TW201142522A - Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method - Google Patents

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201142522 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於曝光裝置、曝光方法、維修方法及元件 製造方法。 本申請案主張2_年8月26日中請之日本特願2〇〇9 195686號之優先權，將其内容援用於此。 【先前技術】 於半導體元件、電子元件等微元件之製程中，係使用 例如下述專利文獻所揭示之透過液體以曝光用光使基板曝 光之液浸曝光裝置。 先行技術文獻 [專利文獻1]美國專利申請公開第2005/〇〇55575號說 明書 [專利文獻2]美國專利申請公開第2〇〇8/〇〇18867號說 明書 [專利文獻3]美國專利申請公開第2〇〇4/〇21192〇號說 明書 [專利文獻4]美國專利第7589822號說明書 【發明内容】 為解決課題之手段 即， ,形 時情 染良 污不 到光 遭曝 件等 構陷 之缺 8¾ L -1 接產 體案 液圖 與之 中板 置基 裝於 光成 曝形 浸如 液例 當生 產 會 201142522 其結果1有可能產生不良元件。因 好的清潔構件、以抑制構件污染之技術。 種-良 本發明各態樣之目的係 ^ ^ 之瞧㈠番s丄㈡係如供一種此抑制發生曝光不良 之曝丸裝置、曝光方法、 ^ g ^ . 、隹仏方法。另外，本發明各態樣 …、在提供一種能抑制 法〇 1利^生曝九不良之元件製造方 用以解決課題之手段 本發明第！態樣之曝光裝置，係透 用光使基板曝光，1且供 币1及體以曝先 光之射2 光學構件，具有射出該曝光用 先之射出面；液浸構件 .# ^ ^ . 、從°玄射出面射出之該曝光用光 之先路至少部分的加以 疋 * ^ ^^ ·八有於0亥基板之曝光中、該 基板對向之下面，在兮 Λ 持兮第1 y ^ "面之至〉'一部分與該基板之間保 符A弟1液體；以及板 B ^ 面之相及太Α Μ 冓件’具有第1面及朝向該第1 面之相反方向之第2面， 在該第1…下面心 與5亥下面對向之位置； >、玄下面對向之狀態執行清潔。 本發明第2態樣之曝光 用光使美姑丄 ⑯元裝置，係透過第1液體以曝光 用尤便基板曝光，其具 光之射出㊉.、〇 構件，具有射出該曝光用 之光路至小A / Z又構件’將從該射出面射出之該曝光用光 ^ 分的力口以圍'繞，具有可與配置在騎射出面 對向位置之物艚料6τ 1牡/、忒射出面 ·Β之下面；第1可動構件，具有第丨上 面，可移動至节笛lLT 另乐1上 人 面與該射出面及該下面之至少一方 對向之位置；第2可動構 =二了 第2上面與該射屮而"再有第2上面，可移動至該 興。亥射出面及該下面之 及板片構件，以可釋妨夕士』， 万對白之位置，以 式被保持在配置於該第1可動 201142522 構件及該第2可動構件之至少-方之第1保持部，具有第3 上面，於第1處理中，在該射出面及該下面、與該第1上 面、該第2上面及被保持於該第I保持部之該板片構件之 該第3上面之至少一去夕pq Λ* 者之間保持該第1液體；在與該筮】 處理不同之第2處理中，則, 弟1 r則在該下面、與從該第1保持邻 釋放之該板片構件之第3上面之間保持第2液體。。 本發明第3態樣之元件製造方法，包含使用第卜第2 光裝置使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯 影之動作。 本：明第4態樣之曝光方法，係透過第i液體以曝光 基板曝光，纟包含：在將從光學構件之射出面射出 之該曝光用光之光路至少部分的加以圍繞之液浸構件之^ 面” -部分、與該基板之間保持該第丨液體之動作；透 面與該基板之間之該第1液體、以來自該射出面 =曝光用光使該基板曝光之動作；使保持於保持部之板 :件之第1上面與該下面對向之動作；在該 =對:::態下’保持從該保持部釋放之該板二 :=乂及在使該下面與該第1面對向之狀態下，清戈 吞玄下面之動作。 再在 本發明第5態樣之曝光方法，. 之射出面射出之該曝光用光之先路Xt將從光學構件 液浸構件之下…-部分、===的加以圍繞之 基板之間保持第！液體之動作二持動構件之 間之該第^液體、以來自該射出=2面與該基板之 耵出面之該曝光用光使該基板 201142522 曝光之動作；於第1處理中，在 ^处 在第1可動構件之第丨上面 第2可動構件之第2上面及 面、 置在该第1可動構件及 可動構件之至少一方之第1仅 ^苐2 爐杜夕笼 彳U 1保持部被保料可釋放之板片 構件之第3上面之至少一者、斑 /、该射出面及該下面之 保持該第1液體之動作；以及在 曰’ >、成第1處理不同之策） 處理中，在該下面與從該第丨伴括 布 侏待部釋放之該板片構件之 第3上面之間保持第2液體之動作。 本發明第6態樣之元件製造古、·土 农&方法，包含：使用第4、第 5態樣曝光方法使基板曝光之動 工 < 勒作，以及使曝光後之該 顯影之動作。 做 本發明第7態樣之曝光裝置之維修方法，該曝光裝置 ^以來自光學構件射出面之曝光用光透過帛〗液體使基板 載台上之基板曝光；其包含 、匕3 .使液浸構件之下面與被保持 於該基板載台保持部之板h播 ^ 伋月構件之第1上面對向之動作， 該液浸構件係將從該井瘦^播土 一 尤干構件射出面射出之該曝光用光之 光路至少部分的加以圍繞；以及在該第i上面與該下面對 向之狀態下，保持從該基板載台保持部釋放之該板片構件 之動作。 發明效果 根據本發明之各態樣，可抑制曝光不良之發生。又， 根據本發明之各態樣可抑制不良元件之產生。 實施方式 以 下，一邊參日3固_L· ή …、圖式、一邊說明本發明之實施形態 201142522 但 本發明不限定於此。於以下之說明 中’係設定一 XYZ正 交座標系，一邊參照此XYZ正交座辨多 又疋ΧΥΖ『 π系一邊說明各部之位 置關係。並設水平面内之既定方向或 t ^ > 馬X軸方向、於水平面

