TW201222897A - Light-emitting diode chip - Google Patents

Description

此包括至少一個 體包括多個用來 重疊地配置在半 如用來產生介於 中之電磁輻射， 201222897 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種發光二極體晶片。 【先前技術】 文件US 7,265,392描述一種發光二極 【發明内容】 本發明的目的是提供~種具有較高壽 體晶片。 依據至少一實施形式，發光二極體晶 個半導體本體’其中發光二極體晶片之每 體包括至少一個用來產生輻射之活性區。 片之多個半導體本體互相分離且互相隔開 半導體本體特別是未藉由—與半導體本體 長的半導體層而互相連接。以此方式，特 導體本體之用來產生輻射之活性區互相分 一距離。 每一個半導體本體因 之活性區。若該半導體本 性區，則該些活性區例如 長方向中。該些活性區例 紫外線輻射間的頻率.範g] 生可見光。 發光二極體晶片之多個 度之範圍中可同時構成。特 體本體來自相同的晶圓，即 半導體本體因 別是發光二極 ，共同地製成 體晶片。 命的發光二極 片具有至少二 一個半導體本 發光二極體晶 一距離。即， 一起以磊晶生 別是亦可使半 離且互相隔開 用來產生輻射 產生輪射之活 導體本體之生 紅外線輻射和 例如’用來產 此在製程容許 體晶片之半導 -4- 201222897 發光二極體曰η 物半導體材料！二體本體例如能以跡化合 -種來自第三族的：：(;:：…導體材料具有至少 種來自第五族的元素⑴〇硼，鋁，鎵，銦）以及一 化合物半導體村料”特:’：:：碟’仆此概念”鮮 之基其含有疋二-疋…或四元化合物 五族之至少一元素，第二族之至少一元素和來自第 導體。此種二元:、：：如’氮化物-和磷化物-化合物半 多插捻雜铷® 一兀或四元化合物可另外具有一種或 夕種接雜物免以及其它的成份。 依據發光二極體曰 Μ B u ^ ^ ^ 曰日片之至少一實施形式，發光二極 胜日曰片包括一載體，笈 # ^ /、卉有一上側和一遠離該上側之下 側。載體之上側例如 杜，存丨1 ^ 用來谷納該發光二極體晶片之組 件’例如，該發光二極 離該上側之下側，則，’Μ之半導體本體。利用其遠 或導線架上。載體之：例如可固定在一連接載體上 晶片之安裝面。 側上的面因此形成該發光二極體 載體因此可由 ^ ^ ^絕緣材料或可導電的材料來形 成。載體的特徵較佳县古 材料或金屬材料來^ 。載體例如能以陶竞 ^成。例如’載體含有以下材料之至 少-種或由以下材料之至少一種所構成：ΜΑ，㈣， A1N，Cu，Ni，M。，W，Ag，A1。 依據發光二極體晶片之至少一實施形式，該發光二 極體晶片包含電性絕緣之化合物媒體，其配置在該載體 之上側上。電性絕緣之化合物媒體較佳是在載體之上側 上完全覆蓋該載體或至少覆蓋該載體之大部份。例如， -5- 201222897 載體之上側上之面是以電性絕緣之化合物媒體來覆蓋直 少 90%。 電性絕緣之化合物媒體可直接鄰接於該載體。又， 在電性絕緣之化合物媒體和載體之間可配置一個層或其 它多個層。 〃 為了形成該電性絕緣之化合物媒體，則適合使用以 下的材料或以下的材料之組合和混合物：石夕酮樹脂、環 ^樹脂、丙稀酸、聚乙烧、聚酯、聚硫醋、旋塗（_·㈣ 璃不米粒子-底板㈣e)。奈米微粒底板 1 材料之粒子來形成··叫，加2，了我心，Sl N 秦又’為了形成奈米粒子，亦可考慮其它 ， 物或金屬氮化物。然而，較佳是使用可在儘 度時硬化之；M·粗你也Φ Μ低的溫 t之材枓作為電性絕緣之化合物媒 例如可為石夕鲷樹脂、環氧樹脂、丙稀酸。