TW201136910A - Aminoanthracene derivative and organic electroluminescent element formed using same - Google Patents

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201136910 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種胺基蒽衍生物及使用其之有機電激發 光元件，尤其係關於奇命長且尚發光效率之有機電激發光 元件以及獲得其之胺基蒽衍生物。 【先前技術】 使用有機物質之有機電激發光（EL)元件有望用於固體發 光型之^貝廉之大面積全彩顯不元件之用途，進行多種開 發。通常’有機EL元件係由發光層及夾持有該層之一對之 對向電極所構成。發光係如下現象：若於兩電極間施加電 場’則自陰極側注入電子，自陽極側注入電洞；進而，該 電子於發光層中與電洞再結合’生成激發狀態，激發狀態 恢復為基底狀態時使能量作為光而釋放出。 先前之有機EL元件與無機發光二極體相比，驅動電壓 高’發光亮度或發光效率亦低。又’特性劣化亦明顯而無 法達到實用化。最近之有機EL元件雖緩緩經改良，但要求 進一步之高發光效率、長壽命。 例如，揭示有將單一之單慧化合物用作有機發光材料之 技術（專利文獻1)。然而，該技術中，例如於電流密度1 mA/cm2下’僅獲得1650 cd/m2之亮度，效率為i ed/A，極 低，並不實用。又，揭示有將單一之雙蒽化合物用作有機 發光材料之技術（專利文獻2)。然而，該技術中’效率亦為 1〜3 cd/A左右，較低，謀求用以實用化之改良。另—方 面，提出有將使用二苯乙烯基化合物，於其中添加有笨乙 153939.doc 201136910 稀土胺等者用作有機發光材料的長壽命之有機元件（專 利文獻3)。然而，該元件之壽命並不充分，謀求進一步之 改良" 又，揭不有將單或雙蒽化合物與二苯乙烯基化合物用作 有機發光媒體層之技術（專利文獻4)。然而，該等技術中， 由於苯乙烯基化合物之共輕結構，發光光譜長波長化而使 色純度惡化。 又，專利文獻5中揭示有將中心具有伸芳基且二笨并呋 喃環鍵結於氮原子之芳香族胺衍生物用作電洞傳輸材料之 發明’專禾J文獻6中揭示有將=苯并吱喃環、二苯并噻吩 環、苯并呋喃環、苯并噻吩環等經由伸芳基而鍵結於氮原 子上之芳香族胺衍生物用作電洞傳輸材料之發明，但並無 用作發光材料之例。 進而，專利文獻7令記載有具有二苯并呋喃基胺基之 感。但疋，謀求發光效率、壽命之進一步提高。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:曰本專利特開平1 1-3782號公報 專利文獻2 :曰本專利特開平8-12600號公報 專利文獻3:國際公開W094/006157號公報 專利文獻4:日本專利特開2001-284050號公報 專利文獻5:曰本專利第3508984號公報 專利文獻6 :國際公開WO2007/125714號公報 專利文獻7 :國際公開W02009/084572號公報 153939.doc 201136910 【發明内容】 發明所欲解決之問題 本發明係為了解決上述問題而形成者，目的在於提供一 種壽命長且高發光效率之有機EL元件以及獲得其之胺基蒽 衍生物。 解決問題之技術手段

本發明者等為達成上述目的而反覆進行積極研究，结果 發現，藉由將於2位以外之位置鍵結之二苯并呋喊環 '二 苯并噻吩環等具有末端取代基之胺基蒽衍生物用作有機E L 凡件用材料，則成為高發光效率，且長壽命化，從而完成 本發明。 即，本發明提供一種下述式（1)所表示之胺基蒽衍生 物。 [化1] [式中，R〗表示氫原子、鹵素原子（較佳為氟原子）、經取代 或未經取代之環形成碳數6〜50之芳基、經取代或未經取代 之環形成原子數5〜50之雜環基、經取代或未經取代之碳數 1〜50之烷基、經取代或未經取代之碳數3〜5〇之環烷基、經 取代或未經取代之碳數卜⑼之烧氧基、經取代或未2取代 之環形成碳數7〜50之芳烷基、經取代或未經取代之環形成 碳數6〜50之芳氧基、經取代或未經取代之環形成碳數=5〇 之芳硫基、經取代或未經取代之碳數2〜5〇之烷氧基羰基、忘 153939.doc ·5_ 201136910 經取代或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基、羧基、胺 基、氰基、硝基或經基。m為1〜8之整數，於m為2以上之 情形時’複數個r ,可分別相同，亦可不同。

Ar广Ar4分別獨立地為經取代或未經取代之環形成碳數 6〜50之芳基、經取代或未經取代之碳數丨〜5〇之烷基、經取 代或未經取代之環形成碳數3〜50之環烷基、經取代或未經 取代之環形成礙7〜50之芳烷基、或者經取代或未經取代之 環形成原子數5~50之雜環基。 其中，Ar广An中1個以上為下述式（2)、（3)或（4)所表示 之基。 [化2]

