TW201203425A - Film for back surface of flip-chip semiconductor, dicing-tape-integrated film for back surface of semiconductor, process for producing semiconductor device, and flip-chip semiconductor device - Google Patents

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201203425 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種覆晶型半導體背面用膜及切晶帶—體 型半導體背面用膜。覆晶型半導體背面用膜用於保護半導 • 體晶片等半導體元件之背面、及提高強度等。又，本發明 V 係關於一種使用切晶帶一體型半導體背面用膜之半導體裝 置之製造方法及覆晶安裝之半導體裝置。 【先前技術】 近年來’進一步要求半導體裝置及其封裝之薄型化、小 型化。因此，作為半導體裝置及其封裝，廣泛使用藉由覆 晶接合將半導體晶片等半導體元件安裝（覆晶連接）於基板 上之覆晶型半導體裝置。該覆晶連接係以半導體晶片之電 路面與基板之電極形成面相對向之形態固定者。此種半導 體裝置等中’有時藉由保護膜來保護半導體晶片之背面， 而防止半導體晶片之損傷等。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:曰本專利特開20084 66451號公報 專利文獻2 :曰本專利特開2008-006386號公報 ' 專利文獻3 :日本專利特開2007-261035號公報 專利文獻4:曰本專利特開2007_250970號公報 專利文獻5 :曰本專利特開2〇〇7_158〇26號公報 專利文獻6 :曰本專利特開2004-221169號公報 專利文獻7:曰本專利特開2〇〇4·214288號公報 155813.doc 201203425 專利文獻8 .日本專利特開2004-142430號公報 專利文獻9 ·日本專利特開2〇〇4 〇721〇8號公報 專利文獻ίο.日本專利特開2004_063551號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 然而，為了藉由上述保護膜來保護半導體晶片之背面， 而必須追加用以在切晶步驟中所得之半導體晶片之背面貼 附保護膜的新步驟。其結果係步驟數增加，製造成本等增 加。又，由於近年來之薄魏，而有時於半導體晶片之: 取步驟中’於半導體晶片上產生損傷。因此，直至拾取步 驟為止，為了增加半導體晶圓或半導體晶片之機械強度， 而要求將該等強化。特別是由於半導體晶片之薄型化，而 有時於該半導體晶片產生翹曲，而要求將其抑制或防止。 本發明係蓉於上述問題點而成者，其目的在於提供一種 忐抑制或防止於覆晶連接於被黏接體上之半導體元件產生 翹曲的覆晶型半導體背面用膜、及切晶帶一體型半導體背 面用膜。 又，本發明之另一目的在於提供一種能抑制翹曲之產 生，而使半導體元件覆晶連接於被黏接體上，結果能提高 良率之半導體裝置之製造方法。 解決問題之技術手段 本申請案發明者等人，為了解決上述先前之問題點而進 打研究，結果發現，藉由控制覆晶型半導體背面用膜因熱 硬化所致之收縮量而可降低於覆晶連接於被黏接體上的半 155813.doc 201203425 導體元件產生翹曲，從而完成本發明。 即，本發明之覆晶型半導體背面用膜係用以形成於覆晶 連接於被黏接體上之半導體元件之背面者，且相對於熱硬 化前之覆晶型半導體背面用膜之總體積，因熱硬化所致之 收縮量為2體積％以上30體積％以下。 覆晶安裝中，通常不使用將半導體封裝整體密封之鑄模 樹脂，而藉由被稱為底部填充材料之密封樹脂僅將被黏接 體與半導體元件之間的凸塊連接部分密封。因此，半導體 元件之背面露出。此處，例如使密封樹脂熱硬化時，藉由 其硬化收縮而對半導體元件施加應力，因該應力而於半導 體元件產生翹曲。特別是於厚度為3〇〇 μιη以下（進而厚度 為2〇0 μηι以下）之各種薄型半導體元件·中’該翹曲之產生 較為顯著。 本發明之覆晶型半導體背面用膜係藉由形成於覆晶連接 於被黏接體上之半導體元件之背面，而發揮保護該半導體 兀•件之功能者。又，本發明之覆晶型半導體背面用膜由於 相對於熱硬化前之覆晶型半導體背面用膜之總體積，因熱 硬化所致之收縮量為2體積％以上，因此於上述各種密封 樹脂之熱硬化時，會同時硬化收縮。因此，對於作用於半 導體7C件之上述應力而言，可將其抵消，或使緩和之應力 施加於該半導體元件0其結果可有效地抑制或防止半導體 π件之翹曲。又，藉由使上述收縮量為30體積％以下，而 可與底部填充材料之收縮量相關。再者，上述半導體元件 之背面係指與形成有電路之面相反側之面。 155813.doc 201203425 又’較佳為本發明之覆晶型半導體背面用膜至少含有熱 硬化性樹脂。藉由至少含有熱硬化性樹脂，而半導體背面 用膜可有效地發揮出作為接著劑層之功能。 又’較佳為本發明之覆晶型半導體背面用膜含有熱硬化 性樹脂，上述熱硬化性樹脂之含量相對於覆晶型半導體背 面用膜之全部樹脂成分而為4〇重量。/。以上9〇重量％以下。 本發明之覆晶型半導體背面用膜若含有熱硬化性樹脂， 且熱硬化性樹脂之含量相對於覆晶型半導體背面用膜之全 部樹脂成分而為40重量％以上，則可藉由熱硬化而使覆晶 型半導體背面用膜某種程度地較大地收縮。其結果，於上 述各種密封樹脂熱硬化時，會同時硬化收縮。因此，對於 作用於半導體元件之上述應力而言，可將其抵消，或使緩 和之應力施加於該半導體元件。其結果可有效地抑制或防 止半導體元件之翹曲。又，若熱硬化性樹脂之上述含量為 40重量/0以上，則使密封樹脂熱硬化時，可使半導體背面 用膜充分地熱硬化，而可製造確實地接著固定於半導體元 件之背面而不剝離的覆晶型半導體裝置。又，藉由使熱硬 化性樹脂之上述含量為90重量❶以下，而可有效地製作適 度收縮量之覆晶型半導體背面用膜。 又，較佳為本發明之覆晶型半導體背面用膜含有熱硬化 性樹脂及熱硬化促進觸媒，上述熱硬化促進觸媒之比例相 對於上述熱硬化性樹脂總量而為1.5重量％以上20重量％以 下。 本發明之覆晶型半導體背面用膜若含有熱硬化性樹脂及 155813.doc 201203425 熱硬化促進觸媒，且熱硬化促進觸媒之比例相對於熱硬化 性樹脂總量而為1.5重量％以上，則可藉由熱硬化而使覆晶 型半導體背面用膜某種程度地較大地收縮。其結果，於上 述各種密封樹脂熱硬化時，會同時硬化收縮。因此，對於 作用於半導體元件之上述應力而言，可將其抵消，或使緩 和之應力施加於該半導體元件。其結果可有效地抑制或防 止半導體元件之翹曲。又，若熱硬化促進觸媒之上述比例 為1.5重量％以上，則使密封樹脂熱硬化時，可使半導體背 面用膜充分地熱硬化，而可製造確實地接著固定於半導體 元件之背面而不剝離之覆晶型半導體裝置。又，藉由使熱 硬化促進觸媒之上述比例為2〇重量。/。以下，而覆晶型半導 體背面用膜之收縮量不會變得過大，並可控制為適度的大 /J\ 〇 較佳為上述覆晶型半導體背面用膜之厚度為2 pm〜2〇〇 μιη之範圍内。藉由使上述厚度為2 以上，而可提高該 膜之機械強度，並確保良好的自持性。另一方面，藉由使 上述厚度為200 μιη以下，而可實現包含覆晶安裝於被黏接 體上之半導體元件的半導體裝置之薄型化。 較佳為上述半導體元件之厚度為2〇 μηι〜3〇〇 之範圍 内。 又，本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜係包含：含 有基材及積層於基材上之黏著劑層之切晶帶、及積層於上 述切晶帶上之上述記載之覆晶型半導體背面用膜，且上述 覆晶型半導體背面用膜積層於上述黏著劑層上者。 155813.doc 201203425 上述構成之切晶帶一體型半導體背面用膜由於切晶帶與 覆晶型半導體背面用膜一體地形成，因此亦可供於將丰莫 體晶圓切晶而製作半導體元件之切晶步驟或其後之拾取步 驟°即’切晶步驟之前將切晶帶貼附於半導體晶圓背面 時’亦可貼附於上述半導體背面用膜，因此無需僅使半導 體背面用膜貼附之步驟（半導體背㈣膜貼附步驟）。其社 果可實現步驟數降m，由於半導體f面用膜保護^ 體晶圆或藉由切晶形成之半導體元件之背面，因此於切晶

