TW201203620A - Light emitting device package - Google Patents

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TW201203620A TW100118085A TW100118085A TW201203620A TW 201203620 A TW201203620 A TW 201203620A TW 100118085 A TW100118085 A TW 100118085A TW 100118085 A TW100118085 A TW 100118085A TW 201203620 A TW201203620 A TW 201203620A
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Description

201203620 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光元件封裝。 【先前技術】 . .發光元件係指能將電能轉換成光能的半導體元件,例 如光—極體(LED)。此類發光二極體利用半導體元件的 特性而產生光,相較於螢光燈及白熾燈等傳統光源而言, 其消耗功率相當低。發光二極體亦具有使用壽命長、響應 ’ 速度快、安全及對環境友善等的優點,將可廣泛地應 - 光通訊、顯示、及照明等科技領域。 【發明内容】 根據本發明的一方面,一實施例提供-種發光元件封 裝,其包括:一封裝主體,具有一腔體形成於其中,該腔 體包3複數個旁側面及一底部;一第一反射杯狀物及一第 反射杯狀物,a又置於該腔體的底部,且藉由該腔體底部 的。卩份而隔開該第一及第二反射杯狀物;一第一發光元 件,设置於該第一反射杯狀物之内;以及一第二發光元件, 設置於該第二反射杯狀物之内。 该第一及第二反射杯狀物形成複數個凹槽於該腔體的 底部中。各該第一及第二反射杯狀物的一部份可穿過該封 裝主體且暴露於該封装主體之外。該第一及第二反射杯狀 物的形狀與尺寸實質上可以是互相對稱的。各該第一及第 —反射杯狀物的各個旁側面與其相對應的底面之間的傾斜 角可介於90。至16〇。。 該發光元件封裝可進一步包括:一階梯狀邊緣,形成 201203620 於該封裝主體的-上側面與該腔體的一上側端之間,該階 梯狀邊緣與該封裝主體上側面之間有一預設的高度差’且 5亥階梯狀邊緣平行於該封農主體的上側面。該第一反射杯 狀物的上側面平行於該第一發光元件的上側面,且該第二 ^射杯狀物的上側面平行於該第二發光元件的上側面。該 ^反射杯狀物的高度大於該第—發光元件的高度,且該 -反射杯狀物的高度大於該第二發光元件的高度。該第 反射杯狀物的/衣度大於該第—發^^件的高度且小於該 一發光元件的兩倍高度’以及該第二反射杯狀物的深度 二δ亥第一發光元件的高度且小於該第二發光元件的兩 ^ °亥第反射杯狀物的高度亦可小於該第一發光元 牛的冋f且5亥第二反射杯狀物的高度可小於該第二發光 几件的向度。該第—反射杯狀物的深度可小於該第 凡件的高度且大於該第一發光元件的一半高度,以及該第 3射杯狀物的深度可小於該第二發光元件的高度且大於 °亥第一發光元件的一半高度。 料Ϊ發光元件封裝可進—步包括:—封裝材料,其充填 =裝主體的腔體内部、該第—反射杯狀物的内部、及該 -反射#狀物的隔絕 與其外部環境。 封在=發明的另—方面,另—實施例提供—種發光元件 筮二,其包括:一封裝主體,具有一腔體形成於其中;_ 部.反f杯狀物及—第二反射杯狀物,設置於該腔體的底 第發光元件’設置於該第一反射杯狀物之内;— 一發光7L件’設置於該第二反射杯狀物之内;以及—連 201203620 接墊片,設置於該㈣的底部,且被隔離於該第 反射杯狀物之外。 久乐一 該第一及第二反射杯狀物藉由該腔體底部的— ΪΪ隔:i且該第一發光元件藉由該連接塾片而電性二妾 s亥弟一發光元件。 該發光元件封裝可進一步包括:一第一導線 第-反射杯狀物及該第一發光元件;一第二導線,連接; ,-發光树及該連接•片;—第三導線,連接該連接。 —及》亥第—發光疋件;以及—第四導線,連接該第二發光 兀件及該第二反射杯狀物,其中該第—及第 =接導線、該第二導線'該第三導線、及該第四;: ^該發光元件封裝可進一步包括:一第一導線,連接該 第一反射杯狀物及該第一發光元件;一第二導線,連接該 第一發光元件及該第二反射杯狀物;一第三導線,連接該 第一反射杯狀物及該第二發光元件;以及—第四導線,連 接°玄第一發光元件及該第二反射杯狀物,其中該第一及第 二發光元件藉由該第一導線、該第二導線、該第三導線、 及5亥第四導線而並聯連接。 ★ 該發光元件封裝可進一步包括:一第—導線,連接該 第一反射杯狀物及該第一發光元件;一第二導線,連接該 第=發光元件及該第二發光元件;以及一第三導線,連接 汶第—發光元件及該第二反射杯狀物,其中該第一及第二 發光元件藉由該第—導線、該第二導線、及該第三導線而 串聯連接。 5 201203620 該發光元件封裝包括位置相鄰的該第一及第二反射杯 狀物,其中该第一及第二反射杯狀物的輪靡線分別形成該 第一及第二腔體,且該第一及第二發光元件分別設置於該 第一及第二反射杯狀物中的該第一及第二腔體,且一側牆 圍繞a亥第及第—反射杯狀物的外周邊’且·一分隔牆設置 於§亥第一及第一反射杯狀物之間,其中該分隔牆的高度小 於該側牆的高度。 該側牆可自該第一及第二反射杯狀物的上側面向上延 伸,而定義出一第三腔體。該第一及第二反射杯狀物可形 成複數個凹槽於該第三腔體的底部中。該第一反射杯狀物 的第一部份及該第二反射杯狀物的第一部份可分別穿過該 第二腔體底部的開口而暴露於該發光元件封裝之外。該第 一反射杯狀物的第二部份及該第二反射杯狀物的第二部份 可为別穿過S亥側牆的部份而延伸至該發光元件封裝之外。 該發光元件封裝可進一步包括一連接墊片,其設置於 该第二腔體的底部上,且被隔離於該第一及第二反射杯狀 物之外;其中該第—發光元件與該第二發光S件藉由該連 接塾片而f性連接。該發光元件封裝可進—步包括複數個 =線’其各有第-端連接至該第—或第二發^件之其令 者各有第一h連接至該第一或第二反射杯狀物之1中 一者或該連接墊片。 、 该第一發光元件的上側面可設置於該第一反射杯狀物 ^上側邊緣下方,且該第二發光元件的上側面可 =二反射杯狀物的上側邊緣下方。該第—發U件的上;; 面可延伸而超出該第—反射杯狀物的上側邊緣,且該第二 201203620 發光元件的上側面可延伸而超出該第二反射杯狀物的上側 -邊緣。该第一發光元件的上側面可實質上平行於該第一反 射杯狀物的上側邊緣,且該第二發光元件的上側面可實質 上平行於该第二反射杯狀物的上側邊緣。 δ亥第一反射杯狀物的深度可大於該第一發光元件的高 度且小於該第一發光元件的兩倍高度,且該第二反射杯狀 物的沬度可大於該第二發光元件的高度且小於該第二發光 =件的兩倍高度。此外,該第一反射杯狀物的深度可小於 該第一發光元件的高度且大於該第一發光元件的一半高 ,,且該第二反射杯狀物的深度可小於該第二發光元件的 高度且大於該第二發光元件的一半高度。 在本發明的又一方面,又一實施例提供一種發光元件 封裝,其包括:一封裝主體;一第一反射杯狀物及一第二 反射杯狀物,其設置於該封裝主體内,且被該封裝主體的 β刀而將彼此分隔開;一第一發光元件,其設置於該第 一反射杯狀物内,·一第二發光元件,其設置於該第二反射 杯狀物内,其中,該第一及第二反射杯狀物的組成材料不 同於該封裝主體。 該發光元件封裝可進一步包括:一連接墊片,其設置 於該封裝主體内且被隔開於該第一及第二反射杯狀物之 外,其中,S玄連接墊片的組成材料不同於該封裝主體。該 第一發光元件藉由該連接墊片而電性連接該第二發光元 件。該封裝主體的組成材料可以是聚鄰苯二曱醯胺(ΡΡΑ)、 矽(Si)、光感玻璃(pSG)、或藍寶石(Αΐ2〇3)等材料。 