TW201214058A

TW201214058A - Lithographic apparatus and device manufacturing method

Info

Publication number: TW201214058A
Application number: TW100106098A
Authority: TW
Inventors: Zwet Erwin John Van; Jager Pieter Willem Herman De; Johannes Onvlee; Erik Christiaan Fritz
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2010-02-23
Filing date: 2011-02-23
Publication date: 2012-04-01
Also published as: US9235140B2; TWI557514B; NL2006256A; WO2011104180A1; JP5580434B2; JP2013520787A; KR101419330B1; US20120307223A1; KR20120123557A

Description

201214058 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種微影裝置、一種可程式化圖案化元件，及一種元件製造方法。【先前技術】微影裝置為將所要圖案施加至基板或基板之部分上的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路（IC)、平板顯示器及具有精細特徵之其他元件或結構之製造中。在習知微影裝置中，可被稱作光罩或比例光罩之圖案化元件可用以產生對應於1C、平板顯示器或其他元件之個別層的電路圖案。此圖案可（例經由成像聽供於基板上之輕射敏感材料 (抗蝕劑）層上而轉印於基板（例如，矽晶圓或玻璃板）（之部分）上。代替電路圖案，圖案化元件可用以產生其他圖案，例如采^色/慮光益圖案或圓點矩陣。代替習知光罩，圖案化元件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含產生電路或其他適用圖案之個別可控制器件陣列。此「無光罩」系統相較於驾知以光罩為基礎之系統的優點在於：可更快且成本更少地提供及/或改變圖案。因此’無光罩系統包括可程式化圖案化元件（例如，空間光調變器、對比元件，等等）。可程式化圖案化元件經私式化（例如，電子地或光學地）以使用個別可控制器件陣幻來形成所要經圖案化光束。可程式化圖案化元件之類型包括微鏡面陣列、液晶顯示器（LCD)陣列、光栅光閥陣 154236.doc 201214058 列’及其類似者。【發明内容】而要（例如）提供一種包括一可程式化圖案化元件之可撓性低成本微影裝置。在實施例中，揭示一種微影裝置，該微影裝置包括：一調變器，該調變器經組態以將基板之一曝光區域曝光至根據所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，該杈衫系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。該 ❹調變器可相對於該曝光區域可移冑，及/或該投影系統可八有用以接收该複數個光束之一透鏡陣列，該透鏡陣列係相對於該曝光區域可移動。在一實施例中，一種微影裝置可具備（例如）一光學圓柱’該光學圓柱能夠將一圖案產生至一基板之一目標部分上。該光學圓柱可具備：一自發射對比元件，該自發射對比元件經組態以發射一光束；及一投影系統，該投影系统 ◎ 經組態以將該光束之至少一部分投影至該目標部分上。該裝置可具備一致動器，該致動器用以相對於該基板移動該光學圓柱或其一部分。藉由在該移動期間「開啟」或「關閉」該自發射對比元件，可在該基板上產生一圖案。通常，需要連續地改良—微影裝置之產出率及/或解析度。該微影裝置之產出率效能必須經調適至生產程序|

如，在該生產程序中製造平板顯示器或晶片。4了流線Z 該生產程序，需要使該微影裝置之生產時間（亦即^用以在該基板之整個表面上產生一圖案之時間柄 u只貝上等於或 J54236.doc 201214058 … 浐又上不超過該生產程序之其他階段所需要之時間。對於些生產程序，該生產程序之每一階段的生產時間限於（例如）60秒。在此6〇秒中，具有所要解析度之一圖案必須提供於該完整基板上。另卜待用於槌影程序中之基板的大小連續地增加。因此在相同生產時間内’此較大基板之較大基板表面應具備一圖案；可在該生產程序之其他階段中更有效率地處理較大基板。又，市場上需要較大基板，例如，用於大型平面螢幕電視或電腦監視器之生產的較大面板顯示器。基板之一增加大小及/或提供於該基板上之該®案之一 k加解析度通常需要該微影程序之效率之一增加。舉例而5，需要提供一種微影裝置，該微影裝置能夠在一基板上有效率地產生—圖案❶舉例而言，需要提供一種減小在此微影裝置中一基板之相對曝光時間（亦即，該曝光時間除以一基板之長度）之方法。根據本發明之一實施例，提供一種裝置，該裝置包含：光學圓柱，該光學圓柱能夠將一光束投影於一基板之目‘部分上，該光學圓柱包含一投影系統該投影系統經組態以將該光束投影至該目標部分上；一掃描移動致動器，該掃描移動致動器用以相對於該光學圓柱在-掃描方向上以—掃描速率移動該基板；及紅轉移動致動器，該旋轉移動致動器用以按一旋轉頻率旋轉該光學圓柱或其一部分，從而導致在該目標部分上 154236.doc 201214058 該光束之一切線方向旋轉速率，其中該目標部分具有在該掃描方向上古呵度及主要地垂直於該掃描方向之—切線方向寬度，其中該掃描速率除以該高度實質上對應於該光束之該旋轉速率除以該方向寬度。根據本發明之一實施例，提供一種減小在上述微影裝置中-曝光時間除以一基板長度之方法，該方法包含選自以下各項之一或多者：增加每光學圓柱的自發射對比元件之數目；增加在可旋轉部分上該光學圓柱之中心軸線之半徑；增加該可旋轉部分之旋轉頻率；減小一目標部分之寬度；最小化在該掃描方向上複數個光學圓柱之間的距離；及減小在切線方向上一目標部分之寬度。【實施方式】併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明之一實施例，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。在該等圖式中，相似元件符號可指示相同或功能上類似之器件。本文中描述一種無光罩微影裝置、一種無光罩微影方法、一種可程式化圖案化元件以及其他裝置、製品及方法之一或多個實施例。在一實施例中，提供一種低成本及/ 或可撓性無光罩微影裝置。因為微影裝置係無光罩的，所 154236.doc 201214058 以無需習知光罩來曝光（例如）IC或平板顯示器。類似地，對於封裝應用無需一或多個環（ring);可程式化圖案化元件可提供用於封裝應用之數位邊緣處理「環」以避免邊緣投影。無光罩（數位圖案化）可實現與可撓性基板一起之使用。在一實施例巾，微職置能夠具有超非臨界應用（SUper_ non criucal appllcatl〇n)。在一實施例中微影裝置能夠具有—0.1微米解析度，例如，Μ.·米解析度或y微米解析度。在-實施例中，微影裝置能夠具有，微米解析度，例如，90微米解析度或微米解析度。在一實施例中，微影裝置能夠具有〜0彳外丰

Ui:未至1 〇彳政未解析度。在一實施例中，微影裝置能夠具有㈤奈米疊對，例如测奈米疊對—200奈来疊對或>3〇〇奈米疊對。在一實施例中，微影裝置能夠具有侧奈米㈣，例如，·奈米疊對Λ 300奈米疊對或测。此等㈣值及解析度值可— 無關於基板大小及材料。 ^ &例中微影裝置係高度可撓性的。在-實施例中’微影裝置對於不ρη + i ^ „ 對於不冋大小、類型及特性之基板係可按比例調整的。在_香& /丨丄列中，微影裝置具有虛擬無限場大置(使用，微影裝置可以單一微影裝置或使用多個微影裝 (二:大程度上共同的微影裝置平台)來實現多個應用 ' π、平板顯示器、封妒，黧笙a 微影裝置允許自動化4等h在-實施例中，作產生以提供可撓性製造。在一實施例中，微影裝置提供3D整合。 154236.doc 201214058 在一實施例中，微影裝置係低成本的。在一實施例中，僅使用普通的現成組件（例如，輻射發射二極體' 簡單可移動基板固持器，及透鏡陣列）。在—實施例中，使用像素拇格成像以實現簡單投影光學器件。在一實施例中，使用具有單一掃描方向之基板固持器以減少成本及/或減少複雜度。圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影投影裝

扃置1〇〇包括圖案化元件104、物件固持器1〇6(例如，物件台（例如’基板台）），及投影系統108。。在實施例中，圖案化元件104包含複數個個別可控制件1〇2，以調變輕射以將圖案施加至光束u卜在一實施例中，複數個個別可控制器件1()2之位置可相對於投影系統108係固疋的。然而，在一替代配置中，可將複數個個別可控制ϋ件102連接至—定位元件（圖中未繪示），以根據特定參數來準確地定位該等個別可控制器件中之—或多者 (例如，相對於投影系統108)。在貫知例中，圖案化元件104為自發射對比元件。此圖案化元件ΗΜ消除針對輕射系統之需要，此情形可減少 (例如)微影裝置之成本及大小。舉例而言，個別可控制器件102中之每一者為一輻射發射二極體，諸如發光二極體 (ED)有機LED(OLED)、聚合物LED(pLED)或雷射二極體（例如’㈣雷射：極體）。在—實施射，個別器件102中之每一者兔制母考為一雷射二極體。在一實施例中，個別可控制器件1〇2中之每-者為-藍紫色雷射二極體(例 154236.doc 201214058 如’ Sanyo型號。此等二極體係藉由諸如 Sanyo、Nichia、〇咖„!及Nitride之公司供應。在—實施例中，二極體發射具有約365奈米或約4〇5奈米之波長的輻射。在一實施例中，二極體可提供選自〇5毫瓦特至ι〇〇毫瓦特之範圍的輸出功率。在一實施例中，雷射二極體（裸晶粒）之大小係選自250微米至600微米之範圍。在一實施例中，雷射二極體具有選自m米至5微米之範圍的發射區域。在一實施例中，雷射二極體具有選自7度至44度之範圍的發散角。在-實施例中，圖案化元件1()4具有約卜^ 個二極體’該等二極體具有用以提供大於或等於約“xl〇8

W/〇n2_sr)之總亮度的組態（例如，發射區域、發散角出功率，等等）。月’J 在-實施例中’自發射對比元件包含比所需 :址器件更多的個別可定址器㈣，以在另一個別可；制益件1〇2未能操作或未適當地操作時允許使用工個別可控制器件102。在一每#如士几餘」干W在只％例中，可在使用（例如關於圖5所論述夕可4全& σ, J r χ, w 移動個別可控制器件⑽的實施例中有利地使用冗餘個別可控制器件。传i 〜財，自發射對比元件之個別可控制哭件1〇2 係在個別可控制器件i 〇2之 D#102 中操作（例如，雷射m J向電^曲線之陡山肖部分少功率、，肖耗/埶形可更有效率且導致更力“耗/熱。在一實施例可批在丨丨吳^ 你1之用甲時母個別 J-" 光學輸出為至少1毫瓦特，例如，至少10毫瓦特、至少2 S裒TT从 , ν ΐυΦ 特、至V50毫瓦特、至少⑽毫瓦特或 154236.doc -10- 201214058 θ Ο 至少200毫瓦特。在一實施例中，當在使用中時，每個別可控制器件之光學輸出小於300毫瓦特、小於25〇毫瓦特、小於200毫瓦特、小於150毫瓦特、小於1〇〇毫瓦特、小於 50毫瓦特、小於25毫瓦特或小於10毫瓦特。在一實施例中，當在使用中時，用以操作個別可控制器件的每可程式化圖案化元件之功率消耗小於1〇千瓦特，例如，小於5千瓦特、小於1千瓦特或小於〇.5千瓦特。在一實施例中，當在使用中時，用以操作個別可控制器件的每可程式化圖案化元件之功率消耗為至少1〇〇瓦特，例如，至少3〇〇瓦特>、' 至少500瓦特或至少1千瓦特。微影裝置100包含物件固持器106。在此實施例中，該物件固持器包含物件台106以固持基板114(例如抗蚀劑塗佈矽晶圓或玻璃基板）。物件台1〇6可為可移動的，且連接至定位το件116以根據特定參數來準確地定位基板ιΐ4。舉例而言，定位元件116可相對於投影系統1〇8及/或圖案化兀件104準確地定位基板114。在一實施例中，可用包含未在圖1中被明確地描繪之長衝程模組（粗略定位）及（視情況）短衝程模組（精細定位）的定位元件爾現物件台1〇6之移動。在-實施例中’裝置至少不存在用以移動物件台_ 之短衝程模組。可使用類似系統以定位個別可控制器件二。應瞭解’或者’另外’光束ιι〇可為可移動的，而物件台106及/或個別可控制衩制窃件1〇2可具有固定位置以提供所而相對移動。此配置可輔助限制裝置之大小。在可（例如）適用於平板顯示器之製造中的實施例中，物件台106可 154236.doc 201214058 為靜止的，且定位元件116經組態以相對於（例如，遍及）物件台106移動基板114。舉例而言，物件台1〇6可具備用以橫越基板114以實質上恆定速度掃描基板114之系統。在進行此過程時’物件台106可在平坦最上部表面上具備眾多開口，氣體被饋入通過該等開口以提供能夠支撐基板】14 之氣墊（gas cushion)。此氣墊通常被稱作氣體軸承配置 (gas bearing arrangement)。使用一或多個致動器（圖中未繪示）而遍及物件台106移動基板U4，該一或多個致動器能夠相對於光束11〇之路徑準確地定位基板114。或者，可藉由選擇性地開始及停止氣體通過開口之傳遞而相對於物件台106移動基板114。在一實施例中，物件固持器1〇6可為供捲動基板之卷軸系統（roll system)，且定位元件116可為用以轉動卷軸系統以將基板提供至物件台1 〇6上之馬達。投影系統108(例如，石英及/或CaF2透鏡系統或包含由此專材料製成之透鏡器件的反射折射系統，或鏡面系統）可用以將藉由個別可控制器件102調變之經圖案化光束投影至基板114之目標部分120(例如，一或多個晶粒）上。投影系統108可對藉由複數個個別可控制器件ι〇2提供之圖案進行投影成像’使得將圖案相干地形成於基板丨丨4上。或者’投影系統108可投影次級源之影像，對於該等次級源’複數個個別可控制器件102之器件擔當遮光片。在此方面，投影系統可包含一聚焦器件或複數個聚焦器件（在本文中一般地被稱作透鏡陣列），例如，微透鏡陣列 154236.doc -12- 201214058 Ο ϋ (被稱作MLA)或菲涅耳（Fresnel)透鏡陣列，例如，以形成次級源且將光點成像至基板114上。在一實施例中，透鏡陣列（例如，MLA)包含至少10個聚焦器件，例如，至少 _個聚焦器件、至少！，_個聚焦器件、至少ig，⑽〇個聚焦器件、至少_，_個聚焦器件，或至少個聚焦器件。在一實施例中，圖案化元件中之個別可控制器件的數目等於或大於透鏡陣列中之聚焦器件的數目。在一實把例中，透鏡陣列包含一聚焦器件，該聚焦器件係與個別可控制器件陣列中之個別可控制器件中之一或多者光學地相關聯’例如，僅與個別可控制器件陣列中之個別可控制器件中之-者光學地相關聯，或與個别可控制器件陣列中之個別可控制器件中之2者或2者以上（例如，3者或3者以上、5者或5者以上、10者或1〇者以上、2〇者或㈣以上、 25者或25者以上、35者或35者以上，或％者或$◦者以上）光學地相關聯；在—實施射，冑聚焦器件係與5,000個以下個別可控制器件(例如，2,5〇〇個以下、m〇〇個以下、 500個以下或1〇〇個以下）光學地相關聯。在一實施例中，，鏡陣列包含一個以上聚焦器件(例如，ι〇〇〇個以上、大 =或約全部)，該一個以上聚焦器件係與個別可控制器件陣財之個別可控制器件中之—或多者光學地相關聯。在一實施例中，透鏡陣列係（例如）藉由使用一或多個致 =而至少在至及遠離基板之方向上可移動。能夠將透鏡陣列移動至及遠離基板會允許（例如）在不必移動基板的情況下進行聚焦調整。在-實施例中，透鏡陣列中之個別透 154236.doc -13- 201214058 鏡器件（例如，透 > 至及遠離基板之方Λ 透鏡器件）係至少在板之方向上可移動(例如，用於在非平坦局域聚焦調整或用以將每一光學圓柱帶入至相^隹距離令）。王邳Η聚焦在一實施例t，透鏡陣列包含塑膠聚焦器聚焦器件可易於劍、Α ή 寻塑膠 m(例如’射出成形）及/或係可負擔得起的）太ά例如）輻射之波長大於或等於約_奈米（例如， 4〇5奈米）。在—實施例中，輕射之波長係選自約400奈米至00不米之範圍。在一實施例中，透鏡陣列包含石英聚焦器件。在-實施例中，該等聚焦器件中之每—者或複數者可為不對稱透鏡。不對稱性可對於複數個聚焦器件中之每一者係相同的，或可對於複數個聚焦器件中之一或多個聚焦器件相較於對於複數個聚焦器件令之一或多個不同聚焦器件係不同的。不對稱透鏡可促進將卵圓形輕射輸出轉換成圓形投影光點’或將圓形投影光點轉換成印圓形輪射輸出。在一實施例中，聚焦器件具有高數值孔徑（NA)，高1^八絰配置以在焦點外將輻射投影至基板上以獲得系統之低 NA。更高NA透鏡相較於可購得之低1^八透鏡可為更經濟、更普遍及/或品質更好。在一實施例中，低]^八小於或等於 0.3 ’在一實施例中為〇 18、〇 15或〇 15以下。因此，更高 NA透鏡具有大於系統之設計να的NA，例如，大於0.3、大於0.18或大於0.15。雖然在一實施例中投影系統1〇8係與圖案化元件1〇4分 154236.doc -14- 201214058 離’但無需如此。投影系統1〇8可與圖案化元件1〇8成整體。舉例而言’透鏡陣列區塊或板可附接至圖案化元件 104(與圖案化元件104成整體）。在一實施例中，透鏡陣列可以個別空間分離小透鏡之形式，每一小透鏡附接至圖案化元件104之個別可定址器件（與圖案化元件1〇4之個別可疋址器件成整體）’如下文更詳細地所論述。視情況，微影裝置可包含輻射系統以將輻射（例如，紫外線（UV)輻射）供應至複數個個別可控制器件1〇2。若圖案 C) 化元件為輻射源自身（例如，雷射二極體陣列或LED陣列），則微影裝置可經設計成無輻射系統，亦即，無除了圖案化元件自身以外之輻射源，或至少無簡化輻射系統。輻射系統包括經組態以自輻射源接收輻射之照明系統 (照明器）。照明系統包括以下器件中之一或多者：輻射傳送系統（例如，適當引導鏡面）；輻射調節元件（例如，光束擴展器）；冑整元件，#用以設定輻射之角強度分佈（通 ◎ f ’可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作σ外部及口内 4 ))，積光，及/或聚光器。照明系統可用以調節將提供至個別可控制器件102之輻射，以在輕射之橫截面中具有所要均-性及強度分佈。照明系統可經配置以將㈣劃分成複數個子光束，該等子光束可（例如）各自與複數個個別可控制器件中之-或多者相關聯。：維繞射光柵可（例如）用以將輻射劃分成子光束。在本描述中，術語「輻射光束」涵蓋（但不限於）光束包含複數個此等輕射子光束之情 I54236.doc -15- 201214058 形。轄射系統亦可包括_射源（例如，準分子雷用於供應至複數個個別可控產 ^ μ n ^ mo/it "器件102或藉由複數個個別 j才工制益件102供應之輻射。子雷射時，β +例而3，*輻射源為準分卞田射日寸，輻射源與微影奘情況下，不認為輕射離實體。在此等係自輻射源傳遞至照明器刀且幸田射 -A 在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源田細对瞭解，在本發明之範•内裝置_之整㈣^ — 1頂期兩種此等情景。一實施例中，輻射源（其別可控制―可提供具有在至少實5:= 例如，波長為至少10夺 “之波長的輻射，至少150太乎s , 至少50奈米、至少100奈米、米、至少275太米$/卡、至少200奈米、至少250奈夺f戈至,,^ 3G〇奈米、至少325奈米、至少35〇不水或至少360奈米。在— ^ 350 米之、&乒, 列中，輻射具有至多450夺丁之波長，例如，波長為多36〇奈米、至多325奈米、奈米、至多375奈米、至至多225夺乎每夕/、至多275奈米、至多250奈米、不木、至多2〇〇奈半中，輕射具有包括436夺十或4至多175奈米。在-實施例米、248奈米、193奈米：=奈米，奈米、-奈之波長。在-實施例中？、126奈米及/或13.5奈米奈米之波長。包括大約365奈米或大約355 如，涵蓋如奈米、射包括寬波長頻帶，例射源。在—實施例中，2及436奈米。可使用355奈米雷 &射具有約405奈米之波長。 154236.doc 201214058 在：實。施例中，以在〇。與90。之間(例如，在5。與85。之

門、的&15與75之間、在π與65。之間’或在35。與55。之角度將&射自照明系統引導於圖案化元件104處。可將來自照明系統之輻射直接提供至圖案化元件在— 替代實施例中，可藉由光束分裂器（圖中未繪示）將輻射自 !:系統引導至圓案化元件-，光束分裂器經組態成使仔-初藉由光束分裂器反射輻射且將輻射引導至圖案化元 :1广圖案化元件104調變光束且將光束反射回至光束分裂器’光束分裂器將經調變光束透射朝向基板114。然應瞭解，可使用替代配置以將輪射引導至圖案化元件 ⑽且隨後引導至基板114。詳言之’若使用透射圖案化元件104(例如’ LCD陣列）或圖案化元件1〇4係自發射的（例如，複數個二極體），則可能不需要照明系統配置。在微影裝置100之操作令（其中圖案化元件1〇4不係輻射發射的（例如，包含LED))，輻射係自輻射系統（照明系統及/或輻射源）入射於圖案化元件104(例如，複數個個別可控制器件）上，且係藉由圖案化元件104調變。經圖案化光束U〇在已藉由複數個個別可控制器件1〇2產生之後傳遞通過投影系統108 ’投影系統108將光束110聚焦至基板114之目標部分12 〇上。憑藉定位元件11 6(及（視情況）在基座136上之位置感測器 134(例如’接收干涉量測光束138之干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器）），可準確地移動基板丨14，例如，以使不同目標部分12〇定位於光束11〇之路徑中。在使用 154236.doc 17 201214058 時，用於複數個個別可控制器件1〇2之定位元件可用以（例如）在掃描期間準確地校正複數個個別可控制器件1 相對於光束110之路徑的位置。儘S本文令將根據本發明之一實施例的微影裝置描述為用於曝光基板上之抗蝕劑，但應瞭解，裝置100可用以投影經圖案化光束110以供在無抗蝕劑微影中使用。如此處所描繪，微影裝置〗00為反射類型（例如，使用反射個別可控制器件）。或者，裝置可為透射類型（例如，使用透射個別可控制器件）。所描繪裝置100可用於一或多個模式中，例如： 1. 在步進模式巾’在將整個經圖案化輕射光束11〇一次性投影至目標部分12〇上時’使個別可控制器件1〇2及基板 ⑴保持基本上靜止（亦即，單讀祕光）。接著，使基板 114在X及/或γ方向上移位’使得可將不同目標部分1科光至經圖案化輻射光束110。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態# Μ所成像之目標部分12〇的大

