201205873 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用金屬基板之半導體發光元件之製 造方法’特別是關於在氮化物半導體上形成金屬基板之半 導體發光元件之製造方法。 【先前技術】 氮化物半導體元件可發出高輸出之短波長的光，作為藍 色、綠色LED或與螢光體組合成之白色LED(Light Emitting Diode :發光二極體）被廣泛利用。 又’氮化物半導體元件，亦作為HEMT(High Electron Mobility Transistor :高電子移動度電晶體）等之高速電子 設備而在近年來盛行研究。 氮化物半導體元件雖可藉由於與欲使成長之半導體同種 之GaN基板上使氮化物半導體層同質磊晶成長而製造，但 GaN基板價格較高。因此，氣化物半導體元件一般係於與 欲使成長之半導體異種之藍寶石等之基板（成長基板）上使 氮化物半導體層異質磊晶成長而製造。 然而，存在因藍寶石係絕緣性者而難以形成垂直型之半 導體兀件之問題，$因藍寶石之熱傳導率低而未能對應流 動大電流之半導體元件之問題等。 針對上述問題，已知有於氮化物半導體層上形成導電性 基板之氮化物半導體元件（參照專利文獻〗）。記載於專利文 獻1中之氮化物半導體元件係在同時製造複數之元件之晶 圓步驟中，於在藍寶石基板上異質蟲晶成長之氮化物半導 156087.doc 201205873 體層之上’將作為異種基板之導電性基板積層，且剝離藍 寶石基板，藉此將氮化物半導體層移向導電性基板，再藉 由切割將其個片化。 又，作為代替金屬板而將鍍敷層作為基板進行利用者， 討論有於氮化物半導體層上藉由鍍敷法形成具導電性且熱 傳導率高的金屬基板之氮化物半導體元件（例如，參照專 利文獻2〜4)。 例如，專利文獻3記載之氮化物半導體元件之製造方 法’係在製造複數之元件時，藉由於成長基板上形成溝， 對應欲製造之各元件預先分割氮化物半導體層，且以犧牲 層充填氮化物半導體層’並於P型半導體層上及犧牲層上 利用鍍敷法形成鍍敷基板，且在剝離成長基板後除去犧牲 層，並對應各元件分割鍍敷基板。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2001-244503號公報 [專利文獻2]曰本特開2007-142368號公報 [專利文獻3]曰本特開2007-081312號公報 [專利文獻4]曰本特開20〇7_088048號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，例如專利文獻1所記載之製造方法，於氮化物半 導體層上以金屬鍛敷形成支持基板並進行晶圓步驟之情 形’因鑛敷層較金屬板更薄，故存在各種問題。例如，剝 156087.doc 201205873 離成長基板後，若因金屬鍵敷之應力引起之勉曲變形，使 氮化物半導體層與鍍敷基板發生翹曲，則會使其後之步驟 變得困難。又，亦存在例如切割金屬鍍敷困難之問題。再 者’為避免晶圓步驟中的問題，若以個別元件之狀態形成 藉由金屬鍍敷之支持基板，則會導致量產性變差。 例如，根據專利文獻3所記載之技術，藉由於成長基板 上設置溝且對應各元件預先分割氮化物半導體層，可減輕 剝離成長基板後之半導體層之翹曲之影響，但為此須進行 以犧牲層充填預先設置之溝之步驟、與其後除去犧牲層之 步驟，故製造方法複雜。 本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種 可減小半導體層與鍍敷基板之翹曲、量產性優良且構造簡 單的半導體發光元件之製造方法。 [發明所欲解決之問題] 為解決上述問題，本發明之半導體發光元件之製造方 法，其係使用鍍敷基板作為支持基板來製造複數之元件 者’其特徵在於進行：於成長基板上形成至少以η型氮化 物半導體層、包含氮化物半導體之活性層、ρ型氮化物半 導體層之順序積層之氮化物半導體層之步驟；於上述氣化 物半導體層之上面對應各元件形成ρ電極層之步驟；在形 成於上述氮化物半導體層之上面之Ρ電極層間形成ρ保護層 而覆蓋上述氮化物半導體層之上面之步驟；於上述Ρ電極 層及Ρ保護層之上形成種晶層之步驟；在上述種晶層之上 面元件間之邊界線上之一部份形成絕緣層之步驟；於上述 156087.doc •6· 201205873 種晶層上形成鍍敷層之步驟；藉由除去上述絕緣層，在元 件間之邊界線上之上述鏡敷層之一部份形成縫隙部，作^ 鍍敷基板之步驟；自上述氮化物半導體層剝離上述成長基 板之步驟；自藉由剝離上述成長基板而顯現之氮化物半二 體層之η型氮化物半導體層側之表面’沿元件間之邊界 線，於上述氮化物半導體層上形成溝之步驟；於上述氮化 物半導體層之η型氮化物半導體層侧之表面上對應各元件 而形成η電極層之步驟；及沿元件間之邊界線切斷上述鍍 敷基板之步驟。 根據該程序，半導體發光元件之製造方法，係於氮化物 半導體層之ρ侧，在元件間之邊界線上鍍敷層之一部份形 成縫隙部而作為鍍敷基板，因此，該狀態下，各元件係在 形成於鍍敷基板上之縫隙部間相連接。且，如此由鍍敷層 形成鍍敷基板，進而自氮化物半導體層剝離成長基板後， 藉由鍍敷基板之縫隙部緩和金屬鍍敷之應力，故可減小氮 化物半導體層錢敷基板之_曲。又，因如此減小氮化物 半導體層於鍍敷基板之翹曲，故在成長基板剝離後，可於 鍍敷基板上之氮化物半導體層上容易地形成溝。且，在沿 元件間之邊界線切斷鍍敷基板之步驟中，無須切斷氮化物 半導體層，且，可在鍍敷基板之縫隙部之位置部位切斷ρ 保護層及種晶層。因此，可容易地切斷將鍍敷基板之縫隙 邛與縫隙部之間鄰接之元件連接之部份。因此，無須如先 月IJ之減小翹曲之技術般，進行自氮化物半導體層剝離成長 基板别於氮化物半導體層上形成溝且以犧牲層充填之步 156087.doc 201205873 驟、或除去犧牲層之步驟β 又，本發明之半導體發光元件之製造方法，宜以相同材 料組成上述種晶層與上述鍍敷層。藉此，提高鍍敷層之密 著性。 又’上述鍍敷基板宜包含選自Ni、Cu、Au中至少一 者。藉此，利用電解鍍敷法，可於未形成有絕緣層之部位 選擇性地容易地形成鍍敷層。又，絕緣層宜為可容易除去 之抗姓劑。 [發明效果] 根據本發明，可提供一種晶圓步驟中之翹曲變形減少、 亦容易切割之具有高量產性之金屬鍍敷基板之半導體發光 元件之製造方法。 【實施方式】 以下，結合圖面詳細說明用以實施本發明之半導體發光 元件之製造方法之形態。圖丨係顯示藉由本發明實施形態 之半導體發光元件之製造方法在分離各元件之前生成之元 件集合體，圖2係顯示經分離之半導體發光元件。 [半導體發光元件之構成概要] 如圖2所不，半導體發光元件1，於鍍敷基板8之表面上 形成有包含氮化物半導體層1〇、p電極層4、p保護層7、及 種晶層9之氮化物半導體。氮化物半導體層1〇具備n型氮化 物半導體層11、包含氮化物半導體之活性層12、及ρ型氮 化物半導體層13。此處，ρ電極層4及1?保護層7之上，有ρ 型氮化物半導體層13、活性層12、η型氮化物半導體層u 156087.doc 201205873 依此順序積層。氮化物半導體層10之上面形成有n電極層 5。 氮化物半導體層10之上面之η電極層5以外之部份、與 侧面上’以覆蓋氮化物半導體層1〇之方式形成有η保護層 6。 另’關於半導體發光元件之各部份之細節請容後述。 [元件集合體之構成] 在圖1所示之元件集合體2中，與半導體發光元件1相同 之構成中，附有相同之符號。