㈣而添加。 該些可單獨使用、或者將兩種以上組合使用。 填料的調配量以樹脂漿料總量為基準，可嗖 %〜70質量％。 〇 ” 貝里 第2實施形態的黏晶用樹脂裝料就於印刷中抑 泡、空隙的產生的觀點而言，較佳為進而含有選自由 劑、破泡劑及抑泡劑所組·組群中I種以上的添加劑。 作為上述添加劑的具體例，可列舉：魏偶 系，合劑、非離子系界面活性劑、氣 = =添加劑。該些可單獨使用一種、或者將兩種= 。.：Γ:量以崎料總量為基準 ’可設為 脂漿料的黏度形態的黏晶用樹 形態度及觸： 說明。第二種半導體裳製造方法進行 半導體的第-種製造方法H ^可較佳地用於在上述 設置樹脂漿料的塗_情$。v驟巾利用網版印刷法 第二種半導體裳置的製造方法 以搭載半導體晶片的半導 括·帛1步驟’於用 導體支撐構件上，利用網版印刷塗 47 201224097 2實施形態中的黏晶用樹脂聚料來設置上述樹脂 聚料的塗膜；第2步驟，對上述塗膜進行光照射；以及第 :牛::導:ΐ、，光照射的上述塗膜壓接上述半導體支撐構 了導體a曰片。再者，於第二種半導體裝置的製造方法 1 步驟亦可參照圖1❸⑷，第2步驟亦可參照圖 的（）’第3步驟亦可參照圖I的（c)。 劁二ί;1步驟中’半導體支撐構件可使用與上述第-種 造；法η姆目？者，利用網版印刷的塗佈可與上述第-種製 1^万沃同樣地進行。 、十、楚^"驟中，對於樹脂聚料的塗膜的光照射可與上 述第一種製造方法同様地進行。 /、上 士下2 3步驟中，半導體支樓構件與半導體晶片可藉由 ❹黏接合：與上述第一種製造方法同様地，例如 10的經=射片50搭載於半導體支撑構件 的半導雜晶片50 作為半導體晶片50，例 iGe、CuInSe2等作為晶片材料的晶片。 造方= 製ί方法中，與上述第一種製 = 化。但是，於第二種半導體裝置的 較佳為於“二㈣的硬化反應的觀點而言， C的低溫下進行，更佳為於6(TC〜 48 201224097」if =以溫下進行。時間較佳為3G分鐘以下，更佳為15 其後’可與第-種製造方法関地，將藉由黏晶層而 接 '的半導體晶片的電極與半導體支撐構件的電極電連 接。進而’可仙密封樹脂對半導體晶片進行樹脂密封， 進而視需要搭载焊錫球而獲得半導體裝置（半導體 根據上述第2實施形態的第二種半導體裝置的製造方 法，可誠利關版印斜將黏晶㈣㈣於半導體支樓 構件上來接合半導體晶片時的節拍時間，並且可充分地防 止由Β-Ρ皆段化中的硬化不足或過度的硬化、殘留的溶劑所 引起的組裝不良，而可生產性較佳地製造可靠性優異的半 導體裝置。另外’可實現比先前的利用加熱的Β·階段化更 低的溫度下的Β.階段化’可抑制基板㈣或逸氣，進而可 抑制對於環境的負荷。進而，可充分地抑制於Β·階段化後 的步驟中因溶劑殘留而產生的空隙等不良情況。 根據上述第2實施形態，除上述效果以外，可消除圖 廓外延區的問題。 ^根據上述第2實施形態的黏晶用樹脂漿料及使用其的 第二種半導體裝置的製造方法，可防止於第1實施形態中 亦說明的基於圖廓外延區的組裝不良的產生而生產性較佳 地製造可靠性優異的半導體裝置。本發明者等人認為其理 由如下.因可藉由光照射來將塗膜Β_階段化，故可抑制由 上述溶劑的揮發所引起的圖廓外延區比率的增大。 49 201224097 於第2實施形態巾’較佳為適宜調整樹脂毁料的勘 度、或觸變指數’保持由網版印刷所形成的塗膜的印刷^ 狀。較佳為圖廊外延區對於塗佈後的膜厚的比率藉由調▲ 印刷因素而降低。 較佳為於上述條件下形成、且藉由光照射而B_階段化 的塗膜的圖廓外延區比率成為50%以下。 [實例] 以下’列舉實例對本發明進行更具體的說明。但是， 本發明並不限定於以下的實例。 -第1實例-<樹脂漿料的製備> (樹脂漿料A1及樹脂漿料A2) 將表1所示的各材料以該表所示的比例（質量份）混 合’而分別製備樹脂毁料A1及樹脂装料A2。再者，表1 中的各記號表示下述的材料。 FA-125M :新戊二醇二曱基丙烯酸酯（日立化成工業 公司製造，商品名）。 EPICRON 830 : DIC (股份）製造，商品名，苯酚曱 盤聚縮合物的利用表氣醇的二縮水甘油醚化編成物。 IRGACURE-819 : BASF JAPAN (股份）製造，商品 名，雙(2,4,6_三曱基苯曱醯基)-苯基氧化膦）。 2P4MHZ-PW :四國化成工業公司製造，商品名，2-笨基-4-曱基-5-羥甲基咪唑 PERBUTYLD :曰油（股份）製造，商品名，二-第三 201224097』lf 丁基過氧化物。 CTBN130〇x8 : PTI JAPAN (股份）製造，商品名，丁 二稀-丙烯腈共聚物。 AEROSIL50 :曰本AEROSIL (股份）製造，商品名， Si02。 樹脂漿料A1及樹脂漿料A2的黏度是使用E型旋轉 黏度計，於25°C下以0.5 ι·ριη的轉速進行測定。 [表1] 樹脂漿料A1 樹脂漿 硬化劑 FA-125M 15 Ϊ5 EPICRON 830 4.870 4.870 光聚合起始劑 IRGACURE-819 0.5 硬化促進劑 2P4MHZ-PW 0.099 0.099 熱聚合起始劑 PERBUTYLD - 0.162 熱塑性樹脂 CTBN130〇x8 10 10 添加劑 AEROSIL50 4.235 4.235 合計 46.774 46.774 樹脂梁料的於25°C下的黏度（Pa*s) 200 198 ~ 使用上述所獲得的樹脂漿料Α1及樹脂漿料Α2於各種 組裝條件下進行Β-階段化，並對節拍時間、基板的翹曲、 Β-階段化後的重量減少率、後硬化後的重量減少率進行評 價0 <樹脂漿料的印刷> (組裝例Α1〜組裝例Α5) 於塗佈有阻焊劑（商品名：AUS-308，太陽油墨製造 (股份）製造）的絕緣性支撐基板（商品名：MCL-E-679F， 日立化成工業股份有限公司製造）上，使用印刷機（Minami (股份）製造，MK-838SV)與厚度為ΐΟΟμιη的金屬遮罩 51 201224097. 網版印刷樹脂漿料A1或樹脂漿料A2來形成塗膜。再者， 所印刷的塗膜的形狀為3 mmxlO mmxlOO μηι厚。印刷條 件是將刮板速度設為30 mm/秒，將刮板角設為60°，將刮 板偏移量設為-0.1 mm，將間隙設為0 mm，將版脫離速度 設為2 mm/秒。 <B-階段化> (組裝例A1) 針對印刷有樹脂漿料A1的塗膜，使用曝光機（Mikasa (股份）公司製造，對準器ML-210FM，照度為13 mW/cm2 以上（365 urn換算），光源：高壓水銀燈），於氧濃度為1 PPm以下的氮氣環境下，以曝光量為100mJ/cm2的條件照 射紫外線。該階段化的節拍時間為015分鐘。 (組裝例A2) 除將曝光量變成1〇〇〇 mj/cm2以外，以與組裝例A】 相同的方式進行B-階段化。該B-階段化的節拍時間為i 5 分鐘。 (組裝例A3) 將印刷有樹脂漿料A2的基板放入至乾燥機中，歷時 30分鐘自40°C昇溫至13〇χ：為止，將該溫度維持3〇分^童， 其後歷時3G分鐘降溫至贼為止。該B•階段化的節 間為90分鐘。 (組裝例A4) 將印刷有樹脂聚料A2的基板放入至乾燥冑中， 30分鐘自4G°C昇溫至15叱為止，將該溫度維持％分^， 52 201224097』 其後歷時30分鐘降溫至4〇。〇為止。該B_p皆段化的節拍時 間為90分鐘。 (組裝例A5) 將印刷有樹脂漿料A2的基板放入至乾燥機中，歷時 30分鐘自40C昇溫至150。(：為止，將該溫度維持1〇分鐘， 其後歷時30分鐘降溫至4〇。(：為止。該B_階段化的節拍時 間為70分鐘。 [基板的翹曲] 針對具有以上述方式而B-階段化的塗膜的絕緣性支 撐基板’使用非接觸型的形狀測定裝置（KEYence (股 份）製造’ KS-1100系列）測定塗膜表面的形狀，並將剖 面（於塗膜的厚度方向進行切斷所得的面）的形狀視覺化， 藉此測定赵曲。 [B-階段化後的重量減少率及後硬化後的 將各樹脂漿料約1.5 g以儘可能成為均勻的膜厚^的方 式載置於直徑約60 mm、高度約Mmm的圓桎狀的金屬培 養皿（質量(g))的底面内側，製成測定用試樣。^ 後，求出所載置的樹脂聚料的質量（W2 ( g)) m ^ 上述B-階段化的條件下對該些測定用試樣進行階段化 後，對測定用試樣整體的質量（W3(g))進行測定用 該些值並根據下述式求出B-階段化後的重量減'少率（質量 %)。 、 B-階段化後的重量減少率（質量％) w
(Wl) }/ (W2) ]xlOO 53 201224097 將B-階段化後的各測定用試樣放入至乾燥機中，於 200°C下加熱2小時。對加熱後的測定用試樣的質量（W4 (g))進行測定。使用該值並根據下述式求出後硬化後的 重量減少率（質量％)。 後硬化後的重量減少率（質量％) =1〇〇-[{ (W4) -(W1) }/ (W2) ]χ100 54 201224097 J-aoos寸 鬥CN<】 s舟A 游令s式 Θ诞》Η ^ ιηΗ ^ ^ ΨΊ w CN oo Ο (N 〇 CO 〇 <N ll^ QQ .Im.l η〇η 0.01 0.01 σ\ 〇 00 〇〇 〇 基板翹曲i (μηι) . ... *·Η 〇\ fS 〇 •Η Β-階段化 節拍時間（分鐘） 0.15 ••Η Ο Β-階段化條件 100 mJ/cm2 1000 mJ/cm2 130°C 150°C 150°C 光照射 光照射 加熱乾燥 加熱乾燥 加熱乾燥 樹脂聚料 樹脂漿料A1 樹脂聚料A1 樹脂漿料A2 樹脂漿料A2 樹脂漿料A2 組裝例A1 組裝例A2 組裝例A3 組裝例A4 組裝例A5 201224097 <樹脂漿料的印刷> (組裝例A6〜組裝例All) 相同的條件進行印 以與上述組裝例A1〜組裝例八5 刷 <B-階段化> (組裝例A6) 除將曝光量變成9〇〇mJ/cm2，即如矣 1 間以外’以與組農例A1相同的方式進 更曝光時 (組裝例A7) τ -階段化。 除將曝光量變成11〇〇 mJ/cm2,即如表， 間以夕例A1相同的方式進行二2曝糾 將印刷有義⑽A2的基板放人至乾 3〇分鐘自贼昇溫至丨桃為止，將該溫 其後歷時30分鐘降溫至4〇。(：為止。 (組裝例A9) 將印刷有樹脂漿料A2的基板放入至乾燥機中，歷時 30分鐘自40°C昇溫至150T：為止，將該溫度維持25分鐘， 其後歷時30分鐘降溫至40°C為止。 (組裝例A10) 將印刷有樹脂毅料A2的基板放入至乾燥機中，歷時 30分鐘自40 C昇溫至150°C為止’將該溫度維持35分鐘， 其後歷時30分鐘降溫至40。(：為止。 (組裝例All) 56 201224097.if 將印刷有樹脂㈣A2 減人至乾_.