/J、D 2. 在掃描模式中，在將經圖案化㈣光束⑽投影至目標部分m上時，同步地掃描個別可控制器件ι〇2及基板 114(亦即’單次動態曝光）。可藉由投影系統PS之放大率 (縮小率m影像反轉特性來判定基板相對於個別可控制器件之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制皁次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向上），而掃描運動之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上卜 154236.doc -18· 201214058 3. 在脈衝模式中，使個別可控制器件H)2保持基本上靜且使用脈動(例如’藉由脈衝式輻射源或藉由脈動個 2可控制器件提供）而將整個圖案投影至基板ιΐ4之目標部刀120上以基本上怪定速率移動基板⑴，使得導致經圖 • f化光束110½越基板114掃描—行（Ike)。在脈衝之間根 #需要而更新藉由個別可控㈣件提供之圖案且對脈衝進订時控，使付在基板！ 14上之所需部位處曝光順次目標部分12G。因此，經圖案化光束m可橫越基板114進行掃描以曝光用於基板114之條帶的完整圖案。重複該程序，直到已逐行曝光完整基板114為止。 4. 在連續掃描模式中，與脈衝模式基本上相同，惟如下情形除外：相對於經調變輻射光束B以實質上恆定速率掃描基板114，且在經圖案化光束110橫越基板114進行掃描且曝光基板114時更新個別可控制器件陣列上之圖案。可使用經同步於個別可控制器件陣列上之圖案之更新的實質 ◎ 上值定輻射源或脈衝式輻射源。亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。圖2描繪用於晶圓（例如，3〇〇毫米晶圓）的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如圖2所示，微影裝置100包含基板台106以固持晶圓114。用以在至少χ方向上移動基板台106之定位元件116係與基板台1〇6相關聯。視情況’定位元件116可在γ方向及/或Z方向上移動基板台 106。定位元件116亦可圍繞χ方向、γ方向及/或z方向旋轉 154236.doc •19· 201214058 基板台106。因此’定位元件ι16可提供在高達6個自由度中之運動。在一實施例中，基板台1〇6提供僅在X方向上之運動’此情形之優點為更低成本及更少複雜度。在—實施例中，基板台1 06包含中繼光學器件。 Μ影農置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別可定址器件102。框架160可與基板台ι〇6及其定位元件U6 機械地隔離。可（例如）藉由與用於基板台1〇6及/或其定位兀件116之框架160分離地將框架16〇連接至地面或牢固基座來提供機械隔離。或者或此外，可在框架丨6〇與框架丄6〇被連接至之結構之間提供阻尼器，而無論該結構是地面、牛固基座或疋支撐基板台1〇6及/或其定位元件116之框架。在此實施例中，個別可定址器件1〇2中之每一者為射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。如圖2所示可將個別可定址器件l02配置成沿著γ方向延伸之至少^^個分離個別可定址器件㈣車列。在—實施例中，個別可定址器件1G2陣列係在X方向上與鄰近個別可定址器件1〇2陣列交錯。微影裝置，特別為個別可定址器件1〇2)可經配置以提供本文中更詳細地所描述之像素柵格成像。個別可疋址益件1〇2陣列中之每一者可為一個別光學引擎組件之部分’該陣列及該個別光學引擎組件可出於容易複製起見而被製造為-部件（unh)。此外，框架⑽可經組態為可擴展且可組態的，以容易採用任何數目個此等光學引擎組件。光學引擎^且仕i , '、牛了包3個別可定址器件j 02陣列 154236.doc •20- 201214058 與透鏡陣列17〇之組合（見（例如）圖8)。舉例而古在圖2 中，描繪3個光學引擎組件（其中—關聯透鏡陣列17〇處於每一各別個別可定址器件102陣列下方卜因此，在一實施例中，可提供多圓柱光學配置，其中每—光學引擎形成一 _ 圓柱。 .料，微影裝置HH)包含對準感測器15〇。對準感測器係用以在曝光基板U4之前及/或期間判定個別可定址器件與基板114之間的對準。可藉由微影裝置咖之控制器使用對準感測器150之結果以控制（例如）定位元件ιι6，以定位基板台1〇6以改良對準。或者或此外，控制器可控制 (例如換個別可定址器件102相關聯之定位元件，以定位個別可定址器件102中之一或多者以改良對準。在一實施例中，對準感測器150可包括用以執行對準之圖案辨識功能性/軟體。或者或此外，微影裝置100包含位階感測器…^ ◎ SenS〇r)150。位階感測器！5〇係用以判定基板1〇6是否位於相對於來自個別可定址器件1〇2之圖案的投影之位階處。位階感測器150可在曝光基板114之前及/或期間判定位階。可藉由微影裝置100之控制器使用位階感測器15〇之結果以控制（例如）定位元件116，以定位基板台咖以改良調平。或者或此外，控制器可控制(例如)與投影系統如，透鏡陣列）相關聯之定位元件，，乂定位投影系統ι〇8(例如透鏡陣列）之器件以改良調平。在一實施例中，位階感測盗可藉由將超音波光束投影於基板106處進行操作， 154236.doc 201214058 及/或藉㈣電磁輻射光束投影於基板106處進行操作。在實施例中，可使用來自對準感測器及/或位階感測器之結果以更改藉由個別可定址器件102提供之圖案。可更改圖案以校正（例如）可由（例如）個別可定址器件102與基板1M之間的光學器修存在）而引起的失真、基板114之疋位中的不規則性、基板i 14之不均勻度，等等。因此，可使用來自對準感測器及/或位階感測器之結果以更改經投影圖案以實現非線性失真校正。非線性失真校正可有用於（例如）可能不具有—致線性或非線性失真之可撓性顯示器。在微影裳置100之操作中，使用（例如）機器人處置器（圖中未繪示）將基板m錢至基板㈣6上。接著使基板114 在框架160及個別可定址器件1〇2下方於χ方向上位移。藉由位階感測器及/或對準感測器15〇量測基板丨14，且接著使用個別可定址器件102將基板114曝光至圖案。舉例而言，經由投影系統108之焦平面（影像平面）掃描基板114，同時藉由圖案化元件1〇4至少部分地開啟或完全地開啟或關閉子光束且因此至少部分地開啟或完全地開啟或關閉影像光點S(見（例如）圖12)。將對應於圖案化元件1〇4之圖案的特徵形成於基板114上。可操作個別可定址器件丨〇2，例如，以提供本文中所論述之像素栅格成像。在一實施例中，可完全地在正又方向上掃描基板114，且接著完全地在負X方向上掃描基板114。在此實施例中，對於負X方向掃描，可能需要在個別可定址器件1 〇2之對置側 154236.doc •22- 201214058 上的額外位階感測器及/或對準感測器i 5〇。圖3描繪用於在（例如）平板顯示器（例如，LCD、OLED顯不器，等等）之製造中曝光基板的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖2所示之微影裝置 ^ 1〇〇，微影裝置100包含：基板台106，基板台106係用以固 _ 持平板顯不器基板114 ;定位元件116，定位元件116係用以在高達6個自由度中移動基板台1〇6 :對準感測器15〇, 對準感測器150係用以判定個別可定址器件102與基板114 之間的對準；及位階感測器150’位階感測器15〇係用以判定基板114是否位於相對於來自個別可定址器件1〇2之圖案的投影之位階處。微影裝置100進-步包含配置於框架160上之複數個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件1〇2中之每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。如圖3所示，將個別可定址器件1〇2配置成沿著¥方向延伸〇之數個（例如，至少8個）靜止分離個別可定址器件102陣列。在一實施例中，該等陣列實質上靜止，亦即，該等陣列在投影期間不會顯著地移動。另外，在一實施例中數個個別可定址器件m陣列係在X方向上以交替方式與鄰近個別可定址器件102陣列交錯。微影裳置100(特別為個別可定址器件10 2)可經配置以提供像素柵格成像。在微影裝置100之操作中，使用（例如）機器人處置器（圖 :未繪示）將平板顯示器基板114裝載至基板台⑽上。接著使基板114在框架160及個別可定址器件1〇2下方於X方向 154236.doc •23· 201214058 上位移。II由位階感測器及/或對準感測器15〇量測基板 114，且接著使用個別可定址器件ι〇2將基板IN曝光至圖案。可操作個別可定址器件102，例如，以提供本文中所論述之像素柵格成像。圖4描綠用於卷軸式可撓性顯示器/電子器件的根據本發明之一實施例之微影裳置的示意性俯視圖。如同圖3所示微&波置1 00，微影裝置i 〇〇包含配置於框架1 上之複數個個別可定址件! 〇2。纟此實施例中，個別可定址器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射極體。另外，微影裝置包含：對準感測器，對準感測器150係用以判定個別可定址器件1〇2與基板ιΐ4之間的對準；及位階感測器150,位階感測器15〇係用以判定基板114是否位於相對於來自個別可定址器件ι〇2之圖案的投影之位階處。微影裝置亦可包含具有物件台1〇6之物件固持器，基板 114係遍及物件台1G6而移動。基板m係可撓性的且捲動至連接至定位元件116之卷軸上’定位元件116可為用以轉動卷軸之馬達。在—實施射，或者或此外，基板114可自連接至定位元件116之卷軸捲動，定位元件116可為用以轉動卷軸之馬達。在—實施例中，存在至少兩個卷軸，-卷軸係供基板自其捲動，且另一卷軸係供基板捲動至其上。在一貫施例中，若（例如）基板U4在該等卷軸之間足夠堅硬’則無需提供物件台1G6。纟此情況下，仍將存在物持器例如，一或多個卷軸。在一實施例申，微影裝 154236.doc •24- 201214058 置可提供無載體基板（例如，無載體羯片（carrier-less-foil， CILF))及/或卷轴式製造（r〇u manufacturing)。在一實施例中，微影裝置可提供單片連續式製造（sheet t〇 sheet manufacturing) ° - 在微影裝置100之操作中，在框架160及個別可定址器件 1 02下方於X方向上將可撓性基板114捲動至卷軸上及/或自卷軸捲動可撓性基板丨丨4。藉由位階感測器及/或對準感測器150量測基板114，且接著使用個別可定址器件102將基板114曝光至圖案。可操作個別可定址器件1〇2，例如，以提供本文中所論述之像素栅格成像。圖5描繪具有可移動個別可定址器件i 〇2的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖2所示之微影裝置100，微影裝置100包含：基板台1〇6，基板台1〇6係用以固持基板114 ;定位元件116，定位元件116係用以在高達6個自由度中移動基板台1〇6 ;對準感測器15〇，對準 ◎ 感測器150係用以判定個別可定址器件1〇2與基板】14之間的對準；及位階感測器150，位階感測器！5〇係用以判定基板U4是否位於相對於來自個別可定址器件1〇2之圖案的投影之位階處。微影裝置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件1〇2中之每一者為一輻射發射二極體，例如，雷射二極體（例如，藍紫色雷射二極體）。如圖5所示，將個別可定址器件丨〇2 配置成沿著Y方向延伸之數個分離個別可定址器件1 〇 2陣列 154236.doc -25- 201214058 2 0 0。另外，A _ j-a- y » l y 貫施例中，數個個別可定址器件102陣列 Ί方向上以父替方式與鄰近個別可定址器件1 02陣列2〇〇交錯。微影襄置! 〇〇(特別為個別可定址器件】〇2)可經配置以提供像素柵格成像。“，在—實施例中，微影裝置1〇0無需提供像素栅格成像。相反地，微影裝置100可以不V成用於技衫至基板上之個別像素而是形成用於投影至基板上之貫質上連續影像的方式將：極體之㈣投影至基板上。在一實施例中，者係可移動於該一 110之全部或部分的曝光區域與該複數個個別可定址器件1 02中之一或多或多個個別可定址器件係用以投影光束一或多個個別可定址器件不投影光束110之任何部 > 的曝光區料部之部位之間。在-實施例中，—或多個個別可定址器件iG2為輕射發射凡件，該等輻射發射元件在曝光區域204(圖5中之淡陰影區域）中開啟或至少部分地開啟（亦即，該等輻射發射几件發射輻射），且在位於曝光區域2〇4外部時關閉（亦即，该#輪射發射元件不發射輕射）。在一實施例中，一或多個個別可定址器件1〇2為輻射發射7L件，該等輻射發射元件可在曝光區域2〇4中及在曝光區域204外部開啟。在此情況下，若（例如）輻射未藉由一或多個個別可定址器件1 〇2適當地投影於曝光區域2〇4中，則可在曝光區域204外部開啟一或多個個別可定址器件j 〇2以提供補償曝光。舉例而言，參看圖5，可開啟與曝光區域 204對置之陣列之個別可定址器件ι〇2中之一或多者，以校 154236.doc -26- 201214058 正曝光區域204中之失敗或不適當的輻射投影。在實把例令，曝光區域2〇4為狭長線。在_實施例中’曝光區域2G4為-或多個個別可^址器件1()2之單維陣 :卜在-實施例中，曝光區域2〇4為—或多個個別可定址 - 器件1 之二維陣列。尤__杳# β 早夕〗在貫施例中，曝光區域2〇4狹長。在一實施例中，可移動個別可定址器件102中之每一者可分離地且未必一起作為一部件可移動。在-實施例中，—或多個個別可定址器件係可移動的，且在使用中，至少在投影光束i職間於橫向於光束HO之傳播方向的方向上移動。舉例而言，在—實施例中，―或多個個別可定址器件102為輻射發射元件，該等輕射發射元件在投影光束U0期間於實質上垂直於光束⑽之傳播方向的方向上移動。在一實施例中，陣列200中之每一者為一可橫向位移板，該可橫向位移板具有沿著該板所配置之複數個空間分 Q 離個別可疋址态件102，如圖6所示。在使用中，每一板沿著方向208平移。在使用中，對個別可定址器件1〇2之運動進行適當地時控以位於曝光區域2〇4(在圖6中被展示為濃陰影區域）中，以便投影光束11〇之全部或部分。舉例而言，在一實施例中，一或多個個別可定址器件1〇2為輻射發射元件，且對個別可定址器件1〇2之開啟或關閉進行時控，使得一或多個個別可定址器件102在處於曝光區域2〇4 中時開啟且在處於區域204外部時關閉。舉例而言，在圖 6(A)中’在方向208上平移複數個二維輻射發射二極體陣 154236.doc •27· 201214058 列200(兩個陣列係在正方向2〇8上且該兩個陣列之間的中間陣列係在負方向208上）。對輻射發射二極體1〇2之開啟或關閉進行時控，使得每一陣列2〇〇之特定輻射發射二極體1 02在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域2〇4外部時關閉。當然，當（例如）陣列200到達該等陣列之行進末端時’陣列200可在相反方向上行進，亦即，兩個陣列係在負方向208上且該兩個陣列之間的中間陣列係在正方向2叫上°在-另外實例中，在圖6(B)中，在方向2〇8上平移複數個交插單維輻射發射二極體陣列2〇〇(在正方向2〇8及負方向208上交替）。對輻射發射二極體1〇2之開啟或關閉進行時控，使得每—陣列之特定輕射發射二極體⑶2在處於曝光區域2咐時開啟且在處於區域2()4外料關閉。當然’陣列200可在相反方向上行進。纟_另外實例中，在圖6(C)中向208上平移單一輻射發射二極體陣列在方 2〇〇(被展示為-維，但無需如此）。對輕射發射二極體ι〇2 之開啟或Μ進行時控，使得每—陣列細之特定輕射發射二極體Η)2在處於曝光區域2〇4中時開啟且在處於區域 204外部時關閉。在一實施例中，陣列雇中之每-者為-可旋轉板，該可㈣板具有圍繞該板所配置之複數個空間分離個別可定址盜件102。在使用中，每一板（例如）在藉由圖$中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線2〇6旋轉。亦即，陣列2〇〇可在如圖5所示之順時針方向及逆時針方向上交替地旋轉。或者，陣列2〇0中之每-者可在順時針方向上旋轉或在逆 I54236.doc -28- 201214058 時針方向上旋轉。在一實施例中，陣列200旋轉完整一圈。在一實施例中，陣列200旋轉小於完整一圈之弧。在一實施例中，若（例如）基板在Z方向上進行掃描，則陣列 200可圍繞延伸於X方向或γ方向上之軸線旋轉。在一實施例中’參看圖6(D)，陣列200之個別可定址器件1〇2可配置於邊緣處，且在向外朝向基板114之徑向方向上進行投影。基板114可圍繞陣列200之側之至少一部分延伸。在此情況下，陣列200圍繞延伸於X方向上之軸線旋轉，且基板 114在X方向上移動。在使用中，對個別可定址器件1〇2之運動進行適當地時控以位於曝光區域204中，以便投影光束11〇之全部或部刀舉例而5，在一實施例中，一或多個個別可定址器件 102為輻射發射元件，且對個別可定址器件1〇2之開啟或關閉進行時控，使得一或多個個別可定址器件102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域2〇4外部時關閉。因此，在一 a鈿例中，可使輻射發射元件丨〇2在運動期間均保持開啟，且接著將輻射發射元件丨〇2中之特定輻射發射元件在曝光區域204中調變為關閉。可能需要在輻射發射元件 102與基板之間及在曝光區域2〇4外部的適當屏蔽，以屏蔽曝光區域204免於在曝光區域2〇4外部開啟之輻射發射元件 102。使輻射發射兀件丨〇2 一致地開啟可促進使輻射發射元件102在使用期間處於實質上均一溫度下。在一實施例中，可使輻射發射元件102時常保持關閉，且可使輻射發射兀件102中之一或多者在處於曝光區域2〇4中時開啟。 154236.doc -29- 201214058 在一實施例中’可旋轉板可具有圖7所示之組態。舉例而言，在圖7(A)中，展示可旋轉板之示意性俯視圖。可旋轉板可具有陣列200 ’陣列200具有圍繞該板所配置之多個個別可定址器件102子陣列210(該可旋轉板相較於圖5之可方疋轉板不思性地展不圍繞該板所配置之翠一個別可定址器件102陣列200)。在圖7(A)中，子陣列21〇被展示為相對於彼此交錯，使得一子陣列210之一個別可定址器件1〇2處於另一子陣列2 10之兩個個別可定址器件1 〇 2之間。然而，子陣列2 1 0之個別可定址器件1 〇2可彼此對準。個別可定址器件1 02可藉由馬達2 1 6圍繞一軸線個別地或一起旋轉，在此實例中’ 5亥轴線通過馬達21 6而延伸於圖7(A)中之Z方向上。馬達2 1 6可附接至可旋轉板且連接至框架（例如，框架 1 60)，或附接至框架（例如，框架丨6〇)且連接至可旋轉板。在一實施例中’馬達21 6(或（例如）位於別處之某—馬達）可導致個別可定址器件102之其他移動（無論是個別地或是一起）。舉例而言’馬達21 6可導致在X方向、γ方向及/或z方向上的個別可定址器件102中之一或多者之平移。或者或此外，馬達216可導致圍繞X方向及/或γ方向的個別可定址器件102中之一或多者之旋轉（亦即，rx運動及/或&運動）。在圖7(B)中被示意性地展示為俯視圖之可旋轉板的實施例中，該可旋轉板可在其中心區域中具有開口 2 12，其中個別可定址器件1 〇2陣列200係配置於開口 212外部之板上。因此，例如，可旋轉板可形成如圖7(B)所示之環形圓 154236.doc -30· 201214058 盤’其中個別可定址器件102陣列200係圍繞該圓盤而配置。開口可減少可旋轉板之重量，及/或促進冷卻個別可定址器件102。在一實施例中’可旋轉板可使用支撐件214而被支撐於外部周邊處。支撐件214可為軸承，諸如滾筒軸承或氣體轴承。可藉由如圖7(A)所示之馬達216提供旋轉（及/或其他移動’例如，在X方向、γ方向及/或Z方向上之平移，及/ 或運動及/或Ry運動）。或者或另外，支撐件214可包括馬達以導致個別可定址器件丨〇2圍繞軸線A旋轉（及/或提供其他移動，例如，在X方向、γ方向及/或Z方向上之平移，及/或Rx運動及/或1運動）。在一實施例中’參看圖7(D)及圖7(E)，具有個別可定址盗件1 02陣列200之可旋轉板可附接至可旋轉結構2丨8。可旋轉結構21 8可藉由馬達220圍繞軸線B旋轉。另外，可旋轉板可藉由馬達216相對於可旋轉結構218旋轉，馬達216 導致可旋轉板圍繞軸線A旋轉。在一實施例中，旋轉軸線 A與旋轉軸線b不重合’且因此，該等軸線係空間分離的’如圖7(D)及圖7(E)所示。在一實施例中，旋轉軸線a 與旋轉軸線B彼此實質上平行。在曝光期間之使用中，可旋轉結構2 1 8及可旋轉板兩者均旋轉。可協調該旋轉，使得曝光區域204中之個別可定址器件ι〇2可以實質上直線進行對準。此情形可與（例如）圖5之實施例相比較，在圖5之實施例中’曝光區域204中之個別可定址器件1 〇2可能不以實質上直線進行對準。 154236.doc •31 - 201214058 個別可定址器件的情況址器件移動至曝光區域目。因此，可減少熱負在具有如上文所描述之可移動下’可在需要時藉由將個別可定 204中來減少個別可定址器件之數荷。 ” 一厂/丨而資（4移動個別可定址器件（例如，在可旋轉板上）幵奴上）更多的可移動個別可定址器件。此配置之可能優點在於：右 $多個可移動個別可定址器件中斷或未能操作，則 ⑴J代替地使用可移動個別定址器件中之一或多個其他可丹他T移動個別可定址器件。或者或外可移動個料定址器件可具有㈣控制個別可疋址：件上之熱負荷的優點，此係因為所存在之可移動個別可定址器件愈多，則存右、在使曝光區域2 0 4外部之可移動個別可定址器件冷卻的機會愈多。在一實施例中，可移叙相a丨+ 杪動個別可定址器件102嵌入於包含低熱導率之材料中。舉例而t，該材料可為陶竟，例如，堇青^或以蓳青石為基礎之心，及/或微晶破璃陶究。在一實施例中，可銘叙_ μ1 a 移動個別可定址器件102嵌入於包含高熱導率之材料（例如，令屋 . 金屬’例如’相對輕量之金屬（例如，鋁或鈦））中。在爲施例中，陣列2〇〇可包含溫度控制配置。舉例而 σ參看圖7(F)，陣列2〇〇可具有流體（例如，液體μ專導通 C 222以在ρ車列2〇〇上、在陣列2〇〇附近或通過陣列2〇〇輸送冷部机體以冷部該ρ車列。通冑奶可連接至適當熱交換器及杲228以使流體循環通過該通冑。連接於通道222與熱交 154236.doc -32- 201214058 換器及泵228之間的供應件（supply)224及返回件（retum)226 可促進流體之循環及溫度控制。感測器234可提供於陣列中、陣列上或陣列附近，以量測陣列2〇〇之參數，該量測可用以控制（例如）藉由熱交換器及泵提供之流體流的溫度在貫施例中，感測器234可量測陣列2〇〇本體之膨脹 • 及/或收縮，該量測可用以控制藉由熱交換器及泵提供之 /玑體/;丨L的/皿度。此膨脹及/或收縮可為溫度之代表。在一 0 只細*例中，感測器234可與陣列200整合（如藉由以圓點之形式的感測盜234所示），及/或可與陣列2〇〇分離（如藉由以方框之形式的感測器234所示）。與陣列分離之感測器 234可為光學感測器。在貫轭例中，參看圖7(G)，陣列2〇〇可具有一或多個散熱片230以增加用於熱耗散之表面區孰㈣於陣列扇之頂部表面上及/或陣列謂:側表：上。視情況，可提供一或多個另外散熱片232以與散熱片〇 230 σ作以促進熱耗散。舉例而言，散熱片能夠自散熱〇吸收熱，且可類似於如圖7(F)所示且關於圖7(ρ)所描述而包=流體（例如’液體）傳導通道及關聯熱交換眺。貫細*例中參看圖7(H)，陣列200可位於流體限制結構咖處或附近’流體限制結構236經组態以使流體咖 =持接觸陣列2〇〇本體，以促進經由該流體之熱耗散。在 —實施例中，流體238可為液體，例如，水。在—實施例中，流體限制結構236在其與陣列2〇〇本體之間提供密封。在一實施财，《封可為經由（例如）氣體流動或毛細管】54236.doc -33- 201214058 力所提供之無接觸逸、封。在一實施例中，類似於如關於)宁體傳導通道222所論述，使流體23 8循環以促進熱耗散。可藉由流體供應元件240供應流體23 8。在一實施例中，參看圖7(H)，陣列200可位於流體供應元件240處或附近，流體供應元件24〇經組態以將流體投射朝向陣列200本體，以促進經由該流體之熱耗散。在一實施例中，流體238為氣體，例如，清潔乾燥空氣' n2、惰性氣體，等等。雖然圖7(H)中一起展示流體限制結構236及流體供應元件24〇 ’但無需一起提供流體限制結構 236及流體供應元件240。在一實施例中，陣列200本體為具有（例如）用於流體傳導通道222之空腔的實質上固體結構。在一實施例中，陣列200本體為實質上框架狀結構，該結構大部分敞開且各種組件（例如，個別可定址器件1G2、流體傳導通道如，等等）附接至該結構。此敞開狀結構促進氣體流動及/或增加表面區域。在一實施例中，陣列2〇〇本體結構，其中複數個空、口體本體中或通過本體以促進氣體 /爪動及/或增加表面區域。雖然上文已描述用以提供促々。卩之貫把例，但或者或此外，該等實施例可提供加熱。在一實施例中，在曝光使 '使用期間，使陣列200理想地保符於貫質上恆定籍中別叮— 〜疋狀態下。因此，例如，陣列200之個別可疋址器件1 02中夕 i# m M i 邛或夕數可在曝光之前被通電以達到或接近所要穩定狀態溫度，且在曝光期間，任何一或 154236.doc •34- 201214058 多個溫度控制配置均可用以冷卻及/或加熱陣列2〇〇以維持穩定狀態溫度。在一實施例中，任何一或多個溫度控制配置均可用以在曝光之前加熱陣列200以達到或接近所要穩定狀態溫度。接著，在曝光期間，任何一或多個溫度控制 -酉己置均可用以冷卻及/或加熱陣列以維持穩定狀態溫 ' 度。可以前饋及/或回饋方式使用來自感測器234之量測以維持穩定狀態溫度。在一實施例中，複數個陣列2〇〇中之 0 每一者可具有相同穩定狀態溫度，或複數個陣列200中之一或多個陣列200可具有與複數個陣列2〇〇中之一或多個其他陣列200之穩定狀態溫度不同的穩定狀態溫度。在一實施例中，P車列200被加熱至高於所要穩定狀態溫度之溫度且接著在曝光期間下降，此係由於藉由任何一或多個溫度控制配置施加之冷卻’及/或因為個別可定址器件102之使用不足以雉持高於所要穩定狀態溫度之溫度。在一實施例中，為了改良熱控制及總冷卻，沿著及/或 ◎ 橫越曝光區域增加陣列本體之數目。因此，例如，代替圖5所示之四個陣列2〇〇,可提供五個、六個、七個、八個、九個、十個或十個以上陣列·。可提供更少陣列（例如，一個陣列2〇〇)，例如’覆蓋基板之全寬度的單一大陣列。在κ她例中如本文令所描述之透鏡陣列係與可移動個別以址器件相關聯或整合。舉例而言，透鏡陣列板可附接至可移動陣列2〇〇φ>ι . 早』中之母—者，且因此隨著個別可定址器件1〇2而可移動（例如，可旋轉）。如上文所論述，透鏡 154236.doc -35- 201214058 陣列板可相對於個別可定址器件102可位移（例如，在2方向上）。在一實施例中，可針對陣列200提供複數個透鏡陣列板，母一透鏡陣列板係與複數個個別可定址器件1 〇 2之不同子集相關聯。在一實施例中，參看圖7(1)，單一分離透鏡242可附接於母個別可疋址态件1 前方，且隨著個別可定址器件} 而可移動（例如，圍繞軸線A可旋轉）。另外，透鏡242可經由使用致動器244而相對於個別可定址器件1〇2可位移（例如，在Z方向上）。在一實施例中，參看圖7(J)，個別可定址器件1 02及透鏡242可藉由致動器244而相對於陣列2〇〇之本體246—起位移。在一實施例中，致動器244經組態以僅使透鏡242在Z方向上位移（亦即，相對於個別可定址器件 1 02或連同個別可定址器件丨〇2)。在一實施例中，致動器244經組態以使透鏡242在高達3 個自由度中位移（Z方向、圍繞x方向之旋轉，及/或圍繞γ 方向之旋轉）。在一實施例中，致動器244經組態以使透鏡 242在南達6個自由度中位移。在透鏡242係相對於其個別可定址1§件102可移動時，可藉由致動器244移動透鏡242 以改變透鏡242相對於基板之聚焦位置。在透鏡242係隨著其個別可定址态件1 02而可移動時，透鏡242之聚焦位置實為上恒疋’但相對於基板位移。在一實施例中，針對與陣列200之每一個別可定址器件1〇2相關聯的每一透鏡242而個別地控制透鏡242之移動。在一實施例中，複數個透鏡 242之子集係相對於或連同複數個透鏡242的複數個個別可 154236.doc -36- 201214058 疋址器件102之關聯旱隹萍子集可一起移動。在此後者情形中精址可為了更低資料耗用耗用及/或更快回應而損耗聚焦控制之細度。在一實施例中，了错由散焦來調整藉由個別可定器件1 02提供之輻射之来九，."占的大小，亦即，散焦得愈多則光點大小愈大。