在本發明的又一方面,又一實施例提供—種發光元件 201203620 封裝,其·向杯. . 反射杯狀物,其:置反射杯狀物及-第二 第-電極及一第_ J物内’且該第-發光元件包含-二反射权站也 電極,一第二發光元件,其設置於該第 第四電極,:5:;:光元件包含-第三電極及- 電極電性連接至該第二反射杯狀物一 電極及该第四電極具有不同的極性。 雷搞άίί電極可ι性連接至該第二反射杯狀物,該第三 、鱼^電性連接至該第—反射杯狀物,且 連接至該第三電極。 /亥發光7L件封裝可進—步包括:—連接塾片,其設置 7該封裝主體内且被隔開於該第一及第二反射杯狀物之 f ’其中’該連接墊片電性連接該第二電極與該第三電極。 該第一電極及該第三電極可以是彼此相同的極性。 在本發明的又一方面,又一實施例提供一種發光元件 封裝,其包括.一底部體;一第一反射杯狀物及一第二反 射杯狀物,其設置於該底部體内,且被該底部體的一部分 而將該第一及第二反射杯狀物彼此分隔開;一第一發光元 件,設置於該第一反射杯狀物内;一第二發光元件,設置 於該第二反射杯狀物内;且該底部體之上的旁側面圍繞該 第一及第二反射杯狀物。該發光元件封裝可進一步包括一 連接墊片,其設置於該底部體内,且被該底部體的另一部 分而分隔於該第一及第二反射杯狀物之外。 【實施方式】 201203620 為使貴審查委員能對本發明之特徵、目的及功能 進一步的認知與瞭解,兹配合圖式詳細說明本發明的實方> 例如後。在所有的說明書及圖示中,將採用相同的元件2 I虎以指定相同或類似的元件。此外,為了說明上的便利和 明確,圖式中各層的厚度或尺寸,係以誇張或省略或概略 的方式表示,且各構成要素的尺寸並未完全為其實際的尺 寸。 圖1為根據本發明實施例的發光元件封裝1〇〇之結 示意圖。如圖1戶斤示,該發光元件封褒包含一封裝: 110、-第-反射杯狀物122、-第二反射杯狀物m、一 連接塾片126、-第-發光元件132、—第二發光元件134、 一齊納(Zener)二極體150、一第一導線152、— =-第三導線156、一第四導線158、以及一第:導線 該封裝主體110的組成材料可以是樹酿材料 鄰苯二甲醯胺(P〇1yphthalamide, PPA)、矽(Si)、金屬、二 玻璃(ph〇t0-sensitive glass,pSG)、藍寶石(a = ==31玄封裝主體110亦可以是由導體m倘 右该封裝讀110是由導體㈣触成,射於 ,110的表面形成-絕緣薄膜,用以防止該封裝主體⑽ ”该第一反射杯狀物122、該第二反射杯狀物124、 接墊片126之間的電性短路。 ^ 2封裝主體⑽的上方來看,該封裝主體 :面:"以是各種的形狀’例如三角形、長方形、多ί / 0形、或其他適合的形狀,依據特定發光元件封裝的 201203620 目的及設計而定。例如,如圖1所示之該發光元件封裝100 可用於邊緣型的背光單元(edge_type backlight unit, BLU)。 倘若該發光元件封裝10〇應用於可攜式的手電筒或家用的 照明裝置’則該封裝主體11 〇可修改成適當的尺寸及形 狀’以易於安裝於該可攜式手電筒或家用照明裝置之中。 該封裝主體11 〇可包含一腔體丨〇5 (後文中簡稱為主腔 體)。該主腔體105的上側部可以是開放式的,且可包含複 數個旁側面102及一底部ι〇3 ^該主腔體1〇5可以是類似 杯子的形狀,或是凹面容器的形狀,且該主腔體1〇5的旁 側面102可以是垂直或傾斜於該底部1〇3 ;亦可以是其他 的設置方式。 由5亥主腔體105的上方來看,該主腔體1〇5的形狀可 以是圓形、橢圓形、多角形(例如,長方形)、或其他適合 的形狀。根據如圖1所示的實施例,該主腔體1〇5的形狀 自,、上方來看基本上是八角形,且該主腔體⑽的旁側 面102包含8個平面;其中4個可稱為第一平面,其分別 為,主腔體H)5㈣該封裝主體11〇的角落之旁側面ι〇2; ^餘的4個可稱為第二平面,其分別為該主腔體ι〇5延 =於该4第一平面之間而形成的旁側® 該第-平面 第二平面的面積。在該等第-及第二平面之 /應面可以疋相同的形狀;且在該 面之中,其對應面可以是相同的 弟一十 該主腔體105的旁側面1(^包含8。另外的實施例中, (其中部份可以是曲面)。 以下彼此對應的面 該第-反射杯狀物122及該第二反射杯狀物124可設 201203620 置於該封裝主體110内的該主腔體105底部103下方,並 使該第一及第二反射杯狀物122及124被該主腔體105底 部103的一部份隔開彼此。該第一反射杯狀物丨22可在其 上半部被打開時,自該主腔體105的底部1〇3壓下。 舉例而言’一第一腔體162可在其上半部打開時,而 形成於該主腔體105的底部1〇3中。該第一腔體162可包 含複數個旁側面及一底部,且該第一反射杯狀物122可設 置於第一腔體162内。 該第二反射杯狀物124可與該第一反射杯狀物122互 相隔開,並可在其上半部打開時’自該主腔體1〇5的底部 1〇3壓下。例如,一第二腔體164可在其上半部打開時, 叩取成於該主腔體105的底部103中。該第二腔體164可 土含複數個㈣j面及-底部,且該第二反射杯狀物124可 :置於第二腔體164内。該第二腔體164可藉由位於該第 「及第二反射杯狀物122及124之間的該主腔體⑻底部 1〇3的-部份而與該第一腔體162互相隔開;如此,則該 第一反射杯狀物m與該第二反射杯狀物124互相分隔開。 由該第-腔體i62及該第二腔體164的上方來看1 f :腔體⑹及該第二腔體164可以是類似杯 ^凹面容器的形狀’且其㈣面可以是垂直或傾斜於盆 底部,亦可以是其他的設置方式。 …。、 各該第一及第二反射杯狀物122 可穿過該封裝主體η。且暴露於該 一部份 於各該第—及第二反射杯狀物122及°由 露於該封裝主體110之外,該第 纟至乂-部份暴 人%發光元件132及該第二 201203620 產生的熱量將能更有效率地傳送至該封裝 二舉例而言,該第一反射杯狀物122的一側端142可 過該封裝主體110的第一旁側面且暴露於其外部。同樣 的,該第二反射杯狀物124的一側端144可穿過該封裝主 體110的第二旁側面且暴露於其外部。該封裝主體nc^的
遠第一及第二旁側面可以是互相對面的位置,或是直 合的位置。 〃 I g該第一及第二反射杯狀物及124的組成材料可以 是金屬材料,例如銀、金、銅、或其他材料,也可以是由 金屬板所構成。該第一及第二反射杯狀物122及124的組 成材料可相同於該封裝主體110,且可和該封裝主體110 為一體成形。此外,該第一及第二反射杯狀物122及124 的組成材料亦可不同於該封裝主體110,且和該封裝主體 U0分開製作。在某些實施例中,該第一及第二反射杯狀 物122及124的形狀與尺寸,可針對該連接墊片126而呈 互相對稱。該連接墊片126可設置於該封裝主體11()内的 該主腔體105底部103下方,並使該連接墊片126隔離於 °玄第及第一反射杯狀物122及124之外。該連接墊片126 的組成材料可以是金屬材料。 如圖1所示,該連接墊片126可設置於該第一反射杯 狀物122與s玄第二反射杯狀物124之間。例如,該連接塾 片126可設置於該主腔體105的底部1〇3内,並鄰近該主 腔體105介於該第一反射杯狀物122與該第二反射杯狀物 124之間的第三旁側面;亦可以是其他的設置方式。 12 201203620 至少一部份的該連接墊片丨26可穿過該封裝主體n〇 且暴露於該封裝主體110之外。舉例而言,該連接墊片US 的一側端146可穿過該主腔體105的該第三旁側面且暴露 於其外部。在本實施例中,該主腔體1〇5 伽: 可垂直於該主腔體1G5的該第-及第二旁側面弟 及第二反射杯狀物122及124的側端142及144分別穿屬 該第一及第二旁侧面。 匕 該齊納二極體150可設置於該第一及第二反射杯狀物 1山22及124的其中一者,用以改良該發光元件封裝⑽的 崩潰電壓。