TW201200270A - Method of manufacturing Cu-In-Ga alloy powder, method of manufacturing Cu-In-Ga-Se alloy powder, method of manufacturing Cu-In-Ga-Se alloy sintered compact, Cu-In-Ga alloy powder and Cu-In-Ga-Se alloy powder - Google Patents

Description

201200270 r、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於可作為濺鍍靶使用之Cu-ln-Ga-Se合金 燒結體之製造方法，進一步關於Cu-ln-Ga-Se合金燒結體之 原料Cu-In-Ga合金粉末及Cu-In-Ga-Se合金粉末以及該等 之製造方法。 【先前技術】 由於將Cu-丨n-Ga-Se合金（下文中為CIGS)所構成之 C1GS層當作吸收層之Cu(ln、Ga)Se2系太陽能電池由於在 薄膜太陽能電池之中轉換效率最高亦被證實其長期可靠度 ，故作為次世代太陽能電池被視為有力者。該ClGS層之形 成方法係將Cu-Ga膜及In膜以積層來成膜，在Se氣體環 境中進行熱處理之方法係廣為人知。 例如，在專利文獻1係揭示有使用此方法所進行之 C1GS層的形成方法。於Cu-Ga膜及In膜之形成可用於使 用Cu-Ga合金革巴及In把之錢鑛法。若將Se藉由使用Se革巴 之濺鍍法而進行供給，則由於Se離子造成之傷害致使所形 成之CIGS層的轉換效率變小，故Se係藉由熱處理而進行 供給。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻丨：日本特開2003-282908號公報（段落 [0025]、圖 6) 【發明内容】 [發明所欲解決之技術問題] 然而，在記載於專利文獻1的方法，係為了進行多層 4/19 201200270 膜之積層或Se氣體環境處理而難以削減CIGS層之製造費 用。在此，若可使用CIGS所構成之濺鍍靶CIGS靶藉由濺 鍍法而形成CIGS層，則不需多層膜之積層或Se氣體環境 處理，可減低製造費用。 但是CIGS靶之製作一向係被當作困難者。其理由係將 各元素之單金屬溶解、混合而製作CIGS時In與Se顯示爆 炸性放熱反應之故。因此本發明人等係考慮此點而研究了 安全地製造可用作為CIGS靶之CIGS燒結體的方法。 有鑒於如上之事項，本發明之目的係提供可安全地製 造的Cu-In-Ga-Se合金燒結體、其材料及該等之製造方法。 【實施方式】 [用以實施發明之形態] 為達成上述目的，用於製作本發明之一實施形態之 Cu-In-Ga-Se合金的Cu-In-Ga合金粉末之製造方法係製作 Cu-In-Ga合金烙液。將上述Cu-In-Ga合金溶液藉由薄片流 延法使其凝固而製作Cu-In-Ga合金薄帶。粉碎上述 Cu-In-Ga合金薄帶。 根據此製造方法，可製造具有第一區域、與第二區域 之Cu-In-Ga合金粉末，前述第一區域係將In當作主成分， 前述第二區域係將Cu-Ga合金當作主成分並分散於上述第 一區域中之粒徑1 μηι以下之粒狀者。若將此Cu-In-Ga合金 粉末與Se粉末混合而使其熔融，則Cu、In、Ga及Se之各 元素會合金化。在此，此Cu-In-Ga合金粉末係由於具有第 一區域與第二區域，故合金化時在第一區域產生之Se與In 的放熱反應會因在第二區域產生之Se與Cu的吸熱反應而 被減弱，系統整體的發熱被抑制。藉此，可防止爆炸性反 5/19 201200270 應所致之炫液的飛散、安全地製作Cu-丨n-Ga-Se合金粉末。 為了達成上述目的，本發明之一實施形態之 Cu-In-Ga-Se合金粉末之製造方法係製作Cu-]n-Ga合金熔 液。將上述Cu-ln-Ga合金熔液藉由薄片流延法使其凝固而 製作Cu-ln-Ga合金薄帶。粉碎上述Cu-ln-Ga合金薄帶而製 作Cu-丨n-Ga合金粉末。混合上述Cu-ln-Ga合金粉末與Se 粉末而製作Cu-ln-Ga合金及Se混合粉末。燒成上述 Cu-ln-Ga合金及Se混合粉末。 根據此製造方法，在Cu-丨n-Ga合金及Se混合粉末之燒 成時，起因於經炫融之Se與In的放熱反應之爆炸性反應所 致之炫液飛散被防止，可製造Cu-In-Ga-Se合金粉末。 