實施例中參看圖7(K)，具有孔隙之孔隙結構248 可位於透鏡242下方。在_實施例中，孔隙結構㈣可在透鏡242與關聯個別可定址器件1()2之間位於透鏡242上方。孔隙結構248可限制透鏡242、關聯個別可定址器件職/ 或鄰近透鏡242/個別可定址器件1〇2之繞射效應。在θ知例令，個別可定址器件1〇2可為輕射發射元件’例如，雷射二極體。此輪射發射元件可具有高空間相干)·生’且因此可呈現斑點問題。》了避免此斑點問題，應藉由移位-光束部分相對於另―光束部分之相位來擾亂藉由輻射發射元件發射之輻射。在一實施例中，參看圖7⑹ 及圖7(M)’板250可位於（例如）框架⑽上，且個別可定址器件1〇2相對於板250移動。隨著個別可定址器件ι〇2相對於且遍及板250移動，板25〇導致破壞藉由個別可定址器件 102發射朝向基板之輻射之空間相干性。在一實施例中，隨著個別可定址器件102相對於且遍及板25〇移動，板25〇位於透鏡242與其關聯個別可定址器件i 〇2之間。在一實施例中’板250可位於透鏡242與基板之間。在一實施例中，參看圖7(N)，空間相干性破壞元件M2 可位於該基板與將輻射投影至曝光區域上之至少該等個別 154236.doc •37- 201214058 可定址器件102之間。在一實施例中，空間相干性破壞元件252位於個別可定址器件1〇2與透鏡242之間，且可附接至本體246。在一實施例中，空間相干性破壞元件252為相位s周變器、振動板或旋轉板。隨著個別可定址器件i 〇2將輻射投影朝向基板，空間相干性破壞元件252導致破壞藉由個別可定址器件102發射之輻射之空間相干性。在一實施例中，理想地經由高熱導率材料將透鏡陣列 (無論是一起作為部件或是作為個別透鏡）附接至陣列2〇〇，以促進熱自透鏡陣列至陣列2 〇〇之傳導，其中可更有利地提供冷卻。在一實施例中’陣列2〇〇可包含一或多個聚焦或位階感測器254，如同位階感測器丨5〇。舉例而言，感測器254可經組態以針對陣列2〇〇之每一個別可定址器件1〇2或針對陣列200之複數個個別可定址器件丨〇2量測聚焦。因此，若偵測到離焦條件，則可針對陣列200之每一個別可定址器件 1 02或針對陣列2〇〇之複數個個別可定址器件1 〇2校正聚焦。可藉由（例如）在2方向上（及/或圍繞χ轴及/或圍繞γ轴）移動透鏡242來校正聚焦。在一實施例中’感測器254係與一個別可定址器件1 〇2成整體（或可與陣列200之複數個個別可定址器件1 〇2成整體）°茶看圖7(0)，示意性地描繪實例感測器254。聚焦偵 ’則光束256經重新引導（例如，反射）離開基板表面、傳遞通過透鏡242且藉由半鍍銀鏡面258引導朝向偵測器262。在一貫施例中’聚焦偵測光束256可為碰巧自基板重新引導 154236.doc -38· 201214058 的用於曝光之輪射。在一實施例中，聚焦福測光束可為引導於基板處且在藉由基板重新引導後隨即變為光束 256之專用光束。刀緣（knife edge)26〇(其可為孔隙）在光束 256照射偵測器262之前處於光束之路徑中。在此實例中積測器262包含在圖7(〇)中藉由僅測器262之分裂所示 . 的至少兩個輻射敏感部分(例如，區域或债測器）。當基板係聚焦時，清晰影像形成於刀緣26〇處，且因此，谓測器〇 262之輻射敏感部分接收相等量之輻射。當基板係離焦時，光束256移位，且影像將形成於刀緣26〇前方或後方。因此，刀緣260將截取光束256之特定部分，且偵測器262 之一輻射敏感部分相較於偵測器2 6 2之另一輻射敏感部分將接收較少量之輻射。來自偵測器262之輕射敏感部分之輸出信號的比較實現供重新引導光束256的基板之平面與所要位置相差的量，及基板之平面不同於所要位置所在的方向。可電子地處理該等信號以給出（例可供調整透鏡〇 242之控制信號。鏡面258、刀緣260及偵測器262可安裝至陣列200。在一實施例中，偵測器262可為四邊形單元 (quad cell)。在一實施例中，可提供400個個別可定址器件1〇2，其中 133個工作（在任一時間）。在一實施例中，6〇〇個至12⑼個工作之個別可定址器件i 〇 2可具備（視情況）額外個別可定址器件102以作為（例如）儲備物及/或用於校正曝光（如（例如）上文所論述）。工作之個別可定址器件1〇2之數目可取決於 (例如）抗蝕劑’抗蝕劑需要特定輻射劑量以用於圖案化。 154236.doc -39- 201214058 在個別可定址器件102係可旋轉時（諸如個別可定址器件 102)，個別可定址器件102可隨著12〇〇個工作之個別可定址器件102而在6赫茲之頻率下旋轉。若存在更少個別可定址态件102，則可在更鬲頻率下旋轉個別可定址器件1 〇2 ; 若存在更多個別可定址器件102，則可在更低頻率下旋轉個別可定址器件1 02。在一實施例中，相較於一個別可定址器件丨〇2陣列，可使用可移動個別可定址器件丨〇2來減少個別可定址器件丨〇2 之數目。舉例而言，可提供6〇〇個至12〇〇個工作（在任一時刻）之個別可定址器件102。此外，減少之數目可得到與一個別可定址器件102陣列實質上類似但具有一或多個益處的結果。舉例而言’對於使用紫藍色二極體陣列之足夠曝光能力，可能需要1〇0,000個紫藍色二極體之陣列，例如，以200個二極體乘500個二極體進行配置。在1〇千赫茲之頻率下操作的情況下’每雷射二極體之光學功率將為 0.33毫瓦特。#雷射二極體之電功率將為15〇讀=35 mAxUV。因此，對於該陣列，電功率將為i5千瓦特。在 ❹可移動個別可定址器件之實施例中，可提供彻個紫藍色二極體’其中133個工作。在9百萬赫兹之頻率下操作的情況下，每雷射二極體之光學功率將為25〇毫瓦特。每雷射二極體之電功率將為讀,2 V。因此，對於該陣列，電功率將為⑴瓦特。因此，可在如（例如)_所示之光學輸出功率相對於前向電流曲線(Μ。毫安培相對於35毫安培)之陡崎部分中操作可移動個別可定 I54236.doc *40- 201214058 址器件配置之二極體，從而得到每二極體之高輪出功率 (250毫瓦特相對於0.33毫瓦特），但得到複數個個別可定址器件之低電功率（133瓦特相對於丨5千瓦特）。因此，二極體可被更有效率地使用且導致更少功率消耗及/或熱。 • 因此，在一實施例中，在功率/前向電流曲線之陡峭部分中操作二極體。在功率/前向電流曲線之非陡嘈部分中操作可導致輻射之不相干性。在一實施例中，以大於5毫瓦特但小於或等於20毫瓦特或小於或等於30毫瓦特或小2 或等於40毫瓦特之光學功率操作二極體。在一實施例中，不以大於300毫瓦特之光學功率操作二極體。在一實施例中’在單模式而非多模式中操作二極體。陣列200上之個別可定址器件1〇2的數目可尤其（且在一定程度上亦如上文所敍述）取決於陣列2〇〇意欲覆蓋的曝光區域之長度、在曝光期間移動該陣列之速率、光點大小 (亦即，自個別可定址器件102投影於基板上之光點的橫載〇面尺寸，例如，寬度/直徑）、個別可定址器件中之每一者應提供的所要強度（例如，無論是否需要遍及一個以上個別可定址器件而擴展基板上之光點的所意欲劑量以避免對基板或基板上之抗蝕劑的損害）' 基板之所要掃描速率、成本考慮、可開啟或關閉個別可定址器件之頻率，及針對冗餘個別可定址器件102之需要（如早期所論述；例如，⑽ 如）在一或多個個別可定址器件發生故障的情況下用於校正曝光或作為儲備物）。在一實施例中，陣列2〇〇包含至少 _個個別可定址器件102，至少200個個別可定址 154236.doc •41 - 201214058 器件、至少400個個別可定址器件、至少600個個別可定址器件、至少1000個個別可定址器件、至少1500個個別可定址器件、至少2500個個別可定址器件，或至少5000個個別可定址器件。在一實施例中，陣列200包含50000個以下個別可定址器件102，例如，25000個以下個別可定址器件、 1 5000個以下個別可定址器件、1 0000個以下個別可定址器件、7500個以下個別可定址器件、5000個以下個別可定址器件、2500個以下個別可定址器件、1200個以下個別可定址器件、600個以下個別可定址器件，或300個以下個別可定址器件。在一實施例中，對於每一 1 0公分之曝光區域長度（亦即，將一陣列中之個別可定址器件的數目正規化成1 0公分之曝光區域長度），陣列200包含至少1 00個個別可定址器件102，例如，至少200個個別可定址器件、至少400個個別可定址器件、至少600個個別可定址器件、至少1 000個個別可定址器件、至少1 500個個別可定址器件、至少2500 個個別可定址器件，或至少5000個個別可定址器件。在一實施例中，對於每一 1 0公分之曝光區域長度（亦即，將一陣列中之個別可定址器件的數目正規化成10公分之曝光區域長度），陣列200包含50000個以下個別可定址器件1 02，例如，25000個以下個別可定址器件、1 5000個以下個別可定址器件、10000個以下個別可定址器件、7500個以下個別可定址器件、5000個以下個別可定址器件、2500個以下個別可定址器件、1200個以下個別可定址器件、600個以 154236.doc -42- 201214058 下個別可定址器件，或300個以下個別可定址器件。哭在—實施例t，陣列200包含75%以下冗餘個別可定址盗。件102 ’例力，67%或67%以下、观或鄕以下約或33/。以下、25%或25%以下、2〇%或別％以下、1〇〇/〇或10%以下，或5%或5%以下。在一實施例中，陣列期包含至少5%冗餘個別可定址器件102’例如，至少10%、至 Ο ο p5%、至少33%、至少观，或至少咖。在-實施例中，该陣列包含約67%冗餘個別可定址器件。在一實施例中，基板上之個別可定址器件的光點大小為 10微米或imx下、5微米或5微米以下，例如，3 或3微米以下、2微米或2微米以下、1微米或i微米以下、〇·5微米或0.5微米以下、〇 3微米或〇3微米以下，或約微米。在一實施例中，基板上之個別可定址器件的光點大小為〇.1微米或(M微米以上、0.2微米或〇 2微米以上、〇 3 微米或0.3微米以上、〇.5微米或〇·5微米以上、〇7微米或 U微米以上' 1微米或1微米以上、1·5微米或1.5微米以上、2微米或2微米以上’或5微米或5微米以上。在一實施例中，光點大小為約（Μ微米。在一實施例中光點大小為約〇·5微米。在一實施例中，光點大小為則微米。在微影褒置100之操作中，使用（例如）機器人處置器（圖中未繪示）將基板m裝载至基板台106上。接著使基板114 在框架16〇及個別可定址器件1〇2下方於χ方向上位移。藉由位階感測器及/或對準感測器15 0量測基板i i 4，且接著使用個別可定址器件叱將基板114曝光至圖案，如上文所 154236.doc -43· 201214058 描可操作個別可定址器件⑽，例如，以提供本文中所論述之像素柵格成像。圖8描繪根據本發明之一實施姐S1丄n j铖卷衣置的不意性侧旦/ 圖8所示’微影裝置100包含圖案化元件104及投影系統108。投影系統108包含兩個透鏡】76、172。第一透鏡176經配置以自圖案化元件⑽接收經調變韓射光束 110 ’且將其聚焦通過孔徑光闌174中之對比孔隙。另外透鏡（圖:未缚示）可位於該孔隙t。輕射光束明妾著發散且藉由第二透鏡172(例如，場透鏡）聚焦。 p系、.先1 08進一步包含經配置以接收經調變輻射光束 110之透鏡陣列I7G。對應於圖案化元件1G4中之個別可控制器件中之-或多者的經調變輻射光束110之不同部分傳遞k過透鏡陣列丨7G中之各料同透鏡。每—透鏡將經調變輻射光束U0之各別部分聚焦至位於基板114上之點。以此方式，將輻射光點S陣列（見圖12)曝光至基板114上。應瞭解’儘管僅展示所說明之透鏡陣列17〇之五個透鏡，但 »亥透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡（用作圖案化元件 104之個別可控制器件亦如此）。如圖8所示，自由工作距離FWD提供於基板ιΐ4與透鏡陣歹J 〇之間此距離允許移動基板Π 4及/或透鏡陣列1 70以允許（例如）水焦权正。在一實施例中，自由工作距離係在1 耄X至3耄米之範圍内，例如，約1 · 4毫米。圖案化元件 104之個別可疋址态件係以間距p而配置，此情形導致基板 114處之成像光點的關聯間距p。在一實施例中，透鏡陣列 154236.doc -44 - 201214058 170可提供0.15或0.18之ΝΑ 〇在一音浐点i Λ 丄在實把例中’成像光點大小為大約1.6微米。在此實施例中’投影系統刚可為1:1投影系統，此在於··基板m上之影像光點的陣列間隔係與圖案化元件刚 - 之像素的陣列間隔相同。為了提供改良型解析度，影像光 . 點可顯著地小於圖案化元件104之像素。圖9描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側 «。在此實施例中，除了透鏡陣列⑺以外，在圖案化 π件104與基板ι14之間不存在光學器件。圖9之微衫裝置1〇〇包含圖案化元件刚及投影系統⑽。在此it況下，投影系統1〇8僅包含經配置以接收經調變輕射光束110之透鏡陣列m。對應於圖案化元件⑽中之個別可控制益件中之一或多者的經調變輕射光束⑴之不同部分傳遞通過透鏡陣列17〇中之各別不同透鏡。每一透鏡將經調變輻射光束11〇之各別部分聚焦至位於基板ιΐ4上之 Ο •點。以此方式’將輻射光點S陣列（見圖12)曝光至基板114 上應瞭解，儘官僅展示所說明之透鏡陣列170之五個透見4 °亥透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡（用作圖案化兀件104之個別可控制器件亦如此）。如同在圖 ^自由工作距離FWD提供於基板114與透鏡 1^* 列 17 〇之 98 . 曰此距離允許移動基板114及/或透鏡陣列17 〇、、+ (例如）裝焦校正。圖案化元件104之個別可定址器件係以間距P而配置，此情形導致基板ιΐ4處之成像光點的關聯間距p。右_杳,丄貫把例中’透鏡陣列170可提供0.15之NA。 154236.doc -45- 201214058 在一實施例中，成像光點大小為大約1 6微米。圖10 “繪使用如上文關於圖5所描述之可移動個別可定址器件102的根據本發明之—實施例之微影裝置的示意性側視圖。在此實施例中，除了透鏡陣列17〇以外，在圖案化元件104與基板11 4之間不存在其他光學器件。圖ίο之微影裝置1〇〇包含圖案化元件1〇4及投影系統 108。在此情況下，投影系統1〇8僅包含經配置以接收經調變輻射光束11〇之透鏡陣列170。對應於圖案化元件1〇4中之個別可控制器件t之一或多者的經調變輻射光束11〇之不同部分傳遞通過透鏡陣列170中之各別不同透鏡。每一透鏡將經調變輻射光束11〇之各別部分聚焦至位於基板丨14 上之點。以此方式，將輻射光點s陣列（見圖12)曝光至基板114上。應瞭解，儘管僅展示所說明之透鏡陣列17〇之五個透鏡，但該透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡（用作圖案化元件104之個別可控制器件亦如此）。如同在圖8中，自由工作距離FWD提供於基板ιΐ4與透鏡陣列170之間。此距離允許移動基板114及/或透鏡陣列以允許（例如）聚焦校正。圖案化元件1〇4之個別可定址器件係以間距p而配置’此情形導致基板114處之成像光點的關聯間距P。在一實施例中，透鏡陣列17〇可提供〇i52NA。在一實施例中’成像光點大小為大約1.6微米。圖11說明複數個個別可定址器件102，特別為六個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件1〇2中^ 每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。 154236.doc •46· 201214058 每輻射龟射一極體橋接兩條電線，以將電流供應至輻射發射二極體以控制二極冑。因&，二極體形成可定㈣格。兩條電線之間的寬度為λ約250微米，且轄射發射二極體具有大約5 0 〇微米之間距。 • 圖12示意性地說明可如何產生基板114上之圖案。實心圓圈表不藉由投影系統108中之透鏡陣列MLA投影至基板 114上的光點S陣列。當一系列曝光被曝光於基板丨上守在X方向上相對於投影系統10 8移動該基板。空心圓圈表不先前已被曝光於基板上之光點曝光SE。如所展示，藉由投影系統108内之透鏡陣列ι7〇投影至基板U4上的每— 光點將光點曝光之列R曝光於基板丨14上。藉由光點s中之每一者所曝光之光點曝光SE之所有列r的總和來產生用於基板114之完整圖案。此配置通常被稱作「像素柵袼成像」。應瞭解，圖12為示意性圖式且光點s實務上可重疊。可看出’輻射光點s陣列係以相對於基板114之角度 Q 配置（基板114之邊緣平行於X方向及Υ方向）^進行此過程’使得當在掃描方向（X方向）上移動基板114時，每一輕射光點將傳遞遍及該基板之不同區域，藉此允許藉由輕射光點S陣列來覆蓋整個基板。在一實施例中，角度α為至多 - 20°、10°，例如，至多5。、至多3。、至多！。、至多〇 5。、至多0.25。、至多〇.1〇。、至多〇.〇5。，或至多001。。在一實施例中，角度α為至少0.0001。，例如，至少〇〇〇1。。根據在垂直於掃描方向之方向上的影像光點大小及陣列間隔而判定在掃描方向上陣列之傾斜角α及寬度，以確保定址其 154236.doc -47- 201214058 板114之整個表面區域。圖13示意性地展示可如何藉由使用複數個光學引擎而在單次掃描中曝光整個基板，每一光學引擎包含一或多個個別可定址ϋ件。藉由人個光學引擎產生人個㈣光點 S陣列SA(圖中未緣示），該等光學引擎係以「棋盤形」或交錯組態而配置成兩列^、R2，使得一輻射光點s陣^之邊緣與鄰近輻射光點S陣列之邊緣略微重疊。在一實施例中，光學引擎經配置成至少3列，例如，4列或5列::二方式，輻射頻帶延伸橫越基板w之寬度，從而允許在單次 #描中執行整個基板之曝光。此「全寬度」單次通過曝光有助於避免連接兩次或兩次以上通過之可能壓合問題，且亦可減少機器佔據面積’此係因為基板可能無需在橫向於基板通過方向之方向上移動。應瞭解，可使用任何適當數目個光學引擎。在一實施例中，光學引擎之數目為至少 1，例如，至少2、至少4、至少8、至少1〇、至少12、至= 14’或至少17。在-實施例中，光學引擎之數目少於/ 例如，少於30或少於20。每一光學引擎可包含—分離圖案化元件104，及（視情況）如上文所描述之一分離投影系統 1〇8及/或輻射系統。然而，應瞭解，兩個或兩個以上光學引擎可共用輻射系.統、圖案化元件1〇4及/或投影系統中之一或多者的至少一部分。在本文中所描述之實施例中，提供控制器以控制個別可定址器件。舉例而*T，在個別可定址器件為輻射發射元件之實例中，控制器可控制何時開啟或關閉個別可定址写 154236.doc -48- 201214058 件’且實現個別可定址古藉由個別可定址器件中之_ J 广器可控制 „ 益忏笮之或多者發射之輻射的功率。，&可調變藉由個別可定址器件中之—或多者發射: 的強度。控制器可橫越個別可定址器件陣列之全部或= @控制/凋整強度均-性。控制器可調整個別可定址 •=射輪出以校正成像誤差，例如，光展量及光學像 (例如，彗形像差、像散性，等等）。 °二：中’可藉由選擇性地將基板上之抗蝕劑層曝光至田’歹1 π，藉由將抗蝕劑層曝光至經圖案化輻射）而在基 2上產生所要特徵。接收特定最小輻射劑量（「劑量臨二 2」）的抗钮劑之區域經歷化學反應，而其他區域保持不良。抗钮劑層中之因此產生的化學差異允許顯影抗敍劑， 2即，選擇性地移除至少已接㈣最小懸之區域或移除 ♦接收到取小劑量之區域。結果，基板之部分仍受到抗钮 J保善巾冑光供移除抗钱劑的基板之區域，從而允許〇(例如）額外處理步驟，例如，基板之選擇性㈣、選擇性金屬沈積，等等，藉此產生所要特徵。圖案化輕射可藉由令下操作實現.設定圖案化元件中之個別可控制器件，使 • #在所：特徵内透射至基板上之抗蚀劑層之區域的輕射係 1足夠冋之強度下以使得該區域在曝光期間接收高於劑量艮值之輻射劑里，而基板上之其他區域藉由設定對應個曰】可控制器件以提供零或顯著更低輻射強度來接收低於劑 ΐ臨限值之轄射劑量。汽務上，即使設定個別可控制器件以在特徵邊界之一側 154236. doc •49· 201214058 上提供最大輻射強度且在另一側上提供最小輻射強度，所要特破之邊緣處的輻射劑量亦可能不會自給定最大劑量突 j地改變至零劑量。取而代之，歸因於繞射效應，輻射劑里之位準可橫越過渡區而下降。接著藉由經接收劑量下降至低於輻射劑量臨限值時之位置來判定在顯影抗蝕劑之後最、’S形成之所要特徵之邊界的位置。可藉由設定將輻射提 4、至處於特徵邊界上或附近的基板上之點的個別可控制器件不僅達最大強度位準或最小強度位準而且達在最大強度位準與最小強度位準之間的強度位準來更精確地控制橫越過渡區之輻射劑量下降之輪廓，且因此更精確地控制特徵邊界之精確位置。此情形通常被稱作「灰階化」 (grayscaling)或「灰階層次化」（grayieveling)。相較於在一微影系統中可能提供之控制，灰階化可提供特徵邊界之位置的更大控制，在該微影系統中，僅可將藉由給定個別可控制器件提供至基板之輻射強度設定至兩個值（即，僅僅最大值及最小值）。在—實施例中，可將至少三個不同輻射強度值投影至基板上’例如，至少4個輻射強度值、至少8個輻射強度值、至少16個輻射強度值、至少32個輻射強度值、至少64個輻射強度值、至少1〇〇個輻射強度值、至少128個輻射強度值，或至少256個輻射強度值。若圖案化元件為輻射源自身（例如，發光二極體或雷射一極體陣列），則可（例如）藉由控制經透射之輻射的強度位準來實現灰階化。若對比元件為微鏡面元件，則可（例如）藉由控制微鏡面之傾斜角來實現灰階化。又，可藉由 154236.doc •50- 201214058 分組對比元件中之複數個可程式化器件且控制在給定時間開啟或關閉的群組内之器件的數目來實現灰階化。 Ο ❹ 在一實例中，圖案化元件可具有一系列狀態，該等狀態包括：（a)所提供輻射對其對應像素之強度分佈有最小貢獻或甚至有零貢獻的黑色狀態；（b)所提供輻射產生最大貢獻之最白狀態；及（C)所提供輻射產生中間貢獻之複數個狀態。該等狀態被劃分成用於正常光束圖案化/印刷之正常集合，及用於補償有缺陷器件之效應的補償集合。正常集合包含黑色狀態，及中間狀態之第一群組。此第一群組將被描述為灰色狀態，且該等灰色狀態係可選擇以向對應像素強度提供自最小黑色值直至特^正常最大值之逐漸增加的貢獻。補償集合包含中間狀態之剩餘第二群組，連同最白狀態。中間狀態之此第二群組將被描述為白色狀態，且該等白色狀態係可選擇以提供大於正常最大值之貢獻從而逐=地增加直至對應於最白狀態之真實最大值。'儘管中間狀悲之第二群組被描述為白色狀態，但應瞭解此情形僅僅係促進區別正常曝光步驟與補償曝光步驟。或者，整個複數個狀態可被描述為在黑色與白色之間的灰色狀態；列，該等灰色狀態係可選擇以實現灰階印刷。〜應瞭解’可ίϋ於上文所描述之目的之額外或替代目的而使用灰階化。舉例而言，可㈣在曝光之後基板之處理，使得取決於經接收輻射劑量位準，存在基板之區域的兩個二上，曰在回應。舉例而·r，接收低於第一臨限值之輻射劑量的基板之部分以第一方式作出回應；接收高於第-臨限 154236.doc 201214058 值但低於第二臨限值之輻射劑量的基板之部分以第二方式 2出回應；且接收高Μ二臨限值之㈣劑量的基板之部 :二：：方式作出回應。因&，灰階化可用以横越基板而供具有兩個以上所㈣量位準之糾劑量輪廓。在一實施例中，輕射劑量輪廓具有至少2個所要劑量位準，例 ^至少3個所要輕射劑量位準、至少4個所純射劑量位位至^ 6個所要輻射劑量位準，或至少8個所要輻射劑量位準。步瞭解’可藉由除了如上文所描述的藉由僅僅控制在基板上之每-點處所接收之㈣之強度以外的方法來控！輕射劑量輪廊。舉例而言，或者或料，藉由基板上 2—點接收之輪射劑量可藉由控制該點之曝光的持續時 )行控制。作為一另外實例，基板上之每-點可在複數二:順次曝光中潛在地接收輕射。因此’或者或另外，藉由 “接收之幸田射劑置可藉由使用該複數次定子集來曝光㈣進行控制。 +光之& 為了在基板上形成圖案，有必要在曝光程序期間之每— 階^㈣案化元件中之個別可控制器件中之每—者設定至而狀恶。因必匕’必須將表示必需狀態之控制信號傳輸至㈣可控制器件中之每一者。理想地’微影裝置包括產生 !:信號之控制器4°°。可將待形成於基板上之圖案以向二義格式（例如’ GDSII)提供至微影裝置。為了將設計專換成用於每一個別可控制器件之控制信號，控制器 I括或多個貪料操縱元件’該—或多個資料操縱元件各 154236.doc -52- 201214058 自經組態以對表示圖案之資料串流執行處理步驟。資料操縱元件可被共同地稱作「資料路徑」（datapath)。貧料路徑之資料操縱元件可經組態以執行以下功能中之或^者.將以向量為基礎之設計資訊轉換成位元映像圖 ’ 案資料’將位元映像圖案資料轉換成所需輻射劑量映像 (即橫越基板之所需輻射劑量輪廓）；將所需輻射劑量映像轉換成每-個別可控制器件之所需賴射強度值；及將每 -個別可控制器件之所需輻射強度值轉換成對應控制信 I’ 號。在實施例中，可藉由有線或無線通信將控制信號供應爛可控制器件職/或一或多個其他元件(例如，感測益）。另外，可將來自個別可控制器件1〇2及/或來自一或多個其他元件（例如，感測器）之信號傳達至控制器400。參看圖14(A)，在一無線實施例中，收發器（或僅僅傳輸器）406發射體現用於藉由收發器（或僅僅接收器）4〇2接收之 Q 控制“號的信號。藉由一或多條線404將控制信號傳輸至各別個別可控制器件102。在一實施例中，來自收發器4〇6 之信號可體現多個控制信號，且收發器4〇2可將信號解多工成用於各別個別可控制器件1〇2及/或一或多個其他元件 (例如，感測器）之多個控制信號。在一實施例中無線傳輸可藉由射頻（RF)。參看圖14(B)，在一有線實施例中，一或多條線4〇4可將控制器400連接至個別可控制器件1〇2及/或一或多個其他疋件（例如，感測器）。在一實施例中，可提供單一線4〇4以 154236.doc -53- 201214058 將控制信號中之每一者攜載至陣列2〇〇本體及/或自陣列 2〇〇本體攜載控制信號中之每一者。在陣列2〇〇本體處，可接著將控制信號個別地提供至個別可控制器件1 及/或一或多個其他元件（例如，感測器）。舉例而言，如同無線實例，控制信號可經多工以用於傳輸於單一線上，且接著經解多工以用於提供至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件（例如，感測器）。在一實施例中，可提供複數條線 4〇4以攜載個別可控制器件1〇2及/或一或多個其他元件（例如，感測器）之各別控制信號。在陣列2〇〇係可旋轉之實施例中，可沿著旋轉軸線A提供線404。在一實施例中，可經由在馬達216處或周圍之滑動接點將信號提供至陣列2〇〇本體或自陣列200本體提供信號。此情形可對於可旋轉實施例係有利的。該滑動接點可經由（例如）接觸—板之刷子。在一實施例中，線404可為光學線。在該情況下，信號可為光學信號’其中(例如)可在不同波長下攜載不刪; 信號。以與控制信號類似之方式’可藉由有線或無線手段將功率供應至個別可控制器件丨〇2或一或多個其他元件（例如，感測器）。舉例而言，在一有線實施例中，可藉由一或多條線404供應功率，而無論線4〇4是與攜載該等信號之線2 同或是不同。可如上文所論述而提供滑動技月助接點配置以傳輸功率。在一無線實施例中，可藉由RF耦合傳送功率。雖然先前論述集中於供應至個別可控制器件及/或一或多個其他元件（例如，感測器）之控制信號，但或者或此 154236.doc • 54- 201214058