如圖1所示,該齊納二極體15〇可裝設於該第 二反射杯狀物124的上側面124-1;亦可以是其他的嗖 式。 八。又 圖2為如圖1所示之發光元件封裝的底視結構圖,且 圖3至6為如圖i所示之發光元件封裝的各側視結構圖。 請參照圖2至6 ’該第-反射杯狀物122的下側面2〇2經 由该封裝主體110的開σ *暴露於軸裝主體11Q的下側 面107,且該第一反射杯狀物122的側端142凸出自該封 裝主體110的該第一旁側面210並暴露於該封裝主體11〇 之外。該第二反射杯狀物124的下側面2〇4亦經由該封裝 主體110的另一開口而暴露於該封裝主體11〇的下側面 107 ’且該第二反射杯狀物124的側端144凸出自該封妒主 體110的該第二旁側面220並暴露於該封裝主體u〇之^卜。 該連接塾片126的側端146凸出自該封裝主體u〇的該第 三旁側面230並暴露於該封裝主體11〇之外。該第一及第 二反射杯狀物122及124的該外露側端丨42及丨44及咳下 201203620 側面202及204將有助於將該第一發光元件132及該第二 發光元件134所產生的熱量轉移並驅散至該封裝主體11〇 的外部,以使該發光元件封裝100的冷卻更有效率。 s亥第一及第一反射杯狀物122及124的該外露側端142 及144及該連接墊片126的該外露側端146可以是各種的 形狀,例如長方形、正方形、ϋ字形、或其他適合的形狀。 各該第一反射杯狀物122、該第一反射杯狀物122、及該連 接墊片126的厚度皆可介於2〇(^m與3〇〇μιη之間;各該外 露側端142及144及146的厚度皆可介於〇 2_與〇 3inm 之間。 該第-發光it件132可設置於該第—反射杯狀物 的該第-腔體丨62之内’且該第二發光元件134設置於該 第二反射杯狀物124該第二腔體164之内。換言之,該第 發光元件132可^:置於該第—反射杯狀物122的該第一 月工體162之底部上’且該第二發光元件134設置於該第二 反射杯狀物124該第二腔體164之底部上。該第一發光元 件132可隔離自該第_腔體162的旁側面,且該第二發光 ^件134可隔離自該第二腔體164的旁側面。各該第一發 盥7^t/32及&亥第一發光元件134的長度皆可介於400, ^ Π4 之間各該第一發光元# 132及該第二發光元 ^的見度皆可介於__與之間;各該第一 10〇Ί 132及邊第二發光元件134的厚度皆可介於 二二? ρ0—之間。例如’該第一發光元件132及該第 几:134的晶片尺寸可以是800μ1Ώ χ 4卿m。該第 U2及5亥第二發光元件〗34的厚度為Ι00μηι至
14 201203620 -.- 150μπι。 - 該等導線(第一導線152、第二導線154、第三導線 156、第四導線158)可透過該連接墊片126而連接該第一發 ,兀件132與該第二發光元件134。根據如圖丨所示的實 *例。玄第導線152連接該第一發光元件132與該第一 反射杯狀物122’該第二導線154連接該第一發光元件132 與該連接塾片126,該第三導線156連接該連接塾片126 與該第二發光元件134,且該第四導線158連接該第二發 光兀件134與該第二反射杯狀物124。該第二導線〗54可 被銲接於該連接墊片126與該第一發光元件132之間,且 该第三導線156可被銲接於該連接墊片126與該第二發光 讀134之間’藉此該第一發光元件132與該第二發 件 134。 士圖1所示,5亥齊納一極體150可裝設於該第二反射 杯狀物124的該上側® ^上,且可藉由該第五導線159 而電性連接至該第一反射杯狀物122。例如,該第五導線 1曰59的一側端可銲接至該齊納二極體15〇,其另一側端則可 在于接至该第一反射杯狀物122的上側面122-1。在另一實施 例中’該齊納二極體150可裝設於該第一反射杯狀物m 的該上側面122_1上,且該第五導線159的一側端可焊接 至該齊納二極體150,其另一側端則可銲接至該第二反射 杯狀物124的该上側面124-1。 該連接墊片126可被隔離於該第一反射杯狀物122及 該第二反射杯狀物124之外,藉此而不受該第一發光元件 132及該第二發光元件134的影響。如此將使該連接墊片 15 201203620 126得以穩固地電性串聯連接該第一發光元件132與該第 一發光元件134,藉以改善其電性可靠度。 "由於該第一發光元件132及該第二發光元件134發 其元件操作也會產生的熱量。該第一反射杯狀物122 可防止該第一發光元件132所產生的熱量輻射或移轉至該 封裝主體110,且該第二反射杯狀物124可防止該第二發 光元件134所產生的熱量輻射或移轉至該封裝主體ιι〇: 換言之,該第一及第二反射杯狀物122及124可在熱特性 ^隔離該第一發光元件132與該第二發光元件134。此外, 遠第一及第二反射杯狀物122及124 ,亦可防止該第一發光 疋件132及該第二發光元件134所發出光的互相干擾。由 於該第-及第二反㈣狀物122 & 124設置於該封裝主體 的底部内側,該第一及第二反射杯狀物122及124之 間的熱性隔離可得到改#,且該第—發光元件132及該第 一發光元件134發光干擾的防止亦可得到改善。 料心财,該第-發光元件132設置於該 =射杯狀物U2的該第一腔體162之内,且該第二發 先兀件134言曼置於該第二反射杯狀物m該第二腔體⑹ 之内’藉此而在熱及光的特性上使該等發光元件互相隔離。 注人孔24G可形成於該縣主體u 以使樹㈣料可經其而注人該封裝主體U0卜^ 主入孔240的位置可設置於該第一反射杯狀物㈣該 第一反射杯狀物124之間。 ^ 16 201203620 156、158、及 159 + u 1 ^ 略去。蚋參照圖7,該第一及第二 ^射:狀物U2及124之間可隔開一特定距離〇1,且朗 ^二的底部(其組成材料可以是聚鄰苯二甲酿胺 (ΡΡΑ))有一部份位於該第一及第二反射杯狀物⑵及⑶ 之間。 為了隔開熱源(該第-及第二發光元件134及134操作 ^產,的熱量)及有效防止該第一及第二發光元#…及 =發光的互相干擾’該第一及第二反射杯狀物122及124 =隔距離D1可以是刚_或更多;其亦可以是其他適 &的間隔距離’端視相關元件的相對尺寸而定。 ’為了有效防止該第—及第二發光元件134及 相干擾及增加反射效率,該第—發Μ件132 /又置於该弟—反射杯狀物122的底部上,並與該第一反 狀:122的各旁侧面之間保留有間隔距離,且該第二 件134可設置於該第二反射杯狀物124的底部上, :人=二反射杯狀物124的各旁側面之間保留有間隔距 :二:第-發光元件132至該第—反射杯狀物m相對兩 :旁:面之間隔距離’可以是相同或者不同的。該第二 件m至該第二反射議124相對兩側的旁側面 a隔距離,可以是相同或者不同的。 ,如’裝設於該第一反射杯狀物122之上的該第一發 132與裝設於該第二反射杯狀物124之上的該第二 X凡件134之間的節距(pitch)可介於2mm與3_之間〇 ,如,該第—發光科132可裝設於該第—反射杯狀 的底4中央,且该第二發光元件丨34可裝設於該第 17 201203620 二反射杯狀物124的底部中央。 詳言之,例如該第一反射杯狀物122的短旁側面與該 第一發光元件132之間隔距離D2可以是2〇〇um,而該第一 反射杯狀物122的長旁側面與該第一發光元件132之間隔 距離D3可以是500um ;其亦可以是其他適合的間隔距離’ 端視晶片的尺寸相對於反射杯狀物的尺寸而定。 該連接塾片1可與該第一反射杯狀物122及該第二 反射杯狀物124隔開一間隔距離D4,且該封裝主體110的 底部(其組成材料可以是聚鄰苯二甲醯胺(P P A))有一部份設 置於該第一及第二反射杯狀物122及124之間。 舉例而言,該第一反射杯狀物122與該連接墊片之間 的間隔距離D4可等於該第一反射杯狀物122與該第二反 射杯狀物124之間的間隔距離D1。