JPWO2011148600A1 - Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末 - Google Patents
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011148600A1 JPWO2011148600A1 JP2012517125A JP2012517125A JPWO2011148600A1 JP WO2011148600 A1 JPWO2011148600 A1 JP WO2011148600A1 JP 2012517125 A JP2012517125 A JP 2012517125A JP 2012517125 A JP2012517125 A JP 2012517125A JP WO2011148600 A1 JPWO2011148600 A1 JP WO2011148600A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- powder
- region
- alloy powder
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 139
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 28
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 36
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002360 explosive Substances 0.000 abstract description 12
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 74
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 20
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 9
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 8
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本発明のＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製し、当該溶湯をストリップキャスト法により凝固させて作製Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を作成し、当該合金薄帯を粉砕する。この製造方法によれば、Ｉｎを主成分とする第１の領域と、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし第１の領域中に分散した粒状の第２の領域とを有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末を製造することが可能である。ここで、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末をＳｅ粉末と混合して合金化させると、第１の領域で発生するＳｅとＩｎの発熱反応が、第２の領域で発生するＳｅとＣｕの吸熱反応により減殺されて、爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、安全にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ合金粉末を作製することが可能となる。
Description
本発明は、スパッタリングターゲットとして用いることが可能なＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法に関し、さらにＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の原料であるＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末並びにそれらの製造方法に関する。
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金（以下、ＣＩＧＳ）からなるＣＩＧＳ層を吸収層とするＣｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２系太陽電池は、薄膜太陽電池の中では最も変換効率が高く長期信頼性も実証されているため、次世代太陽電池として有力視されている。このＣＩＧＳ層の形成方法は、Ｃｕ−Ｇａ膜及びＩｎ膜を積層で成膜し、Ｓｅ雰囲気中で熱処理する方法が広く知られている。
例えば、特許文献１には、この方法によるＣＩＧＳ層の形成方法が開示されている。Ｃｕ−Ｇａ膜及びＩｎ膜の形成には、Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲット及びＩｎターゲットを用いたスパッタリング法が用いられている。ＳｅをＳｅターゲットを用いたスパッタリング法により供給すると、Ｓｅイオンによるダメージにより形成されたＣＩＧＳ層の変換効率が小さくなるため、Ｓｅは熱処理により供給するとされている。
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、多層膜の積層やＳｅ雰囲気処理を行うためにＣＩＧＳ層の製造コストを削減することは困難である。ここで、ＣＩＧＳからなるスパッタリングターゲットであるＣＩＧＳターゲットを用いてスパッタリング法によりＣＩＧＳ層を形成することができれば、多層膜の積層やＳｅ雰囲気処理の必要はなく、製造コストを低減させることが可能である。
ところがＣＩＧＳターゲットの作製は困難であるとされてきた。その理由は、各元素の単金属を溶解、混合してＣＩＧＳを作製する際にＩｎとＳｅが爆発的な発熱反応を示すためである。そこで本発明者らは、この点を考慮してＣＩＧＳターゲットとして用いることが可能な、ＣＩＧＳ焼結体を安全に製造する方法を検討した。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、安全に製造することが可能なＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、その材料及びそれらの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金を作製するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製する。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させて作製される。上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯は粉砕される。
この製造方法によれば、Ｉｎを主成分とする第１の領域と、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし上記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である第２の領域とを有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末を製造することが可能である。このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末をＳｅ粉末と混合して溶融させると、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅの各元素が合金化する。ここで、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末は、第１の領域と第２の領域とを有しているため、合金化の際に第１の領域で発生するＳｅとＩｎの発熱反応が、第２の領域で発生するＳｅとＣｕの吸熱反応により減殺され、系全体の発熱が抑制される。これにより、爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、安全にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ合金粉末を作製することが可能となる。
上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製する。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させて作製される。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕して作製される。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末とＳｅ粉末とが混合されて作製される。上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末は焼成される。