中，斤時 30分鐘自40。(：昇溫至16(rc為止，將該溫度維持3〇分鐘， 其後歷時30分鐘降溫至40¾為止。 <晶粒黏著> (細裝例A2、組裝例Μ、組裝例A6〜組裝例Au ) 使用壓接機（CM-U0)，於14(rc的熱盤上，施加5〇 N 的負將玻璃晶片（10.〇111111><12.〇111111><5〇4111厚） 壓接在藉由上述各組裝例的B-階段化而形成的接合層 上，分別獲得濕潤性評價用半導體裝置。 [濕潤性的評價] 曰針對上述所獲得的評價用半導體裝置，以目視自玻璃 曰曰片上面確涊玻璃晶片壓接後的樹脂漿料的擴展，並根據 以下的判_定基準進行評價。將結果示於表3及表4 ^ 氣泡及二隙的總面積為印刷形狀的5%以上（濕、潤 性不足） b金屬遮罩的開口部的面積未滿印刷形狀的±5% (適 度的濕潤性） c.晶粒黏著後的濕潤面積為晶粒黏著前的濕潤面積的 105%以上（濕潤性過剩）。 [表31
57 201224097 [表4] 樹脂漿料 B-階段: Β-階段化後的 濕潤性 Β-階段化方法 0-1¾¾ 化 溫度 保持時間 (分鐘） 組裝例A8 樹脂漿料A2 加熱乾燥 140^- 30 C 組裝例A9 樹脂漿料A2 加熱乾燥 150^^ 25 ] C 組裝例A4 樹脂漿料A2 加熱乾燥 150^^ b 組裝例A10 樹脂漿料A2 加熱乾燥 15(Γ^ a 組裝例All 樹脂漿料A2 加熱乾燥 160^ 30 a 本發明的黏晶用樹脂聚料可藉由網版印刷而容易地供 給·塗佈於貼附半導體晶片的基板上，可藉由利用光照射進 行B-階段化而以比較低的溫度貼附半導體晶片，進而可抑 制逸氣的產生。藉此，可削減利用印刷法將黏晶材料塗佈 於半導體支撐構件上來接合半導體晶片時的節拍時間，並 且可充分地防止由階段化中的硬化不足或過度的硬化 所引起的組裝不良，而可生產性較佳地製造可靠性優異的 半導體裝置。 -第2實例_ <樹脂渡料的製備> (樹脂衆料B1〜樹脂漿料 B5) 將表5所不的各材料以該表所示的比例（質量份）混 合，而分別製備樹脂漿料B1〜樹脂漿料B5。 再者，表1中的各記號表示下述的材料。 FA-220M·聚乙二醇#2〇〇二甲基丙稀酸酿（日立化成 工業公司製造’商品名，25。(：下的黏度：9 mPa.s〜15 mPa.s)。 BAH-1000Y :新中村化學工業（股份）製造，商品名， 58 201224097』
Bis A型環氧樹脂與2-丙烯酸的反應物（二環氧化合物、 半環氧丙烯酸酯、二丙烯酸的混合品，定製品，40。(：下的 黏度：62500 mPa‘s)。
Epotohto YDF-8170C :東都化成（股份）製造，商品 名，苯酚曱醛聚縮合物的利用表氯醇的二環氡丙鍵化改質 物。 JER 1032-H60 :三菱化學（股份）製造，商品名，α-2,3_ 環氧基丙氧基苯基-ω-鼠聚（η=1〜7) {2-(2,3-環氧基丙氧 基)亞苄基-2,3-環氧基丙氧基伸苯基}。 IRGACURE-651 : BASF JAPAN (股份）製造，商品 名，2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮。 TPPK :東京化成工業（股份）’商品名，四苯基，棚酸 四苯基鱗。 2P4MHZ-PW :四國化成工業（股份）公司製造，商 品名，2-苯基-4-曱基-5-羥曱基咪唑。 PERCUMYLD :曰油（股份）製造，商品名，過氧化 物。 CTBNX-1009SP ·· PTI JAPAN (股份）製造，商品名， 丁二烯-丙稀腈共聚物。 AEROSIL50 :曰本AER0SIL (股份）製造，商品名， Si02 〇 AEROSIL380 :曰本AER0SIL (股份）製造，商品名， Si02。 卡必醇乙酸酯：和光純藥（股份）製造，乙酸2-(2- 59 201224097 乙氧基乙氧基）乙酯。 [表5] 樹脂漿 料B1 樹脂漿 料B2 樹脂漿 料B3 樹脂漿料 B4 樹脂漿 料B5 硬化劑 FA-220M 15 15 10 7 15 BAH-1000Y 3 3 3 10 3 YDF-8170C 5 [ 5 5 1032-H60 - • 5 5 光聚合起始劑 IRGACURE-651 0.1 • 0.1 0.1 0.1 硬化促進劑 TPPK 0.05 • 0.05 0.05 0.05 2P4MHZ-PW 0.1 0.1 0.1 0 05 〇〇5 熱聚合起始劑 PERCUMYLD - 0.5 熱塑性彈性體 CTBNX-1009SP 40 40 60 60 15 填料 AEROSIL50 4 4 10 AEROSIL380 - 峰 5 18 溶劑 卡必醇乙酸酯 - - 20 40 合計 67.25 67.60 103.25 140.2 48.2 樹脂漿料的於25°C下的黏度（Pa*s) 71 73 65 69 76 樹脂漿料的NV率（％) 99.2 98 3 79.5 71.5 98.7 硬化物的於25°C下的楊氏彈性模數(MPa ) 45 • 3241 B-階段化前的圖廓外延區比率（％) 0.33 0.36 0.34 0.36 041 B-階段化後的圖廓外延區比率（％ ) 0.34 0.36 0.43 0.48 0.42 針對上述所獲得的樹脂漿料B1〜樹脂漿料B5，根據 以下的方法求出25°C下的黏度、不揮發成分（NV)率、 及B-階段化前後的圖廓外延區比率（％)。