TWI775888B - 發光裝置、其製造方法及顯示模組 - Google Patents
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Abstract
一種發光裝置,包含一載板、一發光元件以及一連結結構。載板包含一第一結合部以及沿伸自該結合部的一第一頸部。第一結合部具有第一寬度,第一頸部具有第二寬度,其中,第二寬度小於第一寬度。發光元件包含可發出第一光線的一第一發光層以及形成在該第一發光層之下的一第一接觸電極,其中該第一接觸電極對應該第一結合部。連結結構包含第一電連結部以及圍繞該第一結合部及該第一電連接部的一保護部,且第一電連結部與該第一結合部及該第一接觸電極電性連接。第一結合部大致位於保護部所圍繞的範圍內。
Description
本發明係關於一種發光裝置及其製造方法,尤關於一種包含特定結構之載板以及特定連結結構之發光裝置及其製造方法。
發光二極體(Light-Emitting Diode;LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性,因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域,例如,車輛、家電、顯示屏及照明燈具等。
LED屬於一種單色光(monochromatic light),因此很適合做為顯示器中的像素(pixel)。例如可作為戶外或戶內顯示屏的像素。其中,提高顯示器的解析度是目前技術發展趨勢之一。為了提高解析度,勢必要將各作為像素的LED微小化。如此將衍伸出許多的技術問題,例如:要精確地將LED與基板的電性連結將更為困難。
本發明係揭露一種發光裝置,包含一載板、一發光元件以及一連結結構。載板包含一第一結合部以及沿伸自該結合部的一第一頸部。第一結合部具有第一寬度,第一頸部具有第二寬度,其中,第二寬度小於第一寬度。發光元件包含可發出第一光線的一第一發光層以及形成在該第一發光層之下的一第一接觸電極,其中該第一接觸電極對應該第一結合部。連結結構包含第一電連結部以及圍繞該第一結合部及該第一電連接部的一保護部,且第一電連結部與該第一結合部及該第一接觸電極電性連接。第一結合部大致位於保護部所圍繞的範圍內。
第1A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置100的立體圖,第1B圖係顯示第1A圖中發光裝置100的上視圖,以及第1C圖係顯示第1A圖中發光裝置100的底視圖。發光裝置100包含一載板120、一發光元件140、一連結結構160及一透光元件180。在一實施例中,發光元件140形成在載板120之上,連結結構160位於載板120與發光元件140之間,且透光元件180覆蓋發光元件140以及連結結構160。
在一實施例中,載板120包含一絕緣層122、一上導電層124以及一下導電層126。上導電層124可做為與發光元件140電性連結之用,並與下導電層126彼此電性連結。下導電層126則與發光裝置100的外部電性連結。在一實施例中,上導電層124透過導電貫孔(conductive via)與下導電層126彼此電性連結。導電貫孔貫穿絕緣層,此外,導電貫孔可形成在絕緣層122的邊緣或是絕緣層122內部區域。一實施例中,上導電層124形成在絕緣層122之上並具有圖形化結構,下導電層126形成在絕緣層122之下並具有圖形化結構。參閱第1C圖,在一實施例中,因為三個發光單元有一個共同電極,因此,下導電層126具有四個導電墊。具體而言,在本實施例中,共同電極是表示在物理上及電性上連接二或多個發光單元中相同電性的電極的端點。在一實施例中,三個發光單元皆為發光二極體,發光二極體中的p型半導體彼此共用一個電極。在另一實施例中,發光二極體中的n型半導體彼此共用一個電極。在一實施例中,下導電層126的一個導電墊的形狀與其他三個形狀不同以作為辨識用。在本實施例,下導電層126中,作為共用電極的導電墊的其中一個角落為斜面(如第1C圖中左下角之下導電層126),即五邊形,與其他三個四邊形的導電墊不同以作為辨識用。四個導電墊分別在四個角落,可分別與外部的四個電極做電性連結。在另一實施例中,三個發光單元的電極各自獨立地於外部電性連接,因此下導電層126具有六個導電墊。
絕緣層122的材料可以是環氧樹脂、BT(Bismaleimide Triazine)樹脂、聚醯亞胺(polyimide)樹脂、環氧樹脂與玻纖的複合材料或BT樹脂與玻纖的複合材料。上導電層124與下導電層126的材料可以是金屬,例如:銅、錫、鋁、銀或金。在一實施例中,當發光裝置100在顯示裝置作為像素時,絕緣層122的表面可以形成一層吸光層(圖未示),例如,黑色塗層,可增加對比度。
參閱第1A圖,在一實施例中,發光元件140包含第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146。在此一實施例中,發光單元的數目為三,但不以此為限。在另一實施例中,發光單元可以是一個、二個、四個或五個。在一實施例中,第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146是可分別發出不同波長或不同顏色的光的發光二極體晶粒(LED die)。在一實施例中,第一發光單元142為紅光發光二極體晶粒,可經由電源提供一電力而發出第一光線,第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於600 nm至660 nm之間。參閱第1D圖,表示沿著第1B圖中I-I’的剖面圖,在一實施例中,第一發光單元142包含一承載基板142a、一發光層142b以及接觸電極142c1、142c2。其中,發光層142b之一側朝向承載基板142a,另一側朝向接觸電極142c1、142c2。承載基板142a可用以承載或支撐發光層142b。此外,承載基板142a遠離發光層142b的一面,也是第一發光單元142之上表面,即為第一發光單元142之出光面。在一實施例中,承載基板142a為透明陶瓷基板,例如可以是氧化鋁基板,透過一結合層(bonding layer,圖未示)與發光層142b連結。
在一實施例中,第二發光單元144為綠光發光二極體晶粒,可發出第二光線,第二光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於510 nm至560 nm之間。與第一發光單於142的結構相似,發光第二單元144包含一承載基板、一發光層以及接觸電極。進一步而言,第二發光單元144的發光層的組成與第一發光單元142不同。此外,在一實施例中,第二發光單元144的承載基板為成長基板(growth substrate),例如,可以是藍寶石(sapphire)基板,作為發光層磊晶成長時之基板。第三發光單元146為藍光發光二極體晶粒,可發出第三光線,第三光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於430 nm至480 nm之間。第三發光單元146與第二發光單於144的結構相似,但發光層的組成與發光單元144不同。