この製造方法によれば、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末の焼成の際に、溶融したＳｅとＩｎの発熱反応に起因する爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を製造することが可能である。
上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製する。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させて作製される。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕して作製される。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末とＳｅ粉末とが混合されて作製される。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末が焼成されて作製される。上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末は、焼結される。
この製造方法によれば、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末の焼成の際に、溶融したＳｅとＩｎの発熱反応に起因する爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末が作製される。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を焼結する際には、既にＳｅとＩｎの合金化は完了、もしくはほぼ完了しているため、ＳｅとＩｎの発熱反応に起因する爆発的反応は発生せず、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体を製造することが可能である。
上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法は、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を焼結して作製された上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体をターゲット形状に加工する工程をさらに有してもよい。
この製造方法によれば、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体をＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金からなるスパッタリングターゲットとすることが可能である。
上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金を作製するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末は、第１の領域と、第２の領域とを具備する。
上記第１の領域は、Ｉｎを主成分とする。
上記第２の領域は、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし、上記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である。
上記第１の領域は、Ｉｎを主成分とする。
上記第２の領域は、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし、上記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である。
このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末をＳｅ粉末と混合して溶融させると、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅの各元素が合金化する。ここで、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末は、Ｉｎを主成分とする第１の領域と、第１の領域中に分散したＣｕ−Ｇａ合金を主成分とする第２の領域を有している。このため、合金化の際に第１の領域で発生するＳｅとＩｎの発熱反応が、第２の領域で発生するＳｅとＣｕの吸熱反応により減殺され、系全体の発熱が抑制される。これにより、爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、安全にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ合金を作製することが可能となる。
上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末は、Ｉｎを主成分とする第１の領域と、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし上記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である第２の領域とを有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末と、上記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末と混合されたＳｅ粉末とが焼成されて形成される。
このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末は含有するＳｅとＩｎの合金化が完了、もしくはほぼ完了しているため、焼結されることによりＳｅとＩｎの発熱反応に起因する爆発的反応を発生することなくＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体となることが可能である。
本発明の実施形態に係る、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金ターゲットの製造方法について説明する。
図１は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金ターゲットの製造方法を示すフローチャートである。同図に示す各ステップについて、順に説明する。
図１は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金ターゲットの製造方法を示すフローチャートである。同図に示す各ステップについて、順に説明する。
[Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ混合粉末の製造方法]
Ｃｕ（銅）インゴット、Ｉｎ（インジウム）インゴット及びＧａ（ガリウム）インゴットを準備する。各インゴットは、後述するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金の物質量比となる量とする。例えば（Ｃｕ：Ｉｎ：Ｇａ＝１：０．８：０．２）とすることができる。
Ｃｕ（銅）インゴット、Ｉｎ（インジウム）インゴット及びＧａ（ガリウム）インゴットを準備する。各インゴットは、後述するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金の物質量比となる量とする。例えば（Ｃｕ：Ｉｎ：Ｇａ＝１：０．８：０．２）とすることができる。
上記各インゴットを溶解させ、混合する（Ｓｔ１０１）。インゴットの溶解はトリアーク炉によってすることができる。また、各インゴットを溶解させることが可能な他の加熱手段を用いてもよい。溶解した各インゴットの混合は、Ｃｕ、Ｉｎ及びＧａの混合による発熱反応は問題にならないため、通常の混合手段によってすることができる。これにより、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯」が形成される。
図２（ａ）は、上記各インゴットの溶解及び混合によって形成されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金インゴットの写真である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示したＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金インゴットの切断面の写真である。なお、これらの図に示すＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金インゴットは説明のためであり、本実施形態ではＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯の状態で、次のＳｔ１０２に進む。