另外，針對樹 月。旨激料B1及樹㈣料B5 ’求出硬化物的於坑下的楊氏 彈性模數（MPa)。將結果示於表5。 [黏度] ㈣ίΓί料的黏度是制東機產業股份有限公司製违 【型黏度^㈣NICELD)，於直徑194mm 〇.5 rpm、25 C的條件下進行測定。 [NV 率] 按以下的程序求出樹脂漿 14的不揮發成分（NV) ^ 60 201224097j 樹脂漿料B卜樹脂漿料B3〜樹脂漿料將樹脂笋 料約1.5 g以儘可能成為均勻賴厚的方式載置於直後= 6〇mm、高度約14 mm的圓柱狀的金屬培養皿（質量 (g))的底面内側，製成測定用試樣。其後，準確地剩〜 =載置的樹脂漿料的質量（W2 (g))。繼而，針對該些$ 試樣，使用高壓水銀燈，於氧濃度為！ ppm以下氣 氣％丨兄下’照射曝光I為1〇〇〇 mJ/cm2的紫外線。繼而 將、、i备、外線照射的測定用試樣放入至烘箱中，歷時分私 自40°C昇溫至140°C為止，將該溫度維持3〇分鐘，其後^ 時30分鐘降溫至40¾為止。其後，於烘箱中以之⑻它進行 2小時的加熱。對加熱後的測定用試樣整體的質量 (g ))進行測定。使用該些值並根據下述式求出NV率（％ )。 NV (%) =[{ (W3) - (W1) }/ (W2) ]xl〇〇 樹脂漿料Β2 :將樹脂漿料約ι·5 g以儘可能成為均勻 的膜厚的方式載置於直徑約60 mm、高度約14mm的圓柱 狀的金屬培養皿（質量：W1 (g))的底面内側，製成測定 用試樣。其後，準確地測定所載置的樹脂漿料的質量（w2 (g ))。繼而，將測定用試樣放入至烘箱中，歷時分鐘 自4〇°C昇溫至140°c為止，將該溫度維持3〇分鐘，其後歷 時30分鐘降溫至4〇。(：為止。其後，於烘箱中以2〇〇它進行 2小時的加熱。對加熱後的測定用試樣整體的質量（w3 (g))進行測定。使用該些值並根據下述式求出财率（％)。 201224097 [圖廓外延區比率] 針對以下述的網版印刷的條件所形成的B_階段化前 的塗膜、及以下述的條件進行了 B階段化的塗膜，使用非 接觸型的形狀測定裝置（KEYENCE (股份）製造，KS -1100 系列等）測疋塗膜表面的形狀，並將剖面的形狀視覺化， 藉此求出圖廓外延區比率。 (網版印刷） 基板（光阻劑）：MCL-E-679F ( AUS-308) 遮罩：厚度為120微米的金屬遮罩 印刷形狀：3mmxl〇mnixi〇〇pm 厚 印刷機：Minami (股份）製造’ MK_838SV 刮板速度.3 0 mm/秒 到板偏移量：-0.1 mm 版脫離速度：2 mm/秒 刮板角：60。 間隙：0 mm (接觸） (B-階段化） 樹脂漿料m、樹脂漿料幻〜樹脂漿料B5 :使用曝光 機（Mikasa (股份）公司製造，對準器ML_21〇FM，照度 為13 mW/cm2以上（365 nm換算），光源：高壓水銀燈）， 以曝光量為1000 mJ/cm2的條件照射紫外線。 樹脂漿料B2 :於烘箱中歷時3〇分鐘自4〇它昇溫至 140°C為止，將該溫度維持30分鐘，其後歷時30分鐘降溫 至40°C為止。 62 201224097.f [揚氏彈性模數] 於鐵氟龍（註冊商標）片材上，以使膜厚成為100 μιη 的方式塗佈各樹脂漿料來形成塗膜’然後於25t的溫度條 件下使用曝光機（Mikasa (股份）公司製造，對準器 ML-2^l〇FM，照度為 13 mW/cm2 以上（365 nm 換算），光 源.而壓水銀燈）’以曝光量為1000 mJ/cm2的條件照射紫 外線’其後’於烘箱中，以14(rc、5小時、氧濃度為i pp 以下的氮氧環境下的條件進行熱硬化’從而獲得硬化物。 針對所獲得的硬化物，使用下述的試驗器以下述的條件測 定25°C下的揚氏彈性模數。 5式驗器.RSA-III，TA instruments 公司製造 武驗模式：拉伸 試驗溫度：-100X：〜300〇C 昇溫速度：5°C/分鐘 試驗頻率：1.0 Hz 溫度調整：LN2 夾頭間距離：約20 mm (初始）
DeltaL 極限：1 〇 mm。 使用上述所獲得的樹脂漿料B1〜樹脂漿料B5於各種 組裝條件下進行半導體裝置的製造，並根據下述的方法評 價基板的翹曲、濕潤性、逸氣。 (組裝例B1〜組裝例B3) 於塗佈有阻焊劑（商品名：AUS-308，太陽油墨製造 (股份）製造）的有機基板（MCL-E-679F，日立化成工業 63 201224097, 股份有限公司製造）上’使用印刷機與金屬遮罩（遮罩形 狀：有2個10.0 mmx3.〇 mm><120 μιη的開口部）網版印刷 樹脂漿料Β1來形成塗膜。繼而’針對所形成的塗膜，使 用曝光機（Mikasa (股份）公司製造，對準器ML-210FM， 照度為13 mW/cm2以上（365 nm換算），光源：高壓水銀 燈），於曝光量為 100mJ/cm2、l〇〇〇mJ/cm2 或 5000mJ/cm2 的條件下照射紫外線，而分別形成經B-階段化的接合層。 於90°C的熱盤上，使用壓接機（CM-110)，施加50N 的負荷而將玻璃晶片（1〇.〇111111><12.〇«111^5〇0111厚）1秒 壓接在上述接合層上，從而獲得評價用半導體裝置。 [基板的起曲] 針對具有以上述方式而B_階段化的接合層的有機基 板，使用非接觸型的形狀測定裝置（KEYENCE (股份） 製造’KS-1100系列）測定塗膜表面的形狀，並將剖面（於 塗膜的厚度方向進行切斷所得的面）的形狀視覺化，藉此 測定趣曲。 [濕潤性的評價] 針對上述顯得的評價用半導縣置，以目視自玻为 :下認玻璃晶片壓接後的樹脂漿料的擴展，並根击 、.1定基準進行評價。將結果示於表ό。 a.乳泡及空_總面積為印刷形狀的抓以上（濕免 b:金屬遮罩的開 度的濕潤性） 口部的面積未滿印刷形狀的±5% (適 64 201224097 . C :晶粒黏著後的濕潤面積為晶粒黏著前的濕潤面積的 105%以上（濕潤性過剩）。 [逸氣] 針對經B-階段化後的接合層，測定於i8〇°c下加熱時 的重量減少率，將95%以上者設為A ,將未滿95%者設為 C。將結果示於表6。再者，關於逸氣的測定，就精度的觀 點而言’使用將印刷成1〇 cmxl〇 cmxl〇〇 μπι厚的塗膜B_ 階段化而成的接合層。 (組裝例B4〜組裝例B6) 於塗佈有阻焊劑（商品名：AUS-308，太陽油墨製造 (股份）製造）的有機基板上，使用印刷機與金屬遮罩（遮 罩形狀：有2個10.0 mm><3.0 mmxlOO μπι的開口部）網版 印刷樹脂漿料Β2來形成塗膜。繼而，針對所形成的塗膜， 於烘箱中歷時30分鐘自40°C昇溫至135。〇、140°C或145°C 為止’將該溫度維持30分鐘’其後歷時3〇分鐘降溫至4〇它 為止，而分別形成經B-階段化的接合層。 於90°C的熱盤上’使用壓接機（CM-110)，施加50N 的負％而將玻璃晶片（1〇.〇111111><12.〇11111^5〇4111厚）1秒 壓接在上述接合層上，從而獲得評價用半導體裝置。 再者’組裝例B4中的B-階段化的溫度丨35。(：、及組 裝例B6中的B-階段化的溫度145。(：的條件分別是設想烘 箱内的溫度分布產生偏差時的低溫部及高溫部的條件。 以與組裝例B1〜組裝例B3相同的方式評價基板的翹 曲、濕潤性、逸氣。將結果示於表6。 65 201224097 另外，使用上述所獲得的樹脂漿料〜樹脂漿料B5 於各種組裝條件下進行半導體裝置的製造，並根據下述的 方法評價晶片抗切強度、逸氣。 (組裝例B7〜組裝例B9) 於塗佈有阻焊劑（商品名· AUS_3〇8，太陽油墨製造 (股份）製造）的有機基板上，使用印刷機與金屬遮罩（遮 罩形狀：3 mmxlO mmxi〇0 μηι厚）分別網版印刷樹脂漿料 Β1、樹脂漿料Β3或樹脂漿料Β4來形成塗膜。 Μ而針對所形成的各個塗膜，使用曝光機（Mikasa (股份）公司製造，對準器ML_21〇FM，照度為13 mW/cm2 以上（365 nm換算），光源：高壓水銀燈），於曝光量為 1000 mj/cm2的條件下照射紫外線，而分別形成經B_階段 化的接合層。 於9〇ΐ的熱盤上，使用壓接機（CM-110)，施加50N 的負荷而將石夕晶片（5 mmx5 mmx〇.5 mm厚）1秒壓接在 上述接合層上。 繼而’於烘箱中歷時30分鐘自4〇。(：昇溫至130X：為 止’將該溫度維持60分鐘，其後歷時30分鐘降溫至4(Γ(： 為止並進行後硬化，從而獲得評價用半導體裝置。 [晶片抗切強度的測定] 針對上述所獲得的評價用半導體裝置，使用自動黏接 力試驗機（商品名：serie-4000，Dage公司製造）測定18〇^ 下的剪切強度（kgf/晶片）。將結果示於表7。 [逸氣] 66 201224097“ 針對經B-階段化後的接合層，測定於18(η：τ加熱時 的重量減少率，將95%以上者設為a，將未滿95%者&為 C。將結果示於表7。 (組裝例B10) 除將組裝例B7中的C-階段化的溫度13〇。(：變更為 175°C以外，以與組裝例B7相同的方式獲得評價用半導體 裝置。 [基板的趣曲] 針對所獲得的評價用半導體裝置，根據以下的方法測 定基板的翹曲。將結果與組裝例B7的評價用半導體裝置 的結果一併示於表8。 使用非接觸型的形狀測定裝置（KEYENCE (股份） 製造’ KS-1100系列）測定基板的形狀，並將基板剖面的 形狀視覺化，藉此測定翹曲。 (組裝例B11) 除將組裝例B7中的樹脂漿料B1變更為樹脂漿料B5 以外’以與組裝例B7相同的方式獲得評價用半導體裝置。 針對所獲得的評價用半導體裝置，藉由上述方法測定基板 的翹曲。將結果示於表8。 67 201224097 L ^ J — 組裝例 B5 組裝例 B6 組裝例B1 組裝例B2 組裝例 B3 組裝例 B4 組裝條 件 樹脂漿料 B1 B1 B1 B2 B2 B2 B-階段化 條件 光照射 100 mJ/cm2 光照射 1000 mJ/cm2 光照射 5000 mJ/cm2 加熱 135°C'30 分鐘 加熱 140〇C、30 分鐘 加熱 145〇C'30 分鐘 晶粒黏著 條件 90°C、50 N ' 1秒 <— <— <— <— <— 濕潤性 b b b c b a 逸氣 A A A C A A B·階段化後的基板 的魍曲（mm) 1.4 1.5 1.4 5.6 7.4 12.1 [表7]
