JP2014005546A - Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット - Google Patents
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- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 109
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 48
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 48
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 30
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 claims description 5
- 238000005204 segregation Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010309 melting process Methods 0.000 abstract 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 14
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 4
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016523 CuKa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- -1 first Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 Cu,In,GaおよびSeを不活性ガス中で加熱、溶解してCu−In−Ga−Se四元系合金溶湯を作製する工程と、四元系合金溶湯を鋳造してインゴットを作製する工程と、インゴットを粉砕して四元系合金粉末を作製する工程と、四元系合金粉末を不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有し、四元系合金溶湯を作製する工程で、InとGaとが全て溶解する温度であってSeの融点未満の温度に加熱して少なくとも固相のSeと、液相のInとGaとからなる溶湯とが共存する第1の溶解工程S1と、該第1の溶解工程後に四元系合金の融点以上の温度に加熱して四元系合金溶湯を作製する第2の溶解工程S2と、を有している製造方法により作製されている。
【選択図】図1
Description
上記従来のCu−In−Ga−Se四元系合金膜の成膜方法は、InターゲットおよびCu−Ga二元合金ターゲットの2枚のターゲットを使用し、さらに、Se雰囲気中で熱処理するための熱処理炉および積層膜を熱処理炉に搬送する工程を必要とするなど多くの装置および工程を必要とすることから、コストの削減は難しかった。そこで、Cu−In−Ga−Se四元系合金ターゲットを作製し、このターゲットを用いて1回のスパッタリングによりCu−In−Ga−Se四元系合金膜の成膜しようとする試みがなされている。しかしながら、金属Cu、金属In、金属Ga、金属Seなどの原料をるつぼに装入し、通常の方法で溶解してCu−In−Ga−Se四元系合金ターゲットを製造しようとすると、InとSeとが直接反応して爆発を起こすことから通常の溶解法でCu−In−Ga−Se四元系合金ターゲットを製造することはできない。一方、Cu粉末、In粉末、Ga粉末、Se粉末などを原料粉末として配合し混合してプレス成形することにより圧粉体を作製し、この圧粉体を焼結してCu−In−Ga−Se四元系合金ターゲットを製造しようとすると、製造時に各々の原料粉末の融点の違いから焼結は難しく、また得られたターゲットの組成偏析が大きくなって、均一な組成分布を有するCu−In−Ga−Se四元系合金ターゲットが得られない。
なお、第一の溶解工程は、溶解するに際し、Cu、In、GaおよびSeの全量を坩堝に投入して、その後加熱してもよいし、In、Ga、Seの全量、あるいは更にCuの一部を添加して加熱してもよい。ここで不足したCuは、第一の溶解工程終了から第二の溶解工程終了までの間に添加すればよい。
すなわち、第1の溶解工程と第2の溶解工程との間に、Seの融点以上の温度であってSeの沸点以下の温度に加熱して保持し液相のSe,In,Gaからなる溶湯を作製するので、第二の溶解工程への加熱時にSeの蒸発や突沸を防ぐことができ4元素を溶解させることができる。
すなわち、このCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットでは、粉末X線回折法による定性分析において、カルコパイライト型CuInSe2相とCuGaSe2相との固溶体合金相からなるので、スパッタリングにより均一な組成分布を有したCu−In−Ga−Se四元系カルコパイライト型合金膜を成膜することができる。
すなわち、本発明に係るCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットによれば、Cu,In,GaおよびSeをInとGaとが全て溶解する温度であってSeの融点未満の温度に加熱して、少なくとも固相のSeと、液相のInとGaとからなる溶湯とを共存させ、この後にCu−In−Ga−Se四元系合金の融点以上の温度に加熱してCu−In−Ga−Se四元系合金溶湯を作製するので、InとSeとが直接反応することがなく、急激な反応にともなう爆発を防ぐと共に、実質的に固溶体合金相からなる組成偏析の極めて少ないCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットとなる。