外，該等控制信號應被理解為經由適當組態而涵蓋信號自個別可控制态件102及/或自一或多個其他元件（例如咸測器）至控制器400之傳輸。因此，通信可為單向的（例如，僅至或自個別可控制器件1〇2及/或一或多個其他元件（例如，感測器））或雙向的（亦即’自及至個別可控制器件^ 及/咬一或多個其他元件（例如，感測器））β舉例而言，收發器 402可多工來自個別可控制器件1〇2及/或來自一或多個其他元件（例如，感測器）之多個信號以用於傳輸至收發器 406，該信號在收發器4〇6處可經解多工成個別信號。在一實施例中，可更改用以提供圖案之控制信號以考量可影響基板上之圖案之適當供應及/或實現的因素。舉例而言，可將校正應用於控制信號以考量陣列2〇〇中之一或多者的加熱。此加熱可導致個別可控制器件1〇2之指向方向改變、來自個別可控制器件1〇2之輻射之均一性改變，等等。在-實施例中，可使用來自（例如）感測器234的與陣列2〇〇(例如，個別可控制器件1 中之-或多者之陣列細）相關聯之經量測溫度及/或親/收㈣更改原本被提供以形成圖案之控制信號。因此，❹，在曝光期間，個別可控制器件102之溫度可變化，該變化導致將在單一恆定溫度：所提供之經投影圖案改變。因此，可更改控制信號：考量此變化。類似地，纟一實施例中’可使用來自對準感測器及/或位階感測器15〇之結果以更改藉由個別可控制器件Η)2提供之圖案。可更改圖案以校正（例如）可由⑽如）個別可控制器件1G2與基板114之間的光學器件（若存在）而引 154236.doc -55- 201214058 起的失真、基板11 4之定位中的不規則性、基板丨丨4之不均勻度，等等。在 @細*例中’可基於由經量測參數（例如，經量測溫度、藉由位階感測器之經量測距離，等等）而引起的關於所要圖案之物理/光學結果的理論而判定控制信號之改變。在一貫施例中，可基於由經量測參數而引起的關於所要圖案之物理/光學結果的實驗或經驗模型而判定控制信號之改變。在一實施例中，可以前饋及/或回饋方式應用控制信號之改變。在一貫施例中，微影裝置可包含感測器5〇〇以量測已或待藉由一或多個個別可控制器件1〇2透射朝向基板之輻射的特性。此感測器可為光點感測器或透射影像感測器。感測器可用以（例如）判定來自個別可控制器件1〇2之輻射的強度、來自個別可控制器件1〇2之輻射的均一性、來自個別可控制器件102之輻射之光點的橫截面大小或面積，及/或來自個別可控制器件102之輻射之光點的部位（在χ_γ平面中）。圖1 5描繪展示感測器5 〇〇之一些實例部位的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。在一實施例中，一或多個感測器500提供於用以固持基板丨14之基板台ι〇6 中或上。舉例而言，感測器5〇〇可提供於基板台1〇6之前邊緣及/或基板台106之後邊緣處。在此實例中，展示四個感測器500,每—陣列200係針對一個感測器。理想地該等感測器位於將不藉由基板116覆蓋之位置處。在一替代或 154236.doc -56- 201214058 額外實例中，感測器可提供於基板台1 〇6之側邊緣處，理想地提供於將不藉由基板116覆蓋之部位處。基板台i 06之前邊緣處的感測器500可用於個別可控制器件102之曝光前偵測。基板台106之後邊緣處的感測器500可用於個別可控制器件102之曝光後偵測。基板台106之側邊緣處的感測器 5 00可用於個別可控制器件102在曝光期間之偵測（「在運作中」（οη-the-fly)之偵測）。

參看圖1 6(A) ’描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性側視圖。在此實例中，僅描繪單一陣列 200 ’且出於清晰起見而省略微影裝置之其他部分；本文中所描述之感測器可應用於陣列200中之每一者或一些。圖16(A)中描繪感測器500之部位的一些額外或替代實例 (除了基板台106之感測器500以外）。第一實例為經由光束重新引導結構502(例如，反射鏡面配置）自個別可控制器件 1〇2接收輻射的在框架16〇上之感測器5〇〇。在此第一實例中，個別可控制器件102在χ_γ平面中移動，且因此可定位個別可控制益件丨02中之不同個別可控制器件以將輻射提供至光束重新引導結構502。第二額外或替代實例為自個別可控制器件Η)2之背側（亦即，與供提供曝光輻射之側對置的側）接收來自個別可控制器件1〇2之輻射的在框架 _上之感測器·。在此第二實例中，個別可控制器件在Y平面中移動，且因此，可定位個別可控制器件 102中之不同個別可控制器件以將輻射提供至感測器500。雖然在第—貫例中於曝光區域加處之個別可控制器件m 154236.doc -57- 201214058 的路徑中展示感測器5〇〇，但感測器500可位於描緣感測器 5 10之處。在一實施例中’在框架16〇上之感測器5〇〇處於固定位置中’或另外可依靠（例如）關聯致動器而可移動。除了曝光前及/或曝光後感測以外或替代曝光前及/或曝光後感測，上文之第一實例及第二實例亦可用以提供「在運作中」之感測。第三實例為在結構504、506上之感測器 500。結構504、506可藉由致動器508而可移動。在一實施例中’結構504位於路徑下方的基板台將移動之處（如圖 1 6(A)所示）或位於路徑之側處。在一實施例中，結構5〇4 可藉由致動器508移動至圖16(A)中展示基板台1 〇6之感測為500所在的位置（若基板台106不處於此處），此移動可在 Z方向上（如圖16(A)所示）或在χ方向及/或γ方向上（若結構 504處於路徑之側處）。在一實施例中，結構5〇6位於路徑上方的基板台將移動之處（如圖16(A)所示）或位於路徑之側處。在一實施例中，結構5〇6可藉由致動器508移動至圖 16(A)中展示基板台ι〇6之感測器500所在的位置（若基板台 106不處於此處）。結構5〇6可附接至框架ι6〇且係相對於框架16 0可位移。在用以量測已或待藉由一或多個個別可控制器件1 02透射朝向基板之輻射之特性的操作中，藉由移動感測器5〇〇及/或移動個別可控制器件102之輻射光束而使感測器500 位於來自個別可控制器件1〇2之輻射的路徑中。因此，作為一實例，可移動基板台1〇6以將感測器500定位於來自個別可控制器件1 02之輻射的路徑中，如圖丨6(A)所示。在此 154236.doc -58- 201214058 情況下，感測器500定位至曝光區域2〇4處之個別可控制器件102的路徑中。在一實施例中，感測器5〇〇可定位至曝光區域204外部之個別可控制器件1〇2(例如，在左侧所展示之個別可控制器件1〇2(若光束重新引導結構5〇2不處於此 - 處））的路徑中。一旦位於輻射之路徑中，感測器500隨即可 - 偵測輻射且量測輻射之特性。為了促進感測，感測器500 可相對於個別可控制器件102移動，及/或個別可控制器件 102可相對於感測器5〇〇移動。〇作為一另外實例，可將個別可控制器件102移動至一位置，使得來自個別可控制器件102之輻射照射光束重新引導結構502。光束重新引導結構5〇2將光束引導至在框架 160上之感測器500。為了促進感測，感測器5〇〇可相對於個別可控制器件1〇2移動，及/或個別可控制器件ι〇2可相對於感測器500移動。在此實例中，在曝光區域2〇4外部量測個別可控制器件102。〇在一實施例中，感測器500可為固定或移動的。若為固疋的則個別可控制器件10 2理想地係相對於固定感測器 500可移動以促進感測。舉例而言，可相對於感測器 500(例如’在框架16〇上之感測器5〇〇)移動（例如，旋轉或平移）陣列200以促進藉由感測器5〇0之感測。若感測器5〇〇係可移動的（例如，在基板台1〇6上之感測器5〇〇)，則可使個別可控制器件1〇2保持靜止以用於感測，或另外使其移動以（例如）加速感測。可使用感測器500以校準個別可控制器件丨〇2中之一或多 154236.doc -59- 201214058 者。舉例而言’可在曝光之前藉由感測器5〇〇偵測個別可控制益件102之光點的部位且相應地校準系統。可接著基於光點之此預期部位而調控曝光（例如，控制基板ιΐ4之位置、控制個別可控制器件102之位置、控制個別可控制器件102之關閉或開啟，等等）。另外，可隨後進行校準。舉例而言，可使用（例如）在基板台1〇6之後邊緣上的感測= 500而立即在曝光之後且在另外曝光之前進行校準。可在每一曝光之前、在特定數目次曝光之後等等進行校準。另外，可使用感測器500而「在運作中」偵測個別可控制器件1 02之光點的部位，且相應地調控曝光。或許可基於「在運作中」之感測而重新校準個別可控制器件1〇2。在一貫施例中，可編碼一或多個個別可控制器件丨〇 2，以便能夠偵測哪一個別可控制器件1 〇2處於特定位置或正被使用。在一實施例中，個別可控制器件丨〇2可具有標記，且感測器5 10可用以偵測可為RFID、條碼等等之標記。舉例而言’可移動複數個個別可控制器件丨〇2中之每一者以鄰近於感測器5 10以讀取標記。在認識到哪一個別可控制器件102鄰近於感測器510的情況下，有可能知道哪一個別可控制器件102鄰近於感測器500、處於曝光區域 204中’等等。在一實施例中，每一個別可控制器件1 〇2可用以提供具有不同頻率之輻射，且感測器500、5 10可用以偵測哪一個別可控制器件1 02鄰近於感測器500、5 1 0。舉例而言，可移動複數個個別可控制器件1 02中之每一者以鄰近於感測器500、5 1 0以自個別可控制器件1 02接收輻 154236.doc -60- 201214058 射’且接著，感測器500、5 10可解多工經接收輻射以判定在特定時間哪一個別可控制器件1〇2鄰近於感測器500、 5 W。在此認識的情況下，有可能知道哪一個別可控制器件102鄰近於感測器5〇〇、處於曝光區域204中，等等。 Ο Ο 在一實施例中，如上文所論述，可提供位置感測器以判定在高達6個自由度中個別可控制器件i 〇2中之一或多者之位置。舉例而言，感測器5丨〇可用於位置偵測。在一實施例中，感測器5 1 0可包含干涉計。在一實施例中，感測器 5 1 〇可包含編碼器，該編碼器可用以偵測一或多個單維編碼盗光柵及/或一或多個二維編碼器光柵。在貫施例中，可提供感測器520以判定已透射至基板之輕射的特性。在此實施例中，感測器52〇捕獲藉由基板重新引導之輻射。在-實例使用+，藉由感測器520捕獲之經重新引導輻射可用以促進判定來自個別可控制器件 1〇2之輕射之光點的部位（例如，纟自個別可控制器件102 之輕射之光點的未對準）。詳言之，感測器㈣可捕獲自基 ,之剛剛經曝光部分重新引導的輻射(亦即，潛影)。此尾 p重新引導輻射之強度的量測可給出是否已適當地對準光點之指示。舉例而古， °此尾邛之重複量測可給出重複性 L 5虎’自該重複性#声偏差將指示光點之未對準（例如’異相信號可指示未對 ^ , 、皁）。圖16(B)描繪感測器520之偵測區域相對於基板114之經又俏此實施例中，展示 ^曝;^域522的示意性位置。在經比較及/ $ έ人測區域，該等偵測區域之結果可 -較及/或組合以促進辨識未對準。僅需要使用一個债 154236.doc -61 - 201214058 測區域，例如，在左側之偵測區域。在一實施例中，可以與感測器520類似之方式使用個別可控制器件1 〇2之偵測器 262 °舉例而言’可使用在右側之陣列200之曝光區域204 外部的一或多個個別可控制器件1〇2以偵測自基板上之潛影重新引導的輕射。圖1 7描繪微影裝置之一實施例。在此實施例中，複數個個別可控制器件丨〇2將輻射引導朝向可旋轉多邊形6〇〇。輻射所照射的多邊形600之表面6〇4將輻射重新引導朝向透鏡陣列170。透鏡陣列170將輻射引導朝向基板u4。在曝光期間，多邊形600圍繞軸線602旋轉，從而導致來自複數個個別可控制器件1()2中之每—者的各別光束橫越透鏡陣列 17〇在Υ方向上移動。具體而言’當用輻射照射多邊形_ 之每一新刻面時，光束將橫越透鏡陣列17〇在正丫方向上重複地掃描。在曝光期間調變個別可控fiJ器件1〇2以提供本文中所論述之所要圖案。多邊形可具有任何數目個適當側。另外，用旋轉多邊形_在時序方面調變個別可控: 器件102 ’使得各別光束照射透鏡陣列17〇之透鏡。在一實施例中’可將另外複數個個別可控制器件1〇2提供於多邊形之對置侧上（亦即，在右側），以便導致輕射照射多邊形 600之表面606。在-實施例中’可使用振動光學器件以代替多邊形 600。振動光學器件具有相對於透鏡陣列m之特定固定角 =，且可在Y方向上來回地平移以導致光束在Y方向上椅越透鏡陣列m而來回地進行掃描。在—實施例中，可使 I54236.doc •62- 201214058 用圍繞軸線602經由弧而來回地旋轉之光學器件以代替多邊开> 6 0 0。藉由經由弧而來回地旋轉光學器件，導致光束在Y方向上橫越透鏡陣列17〇而來回地進行掃描。在一實施例中，多邊形600、振動光學器件及/或旋轉光學器件具有一或多個鏡面表面。在一實施例中，多邊形6〇()、振動光學器件及/或旋轉光學器件包含稜鏡。在一實施例中，可使用聲光調變器以代替多邊形6〇〇。可使用聲光調變器以

使光束橫越透鏡陣列170進行掃描。在一實施例中，透鏡陣列170可置放於複數個個別可控制器件1〇2與多邊形 6〇〇、振動光學器件、旋轉光學器件及/或聲光調變器之間的輻射路徑中。因此，通常，曝光區域（例如，基板）之寬度相較於被劃分成曝光區域之寬度的該等輻射輸出之寬度可被覆蓋有更少輕射輸出。在-實施例中，此情形可包含相對於曝光區域移動輪射光束源’或相對於曝光區域移純射光束。圖18描績具有可移動個別可控制器件m的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫截面側視圖。如同圖5 所示之微影裝置_，微影裝置⑽包含：基板台⑽，基 ^台用以固持基板；及定位元件ιΐ6，定位元件ιΐ6 糸用以在高達6個自由度中移動基板台1〇6。微影裝置100進一步包合西Λ 3配置於框架160上之複數個個別制器件1G2°在此實施例中，個別可控制器件1〇2中之 =者為-輕射發射二極體，例如，雷射二極體（例如，一、色雷射二極體)。個別可控制器件102經配置成沿著γ I54236.doc •63· 201214058 雖然展不一個陣示之複數個陣列方向延伸之個別可控制器件1〇2陣列2〇〇。列200，但微景> 裝置可具有如（例如）圖5所 200 ° 在此實施例中，陣列200為可旋轉板，該可旋轉板具有圍繞該板所配置之複數個空間分離個別可控制器件丨〇 2。在使用中，該板（例如）在藉由圖5中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線206旋轉。使用馬達216圍繞軸線2〇6旋轉陣列200之板。另外，可藉由馬達216在2方向上移動陣列2〇〇之板，使得可使個別可控制器件1〇2相對於基板台1〇6位移。在此實施例中，陣列200可具有一或多個散熱片23〇以增加用於熱耗散之表面區域。散熱片23〇可（例如）處於陣列 200之頂部表面上。視情況，可提供一或多個另外散熱片 232以與散熱片230合作以促進熱耗散。舉例而言，散熱片 232能夠自散熱片230吸收熱，且可類似於如圖7(F)所示且關於圖7(F)所描述而包含流體（例如，液體）傳導通道及關聯熱交換器/泵。在此實施例中，透鏡242可位於每一個別可控制器件】〇2 前方，且係隨著個別可控制器件1〇2而可移動（例如，圍繞軸線A可旋轉）。在圖18中，兩個透鏡242經展示且附接至陣列200 ==另外，透鏡242可相對於個別可控制器件i 〇2可位移（例如，在Z方向上）。在此實施例中，具有孔隙之孔隙結構248可在透鏡242與關聯個別可控制器件102之間位於透鏡242上方。孔隙結構 154236.doc •64- 201214058 248可限制透鏡242、關聯個別可控制器件102及/或鄰近透鏡242/個別可控制器件102之繞射效應。在此實施例中，感測器254可具備個別可定址器件 102(或具備陣列200之複數個個別可定址器件1〇2)。在此實施例中，感測器254經配置以偵測聚焦。聚焦偵測光束256 經重新引導（例如，反射）離開基板表面、傳遞通過透鏡242 且藉由（例如）半鍍銀鏡面258引導朝向偵測器262。在一實施例中’聚焦偵測光束256可為碰巧自基板重新引導的用〇於曝光之輻射。在一實施例中，聚焦偵測光束256可為引導於基板處且在藉由基板重新引導後隨即變為光束256之專用光束。上文關於圖7(0)描述實例聚焦感測器。鏡面 258及偵測器262可安裝至陣列200。在此實施例中’可藉由有線或無線通信將控制信號供應至個別可控制器件1 02及/或一或多個其他元件（例如，感測器）。另外’可將來自個別可控制器件102及/或來自一或多〇個其他元件（例如，感測器）之信號傳達至控制器。在圖18 中，可沿著旋轉軸線206提供線404。在一實施例中，線 4〇4可為光學線。在該情況下，信號可為光學信號，其中 (例如）可在不同波長下攜載不同控制信號。以與控制信號類似之方式，可益； _ ^ J糟由有線或無線手段將功率供應至個別可 "° 1〇2或或多個其他元件（例如，感測器）。舉例而 ° 在—有線實施例中，可藉由一或多條線404供應功 $而無論、線404是與攜載該等信號之線相同或是不同。 ’、、、線Λ知例中’可藉由如700處所示之RF耦合傳送功 154236.doc -65- 201214058 率 ο ，此實施例中，微影裝置可包含感測器鳩以量測已或待精由一或多個個別可控制器件i 〇 2透射朝向基板之輕射的特性。此感測器可為光點感測器或透射測器可用以（例如）判定來自個別可控制器件102之㈣2 度、來自個別可控制器件102之韓射的均一性、來自個別可控制器件i〇2之輕射之光點的橫截面大小或面積，及/或來自個別可控制器件102之輕射之光點的部&(在χ_γ平面中）。在此實施例中，^則器5〇〇處於框架160上，且可鄰近於基板台106或係經由基板台丨〇6可近接。貫施例中，在曝光基板期間，個別可控制器件1 〇2 、平面中只貝上靜止，而非使個別可控制器件1 〇 2在 Χ_Υ平面中可移動。此情形並非意味著可控制器件102可能不在Χ_Υ平面中可移動。舉例而言，該等可控制器件可在 Χ-Υ平面中可移動以校正該等可控制器件之位置。使可控制器件1 0 2實質上靜止之可能優點為更容易將功率及/或資料轉移至可控制器件102。另外或替代可能優點為局域地凋整聚焦以補償基板之高度差的改良型能力，高度差大於系統之聚焦深度且係在比移動可控制器件之間距高的空間頻率上。在此實施例中，雖然可控制器件1〇2實質上靜止，但存在相對於個別可控制器件！ 02移動之至少一光學器件。在下文中描述在χ·γ平面中實質上靜止之個別可控制器件1〇2 及相對於個別可控制器件102可移動之光學器件的各種配 154236.doc • 66 - 201214058 置。在下文之描述中，術語「透鏡」在内容背景允許時應通 ^被理解為涵蓋各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件，諸如 • 提供與參考透鏡之功能相同的功能之任何折射、反射及/ 或繞射光學器件。舉例而言，可以具有光學功率之習知折射透鏡的形式、以具有光學功率之史瓦茲西耳德〇 (Schwarzschild)反射系統的形式及/或以具有光學功率之波帶片（zone Plate)的形式體現成像透鏡。此外，若所得效應係在基板上產生收斂光束，則成像透鏡可包含非成像光學器件。另外，在下文之描述中，參考複數個個別可控制器件 102，諸如鏡面陣列調變器之鏡面或複數個輻射源。然而，該描述應更通常被理解為涉及經配置以輸出複數個光束之《周變器。舉例而言，調變器可為聲光調變器以自藉由 Q 輻射源提供之光束輸出複數個光束。圖19描繪微影裝置之部分的示意性俯視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之複數個個別可控制器件102(例如，雷射二極體）及相對於個別可控制器件102可移動之光學器件242。在此實施例中，複數個個別可控制器件102附接至框架且在χ_γ平面中實質上靜止，複數個成像透鏡242相對於該等個別可控制器件102實質上在Χ-Υ平面中移動（如在圖19中藉由轉輪如之旋轉之指示所示），且基板在方向8〇3上移動。在—實施 154236.doc -67- 201214058 例中’成像透鏡242藉由圍繞轴線旋轉而相對於個別可控制器件102移動。在一實施例中’成像透鏡242安裝於圍繞軸線旋轉（例如，在圖19所示之方向上）且以圓形方式所配置（例如’如圖19部分地所示）之結構上。個別可控制器件〗〇2中之每一者將經準直光束提供至移動成像透鏡242。在一實施例中，個別可控制器件1 〇2係與用以k供經準直光束之一或多個準直透鏡相關聯。在一實把例中’準直透鏡在χ-γ平面中實質上靜止，且附接至個別可控制器件102被附接至之框架。在此實施例中，經準直光束之橫截面寬度小於成像透鏡 242之；^截面寬度。因此，一旦經準直光束完全地落入成像透鏡242之光學透射部分内，隨即可開啟個別可控制器件1〇2(例如’二極體雷射）。當光束落入成像透鏡之光學透射部分外時，則關閉個別可控制器件102(例如，二極體雷射）。因此，在一實施例中，來自個別可控制器件丨之光束在任一時間傳遞通過單一成像透鏡Μ〗。成像透鏡 242相—對於來自個別可控制器件iq2之光束的所得橫穿自開啟之每㈣可控制器件丨在基板上得到關聯的經成像線〇〇纟圖1 9中，相對於圖19中之三個實例個別可控制 3¾件10 2中之每一去而β _ _ 有而展不三個經成像線8〇〇，但將顯而易見’圖19中之其他個別可控制器件1G2可在基板上產生關聯的經成像線8〇〇。圖19佈局中，成像透鏡242間距可〜研「日j此口j马丄耄示，且为個別可控制器件1〇甲之母一者之光束的橫截面寬度 154236.doc •68- 201214058