(式中，X為氧（0)、硫（S)或栖（Se)，尺2為氫原子、經取代 或未經取代之環形成碳數6〜60之芳基、經取代或未經取代 之碳數1〜5 0之院基、經取代或未經取代之碳數2〜5 〇之稀 基、胺基、經取代或未經取代之碳數^50之烷氧基、取代 或未經取代之環形成碳數6〜50之芳氧基、經取代或未經取 代之環形成碳數6〜50之芳硫基、經取代或未經取代之碳數 1〜50之烷氧基羰基、鹵素原子（較佳為氟原子）、氰基、硝 基、羥基、經取代或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基或 缓基。η為1〜7之整數’當η為2以上時，複數個r〗可分別相 同，亦可不同。又，於R2為複數個情形時，可相互鍵結而 形成飽和或不健和之可經取代之2價基。又，並無&鍵結 153939.d〇c 201136910 於包含X之5員環部分的情況）]。 又，本發明提供-種有機肛元件，其係於陰極與陽極間 =持有含有發光層之—層或複數層的有機薄膜層 ’並且該有機薄膜層之至少一層係含有上述胺基蒽衍生 物作為單獨或混合物之成分。 發明之效果 古使用本發明之胺基衍生物之有機肛元件的發光效率 间’即便長時間使用，亦難以劣化而壽命長。 【實施方式】 本發明之蒽衍生物係下述式⑴所表示之化合物。 [化3] Αγ4⑴ 式（1)十，Ri為氫原子 '鹵素原子（較佳為氟原子）、經取 代j未經取代之環形成碳數6〜50(較佳為環形成碳數6〜2〇) =方基、經取代或未經取代之環形成原子數5〜5〇(較佳為 衣开V成原子數5〜20)之雜環基、經取代或未經取代之碳數 (較佳為奴數1〜20)之院基、經取代或未經取代之碳數 3 5〇(較佳為環形成碳數5〜12)之環烷基、經取代或未經取 代之碳數1〜5〇(較佳為碳數1〜20)之烷氧基、經取代或未經 取代之％形成碳數7〜5〇(較佳為環形成碳數7〜2〇)之芳烷 甘 身 土、經取代或未經取代之環形成碳數6〜50(較佳為環形成 碳數7〜20)之芳氧基、經取代或未經取代之環形成碳數 153939.doc 201136910 (較佳為％形成碳數7〜2〇)之芳硫基經取代或未經取 、反數5G(較佳為碳數2〜2Q)之院氧基幾基、經取代或 未&取代之方基及/或燒基石夕烧基、竣基、胺基、氰基、 肖基或&基。„!為！〜8(較佳為卜4，進而較佳為卜2)之整 數，於m為2以上夕棒丑> „ 士 ^ ^ 上之If形時，複數個心可分別相同，亦可不 同。 以下，對Rl所示之各基之具體例進行說明。 作為上述芳基，例如可列舉：苯基、2甲基苯基、3_甲 基苯基4甲基苯基' 4_乙基苯基、聯苯基、4_甲基聯苯 基' 4-乙基聯苯基、4·環己基聯苯基、聯三苯基、3,二 氯苯基、萘基、5-甲基蔡基、菲基、蒽基、祐基、疾基、 丙二烯合第基、茈基' 9,9_二甲基苐基等。 作為上述雜環基，例如可列舉：咪唑、苯并咪唑、吼 咯、呋喃、噻吩、噁二唑啉、吲哚啉、咔唑、吡啶、喹 啉、異喹啉、苯醌、pyralozine、咪唑啶、哌啶、嘧啶、 苯并呋喃、二苯并呋喃、笨并噻吩、二苯并噻吩、三p井等 之殘基。 作為上述烷基，可列舉碳數卜2〇之直鏈或分支之烷基、 碳數1〜20之直鏈或分支之鹵烷基，例如可列舉：甲基、乙 基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基 '第三丁基、戊基、 己基、庚基、辛基、硬脂基、2-苯基異丙基、三氣甲基、 二氟曱基、苄基、α-苯氧基苄基、α，α_二甲基苄基、以以_ 甲基本基苄基、α，α-一（二氟甲基）苄基、三苯基甲基、心 苄氧基苄基等。 153939.doc 201136910 作為上述環烷基，例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊 基、環己基、裱庚基、環辛基、環壬基雙環庚基、雙環 辛基、三環庚基、金剛燒基等’較佳為環戊基、環己基、 環庚基、雙環庚基、雙環辛基、金剛烷基。 作為上述烷氧基，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧 基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁 氧基、各種戊氧基、各種己氧基等。 作為上述芳烷基，例如可列舉：苄基、卜苯基乙基、2_ 苯基乙基、1-苯基異丙基、2_苯基異丙基、苯基第三丁 基' α-萘基曱基、1-α_萘基乙基、2 (χ萘基乙基、1α·萘基 異丙基、2-α-萘基異丙基、β_萘基曱基、萘基乙基、2_ β-萘基乙基、l-β-萘基異丙基、2_β_萘基異丙基、1α比咯基 甲基、2-(1-η比咯基）乙基、對曱基苄基、間曱基苄基、鄰 曱基苄基、對氯苄基、間氣苄基、鄰氯苄基、對溴苄基、 間溴苄基、鄰溴苄基、對硬苄基、間蛾苄基、鄰峨苄基、 對經基苄基、間羥基苄基、鄰羥基苄基、對胺基苄基、間 胺基苄基、鄰胺基苄基、對硝基苄基、間硝基苄基、鄰硝 基苄基、對氰基苄基、間氰基苄基、鄰氰基苄基、b羥基_ 2-苯基異丙基、1-氣-2·苯基異丙基等。 作為上述芳氧基、芳硫基，表示為_〇γ、_SY，γ可列舉 與上述之芳基相同之例。 作為上述烷氧基羰基，表示為_C〇〇Z，Z可列舉與上述 之燒基相同之例。 作為上述芳基及/或烷基矽烷基，可列舉三甲基矽垸 153939.doc 201136910 基、三乙基矽烷基、三苯基矽烷基、第三丁基二甲基矽燒 基、第三丁基二苯基矽烷基等。 式（1)中’ Αη-Αι*4分別獨立地為經取代或未經取代之環 形成碳數6~50(較佳為環形成碳數6〜2〇)之芳基、經取代或 未經取代之碳數1〜50(較佳為碳數1〜20)之烷基、經取代或 未經取代之環形成碳數3〜50(較佳為環形成碳數5〜12)之環 烷基、經取代或未經取代之環形成碳7〜5〇(較佳為環形成 碳數7~20)之芳烧基、或者經取代或未經取代之環形成原 子數5〜5 0(較佳為環形成原子數5〜2〇)之雜環基。 作為Αγ,-Αγ4所表示之各基之具體例，可列舉與上述& 相同之例。 其中，Ari〜Ar·4中1個以上為下述式（2)、（3)或⑷所表示 之基。 藉由將於1位、3位、4位鍵結之二苯并呋喃環、二笨并 噻吩環等具有剛直性且具有立體性大體積之末端取代基的 胺基蒽衍生物用作有機EL元件用材料，則分子内之立體阻 礙性提尚’可防止分子間之缔合，由此認為變得難以濃度 消光而成為高發光效率，從而長壽命化。 [化4]

式（2) (4)中，X為氧（〇)、硫（§)或洒（Se)，&為氫原子' 經取代或未經取代之環形成碳數6〜60(較佳為環形成碳數 6〜2〇)之芳基、經取代或未經取代之碳數卜5G(較佳為碳數 153939.doc 201136910 1〜20)之烷基、經取代或未經取代之碳數2~5〇(較佳為碳數 2〜2〇)之烯基、胺基、經取代或未經取代之碳數1〜50(較佳 為石反數1〜20)之烷氧基、經取代或未經取代之環形成碳數 6〜50(較佳為環形成碳數7〜2〇)之芳氧基、經取代或未經取 代之環形成碳數6〜50(較佳為環形成碳數7〜2〇)之芳硫基、 經取代或未經取代之碳數^50(較佳為碳數2〜2〇)之烷氧基 羰基、鹵素原子（較佳為氟原子）、氰基、硝基、羥基、經 取代或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基或者羧基。η為 1〜7(較佳為1〜4)之整數，當11為2以上時，複數個&可分別 相同，亦可不同。上述x若為氧（〇)、硫（s)或硒（Se)中之 (〇) ’則尤佳。 又，於為複數個情形時，可相互鍵結而形成飽和或不 飽和之可經取代之2價基。又，並無&鍵結於包含X之$員 環部分的情形。 、 ’可列舉與上述心相同之 作為R2所示之各基之具體例 例，作為心上不存在之稀基，例如可列舉：乙稀基、稀丙 基、1-丁烯基、2-丁烯基、3_丁烯基、丨，3_丁二稀基、i甲 基乙稀基、笨乙稀基、2,2·二苯基乙烯基、M•二苯基乙 烯基等。 又，作為複數個112相纟鍵結而形成之2價1 ,例如若以乂 為氧、硫之情形為例，則可列舉下述之結構等但並不限 定為該等例示化合物。X，即便χ為氧、硫以外，亦可列 舉相同之例。 153939.doc 201136910 [化5] g^r 淡 上述各式及以下所說明之各式之「經取代或未經取代 之.··基」中，作為任意之取代基，可列舉：經取代或未經 取代之％形成岐數6〜50之芳基、經取代或未經取代之碳數 1〜50之烷基、經取代或未經取代之碳數丨〜咒之烷氧基、經 取代或未經取代之環形成碳數7〜5〇之芳烷基、經取代或未 經取代之環形成碳數6〜50之芳氧基、經取代或未經取代之 環形成碳數6〜50之芳硫基 '經取代或未經取代之碳數卜” 之烷氧基羰基、胺基、函素原子（較佳為氟原子）、經取代 或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基、氰基、硝基、經 基、羧基等。 5亥卓之中’較佳為奴數1〜1〇之院基、碳數$〜7之環燒 基 '碳數ι~ιο之烷氧基，更佳為碳數丨〜6之烷基、碳數5〜7 之環烷基，尤佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁 基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、環戊基、環 己基。 153939.d〇c •12· 201136910 」係表示「藉由自芳香 」’不僅包含1價之芳基 族化合 ’亦包 再者，本發明中，「芳基 物中去除氫原子而導出之基 含2價之「伸芳基」等。 所明未經取代」，係表示氫原子取代。 :，本說明書中所記載之化合物之氫原子中包含輕氫、 一上述式（！）中，Ar，及ΑΓ3較佳為上述式⑺、⑺或⑷所表 示之基，進而較佳為（4)。 上述式（1)較佳為下述式（6)所表示。 [化6] <β> (式中ΑΓΐ〜ΑΓ4與上述相同，R"及Ri2分別與r!相同）。 較佳為該式（6)之伸蒽基之2位上鍵結有-心仏且6位上 鍵結有-NAr3Ar4 ’或者式（6)之伸惹基之9位上鍵結有_νΑγ】ΑΓ2 且10位上鍵結有-NAr3Ar4。 以下列出本發明之式⑴所表示之胺基蒽衍生物之具體 例，但並不限定於該等例示化合物。 [化7]

