TW201118197A - CVD reactor - Google Patents

CVD reactor Download PDF

Info

Publication number
TW201118197A
TW201118197A TW099127289A TW99127289A TW201118197A TW 201118197 A TW201118197 A TW 201118197A TW 099127289 A TW099127289 A TW 099127289A TW 99127289 A TW99127289 A TW 99127289A TW 201118197 A TW201118197 A TW 201118197A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing chamber
wall portion
gap
heating device
heat
Prior art date
Application number
TW099127289A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerhard Karl Strauch
Daniel Brien
Martin Dauelsberg
Original Assignee
Aixtron Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron Ag filed Critical Aixtron Ag
Publication of TW201118197A publication Critical patent/TW201118197A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

201118197 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種反應器,特別是CVD反應器,包括 一佈置在一反應器殼體内的可加熱之本體、一用於加熱該本 體且與該本體間隔有一定距離的加熱裝置及一與該本體間 隔有一定距離的冷卻裝置,該冷卻裝置如此佈置,使得熱量 自該加熱裝置經由該加熱裝置與該本體間之間隙傳遞至該 本體,再自該本體經由該本體與該冷卻裝置間之間隙傳遞至 該冷卻裝置。 本發明此外亦有關於一種在一反應器具有第一壁部及第 二壁部之處理室内對一基板進行熱處理的方法,特別是在一 CVD反應器内沉積層的方法,其中,該基板平放於一構成 該處理室第一壁部之基座上,至少一壁部被一與該壁部間隔 有一定距離的加熱裝置加熱至一處理溫度,該至少一已加熱 壁部分配有一與該壁部間隔有一定距離的冷卻裝置,該冷卻 裝置如此佈置,使得熱量自該加熱裝置經由該加熱裝置與該 已加熱處理室壁部間之間隙傳遞至該處理室壁部,再自該已 加熱處理室壁部經由該已加熱處理室壁部與該冷卻裝置間 之間隙傳遞至該冷卻裝置。 【先前技術】 DE 100 43 601 A1係有關於一種同類型反應器。此種反應 器具有一將反應器殼體内腔與外界氣密隔離的外壁。反應器 099127289 4 201118197 殼體内設一處理室,該處理室向下由一基座界定,向上由一 處理室頂部界定。基座及處理室頂部皆用石墨製成,利用高 頻交變場實現加熱。相關射頻加熱裝置位於基座下方或處理 室頂部上方,其外形分別為一螺旋形盤管。盤管本體由2中 空體構成。該中空體呈螺旋狀。中空體内通冷卻劑,故該加 熱裝置同時亦為一冷卻裝置。該等射頻盤管所產生之交變場 在基座或處理室頂部中產生渦電流,由此使基座或處理室頂 部得到加熱。 DE 103 20 597 A1、DE 10 2006 018 515 A1 及 DE 1〇 2〇〇5 056 320 A1亦有關於類似反應器。 10 2005 055 252 A1亦描述一種同類型裝置,其處理室内 設一基座,該基座由石墨構成且同樣由一通冷卻液的射頻般 管加熱’該基座下方設有一石英製支撐板。在該石英板上, 圍繞一中心軸受到旋轉驅動的基座在一氣墊上滑動。