TW201125151A - Solar battery module manufacturing method and solar battery module manufacturing apparatus - Google Patents

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201125151 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於含有邊緣刪除步驟的太陽能電池模組之 製造方法及用於5玄方法的太陽能電池模組之製造襄置。 【先前技術】 太陽能電池係由進行光發電的最小單位之太陽能電池 單元以複數形成在-絲板上的太陽能電池模組所構成^ 此處，於太陽能電池模組的製造步驟之一個中，有稱為秦 緣刪除的步驟。太陽能電池模組的製程一般包含在由破^ 等所成的基板上一樣地形成含有透明電極層、光電轉換 層、背面電極層等的薄膜之步驟。此處，於基板的周緣部（自 周緣起-定寬度的部分)上有賴存在時，有麵與安裝於 周緣部的金屬框等發生短路、或水料由周緣部浸潤^使 發電性能降低之虞。因此’於薄膜的形成後，必須邊緣 除，其為去除基板的周緣部上所存在的薄膜之步驟。 於邊緣刪除中，例如有使用喷砂法的方法。噴砂法 藉由使研磨粉成為氣體而喷射到周緣部上的薄膜，以物理 地去除薄膜。然而，於喷砂法中，有由於研磨粉亦飛散王 發電區域而發電性能低，或粉獻量發生等的問題。此外， 亦有藉由旋轉的磨錢行直接研磨之方法或藉由藥 姓刻之方法等，惟在生產性之點等係有問題。因此 來檢討使用雷射光的邊緣刪除。 _ 1判小仉用雷射的太陽能電池模 之製造方法及。該f造紐巾藉由雷射去除透紐、 依順序積層的透明導電層、料轉換層、㈣電極^ 背面電極層及光電轉換層，㈣成毛邊防止溝。接^| 4/47 £ 201125151 由雷射來去除毛ϋ防止溝的外側(周緣的區域)之透明導電 層、光電轉換層、背面電極層而形成周緣分離溝。此時i 以雷射光束圖案的端部重疊在毛邊防止溝上，雷射光束圖 案的中央部到達毛邊防止溝的外部之方式，照射雷射。藉 由如此地形成周緣分離溝，可防止由於透明導電層 ^ (附溝的㈣❿發生㈣面f極層錢明€極層之短路 [先前技術文献;J [專利文獻] 【發明内容】 ^報(&洛[⑽56]、圖7Β) 發明所欲解決的問題 組之製造方法記載的使用雷射之太陽能電池模 層。此處，明導電層、光電轉換層及背面電極 極層時，自透光性^，明導電層、光電轉換層及背面電 反射，由於熱的則所照射的雷射係被背面電極層所 基板中有發生裂^在^光束所照射的部分之透光性 電池之外觀變化有吳。兹認為裂紋係與所製造的太陽能 品質降低的原因且成為太陽能電池面板之破損或 降低等之原因。/、、、二年的水分等浸潤所致的發電性能 鑒於如以上的情事 及裂紋的發生，含，本發明之目的在提供可防止分路 電池之製造方法错由雷射光的邊緣刪除步驟之太陽能 造裝置。 / 於該製造方法的太陽能電池模組之製 5/47 201125151 解決問題的手段 為了達成上述目的，本發明的一形態之太陽能電池模 組之製造方法，係對含有透明基板與在上述透明基板上依 順序形成的透明電極層、光電轉換層及背面電極層之積層 體，自上述透明基板側照射第i雷射光，而去除上述第曰工 雷射光所照射的第1區域上之上述光電轉換層及 . 電極層。 月回 · 上述第2雷射光所照射的上述第2區域上之上述㈣ 电極層’係藉由對上述第i區域内，以與上述第i區域隔 離的方式，照射具有與上述第丨不同特性的第 射光而被去除。 為了達成上述目的’本發明的一形態之太陽能電池模 組之製造裝置’係對含有透明基板與在上述透明基板上依 順序形成的透明電極層、光電轉換層及背面電極層之積層 體知射雷射光之太陽能電池模組之製造裝置，其具有雷射. 光振盪部、輸出·機構、載台及位置控制機構。、 上述雷射光振盪部係生成具有紅外線波長範圍中所含 有的波長之雷射光。 上述輸出調節機構，係於去除上述光電轉換層及上述 背面電極層時’調節上述雷射光的輸出而形成第1雷射光， 於去除上述透明電極層時，調節上述雷射光的輸出，而形 成具有比上述第1雷縣高的輸出之第2雷射光。 上述載台係载置上述積層體。 _ ；上述位置控制機構’係使於對上述積層體照射上述第丨· 雷射光而已去除所形成的上述光電轉換層及上述背面電極 層之第1區域中，對上述積層體照射上述第2雷射光而已

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喊的上述翻電極層之第2區域，被含於上述第】 區域卜而且以其周緣與上述第1區域隔離的方式十制 上述雷射光振盈部與上述載台的相對位置。 W 【實施方式】 實施發明的形態 係對卜實施形態之太陽能電池模組之製造方法， 電極在上述透明基板上依順序形成的透明 基板卿第 第1區域上之上述光H 第1雷射光所照射的 上述先电轉換層及上述背面電極層。 雷^述ί2雷射柄騎的上述帛2區域^上述透明 :二=對上述第】區域内，以 = =去:射具有與上述第1雷射光不囉的二 換居二田射光來去除積層體的背面電極層及光電轉 ，，稭由第2雷射光來去除 :=轉 存在於上相義電極層。亦可 ^換層不 ^戈能量_與第2 #__二=光的特性(波 缉射光來錢翻電極層，而藉‘，，+…不猎由第】 電極層。由於第！雷射光不去除射光來去除透明 =雷射光的照射而在透明基板中不2於 田子光去除透明電極層之際，由 二土 方；第2 面電極層，故第2雷射光不會被背2光電轉換層及背 止熱的積蓄而在透明基板中發生电極層所反射，可防 區域内’以與第〗區域的騎隔離_=者，藉由對第1 …雷射光之照射所形成的光電轉么.：：之 7/47 201125151 ===除透明電極層的位置係隔離。藉此， 或可防止由於熱導致背面電極層炼融， 背面電極層與透曰之^附者於上述端面而發生的 上述第1步導電層紐路(分路)的發生。 長範圍中所含與=第2雷射光係可具有紅外線波 成為 發生若干的吸收=層=線波長的雷射光 另里為雷射燒_值以下’可不去除透明電極層。 射燒!虫來麥^充为增大第2雷射光的能量密度’可以雷 此，藉由調部分穿透透明電極層)透明電極層。因 第1雷射血長的雷射之能量密度，可成為 除之雷射祕邊緣刪 的雷鼾本斗士Jk τ厂、有此出射早一紅外線雷射光 之生成機構比=構’可早純化。又，與高次譜波的雷射光 宜，亦可減低成機構—般較便 上述第丨f縣係可具有耗光波長 2長增2雷射光係可具有紅外線波長範‘ =體的翻電極叙躲具有綠色歧長的雷 tt ㈣於㈣紅外祕長㈣料之吸收率相 =顯著小。因此，藉由以具有綠色光波 3 作第1雷射光，不論其能量密度為何’可不去除