内與X軸方向正交之方向為γ鮎古A 稍万向、分別與X軸方向及 Y軸方向正交之方向（亦即鉛直方向、 J馬Z軸方向。此外，設 繞X軸、Y軸及Z軸旋轉（傾斜）方向 Π刀別為0X、0Y及0 Ζ方向。 <第1實施形態> 以下，說明第1實施形態。圖1孫 _ 1係顯不第1實施形態 之曝光裝置ΕΧ之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝 置ΕΧ係透過（經由）第1液體LQ1以曝光用光此使基板ρ 曝光之液浸曝光裝置。本實施形態中，係形成將曝光用光 EL之光路之至少一部分以第i液體LQ1加以充滿之液浸空 間LS。液浸空間係以液體充滿之部分（空間、區域）。基板ρ 係透過液浸空間LS之第1液體LQ1以曝光用光eL加以曝 光。本實施形態中’第1液體LQ 1係使用水（純水）。 又’本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第 6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所 揭示之具備可保持基板P移動之基板載台2 '與不保持基板 P而可搭載測量曝光用光EL之測量器C(測量構件）移動之 測量載台3的曝光裝置。 圖1中，曝光裝置EX具備：可保持光罩Μ移動之光 罩載台1、基板載台2、測量載台3、移動光罩載台1之驅 動系統4、移動基板載台2之驅動系統5、移動測量載台3 201142522 之驅動系統6、以光罩Μ照明曝光用光EL之照明系乩、將 被曝光用光EL照明之光罩M之圖案像投影至基板p之投 影光學系PL、可形成將曝光用光el之光路之至少一部分 以第1液體LQ 1加以充滿之液浸空間LS之液浸構件7、以 及控制曝光裝置EX全體之動作之控制裝置8。 又，本實施形態之曝光裝置EX具備能移動至與液浸構 件7對向之位置之罩（cap)構件30。罩構件3〇係一具有第！ 面31及面向第1面31之相反方向之第2面32之板片狀構 件。本實施形態中，曝光裝置Εχ具備配置在測量載台3、 以可釋放方式保持罩構件30之保持部丨9。罩構件3〇可被 保持於保持部1 9而移動。保持部丨9係保持罩構件3〇之第 2面32。以下之説明中，將罩構件3()之第1面3ι適當的 稱為上面31、將第2面32適當的稱為下面32。 光罩Μ包含形成有待投影至基板p之元件圖案之標線 片。光罩Μ包含例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上 使用鉻等遮光材料形成之圖案的透射型光罩。此外，光罩Μ 亦可使用反射型光罩。 基板Ρ係用以製造元件之基板。基板ρ包含例如半導 體晶圓等之基材、與形成在該基材上之感光^感光膜係 感光材(光阻劑)之膜。又，基板ρ除感光膜外亦可包含其他 、例如基板ρ可包含反射防止膜、亦可包含保護感光 膜之保護膜（頂塗層膜）。 〇 昭 照明系IL係對既定照明區域IR照射曝光用光el 、 區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光el可照射之位 201142522 置。照明系IL以均勻照度分布曝光用光El照明配置在照 明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系江射出之曝 光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線（g線、h線、{ 線）及KrF準为子雷射光（波長248nm)等遠紫外光（duv 光）' ArF準分子雷射光（波長193nm)及F2雷射光（波長 157nm)等真空紫外光（vuv光）等。本實施形態中曝光用 光EL係使用糸外光（真空紫外光）之準分子雷射光。 光罩載台I具有將光罩M保持成可釋放之光罩保持部 5光罩載D 1旎在保持光罩M之狀態下在包含照明區域 IR之基座構件9之導引面9G上移動。本實施形態中，導引 面9G與XY平面大致平行。驅動系統4包含用以在導引面 9〇上移動光罩載台1之平面馬達。平面馬達具有例如美國 專利第6452292號說明書所揭示之配置於光罩載台^之可 動子、與配置在基座構# 9之固定h本實施形態中，光 罩載台1可藉由驅動系統4之作動’在導引面9〇上移動於 X軸、Y軸、Z軸、0Χ、θΥ及方向之6個方向。 投影光學系PL係對既定投影區域pR EL。投影區域PR包含從投影光學系pL射出之曝光用光π 可照射之位置。本實施形態中’投影光學系pL之光軸與工 軸大致平心投影光學系、PL將光罩Μ圖案像以既定投影 倍率投影至配置在投影區域PR之基板ρ之至少一部分。本 實施形態之投影光學系PL係投影倍率為例如1/4、丨^5、 或1/"之縮小系。又，投影光學系扛可以是等倍系及 放大系之任一種。當然，投影光學系PL亦可以是不包含反 10 201142522 射光學元件之折射系、$包含折射光學元件之反射系、或 包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系之任― 種。此外’投影光學系PL可以形成倒立像與正立像之任一 種。 投影光學系PL具有朝向投影光學系pL之像面射出曝 光用光EL之射出面13。投影光學系pL之複數個光學元件 中’最接近投影光學系' PL像面之終端光學丨彳12具有射 出面13。本實施形態中，射出面13朝向—z方向（下方）、 與X Y平面平行。又，έθ 7 + , 朝向一Ζ方向之射出面13可以是凸 面、亦可以是凹面。 接著說明基板載台2及測量載台3。冑2係從上方觀 察基板載台2及測量載台3之俯視圖。 如圖1及圖2所示，基板載台2具有以可釋放之方保 持基板Ρ之基板保持部i 6、與配置在基板保持部工6周圍之 上面Π。本實施形態巾，基板載台2具有美國專利申請公 ，第細/〇177125號說明書等所揭示之配置在基板保持 部16周圍至少-部分、具有以可釋放之方式保持板片構件 τ下面之板片構件保持部18。板片構件保持部18將基板保 持部16至少部分的加以圍繞。本實施形態中，基板載台2 ，上面η包含板片構件τ之上面。本實施形態中，上面17 =平坦的。此外’板片構件τ亦可不能釋放。此場合，可 省略板片構件保持部1 8。 16係將基板P保持成基板 本實施形態中，基板載台 本實施形態中’基板保持部 P表面與XY平面大致平行。又 11 201142522 ::上面17與XY平面大致平行。又，本實施形態中被 保持於基板保持部16之基板Ρ表面與基板載台2之上面Π 係配置在同-平面内（同面高）。當然，被保持於基板保持部 之基板Ρ表面與上自17可以不是配置在同一平面内。此 二’被保持於基板保持部16之基板ρ表面及上面η之至 少一方可以不是相對χγ平面為平行。 測量載台3具有以可釋放之方保持罩構件3之保持部 :、，：配置在保持部19周圍之上面20。本實施形態中’測 量載〇 3之上面2〇幫包令測吾槐从η 絮c 3劂置構件c之上面。本實施形態 中’上面20是平坦的。 本實知t 中’保持部丨9將罩構件％保持成罩構件 3曰〇恭之二上面31與XY平面大致平行。又，本實施形態中，測 =3之上面2〇與灯平面大致平行。此外，本實施形 =中’被保持於保持部19之罩構件％之上面η與測量載 :3之上面20係配置在同一平面内(同面高)。當然，被保 ㈣保持冑！9之罩構件3G之上面31與上面Μ亦可以不 疋配置在同一平面内…被保持於保持部Η之罩構件％ 之上面3!及上面20之至少一方可以不是相對χ”面為平 行。 基板載台2可在保持有基板ρ之狀態下，在包含投影 區域PR之基座構件1〇之導引自_上移動。測量載台3 能在搭載有測量構件C(測量器)及罩構件3〇之狀態下，在 包含投影區域PR之基座構件1〇之導引面咖上移動。本 實施形態中，導引面1〇G與χγ平面大致平行。 12 201142522 用以移動基板載台2之驅動系統5，包含用以在導引面 0G上移動基板載台2之平面馬達。平面馬達具有例如美國 專利第6452292號說明書所揭示之配置在基板載台2之可 動子與配置在基座構件1〇之固定子。同樣的用以移動 測里載σ 3之驅動系、統6包含平面馬彡，具有配置在測量 載u 3之可動子、與配置在基座構件ι〇之固定子。 本實施形態中’光罩載台1、基板載台2及測量載台3 之位置係以包含雷射干涉儀單元11Α、11Β之干涉儀系統 11加以測量1射干涉儀單元心可使用配置在光罩載台 1之測$鏡1R測量光罩載台t之位置。雷射干涉儀單元ΗΒ 可使用配置在基板載台2之測量鏡2R及配置在測量載台3 之測置鏡3R，測量基板載台2及測量載台3各個之位置。 ^仃基板P之曝光處理時、或執行既定測量處理時，控制 凌置8根據干涉儀系統11之測量結果使驅動系統4、5 ' 6 作動，以實施光軍載台i(光罩M)、基板載 量载台3(測量構件）之位置控制。 ）及測 液浸構件7可形成曝光用光EL之光路之至少一部分被 第1液體LQ1充滿之液浸空間LS。液浸構件7配置在終端 =學疋件12之近旁。本實施形態中’液浸構件7係配置在 :射出面13射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部 :。液浸構件7將曝光用光EL之光路κ至少部分的加以圍 、。本實施形態中’液浸構# 7係環狀構件，配置在曝光 用光EL之光路κ周目。此外，本實施形態中，液浸構件7 之至少一部分係配置在終端光學元件12之周圍。 13 201142522 液’又構件7可形成從射出面〗3射出之曝光用光el之 光路κ被帛1液體LQ1充滿之液浸空間Ls。本實施形態令， 液浸空間LS係形成為射出面13、與配置在與射出面Η對 向位置之物體之間之曝光用光孔之光路κ被第^液體lqi 充滿°本實施形態中，與射出面13對向之位置包含從射出 面13射出之曝光用光EL可照射之位置（投影區域pR)。本 實施形㉖中，可配置在與射出面13對向位置之物體，包含 可在投影光學系孔之像面側（終端光學元件12之射出面13 側）、包含與射出φ 13對向位置（投影區域pR)之導引面贈 内移動之物體。本實施形態中，該物體包含基板載台2、被 保持於基板載台2之基板P、測量載台3、被搭載於測量載 台3之測量構件c及被保持於測量載台3之罩構件3 少一者。 本實施形態中’液浸構件7具有配置在與射出面。對 向位置（投影區域PR)之物體之上面（表面）可對向之下面 …下面Μ配置在從射出面13射出之曝光用光虹 κ周圍至少一部分。下面14將曝光用光el之光路κ至,|、 部分的加以圍繞。本實施形態中，下面14係配 ： 之周圍。又’亦可將下面14配置在光路〖周圍之八 液浸構件7可在與配置在射出面13對向位置之物體^租 持第1液體LQ1。又’配置在與射出面13對向位置之物體 能與下面14之至少一部分對向。藉由在一側之射出面 及下面14與另—側之物體上面之間保持第ι液體 13 成將終端光學元件12與物體之間之曝光用光’形

<光路K 14 201142522 以第1液體LQ1加以充滿之液浸空間LS。本實施形態中， 下面14雖大致平坦，但在下面14之一部分可具有段差、 傾斜面、曲面之至少一者。當然，下面14亦可不是與 平面平行、而是傾斜。 於基板Ρ之曝光中，基板Ρ之表面與液浸構件7之下 面14對向。於基板Ρ之曝光中，液浸構件7可在下面14 之至少一部分與基板Ρ之間保持第1液體LQ1。本實施形 態中’在曝光用光EL照射於基板p時，形成包含投影區域 PR之基板P表面之部分區域被第i液體LQ1覆蓋之液浸空 間LS。第1液體冲之界面(彎液面、邊緣凡⑴之至少— 部^系形成在液浸構件7之下面14與基板p之表面之^ 本實施形態之曝光裝置EX採用局部液浸方式。 基板載台2及測量載台3分別能在包含與射出面l3及 下面14對向位置之導引面1〇〇内移動。基板載台& 17=射出面13及下面14對向。上面17能在與射 U及下面U之間保持第i液體π。測量載台 面13及下面14對向。上面2。能在與•二 及下面14之間保持第1液體LQ1。 罩構件30之上面31能與射出面13及下面 =:二能移動至與射出面13及下面M對向之位置：罩 與射出：==::量載台3之保持 及下…間保持第/:體二。上…^ 圖 係顯示本實施形態之液浸構件7 之—例的侧視剖 15 201142522 面圖。又，在使用圖3之 ^ 投影區域PR(與終端光學’雖=以基板P配置在與 之情形為例進行説明， ，液浸構件7對向之位置） 載台3之至少一方。’、°以是配置基板載台2及測量 如圖3所示，液浸構 有開口 7K，射出面13 曝出面13對向之位置具

照射於基板P。下面光用光EL可通過開口 7K 配置在開口 7K周圍。 又：液浸構件7具備可供應第丨 口 2卜與可回收第…體 ^第U、應 板p之曝光回收σ22。至少在基 π w 應21係供應第1液體LQ1 '第1 回收口 22則回收第i液體冲之至少_部分。 +第、:供應口 21將第1液體LQ1供應至從射出面13射 之曝光用光EL之光路K。第丨供應口 21係在曝光用光 EL之光路Κ近旁、配置成面對該光路κ。 、第1供應口 21經由流路23與液體供應裝置24連接。 液體供應裝置24具有用以除去所供應之第i液體[a中之 異物（雜質）之過遽單元及可調整所供應之第丨液體lqi之 温度之温度調整裝置，能送出潔淨且經温度調整之帛i液 體LQ1。流路23 ’包含形成在液浸構件7内部之供應流路 及將該供應流路與液體供應裝置24加以連接之供應管所具 有之流路。從液體供應裝置24送出之第1液體LQ1經由流 路23被供應至第1供應口 21。 第1回收口 22能回收與液浸構件7之下面14對向之 基板P(物體）上之第1液體LQ1之至少—部分。第丨回收口 16 201142522 22可回收下面14與基板P(物體）之間之第i液體之至 少一部分。第1回收口 22係配置在與物體表面對向之液浸 構件7之既定位置。第1回收口 22配置在下面14之至少 一部分。第1回收口 22係配置在曝光用光EL通過之開口 7K之周園至少-部分。第1回收口 22將開口 7K至少部分 的加以圍繞。帛1回收口 22在相對光路κ之放射方向配置 在第1供應口 21之外側。本實施形態中，第工回收口 22 T在開口 7K周圍連續配置。當然，第i回收口 22亦可以 是在開口 7K周圍斷續配置。 於第1回收口 22配置有包含複數個孔（〇penings或 P res)之板片狀多孔構件25。又，倚可於第丄回收口 Μ配 置形成有多數小孔成網眼狀之多孔構件的網眼過濾器。當 ^ ’亦可不在第1回收口 22配置多孔構件25。 本實施形態中，下面丨4包含配置在第1回收口 22之 夕孔構件25表面（下面）。本實施形態中，下面14包含配置 ^ 7K周圍之平坦面14丁、與配置在該平坦面周圍 至/部分之多孔構件25之表面。多孔構件25將平坦面 1 4Τ至少部分的加以圍繞。 第1回收口 22經由流路26與第1液體回收裝置27連 妾第1液體回收裝置27可將第i回收口 22連接於真空 t統，經由第1回收口 22吸引第1液體LQ1。流路26,包 <成在液/又構件7内部之回收流路及將該回收流路與第1 :體回收裝置27加以連接之回收管所具有之流路。從第1 °收口 22回收之第1液體LQ1經由流路26被回收至第1 17 201142522 液體回收裝置27。 至少於基板P之曝光中，從第1供應口 21供應第j 體LQ1，與該第1供應 行，執行從第1回收口 制裝置8，藉由與從第 動作並行，執行從第1 口 21之第1液體LQ1之供應動作並 22之第1液體LQ1之回收動作。控 1供應口 21之第1液體LQ1之供應 回收口 22之第1液體LQ1之回收動 作，即能在一側之終端光學元件丨2及液浸構件7、與另一 側之物體之間以第1液體Lq丨形成液浸空間ls。 又，本實施形態中，液體供應裝置24可送出第2液體 LQ2。配置在液浸構件7之第i供應口 21可供應第2液體 LQ2。第2液體LQ2係用以清潔曝光裝置Εχ内之既定構件 之清潔用液體。本實施形態中，第2液體LQ2與第丄液體 LQ1不同。本實施形態中，第2液體LQ2包含驗性洗淨液。 本實施形態中’第2液體LQ2係使㈣性水溶^本實施 形I中、第2液體LQ2包含氫氧化四曱銨（TMAH : tetramethyl ammoniumhydr〇xide)水溶液。 又第2液體LQ2亦可以是酒精。例如，第2液體lq2 可以是乙醇、異丙醇（IPA)及戊醇之至少一種。 又本實施形態中，設有能回收第i液體丨之第2 2回收口 28在相對光路κ之放射方向配置在