したがって、上記製法で作製された本発明のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットを用いてスパッタ法により光吸収層を成膜することで、スパッタリングにより均一な組成分布を有した薄膜太陽電池の光吸収層を提供することができる。
ホットプレスにて得られた焼結体を、ハンマーで1mm程度まで粗粉砕した後、さらにメノウ製乳鉢で粉砕し、目の開き120μmの篩に通過する粉末を回収しXRD分析の分析試料とした。使用したX線回折装置は理学(株)製 RINT UltimaIII。測定条件は:X線CuKa;管電圧40kV、管電流40mA、測定範囲10〜90°、サンプリング幅0.02°、Scan Speed 2.である。
また、上記EPMAの分析条件は、以下のように設定している。
EPMA用サンプルはホットプレス体から1mm程度の破片を採取し、精密断面試料作製装置(CP)によって断面を加工したものを用いた。EPMAによる観察では該加工面を用いた。EPMA観察時の加速電圧は15kVであった。
Cu:0.95〜1.1
In:0.5〜0.9
Ga:0.1〜0.5
Se:1.8〜2
この溶解工程は、図1に示すように、Cu,In,GaおよびSeをIn、Gaが全て溶解する温度であってSeの融点未満の温度に加熱して固相のCu、Seと液相のInとGaとからなる溶湯を作製する第1の溶解工程S1と、該第1の溶解工程S1後に溶湯を上記Cu−In−Ga−Se四元系合金の融点以上の温度に加熱して上記Cu−In−Ga−Se四元系合金溶湯を作製する第2の溶解工程S2と、を有している。
さらに、上記第1の溶解工程S1と第2の溶解工程S2との間に、溶湯をSeの融点以上の温度であってSeの沸点以下の温度に加熱して液相のSe,In,Gaからなる溶湯を作製する中間溶解工程Smを有している。
さらに、上記ホットプレスの工程では、上記Cu−In−Ga−Se四元系合金粉末を、例えばAr雰囲気中で、圧力:60MPa、温度:200℃、1.5時間保持の条件でホットプレスする。これにより、例えばCu:26原子%、Se:48原子%、In:18原子%、Ga:8原子%からなる成分組成を有する組成偏析の極めて少ないCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットが作製される。
1)フィールドエミッションのEPMAにより500倍のCOMP像(60μm×80μm)10枚を撮影する。
2)市販の画像解析ソフトにより、撮影した画像をモノクロ画像に変換するとともに、単一しきい値を使用して二値化する。
これにより、Seが含まれないCu−Ga合金またはCu−Ga−In合金含有量が多い領域ほど、黒く表示されることとなる。
なお、画像解析ソフトとしては、例えば、WinRoof Ver5.6.2(三谷商事社製)などが利用できる。また、二値化とは、画像の各画素の輝度(明るさ)に対してある“しきい値”を設け、しきい値以下ならば“0”、しきい値より大きければ“1”として、領域を区別化することである。
3)この画像すべてを選択しない最大のしきい値を100%としたとき、32%のしきい値を使用し黒い側の領域を選択する。
そして、この選択した領域を4回収縮し、3回膨張させたときの領域をCu−GaまたはCu−In−Ga相の領域とし、この領域の面積率を計算する。
収縮および膨張の倍率としては、例えば、2.3%である。
Cu, In, Ga, Seそれぞれ純度99.99%以上のバルク状原料を2mm角程度の粒状に切断し用意する。以上の各原料Cu 195g、In 248g、Ga 65g、Se 485gを全量石英製坩堝に入れ、Ar雰囲気中で、下記の条件にて溶解した。
Step1 室温→195℃ 昇温スピード3℃/min
Step2 195℃ 4時間キープ
Step3 195℃→650℃ 昇温スピード3℃/min
Step4 650℃ 1時間キープ
Step5 650℃→1050℃ 昇温スピード10℃/min
Step6 1050℃ 1時間キープ
Step7 黒鉛製鋳型に鋳込む
作製されたインゴットは、乾式粉砕機(中央化工機商事製 ディスククラッシャ)にて100メッシュアンダーまで粉砕して、その後、目の開き100メッシュの篩で篩い、Cu−In−Ga−Se四元系合金粉末を作製する。
さらに、上記Cu−In−Ga−Se四元系合金粉末を、黒鉛のモールドに充填し、Ar雰囲気中で、圧力:60MPa、温度:700℃、1.5時間保持の条件でホットプレスする。これにより、組成偏析の極めて少ないCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットが作製される。
上記焼結したターゲットの一部を粉砕し、120μm以下に分級し得られた合金粉用いてX線回折を行った。また、一部の焼結体を用いてEPMAによる組成分布観察を行った。
このCu−Ga二元系合金またはCu−In−Ga三元系合金の第二相は、面積率で、1%であった。
この際のスパッタリングは、以下の条件で行った。
Cu−In−Ga−Se四元系合金ターゲットは直径:76mm、厚さ:3mmに機械加工され、Inを用いて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングされる。スパッタは高周波電源(RF電源)を使用し、到達真空度が5×10−4Pa以下、スパッタ時の投入電力は100W、スパッタガスはArのみで、Ar全圧は0.67Paとした。基板はMo膜付き青板ガラスでMo膜はスパッタによって成膜され、膜厚は800nmである。成膜時基板温度500℃、成膜時間は20min、得られた膜の厚みは200nmであった。