在另一實施例中,第一發光單元142為比紅光波長較短的發光二極體晶粒,例如:藍光發光二極體或紫外光發光二極體,並覆蓋可發出紅光波長的波長轉換材料。第二發光單元144為比綠光波長較短的發光二極體晶粒,例如:藍光發光二極體或紫外光發光二極體,並覆蓋可發出綠光波長的波長轉換材料。第三發光單元146則為藍光發光二極體晶粒,或是紫外光發光二極體,且覆蓋可發出藍光波長的波長轉換材料。
參閱第1B圖,在一實施例中,第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146的排列為三角形,各自在三角形的三個頂點上。在其他實施例中,第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146可以是以線性方式排列。
參閱第1A圖,在一實施例中,連結結構160包含第一區塊162、第二區塊164以及第三區塊166。連結結構160的第一區塊162可連結載板120與發光單元142,且同時提供電性及物理性的連結。進一步而言,可參閱第1D圖,第一區塊162包含第一電連結部162a、第二電連結部162b以及第一保護部162c。在一實施例中,第一電連結部162a電性連結上導電層124以及接觸電極142c1,第二電連結部162b電性連結上導電層124以及接觸電極142c2,且保護部162c圍繞第一電連結部162a以及第二電連結部162b。在一實施例中,第一電連結部162a以及第二電連結部162b的輪廓可以是平滑的表面或是有凹凸起伏的表面。在一實施例中,第一電連結部162a以及/或第二電連結部162b具有頸部的輪廓。換言之,第一電連結部162a在接觸電極142c1以及上導電層124之間有一寬度小於與第一電連結部162a與上導電層124之界面的寬度。或是,第二電連結部162b在接觸電極142c2以及上導電層124之間有一寬度小於與第二電連結部162b與上導電層124之界面的寬度。在一實施例中,第一電連結部162a以及第二電連結部162b大部分是導電材料所組成。另外,第一電連結部162a以及第二電連結部162b分別含有為小量的孔洞或樹脂162a1、162b1。在另一實施例中,第一電連結部162a以及第二電連結部162b可全部都是導電材料所組成。
在一實施例中,第一保護部162c位於第一電連結部162a以及第二電連結部162b之間,包覆第一電連結部162a及第二電連結部162b,且與載板120以及發光單元142的表面相連結。第一保護部162c不僅可保護第一電連結部162a以及第二電連結部162b,避免外部環境對導電材料的氧化,還可避免第一電連結部162a及第二電連結部162b在高溫的環境下因材料軟化或熔化造成短路的問題。此外,第一保護部162c可增加載板120與發光單元142的接合強度。在一實施例中,第一保護部162c主要為樹脂所組成,還可包含少量的導電材料。值得注意的是,第一保護部162c內的導電材料,並不是連續地存在第一電連結部162a及第二電連結部162b之間,而是以不連續地形式存在第一電連結部162a及第二電連結部162b之間。在另一實施例中,第一保護部162c主要為樹脂所組成,但不包含導電材料。
第一電連結部162a、第二電連結部162b以及第一保護部162c所含有的導電材料可以是相同或不同,例如:金、銀、銅或錫合金。在一實施例中,導電材料是低熔點的金屬或低液化熔點(liquidus melting point )的合金。在一實施例中,低熔點的金屬或低液化熔點的合金的熔點或液化溫度低於210℃。在另一實施例中,低熔點的金屬或低液化熔點的合金的熔點或液化溫度低於170℃。低液化熔點的合金的材料可以是錫銦合金或錫鉍合金。
第一電連結部162a、第二電連結部162b以及第一保護部162c所含有的樹脂可以是相同或不同,例如可以是熱固性樹脂。在一實施例中,樹脂是熱固性環氧樹脂。在一實施例中,樹脂具有玻璃轉化溫度Tg,且玻璃轉化溫度Tg大於50℃。在另一實施例中,樹脂的玻璃轉化溫度Tg大於120℃。在一實施例中,第一電連結部162a及/或第二電連結部162b的導電材料的液化溫度與第一保護部162c的樹脂的玻璃轉化溫度差小於50℃。在一實施例中,導電材料相對於第一區塊162的重量比是在40%至80%之間。在另一實施例中,導電材料相對於第一區塊162的重量比是在30%至70%之間。
參閱第1A圖,在一實施例中,連結結構160的第二區塊164可連結載板120與發光單元144,且同時提供電性及物理性的連結。相似地,在一實施例中,連結結構160的第三區塊166可連結載板120與發光單元146,且同時提供電性及物理性的連結。第二區塊164以及第三區塊166的具體結構、作用及材料與第一區塊162大致相同或相似,可以參考第1D圖及第一區塊162相應之段落。
參閱第1A圖,在一實施例中,透光元件180覆蓋發光元件140、連結結構160以及上導電層124。在ㄧ實施例中,透光元件180與發光單元142、144、146,連結結構160的第一區塊162、第二區塊164、第三區塊166以及上導電層124直接接觸。在ㄧ實施例中,透光元件180的側壁與載板120的側壁可以是共平面。在另一實施例中,透光元件180的側壁與載板120的側壁也可以不共平面。透光元件180的側壁與載板120的側壁之間有一平面(圖未式),此平面與透光元件180的側壁及載板120的側壁不平行,可以是透光元件180的下表面或載板的上表面。透光元件180可保護發光元件140、連結結構160以及上導電層124。此外,透光元件180可做為發光裝置100的出光面,發光元件140射出的光可穿透透光元件180。在ㄧ實施例中,透光元件180對波長在440 nm至470 nm、510 nm至540 nm以及610 nm至640 nm的所有波段的穿透度大於80%。在ㄧ實施例中,透光元件180的折射率在1.30至2.0之間。在另ㄧ實施例中,透光元件180的折射率在1.35至1.70之間。再者,透光元件180可減少上導電層124遭受外界環境的氧化。
透光元件180的材料可為樹脂、陶瓷、玻璃或上述之組合。在一實施例中,透光元件180的材料為熱固化樹脂,熱固化樹脂可為環氧樹脂或矽氧樹脂。在一實施例中,透光元件180為矽氧樹脂,矽氧樹脂的組成可根據所需的物理性質或光學性質的需求做調整。一實施例中,透光元件180含有脂肪族的矽氧樹脂,例如,甲基矽氧烷化合物,並具有較大的延展性,較可以承受發光元件140產生的熱應力。另一實施例中,透光元件180含有芳香族的矽氧樹脂,例如,苯基矽氧烷化合物,並具有較大的折射率,可以提高發光元件140的光萃取效率。發光元件140的折射率與發光元件140出光面之材料的折射率相差越小,出光的角度越大,光萃取(light extraction)的效率可更加提升。在一實施例中,發光元件140出光面之材料為藍寶石(sapphire) ,其折射率約為1.77,透光元件180之材料為含有芳香族的矽樹脂,其折射率則大於1.50。