回收口 28。第2回收口 第1回收c 回收構件29具有能與配置在 表面對向之下面4〇。第2回， 一部分。下面40配置在下面 18 201142522 字下面1 4至少部分的加以圍繞。本實施形態中，回收構 :29為環狀構件’下面4〇配置在下面μ周圍。本實施形 態中，第2回收口 28為環狀，配置在第i回收口 22周圍。 又，第2回收口 28亦可圍繞第t回收口 22以既定間隔配 發複數個。又，下面4G亦可配置在下面㈣圍之一部分。 至夕於基板P之曝光中’基板p之表面係與配置在下面⑽ 之第2回收口 28對向。 於基板P之曝光中，第2回收口 28可回收第i液體 LQ1。於基板P之曝光中’液浸空間Ls之第！液體⑼之 界面㈤係配置在液浸構件7之下面14與基板p之表面之 間。在界面LG1配置在液浸構件7之下面14與基板p表面 之間之通常狀態下，液浸空間LS之第i液體_不會流入 回收構件29之下面4〇與基板？表面之間之空間，第2回 收口 28不回收第丄液體LQ1。然而，例如由於基板？之移 動條件（移動速度、加速度及移動距離等）及基板？之表面狀 態等’液浸空間LS之第1液體LQ丨有可能從液浸構件7 之下面14與基板p表面之間之空間流出。第2回收口 u 可回收從液浸構件7之下面14與基板p表面之間之空間流 出、而流入回收構件29之下面4〇與基板p表面之間之空 間之第i液體LQ1。此外，第2回收口 28亦能回收第^ 收口 22無法完全回收而殘留在基板p上之第i液體^卜 由於設有第2回收口 28,因此可抑制第1液體吻之漏出、 或殘留在基板P上等之情形。 第2回收口 28經由流路41與第2液體回收裝置42連 19 201142522 接。第2液體回 系統，而經由第28連接於真空 包含形成在回收構件28吸引第1液體LQ卜流路41， 第2液體回收裝置42 9内部之回收流路及將該回收流路與 裝置42加以連接之回收管 第2回收口 28回收之笛,有之机路。從 之第1液體LQ1，經由流路41念 至第2液體回收裴置42。 田-硌“被回收 口、43又門本貫施形態中，設有可供應氣體之開口 (供氣 );广43係於相對光路κ之放射方向配置在第二 收口 28之外側。開口 罝隹第2回 具有能與配置在投与區/既定構件44°既定構件44 面45。開口 43配置Υ下域PR之基板Ρ(物體）表面對向之下 在下面45之至少一部分。下面 在下面Μ及下面4〇 田D配置 α圍至夕一部分。下面45將下面ι4 及下面40至少部公沾^ ^ 163 14 的加以圍繞。本實施形態中 44為環狀構件，下面 龙疋構件 配置在下面14及下面40之周圍。 本實施形態中，開口 43主## ^ ® 為衣狀、配置在第2回收口 28之 周圍。又，開口 43亦 〈 I堯第收口28以既定間隔配 置複數個。此外，下而4 __ 面45亦可配置在下面14及下面4〇 周圍一部分。至少於其此^ 夕於基板Ρ之曝光中，基板ρ之表面係與 配置在下面45之開口 43對向。 、 於基板Ρ之曝光中’開口 43係供應氣體。從開口 43 供應之氣體之至少一部分 刀流過下面45與基板Ρ之表面之 間被供應至液浸空間LS之第1液體LQ1之界面LG卜界面 UH配置在液浸構件7之下面14與基板p表面之間。來自 開口 43之孔體之至少一部分，從液浸空間u之外側流向 20 201142522 界面LG 1。藉由該氣體之流動，抑制第1液體Lq !從下面 14與基板P表面之間之空間漏出。亦即，藉由從開口 43供 應之氣體之至少一部分，形成抑制液浸空間L S之第1液體 LQ1漏出之氣封（gas seal)。 開口 43經由流路46與氣體供應裝置47連接。氣體供 應裝置47可送出潔淨且經温度調整之氣體。流路46，包含 既定構件44之内部流路及將該内部流路與氣體供應裝置47 加以連接之管所具有之流路。從氣體供應裝置们送出之氣 體經由流路46供應至開口 43。 八 〆+、Λ ^、、’工叫"丨L吩 之至少- 部分連接於吸引裝置47Ρ。吸引裝置47ρ包含真空系統」 經由開口 43吸引該開口 43周 態中，開…有供氣二：亦即’本實心 ^ 礼之功能與吸引口 (吸氣口)之功能 既疋構件4 4以可釋访♦ 士 α ,,ώ 釋放之方式保持罩構件30而成上3 ”下面14對向。在既定構件44之下面45與罩構件3 之上面31至少一部分接觸 之吸引動作，據以將罩構件W 執行以開口 43料 ^ 罩構件30吸附保持於既定構件44之 下面45。藉由解除稱件44之 即從既定構件44釋放。 仃之吸引動作’罩構件 構件7之下面14周圍至少此二實施形態中，配置在液浸 及配置在該下面45之門之既定構件44之下面45 方式保持罩構件3〇而：上口:及引口 )43,即發揮以可釋放之 功能。以下之説明中，1與下面14對向之保持部之 成上面3 1與下面丨4 °釋放之方式保持罩構件30而 向之既定構件44(下面45)，適當的 21 201142522 :::面I;；"在以保持部5°保持罩構件3。時，下 氣。與吸氣了不接觸。例如’可於既定構件44設置供 軋口與及氣口之雙方，在下面45與上 又置仏 以保持部50保持罩構件3〇匕1不接觸之狀態 槿杜m 亦可以保持部50與罩 構件30之下面32(及/或側面）接觸 興罩 保持(支承)罩構件。 )妾觸之方式’以保持部5。 接者’參照圖4之流程圖，說明具有 裝置EX之一動作例。 傅珉之曝先 理不態中’實施第1處理(步驟sa)與和第1處 H之第2處理（步驟降第1處理包含基板 )丨'先用先EL之測置處理（步驟SA2)及基 板P之曝光處理（步，驟从4)。第2處理包含清潔（步驟叫。 以下之説明中，將帛！處理適當的稱為曝光程序、將第2 處理適當的稱為維修程序。 控制裝置8為了將曝光前之基板p搬入（裝載）基板載台 2’而將基板載台2移動至基板更換位置cp。基板更換位置 CP係與射出面n及下面14對向之位置不同之位置。基板 更換位置CP係與液浸構件7(投影區域PR)分離之位置可 執行基板P之更換處理之位置。I板p之更換處理包含使 用基板搬送裝置（未圖示）將基板載台2所保持之曝光後之 基板p從基板載台2搬出（卸載）之處理、以及將曝光前之基 板P搬入（裝載於）基板載台2之處理之至少一方。控制裝置 8將基板載台2移動至基板更換位置cp後，執行基板p之 更換處理（步驟SA1)。 22 201142522 基板載台2移動至基板更換位晋Γρ ，目丨县被A 7 u 等’控制裝置8將 測量載台3之上面20及保持部19所保持 工” * E , 〈罩構件30之上 面31之至 >、一方配置在與射出面13 卜面14對向之位 置，在射出面13及下面14與上面2〇及卜= 上面31之至少一 方之間保持第1液體LQ1，以形成液浸空間 又，在基板載台2離開液浸構件7之# 沏間之至少一部 分，視需要實施使用測量載台3之測量處理(步驟sa2)。實 施使用測量載台3之測量處理時，控㈣置8使射出面u 及下面14與上面20對向，以形成將終端光學元件a盥則 量構件。之間之光路K以第i液體LQ1加以充滿之液浸空 間LS。控制裝置8透過投影光學系pL及第1液體[Μ對 測量載台3所保持之測量構件c(測量器）照射曝光用光 EL，以實施曝光用光EL之測量處理》該測量處理之結果將 反映至之後實施之基板P之曝光處理。 在曝光前之基板P被裝載至基板載台2、使用測量載台 3之測量處理結束後，控制裝置8即將基板載台2移動至投 影區域PR，將上面17配置在與射出面13及下面14對向之 位置’以在射出面13及下面14與上面17(基板P表面）之 間保持第1液體LQ1 ’形成液浸空間ls。 本實施形態’如美國專利申請公開第2006/ 0023 186 號說明書、美國專利申請公開第2007/ 0127006號說明書 等所揭示’控制裝置8為了於第1處理中、在射出面13及 下面14、與上面17及上面20之至少一方之間持續形成可 保持第1液體LQ 1之空間，係在使上面！ 7之邊緣與上面 23 201142522 2〇之,邊緣接近或接觸之狀態下，一邊使上面η及上面20 一方與射出面13及下面14對向 '一邊相對射出面 ^及下面14使基板載台2與測量載台3同步移動於χ 向（步驟SA3)。 元件：此，如圖5所示’控制裝置8即能在可於終端光學 =2及液_”與基板裁台2之間形成液浸空間LS 之狀態、及可在終端光學元件12及液浸構件7與測量載台 之間形成液浸空間LS之狀態之間，從—方變 一 =亦即，控制裝置8能在抑制第1液體冲漏出之同時、 吏基板载台2及測量載台3相對終端光學元件u 件7移動，以使形成在液浸構件7之 /又 =在基板載台2之上面17上與測量載台3之上之 m。/即，在維持投影光學系叫終端光學元件⑺之 == 路被第1液體冲充滿之狀態之同時，在終 學::2及液浸構件7與基板载台… =8之及在終端光學元件12及液浸構件7 !;。之間形成液浸空間Ls之狀態之間，從-方變化至另 :下之説明中’將在基板載台2之上面17與測量載台 之上面2 〇接近或接觸$ &能 射出而” 相對終端光學元件12之 台3同/液浸構件7之下面14,使基板载台2與測量載 移動。移動於XY方向之動作，適當的稱為並排（s⑽m) 執行並排移動使射出面13及下面Μ與基板p表面對 24 201142522 向，並在射出面13盥 路K充滿第1液體二 之間之曝光用光EL之光 一部分與某拓p Q以在射出面13及下面14之至少 間LS後，：制裝間保持第1液體_而形成液浸空 控制裝置⑼來自= 基：!T光處理(步驟— 光EL透過投影光 、照明過光罩Μ之曝光用 照射於基板心：系PL及液浸空間LS之第1液體冲 匕，即以經由射出面1 3與美 第1液體LQ1而來自射 與土板P之間之 光，將光星 ’出Φ 3之曝光用光EL使基板p曝 先將先罩Μ之圖案像投影至基板ρ。 本實施形態之曝光裝置Εχ係一邊使 於既定掃描方向同击銘叙 A Q /、基板Ρ 基板ρ之掃描型曝光光罩Μ圖案像投影至 係設基板Ρ之掃=二(:_描步進機)。本實施形態， 向(同步移動方向)亦設…方向。控制= :基板"目對投影光學系PL之投影區域pR移動於γ轴方 向’並與該基板ρ往 ,ττ 彺γ軸方向之移動同步邊相對照明 系IL之照明區域IR使光罩Μ移動於γ軸方向、—邊透尚