元件集合體2表示形成η保護 層6前之狀態。圖i(a)作為一例係將3χ3之9個元件之部份作 為元件集合體2顯示。另，該等元件之周圍亦同樣並設有 元件。氮化物半導體層10以平面觀察呈大致矩形。 元件集合體2之發光側（表面側）上，如圖1(b)所示，沿元 件間之邊界線分別形成有縱方向與橫方向之特定寬度之溝 35。平面而視，如圖！⑷所示，縱方向之溝％之寬度與橫 方向之溝35之寬度相等，溝35與橫方向之溝35交差之交差 點上形成有十字形狀部。藉由以該等溝35之中心線切斷而 個片化為各半導體發光元件i。切割道係較該等溝h之寬 度更窄之通過溝35之中心線之區域。將以該切割道為邊界 線，對應半導體發光元件1而形成之區域單稱為元件。各 元件以平面觀察呈大致矩形。 土似畏一 ，斯圃UC)所示 元件之鍍敷基板8與鄰接之元件之鍍敷基板8 二連：。又’元件間之邊界線上之-部份形成有縫B 4〇。該縫隙部4G呈十字之形狀，分別形成於元件牟人 之發光側所形成之縱方向之溝35與橫方向之溝抑、二 156087.doc 201205873 ί =與=形狀部對向之位置上。縫隙部40為切割道之 产：向於溝35之縫隙部4。之十字之寬度較溝35之寬 又 13，溝35之寬度係設置為較縫隙部40之寬产争 寬縫隙。卩40之厚度係以與鍍敷基板8之厚度相 : =二未貫通…於Μ之4個元件之間各形成二 ' 即，鍍敷基板8中，鄰接之2個元件係以邊界線 上之縫隙部40與縫隙部⑽之間之㈣層連接。元件集合體 2係藉由縫隙部40緩和金屬鍍敷之應力，故能夠減小：化 物半導體層10與鍍敷基板8之翹曲。 [半導體發光元件之各部分的構成] (P電極層） P電極層4，通常能舉例可作為電極使用之材料。例如， 可舉出鋅（Zn)、鎳（Ni)、白金（pt)、鈀（pd)、铑（Rh)、釕 (Ru)、鐵（〇s)、銥（Ir)、欽（Ti)、結（Zr)、姶（Hf)、釩⑺、 銳（Nb)、组（Ta)、始（c〇)、鐵（Fe)、猛（Mn)、|g(Mo)、鉻 (Cr)、鎢（w)、鑭（La)、銅（Cu)、銀（Ag)、紀（Y)等之金屬 或Ni-Au、Ni-Pt等之合金。 (η電極層） η電極層5 ’通常能舉例可作為電極使用之材料。又，例 如’亦可以自鍍敷基板8之側以Ti/Al之順序積層之2種金屬 構成。同樣’亦可以如 Ti/Pt/Au、Ti/Al/Pt/Au、W/Pt/Au、 V/Pt/Au之順序積層之3種以上之金屬構成。 (η保護層、ρ保護層） η保護層6包含絕緣膜，特別宜包含氧化膜^ η保護層6例 156087.doc •10· 201205873 如宜包含Zr氧化膜（Zr02)或Si02。 η保護層6可以例如濺鍍法、EcR(Electron Cyclotron Resonance :電子迴旋加速器共鳴）賤鍍法、CVD(Chemical
Vapor Deposition :化學氣相成長）法、eCR_CVD法、ECR- 電漿CVD法、蒸鍍法、EB法（Electron Beam :電子樑蒸鑛 法）等之已知之方法而形成。其中較好為以ECr濺鍍法、 ECR-CVD法、ECR-電漿CVD法等形成。 P保護層7亦與η保護層6相同》 (鍍敷基板） 作為鍍敷基板8之材料，可使用能夠鍍敷之金屬。作為 鑛敷基板8之材料’例如宜包含選自Ni、cu、Au中至少一 者藉此，利用電解鑛敷法，能夠於未形成有絕緣層之部 位選擇性地容易地形成鍍敷層。因此，以金屬作為材料使 用電解鍍敷法形成鍍敷基板8之步驟中，於作為鍍敷基板8 之縫隙部40而未形成鍍敷層之部位預先設置絕緣層。 (種晶層） 作為種晶層9之材料，對應鍍敷基板8之材料，例如，能 夠使用Ni、Cu、Au等之金屬或合金。種晶層9之材料若與 鐘敷層之材料相同，則可提高密著性’故較好為使用相同 材料。