次に、Ｓｔ１０１において形成されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を「ストリップキャスト（Strip Cast）法」によって凝固させる（Ｓｔ１０２）。ストリップキャスト法とは金属溶湯の急冷鋳造法のひとつであり、以下で概要を説明する。
図３は、ストリップキャスト法の態様を示す模式図である。図３に示すように、坩堝１から金属溶湯Ｙをロール２に近接するタンディッシュ３へ供給する。タンディッシュ３の底部にはスリット状のノズルが形成されており、このノズルから溶湯Ｙがロール２の周面へ供給される。ロール２は所定の速度で回転しており、供給された金属溶湯Ｙはロール２の表面で冷却されて凝固し、金属薄帯Ｈが形成される。なお、ロール２は、銅等の熱伝導性の高い金属材料で形成され、内部が冷却水等によって冷却されてもよい。ストリップキャスト法では、ロール２の回転速度、タンディッシュ３とロール２との間隔、タンディッシュ３のノズルの大きさ等によって金属薄帯Ｈの厚さを制御することができる。
本実施形態では、このストリップキャスト法を用いて、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を凝固させ、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯」を作製する。ロールの回転速度は１ｍ／ｓｅｃとすることができる。なお、ロールの回転速度を０．５ｍ／ｓｅｃとすると形成されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯の厚さが厚く、手で割れない程度の強度となるため、１ｍ／ｓｅｃ程度の回転速度が好適である。図４に、ロールの回転速度を１ｍ／ｓｅｃとして形成されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯の写真を示す。ストリップキャスト法を用いることにより、後述する、Ｉｎ中に粒状のＣｕ−Ｇａ合金が分散した構造を有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金を作製することが可能となる。
このようにして、Ｃｕ、Ｉｎ及びＧａの各インゴットから、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金が形成される。このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金の構造について説明する。図５は、図４に示したＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯の破断面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）より撮像したＳＥＭ像である。図５（ａ）の拡大倍率は５０００倍であり、図５（ｂ）の拡大倍率は２００００倍である。なお、図５において網状に表れた模様は、サンプルの切断面に生じた母相（Ｉｎ）の脆性破断線である。
これらの図に示すように、本実施形態の方法により形成されるＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金は領域Ｒ１及びＲ２として示す２つの領域を含み、塊状の領域Ｒ１に、粒状の領域Ｒ２が分散している。塊状の領域を第１の領域Ｒ１とし、粒状の領域を第２の領域Ｒ２とする。第１の領域Ｒ１の主成分はＩｎであり、第２の領域Ｒ２の主成分はＣｕ−Ｇａ合金である。
図６は第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２のＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray spectroscopy：エネルギー分散型Ｘ線分）定性分析の結果を示すグラフである。グラフの横軸は入射電子線の照射エネルギー（ｋｅＶ）であり、縦軸はＸ線のカウント数（ｃｐｓ：count per second)である。また、グラフに各元素の特性Ｘ線の文献値を示す。同図に示すように、第１の領域Ｒ１はＩｎが主成分であり、第２の領域Ｒ２はＣｕ−Ｇａ合金が主成分であるといえる。即ち、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金は、Ｉｎを主成分とする第１の領域Ｒ１中に、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とする粒状の第２の領域Ｒ２が分散している構造となっている。
図７は、本実施形態の方法により形成されるＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金のＸＲＤ（X-Ray Diffractometer：Ｘ線回折法）の結果を示すグラフである。グラフの横軸はＸ線の入射角度（°）、縦軸は回折強度である。また、グラフに純Ｃｕ及び純Ｉｎの文献値を示す。同図に示すように、このグラフから純Ｉｎに同定されるピークが確認され、純Ｃｕに同定されるピークが確認されない。したがって、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金は純Ｉｎと、合金化したＣｕを含むものといえ、上記ＥＤＸ分析の結果と一致する。
図１に戻り、以上のような構造を有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕する（Ｓｔ１０３）。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯は、上記ストリップキャスト法により手で割ることが可能な程度の強度に形成されているため、任意の手段により粉砕することが可能である。粉砕後、粉粒の粒径が１４０μｍ以下となるように分級する。これにより、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末」が作製される。
[Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法]
次に、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末をＳｅ（セレン）粉末と混合する（Ｓｔ１０４）。Ｓｅ粉末は、後述するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金の物質量比となる量とする。例えば、（Ｃｕ：Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｅ＝１：０．８：０．２：２）となる量とすることができる。この混合により、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末」が作製される。
次に、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末をＳｅ（セレン）粉末と混合する（Ｓｔ１０４）。Ｓｅ粉末は、後述するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金の物質量比となる量とする。例えば、（Ｃｕ：Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｅ＝１：０．８：０．２：２）となる量とすることができる。この混合により、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末」が作製される。
続いて、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を焼成する（Ｓｔ１０５）。焼成は各元素が空気中の酸素と反応しないように、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下で行う。後述するが、焼成温度は５００℃以上、特に６２０℃が好適である。焼成時間は焼成が十分に進行する時間、例えば１２時間とすることができる。焼成によって、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末が合金化され、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末」が形成される。
合金化の過程において、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末中のＩｎ及びＳｅが融点（Ｉｎ：１５６℃、Ｓｅ：２１７℃）を越えるが、ＩｎとＳｅの爆発的反応は発生しない。図８は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を５００℃で１２時間焼成して形成したＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の写真である。同図に示すように、焼成中にＳｅが発熱反応により飛散した形跡はみられない。