投影光學系PL與基板Ρ上之液浸空間以之第丨液1 將曝光用光EL·照射於基板Q 基板Ρ之曝光處理結束後，控制裝置8實施並排移動 並將基板載台2移動至基板更換位置cp。測量載台’ 如被配置在投影區域PR，在射出面13與測量載台3之間/ 持第1液體LQ1。控制裝置8從移動至基板更換位置。保 基板載台2搬出曝光後之基& ρ，再將曝光前之基板p搬2 25 201142522 基板載台2。 以下’控制裝置8重複進行上述處理，使複數個基板ρ 依序曝光。 又，本實施形態，在包含基板Ρ之更換處理、使用測 置載台3之測量處理及基板ρ之曝光處理的曝光程序（步驟 SA)之至少一部分期間，從第1供應口 21將第1液體lq i 供應至曝光用光EL之光路κ及基板ρ上，並從第丨回收口 22回收基板ρ上之第i液體LQ1之至少一部分。又，於曝 光程序之至少-部分期間中，實施從第2回收口 28之回收 動作。此外，⑤曝光程序之至少一部分期間中，實施從開 口 43之供氣動作。本實施形態，在實施第1回收口 22之 液體回收動作(吸引動作)之期間，帛2回收口 28之液體回 動作（吸引動作）亦持續。與第2回收口 28對向之基板ρ ^不存在第！液體LQ1之情形時，第2回收口28則吸引周 :氣體。另_方面’與第2回收口 Μ對向之基板ρ上存 ^液體LQ1之情形時’第2回收口 28則回收該基板ρ 1液體LQ1。又’於曝光程序之至少一部分期間， 4體供應裝置24供應第2液體LQ2。 之下2 :圖3中’雖然液浸構件7之下面14與回收構件29 内Γ下面！既定構件44之下面45係配置在大致同-面 同。例士 4與下面40與下面45之ζ軸方向位置可以不 又，於基ΓΓ面（14、40、45)中之一個與另二個不同。 、板卩之曝光中，從基板Ρ產生（釋出）之物質（例 26 201142522 如感光材等之有機物 人液浸空間LS之第二二成為異物(污染物、微粒)而混 產生之物質，例如空上此外’不僅是從基板？

} ^ 中/子游之異物亦可能混入液浸空間LS

之第1液體LQ1。如上所^ α工間LS 使用測量載台3之含基板ρ之更換處理、 序之至小邱、測"處理及基板ρ之曝光處理的曝光程 斤〈至ν —部分期間，液芦办μ τ 0 浸構件7夕5 I 又二日1 LS之第1液體LQ1會與液 又構件7之至少-部分接觸。 異物：Γ當液浸空間LS之第1液體lqi中混入異物時， 2物即有可能附著在液浸構件7之下面14之至少一部：。 右放任該等異物附著在與第 之下…狀態不予理會的話體 =二之液浸構件7 中附著於基板p、或污毕從第異：即有可能在曝光 L01。“… 供應口 21供應之第1液體 2此外’當液浸構件7之下面14受到污染時，亦有可 此列如無法良好的形成液浸空間ls。其結果，即有丨丨可發 生曝光不良之情形。 因此’本實施形態，係以既定時序實施包含清潔與液 HS之第！液體LQ1接觸之液浸構件了之下 維修程序。 以下，說明本實施形態之維修程序之一例。6及圖7 係顯示在本實施形態之維修程序中之曝光裝置Εχ之—動 作例的圖。本實施形態中，維修程序㈣SB)係在不執行 曝光程序（步驟SA)之期間實施。本實施形態，係在罩構件 3〇之上面31與下面14對向之狀態下實施清潔。又，維修 程序中，係在射出面1 3及下面丨4、與被保持部1 9釋放之 27 201142522 罩構件30之上面31之間保持第2液體LQ2。 〜在實施下面14之清潔時’如圖6所示，控制褒置8執 灯從保持部19釋放罩構件3〇，並將該釋放之罩構件搬 ^至保持部50之處理(步驟SB1)。控制裝置"冬罩構件％ =保：郤19釋放、並將該釋放之罩構件％保持於保持部 果=施形態中’測量載台3具有可使被保持部Η釋放 =構件30移動於Z軸方向（上下方向）之昇降機構48。昇 降機構48包含可支承罩構件3〇之下面32移動 之複數個銷構件48P、以及移動該銷料卿之致動= 48D。控制裝置8控制以保持部19保持了罩構件 =3之位置，在使罩構件3〇之上面31與…對向： 狀心下，將從保持部19釋 … 其上昇。如此，罩構件30之上面^0；；I構48使 定構件44之下面45 乂―。卩分即與既 45接觸。控制裝置8在下面45與 之至少一部分接觸之狀態下，實施使用開口 43之=1 作。如此，板片構件30被保持部5〇保持成射出面^動 面14與上面31對向。於維修程序巾， 及下 裁A 3夕5 W、 土板載σ 2及測晉 載°3…一方移動至和與射出面13及下面u 置之不同位置（退避）。 面14對向位 圖7顯示了保持部50保持有罩構件 能 =中，既定構件44可藉由驅動機構”之本實 於z軸方向。如圖3 _ 乍動’移動 44之位置使既定構件4:之於曝光程序中’調整既定構件 與液浸構件7之下面l4 g下面45與回收構件Μ之下面 己置在大致同一平面内。維修程 28 序中，如圖7 _ 構件44 t j ~控制裝置8控制驅動嫩拔c , = 置，以將既定構件44之：調整既定 構件29之下面4〇 之下面45配置在較回收 持之罩構件3 。如此’以保持部5G(T面45)保 既定間隙姆向。維㈣3」與液浸構件7之下面14,即隔著 成射出面丨3 >呈中，保持部50將罩構件30保持