153939.doc 201136910

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I53939.doc -15- 201136910

繼而，對本發明之胺基蒽衍生物之製造方法進行說明。 本發明之式（1)所表示之胺基蒽衍生物之製造方法並無 特別限定，只要利用公知之方法製造即可，例如可將利用 Chem，Commun·， 1997，73(M. A. Rabjohns 等人）中 I己載的方 法所獲得的2,6-二溴惠醌，利用二芳基胺進行胺基化而製 造芳香族胺衍生物。 153939.doc -16- 201136910 本發明之胺基蒽衍生物適宜作為有機el元件用材料，尤 佳為發光材料’適宜用作藍色系發光材料或者綠色系發光 材料。 又’本發明之胺基蒽衍生物亦適宜作為有機EL元件用摻 雜材料。 本發明之有機EL元件係於陽極與陰極間形成有一層或複 數層之有機薄膜層之元件。於一層型之情形時，於陽極與 陰極之間設置有發光層。發光層含有發光材料，除此以 外，為使自陽極注入之電洞、或者自陰極注入之電子傳輸 至發光材料，亦可含有電洞注入材料或者電子傳輸材料。 本發明之胺基蒽衍生物由於具有較高之發光特性，且具有 優異之電洞注入性 '電洞傳輸特性及電子注入性電子傳 輸特〖生’故可作為發光材料或摻雜材料而用於發光層中。 本發明之有機EL元件中，較佳為發光層含有本發明之胺 基蒽衍生物，含量通常為心卜“重量％，進而較佳為含有 1〜10重量。/。。又，本發明之胺基蒽衍生物由於兼具極高之 螢光量子效率、較高之電洞傳輸能力以及電子傳輸能力， 可形成均勻之薄膜，故亦可僅以該胺基蒽衍生物形成發光 層。 於將本發明之胺基蒽衍生物用作有機EL元件之發光材料 清Φ時，較佳為發光層含有本發明之胺基蒽衍生物之至 少1種以及選自下述式（40)所表示之化合物中之至少丨種， 選自本發明之胺基蒽衍生物中之至少i種較佳為推雜材 ；i^自下述式（40)所表示之化合物中之至少丨種較佳為主忘 153939.doc 17 201136910 體材料。 以下，對式（40)所表示之化合物進行說明。 [化 11]

(式（40)中，分別表示氫原子、氟原子、經取代或 未經取代之碳數卜1〇之烷基、經取代或未經取代之碳數 3〜1〇之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜3〇之烷基矽烷 基、經取代或未經取代之環形成碳數8〜3〇之芳基矽烷基、 經取代或未經取代之碳數丨〜⑼之烷氧基、經取代或未=取 代之環形成碳數6〜20之芳氧基、經取代或未經取代之環形 成碳數6〜30之芳基、或者經取代或未經取代之環形成原^ 數5〜3〇之雜環基，ΑΓ〗2、表示經取代或未經取代之環 形成碳數6〜30之芳基、或者經取代或未經取代之環形 子數5〜30之雜環基）。 式（40)較佳為上述Ar12與Ar13為不同之基。 上述式（40)中，〆與Aru中之至少一者較佳為具有經 取代或未經取代之環形成原子數丨〇〜3〇之縮合環基之取代 过式（40)較佳為下述式（41)所表示之蒽衍生物。 153939.doc -18- 201136910 [化 12]

(式中，Ar1G1〜A心分別獨立地為經取代或未經取代之環形 成碳數6〜30之芳基、或者經取代或未經取代之環形成原^ 數5〜30之雜環基）。 上述式（41)所表示之蒽衍生物較佳為下述式（42)、㈠3)或 (44)所表示之蒽衍生物。 [化 13]

Rn及R32分別獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳 數1〜10之烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之環烷基、 經取代或未經取代之碳數3〜30之烷基矽烷基、經取代或未 經取代之環形成碳數8〜3 0之芳基矽烧基、經取代或未經取 代之環形成碳數6〜30之芳基、或者經取代或未經取代之環 形成原子數5〜30之雜環基。 a及b分別獨立地為ι〜7之整數）。 上述式（42)中，於a為2以上之情形時，複數個r31可分別 153939.doc 1Ω 201136910 相同，亦可不同，鄰接 州按之&丨彼此可形 式（43)之b與R32亦同樣。 人長。此情況對於 [化 14]

(式中’ Arm〜Al*1Q5分別獨立地為經取代或未經 (4 4) 基、或者經取代或未經取代之環形成原子 八4丨次Κ42分別獨立地為氫原 4取代或未經取代之碳 數1〜10之烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之環烷基、 經取代或未經取代之碳數3〜3〇之烷基矽烷基、經取未 經取代之環形成碳數8〜3G之芳基我基、經取代或未經取 代之環形成碳數6〜30之芳基、或者經取代或未經取代之環 形成原子數5〜30之雜環基。 c及d分別獨立地為ι〜4之整數）。 式（44)中，於c為2以上之情形時，複數個r4丨可相同，亦 可不同’鄰接之R41彼此可形成環。此情況對於d與R42亦同 樣。 上述式（41)、（42)、（43)及（44)之An 〇3較佳為經取代或未 經取代之苯基。 又’（40)較佳為下述式蒽衍生物（48)。 蒽衍生物（45)係式（40)所表示之蒽衍生物之R101、r102、 153939.doc •20· 201136910 R】07、R108中夕紅 ^ ., 甲之任一者為經取代或未經取代之環形成碳數 6〜=芳基^者經取代或未經取代之環形成原子數㈠〇 雜衣基’、.’k取代或未經取代之環形成碳數6〜川之芳基、 或。者經取代或未經取代之環形成原子數5〜3〇之雜環基 R 、/102、R,07、Rl°8以外之 R1。1、R1。2、Ri。、R 哪之全 部為氫原子’式(4〇)所表示之蒽衍生物之r1〇3〜Ri〇6中之任 一者為經取代或未絲代之環形成魏6〜取芳基、或者 :取代或未經取代之環形成原子數5〜3〇之雜環基；經取代 =經取代之環形成碳數6〜3〇之芳基、或者經取代或未經 R〜R 之全部為氫原子。 葱衍生物塊佳訂料（Μ)所衍 [化 15]

(式中，Ar丨〇丨〜Ar丨03及Ar丨丨0分別鉬 办切, 別獨立地為經取代或未鳋取获 之％形成碳數6〜30之芳基、七土 、工取代 ^ ^ 或者經取代或未經取代之璟$ 成原子數5〜30之雜環基卜 上述式（40)較佳為下述式（ )所表不之蒽衍生物。 153939.doc

S 201136910 [化 16]

(式中，Rl〇1〜Rl08、Ar13與式（40)相同。 為、取代或未經取代之環形成碳數6〜3 〇之芳基、經 取代或未經取代之環形成原子數5〜3〇之雜環基、經取代或 未’’取代之礙數1〜〇之烧基、經取代或未經取代之環形成 碳數3 1〇之環烷基、經取代或未經取代之碳數1〜之炫氧 基' 經取代或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基、氰基、 或者氟原子。 胃 b為0〜7之整數。於bg2以上之整數之情形時，存在複數 個之R 11可相同，亦可不同）。 式（50)之蒽衍生物中，較佳為下述式（51)所表示之衍生 [化 17]

(式中，R丨0丨〜Ri〇«、R丨丨丨、b與式（5〇)相同。 取代或未經取代之碳數1~1〇之烷基、 環形成碳數3〜1〇之環烷基、或者經迅

Ar14為經取代或未經取代之環形成碳數6〜3〇之芳基、經 之環形 祝丞、經取代或未經取代之 或者經取代或未經取代之環形 153939.doc -22- 201136910 成原子數5〜3 0之雜環基）β 再者，作為Ar〗4，亦較佳為9,9-二甲基第·基、9 9_二 曱基第-2-基、9,9-二甲基第-3_基、9 9·二甲基第·4基、二 苯并呋喃-1-基、二苯并呋喃_2_基、二苯并呋喃基、或 者二苯并呋喃-4-基。 ~ 又，除式（5〇)以外，蒽衍生物可為下述式（52)〜(58)所表 示之蒽衍生物中之任一者。 [化 18]

(式中，R101〜R108與式（5〇)相同。

Ar 、Ar16分別表示氫原子、環形成碳數6〜3〇之芳基或 者經取代或未經取代之環形成原子數5〜30之雜環，Ar»5可 與其所鍵結之萘環一起形成環）。 [化 19] 153939.doc (式中 .17