基座底 面與石英板頂面間之縫隙内設有多個通道,藉該等通道為一 驅動機構提供驅動氣體,以便對嵌入在基座頂面凹槽内的基 板座進行旋轉驅動。通冷卻劑之該射頻盤管亦同樣與基座間 隔有一定距離。 US 5,516,283 A描述一種用於處理多個圓盤形基板的處 理設備,其在間隔有一定距離堆疊佈置之基板間設有傳熱元 件。 DE 198 80 398 B4係有關於一種基板測溫裝置,其使用插 099127289 5 201118197 裝在被覆零件中的溫度感測器來量測基板之底面溫度。 US 6,228,173,B1描述一種用於對半導體基板進行熱處理 之熱處理設備。其工作板下方設有一用於反射熱輻射的環形 熱補償元件。 US 2005/0178335 A1係有關於一種調溫系統,其係藉由在 已加熱基座與冷卻器間之間隙内通入導熱氣體以達成調溫 目的。 技術上要求對已加熱處理室壁部的發熱狀況局部施加影 響。傳統解決方案係為局部改良熱輸出。但因高頻交變場較 為複雜且與邊界條件及功率相關’故其效益甚微。 【發明内容】 本發明之目的在於提供多項可對已加熱處理室壁部之表 面溫度局部施加影響的措施且該等措施具有可重複性。 此目的藉由如申請專利範圍所述之本發明而達成,附屬項 為各並列請求項之有利改良方案,同時亦構成上述目的之獨 立解決方案。 本么明之主要暨基本特徵在於,該已加熱壁部與該冷卻裝 f或加熱裝置間之間隙内可送入-或多個調節元件。該等調 1元件可纟4理過g中或在兩相繼實施的處理過程之間 發生位移,從而在基座之表面引起局部溫度變化。 本毛明基於以下認識:如DE 1〇綱5 252 ai所述之 CVD反應②’在自射頻加熱裝置傳輸至基座或已加熱處理 099127289 6 201118197 室頂部的功率中大約有10%至如〇/ 4 用在於對該熱虿之回輸途徑施加影響。 在佈置於反應II殼體㈣之處㈣中所實施的製 在1毫巴以上嶋力下進行。因此,存在於基座與加就裝 置/冷部裝置間之氣體的總壓力至少為1毫巴。該氣體-般 為-惰性氣體,例如稀有氣體、氫氣錢氣。當處理溫度低 於H)0〇C時,此氣體會以熱傳導方式將可觀的功率從已加 熱壁部(例如,該基座)雜處理室之—_輸至通冷卻劑之 盤管管圈。在更高溫度下則以熱韓射形式將可觀的功率傳輸 至該等冷卻it件。若在基座核理_部與加齡置/冷卻 裝置間之間隙内局部設置—調節元件,即可對該熱量之回輸 施加影響。若該熱量之回輸以熱傳導為主,則較佳地該調節 70件之比熱導率遠大於存在於該間隙内之氣體的比熱導 率。較佳地該二比熱導率之商至少為2,尤佳至少為5。採 用本發明方法之該種變型方案時,藉由在基座或處理室頂部 與冷部裝置/加熱裝置間之間隙内自外部插入一調節元件, 可局部增大熱量回流,從而使基座或處理室頂部在該位置上 的表面溫度發生輕微下降。若該調節元件由電絕緣材料構 成’則無法對以射頻耦合方式輸入基座或處理室頂部之能量 施加影響。根據本發明一種變型方案,該調節元件至少在其 才曰向基座或處理室頂部之一側具有一反射性表面。該表面可 099127289 201118197 反射土座或處理室頂部所發出的熱輕射,以此減小從基座或 至頁P之表面到射頻盤管的熱量回輸。採用該種變型方 案寺較佳H㈣元件具有極低之熱導率。該熱導率低於 该乱體,熱導率。#此可在基絲面產生局部賴效果。作 為僅》又早獨-個射頻盤管之替代方案,亦可佈置多個同轴相 接的射頻盤s。此等射頻盤管可以不同功率進行X作。藉此 可對土 ^或處理至頂部之局部供應能量進行粗略調節。精確 周畴則應按上述方式藉由調節基座或處理室頂部至冷卻襄 ,之熱量回輸而實現。其中在某些區域内,輸入基座或處理 至頂。P之功率可能高於其他區域。正常情況下可在該些區域 範圍内在加熱盤官與基座或處理室頂部之間佈置調節元 件。^加熱區為圓形,則其整個範圍皆可設置由若干弓形構 成的㈣5周料件。當該調節元件被移除時,基座或處理室 頂部將會局部出絲面溫度上升之情況。在此情況下,平放 於該基座上之基板的邊緣受熱程度會大於基座中央區域。藉 此可避減板發m形彎曲,,(Kesseln),即邊緣向上彎 曲。此點甚至剌於下述情況:基座践形,基板平放於多 個®繞基座ϋ置的基板座上’該等基板座各承載一基板 且按DE 10 2005 055 252 A1所述之方式繞軸旋轉。