組裝例B7 組裝例B8 組裝例B9 組裝條件 樹脂漿料 B1 B3 B4 B-階段化條件 光照射 1000 mJ/cm2 <— <' 晶粒黏著條件 90°C、50N、1 秒 <— <— C-階段化條件 加熱 130°C、60 分鐘 <— <— 抗切強度（kgf/晶片） 10.6 2.4 3.7 C 逸氣 A C
[表8] 組裝例B7 組裝例B10 樹脂漿料 B1 B1 •衣 1夕!| 1511 -- 組裝條件 B-階段化條件 光照射 1000 mJ/cm2 <— -_ 晶粒黏著條件 90°C、50N、1 秒 —--- c-階段化條件 加熱 130°C、60 分鐘 加熱 175°C、60 分錆 _ 4·— LJrjg仅化傻的丞板的翘曲（mm) | _LS_ 62~' -——~----1 本發明的黏晶用樹脂聚料可藉由網版印刷而六 給.塗佈於貼附半導體晶片的基板上，可藉由利用 行B-階段化而以比較低的溫度貼附半導體晶片。進而，， 68 201224097〆 使圖廓外延區比率比先前更小，並可抑制逸氣的產生。.另 外，本發明的黏晶用樹脂漿料可一面取得上述效果，一面 充分地兼具低應力性、黏接性、耐熱性。本發明的黏晶用 樹脂漿料可較佳地用於有機基板等絕緣性支撐基板或銅導 線架，另外’亦可較佳地用於42合金導線架。藉由使用本 發明的黏晶用樹脂漿料並使用本發明的半導體裝置，可提 高封裝可靠性。 【圖式簡單說明】 圖1的（a)〜（C)是用於說明本發明的半導體裝置 的製造方法的一實施形態的示意剖面圖。 圖2的（a)〜（b)是用於說明本發明的半導體裝置 的製造方法的一實施形態的示意剖面圖。 圖3是用於說明網版印刷中的印刷因素的示意剖面 圖。 圖4的（a)〜（c)是用於對經網版印刷的塗膜進行 說明的圖。 【主要元件符號說明】 1〇 :半導體支撐構件 12 :電極 20 :遮罩 22 :開口部 30 :樹脂漿料的塗膜 32 :經光照射的塗膜 34 :黏晶層 69 201224097 L 40 到板 50 半導體晶片 51 加熱塊 52 打線接合 54 焊錫球 60 密封樹脂 100 :半導體裝置（半導體封裝體） a、A、C :箭頭 a!:印刷方向 b :凸起 B .刮板角度 D :間隙 HI : B-階段化前的塗膜的膜厚 H2、H4 :圖廓外延區的高度 H3 : B-階段化後的塗膜的膜厚 70

Claims (1)

  1. 201224097 七 申請專利範圍： 1. -種半導體I置的製造方法，其包括·· 步驟，於用以搭鮮導 上’利用印刷法塗佈含有来病導體支沒構件 溶劑的含量為5新旦 成为及熱硬化性成分且 樹脂漿料的ί膜Γ里。以下的黏晶用樹脂漿料來設置上述 性成: 上述塗膜的光照射來使上述光硬化 ，3轉，藉由隔著經光 導體支撐構件與半導體曰H 膘Μ接上述+ 上述半導體晶片接合/S 1 f上述半導體切構件與 2.如申請專利範圍第 的製=7==1項所述之半導體裝置 下進行。 ，中的光照射是於氮氣環境 導體裝置^ j所述之半 :下以⑼分鐘以下的時間對上述半導體I:: 5.如申請專利範圍第1項筮 導體裝置的製造方法’其更包括於上述所述之半 6°c，c下將已與上述半導體晶片接；導: 1 ㈣— 201224097 支撐構件加熱5分鐘〜3GG分鐘的步驟。 6·如申請專利範圍第1項至第5中 =體裝置的製造方法，其更包括藉由㈣接合來將 =各步驟後的上述半導體晶#與上述半導體支撐構件電連 其後對上述半導體晶片進行樹脂密封的步驟。 7· 一種黏晶用樹脂漿料，其含有25°C下的黏度為1〇〇 W以下的光聚合性化合物、熱硬化性化合物及熱塑性彈 性體，且溶劑的含量為5質量％以下。 8.如申睛專利範圍第7項所述之黏晶用樹脂聚料，其 更包含光聚合起始劑。 9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之黏晶用樹脂 4料，其更包含硬化促進劑。 10. 如申請專利範圍第7項至第9項中任—項所述之 黏晶用樹脂漿料，其更包含填料。 如申請專利範圍帛7項至第1〇項中任一項所述之 ?晶用樹脂漿料’其更包含選自由消泡劑、破泡劑及抑泡 Μ所組成的組群中的一種以上的添加劑。 12.如申請專利範圍帛7項至第中任一項所述: 黏晶用樹脂製料，其於坑下的黏度為5 pa.s〜1〇〇〇 & s 以如申請專利範圍第7項或第8項所述之黏晶用名 脂漿料，其中當將上述黏晶用樹脂漿料製成厚度為1〇〇叫 的塗膜’於農度為lppm以下的氮氣環境下並在⑸ 下以1 _ irJW的曝光量對該塗膜照射&長為3 &⑽白 光時，經光照射的塗膜的於KKTC下的炼融黏度成為1〇 72 201224097』 Pa.s〜100000 Pa.s ’當進而於氧濃产 、乳/辰！局1 ρριη以下的翁 環境下’並在14GC下對縣騎的上述'麵 $、主 加熱時’經加熱的上述塗膜的於坑下的揚氏 數日夺 為1 MPa〜3000 MPa。 默灰 14· 一種半導體裝置的製造方法，其包括： 第1步驟，於用以搭載半導體晶片的半導體支撐構 上，利用網版印刷法塗佈如申請專利範圍第7項至第U 項中任一項所述之黏晶用樹脂漿料來設置上述樹脂漿料的 塗膜； 第2步驟，對上述塗膜進行光照射；以及 第3步驟，隔著經光照射的上述塗膜壓接上述半導體 支撐構件與半導體晶片。 15. —種半導體裝置，其藉由如申請專利範圍第丨斗項 所述之半導體裝置的製造方法而獲得。 、 73