步驟或其以後之步驟（拾取步驟等）中，可降低或防止該半B 導體兀件之損傷。其結果可實現覆晶型半導體裝置之製造 良率的提高。 又，本發明之半導體裝置之製造方法係使用上述記載之 切晶帶-體型半導體背面用膜者，且包括：於上述切晶帶 -體型半導體背面用膜之覆晶型半導體背面用膜上貼附半 導體晶圓之步驟，將上述半導體晶圓切晶而形成半導體元 件之步驟’將上述半導體元件與上述覆晶型半導體背面用 膜起自切晶帶之黏著劑層剝離之步驟，將上述半導體元 件覆晶連接於上述被黏接體上之步驟。 上述方法中，由於將切晶帶一體型半導體背面用膜貼附 於半導體晶圓之背面’因此無需僅使半導體背面用膜貼附 之步驟（半導體背面用膜貼附步驟）。又，於半導體晶圓之 切μ、或藉由該切晶形成之半導體元件之拾取中，由於藉 由半導體背面用膜保護半導體晶圓及半導體元件之背面， 因此可防止知傷等。其結果可提高製造良率而製造覆晶型 155813.doc 201203425 半導體裝置。 較佳為於上述覆晶連接之步驟中包括：在覆晶接合於上 述被黏接體上之半導體元件與該被黏接體之間的間隙封入 密封樹脂後’使上述密封樹脂熱硬化之步驟。 使密封樹脂熱硬化時’由於其硬化收縮而對半導體元件 施加應力，因該應力而於半導體元件產生翹曲。特別是於 厚度為300 μιη以下（進而厚度為2〇〇 μπ1以下）之各種薄型半 導體元件中，該翹曲之產生較為顯著。但是於上述方法 中，使用相對於熱硬化前之覆晶型半導體背面用臈之總體 積’而因熱硬化所致之收縮量為2體積％以上之覆晶型半 導體彦面用膜’因此於後封樹脂之熱硬化時，該半導體背 面用膜亦硬化收縮。藉此，可將因密封樹脂之硬化收縮而 對半導體元件施加之應力抵消或緩和，而可抑制或防止半 導體元件之艇曲。 又’若使用含有熱硬化性樹脂，且熱硬化性樹脂之含量 相對於覆晶型半導體背面用膜之全部樹脂成分而為4 〇重量 0/〇以上之覆晶型半導體背面用膜’則於密封樹脂熱硬化 時’該半導體背面用膜亦硬化收縮。藉此，可將因密封樹 脂之硬化收縮而對半導體元件施加之應力抵消、或緩和， 而可抑制或防止半導體元件產生翹曲。又，若使用熱硬化 性樹脂之上述含量為40重量❶/。以上之覆晶型半導體背面用 膜’則使密封樹脂熱硬化時，可使半導體背面用膜充分地 熱硬化，並可製造確實地接著固定於半導體元件之背面而 不剝離之覆晶型半導體裝置。 155813.doc 201203425 又，若使用含有熱硬化性樹脂及熱硬化促進觸媒，且熱 硬化促進觸媒之比例相對於熱硬化性樹脂總量而為15重 量％以上之覆晶型半導體背面用膜，則密封樹脂熱硬化 時，該半導體背面用膜亦硬化收縮。藉此，可將因密封樹 脂之硬化收縮而對半導體元件施加之應力抵消、或緩和， 而可抑制或防止半導體元件產生翹曲。又，若使用熱硬化 促進觸媒之上述比例為1.5重量％以上之覆晶型半導體背面 用膜，則使密封樹脂熱硬化時，可使半導體背面用膜充分 地熱硬化，而可製造確實地接著固定於半導體元件之背面 而不剝離之覆晶型半導體裝置。 又，本發明之覆晶型半導體裝置可藉由上述記載之半導 體裝置之製造方法而製造。 發明之效果 根據本發明之覆晶型半導體背面用膜，由於形成於覆晶 連接於被黏接體上之半導體元件之背面，因此發揮出保護 該半導體元件之功能。又，本發明之覆晶型半導體背面用 膜由於相對於熱硬化前之覆晶型半導體背面用臈之總體 積’因熱硬化所致之收縮量為2體積％以上，因此可有效 地抑制或防止使半導體元件覆晶連接於被黏接體上時所產 生的半導體元件之翹曲。 又’本發明之覆晶型半導體背面用膜若含有熱硬化性樹 脂’且熱硬化性樹脂之含量相對於覆晶型半導體背面用膜 之全部樹脂成分而為40重量％以上，則可特別有效地抑制 或防止使半導體元件覆晶連接於被黏接體上時所產生的半 155813.doc •10- 201203425 導體元件之翹曲。 又’本發明之覆晶型半導體#面用膜若含有熱硬化性樹 月曰及熱硬化促進觸媒，且熱硬化促進觸媒之比例相對於熱 硬化性樹脂總量而為15重量％以上則可特別有效地抑制 或防止使半導體元件覆晶連接於被黏接體上時所產生的半 導體元件之翹曲。 又，根據本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜，由於 切晶帶與覆晶型半導體背面用膜一體地形成，因此亦可供 於將半導體晶圓切晶而製作半導體元件之切晶步驟或其後 之払取步驟。其結果係無需僅使半導體背面用膜貼附之步 驟（半導體背面用膜貼附步驟）。進而，於其後之切晶步驟 或拾取步驟中，由於在半導體晶圓之背面或藉由切晶形成 之半導體元件之背面貼附半導體背面用膜，因此可有效地 保濩半導體晶圓或半導體元件，並可抑制或防止半導體元 件之損傷。又，使半導體元件覆晶連接於被黏接體上時， 可防止半導體元件產生趣曲。 進而’根據本發明之半導體裝置之製造方法，由於使切 晶帶一體型半導體背面用膜貼附於半導體晶圓之背面，因 此無需僅使半導體背面用膜貼附之步驟。又，於半導體晶 圓之切晶、或藉由該切晶形成之半導體元件之拾取中’由 於藉由半導體背面用膜保護半導體晶圓及半導體元件之背 面，因此可防止損傷等。又，使半導體元件覆晶連接於被 黏接體上時，可防止半導體元件產生翹曲。其結果可提高 製造良率而製造覆晶型半導體裝置。 155813.doc 201203425 【實施方式】 一面參照圖1 一面對本發明之一實施形態進行說明，但 本發明並不限定於該等例《圖1係表示本實施形態之切晶 帶一體型半導體背面用膜之一例的剖面示意圖。再者，本 說明書中，圖中說明時省略不需要之部分，又，為了容易 說明’而有放大或縮小等進行圖示之部分。 (切晶帶一體型半導體背面用膜） 如圖1所示，切晶帶一體型半導體背面用膜丨係包括於基 材31上设置有黏著劑層32之切晶帶3、及設置於上述黏著 劑層上之覆晶型半導體背面用膜（以下有時稱為「半導體 者面用膜」）2之構成。又，本發明之切晶帶一體型半導體 背面用膜如圖1所示般，可為於切晶帶3之黏著劑層32上， 僅於與半導體aB圓之貼附部分相對應之部分3 3形成有半導 體为面用膜2之構成，亦可為於黏著劑層32之整面形成有 半導體背面用膜之構成，又，可為於大於與半導體晶圓之 貼附部分㈣應之部分33且小於㈣劑層32之整面的部分 >成有半導體#面用膜之構成。再者，半導體背面用膜2 面（貼附於BB圓之背面之側的表面），於直至貼附於晶 圓背面之間，可藉由分隔件等來保護。 (覆晶型半導體背面用膜） 半導體背面用膜2具有膜狀形態。半導體背面用膜2通常 於作為製品之切晶帶一體型半導體背面用膜之形態中為未 I#(包括半硬化狀態於將切晶帶-體型半導體背 面用膜貼附於半導體晶圓後進行熱硬化W細内容於後闡 155813.doc •12- 201203425 述）。 本實施形嘘之半導體背面用膜2具有以下特性：相對於 熱硬化前之半導體背面用膜2之總體積，因熱硬化所致之 收縮量（以下有時稱為「熱硬化收縮量」）為2體積％以上30 體積％以下。若上述熱硬化收縮量為2體積％以上，則即便 覆晶連接於被黏接體上之半導體元件為薄型（例如即便厚 度為300 μπι以下、進而為2〇〇 μιη以下），亦可有效地抑制 或防止其翹曲。於覆晶連接中，於被黏接體上覆晶接合半 導體70件後，藉由密封材料（稱為底部填充材料之密封樹 脂等）僅使被黏接體與半導體元件之連接部分密封。進 而，雖然使密封材料熱硬化，但由於此時之密封材料之硬 化收縮等，而會對半導體元件施加應力（因硬化收縮引起 之應力）而產生翹曲。但是，本實施形態之半導體背面用 膜2由於上述熱硬化收縮量為2體積％以上，因此使上述密 封材料熱硬化時，會與密封材料一起硬化收縮。藉此，自 半導體背面用膜2亦可對半導體元件施加應力，而可使因 密封材料之硬化收縮引起之應力抵消或緩和。其結果可抑 制或防止半導體元件產生翹曲。又，藉由使上述熱硬化收 縮量為30體積％以下，而可達到與密封材料之收縮量相對 應的適度收縮量。作為半導體背面用膜2之上述熱硬化收 縮量之下限值，較佳為3體積％以上（更佳為35體積％以 上）。又，作為半導體背面用膜2之上述熱硬化收縮量之上 限值，較佳為20體積％以下（更佳為1 〇體積％以下）。 此處，半導體背面用膜可為單層亦可為積層了複數層之 155813.doc 201203425 積層膜，於半導體背面用膜為積層膜時，上述熱硬化收縮 量以積層膜整體計為2體積％以上30體積％以下之範圍即 可。半導體背面用膜之上述熱硬化收縮量可藉由熱硬化性 樹脂之種類及其含量等而控制。再者，半導體背面用膜之 上述熱硬化收縮量可根據實施例所記載之方法來測定。 上述半導體背面用膜較佳為至少由熱硬化性樹脂形成， 更佳為至少由熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂形成。藉由至少 由熱硬化性樹脂形成，而半導體背面用膜可有效地發揮出 作為接著劑層之功能。 作為上述熱塑性樹脂’例如可列舉：天然橡膠、丁基橡 膝、異戊二烯橡膠、氣丁二稀橡膠、乙稀-乙酸乙烯酯共 聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁 二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酿亞胺樹脂、6_尼龍 或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、 PET(聚對苯二甲酸乙二酯）或PBT(聚對苯二曱酸丁二酯）等 飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。熱塑性 樹脂可單獨使用或併用2種以上而使用。該等熱塑性樹脂 中，特佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、能確保半導體 元件之可靠性之丙烯酸系樹脂。 作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉：將具 有碳數為30以下（較佳為碳數4〜18、更佳為碳數6〜ι〇、特 佳為碳數8或9)之直鏈或支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸 之酯的1種或2種以上作為成分的聚合物等。即本發明 中’丙烯酸系樹脂係亦包括曱基丙烯酸系樹脂之廣義的含 155813.doc ⑧ 201203425 義。作為上述烷基，例如可列舉：曱基'乙基、丙基、異 丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己 基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、 癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基（月桂基）、十三烷 基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。 又’作為用以形成上述丙烯酸系樹脂之其他單體（烷基 之碳數為30以下之丙烯酸或曱基丙烯酸之烷基酯以外的單 體），並無特別限定’例如可列舉：丙稀酸、甲基丙烯 酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯 二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等各種含羧基之單體，順丁烯 二酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體，（曱基）丙烯酸2_羥基 乙西曰、（甲基）丙浠酸2-經基丙醋、（曱基）丙稀酸4_經基丁 醋、（曱基）丙烯酸6-羥基己酯、（曱基）丙烯酸8•羥基辛酯、 (甲基）丙烯酸10·羥基癸酯、（曱基）丙烯酸12_羥基月桂酯或 丙稀酸（4-羥基曱基環己基）曱酯等各種含羥基之單體，笨 乙稀續酸、烯丙基磺酸、2_(甲基）丙烯醢胺_2_甲基丙磺 酸、（甲基）丙烯酿胺丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯或（甲基） 丙烯酿氧基萘磺酸等各種含磺酸基之單體，或2_羥基乙基 丙烯酿基磷酸酯等各種含磷酸基之單體等。再者，（甲基） 丙烯酸係指丙烯酸及/或甲基丙烯酸，本發明之（甲基）全為 相同之含義。 又’作為上述熱硬化性樹脂，除了環氧樹脂、酚樹脂 外’可列舉：胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯 樹月曰、聚妙氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。熱硬化性 155813.doc 15 201203425 樹脂可單獨使用或併 種以上而使用。作為熱硬化性樹 佳為使半導體兀件腐飯之離子性 環氧樹脂。X，作盔搭备“ ^ ^ 下马環氧樹脂之硬化劑，可較佳地使用齡 树脂。 乍為袞氧樹月曰，並無特別限定，例如可使用·雙紛A型 <氧樹月日型環氧樹脂、雙齡§型環氧樹脂、漠化雙 齡A型環氧樹脂、氫化雙⑪a型環氧樹脂、雙祕型環氧 ㈣、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、㈣環氧樹脂、 ^齡酴漆型環氧樹脂、鄰甲紛紛盤清漆型環氧樹脂、 ，基苯基甲院型環氧樹腊、四苯龄基乙院型環氧樹脂等 二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，&乙内醯腺型環氧樹 脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂或縮水甘油胺型環 氧樹脂等環氧樹脂。 匕作為環氧樹脂’特佳為上述例示中之齡搭清漆型環氧樹 月曰、聯本型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯 齡基乙院型環氧樹脂。原因係該等環氧樹脂富有與作為硬 化劑之酚樹脂之反應性，且耐熱性等優異。 進而，上述酚樹脂係作為上述環氧樹脂之硬化劑而發揮 ❹者，例如可列舉：苯㈣盤清漆樹脂、苯齡芳烧基樹 月曰、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬 基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，可溶型酚樹 脂’聚對經基苯乙烯等聚經基苯乙力等。齡樹脂可單獨使 用或併用2種以上而使用。特佳為該等酴樹脂中之苯酚酚 醛凊漆樹脂、苯酚芳烷基構脂。原因係可提高半導體裝置 155813.doc -16· 201203425 之連接可靠性。 至於環氧樹脂與酚樹脂之調配比例，例如較佳為以相對 於上述環氧樹脂成分中之環氧基1#量而酚樹脂中之羥基 $ 〇.5當量〜2.0當量之方式進行調配。更佳為〇8當量〜12 田里。即原因係若兩者之調配比例超出上述範圍外，則不 會進行充分之硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性容易劣 化。 至於上述熱硬化性樹脂之含量，相對於半導體背面用膜 之全部樹脂成分，較佳為5重量％以上、更佳為⑺重量％以 上、尤佳為15重量％以上、特佳為4()重量％以上、最佳為 50重量。/。以上。藉由使上述含量為5重量％以上而可容易 使熱硬化收縮量為2體積％以上。又，使密封樹脂熱硬化 時，可使半導體背面用膜充分地熱硬化，而可製造讀實地 接著固定於半導體元件之背面而不剝離的覆晶型半導體裝 另方面上述熱硬化性樹脂之含量相對於半導體背 面用膜之全部樹脂成分，較佳為9〇重量％以下、 ㈣以下、尤佳為™下。藉由使上述含丄 重量％以下，而可獲得良好之膜。 作為上述熱硬化性樹脂之含量之特佳範，相對於半導 體背面用膜之全部樹脂成分，宜為师量％以上％重量％ 以下。右熱硬化性樹脂之上述含量為4〇重量％以上，則即 便覆晶連接於被黏接體上之半導體元件為薄型(例如即便 厚度為綱叫以下、進而為·㈣以下），亦可有效地抑 制或防止其翹曲。於覆晶連接中，將半導體元件覆晶連接 155813.doc •17- 201203425 於被黏接體上後，藉由密封材料（稱為底部填充材料之密 封樹脂等）僅使被黏接體與半導體元件之連接部分密封。 進而’使密封材料熱硬化，但由於此時之密封材料之硬化 收縮等’而會對半導體元件施加應力而產生趣曲。.但是， 若熱硬化性樹脂之上述含量為40重量％以上，則使上述密 封材料熱硬化時’會與密封材料一起進行某種程度地較大 地硬化收縮。藉此，亦可自半導體背面用膜2對半導體元 件施加應力（因硬化收縮引起之應力），而將因密封材料之 硬化收縮引起之應力抵消或緩和。其結果可抑制或防止半 導體元件產生翹曲。又，若熱硬化性樹脂之上述含量為4〇 量量％以上，則使密封樹脂熱硬化時，亦可使半導體背面 用膜充分地熱硬化，而可製造確實地接著固定於半導體元 件之背面而不剝離之覆晶型半導體裝置。又，藉由使熱硬 化性樹脂之上述含量為90重量％以下，而可有效地製作適 度收縮量之覆晶型半導體背面用膜。 