種晶層9例如可使用已知之義法或驗法等而形 成。 (氮化物半導體層） 氮化物半導體層10中，η型氮化物半導體層u&p型氣化 物半導體層13中之一方或雙方亦可以複數之氮化物半導體 156087.doc • 11 · 201205873 層構成。又，活性層12為單層或多層均可。因此，例如， η型氮化物半導體層U&p型氮化物半導體層13可分別以對 應接觸層、熔覆層等之必要功能之複數之層而構成，能夠 實現對應用途之發光特性。 作為η型氮化物半導體層丨丨之接觸層，例如可舉出摻雑 Si之η型GaN層，作為η型氮化物半導體層u之熔覆層例 如例可舉出摻雑Si之n型AlGaN層.。作為p型氮化物半導體 層13之接觸層，例如可舉出摻雜河8之1)型（}&]^層，作為p型 氮化物半導體層13之熔覆層，例如可舉出摻雑型 AlGaN層。作為活性層12，可為InGaN層、GaN與111(5^之 單或夕重量子井層、包含InGaN障壁層、與該層組成比 不同之InGaN井層之單一或多重量子井層等。又，n型氮化 物半導體層11及ρ型氮化物半導體層13亦可進而包含不摻 雑之氮化物半導體層。 [半導體發光元件之製造方法] 本發明實施形態之半導體發光元件之製造方法係使用鍍 敷基板作為支持基板來製造複數之半導體發光元件之方 法。參照圖3〜圖1 〇說明切割成各半導體發光元件1前之製 造步驟。 首先’如圖3 (a)所示’例如在藍寶石等之成長基板3〇 上’例如藉由有機金屬氣相成長法（M〇CVD法）使氮化物半 導體層10成長。此時，於成長基板3〇上，藉由以η型氮化 物半導體層11、活性層12、ρ型氮化物半導體層丨3之順序 積層而形成氮化物半導體層1〇β即，氮化物半導體層1〇之 156087.doc 12 201205873 上面為P型氮化物半導體層13，與圖2〇5)之剖面圖上下反 轉。 其次，如圖3(b)、（c)所示，在氮化物半導體層ι〇之上面 對應各元件形成P電極層4 ^即，例如，於圖1(b)所示之氮 化物半導體層10之下的位置上形成p電極層此時，在之 後之步驟中位於形成η電極層5之部份之下的部位、或位於 形成溝3 5之部份之下的部位，不成膜而留出縫隙。此處， 係令位於形成溝35之部份之下的部位之縫隙的寬度，較之 後之步驟中形成之縫隙部40之寬度更寬。ρ電極層4之成膜 方式並無特別限定，例如可使用磁控濺鍍法。另，圖 3(a)、圖3⑷以後之剖面圖主要為圖3(b^B_B線剖面圖。 其次’如圖4⑷、（b)所示，於氮化物半導體層ι〇之上面 所形成之P電極層4與p電極層4之間形保護層7並覆蓋氮 化物半導體層1G之上面。，此時，於之後之步驟中位於 形成η電極層5之部份之下的部位形❹保護層7。藉此，能 夠提高發光效率。又，同時，Ρ保護層7亦形成於之後之步 驟中位於形成㈣道之溝35之部份之下的部位。形成於位 於相當切割道之部份之下的部位上之?保護層7之寬度係形 成為較切割道之寬度更大1，形成於該部位之ρ保護層7 之寬度係較之後之步驟中形成之 此，__。？保護層7之成膜方法無特別 如可使用ECR濺錄法。 ,、人如圖5(a)、（b)所不，在ρ電極層4及ρ保護層7上形 成種晶層9。種晶層9雖較好為經由ρ電極層⑽保護層7而 156087.doc -13· 201205873 覆蓋氮化物半導體層10之上面整體，但在之後之步驟中若 月b夠覆蓋形成之縫隙部40之部位，則覆蓋一部份亦可。種 晶層9例如可以濺鍍法形成。 其次，如圖6(a)所示，於種晶層9之上面元件間之邊界線 上之一部份，形成絕緣層20。該絕緣層20係在之後之步驟 中為於鍍敷層之一部份形成縫隙部40而設置者。絕緣層 例如可使用遮罩處理或圖案化通常使用之抗钮劑，以 可在之後之步驟中容易地除去。例如，如一般的圖案化中 使用眾所周知之光微影技術之情形下，圖1(c)所示之成為 縫隙部40之部位例如係利用光致抗蝕劑覆蓋。即，該情形 下，種晶層9上，元件之鍍敷基板8、與鄰接之元件之鍍敷 基板8以一部份連接之部份以外係利用光致抗蝕劑覆蓋。 藉此，如圖6(a)以剖面所示，p保護層7之中，形成於相當 切割道之部份之下之p保護層7之上，經由種晶層9而形成 有絕緣層20。另，在之後之步驟中，於相當η電極層5之部 伤之下所形成之Ρ保護層7上未形成有絕緣層20。 其次’如圓6(b)所示’於種晶層9上形成鍍敷層。使用 鍍敷法之情形下，可使用電解鍍敷、無電解鍍敷任一之方 法°例如藉由以電解鍍敷法形成Ni鍍敷，於種晶層9上之 被、’色緣層20覆蓋之部份以外形成藉由Ni鑛敷之鑛敷基板 8 〇 此處’參照圖7說明鍍敷基板8之形狀。 於圖7(a)顯示被絕緣層20覆蓋之部份以外所形成之鍍敷 基板8之上面圖。於圖7(b)顯示圖7(a)之B-B線剖面。又， 156087.doc •14· 201205873 於圖7(c)顯示圖7(a)之C-C線剖面，於圖7(d)顯示圖7(a)之 D · D線剖面。 圖7(b)所示之Β-Β線剖面與圖7(d)所示之D-D線剖面中， 鍍敷層中於鄰接之元件間形成有絕緣層20 ^與此相對，如 圖7(c)所示’ C-C線剖面中，鍍敷層中鄰接之元件間連續 地形成有鍍敷基板8。另，如圖7(d)所示，D-D線剖面中， P保護層7僅形成於絕緣層20之下，如圖7(b)所示，b_b線 剖面中’ P保護層7係形成於絕緣層20之下及相當於後續步 驟中之η電極層5之部份之下。 鐘敷層形成後，如圖6(c)所示，藉由除去絕緣層2〇 ,在 元件間之邊界線上之鍍敷層之一部份形成縫隙部4〇，作為 鍍敷基板8 ^ 其次’如圖6(d)所示，自於成長基板3〇上形成有氮化物 半導體層10之側的相反侧之面，朝氮化物半導體層1〇以符 號100之箭頭所示之方式，照射特定波長之雷射。藉此， 自氮化物半導體層10剝離成長基板3〇。此處，本步驟中可 使用可透過包含藍寶石之成長基板3〇而於η型氮化物半導 體層11吸收之雷射光。即，若將雷射光以例如6〇〇 mJ/cm2 左右之特定強度自成長基板30側進行照射，則可於位於成 長基板30與η型氮化物半導體層11(參照圖2(b))之邊界附近 之η型氮化物半導體層u吸收，且於其邊界附近發熱，而 藉由該熱分離。例如，在η型氮化物半導體層丨丨為^…之 情形下，由於該GaN會吸收365 nm以下之波長之光，故例 如可使用KrF準分子雷射光（248 nm)。 156087.doc -15- 201205873 此處，參照圖8說明鍍敷基板8之形狀。 圖8⑷顯示自氮化物半導體層1〇剝離成長基板3〇後之鍵 敷基板8之上面圖。圖％!^顯示圖8(&)之線剖面，圖8(c) 顯示圖8(a)之C-C線剖面。 如圖8(a)所示，自上觀察之情形下，在縫隙部上能夠 看見種晶層9 ’但在其他部份能夠看驗敷基板8。 如圖8(b)所示，於B_B線剖面，鍍敷基板8中，於鄰接之 元件間形成有縫隙部40。與此相對，如圖8(c)所示，於孓 C線。j面，錄敷基板8中，鄰接之元件間連續地形成有鍍敷 基板8。如圖8(c)所示，由於鄰接之元件間藉由連接鍍敷基 板8之部份而將所有元件連結，故即使有圖所示之縫隙 部40仍可保持晶圓形狀。 關於之後之步驟參照圖9予以說明。自藉由上下反轉鍍 敷基板8且剝離成長基板3〇而顯現之氮化物半導體層1〇之n 型氮化物半導體層U(參照圖2(b))側之表面，沿元件間之 邊界線對氮化物半導體層10實施蝕刻形成溝35，並以預先 決定之元件尺寸進行元件分離。形成溝35後之上面圖如圖