TW100135888A 2010-10-04 2011-10-04 Resin paste for die bonding, semiconductor device and fabricating method thereof TW201224097A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010225005 2010-10-04
JP2010225008 2010-10-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201224097A true TW201224097A (en) 2012-06-16

Family

ID=45927691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100135888A TW201224097A (en) 2010-10-04 2011-10-04 Resin paste for die bonding, semiconductor device and fabricating method thereof

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP2012099799A (zh)
TW (1) TW201224097A (zh)
WO (1) WO2012046695A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI562247B (zh) * 2015-10-12 2016-12-11 Yu-Mian Zhuang
CN107924912A (zh) * 2016-03-31 2018-04-17 株式会社Lg化学 半导体器件及其制造方法
TWI680173B (zh) * 2015-09-23 2019-12-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 半導體元件的製造方法及半導體元件

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6143658B2 (ja) * 2013-11-29 2017-06-07 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 接着剤層用塗布組成物、半導体用接着フィルムおよびその製造方法、ならびに、これを用いた半導体装置の製造方法
JP6129107B2 (ja) * 2014-03-27 2017-05-17 三菱電機株式会社 電力用半導体装置、および電力用半導体装置の製造方法
JP2017145382A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 太陽インキ製造株式会社 導電性接着剤とその製造方法、硬化物および電子部品
JP2017011998A (ja) * 2016-10-20 2017-01-12 アピックヤマダ株式会社 マグネットの製造方法及びモータコアの樹脂モールド方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5098361B2 (ja) * 2006-03-08 2012-12-12 日立化成工業株式会社 ダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4788425B2 (ja) * 2006-03-23 2011-10-05 住友ベークライト株式会社 半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007258508A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2008277803A (ja) * 2007-04-04 2008-11-13 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンディング用樹脂ペースト組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5157938B2 (ja) * 2009-01-27 2013-03-06 日立化成株式会社 ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI680173B (zh) * 2015-09-23 2019-12-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 半導體元件的製造方法及半導體元件
TWI562247B (zh) * 2015-10-12 2016-12-11 Yu-Mian Zhuang
CN107924912A (zh) * 2016-03-31 2018-04-17 株式会社Lg化学 半导体器件及其制造方法
CN107924912B (zh) * 2016-03-31 2020-09-11 株式会社Lg化学 半导体器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012099798A (ja) 2012-05-24
