201209220 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關在薄膜狀的基材上，可以連續成膜之成 膜裝置。 【先前技術】 作為在處理室内的觸媒線上接觸原料氣體，利用原料 氣體之觸媒反應或是熱分解反應，使生成的分解種（堆積種） 堆積在成膜基板上的成膜法，已知有觸媒化學氣相成長法 (CAT-CVD : catalytic-Chemical Vapor Deposition)。例 如’在下述專利文獻1中揭示一種觸媒化學氣相成長裝 置’該裝置藉.由將設置在觸媒CVD室的蓋板之複數條觸媒 線通電加熱’對觸媒CVD室導入SiH4及NH3氣體，在基板 上形成SiN膜。 [先前技術文獻] (專利文獻） 專利文獻1:日本專利第4035011號公報 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 在觸媒化學氣相成長裝置中’基材與觸媒線之間的相 對距離愈短則成膜速率提高，可提高生產性。然而，如塑 膠薄膜般财熱性低之基材會發生熱變形，很難進行所期望 ，成膜。因此’殷切要求可以隔離觸媒線之熱而能持續保 護基材且高效率成膜的技術。 有鑑於如以上之實情，本發明之目的是提供在薄膜狀 323337 4 201209220 的基材不會發生熱變形，而能連續成膜的成膜裝置。 ； [解決課題之手段] . 為了達成上述目的，本發明相關的一個形態之成膜裝 置，係具備處理室（chamber)、主親筒（Main roll)、氣體 供給源、與複數條的觸媒線。 上述主輥筒具有旋轉軸與捲繞薄膜狀基材的外周圍 面，主輥筒沿上述旋轉軸周圍旋轉，持續冷卻捲繞在上述 外周圍面的上述基材，並在上述處理室内搬送。 上述氣體供給源係用以對捲繞在外周圍面的上述基材 供給原料氣體者，對上述外周圍面對向配置。 上述複數條之觸媒線，係設置在上述外周圍面與上述 氣體供給源之間，在上述原料氣體的分解溫度可發熱。 【實施方式】 [實施發明之最佳形態] 關於本發明之一實施形態的成膜裝置，係具備處理 室、主輥筒、氣體供給源、與複數條的觸媒線。 上述主輥筒具有旋轉轴與捲繞薄膜狀基材的外周圍 面，主輥筒圍繞上述旋轉軸而旋轉，持續冷卻捲繞在外周 圍面的上述基材，並在上述處理室内搬送。 上述氣體供給源，係用以對捲繞在上述外周圍面的上 述基材供給原料氣體者，對上述外周圍面對向配置。 上述複數條之觸媒線，係設置在上述外周圍面與上述 氣體供給源之間，在上述原料氣體的分解溫度可發熱。 在上述成膜裝置中，由氣體供給源向上述基材所供給 5 323337 201209220 的㈣氣體’係與已發熱之複數條的觸線接觸而分解， 外用^種在主㈣"基材表面堆積。主輥筒將捲繞在此 基材加以冷卻，持續防止基材的熱變形，在旋 轉的狀態下連續地搬送基材。藉此，基材得以 3又保護而不受觸媒線之熱影響，可以在基材上連續地 成膜。 、處理至’典型者係由可以維持減壓環境的真空處理室 構成。在處理室的内部，設置有捲出（脫捲）基材之捲出報 筒’與捲取基材之捲取㈣，峻筒係配置在從上述捲出 親筒向捲取婦方向之基材搬送路徑上。觸媒線的配置形 態雖無特靠定，但以在主㈣上的基材能得到廣面積範 圍相對向之方式設置觸媒線，對於基材可以均勻成膜。 例如，上述主輥筒可以將上述旋轉軸向水平方向配 置。