此處，半導體背面用膜可為單層，亦可為積層了複數層 之積層膜，於半導體背面用膜為積層膜時，熱硬化性樹脂 之上述3量以積層膜整體計為4〇重量％以上90重量％以下 之範圍即可。 本發明中，半導體背面用膜較佳為與熱硬化性樹脂一起 含有熱硬化促進觸媒^為上述熱硬化促進觸媒，並無特 別限制可自公知之熱硬化促進觸媒中適當選擇使用。熱 硬化促進觸媒可單獨使用或组合2種以上而使用。作為熱 硬化促進觸媒’例如可使用：胺系硬化促進劑、蛾系硬化 155813.doc 201203425 促進劑、咪系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、碟-侧系 硬化促進劑等。 作為上述胺系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列 舉.單乙醇胺二氟硼酸酯（STELLA CHEMIFA(股）製造）、 一氰基一酿胺（NacalaiTesque(股）製造）等。 作為上述磷系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列 舉：三苯基膦、三丁基膦、三（對甲基苯基）鱗、三（壬基苯 基）膦 苯基甲苯基膦等三有機冑，四苯基溴化鱗（商品 名，TPP-PB)、甲基三苯基鱗（商品名；丁pp_MB)、甲基三 本基氯化鱗（商品名；TPP_MC)、甲氧基曱基三苯基鐫（商 了名，TPP-MOC)、节基三苯基氯化鱗（商品名；Tpp_zc) 等（均為北興化學（股）製造）。又，作為上述三苯基膦系化 合物，較佳為對環氧樹脂實質上表現非溶解性者。若對環 氧樹脂為非溶解性，則可抑制熱硬化過度進行。作為具有 三苯基膦結構，且對環氧樹脂實質上表現非溶解性之熱硬 化觸媒’例如可例* :甲基三苯基鱗（商品名；τρρ.) 等。再者，上述「非溶解性」係指包含三苯基膦系化合物 之熱硬化觸媒對包含環氧樹脂之溶劑為不溶性，更詳細而 言，係指於溫度10〜40。〇之範圍内10重量％以上不溶解。 作為上述咪唑系硬化促進劑，可列舉：2_甲基咪唑（商 品名；2MZ)、2-十一烷基咪唑（商品名；cu_z)、2_十七 烷基咪唑（商品名；C17Z)、丨，2•二甲基咪唑（商品名； 1.2DMZ)、2_乙基-4-甲基咪唑（商品名；2E4MZ)、2_笨基 咪唑（商品名；2PZ)、2_苯基_4_甲基咪唑（商品名了 155813.doc 19· 201203425 2P4MZ)、i-节基-2-甲基咪唑（商品名；1B2MZ)、丨节基_ 2-苯基咪唑（商品名：iBSPZ)、丨·氰基乙基_2曱基咪唑（商 品名；2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十—烷基咪唑（商品名； CUZ-CN)、i-氣基乙基-2-苯基味唑鏽偏苯三曱酸鹽（商品 名；2PZCNS-PW)、2,4-二胺基-6-[2·_ 甲基咪唑基 _(Γ)]_ 乙 基-均三畊（商品名；2ΜΖ-Α)、2,4-二胺基_6_[2，十一烷基 味。坐基-(1，）]-乙基-均三喷（商品名；C11Z_A)、24_二胺基_ 6-[2，-乙基-41-甲基咪唑基-(1，）]_乙基_均三畊（商品名； 2E4MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2’-曱基咪唑基_(1，）]·乙基均三 畊異氰尿酸加成物（商品名；2MA-OK)、2-苯基-4 5-二經 基甲基咪。坐（商品名；2PHZ-PW)、2·苯基_4_曱基_5•經基甲 基咪唾（商品名；2P4MHZ-PW)等（均為四國化成工業（股）製 造）。 作為上述硼系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉 三氯硼烷等。 作為上述磷·硼系硬化促進劑，並無特別限定，例如可 列舉··四苯基鱗四苯基硼酸鹽（商品名；ΤρΡ_κ)、四笨基 鎸四對三硼酸鹽（商品名；ΤΡΡ_ΜΚ)、苄基三苯基鱗四苯 基硼酸鹽（商品名；ΤΡΡ_ΖΚ)、三苯基膦三苯基硼烷（商品 名；TPP-S)等（均為北興化學（股）製造）。 上述熱硬化促進觸媒之比例相對於熱硬化性樹脂總量， 較佳為1.5重量％以上2〇重量％以下。若熱硬化促進觸媒之 上述比例為1 ·5重量％以上，則即便覆晶連接於被黏接體上 之半導體元件為薄型（例如即便厚度為300 μηι以下、進而 155813.doc 201203425 為200 μιη以下），亦可有效地抑制或防止其翹曲。於覆晶 連接中’將半導體元件覆晶接合於被黏接體上後，藉由密 封材料（稱為底部填充材料之密封樹脂等）僅使被黏接體與 半導體元件之連接部分密封。進而’使密封材料熱硬化， 但由於此時之密封材料硬化收縮等，而會對半導體元件施 加應力而產生翹曲。但是，若半導體背面用膜2中之熱硬 化促進觸媒之上述比例為^重量％以上，則使上述密封材 料熱硬化時，會與密封材料一起某種程度地較大地硬化收 縮。藉此，亦可自半導體背面用膜2對半導體元件施加應 力’而使因密封材料之硬化收縮引起之應力抵消或緩和。 其結果可抑制或防止半導體元件產生翹曲。又，若熱硬化 促進觸媒之上述比例為h5重量％以上，則使密封樹脂熱硬 化時，亦可使半導體背面用膜充分地熱硬化，而能製造確 實地接著固定於半導體元件之背面而不剝離之覆晶型半導 。體裝置》X ’藉由使熱硬化促進觸媒之上述比例為重量 %以下’而覆晶型半導體背面用膜之收縮量不會變得過 大，而可控制為適度的大小。作為熱硬化促進觸媒之上述 比例之下限值，更佳為2重量％以上。又，作為上限值， 更佳為1〇重量％以下(尤佳為5重量％以下)。再者，本發明 中視if況，熱硬化促進觸媒之比例相對於熱硬化性樹脂 總量可為丨.5重量％以下。作為此種情況下之熱硬化促進觸 媒之比例之下限值，例如較為重要的是相對於熱硬化性樹 脂總量而為㈣重量。以上（更佳為以上）。 此處I導體月面用膜可為單層亦可為積層了複數層之 155813.doc •21· 201203425 積層膜，於半導體背面用膜為積層膜時，熱硬化促進觸媒 之上述比例以積層膜整體.計相對於熱硬化性樹脂總量為 1.5重量以上20重量％以下之範圍即可。 又，作為半導體背面用膜含有熱硬化促進觸媒時之上述 熱硬化性樹脂之含量，相對於半導體背面用膜之全部樹脂 成分，較佳為40重量％以上90重量％以下，更佳為5〇重量 /〇以上90重量。/。以下，尤佳為6〇重量。/。以上9〇重量❶以下。 藉由使上述含量為40重量％以上，而可容易使熱硬化收縮 量為2體積％以上。又，於使密封樹脂熱硬化時，可使半 導體背面用膜充分地熱硬化，而能製造確實地接著固定於 半導體元件之背面而不剝離之覆晶型半導體裝置。另一方 面，藉由使上述含量為90重量〇/0以下，而可對膜賦予可撓 性。 作為上述半導體背面用膜，較佳為由包含環氧樹脂及酚 樹脂之樹脂組合物’包含環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸系樹 脂之樹脂組合物形成。該等樹脂由於離子性雜質較少且耐 熱性較高，因此可確保半導體元件之可靠性。 至於半導體背面用膜2，對於半導體晶圓之背面（電路非 形成面）具有接著性（密接性）半導體背面用膜2例如可由包 含作為熱硬化性樹脂之環氧樹脂的樹脂組合物形成，為了 預先使半導體背面用膜2某種程度交聯，較佳為於製作時 預先添加與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應的多官能 性化合物作為交聯劑。藉此，可提高於高溫下之接著特 性，並實現耐熱性之改善。 ，558,3 d〇C -22- 201203425 半導體背面用膜對於半導體晶圓之接著力（23〇c、剝離 角度180度、剝離速度300 mm/分鐘）較佳為0.5 N/20 mm〜15 N/20 mm之範圍，更佳為〇 7 N/2〇 _〜1〇 N/2〇咖 之範圍。藉由為〇 5 N/2〇 mm以上，能以優異之密接性貼 附於半導體晶圓或半導體元件，並且能防止隆起等產生。 又亦可防止於半導體晶圓m曰曰時產生晶片分散。另一 方面，藉由為15 N/2〇 mm以下，而可容易地自切晶帶剝 上述交聯劑，並無特別限制，可使用公知之交聯 劑。具體而言，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系 ’劑—聚氰胺系交聯劑 '過氧化物系交聯劑，此外可 扒素系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合 系乂 ^齊1纟屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、，号 系父聯齊J氮丙咬系交聯劑、胺系交聯劑等。作為交 "卜較佳為異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑。又，上 述交聯劑可單獨使用或組合2種以上而使用。 一述異氰系父聯劑’例如可列舉：二異氰酸 ，2'乙一自旨、二異貌酸*! 4 丁一 ^ ，_ 丁 —知、二異氰酸1,6-己二酯等 低級脂肪族聚異氰酸賴 _ tH£ 3 _ 類一異虱酸環戊二酯、二異氰酸 衣己一醋、異佛爾綱二里 卜 t*^b- - B ^ '、馱8曰、虱化甲苯二異氰酸酯、 -異U二 等脂環族聚異氰_類44_曱苯 一異氰酸酯、2,6-曱芏-η # a 顧萨本一異齓酸酯、4,4，-二苯基甲烷二異 氰蚊酯、二甲苯二異 外亦可使用^經甲基丙;^香族聚異氛酸醋類等，此 元甲苯二異氰酸酯三.聚物加成 155813.doc -23· 201203425 物[曰本聚胺酯工業（NIPPON POLYURETHANE INDUS TRY)(股）製造、商品名「Coronate L」]、三經甲基 丙烷/二異氰酸己二酯三聚物加成物[日本聚胺酯工業（股） 製造、商品名「Coronate HL」]等。又，作為上述環氧系 交聯劑’例如可列舉：Ν，Ν，Ν·，Ν，-四縮水甘油基-間二甲苯 一胺、二縮水甘油基苯胺、1，3-雙（Ν，Ν-縮水甘油胺基甲 基）環己烧、1，6-己二醇二縮水甘油越、新戊二醇二縮水甘 油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙 二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚 縮水甘油_、甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油 驗、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、三 經甲基丙燒聚縮水甘油謎、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二 甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基_三（2_羥基乙基）異氰尿 酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚s_二縮水甘油醚，此 外亦可列舉分子内具有2個以上環氧基之環氧系樹脂等。 再者，交聯劑之使用量並無特別限制，可根據交聯之程 度而適當選擇。具體而言’作為交聯劑之使用量，例如相 對於聚合物成分（特別是分子鏈末端具有官能基之聚合 物)1 00重量份’通常較佳為7重量份以下(例如為〇 〇5重量 份〜7重量份）。若交聯劑之使用量相對於聚合物成分⑽重 量份而多於7重量份’則接著力降低而欠佳。再者，就提 高凝聚力之觀點而言’較佳為交聯劑之使用量相對於聚合 物成分100重量份而為0.05重量份以上。 再者’本發明中，亦可藉由電子束或紫外線等之照射實 155813.doc -24· 201203425 施交聯處理來代替使用交聯劑，或使用交聯劑之同時藉由 電子束或紫外線等之照射實施交聯處理。 較佳為將上述半導體背面用膜著色。藉此可發揮出優異 之標記性及外觀性，可製成具有附加價值之外觀的半導體 裝置。如此’經著色之半導體背面用膜由於具有優異之標 記性’因此可藉由在半導體元件或使用該半導體元件之半 導體裝置之非電路面側之面經由半導體背面用膜，利用印 刷方法或雷射標記方法等各種標記方法實施標記，而賦予 文字資訊或圖形資訊等各種資訊。特別是藉由控制著色之 色，而能以優異之視認性辨別藉由標記而賦予之資訊（文 子資訊、圖形資訊等）。又，由於將半導體背面用膜著 色，因此可容易區別切晶帶與半導體背面用膜，並可提高 作業性等。進而，例如作為半導體裝置，亦可將製品分成 不同顏色。使半導體背面用膜成為有色時（非無色.透明 時），作為因著色而呈現之色，並無特別限制，例如較佳 為黑色、藍色、紅色等濃色，特佳為黑色。 於本實施形態令，所謂濃色，係指基本上*L*a*b*表色 系所規定之L*為60以下（0〜60)[較佳為5〇以下（〇〜5〇)、更佳 為40以下（〇〜40)之濃色。 又’所謂黑色’係指基本上由LhW表色系所規定之[* 為35以下(0〜35)[較佳為3〇以下(〇〜3〇)、更佳為Μ以下 ㈣)]之黑色系色。再者，黑色中，LW表色系所規定 之a*或b*可分別根據L*之值進行適當選擇。作為^或^， 例如兩者均較佳為·1G〜1G，更佳為_5〜5，特佳為·Η之範 155813.doc -25· 201203425 圍（其中為0或約為〇)。 再者，本實施形態中，L*a*b*表色系所規定之L*、a*、 b*可藉由使用色彩色差計（商品名「CR-200」Minolta公司 製造；色彩色差計）進行測定而求得。再者，L*a*b*表色 系係國際照明委員會（CIE)於1976年推薦之色空間，係指 被稱為CIE1976(L*a*b*)表色系之色空間。又，L*a*b*表 色系於曰本工業標準中由JISZ 8729所規定。 將半導體背面用膜著色時，根據目標色，可使用色材 (著色劑）。作為此種色材，可較佳地使用黑系色材、藍系 色材、紅系色材等各種濃色系色材，特佳為黑系色材。作 為色材’可為顏料、染料等任_種。色材可單獨使用或組 合2種以上而使用。再者’作為染料，即便是酸性染料、 反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等之任一形 態之染料亦可使用。又，顏料之形態亦無㈣限制，可自 公知之顏料中適當選擇而使用。 特別是若使㈣料作為色材，則半導體背面用膜中，染 料由於溶解而成為均句或大致均句分散之狀態，因此可容 易地製造著色濃度均勻或大致均 二丄 之丰導體背面用膜（進 而切晶帶一體型半導體背面用臌彳m & j, 、）。因此，若使用染料作 马色材’則切晶帶一體型半導辨北 卞等徵背面用膜申之半導體 用膜可使著色濃度均勻或大致均 導體责面 性。 ~ ’並提高標記性或外觀 料 作為黑系色材，並無特別限 、黑系染料中適當選擇。又 制，例如可自無機黑系顏 作為黑系色材，可為氰系 155813.doc 201203425 色材（藍綠系色材）、洋紅系色材（紅紫系色材）及黃系色材 (黃系色材）混合而成之色材混合物。黑系色材可單獨使用 或組合2種以上而使用。當然黑系色材亦可與黑以外之色 的色材併用。 八體而。，作為黑糸色材，例如可列舉：碳黑（爐専、 '乙块黑、熱解黑、燈黑專）、石墨（graphite)、氧化 銅、二氧化錳、偶氮系顏料（甲亞胺偶氮黑等）、苯胺黑、 茈…、鈦黑、钯青黑、活性碳、鐵氧體（非磁性鐵氧體、 磁性鐵氧體等)、磁鐵、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬 '鉻 錯合物、複合氧化物系黑色色素、·t、醌系有機黑色色素 等。 本發明中，作為黑系色材，亦可使用：^丄溶劑黑3、 C*1./合劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C I.溶劑黑 29 C.I.办劑黑34、C.I.溶劑黑43、C.I.溶劑黑70，C.I·直 接…、17 C.I.直接黑19、c】直接黑22、c」直接黑、 C.I.直接黑38、C.I·直接黑51、c.I.直接黑71，c ；[酸性黑 C.I·酉文!·生黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性 黑3i、C.L酸性黑48、c丄酸性黑。.酸性讀、c i. 酸f生黑109 C.I.酸性黑11〇、c】酸性黑ιΐ9、。工酸性黑 154’ C.L分散黑！、c丄分散黑3、ci分散黑i〇、ci分散 黑24等黑系染料；c丄顏料d、ci.顏料黑7等黑系顏料 等。 作為此種黑系色材 ’例如市售有：商品名「0il Black BY」、商品名「〇ii Blaek BS」、商品名「〇ii Biack 155813.doc -27- 201203425 HBB」、商品名「OU Black 803」、商品纟「训B滅 86〇」、商品名「〇11舰597〇」、商品名「叫歸 5906」、商品名「OU Black 5905」（or—