WO2012046695A1 (ja) 2012-04-12
JP2012099799A (ja) 2012-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201224097A (en) Resin paste for die bonding, semiconductor device and fabricating method thereof
TWI302931B (en) Resin paste for die-bounding and use thereof
TWI355720B (en) Area mount type semiconductor device, and encapsul
TWI592455B (zh) An adhesive composition, an adhesive sheet, and the manufacturing method of a semiconductor device
TWI669363B (zh) Reagent composition, adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device
TW201222651A (en) Dicing-diebonding film and method for fabricating semiconductor device
TW200904924A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production process for semiconductor device
JP5602669B2 (ja) 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6136101B2 (ja) 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法
TW200911943A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production process for semiconductor device
JP7210031B2 (ja) フィルム状半導体封止材
JP2008101183A (ja) 粘接着シート、これを用いて製造される半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2007103954A (ja) 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置
TW201231586A (en) Adhesive Compositions for a Semiconductor, an Adhesive Sheet for a Semiconductor and a Production Method of a Semiconductor Device
TW201034094A (en) Method for manufacturing semiconductor package, method for encapsulating semiconductor, and solvent-borne semiconductor encapsulating epoxy resin composition
JP4816876B2 (ja) ダイボンディング用樹脂ペーストおよび半導体装置の製造方法
JP5877087B2 (ja) 接着フィルムおよびウェハ加工用テープ
JP2008231366A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
TW201122075A (en) Liquid adhesive composition for semiconductor, semiconductor device and fabricating method thereof
WO2010110069A1 (ja) ダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2007515785A (ja) 二段階のウェーハ塗布アンダフィル
JP4806815B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
TW201005057A (en) Adhesive composition, adhesive film and dicing die-attach film
JP5585760B2 (ja) 接着剤用液状樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5754072B2 (ja) 粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法