此時，上述複數條觸媒線之每一條是在垂直方向折返 狀態下懸掛在上述處理室之内部，而在上述水平方向隔著 既定間隔分開排歹，J。 藉此’由於可以沿著主輥筒之外周圍面所捲繞基材的 寬方向配置觸媒綠，故對基材寬方向可以均勻成膜。 此時’上迷複數條觸媒線之每一條，也可以是如挾著 上述主親筒之方式在垂直方向折返（翻折）。藉此，沿著主 輥筒之外周圍面的周圍方向，由於各個觸媒線可以對向基 材’故在主輥筒上的基材可以有效率地進行成膜。 或疋’上述複數條觸媒線之每一條，也可以是將連接 電源之兩端部在水平方向以相互對向方式配置。藉此，由 6 323337
S 201209220 m • 於可以沿著主輥筒之外周圍面的寬方向配置觸媒線，故對 : 基材寬方向可以均勻成膜。 又，上述主輥筒為將上述旋轉軸向水平方向配置時， 上述複數條觸媒線之每一條是沿著上述水平方向延伸，也 可以在上述外周圍面的周圍方向隔著既定間隔分開排列。 藉此’由於沿著主輥筒外周圍面的寬方向及周圍方向，可 以使各觸媒線對向基材，故在主輥筒上的基材可以有效率 地進行成膜。 另一方面，上述主輥筒也可以將上述旋轉軸向著垂直 方向配置。此時，上述複數條觸媒線之每一條是在垂直方 向折返（翻折）狀態下懸掛在上述處理室之内部，在上述外 周圍面的周圍方向隔著既定間隔分開排列。藉此，由於沿 著主輥筒外周圍面的寬方向及周園方向，可以使各觸媒線 對向基材，故在主輥筒上的基材町以有效率地進行成膜。 以下，參照圖面說明本發明的實施形態。 〈第1實施形態〉 第1圖係表示有關本發明的第1實施形態之成膜裝置 的概略圖。圖中，X軸方向與γ軸方向表示互相垂直的水 平方向。Z軸方向表示分別與χ軸及Y軸垂直的垂直方向（鉛 直方向）。本實施形態的成膜裝置1，具有真空處理室10， 在真空處理室1〇之内部持續搬送薄膜狀的基材F，在基材 F上形成蒸鍍膜。 真空處理室10的内部藉由隔離板15分割成第1室R1 及第2室R2。在第1室R1設裏有分別用以將薄膜狀的基 323337 7 201209220 材F連續地捲出（脫捲）的捲出幸昆筒η，與將薄膜狀的基材 F捲取的捲取輥筒12。在第2室R2分別設置冷卻輥筒13(主 輥筒）與成獏源。第1室R1及第2室以是藉由真空泵ρι 及真UP2可以真空排氣到分別預定之壓力而構成。 捲出魏琦11及捲取輥筒12分別連接到設置在真空處 理至10外部之未圖示的驅動馬達，可分別圍繞平行X轴的 旋轉轴11a、12a旋轉。捲出親筒η支持裁斷成所定寬度 之基材F的輥筒體，向圖中箭頭所指示方向旋轉而連續地 送出基材F。捲取輥筒12是藉由向圖中箭頭所指示方向旋 轉而將從捲出輥筒11撒放的基材F捲繞錢筒狀。 作為基材F者，只要是有可撓性的薄膜狀都可以，並 無特別限制，例如，除了 PET(聚對笨二曱酸乙二酯）、〇pp(延 伸1丙烯）、PPS (聚苯硫化物）等絕緣性塑膠薄膜之外，可 以適用在表面形成金屬膜或絕緣膜的複合塑膠薄膜等。 冷部輥筒13是配置在自捲出輥筒u向捲取輥筒12的 基材F在第2室R2中的搬送途徑上《冷卻輥筒η具有與 X軸平行的旋轉軸13a，與捲繞基材F之外周圍面13b。在 冷部輥筒13的内部，設有循環冷卻水等冷卻媒的冷卻機 構，藉此，外周圍面13b被冷卻到所定溫度以下。 冷卻輥筒13之旋轉軸13a’係靠設置在真空處理室1〇 之外部未圖示的驅動馬達而旋轉驅動。