;其亦可以是其他適合 的間隔距離,端視相關元件的相對尺寸而定。 圖8為如圖7所示之發光元件封裝沿著直線A_A’所取 出的剖面結構圖;而為了描述上的明確’圖8所示之該等 導線152、154、156、158、及159予以略去。 請參照圖8,該第一反射杯狀物丨22旁側面的傾斜角Θ1 可不同於該主腔體1〇5旁側面的傾斜角。例如,相對於該 第一反射杯狀物丨22的底面,該第一反射杯狀物122旁侧 面的傾斜角Θ1可以是90。至]60。;亦可以是其他適合的角 度。而相對於該主腔體105的底面103 ’該主腔體105的 該旁側面1〇2之傾斜角Θ2可以是14〇。至170。。 該主腔體105旁側面的上側端可包含一彎曲的邊緣; 也就是說,該主腔體】〇5上側端的旁側面可以是彎曲的。 201203620 詳吕之,該主腔體105可具有一邊緣部8〇4,其位於該封 裝主體no的上側面802與該底部103之間4亥邊緣部 與該封裝主體110的上側面802之間有一高度差κ卜且該 邊緣部804平行於該封裝主體11〇❸上側φ 8〇2。例如了 該邊緣部804可形成於該主腔體1〇5旁側面1〇2的上側端。 舉例而&,該主腔體1〇5的該上側面8〇2與 刪之間的高度差幻可以是5卜至_,且該 =4的長度可介於50μηι至13〇μπι;其亦可以是其他適合的 咼度或長度,端視相關元件的尺寸而定。此外,該主腔體 105旁側© 1G2的上侧端可包含二個以上的邊緣部,各邊 緣部具有可形成-系列階梯的高度差。該邊緣部8()4 (其盘 社腔體105旁側S 102的上側端處的該上側^8〇2^二 问度差K1)可延長氣體的滲透路徑,藉此可防止外界空氣 渗透入該發光元件封裝⑽β,因而改善該發光元件封裝 100 的氣密性(gas tightness)。 為了防止該第一及第二發光元件132及134所發出光 的互相干擾並提高光的反射效率,該第—及第二反射杯狀 物122及124的深度η可以視該第—及第二發光元件132 及134高度上的考量而定。 ▲舉例而σ ’如圖13Α所示,該第一反射杯狀物122的 玄上側面122-1可平行於设置在該第一反射杯狀物m底 部m-2的該第—發光元件132上側面。該第—反射杯狀 物122的深度H1可等於該第—發光元件m的高度 (HI al) 0玄深度出彳以是介於該第一反射杯狀物I]〗的 該上側面122]與該底部122_2之間的距離。在本實施例 201203620 中,該第二反射杯狀物124的深度相對於該第二發光元件 134的高度可以採用類似的方式來決定。在某些實施例中, 該第一反射杯狀物122的深度H1可等於該第二反射杯狀 物124的深度。該第一及第二反射杯狀物122及124的高 度、該第一及第二發光元件132及134的對應高度、及上 述之組合亦可以是其他適合的高度。 根據如圖13B所示的實施例,該第一反射杯狀物122 的該上側面122-1高於設置在該第一反射杯狀物122底部 122-2的該第一發光元件132上側面。也就是說,該第一反 射杯狀物122的深度H2大於該第一發光元件132的高度 al (H2〉al)。在某些實施例中,該第一反射杯狀物122的深 度H2可大於該第一反射杯狀物的深度大於該第一發光元 件132的高度al而小於該第一發光元件132的兩倍高度 2al (al<H2<2al)。在本實施例中,該第二反射杯狀物124 的深度相對於該第二發光元件134的高度亦可以採用類似 的方式來決定。 根據如圖13C所示的實施例,該第一反射杯狀物122 的該上側面122-1低於設置在該第一反射杯狀物122底部 122-2的該第一發光元件132上側面。也就是說,該第一反 射杯狀物122的深度H3小於該第一發光元件132的高度 al (H3<al)。在某些實施例中,該第一反射杯狀物122的深 度H3可小於該第一反射杯狀物的深度大於該第一發光元 件132的高度ai而大於該第一發光元件132的一半高度 al/2 (al/2<H3<al)。在本實施例中,該第二反射杯狀物124 的深度相對於該第二發光元件134的高度亦可以採用類似 20 a 201203620 的方式來決定。 圖9為如圖7所示之 出的剖面結構圖,·而為了;封裝沿者直線㈣,所取 導線心154、156、t5HT^9所示之該等 杯狀物122 Λ U4的上側面,且當該二=及第=反射 封裝主體11G該第三旁側 二 >1 126穿過该 之外,該連接墊片12“·丄而=該封裝主體110 底部的-部份。 而6 ”成該封裝主體110 ί/采戈口圆 腔體1。5的内部可充填封裝該主 該第-及第二發光元件132上材:++ 820’以密封並保護 部裝反射杯狀™ mg_ί )的内部、該第二反射杯狀物 體第二發光元件134)_卩、及該主腔 心夕以隔絕該第一及第二發光元件m及m 該封裝材料_可以是秒、樹自旨、或宜他 樹。該封裝材料820的形成方式,可先充填:夕或 化。⑽的内部’再施以適當的材料固 料於==:::Γ其他適合的方式充填其他的材 以改變該第一及 ’·且藉由該螢光 及134所發出的 及第二發光元件 卜該封裝材料820可以包含螢光材料, 第二發光元件132及134所發出光的特性 材^的激發,該第一及第二發光元件132 光可以疋不同的顏色。例如,倘若該第一 201203620 132及134為藍光的發光二極體,^ 黃,光材料,則可產生白光。倘若-= =13^,發出紫外光_,且該封裝#料82;= 含紅、綠、及k色的螢光材料,則可產生白光^ 2可設置於該封裝材料82G±,以調整該
100所發光的光型分佈。 H 圖10為根據本發明實施例的發光元件 導線連接示意圖。如圖1。所示,-第-導線咖:聯二 可黏接(bondg該第-反射杯狀物122的該上側面】 且該第-導線1052的另一端可黏接至該第 件 m。-第二導線1054的一端可黏接至該 = 132,且該第二導線刪的另—端可黏接至該連接墊I 126。-第二導線1〇56的一端可黏接至該連接塾片⑶, 且該第三導線1G56的另一端可黏接至該第 134°此外…第四導線刪的—端可黏接至該第二2 元件U4 ’且該第四導線顧的另—端可黏接至該第 射杯狀物124的該上側面124-1。 如圖ίο所示之該第-及第二發光林132及13 性連接係為該第一至第四導線1052、1〇54、1〇56、及ΙΟ” 的串聯而成。由於如圖10之該第一及第二發光元件132及 134的串接是透過該連接塾片126且獨立於該第一及第二 發光元件132及134之外,因而該第—及第二發光元件^ 及134可以穩定地電性串接著,藉此可改善該發光元件封 裝的電性可靠度。 圖11為根據本發明實施例的發光元件封裝之並聯式 22 S. 201203620 ...導線連接示意圖。如圖u所示,一第—導線ιΐ52的一端 -可黏接至該第-反射杯狀物122的該上側面122小且 一導線1152的另—端可黏接至該第—發光元件132。-第 二導線1154的一端可黏接至該第-發光元件132,且該 .二導線1154的另一端可黏接至該第二反射杯狀物m:該 上側面m-卜-第三導線1156的—端可黏接至 = 射㈣物122的該上側面咖,且該第三導線1156的另 一端可黏接至該第二發光元件134。此外, 另 的-端可黏接至該第二發光元件134,b=,1158 的另-端可黏接至該』二;:二且, Γ;::二?11所示之該第一及第二發光元件m 及134的電性連接係為該第一至第四導線咖、刪、 1056、及1058的並聯而成。 、圖12為根據本發明實施例的發光元件 聯式導線連接示意圖。如圖12所示,_ ^ —Αΐϋ 〇Γ 4Λ r- ^ 第導線 1252 的