これは、図５に示したように、Ｉｎを主成分とする第１の領域Ｒ１中に、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とする粒状の第２の領域Ｒ２が分散しているためである。すなわち、第２の領域Ｒ２に含まれるＣｕとＳｅの合金化反応は吸熱反応を呈し、当該反応がＩｎとＳｅの発熱反応で生じる熱が減殺されるためであると考えられる。本実施形態によって作製されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金は第２の領域Ｒ２が第１の領域Ｒ１中に分散しているために特にこの熱の減殺が促進され、系全体の発熱が抑制される。
図９は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末のＴＧ（Thermogravimetric）／ＤＴＡ（Differential Thermal Analysis)（熱重量示差熱分析）の結果を示すグラフである。また、図１０は、比較として示すＩｎ及びＳｅ混合粉末のＴＧ／ＤＴＡの結果を示すグラフである。両図においてグラフの横軸はサンプル温度（℃）であり、縦軸はＴＧについてサンプルの重量変化（％）（右目盛り）、ＤＴＡについてリファレンスとサンプルの温度差（熱電対の起電力（μＶ））（左目盛り）である。
図１０に示すＩｎ及びＳｅ混合粉末のＤＴＡの結果では、２２０℃付近でＩｎとＳｅの合金化に伴なう発熱反応が発生していることがわかる。これに対し、図９に示す本実施形態に係るＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末のＤＴＡの結果では、明確な発熱は確認されない。即ち、ＩｎとＳｅの合金化に伴なう発熱が減殺されていることがわかる。また、図１０に示すＴＧの結果から、４００℃付近で重量変化が生じており、この温度付近でＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金（ＣＩＧＳ）相が生成されているとみられる。
作製されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金が実際に合金化されているかをＸＲＤを用いて確認した。図１１は、焼成前のＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末（以下、焼成前サンプル）と焼成後のＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末（以下、焼成後サンプル）のＸＲＤの結果を示すグラフである。グラフには、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金（ＣｕＩｎ０．８Ｇａ０．２Ｓｅ２）、Ｓｅ及びＩｎの文献値を示す。なお、焼成条件は温度６２０℃、１２時間である。
同図に示すように、焼成前サンプルでは、Ｓｅ及びＩｎに同定されるピークがみられる一方、当然にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金に同定されるピークはみられない。これに対し焼成後のサンプルでは、Ｓｅ及びＩｎに同定されるピークが消失し、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金に同定されるピークが出現している。即ち、焼成によりＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金（ＣＩＧＳ）相が生成していることが確認された。
次に、焼成温度について検討する。図１２は、それぞれ焼成温度５００℃と６２０℃で１２時間焼成した焼成後サンプルのＸＲＤの結果である。グラフには、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金（ＣｕＩｎ０．８Ｇａ０．２Ｓｅ２）の文献値を示す。同図に示すように、焼成温度を５００℃とした焼成後サンプルに比べ、６２０℃とした焼成後サンプルの方が先鋭なピークである。即ち、焼成温度を６２０℃とした方がＣＩＧＳ相がより単相化していることがわかる。
図１３（ａ）は焼成前サンプル、図１３（ｂ）は５００℃で１２時間焼成した焼成後サンプル、図１３（ｃ）は６２０℃で１２時間焼成した焼成後サンプルのＳＥＭ像（拡大倍率３０００倍）である。図１３（ａ）に示すＳＥＭ像は、粒径１００μｍ程度のＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金の粉粒に、より微細な粒径１μｍ程度のＳｅの粉粒が付着している状態である。図１３（ｂ）に示す５００℃で焼成した焼成後サンプルのＳＥＭ像では、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金が多少溶融し、Ｓｅの粉粒がＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金の内部に取り込まれている状態である。図１３（ｃ）に示す６２０℃で焼成した焼成後サンプルのＳＥＭ像では、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金がより溶融し、Ｓｅの粉粒がＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金のさらに内部に取り込まれている状態である。以上のように、焼成温度を６２０℃とすることによりＣＩＧＳ相が十分に単層化させることが可能である。
[Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法]
図１に戻り、焼成により作製されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を焼結してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体を作製する（Ｓｔ１０６）。焼結は、放電プラズマ焼結法(ＳＰＳ：Spark Plasma Sintering）やホットプレス法（ＨＰ：Hot press)等の方法によって行うことができる。焼結の際には、既にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末に含まれていたＳｅとＩｎの合金化は完了、もしくはほぼ完了しているため、ＳｅとＩｎの発熱反応に起因する爆発的反応は発生せず、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体を製造することが可能である。
図１に戻り、焼成により作製されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を焼結してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体を作製する（Ｓｔ１０６）。焼結は、放電プラズマ焼結法(ＳＰＳ：Spark Plasma Sintering）やホットプレス法（ＨＰ：Hot press)等の方法によって行うことができる。焼結の際には、既にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末に含まれていたＳｅとＩｎの合金化は完了、もしくはほぼ完了しているため、ＳｅとＩｎの発熱反応に起因する爆発的反応は発生せず、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体を製造することが可能である。
次に、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体を加工して、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金ターゲットを作製する（Ｓｔ１０７）。この加工は、切削、研削等の任意の手法によって行うことができる。以上のようにして、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅの単金属を原料として、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金ターゲットを作製することが可能である。
以上のように本実施形態の製造方法では、Ｉｎを主成分とする第１の領域Ｒ１と、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし第１の領域中Ｒ１に分散した粒径１μｍ以下の粒状である第２の領域Ｒ２とを有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末を製造する。Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末をＳｅ粉末と混合して合金化する際に、第１の領域Ｒ１で発生するＳｅとＩｎの発熱反応が、第２の領域Ｒ２で発生するＳｅとＣｕの吸熱反応により減殺され、系全体の発熱が抑制される。これにより、爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、安全にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ合金焼結体を作製することが可能となる。