得られた膜をX線回折によって分析し、Cu(In0.7Ga0.3)Se2単相であることを確認した。
本発明のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットにより、Cu−In−Ga−Se四元系合金の単相からなる良好なCu−In−Ga−Se四元系合金膜が得られた。
Claims (3)
- Cu,In,GaおよびSe、を不活性ガス中で加熱、溶解してCu−In−Ga−Se四元系合金溶湯を作製する工程と、
前記Cu−In−Ga−Se四元系合金溶湯を鋳型に鋳造してインゴットを作製する工程と、
前記インゴットを粉砕してCu−In−Ga−Se四元系合金粉末を作製する工程と、
前記Cu−In−Ga−Se四元系合金粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有し、
前記Cu−In−Ga−Se四元系合金溶湯を作製する工程で、InとGaとが全て溶解する温度であってSeの融点未満の温度に加熱して少なくとも固相のSeと、液相のInとGaとからなる溶湯とを共存させる第1の溶解工程と、
該第1の溶解工程後に前記Cu−In−Ga−Se四元系合金の融点以上の温度に加熱して前記Cu−In−Ga−Se四元系合金溶湯を作製する第2の溶解工程と、を有している製造方法により作製されたことを特徴するCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット。 - 粉末X線回折法による定性分析において、カルコパイライト型Cu−In−Ga−Se四元系合金相からなることを特徴とするCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット。
- 請求項2に記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットにおいて、
電子線マイクロアナライザを用いた組成分析において、主相である前記合金相中に、Cu−Ga二元系合金およびCu−In−Ga三元系合金の少なくとも一方の第二相を含有していることを特徴とするCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013203047A JP5747967B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013203047A JP5747967B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009267699A Division JP5418832B2 (ja) | 2009-11-25 | 2009-11-25 | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014005546A true JP2014005546A (ja) | 2014-01-16 |
JP2014005546A5 JP2014005546A5 (ja) | 2014-06-19 |
JP5747967B2 JP5747967B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=50103523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013203047A Expired - Fee Related JP5747967B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5747967B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107142455A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-09-08 | 柳州豪祥特科技有限公司 | 铜铟镓硒靶材的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008163367A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Mitsubishi Materials Corp | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013203047A patent/JP5747967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008163367A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Mitsubishi Materials Corp | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5747967B2 (ja) | 2015-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140425 |
|
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|
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