Hi接至邊第—反射杯狀物12 該第一導線1252的另—端可黏接至該第-發;^^ 32 線1254的—端可黏接至該第-發光元件132,且 该第二導線1254的另— 干 且 -第……沾* 了黏接至㈣二發光元件134。 第-導線1256的1可黏接至該第二發 該第三導線1256的另—端可黏接至該 的該上側面124-1。 汉射杯狀物124 如圖所示之該第—及第二發光元件132及⑼的電 性連接係為該第一至第三導線觀、1054、及1〇56的串 聯而成。不同於圖1〇之實施例者,在於該第-及第二發光 23 201203620 凡件132及 〜卜··工田钱逑接垫片126,而是直 接透過該第二導線1254。 一以上所述之分別黏接至該第一反射杯狀物122、該第 二反射杯狀物】24、該第一發光元件132、該第二發光元件 134、及該齊納二極體15〇的該等導線,可設置於該主腔體 105的該上側面1〇6下方。 以上所述之實施例並非用以描述單一個杯狀物的發光 ’而是描述該等發光元件132及134分別被裝設 於该封襄主體内的二個分開的反射杯狀物122及124之 令。藉由此類構造,該第一及第二發光元# ]32及】別將 可被互相隔開,且該第—及第二發光元件i32 操作 過程所產生的熱量亦可被隔開,藉此可防止 :該發光元件封裝丨〇。的熱及使用過久而導致的體變1色° (⑽1咖随)。此外,二個分開的反射杯狀物122及⑶ ’、可防止料發光元件132及134所發$光的互相干擾。 ^ 14為根據本發明實施例的第—發光元件及第二發 ==示意圖如圖14所示,該第一發光元件13; 基板20、一發光結構30、一導光層40、—第一 。12、及一第二電極14。該第二發光元件I%包含— 第、:f光結構3〇、一導光層40、一第三電極16二一 件Μ。^玄第二發光元件134可包含與該第-發光元 件132相同的組成部分。 尤几 (、:=二載严發光結構3。’且可以是藍寶石 板中的任1者板/氧化鋅基板、及氮化物半導體基 或-杈板(template)基板,其包含氮化鎵
S 24 201203620 (GaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁銦鎵(AlInGaN)、碳化矽 (SiC)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(inp)、氧化鎵(Ga203)、及砷 化鎵(GaAs)中的至少一者堆疊於其上。 該發光結構30包含一第一導電性型半導體層32、一 主動層33、及一第二導電性型半導體層34。例如,該發光 結構30可以是該第一導電性型半導體層32、該主動層33、 及該第二導電性型半導體層34依序堆疊於該基板2〇之上 的結構。 該第一導電性型半導體層32設置於該基板20之上。 例如’該第一導電性型半導體層32可包含η型的半導體 層’其可以是InxAlyGa(1_x_y)N的複合物半導體材料,其中 OSxSl ’ 0分$1 ’且〇SX+y幻;例如,I化鎵(GaN)、氮化鋁 (A1N)、氮化鋁鎵(AiGaN)、氮化銦鎵(inGaN)、氮化銦(InN)、 氮化銦铭鎵(InAlGaN)、及氮化鋁銦(ΑΠηΝ),並可摻雜η 型雜質,例如矽、鍺、錫(Sn)、硒(se)、或碲(Te)。 該主動層33設置於該第一導電性型半導體層32之 上。例如,該主動層33可包含inxAiyGa0_x_y)N的複合物半 導體材料,其中〇分$1,,且〇£x+yy。該主動層13〇 可包含量子線(Quantum Wire)、量子點(Quantum Dot)、單 里子井(Quantum Well)、或多重量子井(Multi Quantum Well, MQW)等結構中的至少一者。 該第二導電性型半導體層34設置於該主動層33之 上。例如’該第二導電性型半導體層34可包含p型的半導 體層,其可以是P型的InxAlyGa〇 xy)N複合物半導體材料, 其中,〇分$1 ’且OSx+C】;例如,氮化鎵、氮化鋁、 25 201203620 氮化鋁鎵、氮化銦鎵、氮化銦、氮化銦鋁鎵、及氮化鋁銦, 並可摻雜p型雜質’例如鎂(Mg)、辞(Zn)、鈣(Ca)、锶(Sr)、 或鎖(Ba)。 該發光結構可以是該第二導電性型半導體層34、該主 動層33、及部分的該第一導電性型半導體層32被台面蝕 刻(mesa etched)的構造,以外露出一部份區域的該第一導電 性型半導體層32。 邊導光層40設置於該第二導電性型半導體層34之 上。該導光層40不僅可減少全反射,還具有良好的透光 性’因此該導光層40可提高發射自該主動層33而朝向該 第一導電性型半導體層34的光之提取效率(extracti〇n efficiency)。該導光層4〇的組成材料可以是具有高透光性 的透明氧化物族材料,例如,氧化銦錫(indium tin oxide, lrT〇)、氧化錫(tin 0Xide,TO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZ〇)、或氧化鋅(Zinc 0Xide,IZ0)。 該第一電極12或該第三電極16可設置於該第一導電 性型半導體層32的外露區之上,該第二電極14或該第四 電極18可設置於該導光層40之上。該第一電極12與該第 二電極14分屬不同的類型,該第三電極μ與該第四電極 18亦分屬不同的類型。該第一電極12與該第三電極16屬 於相同的類型’該第二電極14與該第四電極18亦屬於相 同的類型。例如’該第一電極12及該第三電極16可以是 n型的電極’且該第二電極14及該第四電極18可以是p 里的電極。該第一至第四電極12、14、16、及18的組成 材料亦可以是選自由鈦(Ti)、鋁、鋁合金、銦(In)、钽(Ta)、
26 201203620 私、姑、鎳⑽)、石夕'錯、銀、銀合金、金、給⑽、始、 及釕(RU)的材料或合金中的至少一者,且該等電極可以是 皁層膜或多層膜的結構。 圖15為根據本發明實施例的該第-至第四電極之第 -種連接示意圖。如圖15所示,該第一電極二: 電=14其中的—者電性連接至該第—反射杯狀物,且 :=及該第四電極18其中的-者電性連接至該 第二反射杯狀物124。該連接塾片126電性連接該第一電 Γ2二=電極14其中的另一者與該第三電極16及該 第四電極18其中的另一者。 舉例而言,該第一發光元件132的該第一電極12可透 過該第-導線1G52而電性連接至該第—反射杯狀物122, 且該第-發光το件134的該第四電極18可透過該第四導線 1058而電f±連接至该第二反射杯狀物124。該連接塾片I% 可透過該第二導線1〇54及該第三導線1G56而分別電性連 接該第-發光it件132的該第二電極14與該第二發光元件 134的該第三電極16。該第一發光元件132的該第二電極 14可透過该第二導線1〇54而電性連接至該連接墊片, 且該第二發光元件134的該第三電極16可透過該第三導線 1056而電性連接至該連接墊片ι26。 圖16為根據本發明實施例的該第一至第四電極之第 二種連接示思圖。如圖16所示,該第一電極12及該第二 電極14其中的一者電性連接至該第一反射杯狀物122,且 該第三電極16及該第四電極18其中的一者電性連接至該 第二反射杯狀物124。該第一電極12及該第二電極14其 27 201203620 中的另-者電性連接至該連接墊片126,且該第三電極16 及違第四電極18纟中的另—者電性連接至該第二反射杯 狀物124。 二舉例而言,該第一發光元件132的該第一電極]2可透 過該第一導線1152而電性連接至該第一反射杯狀物122, 且这第二發光元件134的該第四電極18可透過該第四導線 1158而電性連接至該第二反射杯狀物124。該第一發光元 件132的δ亥第二電極14可透過該第二導線丨1而電性連 接至遠第二反射杯狀物124,且該第二發光元件ι34的該 第二電極16可透過該第三導線1156而電性連接至該第一 反射杯狀物122。 圖丨7為根據本發明實施例的該第一至第四電極之第 二種連接示意圖。如圖17所示,該第一電極12及該第二 電極14其中的一者電性連接至該第一反射杯狀物122,且 »亥第一電極16及§玄第四電極1 §其中的一者電性連接至該 第二反射杯狀物124。該第一電極π及該第二電極14其 中的另一者電性連接至該第三電極16及該第四電極18其 中的另一者。 舉例而言’該第一發光元件Π2的該第一電極12可透 過該第一導線1252而電性連接至該第一反射杯狀物122, 且该第二發光元件134的該第四電極18可透過該第三導線 1256而電性連接至該第二反射杯狀物124。該第一發光元 件132的該第二電極μ可透過該第二導線1254而電性連 接至該第二發光元件134的該第三電極16。 圖18為根據本發明實施例的照明裝置之分解透視