本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において変更され得る。
上記実施形態では、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅを合金化するものとしたが、他の元素をさらに追加してもよい。この場合であっても、ＳｅとＩｎの発熱反応がＣｕとＩｎの吸熱反応によって減殺され、爆発的反応を抑制することが可能である。
上記実施形態では、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ合金焼結体の例として、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ合金ターゲットを示した。しかし、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ合金焼結体はスパッタリングターゲットには限られず、他の用途に用いることも可能である。
Ｒ１…第１の領域
Ｒ２…第２の領域
Ｒ２…第２の領域
Claims (8)
- Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金を作製するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法であって、
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させてＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕する
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法。 - Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させてＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄体を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末とＳｅ粉末とを混合してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を焼成する
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法。 - Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させてＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄体を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末とＳｅ粉末とを混合してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を焼成してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を焼結する
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法。 - 請求項３に記載のＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法であって、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末を焼結して作製された前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体をターゲット形状に加工する工程をさらに有する
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法。 - Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金を作製するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末であって、
Ｉｎを主成分とする第１の領域と、
Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし、前記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である第２の領域と
を具備するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末。 - Ｉｎを主成分とする第１の領域と、Ｃｕ−Ｇａ合金を主成分とし前記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である第２の領域とを有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末と、前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末と混合されたＳｅ粉末とが焼成されて形成された
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末。 - Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金を作製するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法であって、
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を凝固させて、Ｉｎを主成分とする第１の領域とＣｕ−Ｇａ合金を主成分とし前記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である第２の領域とを有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕する
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法。 - Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金溶湯を凝固させて、Ｉｎを主成分とする第１の領域とＣｕ−Ｇａ合金を主成分とし前記第１の領域中に分散した粒径１μｍ以下の粒状である第２の領域とを有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄体を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金薄帯を粉砕してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末とＳｅ粉末とを混合してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を作製し、
前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金及びＳｅ混合粉末を焼成する
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012517125A JP5521036B2 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-20 | Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010118679 | 2010-05-24 | ||
| JP2010118679 | 2010-05-24 | ||
| PCT/JP2011/002813 WO2011148600A1 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-20 | Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ合金粉末の製造方法、Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ合金焼結体の製造方法、Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ合金粉末及びＣｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ合金粉末 |
| JP2012517125A JP5521036B2 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-20 | Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2011148600A1 true JPWO2011148600A1 (ja) | 2013-07-25 |