8/47 S 201125151 3線:電轉換層及背面電極層。又，藉由以具有紅 外線/皮長的雷射去你铱 可去除透明電極^。 I充分增大能量密度，則 體。上I第2雷射光係可自上述透明基板側照射上述積層 第2雷射光之際’由於該照射區域係被含於第1 射光反射的背面電極層係不存在，第2雷 進行ί射1自積層體的透縣板側，而亦可自其相反側 利用㈣而’藉由自透明基板側照射第2雷射光，可 4光相同的光學H可將祕邊緣刪除的 =光照射裝置之裝置單純化。X，由於對於找系= ==之飛散係經由透明基板來防止，故可防止光學系統 上述第2區域亦可含有前述積層體的端部。 層及Γ=ΐ==明電極層’光電轉換 读明其^ + 後步驟中將密封劑直接塗佈在 透明基板上，由於可提高封_密接性， 耐天候性優制太陽能電池模組。 生 俜對=:Γ_之太陽能電池模組之製造裝置， 係對含有透板與在上_縣板± 電極層、光電轉換層及背面電極層之積層體序 之太陽能電池模組之製造裝置，其具有雷 出調節機構、栽台及位置控制機構。 m輸 有的=:細生成具有紅外線波長範圍中所含 上述輸出調節機構，係於去除上述光電轉換層及上述 9/47 201125151 月面電極層時，調節上述雷射光 於去除上述透明電極層時， 而形成第1雷射光: 成具有比上述第I+射并述雷射光的輸出，而形 1田射先尚的輸出之第 y 上述載台係载置上述積層體。 ' 上述位置控制機構，係使於 雷射光而已去除所形成的上述換乂體照射上述第1 層之第！區财，對上述積層體昭射上奐^上述背面電極 去除所形成的上述透明電極層 1 2雷射光而已 區域中，而且以其周緣與上述第^區含於上述第I 上述雷射光振堡部與上述载台的相對位置网。的方式，控制 =輸出調節機構來調節雷射光的輪 j:=r的雷射光點之面積及载台的移 == 不同的紅外線雷射光，即第1雷 ，與第2雷射光。又，藉由位置控制 二二 層體的光電轉換収背㈣極相^ ^ 3有經由第2雷射光去除透明電極 °°而 區域隔離間的方她 稭此，可防止對透明基板的裂紋之發生及分路之發生。 〃以下’邊參照_邊朗本發明的實施形態。 (苐1實施形態） 兹說明本發明的第1實施形態。 圖1係顯示第1實施形態的太陽能電池模組之製造方 =的流程圖。如該财所輯，本實施形態的太陽能電池 t組之製造方法，係具有製作積層體的步驟_、邊緣刪 ^驟⑼2)及模組化步驟(st3)。再者，本實卿態的太陽 此電池之製造方法亦可含有此料的步驟。以下，說明各 10/47 201125151 自的步驟。 [製作積層體的步驟(Stl)] 兹說明製作積層體的步驟(Stl)。 圖2係顯示藉由本步驟所製作的積層體1之戴面圖。 圖3係顯示積層體1的平面圖。 矛貝層體1係藉由在透明基板2上積層透明電極層3、光 电轉換層4及背面電極層5而形成。透明基板2例如係由 具有lmxlm、厚度5mm的尺寸之白板玻璃(去除Fe成分的 玻璃)所成。再者，透明基板2亦可由此以外的藍板破璃（未 去除Fe成分的玻璃）、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、無鹼破璃: 矽石玻璃、鉛玻璃等的各種玻璃、合成樹脂等所成，尺寸 亦不限於此。 、 最初，積層透明電極層3。透明電極層3係可藉由力:秀 明基板2上以熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法將厚度 Ιμηι的Sn〇2薄膜成膜而形成。透明電極層3，除了 ％〇 以外，亦可由ZnO、ITO(Indium Tin 〇xide)等的透明導雪性 氧化物(TCO : Transparent Conductive 〇xide)等透光性高的 導電性材騎成’厚度係可適宜變更。成財法亦不=於 熱CVD法’而可為濺鑛法、塗佈等。 其次，分離透明電極層3。藉由對透明電極層3照射以 Nd:YAG(Yttrium Garnet)當作雷射晶^的〔外線 雷射光(波長M064mn)，以線狀去除透明電極層％雷射割 線）’而形成分離線3s。分離線3s係可平行於單θ向以二數^ 列而形成。雷射光的波長、輸出係適宜地選擇，雷射光亦 可為連續波。透明電極層3的分離係、為了串聯連#後_ 電轉換層4所生成的電流而進行，分離線⑽丨如平行^單 11/47 201125151 透明電極層3的分離係不限於雷射 在透，的分離也可 明電s 電轉換層4 °光電轉換層4係可藉由在透 非晶形& 4 丨_厚度的b播雜 30mn的P換雜二，3GGnm的非晶形Si _層）、厚度 除了此以外，7^ 而形成。光電轉換層4， ， 卿勺串列型、Pinpinpin的三重型 声、^敕古’例如亦可具有在P層與i狀間配置的緩衝 ;限於；C=^TC〇層等的中間層，方法亦 ^後’分離光電轉換層4。藉由對光電轉4

Nd:YAG當作雷射晶體的第2次高次諸波的綠雷射 長.532nm) ’以線狀去除光電轉換層*，而形成分離線知。 雷射光的波長、輸出係適宜選擇，f射光亦可為連續波。 光電轉換層4的分離係為了連接後述的背面電極層5與透 明電極層3而進行’分離線4s例如係在與分離線3s不同的 位置與刀離線3S平行地複數排列而形成。光 a 的分離係不限於雷_線，也可❹其它方法電4 轉換層4的分離也可在光電轉換層4上形成其它層後才施 予。 其次’積層背面電極層5。背面電極層5係可藉由在光 電轉換層4上以濺鍍法將厚度300nm的Ag成膜而形成。 背面電極層5，除了此以外，亦可由A卜Cr、Mo、W、Ή 等能將穿透光電轉換層4的光反射之導電性材料所成，厚 12/47 201125151

更。成膜方法亦不限於舰法，也可為-D 轉換電轉換層以背面電極層5。藉由對光電 紅外極層5照射以地懦當作^晶體的 體的欠二1〇64麵）、或以Nd:YAG當作雷射晶 去除光雷镇：：咱波之綠雷射光(波長：532·) ’而線狀地 “先電轉換層4及背面電極層 =分=6係平行於單向_二:=^ 長、?㈣魅選擇，詩光也可為連·。的皮 置，地6'餘與分料3s及分_4s不同的位 反射的方式，自透籍：不 成的電流係可通過透明電極層r及背面 也可使用其它方法。 ^祕“射劃線’ 體3所示的細丨。再者，積層 體1亦可含有上述:::的上可二宜變更自又’積層 的周緣起一定★电，士圖3所不，以自積層體1 緣部la以外^又白部分當作周緣部1a，以積層體1的周 。场之科當作貢獻發電的發電部 L邊緣刪除步驟(St2)j 透明料除積層體1的周緣部u所存在的 止此等層i後述的二)面中，層5。藉此，可防 屬框等發生短路r t中襄於周緣部〗a的金 料生短路，或防止作為太陽能電 13/47 201125151 分等自周緣部la的浸潤。 於以下所_邊_除步财，最初藉 上照射第1雷狀u，㈣紅絲找物 電極層,5的第i區域A1(圖4)。接著，藉由對第i區域μ 上照射第2雷射光L2，而形成已去除透明電極層3的 區域A2(® 5)。於本實施形態的邊緣刪除步驟^兒 雷射=1及第2雷射光L2具有同一波長的情況。° 絲5兄明對第1雷射光L1的積層體1之照射。 圖4係說明照射第i雷射光L1的樣子之圖。 側示，對積層體1的周緣部1。自透明基板2 定:二雷射光L1係掃描已整形成指 田射光砧，错由相對於雷射光的昭 積層f的相對位置移動，而照射到指料範圍 1雷射光LH系穿透透明電極層 吸收，藉由去除光電轉換層4，而亦去除換層4 層5。透明電極層3係不被去除而殘留:【的：面電極 所示，於笛， 叩茂^。稭此’如圖4(b) ,秀明心第㈣射光U所照射的區域之豹區域A1上， 電極層3露出。又，藉由去除第！ 一 換層4及背面電極層5，而成°轉換的光電轉 與背面電朽戽…山^ 战九電軏換層4的端面々 昭射的圖咐係顯示^雷射光^所 …、耵的弟1區域A1之範圍的平面圖。 的波^ 係可成為具有紅外線波長朗中所含有 電極層3所若他，但㈣分:明 而被v及收。闵士，Μ 士你结，心、$運先電轉換層4 戶，可:因此錯由使第1雷射光L1成為適切的能量密 又不雷射祕透明電極層3，而僅雷射燒钱光電轉換層 14/47 201125151 4 等所積層，背一極^目對&光電轉換層4係藉由CVD法 相對於光電轉換;;^係藉由賴法等所積層。因此， 電極層5對光電^透明電極層3的密接性而言，背面 除透明電極層3#、广4係密接性高。因此 ，可選擇地去 具體地it?轉換層4及背面電極層5。 4马第]雷射央τ 體當作雷射晶體的波長IQ 4先1 ’可使用以Nd ·· yag晶 光LI的波長、、_之紅外線雷射光。第1雷射 轉換層4 #光^對透明電極層3的光吸收小、對光電 中，按照翻勺《 外線波長翻⑽細〜2500麵） 為如此的雷射=二、及光電轉換層4之材料來選擇。作 長 2〇98nm)、Yb.YH:YAG(波長 2940麵）、Ho:YAG(波 1342_)、_dV:=TNd， 1 OOOnm)等當作+射θ V ) Tl監賃石(波長700〜 雷射光、半導體射光。此外，亦可將氣體 雷射光當作第1雷射光L1。又，+射土及 可為，衝狀，也可為連續波。射先U又由射先係 而透= 度，雖然取決於雷射光的波長 但在 率光電轉換層4之吸收率係不同， 極岸s ^透明電極層3,而可去除光電轉換層4及背面電 =乾圍内適宜選擇。例如，當波請一外線 田射先時’可為0.5〜1.5JW。 Π t者’第1雷射光U及第2雷射光L2的能量密度， 二二/面2的每單位面積之峰值輸出密度(W/Cm2)的時間積 由於第1雷射光u不燒料明電極層3，故在第1雷 、一 U '照射的階段中’防止透明基板2中發生裂紋。又， 15/47 201125151 由於第1 f射光u的__ 係熱的損傷及殘渣的污染少。 勺鸲面41及端面51， 兄明第2雷射光L2對積層體1的照射。 圖5係說明照射第2雷: 如園c w 尤的樣子之圖。 圖5(a)所不，對第1區域八丨 第2雷射先L2係可與第 第2 *射先L2。 側照射，祕闕科細地去基板2 故亦可自與透明基板2側 曰^被去除， 所照射的區域之第雷射先 A1 F +-¥咕 〜、周、，豪與弟1區_ 定大U 第2 f ^ U絲描已整形成^ 疋大小的雷射光點，藉由相對 少成才曰 積層:1的相對位置移動，·射到指定㈣圍。使 電極；3 :射光第丨區域A1上存在而露出的透明 :干二:及收’透明電極層3係被去除。藉此，如圖5(b) 透明美^ 2 Ϊ射光U所照射的區域之第2區域A2上， 3而开^赤、# ^、路出’藉由去除第2區域八2上的透明電極層 g 1二,電極層3的新端面3t。端面3t的位置係與以 = '光L1的照射所形成的端面屯及端面“之位置隔 蛛"5(物顯示第2雷射光L2所照射的第2區域A2之 2的平面圖。A1+A2顯示第1區域A1上所形成的第2 區域A2之範圍。