為了達成上述目的，本發明之一實施形態之 Cu-In-Ga-Se合金燒結體之製造方法係製作Cu-ln-Ga合金 熔液。將上述Cu-ln-Ga合金熔液藉由薄片流延法使其凝固 而製作Cu-ln-Ga合金薄帶。將上述Cu-ln-Ga合金薄帶粉碎 而製作Cu-ln-Ga合金粉末。混合上述Cu-ln-Ga合金粉末與 Se粉末而製作Cu-ln-Ga合金及Se混合粉末。燒成上述 Cu-ln-Ga合金及Se混合粉末而製作Cu-In-Ga-Se合金粉末 。燒結上述Cu-In-Ga-Se合金粉末。 根據此製造方法，在Cu-ln-Ga合金及Se混合粉末之燒 成時，起因於經炫融之Se與In的放熱反應之爆炸性反應所 致熔液之飛散被防止，製作Cu-In-Ga-Se合金粉末。在燒結 Cu-In-Ga-Se合金粉末時，由於Se與In之合金化已完成， 或是幾乎完成，故不產生起因於Se與In的放熱反應之爆炸 性反應，可製造Cu-In-Ga-Se合金燒結體。 上述Cu-In-Ga-Se合金燒結體之製造方法係亦可進一 6/19 201200270 步具有將燒結上述Cu-In-Ga-Se合金粉末而製作之上述 Cu-In-Ga-Se合金燒結體加工成靶狀之步驟。 根據此製造方法，可將上述Cu_In_Ga_Se合金燒結體作 成Cu-Iii-Ga-Se合金所構成之濺鍍靶。 為了達成上述目的，本發明之一實施形態之用於製作 Cu-In-Ga-Se合金之Cu4n„Ga合金粉末係具備第一區域、與 . 第二區域。 • 上述第一區域係將In當作主成分。 上述第一區域係將Cu-Ga合金當作主成分並分散於上 述第一區域中之粒徑Ιμη]以下的粒狀者。 若使此Cu-In-Ga合金粉末與Se粉末混合並熔融，則 Cu ' In、Ga及Se之各元素會合金化。在此，此Cu4n_Ga 合金粉末係具有將In當作主成分之第一區域、與分散於第 一區域中之將Cu-Ga合金當作主成分之第二區域。因此， 在合金化時在第-區域產生之Se與In的放熱反應會因在第 二區域產生之Se與Cu的吸熱反應而被減弱，抑制系統整 : 體的發熱。藉此’可防止爆炸性反應所致之熔液飛散、安 - 全地製作Cu-In-Ga-Se合金。 為了達成上述目的，本發明之一實施形態之 Cu-In-Ga-Se合金粉末係燒成Cu_In_Ga合金粉末、與和上述 Cu-In-Ga合金粉末混合之Se粉末來形成；該Cu_In_Ga合 金粉末具有第一區域、與第二區域，該第一區域係將In當 作主成分’該第二區域係將Cu-Ga合金當作主成分並分散 於上述第一區域中之粒徑Ιμιη以下之粒狀者。 此Cu-In-Ga-Se合金粉末係由於含有之Se與In之合金 化完成’或幾乎完成，故可藉由燒結而不產生起因於Se與 7/19 201200270 丨η的放熱反應之爆炸性反應地成為Cu-丨n-Ga-Se合金燒結 體。 就本發明之1¾'施形態之Cu-ln-Ga-Se合金把之製造方 法進行說明。 圖1係顯示Cu-ln-Ga-Se合金靶之製造方法之流程圖。 依序說明如同圖所示之各步驟。 [Cu-ln-Ga混合粉末之製造方法] .準備Cu(銅)ί壽錠、丨11(銦)鎮錠及Ga(鎵)鑄錠。各鑄錠係 設為成為後述之Cu-丨n-Ga合金的物質量比之量。例如可設 為((?11:111:〇3=1:0.8:0.2)。 使上述各鑄錠溶解’進行混合(Stl〇l)。鑄錠之溶解係 可藉由三弧爐(Tri-arc furnace)來進行。此外，亦可使用可使 各鑄錠溶解之其他加熱手段。經溶解之各鑄錠的混合係由 於Cu、In及Ga之混合所致之放熱反應不成問題，故可藉 由一般的混合手段來進行。藉此，形成「Cu_in_Ga合金熔 液」。 圖2(a)係藉由上述各鑄錠之溶解及混合所形成之 Cu-ln-Ga合金鑄錠的照片。圖2(b)係示於圖2(a)2Cu_In_Ga 合金鑄錠的切面之照片。另外，示於該等圖之Cu_In_Ga合 金鑄旋係用於說明者，在本實施形態係以㈤〜以合金溶 液之狀態進至接下來的Stl02。 「“接著，將在SU01中所形叙Cu如Ga合金溶液藉由 、=片流延(Strip Casting)法」使其凝固(8⑽）。所謂薄片 =法係金屬驗之急冷鑄造法之_，在下文中說明其概 圖3係顯示薄片流延法之態樣之模式圖。如圖3所示 8/19 201200270 ，由坩堝1將金屬熔液 。在漏斗3之底部 供㊉、“聽2之漏斗⑽湯)3