外周圍面13b具有 比基材F的寬度還大的寬度，密著在基材F的非成膜面上。 、飞親靖疋在力疋轉轴周圍向箭頭所示方向旋轉，而 將捲繞在外周圍面13b的基材F持續冷卻，並在真空處理 8 323337 201209220 室10内搬送基材F。 : 同時，在隔離板15形成基材F可以通過的開口，在隔 . 離板15的開口，分別設置引導基材F由捲出輥筒11向冷 卻輥筒13搬送，以及引導基材F由冷卻輥筒13向捲取輥 筒12搬送的一對引導輥筒14。藉由引導輥筒14，能調整 在基材F的張力*可以防止在基材F上形成續紋。 上述成膜源具有供給成膜用的原料氣體之氣體供給源 16、分解原料氣體之觸媒線17、與防附著板18。氣體供給 源16具備：與冷卻輥筒13上的基材F以相對向方式沿著 外周圍面13b的周圍方向所排列的複數個喷嘴單元160。 各個喷嘴單元160具有吐出原料氣體的喷嘴本體161，與 圍繞喷嘴本體161周圍的引導筒162。觸媒線17設置在冷 卻輥筒13之外周圍面13b與氣體供給源16之間，在原料 氣體的分解溫度形成可發熱的發熱體。防附著板18是以圍 繞氣體供給源16周圍的方式形成略為圓弧狀之彎曲狀，藉 著安裝肋材（assembling rib)l8a固定在真空處理室10的 内面。防附著板18具有防止在真空處理室10的内壁面附 著成膜材料之機能。 本實施形態中，各個喷嘴單元160，係沿著冷卻輥筒 13的軸方向延伸，在周圍方向隔著既定間隔分開排列在防 附著板18的内周面上。喷嘴單元160的喷嘴本體161，係 在防附著板18側具有氣體的喷出口。由上述喷出口喷出的 氣體，係向冷卻輥筒13而在防附著板18及引導筒162的 各個内面反射。 9 323337 201209220 如此之氣體供給源16，係將原料氣體均勻地供給到觸 媒線17並有效率地分解原料氣體，對冷卻輥筒13上的基 材F之成膜面全區均等地供給原料氣體之分解種。喷嘴單 元160的排列數、排列間隔、引導筒162的形狀等，係對 於觸媒線17或基材F的成膜面能均勻供給原料氣體之方式 而適當設定。防附著板18及引導筒162，係具有作為防著 構材的機能，用以防止對喷嘴本體161的喷出口附著原料 氣體的分解種。 原料氣體是對應在基材F成膜之材料種類而適當選 擇。例如形成矽（Si)膜時，原料氣體使用矽烷（SiH4)與氫 氣（H2)的混合氣體。形成氮化矽膜時，原料氣體使用矽烷、 氫氣、氨氣（NH3)等，形成氧化矽膜時，可使用矽烷、氫氣、 氧氣、一氧化二氮等。 觸媒線17是由通電之焦耳熱可發熱的金屬線所形 成，例如由鎢、鉬、钽等高融點金屬所形成。觸媒線17藉 由加熱到可分解原料氣體的溫度（例如1700°C以上），將由 氣體供給源16所供給的原料氣體熱分解，在基材F上堆積 而生成堆積種。觸媒線17的線徑、長度、根數、排列間隔 等，係對應所要求的成膜品質而適當設定。 第2圖是冷卻輥筒13的斜視圖，表示冷卻輥筒13與 觸媒線17的配置關係。複數條的觸媒線17是在冷卻輥筒 13的周圍，沿著冷卻輥筒13的軸方向（X軸方向）隔著既定 間隔分開配置。本實施形態中，複數條觸媒線17之每一 條，係以如挾著冷卻輥筒13的方式在垂直方向（Z方向）折 10 323337 201209220 .； 返（翻折）之狀態下懸掛在真空處理室ίο的内部。