S 的*第2雷射光U係可為具有與第1雷射光L1相同波長 、田射如上述地’紅外線雷射光雖然大部分穿透透明電 兩曰、，旦若干被透明電極層3所吸收。因此，即使與第i ζ射光L1相同的波長，也由於其能量密度十分大，而可對 、明電極層3施加充分的能量，以去除透明電極層3。 16/47 201125151 具體地，第2雷射光L2 雷射晶體的波長刚4n H使用以耻YAG曰曰曰體當作 可為具有第β射雷射走i2係 L1大的能量密度者。 Ί皮長，具有比第〗雷射光 但在可去除透明電極”的吸收率不同， 的能量密度。例如，當波导=Θ適宜選擇第2雷射光L2 2以上。作為第2糾光广，紅外線雷射時，可為 L1高的輸出，或比第丨雷，=用比第1雷射光 射光。第2雷射并小的雷射光點面積之雷 使第1雷於脈衝狀，也可為連續波。即 狀。1糊波時，第2雷射化也可為脈衝 於照射第2兩細出τ， 第2雷射光‘之際’由於在第1區域A1上將 及光電車_ 4Mm為熱的積蓄之原因的背面電極層 的-射而it 在’故不發生因為第2雷射光L2 又，！龄，可防止在透明基板2中發生裂紋。 離的區域成為其周緣與第1區域則 透明兩H 射光U所形成的端面4t及端面^係與 光：/所二所去除的位置隔離。藉此，可防止第2雷射 0㈣極層3之殘細著㈣面電極層5及 先電轉換層4 發生分路。 d及 射光L2來去^日^層4及_電極層5,藉由第2雷 加的教，可防It 層3 ’而可減低對透明基板2所施 形成的_ 4t^f的發生。又’可減低第1 f射光LI所 而甶如及5t、第2雷射光u所形成的义之炫融及 17/47 201125151 再者，由於第 L1及第2 t射先Ι^Γ線波長，可使1雷射光 、尤L2的雷射光生成機構成為單— 以上地邊緣刪除積層體1。 10。炫况明邊緣刪除步驟(St2)中所用的雷射光照射裝置 雷射光照射裝置10的概略構成之圖。 '"圖中所不地，雷射光照射裝置10具有 可變衰減器Ρ、'泰於η 八有振盈益11、 透鏡15及恭二J 鏡7、均化器13、掃描器14、历 ΐ:透二於雷射光照射裝置10中，振盈器η、 雷射二鏡1i係相等於 射光照射裝置10的構成係不限:二所:^周即機構。雷 外線;;器出射第1雷射光L1及第2雷咖之紅 = 雷射桿等的 3=辰Γ械或電化學的Q開關機構。藉由使第1 、时人/2雷射光成為相同波長的紅外線雷射 "振盤f 11 h可成為出射單_紅外線雷射光的構造。 y變减器12係使自振盪器n所出射的紅外線雷射 ^減而調節輸出。可變衰減器12係可使用分束型或菲淫 刀束型可變衰減器係使用於雷射光為直線偏 由λ/2波長板與偏光分束^所成。藉由w波長板使 :射光的偏光方向旋轉’藉由偏光分束器使雷射光分離成$ 光與Ρ偏光’而使衰減者。菲科反射型可變衰減器係 使用於雷射光為無偏光時，由施有反射塗層的反射鏡與施 18/47 201125151 有防反射塗層的補償器(光_ 的角度，而使所入射的雷射光之透=成可。4=文變反射鏡 聚光透鏡π係將由可變衰 化而哀減者。 光於均化器13。均化器】3係轉換戶^〜所出射的雷射光聚 形狀，使成為均勾的光強度分布、射的雷射之光束截面 有截面形狀為】邊〇.6mm的 ^先以射裝置⑺係具 藉由均化器]3,將所入射的紅外線當作均化器】3。 的光強度分布之正方形的雷射田/光轉換成具有均勻 係不限於此，可使肖>狀。均化器〗3的構成 或反光管、列、非球面透鏡等） 人射的雷射光。掃:由器在向二推移而掃描戶斤 射鏡所成的多角掃描器、由外部磁二 = 多面體之反 的電流掃描器、由共振所d曰:射鏡所成 等各種形S崎描。 成的共振掃描器 历透鏡15係修正掃描器】 度及雷射光點形狀。嗜哭u :，的W射先之掃描速 於其反射角度而使對照射;;物(積; 及-光.嶋發生變動：;=:= 及與X方= 被照射面)平行之單向的X方向 面上自由自/ = γ方向中可移動而構成，可使對x-γ平 戴台16夕々土照射雷射光。雷射光照射裝置10具有控制 移動的未圖示之位置控制機構。 线。兄明如以上所構成的f射光照射裝置⑺之邊緣刪除 19/47 201125151 的一例 積層’藉由載台16移動’而調節 Α 使宙射先照射於積層體1的周緣部la ^^ ’’ 振盪裔11出射具有1064nm的波長及指定 該雷射光係藉由均化衰減1112來調節輸出。 雷射截面形狀，而被;^換成—邊為G·6娜的正方形之 該雷射光係藉由掃描器14來掃描，通過fe透鏡15而 也上正…、射於積層體1的上述-點，由雷射光點的面積 ΐ =輸出f度。藉由載台16移動，而使雷射光照射到指 ^的^圍’糟由载台16的移動速度來規定雷射光的重複頻 :、；此處》周節5亥雷射光，以使成為不去除透明電極層 :具有去除光1轉換層4及背面電極層5的能量密度之雷 =光(第1雷射光L1)。藉由位置控制機構來控制載台16的 箱，在周緣部1a内形成第1雷射光L1戶斤照射的區域之 第1區域A1。 其次，藉由載台16移動，而調節積層體丨的位置，以 使田射光照制第1區域A1上的任—點。藉由可變衰減器 =來變更輸a，藉由載台16的移動速絲規定雷射光的重 複頻率。調節該f射光，以使成為具有去除透明電極層3 的能懿度之雷射光(第2雷射光L2)。藉由位置控制機構 來控制載纟16的移動’在第！區域A1内形成第2雷射光 所照射的區域之第2區域A2。 位置控制機構亦可控制載台16的移動，而使第2區域 A2的周緣與第i區域A1的周緣隔離。此時，由於可減小 第1區域A1與第2區域A2的面積，而可縮短雷射光掃描 20/47 201125151 ::體?料量的提高有關。或者，於第1區域部擴及 積她^谱由於積 增直接塗佈在積層體]1，由於提高封閉的 二 衣料濕性、耐天候性更優異的太陽能電池面 之樣，的7^系顯示以位置控制機構來控制雷射光的照射位置 位置控制機構，例如係在進行積 =;藉由掃描器Μ，使第1雷射光，對第= 二=距離α。若1次掃描結束，則藉由位置 ;動tr广向中僅以一定距離w掃描開始位置 動二、後’掃描器係使第1雷射光L1的昭 Y軸方向中與基板中心側相反方向中，僅以與雷射光的Ϊ ==r。因此，於下次的掃描;= 係在X軸方向中自掃描開始位置s起僅以 ㈣位置’在γ轴方向中僅與雷射光的 等峨多動的位置起，再於X轴方向中僅二^ 。重複此步驟’若在Y軸方向中對預定範圍的照射 t，貝^1、由位;置控制機構，將雷射光L1的掃描開始位置、，