Industries股份有限公司製造）等。 作為黑系色材以外之色材，例如可列舉氰系色材、洋紅 系色材、黃系色材等。作為氰系色材，例如可列舉.U 溶劑藍25、C.L溶劑藍36、C.U容劑藍6〇、Ci㈣_、

等氰系染料；c.i.顏料藍卜Q.顏料藍2、c i•顏料藍3、 。.顏料藍15、C.L顏料藍15: ^。顏料藍m u 顏料藍15:3、口_顏料藍15:4、Cj顏料藍m e! 顏枓藍顏料藍16、CJ•顏料藍…。顏料藍 Η.1.顏料藍18、以顏料藍LC.L顏料藍25、CI C'L^4M60'CJ-^4M63'C-^^M65> ==;C.L還原藍4，.還原藍⑽顏料綠7 專氰系顏料等。 c=洋紅系色材中’作為洋紅系染料，例如可列舉： C.Iw谷劑紅1、C.I溶劑红3 rw、—漁, CJ.溶劑紅8、C.I.溶劑红23、 C.I.洛劑紅24、c丄溶劑紅乃、 %、· 儿、C.U容劑红49 H红27、C.U容劑紅 心u c.1.溶劑紅52、C.U容劑紅58、川容 劑紅63、C.I.溶劑紅81、C J、、六 C.1.命 Γ τ V?如 · /合劑、，工82、C.I.溶劑红83、 洛劑紅84、C.I.溶劑紅10〇、 ， 紅⑴、C.U容劑紅121、CI 7劑紅1〇9、^溶劑 C.U容劑紫8、CI^砂合劑紅122;CJ.分散紅9; • 合紫13、C.I.溶劑紫14、C I.溶劑紫 I558I3.doc -28- 201203425 ^丄溶劑紫^^分散紫^丄驗性紅卜^ 紅2、C丄驗性紅9、CU.驗性紅心C I驗性紅i3、c性 性紅14、CJ_驗性紅15、。·驗性紅π、。·驗性红18驗 27、C.J.驗性紅29、C.L驗性紅32、cj.驗性紅μ、 2 性紅35、C.!.鹼性紅36、C J鹼性紅37、c』鹼性紅、 。丄鹼性紅39、C.L鹼性紅4〇; C.1.鹼性紫1、C.I.鹼性* ^场性紫7、b C.L驗性紫1G、c.1.驗性紫Μ、 、、C·1.驗性紫21、C.I.驗性紫25、CI.驗性紫26、c 驗性紫27、C.I.驗性紫28等。 .. 於洋紅系色材中’作為洋紅系顏料，例如可列舉 顏料紅卜C.L顏料紅2、q•顏料紅3、c丄顏料紅4、C . 顏料紅5、C丄顏料紅6、CJ.顏料紅7、CJ顏料紅Η . 顏料紅9、CU.顏料紅Η)、α顏料紅u、ci.顏料 =㈣紅13、C·】·顏料紅14、CJ.顏料紅心。顏料紅 丄顏枓紅17、C.I.顏料紅18、CI顏料紅19、c 二紅21、CU.顏料紅22、。顏料紅23 ' c』顏料紅 ^顏料紅31、C丄顏料紅32、CJ.顏料紅純 丄顏枓紅39、C.I.顏料紅4〇、CI顏料紅4i、c =紅;2、C.L顏料紅48:1、。丄顏料紅…、。丄顏料紅 、CU.顏料紅48 . 4、CI•顏料紅49、c【.顏料紅的. 1、C.I.顏料红5〇、C.I.顏料& 红52.9 現·工51 C.1·顏料紅52、C丄顏料 紅 . 2、C.I.顏料紅 53 : 1、c I 嚭祖 4 c, 55、。·顏料紅 56,二 頸针紅W·1、C.I.顏料紅58、c a顏 155813.doc •29· 201203425 料紅60、C.I.顏料紅60 : 1、C.I.顏料紅63、C.I.顏料紅 63 : 1、C.I.顏料紅 63 : 2、C.I.顏料紅 64、C.I.顏料紅 64 : 1、C，I·顏料紅67、C.I.顏料紅68、C.I·顏料紅81、C.I.顏料 紅83、C.I.顏料紅87、C.I.顏料紅88、C.I·顏料紅89、C.I. 顏料紅90、C.I.顏料紅92、C.I.顏料紅1〇1、C.I.顏料紅 104、C.I.顏料紅 105、C.I.顏料紅 106、C.I.顏料紅 1〇8、 c.i.顏料紅U2、C I.顏料紅114、c·〗·顏料紅122、c.i.顏料 、.工123、c.I.顏料紅139、C.I.顏料紅144、C.I.顏料紅146、 C.I.顏料紅147、C.I.顏料紅149、C.I.顏料紅150、C.I.顏料 、·工151、c.I.顏料紅163、C.I.顏料紅166、C.I.顏料紅168、 C.I.顏料紅17〇、c丄顏料紅171、c丄顏料紅丨？〗、c丨.顏料 紅175、C丄顏料紅176、c丄顏料紅⑺、口顏料紅μ、 C.I.顏料紅179、c丄顏料紅⑻、C I顏料紅i85、c l顏料 紅187、C.I.顏料紅19〇、CI顏料紅193、ci顏料紅2〇2、 C.I.顏料紅206、C.I.顏料紅207、C.I.顏料紅209、C.I.顏料 紅219、C.L顏料紅222、C.1.顏料紅224、C丄顏料紅238、 顏料紅245，C.I.顏料紫3、c工.顏料紫9、c 顏料紫 19、C.I·顏料紫23、C.I苑视η .顋枓紫31、C.I·顏料紫32 ' C.I.顏 料紫33、C.I·顏料紫36、γτ % C.I.顏料紫38、c.I·顏料紫43、 C，I.顏料紫50 ; c I還历^ 還原紅1、C.I.還原紅2、c.I_還原紅 1〇、C.I.還原紅 13、c I 设；δ Λ ..還原紅15、c.I.還原紅23、C.I.還 原紅29、C.I.還原紅35等。 二作為黃系色材’例如可列舉：C.U容劑黃19、c.u容 155813.doc ⑧ -30· 201203425 C.1·溶劑黃82、C.I.溶劑黃93、c_l·溶劑黃98、C.I.溶劑黃 103、C.L溶劑黃104、C.I.溶劑黃112、C.I.溶劑黃162等黃 系染料；c.i.顏料橙31、c丄顏料橙43 ; c.i.顏料黃1、c.I. 顏料黃2、Cj.顏料黃3、C.I·顏料黃4、C.I.顏料黃5、C.I. 顏料黃6、C·1.顏料黃7、C.I.顏料黃ι〇、C.I·顏料黃11、 CJ.顏料黃12、C.I.顏料黃13、C.I.顏料黃14、C.I.顏料黃 15、C.1.顏料黃16、C.I.顏料黃17、C.I.顏料黃23、C.I.顏 料黃24、C.I.顏料黃34、c.l顏料黃35、c.I.顏料黃37、 C.1·顏料黃42、C.I.顏料黃53、C.I.顏料黃55、C.I.顏料黃 65、C.L顏料黃73、C.I.顏料黃74、C.I.顏料黃75、C.I.顏 料黃81、C·1·顏料黃83、C.I.顏料黃93、C.I.顏料黃94、 C.L顏料黃95、C_I·顏料黃97、C.I.顏料黃98、C.I.顏料黃 100、C.L顏料黃101、C.I.顏料黃l〇4、C.I.顏料黃108、 C.L顏料黃109、C.I.顏料黃110、C.I.顏料黃113、C.I.顏料 黃114、CJ.顏料黃116、C.I.顏料黃117、C.I.顏料黃120、 C.L顏料黃128、C.I.顏料黃129、C.I.顏料黃133、C.I.顏料 黃、C.I.顏料黃139、c〗顏料黃147、c.i.顏料黃15〇、 •顏料S 151、C.1·顏料黃153、C.I.顏料黃154、C.I.顏料 只155、C.1.顏料黃156、C_I.顏料黃167、C_I.顏料黃172、 C.I.顏料普^ 1汽173、C.I.顏料黃180、C.I.顏料黃185、C.I.顏料 黃195 · ρ τ 、导 、 ’ 還原黃1、C.I.還原黃3、C.I.還原黃20等黃系 顏料等。 ^ 何、洋紅系色材、黃系色材等各種色材分別可罝 獨使用或組人, 平 、〇種以上而使用。再者，使用2種以上 155813.doc 201203425 =材、洋紅系色材、黃系色材等各種色材時，作為該等色 =合比例(或調配比例)，並無特別限制，可根據各色 材之種類或目標色等進行適當選擇。 使半導體背面用膜2著色時’其著色形態並無特別限 ::例如半導體背面用膜可為添加了著色劑之單層膜狀 。又’亦可為至少積層了至少由熱硬化性樹脂形成之樹 脂層與著色劑層之積層膜。再者，半導體背面用膜2為樹 脂層與著色劑層之積層膜時，作為積層形態之半導體背面 用膜2，較佳為具有樹脂層/著色劑層/樹脂 。 此時，著色劑層兩側之2層樹脂層可為㈣組成之樹脂 層，亦可為不同組成之樹脂層。 半導體背面用膜2視需要可適#調配其他添加劑。作為 其他添加劑，例如可列舉：填充劑（填料）、阻燃劑、石夕烧 偶合劑、離子捕捉劑，此外可列舉：增量劑、抗老化劑、 抗氧化劑、界面活性劑等。 作為上述填充劑，可為無機填充劑、有機填充劑之任一 種’較佳為無機填充劑。藉由調配無機填充劑等填充劑， 而可實現對半導體背面用膜賦予導電性或提高導熱性、調 節彈性模數等。再者，作為丰露 ° 百怍马+導體月面用膜2，可為導電 杜亦可為非導電性。作為上述無機填充劑，例如可列 舉-氧化石夕、黏土、石膏、碳酸妈、硫酸銷、氧化链、 氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、 錦、鉻、斜、錫、鋅、把、焊錫等金屬或合金類，此外可 列舉包3碳等之各種無機粉末等。填充劑可單獨或併用2 I55813.doc ⑧ •32· 201203425 種以上而使用。作為填充劑，其中較佳為二氧化石夕 為熔融二氧化石夕。再者’無機填充劑之平均粒徑較佳為 〜80哗之範圍内。無機填充劑之平均粒徑 藉 由雷射繞射型粒度分佈測定裝置而測定。 了藉 • 1述填錢（特別是無機填充劑）之調配量相對於有 脂成分⑽重量份，較佳㈣重量份以下㈣量份，重量 伤）’特佳為0重量份〜70重量份。 又鱼作為上述阻燃劑，例如可列舉：三氧化錄、五氧化 使用臭化::樹脂等。阻燃劑可單獨使用或併 =2。1為上述錢偶合劑，例如可列舉：β_(3 :广基三甲軸，縮水甘油氧基丙基三甲氧： 合:可7單:=:丙基甲基二乙氧基w，偶 劑了|獨使用或併用2種以上而使用。作為上 捉劑’例如可列舉水滑石類、氨氧化離子捕捉劑： 單獨使用或併用2種以上而使肖。 劑可 半導體背面用膜2例如可利用以下慣 混合環氧樹脂等熱硬化性樹脂、 而形成·· 熱塑性樹脂、及視需要之溶劑或其==酸系樹脂等 組合物，並形劑4而製備樹脂 為膜狀層。具體而言，例如可藉由以下太 法而形成作為半導體方 述樹脂联狀盾（接耆劑層）：將上 m物㈣於切晶帶之黏著劑層32上 ▲之分隔件(剝離紙等)上塗佈上述樹脂 =或接著劑層)，並將其轉印(移著)於黏著劑層广2上：2 法專。再者，上述樹脂組合物可為溶液亦可為分散液。 J55813.doc -33. 201203425 再者，於半導體背面用膜2由包含環氧樹脂等熱硬化性 樹脂之樹脂組合物形成時，在半導體背面用膜應用於半導 體晶圓之前的階段，熱硬化性樹脂為未硬化或部分硬化之 狀態。此時，在應用於半導體晶圓後（具體而言，通常於 覆晶接合步驟中將密封材料固化時），使半導體背面用膜 中之熱硬化性樹脂完全或大致完全地硬化。 如此，即便半導體背面用膜包含熱硬化性樹脂，該熱硬 化性樹脂亦為未硬化或部分硬化之狀態，因此作為半導體 背面用膜之凝膠分率，並無特別限制，例如可自5〇重量％ 以下（〇重量％〜50重量％)之範圍内適當選擇，較佳為3〇重 量％以下（0重量°/❶〜30重量❶/。），特佳為1〇重量％以下（〇重量 %〜10重量％)。半導體背面用膜之凝膠分率之測定方法可 藉由以下測定方法而測定。 <凝膠分率之測定方法> 自半導體背面用膜取樣並精雄稱取約〇·1 g(試料之重 量）’用網狀片包裹該樣品後，於約50 mi之甲苯中於室溫 下浸潰1週。然後，將溶劑不溶分（網狀片之内容物）自甲苯 取出，於13(TC下乾燥約2小時，稱量乾燥後之溶劑不溶分 (浸頃•乾燥後之重量），根據下述式（a)算出凝膠分率（重 量％) 0 凝膠分率（重量％)=[(浸潰·乾燥後之重量試料之重 量）]x100 (a) 再者’半導體背面用膜之凝膠分率除了藉由樹脂成分之 種類或其含量、交聯劑之種類或其含量外，還可藉由加熱 155813.doc ⑧ -34- 201203425 溫度或加熱時間等來控制β 本發明中’在半導體背面用膜為由包含環氧樹脂等熱硬 化性樹脂之樹脂組合物形成之膜狀物時，可有效地發揮對 半導體晶圓之密接性。 再者’於半導體晶圓之切晶步驟中由於使用切削水，因 此有半導體背面用膜吸濕而成為常態以上之含水率的情 況。若於此種高含水率之狀態τ進行覆晶接合，則存在半 導體#面用膜2與半導體晶圓或其加工體（半導體）之接著介 面滞留水蒸氣而產生隆起之情況。因&，作為半導體背面 用膜’藉由成為將透濕性較高之核心材料設置於兩面之構 成，水蒸氣會擴散而可避免該問題。就該觀點而言，可將 於核心材料之單面或兩面形成半導體背面用膜2之多層結 構用作半導體背面用膜。作為上述核心材料，可列舉：膜 (例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對笨二曱酸乙二酯膜、聚 萘一甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等）、經玻璃纖維或塑膠 製不織纖維強化之樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。 半導體背面用膜2之厚度（積層膜時為總厚）並無特別限 疋，例如可自2 μιη〜200 μιη左右之範圍適當選擇。進而上 述厚度較佳為4 μηι〜160 μιη左右，更佳為6 μπι〜1〇〇 μπι& 右’特佳為10 μηι〜80 μιη左右。 上述半導體背面用膜2之未硬化狀態之23〇c之拉伸儲存 彈性模數較佳為1 GPa以上（例如為1 〇 GPa~50 GPa)，更佳 為2 GPa以上，特佳為3 GPa以上。若上述拉伸儲存彈性模 數為1 GPa以上，則將半導體晶片與半導體背面用膜2—起 155813.doc •35· 201203425 自切晶帶之黏著劑層32剝離後，將半導體背面用膜2載置 於支持體上進行輸送等時，可有效地抑制或防止半導體背 面用膜貼附於支持體。再者’上述支持體例如係指載帶之 頂帶或底帶等。再者，在半導體背面用膜2由包含熱硬化 性樹脂之樹脂組合物形成時，如上所述，由於熱硬化性樹 脂通常為未硬化或部分硬化之狀態，因此半導體背面用膜 之23 C之彈性模數通常成為熱硬化性樹脂為未硬化狀態或 部分硬化狀態下之23°C之彈性模數。 此處，半導體背面用膜2可為單層亦可為積層了複數層 之積層膜，為積層膜時，上述未硬化狀態之23<3(：之拉伸儲 存彈性模數以積層臈整體計為！ GPa以上（例如Gpa〜5〇 GPa)之範圍即可。又，半導體背面用膜之未硬化狀態之上 述拉伸儲存彈性模數（23）可藉由樹脂成分（熱塑性樹脂、 熱硬化性樹脂）之種類或其含量、二氧化矽填料等填充材 料之種類或其含量等而控制。再者’於半導體背面用膜2 為積層了複數層之積層膜時（半導體背面用膜具有積層之 形態時），作為其積層形態，例如可例示：包含晶圓接著 層與雷射標記層之積層形態等。χ，於此種晶圓接著層與 雷射標記層之間可設置其他層(中間層、光線阻斷層、強 化層、著色層、基材層、電磁波阻斷層、導熱層、黏著層 等）。再者，晶圓接著層係對晶圓發揮出優異之密接性（接 著〖生）之層，係與晶圓之背面接觸之層。另—方面，雷射 標§己層係發揮出優異之雷射標記性之層，係於半導體晶片 之背面進行雷射標記時利用之層。 155813.doc ⑧ -36 · 201203425 再者，上述拉伸儲存彈性模數係不積層於切晶帶3而製 作未硬化狀態之半導體背面用膜2，使用Rheometrics公司 製造之動態黏彈性測定裝置「Solid Analyzer RS A2」，藉 由拉伸模式，於樣品寬度：1〇 mm、樣品長度：22 5 mm、樣品厚度：〇.2 mm、頻率：1 Hz、升溫速度：1 〇°c / 分鐘、氮氣環境下’藉由特定溫度（23°c)進行測定而得之 拉伸儲存彈性模數之值。 上述半導體背面用膜2較佳為至少 岡UW ΙΧΪ刀rw '丨卞、雕 襯墊）保護（未圖示）。例如於切晶帶一體型半導體背面用膜 1時，可僅於半導體背面用膜之一個面設置分隔件，另一 方面，於未與切晶帶一體化之半導體背面用膜時，可於半 導體背面用膜之單面或兩面設置分隔件。分隔件具有作為 保護半導體背面用膜直至供於實用之保護材料的功能。 又’於切晶帶-體型半導體背面用膜㈣，分隔件進而可 用作將半導體背面用膜2轉印至切晶帶之基材上之黏著劑 層32時之支持基材。分隔件於在半導體背面㈣上貼附半 導體晶圓時剝離。作為分隔件，亦可使用：聚乙稀、聚丙 烯’或藉由讓離劑、丙烯暖長鏈烧基醋系剝離劑等剥 離劑進行表面塗佈之塑膠膜（綮 笙“ 錢膜(歜對本二甲酸乙二酯等）或紙 2再者，分隔件可藉由先前公知之方法而形成…分 隔件之厚度等亦無特別限制。 刀 於半導體背面用膜2未積層於 膜切晶帶3時’半導體背面用 、了使用1片兩面具有剥離層八 形能，盐山 層之刀隔件而以捲繞成輥狀之 〜稭由兩面具有剝離層之分π π & 女 刀隔件保護，亦可藉由至少 155813.doc •37- 201203425 一面具有剝離層之分隔件保護。 又’半導體背面用膜2之可見光（波長：400 nm〜800 nm) 之光線透射率（可見光透射率）並無特別限制，例如較佳為 20%以下（0%〜20%)之範圍，更佳為10%以下（〇%〜特 佳為5%以下（0%〜5%)。若半導體背面用膜2之可見光透射 率大於20%，則由於光線通過而可能對半導體元件造成不 良影響。又’上述可見光透射率（％)可藉由半導體背面用 膜2之樹脂成分之種類或其含量、著色劑（顏料或染料等）之 種類或其含量、無機填充材料之含量等來控制。 半導體背面用膜2之可見光透射率（％)可如以下方式測 定。即製作厚度（平均厚度）為20 μιη之半導體背面用膜2單 體。繼而’對半導體背面用膜2以特定強度照射波長：4〇〇 nm〜800 nm之可見光線[裝置：島津製作所製造之可見光產 生裝置（商品名「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETR」）]， 測定所透射之可見光線之強度。進而，根據可見光線透射 半導體背面用膜2之前後的強度變化，可求出可見光透射 率值。再者，亦可根據不為20 μηι之厚度之半導體背面用 膜2的可見光透射率（％ ;波長：400 nm〜8〇〇 nm)之值，導 出厚度為20 μιη之半導體背面用膜2之可見光透射率波 長：400 nm〜800 nm)。又，本發明中，雖然求出於厚度為 20 μηι之半導體背面用膜2時之可見光透射率（％)，但本發 明之半導體背面用膜並非旨在限定於厚度為2〇 μιη者。 又’作為半導體背面用膜2 ’較佳為其吸濕率較低。具 體而言’上述吸濕率較佳為1重量。/。以下，更佳為〇 8重量 155813.doc 28 ⑧ 201203425 %以下。藉由使上述吸濕率為1重量％以下，可提高雷射標 記性。又，例如於回焊步驟中，可於半導體背面用膜^與 半導體70件之間抑制或防止空隙之產生等。再者，上述吸 濕率係根據將半導體背面用膜2於溫度85°C、相對濕度 85%RH之環境下放置168小時之前後的重量變化而算出之 值。於半導體背面用膜2由包含熱硬化性樹脂之樹脂組合 物形成時，上述吸濕率係指對熱硬化後之半導體背面用膜 於溫度85。。、相對濕度85%RH之環境下放置168小時之 值。又，上述吸濕率例如可藉由改變無機填料之添加量來 調整。 又，作為半導體背面用膜2，較佳為揮發分之比例較 少。具體而言’加熱處理後之半導體背面用膜2之重量減 少率（重量減少量之比例）較佳為丨重量％以下，更佳為0.8 重量％以下。加熱處理之條件例如為加熱溫度25〇艽、加 熱時間1小時。藉由使上述重量減少率為以量％以下，而 可提尚雷射標記性》又，例如可於回焊步驟中抑制或防止 覆晶型半導體裝置產生龜p上述重量減少率例如可藉由 添加無鉛回焊時能減少龜裂產生之無機物來調整。再者， 半導體背面用膜2由包含熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成 時，上述重量減少率係指對熱硬化後之半導體背面用膜於 加熱溫度250°C、加熱時間1小時之條件下加熱時之值。 (切晶帶） 上述切晶帶3係於基材31上形成黏層劑層32而構成。如 此，切晶帶3具有積層基材31與黏著劑層32之構成即可。 155813.doc •39· 201203425 基材（支持基材）可用作黏著劑層等之支持母體。上述基材 3 1較佳為具有放射線透射性。作為上述基材3丨，例如可使 用：紙等紙系基材；布、不織布、毛氈、網狀物等纖維系 基材；金屬箔、金屬板等金屬系基材；塑膠之膜或片等塑 膠系基材；橡膠片等橡膠系基材；發泡片等發泡體、或該 等之積層體[特別是塑膠系基材與其他基材之積層體、或 塑膠膜（或片）彼此之積層體等]等適當的薄片體。本發明 中，作為基材，可較佳地使用塑膠之膜或片等塑膠系基 材。作為此種塑膠材料之素材，例如可列舉：聚乙稀 (PE)、聚丙烯（pp)、乙烯-丙烯共聚物等烯烴系樹脂；乙 烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯_(甲 基）丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基）丙烯酸酯（無規、交替）共聚 物等以乙烯為單體成分之共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯 (PET)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯 (PBT)等聚酯；丙烯酸系樹脂；聚氣乙烯（pvc);聚胺基甲 酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚（PPS);聚醯胺（尼龍）、全芳香 族聚醯胺（芳香族聚醯胺）等醯胺系樹脂；聚醚醚酮 (PEEK);聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚偏二氣乙婦； ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物）；纖維素系樹脂；聚 矽氧樹脂；氟樹脂等。 又，作為基材3 1之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚 合物。上述塑膠膜可無延伸而使用，視需要亦可使用實施 了單軸或雙軸延伸處理者》根據藉由延伸處理等而賦予熱 收縮性之樹脂片，藉由切晶後使該基材3 1熱收縮而降低黏 155813.doc .40· ⑧ 201203425 著劑層32與半導體背面用膜2之接著面積從而實現半導體 晶片之回收的容易化。 基材31之表面為了提高與鄰接之層的密接性、保持性 等’而可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴 露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學 或物理處理，及藉由底塗劑（例如後述之黏著物質）之塗佈 處理。 上述基材31可適當選擇使用同種或不同種者，視需要可 使用將數種混合者。又，基材3丨為了賦予抗靜電性能，而 可於上述基材31上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等 之厚度為30〜500 A左右之導電性物質之蒸鍍層。基材^可 為單層或可為2種以上之複層。 基材31之厚度（於積層體時為總厚）並無特別限制，可根 據強度或柔軟性、使用目的等而適當選擇，例如通常為 Η)〇〇 μΐη以下（例如為！ μιη〜1〇〇〇 μπι)，較佳為i〇 pm〜 μ«ι，更佳為20 μπι〜300 μιη，特佳為3〇 μιη〜2〇〇㈣左右 但並不限定於該等。 再者，基材Μ可於不損及本發明之效果等之範圍内，包 :各種添加劑(著色劑、填充劑、塑化劑、抗老化劑、抗 氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等）。 上述黏著劑層32由黏著劑形成，具有黏著性。作為此種 點著劑’並無制限制，可自公知之黏著劑中適當選擇。 具體而言’作為黏著劑，例如可自丙烯酸系黏著劑、橡膠 系黏著劑、乙稀基院基㈣黏著劑、聚石夕氧系點著劑、聚 155813.doc -41· 201203425 醋系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、氣 系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑、於該等黏 著劑中調配熔點約200eC以下之熱熔融性樹脂之潛變特性 改良型黏著劑等公知黏著劑（例如參照日本專利特開昭 56-61468號公報、日本專利特開昭61-174857號公報、日本 專利特開昭63-17981號公報、日本專利特開昭3〇4〇號 公報等）中適當選擇使用具有上述特性之黏著劑。又，作 為黏著劑’亦可使用放射線硬化型黏著劑（或能量線硬化 型黏著劑）、或熱膨脹性黏著劑。黏著劑可單獨使用或組 合2種以上而使用。 作為上述黏著劑，可較佳地使用丙烯酸系黏著劑、橡膠 系黏著劑’特佳為丙烯酸系黏著劑。作為丙烯酸系黏著 劑’可列舉：將使用（曱基）丙烯酸烷基酯之！種或2種以上 作為單體成分之丙烯酸系聚合物（均聚物或共聚物）作為基 礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。 作為上述丙烯酸系黏著劑之（甲基）丙烯酸烷基酯，例如 可列舉：（曱基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（曱基）丙 烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（曱基）丙烯酸丁酯、（甲 基）丙烯酸異丁酯、（曱基）丙烯酸第二丁酯、（曱基）丙烯酸 第三丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基） 丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2_乙基己 酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯 酸異壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸異癸酯 '(甲 基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基） 155813.doc ^ ⑧ 201203425 丙婦酸十三烷基醋、（甲基）丙稀酸十四烷基醋、（甲基）丙 稀酸十五烧基醋、（曱基）丙稀酸十六烧基醋、（甲基）丙稀 酸十七烷基醋、（甲基）丙稀酸十八烷基醋 '(曱基）丙稀酸 十九烷基酯、（甲基）丙烯酸二十烷基酯等（甲基）丙烯酸烷 基酯等。作為（甲基）丙烯酸烷基酯，較佳為烷基之碳數為 4〜18之（甲基）丙烯酸烷基酯。再者，（甲基）丙烯酸烷基酯 之烧基可為直鍵狀或支鍵狀之任一種。 再者，上述丙烯酸系聚合物為了改質凝聚力、耐熱性、 交聯性等，視需要可包含對應於能與上述（甲基）丙烯酸烷 基酯共聚合之其他單體成分（共聚合性單體成分）之單元。 作為此種共聚合性單體成分，例如可列舉：（甲基）丙烯酸 (丙烯酸、曱基丙烯酸）、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊 西旨、衣康酸、順丁婦二酸、反丁稀二酸、丁浠酸等含缓基 之單體，順丁婦二酸酐、衣康酸酐等含酸酐基之單體； (甲基）丙烯酸羥基乙酯、（甲基）丙稀酸羥基丙酯、（甲基）丙 烯酸羥基丁酯、（甲基）丙烯酸羥基己酯、（曱基）丙烯酸經 基辛酯、（曱基）丙烯酸羥基癸酯、（曱基）丙烯酸羥基月桂 酯、曱基丙烯酸（4-羥基曱基環己基）曱酯等含羥基之單 體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸' 2-(甲基）丙烯醯胺_2·曱基 丙續酸、（曱基）丙烯醢胺丙續g复、（曱基）丙稀酸橫丙酯、 (甲基）丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；2-羧基乙基 丙烯酿基填酸酯等含礙酸基之單體；（曱基）丙烯醯胺、 N，N-二曱基（曱基）丙烯醯胺、正丁基（曱基）丙烯醯胺、N_ 羥甲基（曱基）丙烯醯胺、N-羥曱基丙烷（曱基）丙烯醯胺等 155813.doc •43· 201203425 (Ν·取代）醯胺系單體；（曱基）丙烯酸胺基乙酯、（甲基）丙烯 酸N，N-二甲基胺基乙酯、（甲基）丙烯酸第三丁基胺基乙酯 等（甲基）丙烯酸胺基烧基酯系單體；（曱基）丙烯酸曱氧基 乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯等（曱基）丙烯酸烷氧基烷 基醋系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體； (甲基）丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基之丙烯酸系單體；苯 乙稀、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；乙酸乙烯酯、丙酸 乙稀酯等乙稀酯系單體；異戊二稀、丁二稀、異丁稀等稀 經系單體；乙烯醚等乙烯醚系單體；Ν_乙烯基吡咯烷酮、 曱基乙稀基Β比ρ各烧嗣、乙烯基η比咬、乙稀基〇辰咬酮、乙浠 基嘧啶、乙烯基哌啩、乙烯基吡畊、乙烯基吡咯 '乙烯基 咪唾、乙烯基喝唑、乙烯基咪啉、Ν_乙烯基羧酸醯胺類、 Ν-乙烯基己内醢胺等含氮之單體；Ν_環己基順丁烯二醯亞 胺、Ν-異丙基順丁烯二醯亞胺、Ν_月桂基順丁烯二醯亞 胺、Ν-苯基順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺系單體；Ν_ 甲基衣康醯亞胺、Ν-乙基衣康酿亞胺、ν-丁基衣康醯亞 胺、Ν-辛基衣康酿亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酿亞胺、環 己基衣康醯亞胺、Ν-月桂基衣康酿亞胺等衣康醯亞胺系單 體；Ν-(甲基）丙婦酿氧基亞甲基破珀醯亞胺、Ν-(曱基）丙 烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、Ν-(甲基）丙婦醯基_8_ 氧基八亞曱基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；（甲基）丙 烯酸聚乙二醇酯、（曱基）丙烯酸聚丙二醇酯、（甲基）丙稀 酸甲氧基乙二醇酯、（甲基）丙烯酸曱氧基聚丙二醇醋等二 醇系丙烯酸酯單體；（曱基）丙烯酸四氫糠酯、氣（甲基）丙 • 44 155813.doc ⑧ 201203425 稀酸醋、聚矽氧（甲基）丙烯酸酯等具有雜環、齒素原子、 石夕原子等之丙烯酸酯系單體；己二醇二（曱基）丙烯酸酯、 (聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸 醋、新戊一醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙稀 酉欠酉曰、二經曱基丙烧三（甲基）丙稀酸酉旨、季戊四醇三（曱 基）丙稀酸s曰、一季戊四醇六（甲基）丙稀酸酯、環氧丙烯酸 醋、聚醋丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、二乙烯苯、丁基 二（曱基）丙烯酸酯、己基二（曱基）丙烯酸酯等多官能單體 等。該等共聚合性單體成分可使用1種或2種以上。 使用放射線硬化型黏著劑（或能量線硬化型黏著劑）作為 黏著劑時，作為放射線硬化型黏著劑（組合物），例如可列 舉：使用聚合物侧鏈或主鏈中或主鏈末端具有自由基反應 性石厌-¼雙鍵之聚合物作為基礎聚合物之内在型放射線硬 化型黏著劑、或黏著劑中調配有紫外線硬化性單體成分或 寡聚物成分之放射線硬化型黏著劑等。又，於使用熱膨脹 性黏著劑作為黏著劑時，作為熱膨脹性黏著劑，例如列 舉包含黏著劑與發泡劑（特別是熱膨脹性微小球）之熱臉服 性黏著劑等。 / 本發明中，黏著劑層32於不損及本發明之效果之範圍内 可含有各種添加劑（例如增黏樹脂、著色劑、增黏劑垆 量劑、填充劑、塑化劑、抗老化劑、 " 曰 抗氧化劑、界面活性 劑、交聯劑等）。 作為上述交聯劑，並無特別限制， J便用：知之交聯 劑。具體而言，作為交聯劑，除了異 开齓®文S日系父聯劑、環 155813.doc -45· 201203425 氧系交聯劑、三聚氰 還可列舉：尿素系交料! 過氧化物系交聯劑外， ^^ 、、乂聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬

蝥合物系交聯劑、全M 屬|系父聯劑、碳二醯亞胺系交聯 T坐啉系父聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等， 為異氰I知系交聯劑或環氧系交聯劑。交聯劑可單獨 使用或組合2種以卜品你m 上而使用。再者’交聯劑之使用量並無 特別限制。 作為上述異氰酸酯系交聯劑’例如可列舉：二異氰酸 ，乙一 S曰一異氰酸1，4-丁二酯、二異氰酸丨，6_己二酯等 低級脂肪族聚異氰酸酯類；二異氰酸環戊二酯、二異氰酸 ，己二酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、 氫化一曱苯一異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；曱苯 一異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4，_二苯基甲烷二異 氰酸酯、〕曱苯二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等，此 外亦可使用.二羥曱基丙烷/曱苯二異氰酸酯三聚物加成 物[日本聚胺酯工業（股）製造、商品名「Coronate L」]、三 羥曱基丙烷/二異氰酸己二酯三聚物加成物[日本聚胺酯工 業（股）製造、商品名「Coronate HL·」]等。又，作為上述 環氧系交聯劑，例如可列舉：N，N，N，，Ni_四縮水甘油基-間 二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙（]^，：^_縮水甘油胺 基甲基）環己烧、1，6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮 水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、 聚乙二醇二縮水甘油喊、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖 醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘 155813.doc -46- ⑧ 201203425 油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、 三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯 二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三（2_經基乙基）異氛 尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚_s_二縮水甘、、由 驗，此外還可列舉分子内具有2個以上環氧基之環氧榭 脂等。 再者，本發明t，亦可藉自電子束或紫外線等之照射實 施交聯處理來代替制交聯劑，或使用交聯劑之同時藉由 電子束或紫外線等之照射實施交聯處理。 黏著劑層32例如可利用以下慣用方法形成：將黏著劑 (感壓接著劑）及視需要之溶劑或其他添加劑等混合，並形 ，為片狀層。具體而言’例如可藉由以下方法等而形成黏 著劑層32:將包含黏著劑及視需要之溶劑或其他添加劑之 混合物塗佈於基材31上之方法；於適當之分隔件(剝離紙 等）上塗佈上述混合物而形成黏著劑層32 ’並將其轉印（移 著）至基材31上之方法等。 黏著劑層32之厚度並無特別限制，例如為5㈣〜则 μπι(較佳為5 μιη〜200㈣、更佳為5㈣〜1〇〇㈣特佳為7 叫〜50㈣左右4黏著劑屠32之厚度為上述範圍内，則 可發揮適度之黏著力。再者’黏著劑層32可為單層、複層 之任一種。 上述切晶帶3之黏著劑層32對於覆晶型半導體背面用膜2 之接著力⑽、剝離角度18〇度、剝離速度3〇〇 分 鐘），較佳為0.02 N/20 mm〜10 Ν/2〇 _之範圍，更佳為 155813.doc -47- 201203425 0.05 N/20 mm〜5 N/20 mm之範圍。藉由使上述接著力為 0.02 N/20 mm以上’而彳防止於半導體晶圓之切晶時半導 ϋ元件發生晶片飛散。另一方面，藉由使上述接著力㈣ N/20 mm以下，而可防止於拾取半導體元件時該半導體 元件之剝離變得困難’或者產生糊殘留。 再者，本發明中，可使覆晶型半導體背面用膜2、或切 晶帶一體型半導體背面用膜！具有抗靜電性能。藉此，可 防止於其接著時及剝離時等產生靜電或由此導致之半導體 晶圓等因帶電而將電路破壞》抗靜電性能之賦予可藉由以 下適當方式來進行，於基材31、黏著劑層32或半導體背面 用膜2添加抗靜電劑或導電性物質之方法、於基材31設置 包含電荷轉移錯合物或金屬膜等之導電層之方法等。作為 該等方式，較佳為不易產生有可能使半導體晶圓變質之雜 質離子之方式。作為為了賦予導電性、提高導熱性等而調 配之導電性物質（導電填料），可列舉：銀、鋁、金、銅、 鎳、導電性合金等之球狀、針狀、鱗片狀金屬粉，氧化鋁 等金屬氧化物，非晶碳黑、石墨等。但就可實現不漏電之 方面而言’較佳為上述半導體背面用膜2為非導電性。 又，覆晶型半導體背面用膜2、或切晶帶一體型半導體 背面用膜1能以捲繞成輥狀之形態形成，亦能以積層了片 (膜）之形態形成。例如於具有捲繞成輥狀之形態時，可將 半導體背面用膜2或半導體背面用膜2與切晶帶3之積層體 以視需要藉由分隔件保護之狀態捲繞成輥狀，而製作為捲 繞成親狀之狀態或形態之半導體背面用膜2或切晶帶一體 1558I3.doc -48- 201203425 型半導體背面用膜丨。再者，作為捲繞成輥狀之狀態或形 態之切晶帶一體型半導體背面用膜丨，可由基材31、形成 於上述基材31之一個面之黏著劑層32、形成於上述黏著劑 層32上之半導體背面用膜、以及形成於上述基材^之另一 個面之剝離處理層（背面處理層）構成。 再者，作為切晶帶一體型半導體背面用膜丨之厚度（半導 體背面用膜之厚度與包含基材31及黏著劑層32之切晶帶之 厚度的總厚）’例如可自8 μιη〜15〇〇 μιη之範圍中選擇，較 佳為20 μπι〜850 (更佳為31 μπι〜5〇〇 _、特佳為47 μιη~330 μιη) 〇 再者，於切晶帶一體型半導體背面用膜丨中，藉由控制 半導體背面用膜2之厚度與切晶帶3之黏著劑層32之厚度之 比、或半導體背面用臈2之厚度與切晶帶3之厚度（基材 及黏著劑層3 2之總厚）之比，而可提高切晶步驟時之切晶 性、拾取步驟時之拾取性等，可於半導體晶圓之切晶步驟 半導體曰曰片之覆晶接合步驟間有效利用切晶帶一體型半 導體背面用膜1。 (切晶帶一體型半導體背面用膜之製造方法） 關於本實施形態之切晶帶—體型半導體背面用膜之製造 方法，以圖1所示之切晶帶一體型半導體背面用膜丨為例進 行說明。首务，^ , 目无基材31可藉由先前公知之製膜方法而製 膜。作為該劁眩士、、±_ ,. 技膜方法’例如可例示：壓光製膜法、有機溶 劑中之淹鑄法、密閉體系中之膨脹擠出出法、Τ模擠出 法共擠出法'乾式層壓法等。 155813.doc -49- 201203425 繼而，於基材31上塗佈黏著劑組合物進行乾燥（視需要 進行加熱交聯）而形成黏著劑層32。作為塗佈方式，可列 舉：輥塗法、網版塗佈、凹版塗佈等。再者，可將黏著劑 層組合物直接塗佈於基材31，而於基材31上形成黏著劑層 32’又’可將黏著劑組合物塗佈於對表面進行剝離處理之 剝離紙等而形成黏著劑層32後，將該黏著劑層32轉印至美 材31。藉此，製作於基材31上形成黏著劑層32之切晶$ 3 ° 另一方面，以乾燥後之厚度成為特定厚度之方式，將用 以形成半導體背面用膜2之形成材料塗佈於剝離紙上進 而於特定條件下進行乾燥（在需要熱硬化時等，視需要實 施加熱處理並乾燥）’而形成塗佈層。藉由將該塗佈層轉 印至上述黏著劑層32上而將半導體背面用膜2形成於黏著 劑層32上。再者，於上述黏著劑層32上直接塗佈用以形成 半導體背面用膜2之形成材料後，於特定條件下進行乾燥 (在需要熱硬化時等，視需要實施加熱處理並乾燥），亦可 於黏著劑層32上形成半導體背面用膜2。根據以上所述， 可獲得本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜〗。再者， 於形成半導體背面用膜2時進行熱硬化時，較為重要的是 以成為。卩刀硬化之狀態之程度進行熱硬化，較佳為不進行 熱硬化。 本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1可於製造具備 覆晶接合步驟之半導體裝置時較佳地使用。即，本發明之 切晶帶一體型半導體背面用膜丨於製造覆晶安裝之半導體 i55813.doc •50· 201203425 裝置時使用’以於半導體晶片之背面貼附切晶帶一體型半 導體背面用膜1之半導體背面用膜2之狀態或形態，製造覆 晶安裝之半導體裝置。因此，本發明之切晶帶一體型半導 體背面用膜1可用於覆晶安裝之半導體裝置（半導體晶片於 基板等被黏接體上以覆晶接合方式固定之狀態或形態之半 導體裝置）。 再者’半導體背面用膜2與切晶帶一體型半導體背面用 膜1同樣，可用於覆晶安裝之半導體裝置（半導體晶片於基 板等被黏接體上以覆晶接合方式固定之狀態或形態之半導 體裝置）。 (半導體晶圓） 作為半導體晶圓，若為公知或慣用之半導體晶圓，則並 無特別限制，可自各種素材之半導體晶圓中適當選擇使 用。本發明中，作為半導體晶圓，可較佳地使用矽晶圓。 (半導體裝置之製造方法） 關於本實施形態之半導體裝置之製造方法，以下一面參 照圖2 一面進行說明。圖2(a)〜2(d)係表示使用上述切晶帶 一體型半導體背面用膜丨時之半導體裝置之製造方法之剖 面示意圖。 上述半導體裝置之製造方法可使用上述切晶帶一體型半 導體背面用膜1而製造半導體裝置。具體而言，至少包 括：於上述切晶帶-體型半導體背面用膜上貼附半導體晶 圓之步驟、將上述半導體晶圓切晶之步驟、將藉由切晶而 得之半導體元件拾取之步驟、將上述半導體元件覆晶連接 155813.doc -51· 201203425 於被黏接體上之步驟。 再者’為半導體背面用膜2時，可藉由依據使用切晶帶 一體型半導體背面用膜丨時之半導體裝置之製造方法的方 法而製造半導體裝置。例如，半導體背面用膜2可與切晶 帶貼合，製成與切晶帶一體化之切晶帶一體型半導體背面 用膜而使用’而製造半導體裝置。此時，使用半導體背面 用膜2之半導體裝置之製造方法成為以下之製造方法：於 上述切晶帶一體型半導體背面用膜之製造方法的步驟中， 進而包括使半導體背面用膜與切晶帶以半導體背面用膜與 切晶帶之黏著劑層接觸之形態貼合的步驟。 又，半導體背面用膜2亦可不與切晶帶一體化而貼附於 半導體晶圓而使用。此時’使用半導體背面用膜2之半導 體裝置之製造方法成為以下之製造方法：使於上述切晶帶 一體型半導體背面用膜之製造方法中之切晶帶一體型半導 體背面用膜上貼附半導體晶圓之步驟，成為將半導體背面 用膜貼附於半導體晶圓之步驟，及在貼附於半導體晶圓之 半導體背面用膜上使切晶帶以半導體背面用膜與切晶帶之 黏著劑層接觸之形態貼合之步驟。 又，半導體背面用膜2亦可貼附於將半導體晶圓個片化 之半導體晶片而使用。此時，使用半導體背面用膜2之半 導體裝置之製造方法例如可為至少包括以下步驟之製造方 法：將切晶帶貼附於半導體晶圓之步驟、將上述半導體晶 圓切晶之步驟、將藉由切晶而得之半導體元件拾取之步 驟、將上述半導體元件覆晶連接被黏接體上之步驟、及於 155813.doc r§) -52- 201203425 半導體元件上貼附半導體背面用膜之步驟。 [安裝步驟] 首先如圖2(a)所示般，將任意設置於切晶帶一體型半 導體彦面用膜1之半導體背面用膜2上之分隔件適當剝離， 於該半導體背面用膜2上貼附半導體晶圓4,使其接著保持 而固定（安裝步驟）。此時上述半導體背面用膜2處於未硬化 I括半硬化狀態）。又，切晶帶一體型半導體背面用 臈1點附於半導體晶圓4之背面。半導體晶圓4之背面係指 :、路面相反側之面(亦稱為非電路面、非電極形成面 等）。貼附方法並無特別限定，較佳為壓接之方法。壓接 通常藉由壓接輥等擠壓機構一面擠壓一面進行。 [切晶步驟] 繼而’如圖2(b)所示般，進行半導體晶圓4之切晶。藉 此將半導體晶圓4切割成特定尺寸而個片化（小片化），從; 製造半導體晶片5。切晶例如自半導體晶圓4之電路面側根 據常法進行…本步驟中’例如可採用切入至切晶帶一 體型半導體背面用膜】之被稱為全切之切割方式等。作為 本步驟中所用之切晶裝置，並無特別限定，可使用先前公 知者。又’半導體晶圓4藉由具有半導體背面用膜之切晶 帶-體型半導體背面而以優異之㈣性接著固定， 因此可抑制晶片缺失或晶片飛散，並且亦可抑制半導體曰 圓4之破損。再者’若半導體背面用膜㉔包含環氧樹歡 樹脂組合物形成’則即便藉由切晶進行切割’亦可抑制或 防止於其切剖面產生半導體背面用膜之接著劑層之糊溢 155813.doc •53- 201203425 吏“好Γ可抑制或防止切剖面彼此再附著(黏連)，並可 更加良好地進行後述之拾取。 卫了 者進仃切曰曰帶—體型半導體背面用膜1之延伸 該延伸可使用先前公知之延伸裝置來進行。延伸裝置具 有：可經由切晶環而將+ 并 將切日日帶一體型半導體背面 下方壓下之環形狀之外摄 联向 卜裒、以及直徑小於外環且支持切 帶一體型半導體背面用膜 膜之内％。藉由該延伸步驟， 後述之拾取步驟中p大，u _ 、 鄰之半導體晶片彼此接觸而破 損。 [拾取步驟] 為了回收接著固疋於切晶帶—體型半導體背面用膜1之 半導體晶片5，如圖2(e)所示般，進行半導體晶片5之拾 取而使半導體曰曰片5與半導體背面用膜2 一起自切晶帶3 剝離。作為拾取之方法，# 並無特別限定，可使用先前公知 之各種方法。例如可列舉：藉由針自切晶帶一體型半導體 背面用膜1之基材31側將各半導體晶片5頂起，藉由拾取裝 置將頂起之半導體晶片5拾取之方法等。再者，所拾取之 半導體晶片5之背面藉由半導體背面用膜2保護。 [覆晶連接步驟] 所拾取之半導體晶片5如圖2⑷所示般，藉由覆晶接合 方式（覆晶安裝方式）固定於基板等被黏接體。具體而言， 使半導體晶片5以半導體晶片5之電路面（亦稱為表面、電 路圖案形成面、電極形成面等）與被黏接體6對向之形態， 根據常法固定於被黏接體6。例如使形成於半導體晶片5之 155813.doc 201203425 電路面側之凸塊5 1與被黏接於被黏接體6之連接墊上之接 合用導電材料（焊錫等）61接觸而擠壓並使導電材料熔融， 藉此可確保半導體晶片5與被黏接體6之電性導通，並使半 導體晶片5固定於被黏接體6(覆晶接合步驟）。此時，於半 導體晶片5與被黏接體6之間形成空隙，該空隙間距離通常 為30 μιη〜300 μιη左右。再者較為重要的是，將半導體晶片 5覆晶接合（覆晶連接）於被黏接體6上後，清洗半導體晶片5 與被黏接體6之對向面或間隙，於該間隙填充密封材料（密 封樹脂等）進行密封。 作為被黏接體6，可使用導線架或電路基板（配線電路基 板等）等各種基板。作為此種基板之材質，並無特別限 疋，可列舉陶瓷基板、或塑膠基板。作為塑膠基板，例如 可列舉環氧基板、雙順丁稀：醯亞胺三,井基板、聚酿亞胺 基板等。 於覆晶接合步驟中，作為凸塊或導電材料之材質，並無 特別限定，例如可列舉：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬 材料、錫-銀-鋼系金屬材料、錫_辞系金屬材料、錫_辞_鉍 系金屬材料等焊錫類（合金），或金系金屬材料、銅系金屬 材料等。 再者’於覆晶接合步驟中’使導電材料溶融，而使半導 體晶片5之電路面侧之凸塊、與被黏接體6之表面之導電材 料連接’作為該導電材料线融時的溫度，通常為2崎 ，右(例如25CTC〜300t)。本發明之切晶帶一體型半導體 背面用膜由於由環氧樹脂等形成半導體背面用m，因此可 155813.doc •55· 201203425 製成具有亦能承受該覆晶接人 接〇步驟中之高溫的耐熱性者。 本步驟中’較佳為清洗 ^ +導體晶片5與被黏接體6之對向 面（電極形成面）或間隙。作 乍為該清洗所用之清洗液，並1 特別限制，例如可列舉右M …、 夕J舉有機系清洗液、或水系清洗液。本 發明之切晶帶一體型半導 卞等體者面用膜中之半導體背面用膜 具有對清洗液之耐溶劑Μ 、 州性，對於該等清洗液實質上不具有 溶解性。因此如上所述，作為清洗液，可使用各種清洗 & ’㈣㈣之清洗液’可藉由先前之方法來清洗。 繼而it订用以將經覆晶接合之半導體晶片5與被黏接 體6之間的間隙密封之密封步驟。密封步驟使用密封樹脂 來進行。作為此時之密封條件，並無特別限;t，通常於 175 C下加熱60秒〜90秒，ϋ此進行密封樹脂之熱硬化，但 本發明並不限疋於此，例如可於丨651〜丨85它進行數分鐘 固化。於該步驟之熱處理中，不僅密封樹脂而且半導體背 面用膜2之熱硬化亦同時進行。藉此，密封樹脂及半導體 者面用膜2之兩者隨著熱硬化進行而進行硬化收縮。其結 果，因密封樹脂之硬化收縮而對半導體晶片5施加之應力 可藉由半導體背面用膜2硬化收縮而抵消或緩和。又，藉 由該步驟，可使半導體背面用膜2完全或大致完全地熱硬 化’並能以優異之密接性貼附於半導體元件之背面。進 而’本發明之半導體背面用膜2即便為未硬化狀態，亦可 於該密封步驟時與密封材料一起熱硬化，因此無須新追加 用以使半導體背面用膜2熱硬化之步驟。 作為上述密封樹脂，若為具有絕緣性之樹脂（絕緣樹 155813.doc -56- 201203425 =擇=:·:自公知之密封樹脂等密封材料 樹 $佳為具有彈性之絕緣樹脂。作為密封 可料包含環氧_之樹脂組合物#。作y 氧樹脂，可列康卜、+. 于作馮壌 所例示之環氧樹脂等。又，作為包含 %氧樹脂之樹脂組合物 v a封樹月曰’樹知成分除了環氧樹 等'、㈣ 含環氧樹脂以外之熱硬化性樹脂(酴樹脂 5 ’、’、塑性樹脂等。再者’作為酚樹脂，亦可用作環 氧樹月曰之硬化劑，作為此種㈣脂，可列舉上 酚樹脂等》 ^』丁之 使用上述切晶帶—體型半導體背面用膜1或半導體背面 用膜2而製造之半導體裝置（覆晶安裝之半導體裝置），於半 導體晶片之背面貼附有半導體背面用膜，因此能以優異之 視認性實施各種標記。特別是即便標記方法為雷射標記方 法’亦可猎由優異之對比度比實施標記，並可良好地辨別 藉由雷射標記而實施之各種資訊（文字資訊、圖形資訊 等）。再者，進行雷射標記時，可利用公知之雷射標記裝 置。又，作為雷射，可利用氣體雷射、固體雷射、液體雷 射等各種雷射。具體而言，作為氣體雷射，並無特別限 制，可利用公知之氣體雷射，較佳為二氧化碳雷射（(：〇2雷 射）、準分子雷射（ArF雷射、KrF雷射、xeClf射、XeF雷 射等）。又’作為固體雷射，並無特別限制，可利用公知 之固體雷射，較佳為YAG雷射（Nd: YAG雷射等）、γv04雷 射。 使用本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜或半導體背 155813.doc -57- 201203425 面用膜而製造之半導體裝置，由於為藉由覆晶安裝方式安 裝之半導體裝置，因此與藉由黏晶安裝方式安裝之半導體 裝置相比’成為薄型化、小型化之形狀。因此可較佳地 用作各種電子設備•電子零件或該等之材料•構件。具體 而言，作為利用本發明之覆晶安裝之半導體褒置的電子設 備，可列舉：所謂「行動電話或「 Λ ^田「 飞PHS」、小型電腦（例 如所明舰」（個人數位助理）、所謂「筆記型電^、所 謂「Netbook(商標)」、所謂「可穿著電腦」等)、「行動電 話」及電腦一體化之小型電子 』1電子-又備、所謂「Digital _(商標）」、所謂「數位攝影機」、小型電視機、小型 遊戲设備、小型數位元聲訊播放機、所謂「電子纪事 薄」'所謂「電子詞典」、所謂「 ° 山 I月黾于蒈」用電子設備終 化、小型數位型表等移動型電 、 ^電子叹備（可移動之電子設備） 寺’虽然亦可為移動型以外（ 「a上 卜（°又置型專）電子設備（例如所謂 〇式電腦」、薄型電視機、錄 s . m ^ 錄再生用電子設備（硬碟 錄影機、DVD播放機算、、机&戌 機寺）杈影儀、微機器等）等。又，作 為電子零件或電子設備.電子 屯丁令仟之材料•構件，例如 列舉：所謂「CPU」之槿杜 々 . 」之構件、各種存儲裝置（所謂「記憶 體」、硬碟等）之構件等。 實施例 以下，制實施例對本發明進行詳細說明，但本發明只 要不超出其宗旨，則並不限 疋於以下實施例。又，各例 中’份只要無特別說明，均為重量基準。 (實施例1) 155813.doc -58· 201203425 <覆晶型半導體背面用膜之製作> 相對於以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯 酸酯系聚合物（商品名「Paracron W-197CM」根上工業股 份有限公司製造）：100份，而將環氧樹脂（商品名 「Epikote 1004」JER股份有限公司製造）：117份、酚樹脂 (商品名「Milex XLC-4L」三井化學股份有限公司製造）： 117份、球狀二氧化矽（商品名「30-2511」八(111^6〇118股份 有限公司製造）：83份、染料（商品名「OIL BLACK BS」 Orient Chemical Industries股份有限公司製造）：4份、熱硬 化促進觸媒（商品名「2PHZ-PW」四國化成工業股份有限 公司製造）：1.7份溶解於曱基乙基酮，而製備固體成分濃 度為23.6重量％之接著劑組合物之溶液。 將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊（分隔件） 的經聚矽氧脫模處理之厚度為50 μπι之包含聚對苯二曱酸 乙二酯膜的脫模處理膜上後，於13 〇。〇下乾燥2分鐘，藉此 製作厚度（平均厚度）為3〇 μπι之覆晶型半導體背面用膜A。 〈切晶帶一體型半導體背面用膜之製作> 使用手壓輥將上述覆晶型半導體背面用膜A貼合於切晶 帶（商品名「V-8-T」曰東電工股份有限公司製造；基材之 平均厚度：65 μιη、黏著劑層之平均厚度：1〇 μιη)之黏著 劑層上，而製作切晶帶一體型半導體背面用膜。 (實施例2) <覆晶型半導體背面用膜之製作> 相對於以丙烯酸乙酯_甲基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯 155813.doc •59· 201203425 酸酯系聚合物（商品名「Paracron W-197CM」根上工業股 份有限公司製造）：1〇〇份，而將環氧樹脂（商品名 「Epikote 1004」JER股份有限公司製造）：200份、酚樹脂 (商品名「Milex XLC-4L」三井化學股份有限公司製造）： 200份、球狀二氧化石夕（商品名「s〇_25R」Admatechs股份 有限公司製造）：125份、染料（商品名Γ 〇IL GREEN 502」