如，直控）稱微小於〇.5毫米。在此組態的情況下，有可能用每-個別可控制器件102書寫長度為約β米之線。因此’在〇·5毫米之光束直徑及i 5毫米之成像透鏡242直徑的置中作用時間循環可高達67%。在個別可控制器件 102相對於成像透鏡242之適#定位的情況下，橫越基板之寬度之全覆蓋係可能的。因此，例如，若僅使用標準5.6 毫米直徑雷射二極體，則可使用雷射二極體之若干同心環 (如圖19所示）以獲取橫越基板之寬度之全覆蓋。因此，在此實施例中’也許有可能使用比僅僅使用固定個別可控制器件102陣列之情況下或或許比本文中所描述之移動個別可控制器件U)2之情況下更少的個別可控制器件1〇2(例如，雷射二極體）。在此實施例中，成像透鏡242中之每一者應相同，此係因為每-個別可控制器件102將藉由所有移動成像透鏡242 成像。在此實施例中，所有成像透鏡242均無需成像場，但需要更高NA透鏡，例如，大於〇 3、大於〇 18或大於〇，15。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能的。基板上之光束的聚焦固定至成像透鏡242之光轴，而獨立於版準直光束進入§亥透鏡之處（見（例如）圖2 〇，其描緣圖 19之微影裝置之部分的示意性三維圖式）。此配置之缺點在於：自成像透鏡242朝向基板之光束並非遠心的，且因此’可能發生聚焦誤差，從而可能導致疊對誤差。在此實施例中’藉由使用不在χ_γ平面中（例如，在個別 154236.doc •69- 201214058 可控制件1 〇 2處）移動之哭彼十 θ )抄動之时件來調整聚焦將很可能導致漸暈（Vignetting)。因此，應在移動成像透鏡中發生所要調正因此，此情形可能需要比移動成像透鏡242更高之頻率的致動器。圖21描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置。在此實施例中，圖19及圖2〇之微影裝置係藉由使成像透鏡242包含兩個透鏡8〇2、8〇4以自個別可控制器件102接收經準直光束而擴充。如同在圖19中，成像透鏡242在Χ-Υ平面中相對於個別可控制器件丨〇2移動 (例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓幵>/方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，來自個別可控制益件102之光束在到達成像透鏡242之前係藉由透鏡8〇6 準直，但在一實施例中，無需提供此透鏡。透鏡8〇6在χ_γ 平面中貫質上靜止。基板在X方向上移動。兩個透鏡802、804配置於自個別可控制器件！〇2至基板之經準直光束的光徑中，以使朝向基板之光束係遠心的。在個別可控制器件1 〇2與透鏡804之間，透鏡802包含具有實質上相等焦距之兩個透鏡802A、802B。來自個別可控制器件102之經準直光束聚焦於兩個透鏡8〇2a、802B之間’使得透鏡802B將光束準直朝向成像透鏡804。成像透鏡804將光束成像至基板上。 154236.doc -70- 201214058 在此實施例中，透鏡802相對於個別可控制器件！〇2在χ_ Υ平面中以特定速率移動（例如，特定的每分鐘轉數 (RPM))。因此，在此實施例中，若移動成像透鏡8〇4正以與透鏡802之速率相同的速率移動，則來自透鏡8 〇2之射出 • 經準直光束將在Χ_γ平面中具有兩倍於移動成像透鏡804之速率的速率。因此，在此實施例中，成像透鏡804相對於個別可控制器件102以不同於透鏡802之速率的速率移動。詳言之，成像透鏡804在Χ-Υ平面中以兩倍於透鏡802之速 0 率（例如，兩倍於透鏡802之RPM)的速率移動，使得光束將遠心地聚焦於基板上。圖2丨中之三個實例位置中示意性地展不自透鏡802至成像透鏡8〇4之射出經準直光束的此對準。另外，因為相較於圖丨9之實例將以兩倍的速率進行在基板上之實際書寫，所以應加倍個別可控制器件1〇2之功。在此實施例中，藉由使用不在Χ-Υ平面中（例如，在個別〇可控制器件102處）移動之器件來調整聚焦將很可能導致遠〜性知失且導致漸暈。因此，應在移動成像透鏡242中發生所要聚焦調整。 β另外，在此實施例中，所有成像透鏡242均無需成像場。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能的。約65%之作用時間循環係可能的。在一實施例中’透鏡806 802Α、802Β及804可包含2個非球面透鏡及2個球面透鏡。貝包例中，可使用約380個個別可控制器件ι〇2(例 154236.doc 201214058 如’標準雷射二極體）。在一實施例中，可使用約丨4〇〇個成像透鏡242集合。在使用標準雷射二極體之實施例中，可使用約4200個成像透鏡242集合’該等集合可以6個同心環配置於一轉輪上。在一實施例中’成像透鏡之旋轉轉輪將以約12,000 RPM旋轉。圖22描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件’且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置。在此實施例中，為了避免如關於圖21 所描述之以不同速率移動透鏡，可如圖22所示而使用用於移動成像透鏡242之所謂的4f遠心縮進（telecentric in)/遠心伸出（telecentric 011〇成像系統。移動成像透鏡242包含在 X-Y平面中以實質上相同速率移動（例如，圍繞一軸線旋轉’在該轴線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡 242)之兩個成像透鏡議、81〇，且接收遠心光束以作為輸入’且將遠心成像光束輸出至基板。在放大率為i之此配置中，基板上之影像比移動成像透鏡242快兩倍而移動。基板在X方向上移動。在此配置中，光學器件㈣可能需要以相對較大NA成像場，例如’大於〇3、大於㈣或：於0.15 4兩個單器件光學器件的情況下，此配置也’不係可能的。可能需要具有極㈣之㈣容許度之六個或山個以上n件以獲取繞射有限影像。約65%之作料間循環係可能的。在此實施例中，亦相對易於用不沿著或結合^ J54236.doc •Ί2- 201214058 移動成像透鏡242移動之器件局域地聚焦。圖23描繪微影裝置之部分的示音极 |刀W不蒽性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 . 器件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之 i個不同旋轉位置。在此實施例中，為了避免如關於_ 所描述之以不同速率移動透鏡且為了使光學器件不會如關於圖22所敍述之成像場，將在χ_γ平面中實質上靜止之透〇鏡的組合與移動成像透鏡242組合。參看圖23，提供在χ_γ 平面中實質上靜止之個別可控制器件1〇2。提供在χ_γ平面中貫夤上靜止之選用準直透鏡8〇6，以準直來自個別可控制器件102之光束，且將經準直光束（具有（例如）〇5毫米之橫截面寬度（例如’直徑））提供至透鏡8丨2。透鏡812在X-Y平面中亦實質上靜止，且將經準直光束聚焦至移動成像透鏡242之場透鏡8 14(具有（例如口.5毫米 ◎ 之橫截面寬度（例如，直徑。透鏡814具有相對較大焦距 (例如，f = 20毫米）。可移動成像透鏡2 4 2之場透鏡814相對於個別可控制器件 102移動（例如’圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。場透鏡814將光束引導朝向可移動成像透鏡242之成像透鏡818。如同場透鏡 814 ’成像透鏡818相對於個別可控制器件102移動（例如，圍繞一軸線旋轉，在該轴線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，場透鏡8 14以與成像透 154236.doc •73- 201214058 鏡818之速率實質上相同的速率移動。一對場透鏡8i4與成像透鏡818相對於彼此對準。基板在乂方向上移動。透鏡816處於場透鏡814與成像透鏡818之間。透鏡SB在 χ-γ平面中實質上靜止，且將來自場透鏡814之光束準直至成像透鏡818。透鏡816具有相對較大焦距（例如，f = 毫米）。在此實施例中，場透鏡814之光轴應與對應成像透鏡之光軸重合。場透鏡8 14經設計成使得將摺疊光束，使得藉由透鏡816準直的光束之主光線與成像透鏡818之光軸重合。以此方式，朝向基板之光束係遠心的。透鏡812及816可歸因於大f數而為簡單球面透鏡。場透鏡814應不影響影像品質且亦可為球面器件。在此實施例中，準直透鏡806及成像透鏡818為無需成像場之透鏡。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能的。約 65%之作用時間循環係可能的。在可移動成像透鏡242係可旋轉之實施例中，提供透鏡及個別可控制器件1G2之至少兩個同心環以獲得橫越基板之寬度之全覆蓋。在一實施例中’此等環上之個別可控制器件102係以1ί5毫米之間距而配i。若使用具有5 6毫米之直徑的標準雷射二極體’則對於全覆蓋可能需要至少6個同心環。圖24及圖25描緣根據此等配置之個別可控制哭件 H)2之同心環的配置。在一實施例中，此配置將導致具有在X-Y平面中實質上靜止之對應透鏡的大約挪個個別可控制器件102。移動成像透鏡242將具有7〇〇χ6個環二42肋個 I54236.doc -74- 201214058 透鏡814、818集合。在此組態的情況下，有可能用每一個別可控制器件102書寫長度為約】毫米之線。在一實施例中’可使用約1400個成像透鏡242集合。在_實施例中，透鏡812、814、8 16及8 18可包含4個非球面透鏡。在此實施例中，藉由使用不在Χ_γ平面中（例如，在個別可控制器件102處）移動之器件來調整聚焦將报可能導致遠心性損失且導致漸暈。因此，應在移動成像透鏡242中發生所要聚焦調整。因此，此情形可能需要比移動成像透鏡 242更高之頻率的致動器。圖26描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件。在此實施例中，使用光學反旋轉器（derotator)以將在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件1〇2耦合至移動成像透鏡242。在此實施例中，以一環配置個別可控制器件j 〇2連同選用準直透鏡。兩個抛物面鏡面820、822將來自個別可控制器件102之經準直光束之環減少至用於反旋轉器824之可接受直徑。在圖26中’將別漢稜鏡（pechari prism)用作反旋轉器824。若反旋轉器以相較於成像透鏡242之速率的一半的速率旋轉’則每一個別可控制器件1〇2相對於其各別成像透鏡242顯現為實質上靜止。兩個另外拋物面鏡面826、 828將來自反旋轉器824之經反旋轉光束之環擴展至用於移動成像透鏡242之可接受直徑。基板在X方向上移動。 154236.doc •75· 201214058 在此實施例中，每一個則π▲α 別可控制器件1〇2係與一成像透鏡242成對。因此，也哞I π & ° 可此將個別可控制器件1 02安裝於同心環上，且因此，可鸽了犯不會獲得橫越基板之寬度之全覆蓋。約3 3 %之作用時間循循衣係可旎的。在此實施例中，成像透鏡242為無需成像場之透鏡。圖27描繪微影裝置之部八立 1刀的不思性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一眚始么,μ > 貫施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相料认加σ, 相對於個別可控制器件可移動之光學器件。在此配置中，成傻诿於战1冢透鏡242經配置以圍繞延伸於χ_γ 平面中之方向旋轉（例如，祐絲方疋轉轉豉’而非如（例如）關於圖 1 9至圖26所描述之旋轅鏟趴疋得轉輪）。參看圖27，可移動成像透鏡2 4 2配置於經配置以|f|^ 、X , 夏以W繞（例如）γ方向旋轉之轉鼓上。可移動成像透鏡242自在轉鼓之旋轉軸線與移動成像透鏡w 之間於Υ方向上以-線延伸的個別可控制器件^ 接收韓射。原則上’將藉由此轉鼓之可移動成像透鏡M2書寫之線將平行於基板之掃描方向831。因此，在45。下所安裝之反旋轉ϋ㈣經配置以將藉由轉鼓之可移動成像透鏡242產生之線旋轉達90。’使得經成像線垂直於基板之掃描方向。基板在X方向上移動。對於基板上之每一條紋，在轉鼓上將需要可移動成像透鏡242之一圓圈。若一種此類圓圈可在基板上書寫3毫米寬度之條紋且基板係300毫米寬，則在轉鼓上可能需要 7〇〇(轉鼓之圓周上的光學器件）χ1〇〇= 7〇〇〇〇個光學總成。其在轉豉上使用圓柱形光學器件之情況下可更少。另外， 154236.doc •76· 201214058 在此實施例中’成像光學ϋ件可能需要成像特定場，此情形可使光學ϋ件更複雜。約95%之作用時間循環係可= 的。此實施例之優點在於：經成像條紋可具有實質上相等長度且實質上平行且筆直。在此實施例中，相對易於用不沿著或結合可移動成像透鏡2 4 2移動之器件局域地聚焦。 Ο 圖28描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學益件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之五個不同旋轉位置。參看圖28，提供在Χ-Υ平面中實質上靜止之個別可控制器件102。可移動成像透鏡242包含複數個透鏡集合，每一透鏡集合包含場透鏡814及成像透鏡818。基板在X方向上移動。可移動成像透鏡242之場透鏡814(例如，球面透鏡）在方向8 1 5上相對於個別可控制器件1 〇2移動（例如，圍繞一軸線旋轉’在該軸線至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。場透鏡814將光束引導朝向可移動成像透鏡242之成像透鏡818(例如，非球面透鏡，諸如雙重非球面表面透鏡）。如同場透鏡8 14，成像透鏡8 1 8相對於個別可控制器件1 02移動（例如，圍繞一軸線旋轉，在該轴線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，場透鏡814以與成像透鏡818之速率實質上相同的速率移動。場透鏡814之焦平面在部位815處與成像透鏡818之背焦 154236.doc -77- 201214058 平面重合’此情形給出遠心縮進/遠心伸出系統。相反於圖23之配置，成像透鏡818成像特定場。場透鏡8 14之焦距係使得用於成像透鏡8 1 8之場大小小於2度至3度半角。在此情況下’仍有可能用一單器件光學器件（例如，雙重非球面表面單器件）獲取繞射有限成像。場透鏡814經配置為在個別場透鏡814之間無間隔之情況下加以安裝。在此情況下，個別可控制器件1 〇2之作用時循環可為約95〇/0。成像透鏡8 1 8之焦距係使得在基板處具有〇 2之NA的情況下’此等透鏡將不變得大於場透鏡814之直徑。等於場透鏡8 14之直徑的成像透鏡818之焦距將給出成像透鏡8 18之直徑’該直徑留下用於安裝成像透鏡8丨8之足夠空間。歸因於場角，可書寫比場透鏡814之間距略微更大之線。此情形給出基板上之相鄰個別可控制器件1〇2之經成像線之間的重疊，該重疊亦取決於成像透鏡8丨8之焦距。因此，個別可控制器件】〇2可以與成像透鏡242相同的間距安裝於一環上。圖29描繪圖28之微影裝置之部分的示意性三維圖式。在此描繪中，描繪5個個別可控制器件1〇2與5個關聯可移動成像透鏡集合242。將顯而易見，可提供另外個別可控制器件102及關聯可移動成像透鏡集合242。頭—X方向上移動。在一實施例中，場透鏡精:4:; 在該等場透鏡之間無間隔的情況下進行配置。光瞳平面位於817處。為了避S 4目對較小之雙重非球面成像透鏡81 8、減少移 154236.doc -78- 201214058 動成像透鏡242之光學器件的量及將標準雷射二極體用作個別可控制器件1 〇2，在此實施例中存在用可移動成像透鏡242之單一透鏡集合成像多個個別可控制器件j 〇2的可能性。只要將個別可控制器件！〇2遠心地成像於每一可移動成像透鏡242之場透鏡8 14上，對應成像透鏡81 8便將遠心地將來自個別可控制器件102之光束重新成像於基板上。

若（例如）同時地書寫8條線，則可以相同產出率而將場透鏡 814之直徑及成像透鏡818之焦距增加達8倍，而可將可移動成像透鏡242之量減小為原先的1/8。另外，可減少在χ_ Υ平面中Λ貝上靜止之光學器件，此係因為將個別可控制器件102成像於場透鏡814上所需要的光學器件之部分可為共同的。圖30中示意性地描繪藉由單一可移動成像透鏡 242集合同時地書寫8條線之此配置，其中具有成像透鏡 242集合之旋轉軸線821及成像透鏡242集合距旋轉軸線821 之半徑823。自1.5毫米之間距至12毫米之間距（當藉由單一可移動成像透鏡242集合同時地書寫8條線時）留下用於安裝標準雷射二極體以作為個別可控制器件1〇2之足夠空間在實;例中’可使用224個個別可控制II件1〇2(例如，標準雷射二極體）。在一實施例中，可使用12〇個成像透鏡242集合。在-實施例中，28個實質上靜止光學器件集合可用於224個個別可控制器件1〇2。在此實施例中，亦相對易於用不沿著或結合可移動成像透鏡242移動之器件局域地聚焦別可控制器件102的遠心影像沿。只要使場透鏡8 14上之個著光軸移動且保持遠心， 154236.doc -79- 201214058 基板上之影像的聚焦便將僅改變且影像將保持遠心。圖u 描繪用以在圖28及圖29之配置中以移動脊頂來控制聚焦的示意性配置。在場透鏡814之前將具有脊頂（例如，稜鏡或鏡面集合）834之兩個摺疊鏡面832置放於來自個別可控制器件102之遠心光|中。#由在方向833上將脊頂834移動遠離或朝向摺4鏡面832，使影像沿著光軸移位且因此亦相對於基板移纟。因為沿著光軸存在大的放大率（此係因為軸向聚焦改變等於F/數目之二次比），所以在基板處以 /2.5光束之25微米放焦將給出在場透鏡μ處之-.5光束的聚焦移位(37•時此必須移動該聚焦移位的一半。圖32描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫截面侧視圖’微影裝置具有根據本發明之—實施例的在χ_ Υ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件。雖然圖32描緣類似於_之配置’但其可經適當地修改以適合圖19至圖22及/或圖^至圖3 1之實施例中的任一者。參看圖32,微影裝置1〇〇包含：基板台ι〇6，基板台⑽ ㈣以固持基板；及定位元件116，定位元件ιΐ6係用以在面達6個自由度中移動基板台ι06。微影裝置刚進-步包含配置於框架16〇上之複數個個別可控制益件1()2。在此實施例中，個別可控制^件⑺2中之每-者為-韓射發射二極體’例％，雷射二極體(例如， i紫色雷射二極體）。個別可控制器件⑻配置於框架㈣ 154236.doc •80- 201214058 上且沿著Y方向延伸。雖然展示一個框架8 3 8，但微影裝置可具有如（例如）在圖5中被類似地展示為陣列2〇〇之複數個框架83 8。透鏡812及816進一步配置於框架838上。框架 838在Χ-Υ平面中實質上靜止，且因此，個別可控制器件 , 102以及透鏡812及816在Χ-Υ平面中實質上靜止。框架 838、個別可控制器件102以及透鏡812及81 6可藉由致動器 836在Ζ方向上移動。在此實施例中，提供可旋轉之框架84〇。場透鏡814及成 Ο 像透鏡818配置於框架840上，其中場透鏡814與成像透鏡 818之組合形成可移動成像透鏡242。在使用中，板（例如）相對於陣列200在藉由圖5中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線206旋轉。使用馬達216圍繞軸線2〇6旋轉框架84〇。另外’可藉由馬達216在Ζ方向上移動框架840，使得可使可移動成像透鏡242相對於基板台1 〇6位移。在此實施例中，具有孔隙之孔隙結構248可在透鏡812與 Q 關聯個別可控制器件1〇2之間位於透鏡812上方。孔隙結構 248可限制透鏡812 '關聯個別可控制器件1〇2及/或鄰近透鏡8 12/個別可控制器件1 〇2之繞射效應。在一實施例中，微影裝置1〇()包含一或多個可移動板 890(例如，可旋轉板（例如’可旋轉圓盤）），該一或多個可移動板890包含光學器件（例如，透鏡）。在圖之實施例中，展不具有場透鏡814之板89〇及具有成像透鏡818之板 890。在一實施例中，微影裝置不存在當在使用中時旋轉之任何反射光學器件。在—實施例中，微影裝置不存在當 154236.doc -81 - 201214058 在使用中時旋轉之任何反射光學器件，該等反射光學器件自任何或所有個別可控制器件102接收輻射。在—實施例中，一或多個（例如，全部）板89〇實質上平坦，例如，不具有突出至該板之一或多個表面上方或下方的光學器件（或光學器件之部分）。此情形可（例如）藉由確保板89〇足夠厚 (亦即至少厚於光學器件之高度且定位該等光學器件，使得該等光學器件不會突出）或藉由遍及板89〇提供平坦蓋板（圖中未繪示）而達成。確保板之一或多個表面實質上平坦可在裝置係在使用中時輔助（例如）雜訊減少。圖3 3示意性地描繪微影裝置之部分的示意性橫截面側視圖。在一實施例中，微影裝置具有在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件（如下文進一步所描述），然而，無需為該情況。微影裝置900包含：基板支撐件9〇2，基板支撐件9〇2係用以固持基板；及定位元件9〇4，定位元件9〇4 = 用以在高達6個自由度中移動基板支撐件9〇2。基板可為抗蝕劑塗佈基板（例如如，箔片）。石夕晶圓或玻璃板）或可撓性基板（例微影裝置900進一元件906，福數個個一步包含複數個個別可控制自發射

每一者為一藍紫色雷射二 •施例中’個別可控制器件906中之二極體（例如，Sany〇型號dl_3146_ 154236.doc -82- 201214058 )Μ-極體可藉由諸如Sanyo、Nichia、〇s職及 NUnde之公司供應。在—實施财，二極體發射且有約 365奈米或約405奈米之波長的輻射。在—實施例中，、二極體可提供選自0.5毫瓦特至毫瓦特之範圍的輸出功率。在-實施例中，雷射二極體（裸晶粒）之大小係選自_微米至議微米之範圍。在一實施例中，雷射二極體具有選μ 平方微米至5平方微米之範圍的發射區域。在—實施例

中’雷射二極體具有選自7度至44度之範圍的發散角。在 -實，例中’二極體具有用以提供大於或等於約6 4><1〇8 W/(m2.sr)之總亮度的組態（例如，發射區域、發散角、輸出功率，等等）。自發射對比元件906配置於框架908上且可沿著γ方向及/ 或X方向延伸。雖然展示一個框架9〇8，但微影裝置可具有複數個框架908。透鏡920進一步配置於框架9〇8上。框架 908在Χ_Υ平面中實質上靜止，且因&，自發射對比元件 906及透鏡920在Χ_γ平面中實質上靜止。可藉由致動器91〇在ζ方向上移動框架908、自發射對比元件9〇6及透鏡92〇。或者或另外，可藉由與特定透鏡920相關之致動器在ζ方向上移動透鏡920。視情況，每一透鏡92〇可具備一致動器。自發射對比元件906可經組態以發射光束，且投影系統 920、924及930可經組態以將光束投影至基板之目標部分上。自發射對比元件906及投影系統形成光學圓柱。微影裝置900可包含致動器（例如，馬達918)以相對於基板移動光學圓柱或其一部分。經配置有場透鏡924及成像透鏡93〇 154236.doc •83- 201214058 之框木912可猎由致動器而 ^ 」奴轉。場透鏡924與成像透鏡 930之、，且δ形成可移動光尤予益件914。在使用中，框牟 912(例如）在藉由圖34中 ’、 <前碩所不之方向上圍繞其自有軸線916旋轉❶使用致動器（ υ彳如馬達91 8)圍繞轴線91 6旋韓框架912。另外，可藉由馬達91〇在2方向上移動框架犯，使得可使可移動光學器件914相對於基板支撐件奶位移。具有孔隙之孔隙結構922可左了在透鏡920與自發射對比元件 906之間位於透鏡92〇上方。孔隙結構922可限制透鏡920、關聯自發射對比元件9〇6及/ $ 基及/或鄰近透鏡920/自發射對比元件906之繞射效應。在圖3]由隹圖33中，兩個光學圓柱被展示於微影裝置之對置側處。實務上微'IV 1置可包含兩個以上光子圓柱β玄等光學圓柱係遍及（例如）微影裝置之周邊而分佈。每-光學圓柱包括—或多個自發射對比元件906，及投影系統920之靜止部分。可相料认…如7 丨刀 J相對於複數個光學圓柱使用包括透鏡924、930的卉聲圓奴±土旧亢予W柱之可旋轉部分（例如，當框架912旋轉時）。可藉由旋轉框架912且同時地在光學圓柱下方移動基板，:, 支撐件902上之基板而使用所描繪裝置^當透鏡、9以及930彼此實質上對準時，自發射對比元件9〇6可通過該等透鏡發射光束。藉由移動透鏡924及930，使基板上之光束之影像遍及基板之一部分進行掃描。藉由同時地在光學圓柱下方移動基板台902上之基板，經受自發射對比元件9〇6 之影像的基板之部分亦正移動。藉由在控制器（控制器控制光學圓柱或其部分之旋轉、控制自發射對比元件9〇6之 154236.doc •84- 201214058 強度，且控制基板之速率）之控制下以高速率「開啟」及「關閉」自發射對比元件9〇6(例如，當自發射對比㈣ 9〇6「關閉」時無輸出或具有低於臨限值之輸出，且冬自發射對比元件_「開啟」時具有高於臨限值之輪出）:可 • 在基板上之抗钮劑層中成像所要圖案。圖34描繪具有自發射對比元件_的圖33之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖33所示之微影裝置9〇〇，微影裝置 900包含：基板支撐件9〇2,基板支撐件902係用以固持基板928 ;定位元件904，定位元件9〇4係用以在高達6個自由度中移動基板支撐件902 ;對準/位階感測器932，對準/位階感測器932係用以判定自發射對比元件9〇6與基板928之間的對準，且判定基板928是否位於相對於自發射對比元件906之投影之位階處。如所描繪’基板928具有矩形形狀’然而’可處理圓形形狀基板。自發射對比元件906配置於框架926上。自發射對比元件〇 906可為輻射發射二極體，例如，雷射二極體（例如，藍紫色雷射二極體）。如圖34所示，對比元件9〇6可配置為在χ_ γ平面中延伸之陣列，一或多個對比元件9〇6係與每一光學圓柱相關聯。陣列可為狹長線。在一實施例中，陣列可為自發射對比元件906之單維陣列。在一實施例中，陣列可為自發射對比元件906之二維陣列。如圖34所示，遍及四個微影轉輪劃分對比元件9〇6。每一微影轉輪包括數個光學圓柱，該等光學圓柱安裝於靜止框架908及可旋轉框架 912上。在微影轉輪内，光學圓柱可共用安裝於可旋轉框 154236.doc •85· 201214058 架912上的光學圓柱之部分（諸如透鏡924 93〇)，亦即，當旋轉該框架時，可隨後藉由微影轉輪之不同光學圓柱使^ 透鏡 924、930。可提供可旋轉框架912，可旋轉框架912可在藉由各別箭頭描繪之方向上旋轉。可旋轉框架可具備透鏡924、 930(圖33所示）以提供自發射對比元件9〇6中之每一者之影像。在本申請案中’關於可旋轉框架912及其縱向軸線9二使用術°°徑向」及「切線方向」。裝置可具備致動器’ 致動器用以旋轉可旋轉框架912，且隨其旋轉包括透鏡 924、930的光學圓柱之旋轉式部分。微影裝置為一生產程序之部分’例如，在該生產程序中製造平板顯示器或晶片。為了流線化生產程序，需要Μ 化微影裝置之生產時間，亦即1以在基板之整個表面上產生圖案之時間。在許多生產程序中，生產程序之單—階段中的生產時間限於一時段，例如，6〇秒。在此時段中，具有所要解析度之圖案必須提供於完整基板上。，產生圖案期間’理想地，在掃描方向上以實質上怪定 =移動基板。$ 了以實質上恆定速率移動基要時間來加速及減速基板。為了最小化用於加速及 = 理想地將整個基板曝光至光束，從而在基板之早-人知描移動中產生圖案。帶9因34此Λ垂直於掃描方向之方向上將基板劃分成數個條 # —條帶係與其自有光學®柱相關聯，每一光學柱包含數個自發射對比元件9〇6，及投影系統_之靜止 154236.doc • 86 - 201214058 部分。可相對於藉由可旋轉框架912 :包括透伽、—可旋轉Π9= 向上將每一條帶劃分成數個鄰近且部分 ▼田方二。在基板之掃描移動期間，隨後將單—條帶:目:::：二:曝光至關聯光學圓柱之自發射對比元件_之先: ί° =地，對於在垂直於掃描方向之方向上的所有條 -先學圓柱，使得可藉由單次掃描在基板上產生圖案。