供給至輥2之緣周縫狀之喷嘴’ ’絲從該喷嘴Y ，供給之金魏液Υ #=) ^ 2係以滅之速度旋轉著 ^ ^ 了、在輥2之表面被冷卻而凝固，形成 至屬薄f H $外’棍2係以銅等熱傳導性高之金屬材料 所形成Λ4亦可以令部水等來冷卻。在薄片流延法係可 藉由泰匕-〜旋忖速度、漏斗3與報2之間隔、漏斗3之喷 嘴大小％•來控币彳金屬薄帶Η之厚产。 在本貫祕,4係使用此薄片流延法使Cu_In_Ga合金炫 液凝固，製作「cmGa合金薄帶」。親之旋轉速度係可設 為lm/sec。另外，右將輥之旋轉速度設為〇 5m/see則由於 所形成之Cu-In-Ga合金薄帶的厚度厚，成為以手撕不開程 度的強度，故lm/sec左右之旋轉速度為合適。於圖4，顯 示將輥之旋轉迷度设為1 m/sec所形成之Cu_In_Ga合金薄帶 的照片。耩由使用溥片流延法，可製作後述之具有粒狀 Cu-Ga合金分散於In中的構造之Cu_In_Ga合金。 因此’由Cu、In及Ga之各轉旋形成Cu_In_Ga合金。 就此Cu-In-Ga合金之構造進行說明。圖5係將示於圖4之 Cu-In-Ga 合金薄帶之斷裂面以 S£M(Scanning Electr〇n