取代或未經取代之碳數lM〇之烷基、經取代或未經取代 之 -23· 201136910 環形成碳數3〜10之環烷基、或者經取代或未經取代之環形 成原子數5〜30之雜環基）。

Ar17例如較佳為二苯并呋喃·1·基、二苯并呋„南·2_基、二 苯并呋喃-3-基、或者二苯并呋喃-4-基。 [化 20]

(式中，R^-R78分別獨立地為氫原子、經取代或未經取代 之碳數1〜1 0之烧基、經取代或未經取代之碳數3〜丨〇之環炫 基、經取代或未經取代之碳數3〜3〇之烷基矽烷基、或者經 取代或未經取代之環形成碳數8〜30之芳基矽烷基。 R”為氫原子、經取代或未經取代之碳數卜⑺之烷基、 經取代或未經取代之碳數3〜1〇之環烷基、經取代或未經取 代之碳數3〜30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之環形成 碳數8〜3 0之芳基矽烷基、經取代或未經取代之環形成碳數 6〜3〇之芳基、或者經取代或未經取代之環形成原子數5〜30 之雜壤基。 e為1〜4之整數。 ΑΓ6為經取代或未經取代之環形成碳數6〜30之芳基、或 者心取代或未經取代之環形成原子數5〜3〇之雜環基。 ΑΓ7為經取代或未經取代之環形成碳數10〜20之縮合芳 基或者經取代或未經取代之環形成原子數9 〜20之縮合雜 153939.doc -24- 201136910 環基）。 [化 21]

(式中，R101~R108與式（50)相同。

Ar為經取代或未經取代之環形成碳數6〜3 〇之芳基、經 取代或未經取代之碳數卜10之烷基、經取代或未經取代之 %形成碳數3〜10之環烷基、或者經取代或未經取代之環形 成原子數5〜50之雜環基。又，Aru亦可與其所鍵結之苯環 一起形成環。

Ar19為經取代或未經取代之環形成碳數6〜3〇之芳基、經 取代或未經取代之碳數1〜10之烷基、經取代或未經取代之 環形成碳數3〜10之環烷基、或者經取代或未經取代之環形 成原子數5〜30之雜環基）。 [化 22]

(式中，R1G1〜R1G8與式（50)相同。 L為單鍵、經取代或未經取代之環形成碳數6〜5〇之伸芳 基或者2價之經取代或未經取代之環形成原子數5〜5〇之雜 環基。 153939.doc •25- 201136910 ΑΓ為經取代或未經取代之環形成碳數6〜30之芳基、或 者經取代或未經取代之環形成原子數5〜3G之雜環基。 X為氧原子、硫原子、_NRl31 r13 3，⑴、 η 132 η ⑴、 、 Κ 、R /刀別表示與H101〜R〗08相同之基。 R為經取代或未經取代之環形成碳數6 〜30之芳基、經 取代或未經取代之環形成原子數5〜3()之雜環基、經取代或 未經取代之碳l〜1G之縣、經取代或未經取代之環形成 碳數3〜1G之環烧基、經取代或未經取代之碳數卜20之炫氧 基、經取代或未經取代之芳基及/或烧基石夕絲、氰基、 或者氟原子。 m為〇〜7之整數β於瓜為2以上之整數之情形時，存在複 數個之R121可相同，亦可不同）。 [化 23]

(式中，R101〜R108與式（50)相同。

Ar22為經取代或未經取代之環形成碳數6〜3〇之芳基或者 經取代或未經取代之環形成原子數5〜3〇之雜環基。 R201為經取代或未經取代之環形成碳數6〜3〇之芳基、經 取代或未經取代之環形成原子數5〜30之雜環基、經取代或 未經取代之碳數1〜1 〇之烷基、經取代或未經取代之環形成 碳數3〜10之環烷基、經取代或未經取代之碳數丨〜2〇之貌氧 153939.doc -26- 201136910 基、經取代或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基'氰基、 或者氟原子》 P為0〜4之整數。於p為2以上之整數之情形時，存在複數 個之R201可相同，亦可不同）。 除上述以外，下述式（58)所表示之化合物亦可適宜用作 主體材料。

(S8) 本發明之有機EL元件中，發光層等各有機層之形成可應 用真二蒸鑛、分子束蒸鑛法（MBE法，molecular beam [化 24] epitaxy)、濺鍍、電漿、離子電鍍等乾式成膜法或溶解於 溶劑中之溶液之旋塗、浸潰、澆鑄、棒塗、輥塗、淋塗、 噴墨等塗佈法。 尤其於使用本發明之胺基蒽衍生物製造有機EL元件之情 形時’有機化合物層及發光層不僅可藉由蒸鍍，而且亦可 藉由濕式而成膜。 有機化合物層之各層之膜厚並無特別限定，但必需設定 為適田之膜厚。通常若膜厚過薄，則產生針孔等，有即便 施加電場亦無法獲得充分之發光亮度之虞，相反若過厚， 則為了獲得-定之光輸出而需要較高之施加電壓，效率變