4在自河摘掃細始位置^於⑶方 D 〇及與雷縣的Μ方向的寬度相等的距離進距罐 載台=工= : = 邊使 π弟1雷射先L1的知射位置對發電部比 21 /47 201125151 的周圍繞一周。即，第 範圍而照射。又，第2 •运射光LH系掃描區域A1的全部 藉由-邊使用掃描L2亦與第1雷射光L1同樣’ 台16移動，而形成㉞Af描及位置控制機構〆邊使载 之外周側的外周相接的物其更對區域A1中的積層體1 體1的邊緣刪除。…周。如此地，玎進行積層 雷射二振=11出射的雷射光當作紅外線 度，可形成第1雷射光L1與第2雷 奘 β 具有單一的雷射光生成機構之雷射光照射 裝置。 [模組化步驟(St3)] 圖/係顯示11由模組化步驟所模組化的積層體1之圖。 模組化步驟St3係使積層體1完成為太陽能電池模組之 步驟。再者’於此步驟之前’亦可設置洗淨積層體i的步 驟。本實施形態的太陽能電池模組之製造方法中，由於不 赉生如使用喷砂法時的研磨粉等，故亦可省略洗淨積層體i 的步驟。 積層體1中安裝有連接各自透明電極層3及背面電極 層5的未圖示之配線。配線例如係可藉由焊糊的迴焊、導 電性黏著劑的密封、鍍敷等的方法來形成。 其次，在背面電極層5上形成由絕緣性樹脂所成的絕 緣層7。絕緣性樹脂例如可由EVA (Ethylene Vinyl Acetate Copolymer)所成。其次，在絕緣層7上形成由防濕性高的材 料所成的保護層8。保護層8係可由依順序積層的 PET(Polyethylene Terephthalate)、Al、PET 所成。絕緣層 7 及保護層8係可藉由EVA片及PET/A1/PET片來被覆積層

S 22/47 201125151 體1的背面電極層5側，於減壓下 保護層8上安裝未圖示的框，而將積層體接者，在 的模組化步驟係一例，不限於此處所示者。杈、、且化。如此 如以上地製造太陽能電池模組。 於本實施形態的太陽能電池楔組 1 藉由邊緣刪除步驟st2去除周緣部^的:^中’由於 】轉換層4及背面電極層5，故可確實地將框 明電極層3、光電轉換層4及背面電極層;；二周3透 止水分等自透明基板2、絕緣層7及保護層8 : °防 而發電性能降低。 。、彖’又潤’ (第2實施形態） 茲說明本發明的第2實施形態。 省略與第〗實施形態相同的内容之記载。 本實施形態的太陽能電池模組之製造方法，係具 作積層體的步驟(Sti)、邊緣刪除步驟(St2)及模組^步: (St3)。製作積層體的步驟(go)及模組化步驟(&3)，由於伏 與第1實施形態的太陽能電池模組之製造方法 = 略記載。 名 [邊緣刪除步驟(St2)] 第2實施形態的邊緣刪除步驟，係在第1雷射光[I與 第2雷射光L2的波長不同之點，肖第！實施形態的邊緣删 除步驟不同。 第1雷射光L1係可為具有綠色光波長區域中所含有的 波長之雷射光(綠雷射光）。綠雷射光係穿透透明電極声3 到達光電轉換層4而被吸收。綠雷射光的透明電極層3之 23/47 201125151 透過率’係顯著大於紅外騎射光的咖3之透過 率。因此’藉由使第1雷射光L1成為綠詩光，可不去除 透明電極層3，而僅去除光電轉換層4。又，如上述地 常相對於光電轉漏4係!U CVD法#所制，f面電極 層5係精由_法等所積層。因此，相對於光電轉換層4 對透明電極層3的密接㈣言，背面電極層5對光電轉換 層4係密接性高。因此，藉由使第1雷射光U成為綠雷射 光’可不去除透明電極層3，而充分去除光f轉換層4及背 面電極層5。 具體地，作為第1雷射光L1 木 "π〜便用uNd:YAG晶體 =乍苗射晶體的第2次高次諧波(波長532nm)之綠雷射光。 第1雷射光L1的波長’係可由透明電極層3的透過率大之 綠色光波長範圍(50〇nm〜570nm)中，按照透明電極層3及 光電轉換層4的材料來選擇。作為如此的雷射光，有以 i^yvcv波長1064nm)Nd:Gdv〇4(波長刪聰)當作雷射 晶體’經第2次高次譜波波長轉換的固體雷射光(各自波長 f 2nm) GaN(波長531nm)的固體雷射光、Ar離子雷射光(波 515nm)銅热氣雷射光(波長511_)等的氣體雷射光、 以ZnCdSe當作活性層的半導體雷射 為脈衝狀，切為連·。 《射九係了 第1雷射光L1白勺能量密度，雖然取決於雷射光的波長 而先電轉換層4的吸收率係不同，但由於幾乎不被透明電 極層3所吸收，故為了去除光轉換層4及背面電極層5， 例如，當波長532nm @綠雷射光時，可為 第2雷射光U係可成為具有紅外線波長範圍中所含有 24/47 201125151 、沙長之田射光(紅外線雷射光）。如上述地，紅外線雷射光 大。卩分穿透透明電極層3,但若干被透明電極層3所吸 因此’為了藉由充分增大能量密度而在透明電極層3 除=明電極層3，可施加充分的能量。 各^體地，作為第2雷射光L2，可使用以NckYAG晶體 ^作田射晶體的波長1〇64nm之紅外線雷射光。第】雷射光 L1的波長，係可由對透明電極層3的光吸收小、對光電轉 換層/的光吸收大之紅外線波長範圍（700nm〜2500nm) 中杈照透明電極層3之材料來選擇。作為如此的雷射光， 有以 Ei:YAG(波長 294〇nm)、Ho:YAG(波長 2098nm)、 Yb.YAG(波長 103〇nm)、Nd:YV〇孩長 ι〇64、〗342麵）、 !Πν〇4(波長1〇63_)、Ti藍寶石（波長700〜1000nm)等 田射晶體的固體雷射光。此外，亦可將氣體雷射光、 半W田射光當作第丨雷射光u。又，雷射光係可為脈衝 狀，也可為連續波。 、第2雷射光L2的能量密度，雖然取決於雷射光的波長 而透明電極層3的吸收率係不同，但在可去除透明電極層3 1範圍内適宜選擇。例如，當波長1G64·的红外線雷射光 犄可為5J/cm以上。第2雷射光u係不限於脈衝狀，也 可為連續波。 々=2雷射光L2'^T4際，由於在第！區域A1上網 第2 ,田射光u反射而成為熱的積蓄之原因的背面電極層 5(及”光電轉換層4)係林在，料發生因為第2雷射光 的知、射而f生熱的積蓄，可防止在透明基板2巾發生裂紋< 又，猎由使第2區域A2成為其周緣與第】區域A1腺 離的區域’第1雷射扣所形成的端面4t及端面5t_ 2.5/47 201125151 透月電極層3所去除的 f 2所去除的透明電極二綱2雷射 先電轉換層4的端面而發生分路'-附者於背面電極層5及 射光，藉由第1雷 射光L2來去除透明電極』 ^電極層5，藉由第2雷 加的熱，可防正裂紋的發生可減低對透明基板2所施 形成的端面M5t、=2H可減低第I雷射光以所 殘渣的附著，防止分路。 2所形成的3t之熔融及 如以上地邊緣刪除積層體】。 2〇。兹說嶋啊卿_照射裝置 圖9係顯示雷射光照射農置2 取一如 t所科，雷射麵射=之^ 聚光透鏡27、均化器23、掃 、〃有振蘯器2卜 态23、掃描器24及伤诱户％〆 永尤透釦27、均化 射光照射褒置20的構成“振蘯部。雷 雷射光照魏置2〇係與第 置^的振廬器之構成㈣，雷射光照射裝 以與第1實施形態的f射光照置有以下， 作說明。 攻罝川之不同點當作中心 本實施形態的雷射光照射 綠雷射光及第2=光:=二= 出射。振蘯器2!係内藏Nd:YA(} =卜線雷射光 激發用的雷射二極體等。振 田李二、田于晶體、光 為21係具備使由雷射晶體所