第2A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置200中載板220的上視圖。第2B圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置200中載板以及連結結構的上視圖。第2C圖係顯示第2A圖及的2B圖中第一發光單元272及對應的第一區塊210及第一接點區240的示意圖。在一實施例中,第2A圖至第2C圖與第1A至第1D圖是相同的實施例,因此可以結合第1A至第1D圖來看。第2A圖至第2C圖也可與第1A至第1D圖不相同。在一實施例中,載板220包含上導電層,上導電層則包含第一接點區240、第二接點區260以及第三接點區280。在一實施例中,第一接點區240對應的是發光元件中的第一發光單元272。第二接點區260對應的是發光元件中的第二發光單元274 。第三接點區280對應的是發光元件中的第三發光單元 276 。以第一發光單元272及對應的第一接點區240為例,在一實施例中,第一接點區240包含第一結合部242、第一頸部244、第二結合部246以及第二頸部248。同時參閱第2C圖,第一頸部244可沿伸自第一結合部242或是彼此相連接。第一結合部242可做為與第一發光單元272的一個接觸電極272-1主要的電性連接之部分。第一頸部244可連結到上導電層的其他部分,作為與外部電性連接的橋樑。在一實施例中,第一結合部242與第一發光單元272中電極272-1的面積大小相同或相近。在一實施例中,第一結合部242與第一發光單元272中上述電極的面積的比值在0.8至1.2之間。此外,第一結合部242具有一寬度Wb大於第一頸部244的寬度Wn。在一實施例中,第一頸部244的寬度Wn與第一結合部242的寬度Wb的比值小於0.6。相似地,第二結合部246與第一發光單元272中另一接觸電極272-2的面積的比值在0.8至1.2之間。此外,第二頸部248的寬度Wn與第二結合部246的寬度Wb的比值小於0.6。在本文,結合部的寬度Wb及頸部的寬度Wn可指最大寬度。例如:結合部的形狀為圓形時,結合部的寬度Wb是指直徑。在一實施例中,第一結合部242與第二結合部246之間最近的距離小於100μm。在另一實施例中,第一結合部242與第二結合部246之間最近的距離小於50μm。
參閱第2B圖,在一實施例中,連結結構包含第一區塊210、第二區塊230以及第三區塊250。在一實施例中,同時參閱第2A圖,第一接點區240與第一發光單元272透過連結結構的第一區塊210連結。第一區塊210的第一電連結部214主要形成在第一結合部242上,並與第一發光單元272電性連接,且第二電連結部216主要形成在第二結合部246上,並與第一發光單元272的另一電極電性連接。第一保護部212包覆第一電連結部214以及第二電連結部216。此外,同時參閱第2A圖,在一實施例中,第一結合部242大致位於第一保護部212所圍繞的範圍內。在一實施例中,第一保護部212涵蓋的面積小於第一發光單元272。在另一實施例中,第一保護部212涵蓋的面積也可大於第一發光單元272或與第一發光單元272相近。
同時參閱第2A圖及第2B圖,第二發光單元274對應第二區塊230及第二接點區260。第二區塊230的第二保護部232、第三電連結部234以及第四電連結部236可分別與第一保護部212、第一電連結部214以及第二電連結部216的結構及功能相同或相似。第二接點區260的第三結合部262、第三頸部264、第四結合部266以及第四頸部248可分別與第一結合部242、第一頸部244、第二結合部246以及第二頸部248的結構及功能相同或相似。相似地,第三發光單元276對應第三區塊250及第三接點區280。第三區塊250的第三保護部252、第五電連結部254以及第六電連結部256可分別與第一保護部212、第一電連結部214以及第二電連結部216的結構及功能相同或相似。第三接點區280的第五結合部282、第五頸部284、第六結合部286以及第六頸部288可分別與第一結合部242、第一頸部244、第二結合部246以及第二頸部248的結構及功能相同或相似。
第3A圖為根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置中第一發光單元372及對應的第一區塊310及第一接點區340的上視圖。第3B圖係顯示第3A圖所揭露的剖面圖。參閱第3A圖及第3B圖,與第2C圖不同之處,第一區塊310包含兩個保護部312、314。在一實施例中,接觸電極372-1第一接點區340的第一結合部342以及第一電連結部311皆被保護部312所包覆。第一頸部344則部分被保護部312所包覆。此外,接觸電極372-2、第二結合部346以及第二電連結部313皆被保護部314所包覆。第二頸部348則部分被保護部314所包覆。
第4圖為根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置400中載板420的上視圖。在一實施例中,載板420包含上導電層,上導電層則包含第一接點區440、第二接點區460以及第三接點區480。第一接點區440為例,與第2A圖不同之處在於,第一結合部442的寬度或面積比第一發光單元472的對應電極(圖未示)大。在一實施例中,第一結合部442的寬度大於第一發光單元472的其中之一寬度且第一頸部444的寬度小於第一結合部442的寬度。相似地,第二結合部446的寬度大於第一發光單元472的其中之一寬度且第二頸部448的寬度小於第二結合部446的寬度。在另一實施例中,第一結合部442的寬度大致等於第一發光單元472的其中之一寬度或略小於第一發光單元472的其中之一寬度。此外,第二發光單元474對應第二接點區460。第二接點區460的第三結合部462、第三頸部464、第四結合部466以及第四頸部468可分別與第一結合部442、第一頸部444、第二結合部446以及第二頸部448的結構及功能相同或相似。再者,第三發光單元476對應第三接點區480。第三接點區480的第五結合部482、第五頸部484、第六結合部486以及第六頸部488可分別與第一結合部442、第一頸部444、第二結合部446以及第二頸部448的結構及功能相同或相似。增加上導電層中結合部的面積,可減少因為連接結構中不同區塊的體積不同造成發光單元彼此之間高度不均或發光單元傾斜的現象。詳言之,當上導電層中結合部的面積較大時,各區塊內的電連結部會被攤平在結合部上並與發光單元的電極相連接。如此,即使兩個電連結部的體積不同,也不會造成太大的高度差異。
第5A至第5J為製作發光裝置100的流程圖。參照第5A圖,提供一載板。該載板包含一絕緣層522、一上導電層524以及一下導電層526。上導電層524及下導電層526分別具有多個接點。其中上導電層524的多個接點可與多個發光元件電性連接。在一實施例中,發光元件包含三個發光單元,每個發光單元需2個接點對應,因此,上導電層524包含3*2*N個接點,N可以是大於1的整數。因為三個發光單元具有一個共同電極,因此下導電層526則包含4*N個接點。