Microscope:掃描式電子顯微鏡)攝影的s·影像。圖5⑻ 之放大倍率係5_倍’圖5(b)之放大倍率係2_倍。另 外’圖5中表示為網狀之花紋係於樣本之切斷面產生之母 相(In)之脆性斷裂線。 如該等圖所示’藉由本實施形態之方法所形成之 Cu_In-Ga合金係包含顯示為區域R]及R2之兩個區域，於 塊狀之區域分散有减之_ R2。將塊狀之區域當作 9/19 201200270 第一區域R1，粒狀之區域當作第二區域R2。第一區域R1 之主成分係丨η，第二區域R2之主成分係Cu-Ga合金。 圖6係顯示第一區域R1及第二區域R2之EDX(Energy Dispersive X-ray spectroscopy:能量色散X射線分析')定性分 析之結果的圖表。圖表之橫軸係入射電子束的照射能量 (keV)，縱軸係X射線之計數(cps: count pe丨· second)。此外 ，於圖表顯示各元素之特性X射線的文獻值。如同圖所示 ，可說第一區域R1係In為主成分，第二區域R2係Cu-Ga 合金為主成分。亦即，此Cu-丨n-Ga合金係成為於將丨η當作 主成分之第一區域R丨中，分散有將Cu-Ga合金當作主成分 之粒狀的第二區域R2之構造。 圖7係顯示藉由本實施形態之方法所形成之Cu-In-Ga 合金的XRD(X-Ray D丨ffi'actometenX射線繞射法)之結果之 圖表。圖表之橫軸係X射線的入射角度(°)、縱轴係燒射強 度。此外，於圖表顯示純Cu及純In之文獻值。如同圖所 示，由此圖表確認到識別為純In之波峰，未確認到識別為 純Cu之波峰。因而，此Cu-In-Ga合金係可說是包含純In 、與經合金化之Cu者，與上述EDX分析之結果一致。 回到圖1，粉碎具有如上之構造的Cu-In-Ga合金薄帶 (Stl03)。Cu-]n-Ga合金薄帶係由於藉由上述薄片流延法而 形成為以手可撕開之程度的強度，故可以任意手段進行粉 碎。粉碎後，分級成粉粒之粒徑成為140μηι以下。藉此， 製作「Cu-In-Ga合金粉末」。 [Cu-In-Ga合金粉末之製造方法] 接著，將Cu-In-Ga合金粉末與Se(硒)粉末進行混合 (Stl04)。Se粉末係設為成為後述之Cu-In-Ga-Se合金的物 10/19 201200270 質量比之量。例如，可設為成為（Cu:In:GaHQ ，量。藉由此混合，製作「Cu_In_Ga合金及Se混合粉末1 繼續將Cu-In-Ga合纽Se混合粉末進行 。燒成係使各元素不與线中之氧進行反應，^ &等情) 性氣體環境下進行。後賴作係燒成溫度為以5啊以上^ 尤其62叱為合適。燒成時間係燒成為充分進行之時間，例 如可設為12小時。藉由燒成，Cu_In_Ga合金及&混合粉 末被合金化，形成「Cu-In-Ga-Se合金粉末」。 口 在合金化之過程中，CU-In-Ga合金及Se混合粉末中之 In及Se雖超過熔點(In:l56t：、Se:217t)，但不產生迅與 Se之爆炸性反應。圖8係將Cu-In-Ga合金及Se混合粉末 以50(TC燒成12小時而形成之Cu_In_Ga_Se合金粉照 片。如同圖所示，未見到在燒成中Se由於放熱反應而飛散 之跡象。 此係由於如圖5所示’於將];n當作主成分之第一區域 R1中’分散有將Cu-Ga合金當作主成分之粒狀的第二區域 R2之故。亦即’認為應該係第二區域R2所含之Cu與Se 之合金化反應呈現吸熱反應’該反應減弱因bi與Se之放熱 反應產生之熱之故。藉由本實施形態所製作之Cu-In-Ga合 金係由於第二區域R2分散於第一區域R1中，故尤其促進 此熱之減弱，抑制系統整體之發熱。 圖9係顯示Cu-In-Ga合金及Se混合粉末之 TG(Thermogravimetric)/DTA(Differential Thermal Analysis) (熱重量示差熱分析)之結果的圖表。此外，圖10係顯示作 為比較表示之In及Se混合粉末的TG/DTA之結果的圖表 11/19 201200270 。兩圖中圖表之橫轴係樣本溫度(。〇，絲

. dta ^m^〇.eference)；；J 本之溫度差(熱電偶之電動勢(μν))(左刻度）。 - 在示於_ 10之In及Se混合粉末的〇丁 解到在220°C附近伴隨In盥Se 八 …果仏眘 。相對於此，在示於圖放熱反應

Se浥人戶、_態之Cu_In_Ga合金及 末的DTA之結果，係未確認 在=.2；*到在·近產生有重量變化， 在尤皿度附近生成有Cu-In.Ga.Se合金(α 。

合金合金是否實際地 。金化® U錢喊成m如G 末(下稱燒成前樣本)與燒成後之 r 心如 稱燒成㈣椒伽之合金粉末(下 0 Γ ^ .σ禾的圖表。於圖表輝示

Cu-In-Ga-Se 合金(CuI%8GaG2Se2)、Se 及 in 之文值。、 外’燒成條件係溫度62〇t、】2小時。 、另 前樣本係看到識別W之波 波峰，於此在燒