Orient Chemical Industries股份有限公司製造）：4份、熱硬 化促進觸媒（商品名「2PHZ-PW」四國化成工業股份有限 公司製造）：5份溶解於曱基乙基酮中，而製備固體成分濃 度為23.6重量％之接著劑組合物之溶液。 將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊（分隔件） 的經聚石夕氧脫模處理之厚度為5〇 μιη之包含聚對苯二曱酸 乙一 S曰膜的脫模處理膜上後，於丨3〇〇c下乾燥2分鐘，藉此 製作厚度（平均厚度）為30 μιη之覆晶型半導體背面用膜B。 <切晶帶一體型半導體背面用膜之製作> 使用手壓輥將上述覆晶型半導體背面用膜Β貼合於切晶 帶(商品名「V-8-T」日東電工股份有限公司製造；基材之 平均厚度：65 μΓη、黏著劑層之平均厚度：10 Him)之黏著 劑層上，而製作切晶帶一體型半導體背面用膜。 (熱硬化收縮量） 於各實施例中所製作之覆晶型帛導體背面用膜之一個面 貼附聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：38㈣。於該狀態下 猎由規尺測定體積。繼而於165t、2小時之條件下加熱 後’使覆晶型半導體背面用膜自聚對苯二甲酸乙二醋膜剝 155813.doc 201203425 之體積相對 果示於下述 =藉由規尺測定體積。繼而，纟出熱硬化後 於熱硬化前之總體積的收縮量（體積％)。將結 表1。 曲係藉由測定半導體封裝之翹曲 (半導體封裝之魅曲量） 半導體晶片有無產生翹 量來評價。 即’首先自切晶帶一體型半導體背面用膜剝離分隔件 後，將1導體晶圓（直徑8英时、厚度200 μ1η;石夕鏡面晶 圓）於70°C下進行輥壓接於半導體背面用膜上而使其貼 δ進而進行半導體晶圓之切晶。切晶係以成為〗0 mm 見方之晶4尺寸之方式㈣。再者，貼合條件、切晶條件 如下所述。 [貼合條件] 貼附裝置··商品名「ΜΑ-3000ΠΙ」日東精機股份有限公 司製造 貼附速度計：10mm/min 貼附壓力：0.15 MPa 貼附時之平台溫度：70°C [切晶條件] 切晶裝置：商品名「DFD-6361」DISCO公司製造 切晶環：「2-8-1」（DISCO公司製造） 切晶速度：30mm/sec 切晶刀片·