I材科 發光二極體晶片之至少一實施形 之化合物㈣配置在半導體本體、·邑緣 此在半導體本體之間造成一種機械接觸二=間且因 -極體晶片之半導體本體藉由電 二’發先 固定（例如，黏合）在該載體上。電性絕緣^ =媒體而 使載體和半導體本體在電性上互相去輕人。&物媒體 絕緣之化合物媒體可在半導體本體和該^ ^外’電性 械式連接，其只有在發光二極體晶片被破壞下之間造成機 依據發光二極體晶片之至少一實施形 可拆開。 體本體的至少-部份在電性上互相串聯多個半導 體本體之至少-部份須互相連接，以便\多個半導 千v體本體所 -6 - .201222897 形成之各別的發光二極體來形成一種串聯電路。於是， 發光二極體晶片之互相串聯的半導體本體之至少二個分 路互相並聯或反向並聯。在極端情況下，發光二極體晶 片中只有二個半導體本體互相串聯。 依據發光二極體晶片之至少一實施形式，發光二極 體晶片包括：至少二個半導體本體，其中每一個半導體 本體包括至少一個用來產生輻射之活性區；一個載體， 其具有上側和一遠離此上側之下側；以及電性絕緣之化 合物媒體，其配置在該載體之上側上，其中該電性絕緣 之化合物媒體配置在半導體本體和該載體之上側之間， 該電性絕緣之化合物媒體在該半導體本體和該載體之間 造成一種機械式接觸且該半導體本體之至少一部份在電 性上互相串聯。 此處所述之發光二極體晶片中’半導體本體相互之 間以及半導體本體至載體之間例如藉由電性絕緣之化合 物媒體而在電性上互相隔開。下述方式是有利的：在載 體和發光二極體晶片之金屬層之間藉由該電性絕緣之化 合物媒體來防止短路（例如，與半導體本體串聯）。此處 所述之發光二極體晶片之缺點是：電性絕緣之化合物媒 體通常具有較差的導熱率且因此不易將熱由半導體本體 排放至載體，此種缺點可藉由使用特別薄的層於該電性 絕緣之化合物媒體甲而被最小化。 依據發光二極體晶片之至少一實施形式，該發光二 極體晶片恰巧具有二個接觸區以與全部的半導體本體形 成電性接觸。即，例如在電性絕緣之化合物媒體之遠離 201222897 該載體之上側上配置多個接觸區，藉此可由外部接觸 發光二極體晶片。該發光二極體晶片因此可恰巧包括 個同名稱的接觸區，藉此可在n_側和p_側接觸該發光 極體晶片，以對該發光二極體晶片之半導體本體的全 之活性區供應電流。 依據發光二極體晶片之至少一實施形式，發光二 體晶片之多個半導體本體分別都未具有生長基板。即 半導體本體在此種情況下是由磊晶生長之半導體材料 成’其中該生長基板已由磊晶生長之半導體材料去除 該些半導體本體較佳是具有最多為2〇微米之厚度， 如’ 1 0微米或更小。該載體使該發光二極體晶片之半 體本體形成一種機械穩定性β 依據發光二極體晶片之至少一實施形式，每一個 導體本體具有輕射發出面，操作時在至少一配屬於半 體本體之活性區中所產生的輻射經由輻射發出面而在 開載體的方向中離開該半導體本體。即，該輻射發出 藉由半導體本體之外表面而形成，該外表面不是面向 載體。 依據發光二極體晶片之至少一實施形式，進行— 電流分佈以將電流供應至輻射發出面之下方的活性 中。在此種情況下’該輻射發出面特別是未由金屬構 的或透明之導電氧化物構成的電流分佈用結構（例如， 導電軌）所覆蓋。經由該輻射發出面而離開半導體本體 電磁輻射在電流分佈用之結構上，因此未發生反射或 被吸收。此種發光二極體晶片之特徵是特別高的效率 該 部 極 構 〇 例 導 半 導 離 面 該 種 1¾ 成 薄 之 未 半 觸 少 觸 的 半 式 輻 導 該 直 例 包 與 緣 如 半 活 況 除 半 孔 性 依據發 括一種導 半導體本 。即，該 是一種金 導體本體 性區形成 下承接該 了用作半 導體本體 的—部份 絕緣區。 