28 201203620 圖,該照明裝置包含前述實施例的發光元件封裝應用於 此。如圖18所示,該照明裝置系統包含一光源750、一殼 架700、一散熱單元740、以及一支托架760 ;其中,該光 源750用以發光;該殼架700用以容置該光源750 ;該散 熱單元740用以驅散去該光源750的熱;且該支托架760 用以連接該光源750及該散熱單元740至該殼架700。 該殼架700包含一插座連接部710及一主體部730 ; 該插座連接部710用以連接至一電插座(圖中未示);該主 體部730連接至該插座連接部710。該主體部730可包含 氣流孔720穿過其中。 此外,複數個氣流孔720可形成以穿過該主體部420。 換言之,該氣流孔720可以是單一個孔洞,或是設置成如 圖所示之放射狀的複數個穿過該主體部730的氣流孔。此 外,該氣流孔720亦可以是其他適合的排列。 該光源750可包含一基板754及複數個設置於該基板 754上的發光元件封裝752。該基板754的形狀可使之被置 入該殼架700的開口内,且該基板754是由導熱性相當高 的材料所組成,以使熱量傳送至該散熱單元740。 該支托架760可設置於該光源750之下,其可包含一 框架及另外的氣流孔。一光學構件可設置於該光源750下 方(圖中未示),以使該發光元件封裝752的光源750所發 出的光產生偏離、散射、或聚集。本實施例的照明裝置採 用前述實施例所述之發光元件封裝,藉以提升該發光元件 封裝的使用壽命及防止光的互相干擾。 圖19為根據本發明實施例的顯示裝置之結構分解透 29 201203620 視圖,該顯示裝置具有前述實施例所述之發光元件封裝。 如圖19所示,該顯示裝置800包含一光源模組、一底 蓋810、一反射板820、一導光板840、複數個光學片、一 面板870、及一濾光片880。該反射板820設置於該底蓋 810之上;該導光板840設置於該反射板820的前方,藉 以將該光源模組的發光導向該顯示裝置800的前方;該等 光學片(例如,包含棱柱片(prism sheet) 850及860)設置於 該導光板840的前方;該面板870設置於該棱柱片850及 860的前方;且該濾光片880設置於該面板870的前方。 該底蓋810、該反射板820、該光源模組、該導光板840、 及該等光學片可組成一背光單元。 該光源模組可包含一基板830及一發光元件封裝 835。印刷電路板可作為上述的基板830,且該發光元件封 裝835可以是如圖1實施例所述的該發光元件封裝10〇 ; 亦可以是其他適合的組合方式。 該底蓋810可容納該顯示裝置800的零組件。該反射 板820可以是如圖15所示的分離構件,或是形成於該導光 板840後面或該底蓋810前面的高反射性材料塗層。該反 射板820的組成材料可以是高反射性且可製成薄膜的材 料’例如 PET(P〇lyEthy丨eneTerephtalate)或其他材料。 該導光板840散射該光源模組所發出的光,以形成該 顯示裝置800整個螢幕區域均勻的發光分佈。因此,該導 光板840的組成材料可以是折射性及穿透性良好的材料, 例如聚曱基丙稀酸 g旨(PolyMethylMethAcrylate, PMMA)、聚 碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(PolyEthylene, PE)、或 201203620 其他材料。 該第一棱柱片850的構造可以是塗覆一高透光及彈性 的聚合物至一基礎膜的表面;該聚合物可包含一棱柱層, 其為複數個以一特定圖案重複出現的三維結構。該圖案可 以是如圖15所示的條紋形狀,其凸脊與凹谷重複出現,或 是其他適合的圖案。 該第二棱柱片860的構造可以是複數個凸脊與凹谷重 複製作於一基礎膜的表面,其排列方向垂直於該第一棱柱 片850的該等凸脊與凹谷的排列方向。此結構組合可將來 自該光源模組及該反射板820的光形成該面板870整個營 幕表面的均勻分佈。 一保護片可設置於各該棱柱片850及860之上。該保 護片可包含複數個保護膜層於一基礎膜的兩面,該保護膜 層包含光擴散粒子及黏著劑。進而言之,該棱柱層的組成 材料可以是聚氨基甲酸g旨(polyurethane,PU)、苯乙稀-丁二 烯 (styrene-butadiene)共聚合物、聚丙烯酸酯 (polyacrylate)、聚曱基丙稀酸酷(polymethacrylate)、聚曱基 丙稀酸酯(polymethylmethacrylate, PMMA)、聚乙烯對苯二 曱酯(polyethyleneterephthalate)合成橡膠、聚異戊二稀 (polyisoprene)、多晶石夕(polysilicon)、及其類似物。 一擴散片可設置於該導光板840與該第一棱柱片δ50 之間。該擴散片的組成材料可以是聚酯(polyester)或聚碳酸 酯(polycarbonate)為基底的材料,且可藉由來自該背光單元 的入射光之折射及散射而增加光投射角。此外,該擴散片 可包含一含光擴散劑的承載層、一形成於一光發射面上的 31 201203620 第-膜層(在該第-棱柱片85G的方向上)、及—形成於一 光入射面上的第二膜層(在該第二棱柱片86〇的方向上 該第一及第二膜層可不包含擴散劑。 在本實施例中,該等光學片可包含該擴散片、該第一 =柱片850、及3亥第二棱柱片副的組合。然而,該等光 學片亦可包含其他的組合,例如:微透 微透鏡陣_組合、或棱W餘透僻_組合:片” 液晶顯示面板可作為該面板87〇,但亦可以採用其他 =之需要光源的顯示裝置。該面板請的構造為液晶層 二=二玻璃基板之間’且極化㈣設於該二玻璃基板之 藉以運用光的極化性質。該液晶層的性質介於液體斑 固體之間;也就是說’該液晶層中的液 體 :::r而又能規則排列的有機分子,且該液 電穷所引起的分子排列變化而顯示影像。 的類i述用於賴示裝置的液晶顯示面板可以是主動矩陣 雷『、且可猎由電晶體作為開關來調整施加於各畫素的 且卜,該濾光片⑽可設置於該面板870的前方, 綠Γΐί素由ϊ面板870的投射光令,只傳送出紅光、 ·“、 或i光,藉此而顯示影像。 很據本貫施例,該顯示裝w椟 光元件封裝,藉此可防止刖述貫施例所述之發 光的互相^ 轉m所發出 的2據本實?例’一種發光元件封裝可防止-封裝主體 、文色現象’藉以提升該發光元件封 ^ 防止光的互好擾。 了㈣使‘命,並可
32 201203620 f據本貫施例,一種發光元件封裝可包括:一封裝主 體、、具有-包含複數個旁側面及一底部的腔體;、一 反射杯狀物及一第二反射杯狀物,其設置於該腔體的= ==二第;:光元件,設置於該第-反射= 内。兮第-及第;Λ 70件’设置於該第二反射杯狀物之 〜第及第一反射杯狀物的組成材料可選自由銀 及銅組成的材料群。 1 該第一反射杯狀物及該第二反射杯狀物可防止竽 該第二發光元件所產生的熱量被輻射或料至 第—及第二反射杯狀物的至少—部份可穿過該封 裝體且暴露於該封裝主體之外。該第-及第二反射杯狀 物的形狀與尺寸可以是互相對制。各該第—及第二反射 2物的各個旁側面與其底面之間的傾斜角可介於如。至 ,元件封裝亦可包含一階梯狀邊緣,其位於該封