26/47 S 201125151 生成的雷射光(l〇64nm)成為第2次高次諧波(波長532nm) 的未圖示之非線形晶體，可成為能切換紅外線雷射光與綠 雷射光而進行出射的構造。 本實施形態的雷射光照射裝置20係不具有可變衰減 器。 與第1實施形態的雷射光照射裝置10不同，由於不需 要調整振盪器21所生成的雷射光之輸出，故可不設置可變 衰減器。 此等以外的構成(均化器23、掃描器24、fe透鏡25、 載台26)係可為與第1實施形態的雷射光照射裝置10同樣 的構成。 茲說明如以上所構成的雷射光照射裝置20之邊緣刪除 的一例。 於載台26上載置積層體1，藉由載台26移動，而調節 積層體1的位置，以使雷射光照射於積層體1的周緣部la 上之任一點。自振盪器21出射具有532nm的波長及指定的 輸出之綠雷射光。所出射的雷射光係經由聚光透鏡27而聚 光於均化器23。該雷射光係藉由均化器23轉換成一邊為 0.6mm的正方形之雷身十截面形狀，而被均一化。 綠雷射光係藉由掃描器24來掃描，通過f0透鏡25而 被修正，當作第1雷射光L1照射於積層體1的上述一點。 藉由位置控制機構來控制載台26的移動，於周緣部la内 形成第1雷射光L1所照射的區域之第〗區域A1。 其次，藉由載台16移動，而調節積層體1的位置，以 使雷射光照射到第1區域A1上的任一點。由振盪器21來 出射具有l〇64nm的波長及指定的輸出之紅外線雷射光。該 27/47 201125151 雷射光係藉由均化器23轉換成一邊An ^ 射戴面形狀，而被均一化。邊為〇.6職的正方形之雷 紅外線雷射係藉由掃描器24來掃描，通過f :«料2雷射M2㈣於__ 由位置控制機構來控制載台26的移動， ‘A = 形成第2雷射辆照射的區域之第2區域Α2。°” 位置控制機構，例如係在進行積層體i的 刪除之際，如圖7所示地，藉由掃圹哭^ 邊邊、，彖 L1，針第1卩冼λ 田斋24，使第1雷射光 對第1 S域A1 _層體i之中心側的 軸方向中自掃描開始位置起邊掃描 λτ * 弋妁距離，邊糟由位 置控佩構使仗Χ軸方向中移動指定距離。 以係使第i雷射光L]的照射位置在γ軸方3 ^田裔 心側相反的方向中，僅以與雷射光 ^ =反中 ^ ^ , 彳見沒相寺的距離進行 ^ ^ 24 r,^E, 心及t=描一定的距離。如此地，-邊使用掃描 时24及位置控制機構’—邊使載台％移動 的照射位置對發電部lb的周圍繞—周。又^ 雷射光u同樣’―_掃_4的 射田及位置控制機構，—邊使載台26移 更對外周峨-周。如此地，體射位置 如以上地，實施第2實施形態的邊緣刪除步驟st2。 以下，與第！實施形態的太陽能電池 同樣地製造太陽能電賴組。 、、从t造方法 —於本實施形態的太陽能電池模組之製造方 、曰及月面電極層5，故可確實地將框與此等層絕

28/47 S 201125151 :電二=:=:絕緣層7及保護層8的周緣與透 而透明基板2、絕緣層7及保護層8的周緣浸、： 而發電性能降低。 豕X/閏， (第3貫施形態） 茲說明本發明的第3實施形態。 省略與第1實施形態相同的内容之記載。 本具施形恕的太陽能電池模組之製造方法，係|古 、邊緣刪除步綱及模； 與第實施=體时:t(Stl)及模組化步驟(st3)’由於係 貝匕人悲、的太陽能電池模組之製造方法相 略記載。 u 故省 [邊緣刪除步驟(St2)] 第3實施形態的邊緣刪除步驟，係相對於在第 形怨及第2貫施形態中，於第1雷射. 只方匕 射㈣”…先 積層體1為照 ^、象几成1片基板分量的照射後，照射第2雷射光I〕 言’於第1雷射光L1以積層體“照射對象還未 : ，板分量的照射時，開始照射第2雷射光L2之點，片 貫施形態的邊緣刪除步驟不同。 /、弟2 作為第1雷射光L1，可使用以Nd:YAG晶體當 晶體的波長lG64nm之紅外線雷射光。第i #射光li二古 長，係可由對透明電極層3的光吸收小、對光電轉換~ 的光吸收大之紅外線波長範圍(7GG_〜25GG_) t，按^透 明電極層3及光轉換層4的材料來選擇。第巧射光l】 的能量密度，_取決於雷就的波長而透明電極層 透過率、光電職層4的吸收耗Μ，但在不去^透明 29/47 201125151 電，層3，而可絲光電轉換層4及背面電極層5的範圍内 適且選擇。例如，當波長1〇64nm的紅外線雷射光時，可 0.5 〜1.5J/cm2。 作為第2雷射光L2，可使用以Nd:YAG晶體當作雷射 晶體的波長l〇64nm之紅外線雷射光。第2雷射光u的波 長，係可由對透明電極層3的光吸收小、對光電轉換層4 的光吸收大之紅外線波長範圍（7〇〇nm〜25〇〇nm)中，按昭透 .. 明電極層3之材料來選擇。第2雷射光u的能量密度，雖 然取決於雷射光的波長而翻電極層3的吸收率係不同， 但在可去除透明電極層3的範圍内適宜選擇。例如，當波 長l〇64mn的紅外線雷射光時，可為刃义爪2以上。田〆 兹說明邊緣刪除步驟(St2)中所用的雷射光昭 30。 圖10係顯示雷射光照射裝置30的概略構成之圖。 如該圖中所示地’雷射光照射裝置3Q具有振盈哭Μ、 可變衰減器32、λ/2波長板38、偏光分束器％ 37a、37b、均化器33a、33b、掃描薄Q扎⑺ 還 哪钿态34a、34b、fe透鏡35a、 35b及載台36。於雷射光照射裝置3G中，振盡器3i、聚光 透鏡37a、37b、均化器33a、33b、掃描器343、她及历 透鏡35a、35W系相等於雷射光振盤部，可變衰減器32、λ/2 波長板38及偏光分束益39係相等於輸出調節機構。雷射 光照射裝置30的構成係不限於以下所示者。 s 振盡器31係將第1雷射光L1及第2雷射光L2的直線 偏光之紅外線雷射光出射。振絲31係内藏未圖示的 Nd:YAG雷射桿等的雷射晶體、光激發用的雷射二極體等。 減器31亦可具_於賴錢的軸錢轉的卩開關 30/47 201125151 機構。振盪器31係 41係可使用輪出直線偏光的雷射光。又，振盪器 可變衰減器32 光衰減，而調節輪出定自振盪器31所出射的紅外線雷射 向旋轉。藉由λ/2\ 。λ/2波長板38係使雷射光的偏光方 器39所分成兩半板38旋轉，可逆轉後述的偏光分束 使通過λ/2波長板的田射光之輸出比例。偏光分束器39係 分。例如，可38之雷射光的一部分透過，而反射一部 偏光分束器3^^射光之7〇%透過’將3〇%反射。 均化器33a、掃卜。，過的雷射光，係通過由聚光透鏡37a、 光路徑，照射於5L4'，透鏡祝所構成的第]雷射 光，係通過由又，偏光分束器39反射的雷射