201222897 依據發光二極體晶片之至少一實施形式， 導體本體（例如，全部的半導體本體）包括至 孔，其由半導體本體之面向該載體之上側之 一個活性區而延伸至該半導體本體之n_導電 孔因此用來將電流供應至n_導電區。即，操 電流經由該接觸孔而供應至n_導電區，其例 導體本體之活性區的遠離該載體之一側上。 ，可進行一種電流分佈以將電流供應至半導 射發出面下方之活性區+。該接觸孔因此配 體本體之-邊緣上。又’該接觸孔在橫向中 半導體本體之半導體材料所包圍著’橫向目 於半導體本體之生長方向的多個方向，該些 如平行於載體之主延伸面而延伸。 尤一極體晶片之至少一實施形式 電材料，其藉由該電性絕緣之化 體之P-導電區、及至少—活性區 接觸孔是以導電材料來形成，其 屬，該金屬藉由電性絕緣之化合 之P-導電區（其例如面向該載體 電性絕緣。該電性絕緣之化人物 發光二極體晶片中之另—任：: 導體本體和載體之間的機械式連 和載體達成電性去耦合以外，亦 ，其確保一種至半導體本體之一 本實施形式中此發光二極體晶片 至少一個 少一個接 側經由至 區。該接 作時所需 如配置在 以此種方 體本體之 置在該半 可完全由 前是指垂 多個方向 該接觸孔 物媒體而 成電性絕 該材料例 媒體而與 及至少一 體在此情 在性質上 和用來使 為該接觸 部份的電 特徵是特 -9- 201222897 別 依 絕 拓 接 合 體 媒 之 體 體 本 合 該 體 屬 化 的 層 性 糙 之 簡單的構造。 於此，特別是該電性絕緣之化合物媒體亦能以至少 據區域的方式而填充至各接觸孔中。換言之，該電性 緣之化合物媒.體可仿製該半導體本體之面向該栽體的 樸形狀且因此亦對各接觸孔進行填充。例如，可在各 觸孔的區域中分別以截錐體形式來形成電性絕緣之化 物媒體。 依據發光二極體晶片之至少—眘尬， 曰貫鉍形式，發光二極 晶片之至少二個相鄰的半導體本體藉由電性的化合物 體而互相連接。於是，扁$小_加4 ^ 在至少一個相鄰的半導體本體 間配置該電性的化合物媒體，其中該電性的化合物媒 將一個半導體本體之P-導電區可導電地與另—個半導 本體之η-導電區相連接。換言之，二個相鄰的半導體 體藉由該電性的化合物媒體而互相串冑。該電性的化 物媒體例如在一個直接相鄰的半導H i m > . 丁守本體之間配置在 載體之上側上，例如，配置在兮啻 直隹忒電性絕緣之化合物媒 之运離該載體之上側上。該雷柯沾儿入 冤！·生的化合物媒體能以金 及/或可導電的氧化物（TCO)來形忐。y , 』化成例如，該電性的 。物媒體由氧化銦錫（ITO)或特s，丨θ你 将別疋摻雜的ZnO構成。 依據發光二極體晶片之至少—音 貫知形式，在該載體 上侧和電性絕緣之化合物媒體 切稣餿之間配置一電 ，其中此電性絕緣層平坦地形成。、，，έ緣 组祕a +划 战 +垣，，是指：該電 、、邑緣層在製程容許度的範圍中不且 I, _ , 八有凹陷、凸起或粗 性。電性絕緣層可用來使半導體 H ^ ^ ^ ^ 體本體和可導電的載體 間形成額外的電性絕緣。例如， 電性絕緣層是以下述 201222897 材料之一來形成’即，其可由以下各材料之一構成或包 含以下各材料之一：Si〇2，SiNx，Al2〇3, Ti〇2。 於是，電性絕緣詹可直接與載體和電性絕緣材料相 鄰接。 依據此處所述之發光二極體晶片之至少一實 式’發光二極體晶片能以一種至少 6 施形 伏特之電壓來操 作。大約6伏特的值對應於二個發光二極體晶片之串聯 電路。即，此處所述之發光二極體晶片是—種所謂高二 特-發光二極體晶片。在順向偏壓選擇成較高及/或多個 發光二極體晶片相串聯時，此種高伏特-發光二極體晶片 例如可藉由整流器而直接連接至電壓為11〇伏或23〇伏 之交流電壓之電流網路上。此處所述之發光二極體晶片 之特徵因此是其簡單的構造及其高的強固性，這是由於 使用電性絕緣之化合物媒體所造成° 以下’此處所述之發光二極體晶片將.