藉此，基 ; 材F是在冷卻輥筒13的外周圍面13b上與觸媒線17相對 . 向。 如第1圖所示，各觸媒線17的一方端部是與第1給電 端子191連接，另外一方端部是與第2給電端子192連接。 各個第1及第2給電端子191、192，係對應個別的觸媒線 17而設置複數個，分別與設置在真空處理室10的外部未 圖示之電源單元連接。對於觸媒線17之給電方法並無特別 限定，可以是直流也可以是交流。在第1圖之例，給電端 子191、192是在Y軸方向以互相對向方式設置在隔離板 15上，代替此者，也可以在真空處理室10之内部設置支 持給電端子191、192的水平方向延伸之構材。 又，各個自第1室R1的給電端子191、192貫通隔離 板15，以向第2室R2突出的形式，設置端子蓋193。將經 由端子蓋193所懸掛的各個觸媒線17之侧面周圍，以端子 蓋193為在室R2内向垂直方向以距離50mm至100mm程度 全部覆蓋。藉由該端子蓋193，因為使觸媒線17的根部不 接觸原料氣體，縱然各個觸媒線17的溫度藉由來自給電端 子191、192的放熱而變化，在觸媒線17的根部也不會產 生觸媒線17與原料氣體的反應物，可以防止觸媒線17的 脆化。 各個觸媒線17的懸掛狀態，係與冷卻輥筒13的周圍 方向有關，與冷卻報筒13的外周圍面13b的距離以成為一 定或幾乎一定之方式來調整。藉此，關於冷卻輥筒13的周 11 323337 201209220 圍方向，對棊材F的成膜率可以維持一定。又，分別支持 觸媒線17兩端部的給電端子191及給電端子192，並不限 定在與Y轴平行的方向以相互對向之方式配置的情形。例 如在第3圖所示之模式，也可以不相互對向而將任何一方 移位配置在X轴方向。藉此^可以提南有關基材F的寬方 向之膜厚均勻性。 其次，說明有關如以上結.構的本實施形態的成膜裝置 1的動作。 在捲出輥筒11安裝有基材F的輥筒體，基材F是經由 冷卻輥筒13及引導輥筒14，塔設至捲取輥筒12。真空處 理室10的各室Rl、R2，係藉由真空泵PI、P2真空排氣到 所預定的壓力。各個觸媒線17，係介由給電端子191、192 通電，例如加熱到1700°C以上的高溫。冷卻輥筒13，係在 内部循環供給冷卻媒，冷卻外周圍面13b到防止基材F發 生熱變形之溫度。由氣體供給源16的各個喷嘴單元160所 吐出的原料氣體，係在接近或接觸已發熱的觸媒線17而熱 分解。因此，藉由熱分解所生成的堆積種，附著、堆積在 基材F上。 捲出輥筒11、捲取輥筒’12及冷卻輥筒13，係圍繞各 個旋轉轴向圖中箭頭所示方向分別以等速度旋轉。藉此， 基材F是由捲出輥筒11連續送出，以圍繞在冷卻輥筒13 的外周圍面13b的狀態下接受成膜處理後，往捲取輥筒12 捲繞。 在本實施形態中，基材F由於維持對冷卻輥筒13的外 12 323337 201209220 周圍面13b之密著狀態，而防止起因於觸媒線17的輻射熱 之熱變形，可確保對基材F的安定成膜。因此，為了在旋 轉軸13a的周圍旋轉之冷卻輥筒13上實施對基材F之成 膜，可以對長邊方向的薄膜狀基材F進行連續的成膜處 理，可以提高生產性。 又，在本實施形態中，構成喷嘴單元160的喷嘴本體 161之氣體喷出口，係相對向於與冷卻親筒13側相反側的 防附著板18。藉此，可均勻地供給原料氣體到觸媒線17 使原料氣體有效率地分解，對於在冷卻輥筒13上的基材F 之全區成膜面可以均等地供給原料氣體之分解種。