參照第5B圖,將含有導電粒子(圖未示)的膠料561透過圖形化治具512形成在上導電層524上,並形成未固化區塊562’。圖形化治具512可以是鋼板(stencil)或網版。在一實施例中,未固化區塊562’形成的位置,是對應一個發光單元群所需電連接的位置,可以是一個發光單元的二個電極對應一個區塊。在另一實施例中,各個未固化區塊562’形成的位置是對應一個發光單元群中各個發光單元的各電極電連接的位置。此處所述發光單元群是指發出相同波長或相同顏色的發光單元。例如:皆是發出紅光波長的發光二極體,藍光波長的發光二極體或綠光的發光二極體。參照第5C圖,將第一發光單元群542與未固化區塊562’相連接並形成在上導電層524上。在一實施例中,發光單元群542形成在上導電層524上的方式是一個接一個的方式,因此發光單元542-1被先形成在上導電層524上再接續下一個發光單元。在另一個實施例中,可以是同一個發光單元群中的多個發光單元同時形成在上導電層524上。
參照第5D圖,在一實施例中,將多個發光單元群形成在同一個載板,各個發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2分別形成在上導電層524上的不同未固化區塊562’。在本圖示中,各發光單元群的數量為二,但不以此為限,可以是大於1的整數。
第5E圖及第5F圖分別表示連結結構中其中一個區塊在固化前後,與發光單元542-1以及載板520的細部結構圖。參照第5E圖,此時,未固化區塊562’中的導電粒子562’-2是分散在保護部562’-1內。保護部562’-1尚未固化,因此為液態的狀態。在一實施例中,之後,在固化階段,保護部562’-1的黏度會先下降再上升,且導電粒子562’-2會聚集在發光單元542-1的電極542-1a、542-1b以及上導電層524之間或周遭。導電粒子562’-2在聚集中同時會經過熔融態。參照第5E圖,固化後,導電粒子562’-2形成電連結部562-2,且保護部562’-1形成固化的保護部562-1。在一實施例中,導電粒子562’-2尚有小部分未聚集到接觸電極542-1a、542-1b以及上導電層524之間或周遭,因此會有一小部分的導電粒子562’-2彼此分開地存在電連結部562-2之間。
接續5D圖,參照第5G圖,第一發光單元群542,第二發光單元群544以及第三發光單元群546與上導電層524之間的連結結構562皆為已固化及電性連接的狀態。在一實施例中,第一發光單元群542,第二發光單元群544、544以及第三發光單元群546是一併固化及電性連接。在另一實施例中,第一發光單元群542形成在上導電層524上後,可以將對應的未固化區塊562’先固化並電性連接。之後,再將第二發光單元群544形成在上導電層524上固化並電性連接。接著,將第三發光單元群546形成在上導電層524上固化並電性連接。參照第5H圖,將透光元件580’覆蓋第一發光單元群542,第二發光單元群544以及第三發光單元群546。在一實施例中,透光元件580’為連續地覆蓋第一發光單元群542,第二發光單元群544以及第三發光單元群546。透光元件580’的形成方式可以是塗佈或模具成形(molding)。在一實施例中,透光元件580’ 覆蓋第一發光單元群542,第二發光單元群544以及第三發光單元群546之後還包含固化步驟。
第5I圖及第5J圖表示將各發光裝置分離的步驟。在一實施例中,載板的絕緣層522與透光元件580’是分兩步驟分離。參照第5I圖,分離的步驟(第一次分離)包含以切割工具532切割載板的絕緣層522並形成切割道。接著,參照第5J圖,分離的步驟(第二次分離)以切割工具534切割透光元件580’並形成發光裝置500-1、500-2。在另一實施例中,載板的絕緣層522與透光元件580’是分離順序也可以變動,先分離透光元件580’再分離載板的絕緣層522。在另一實施例中,也可一步驟同時分離載板的絕緣層522與透光元件580’,如此絕緣層522與透光元件580的側壁可以形成共平面。
第6A圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置600的立體圖,第6B圖係顯示第6A圖中發光裝置600的上視圖,以及第6C圖係顯示第6A圖中發光裝置600的底視圖。發光裝置100包含一載板620、一發光元件640、一連結結構660及一透光元件680。在一實施例中,發光元件640形成在載板620之上,連結結構660位於載板620與發光元件640之間,且透光元件680覆蓋發光元件640以及連結結構660。載板620、發光元件640、連結結構660以及透光元件680的具體結構、作用及形成的方法可以參考第1圖及相應之段落。
與第1圖的不同之處,發光元件640只有一個發光單元,發出第一光線,且透光元件680包含波長轉換材料,波長轉換材料被第一光線激發後發出第二光線。在一實施例中,發光裝置600發出的光為至少兩種不同波長的混光且混光的顏色是白色。在一實施例中,發光元件640為藍光發光二極體晶粒,可經由電源提供一電力而發出第一光線,第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於430 nm至490 nm之間。於另一實施例中,發光元件640為紫光發光二極體晶粒,第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於400 nm至 430 nm之間。透光元件680中的波長轉換材料為波長轉換顆粒(圖未示)並分散在透明黏合劑(圖未示)中。
在一實施例中,波長轉換顆粒吸收第一光線(例如,藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為黃光,其主波長或峰值波長介於530 nm至590 nm之間。另一實施例中,波長轉換顆粒吸收第一光線(例如,藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為綠光,其主波長或峰值波長介於515 nm至575 nm之間。其他實施例中,波長轉換顆粒吸收第一光線(例如,藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為紅光,其主波長或峰值波長介於600 nm至660 nm之間。
波長轉換顆粒可包含單一種類或多種的波長轉換顆粒。在一實施例中,波長轉換顆粒包含可發出黃光之單一種類或多種的波長轉換顆粒。另一實施例中,波長轉換顆粒包含可發出綠光及紅光之多種波長轉換顆粒。如此,除了發出綠光的第二光線外,還包含發出紅光的第三光線,並可與未被吸收的第一光線產生一混合光。在另一實施例中,第一光線完全或幾乎完全被波長轉換顆粒吸收。在本文中,「幾乎完全」係指混合光中位於第一光線峰值波長的光強度小於或等於在第二光線及/或第三光線峰值波長光強度的3%。