S 153939.doc 27- 201136910 差，因此通常膜厚較估 〜0.2μιη之範圍。為S’”"之範圍，進而較佳為 於濕式成膜法之情弗吐 時，可使用含有本發明之胺基蒽衍 生物、及浴劑之含有播 材料，該含有機ELH材料之溶液作為有機^元件用 枓之溶液較佳為使用含有本發明之胺 一何生物、及選自±述式（5〇)〜（59)所表示之化合物中之 至少1種的含有機EL材料之溶液。 於此㈣時’使形成各層之有飢材料溶解或分散於適 劑中而製備含有機肛材料之溶液，形成薄膜，該溶 u一者。作為溶劑，例如可列舉：二氯甲烷、二氯 =、氯仿、四氯化碳、四氯乙院、三氯乙院、氯苯、二 :本氯甲本、三氟甲笨等鹵素系烴系溶劑，或二丁醚、 四氫咬喃、四氫㈣、二号燒、苯甲喊、二甲氧基乙烧等 鱗系溶劑’甲醇或乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、戊醇、己 酵、環己醇'甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、乙二醇等醇系溶 劑’丙酮、甲基乙基酮、二乙基綱、2_己嗣、甲基異丁基 酮、2_庚網、4·庚嗣、—S- τ * $fi — 度一異丁基酮、丙酮基丙酮、異佛爾 _、環己酮、甲基己_、苯乙銅等嗣系溶劑，苯、甲苯、 —曱本、乙基苯、己烧、環己烧、辛院、癸燒、四氯蔡等 ㈣溶劑’乙酸乙醋、乙酸丁酯、乙酸戊醋等醋系溶劑， 碳酸二？醋、碳酸甲基乙醋、碳酸二乙醋等鏈狀碳酸醋系 溶劑，碳酸乙二醋、碳酸丙二醋等環狀碳酸酯系溶劑等。 其中，較佳為甲苯、二呤烷等烴系溶劑或醚系溶劑。又， 該等溶劑可單獨使用一種，亦可混合兩種以上使用。再 153939.doc •28· 201136910 者’可使用之溶劑並不限定於該等。 又’任-有機化合物層中，均可為了提高成膜性、防止 膜之針孔等而添加適當之樹脂或添加劑。作為可使用之樹 月曰，可列舉.聚苯乙埽、聚碳酸醋、聚芳醋、聚醋、聚醒 胺、聚胺基甲酸醋、聚石風、聚甲基丙婦酸甲醋、聚丙稀酸 甲醋、纖維素等絕緣性樹脂以及其等之共聚物，聚+_乙 烯基味唾、聚石夕烧等光導電性樹脂’聚苯胺、聚嗟吩、聚 吼洛等導電性樹脂等。又，作為添加劑，可列舉抗氧化 劑、紫外線吸收劑、塑化劑等。 為了提高由本發明獲得之有機£]1元件之對溫度、濕度、 環境氣體等之穩定性，亦可於元件之表面設置保護層，或 利用矽油、樹脂等保護元件整體。 本發明之有機EL元件中，較佳為於一對電極之至少一表 面配置有選自硫屬化合物層、齒化金屬層及金屬氧化物層 中之層者。 (有機EL元件之構成） 以下，對本發明之有機EL元件之元件構成進行說明。 作為本發明之有機£1^元件之代表性元件構成，可列舉 (1) 陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子傳輸層/陰極 (4) 陽極/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/陰極 (5) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6) 陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極 153939.doc -29· 201136910 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8) 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極 (9) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (10) %極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (11) 陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層Λ絕緣層/陰極 (12) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/絕緣層/ 陰極 (13) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳 輸層/陰極等結構 該等之中，通常較佳為使用之構成。 本發明之有機EL元件係製作於透光性之基板上。此處所 謂之透光性基板係支持有機EL元件之基板，較佳為 400〜700 nm之可視區域之光之穿透率為5〇%以上且平滑之 基板。 具體而言’可列舉玻璃板、聚合物板等^作為玻璃板， 尤其可列舉鈉鈣玻璃、含鋇‘锶之玻璃' 鉛玻璃、鋁♦酸 玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等。又，作為聚 合物板’可列舉：聚碳酸酯、丙烯酸系、聚對苯二曱酸乙 二酯、聚醚砜、聚砜等。 本發明之有機EL元件之陽極係擔負將電洞注入至電洞傳 輸層或者發光層中之作用者，有效果的是具有4.5 ev以上 之功函數。作為本發明中使用之陽極材料之具體例，可鹿 用乳化銦錫合金（ITO，Indium Tin Oxide)、氧化锡 (NESA，奈塞）、金、銀、鉑、銅等。又，作為陽極，為了 153939.doc •30· 201136910 向電子傳輸層或者發光層中注入電子的目的，較佳為功 數小之材料。 陽極可藉由以蒸鍍法或濺鍍法等方法使該等電極物質形 成薄膜而製作。 v 於如此自陽極取出來自發光層之發光之情形時，較佳為 陽極對發光之穿透率大於10%。又，陽極之薄片電阻較佳 為數百Ω/□以下。陽極之膜厚雖亦取決於材料，但通常於 10 nm〜1 μηι、較佳為1〇〜2〇〇 nm之範圍中選擇。 有機EL兀件之發光層係兼具以下之功能者。即具有： (1)注入功能：可於電場施加時自陽極或電洞注入層注入電 /同，且自陰極或電子傳輸層注入電子之功 洞） ⑺傳輸功能：可以電場之力使所注入之電荷(電子與電 移動之功能； (3)發光功能 之功能。 提供電子與電社再結合之場所，使其發光 同之；主人♦易度與電子之注人容易度可存在不 又’電洞與電子之移動度所表示之傳輪能力亦可存在 '但較佳為使任一方之電荷移動。 =成該發光層之方法，例如可應用蒸鑛法、旋塗 佳為分子堆積膜。束）法專公知之方法。發光層尤 此處所謂之分子堆積膜，係指 沈積而形成之薄膜、或由溶液狀離或態之材料化合物 物固體化而形成之膜，通常該分子堆稽目狀感之材料化合 子堆積膜可根據凝集結忘 153939.doc -31 - 201136910 構、高次結構之差異或由其引起之功能性差異而與利用£β 法形成之薄膜（分子累積膜）加以區分。 又，將樹脂等黏合劑與材料化合物溶解於溶劑令而製成 溶液後，亦可藉由利用旋塗法將其薄膜化而形成發光層。 於將本發明之胺基墓衍生物用於發光層之情形時，本發 月之胺基恩衍生物可用於摻雜材料與主體材料中之任一 者’尤佳為用作摻雜材料。 又本發明中，於不損及本發明之目的之範圍内，可視 需，而於發光層中含有包含本發明之胺基蒽衍生物及含縮 合環之化合物的發光材料以外之其他公知之發光材料， 又，含有本發明之發光材料之發光層上亦可積層含有其他 公知之發光材料之發光層。 50 nm，更佳為7〜5〇 nm， ’則有發光層形成變得困 ’若超過50 nm，則有驅 進而，發光層之臈厚較佳為5〜 最佳為10〜50 nm。若小於5 nm 難，且色度之調整變得困難之虞 動電壓上升之虞。 電洞注入.傳輸層係有助於向發光層中之電洞注入， : 輸至:光區域之層’電洞移動度大，離子化能 至以下。作為此種電洞注入•傳輸層，較佳為 :電場強度將電洞傳輸至發光層之材料， 度例如於104〜106 之電場施加 移‘ cm2/V·秒則較佳。 吁右為至少10· 作為具體例， 物、三唾衍生物 可列舉：芳基胺衍生物1基W衍生 、号二唾衍生物，街生物、聚芳基燒 153939.doc •32· 201136910 烴衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生 物、經胺基取代之查耳酮衍生物、呤唑衍生物、苯乙烯基 蒽衍生物、苐酮衍生物、腙衍生物、均二苯乙烯衍生物、 矽氮烷衍生物、聚矽烷系、苯胺系共聚體等。 又，可列舉分子内具有2個縮合芳香族環的例如：4 4,_ 雙（N-(l-萘基）-N-苯基胺基）聯苯（以下簡記為NpD)，以及3 個三苯基胺單元連結為星爆型之4,4，，4„_三（n_(4〇_甲基苯 基）N本基胺基）二本基胺（以下簡記為mtd ΑΤΑ)等。 又，除作為發光層之材料而例示的上述芳香族二亞甲基 系化合物以外，ρ型Si、ρ型Sic等無機化合物亦可用作電 洞注入層之材料。 電洞注入·傳輸層可藉由利用例如真空蒸鍍法、旋塗 法、洗鎢法' LB法等公知之方法，將上述化合物薄膜化而 形成°作4電洞注入，輸層之膜厚並無特別限制，通常 為 5 nm〜5 μηι 〇 本毛月之有機電激發光元件係於一對電極間夾持有包含 至少含有發光層之一層或複數層的有機薄膜層纟，較佳為 發光層含有本發明之胺基蒽衍生物之至少1種及選自上述 式（50)所表不之化合物中之至少！種，且電洞傳輸層及/或 電洞注人層含有選自芳基㈣生物或者芳基⑭衍生物中 之至少1種的有機電激發光元件。

S 電子傳輸層係有助於向發光層中注入電子之層，電子移 動度大’可為-層或者複數層β χ，附著改善層係於該電 子傳輸層中包含與陰極之附著特別良好之材料的層。作為 I53939.doc •33- 201136910 電子傳輪層中使用 之金屬錯合物。 之材料，較佳為8-羥基喹啉或其衍生物 尹作為上述8-羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物之具體 '可列舉含有奥辛（〇xine)(通常為8-喹啉醇或者8·羥基喹 )之螯σ物的金屬螯合物8羥基喹啉酮（〇xin〇id)化合物。 例如可將發光材料之項中記載之Alq用作電子傳輸層。 另方面’作為17号二唑衍生物，可列舉以下之式所表示 之電子傳遞化合物。 [化 25]

(式中，Ar201、Ar202、Ar203、Ar205、Ar206 及 Ar209表示經取 代或未輕取代之芳基，分別可相互相同，亦可不同。又，

Ar2°4、Ar207及Ar208表示經取代或未經取代之伸芳基，可 分別相同，亦可不同）^ 該電子傳遞化合物較佳為薄膜形成性者。 作為電子傳輸材料，亦可使用下述式所表示者。 [化 26]