又，藉 由與觸媒線17接觸所生成的原料氣體之反應生成物，由於 可以降低對喷嘴本體161的氣體喷出口之附著確定率，故 可以維持長期安定地由氣體供給源16供給原料氣體。 再者，在本實施形態中，由於觸媒線17是靠其本身重 量以垂下的狀態懸掛在真空處理室10内，故可以抑制因觸 媒線17的延伸造成與冷卻輥筒13的相對位置之變動，可 以長期安定地成膜。 〈第2實施形態〉 第4圖及第5圖表示本發明的第2實施形態相關的成 膜裝置，第4圖表示冷卻輥筒與觸媒線的配置關係中主要 部分的正面圖，第5圖表示此等關係中主要部分的斜視 圖。在本實施形態，省略或簡化與第1實施形態的構成及 作用相同部分之說明，將以與第1實施形態相異部分為中 心加以說明。 13 323337 201209220 本實施形態的成膜裝置2，具備如第1圖所示之具有 第1室R1及第2室R2的真空處理室、設置在第2室R2的 冷卻輥筒13、與複數的氣體供給源26、以及複數條的觸媒 線27。 氣體供給源26，係配置成與冷卻輥筒13的外周圍面 13b相對向。氣體供給源26，係用以對捲繞在外周圍面13b 的基材F供給原料氣體者，具有與第1實施形態相同構成 的複數個喷嘴單元260。氣體供給源26，係如挾住冷卻輥 筒13般在Y軸方向以相對向方式分別配置在冷卻輥筒13 的兩側，各個喷嘴單元260，係在X軸方向平行延伸，而 分別排列在Z軸方向。各個喷嘴單元260，係分別被支撐 在防附著板28上。 各條觸媒線27，係以在垂直方向（Z軸方向）翻折之狀 態懸掛在真空處理室内部，在冷卻輥筒13兩側各有複數 條，沿著冷卻輥筒13的軸方向（X軸方向）隔著一定的間隔 分別分開設置。各觸媒線27被設置在氣體供給源26與冷’ 卻輥筒13之間，在原料氣體的分解溫度以上加熱。觸媒線 27的線徑、長度、根數、排列間隔等，係對應所要求的成 膜品質而適當設定。在第5圖的例子，在基材F的寬方向 相關的觸媒線27成為等間隔方式，觸媒線27折返的間隔 與排列間隔設定成略為相同大小。藉此，可以提高對基材 F的成膜均勻性。 各個觸媒線27的兩端部，在冷卻輥筒13的軸方向（X 軸方向）是以相互對向方式配置。藉此，由於各觸媒線27 14 S; 323337 201209220 .. 與冷卻輥筒13之間的距離為—中从+ # • 勹疋，故在基材F的寬方向可 :以一樣地成膜。又，有關在冷卻幸昆筒13上的基材F之搬送 :方向，雖然也可以將位在上游側之觸媒線27與位在下游側 之觸媒線27以在Y轴方向相互斜m 州互對向而配置，但也可以不互 相對向而配置。藉此’由於可以沿著冷顿筒13的外周圍 面13b的寬方向配置觸媒線27，故可能求得基材f寬方向 膜厚之均一化。 如以上構成的本實施形態成膜裝置2中，可以得到與 上述第1實施形態相同的作用效果。亦即，由於基材F維 持對冷卻輥筒13之外周圍面13b的密著狀態，故能防止由 觸媒線27之起因於輻射熱導致的熱變形，能確保對基材F 的安定成膜。又，由於在旋轉軸13a周圍旋轉的冷卻輥筒 13上對基材F實施成膜，故可以對長邊方向的薄臈狀基材 F連續實施成膜處理，可以提高生產性。 再者，本實施形態中，觸媒線27，由於是靠其本身的 重量以垂下的狀態懸掛在真空處理室内’故可以抑制由於 觸媒線27的延伸而造成與冷卻親筒13的相對位置之變 動，可以長期安定地成膜。 