波長轉換顆粒的材料可包含無機的螢光粉(phosphor)、有機分子螢光色素(organic fluorescent colorant)、半導體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。半導體材料包含奈米尺寸結晶體(nano crystal)的半導體材料,例如量子點(quantum-dot)發光材料。
參照第6B圖,發光裝置600中載板620的上導電層624部分被發光元件640所覆蓋且部分露出。此外,透光元件680覆蓋發光元件640以及露出的上導電層624。參照第6C圖,發光裝置600中下導電層626 包含兩個分開的導電墊。在一實施例中,其中一個導電墊具有一斜邊作為辨識用。
第7圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置700中載板720的上視圖。在一實施例中,第7圖與第6A至第6C圖是相同的實施例,因此可以結合第6A至第6C圖來看。在一實施例中,載板720包含上導電層,上導電層則包含接點區760。接點區760包含第一結合部762、第一頸部764、第二結合部766以及第二頸部768。在一實施例中,接點區760對應發光元件740。發光元件740覆蓋第一頸部764以及第二頸部768。接點區760的具體結構、作用及形成的方法可以參考第2A圖或第4圖及相應之段落。
第8圖為根據本發明一實施例所揭露之一顯示模組800。顯示模組800包含一載板820,例如一電路基板,以及多個發光裝置841、842、843。在一實施例中,多個發光裝置841、842、843是以陣列方式排列在載板820上並與載板820上的電路電性連接。在一實施例中,多個發光裝置841、842、843分別為一像素,具體結構可以是第1A至第1D圖的發光裝置。載板820表面具有一層吸光層(圖位示),例如:黑色層,可提高顯示模組800在顯示影像時的對比。在一實施例中,在上視圖下,發光裝置841、842、843的形狀為矩形,例如,正方形,且尺寸在0.1mm至1.0mm之間。在另一實施例中,發光裝置841、842、843的尺寸在0.1mm至0.5mm之間。在一實施例中,發光裝置841、842、843之間的間距在0.2mm至2.0mm之間。在另一實施例中,發光裝置841、842、843的尺寸在0.5mm至1.2mm之間。在另一實施例中,多個發光裝置841、842、843分別為一白光光源,具體結構可以是第6A至第6C圖的發光裝置。
第9A圖為根據本發明一實施例所揭露之一顯示裝置900。顯示裝置900包含一載板920,多個顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949形成在載板920上,一框架960圍繞多個顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949,以及一面板蓋在顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949以及框架960 之上。在一實施例中,顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949之間的間距可以非常接近,甚至是緊靠在一起。
第9B圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光模組900B。發光模組900B包含一載板910,多個發光裝置601、602形成在載板910上。發光裝置601包含發光元件640以及透光元件680。多個發光裝置601、602可以矩陣方式排列在載板910上,載板910表面具有線路層(圖未示)以與多個發光裝置601、602電性連結。在一實施例中,多個發光裝置601、602分別為一白光光源,具體結構可以是第6A至第6C圖的發光裝置。在一實施例中,發光模組900B作為顯示器中的背光模組。
第10A至第10K圖為製作一發光模組800的流程圖。在一實施例中,發光模組內的發光裝置的具體結構可參閱第1A圖。參照第10A圖,提供一載板。該載板包含一絕緣層1022、一上導電層1024以及一下導電層1026。上導電層1024及下導電層1026分別具有多個接點。值得注意的是,在設計上,下導電層1026的各導電墊的寬度大小可以比發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2的電極大,如此,在後續檢測步驟上將更容易。絕緣層1022、上導電層1024以及下導電層1026的具體說明書可以參考第5A圖及相應之段落。
參照第10B圖,將含有導電粒子(圖未示)的膠料1014透過圖形化治具1012的孔洞1012a、1012b形成在上導電層1024上,並形成未固化區塊562’。 膠料1014、圖形化治具1012以及未固化區塊562’的具體說明可以參考第5B圖及相應之段落。參照第10C圖,將發光單元542-1、542-2與未固化區塊562’相連接並形成在上導電層1024上。發光單元542-1、542-2的作用及形成在上導電層1024上的方法可以參考第5C圖及相應之段落。參照第10D圖,將多個發光單元群形成在同一個載板上之後並對未固化區塊562’固化且形成電連結部562-2與與上導電層1024電性連接。在一實施例中,包含三個發光單元群。發光單元群的的具體說明可以參考第5B圖及相應之段落。
參照第10E圖,將發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2與上導電層1024電性連接後,可進行檢測步驟。在一實施例中,檢測步驟中是透過一檢測裝置檢測各發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2。檢測裝置包含一檢測板1031以及一感測元件1032以檢測各發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2是否滿足所需的性質並篩檢出不良品。檢測板1031可與下導電層1026電性連接。在一實施例中,下導電層1026的寬度或面積大於各發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2上電極的寬度或面積。如此,即使是小尺寸的發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2,依然可以較容易地透過檢測裝置檢測。檢測的性質可包含發光波長,發光強度或發光的色度座標。透過此檢測步驟,並篩檢出不良品,如此,可提高之後形成顯示模組800時的良率,因此可減少之後修補顯示模組800的步驟。
在一實施例中,當發光單元542-1在檢測後發現為不良品。參照第10F圖,發光單元542-1可從載板上被移除。在一實施例中,可以透過加熱減少發光單元542-1與載板的接著強度再移除發光單元542-1。參照第10G圖,新的發光單元542-1’透過新的未固化區塊562’形成在原本發光單元542-1的位置。