在此情 況下僅需對位於該板座《邊緣區域下方之徑向外侧或徑 向内側的加熱區進行調節。該處理室頂部指向處理室之表面 之裱形區域上的表面溫度可藉類似方式予以降低或提高。 099127289 0 201118197 藉本兔明之解決方案可實現—種加熱I置,其加熱能力可 施以局部影響且方法簡單,從而使基座表面溫度均勾化。從 調節角度看’該機構耐用、低維護。僅f藉由相應選擇及佈 置通冷卻㈣射頻盤管來對其進行粗略預調。其巾主要調節 該等射頻盤管到基座之距離。基座表面溫度分佈中因射頻盤 管之螺旋狀外形而產生的不規則性同樣可藉該等調節元件 之恰當成型與佈置加以補償。基座溫度愈高,加熱盤管之溫 度反柄合度愈大。 下文將藉由附圖對本發明之實施例予以說明。 【實施方式】 為清楚起見,各圖所示僅為佈置於反應器殼體内部的處理 室1及其底部2與頂部3以及說明本發明所需之其他機構。 處理至1及附圖所示其他機構位於不伽反應器殼體内 部。未圖示反應器殼體的壁部穿設有用於輸送處理氣體及反 應斋忒體内加熱裝置4、17工作所需之熱能的輸送管。另設 有用於排放已用過處理氣體的排出管及冷卻劑的輸送管及 排出管’以便經冷卻通道5、18將冷卻劑送入及排出反應哭 殼體。該反應器殼體對外係氣密封閉,因而可用真空果(圖 略)抽空或保持一明確的總内壓。 圖1至圖4為第一實施例,基座2由 體成型或組合式 石墨盤構成。圓盤形之基座2可繞一位於支柱14中的中心 轴旋轉。為此’支柱14可由一旋轉驅動裝置予以旋轉驅動。 099127289 9 201118197 支柱14及基座2内設多個進氣管8 ’該等進氣管與設於基 座2指向處理室1之頂面的凹槽連通。該等凹槽内各嵌入圓 盤形之基板座7。自排氣孔射出的氣體噴柱可使得基板座7 在懸浮狀態下進行旋轉。該等基板座7上平放有一或多個有 待在處理室1内加以熱處理之基板。 該熱處理可為一塗覆製程。該塗覆製程係為CVD製程, 較佳為MOCVD製程,藉由佈置於處理室1中央的進氣機 構9將反應性處理氣體連同運載氣體一起送入處理室1。該 處理氣體可為一氫化物,例如NH3 ’由直接佈置於基座2 上方之輸送管12送入處理室。位於該輸送管上方的輸送管 11則用於將有機金屬化合物(例如,TMGa或TMIn)形式之 處理氣體送入處理室1。 處理室1向下由基座2界定,處理室1向上則由一處理室 頂部3界定。處理室頂部3及基座2可由石墨構成。 經進氣機構9進入處理室1之處理氣體基本僅在佈置於基 板座7上的基板表面發生分解。該基板表面溫度適宜,適合 處理氣體在此發生熱分解。分解產物應沉積於基板表面,同 時形成單晶III-V層。 δ又有用於加熱基座2之射頻加熱裝置,其由一個呈螺旋狀 臂曲的管件4構成。該呈螺旋狀彎曲管件4位於基座2下方 一平行平面内。射頻加熱裝置4與基座2之底面間存在一間 隙。該官件構成一冷卻通道5,其中通冷卻劑(例如,水)。 099127289 201118197 射頻盤管4所產生之高頻交變場在導電之基座2内產生渴電 流。該渦電流因基座2具有電阻而在其中產生熱量,從而將 基座2加熱至低於1GG(rc或高於麵。(:之處理溫度。基座 2經加熱後所達到的溫度通常超過$⑽。^。 —揮發性反應產物及該運載氣體在徑向外側流出圓形處理 室1並由環形排氣機構10排走。環形排氣機構ι〇由一中空 體構成且具有多個開口 13,氣體可經由該等開π進入環: 排氣機構10。環形排氣機構10與上述真空泵相連。 射頻盤管4所產生的交變電磁場具有一種空間構型,此空 間構型不僅與圍繞處理冑1所佈置之元件的幾何結構及材 料特性相關,該錢電磁場之空間構財與該射頻加熱盤管 的輸入功率有關。因此藉由對射頻加熱盤管4進行相應設 計’即相應設計管®間距或類似尺寸,可對基座2指向處理 至1之表面的溫度分佈進行粗略調節。經該射頻場輸入基座 2之功率被基座2轉骑及㈣導形輕騎運載氣體在 處理室1内部散逸。在此方向上係朝處理室頂部3方向散 逸。處理室頂部若非自動主動加熱,則由基座2所散發之熱 量加熱。 然而在基座2所吸收的射頻能量令,有極大一部分亦由基 座2之底面朝已冷卻射頻加熱盤管4的方向散發。用沖洗氣 體(例如,虱氣或氮氣)沖洗加熱盤管4與基座2之間的間 隙。該處之總壓力一般都超過丨毫巴,在該總壓力下,將有 099127289 11 201118197