Zl ; DISCO公司製造「2030-SE 27HCDD」 155813.doc -61- 201203425 Z2 ; DISCO公司製造「2030-SE 27HCBB」 切晶刀片轉速. Z1 ； 40,000 r/min Z2 ; 45,000 r/min 切割方式：階梯切割 晶圓晶片尺寸.10.0 mm見方 繼而，藉由針自切晶帶一體型半導體背面用膜之切晶帶 側頂起，而將藉由切晶而得之半導體晶片與覆晶型半導體 背面用膜一起自黏著劑層拾取。再者，拾取條件如下所 述。 [拾取條件] 拾取裝置：商品名「SPA-300」新川公司股份有限公司 製造 拾取針根數：9根 針頂起速度：20mm/s 針頂起量：500 μηι 拾取時間：1秒 切晶帶延伸量：3 mm 繼而，將半導體晶片覆晶接合於BT基板[使用三菱瓦斯 化學公司製造之BT樹脂（雙順丁烯二醯亞胺三畊系樹脂）之 基板]上。此時使半導體晶片之電路面與BT基板對向，使 形成於半導體晶片之電路面之凸塊與被黏接於BT基板之連 接墊上之接合用導電材料（焊錫）接觸進行擠壓，並將溫度 升高至260°C使導電材料熔融，然後冷卻至室溫而進行。 155813.doc -62- ⑧ 201203425 進而於半導體晶片與Βτ基板之間隙注入作為密封樹脂之底 部填充材料°此時之底部填充材料（密封材料）之厚度為20 μΐΏ繼而’於165°c、2小時之條件下加熱後，測定半導 體封裝之翹曲量。 至於魅曲量之測定，首先以上述BT基板成為下側之方 式將半導體封裝載置於平板上，測定自平板上隆起之BT基 板之向度 '即翹曲量（μιη)。測定係使用接觸式表面粗度計 (VeeC〇公司製造、DEKTAK8)於測定速度1.5 mm/s、負荷1 g之條件下進行。測定之結果係將翹曲.量為1〇〇 μιη以下者 [表1] 设為〇，將超過1〇0 μηι者設為χ。將結果示於下述表1 ^ 熱硬化收縮量 半導體背面用膜之 半導體元件 (體積％) 厚度(μιη) 之翹曲量 實施例1 2.1 30 〇 實施例2 3.9 30 〇 (結果） 根據表1可知，如實施例〖及2，若係熱硬化收縮量為2體 積％以上之半導體背面用膜，則可確認可將半導體封裝之 鍾曲量均抑制為1 〇〇 μιη以下。 (實施例3) <覆晶型半導體背面用膜之製作> 相對於丙烯酸乙醋-甲基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯酸 酯系聚合物（商品名「Paracron W-197CM」根上工業股份 有限公司製造）：1〇〇份，而將環氧樹脂（商品名「Epik〇te 155813.doc -63- 201203425 1004」JER股份有限公司製造）：68份、酚樹脂（商品名 「Milex XLC-4L」三井化學股份有限公司製造）：68份、 球狀二氧化矽（商品名「SO-25R」Admatechs股份有限公司 製造）：83份 '染料（商品名「OIL BLACK BS」Orient Chemical Industries股份有限公司製造）：4份、熱硬化促進 觸媒（商品名「2PHZ-P W」四國化成工業股份有限公司製 造）：1.7份溶解於曱基乙基酮中，而製備固體成分濃度為 23.6重量％之接著劑組合物之溶液。 將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊（分隔件） 的經聚矽氧脫模處理之厚度為50 μιη之包含聚對苯二曱酸 乙二酯膜的脫模處理膜上後，於130〇C下乾燥2分鐘，藉此 製作厚度（平均厚度）為30 μιη之覆晶型半導體背面用膜C。 <切晶帶一體型半導體背面用膜之製作> 使用手壓輥將上述覆晶型半導體背面用膜C貼合於切晶 帶（商品名「V-8-T」曰東電工股份有限公司製造；基材之 平均厚度：65 μηι、黏著劑層之平均厚度：10 μιη)之黏著 劑層上，而製作切晶帶一體型半導體背面用膜。 (實施例4) <覆晶型半導體背面用膜之製作> 相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯 酸醋系聚合物（商品名「Paracron W-197CM」根上工業股 份有限公司製造）：100份，而將環氧樹脂（商品名 「Epikote 1004」JER股份有限公司製造）：98份、酚樹脂 (商品名「Milex XLC-4L」三井化學股份有限公司製造）： 155813.doc • 64 - ⑧ 201203425 98份、球狀一氧化石夕（商品名「s〇-25R」Admatechs股份有 限公司製造）：125份、染料（商品名「〇IL BLACK BS」 Orient Chemical Industries股份有限公司製造）：4份、熱硬 化促進觸媒（商品名「2PHZ-PW」四國化成工業股份有限 公司製造）：1.7份溶解於甲基乙基酮中，而製備固體成分 濃度為23.6重量°/〇之接著劑組合物之溶液。 將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊（分隔件） 的經5^石夕氧脫模處理之厚度為5〇 之包含聚對苯二甲酸 乙二酯膜的脫模處理膜上後’於13〇〇c下乾燥2分鐘，藉此 製作厚度（平均厚度）為30 μιη之覆晶型半導體背面用膜d。 〈切晶帶一體型半導體背面用膜之製作> 使用手壓親將上述覆晶型半導體背面用膜D貼合於切晶 帶（商品名「V-8-T」日東電工股份有限公司製造；基材之 平均厚度：65 μιη、黏著劑層之平均厚度：1 〇 μιη)之黏著 劑層上，而製作切晶帶一體型半導體背面用膜。 (比較例1) 〈覆晶型半導體背面用膜之製作> 相對於以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸曱酯為主成分之丙烯 酸醋系聚合物（商品名「paracron W-197CM」根上工業股 份有限公司製造）：1 〇〇份，而將環氧樹脂（商品名 「Epikote 1004」JER股份有限公司製造）：29份、酚樹脂 (商品名「Milex XLC-4L」三井化學股份有限公司製造）： 29伤、球狀一氧化石夕（商品名「s〇_25R」Admatechs股份有 限公司製造）：185份、染料（商品名r 〇IL BLACK BS」 155813.doc -65- 201203425