參照第10H圖,將透光元件580’覆蓋第一發光單元542-1’、542-2,第二發光單元544-1、544-2以及第三發光單元546-1、546-2。透光元件580’的作用及形成的方法可以參考第5H圖及相應之段落。參照第10I圖,發光裝置的分離步驟(第一次分離)包含以切割工具532切割載板的絕緣層1022並形成切割道。接著,參照第10J圖,發光裝置的分離步驟(第二次分離)以切割工具534切割透光元件580’並形成發光裝置1001、1002。發光裝置分離的作用及形成的方法可以參考第5I及5J圖及相應之段落。
參照第10K圖,透過轉移的步驟,將多個已分離的發光裝置1001、1002、1003從一暫時性基板1031移到一目標基板1032並形成一顯示模組800。轉移的方式可以是一顆接一顆(one by one)或多個發光裝置1001、1002、1003一次移轉至目標基板1032。
第11A至第11I為製作一顯示模組800的流程圖。在一實施例中,顯示模組內的發光裝置的具體結構可參閱第6A圖。參照第11A圖,提供一載板。該載板包含一絕緣層1122、一上導電層1124以及一下導電層1126。上導電層1124及下導電層1126分別具有多個接點。絕緣層1122、上導電層1124以及下導電層1126的具體說明書可以參考第5A圖以及第10A圖及相應之段落。
參照第11B圖,將含有導電粒子(圖未示)的膠料1114透過圖形化治具1112的孔洞1112a、1112b形成在上導電層1124上,並形成未固化區塊1162’。 膠料1114、圖形化治具1112以及未固化區塊1162’的具體說明可以參考第5B圖及相應之段落。參照第11C圖,將發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146與未固化區塊1162’相連接並形成在上導電層1124上。發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146的作用及形成在上導電層1124上的方法可以參考第5C圖及相應之段落。參照第11D圖,將發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146形成在同一個載板上之後並對未固化區塊1162’固化且形成電連結部1162-2與上導電層1124電性連接。接著,將透光元件1180’覆蓋發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146。透光元件1180’的作用及形成的方法可以參考第5H圖及相應之段落。在一實施例中,覆蓋透光元件1180’之前可對各發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146進行檢測,以確認是否有不良品。
參照第11E圖,將已覆蓋透光元件1180’的發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146進行檢測步驟。檢測步驟的具體說明可以參考第第10E圖及相應之段落。在一實施例中,透光元件1180’包含波長轉換材料,因此,檢測到的資料是包含各發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146的光線以及波長轉換材料被激發的光線之混光。
參照第11F圖,發光裝置的分離步驟包含以切割工具1132切割載板的絕緣層1122以及透光元件1180’。 透光元件1180’形成分離的透光元件1180。發光裝置分離的作用及形成的方法可以參考第5I及5J圖及相應之段落。在一實施例中,分離步驟後形成的發光裝置1101、1102、1103、1104、1105、1106中,發光裝置1102於檢測後發現為不良品。參照第11G圖,在將發光裝置1101、1102、1103、1104、1105、1106形成在一暫時性載板1152上之後,發光裝置1102可從暫時性載板1152上被移除。在一實施例中,參照第11H圖,新的發光裝置1102’形成在原本發光裝置1102的位置以取代發光裝置1102。在另一實施例中,發光裝置1102被移除後也可以不需再放置一個新的發光裝置,並形成一個缺口(圖未示)。
參照第11I圖,透過轉移的步驟,將多個發光裝置1101、1102’、1103從一暫時性基板1151移到一目標基板1152並形成一顯示模組800。轉移的方式可以是一顆接一顆(one by one)或多個發光裝置1101、1102’、1103一次移轉至目標基板1152。
第12A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1200的立體圖,第12B圖係顯示第12A圖中發光裝置1200的上視圖,以及第12C圖係顯示第12A圖中發光裝置1200的底視圖。發光裝置1200包含一載板1220、一發光元件1240、一連結結構1260及一透光元件1280。載板1220、發光元件1240、連結結構1260及透光元件1280的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置100相應之段落。
發光裝置1200與發光裝置100的差異至少包含載板1220的結構以及發光元件1240中發光單元1242、1244、1246的排列。在一實施例中,載板1220包含絕緣層1222、上導電層1224、一下導電層1226以及導電貫孔1228。上導電層1224細部的圖形化結構可參閱第12B圖。上導電層1224包含六個結合部(或三對上導電墊)及六個頸部(或六條走線),每一對上導電墊中的兩個上導電墊彼此相鄰但分離。此外,每一對上導電墊分別對應一個發光單元1242、1244、1246。參閱第12B圖,在一實施例中,由下至上依序具有第一發光單元1242、第二發光單元1244以及第三發光單元1246,且各自對應一對上導電墊。第一發光單元1242、第二發光單元1244以及第三發光單元1246的排列是以三字形(或川字型)的方式排列。在一實施例中,上導電墊是以3X2矩陣排列以對應發光元件1240的排列方式。此外,三個走線彼此互相平行,由上導電層1224的內部往同一個側邊(第一側邊)延伸。相似地,另三個走線彼此互相平行,由上導電層1224的內部往另一個側邊(第二側邊)延伸。
下導電層1226細部的圖形化結構可參閱第12C圖。在一實施例中,下導電層1226包含第一下導電墊1226a、第二下導電墊1226b、第三下導電墊1226c以及第四下導電墊1226d。下導電墊的材料及作用可參閱第1C圖相應之段落。參閱第12C圖,第一下導電墊1226a、第二下導電墊1226b及第三下導電墊1226c各具有一長邊以及一短邊。第四下導電墊1226d為共用電極,第四下導電墊1226d的形狀具有兩個凹部及三個凸部且三個凸部分別與第一下導電墊1226a、第二下導電墊1226b及第三下導電墊1226c相對。如此,發光裝置1200在後續與電路基板(未圖示)電性連接時,可增加電連結材料,例如焊料,在下導電層1226與電路基板之間均勻的分布,避免立碑現象的產生。在一實施例中,導電貫孔1228具有六個,分別連結六條走線,以及分別位在載板1220的四個角落以及兩個邊的中間區域。這裡所說的兩個邊是指各三個走線所對應的邊。在一實施例中,發光裝置1200的尺寸中,發光裝置1200的邊長小於500微米,每一對上導電墊中的兩個上導電墊的間距小於100微米,且下導電墊1326a、1326b、1326c的短邊邊長小於150微米。