依據各實施例 及所附之圖式來4述。 [實施方式】 各圖式中相同、相同形式或作用相同的各組件分 別設有相同的元件符號。各圖式和各圖式中所示的各 元件之間的比例未必依比例繪出。反之’為了清楚及/ 或更容易了解之故’各圖式的一呰元件已予放大地顯 禾出0 圖1顯示第一實施例之此處所述之發光二極體晶片 的切面圖。此發光二極體晶片例如包括多個半導體本體 i，圖1中顯示二個半導體本體la,lb°每一個半導體本 -11- 201222897 體u，lb包括一個n-導電區10、一個P-導電區12和— 個用來產生輻射的活性區i丨，其配置在該n_導電區^ 〇 和6亥p-導電區12之間。每一個半導體本體】a,丨b另外 包括一輻射發出面1 5。此輻射發出面〖5目前已粗糙化 以使發射效率更佳。此輻射發出面1 5是該n_導電區^ 〇 之遠離該活性區11之外表面。在發光二極體晶片操作 時活丨生區11中產生的電磁輻射的至少一部份經由該半 導體本體1之輻射發出s 15而由該半導體本體】發出。 該輻射發出面15和半導體本體la, lb之侧面是由可 通過輕射之鈍化層17所覆i，該鈍化層17例如由二氧 化石夕形成。該純化層17用來使半導體本體i之電性和化 學性鈍化。 在半導體本體1之遠離該輻射發出面15之此側上配 置鏡面16其例如包含銀。此鏡面6用來使操作時 在活性區1 1中產生的雷c a π電磁輻射反射至該輻射發出面15 的方向中X „亥鏡面！ 6用作接觸層，經此而將電流注 入至半導體本體1中。 在該鏡面16之遠離該半導體本體i之側上配置-個 P-:屬層18，其與該發光二極體晶片之接觸區4a或相鄰 的半導體本體形成可導電的查』 ^ _ 的連接。目前，該P-金屬層18

可導電地與該接職4a(㈣心H 側接觸區）可導電地相連接。 ^ 按5亥接觸區4a因此在橫向1 中與半導體本體1 a相隔開而配置著。 發光二極體晶片另包括一 體晶片之η-侧相接觸1接觸广4b以與發光二極 °玄接觸區4b是與半導體本體lb -12- 201222897 之η-導電區可導電地相連接著。 上述一個接觸區4a, 4b因此可配置在發光二極體晶 片之側面上，此側面上存在著該輻射發出面1 5。發光二 極體晶片之接觸因此只能由輻射發出面15之此側面來 達成。 發光二極體晶片另包括電性絕緣之化合物媒體3， 其對該載體2至少間接地在半導體本體丨丨b和載體2 之間形成一種機械接觸。，’間接地，，是指，如圖丨所示在 電性絕緣之化合物媒體3和載體2之上側2a之間可配置 至少另一層，目前是焊接層21。 電性絕緣之化合物媒體3在該載體和發光二極體晶 片之半導體本體la，lb之間造成一種機械式接觸。又阳 電性絕緣之化合物媒體3使半導體本體丨，丨a互相絕緣 與載體2或該焊接層21相絕緣。 且 目刖’半導體本體la，lb相鄰地配置在載體2 互相串聯。這是藉由電性的化合物媒體5來 且 水适成，其 置在電性絕緣之化合物媒體3之遠離該载體2 上。電性的化合物媒體5是與發光二極體晶片之.側 導 本體la，lb的至少一個之n•導電區1〇相接 ^ μ，因此9 由輻射發出面1 5之此側面來達成接觸。 疋 電性的化合物媒體5因此能以金屬或透明的導— 化物來形成。 電氣 在圖1的實施例中’可在輻射發出 接觸結構以使所施加的電流擴散至整個 在該載體2之遠離半導體本體ia， 面15上配置多_ n-導電區1〇上。 1 b之側上目