先透1 見o7b、均化器33b、掃描器34b及fB 厅構成的第2雷射光路徑，照射於積層體1。例如， :入射的雷射光之3。%透過(反射) 田射光路牷的雷射光係成為低強度雷射光， #估〜、德㈣雷射光係成為高強度雷射光。此時， I則迷λ/2波長板38旋轉，由於變成使偏光分束器入射 光之70%透過(反射3〇%)，故通過第】雷射光路徑的 :子係成為高強度雷射光’通過第2 f射光路徑的雷射光 係成為低強度雷射光。 一聚光透鏡37a係將由偏光分束器39所透過的雷射光聚 光於均化器33a，聚光透鏡37b係將由偏光分束器39所反 射的雷射光聚光於均化器33b。均化器33a、33b係將所入 射的雷射光轉換成具有均勻的光強度分布之正方形的雷射 光點。掃描器34a、34b係藉由在反射雷射光的方向中推移 而掃描所入射的雷射光。伤透鏡35a、35b係修正掃描养 31 /47 201125151 34a料歧_點形狀。 彳/盥籍Μ 丁'見疋田于光對積層體1的照射位置。載A 36 Μ與積相丨__如、 36 =:正rY:向中可移動而構成 =由自在地照射雷射光。雷射光照繼30具有控: 载口 36之移動的未圖示之位置控制機構。 1 射光照㈣置3Q亦可為具有生成分別通過第 使彼等雷射絲減的魏減H32者。當 裝置30出射無偏光的雷射光時，不需要設置偏光分束^9。 緣删上構成的無偏光之雷射光照縣置3〇的邊 ;σ 36上載置積層體卜藉由載台36移動，而調節 、曰版1的位置，以使通過第丨雷射光路徑的雷射光係照 射於積層體1的周緣部la上之任—點，使通過第2雷射光 路f的雷射光照射於已照射上述㈣度詩級的上述周 p上之點。由振盪器31出射具有i〇64nm的波長及 指定<的輪出（例如500W)之紅外線雷射光，藉由可變衰減器 32來調節輸出，得到λ/2波長板38,透過偏光分束器39, 或進行反射，分割成第1雷射光路徑及第2雷射光路徑。 再者λ/2波長板38係透過率3〇%(反射率70%)，因此通過 第1雷射光路徑的雷射光係成為低強度雷射，通過第2雷 射光路徑的雷射光係成為高強度雷射光。低強度雷射光係 通過聚光透鏡37a'均化器33a，而轉換成一邊為0.6mm的 正方形之雷射截面形狀，被均一化。高強度雷射光係通過 聚光透鏡37b、均化器33b，同樣地轉換、被均一化。

S 32/47 201125151 低強度雷射光係藉由掃描器地來掃描，通過 35a而被修正。高強度雷射光係藉由掃描器鳥 4 過透鏡现而被修正。低強度雷射光係照射於上^周^ 部la上之-點’高強度雷射絲照射於上述低強度雷 上述周緣部〗3上之一點。藉由載台36移動， 而^射光照射於指定的難，藉由載台％的移動速度來 j疋低強，雷縣及—度雷射光㈣複解。此處，調 即低強度雷射光，以使成為不去 ，電轉換層4及背㈣ = U)’刪強度雷射光，叹成 極層3的能量密度之#射 雷射光L1之後接著照:第22)雷= 日守。周即第2雷射所照射的區域 〜 所，昭射的卩衿々rirW丨 — 吏成為第1雷射光 =射^域之内側。藉由位置控制機 移動，在周緣部la内开彡成定〗化利戰口允的 第1區域A：!，在第J Μ Λ1 $、光11所照射的區域之 任弟1區域AI内形成筮雨 的區域之第2區域A2。 成弟1射光L2所照射 刪除3控所例Γ在進行積層體】的】邊之邊緣 :如圖7所不地，藉由掃描器％ U，错由掃描器34b，使第2兩射幻，·使弟1由射光 的積層體1之中心側的端部上，於x轴方=1區域A1 位置S起掃描指定的距離α 車°中自掃描開始 控制機構而在Χ軸方6 _、人㈣田結束，則藉由位置 :射光U的照射位置在YJ:吏二:射光L〗及第2 向中，僅以鱼啦I 0基板中心側相反的方 ，、田射先的見度相等的距離進行移動。因此， 33/47 2〇Π25ΐ5ΐ 開始位置s起僅、：:在χ軸方向中自掃描 方向之寬 t 向中僅掃描故的距離《。重複^

對預定範圍的照射結 ？步驟，若在Y 將雷射光U及雷射光u的掃始^位置控制機構， 知描開始位置S起於\軸°離僅在自前述的 的X轴方向的寬度相等的距離、隹及與雷射光 用掃描器地、地及位置控制機構了1 ° ’ 一邊使 而使第1雷射光L1及第2雷射 ，吏载D 36移動， lb周圍繞一周。此時，置對發電部 結束’使載台36移動或旋轉。此處，藉由λ/2 次 將來自掃描器34a的第2雷射 波長板38， _，雷射= ==== ，相反的方向中移動，一邊將第二= 雷射光U照射於積層體卜藉此，如以射== =或旋轉所需要的時間可少，可縮短^ 餘5兄明藉由載台36來移動積層體1的方法之具體例。 圖11係顯示無法切換高強度諸光與低強度雷射光所 出射的雷射光路徑時的積層體〗之移動路㈣圖。其 積層體1的全周（第！至第4邊)進行邊緣刪除者，雷射光照 ，的位置係不移動。X1顯示第i雷射光路徑的照射位置， 2顯示第2雷射光路徑的縣位置。此處，於照射位置 =中照射第1雷射光L1 ’於照射位置Χ2中照射第2雷射 光L2。