Mi杜 4與上面31對向。 工、置8開始下面14之、青、絮f + _ 態中，在上面31 ώ ，月潔（步驟SB2)。本實施形 潔。 、下面14之間保持第2液體LQ2進行清 圖7所示，本實施形•離中 與從保持部19釋# 乂〜’'在射出面13及下面14 叫，保持由第::部^ …清潔中广第2 /χ ^ 、第供應口 21供應第2液體LQ2、 =1供應口 21之第2液體LQ2之供應動作並行，實施從 第1回收口 22及第2回收口 28之第2液體呢之回收動 作。從第1供應口 21供應之第2液體LQ2之至少一部分經 由開口 7K供應至上面3 i與下面"之間。帛^回收口 η 及第2回收口 28之至少—方回收上面31與下面14之間之 第2液體LQ2之至少一部分。 於包含清潔之維修程序中，在上面3丨與下面丨4之間 以第2液體LQ2形成之液浸空間LC，大於在包含基板p之 曝光之曝光程序中在基板P表面與下面14之間以第1液體 L Q1形成之液&空間L S。液浸空間l S之大小係在與下面 14大致平行之XY平面内之大小。本實施形態中，以第2 29 201142522 液體LQ2形成之液浸空間LC之界面LG2，係形成在回收 構件29之下面40與板片構件3〇之上面31之間 J 本實施 形態中’下面14之大致全區域與從第1供應口 21供應之 第2液體LQ2接觸》 、 由於液浸空間LC之第2液體LQ2接觸液浸構件7之 下面14，該下面14即被第2液體LQ2加以清潔。本實施 形態中，下面14包含多孔構件25之下面，該多孔構件Μ 之下面亦被清潔。 尽貫狍形態中 ，，一。I攸罘 i 供應口 21供應之每單位時間之第2液體LQ2之供應量，多 於曝光程序中從第1供應口 21供應之每單位時間之第1 = 體LQ1之供應量。如此，在液浸構件7及回收構件μ與罩 構件30之間，以㈣i供應口 21供應之第2液體LQ2來 成一下面14之全區域與第2液體吻接觸之液浸空間仏 本實施形態中，由於從第1供應口 供應第2液體 LQ2、從第i回收口 22回收第2液體_之至少—部八， 從在相對光路K之放射方向配置在下面"外側之第2:收 口 28回收第2液體LQ2之至少-部分，因此液浸構件7之 :二4之大致全區域能與液浸空間lc之第2液體吻接 ::因此’能良好的清潔液浸構件7之下面14之大致全區 此外，如圖8 供應口 21供應第 液體LQ2，從第2 所示，亦可於下面14之清潔中，從第i 2液體LQ2、從第1回收口 22供應第2 回收口 28回收第2液體LQ2。如此，亦 30 201142522 能使液浸構件7之下面1 4之大致全區域與第2液體LQ2接 觸。例如’可藉由在流路26連接可供應第2液體LQ2之液 體供應裝置240，從該液體供應裝置240送出第2液體Lq2 據以從第1回收口 22供應第2液體LQ2。如此，與該第2 液體LQ2接觸之流路26(回收管之内面、形成在液浸構件7 内部之回收流路之内面）、多孔構件25之上面及多孔構件 25之孔内面等即被清潔。 又亦可不實施從第1回收口 22之第2液體LQ2之供 應及回收’而從第1供應口 21供應第2液體LQ2，並從第 2回收口 28回收下面14與上面31之間之第2液體LQ2之 至少一部分。 $心’雖係將第2回收口 28配置在與液浸 構件7不同之回你姐/iL 、 _ 疋構件29，但亦可配置在液浸構件7。換 5之，可將液浸構侔7 ^ ^ ^ 再件7與回收構件29設為一體，而在該成 一體之構件設置筮 1回收口與第2回收口。 液浸構件7之 杜7 + n 下面Μ之清潔結束後，即實施從液浸構 件7之下面14除 控制裝置8為卜液體叩之處理（步驟SB3)。 之供應後，從第！二去第2液體LQ2’在停止第2液體⑽ 體LQ1，從第2回'、應口 21及第1回收口 22供應第1液 [02之泛小一士 收口 28回收第1液體LQ1及第2液體 Y ^ ^ 万0例士 LQ1之液體供應发可於流路26連接可供應第1液體 體LQ1，據以從第，藉由從該液體供應裝置送出第1液 藉由從第1供應回收口 22供應第1液體LQ1。 、〜口 供應第1液體LQ1、從第1回收 31 201142522 ===1液體LQ1、並從第2回收口 28回收第1液 =及第2液體LQ2之至少一方，據以除去殘留在液浸 構件7之下面14之第2液體LQ2。 此外’使第1液體LQ1流於流路26 ’可 =流路26(回收管内面、形成在液浸構件7内部= =二、多孔構件25之上面及多孔構件25之孔之内面 寻之第2液體LQ2。 維修程序結束後，控制裝置8可開始（再開）曝光程序。 如以上之説明，根據本實施形態，可良好的清潔液浸 7之下面14。因此，能抑制曝光不良之發生。又，可 ;液/又構件7之清潔巾’將基板載台2及測量載台3之至 ^方移至任意位置。因此，亦可與上述液浸構件7之維 修程序(清潔處理)之至少一部分並行’實施基板載台2及測 量載^ 3之至少一方之維修（清潔處理）。此夕卜基板載台2 ，測量載纟3之至少一方之維修不限於清潔處理，亦可以 尺調整及/或零件（comp〇nent)之更換。又，與液浸構件7 之維修程序（清潔處理）之至少一部分平行實施之維修處 理，不限於基板載台2及測量載台3之至少一方之維修。处 又，本實施形態可於曝光程序及維修程序中，使下面 ^與液體（第i液體LQ1及第2液體LQ2之至少—方）持續 供觸。如此，能抑制下面14收到污染。 <第2實施形態> 接著，說明第2實施形態。以下之説明中，針對與上 述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡 32 201142522 化或省略其說明β 圖9係顯示第2實施形態之罩構件3〇Β之一例的圖。 如圖9所示，罩構件3〇β之上面318可包含第1部分3ι1Β、 與較s玄第1部分311Β突出之第2部分312Β。圖9中，下 面328是平坦的。上面31Β之第2部分312Β與下面3 2Β 間之距離W2，較上面31Β之第1部分3UB與下面32Β間 之距離W1大。本實施形態中，第2部分3 12Β包含往離開 下面32Β之方向突出之凸面。凸面為曲面狀。本實施形態 中在罩構件3 0 Β被保持於保持部5 〇之狀態下，第2部分 3 1 2Β與多孔構件25之下面對向。從第}供應口 2丨供應之 第2液體LQ2之至少一部分，在下面14與上面之間， 於相對光路K之放射方向往外側流動，被第2回收口 28回 收。下面14(多孔構件25❼下面）與上面3ib之第2部分 312B之間隙，較下面14與上面31B之第i部分311B之間 隙i目此’從第1供應口 2(供應、流向第2回收口 28 之第2液體LQ2之流速，在下面i4與上面3 t β之第2部分 ⑽之間變得較高。換言之’與多孔構件25下面接觸而流 動之第2液體LQ2之流速在局部位置變高。據此，可獲得 高的清潔效果。 八，7J、 u〜從耵万向，複數配置第i 分及第2部分之至少—方。你 例如，可如圖10所示之罩構 3〇C，於相對光路κ之放射古a 攸 风射方向，將上面31C之第1部 311C與第2部分312C交互@ X反的配置複數個。 <第3實施形態> 33 201142522 接著，說明第3實施形態。以下之説明中，針對與上 述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡 化或省略其説明。 圖11係顯示第3實施形態之罩構件30D之一例的圖。 圖11中，罩構件30D具備可供應第2液體LQ2之供應口 60。供應口 60係配置在能與下面14對向之罩構件之 上面3 1 〇之至少一部分。供應口 60可將第2液體LQ2供應 至下面14與上面31D之間。本實施形態中，在罩構件3〇= 被保持於保持部50之狀態下，供應口 6〇與多孔構件乃之 下面對向。供應口 6〇朝向下面14喷射第2液體lq2。 於下面14之清潔（步驟SB2)中，從配置在罩構件3〇d 之供應口 60供應第2液體LQh在罩構件3〇D被保持於保 持部50之狀態下，從配置在該罩構件3〇D之供應口 6〇供 應第2液體LQ2。供應口 6G朝向多孔構件25之下面喷射 第2液體LQ2。如此，即能以第2液體LQ2良好的清潔下 面14(多孔構件25之下面）。 又，於清潔中，可與從配置於液浸構件7之第1供應 口 21之第2液體LQ2之供應動作並行，實施從配置於罩構 件30D之供應口 60之第2液體LQ2之供應動作，亦可停止 從第1供應口 21之第2液體LQ2之供應動作，而實施從供 應口 60之第2液體LQ2之供應動作。 又，亦可如圖12所示，於罩構件3〇E設置可回收第2 液體LQ2之回收口 6卜回收口 61係配置在能與下面μ對 向之罩構件30E之上面31£之至少—部分。例如可於清潔 34 201142522 (步驟SB2)中，將供應至下面14與上面31E之間之第2液 體LQ2之至少一部分’從回收口 61加以回收。此外，亦可 於除去第2液體LQ2之處理（步驟SB3)中，將供應至下面 14與上面31E之間之第1液體LQi及第2液體Lq2之至少 邛分，從回收口 61加以回收。當然，亦可於罩構件3 設置回收口 6 1與供應口 60之雙方。 <第4實施形態> 接著，說明第4實施形態。以下之説明中針對與上 述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡 化或省略其説明。 圖13係顯示第4實施形態之罩構件3〇F之一例的圖。 圖13中，罩構件30F具有可擦洗下面14之至 乂 。卜分之 刷構件62。刷構件62係配置在能與下面14對向之罩才 3〇F之上面31F之至少-部分。在罩構#肅被保持於2 部5〇之狀態下，刷構件62與下面14之至少—部分接觸 本實施形態中，刷構件62係配置成與多孔構件乃接。 藉由刷構件62擦洗下面14(多孔構件25)，即能清潔噹觸。 14(多孔構件25)。本實施形態中，係與 月’' 下面 第1回收口 22之至少一方對下面14與 及 ^ 、上面311?之間佴庙 第2液體LQ2之動作並行，一邊實施從第 心乐2回收口 28之笛 2液體LQ2之回收動作、一邊以刷構件 乐 h死下面14。士 貫施形態中’亦能在上面31F與下面1 本 4對向之狀態下，白 好的清潔下面1 4。 艮 如圖14所示 罩構件30G可具有能與下面14 接觸之 35 201142522 多孔構件63。多孔構件63例如包含海_。多孔構件〇可 保持第2液體LQ2e多孔構件63係配置在能與下面^對 向之罩構件30G之上面31G之至少一部分。在軍構件则 被保持於保持部50之狀態下，多孔構件〇與下面Μ之至 少一部分接觸。本實施形態中’設於單構件3〇G之多孔構 件63,係配置成與設在液浸構件7之多孔構件25接觸。藉 由多孔構件63與下面14之接觸，即能清潔該下面14β曰 <第5實施形態> 接著，說明帛5實施形態。以下之説明中，針對斑上 述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡 化或省略其説明。 圖15係顯示第5實施形態之罩構件遍之—例的圖。 圖15中’罩構件遍具有用以反射從射出面射出之曝 光用光EL之反射部65Re以反射部65r反射之曝光用光 EL之至少一部分照射於下面14。 本實施形態中’罩構件3GH保持光學元件Μ。光學元 2 65包含積鏡構件。光學元件65具有反射曝㈣光此之 反射部65R。反射部65R包含帛1反射面651 面⑽。第i反射面65111與第2弟反射 丹弟2反射面652R朝向不同方 …在罩構件30H被保持於保持部5()之狀態下，光學元件 :之至少-部分與射出面13對向。又，在罩構件通被保 持於保持部50之狀態下，光學元件65之至少—部分與下 二丨4對向。光學疋件65具有從射出面"射出之曝光用光 入射之人射部65A、以及射出曝光用《el之射出部 36 201142522 65B。從射出面13射出、射入光學元件65之入射部“A之 曝光用光EL之至少一部分，於光學元件65之第丨反射面 651R及第2反射面652R反射而從射出部65b射出。從射 出部65B射出之曝光用光el照射於下面14。如此，下面 14即藉由曝光用光EL之照射而被光洗淨。 本實施形態’係在下面14與第2液體LQ2接觸之狀態 下，對該下面14照射從射出部65B射出之曝光用光El。 又，本實施形態，係與對下面14與罩構件3〇H之上面3ih(包 含光學元件65之上面）之間之第2液體LQ2之供應動作並 行，一邊實施該第2液體LQ2之至少一部分之回收動作、 一邊對下面14照射曝光用光EL。本實施形態，亦能良好的 清潔下面14。 〈第6實施形態> 接著’說明第6實施形態。以下之説明中，針對與上 述貫施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡 化或省略其説明。 圖16係顯示第6實施形態之罩構件3〇J之一例的圖。 圖16中，罩構件3〇J具有超音波振動件66。超音波振動件 66例如包含壓電元件（piez〇元件）。超音波振動件66可對與 罩構件30J接觸之第2液體LQ2賦予超音波振動。本實施 形態中，係在下面丨4與罩構件30J之上面3 1J之間保持有 第2液體LQ2之狀態下，使超音波振動件66作動。藉由超 音波振動件66之作動，對被保持在下面14與上面3ij之 間、與下面14及上面31j接觸之第2液體LQ2賦予超音波 37 201142522 振動。據此’可提高下面14之清潔效果。 又’亦可於液浸構件7配置對與液浸構件7接觸之第之 液體LQ2賦予超音波振動之超音波振動件67。藉由在下面 Μ與上面3U之間保持有第2液體吻之狀態^使超音波 振動件67作動，亦能提高下面丨4之清潔效果。 又，上述第1〜第6實施形態中’基板載台2可具有將 罩構件（30等）以可釋放之方式加以保持之保持部。 此外，上述第卜第6實施形態中，亦可不從既定構件 44供應氣體。亦即，將既定構件44專用於罩構件㈠ 之保持。 ^ <第7實施形態> 接著，說明f 7實施形態。以下之説明中，針對與上 述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並 化或省略其説明。 s 圖17係顯示第7實施形態之曝光裝置ΕΧ2之一例的 圖’圖18則係包含基板載台2及測量載台3的俯視圖。本 實施形態中，曝光裝置EX2具備可移動至與射出面13及下 面14對向位置之覆蓋（cover)構件7〇。覆蓋構件7〇係具有 上面71及下面72之板片狀構件。覆蓋構件7〇能在射出面 13及下面14與上面17及上面2〇之至少一方之間移動於 與導引面i〇G(XY平面)大致平行之方向。又，覆蓋構件7〇 能移動至與射出面13及下面14對向之位置不同之位置。 本實施形態中’曝光裝置EX2具備驅動系統8〇,此驅動系 統80係使覆蓋構件7〇在射出面13及下面與上面I?及 38 201142522 上面20之至少一方之間’移動於與導引面ι〇〇大致平行之 方向。 覆蓋構件70之上面71，可在與射出面13及下面“之 間保持液體（第i液體LQ1及第2液體LQ2之至少—方）之 空間。覆蓋構件70能與射出面13及下面Μ對向。覆蓋構 件7〇能在與終端光學元件12及液浸構件7之間保持第！ 液體吻形成液浸^間LSe覆蓋構件7〇能在射出面^及 下面Μ與上® 17(基板P表面）及上面2()之至少—方之門 移動於χγ方向。覆蓋構件70之上面71能與射出面 :面14對向。覆蓋構件70之下面72能與上面17(基板p ^面）及上面2〇對向。上面71之周緣區域與下面72之周緣 =所形成之角度為銳角。換言之，覆蓋構件Μ邊緣為 兄。又，上© 71及下面72之各個對液體為撥液性。 驅動系統8〇將覆蓋構件支承為可移動於XY方向 如圖18所示，本實施形態中，驅動系統 構件70於ν 士 a I 3 W將覆盍 二件料Y軸方向以既定行程加以移動之第丨驅動裝置 以及能將覆盍構件70移動於χ軸、γ軸… ^驅動裝置82。第！驅動裝置81包含於γ轴方向長之導 、以及使支承覆蓋構件7〇之支承機構心導件 :於Υ轴方向之線性馬達85。線性馬達85,具有配 牛8 3例如包含線圈之固定子 ；導 如勺人^ 疋子以及配置於支承機構84例 ::含磁石之可動子。第2驅動裝置…含配置於支承^ 4之線性馬達或音圈馬達等，能使覆 乂

軸、Y軸及ΘΖ方向。 移動於X 39 201142522 驅動系統8G係與基板載台2及測量載台3分別設置。 又，驅動系統5、6與驅動系統8〇亦分別設置。控制裝置$ 可與驅動系統5、6分開獨立的控制驅動系統8〇。 本實施形態中，係於基板載台2及測量載台3配置在 不與射出® 13及下面14對向之位置時，將覆蓋構件川配 置在與射出面13及下面14對向之位置。例如，在基板載 台2移動至基板更換位置CP時，覆蓋構件7〇即被配置於 與射出面13及下面14對向之位置，而在與射出面13及下 面14之間保持第1液體Lq 1形成液浸空間ls。 又，在基板載纟2及測量載台3之至少一方配置在與 射出面13及下面14對向之位置時，覆蓋構件几能移動至 不與射出面13及下面14對向之位置。例如，在使保持於 基板載纟2之基板P曝光時，控制裝f 8即在將覆蓋構件 70配置在不與射出面13及下面14對向之位置之狀態下， 使保持於基板載台2之基板p曝光。 例如圖3所示，本實施形態中，基板載台2之上面丨八基 板P表面、測量載台3之上面2〇)能隔著第i間隙與下面Μ 對向，而在與下面14之間保持第！液體LQ1。在覆蓋構件 7〇與下面14之間保持第1液體LQ1時，覆蓋構件7〇之上 面7丨與下面14間之距離小於第1間隙。覆蓋構件7〇之上 面71旎在與射出面13及下面14之間形成保持第【液體[Μ 之空間’而能形成液浸空間LS ^本實施形態中，控制裝置 8將覆蓋構件70、基板載台2及測量載台3之至少—者配 置在與射出面13及下面14對向之位置，以在射出面^及 40 201142522 下面14與覆蓋構件7〇 '01 -S- ^ a 面7丨、基板載台2之上面丨7及 測量載台3之上面2〇 $小 l /及 r L〇1 , 卡主一一者之間，持續形成保持第丨液 體LQ1之空間。亦即， 控制裝置8可將覆蓋構件7〇、 載台2及測量載台3之 再仟基板 主夕—者配置在與射出面13$ 14對向之位置，以持蜻形+ + 囬U及下面 Λ诗續形成液浸空間LS。