-34- 153939.doc S 201136910 (式（A)及（B)中，A1〜A3分別獨立地為氮原子或碳原子。

Ar3G1為經取代或未經取代之環形成碳數6〜6〇之芳基、或 者經取代或未經取代之環形成原子數5〜6〇之雜環基，^3〇2 為氫原子、經取代或未經取代之環形成碳數6〜6〇之芳基、 經取代或未經取代之環形成原子數5〜6〇之雜環基、經取代 或未經取代之碳數1〜20之烷基、或者經取代或未經取代之 碳數1〜20之烷氧基、或者該等之2價基。其中，及 ΑΓ中之任一者為經取代或未經取代之環形成碳數1〇〜60 之縮合環基、或者經取代或未經取代之環形成原子數5〜6〇 之單雜縮合環基。 L"、L12及L13分別獨立地為單鍵、經取代或未經取代之 環形成碳數6〜6G之伸芳基、經取代或未經取代之環形成原 子數5〜60之雜伸芳基、或者經取代或未經取代之伸第基。 R為虱原子、經取代或未經取代之環形成碳數6〜6〇之 芳基、經減或未經取代之環形成原子數5〜6G之雜環基、 經取代或未經取代之碳數1⑺之炫基、或者經取代或未經 取代之碳數卜20之烧氧基，之整數，t_2以上 時’複數個R_可相同，亦可不同，又，鄰接之複數個 基彼此可鍵結而形成碳環式脂肪族環或者碳環式芳香 族環。 R31。為氫料、經取代或未經取代之環形成碳數6〜6〇之 芳基、經取代或未經取代之環形成原子數3〜60之雜芳基、 153939.doc •35· 201136910 經取代或未經取代之碳數卜2G之院基、或者經取代或未經 取代之碳數1〜20之烷氧基、或者-Lu-Ar3G丨-Ar3G2)所表示之 含氮雜環衍生物。 HAr-L14-Ar401-Ar402 (〇 (式中，HAr為可具有取代基之碳數3〜4〇之含氮雜環， 為單鍵、可具有取代基之環形成碳數6〜6〇之伸芳基、可具 有取代基之環形成原子數5〜6G之雜伸芳基或者可具有取代 基之伸苐基’ Ar40'為可具有取代基之環形成碳數石〜⑽之2 價芳基，Ar⑽為可具有取代基之環形成碳數6〜6〇之芳基或 者可具有取代基之環形成原子數5〜6〇之雜環基）所表=之 含氮雜環衍生物。 本發明之有機電激發光元件係於一對電極間失持有包含 至少含有發光層之一層或複數層的有機薄膜層者，較佳為 發光層含有本發明之胺基蒽衍生物之至少i種及選自上述 式⑽所表示之化合物中之至少1#，且電子#輸層含有: 述式⑷、式(B)或式(C)所表示之化合物之至少 電激發光元件。 對電極間夹持有包含至少含有發光層之一層」 複數層的有機薄膜層之有機電激發光元件中， 二 層含有本發明之胺基f、衍生物之至^種及選自上述式⑼ 所表不之化合物中之至少，電洞傳輸層及/或電同、主乂 層含有選自芳基胺衍生物或者芳心㈣生物中之至,卜 種’且電子傳輸層含有上述式⑷、式（B)或式（c)所表示^ 化合物之至少1種的有機電激發光元件。 I53939.doc -36· 201136910 此外，下述式（πι)、下述式（ιν)所表示之含氮雜環衍生 物亦可用於本發明之有機EL元件。 [化 27]

am 式（III)中之R30〗、R302、R…、R·、尺如及r3〇6表示經取 代或未經取代之烧基、經取代或未經取代之芳香族基、經 取代或未經取代之芳烧基、經取代或未經取代之雜環基中 之任一者。其中，R3(n、R302、R303、R3〇4、r305 &r3〇6可相 同’亦可不同。R30丨與R302、R303與R3〇4 ' r30、r306或者 R训與R取、R術與尺则、尺⑽與…“可形成縮合環。一 [化 28]

式（n〇中之r3m〜R川為取代基，較佳為氰基、確基、確 醯基、羰基、三氟甲基、卣素等電子吸引基。 本發明之有機電激發光元件係於一對電極間夾持有包含 至〔a有發光層之—層或複數層的有機薄膜層纟，較佳為 發光層含有本發明之胺基E衍生物之至少ι種及選自上述 式⑽所表示之化合物中之至少旧，電洞傳輸層及/或電 153939.doc

S 37· 201136910 洞注入層含有選自芳基胺衍生物或者芳基咔唑衍生物中 至少1種，電子傳輸層含有上述式⑷、式（B)或者式（〇二 表示之化合物之至少丨種，並且包含含有上述式（IV)所表 示之化合物之至少！種的有機化合物層的有機電激 : 件。 ^ ^ 又，亦可將p型Si、p型SiC等無機化合物用作電洞注入 層之材料。 ' 本發明之有機E L元件之較佳形態中有於傳輸電子之區域 或者陰極與有機層之界面區域含有還原性摻雜物之元件。 此處，所謂還原性摻雜物，係定義為可將電子傳輪性化人 物還原之物質。因此’只要為具有一定之還原性者，料 使用各種者，例如可適宜使用選自由鹼金屬仏卜Na、K、 Rb、Cs)、鹼土金屬（Ca、Sr、Ba)、稀土金屬、鹼金屬之 氧化物、鹼金屬之函化物、鹼土金屬之氧化物、鹼土金屬 之南化物、稀土金屬之氧化物或者稀土金屬之鹵化物、鹼 金屬之有機錯合物、鹼土金屬之有機錯合物、稀土金屬之 有機錯合物所組成之群中之至少一種物質。尤佳為功函數 為2.9 eV以下者。邊等鹼金屬之還原能力特別高，藉由於 電子2入域中添加較少量，可實現有機EL元件之發光亮度 之提高或長壽命化。又，作為功函數為29 ev以下之還原 性摻雜物，該等2種以上之鹼金屬之組合亦較佳。 、 本發明中，亦可於陰極與有機層之間進一步設置由絕緣 體或半導體構成之電子傳輸層。此時，可有效防止電流之 Λ漏可提同電子注人性作為此種絕緣體，較佳為使用 153939.doc •38· 201136910 選自由驗金屬硫屬化合物（例如Li2〇、Κ2〇、Nad、 Na2Se Na2〇)、驗土金屬硫屬化合物（例如Qo、Ba〇、 SrO、BeO、BaS、CaSe)、鹼金屬之_化物（例如uf、 NaF、KF、LiC1、KC1、Na⑶以及驗土 _ μ (CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2)所組成之群中之至少1種 金屬化合物。 又，作為構成電子傳輸層之半導體，可列舉含有β&、