合金之波峰。亦即，確認 糟由k成生成有Cu-In-Ga-Se合金(CiG 接著，就燒成溫度進行探对。腸相。 成12小時，後樣==度 ί度㈣5GGt之燒錢樣本相比，設 12/19 201200270 成溫度設為62(rc者，aGS相係更加單相化。 0士十f叫收燒成前樣本、圖13⑻係以500°C燒成12小 成後樣本、圖13⑻係以赋燒成〗2小時之燒成後 二:白SEM衫像(放大倍率3000倍）。示於圖13⑻之SEM =胁粒徑⑽_左右的㈤他合金之粉粒附著有更 、白、。粒咎1μιη左右之Se粉粒的狀態。在示於圖13(b)之 =〇〇c燒成之燒成後樣本的SEM影像，係Cu_in_Ga_se ^有些熔融’ Se之粉粒被納入至叫抑如合金的内 在示於’ 13⑻之以赋燒成之燒成後樣本的 衫像’係CiHn-Ga_Se合金更加炫融，&之粉粒被納 Z Cu4n-Ga.Se合金之更内部之狀態。如上所述，藉由將 '几成溫度設為62(TC ’可使CIGS相充分地單層化。 [Cu-In-Ga-Se合金燒結體之製造方法] 回到圖卜將藉由燒成所製作之Cu-In-Ga-Se合金粉末 撕燒絲製作Cu_In_Ga_Se合金燒結體(_6)。燒結係可 藉由放％電漿燒結法(SpS: Spark piasma 哑Hot㈣等方法而進行。在燒結時，由於=_ΐη:^ 3金粉末所含之Se與In的合金化係已完成，或幾乎完成， 故不產生細於Se與ιη之放熱反應的爆炸性反應，可製造 Cu-In-Ga-Se合金燒結體。 接著’加工Cu-In-Ga_Se合金燒結體，製作 合金乾(Stl07)。此加工係可藉由切削、研磨等任意手法而 進行。如上所述地進行，可將Cu、In、仏及^之單金屬 當作原料’製作Cu-In-Ga-Se合金靶。 在如上所述之本實施形態之製造方法，係製造且有第 -區域R卜與第二區域R2之Cu_In_Ga合金粉末，該第一 13/19 201200270 ^域，1係將〗n當作主成分，該第二區域R2係將Cu-Ga 〇金翕作主成分而分散於第一區域中R1之粒徑Ιμηι以下 =粒狀者。於@ Cu4n_Ga合金粉末與&粉末混合而進行合 ，化時，在第一區域幻產生之Se與In的放熱反應由於在 ,成R2產生之Se與Cu的吸熱反應而被減弱，抑制系 統}體之發熱。II此，爆炸性反應顺H减散被防止 ’可安全地製作Cu|Ga-Se合金燒結體。 本發明係並非被限定於僅有上述之實施形態者，在不 脫離本發明之要旨之範圍内可進行變更。 在上述實施形態’係假設將Cu、In、Ga及Se進行合 金化者，但亦可進一步追加其他元素。即使係此情形，Se 與In之放熱反應係由於Cu與In之吸熱反應被減弱，係可 抑制爆炸性反應。 在上述實施形態，係顯示Cu-In-Ga-Se合金I巴作為 Cu-In-Ga-Se合金燒結體之例。但是，cu-In-Ga-Se合金燒結 體係不限於濺鍵革巴，亦可用於其他用途。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明之實施形態之Cu-In-Ga-Se合金革巴的 製造方法之流程圖。 圖2⑻及(b)係本發明之實施形態中說明之Cu-In-Ga合 金鑄錠之照片。 圖3係顯示本發明之實施形態之薄片流延法之態樣的 模式圖。 圖4係本發明之實施形態之cu-ln-Ga合金薄帶的照片 〇 圖5(a)及(b)係本發明之實施形態之Cu-In-Ga合金薄< 14/19 201200270 之斷裂面的SEM影像。 圖6係顯示本發明之實施形態之Cu-In-Ga合金薄帶的 EDX之結果之圖表。 圖7係顯示本發明之實施形態之Cu-In-Ga合金的XRD 之結果之圖表。 圖8係本發明之實施形態之Cu-In-Ga-S e合金粉末的照 圖9係顯示本發明之實施形態之Cu-In-Ga合金及Se 混合粉末之TG/DTA的結果之圖表。 圖10係顯示比較例之In及Se混合粉末的TG/DTA之 結果之圖表。 圖11係顯示本發明之實施形態之燒成前的Cu-In-Ga 合金及Se混合粉末與燒成後的Cu-Ln-Ga-Se合金粉末的 XRD之結果之圖表。 圖12係本發明之實施形態之以500 °C燒成之 Cu-In-Ga-Se合金粉末及以620°C燒成之Cu-In-Ga-Se合金粉 末的XRD之結果。 圖13(a)至(c)係本發明之實施形態之燒成前的Cu-In-Ga 合金及Se混合粉末、以：500°C燒成之Cu-In-Ga-Se合金粉 末及以620°C燒成之Cu-In-Ga-Se合金粉末的SEM影像。 【主要元件符號說明】 1 坩堝 2 輥 3 漏斗 Y 金屬熔液 Η 金屬薄帶 15/19 201200270 R1 R2 第一區域 第二區域