34/47 S 201125151 如圖11(a)所示，積層體丨最初係位於位置（一、毒成 到雷射光(照射位置X1 +第！雷射* u及照射位置 ^ 2雷射光L2)的照射，—邊藉由載台36而移動到位置⑺。 錯此’積層體1的第！邊係被邊緣刪除。其次 ίτ、在位置(2)中載台36以積層體1的中心當作 二 右旋轉9G。旋轉而取得位置⑶，藉域台 ^ : 置(3)移動到位置(4)。 和動而仗位 接著，如圖11(b)所示，藉由載台36，積層 輪賴職置。“，積= W 2故係破邊緣删除。其次，積層體】係藉由載台％ 來紅轉，取得位置⑹。接著，積層體i係藉由載1而办 邊受到雷射光的照射，一邊移到:置⑻： 错此，積層體1的第3邊係被邊緣刪除。 繼續’如圖11(e)所示，積層體丨係藉由載 載台36而_，一，—邊= 2 : 動到位置⑴)。藉此，積層體1的第4 邊^被邊緣刪除。此處，於纽置⑺往位置(3)的旋轉由 位置⑶往位置(4)的移動、由位置 :轉由 ⑼往位置⑽的移動之間，沒有進行轉、由位置 低” ==r二行邊緣 1诉+移動。XI顯示第1命 位置，Χ2顯示第2带身 田射先L〗的照射 位置幻中昭射第]:^ 的射位置。此處’在照射 中…、射第1雷射光u，在照射位置Χ2中照射第2 35/47 201125151 雷射光L2 ’又若切換低強度雷射光與高強度雷射光，則在 照射位置X1中照射第2雷射光L2,在照射位置X2中照射 第1雷射光L1。 如圖12(a)所示，積層體1最初係位於位置(1)，一邊受 到雷射光(照射位置XI中第1雷射光L1及照射位置χ2中 第2雷射光L2)的照射，一邊藉由載台36而移動到位置(2)。 藉此，積層體1的第1邊係被邊緣刪除。其次，積層體j 係藉由載台36而移動到位置(3)，切換低強度雷射光與高強 度忌射光。積層體1係自位置(3)起’ 一邊受到雷射光(照射 位置Χ2中第1雷射光，照射位置XI中第2雷射光)的照射， 一邊藉由載台36而移動到位置(4)。藉此，積層體1的第2 邊係被邊緣刪除。 其次’如圖12(b)所示，積層體1係藉由載台36旋轉 而取得位置(5) ’移動到位置(6)。此處，再切換低強度雷射 光與高強度雷射光。積層體1係自位置(6)起，一邊受到雷 射光(照射位置XI中弟1雷射光L1及照射位置χ2中第2 雷射光L2)的照射，一邊藉由載台36而移動到位置(7)。藉 此，積層體1的第3邊係被邊緣刪除。 接著，如圖12(c)所示，積層體i係藉由載台36而移動 到位置(8)。此處，再切換低強度雷射與高強度雷射。積層 體1係自位置(8)起，一邊受到雷射光(照射位置χ2中第1 雷射光，照射位置XI巾帛2雷射光)的照射，一邊藉由載 台36而移動到位置(9)。藉此，積層體丨的第4邊係 刪除。此處，由位置⑺往位置(3)的移動丄== (5)的旋轉、由位置⑸往位置⑹的移動、由位置⑺往位置⑻ 的移動之間，沒有進行邊緣刪除。 36/47 201125151 如此地，當無法切換高強度雷射光與低強度 出射的雷射光路徑時，於積層體】的4邊之邊緣删除$ =糟由載台36來移動3次及旋轉3次。相對於此，、杂可 1換向強度f射光與㈣度雷射_ ς 二藉由Μ 36來移動3次及僅旋轉U，可邊 層脰1的4邊，即可減低生產節拍(tact)時間。 、貝 如以上地，積層體1係被邊緣刪除。 於本實施形態的太陽能電池模組之製造方法 ，除步驟(St2)中，可對積層體】同時照射第丨雷射= 弟2雷射光L2。因此，與分開照射第]雷射光L】1 =ί::Γ目比’可減低邊緣刪除步驟所需要的時間: 兹說明本發明的第4實施形態。 省，與第1實施形態_的内容之記載。 本實施形態的太陽能電池模組之製造方法，係具 作積層體的步驟_、邊緣刪除步_2)及模組化^ (St3)。製作積層體的步驟_、邊緣刪除 ： 由於係與第，實施形態的太陽能電二= 衣le方法相同，故省略記载。 [邊緣刪除步驟(St2)] 除步驟係與第3實施形態_ 丁'、、、耵弟1田射先L1與第2雷射光1^2。 作為第1雷射光u，可使用以Nd:YAG晶體當 晶體的波長1064mn之紅外線雷射光。帛！雷射光Li = 長、’/系可由對透明電極層3的光吸收小、電轉換/ 的光吸收大之紅外線波長範圍(麵〜25_m)中 又Ά透 37/47 201125151 明電極層3及光電轉換層4的材料 電Γ取決於雷射光的波長而透明電= =電轉換層4的吸收率係不同，但在不去除透: 去除光電轉換層4及背面電極層5的範圍内 編1G64嗜順_時，= 曰r射光L2 ’可使用以Nd:YAG晶體當作雷射 ;之紅外線雷射光。第2雷射心的波 長y糸可由對透明電極層3的纽收小、對光電轉換2 1光吸收大之紅外線波長範圍(7⑽nm〜2㈣中，按^ 0電極層3之材料來選擇。第2雷射 =於雷射光的波長而透明電極層3的吸二雖 -可去除透明電極層3的範圍内適宜選擇。例如， 長l〇64nm的紅外線雷射光時，可為5jW以上。田’ 兹說明邊緣删除步驟㈣中所用的雷射光照 4〇 〇 1 圖尸係顯示雷射光照射裝置4Q的概略構成之圖。 如該射所示地，雷射光照射裝置4G 無偏光分絲49、可細^42a、42b、聚光透鏡d 4几、均化器43a、43b、掃描器44&、4扑、伤透鏡、4% 及載f 46。於雷射光照射裝置4〇中，振盪器41、無偏光 分束器49、聚光透鏡47a、47b、均化器43a、43b、掃描哭 4=、44b及fB透鏡45a、45b係相等於雷射光振盪部; 變衰減器4 2 a、4 2 b係相等於輸出言周節機構。雷射光照射裝 置4〇的構成係不限於以下所示者。 、 振盪器41係將第i雷射光u及第2雷射光L2的紅外 38/47 201125151 光出射。振盈器41係内藏未圖示的Nd:YAG雷射桿 、、雷射晶體、光激發用的雷射二極體等。振 t用於_振_機械或€化料Q開_構。振盈器 _ 射無偏光的雷射光。又’振盈器41係可使用輸出 偏光分束器49係可使由振盪器41所出射的雷射光 渦4刀透過，將一部分反射。無偏光分束器例如係可透 匕所入射的雷射光之5〇%，可反射5〇%者。無偏光分束器 49透過的雷射光，係通過由可變衰減器42a、聚光透鏡47a、 均化器43a、掃描器44a及fe透鏡45a所構成的第】雷射 光路彳二，知射於積層體1。又，無偏光分束器49反射的雷 射光，係通過由聚光透鏡47b、均化器43b、掃描器44b及 伤透鏡45b所構成的第2雷射光路徑，照射於積層體}。 可變衰減器42a係配置於第1雷射光路徑上，使所入 射的、、、工外線雷射光衰減，而調節輸出。可變衰減器4?b係 -置杰第2雷射光路徑上，使所入射的紅外線雷射光衰減， 而，節輪出。與可變衰減器42a的衰減率相比，藉由增大 可變衰減器42b的衰減率，通過第1雷射光路徑的雷射光 係成為低強度雷射光，通過第2雷射光路徑的雷射光係成 為高強度雷射光。 聚光透鏡47a係將所入射的雷射光聚光於均化器43a， 聚光透鏡47b係將所入射的雷射光聚光於均化器43b。均化 J 43a、43b係將所入射的雷射光轉換成具有均勻的光強度 分布之正方形的雷射光點。掃描器44a、44b係藉由在反射 雷射先的方向中推移而掃描所入射的雷射光。相透鏡45a、 45b係修正掃描器44a、44b所掃描的雷射光之掃描速度及 39/47 201125151 雷射光點形狀。 係在規疋雷射光對積層體1的照射位置。載台46 及與；的面（雷射被照射面)平行之單向的X方向 ^ 。父的γ方向中可移動而構成 ，可使對χ·γ平 载么46 Λ在地照射雷射光。雷射光照射裝置4G具有控制 戟“:之移動的未圖示之位置控制機構。 ,+ ^如以上所構成的雷射光照射裝置40之邊緣冊j除 的一例。 、 方、载° 46載置積層體卜藉由载台46移動，而調節積 =1的位置，以使通過第丨t射光路㈣雷射光照射於 貝曰體1的周緣部la上之任—點，使通過第2雷射光路徑 的雷射光照射於已照射上述低強度雷射光後的上述周緣部 上之，::占由振蘯裔41出射具有i〇64nm的波長及指定 的輸出（例如8GGW)之紅外線f射光，透過(透過率5〇%)無 偏光分束器49，或進行反射(反射率5〇%)，分割成第1雷 射光路徑及第2雷射光路徑。分割於第丨雷射光路徑的雷 射。光，係被可變衰減器42a衰減到指定的輸出密度(例如 30%) ’而成為低強度雷射光。又，分割於第2雷射光路徑 的雷射光，係藉由可變衰減器42b，以比可變衰減器42a小 的衰減率’被衰減到指定的輸出密度(例如7〇%)，而成為高 強度雷射光。低強度雷射光係通過聚光透鏡47a、均化器 43a，而轉換成為一邊為〇.6mm的正方形之雷射截面形狀， 被均一化，高強度雷射光係通過聚光透鏡47b、均化器43b， 同樣地轉換、被均一化。 低強度雷射光係藉由掃描器44a來掃描，通過fQ透鏡 45a而被修正。高強度雷射光係藉由掃描器44b來掃描，通 40/47 201125151 ^透鏡.而祕正。健度料細㈣於上述 部〗a上之一點，向強度雷射光係照 、’ ·、 照射後的上述周緣部la上之-點。u低強度雷射光已 使雷射光照射於指定的範圍，藉由1由載台46移動’而 定低強度雷射光及高強度雷射光 低強度雷射光，以使成為不去除透 、羊此處― 光電轉換層4及背面電極層5的^； 3 3 ’而具有去除 射光叫，㈣高強度雷射光度之雷射靖1雷 層3的能f密度之f射光(帛2 ^具有去除透明電極 則在第1 %^ 射缸2)。若載台46移動， 接著照射第2雷射光…‘ ^训。错由位置控制機槿丈 動，在周緣部1&内形成第i載。46的移 區域Ai，在第丨區域則:成第)二=:域之第1 域之第2區域A2。 田射光L2所知、射的區 刪除3控所=係錢^層體1…邊之邊緣 L1 ^ 44bT^ 1 積層體1之中’的端部上，在χ軸方3 1區域A1的 置s起掃描指定的距離α。若ι 了士向中自掃描開始位 制機構而在XW向中僅以__定^束^則藉由位置控 動。然後，掃柃印 P使掃描開始位置移 射光。‘==’係使第1 f射光U及第2雷 中，僅以與雷射/ 轴方向中與基板中心側相反方向 動。因此，於τ:的X車由方向之寬度相等的距離進行移 ^ ^ 44a ' 44b , χ 置S起僅以一定距離β偏移的位置，在γ 41/47 201125151 中僅與雷射光的Y財向之寬度相料距離移動的 起，再於X軸方向中僅以指定的距離 α掃描。如此地， 她使崎描$ 44&、441)及位置控制機構，一邊使載台36 恭φ巾使第1雷射光Ll及第2雷射光L2的照射位置對 Π lb的周圍繞一周。如此地，積層體】係被邊緣刪除。 難ΐ本實施形態的太陽能電池模組之製造方法，在邊緣 驟(St2)中，可對積層體丨同時照射第丨雷射光L1與 *雷射光U。因此’與分開照射第1雷射光L1與第2 田射光L2的情况相比，可減低邊緣删除步驟所需要的時間。 本各明如不文上述實施形態所限定，在不脫離本發明 的要旨之範圍内，可加以變更。 △表上述各貫施形態中’為每次雷射光照射裝置各使用工 台者，但亦可同時使用複數台而實施邊緣刪除。例如，藉 由積層體的每1較们台來進行邊緣着，可在比依順 序對積層體1 # 4邊進行邊緣刪除之情況短的時間内完成 邊緣刪除步驟。 又，於上述各實施形態中，雖然第1雷射光路徑的照 2位置XI及第2雷射光路徑的照射位置Χ2之位置關係不 變’但亦可使此成為可變。例如，藉由成為以第】雷射光 路^的照射位置XI當作中心’第2雷射光路徑的照射位置 Χ2母。人可％轉9〇度的構成，可省略積層體的旋轉。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示第1實施形態的太陽能電池模組之製造方 法的流程圖。 圖2係顯示積層體製作步驟中所製作的積層體之構造 的截面圖。 _ s 42/47 201125151 圖3係顯示積層體製作步驟中所製作的積層體之平面 圖。 圖4係說明邊緣刪除步驟中第1雷射光的照射樣子之 圖。 圖5係說明邊緣刪除步驟中第2雷射光的照射樣子之 圖。 圖6係顯示第1實施形態的雷射光照射裝置之概略構 成的圖。 圖7係顯示以位置控制機構來控制雷射光的照射位置 之樣子的圖。 圖8係顯示模組化步驟中所模組化的積層體之截面圖。 圖9係顯示第2實施形態的雷射光照射裝置之概略構 成的圖。 圖10係顯示第3實施形態的雷射光照射裝置之概略構 成的圖。 圖11係顯示基板的移動路徑之圖。 圖12係顯示基板的移動路徑之圖。 圖13係顯示第4實施形態的雷射光照射裝置之概略構 成的圖。 【主要元件符號說明】 L1 第1雷射 L2 第2雷射 A1 第1區域 A2 第2區域 S 掃描開始位置 XI ' X2 雷射光照射位置 43/47 201125151 a ' β 距離 Stl 製作積層體的步驟 St2 邊緣刪除步驟 St3 模組化步驟 1 積層體 la 周緣部 lb 發電部 2 透明基板 3 透明電極層 3s、4s 分離線 3t、4t、5t 端面 4 光電轉換層 5 背面電極層 6 單元分離線 7 絕緣層 8 保護層 10、20、30、40 雷射光照射裝置 11 ' 21 ' 31 > 41 振盪器 12、32、42a、42b 可變衰減器 13 、 23 、 33a 33b、43a、43b 均化器 14、24、34a 34b、44a、44b 掃描器 15、25、35a 35b、45a、45b fe透鏡 16、26、36、46 載台 44/47 201125151 17 、 27 ' 37a 37b、47a、47b 聚光透鏡 38 λ/2波長板 39 偏光分束器 49 無偏光分束器 45/47