Orient Chemical Industries股份有限公司製造）：4份、熱硬 化促進觸媒（商品名「2PHZ-PW」四國化成工業股份有限 公司製造）：1.7份溶解於甲基乙基酮中，而製備固體成分 濃度為23.6重量％之接著劑組合物之溶液。 將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊（分隔件） 的經聚矽氧脫模處理之厚度為50 μιη之包含聚對苯二甲酸 乙二酯膜的脫模處理膜上後，於13 〇。〇下乾燥2分鐘，藉此 製作厚度（平均厚度）為30 μηι之覆晶型半導體背面用膜E。 <切晶帶一體型半導體背面用膜之製作> 使用手壓輥將上述覆晶型半導體背面用膜E貼合於切晶 帶（商品名「V-8-T」日東電工股份有限公司製造；基材之 平均厚度：65 μηι、黏著劑層之平均厚度：i 〇 μιη)之黏著 劑層上，而製作切晶帶一體型半導體背面用膜。 (熱硬化收縮量） 於各實施例及比較例中所製作之覆晶型半導體背面用膜 之一個面貼附聚對苯二曱酸乙二酯膜（厚度：38 μπι)。於 該狀態下，藉由規尺測定體積。繼而，於i65〇C、2小時之 條件下加熱後，自聚對苯二甲酸乙二酯膜剝離覆晶型半導 體背面用膜，藉由規尺測定體積。繼而，求出熱硬化後之 體積相對於熱硬化前之總體積的收縮量（體積％) ^將結果 示於下述表2。 (半導體封裝之翹曲量） 半導體晶片有無產生翹曲係藉由測定半導體封裝之翹曲 量來評價。 155813.doc -66- ⑧ 201203425 即，首先自切晶帶一體型半導體背面用膜剝離分隔件 後，於70°C下將半導體晶圓（直徑8英吋、厚度200 μιη ;矽 鏡面晶圓）輥壓接於半導體背面用膜上而貼合。進而進行 半導體晶圓之切晶。切晶係以成為10 mm見方之晶片尺寸 之方式進行全切。再者，貼合條件、切晶條件如下所述。 [貼合條件] 貼附裝置：商品名「MA-3000III」曰東精機股份有限公 司製造 貼附速度計：10mm/min 貼附壓力：〇· 15 MPa 貼附時之平台溫度：70°C [切晶條件] 切晶裝置：商品名「DFD-6361」DISCO公司製造 切晶環：「2-8-1」（DISCO公司製造） 切晶速度：30mm/sec 切晶刀片·

Zl ; DISCO公司製造「2030-SE 27HCDD」 Z2 ; DISCO公司製造「2030-SE 27HCBB」 切晶刀片轉速：

Zl ； 40,000 r/min Z2 ； 45,000 r/min 切割方式；階梯切割 晶圓晶片尺寸.lO.Onim見方 進而，藉由針自切晶帶一體型半導體裏畫用膜之切晶帶 155813.doc •67- 201203425 側頂起’將藉由切晶而得之半導體晶片與覆晶型半 面用膜一起自黏著劑層拾取。再者，拾取條件如下所、f [拾取條件] 所述。 拾取裝置：商品名「SP錢0」新川公司 製造 1丨艮公司 拾取針根數：9根 針頂起速度：20 mm/s 針頂起量：500 μιη 拾取時間：1秒 切晶帶延伸量：3 mm 進而，將半導體晶片覆晶接合於Βτ基板[使用三菱瓦斯 化學公司製造之BT樹月旨(雙順丁烯二酿亞胺三，系樹脂)之 基板]上。此時使+導體晶片之電路自與訂基板對向，使 形成於半導體0曰片之電路面的凸塊與被黏接於基板之連 接墊之接合用導電材料（焊錫）接觸而擠壓，並將溫度升高 至260°C而使導電材料熔融，然後冷卻至室溫而進行。進 而於半導體晶片與BT基板之間隙注入作為密封樹脂之底部 填充材料。此時之底部填充材料（密封材料）之厚度為2〇 μπι。繼而，於165 C、2小時之條件下加熱後，測定半導 體封裝之翹曲量。 至於勉曲量之測定’首先以上述Βτ基板成為下側之方 式將半導體封裝載置於平板上，測定自平板上隆起之ΒΤ基 板之尚度、即翹曲量（μιη)。測定係使用接觸式表面粗度計 (Veeco公司製造、DEKTAK8)，於測定速度1.5 mm/s、負 155813.doc ⑧ 201203425 荷1 g之條件下進行。測定之結果係將翹曲量為100 μιη以 下者設為Ο，將超過100 μιη者設為X。將結果示於下述表 2 ° [表2]

熱硬化性樹脂 熱硬化收縮 半導體背面用 半導體元件 之含量(重量％) 量(體積％) 膜之厚度(μιη) 之组曲量 實施例3 58 2.1 30 〇 實施例4 66 2.1 30 〇 比較例1 37 0.4 30 X (結果） 根據表2可知，如實施例3及4，若係熱硬化性樹脂之含 量相對於半導體背面用膜中全部樹脂成分為40重量％以上 之半導體背面用膜，則可確認可將半導體封裝之翹曲量均 抑制在100 μπι以下。另一方面，如比較例1，若係熱硬化 性樹脂之上述含量為37重量％之半導體背面用膜，則無法 將半導體封裝之翹曲量降低至100 μιη以下。 (實施例5) <覆晶型半導體背面用膜之製作> 相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸曱酯為主成分之丙烯 酸酯系聚合物（商品名「Paracron W-197CM」根上工業股 份有限公司製造）：100份，而將環氧樹脂（商品名 「Epikote 1004」JER股份有限公司製造）：75份、酚樹脂 (商品名「Milex XLC-4L」三井化學股份有限公司製造）： 75份、球狀二氧化石夕（商品名「SO-25R」Admatechs股份有 155813.doc 69- 201203425 限公司製造）：185份、染料（商品名「oil BLACK BS」 Orient Chemical Industries股份有限公司製造）：4份、熱硬 化促進觸媒（商品名「2PHZ-PW」四國化成工業股份有限 公司製造）：3.0份溶解於甲基乙基酮中，而製備固體成分 濃度為23.6重量％之接著劑組合物之溶液。 將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊（分隔件） 的經聚矽氧脫模處理之厚度為50 μηι之包含聚對苯二曱酸 乙二酯膜的脫模處理膜上後，於130°C下乾燥2分鐘，藉此 製作厚度（平均厚度）為30 μηι之覆晶型半導體背面用膜f。 <切晶帶一體型半導體背面用膜之製作> 使用手壓輥將上述覆晶型半導體背面用膜F貼合於切晶 帶（商品名「V-8-T」曰東電工股份有限公司製造；基材之 平均厚度：65 μιη、黏著劑層之平均厚度：1 〇 μηι)之黏著 劑層上’而製作切晶帶一體型半導體背面用膜。 (實施例6) <覆晶型半導體背面用膜之製作> 相對於以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯 酸酯系聚合物（商品名「Paracron W-197CM」根上工業股 份有限公司製造）：100份，而將環氧樹脂（商品名 「Epikote 10〇4」JER股份有限公司製造）：75份、酚樹脂 (商品名「Milex XLC_4Lj三井化學股份有限公司製造）： 75伤、球狀一氧化碎（商品名「SO-25R」Admatechs股份有 限公司製造）：185份、染料（商品名「〇IL BLACK BS」

Orient Chemical Industries股份有限公司製造）：4份、熱硬 155813.doc -70· ⑧ 201203425 化促進觸媒（商品名「2PHZ-P W」四國化成工業股份有限 公司製造）：2.3份溶解於甲基乙基酮中，而製備固體成分 濃度為23.6重量％之接著劑組合物之溶液。 將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊（分隔件） 的經聚石夕氧脫模處理之厚度為5〇 μιη之包含聚對苯二甲酸 - 乙二醋膜的脫模處理膜上後’於130°C下乾燥2分鐘，藉此 製作厚度（平均厚度）為30 μιη之覆晶型半導體背面用膜g。 〈切晶帶一體型半導體背面用膜之製作> 使用手麼辕將上述覆晶型半導體背面用膜G貼合於切晶 帶（商品名「V-8-T」日東電工股份有限公司製造；基材之 平均厚度·· 65 μπι、黏著劑層之平均厚度：1〇 μη1)之黏著 劑層上，而製作切晶帶一體型半導體背面用膜。 (熱硬化收縮量） 於各實施例中所製作之覆晶型半導體背面用膜之一個面 貼附聚對苯二甲酸乙二酯膜（厚度：38 μιηρ於該狀態 下，藉由規尺測定體積。繼而，於i 65、2小時之條件下 加熱後，自聚對笨二曱酸乙二酯膜剝離覆晶型半導體背面 . 帛M ’藉由規尺測定體積。繼而’求出熱硬化後之體積相 對於熱硬化前之總體積的收縮量（體積％)。將結果示於下 述表3。 (半導體封裝之翹曲量） 半導體晶片有無產生麵曲倍基士、日，丨〜+ 1 . 诉猎由測定半導體封裝之翹曲 量來評價。 即，首先自切晶帶一體型丰道^ = ^ 腥！午導體背面用膜剝離分隔件 155813.doc 201203425 後，於70°C下將半導體晶圓（直徑8英吋、厚度200 μιη ;矽 鏡面晶圓）輥壓接於半導體背面用膜上而貼合。進而進行 半導體晶圓之切晶。切晶係以成為10 m ηι見方之晶片尺寸 之方式進行全切。再者，貼合條件、切晶條件如下所述。 [貼合條件] 貼附裝置：商品名「ΜΑ-3000ΙΙΙ」日東精機股份有限公 司製造 貼附速度計：l〇mm/min 貼附壓力：0.15 MPa 貼附時之平台溫度：70°C [切晶條件] 切晶裝置：商品名「DFD-6361」DISCO公司製造 切晶環：「2-8-1」（DISCO公司製造） 切晶速度：30 mm/sec 切晶刀片·

Zl ; DISCO公司製造「2030-SE 27HCDD」 Z2 ; DISCO公司製造「2030-SE 27HCBB」 切晶刀片轉速.

Zl i 40,000 r/min Z2 ; 45,000 r/min 切割方式：階梯切割 晶圓晶片尺寸.10.〇mm見方 繼而，藉由針自切晶帶一體型半導體背面用膜之切晶帶 側頂起，將藉由切晶而得之半導體晶片與覆晶型半導體背 155813.doc -72- ⑧ 201203425 面用膜-起自黏著劑層拾取。再者，拾取條件如下所述。 [拾取條件] 拾取裝置·商品名「SPA_300」新川公司股份有限公司 製造 拾取針根數：9根 針頂起速度：20 mm/s 針頂起量：500 μηι 拾取時間：1秒 切晶帶延伸量：3 mm 繼而將半導體晶片覆晶接合於bt基板[使用三菱瓦斯 化干a司製造之BT樹脂（雙順丁烯二醯亞胺三畊系樹脂）之 基板]上此時使半導體晶片之電路面與BT基板對向，使 形成於半導體晶片之電路面之凸塊與被黏接於BT基板之連 接墊之接0用導電材料（焊錫）接觸而擠Μ，並冑溫度升高 至260 C而使導電材料熔融，然冑，冷卻至室濕而進行。 進，’於半導體晶片與ΒΤ基板之間隙注人作為密封樹脂之 底邛填充材料。此時之底部填充材料（密封材料）之厚度為 2〇 μηι繼而，於165〇c ' 2小時之條件下加熱後，測定 導體封裝之翹曲量。 .至於翹曲量之測定’首先以上述BT基板成為下側之方 式將半導體封裝載置於平板上，測定自平板上隆起之Βτ基 板之南度 '即勉曲量（_°測定係使用接觸式表面粗度計 (VeeC〇公司製造、DEKTAK8)於測定速度1.5 mm/s '負荷j g之條件下進行。測定之結果係將翹曲量為100 μιη以下者 155813.doc •73, 201203425 設為Ο，將超過100 μιη者設為X。將結果示於下述表3。 [表3] 熱硬化促進觸媒 之比例(重量°/〇) 熱硬化收縮 量(體積 半導體背面用 膜之厚度(μιη) 半導體元件 之鲍曲量 實施例5 2.0 2.5 30 〇 實施例6 1.5 2.1 30 〇 (結果） 根據表3可知，如實施例5及6，若係熱硬化促進觸媒之 比例相對於熱硬化性樹脂含量為1.5重量％以上之半導體背 面用膜，則可確認可將半導體封裝之翹曲量均抑制在1〇〇 μιη以下。 參照特定態樣詳細地說明了本發明，但業者明白在不脫 離本發明之精神與範圍的情況下可進行各種變更及修正。 再者’本申請案係基於2010年4月20日提出申請之曰本 專利申請案（日本專利特願2010-097229)、2010年4月20日 提出申請之日本專利申請案（日本專利特願2〇ι〇·〇97236)及 2010年4月20曰提出申請之曰本專利申請案（曰本專利特願 2010-097240)，其整體藉由引用而援用。 產業上之可利用性 根據本發明之覆晶型半導體背面用膜，由於形成於覆晶 連接於被黏接體上之半導體元件的背面，因此發揮出保護 s亥半導體元件之功能。又，本發明之覆晶型半導體背面用 膜相對於熱硬化前之覆晶型半導體背面用膜之總體積，因 熱硬化所致之收縮量為2體積％以上，因此可有效地抑制 155813.doc 201203425 或防止使半導體元件覆晶連接於被黏接體上時產生之半導 體元件之翹曲。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之一 例的剖面示意圖。 圖2(a)〜2(d)係表示使用本發明之切晶帶一體型半導體背 面用膜之半導體裝置之製造方法之一例的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 1 切晶帶一體型半導體背面用膜 2 半導體背面用膜 3 切晶帶 4 半導體晶圓 5 半導體晶片 6 被黏接體 31 基材 32 黏著劑層 33 與半導體晶圓之貼附部分對應之部分 51 形成於半導體晶片5之電路面側之凸塊 61 被黏接於被黏接體6之連接墊之接合用導電 材料 155813.doc -75-

Claims (1)

1. 201203425 七、申請專利範圍： 1. 一種覆晶型半導體背面用膜，其特徵在於：其係用以形 成於覆晶連接在被黏接體上之半導體元件之背面者，且 相對於熱硬化前之覆晶型半導體背面用膜之總體積， 因熱硬化所致之收縮量為2體積％以上3〇體積％以下。 2. 如請求項1之覆晶型半導體背面用膜，其中至少含有熱 硬化性樹脂。 3·如請求項2之覆晶型半導體背面用膜，其中上述熱硬化 性樹脂之含量相對於覆晶型半導體背面用膜之全部樹脂 成分為40重量％以上9〇重量％以下。 4·如請求項2之覆晶型半導體背面用膜，其中進而含有熱 硬化促進觸媒，上述熱硬化促進觸媒之比例相對於上述 熱硬化性樹脂總量為1.5重量％以上2〇量％以下。 5·如請求項3之覆晶型半導體背面用膜，其中進而含有熱 硬化促進觸媒，上述熱硬化促進觸媒之比例相對於上述 熱硬化性樹脂總量為1 · 5重量％以上2 0重量％以下。 6. 如請求項1至5中任一項之覆晶型半導體背面用膜，其中 上述覆晶型半導體背面用膜之厚度為2 μιη〜200 μιη之範 圍内。 7. 如請求項！至6中任一項之覆晶型半導體背面用膜，其中 上述半導體元件之厚度為20 μηι〜300 μπι之範圍内。 8_ 一種切晶帶一體型半導體背面用膜，其係包含：含有基 材及積層於基材上之黏著劑層之切晶帶、 積層於上述切晶帶上之如請.求項1至11中任一項之覆 155813.doc 201203425 晶型半導體背面用膜者，且 9. 上述覆晶型半導體背面用旗積層於上述黏著劑層上。 一種半導體裝置之製 亡 教绝方法具特徵在於：其係使用如 請求項8之切晶帶—體型半導體背面用膜者，且 …包括：於上述切晶帶一體型半導體背面用膜之覆晶型 半導體背面用膜上貼附半導體晶圆之步驟， 將上述半導體晶圓切晶而形成半導體元件之步驟， 以及 將上述半導體元件與上述覆晶型半導體背面用膜一起 自切日日帶之黏著劑層剝離之步驟， 將上述半導體元件覆晶連接於上述被黏接體上之步 10. 如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中於上述覆晶 連接之步驟中包括：於覆晶接合於上述被黏接體上之半 導體：件與該被黏接體之間的間隙封入密封樹脂後，使 上述密封樹脂熱硬化之步驟。 11. 一種覆晶型半導體护窨，立姑掏 牛導體裝置其特徵在於：其係藉由如請求 項9或10之半導體裝置之製造方法而製造者。 I55813.doc