-13- 201222897 置 者面金屬層22 固定。 其藉由焊劑例如使發光二極體晶片 可如上所述以可導電或電性絕緣的方式 而形成。 2 1相關聯而描述的發光二極體晶片例如能以下 达方式製成： 首先，半導體本體la，lb存在於晶圓 此仍未互相分離。 在半導體本體la，lb上，鏡面16可結構化地施加在 P-導電側上。 然後，在遠離半導體本體la，lb之側上施加p金屬 =18’其至少在—位置上在橫向1中由半導體本體la，lb 突出。如圖1所示’ p_金屬層18覆蓋該鏡面16之侧面 且因此針對例如氧化及/或濕氣的侵入而包封著該鏡面 16 ° 在下一步驟中，在半導體本體之複合物之遠離該載 體2之下側的整面上施加該電性絕緣之化合物媒體。 然後，例如藉由黏合劑而使載體2固定在該電性絕 緣之化合物媒體3上、或藉由焊接層2 1來接合且將該生 長基板由半導體本體la, lb剝離。又，可使半導體本體 1 a, 1 b之輻射發出面1 5粗糙化。在該接合之前或之後， 例如藉由平台（mesa)蝕刻以及施加鈍化層1 7使各別的半 導體本體la, lb分離。 在下一步驟中，使該鈍化層17敞開且施加各接觸區 4a，4b和電性之化合物媒體5。電性之化合物媒體5例如 -14- 201222897 可藉由金屬層之以微寻彡分· 命所進行的結構化來 各接觸區4a 4b心你 孝電性之化合物媒體5 材料之較薄的層來形成，此乃因對發光二極 加的總電流強度由於半導體本體la，lb中 之申聯電路而只為總電流強度之ι/η，其中η 之半導體本體之數目。w 』 以此方式，則可使各招 及電性之化合物媒冑5之區域中的陰影區及 小化。 此處所述之發光二極體晶片之另一實施 2之切面圖來詳述。與_ 1之實施例不同， 經由多個接觸孔13來進行電流分佈以驅動 la，lb之活性區i卜各接觸孔13由每一個 la，lb之面向該載體之P-導電區12以經由 和活性區11而延伸至n_導電區1〇。藉由這 來對η-導電區10達成電性接觸。 圖2之實施例中，各接觸孔13含有導 =如可含有銀且在發光二極體晶片操作時 =令所產生的電磁輻射用之鏡面。圖。之 +導體本體1和該導電材料14之間可形成 隔離層19，其例如可藉由 朽駚曰u 氧化矽來形成。 广曰片包括另一電性絕緣之隔離層19，盆 之側面且以此方式來包封該鏡面16。八 :2之實施例中’電性的化合物媒體$ =2之側上由電性絕緣之隔離層19和純化> 者。在接觸區4a，4b<區域中，該純化層η 轰生。 可藉由導電 體晶片所施 半導體本體 是互相串聯 觸區4a，4b 輻射吸收最 例將依據圖 本實施例中 半導體本體 半導體本體 >導電區12 备接觸孔1 3 I材料14， 亦可作為活 實施例中， 電性絕緣之 又，發光二 覆蓋該鏡面 在遠離該載 I 17所覆蓋 和該電性絕 .201222897 緣之隔離層19被去除。 電性絕緣之化合物媒體3目前是與載體2直接相接 觸，載體2例如同樣以電性絕緣方式來形成。電性絕緣 之化合物媒體3在圖2之實施例中形成為較厚。 電性絕緣之化合物媒體3因此具有最多為丨〇微米的 厚度，例如，最多為3微米，特別是最多為【微米。 電性絕緣之化合物媒體3在其遠離該載體2之表面 上仿製半導體本體la，lb和電性的化合物媒體5此二者 之面向該載體之表面的一部份或全部，且電性絕緣之化 合物媒體3之面向該載體2之表面平坦地形成在製程容 許度之範圜中。電性絕緣之化合物媒體3因此亦用來使 該載體2不坦化。 此處所述之發光二極體晶片之另一實施例將依據圖 3之切面圖來詳述。與_ 2之實施例不同，本實施例中 電性絕緣之化合物媒體3未完全覆蓋該載體之面向半導 體本體la lb之上側。及3» & ’ &之’電性絕緣之化合物媒體3 不是以位置方式來覆蓋該導電材# 14。該導電材料Μ 因此依位置而直接與電性絕緣層6相接觸，該電性絕緣 f 6完全覆蓋該載體2之面向半導體本體U，lb之上側 2a。電性絕緣層6因此平±日认π丄 十±旦地形成在製程容許度之範圍 甲。