圖3 5 π意性地描緣投影於或待投影於基板咖上之數個目標=分936。示意性地展示可旋轉框架912之圓周。在垂直於藉由掃描速率Vsean指示之掃描方向的方向上，將基板劃=成數個條帶934,每—條帶934係與—光學圓柱或^ 少其靜止部分相關聯。在此等條帶934上，指示數個目標部分936。目標部分936具有與鄰近條帶934之鄰近目標= 分936的重疊938，及與同一條帶934内之鄰近目標部分936 的重疊940。可需要此重疊以獲得遍及整個基板表面之可靠圖案。包括透鏡924、930的每一光學圓柱之投影系統之部分安装於可旋轉框架912上。實務上，將遍及可旋轉框架912之圓周劃分多個透鏡924、930，且該圓周上之鄰近透鏡 924、930理想地經定位成彼此接近。在投影期間，可旋轉框架912將旋轉’且對於每一目標部分，可將不同透鏡 924、930集合用於圖案之投影。因此，每一條帶934特別地係與一或多個自發射對比元件906及安裝於靜止框架926 154236.doc -87- 201214058 的技’V系統之部分相關聯，而在將圖案投影於與各別可方疋轉框架912相關聯之不同目標部分936上期間藉由更多 (理想地，全部）自發射對比元件906使用透鏡924、93〇。早次掃描移動所需要之時間被稱作曝光時間Texp。基板八有長度Lsub及丸度。假定基板配置於微影裝置中，使得 ^板之長度處於與掃描方向相同之方向上，則基板之曝光日年間Texp至少為基板之長度Lsub除以掃描速率wan。而口為並非所有光學圓柱均必須配置於在掃描方向上之同一位置處（見圖34)，所以將存在使基板在掃描方向上自第一光學圓柱移動至最後光學圓柱所需要之額外時間。此距離被稱作間距長度Lphch(圖34所示）。曝光時間 Texp實貝上對應於基板之長度Lsub加上間距長度之總和除以掃描速率vscan。因此，

Texp = Ls^b±l£!!Sh. ^ scan 在目標部分936上曝光光束所需要之時間等於在掃描方形上目b。卩刀之咼度Htp除以掃描速率vscan。在此時間期間，光束將在透鏡924、930之部位處以旋轉速率Vwheel遍及目標部分之寬度Wtp而行進.藉由2π乘以在可旋轉框架 912上透鏡924、930之半徑Rwheel(亦即，光學圓柱之中心軸線之半径）乘以轉輪之％轉頻率awheel判定此旋轉速率。需要具有每光學圓柱多個自發射對比元件，使得在掃描方向上鄰近目標部分之相對重疊不會過大。同時，每圓柱 154236.doc •88- 201214058 的自發射對比元件之數目實務上受到在光學圓柱内自發射 _牛之、加數目所需要的透鏡系統之大小及複雜度限制。主要地藉由每光學圓柱的自發射對比元件之數目、在光 ' ㈣柱内之自發射對比元件之間的徑向間距及在影像平面 .冑之外部自發射對比元件之光點寬度㈣目標部分之=

Htp。在基板上之投影影像平面處的徑向間距Lradpitch係選自微影裝置之投影解析度的5〇%至95%之範圍、在微影裝置之投影解析度的70%至9〇%之範圍内，或在微影裝置之投影解析度的75%至85%之範圍内。在早期微影系統中，咸信，徑向間距應經選擇為實質上等於投影解析度。出乎意料地，在此等範圍内的光學圓柱之自發射對比元件之間的徑向間距對所得品質有大效應。在徑向間距處於上文所指不之範圍内的情況下，可更可靠地獲得所要解析度。〇 m影裝置之投影解析度小於或等於m小於或等於 5微米’或小於或等於2微米。在—實施例中投影解析度為約1微米，且徑向間距Lradpitch為約〇 8微米。 f需要在相同曝光時間Texp内於具有較大基板長度⑽ 之較大基板上產生圖案時，或當需要在相同曝光時間一内增加解析度時，微影裝置之許多上述參數可經調適以滿足此要求。通常，將需要減小相對曝光時間，亦即，曝光時間除以基板長度。相對曝光時間之減小意謂可在相同程序時間中 154236.doc -89· 201214058 處理更多基板長度。舉例而言，可增加每光學圓柱的自發射對比元件之數目。此情形具有如下優點：在掃描方向上鄰近目標部分之間的重疊可變得更小，而且目標部分之高度_變得更大。實務上，將自發射對比元件之數目增加至較大數目 (例如，大於20個）會導致用於每—光學圓柱之相對較大且複雜的透鏡系統。每光學圓柱的自發射對比元件之數目理想地係在每光學圓柱2個至40個二極體之範圍内、在每光學圓柱5個至別個一極體之範圍内，或在每光學圓柱8個至15個二極體之範圍内。增加光學圓柱内之自發射對比元件之間的徑向間距亦將 ‘致目私部分之南度Htp之增加。此情形對曝光時間有正面減小效應。然而’徑向間距亦與投影於基板上之圖案之才又〜解析度相_。因此，通常將不增加徑向間足巨以減小相對曝光時間。 U加可3疋轉框架912之直徑或增加旋轉頻率亦將導致各別曝光時間之減小。然而’此等參數之增加導致在可方疋轉框架91 2之圓周處（特別地在透鏡924、93〇處）之相對較大旋轉速率。此大旋轉速可導致在透鏡924、 930處之擾動或熱產生’此情形可對投影系統之投影品質有實貝負面效應。因此，可旋轉框架91 2之最大大小受到微衫裝置自身之尺寸限制。可旋轉框架912之直徑之增加可一致在掃描方向上不同可旋轉框架912之光學圓柱之間 154236.doc •90· 201214058 的距離之增加，從而導致對相對曝光時間之反效應 (counter effect) 〇可旋轉框架912之旋轉頻率cowheel理想地係在2500 rpm 至10000 rpm之範圍内、在4000 rpm至6000 rpm之範圍内，或在4500 rpm至5000 rpm之範圍内，而可旋轉框架912上之光學圓柱之透鏡924、930的半徑Rwheel(亦即，部位，特別是中心軸線）理想地係在50毫米至500毫米之範圍内、在100毫米至350毫米之範圍内，或在2〇〇毫米至250毫米之〇範圍内。透鏡924、93 0之所得旋轉速率vwheel理想地係在25 m/s 至400 m/s之範圍内、在5〇 m/s至2〇〇 m/s之範圍内，或在 75 m/s至140 m/s之範圍内。用以減小相對曝光時間之另一方法係減小條帶934之寬度’且隨其減小在切線方向上目標部分之寬度Wtp。然而，條帶寬度之減小亦將需要更多光學圓柱，此係因為在 Q 垂直於掃描方向之方向上將存在更多條帶。實務上，將需要限制光學圓柱之數目。目標部分之寬度Wtp理想地係在5毫米至4〇毫米之範圍内在8毫米至20毫米之範圍内，或在1〇毫米至15毫米之 , 範圍内。母一光學圓柱理想地包含在1〇個至1〇〇個之範圍内的靜止光學圓柱部分、在2〇個至5〇個之範圍内的靜止光學圓柱部分，或在25個至30個之範圍内的靜止光學圓柱部分。每一可旋轉框架912理想地包含遍及可旋轉框架912之圓 154236.doc •91 _ 201214058 周而劃分的在25個至400個之範圍内的透鏡924、930、遍及可旋轉框架91 2之圓周而劃分的在50個至200個之範圍内的透鏡924、930，或遍及可旋轉框架912之圓周而劃分的在80個至110個之範圍内的透鏡924、930。理想地，透鏡 924、930經配置成彼此直接鄰近。為了獲得小相對曝光時間，需要使在掃描方向上光學圓柱之間的距離Lpitch保持儘可能地小，使得掃描長度（亦即，基板長度Lsub加上間距長度Lpitch)保持儘可能地小。當需要增加投影解析度時，可減小光學圓柱内之自發射對比元件之間的徑向間距。然而，此情形將在無另外量測之情況下導致目標部分之較小高度Htp，且因此導致較大相對曝光時間。如上文所彳田述，可藉由增加每光學圓柱的自發射對比元件之數目增加可旋轉框架9 12之直徑、增加可旋轉框架 912之旋轉頻率及/或減小目標部分之寬度w卬以補償歸因於較小投影解析度的相對曝光時間之減小來減小相對曝光時間。下文亦在已編號條款中提供實施例： 1·一種微影裝置，其包含：基板固持器，該基板固持器經建構以固持—基板；一調變器，光至根據一所一投影系統影至該基板上該調變器經組態以將該基板之—曝光區域曝要圖案所調變之複數個光束；及 ’該投影系統經組態以將該等經調變光束投，且包含用以接收該複數個光束之一透鏡陣 154236.doc •92· 201214058 列，忒投影系統經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該調變器移動該透鏡陣列。 2. 如實施例丨之微影裝置，其中每一透鏡包含至少兩個透鏡，該至少兩個透鏡係沿著自該調變器至該基板的該複數個光束中之至少一者之一光束路徑而配置。 3. 如實施例2之微影裝置，其中該至少兩個透鏡中之一第一透鏡包含一場透鏡，且該至少兩個透鏡中之一第二透鏡包含一成像透鏡。 4 _如Λ細例3之微影裝置，其中該場透鏡之焦平面與該成像透鏡之背焦平面重合。 5. 如實施例3或4之微影裝置，其中該成像透鏡包含一雙重非球面表面透鏡。 6. 如實施例3至5中任一者之微影裝置，其中該場透鏡之焦距係使得用於該成像透鏡之場大小小於2度至3度半角。 7. 如實施例3至ό中任一者之微影裝置，其中該成像透鏡之該焦距係使得在該基板處具有〇. 2之一數值孔徑（να)的情況下，該成像透鏡不變得大於該場透鏡之直徑。 8. 如實施例7之微影裝置，其中該成像透鏡之該焦距等於該場透鏡之該直徑。 9. 如實施例3至8中任一者之微影裝置，其中複數個該等光束係藉由該場透鏡與該成像透鏡之一單一組合而成像。 10. 如實施例3至9中任一者之微影裝置，其進一步包含一聚焦控制元件，該聚焦控制元件係沿著自該調變器至該場透鏡的該複數個光束中之至少一者之一光束路徑而配 154236.doc -93- 201214058 置。 11. 如實施例10之微影裝置，其中該聚焦控制元件包含一摺疊鏡面及一可移動脊頂。 12. 如實施例3之微影裝置，其進一步包含用以準直自該第一透鏡至該第二透鏡之該光束的在該路徑中之一透鏡。 13. 如實施例12之微影裝置，其中用以準直該光束的在該路徑中之該透鏡相對於該調變器實質上靜止。 14. 如實施例3、12或13中任一者之微影裝置，其進一步包含介於該調變器與該第一透鏡之間的用以將該複數個光束中之至少一者聚焦朝向該第一透鏡的在該路徑中之一透鏡。 15·如實施例14之微影裝置，其中用以聚焦該光束的在該路徑中之該透鏡相對於該調變器實質上靜止。丨6.如實施例3或12至15中任一者之微影裝置，其中該場透鏡之光軸與該成像透鏡之光軸重合。每丨7·如實施例2之微影裝置，其中該至少兩個透鏡中之一第-透鏡包含至少兩個子透鏡，#中該複數個光束中之至少一者聚焦於該兩個子透鏡中間。 18·如實施例17之微影裝置，並中，、甲。亥至少兩個子透鏡中之每一者具有一實質上相等焦距。兄甲 19·如實施例2、17或18中任-者之微影裝置，其中㈣一透鏡經配置以將一經準直光Iψ ^ Λ 卡直尤束輸出朝向該至少中之一第二透鏡。似透鏡 2〇·如實施例2或17至19中任—者 ν衣置，其經組態 154236.doc -94- 201214058 以使該至少兩個透鏡中之一第—读透鏡以不同於該至少兩個透鏡中之一第二透鏡的一速率移動。 Λ如實施例2G之微影裝置，其中該第二透鏡之該速率係兩倍於該第一透鏡之該速率。 22‘如實施例1之微影裝置，其中 "r母透鏡包含—4f遠心縮進/遠心伸出成像系統。 23·如實施例22之微影裝置’ 1巾、 ’、甲該訂遠心縮進/遠心伸

出成像系統包含至少6個透鏡。认如實施例i之微影裝置’其進一步包含介於該調變器與5亥透鏡陣列之間的一反旋轉器。 25.如實施例24之微影裝置，其中該反旋轉器包漢稜鏡。 26.如實施例2 4或2 5之微寻ί货要 _ 要I &倣〜裝置，其中該反旋轉器經配成以該透鏡陣列之速率的一半的速率移動。人27.如實施例24至26中任一者之微影褒置，其進—步包 3用以減少介於該調變器與該反旋轉器之間的該等光束之大小的一拋物面鏡面。人用如實施例24至27中任一者之微影裝置，其進一步包 >、曰'加"於該反旋轉器與該透鏡陣列之間的該等光束之忒大小的—抛物面鏡面。如實施例丨至28中任一者之微影裝置，其卡該透鏡陣 ,糸相對於該調變器旋轉。女實轭例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器 pj 田以發射電磁輻射之複數個個別可控制輻射源。 154236.doc -95- 201214058 3 1 _如實施例1至29中任一者之微影萝罟 I 做如衣1 其中該調變器包含一微鏡面陣列。 32.如實施例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器包含一輻射源及一聲光調變器。 3 3. —種元件製造方法，其包含：提供根據一所要圖案所調變之複數個光束丨及使用接收該複數個光束之—透鏡陣列將該複數個光束投影至一基板上；及在該投影期間相對於該等光束移動該透鏡陣列。 34. 如實施例33之方法，其中每一透鏡包含至少兩個透鏡，該至少兩個透鏡係沿著自該複數個光束中之至少一者之一源至該基板的該至少一光束之一光束路徑而配置。 35. 如實施例34之方法，其中該至少兩個透鏡中之一第一透鏡包含一場透鏡，且該至少兩個透鏡中之一第二透鏡包含一成像透鏡。 36_如實施例35之方法，其中該場透鏡之焦平面與該成像透鏡之背焦平面重合。 37. 如實施例35或36之方法，其中該成像透鏡包含一雙重非球面表面透鏡。 38. 如實施例35至37中任一者之方法，其中該場透鏡之焦距係使知用於該成像透鏡之場大小小於2度至3度半角。 39_如實施例35至38中任一者之方法，其中該成像透鏡之β亥焦距係使得在該基板處具有0.2之一數值孔徑（να)的情況下’該成像透鏡不變得大於該場透鏡之直徑。 154236.doc -96- 201214058 40.如實施例39之方法，其中該成像透鏡之該焦距等於該場透鏡之該直徑。以.如實施例35至40中任一者之方法，其中複數個該等光束係藉由該場透鏡與該成像透鏡之一單一組合而成像。 42. 如實施例35至41中任一者之方法，其進一步包含在該複數個光束中之至少一者之一源與該場透鏡之間使用_ 聚焦控制元件。 43. 如實施例42之方法，其中該聚焦控制元件包含一摺 ^ 疊鏡面及一可移動脊頂。 44. 如實施例35之方法，其進一步包含使用一透鏡來準直介於該第一透鏡與該第二透鏡之間的該至少一光束。 45. 如實施例44之方法，其中用以準直該至少一光束之該透鏡相對於該至少一光束實質上靜止。 46·如實施例35、44或45中任一者之方法其進一步包含在該複數個光束中之至少一者之一源與該第一透鏡之間〇的該路徑中使用一透鏡將該至少一光束聚焦朝向該第一透鏡。 47. 如實施例46之方法，其中用以聚焦該至少一光束之該透鏡相對於該至少一光束實質上靜止。 48. 如實施例35或44至47中任一者之方法，其中該場透鏡之光軸與該對應成像透鏡之光軸重合。 49. 如實施例34之方法，其中該至少兩個透鏡中之一第一透鏡包含至少兩個子透鏡，其中該複數個光束中之至少者4焦於§亥兩個子透鏡中間。 154236.doc -97- 201214058 50·如實施例49之方法，其中該至少兩個子透鏡中之每一者具有一實質上相等焦距。 5 1 ·如實施例34、49或50中任—未夕古、上百<方法，其中該第一

透鏡經配置以將·^經準直光束輪出朝rS J·*· e I 。不询朝向s亥至少兩個透鏡中之一第二透鏡。 — 52·如實施例34或49至51中任—者之方法，其包含使該至少兩個透鏡中之一第—透鏡以不同於該至少兩個透鏡：之一第二透鏡的一速率移動。 5 3 ·如實施例5 2之方法，1中寸笙_ ，、甲忒弟二透鏡之該速率係兩倍於該第一透鏡之該速率。 54.如實施例33之方法，其中备、泰妙a人 μ 土 ” Τ·% —透鏡包含一4f遠心縮進/ 遠心伸出成像系統。 5 5.如實施例5 4之方法，甘七u * 其中該4f遠心縮進/遠心伸出成像系統包含至少6個透鏡。 5 6.如實施例3 3之方法，甘、谷 <力在，其進一步包含在該等光束之一源與該透鏡陣列之間接用口私间便用—反旋轉器來反旋轉該等光束。 5 7.如實施例5 6之方法，甘1 专其中該反旋轉器包含一別漢稜鏡。 5 8 ·如實施例5 6或5 7之古、+ <方法，其包含以該透鏡陣列之速率的一半的速率移動該反旋轉器。

5 9 ·如實施例5 6至5 8 Φ /工 X 王Μ中任—者之方法，其進一步包含使用一拋物面鏡面來減少介又夕；丨於该光束之一源與該反旋轉器之間的該等光束之大小。

60·如實施例5 6至59中t X γ任—者之方法，其進一步包含使 154236.doc -98- 201214058 用-㈣面鏡面來增加介於該反旋轉器與該透鏡陣列之間的該等光束之該大小。其包含相對於該 61.如實施例33至60中任一者之方法等光束旋轉該透鏡陣列。 62. 如實施例33至61中任一者之太《土 ^ ^ 贫之方法，其中複數個個別可控制輻射源中之每一者發射該複數個光束中之每一者。 63. 如實施例33至61申任一者之方味 ^ ^ 列發射該複數個光束〈万法，其中一微鏡面陣

一輻射源及 ό4·如實施例33至61中任一者之方法，其中一聲光調變器產生該複數個光束。 65.—種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器’該調變器包含心發射電磁ϋ射之1數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將該基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上’且包含用以接收該複數個光束之—透鏡^ 列’該投影彡統經組態以在曝光料光區域㈣相對於該專個別可控制輕射源移動該透鏡陣列。 66·—種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源來提供根據—所要圖案所調變之複數個光束；及使用接收該複數個光束之一透鏡陣列將該複數個光束投影至一基板上；及 154236.doc -99· 201214058 在該投影期間相對於該等個別可控陣歹|J 。制輻射源移動該透鏡八〇〇 /· —裡倣影裝置 -基板固持器’該基板固持器經建構以固持— 光1 = ^ ’該調變11經組態以將該基板之區域曝先至根據-所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，料影系統經㈣轉料影至該基板上，且包含用以ψ 门又尤果才又浐陵列個光束之複數個透鏡陣列，该荨陣列中夕在 y + 平夕J中之母一者係沿著該複數個光束之路輕而分離地配置。以陣 68.如實施例67之微影裝置在曝光a亥曝光區域期間相對列0 ，其中該投影系統經組態於該調變器移動該等透鏡 69.如實施例67或68之微影裝置，其中每一陣列之該等透鏡係以一單一本體而配置。 7 0 _ —種微影裝置，其包含：基板固持杰，s亥基板固持器經建構以固持一基板；一 « 0 ’該調變器包含用以發射電磁輕射之複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將該基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所詞變之複數個光束，且經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個輕射源’使仔僅少於該複數個_射源之全部的輻射源可在任一時間曝光該曝光區域；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 154236.doc -100- 201214058 影至該基板上。 71.—種微影裝置，其包含：複數個個別可控制輻射源，該複數個個別可控制輻射源經組態以提供根據一所要圖案所調變之複數個光束，該複數個輻射源中 < 至少—㈣源係可移自於其發射輻射之一部位與其不發射輻射之一部位之間；一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；及

才又衫系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 72.—種微影寰置，其包含：基板固持器’該基板固持器經建構以固持一基板；調變益’ έ亥调變器包含用以發射電磁輕射之複數個個別可控㈣射源’該調變器經組態以將該基板之—曝光區域曝光至根據一所要圖幸圚茶所调變之複數個光束，且經組態以在曝光該曝光區域期間 ^间相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之至少一輕私、、'原，使得來自該至少一輻射源之輻射同時鄰接於或重疊於夾 ' 自5亥複數個輕射源中之至少一另一輻射源的輻射；及一投影系統，該投影备μ _ ，、糸、，先經組態以將該等經調變光束投影至該基板上^ 〜包含裡儆影裝置，其一基板固持器，該基板板固持器經建構以固持一基板；複數個個別可控制輻射經组能以脾拍祕耵/原，該複數個個別可控制輻射源、、、、且心以將根據一所要圖安Λ 案所調變之複數個光束提供至該 154236.doc '101· 201214058 基板之一曝光區域，該複數個輻射源中之至少一輻射源係可移動於其可將輻射發射至該曝光區域之—部位與其將輻射發射至該曝光區域之一部位之間；及 b 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光影至該基板上。 x 74. —種微影裝置，其包含：一基板固持器’該基板固持器經建構以固持—美板. 丨，變器’該調變器包含複數個個別可控編源：該调變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之-曝光區域，且經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個輕射源，該調變^ 有該複數個光束至該曝光區域之一輸出，該輸出具有^ °亥複數個輻射源之輸出之區域的一區域；及 /一投影系統’該投㈣統經組態以將該等經調變光束於景夕至該基板上。又 75. —種微影裝置，其包含： "#*% 一基板固持器’該基板固持器經建構以固持—基板· 一調變器，該調變器包含複數個個別可控制㈣源二㈣變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個並提供至^亥基板之-各別曝光區域，且經組態以相對於移區域移動每一陣列’或相對於其各別曝光區域 =來自母-陣列之該複數個光束，或相對於該各別曝光递赵mi 嫌1束兩者，其中在使用中，該歹’之一陣列的一各別曝光區域鄰接於或重疊於 I54236.doc -102- 201214058 該複數個陣列中之另一陣列的一各別曝光區域；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 76·—種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輕射源中之每一者，或相對於該曝光區域移動該複數個光束，或相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者及該複數個光束兩者，其中在使用期間，該寺輻射源中之每一者係在其各別功率/前向電流曲線之陡崎部分中操作；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 77·—種微影裝置，其包含：一基板固持器’ s亥基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，或相對於該曝光區域移動該複數個光束，或相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之母一者及該複數個光束兩者，其中該等個別可控制輻射源中之每一者包含一藍紫色雷射二極體；及 154236.doc -103- 201214058 才又〜系統，§亥投影系統經組態以將該等經調變光影至該基板上。 x 78.—種微影裝置，其包含： -基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； 5周欠器’該調變器包含複數個個別可控制輻射源，兮調變器經組態以將根據—所 μ 吓罟圖案所5周變之複數個光束提 t、至减板之-曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數_射源中之每—者，該複數純射源係以至少兩個同心圓形陣列而配置；及杈〜系.统’該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。又 1如實施例78之微影裝置，其中該等圓形陣列中之至少一圓形陣列係以與該等圓料射之至少—另—圓形陣列交錯之一方式而配置。 80.—種微影裝置，其包含：一基板：持器，該基板固持器經建構以固持一基板；凋U，該調變器包含複數個個別可控制輕射源，該調變器經組態以將根據—所 W要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區娀 ^ 且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每— ± 一士母者，该複數個輻射源係圍繞、。構之中〜而配置，且該結構在該複數個輕射源内部具有延伸通過該結構之—開口；及一投影系統，該投影糸, 〜系統經組態以將該等經調變光束授影至該基板上。 154236.doc •104· 201214058 卿似衣夏，再進一步包含一支措杜該支撐件係心將支撐結_持於該等㈣， 82·如實施例81之微影裝置，其中該支撐件承，該軸承係用以准許移動該結構。其中該支撐件包含— 83. 如實施例81或82之微影裝置馬達，該馬達係用以移動該結構。 84. —種微影裝置，其包含：