9(a)所示。圖9〇)之b_b線剖面如圖9(b)所示，圖9(a)之C-C 線剖面如圖9(c)所示。此處，於氮化物半導體層1〇之上 面’以覆蓋相當於p電極層4所處部份之上之部位的方式形 成遮罩45’用該遮罩45形成溝35。此時，溝35之寬度較縫 隙部40之寬度更寬。此處’遮罩45之材料可使用例如 Si〇2。且，於溝35形成後除去遮罩45。另，圖9(b)及圖 9(c)係顯示形成溝35後之狀態’故遮罩45以虛線顯示。 156087.doc •16- 201205873 其-人’如圖10(a)所示’於氮化物半導體層丨〇之η型氮化 物半導體層11側之表面(上面)上對應各元件形成η電極層 5。此時，位於形成η電極層5之部份之下之部位，夾著氮 化物半導體層〗〇而配置有ρ保護層7。藉此，可獲得圖1所 示之元件集合體2。 其次，如圖10(b)所示，於氮化物半導體層1〇之上面未 形成有η電極層5之部份的上面整體、與氮化物半導體層1〇 之側面，形成包含絕緣構件之η保護層6。藉此，因氮化物 半導體層10之側面形成有η保護層6，故能夠防止ρ電極層4 與活性層12或η型氮化物半導體層u之短路、或ρ型氮化物 半導體層13與η型氮化物半導體層u之間之短路。另，11保 護層6亦可形成於n電極層5之側面電極層5之上面之緣 部〇 再者，使上下反轉返回至原樣，以沿元件間之邊界線之 切割道切斷鍍敷基板《藉此，可獲得如圖2所示之半導體 發光元件1。此處’作為切斷方法’例如可使用切割鑛來 切斷。另，不限於切割鋸，利用雷射或水刀切斷亦可。 根據本實施形態之半導體發光元件之製造方法，在晶圓 步驟中，製作將對應半導體發光元件1之複數之元件集合 之元件集合體2 ^且在該元件集合體2中於元件間之邊界線 上的鍍敷層之一部份形成縫隙部40，作為鍍敷基板8。藉 此，自氮化物半導體層10剝離成長基板30後，II由縫隋' _ 40緩和金屬鍍敷之應力，故可發揮減小氮化物半導體層1〇 與鍍敷基板8之翹曲之效果。又，於沿元件間之邊界線切 156087.doc •17- 201205873 斷鑛敷基板8之步驟，可在縫隙部·處部位僅切斷p保護 層7及種晶層9 ’可容易地切斷鍍敷基板8之縫隙部4〇與縫 隙部40之間連接鄰接之元件之部份。因此，可製造晶圓步 驟中之趣曲變形減少、亦容易切割之具有高量產性之金屬 鍍敷基板之半導體發光元件。 以上就本實施形態進行了説明，但本發明不限於此，在 不改變其宗旨之範圍内可實施多種變形。例如，上述説明 了自氮化物半導體層1〇剝離成長基板3〇後，縫隙部4〇之1 B線剖面成為圖8(b)所示之狀態，但本發明不限定於此。 氮化物半導體層10、P保護層7及種晶層9，根據厚度或材 質，自氮化物半導體層10剝離成長基板3〇後，如圖11(勾所 示’在縫隙部40之B-B線剖面中，藉由氮化物半導體層j 〇 或鍍敷基板8等之應力，切割例如氮化物半導體層丨〇、p保 護層7、種晶層9 ’而產生連通於缝隙部4〇之龜裂5〇之情形 亦存在。但，即使在該情形下，鍍敷基板8中縫隙部4〇以 外之部份係如圖8(c)所示之C-C線剖面，氮化物半導體層 1 〇、P保護層7、種晶層9仍不會裂開。即，由於所有元件 係藉由鍵敷基板8之各元件間之連接部份而連結，故能夠 保持晶圓形狀。 又，如圖11(a)所示，在縫隙部40之B-B線剖面中產生龜 裂50之情形下，若上下反轉’繼續進行於氮化物半導體層 10上形成溝之步驟，則縫隙部40之B-B線剖面會成為圖 11(b)所示之狀態。該情形下，氮化物半導體層1〇上，即使 在剝離成長基板30後存在龜裂50，但因係將圖9(b)所示之 156087.doc • 18 · 201205873 溝35之寬度設計為較縫隙部4G之寬度更大，故圖 之溝60與圖9(b)所示之溝 ）所丁 霉35為相同之寬度。即，龜裂 會影響半㈣發光 勸教50不 , 之形狀（特別是氮化物半導體層1〇 之形狀）。