第13A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1300的立體圖,第13B圖係顯示第13A圖中發光裝置1300的上視圖,以及第13C圖係顯示第13A圖中發光裝置1300的底視圖。發光裝置1300包含一載板1320、一發光元件1340、一連結結構1360及一透光元件1380。載板1320、發光元件1340、連結結構1360及透光元件1380的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置100相應之段落。
發光裝置1300與發光裝置100的差異至少包含載板1320的結構以及發光元件1340中發光單元1342、1344、1346的排列。在一實施例中,載板1320包含絕緣層1322、上導電層1324、一下導電層1326以及導電貫孔1328。上導電層1324細部的圖形化結構可參閱第13B圖。上導電層1324包含六個結合部(或三對上導電墊)及六個頸部(或六條走線)。上導電墊以及發光元件1340的排列可參閱第12B圖相應之段落。與第12B圖的上導電層1224不同之處,至少包含有兩條走線作為連結兩個上導電墊之用。
下導電層1326細部的圖形化結構可參閱第13C圖。在一實施例中,下導電層1326包含第一下導電墊1326a、第二下導電墊1326b、第三下導電墊1326c以及第四下導電墊1326d。下導電墊1326a、1326b、1326c、1326d的結構、作用及材料可以參考第1C圖相應之段落。在一實施例中,導電貫孔1328具有四個,分別位在載板1320的四個角落。在一實施例中,發光裝置1200的尺寸中,發光裝置1200的邊長小於500微米,下導電墊1326a、1326b、1326c、1326d的間距小於200微米,且下導電墊1326a、1326b、1326c、1326d的的邊長小於200微米。
第14A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1400的立體圖,第14B圖係顯示第14A圖中發光裝置1400的上視圖,以及第14C圖係顯示第14A圖中發光裝置1400的底視圖。發光裝置1400包含一載板1420、一發光元件1440、一連結結構1460及一透光元件1480。載板1420、發光元件1440、連結結構1460及透光元件1480的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置100相應之段落。
發光裝置1400與發光裝置100的差異至少包含載板1420的結構以及發光元件1440中發光單元1442、1444、1446的排列。在一實施例中,載板1420包含絕緣層1422、上導電層1424、一下導電層1426以及導電貫孔1428。上導電層1424細部的圖形化結構可參閱第14B圖。上導電層1424包含六個結合部(或三對上導電墊)及六個頸部(或六條走線)。上導電墊以及發光元件1440的排列可參閱第12B圖相應之段落。與第12B圖的上導電層1224不同之處,至少包含其中的四個導電貫孔1428位於載板1420的邊上並非是位於角落。換言之,六個導電貫孔1428皆位於載板1420的邊上。
下導電層1426細部的圖形化結構可參閱第14C圖。在一實施例中,下導電層1426包含第一下導電墊1426a、第二下導電墊1426b、第三下導電墊1426c以及第四下導電墊1426d。下導電墊1426a、1426b、1426c、1426d的結構、作用及材料可以參考第12C圖相應之段落。與第12C圖的下導電層1226不同之處,至少包含第四下導電墊1426d具有一平坦的側邊。在一實施例中,發光裝置1400的尺寸中,發光裝置1400的邊長小於400微米,每一對上導電墊中的兩個上導電墊的間距小於80微米,且下導電墊1426a、1426b、1426c的短邊邊長小於100微米。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點,其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施,當不能以之限定本發明之專利範圍,即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾,仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
100、200、400、500-1、500-2、600、601、602、700、841、842、843、1001、1002、1003、1101、1102、1102’、1103、1104、1105、1106、1200、1300、1400‧‧‧發光裝置120、220、420、620、720、820、910、920、1220、1320、1420‧‧‧載板122、522、1022、1122、1222、1322、1422‧‧‧絕緣層124、524、624、1024、1124、1224、1324、1424‧‧‧上導電層126、526、626、1026、1126、1226、1326、1426‧‧‧下導電層140、640、1141、1142、1143、1144、1145、1146、1240、1340、1440‧‧‧發光元件142、272、372、472、542-1’、542-2、1242、1342、1442‧‧‧第一發光單元142a‧‧‧承載基板142b‧‧‧發光層142c1、142c2、272-1、272-2、372-1、372-2、542-1a、542-1b‧‧‧接觸電極144、274、474、544-1、544-2、1244、1344、1444‧‧‧第二發光單元146、276、476、546-1、546-2、1246、1346、1446‧‧‧第三發光單元160、562、660、1260、1360、1460‧‧‧連結結構162、210、310‧‧‧第一區塊162a、214、311‧‧‧第一電連結部162b、216、313‧‧‧第二電連結部162c、212‧‧‧第一保護部162a1、162b1‧‧‧孔洞或樹脂164、230‧‧‧第二區塊166、250‧‧‧第三區塊180、580、580’、680、1180、1180’、1280、1380、1480‧‧‧透光元件232‧‧‧第二保護部234‧‧‧第三電連結部236‧‧‧第四電連結部240、340、440‧‧‧第一接點區242、342、442、762‧‧‧第一結合部244、344、444、764‧‧‧第一頸部246、346、446、766‧‧‧第二結合部248、348、448、768‧‧‧第二頸部252‧‧‧第三保護部254‧‧‧第五電連結部256‧‧‧第六電連結部260、460‧‧‧第二接點區262‧‧‧第三結合部264、464