Hr面與該腔體的上側端之間,該階梯狀邊緣盘 主體上側面之間有—高度差且平行於該封裝主體的 側面。該第-反射杯狀物的上側面平行於該第一發光元 2上側面,且該第二反射杯狀物的上側面平行於該第二 發光元件的上側面。 触在另一實施例中,一種發光元件封裝可包括:一封裝 主脰其具有一包含複數個旁側面及一底部的腔體;一第 Z射杯狀物及-第二反射杯狀物’其設置於該腔體的底 相隔開;一第一發光元件’設置於該第一反射杯狀 33 201203620 物之内,帛—發光元件,設置於該第二反射杯狀物之内; 以及-連接部’其設置於該腔體的底部,且被隔離於該第 -及第-反射杯狀物之外;其中該第—發光元件與該第二 發光元件藉由該連接部而電性連接。該第—及第二反射杯 狀物可自忒封裝主體的腔體底部壓入。 該發光元件封裝亦可包含:一第—導線,連接該第一 反射杯狀物及該第-發光元件;—第二導線,連接該第一 發光件及該連接部;―第三導線,連接該連接部及該第 二發光元件;以及―第四導線’連接該第二發光元件及該 第二反射杯狀物,纟中該第—及第二發光元件藉由該第一 導線、該第二導線、該第三導線、及該第四導線而串聯連 接。 該發光元件封裝亦可包含:一第—導線,連接該第一 反射杯狀物及該第-發光元件;一第二導線,連接該第一 發光兀件及該第二反射杯狀物;—第三導線, 反射杯狀物及該第二發光元件;以及—第四導線,連接該 第-發光70件及該第二反射杯狀物,其中該第—及第二發 光元件藉由該第-導線、該第二導線、該第三導線、及‘ 第四導線而並聯連接。 該發光元件封裝亦可包含:一第一導線,連接該第— 反射杯狀物及該第一發光元件;一第二導線, 發光元件及該第二發光元件;以及一第三導線,連:該; 二發光元件及該第二反射杯狀物,其中該第一及第二^光 元件藉由該第-導線、該第二導線、及該第三導線:; 連接。 %
S 34 201203620 部的—反射杯狀物、該第二反射杯狀物、及該連接 外。、V部份可穿過該封裝主體且暴露於該封裝主體之 唯以上所述者,僅為本發明之較佳實施例, 將不失本發明之要義所在,亦不脫 =發明之精神和範圍,故都峨本發明的進—步實施 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明實施例的發朵 叫圖i所示之發光二意圖。 =如圖1所示之發光元件封裝的第-:視圖。 圖1所示之發光元件封㈣二側視圖。 =如圖1所不之發光元件封裝的第四側視圖。 如圖i所示之發光元件封農的平面 ^面如圖圖7所示之發光元件封裝沿著直線Μ所取出的 圖所示之發光元件封裝沿著直線㈣,所取出的 圖10為根據本發明實施例的發 連接示意圖。 干对裝之串聯式導線 圖11為根據本發明實施例的發 連接示意圖。 4轉封《之並聯式導線 圖12為根據本發明實施例的發光元件封裝之另—串聯式 35 201203620 導線連接示意圖。 圖^會不根據本發明—實施例之該第—反射杯狀物的深 度0 圖削繪錢據本發實施例之該[反射杯狀物的 深度。 圖^根縣發日収—實關线帛—反射杯狀 深度。 圖14為根據本發明實施例的第一發光元件及第二發光元 件之示意圖。 圖15為根據本發明實施例的該第一至第四電極之第一種 連接示意圖。 圖16為根據本發明實施例的該第一至第四電極之第二種 連接示意圖。 圖17為根據本發明實施例的該第一至第四電極之第三種 連接示意圖。 圖18為根據本發明實施例的照明裝置之分解透視圖,該照 月扃置包含前述實施例的發光元件封裝應用於此。 圖1 _9為根據本發明實施例的顯示裝置之分解透視圖,該顯 示裝置具有前述實施例所述之發光元件封裝。 【主要元件符號說明】 802上側面 804邊緣部 106上側面 10 7下側面 240樹酯注入孔 I 〇〇發光元件封裝 II 〇封裝主體 105主腔體 102旁側面 103底部
36 S 201203620 210第一旁侧面 220第二旁側面 230第三旁側面 第一反射杯狀物122 122-1上側面 142側端 162第一腔體 202下側面 122-2底部 第二反射杯狀物124 124-1上側面 144側端 164第二腔體 204下側面 126連接墊片 146側端 132第一發光元件 134第二發光元件 20基板 30發光結構 32第一導電性型半導體 層 33主動層 34第二導電性型半導體 40導光層 12第一電極 14第二電極 16第三電極 18第四電極 D1/D2/D3/D4間隔距離 K1高度差 K2長度 Θ1傾斜角 H/H1/H2/H3 深度 al高度 150齊納二極體 152/1052/1152/1252 第一導 線 154/1054/1154/1254 第二導 線 156/1056/1156/1256 第三導 線 158/1058/1158 第四導線 159第五導線 700殼架 710插座連接部 720氣流孔 730主體部 37 201203620 740散熱單元 750光源 752發光元件封裝 754基板 760支托架 800顯示裝置 810底蓋 820反射板 830基板 835發光元件封裝 840導光板 850/860棱柱片 870面板 880濾光片
38 S

Claims (1)

  1. 201203620 七、申請專利範圍: i一種發光元件封裝,其包括: 封装主體,具有一腔體形成於其中,該腔體包含複數 個旁側面及一底部; 一第一反射杯狀物及一第二反射杯狀物,設置於該腔體 的底部,且藉由該腔體底部的一部份而隔 一 第二反射杯狀物; —第-發光it件,設置於該第—反射杯狀物之内;以及 一第二發光元件,設置於該第二反射杯狀物之内。 申請專利範圍第!項所述之發光元件封褒,盆"第 ;及第二反射杯狀物形成複數個凹槽於該腔體帽 申=利範圍P項所述之發光元件封裝,其中各該 於Si:大物的一部份f過該封裝主體且暴露 專利範圍第1項所述之發光元件封裝,宜中古亥第 及第一反射杯狀物的形狀與尺寸 χ 5·:申請專利範圍第!項所述之發光元件二= 第-及第二反射杯狀物的各個 f,、中各遠 之間的傾斜角介於9〇。至16〇。。 一,、相對應的底面 6.如申請專利麵第〗 括: 忐凡件封裝,進一步包 -階梯狀邊緣’形成於該封裝 的-上側端之間’該階梯狀邊“:上側面與該腔體 之間有-預設的高度差,梯體上側面 白俅狀邊緣平行於該封 39 201203620 裝主體的上側面。 7·如申請專利範圍第1項所述之發光元件封I,A ^ 二反射杯,勿的上側面平行於該第—發光、元件、= 面’且該第二反射杯狀物的上側面平行於該第_ _ 件的上側面。 """ 8·如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝,其中該第 —反射杯狀物的高度大於該第一發光元件的高^^該 第二反射杯狀物的高度大於該第二發光元件度。 9.如申請專利範圍第8項所述之發光元件封裝,其中兮第 一反射杯狀物的深度大於該第一發光元件的高^且γ於 發光元件的兩倍高度’以及該第二反射:狀物的 冰度大於該第二發光元件的高度且小於該第二發光元件 的兩倍高度。 10·如申請專利範圍第丄項所述之發光元件封裝,其中該第 :反射杯狀物的高度小於該第—發光轉的高度,且該 ,反射杯狀物的高度小於該第二發光树的高度。 專利範圍第Η)項所述之發光元件封裝,其中該 =杯狀物的深度小於該第一發光元件的高度且 物的;丨t光疋件的—半高度,以及該第二反射杯狀 光元件的—半高度 先凡件的向度且大於該第二發 12=申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝,進-步包 射其充填該封装主體的腔體内部、該第一反 射杯狀物的内部、及該第二反射杯狀物的内部,用以 201203620 隔絕該第一及第二發光元件與其外部環境。 13· 一種發光元件封裝,其包括: 一封裝主體’具有一腔體形成於其中; 一第一反射杯狀物及一第二反射杯狀物,設置於該腔體 的底部; 第一發光元件,設置於該第一反射杯狀物之内; —第二發光元件,設置於該第二反射杯狀物之内;以及 —連接墊片’設置於該腔體的底部,且被隔離於該第一 及苐一反射杯狀物之外。 14·,申請專利範圍第13項所述之發光元件封裝,其中該 第一及第二反射杯狀物藉由該腔體底部的一部份而互 相隔開’且該第-發光元件U由該連接 該第二發光元件。 电「埂按 15.如申請專利範圍帛13工員所述之發光元件封I 包括: 第一導線,連接該第一反射杯狀物及該第一發光元 一第三導線,