一基板固持器’該基板固持器經建構以固持—美板. -調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻：源，，兮調變器經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光㈣ 2該基板之—曝光區域，且馳態㈣對於該曝光區域 =该複數個輻射源中之每—者，該複數個輕射源係圍繞一結構之一中心而配置；支撐件，該支撐件係用以將該結構支揮於該等輕射源處，該支撐件經M態以旋轉或允許旋轉該結構；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投衫至该基板上〇仏如實施例84之微影裝置，其中該支擇件包含一轴承，§亥軸承係用以准許旋轉該結構。 86.如實施例84或85之微影裝置，其中該支撐件包含一馬達，該馬達係用以旋轉該結構。 87· —種微影裝置，其包含：基板固持益，該基板固持器經建構以固持一基板；調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 154236.doc 201214058 調變Is經組態以將根據—所要圖案所調變之供至該基板之-曝㈣域，且經㈣以相對於該曝光= 移動該複數個㈣源中之每—者，該複數個輕射源配置於 -可移動結構上’該可移動結構又配置於—可移動板上；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 88·如實施例87之微影奘罢甘士冲π μ < 饿々展置，其中戎可移動結構係可旋轉的。 89·如實施例87或88之微影裝置，其中該可移動板係可旋轉的。 90.如實施例89之微影裝置，其中該可移動板之旋轉中心係不與該可移動結構之旋轉中心重合。 9 1 · 一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； =變器’該調變器包含複數個個別可控制_源’，該調變器經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之-曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輕射源配置於一可移動結構中或上；一流體通道，該流體通道配置於該可移動結構中以提供一溫度控制流體以至少鄰近於該複數個輻射源；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光影至該基板上。 i 感測器 92.如實施例91之微影裝置，其進_步包含 154236.doc 201214058 該感測器位於該可移動結構中或上。 93. 如實施例91或92之微影裝置，其進一步包含一感測器，該感測器位於鄰近於該複數個輻射源中之至少一輻射源的一位置處，而非位於該可移動結構中或上。 94. 如實施例92或93之微影裝置，其中該感測器包含一溫度感測器。 95. 如實施例92至94中任—者之微影裝置，其中該感测 ❹

G 器包含經組態以量測該結構之一膨脹及/或收縮的一感測器。 96·—種微影裝置，其包含： -基板固持器，該基板固持器經建構以固持一美板. -調變器，該調變器包含複數個個別可控制㈣源’，該調變器經組態以將根據-所要圖案所調變之複數個光束提 =该基板之一曝光區域，且經组態以相對於該曝光區域 -可移動結構中或上；—源配置於該':=:Γ 一移動結構中或-提供影::：該投影一態，該等經調⑽ 97. 如實施例96之微影裝置，其進—牛片，該靜止散熱片係用以與在該 :ζ =靜止散熱熱片合作。動、、°構中或上之該散 98. 如實施例97之微影裝置其包含在該可移動結構中 154236.doc -107· 201214058

移動a亥複數個輕射源中之每一者，或上之至少兩個勒叙μ 一調變器，該舖鐵毋4 一可移動結構中或上；熟片位於在該可移動散熱片與在該可移動一散熱片之間。埂構以固持一基板；個別可控制輻射源，該所要圖案所調變之複數個光束提 ’且經組態以相對於該曝光區域一者，该複數個輕射源配置於 f、應至該結構之一外部表面以控制該結構之一溫度；流體供應元件，該流體供應元件經組態以將—流體供一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 10〇.如實施例99之微影裝置，其中該流體供應元件經組態以供應氣體。 101. 如實施例99之微影裝置，其中該流體供應元件經組 Ο 態以供應一液體。 102. 如實施例101之微影裝置，其進一步包含一流體限制結構，該流體限制結構經組態以使該液體維持接觸該結構。 103. 如實施例102之微影裝置，其中該流體限制結構經組態以維持介於該結構與該流體限制結構之間的一密封。 104. —種微影裝置，其包含： 154236.doc -108- 201214058 一基板固持器’該基板固持器經建構以固持—基板. —調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之-曝光區域’且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一結構分離透鏡，該結構分離透鏡經附接成接近或附接至該複數個輻射源中之每-輻射源且隨著纟別輻射源而可移動。

105.如實施例104之微影裝置，其進—步包含一致動器’該致動器經組態以使-透鏡相對於其各別輕射源位移。 106.如實施例1〇4或105之微影裝置，其進一步包含一致動器，該致動器經組態以使一透鏡及其各別輕射源相對於支撐ό亥透鏡及其各別輕射源之一結構位移。 1〇7.如實施例1〇5或1〇6之微彰奘 α 佩如展置，其中該致動器經組 Q 態以在高達3個自由度中移動該透鏡。 1〇8.如實施例1〇4至1〇7中任-者之微影裝置，立進一步包含一孔隙結構，該孔隙結構位於該複數個転射源中之至 -少一輻射源下游。 1〇9.如實施例1〇4至107中任—者之i放衫裝置，其中該透鏡係用一高熱導率材料附接至支擋文蘇4透鏡及其各別輻射源之一結構。 110.—種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器4 s、，丄建構以固持一基板； 154236.doc -】09- 201214058 -調變器，該調變器包含複數個個別可控制韓射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之-曝光區域，且經域以相對於料光區域移動該複數個輻射源中之每一者； -空間相干性破壞元件，該空間相干性破壞元件經組態以擾亂來自該複數個輻射源中 v 知射源的輻射；及一投影系統，該投影系統經组能 T m恶以將该等經調變光束投影至該基板上。 111.如實施例110之微影裝置’ 1中 ^ ，、甲°亥空間相干性破壞元件包含一靜止板，且該至少一季田射源係相對於該板可移動。 m·如實施例no之微影裝置，其中該空間相干性破壞元件包含選自以下各項之至少一去.— 者.一相位調變器、一旋轉板或一振動板。 U3·—種微影裝置，其包含： -基板固持器，該基板㈣器經建構以固持—其板. 一調變器’該調變器包含複數個個別可控制㈣源’，該調變器經組態以將根據-所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且铖、·工組悲以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每—者； -感測器’該感測器經組態以量測與該複數個輕射源中之至少一輻射源相關聯的聚焦’該感測器之至少一部分處於該至少一輻射源中或上；及 -投影系統’該投影系統經組態以將該等經調變光束投 154236.doc -110- 201214058

影至該基板上D 114. 如實施例113之微影裝置，其中該感測器經組態以個別地量測與該等輻射源中之每一者相關聯的聚焦。 115. 如實施例113或114之微影裝置，其中該感測器為刀緣聚焦偵測器。 116. —種微影裝置，其包含：基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該凋變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至δ亥基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一傳輸器，該傳輸器經組態以將一信號及/或功率無線地傳輸至該複數個輻射源以分別控制及/或供電給該複數個輻射源；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 117. 如實施例116之微影裝置，其中該信號包含複數個號’且a亥微影裝置進一步包含用以將該複數個信號中之每一者發送朝向一各別輻射源的一解多工器。 118. —種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； ”周灰器°亥5周1器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光束提 i'至該基板之—曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 154236.doc 201214058 移動該複數個輻射源中之每一 -可移動，结構中或上； “複數個輻射源配置於以ϋΓι該單—線將一控制器連接至該可移動結構， :稷固仏號及/或功率傳輸至該複數個輻射源以分控制及/或供電給該複數個輕射源，· & μ 影該投影系統經組態以將該等經調變光束投 :t:rni8之微影裝置，其中該信號包含複數個 1s唬，且該微影裝晋推__半 ^03用以將該複數個信號中之母一者發达朝向一各別輻射源的一解多工器。 120·如實施例118或119之盆° 學線。 /、r邊線包含一光 12 1. —種微影裝置，其包含·· —基板固持器，該基板固持器經建構以固持—基板. 調=器：該調變器包含複數個個別可控制㈣源，該。’是斋t組悲以將根據一所要圖宰戶斤$ @ 徂s —甘支圖累所6周變之複數個光束提仏至§亥基板之一曝光區域，悲以相對於該曝光區域移動s亥稷數個輻射源中之每—者； -感測器，該感測㈣用以量測已或待藉“複數_ 射源中之至少一輕射源透射朝向該基板之輕射的-特性；及馬—投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投衫至邊基板上。 /2.如實施例121之微影襄置，其中該感測器之至少— 部分位於該基板固持器中或上。 154236‘d〇c -112- 201214058 123.如實施例122之微影裝見再中該感測器之該至少 4刀在β亥基板被支撐於該基板固拉哭^ 土伋囚持态上所在之一區域外邛的一位置處位於該基板固持器中或上。者之微影裝置，其中該感實質上延伸於該基板之一 124.如實施例121至123中任— 測器之至少一部分位於在使用中掃描方向上的該基板之一側處。 Μ如實施例121至124中任-者之微影裝置，其中該感

測器之至少-部分安裝於用以支撐可移動結構之—框架中或上。者之微影裝置，其中該感域外部之該至少一輻射源 126.如實施例121至125中任— 測器經組態以量測來自該曝光區的輻射。 127. 如實施例121至126中任—者之微影裝置，其中該感測器之至少一部分係可移動的。 128. 如實施例121至127中任一者之微影裝置，其進一步 ◎ &含-控制器’該控制器經組態以基於感測器結果而校準該至少一輻射源。 129. —種微影裝置，其包含：基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；上一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該调變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於一可移動結構中或上； 154236.doc •113· 201214058 —感測器，該感測器係用以量測該可移動結構之一位置；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 no.如實施例129之微影裝置，其中該感測器之至少一部分安裝於支撐該可移動結構之一框架中或上。 131·—種微影裝置，其包含：一基板固持益，§亥基板固持器經建構以固持一基板； —調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至该基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動β亥複數個輪射源中之每一者，該複數個輕射源中之每一者具有或提供一識別；一感測器’該感測器經組態以偵測該識別；及 —投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 1 3 2.如實施例1 3〗之微影裝置，其中該感測器之至少一部分安裝於支撐該複數個輻射源之一框架中或上。 133·如實施例131或132之微影裝置，其中該識別包含來自一各別輕射源之輕射的一頻率。 134.如實施例131至133中任—者之微影裝置，其中該識別包含選自以下各項之至少一者：一條碼、一射頻識別或一標記。 135·—種微影裝置，其包含： 154236.doc -114* 201214058 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； -調變器’該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；感測器，該感測器經組態以偵測藉由該基板重新引導的來自該複數個輻射源中之至少一輻射源的輻射；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。 136. 如實施例135之微影裝置，其中該感測器經組態以根據該經重新引導輻射而判定入射於該基板上的來自該至少一輻射源之該輻射之一光點的一部位。 137. 如實施例70至136中任一者之微影裝置，其中該調變器經組態以圍繞實質上平行於該複數個光束之一傳播方向的一軸線旋轉至少一轄射源。 138. 如實施例70至137中任一者之微影裝置，其中該調變器經組態以在橫向於該複數個光束之一傳播方向的一方向上平移至少一韓射源。 139. 如實施例70至138中任一者之微影裝置，其中該調變器包含一光束偏轉器，該光束偏轉器經組態以移動該複數個光束。 140. 如實施例1 39之微影裝置，其中該光束偏轉器係選自由鏡面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。 141 •如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器包含 154236.doc -115- 201214058 一多邊形。 i42.如實施例丨39之微影裝置，其中該光束偏轉器經組態以振動。 143·如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器經組態以旋轉。 144.如實施例70至143中任一者之微影裝置，其中該基板固持器經組態以在提供該複數個光束所沿著之一方向上移動該基板。 M5.如實施例丨44之微影裝置，其中該基板之該移動為一旋轉。 146·如實施例70至145中任一者之微影裝置，其中該複數個輻射源係可一起移動的。 147. 如實施例70至146中任一者之微影裝置，其中該複數個輻射源係以一圓形方式而配置。 148. 如實施例70至147中任一者之微影裝置，其中該複數個輻射源配置於一板中且彼此隔開。 149·如實施例70至148中任一者之微影裝置，其中該投影系統包含一透鏡陣列。 150. 如實施例70至149中任一者之微影裝置，其中該投影糸統基本上由一透鏡陣列組成。 151. 如實施例149或150之微影裝置，其中該透鏡陣列之一透鏡具有一高數值孔徑，且該微影裝置經組態以使該基板處於與該透鏡相關聯的該輻射之該聚隹外 1 以有效地降低該透鏡之該數值孔徑。 154236.doc •116· 201214058 152. 如實施例70至151中任一者之微影裝置，其中該等輪射源中之每一者包含一雷射二極體。 153. 如實施例152之微影裝置，其中每―雷射二極體經組態以發射具有約405奈米之一波長的輻射。 • 〗54.如實施例70至153中任-者之微影裝置，其進一步 • &含一溫度控制器，該溫度控制器經組態以在曝光期間將該複數個輻射源維持於一實質上恆定溫度下。 155·如f施例154之微影裝置，丨中：控制器經組態以在€光之前將該複數個輕射源加熱至處於或接近該實質上恆定溫度之一溫度。 ^56·如實施例70至155中任一者之微影褒置，其包含沿著一方向所配置之至少3個分離陣列，該等陣列中之每一者包含複數個輻射源。 157.如實施例70至156中任—者之微影裝置，其中該複數個輻射源包含至少約12〇〇個輻射源。〇 158·如實施例70至157中任一者之微影裝置，其進一步包含一對準感測器，該對準感測器係用以判定該複數個輻射源中之至少一輻射源與該基板之間的對準。 - 159.如實施例70至158中任—者之微影裝置，其進—步 -包3 —位階感測器，該位階感測器係用以判定該基板相對於該複數個光束中之至少一光束之一聚焦的一位置。 160.如實施例158或159之微影裝置，其進一步包含—控制器，該控制器經組態以基於對準感測器結果及/或位階感測器結果而更改該圖案。 154236.doc • 117- 201214058 161.如實施例70至16时任-者之微影裝置，其進一步包3控制’㈣制n經組態以基於該複數個輻射源中之至少一李畐射源之-溫度的—量測或與該複數個韓射源中之至少一輻射源相關聯之一溫度的一量測而更改該圖案。 162·如實施例7〇至161令任一者之微影裝置，其進一步包含一感測器’該感測器係用以量測已或待藉由該複數個輪射源中之至少—輻射源透射朝向該基板之㈣的一特性。 163·—種微影裝置，其包含： -複數個個別可控制輻射源’該複數個個別可控制輻射源經組態以提供根據一所要圖案所調變之複數個光束；一透鏡陣列，該透鏡陣列包含複數個小透鏡；及一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板，其中在使㈣間’除了該透鏡陣列以外，在該複數個轄射源與該基板之間不存在其他光學器件。 164. —種可程式化圖案化元件，其包含；一基板，在該基板上具有在至少一方向上隔開之一輻射發射二極體陣列；及一透鏡陣列，該透鏡陣列處於該等輻射發射二極體之一輪射下游側上。 165. 如實施例164之可程式化圖案化元件，其中該透鏡陣列包含具有複數個微透鏡之一微透鏡陣列’該等微透鏡之數目對應於輻射發射二極體之數目，且經定位以將藉由該等輻射發射二極體中之各別輻射發射二極體選擇性地傳 154236.doc •118- 201214058 遞之輻射聚焦成一微光點陣列。 166. 如實施例164或165之可程式化圖案化元件，其中該等輻射發射二極體係在至少兩個正交方向上隔開。 167. 如實施例164至166中任一者之可程式化圖案化元 ’ 件，其中該等輻射發射二極體嵌入於一低熱導率材料中。 168. —種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源將根據—所要圖案所調變之複數個光束提供朝向一基板之一曝光區域；移動該複數個輻射源中之至少一者，同時提供該複數個光束，使得僅少於該複數個輻射源之全部的輻射源可在任一時間曝光該曝光區域；及將該複數個光束投影至該基板上。 169‘一種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源來提供根據一所要圖案所調變之複數個光束；〇使該複數個輻射源中之至少一者移動於其發射輻射之一部位與其不發射輻射之一部位之間；及將該複數個光束投影至一基板上。 170. 種兀件製造方法，其包含：使用複數個個別可控 . 制輻射源來提供根據一所要圖案所調變之一光束；及使用透鏡陣列將來自該複數個個別可控制輕射源之該經調變光束投影至一基板。 171. 一種元件製造方法，其包含：用複數個個別可控制輕射源來提供根據一所要圖案所 154236.doc •119- 201214058 調變之複數個電磁輻射光束；在曝光-曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個輕射源中之至少一輕射源，使得來自該至少—幸昌射源之輕射同時鄰接於或重疊於來自該複數個輕射源中之至少一另一輕射源的轄射；及將該複數個光束投影至一基板上。 172’如實_168至171中任—者之方法’其中該移動包含圍繞實質上平行於該複數個光束之一傳播方向的一轴線旋轉至少一輻射源。 m·如實施例168至172中任—者之方法，其中該移動包含在橫向於該複數個光束之一傳播方向的一方向上平移至少一輻射源。 174.如實施例168至173中任一者之方法’其包含藉由使用一光束偏轉器來移動該複數個光束。 175·如實施例174之方法，其中該光束偏轉器係選自由鏡面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。 176. 如實施例174之方法，其中該光束偏轉器包含一多邊形。 177. 如實施例174之方法，其中該光束偏轉器經組態以振動。 178. 如實施例174之方法，其中該光束偏轉器經組態以旋轉。 179. 如實施例168至178中任一者之方法，其包含在提供該複數個光束所沿著之一方向上移動該基板。 154236.doc -120- 201214058 180.如實施例179之方法’其中該基板之該移動為一旋轉。 181•如實施例168至180中任一者之方法，其包含一起移動該複數個輻射源。 182.如實施例168至丨81中任一者之方法，其中該複數個輕射源係以一圓形方式而配置。 183·如實施例168至182中任一者之方法’其中該複數個輻射源配置於一板中且彼此隔開。 Ο

184.如實施例168至183中任一者之方法’其中該投影包含使用-透鏡陣列將該等光束中之每—者的—影像形成至該基板上。 185‘如實施例168至184中任—者之方法其中該投影包含使用基本上僅—透鏡陣列將料光束巾之每—者的一影像形成至該基板上。 ,、186•如實施例168至185中任-者之方法，其中該等輻射源中之每一者包含一雷射二極體。 :广如實施例186之方法，其中每—雷射二極體經組態 1又射具有約405奈米之一波長的輻射。一^-種平板顯示器，其係根據如實施例168至187中任一者之方法而製造。種積體電路元件，其係根據如實施例168至187中者之方法而製造。 190· 一種輻射系統，其包含：複數個可移動輻射陣列，每— J母‘射陣列包含複數個個別 154236.doc -121 . 201214058 可控制輻射源，該複數個個別可控制輻射源經組態以提供根據一所要圖案所調變的複數個光束；及一馬達，該馬達經組態以移動該等輻射陣列中之每一者。 =·如實施例19〇之韓射S統’其中該馬達經組態以圍繞實質上平行於該複數個光束之一傳播方向的一轴線旋轉該等輕射陣列中之每一者。 192. 如實施例190或191之輻射系統，其中該馬達經組態以在橫向於該複數個光束之一傳播方向的—方向上平移該等輻射陣列中之每一者。 193. 如實施例190至192中任一者之輻射系統，其進—步包含-光束偏轉器，該光束偏轉器經組態以移動該複數個光束。 194. 如實施例193之輕射系統’其中該光束偏轉器係選自由鏡面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。 195·如實施例193之輕射系統，其中該光束偏轉器包含一多邊形。 196.如實施例193之輻射系統’其中該光束偏轉器經組態以振動。 ’ 】97·如貫施例193之輻射系統，其中該光束偏轉器經組態以旋轉。 198.如實施例190至197中任一者之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輕射源係可一起移動的。 1 99.如貫施例190至198中任一者之輻射系統，其中該等 154236.doc • 122- 201214058 一圓形方式而輻射陣列中之每-纟的該複數個輻射源係以配置。 200·如實施例190至199中任一者之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每-者的該複數個輻射源配置於一板中且彼此隔開。 201·如實施例190至200中任一者之輻射系統，其進一步包含-透鏡陣列，該透鏡㈣係與該等輻射㈣中之每一者相關聯。

202.如實施例2〇1之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輻射源t之每—者係與—透鏡陣列之一透鏡相關聯，該透鏡陣列係與該輻射陣列相關聯。 /03.如實施例19〇至2〇2中任一者之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輻射源中之每一者包含— 雷射二極體。 204·如實施例203之輻射系統，其中每一雷射二極體經組態以發射具有約405奈米之一波長的輻射。 205. —種用於將一基板曝光至輻射之微影裝置，該裝置包3 -可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件具有 100個至25000個自發射個別可定址器件。 206. 如實施例205之微影裝置，其包含至少4〇〇個自發射個別可定址器件。 207. 如實鉍例205之微影裝置，其包含至少丨〇〇〇個自發射個別可定址器件。 208. 如實靶例205至207中任一者之微影裝置，其包含 154236.doc -123- 201214058 10000個以下自發射個別可定址器件。 209·如實施例205至207中任一者之微影裝置，其包含 5000個以下自發射個別可定址器件。如實施例205至2G9中任—者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件為雷射二極體。 211•如實施例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有選自微米至3微米之範圍的一光點大小。 21 2·如實她例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有約丨微米之一光點大小。 2 13 · —種用於將一基板曝光至輻射之微影裝置，該裝置包含一可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件在經正規化至10公分之一曝光場長度的情況下具有1〇〇個至 25000個自發射個別可定址器件。 2 14.如實施例213之微影裝置，其包含至少4〇〇個自發射個別可定址器件。 2 1 5.如實施例213之微影裝置’其包含至少1 000個自發射個別可定址器件。 216.如實施例213至215中任一者之微影裝置，其包含 10000個以下自發射個別可定址器件。 21 7.如實施例213至215中任一者之微影裝置，其包含 5000個以下自發射個別可定址器件。 218.如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等 154236.doc -124- 201214058 自發射個別可定址器件為雷射二極體。 219.如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有選自〇 J 微米至3微米之範圍的一光點大小。 220·如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有約1微米之一光點大小。 221. —種包含一可旋轉圓盤之可程式化圖案化元件，該〇圓盤具有100個至25000個自發射個別可定址器件。 222. 如實施例221之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含至少400個自發射個別可定址器件。 223. 如實施例221之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含至少1 〇〇〇個自發射個別可定址器件。 224. 如實施例221至223中任一者之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含10000個以下自發射個別可定址器件。

G 225. 如實施例221至223中任一者之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含5000個以下自發射個別可定址器件。 . 226·如實施例221至225中任一者之可程式化圖案化元件，其中該等自發射個別可定址器件為雷射二極體。 227. —種本發明中之一或多者之用途，其係用於平板顯示器之製造中。 228. —種本發明中之一或多者之用途，其係用於積體電路封裝中。 154236.doc •125- 201214058 229. 一種微影方法，其包含使用具有自發射器件之—可程式化圖案化元件將-基板曝光至輻射，#中在該曝光期間，用以操作該等自發射器件的該可程式化圖案化元件之功率消耗小於1 0千瓦特。 230. 如實施例229之方法，其中該功率消耗小於$千瓦其中該功率消耗為至少 23 1 ·如實施例229或23 0之方法 100毫瓦特。其中該等自發二極體為藍紫 232. 如實施例2之9至231中任一者之方法，射器件為雷射二極體。 233. 如實施例232之方法，其中該等雷射色雷射二極體。 234.-種微影方法，其包含使用具有自發射器件之—可程式化圖案化元件將一基板曝光至輻射， "〒§在使用中岬’母發射器件之光學輸出為至少1毫瓦特 235.如實施例234之方法瓦特。其中該光學輪出為至少1 〇毫 236.如實施例234之方法瓦特。其中該光學輪出為至少50毫其中該光學輸其中該等自發 237.如實施例234至236中任一者之方法出小於200毫瓦特。 23 8.如實施例234至23 7中任一者之方法射器件為雷射二極體。 239.如實施例23 8之方法其中該等雷射二極體為藍紫 154236.doc -126· 201214058 色雷射二極體β 240.如實施例234之方法，其中該光學輸出大於5毫瓦特’但小於或等於20毫瓦特。 24丨.如實施例234之方法，其中該光學輸出大於5毫瓦 • 特’但小於或等於30毫瓦特。 - 242,如實施例234之方法，其中該光學輸出大於5毫瓦特’但小於或等於4〇毫瓦特。 243. 如實施例234至⑷中任一者之方法，其中該等自發射器件係在單模式中操作。 244. —種微影裝置，其包含：一可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件具有自發射器件；及 -可紅轉框架’該可旋轉框架具有用於自該等自發射器件接收輻射之光學器件，該等光學器件為折射光學器件。 245. —種微影裝置，其包含： Ο —可程式化圖案化元件’該可程式化圖案化it件具有自發射器件；及 -可旋轉框架’該可旋轉框架具有用於自該等自發射器 •件接收輻射之光學器件，該可旋轉框架不具有用以自該等么射态件中之4壬者或全部接收輻射的反射光學器件。 246·—種微影裝置，其包含：一可程式化圖案化元件；及 -可旋轉框架，該可旋轉框架包含具有光學器件之一板’具有光學器件之該板的一表面係平 154236.doc -127- 201214058 247. —種本發明中之一或多者之用途，其係用於平板顯示器之製造中。 248. —種本發明中之一或多者之用途，其係用於積體電路封裝中。 249•—種平板顯示器，其係根據該等方法中之任—者而製造。 250. —種積體電路元件，其係根據該等方法中之任—者而製造。 251_—種微影裝置，其包含：一光學圓柱，該光學圓柱能夠將一光束投影於一基板之 -目標部分上’該光學圓柱包含—投影系统，該投影系統經組態以將該光束投影至該目標部分上； ’’、、'、 -知描移動致動g ’該掃描移動致動器用以相堂子於該光學圓柱在一掃描方向上以一掃描速率移動該基板丨及X 一方疋轉移動致動器，該旋轉移動致動器用以按一旋轉頻率旋轉該光學圓柱或其-部分，⑯而導致在該目標部分上該光束之一切線方向旋轉速率， :中該目標部分具有在該掃描方向上之一高度及主要地 …，描方向之一切線方向寬度，其中該掃描速率除度實質上對應於該光束之該旋轉速率除以該切線方 252.如實施例25 1之裝置之該旋轉頻率係選自2500 4〇〇〇 rPm至 6000 rpm之範圍，其中該可旋轉圓桎或其部分 rPm至1〇0〇〇 rpm之範圍、選自，或選自 4500 rpm至 5〇〇〇 rpm 154236.doc -128- 201214058 之範圍。 253·如實施例251或252之裝置，其中該光學圓柱包含一自發射對比元件，該自發射對比元件經組態以發射該光束。 254. 如實施例253之裝置，其中該自發射對比元件安裝於該光學圓柱之一靜止部分上。 255. 如實施例253或254之裝置，其中該光學圓柱包含多個自發射對比元件，該等自發射對比元件係以一徑向間距予以配置。 256. 如實施例255之裝置，其中每光學圓柱的自發射對比元件之數目係選自2個至40個之範圍、選自5個至2〇個之範圍，或選自8個至15個之範圍。 257. 如實施例254至256中任一者之裝置，其中在該基板上之#又影影像平面處的該徑向間距係選自該裝置之一投影