又’控制裝置8可在涛+致/iL 在覆蓋構件70之上面71盥射屮而 1 3及下面14之間伴掊笛1/、射出面 保持第2液體LQ2’以形成液浸空間Lc。 控制裝置8可控制酿細么 役利駆動系統5及驅動系統8〇，藉由於 XY方向之覆蓋構件7()與基板載台2之相對移動，㈣在 終端光學元件12及液浸構件7之間之液體(第！液體LQ1 及第2液體LQ2之至少—太、仅杖 /Μ φ ^ ν 主夕方）保持，從覆蓋構件7〇及基板 載台^2之-方切換至另一方。同樣的，控制裝置8可控制 驅動系統6及驅動系統8Q，藉由於χγ方向之覆蓋構件川 與測量載台3之相對移動，而將在終端光學元件12及液浸 構件7之間之液體（第i液體LQ1及第2液體lq2之至少一 方）保持，從覆蓋構件70及測量載台3之一方切另一方。如 此，即使是在基板載台2及測量載台3移動至不與射出面 13及下面14對向位置之情形時，亦能持續形成液浸空間 LS(或液浸空間LC)。 又，本實施形態中，控制裝置8可控制驅動系統8〇, 將覆蓋構件70挿入射出面13及下面14、與配置在與射出 面13及下面14對向位置之基板載台2之上面i7(測量載台 3之上面20)之間。此外，控制裝置8亦可控制驅動系統8〇， 而從射出面13及下面14、與配置在與射出面13及下面14 201142522 對向位置之基板載台2之上面17(測量載台3 間拔出覆蓋構件70。控制裝置8為了 20)之 …間之液體保持，從覆蓋構件…出面"及下 載台3)之一方切拖+ 土板载台2(測量 方切換至另—方’而實施覆 作及拔出動作之至少一方。 70之揷入動 又’本實施形態中’控制裝置“ 面”與射出面u及下面14對向之狀態下，= 之清潔。 执仃下面14 以下’-邊參照圖19〜圖22之示意圖 =載台2之基板。之曝光後，將在與終== 及液，又構件7之間之第i液體LQ1之保持 2切換至覆蓋構件70之—動作例。又，以=載： =將⑽光學元件12及液浸構件7之間之：： 、 呆持，從基板載台2切換至覆蓋構件70之動作加 =明’但從測量載台3切換至覆蓋構件Μ之動作亦是同 與a:!:形態中’控制裝置8在切換時，使覆蓋構件7。 與基板載…質移動於同一方向。本實施形態中，舉一 例而言’說明覆蓋構件70及基板載台2分別移動於 向之情形》 又’本實施形態中，控制裝置8在切換時係使覆蓋構 7〇與基板載台2獨立的以不同速度移動。控制裝置8使 覆蓋構件70以速度Vb移動於_γ方向、使基板載台2以 速度Vs移動於―丫方心 ,. 勒 Y万向。本實施形態中，在將與終端光學 42 201142522 元件12及液浸構件7之間之第i液體吻之保持從基板載 台2切換至覆蓋構件7〇時，係使基板載台2以較覆蓋構件 7 0快之速度移動。 如圖19所示，控制裝置8在終端光學元件12及液浸 構件7與基板載台2之間保持有S 1液體LQ1之狀態下， 將配置在不與射出面13及下面14對向之位置之覆蓋構件 70,移動至與射出面13及下面14對向之位置，以插入終 端光學7L件1 2及液浸構件7與基板載台2之間。控制裝置 8 ’與基板載台2往一γ方向之移動同步，使覆蓋構件7〇 住一 Y方向移動，將其插入終端光學元件丨2及液浸構件7 與基板載台2之間°於覆蓋構件7G之挿人時，控制裝置8 係以較基板載台2之速度Vs慢之速度Vb移動覆蓋構件 7〇藉由基板載台2往~ Y方向之移動及覆蓋構件70往— Y方向之移動之實施’第1液體LQ1即從圖1 9所示狀態、 、左由圖2Q所不狀態而變化為圖21所示狀態。 如圖19〜圖21所示，控制裝置8以終端光學元件12、 液汉構件7及基板栽台2與覆蓋構件7〇不接觸之方式，插 人覆蓋構件70 °亦即’覆蓋構件70係與終端光學元件1 2、 液浸構件7及基板栽台2之各個分離移動。 在將覆蓋構件70配置在與射出面13及下面14對向之 :置而、.’。束覆蓋構件7〇之挿入動作後，在配置於終端光學 元件丨2及液次構件7與射出面η及下面μ對向之位置之 覆蓋構件70之間保持第i液體，形成液浸空間Ls。又， 在覆蓋構件7〇之挿入動作結束後之狀態下，從覆蓋構件70 43 201142522 與基板載〇 2之間排除第1液體lqi。 如圖21所示’本實施形態中，基板載台2具備回收第 1液體LQ1之回收口 90。回收口 9〇能回收第i液體吻 及第2液體LQ2之至少一方。回收口 9〇設在基板載台2之 上面17。據此，即使於揷入動作中，在覆蓋構件與基板 載台2之間殘留第i液體LQ1，亦能從回收口 9〇回收該殘 留之第1液體LQ1。 在終端光學元件12及液浸構件7與覆蓋構件7〇之間 保持第1液體LQ1後’基板載自2(測量載纟3)即往離開終 端光學元件12及液浸構件7之位置移動。 控制裝置8在覆蓋構件70之上面71與射出面13及下 面14對向之狀態下，開始清潔。如圖22所示，控制裝置8 實施從第1供應口 21之第2液體LQ2之供應動作、從第】 回收口 22之第2液體LQ2之供應動作、以及從第2回收口 28之液體之回收動作，以清潔液浸構件7之下面。 在使用第2液體LQ2之清潔結束後，控制褒置8在覆 蓋構件70之上面71與射出面13及下面14對向之狀態下， 實施從第i供應口 2丨之第i液體LQ1之供應動作 '從第i 回收口 22之液體之回收動作、以及從第2回收口 28之液 體之回收動作，以除去殘留在液浸構件7等之第2液體 LQ2。在結束殘留於液浸構件7等之第2液體lq2之除去 後’控制裝置8與從第i供應口 21之第1液體LQ1之供應 動作並行’實施從第1回收口 22之第1液體LQ1之回收動 作’以在射出面13及下面14與上面71之間以第1液體lqi 44 201142522 形成液浸空間LS。又，失 回收口 22供應第丨液體::去第2液體Μ2’亦可從第1 控制裝置8執行將在終端 間之第h«LQl之保 Φ 構件7之 2(測量載台3)之動作。以下從覆盖構件7〇切換至基板載台 立门 * F ’ —邊參照圖23及圖24夕- 思圖、一邊說明將在終 之不 、而九學凡件12及 第1液體LQ1之保持 &偁仵7之間之 ..y 覆盖構件70切換至基板載台2之 一動作例。又，以下 戰口 2之 .1? ^ (軋明中，雖係針對將在終端光學元 件12及液浸構件7之p u甲疋 之第1液體LQ1之保持，從覆f椹 件70切換至基板載二9 + 4 ^ 卞攸復盍構 Έι| # ^ Α ^ 口 2之動作，但從覆蓋構件70切換至 測量載台3之動作亦同。 、生 本實施形態中，扣制胜苗。+ ^ 換時使覆蓋構件70與 口貫負移動於同-方向。本實施形態中，作為— 例，說明覆蓋構件7〇另A也被a 馬 基板載〇2分別移動於+γ方向 情形。 / IV〈 又’本實施形態中，抟制 徑制裝置8在切換時係獨立的以

不同速度移動覆蓋構件7f) I 千70與基板载台2。控制裝置8以 度Vb使覆蓋構件7〇 ^ 秒動於+ Y方向、以速度Vs使基板 台2移動於+γ方向。 本貫施形態令，在將在終端光學元件 12及液浸構件7之間之第1液體LQ1之保持，從覆蓋構件 7〇切換至基板載台2時，係使覆蓋構件7〇以較基板載台2 快之速度移動。 如圖23所示，控制裝置8在終端光學元件12及液浸 構件7與覆蓋構件7〇之間保持了第i液體LQ1之狀態下， 45 201142522 將基板载台2移動至4 ㈣至以構件7()與射 14對向之位置。亦即，控制裝置8 13及下面 與終端光學元件12及液浸構件7之間料^ 2移動至在 覆蓋構件7〇之下面72至少-部分對向之位置^⑴之 成為在終端光學元件12及液浸構件7與基即 置覆蓋構件70之狀態。 D 2之間配 控制裝置8從終端光學元件12及液浸構件7 :之間拔出配置在與射出面13及下面14對二載 蓋構件70,使其移動至不與射出面13 之覆 置。本實施形態中，控制裝置8係與基板載台2:=: 之移動同步，使覆蓋構件7〇往+ ¥方向 /方向 裝置8係在終端光學元…液浸構件7與覆蓋:冓Si 之間保持有第1液體吻之狀態下，拔出覆蓋構件70。 在覆蓋構件70之拔出時，控制裝置8係以較基板載二 2之速度Vs快之速度Vb移動覆蓋構件7〇。藉由基板載： 2往+ Y方向之移動及覆蓋構件7()往+ γ方向之移動之實 施’第1液體LQ1即從圖23所示狀態變化至圖24所示狀 態0 在覆蓋構件70移動至不與射出面13及下面14對向之 位置、元成覆蓋構件70之拔出動作後，即在終端光學元件 12及液浸構件7與配置在和射出面13及下面丨4對向位置 之基板載台2之間保持第1液體LQi，形成液浸空間。 如此’即成為能實施基板p之液浸曝光之狀態。 46 201142522 本實施形態中，亦能良好的清潔下面14。又，本實施 形態中’亦能使下面14與液體（第1液體LQ1及第2液體 LQ2之至少一方）持續接觸。 又’亦能將上述第2〜第7實施形態所説明之各要素適 用於覆蓋構件70。例如，覆蓋構件70之上面71可具有第 1部分、與較第1部分突出之第2部分。此外，覆蓋構件 70亦可具有可供應第2液體LQ之供應口、回收口、刷構 件、多孔構件、具有反射部之光學元件及超音波振動件之 至少一者。 又，上述第1〜第7實施形態中，雖然曝光用第1液體 LQ1與清潔用第2液體LQ2是不同液體，但亦可是相同液 體。此時，可省略除去第2液體LQ2之處理。此外，在將 第1液體LQ1用於清潔處理之情形日寺，可在以保持部⑽保 持有罩構件（3〇等）之狀態下，與第丨供 。 〈弟1液體 LQ1之供應動作並行，僅實施第i回收口 、罘1液體L01 之回收動作。 … 又，於上述第丨〜第7實施形態之曝 膏祐筮9门丨λ· 狂斤中’亦可不 實施第2回收口 28之吸引動作。亦 宙田认认作 將第2回收口 專用於維修程序。 28 又，於上述第丨〜第7實施形態之維修裎 第1供應口 21供應第2液體LQ2，而僅 ，亦可從 回收第2液體lq2。不將回收構件29使用於回收口 22 之回收時，可省略回收構件29。 ；第2液體LQ2 又，上述第丨〜第7實施形態之維修程 /斤中，由於第2 47 201142522 液體LQ2與終端光學元件1 2接觸，因此可期待以第2液體 LQ2清潔終端光學元件12，但第2液體LQ2亦可不與終端 光學元件1 2接觸。 又’維修程序（清潔處理）可在包含既定片數之基板P之 一批之曝光處理開始前或曝光處理結束後進行，亦可每隔 既定時間間隔後實施，或者在每既定片數之基板處理後實 施’亦可在閒置中（曝光裝置EX未使用時）實施，也可在因 曝光處理造成形成於基板P之圖案之缺陥增加時實施，當 然亦可在經由第1回收口 22回收之第1液體LQ1之水質變 差時實施。 此外，上述各實施形態中，雖設定曝光裝置Εχ(Εχ2) 具有基板载台2與測量載台3，但例如圖25所示，亦可使 曝光裝置ΕΧ(ΕΧ2)不具備測量載台，而具備將以可釋放之 方式保持基板Ρ之基板保持部161 ' 162分別設於複數個基 板載台211、212。又，不具備測量載台而具備複數個基板 載台之雙載台型曝光裝置之例，已揭示於例如美國專利第 6341007號說明書、美國專利第62〇84〇7號說明書、美國專 利第6262796號說明書等。雙載台型之曝光裝置係在使 第1基板載台211之上面171與第2基板載台212之上面 172接近或接觸之狀態下，藉由相對射出面13及下面μ使 第1基板載台川與第2基板載台212同步移動，而能在 抑制液體漏出之同時，將液浸空間LS(LC)從第i基板載台 211之上面171上及第2基板載台212之上面丨72上之一方 移動至另一方。此場合，可蔣μ ^ . 7將上述第1〜第0實施形態所説 48 201142522 明之罩構件(30等)以可釋放之方式保持於複數個基板載台 之至少一個。 又’曝光裝置卿X2)可具備複數個基板載台與測量 載台。此場合，可將上述第1〜第6實施形態所説明之罩構 件(30等)以可釋放之方式保持於複數個基板載台與測量載 台之至少一個。 又’亦可將於維修程序使用之罩構件⑼等）從實施基 板P曝光之空間外搬入。例如，可使用搬送基板P之搬送 裝置將罩構件（30等）裝載於基板載台2上之保持部，並移 動基板載台2以使該罩構件（3〇等）與液浸構件7之下面14 對向，而將從基板載台2之保持部釋放之罩構件⑼等）以 保持部50(既定構件44)加以保持。此場合，罩構件（3〇等） 可以是厚度及直徑與基P大致相#之圓形基板。或者， 亦可由作業員將罩構件⑽等）配置成與液浸構件7之下面 場合’若不使用保持部5G(既定構件44)來進行 (4)之保持時，可省略保持部50(既定構件44)。 又，在使以保持部5〇保持之罩構件（3〇等）與液浸構件 之下面14對向之狀態下進行之液浸構件7之維修處理， 不限於液浸構件7之清料理，亦可進行液 度調整等。 之/m 又’上述各實施形態中’雖然投影光學系&之 :二:2射出側(像面側)之光路係被第丨液體 = 際公開第編〜號小冊子所揭示 干疋件12入射側（物體面側）之光路亦以第1 49 201142522 體LQ 1加以充滿之投影光學系。 又’上述各實施形態，雖係使用水作為第1液體LQ i， 但亦可以是水以外之液體LQ。第1液體lqi，以對曝光用 光EL具有透射性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成 投景^光學系統PL或基板P之表面之感光材（光阻劑）等臈安 疋者較佳。例如，作為第1液體LQ 1，可使用氫氟喊（hfe)、 全氟化聚越（PFPE)、敗素潤滑油（fombiin 0丨1)等。此外，作 為第1液體LQ1，亦可使用各種流體、例如超臨界流體。 又，上述各實施形態之基板P，不僅是半導體元件製造 用之半導體晶圓，亦可以是顯示器元件用之玻璃基板、薄 膜磁頭用之陶瓷晶圓'或是於曝光裝置使用之光罩或標線 片之原版（合成石英、矽晶圓）等。 曝光裝置EX’除了能適用於使光罩M與基板p同步移 動來對光罩Μ之圖案進行掃描曝光的步進掃描& “叫 方式之掃摇型曝光裝置（掃描步進機）以外，亦能適用於在使 光罩Μ與基板p靜止之狀態下，使光罩m之圖案一次曝光， 並使基板P依序步進移動的之步進重複（step & repeat)方式 的投景{曝光裝置（步進機）。 再者於步進重複方式之曝光中，’亦可在使帛1圖案 與土板P大致静止之狀態下，使用投影光學系統將第1圖 -縮J像轉印至基板p上後，在第2圖案與基板p大致 狀L下，使用投影光學系統將第2圖案之縮小像與 第1圖案局部重暴' 更疊而一次曝光至基板Ρ上（接合方式之一次 曝光裝置）〇 X , 乂；tAfck 作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於基 50 201142522 板P上至少將2個圖案局部的重疊轉印’並使基板p依序 移動之步進接合（step & stitch)方式之曝光裝置。 又’本發明亦可適用於例如美國專利第6611316號所揭 示之將二個光罩之圖案透過投影光學系統在基板上加以合 之一個照射區域大致同時雙 本發明亦可適用於近接方式 器（mirror projection aligner) 成，以一次掃描曝光使基板上 重曝光之曝光裝置等。此外， 之曝光裝置、反射鏡投影對準 等。

曝光裝置EX之種類’並不限於將半導體元件圖案曝光 至基板p之半導體元件製造用之曝光裝置，亦能廣泛適用 於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，以及 用以製造薄臈磁頭、攝影4(CCD)、微機器、MEMSDNA 曰a片或用以製造標線片或光罩等之曝光裝置等。 此外，上述各實施形態中，雖係使用包含雷射干涉儀 之干涉儀系統來測量各載台之位置資m，但不限於此，亦

可使用例如檢測設於久韵A 、 載σ之軚尺（繞射光栅）之編碼器系 統。 此夕〜卜，上述實施形態，雖係使用在光透射性基板上形 成有既疋遮光圖案（或相位圖案、減光圖案）之光透射型光 罩仁亦可取代此光罩，使用例如美國專利第67則7號 I:::71" ’根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案 圖案、或形成發光圓案之可變成形光罩(電子光罩、 二=或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像 .，不70 <可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示 51 201142522 元件之圖案形成裝置。 上述各實施形態，雖係舉具備投影光學系統pL之曝光 裝置為例作了説明，但本發明亦可適用於不使用投影光學 系、’先PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可於透鏡等光學構 件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射 曝光用光。 口又，本發明亦可適用於例如國際公開第2001/〇35168 號小冊子之揭不，藉由在基ρ上形成干涉條紋，據以在 基板上曝光線與空間圖案（line & space pauern)的曝光裝置 (微影系統）。 八上述實施形態之曝光裝置Εχ，係藉由組裝各種次系統 Τ各構成要素），以能保持既定之機械精度、f氣精度、光 f精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後， 仏進仃對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對 各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣 系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光 裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣 坚匕路之配官連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之 组裝製程前’係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系 統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行综合調整，以確 保曝光裝置整體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好 疋在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。 半導體元件等之微元件，如圖26所示，係經進行微元 件之功能、性能設計之步驟2〇丨，根據此設計步驟製作光罩 52 201142522 Μ (標線片）之步驟202’製造元件基材之基板p之步驟2〇3， 包含依據上述實施形態進行基板處理（曝光處理，包含使用 光罩Μ之圖案以曝光用光el使基板P曝光之動作、以及 使曝光後基板P顯影之動作）的基板処理步驟2〇4，元件組 裝步驟（包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製 程）205 ’以及檢査步驟2〇6等而製造。基板處理步驟，係依 據上述實施形態，包含清潔液浸構件7之維修程序，使用 S玄經清潔之液浸構件7實施基板P之曝光。 又’上述各實施形態之要件（技術）可適當加以組合。 又’亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可 範圍内，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光 裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之 一部分。 ° 【圖式簡單說明】 圖1係顯示第i實施形態之曝光裝置之一例的概略構 成圖。 圖2係顯示第】實施形態之曝光裝置之一部分的俯視 圖。 圖3係顯示第i實施形態之液浸構件近旁的側視剖面 圖。 圖4係顯示第丨實施形態之曝光裝置之一動的流 程圖。 圖5係顯示第1實施形態之曝光裝置之—動作例的圖。 53 201142522 圖6係顯示第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。 圖7係顯示第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。 圖8係顯示第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。 圖9係顯示第2實施形態之一罩構件例的圖。 圖1 0係顯示第2實施形態之一罩構件例的圖。 圖1 1係顯示第3實施形態之一罩構件例的圖。 圖1 1係顯示第3實施形態之一罩構件例的圖。 圖1 3係顯示第4實施形態之一罩構件例的圖。 圖14係顯示第4實施形態之一罩構件例的圖。 圖1 5係顯示第5實施形態之一罩構件例的圖。 圖1 6係顯示第6實施形態之一罩構件例的圖。 圖1 7係顯示第7實施形態之曝光裝置之一例的概略構 成圖。 圖1 8係顯示第7實施形態之曝光裝置之一部分的俯視 圖。 圖1 9係顯示第7實施形態之曝光裝置之一動作例的 圖。 圖20係顯示第7實施形態之曝光裝置之一動作例的 圖。 圖2 1係顯示第7實施形態之曝光裝置之一動作例的 圖。 圖22係顯示第7實施形態之曝光裝置之一動作例的 圖。 圖23係顯示第7實施形態之曝光裝置之一動作例的 54 201142522 圖。 圖24係顯示第7實施形態之曝光裝置之一動作例的 圖。 圖25係顯示曝光裝置之一部分的俯視圖。 圖26係用以說明微元件之一製程例的流程圖。 【主要元件代表符號】 2 基板載台 3 測量載台 7 液浸構件 7K 開口 12 終端光學元件 13 射出面 14 下面 14T 平坦面 17 上面 19 保持部 20 上面 21 第1供應口 22 第1回收口 24 液體供應裝置 25 多孔構件 27 第1液體回收 28 第2回收口 55 201142522 29 30 3 1 32 40 42 43 44 45 47 50 51 60 61 62 63 65 65R 66 67 70 71 72 80 回收構件 罩構件 上面 下面 回收構件之下面 第2液體回收裝置 開口 既定構件 既定構件之下面 氣體供應裝置 保持部 驅動機構 供應口 回收口 刷構件 多孔構件 光學元件 反射部 超音波振動件 超音波振動件 覆蓋構件 上面 下面 驅動系統 56 201142522 90 回 收 α 3 1 IB 第 1 部 分 312B 第 2 部 分 EL 曝 光 用 光 EX 曝 光裝 置 K 光路 LC 液 浸 空 間 LQ1 第 1 液 體 LQ2 第 2 液 體 LS 液 浸 空 間 P 基板 PL 投 影 光 學系 57

Claims (1)

1. 201142522 七、申請專利範圍： 1· 一種曝光裝置，係透過第1液體以曝光用光使基板 曝光，其具備： 光學構件’具有射出該曝光用光之射出面； 液浸構件，將從該射出面射出之該曝光用光之光路至 少部分的加以圍繞，具有於該基板之曝光中、該基板對向 之下面在5亥下面之至少一部分與該基板之間保持該第1 液體；以及 板片構件，具有第1面及朝向該第1面之相反方向之 第2面，可移動至與該下面對向之位置； 在該第1面與該下面對向之狀態執行清潔。 2如申睛專利範圍第1項之曝光裝置，其進一步具備： 八 x上面可移動至與該射出面對向之位置的可動 構件；以及 、己置於°亥可動構件、將該板片構件以可釋放之方式加 以保持的第1保持部； 該板片構件係保持於該第1保持部。 且二•如巾請專利範圍第1或2項之曝光裝置，其進一步 ;缸ΰ 2保持部，此第2保持部將從該第1保持部釋放之 :板片構件以可釋放之方式加以保持該第1面與該下面對 4 ·如申請專利範圍第 保持部將該下面至少部分的 5 ·如申請專利範圍第！ 3項之曝光裝置，其中，該第 加以圍繞。 項之曝光裝置，其進一步具備 58 201142522 八有上面4上面可移動至與該射出面對向之位置的 構件；以及 切 在 面與6玄上面之間移動該板片構件之驅動系統。 一 6 士申凊專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該上面 隔著第1隙與該下面對向，可在與該下面之間保持該 液體； 該第1面與該第2面間之距離較該第1間隙小。 申叫專利範圍第5或6項之曝光裝置，其進—步 具備設於該可動構件、可回收該第i液體之液體回收口。 8申明專利範圍第丨至7項中任一項之曝光裝置， 其中係在°玄第1面與該下面之間保持第2液體，執行該 清潔。 °Λ 9 &申叫專利範圍第8項之曝光裝置，其進一步具備 配置於該液浸構件、供應該第2液體之第丨供應口。” 1〇 士申明專利範圍第8 A 9項之曝光裝4，其進一 步具備配置於該液浸構件、回收該第1面與該下面之間之 該第2液體之至少一部分的回收口。 1 1 ·如申請專利範圍第1〇項之曝光裝置，纟中，於該 /月潔中係從忒第1供應口供應該第2液體，並與從該第1 供應口之該第2液體之供應動作並行，執行從該回收口之 該第2液體之回收動作。 12如申明專利範圍第1〇或η項之曝光裝置其中， 該回收口包含：在相對該光路之放射方向配置在該第1供 應口外側之第1回收口、與配置在該第1回收口外側之第2 59 201142522 回收口。 13 ·如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，於該 基板之曝光中，係從該第1供應口供應該第1液體，並與 從該第1供應口之該第1液體之供應動作並行，執行從該 第1回收口之該第1液體之回收動作。 14 ·如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其進一步具 備於該基板之曝光中供應該第1液體之第1供應口、於相 對該光路之放射方向配置在該第1供應口外側用以回收該 第1液體之第1回收口、以及配置在該第i回收口外側之 第2回收口； 於該清潔中，從該第丨供應口供應該第2液體、並從 該第1回收口供應該第2液體，而從該第2回收口回收該 第2液體。 15·如申請專利範圍第12至14項中任一項之曝光裝 置，其中，該下面包含配置於該第丨回收口之第丨多孔構 件之表面。 16·如申請專利範圍第8至15項中任—項之曝光裝 置，其中，於該清潔中在該第丨面與該下面之間以該第2 液體形成之第2液浸空間’較於該基板之曝光中在該下面 與該基板表面之間以該第i液體形成之第i液浸空間大。 17·如申請專利範圍帛8至16項中任一項之曝光裝 置，其中，於該清潔中，係從配置於該板片構件之第2供 應口供應該第2液體。 18 ·如申請專利範圍第17項之曝光裝置，纟中，該第 60 201142522 2供應口係朝向該下面喷射該第2液體。 19如申明專利範圍第8至18項中任一項之曝光裝 置，其中’该板片構件具有對與該板片構件接觸之該第2 液體賦予超音波振動之超音波振動件。 20.如申請專利範圍帛8至18項中任一項之曝光裝 置’其進—步具備配置在該液浸構件、對與該液浸構件接 觸之該第2液體賦予超音波振動之超音波振動件。 21 ·如申請專利範圍第8至20項中任一項之曝光裝 置，其中，忒第1面包含第丨部分、以及較該第丨部分突 出之第2部分。 22 ·如申晴專利範圍第8至21項中任一項之曝光裝 置，其中，該第1液體與該第2液體係同種類之液體。 23 ·如申请專利範圍第8至21項中任一項之曝光裝 置’其中’ 5亥第2液體包含驗及乙醇之至少一方。 24 ·如申請專利範圍第8至23項中任一項之曝光裝 置’其進一步具備設於該板片構件、可回收該第1液體及 該第2液體之至少一方之第3回收口。 25 ·如申請專利範圍第1至24項中任一項之曝光裝 置’其中’ s玄板片構件具有反射從該射出面射出之該曝光 用光之反射部’以該反射部反射之該曝光用光之至少一部 分照射於該下面。 26 ·如申請專利範圍第1至25項中任一項之曝光裝 置’其中’該板片構件具有可擦洗該下面之刷構件。 27 ·如申請專利範圍第1至26項中任一項之曝光裝 61 201142522 二’其中，該板片構件具有可與該下面接觸之第2多孔構 28· —種曝光裝置’係透過 板曝光m. 用先使基 光子構件，具有射出該曝光用光之射出面； 液浸構件，將從該射出面射出之該曝光用光之光路至 少部分的加以圍繞，具有可盥 先路至 之物體對向之下面； 耵向位置 第1可動構件，具有第1 μ 虿弟1上面，可移動至該第〖 與該射出面及該下面之至少一 ^ 方對向之位置； 第2可動構件，具有笛2 1 斑β Μ山 有第2上面，可移動至該第2上面 與S亥射出面及該下面之至少一 芏^方對向之位置；以及 板片構件’以可釋放之方式祜彺 飞破保持在配置於該第1可 動構件及該第2可動構件之至少 第3上面； 方之第1保持部，具有 於第1處理中，在該射出面及 .^ ^ 兮笛囬及-亥下面、與該帛1上面、 送第2上面及被保持於該第丨 卜 T 1义。玄板片構件之該第3 面之至少—者之間保持該第1液體； 在與該第1處理不同之第2虎 说4墙 J义弟2處理中’則在該下面 '鱼 從3亥第1保持部釋放之該板片構件 、 液體。 料之第3上面之間保持第2 29·如申請專利範圍第28項之 !該射出面及該下面、與該第1上面及該第2上面之：： 方之間持續形成能保持該第丨液體之空間，在使該第1 62 201142522 2上面接近或接觸之狀態下，相對該射出面及 该下面，使該第I可動構件與該第2可動構件同步移動。 3〇如申吻專利乾圍第28或29項之曝光裝置，其中， 係在從該第1可動構件與該射 丄， < 間形成以該第I液艚 充滿之空間之狀態、與在該第 .r. _ ^ 了動構件與該射出面之間 ^成^丨㈣充滿之空間之㈣中之—方變化至另一 期間’於該射出面側維持以該第！液體充滿之空間。 31·如申請專利範圍第3〇項之曝光裝置，复中 =動構件具有以可釋放之方式保持該基板之^基㈣持 該第2可動構件具有以 基板保持部。 了釋放之方式保持基板之第2 二?：專利範圍第π項之曝光裝置，其中，該第 部構件具有以可釋放之方式保持該基板之第1基板保持 =第2可動構件搭載用以測量該曝光用光之測量器。 Μ·如申請專利範圍第 置 发中……老 主32項中任-項之曝光裝 " 忒第1處理包含該基板之曝光。 置 二如申請專利範圍第28至33項中任—項之曝光I ”中，邊第2處理幫包含清潔。 置二如申請專利範圍第28至34項中任—項之崎 動構件亥第2處理中，該第1可動構件及該第2可 之至少—方移至與該第1位置不同之第3位置。 如申請專利範圍第28至35項中任—項之曝光裝 63 201142522 置’其具備於該第2處理中，收4 將§亥板片構件俾姑L 1 面及該下面與該第3上面對向夕势 卞1示待成該射出 <弟2保持部。 37 · —種元件製造方法，其包含： 使用申請專利範圍第1至36項中. 基板曝光之動作；以及 任項之曝光裝置使 使曝光後之該基板顯影之動作。 3 8 種曝光方法，係透過第1 、A g 板曝光，其包含： 1液體以曝光用光使基 在將從光學構件之射出面 巧之s亥曝井用止一， 少部分的加以圍繞之液浸構 +尤用忐之光路至 卞 < 下面至少—部八 t 板之間保持該第1液體之動作； 77 '與該基 透過該射出面與該基板之間之該 射出面之該曝光用㈣該基板曝光:動作·、以來自讀 使保持於保持部之板片構件之第U 之動作； M s亥下面對向 在該第1上面與該下面對向 部釋放之該板片構件之動作；以及〜’呆持從該保持 在使該下面與該第1 動作。 面對向之狀態下，清潔該下面之 39 · —種曝光方法，包含· 在將從光學構件之射+ ,irr v 射出面射出之該曝光用光之央狄

   少。P刀的加以圍繞之液浸 忐路至 持於第丨可動構株… 之下面至少-部分、！ 透過’鼾Φ 土板之間保持第1液體之動作； 透乂忒射出面與該基板 风 < 间之该第1液體、以來自該 64 201142522 射出面之4曝光用歧該基板曝光之動作； ;第1處理中’在第1可動構件之第1上面、第2可 爐：件之第2上面及配置在該第1可動構件及該第2可動 構件之至少一方夕笛,扣> J m 保持部破保持成可釋放之板片構件 面之至少一者、與該射出面及該 該第1液體之動作；以及 保持 在與該第！處理不同之第2處理中，在該下 第1保持部釋放之兮扣y姐Μ 疋。Α 文之5玄板片構件之第3上面之間保持第2液 體之動作》 』1卞付弟2液 4〇 · 一種元件製造方法，其包含： 使用申請專利範圍第 光之動作H ^38或39項之曝光方法使基板曝 使曝光後之該基板顯影之動作。 41·-㈣光裝置之維修方法，料光|置<系以來自 光干構件射出面之曝1帛纟、#θ 基板曝光;其包含先透過帛1液體使基板載台上之 使液浸構件之下面與被 片構件之第！上面對向之動/基板载台保持部之板 構件射出面射屮夕該液浸構件係將從該光學 繞；以及 巾先之先路至少部分的加以圍 在該第i上面與該下面對向之狀態下 載台保持部釋放之該板片構件之動作。’、持從或基板 42 ·如申請專利範圍第 含使用搬送該基板之搬送裝：广：方法，其進-步包 裳置將§亥板片構件裝載於該保持 65 201142522 部之動作。 43 ♦如申請專利範圍第41或42項之維修方法，其進 步包3在從該基板載台保持部釋放之該板片構件之該第 1上面與該下面對向壯能 ^ ^ 〜'下’執仃該基板載台之維修之動 作。 44·如中請專利範圍第41至43項中任—項之維修方 /$步包3在m板載台保持部釋放之該板片構 件之5亥第1上面與^ T" f5i #4-人 、下面對向之狀態下，清潔該基板載台 之動作。 45·如申請專利範圍第41至44項中任一項之維修方 其中’係在從該基板載台保持部釋放之該板片構件之 泫第1上面與該下面對向之狀態下，清潔該液浸構件。 46·如申請專利範圍第41至45項中任一項之維修方 法，其中，該板片構件係係直徑與該基板大致相等之圓形 基板。 ^ 、47·如中請專利範圍第41至46項中任—項之維修方 法’其中’該板片構件係厚度與該基板大致相等之圓形基 板。 土 八、圖式： (如次頁） 66