稭由此種措施’則電性 Ί〜— 电Γ生絕緣之化合物媒體3可與圖 z之貫施例不同而形成為扭* la 為特別溥’使熱可由半導體本體 ia，lb經由電性絕緣之 搂幽1 D物媒體3而排放至載體2，這 杯认恭 】如’可使用導電性和導熱性良 好的載體作為載體2。 201222897 此處所述之發光二極體晶片之另一實施例將依據圖 4之切面圖來詳述。與圖3之實施例不同，本實施例中 省略了電性絕緣之隔離層19，其用來將各接觸孔1 3絕 緣°反之，電性絕緣之化合物媒體3使該導電材料1 4與 其餘的半導體本體形成電性絕緣。接觸孔1 3因此配置在 每一個半導體本體13，11；)之邊緣上，使接觸孔13在橫向 1中未70全被半導體本體之半導體材料包圍著。 類似的接觸已提供在文件De 1020 100 13494.5中其 它的相關處，其内容藉由參考而明確地收納於此處。 圖4之實施例中，各接觸孔13之區域中可有利地省

略電性絕緣之隔離層1 9，這样可你议, A ^樣可使發光二極體晶片之製 造更簡化。 在此處所述之全部的實摊 — 】7 瓦％ ^式和貫施例中，鈍化層 及/或電性絕緣之隔離層丨9 戎甘— y用作P-側鏡面的包封及/ A其匕ρ·側金屬層之包封 響，雷性 抵抗&丨兄（特別是濕氣）的影 電性絕緣之隔離層1 9用央你 緣之仆人私# - 來使P-n-電橋（即，電性絕 之化a物媒體5)對該半導 是，例如m I , 本體1形成電性絕緣。於 例如精由P-側鏡面1 6之垠妒工士 例如藉由ALD過程而以介電產生中空槽，其隨後 介電層同時可確保該p+電橋^來填充。這樣所沈積之 本專利申請案主張德國專所需之電性絕緣。 159·9之優务婼，i p植- 寻利申請案1 020 1 0048 考。 個内容在此一併作為參 本發明當然不限於依據各丧 反之’本發明包含每一新：鈿例中所作的描述。 破和各特徵的每一種組 201222897 合，特別是包含各申請專利範圍或不同實施例之各別 特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身 未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦 屬本發明。 【圖式簡單說明】 圖1、2、3、4顯示此處所述之發光二極體晶片之不 同實施例之切面圖。 【主要元件符號說明】 1 、 la 、 lb 半導體本體 10 η-導電區 11 活性區 12 ρ-導電區 13 接觸孔 14 導電材料 15 幸畐射發出面 16 鏡面 17 鈍化層 18 ρ-金屬層 19 電性絕緣之隔離層 2 載體 2 a 上側 2b 下側 21 焊接層 22 背面金屬層 3 電性絕緣之化合物媒體 -18- 201222897 4a, 4b 5 6 接觸區 電性的化合物媒體 電性絕緣層 -19-

Claims (1)

1. 201222897 七、申請專利範圍： 1. 一種發光二極體晶片，具有： -至少二個半導體本體（1)，其中每一個半導體本體 (1)包括至少一個用來產生輻射之活性區（丨丨）， •載體（2) ’其具有一上側（2 a)和一遠離該上側（2 a)之 下側（2b)，以及 -電性絕緣之化合物媒體（3)，其配置在該載體之該上 側（2a)上，其中 該電性絕緣之化合物媒體（3)配置在上述半導體本 體（1)和該載體之該上側（2a)之間， «亥電性絕緣之化合物媒體（3)在上述半導體本體（1) 和該載體（2)之間造成一種機械式接觸，且 多個上述半導體本體（1)之至少一部份在電性上互 相串聯。 2. 如申請專利範圍第1項之發光二極體晶片，其中在該 載體（2)之該上側（2a)和該電性絕緣之化合物媒體J) 之間配置電性絕緣層（6)，其以平坦方式形成，其中該 電性絕緣層（6)直接與該載體⑺和該電性絕緣^二 物媒體（3)相鄰。 3. 