又’如圖丨（）_ 所不縫隙部40係貫通至氮化物半導 體層10、p保護層7、稀曰 曰曰層9。由於該經貫通之縫隙部4〇 亦可緩和金屬鍍敷之庳六 心應力’故可減小氮化物半導體 鍍敷基板8之翹曲。 〃 …貫施形態，係於成長基板3 物半導體層10，但於成且虱化 、成長基板30上，例如形成使GaN以低 溫成長之㈣緩衝層’且於其上使η型氮化物半導體層 11、，活性層12、ρ型氮化物半導體層13成長亦可。藉此， 可形成結晶性更佳之氮化物半導體層10。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明之半導體發光元件之製造中途獲得之 分割前之元件集合體的外觀圖，⑷係自發光側所視之平面 圖’⑻係自發光側所視之立體圖，⑷係自基板側所視之 立體圖； 圖2係顯示本發明之半導體發光元件之構成圖，⑷係自 發光側所視之平面圖，⑻係⑷之A_A線剖面向視圖； 圖3係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例 的說明®，（a)係顯示氮化物I導體層形成步驟之剖面圖， ()係,4示p電極層形成步驟之平面圖，（c)係顯示0)之Η』 線剖面向視圖； 圖4係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之—例 156087.doc -19· 201205873 的說明圖，（a)係顯示p保護層形成步驟之平面圖，（b)係顯 示（a)之B-B線剖面向視圖； 圖5係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例 的說明圖’（a)係顯示種晶層形成步驟之平面圖，（b)係顯 示（a)之B-B線剖面向視圖； 圖ό係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例 的Β-Β線剖面向視圖，（a)係顯示絕緣層形成步驟，（b)係顯 示鑛敷層形成步驟，（c)係顯示絕緣層除去步驟，係顯 示基板剝離步驟； 圖7係顯示圖6(b)之鍍敷層形成步驟之說明圖，（a)係平 面圖，（b)係⑷之B-B線剖面向視圖，⑷係⑷之C-c線剖面 向視圖，（d)係（a)之D-D線剖面向視圖； 圖8係顯示圖6(d)之基板剝離步驟後之狀態的說明圖， (a)係平面圖’（b)係（a)之B-B線剖面向視圖，（c)係（a)之c_c 線剖面向視圖； 圖9係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例 的說明圖，（a)係顯示上下反轉後之元件區劃形成步驟之平 面圖’（b)係⑷之B-B線剖面向視圖，⑷係⑷之c_c線剖面 向視圖； 圖10係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例 的B-B線剖面向視圖，（a)係顯示η電極層形成步驟，係 顯示η保護層形成步驟；及 圖11係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之另— 例之Β-Β線剖面向視圖，（a)係顯示基板剝離步驟後之狀 156087.doc -20· 201205873 態，（b)係顯示上下反轉後之元件區劃形成步驟。 【主要元件符號說明】 1 半導體發光元件 2 元件集合體 4 p電極層 5 η電極層 6 η保護層 7 ρ保護層 8 鍍敷基板 9 種晶層 10 氮化物半導體層 11 η型氮化物半導體層 12 活性層 13 ρ型氮化物半導體層 20 絕緣層 30 成長基板 35 溝 40 縫隙部 60 溝 156087.doc -21 -