Claims (1)

1. 201200270 七、申請專利範圍： 1. 一種Cu-In-Ga合金粉末之製造方法，其係用以製作 Cu-In-Ga-Se合金的Cu4n-Ga合金粉末之製造方法，兮 方法包括： 製作Cu-In-Ga合金容液， 使前述Cn-In-Ga合金熔液藉由薄片流延法而凝固來製作 . Cu-In-Ga合金薄帶，及 . 粉碎前述Cu-I:n-Ga合金薄帶。 . 2. —種Cu-In-Ga-Se合金粉末之製造方法，其係包括： 製作Cu-In-Ga合金炫液， 使前述Cu-In-Ga合金熔液藉由薄片流延法而凝固來製作 Cu-In-Ga合金薄體， 粉碎前述Cu-In-Ga合金薄帶來製作Cu_In_Ga合金粉末 ，混合4述Cu-Ii]-Ga合金粉末與&粉末來製作cu_In、Ga 合金及Se混合粉末，及 燒成前述Cu-In-Ga合金及Se混合粉末。 -3. —種Cu-In-Ga-Se合金燒結體之製造方法，其係包括： 製作Cu-In-Ga合金溶液，

   uu-_in-ua令、贫溽體， 粉碎前述Cu-In-Ga合金薄帶來製作ρ”仏

   合金粉末 製作 Cu-In-Ga

   混合粉末來製作 17/19 201200270 4. 士土申q專利範圍第3項之Cu_in_Ga_Se合金燒結微之製 造方法，其係進一步具有將燒結前述CiMn-Ga-Se合: 粉末所製作之前述Cu·丨n_Ga_Se合金燒結體加工成ς 士 之步驟。 、 :種Cu-丨η-Ga合金粉末，其係用以製作Cu_ln_Ga_Se| 金之Cu-In-Ga合金粉末，其係具備： 將丨η當作主成分之第—區域、與 =二區域，該第二區域係將〇‘合金當作主成分，並 二散於前述第一區域中之粒徑丨，以下的粒狀者。 6_種Cu-h_Ga-Se合金粉末，其係將 具有第一區域與第二區域之Cu-[n-Ga合金粉末、和 經與前述Cu-hvGa合金粉末混合之Se粉末 予以燒成所形成者； =:區域係將丨η當作主成分，該第二區域係將Cu_Ga ;二,作主成分並分散於前述第一區域中之粒 下的粗狀者。 ” ^種Cu.In_Ga合金粉末之f造方法，其係用以製作 方^:士合奴CU_I,VGa合金粉末之製造方法，此 製作Cu-In-Ga合金熔液， 使二述Cu-ln-Ga合金炫液凝固，製作具有第_ —區域的Cu-In-Ga合金薄帶，該第— /二 主忐八 Φ /乐^域係將In當作 王成刀’該第二區域係將Cu_Ga合金去 於前诂笛^-丄丄 口孟虽作主成分並分散 域中之粒徑】_町的粒狀者，及 私石τ則述Cu-In-Ga合金薄帶。 —種cmGa_Se合金粉末之製造方法，其係包括： 18/19 201200270 製作Cu-In-Ga合金；)容液， 使W述CU-In-Ga合金溶液凝固，製作具有第一區域斑第 二區域的Cu_In_Ga合金薄體，該第—區域係將化當作 主士分，該第二區域係將Cu_G0金當作主成分並分散 於刖述第一區域中之粒徑1μηι以下的粒狀者， 粉碎前述Cu-In-Ga合金薄帶來製作Cu4^a合金粉末 混合前述Cu-In-Ga合金粉末與Se粉末來製作Cu_In_Ga 合金及S e混合粉末，及 燒成前述Cu-In-Ga合金及Se混合粉束。 19/19