‧‧‧第三頸部266、466‧‧‧第四結合部268、468‧‧‧第四頸部280、480‧‧‧第三接點區312、314‧‧‧保護部482‧‧‧第五結合部484‧‧‧第五頸部486‧‧‧第六結合部488‧‧‧第六頸部512、1012、1112‧‧‧圖形化治具532、534、1132‧‧‧切割工具542‧‧‧第一發光單元群544‧‧‧第二發光單元群546‧‧‧第三發光單元群561、1114‧‧‧膠料562’、1162’‧‧‧未固化區塊562’-1‧‧‧保護部562-2‧‧‧電連結部562’-2‧‧‧導電粒子800、941、942、943、944、945、946、947、948、949‧‧‧顯示模組900‧‧‧顯示裝置900B‧‧‧發光模組960‧‧‧框架1012a、1012b、1112a、1112b‧‧‧孔洞1031、1151‧‧‧暫時性基板1032、1152‧‧‧目標基板1228、1328、1428‧‧‧導電貫孔1226a、1326a、1426a‧‧‧第一下導電墊1226b、1326b、1426b‧‧‧第二下導電墊1226c、1326c、1426c‧‧‧第三下導電墊1226d、1326d、1426d‧‧‧第四下導電墊
第1A圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。
第1B圖係顯示第1A圖中發光裝置的上視圖。
第1C圖係顯示第1A圖中發光裝置的底視圖。
第1D圖係顯示第1A圖中發光裝置的部分剖面圖。
第2A圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置中載板的上視圖。
第2B圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置中載板以及連結結構的上視圖。
第2C圖係顯示第2A圖及的2B圖中第一發光單元及對應的第一區塊及第一接點區的示意圖。
第3A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置中第一發光單元及對應的第一區塊及第一接點區的上視圖。
第3B圖係顯示第3A圖所揭露的剖面圖。
第4圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置中載板的上視圖。
第5A圖至第5J圖係顯示依據本發明一實施例之發光裝置的製造流程圖。
第6A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。
第6B圖係顯示第6A圖中發光裝置的上視圖。
第6C圖係顯示第6A圖中發光裝置的上視圖。
第7圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置中載板的上視圖。
第8圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一顯示模組。
第9A圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一顯示裝置。
第9B圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光模組。
第10A圖至第10K圖係顯示依據本發明一實施例之顯示模組的製造流程圖。
第11A圖至第11I圖係顯示依據本發明另一實施例之顯示模組的製造流程圖。
第12A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。
第12B圖係顯示第12A圖中發光裝置的上視圖。
第12C圖係顯示第12A圖中發光裝置的底視圖。
第13A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。
第13B圖係顯示第13A圖中發光裝置的上視圖。
第13C圖係顯示第13A圖中發光裝置的底視圖。
第14A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。
第14B圖係顯示第14A圖中發光裝置的上視圖。
第14C圖係顯示第14A圖中發光裝置的底視圖。
無
無
100‧‧‧發光裝置
120‧‧‧載板
122‧‧‧絕緣層
124‧‧‧上導電層
126‧‧‧下導電層
140‧‧‧發光元件
142‧‧‧第一發光單元
144‧‧‧第二發光單元
146‧‧‧第三發光單元
160‧‧‧連結結構
162‧‧‧第一區塊
164‧‧‧第二區塊
166‧‧‧第三區塊
180‧‧‧透光元件
Claims (10)
- 一種發光裝置,包含:一載板,包含一第一結合部及沿伸自該結合部的一第一頸部,且該第一結合部具有第一寬度,該第一頸部具有第二寬度,其中,該第二寬度小於該第一寬度;一發光元件,包含可發出第一光線的一第一發光層以及形成在該第一發光層之下的一第一接觸電極,其中該第一接觸電極對應該第一結合部;以及一連結結構,包含一第一電連結部以及圍繞該第一結合部及該第一電連接部的一保護部,且該第一電連結部與該第一結合部及該第一接觸電極電性連接;其中,該第一結合部大致位於該保護部所圍繞的範圍內,其中,該第一電連結部包含一表面,該表面具有凹凸起伏的結構。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置,其中,該第二寬度與該第一寬度的比值小於0.6。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置,其中,該發光元件還包含一第二接觸電極,與該第一接觸電極位在該第一發光層的同一側。
- 如申請專利範圍第3項之發光裝置,其中,該連結結構還包含一第二電連結部與該第二接觸電極電性連接且該保護部圍繞該第二電連結部。
- 如申請專利範圍第3項之發光裝置,其中,該連結結構還包含一第二電連結部與該第二接觸電極電性連接以及一第二保護部與該保護部分開且圍繞該第二電連結部。
- 如申請專利範圍第3項之發光裝置,其中,該載板還包含一第二結合部,該第二接觸電極對應該第二結合部,且該第一結合部與該第二結合部之間最近的距離小於100μm。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置,其中,該第一電連結部包含一導電材料,該導電材料具有一液化溫度,該液化溫度小於210℃。
- 如申請專利範圍第7項之發光裝置,其中,該保護部包含一樹脂,該樹脂具有一玻璃轉化溫度,該導電材料的該液化溫度與該樹脂的該玻璃轉化溫度差小於50℃。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置,更包含一透光元件覆蓋該發光元件以及該連結結構。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置,還包含可發出第二光線的一第二發光層,該第二光線與該第一光線各具一不同的峰值波長。
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