Claims (1)

1. 201125151 七 申請專利範圍： —種太陽能電池模組之製造方法，其係·· 對含有透明基板與在該透·板上依轉形成的透 極層、光電轉換層及背面電極層之積層體，自該透明 =射：雷射光，而去除該第i雷射光所照! 域上之戎光電轉換層及該背面電極層， 對該第1區域内，以與該第！區域的 具有與該第i雷射光不同特性的第式照射 2. 3 4. 2雷射光所照射_第2區耻之該翻電_去除該第 ^申請專聰圍第1項之太陽能電池之製衫法，其 與該第2雷射光具有紅外線波長範圍中所含 =光係以成為比該第1雷射光高的能量密度之方 Γ請專纖11第1項之謂能魏之製造方法，其 綠色光波長崎所含有的波長， 如 14: ίΐΓ外線波長範圍，所含有的波長。 二請側照射該： 中該第μ域含有該制賴組之私方法，其 一種太陽能電池模組之製造 在該透明基板上依順序形成基板與 f面電極層侧f射=^=^ S 46/47 6. 201125151 造裝置，其具備： 生成具有紅外線波長範圍中所含有的波長之雷射光的雷 射光振盪部， 於去除該光電轉換層及該背面電極層時，調節該雷射光的 輸出而形成第1雷射光，於去除該透明電極層時，調節該 雷射光的輸出而形成具有比該第1雷射光高的輸出之第2 雷射光的輸出調節機構， 載置該積層體的載台，及 於對該積層體進行該第1雷射的光照射而已去除所形成的 該光電轉換層及該背面電極層之第1區域中，對該積層體 照射該第2雷射光而已去除所形成的該透明電極層之第2 區域，被含於該第1區域中，而且以其周緣與該第1區域 隔離的方式，控制該雷射光振盪部與該載台的相對位置之 位置控制機構。 47/47