0046 〈第3實施形態〉 第6圖及第7圖表示本發明的第3實施形態相關的成 膜裝置，第6圖表示冷卻輥筒與觸媒線的配置關係中主要 部分的正面圖，第7圖表示此等關係之主要部分的斜視 圖。在本實施形態，省略或簡化與第1實施形態的構成及 323337 201209220 作用相同部分之說明，將以與第1實施形態相異部分為中 心加以說明。 本實施形態的成膜裝置3，具備如第1圖所示的具有 第1室R1及第2室R2的真空處理室、設置在第2室R2的 冷卻輥筒13、氣體供給源36、以及複數根的觸媒線37。 氣體供給源36，係配置成與冷卻輥筒13的外周圍面 13b相對向。氣體供給源36，係用以對捲繞在外周圍面13b 的基材F供給原料氣體者，具有與第1實施形態相同構成 的複數個喷嘴單元360，各個喷嘴單元360，係在X軸方向 平行延伸，沿著冷卻輥筒13的周圍方向以圍繞冷卻輥筒 13之方式而排列。各個喷嘴單元360是分別被支撐在防附 著板38上。 另一方面，複數條的觸媒線37，係分別沿著冷卻輥筒 13的轴方向（X軸方向）延伸，在冷卻輥筒13的周圍方向隔 著既定間隔而分開排列。各觸媒線37設置在氣體供給源 36與冷卻輥筒13之間，加熱到原料氣體的分解溫度以上。 觸媒線37的線徑、長度、根數、排列間隔等，係對應所要 求的成膜品質而適當設定。 觸媒線37的兩端部，分別與未圖示的給電端子連接。 上述給電端子也可以固定在真空處理室的内壁，也可以固 定在設置於真空處理室的内部之任意結構體上。又，也可 以在觸媒線37的兩端部與給電端子之間，插入彈簧等彈性 構材。藉此，觸媒線37的本身重量或是由於熱所導致的延 伸會經由上述彈性構材而被吸收，藉由觸媒線37的彎曲而
16 323337 S 201209220 Λ .: 可以抑制形狀變化。 - 在如以上構成的本實施形態之成膜裝置3中，也可以 _ 得到與上述第1實施形態相同的作用效果。亦即，由於基 材F維持對冷卻輥筒13之外周圍面13b的密著狀態，而能 防止來自觸媒線37之輻射熱所導致的熱變形，能確保對基 材F的安定成膜。又，由於在旋轉軸13a周圍旋轉的冷卻 輥筒13上對基材F實施成膜，故可以對長邊方向的薄膜狀 基材F連續實施成膜處理，可以提高生產性。 〈第4實施形態〉 第8圖表示有關本發明第4實施形態的成膜裝置中， 冷卻輥筒與觸媒線的配置關係之主要部分的斜視圖。在本 實施形態，省略或簡化與第1實施形態的構成及作用相同 部分之說明，將以與第1實施形態相異部分為中心加以說 明。 本實施形態的成膜裝置4，具備如第1圖所示之具有 第1室R1及第2室R2的真空處理室、設置在第2室R2的 冷卻輥筒43、氣體供給源、以及複數根的觸媒線47。 在本實施形態，冷卻輥筒43具備沿著垂直方向（Z軸 方向）配置的具有旋轉軸43a之圓筒形狀，在其之外周面捲 繞著基材。氣體供給源，即使在圖中未顯示，由於也是對 捲繞在冷卻輥筒43的外周面之基材F供給原料氣體者，故 有與第1實施形態相同結構的複數個喷嘴單元。各個喷嘴 單元是在Z軸方向平行延伸，以沿著冷卻輥筒13的周圍方 向圍繞冷卻輥筒43之方式排列。 17 323337 201209220 各條觸媒線47設置在氣體供給源與冷卻輥筒43之； 間，加熱到原科氣體的分解溫度以上。