解析度的50%至95%之範圍、選自70%至9〇%之範圍，或選自75%至85%之範圍。 258. 如實施例257之裝置，其中該投影解析度小於或等於10微米，或小於或等於5微米，或小於或等於2微米。 259. 如實施例251至258中任一者之裝置，其中包含透鏡之該光學圓柱之一中心軸線的半徑係選自5〇毫米至5〇〇毫米之範圍、選自1〇〇毫米至350毫米之範圍，或選自2〇〇毫米至250毫米之範圍。 260. 如實施例251至259中任一者之裝置，其中在該目標部分上該光束之該旋轉速率係選自25爪化至仞❹m/\之範 154236.doc -129- 201214058 圍、選自50 m/s至200 m/s之範圍’或選自8〇 „^至14〇 m/s 之範圍。 261. 如實施例251至260中任一者之裝置，其中該目標部分之該切線方向寬度係選自5毫米至4〇毫米之範圍、選自8 毫米至20毫米之範圍，或選自10毫米至15毫米之範圍。 262. 如實施例251至261中任一者之裝置，其包含多個光學圓柱，每一光學圓柱具有一或多個自發射對比元件，該一或多個自發射對比元件經組態以將一光束投影於一各別目標部分上’該多個光學圓柱之該等各別目標部分係在垂直於邊知"描方向之一方向上間隔。 263. 如實施例262之裝置，其中該等各別目標部分覆蓋在垂直於該掃描方向之該方向上該基板之尺寸。義 264. 如實施例251至261中任一者之裝置其包含多個可旋轉光學圓柱或其部分。紙如實施例251至264中任一者之裝置，其中在該掃描方向上及/或在垂直於該掃描方向之該方向上的該等目標部分係部分地重疊。施·-種減小在如實施例251之微影裝"一曝光時間除以-基板長度之方法，該方法包含選自以下各項之多者：增加每光學圓柱的自發射對比元件之數目；增加在可旋轉部分上該光學圓柱之-中心軸線之半徑；增加該可旋轉部分之旋轉頻率；減小一目標部分之寬度； 154236.doc -130- 201214058 最小化在該掃描方向上複數個光學圓柱之間的距離；及減小在切線方向上一目標部分之寬度。儘官在本文中可特定地參考微影裝置在特定元件或結構 (例如，積體電路或平板顯示器）之製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置及微影方法可具有其他應用。應用包括（但不限於）製造積體電路、整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、lCD、 OLED顯示H、薄膜磁頭、微機電元件（mems)、微光機電系統（M〇EMS)、DNA晶片、封裝（例如，覆晶、重新分佈，等等）、可撓性顯示器或電子器件（該等可撓性顯示器或電子益件為可為可捲動、可彎曲（比如紙張）且保持無變形、適型的、結實的、薄及/或輕量的顯示器或電子器件，例如，可撓性塑膠顯示器），等等。又，例如，在平板顯示器中，本裝置及方法可用以輔助產生各種層，例如，薄膜電晶體層及/或彩色濾光器層。熟習此項技術者 ◎應瞭解，在此等替代應用之内容背景中可認為本文中對術°。曰曰圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在 (例如）塗佈顯影系統（例如，通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具）、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理—次二上，（例如）以便產生多層IC ’使得本文中所使用之術語基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。 154236.doc -131- 201214058 本文中所使用之術語「輕射》「土 a 之電磁輕射，包括紫外線_二丨束」涵蓋所有類型 _ . '、、·' (υν)輻射（例如，具有為或為約不米、248奈米、193奈米、叫米或叫米之波長）錄紫外線⑽射（例如，具有在為5奈以⑽米之車巳圍内的波長），以及粒子束（諸如離子束或電子束）。平板顯示n基板可為㈣形狀。㈣相^此類型之基板的微〜裝置可提供覆蓋矩形基板之全寬度或覆蓋寬度之一部分（例如，寬唐夕_ ψ、 ' 半）的曝光區域。可在曝光區域下方掃描基板，同時經由經圖案化光束而同步地掃描圖案化兀件，或圖案化元件提供變化圖案。以此方式，將所要㈣之全部或部分轉印至基板。若曝光區域覆蓋基板之全見度，則可以單次掃描來完成曝光。若曝光如）基板之寬度之—半，則可在第一次掃描之後橫向地移動基板且通常執行另外掃描以曝光基板之剩餘部分。本文t所使用之術語「㈣化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以調變輕射光束之橫截面以便在基板（之部分）中產生圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輕射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不 :確切地對應於基板之目標部分令的所要圖案。類似地，取終產生於基板上之圖案可能不會對應於在任—瞬間形成於個別可控制器件陣列上之圖案。在如下配置中可為此情況··其令遍及個别可控制器件陣列上之圖案及，或基板之相對位置改變期間的給定時段或給定數目次曝光而建置形成於基板之每—部分上的最終圖案。通常，產生於基板之 I54236.doc • J32· 201214058 目標部分上的圖案將對應於I生於目標部如，積體雷政4 4· θ t 1件（例 _ '路或千板顯示器）中的料功能層（例如，平板顯示盗中之彩声清本哭爲斗、、>曰_ 、’板色遽先益層或千板顯示器中之薄膜二。二圖射案化元件之實例包括(例如)光罩、可程式::鏡 :陣雷射二極體陣列、發光二極體陣列、光， =:。圖案係憑藉電子元件(例如，電腦)可程式化圖案化兀件(例如，包含可各自調變輻射光束之部分之 Ο 〇強度之複數個可程式化器件的圖案化元件(例如，在前句中所提及之除了光革以外的所有元件）)（包括具有藉由調變輻射先束之部分相對於輻射光束之鄰近部分之相位而將圖案賦予至輻射光束之複數個可程式化器件的電子可程式化圖案化元件）在本文中被共同地稱作「對比元件」。在一實施例中’ _案化元件包含至少1〇個可程式化器件，例如，至少100個可程式化器件、至少1〇〇〇個可程式化器件、至少10000個可程式化器件、至少100000個可程式化器件、至少1000000個可程式化器件或至少10000000個可程式化器件。以下稍微更詳細地論述此等元件中之若干者的實施例： -可程式化鏡面陣列。可程式化鏡面陣列可包含具有黏彈性控制層之矩陣可定址表面及反射表面。此裝置所隱含之基本原理在於（例如）：反射表面之經定址區域將入射輕射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輪射。在使用適當空間濾光器的情況下，可將非繞射輕射濾出反射光束，從而僅使繞射輻射到達基板。以此方 154236.doc -133- 201214058 式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。應瞭解，作為-替代例，濾光器可遽出繞射韓射，從而使非繞射輻射到達基板。亦可以對應方式使用繞射光學 ]^]£厘8元件陣列。繞射光學MEMS元件可包含複數個反射帶，該等反射帶可相對於彼此而變形以形成將入射輻射反射為繞射輻射之光柵。可程式化鏡面陣列之另外實施例使用微小鏡面之矩陣配置，該等微小鏡面令之每一鏡面可藉由施加適當局域化電場或藉由使用壓電致動構件而圍繞一軸線個別地傾斜。傾斜度界定每一鏡面之狀態。當器件無缺陷時，鏡面可藉由來自控制器之適當控制信號進行控制。每一無缺陷器件係可控制的，以採用一系列狀態中之任一者，以便調整經投影輻射圖案中之其對應像素的強度。再次，鏡面係矩陣可定址的，使得經定址鏡面在與未經定址鏡面不同之方向上反射入射輻射光束；以此方式，反射光束可根據矩陣可定址鏡面之定址圖案而圖案化。可使用適當電子構件來執行所需矩陣定址。可（例如）自全文以引用之方式併入本文中的美國專利第us 5,296,891號及第US 5,523，193號以及PCT專利申請公開案第w〇 98/38597 號及第WO 98/33096號搜集關於此處所提及之鏡面陣列的更多資訊。 -可程式化LCD陣列。全文以引用之方式併入本文中的美國專利第US 5,229,872號中給出此構造之實例。微影裝置可包含一或多個圖案化元件，例如，一或多個對比元件。舉例而言，微影裝置可具有複數個個別可控制 154236.doc -134- 201214058 器件陣列，每一者彼此獨立地被控制。在此配置中，可控制器件陣列中之一些或全丨]具有共同照明系統（或 …月系統之部分）、用於個料控制器件陣列之共同支撐結構及/或共同投影系統(或投影系統之部分)中的至少： . 者。 • 應、瞭解，在（例如）使用特徵之預偏置、光學近接式校正特徵'相位變化技術及/或多次曝光技術時，「經顯示」於，別可控制器件陣列上之圖案可實質上不同於最終轉印至基板之層或基板上之層的圖案。類似地，最終產生於基板上之圖案可能不會對應於在任一瞬間形成於個別可控制器件陣列上之圖案。在如下配置中可為此情況：其中遍及個別可控制器件陣列上之圖案及/或基板之相對位置改變期間的給定時段或給定數目次曝光而建置形成於基板之每— 部分上的最終圖案。投影系統及/或照明系統可包括用於料、塑形或控制〇 _射光束的各種類型之光學組件，例如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。微影裝置可為具有兩個（例如，雙載物台）或兩個以上基 •板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件台)的類型。在此等「多载物台」機器中’可並行地使㈣外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之「浸沒液體」（例如，水）覆蓋， 154236.doc •135- 201214058 以便填充介於投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化元件與投影系統之間的空間。浸沒技術係用以增加投影系統之 N A。本文中所使用之術语「浸沒」不意謂結構（例如，基板）必須浸潰於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。另外，裝置可具備流體處理單元以允許流體與基板之經幸§照部分之間的相互作用（例如’以選擇性地將化學物附接至基板或選擇性地修改基板之表面結構）。在一實施例中，基板具有實質上圓形形狀，視情況，沿著其周邊之部分具有凹口及/或平坦化邊緣。在一實施例中’基板具有多邊形形狀，例如，矩形形狀。基板具有實質上圓形形狀之實施例包括如下實施例：其中基板具有至少25毫米之直徑，例如，至少5 〇毫米、至少75毫米、至少 100毫米、至少125毫米、至少150毫米、至少175毫米 '至少200毫米、至少250毫米或至少3〇〇毫米。在—實施例中’基板具有至多500毫米、至多400毫米 '至多35〇毫米、至多300毫米、至多250毫米、至多200毫米、至多15〇毫米、至多100毫米或至多75毫米之直徑。基板係多邊形 (例如，矩形）之實施例包括如下實施例：其中基板之至少一側（例如，至少兩側或至少三側）具有至少5公分之長度，例如，至少25公分、至少50公分、至少100公分、至少15〇公分、至少200公分或至少250公分。在一實施例中，基板之至少一側具有至多1000公分之長度，例如，至多75〇公 i54236.doc •136- 201214058 分、至多500公分、至多35〇公分、至多25〇公分、至多⑼ 公分或至多75公分。在一實施例中，基板為具有約25〇公分至350公分之長度及約25。公分至3〇〇公分之寬度的矩形基板。基板之厚度可變化，且在—定程度上，可取決於 (例如）基板材料及/或基板尺寸。在一實施例中，厚度為至少50微米，例如，至少1〇〇微米、至少2〇〇微米、至少微米、至少400微米、至少5〇〇微米或至少6〇〇微米。在一實施例中，基板之厚度為至多5〇〇〇微米，例如，至多35〇〇微米、至多2S00微米、至多n5〇微米、至多125〇微米、至多1000微米、至多800微米、至多6〇〇微米、至多5〇〇微米至夕400微米或至多300微米。可在曝光之前或之後在 (例如）塗佈顯影系統（通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具）中處理本文中所提及之基板。可在曝光之前或之後在（例如）度量衡工具及/或檢測工具中量測基板之屬性。 ◎ 在一實施例中，抗蝕劑層提供於基板上。在一實施例中，基板為晶圓，例如，半導體晶圓。在一實施例中，晶圓材料係選自由 Si、SiGe、siGeC、Sic、Ge、GaAs、ιηΡ 及InAs組成之群組。在一實施例中，晶圓為化合物半，導體晶圓。在一實施例中，晶圓為矽晶圓。在一實施例中，基板為陶瓷基板。在一實施例中，基板為玻璃基板。玻璃基板可有用於（例如）平板顯示器及液晶顯示器面板之製造中。在一實施例中，基板為塑膠基板。在一實施例中’基板係透明的（對於人類肉眼而言）。在一實施例中， 154236.doc -137- 201214058 基板係彩色的。在一實施例中，基板係無色的。雖然在一實施例中將圖案化元件104描述及/或描繪為處於基板114上方，但其可代替地或另外位於基板114下方。另外，在一實施例中，圖案化元件104與基板114可並排，例如，圖案化元件104及基板114垂直地延伸且圖案經水平地投影。在-實施例中，提供圖案化元件⑽以曝光基板 II4之至少兩個對置側。舉例而言，至少在基板U4之每一各別對置側上可存在至少兩個圖案化元件1〇4以曝光該等側。在-實施例中’可存在用以投影基板114之—側的單 -圖案化元件ΠΜ，及用以將來自單—圖案化元件ι〇4之圖案投影至基板114之另-側上的適當光學器件⑽如，光| 引導鏡面）。雖於工乂，、〜丨，4 日家骅，可j； ^所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例济言’本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的-或多個存列；或資料儲存媒體（例如，半導體記憶體、磁碟），該資料儲存媒體具有儲存於其t之此電腦程式。此外，儘管已在特定實施例及實例之内容背景發明，但熟習此項技術者應 ’ 其明顯修改及等效物。料，雖然或❹以及發明之許多變化’但基於展不及祸述本言，在本發明之_的其他修改項技術者而又將係顯而易見的。舉例 I54236.doc •138- 201214058 而《據預期’可進行該等實施例之特定特徵及態樣的各種’且〇或子組α，且该等組合或子組合仍屬於本發明之範疇因此應理解，可將所揭不實施例之各種特徵及態樣彼j組合或彼此取代’以便形成本發明之變化模式。舉例而吕，在一實施例中，可將圖5之可移動個別可控制器件實施例與（例如）不可移動個別可控制器件陣列組合，以提供或具有備用系統。 ❹ Ο 因此，雖然上文已描述本發明之各種實施例，但應理解，該等實施例係僅藉由實例而非限制進行呈現。對於熟習相關技術者將顯而易I’在不脫離本發明之精神及範嘴的情況下，可在該等實施例中進行形式及細節之各種改變。因此，本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據申請專利範圍及該等申請專利範圍之等效物進行界定。【圖式簡單說明】性側圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意視圖。 ” 性俯圖2描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意視圖。視圖圖3描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯圖4描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。圖5描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯 154236.doc -139- 201214058 視圖。圖6(A)至圖6(D)描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性俯視圖及側視圖。圖7(A)至圖7(0)描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性俯視圖及側視圖。圖7(P)Hf根據本發明之—實施例之個別可定址器件的功率/前向電流圖解。性側圖8描繪根據本私日日 _ ^ y , 豕不&明之一貫施例之微影裝置的示意視圖。 “ 圖9描繪根據本發明之-實施例之微影裝置的示意性側視圖。圖職緣根據本發明之—實施例之微影裝置的視圖。圖11描繪根據本發明之一每之只施例之用於微影裝置之個別可控制器件陣列的示意性俯視圖。圖12描繪使用本發明之一 π她例將圖案轉印至基板之模式。圖13描繪光學引擎之示意性配置。圖14(A)及圖14(b)描繪根據本發明 » ^ 4 ν _ 很像丰知月之一實施例之微影裝置之。Ρ为的示意性側視圖。圖1 5描繪根據本發明之— 視圖貫靶例之磓衫裳置的示意性俯影裝置之部分圖16⑷描繪根據本發明之一實施例之微的示意性側視圖。 154236.doc •140- 201214058 圖16(B)描繪感測器之偵測區域相對於基板之示意性位置。圖17描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。圖18描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫截面側視圖。圖19描繪微影裝置之部分的示意性俯視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件。圖20描繪圖19之微影裝置之部分的示意性三維圖式。圖21描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置。圖22描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件’且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置。圖23描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 154236.doc • 141 · 201214058 =不件242集合相對於個別可控制器件之圖24描繪在使用且古$ 使用具有5.6笔未之直徑的標準雷射二極體以獲得橫越基板之官庚夕人灣見又之王覆風時個別可控制器件1 〇2之部分的示意性佈局。圖25描繪圖24之細節的示意性佈局。圖26描繪嘁影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之_實施例的在χ·γ平面中實質上靜止 ^固別可控制器件及相對㈣別可控制器件可移動之光學圖27描繪微影褒置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之-實施例的在Χ-Υ平面中實質上於止，個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之二器件。圖28描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局微影f 置具有根據本發明之_者你也丨认—V v τ, ^ Κ靶例的在Χ-Υ平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制：五個不同旋轉位置。圖29描繪圖28之微影裝置之部分的示意性三維圖式。圖30不意性地描繪藉由 8及 9 — ^ 干 j移動光學器件242集合同時地書寫的8條線之配置。以移動脊頂來控制圖31描繪用以在圖28及圖29之配置中聚焦的示意性配置。 154236.doc •142- 201214058 圖32描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫 ' ^】視圖，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X· y平面中冑質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件。圖33描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部分。圖34彳田繪根據本發明之一實施例的圖之微影裝置的俯視圖。圖35不意性地描繪根據本發明之—實施例的投影於或待投影於基板上之數個目標部分。【主要元件符號說明】 100 微影投影裝置 102 個別可定址器件/個別可控制器件/輻射發射二極體/輻射發射元件 104 圖案化元件 106 物件固持器/物件台/基板台 108 投影系統 110 經圖案化輻射光束/經調變輻射光束 114 基板/晶圓 116 定位元件 120 目標部分 134 位置感測器 136 基座 138 干涉量測光束 150 對準感測器/位階感測器 154236.doc •143- 201214058 160 170 172 174 176 200 204 206 208 210 212 214 216 218 220 222 224 226 228 230 232 234 236 框架透鏡陣列第二透鏡孔徑光闌第一透鏡個別可定址器件1 02陣列/個別可控制器件102 陣歹ij /二維輻射發射二極體陣列曝光區域轴線方向個別可定址器件1 02子陣列開口支撐件馬達可旋轉結構馬達流體傳導通道供應件返回件熱交換器及泵散熱片散#片

付入 ”、、/ I 感測器流體限制結構 154236.doc -144- 201214058 238 流體 240 流體供應元件 242 成像透鏡/光學器件 244 致動器 . 246 陣列200之本體 248 孔隙結構 250 板 252 空間相干性破壞元件 Ο 254 聚焦或位階感測器 256 聚焦偵測光束 258 半鑛銀鏡面 260 刀緣 262 偵測器 400 控制器 402 收發器 404 線 406 收發器 500 感測器 - 502 光束重新引導結構 _ 504 結構 506 結構 508 致動器 510 感測器 520 感測器 154236.doc 145· 201214058 522 經曝光區域 600 可旋轉多邊形 602 轴線 604 多邊形600之表面 606 多邊形600之表面 700 RF搞合' 800 經成像線 801 轉輪 802 透鏡 802A 透鏡 802B 透鏡 803 方向 804 成像透鏡 806 準直透鏡 808 成像透鏡 810 成像透鏡 812 透鏡 814 場透鏡 815 方向/部位 816 成像透鏡 817 光瞳平面 818 成像透鏡 820 抛物面鏡面 821 旋轉轴線 154236.doc - 146- 201214058 822 抛物面鏡面 823 成像透鏡242集合距旋轉軸線821之半徑 824 反旋轉器 826 拋物面鏡面 , 828 抛物面鏡面 829 X方向 830 反旋轉器 83 1 掃描方向 832 摺疊鏡面 833 方向 834 脊頂 836 致動器 838 框架 840 框架 890 可移動板 900 微影裝置 Ο 902 基板支樓件 904 定位元件 • 906 個別可控制自發射對比元件 908 • 靜止框架 910 致動器/馬達 912 可旋轉框架 914 可移動光學器件 916 軸線 154236.doc · 147· 201214058 918 馬達 920 透鏡/投影系統 922 孔隙結構 924 投影系統/場透鏡 926 框架 928 基板 930 投影系統/成像透鏡 932 對準/位階感測器 934 條帶 936 目標部分 938 重疊 940 重疊 A 旋轉軸線 B 旋轉軸線 FWD 自由工作距離 P 間距 R1 列 R2 列 S 輻射光點 SA 輻射光點S陣列 SE 光點曝光 X 方向 Y 方向 Z 方向 I54236.doc -148-

Claims

201214058 七、申請專利範圍： 1 · 一種裝置，其包含：光學圓柱’该光學圓柱能夠將—光束投影於一基板之一目標部分上，該光學圓柱包含一投影系统，該投影系統經組態以將該光束投影至該目標部分上；掃描移動致動器，該掃描移動致動器用以相對於該光學圓柱在-掃描方向上以_掃描速率移動該基板；、及/ 一凝轉移動致動器，該旋轉移動致動器用以按一旋轉 ° 頻率旋轉該光學圓柱或其-部分，從而導致在該目標部分上該光束之一切線方向旋轉速率，其中該目標部分具有在該掃描方向上之一高度及主要地垂直於該掃描方向之一切線方向寬度，其中該掃描速率除以該回度貫質上對應於該光束之該旋轉速率除以該切線方向寬度。 2. 如請求们之裝置，其中該可旋轉圓柱或其部分之該旋轉頻率係選自2·啊至丨嶋。啊之職、選自4刪啊至6_ —之範圍，或選自侧啊至5_ rpm之範圍。 3. 如β月求項1或2之裝置，其中該光學圓柱包含一自發射對 .比元件，该自發射對比元件經組態以發射該光束。 t长員3之裝置，其中該自發射對比元件安裝於該光學圓柱之一靜止部分上。 5_如請求項3之裝置，其中該光學圓柱包含多個自發射對比兀件，該等自發射對比元件係以一徑向間距予以配 154236.doc 201214058 置。 6. 如請求項5之裝置，其中每光學圓柱的自發射對比元件之數目係選自2個至4〇個之範圍、選自5個至2〇個之範圍’或選自8個至1 5個之範圍。 7. 如請求項4之裝置’其中在該基板上之投影影像平面處的該徑向間距係選自該裝置之一投影解析度的5〇%至抓之範圍、選自鳩至90%之範圍，或選自75%至跳之範圍。 8.如請求項7之裝置，μ該投影解析度小於或等於⑽ 米，或小於或等於5微米，或小於或等於2微米。 9·如請求項！或2之裝置，其中包含透鏡之該光學圓柱之一中心軸線的半徑係選自50毫米至500毫米之範圍、選自 1〇〇毫米至350毫米之範圍，或選自2〇〇毫米至25〇毫米之範圍。 10. 如请求項1或2之裝置，其中在該目標部分上該光束之該旋轉速率係選自25 m/s至400 m/s之範圍、選自％ m/s至 200 m/s之範圍’或選自8〇 m/s至140 m/s之範圍。 11. 如請求項1或2之裝置，其中該目標部分之該切線方向寬度係選自5毫米至40毫米之範圍、選自8毫米至2〇毫米之範圍，或選自10毫米至15毫米之範圍。 12. 如請求項1或2之裝置’其包含多個光學圓柱，每—光學圓柱具有一或多個自發射對比元件，該一或多個自發射對比元件經組態以將一光束投影於一各別目標部分上，該多個光學圓柱之該等各別目標部分係在垂直於該掃描 154236.doc 201214058 方向之一方向上間隔。 13.如叫求項I)之裝置，其中續蓉久拓丨。等各別目標部分覆蓋在垂直於该知描方向之該方向上該基板之尺寸。請求項⑷之裝置’其包含多個可旋轉光學圓柱或其 . 邵分。 . /求項1或2之裝置’其中在該掃描方向上及/或在垂直 =該掃描方向之該方向上的該等目標部分係部分地重 0 16.-種減小在如請求項1之微影裝置中—曝光時間除以一基板長度之方法，其包含選自以下各項之一或多者：增加每光學圓柱的自發射對比元件之數目；增加在可旋轉部分上該光學圓才主之一中心徑；、卞增加該可旋轉部分之旋轉頻率；減小一目標部分之寬度；〇 ⑸、化在該掃描方向上複數個光學圓柱之間的距離；及減小在該切線方向上一目標部分之寬度。 154236.doc