    第一導線 連接該第一反射杯狀物及該第 一發光元 第=導線’連接該第—發光元件及該連接塾片 f三導線,連接該連接塾片及該第二發光元件; 第四導線,i康垃妓楚-政_ 41 201203620 件; 一第二導線,連接該第一發光元件及該第二反射杯狀 物; 一第二導線,連接該第一反射杯狀物及該第二發光元 件;以及 一第四導線,連接該第二發光元件及該第二反射杯狀 物’其中該第一及第二發光元件藉由該第一導線、該 第一導線、該第三導線、及該第四導線而並聯連接。 •如申請專利範圍第13項所述之發光元件封裝,進 包括: 第一導線,連接該第一反射杯狀物及該第一發光元 件; 第二導線,連接該第—發光元件及該第二發光元件; 第三導線,連接該第 ‘赞亢兀件及該第 ^其中該第-及第二料元件藉由該第一導線 第一導線、及該第三導線而串聯連接。 18=申請專利範圍第丨項所述之發光^件封裝,立卜 反射杯狀物的組成材料不同於該封裝^ S 42
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103247750A (zh) * 2012-02-03 2013-08-14 隆达电子股份有限公司 发光装置
TWI506822B (zh) * 2013-03-25 2015-11-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd 具有不對稱環壁的發光二極體晶片承載座
TWI570904B (zh) * 2012-02-17 2017-02-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI720806B (zh) * 2020-02-03 2021-03-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5721668B2 (ja) * 2012-06-29 2015-05-20 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
TWI552390B (zh) * 2014-01-29 2016-10-01 一詮精密工業股份有限公司 發光二極體料帶的製造方法
WO2016117910A1 (ko) 2015-01-19 2016-07-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102237155B1 (ko) * 2015-03-11 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20180000976A (ko) * 2016-06-24 2018-01-04 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN106067508A (zh) * 2016-08-03 2016-11-02 江西亚中电子科技有限公司 多用途双色led贴片支架
CN107045992A (zh) * 2017-04-19 2017-08-15 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 图像传感器圆片级封装方法及封装结构
TWI631694B (zh) * 2017-06-26 2018-08-01 錼創科技股份有限公司 顯示面板
KR102473424B1 (ko) * 2018-01-03 2022-12-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
TWI775888B (zh) * 2018-02-14 2022-09-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置、其製造方法及顯示模組
TWI753431B (zh) * 2020-05-19 2022-01-21 光感動股份有限公司 封裝組件
TWI738430B (zh) * 2020-07-22 2021-09-01 友達光電股份有限公司 有機發光二極體顯示面板
CN115373175A (zh) * 2021-05-20 2022-11-22 华为技术有限公司 背光模组及其制造方法、显示装置和电子设备
CN114334930B (zh) * 2021-12-30 2022-09-27 惠州市艾斯谱光电有限公司 照明灯及其灯板
CN114859601B (zh) * 2022-04-28 2023-09-08 上海天马微电子有限公司 一种反射组件、背光模组、显示模组及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
JP2006019598A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP5350658B2 (ja) * 2007-03-30 2013-11-27 シャープ株式会社 発光素子
KR20090003378A (ko) * 2007-06-05 2009-01-12 주식회사 루멘스 발광 다이오드 패키지
US7985980B2 (en) * 2007-10-31 2011-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
JP2009302339A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR100944085B1 (ko) * 2008-06-23 2010-02-24 서울반도체 주식회사 발광 장치
US20100078661A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Wei Shi Machined surface led assembly
CN201336305Y (zh) * 2008-11-14 2009-10-28 河源市粤兴实业有限公司 带灯杯的菱形led模组
TWM361722U (en) * 2008-12-29 2009-07-21 Brightek Optoelectronic Co Ltd Light emitting diode
CN201475686U (zh) * 2009-07-31 2010-05-19 陈忠 一种两光源led照明模块

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103247750A (zh) * 2012-02-03 2013-08-14 隆达电子股份有限公司 发光装置
TWI570904B (zh) * 2012-02-17 2017-02-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI506822B (zh) * 2013-03-25 2015-11-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd 具有不對稱環壁的發光二極體晶片承載座
TWI720806B (zh) * 2020-02-03 2021-03-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器

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