觸媒線47的_、： 長度、根數、排關隔等，對應所要求的成膜品質而^當： 設定。在第8圖的例子中’在基材F的長邊方向(搬送；： 向），觸媒線—47成為等間隔般，將觸媒線4?的折返間隔與 排列間隔設定成相同的大小。藉此’可以提高對基材/的 成膜均—性。 本實施形態中，各觸媒線47,係在垂直方向（z軸方向） 折返狀態下懸掛於真线理室之内部，沿著冷卻輥筒43的 周圍方向以隔著一定間隔分別設置。藉此，由於沿著冷卻 輥筒43的外周面之寬方向及周圍方向使各觸媒線 材相對向，故冷卻輥筒43上的基材可以有效率地進行成 膜。 在如以上構成的本實施形態的成膜裳置4中，也可以 得到與上述之第1實施形態相同的作用效果。亦即，能防 止來自觸媒線47之因輕射熱所導致的熱變形，能確保對基 材F的安定成膜。又’由於在旋轉軸43a周圍旋轉的冷卻 輥筒43上對基材F實施成膜，故可以對長邊方向的薄膜狀 基材連續地實施成膜處理，可以提高生產性。 再者，本實施形態中，由於觸媒線47疋罪其本身的重 量以垂下的狀態懸掛在真空處理室内，故可以抑制由觸媒 線47的延伸造成與冷卻輥筒43的相對位置之變動，可以 長期安定地成膜。 然而，如第8圖所示，藉由使觸媒線47的折返部‘Μ 323337 18 201209220 位於比冷卻輥筒43的下端更下方的方式來設定觸媒線47 的長度，對於在冷卻輥筒43上的基材可以只將觸媒線47 的直線部相對向。藉此，可以使由觸媒線47使活性化的成 膜材料粒子密度幾乎均一地放射到基材上。 以上，雖說明了有關本發明的實施形態，但本發明並 不侷限於此等實施形態，根據本發明的技術思想可以有各 種的變形。 例如在以上的實施形態，雖舉例說明形成矽膜、氧化 矽膜、氮化矽膜等矽系薄膜的情形’但即使形成矽系以外 的薄膜也可以適用本發明。 又’組合上述的複數實施形態也可能構成成膜裝置。 例如，也可以構成第1實施形態說明的觸媒線與在第2實 施形態及/或第3實施形態說明的觸媒線混合的成膜裝 置。 、、 【圖式簡單說明】 第1圖是有關本發明的第1實施形態之成膜裝置的概 要截面圖。 第2圖是第1圖所示成膜裝置的主要部分之概要斜視 圖。 第3圖是第1圖所示成膜裝置的主要部分之概要平面 圖。 第4圖疋有關本發明的第2實施形態之成膜裝置的主 要部分之概要正面圖。 第5圖是第4圖所示成膜裝置的主要部分之概要斜視 c 19 323337 201209220 圖。 第6圖是本發明的第3實施形態之成膜裝置的主要部 分之概要正面圖。 第7圖是第6圖所示成膜裝置的主要部分之概要斜視 圖。 第8圖是有關本發明的第4實施形態之成膜裝置的主 要部分之概要斜視圖。 【主要元件符號說明】 卜 2、3、 4成膜裝置 10 真空處理室 11 捲出報筒 11a 旋轉軸 12 捲取輥筒 12a 旋轉軸 13、43 冷卻親筒 13a、43a旋轉軸 13b 外周圍面 14 引導輥筒 15 隔離板 16 、 26 、 36氣體供給源 17 、 27 、 37、47觸媒線 18 防附著板 18a 安裝肋材 160 喷嘴單元 161 喷嘴本體 162 引導筒 191 ' 192 給電端子 193 端子蓋 F 基材 PI > P2 真空泵 R1 第1室 R2 第2室
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