| JP5521036B2 JP5521036B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=45003600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012517125A Expired - Fee Related JP5521036B2 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-20 | Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5521036B2 (ja) |
| TW (1) | TW201200270A (ja) |
| WO (1) | WO2011148600A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5588757B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-09-10 | 株式会社アルバック | Ｉｎ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｓｅ合金焼結体、Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法 |
| JP5767447B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2015-08-19 | 株式会社コベルコ科研 | Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末の製造方法、及びＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有するスパッタリングターゲット |
| JP5533607B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-06-25 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2013089630A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Midsummer Ab | Recycling of copper indium gallium diselenide |
| WO2013129044A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 株式会社日本マイクロニクス | Ｃｉｇｓ系太陽電池用合金の作製方法 |
| JP5993945B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-09-21 | 株式会社日本マイクロニクス | ｎ型光吸収層用合金とその製造方法及び太陽電池 |
| WO2013172252A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 株式会社 日本マイクロニクス | Ｎａ添加光吸収層用合金とその製造方法及び太陽電池 |
| JP2013253308A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Futek Furnace Inc | Ｃｉｇｓスパッタリングターゲットの製造方法 |
| KR101483254B1 (ko) | 2013-07-15 | 2015-01-15 | 한국생산기술연구원 | 스퍼터링 타겟용 4성분계 셀렌화합물 소결체 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4957968B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2012-06-20 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5182494B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2013-04-17 | 三菱マテリアル株式会社 | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2011
- 2011-05-20 WO PCT/JP2011/002813 patent/WO2011148600A1/ja active Application Filing
- 2011-05-20 JP JP2012517125A patent/JP5521036B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-23 TW TW100117936A patent/TW201200270A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201200270A (en) | 2012-01-01 |
| JP5521036B2 (ja) | 2014-06-11 |
| WO2011148600A1 (ja) | 2011-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5521036B2 (ja) | Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末 | |
| JP5767447B2 (ja) | Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末の製造方法、及びＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有するスパッタリングターゲット | |
| CN102395702B (zh) | 溅射靶及其制造方法 | |
| US9103000B2 (en) | Low melting point sputter targets for chalcogenide photovoltaic applications and methods of manufacturing the same | |
| TWI424080B (zh) | Sputtering target and its manufacturing method | |
| JP5182494B2 (ja) | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2012507631A (ja) | 光起電性の用途のためのカルコゲニドの合金のスパッターのターゲット及びそのものを製造する方法 | |
| WO2013069710A1 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| TWI491749B (zh) | 濺鍍靶材以及其製造方法 | |
| JPWO2011001974A1 (ja) | Ｃｕ−Ｇａターゲット及びその製造方法 | |
| JP5973041B2 (ja) | Ｃｕ−Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ−Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| TWI438296B (zh) | Sputtering target and its manufacturing method | |
| Turner et al. | The use of gadolinium as a burnable poison within U3Si2 fuel pellets | |
| JP2006086512A (ja) | フィルドスクッテルダイト系合金を用いた熱電変換システム。 | |
| JP6176535B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| Liu et al. | Oxidation resistance behavior of smart W-Si bulk composites | |
| JP2014098206A (ja) | Ｃｕ−Ｇａ二元系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2014210943A (ja) | Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲット材およびその製造方法 | |
| JP2014005546A (ja) | Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140303 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140325 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140407 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5521036 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |