TW201141307A - Substrate for use in organic EL device and method for fabricating organic EL device using the same - Google Patents

Substrate for use in organic EL device and method for fabricating organic EL device using the same Download PDF

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TW201141307A
TW201141307A TW099135394A TW99135394A TW201141307A TW 201141307 A TW201141307 A TW 201141307A TW 099135394 A TW099135394 A TW 099135394A TW 99135394 A TW99135394 A TW 99135394A TW 201141307 A TW201141307 A TW 201141307A
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ink
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pixel
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Masatoshi Furihata
Satoshi Amamiya
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Sumitomo Chemical Co
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Description

201141307 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用在有機電致發光(organic electroluminescence,以下稱為「有機EL」)裝置的製造 中’並且在支撐基板上形成有區隔用以形成有機EL層之印 墨塗佈區域的區隔壁之有機EL裝置用基板及使用該基板 之有機EL裝置的製造方法。 【先前技術】 有機EL裝置’在行動電話等用途中已達實用化。有機 EL裝置係含有由積層體所構成之有機El元件,該積層體 係具有:陽極與陰極、以及包含夾持於此等電極中之發光 層的1層以上的有機EL層。發光層係由當施加電壓使電流 流通時會發光之有機化合物所形成。有機乩元件具有種種 特陡。有機EL兀件可由積層薄膜而形成。藉由使用有機 EL元件’可製造出極為輕巧之顯示裝置等裝置。 有機EL元件’通常是在支撐基板上形成有區隔像素之 區隔壁的有機EL裝置基板上,以預定順序積層電極與包含 毛光層之1層以上的有機EL層而製造出。有機EL裝置, 係排列配置有多數個有機EL元件。 已達實用化之有機EL裝置中,各有機此元件的有機 此層係採用使用遮罩之真空蒸鍍法來形成。然而,從遮罩 的撓曲所造成之層的圖案形成精度問題、與大裂真空裝置 的必要性所導致之成膜成本問題等來看,使用真空蒸鑛法 來進行大晝面之有機EL最置的製造者,可說是難以進行。 4 322459 201141307 進行探討者。塗:法=手法’亦有針對塗佈法 墨,亦即_機===^層之成分的印 燥等將此硬化而形成層之方法體上’並藉由乾 塗佈法)、喷嘴印刷法(液柱塗佈㈣墨 可進密地控制有機此材科的㈣量文: ^TAT:zTrpi ^ 二:::::除了有與上述喷墨法相同=:之: 不易引起喷嘴孔的阻塞之優點。 更 形等濕式製程之有機el層的 機E L元件之^ Λ基板上設置對應用以形成多數個有 法。 ”布圖案的區隔壁,以控制印墨塗佈區域之方 素之二 言’為人所知者有以方格狀配置各像 方向平行之長條二1Ρ = 當塗ί =隔二?於對每個像素塗佈印墨,心 長條形狀=壁中各像素產生有機队層的厚度不均。 ’由妓從喷嘴連續地 崎㈣㈣ [專利夂獻] 322459 5 201141307 [專利文獻1]日本特開2002-75640號公報 【發明内容】 當使用長條形狀的區隔壁時,可考量藉由在塗佈區域 内連續地塗佈印墨,而使印墨均等化並使層厚均一,但實 際上隨著印墨塗佈層表面之乾燥的進行,表面上之印墨的 凝聚力增強,使印墨塗佈層的厚度有朝向印墨 逐漸增厚之傾向。因此,長條⑽像素中,乾燥 EL層的厚度難以達成均一,而有造成層厚不均之疑慮。 有機EL層的厚度不均,會引起各有機此元件間的亮 度差’亦即各像素間的亮度差。顯示裝置之品質上的重 因素’可列舉像素間的亮度差小者。因此,抑制層 者乃極為重要。 = 本發明之目的係提供-種賦予各像素間的亮度差 高品質的顯示裝置之有機EL裝置用基板及有機乩' 本發明之有機EL裝置用基板,係具備有:相鮮 形成有複數個像素電極行之切基板、以及心 素電極行上之印墨的塗佈區域與塗佈於相鄰之: 述像素電極行上之印墨的塗佈區域之區隔壁; j 與前述像素電蹄係交互地配壁 極之間,將前述區隔壁彼此的間隔=化象素電 在前述區隔壁的壁面上從其底部形成至上 :’係 塗佈區域,係用以形成包含發光層 ”墨的 之印墨所塗佈之區域。 之1層以上的有機EL層 塗佈於塗佈區域之印墨,係在區隔塗佈區域之區隔壁 322459 6 201141307 彼此之間流動。由於區隔壁的突出部從壁面的上部形成至 底部,所以印墨可一邊受到流量的限制,—邊 :變成被窄化之區隔壁之間流動。藉由該流量的限制疋可 :制伴隨著印墨的乾燥所產生之印墨的凝聚力。藉此可抑 =厚不均。因此,根據本發明之有機EL裝置^板,由 二犬起部的存在,可一邊確保用以達成均等化之流動性, :邊同時抑制液體移動的自由度,故可達成液面的均一 生°、结果可達成乾燥後的層厚均一性。 /述突出部較佳係形成為:在前述區隔壁彼此的間隔 目:於未形成突出部之部分的間隔’使最窄部分的間 均=率成為m至當前述比率位於前述範圍時,可 _、也抑制印墨的流動性,故可形成均一 * 土尺向之^芦。 較佳係配置有用以區劃像素電極行中 a 之像素限制層。藉此’可抑制印墨塗佈時可 素電极 =間的空隙形成’並且抑制印墨的流動性二果:像素 塗佈^或内之印墨的塗佈層的厚度不均。 可減少 當前述突出部係從相互鄰接之區隔壁 向之方式形成時,印墨可在 呈相對 以直線性地流動。葬 °° :a主佈區域的中央部 -邊同時確保充分二動:一邊抑制液體移動的自由度, 厚均-性。〜動性。結果更能夠提高乾燥後的層 方式區隔壁的壁面《呈相对向< 接之方式配置。印墨底部彼此: 致“為在區隔壁的底 322459 7 201141307 部附近錄之低層側的印墨流,以及在區隔壁的上 流動之南層側的印墨流。由於區隔壁的突 = 度,-邊冋時確保流動性。另由 部及像魏制層之存在,在低層侧更=::: 動。關於印墨的塗佈’在像素電極的表面或是已形成^ 機EL層的表面、與所塗佈之印墨之界面附近,亦 極力地抑制液體移動,且在高層側進行液體保持量的均等 化者,就達成液面的均-性之觀點而言為較佳。因此,〜 夠以更安定的狀態來形成積層於像素電極上之各種有機肛 層。 當從别述支撐基板的垂直方向觀看時前述突出部係形 成為大致呈圓弧狀時,所塗佈的印墨係從間隔較窄的空間 平順地被引導至寬廣側的空間,而更有效地抑制伴隨 燥所產生之印墨的凝聚力。結果能夠更加提高乾燥後的^ 厚均一性。 θ 前述區隔壁較佳係由有機材料所形成’前述像素限制 層較佳由無機材料所形成。藉此可容易地製造出有機队事 置用基板。 & 本發明之有機EL裝置的製造方法,係包含下述步驟. 將含有有機EL材料之印墨塗佈於本發明之有機裝置用 基板中的印墨塗佈區域後’使前述印墨乾燥而形成有機& 層之步驟。本發明之有機EL裝置,為藉由本發明之有機 EL裝置的製造方法所製造出之有機EL裝置。 322459 8 201141307 根據本發月之有機虹裝置的製造方法,可一邊碟保塗 佈於塗佈區域之印墨的流動十生,一邊同時抑制印墨之流動 性的自由度’故可使印墨達成均等化。因此可製造出塗佈 區域内之有機EL層的厚度不均被抑制之有機EL裝置。本 ,月之有機EL裝置中’可抑制塗佈區域内之有機此層的 厚度不均。 【實施方式】 (有機EL裝置用基板) =下根據圖式來說明本發明的實施形態之有機乩装 土板圖式中之各構件的比例尺會有與實際的比例尺 同之情況。本說明查d?厂,一 料所形成…「有二有機EL層」係指由有機乩材 子阳防 θ有機1 EL材料」係指形成電洞輸送層、電 指5層、發光層等有機EL層之材料。 「有機EL元件」係 極及和像素電極成對之電極、與包含夾持於此等 电極間之發光層$ τ a
Ei u, ^ 層以上的有機EL層之積層體。「有機 教置」係指以二維夕士 顯示裝置。 准之方式配置有機EL元件之平板狀的 有機EL裝置中,t 配綠 亦存在有電極的引線等構件。關於電 來::r光元件、顯示裝置一 接關係’故省略此等的明此等與本發明的說明無直 如第1圖至第qine- 裝置用基板卜係具備所二本:明的實施形態之有機EL 相互平行之複數個像H縣f2'形成於支撐基板2且 、 们' 用以區劃構成像素電極 322459 9 201141307 行3之像素電極31的像 發光層之有機EL層的印栗冷辑4以及將用以含 第】區隔壁5]。 P墨的塗佈區域^區隔成長=之 所謂像素’係指以像素 所謂塗佈_,係指由區隔壁:二:界定之發光區域。 直線狀的區域。 匕圍且塗佈有印墨之 支禮基板2的構成材料,
層時具有化學安定性者即可。 /成電極或有機EL 玻璃基板、塑膠基板、高分子薄板2的例子,可列舉 及積層此等者等。 、石夕基板、金屬板、以 J〜0 1尔由像素電極31以古 列*而成之電極行。各讀素電極狀且呈規則地排 像素限制層4只需在像素電“象二:艮制層4所 極3丨之間即可。本竇 中區劃於像素電 tlV1 ^ 層為發光層’其他有機· PT a 述的電洞輪送層、電有ML層可列舉後 :二肛材料及印墨陳溶液機二=使用屬於 1所形成。本說明書中,「溶劑」’C分散液 二,包括使有機EL材料溶解之液體特別提及 料分^液體兩者的概念來使用。讀叹使有機EL材 31彼係域並且確保像素電極 緣性之目的來配置。像素限制層4,係具有 322459 10 201141307 對應像素電極31轉置之A致呈矩 :4Π吏像素電極31的電極面暴露出並區卜開 藉此,像素電極31以-定的間隔排列配置。= 電極3!, ::4丨’係形成以像素電極31為底=限制層4 凹部42。藉由配置像素限::=層4 制印墨塗佈時之像素電極31間的空隙產生。亦可抑 可列= 層等=質較佳為絕緣體。該材質的例子, 材枓’或疋如聚醢亞胺、祕樹脂(贿心=無機 性樹脂材料般之有機材料等,較佳為無機材料。α專耐熱 區隔壁5,係用以避免使塗佈於各像素 墨:各列間的塗佈區域81中相互混合而配置。區丁 ^印 向度係設計成足以保持所塗佈的印墨之充分高度。h的 區隔壁5,可由電絕緣性的材料所構成。二 可列舉如聚酿亞胺、⑽樹脂等絕緣性樹脂材料般之= ,料,此等可理想地使用。為了提高對所塗佈的印 布區域内之保持性能’可對區隔壁的表面賦予 ^、、 之撥液性。將撥液性賦予至區隔壁的表面之方法開 列舉將具有撥液性之成分混合於構成區隔壁5之成3可 方法,或是將撥液性的被膜設置在區隔壁5的表面之方法之 區隔壁5,係由下述第i區隔壁51與第2 去: 所構成:藉由沿著由像素電極31所構成之像素電 ΐΓΓί素電極行3區隔成―列—列之方式交互地配置,’ 乂成為長條狀之第1區隔壁51 ;藉由配置在與第丨區严 322459 11 201141307 二父之方向上並與第1區隔壁51的兩端部連接,而 與第1區隔壁51—同包圍像素電極行3之第2區隔壁52。 區隔壁5可形成於像素限制層4上,亦可形成於基板2上。 於後述时嘴印刷時,第1區隔壁51只需設為與連續 塗佈印墨之方向(噴嘴掃描方向)平行即可。於喷墨時,第 1區隔壁51可與連續塗佈印墨之方向(喷嘴掃描方向)平行 或垂直。鄰接之第1區隔壁51彼此間的距離係因像素之大 小而有所不同’但例如約為至l〇mm,本實施形態中, 鄰接之第1區隔壁51彼此間的距離係設定為15〇_。 於第1區隔壁5卜為了窄化第i區隔壁51彼此的間 隔,一對突出部53係設置在各像素電極31之間。 在此,「突出部」係在相對向之第丨區隔壁51中之任 -方的壁©或兩者的壁面上’從其底部形成至上部。藉此 而可乍化第1區隔壁51彼此間的距離。突出部53較佳係 與第1區隔壁51形成為一體。 本實施形態中,突出部53係從兩方之第j區隔壁51 的壁面以呈相對向之方式形成,並以使突出部53的底部彼 此連接之方式來配置像素限制層4。 以下係參照第4圖(A)來說明突出部53及像素限制層 4的一例。 突出部53 ’係藉由在形成第1區隔壁η及第2區隔 壁(圖中未顯示)作為區隔壁5時同時形成而形成為一體。 突出部53可形成於像素電極31之間的像素限制層4上, 亦可形成於支撐基板2上。 322459 12 201141307 如上述般,突出部53係在第1區隔壁51的壁面51a 上,從其底部形成至上部,如此可抑制第1區隔壁51間所 流動之印墨的自由度,尤其可抑制第1區隔壁51間的高層 中所流動之印墨的自由度。 突出部53係在壁面51a上從其底部形成至上部為止, 且從支撐'基板2的垂直方向(以下亦有稱為基板垂直方向 之情形)觀看時形成為大致呈圓弧狀。如第4圖(B)所示, 突出部53亦可形成為如山麓的缓傾斜面般之大致呈圓弧 狀。 本實施形態中,突出部53係以從基板垂直方向觀看時 成為大致呈圓弧狀之方式形成。藉此,所塗佈的印墨係從 間隔較窄的空間平順地被引導至寬廣側的空間,而更能夠 有效地抑制伴隨著乾燥所產生之印墨的凝聚力。結果能夠 更加提高乾燥後的層厚均一性。突出部53之以從基板垂直 方向觀看時之形狀,並不限定於大致呈圓弧狀,就容易形 成之觀點來看,亦可為四角形(亦即突出部53為四角柱 狀)。 本實施形態中,係在相對向之一對第1區隔壁51的兩 者上形成有突出部53,但即使在任一方的第1區隔壁51 上形成突出部5 3 ’亦可抑制南層的印墨流動。 在此,相對向之突出部53與突出部53之最短距離的 比率,較佳係以相對於原先的間隔,亦即相對於未形成突 出部之部分的間隔,使比率成為10%至50%之方式來形成突 出部。當前述比率位於此範圍時,可均衡地抑制印墨的流 13 322459 2U114U07 動性。藉 _此可形成夂 向之第1區隔壁51句性更高之層。本實施形 態中,相對 突出部53與突間的間隔係設定為l5〇Mm,相對向之 比率為40%。 之最短距離設定為60 μ m,故前述 像素限制層4, 少 之方式配置。此時,佳係以使突出部53的底部彼此連接 51間的低層中流動,1素限制層4具有抑制在第丨區隔壁 像素限制層4,而之。印墨的流動之功能。在此,藉由設置 隙形成。 ’亦可抑制印墨塗佈時之像素電極間的空 接著機參的製造方法) 用基板之有機/來說月使用本實施形態的有機EL裝置 第5圖及第f置的製造方法。 嘴印刷法所辦佈方㈣一例之喷 略支撑基板2、像素雷二佈^驟的情況。帛6 @中,係省 於支撐基板2上設置:番像素限制層4以外的構件。 隔壁5 1^^# 、極仃3、料㈣層4及區 向基板!,如第5圖所示,係朝 2〇中,吐出用、從喷嘴印刷裝置(本體未顯示)的喷嘴 係在相對心層的各層之印墨。喷嘴20, 方向置用基板1的搬運一呈直交之 地吐:嘴墨係以非斷續地作為液检而被連續 柱狀印墨。嘴 可從微小的喷嘴中連續地吐出液 322459 14 201141307 第7圖係顯示藉由作為塗佈方法的一例之喷墨法所進 行之印墨塗佈步驟的情況。與第6圖相同地,有機EL裝置 用基板1中,係於支撐基板2上設置有像素電極行3、像 素限制層4及區隔壁5。此等的圖式被省略。如第7圖所 示,有機EL裝置用基板1係朝向Dd方向被搬運。從喷墨 裝置(本體未顯示)的複數個喷嘴20中,吐出用以形成有機 EL層的各層之印墨。第6圖中,喷墨的塗佈方向相對於像 素電極行3的方向為垂直方向’但塗佈方向相對於像素電 極行3的方向亦可為平行方向。 喷墨法中,印墨係以非斷續地作為液柱而被連續地吐 出。喷墨裝置,可從微小的噴嘴中連續地吐出印墨液滴。 所使用之印墨,為含有用以形成電洞輸送層、電子阻 隔層、發光層等有機EL層之材料(有機EL材料)及印墨溶 劑的溶液、懸浮液或膠體溶液。如上述般,本說明書中,「溶 劑」的用語在無特別提及時,係以包括使有機EL材料溶解 之液體以及使有機EL材料分散之液體兩者的概念來使用。 印墨溶劑係因應有機EL材料的溶解性或與基板的親 和性等條件來適當地選擇。印墨溶劑,較佳係滿足與揮發 性、有機E L材料的溶解性或分散性等相關連之作為印墨溶 劑的較佳諸要件。印墨溶劑,較佳為選自由水、醇溶劑、 二醇(glycol)溶劑、醚溶劑、酯溶劑、含氯溶劑及芳香族 烴溶劑所成群組的1種或此等之2種以上的混合物。醇溶 劑例如可列舉曱醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等。二醇 溶劑例如可列舉乙二醇、丙二醇等。醚溶劑例如可列舉四 15 322459 201141307 虱吱喃、甲氧基苯H容劑例如可列舉乙酸乙_ :酯等:含氣溶劑可列舉三氣甲烷、氯笨、二氣 , 芳香族烴溶劑例如可列舉曱苯、二甲基笨、二甲某〜 甲基苯等。 土 、一 土本、四 接著,詳細說明依據喷嘴印刷法所進行之塗佈,以 為塗佈印墨之-例。本發财,塗佈並秘定於此 為依據噴墨法所進行之塗佈^嘴印刷中,如第5圖所示, 有機EL農置用基板i被搬運至喷嘴2〇的下方,並使 在_方向上來回地移動’藉此’以使喷嘴2M目對地 出第6圖所示之蛇行的轨道Ip之方式,在有機el裴二 基板1上移動。喷嘴20的軌道Ip,係將像素電極行3在 長度方向上移動-列後,往下1移動,並將新的像 極行3在長度方向上移動。當有機此裝置用基板丨通過 嘴20的下方時,從喷嘴20 0土出印墨並將印墨依 = 於塗佈區域S1。 盒佈 噴嘴印刷中,由於印墨係非斷續地在液柱狀態下 續地從嘴嘴20吐出,所以如執道Ip所示,印墨連續1連 佈於塗佈區域S1,並在塗佈區域S1内擴散。因此,塗 圖(A)及第8圖(B)所示,在像素電極行3的長户方内第8 列之複數個像素電極行3及像素限制層4上,$墨]上棑 佈為非斷續的線狀。當印墨的塗佈完成後,於乾燥^破塗 將有機EL裝置用基板1放置在預定環境下,從印墨驟中 劑蒸發並硬化,而形成乾燥的印墨72的層。 吟 以下參照第8圖來說明塗佈區域S1内的印墨$ 322459 16 201141307 塗佈於塗佈區域幻之印墨,役 第1區隔壁Μ彼此間㈣#係在區隔塗佈區域S1之 在第1區隔壁51的底部附近17墨的流動,大致區分為 及在第1區隔壁51 机動之低層的印墨流F卜以 低層的印墨流F 、。附近流動之高層的印墨流F2。 土仙· 1*1,係藉由以像+ 制層4的凹底面之像素限 中’由於像素限制層4是以連接突==實施形態 以像素限· ^ 大^ 53之方式設置,所 揮作用“ i=r之f之阻障壁而發 電極31上之_ 或是6形成於像素 有機EL層之表面、與所塗 可極力地抑制印墨的液體移動,故可在安定的狀”面’ 種有機此㈣成於像素電極31上。^的㈣下將各 由於區隔壁5具有充分的高度,因此 以越過區隔壁5而混入於塗佈區域S1。如上述難 隔壁施予將印鎌開之缝處理。 可對區 在此,由於第1區隔壁51的突出部53係 壁51的51a社部形成至底部,故使高層的印黑法 會因突出部53的相向而在從相對向之壁面51: =間隔,窄化之間,使其流量受到限制。藉由該流^的限 制,而抑制伴隨著印墨的乾燥所產生之印墨的凝聚力 此可在塗佈區域S1内抑制層厚不均。因此,有機 =基板1,可藉由突起部53而一邊確保用以達成均等^之 流動性’―邊同時抑制液體移動的自由度。 再者,由於從支撐基板2的垂直方向觀看時突出部53 322459 17 201141307 係形成為大致呈圓弧狀,故 空間平順地被引導至寬廣侧的的印墨可從間隔較窄的 抑制伴隨著乾燥所產生之印黑1 °藉此’能夠更有效地 高乾燥後的層厚均一性。也的凝聚力。結果能夠更加提 在接續著印墨塗佈步驟 佈的印墨中將溶劑基發去除 墨乾燥步驟中,係從所塗 區域S1而得有機EL |吏有機EL材料被固定在塗佈 的溶劑等來適當地選擇。Y的乾燦溫度,可因應所使用 結之步驟。 可a置在乾燥後將印墨進行燒 以上係例示使用本發 出排列配置有單色有機El _ EL裝置用基板來製造 發明之有機EL裴詈用其4疋件之有機乩裝置的方法。本 複數種色彩的有機EL=之^可適用在週期地排列配置有 參照第9圖來說明 有機EL裝置的製造。 9圖中,對於上述L,種色彩的印墨的塗佈步驟。 係附加相同符號略其 =塗佈步驟中以說明之事項’ 連喷=二示。,印墨的供應’係使用具有3個喷嘴(3 含有紅色發光材料3連噴嘴22的各個噴嘴’分別為吐出 料之印墨的噴S P墨的噴嘴心、吐出含有綠色發光讨 嘴Nb。3連噴嘴?及吐出含有藍色發光材料之印墨的喷 對位後,-邊從3 :,始位置⑻待機。當完成賴定的 動方向Nml移動。冬嘴分別連續地吐出印墨,〆邊往移 1往搬運方向Dd^3連喷嘴22到達位置⑻時,將面板 ,在3連噴嘴22到達位置(p3)的時間 322459 201141307 點,停止面板的移動。3連喷嘴22往移動方向Nm3移動, 並在到達位置(P4)的時間點停止。重複進行此運轉,而依 序將印墨塗佈於面板上之區隔區域内的像素電極。此塗佈 可依據喷嘴印刷法或喷墨法來實施。在週期地排列配置有 複數種色彩的有機EL元件之像素排列配置(例如有機EL彩 色顯示器的像素排列配置等)時,有時會將複數種色彩的發 光區域統稱為像素,將其中的單色發光區域稱為次像素 (subpixel),此時,對於次像素,亦同樣可適用本發明。 (有機EL元件的構造) 接下來更詳細地說明可藉由本發明的製造方法所製造 出之有機EL裝置中所安裝之有機EL元件的構造。 有機EL元件係由至少一對的電極、與包含夾持於該電 極間之發光層的有機EL層所形成之積層體。有機EL元件, 如以下所說明般,除了發光層之外,亦可設置各種有機EL 層。層的積層順序等,可採用各種變形例。 本發明中,有機EL元件並不限定於下列有機EL元件。 在本發明之有機EL裝置用基板的製造方法中,有機EL層 中的至少一層,係使用印墨且如上述實施形態等所示般藉 由包含預定的塗佈與乾燥之步驟所形成之層。其他層可藉 由其他方法來形成。 一般而言,構成有機EL元件之有機EL層為極薄之層, 層形成可採用各種成膜方法。以下的說明中,有時將層形 成稱為成膜。 有機EL元件,除了必須具有陽極、發光層及陰極之 19 322459 201141307 卜在陽極與發光層之間及/或發光層與陰極之間,可具有 其他層。 ' -有機EL it件的陽極,就能夠製造出通過陽極而發光之 兀件之觀點來看’較佳為可使光穿透之透明電極。該透明 電極可歹J舉電傳導度向的金屬氧化物、金屬硫化物或金屬 的薄膜冑極材料較佳為光穿透率高之材料,可因應有機 曰$適田地選擇。陽極材料,具體而言可列舉選自由氧 化姻、氧化鋅、氧化錫、IT〇、氧化姻辞(祕⑽Ζΐη。㈣如: 略稱_斤成群組的金屬氧化物,或是選自由金、翻、銀、 呂及3有此等金屬至少i種以上之合金所成的金 屬等。 陰極材料車又佳為功函數小且容易進行對發光層之電子 注^的材^·冑傳導度高的材料、以及可見光反射率高的 ^料可因應有機虹層來適當地選擇。陰極材料,具體而 。可歹J舉選自由驗金屬、驗土金屬、過渡金屬、III—B族 金屬及3有此等金屬至少i種以上之合金所成群組的金 屬。 發光層係含有有機化合物。通常,於發光層中含有發 出螢光或碟光之有機化合物(低分子化合物及高分子化合 物)°發光層可另含有摻雜材料(dopant material)等。形 成發光層之材料’例如可列舉下列色素系材料、金屬錯合 物系材料:高分子系材料、及摻_料等。 、、材料例如可列舉環喷達明(cyclopendamine) 衍生物E9笨基丁二婦衍生物化合物、三苯基胺衍生物、 20 322459 201141307 口f二唑衍生物、η比哇並喹琳(pyrazoloquinoline)衍生物、 * 二(苯乙嫦基)笨衍生物、二(苯乙烯基)伸芳基 (distyrylarylene)衍生物、β比洛衍生物、嗟吩環衍生物、 0比咬環衍生物、紫環酮(perinone)衍生物、茈(peryiene) • 衍生物、低聚噻吩衍生物、三延胡索醯胺衍生物、噚二唑 二聚物、°比唾琳二聚物等。 金屬錯合物系材料,例如可列舉:銦錯合物、鉑錯合 物等具有來自三重態激發狀態的發光之金屬錯合物;鋁喹 啉酚錯合物、苯並喹啉酚鈹錯合物、苯並噚唑辞錯合物、 本並嗟σ坐鋅錯合物、偶氮甲基辞錯合物、外琳錯合物、销 錯合物等具有Al、Zn、Be等金屬或是Tb、Eu、Dy等稀土 類金屬作為中心金屬,且具有噚二唑、噻二唑、苯基吡啶、 苯基笨並咪唑、喹啉結構等作為配位基之金屬錯合物等。 高分子系材料’例如可列舉聚(對伸苯基伸乙烯基) (P〇ly(p-phenylene rinylene))衍生物、聚噻吩衍生物、 聚對伸苯基衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚苐 衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、將上述色素系材料或金屬錯 合物系材料予以高分子化之材料等。 發光層’就提升發光效率或改變發光波長等為目的, 可含有摻雜材料。摻雜材料,例如可列舉茈衍生物、香豆 素(courmarin)衍生物、紅螢烯(rubrene)衍生物、喹吖啶 酮(quinacridone)衍生物、方酸菁(Squaryiium)衍生物、 卜琳衍生物、本乙稀系色素、稠四苯(tetracene)衍生物、 吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、十環烯(decacyclene)、吩 21 322459 201141307 ,(phen〇xaz〇ne)等。發光層的厚度,通常約為2nm至 2000nm 〇 有機EL元件中,發光層通常設置1層,亦可設置2層 以上。2層以上的發光層可相互鄰接而積層,亦可在發光 層之間設置發光層以外的層。 接著說明有機EL元件+之陽極、發光層及陰極以外的 層。 可設置在陽極與發光層之間之層,可列舉電洞注入 層、電洞輸送層、電子阻隔層等。纽置㈣洞注入 電洞輸送層兩者時,接近於陽極之層為電敎入層= 於發光層之層為電洞輸送層。當電洞注人屬或電洞輸送層 具有阻擋電子的輸狀倾時,此㈣亦可兼作為電子二 隔層。 電洞注入層可設置在陽極與電洞輸送層之間 與發光層之間。構成電洞注入層之電洞注人層材料並 別限制,可適當地使用-般所知的材料。電洞〜層材料寻 例如可列舉苯基胺系材料、星爆型胺系材料、酞菁 (phthalocyanine)系材料、腙(hydraz〇ne)衍生物、咔唑衍 生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、具有胺基之噚二唑衍【 物、氧化釩、氧化钽、氧化鎢、氧化鉬、氧化釕、氧化鋁 等之氧化物、非晶碳、聚笨胺、聚噻吩衍生物等。 , 構成電洞輸送層之電洞輸送層材料並無特別限制,例 如可列舉Ν,Ν’ -二苯基-N,N,一二(3一曱基苯基)4, 4,、二胺基 聯苯(TPD)、4,4’_雙萘基)|苯基胺基]聯笨一(腦) 322459 22 201141307 等芳香族胺衍生物、聚乙烯咔唑或其衍生物、聚石夕燒或其 衍生物、側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡 〇坐琳衍生物、芳私衍生物、二苯乙稀(sUibene)衍生物、 三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生 物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對伸笨基 基伸乙烯基)或其衍生物、或聚(2, 5-伸噻吩基伸乙烯基) 或其衍生物等。 & 可設置在陰極與發光層之間之層,可列舉電子注入 層、電子輸送層、電洞阻隔層等。當設置有電子注入層與 電子輸送層兩者時’接近於陰極之層為電子注入層,接近 於發光層之層為電子輸送層。當電子注入層或電子輸送層 具有阻擋電洞的輸送之功能時,此等層亦可兼作為電洞阻 隔層。 構成電子注入層之電子注入層材料,可因應發光層的 種類來適當地選擇’電子注入層材料例如可列舉驗金屬、 鹼土金屬、含有一種以上的鹼金屬及鹼土金屬之合金、含 有一種以上的鹼金屬及鹼土金屬之金屬氧化物、含有一種 以上的鹼金屬及驗土金屬之齒化物、含有一種以上的驗金 屬及驗土金屬之碳氧化物、以及此等之混合物等。 構成電子輸送層之電子輸送層材料並無特別限制,可 使用一般所知的材料。電子輸送層材料,例如可列舉噚二 坐衍生物、蒽酿二曱烧或其衍生物、苯酿(benzoquinone) 或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基 蒽酿二甲烷或其衍生物、苐酮或其衍生物、二苯基二氰基 23 322459 201141307 乙烯或其衍生物、聯苯艇(diphenoquinone)或其衍生物、 8-經基啥淋或其衍生物的金屬錯合物、聚喧琳或其街生 物、聚啥曙嚇"(polyquinoxaline)或其衍生物、聚苐或其衍 生物等。 有機EL元件中之有機EL層的具體層構成,玎列舉下 列層構成: a) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層 /電子注入層/陰極 b) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送廣 /陰極 c) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子浲八 /陰極 d) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 e) 陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子涑八廣 /陰極 Ο陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極 g) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 h) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 i) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子法八廣 /陰極 j) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 k) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 l) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 m) 陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 24 ^59 201141307 η)陽極/發光層/電子輸送層/陰極 〇)陽極/發光層/電子注入層/陰極 P)陽極/發光層/陰極 (在此,/表示各層鄰接而積層之音) 依據本發明而可製造出之有機EL裝置,為安裝有複數 個由上述有機EL元件所構成之像素的裝置。關於電性配 線、驅動手段(薄膜電晶體等)等之設置,可採用有機EL裝 置的製造中一般習知的型態。 依據本發明而可製造出之有機乩裝置,可用作為面狀 光源、區段(segment)顯示裝置、點矩陣(d〇tmatrix)顯示 裳置、液晶顯示裝置的背光源。 為了使用有機EL裝置來獲得面狀發光,只需使面狀的 陽極與陰極重疊配置即可。製得圖案狀的發光之方法,可 列舉.在則述面狀發光元件的表面設置設有圖案狀的窗之 遮罩之方法;將非發光部的有機物層形成極厚而使其實質 上不發光之方法;以及將陽極與陰極中的任一者或兩者的 電極形成為圖案狀之方法。藉由此等中的任一項方法來形 成圖案’並將數個電極配置為可獨立地進行〇N/〇FF,而得 至J可顯不數子或文字、簡單的記號等之區段型式顯示裝 置。為了製得點矩陣元件,可使用以將陽極與陰極皆形成 為長條狀並以呈正交之方式來配置之被動矩陣用基板、或 是以配置有薄膜電晶體之像素單位來進行控制之主動矩陣 用基板。藉由使用分塗發光色不同的發光材料之方法或 是使用彩色遽光片或螢光轉換據光片之方法,而可達成部 322459 25 201141307 分彩色顯示、多彩顯示。此等顯示裝置可用作為電腦、電 視、可攜式終端機、行動電話、車用導航、攝影機(video camera)的觀景窗等。 前述面狀的發光裝置為自發光薄型者,故可理想地用 作為液晶顯示裝置的背光用面狀光源、或是面狀的照明用 光源。若使用撓性基板,則亦可用作為曲面狀的光源或顯 示裝置。 [產業上之可利用性] 根據本發明,由於突起部的存在,而可一邊確保用以 達成均等化之印墨的流動性,—邊同時抑制液體移動的自 由度’故可達成液面的均—性,並可達成乾燥後的層厚均 一性。本發明中’在塗佈形成有機EL層之印墨時,會提升 塗佈區域内的液面均-性’抑制層厚不均,而降低像素間 的亮度差。藉此’本發明可提供—料予高品質的有機el 裝置之有機EL裝置用基板。 本發明之有機EL裝詈用 衣置用基板,係適合於藉由喷嘴印刷 法、喷墨法等印墨塗佈來制你山女塊ϋτ # 水裂作出有機EL裝置者。藉由使用 料度不均’而製得像素間的亮 度差小且&品質之有機£1^置’故本發明在卫業上乃極為 有用。 【圖式簡單說明】 第1圖係具不本發明的實施形態之有機此裝置用基板 之俯視圖。 第2圖係顯示第1圖所女塊ϋτ # _所不之有機EL裝置用基板之部分 322459 26 201141307 擴大圖。
I 第3圖係顯示第2圖所示之有機EL裝置用基板之A-A線剖面圖。 第4圖(A)及(B)係說明本發明的實施形態之突出部及 像素限制層的一例。 第5圖係顯示本發明的實施形態之塗佈步驟的一例之 喷嘴印刷中之喷嘴與面板(基板)的移動。 第6圖係顯示塗佈步驟的一例之喷嘴印刷中之喷嘴的 軌道。 第7圖係顯示本發明的實施形態之塗佈步驟的一例之 喷墨中之喷嘴與面板(基板)的移動。 第8圖係顯示本發明的實施形態之有機EL裝置用基板 的印墨塗佈狀態:第8圖(A)為剛塗佈印墨後(乾燥前)之剖 面圖,第8圖(B)為印墨乾燥後之剖面圖。 第9圖係顯示複數種色彩的印墨之塗佈步驟中之噴嘴 的軌道。 【主要元件符號說明】 1 有機EL裝置用基板 2 支撐基板 3 像素電極行 4 像素限制層 5 區隔壁 20、21 喷嘴 22 3連喷嘴 31 像素電極 41 開口 42 凹部 43 内周壁面 51 第1區隔壁 52 第2區隔壁 53 突出部 27 322459 201141307 71 ' 72 印墨 S1 Dd 有機EL裝置用基板的搬運方向 F1 低層的印墨流 F2 Ip 喷嘴的執道 Nb 、 Ng 、 Nm 喷嘴的移動方向 塗佈區域 南層的印墨流 Nr喷嘴 28 322459

Claims (1)

  1. 201141307 七、申請專利範圍·· ^ 1. 一種有機el裝置用基板,係具備: • μ支縣板,相互平行地形成麵數讀素電極行; ㈣^壁,用以區隔塗佈於前述像素電極行上之印墨 的塗佈^與塗佈於相鄰之前述像素電極行上之印墨 條狀前:區隔壁與前述像素電極行係交互地配置為長 以窄素電極之間’將前述區隔壁彼此的間隔予 至上部 係在前述區隔壁的壁面從其底部形成 2. 部Γ項所述,裝置用基板,其 中,相對於未开’/^成為•在前述區隔壁彼此的間隔 丁祁對於未形成突出部之部分 間隔之比率成為m至·。隔’使最窄部分的 3. 如申請專利範圍第丨或2 板,其中,配置有用以區劃構EL裝置用基 像素電極的像素限制層。 像素電極行之各個 4·如申請專利範圍第1至3項中任一項 置用基板,其中,前述突出部係從相項二述之有機歸 壁面以呈相對向之方式形成。々日互鄰接之區隔壁的 5.:申請專利範 中,前述突出部係從相互鄰接之置用基板,其 阳雙的壁面以呈相對 322459 1 201141307 向之方式形成,前述像素限制層係以使突出部的底部彼 此連接之方式配置。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之有機EL裝 置用基板,其中,從前述支撐基板的垂直方向觀看時, 前述突出部係形成為大致呈圓弧狀。 7. 如申請專利範圍第3或5項所述之有機EL裝置用基 板,其中,前述區隔壁係由有機材料所形成,前述像素 限制層係由無機材料所形成。 8. —種有機EL裝置的製造方法,其包含將含有有機EL 材料之印墨塗佈於前述申請專利範圍第1至7項中任一 項所述之有機EL裝置用基板中的印墨塗佈區域後,使 前述印墨乾燥而形成有機EL層之步驟。 9. 一種有機EL裝置,其係藉由前述申請專利範圍第8項 所述之方法製造者。 2 322459
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