如申請專利範圍第i或2項之發光二極體晶片 该電性絕緣之化合物媒體（3)在其遠離該載 : 面上仿製半導體本體（la，lb)之面向該栽體 u及電性的化合物媒體（5)，且該電性絕 面 體(3)之面向該電性絕緣層（6)的 5物媒 成’其中接觸孔（U)由上述半導體本形 姐（1)之面向該載 -20- 201222897 體（2)之該上側（2a)之側經由至少一個活性區（丨）而延 伸至上述半導體本體（1)之n_導電區（1〇)，以該電性絕 緣之化合物媒體（3)來填充該接觸孔。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光二極體晶 片，其中恰巧一個接觸區（4a，4b)用來與全部之半導體 本體（1)形成電性接觸。 5 ·如申清專利範圍第1至4項中任一項之發光二極體晶 片，其中該些半導體本體（1)分別未設置生長基板。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之發光二極體晶 片，其中每一個半導體本體（1)都具有一個輻射發出面 (1 5)’在操作時藉此使配屬於所述半導體本體（丨）之至 .少一個活性區中所產生之輻射在離開該載體（2)之方 向中對準地離開所述半導體本體（丨），其中使電流分佈 成只對該輻射發出面（1 5)下方之該活性區（1 1)供應電 流。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之發光二極體晶 片’其中至少一個半導體本體（1)包括至少一個接觸孔 (1 3) ’其由所述半導體本體（丨）之面向該載體之該上側 (2a)的側經由至少一個活性區（丨丨）而延伸至所述半導 體本體（1)之η-導電區（1〇)，其中該接觸孔（13)用來對 該η -導電區（1 〇)供應電流。 8 ·如申請專利範圍第1至7項中任一項之發光二極體晶 片’其玄接觸孔（13)包括一種導電材料（14)，其藉 由該電性絕緣之化合物媒體（3)而與所述半導體本體 (1)之ρ-導電區（12)和該至少一個活性區（1 1)形成電性 -2 1- 201222897 絕緣。 9.如申請專利範圍第丨至8項中任一項之發光二極體晶 片，其中在至少二個相鄰之半導體本體（1)之間配置電 性的化合物媒體（5)，其中該電性的化合物媒體（5)使 一個半導體本體（1)之ρ-導電區（丨2)可導電地與另一 個半導體本體（1)之η-導電區（10)相連接。 10·如申請專利範圍第i至9項中任一項之發光二極體晶 片，其中該電性的化合物媒體（5)以金屬及/或可導電 的氧化物來形成。 11. 如申請專利範圍第丨至10項中任一項之發光二極體 晶片，其中在該載體（2)之該上側（23)和該電性絕緣之 化合物媒體（3)之間配置電性絕緣層（6)，其平坦地形 成。 12. 如申請專利範圍第i至η項中任一項之發光二極體 晶片，其令該電性絕緣層（6)直接與該載體（2)和該電 性絕緣之化合物媒體（3)相鄰。 1 3 .如申請專利範圍第】 ㈤乐1至12項中任一項之發光二極體 晶片，其中該發光二極體晶片以至少6伏特之電壓來 操作。 Μ·:申請專利範圍第U 13項中任一項之發光二極體 晶片’其中該電性的化合物媒體(5)由該輻射發出面 (15)之側面來與該發光二極體晶片之該些半導體本體 (U，lb)之至少—個η_導電區（1〇)相接觸。 15.如申請專利範圍第i至14項中任一項之發光二極體 晶片，其中該電性絕緣之化合物媒體（3)在其遠離該載 -22- 201222897 體（2)之表面上仿製該些半導體本體（la，lb)和該電性 的化合物媒體（5)之面向該載體（2)之表面的一部份或 全部，且該電性絕緣之化合物媒體（3)之面向該載體 (2)之表面以平坦方式形成。 -23-