Ca、Sr、Yb、A卜 Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、

Sb及Zn之至少旧元素之氧化物、氮化物或者氮氧化物等i 種單獨或者2種以上之組合。又，構成電子傳輸層之無機 化合物較佳為微結晶或者非晶質之絕緣性薄膜。若電子傳 輸層由該等絕緣性薄膜所構成，則形成更均質之薄膜因 此可減少暗點等像素缺I再者’作為此種無機化合物， 可列舉上述之鹼金屬硫屬化合物、鹼土金屬硫屬化合物、 鹼金屬之齒化物以及鹼土金屬之齒化物等。 作為陰極，為向電子傳輸層或發光層中注入電子，而使 用將功函數小(4 eV以下)之金屬、合金、導電性化合物以 及該等之混合物作為電極物質纟。作&此種電極物質之具 體例，可列舉：鈉、納·卸合金、鎮、鋰、鎮·銀合金、紹/ 氧化鋁、鋁·鋰合金、銦、稀土金屬等。 該陰極可藉由利用蒸鍍或濺鍍等方法將該等電極物質形 成薄膜而製作。 此處於自陰極取出來自發光層之發光的情形時，較佳為 陰極對發光之穿透率大於1〇%。 153939.doc -39· 201136910 水又，作為陰極之薄片電阻較佳為數百Ω/□以下，膜厚通 常為10 nm〜1 μηι，較佳為5〇〜2〇〇 nm。 有機EL元件由於對超薄膜施加電場，故容易產生由茂漏 或短路引起之像素缺陷。為了防止該缺陷，較佳為於1 電極間插入絕緣性之薄膜層。 作為絕緣層中使用之材料，例如可列舉：氧❹、氣化 鋰、氧化鋰、氟化鉋、氧化鏠、氧化鎂、氟化鎂、氧化 鈣、氟化鈣、氮化鋁' 氧化鈦、氧化矽、氧化鍺、氮化 矽、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。 亦可使用該等之混合物或積層物。 利用以上例示之材料及形成方法，形成陽極、發光層、 視需要之電洞注入層、以及視需要之電子傳輸層，進而形 成陰極’藉此可製作有機EL元件。又，亦可自陰極向陽 極，以與上述相反之順序製作有機元件。 以下，記載有於透光性基板上依序設置有陽極/電洞注 入層/發光層/電子傳輸層/陰極之構成之有機EL元件之製作 例。 首先，於適當之透光性基板上，利用蒸鍍或濺鍍等方法 將包含陽極材料之薄膜形成為！ μιη以下、較佳為.· nm之範圍之膜厚，製作陽極。繼而於該陽極上設置電洞注 入層。電洞注入層之形成可如上所述利用真空蒸鍍法，、旋 塗法、澆鑄法、LB法等方法而進行，但就容易獲得均質之 膜且難以產生針孔等方面而言，較佳為利用真空蒸鑛法而 形成。於利用真空蒸鍍法形成電洞注入層之情形時，其蒸 153939.doc 201136910 鍍條件根據所使用之化合物（電洞注入層之材料）、作為目 標之電洞注入層之結晶結構或再結合結構等而有所不同， 但通常較佳為於蒸鍍源溫度5〇〜45(rc、真空度ι〇_7〜ι〇_3 T〇rr、洛鍍速度0.01〜5〇 nm/秒、基板溫度·5〇〜3〇(rc、膜厚 5 nm〜5 μηι之範圍内適當選擇。 繼而，於電洞注入層上設置發光層之發光層之形成亦可 藉由使用所需之有機發光材料，利用真空蒸鍍法、減鑛 法、旋塗法、洗鑄法等方法將有機發光材料薄膜化而形 成，就容易獲得均質之膜且難以產生針孔等方面而言，較 佳為利用真空蒸鍍法而形成。於利用真空蒸鍍法形：發光 層之情形時，其蒸鍍條件係根據所使用之化合物而有所不 同但通常可自與電洞注入層相同之條件範圍中選擇。 繼而，於該發光層上設置電子傳輸層。與電洞注入層、 發光層@樣’由於必需獲得均質之膜而較佳為利用真空蒸 錢法形成。蒸鍍條件可自與電洞注入層、發光層相同之條 件範圍中選擇。 本發明之化合物於使用真空蒸鍍法之情形時，可與其他 . #料共蒸鍍。又，於使用旋塗法之情形時，可藉由與其他 材料混合而含有。 • 最後可將陰極積層而獲得有機EL元件。 陰極係由金屬構成者，可使用蒸鍍法、濺鍍法。但為了 保護基底之有機物層不受到製膜時之損傷，較佳為真空蒸 錢法。 / … 迄今為止所記載之有機EL元件之製作較佳為藉由一次之 153939.doc -41 - 201136910 抽成真空而連貫地自陽極製作至陰極。 本發明之有機EL元件之各有機層之膜厚並無特別限制， 通常若膜厚過薄’則容易產生針孔等缺陷，相反若過厚， 則需要較高之施加電壓，效率變差，因此通常較佳為數nm 至1 μιη之範圍。 再者，於對有機EL元件施加直流電壓之情形時，若以陽 極為+、陰極為_之極性，施加5〜4〇 ν之電壓，則可觀測到 發光。又，即便以相反之極性施加電壓，電流亦不流動， 完全未產生發光。進而於施加交流電壓之情形時，僅於陽 極成為+、陰極成為_之極性時觀測到均勻之發光。所施加 之交流之波形可為任意。 本發明之有機EL元件可用於壁掛電視之平板顯示器等平 面發光體、影印機、列印機、液晶顯示器之背光源或儀器 類等之光源、顯示板、標識燈等。又，本發明之材料不僅 可用於有機E L元件，亦可田仏喷工μ # 办可用於電子知片感光體、光電轉換 兀件、太陽電池、影像感測器等領域中。 實施例 以下’到用實施例對本發明進行更詳細之說明，本發明 只要不超出其要旨’則不限定為以下之實施例。 合成實施例ι(化合物D16之合成） 以下述流程合成。 [化 29]

(合成例A) 153939.doc

-42· 201136910

甲苯

(合成例B) <0

NtPHtOf喊

(合成例C) (合成例D) (1) 中間體（b)之合成（合成例A) 於氬氣流下’向300 mL茄形燒瓶中加入丨i 7 g之中間體 (a)、10.7 mL之苯胺、〇·63 g之三（二亞苄基丙酮）二鈀 (0)[Pd2(dba)3]、0.87 g 之2,2，-雙（二苯基膦基聯萘 [BINAP]、9.1 g之第二丁醇納、131 mL之脫水曱苯，於 85°C下反應6小時。 冷卻後，對反應溶液進行矽藻土過濾，將所得之粗產物 以矽膠層析法（正己烷/二氯曱烷（3/1))進行純化，將所得之 固體減壓乾燥，結果獲得1〇.〇 g之白色固體。藉由Fd_ MS(Field Desorption Mass Spectrometry，場解吸質譜）之 分析，鑑定為中間體（b)。 (2) 中間體（c)之合成（合成例b) 153939.doc -43- 201136910 於氬氣"it·下，向5 00 mL之祐形燒瓶中加入16 g之中間體

(b) 、10 g之2,6-二溴蒽醌、5.5 g之第三丁醇鈉、31〇 mg之 乙酸 l6(II)[Pd(OAc)2]、. 280 mg之三-第三丁 基膦、wo mL 之脫水曱苯’於使甲苯回流之狀態下反應7小時。 冷卻後’向反應溶液中添加甲醇，將過濾所得之粗產物 以矽膠層析法（甲苯）進行純化，將所得之固體以甲苯再結 晶而獲得之固體減壓乾燥，結果獲得i 3 g之暗紅色固體。 藉由FD-MS之分析，鑑定為中間體（c)。 (3) 中間體（d)之合成（合成例〇 於氬氣流下，向3 00 mL之莊形燒瓶^中加入4 〇 g之中間體 (c) 、100 mL之脫水THF，冷卻至_65°C後，加入18 mL之正 丁基鋰己烷溶液（1·57 M)，反應丨小時。於同溫下添加65 g 之4-溴二苯基，反應2小時後，緩緩升溫而於室溫下反應3 小時。 向反應溶液中添加飽和氯化銨水溶液而分液後，以飽和 食鹽水清洗有機層’以硫酸鎂乾燥，將濃縮而得之粗產物 以矽膠層析法（乙酸乙酯/己烷）進行純化，減壓乾燥後獲得 5‘9 g之褐色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為中間體 ⑷。 (4) 化合物D16之合成（合成例〇) 向300 mL之茄形燒瓶中加入5.9 g之中間體（d)、24 g之 碘化鉀、760 mg之膦酸鈉一水合物、i〇〇 mL之乙酸，於使 乙酸回流之狀態下反應6個半小時。 冷卻後，向反應溶液中添加曱醇’將過濾所得之粗產物

I53939.doc -44 - S 201136910 以矽膠層析法（乙酸乙酯/甲苯/己烷）進行純化，將所得之 固體以二哼烷及甲苯清洗而獲得之固體減壓乾燥，結果獲 得1.1 g之黃白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物 D16。 合成實施例2(化合物D26之合成） 以下述流程合成。 [化 30]

於合成實施例1之中間體（c)之合成中，除了代替2,6-二 溴蒽醌而使用中間體（e)以外，以相同之方法合成。藉由 FD-MS之分析，鑑定為化合物D26。 合成實施例3(化合物D41之合成） 以下述流程合成。 [化 31]

S 於合成實施例1之合成例A中，除了代替中間體（a)而使 用中間體⑴以外，以相同之方法合成。藉由FD-MS之分 析，鑑定為中間體（g)。 153939.doc -45- 201136910 於合成例B中，除了代替中間體（b)而使用中間體（g)以 外，以相同之方法合成。藉由FD-MS之分析，鑑定為中間 體⑻。 於合成例C中’除了代替中間體（c)而使用中間體（h)，且 代替4-溴二苯基而使用溴笨以外，以相同之方法合成。夢 由FD-MS之分析·’鑑定為中間體（丨）。 於合成例D中’除了代替中間體（d)而使用中間體⑴以 外’以相同之方法合成。藉由FD-MS之分析，鑑定為 D41。 合成實施例4(化合物D71之合成） 以下述流程合成。 [化 32]

於合成實施例2中，除了代替中間體（b)而使用中間體 (g)，且代替中間體（e)而使用中間體⑴以外，以相同之方 法合成。藉由FD_MS之分析’鑑定為D71。 合成實施例5(化合物D81之合成） 以下述流程合成。 [化 33]

153939.doc -46 - S 201136910

於合成實施例1之合成例A中，除了代替中間體（a)而使 用中間體（k)以外，以相同之方法合成。藉由FD-MS之分 析，鑑定為中間體⑴。 於合成例B中，除了代替中間體（b)而使用中間體⑴以 外，以相同之方法合成。藉由FD-MS之分析，鑑定為中間 體（m” 於合成例C中，除了代替中間體（c)而使用中間體， 且代替4-溴二笨基而使用溴苯以外，以相同之方法合成。 藉由FD-MS之分析，鑑定為中間體（n)。 於合成例D中，除了代替中間體（d)而使用中間體以 外，以相同之方法合成，藉由FD-MS之分析，鑑定為 D81。 合成實加*例6 (化合物D116之合成） 以下述流程合成。 [化 34]

於合成實施例2中，除了代替中間體（b)而使用中間體 ⑴’真代替令間體（e)而使用中間體（c)以外，以相同之方

S 153939.doc -47- 201136910 法合成。藉由FD-MS之分析，鑑定為0116。 實施例1 於25x75x0.7 mm尺寸之玻璃基板上，設置膜厚13〇nm2 包含氧化銦錫之透明電極。對該玻璃基板照射紫外線及臭 氧進行清洗後，於真空蒸鍍裝置上設置該基板。 首先，將Ni，N"-雙[4-(二笨基胺基）苯基]_^山,，_二苯基聯 笨基-4,4’-二胺蒸鍍為60 nm之厚度而作為電洞注入層後， 於其上將N，N，N，,N，-四（4-聯笨基）_4,4，•聯苯胺蒸鍍為2〇 nm 之厚度而作為電洞傳輸層。繼而，將作為主體材料之9_(2_ 奈基）-10-[4-( 1 -萘基）笨基]蒽與作為摻雜材料之上述化合 物〇16以重量比40: 2同時蒸鍍，形成厚度4〇 nm之發光 層。 繼而，將三（8-羥基喹啉基）鋁蒸鍍為2〇 nm之厚度而作為 電子傳輸層。然後，將氟化鋰蒸鍍為丨nm之厚度，繼而將 鋁蒸鍍為1〜50 nm之厚度。該鋁/氟化鋰作為陰極而發揮功 能。如此而製作有機EL元件。 對所得之元件進行通電試驗，結果以電壓5 9 v、電流 密度10 mA/cm2獲得發光效率19 3 Cd/A、發光亮度193〇 cd/m2之藍色發光（發光極大波長：5〇9 nm)。以初始亮度 3000 cd/m2進行直流之連續通電試驗，結果半衰壽命為 4000小時。 實施例2 於貫施例1中，除了代替化合物D丨6而使用化合物D26作 為摻雜材料以外，以相同之方式製作有機EL元件。 153939.doc 48

S 201136910 對所得之元件進行通電試驗，結果以電壓“ v、電流 密度1〇 mA/Cm2獲得發光效率18.0 cd/A、發光亮度_ 義2之藍色發光（發光極大波長：499 nm)。以初始亮度 3000 ed/m進打直流之連續通電試驗結果半衰壽命為 3500小時。 比較例1 於實施织中，除了代替化合物m6而使用比較化合物i 作為摻雜材料以外’以相同之方式製作有機孔元件。 對所得之元件進行通電試驗，結果以電壓6 8 V、電流 密度10 mA/cm2獲得發羌效率7 9 cd/A、發光亮度79〇 cd/m之藍色發光（發光極大波長：53〇 。以初始亮度 3000 cd/m進行直流之連續通電試驗，結果半衰壽命為 1300小時。 [化 35]

產業上之可利用性 如以上所詳細說明’使用本發明之胺基葱衍生物之有機 EL元件的發光效率高’即便長時間使用亦不易劣化，壽命 長。因此，可用作壁掛電視或顯示器之平面發光體之鮮豔 綠色之發光材料。 153939.doc -49-

Claims (1)

1. 201136910 七、申請專利範圍： 1. 一種胺基蒽衍生物，其係由下述式（丨）所表示 [化1]

   [式中’ R,表示氫原子、自素原子、經取代或未經取代之 環形成碳數6〜50之芳基、經取代或未經取代之環形成原 子數5〜50之雜環基、經取代或未經取代之碳數1〜之烷 基、經取代或未經取代之碳數3〜5〇之環烷基、經取代或 未經取代之碳數丨〜別之烷氧基、經取代或未經取代之環 形成破數之芳燒基、經取代或未經取代之環形成碳 數6〜50之芳氧基、經取代或未經取代之環形成碳數6〜5〇 之芳硫基、經取代或未經取代之碳數2〜5〇之烷氧基羰 基、經取代或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基、羧基、 胺基、氰基、磺基或經基；m4l〜8之整數，於爪為2以 上之情形時，複數個心可分別相同，亦可不同； ΑΓΐ〜ΑΓ4分別獨立地為經取代或未經取代之環形成碳數 6 5〇之芳基、經取代或未經取代之碳數1〜50之烷基、經 取代或未、k取代之環形成碳數3〜5〇之環烷基、經取代或 未 '二取代之環开> 成碳數7〜5 0之芳燒基、或者經取代或未 經取代之環形成原子數5〜50之雜環基； 其中，Ar丨〜八“中！個以上為下述式（2)、（3)或（4)所表 示之基： [化2] 153939.doc 201136910

   (式中’ X為氧（〇)、硫（s)或磁（Se)，R2為氫原子、經取 代或未經取代之環形成碳數6〜60之芳基、經取代或未經 取代之複數1~50之烷基、經取代或未經取代之碳數2〜5〇 之稀基、胺基、經取代或未經取代之碳數i〜5〇之烷氧 基、經取代或未經取代之環形成碳數6〜5〇之芳氧基、經 取代或未經取代之環形成碳數6〜5 0之芳硫基、經取代或 未經取代之碳數1〜50之烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、 硝基、羥基、經取代或未經取代之芳基及/或烷基矽烷基 或羧基；η為1〜7之整數，當〇為2以上時，複數個尺2可分 別相同，亦可不同；又，於&為複數個之情形時，可相 互鍵、、'α而形成飽和或不飽和之可經取代之2價基；又， 亚無R2鍵結於包含X之5員環部分的情況。 2·如請求们之胺基蒽衍生物，其中上述式⑴中，仏及 Ah係上述式（2)、（3)或（4)所表示之基。 3·如請求们之胺基葱衍生物，其令化及μ係由上 (4)所表示。 4.如請求項丨之胺基墓衍生物，其中上述式（2 X為氧原子。 w 5·如請求们之胺基墓衍生物，其中上述式⑴係由下述式 (6)所表示： [化3] I53939.doc S •2- 201136910 6. 7. 8. 9. 10 11. 如A—4與上述相同，Rn及Ru分別與&相同 -求項5之胺基蒽衍生物’其中於上述式( 之以立鍵結有他1 Ar2，且於6位鍵結有视★。一 如請求項5之胺基蒽衍生物，其中於上述式⑹之伸葱基 之9位鍵結有_NAriAr2，且於職鍵結有土 項1之胺基葱衍生物，其係有機電激發二件用 發光材料。 其係有機電激發光元件用 如請求項1之胺基蒽衍生物 摻雜材料。 .一=有機電激發光元件，其係於陰極與陽極之間爽持有 包含至少含有發光層之一層或複數層的有機薄膜層者， 並且該發光層含有如請求項⑴令任一項之胺基蒽衍生 物作為單獨或混合物之成分。 如請求項1G之有機電激發光元件，其中上述發光層含有 如上所述之胺基蒽衍生物及下述式（4〇)之蒽衍生物且 上述胺基蒽衍生物之含量為0.1〜20重量0/〇， [化4]

   (4 0) (式（40)中’ Ri〇i〜rig8分別表示氫原子、氟原子經取代 或未經取代之碳數丨〜1〇之烷基、經取代或未經取代之碳 數3〜10之環燒基、經取代或未經取代之碳數3〜30之烷基 153939.doc 201136910 夕院基▲取代或未經取代之環形成碳數㈠〇之芳基石夕 、元土、、查取代或未經取代之碳數！〜2〇之烧氧基經取代 或未，，二取代之％形成碳數6〜20之芳氧基、經取代或未經 取=之％形成碳數6〜3G之芳基、或者經取代或未經取代 之娘形成原子數5〜30之雜環基，Aru、Af表示經取代 =未、^取代之環形成碳數6〜3 〇之芳基、或者經取代或未 么·取代之環形成原子數5〜3〇之雜環基）。 153939.doc 201136910 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： ^八•公T(RiXn

   153939.doc