可觀的熱量以熱傳導方式自基座2散發到加熱盤管4上教I 此處由冷卻通道5中的冷卻劑散熱。 設有多個調節元件6。在本實施例中,該等調節元件為胃 弓形,可以處理室1之中心為基準沿徑向自不工作位置壤& 工作位置。圖2為該等弓形6之俯視圖,圖1為其剖面圖 圖3為調節元件6處於不工作位置時的俯視圖。圖1中點~ 線部分表示該等調節元件處於不工作位置。調節元件6在上 作位置上共同形成一個完整的圓,其材料熱導率遠高於間%、 内氣體之熱導率。在圖1所示實施例中,調節元件6之柯料 厚度大於該間隙一半高度。調節元件6由石英、藍寶石、丄 破 能力優於不設調節元件的同等 璃或類似的不導電材料構成。因而從其剖面看,調節元件6 構成一段導熱距離,其導電 度距離。故當調節元件6從圖1中用點劃線表示的不X作& 置進入用實線表示之工作位置時,會增大基座2由調節元件 6覆蓋之區域内從基座2到加熱盤管4的熱量回輸。其社 、、ti 果 為基座2之表面得到局部冷卻。如圖2所示形成完整i裒形 調節元件6在基座2下方及基板座7之邊緣下方位於一趣向 外側區域内。由於基板座7繞一軸旋轉且該軸位於調節元件 6所在區域以外,平放於基板座7上的基板僅邊緣段得到冷 卻。由於基板座7在加工過程中連續繞其旋轉軸7旋轉,基 座2之徑向外側區域内之局部降溫將使得在基板座7上大體 整面延伸的圓形基板之整個邊緣皆發生降溫。藉此可避免基 099127289 12 201118197 板彎曲。 、'、製各令可藉由以馬達驅動的機械驅動裝置(圖略) 使調節元件6往返於圖2及圖3所示兩位置之^ j圖5所示實施财,處理室中之相同元件由相同元件符 二在本實施例中,處理室頂部3並非由—體成型或組 ,只。石墨板構成。處理室頂部3具有多個呈筛狀佈置的 :氣孔16。處理室頂部3在此由-“蓮蓬頭”5構成。處 軋體經該等排氣孔16進入處理室。 在本只〜财’基座2與佈置在該基座下方的加熱盤管4 之門亦同樣有⑤導熱電絕緣位置之可變調節元件6。 在圖6所示之第三實施例中,處理室頂部3係用石墨或另 一導電材料製成。處理室頂部3上方間隔有—垂直距離處同 樣設有射頻加熱裝f 17,其由一個呈螺旋狀彎曲的管件構 成。該管件構成—冷料道18,其巾通冷㈣。該射頻加 熱盤管與處理室頂部3之間設有調節元件19,其由石英、 玻璃、藍寶石或其他比熱導率較高但為電絕緣的合適材料構 成。此處亦可設置多個在如圖6所示工作位置上形成一完整 圓圈的調節元件19。 基座2與射頻加熱盤管4之間同樣設有調節元件6 “周節 元们9、6可自-卫作位置(在該位置上,其位於處理室! 之輪扉以外)進人-工作位置(在該位置上,其位於處理室】 之輪廓以内)。 099127289 13 201118197 根據本發明-種變型方案,調 極低的材料構成。藉由如此設物」:19由-種熱導率 又°卞5周即兀件6、19,可诘,"λ 基座2或處理室頂部3到冷卻通道了減小攸 片杏《一 的熱蛋:回輪。 當處理溫度介於·。C與咖。c之間時,敎 j 熱量回輸傳熱機制。在更高溫度 私4要的 皿/又卜則以熱輻射為主。 隶佳方式對此傳熱過程施加影塑 _ 々主二^ I 5周即兀件6指向基座2 之表面6,或調節元件19指向處理室頂部3之表面a,可具有 反射性。在此情況下,若在加熱盤管4、17與基座2或處理 至頂部3間之__人調節元件6、19’即可減小從基座 2或處理室頂部3到冷卻通道5、18的熱量回輸。 調節元件6、19指向射頻盤管4、17之表面6"、—同樣 可具有反射性。但此非必要措施。 所有已揭示特徵(自身即)為發明本質所在。故本申請案之 揭示内容亦包含相關/所附優先權文件(在^請副本)所揭 示之全部内容,該等文件所述特徵亦一併納入本申請案之申 清專利範圍。 【圖式簡單說明】 圖1為CVD反應器處理室之半侧剖面圖,為清楚起見, 反應器壁部圖略; 圖2為沿圖1中Π-ll線截取的剖視圖,其中調節元件處 於其工作位置; 圖3為如圖2之視圖,其中調節元件已進入不工作位置; 099127289 14 201118197 圖4為沿圖1中IV_;[V線截取之剖視圖. 成; 及 圖 6為本發明第三實施例, 部3 亦可加熱。 【主要元件符號說明】 1 處理室 2 底部/基座 3 頂部/處理室頂部 4 加熱農置/管件/射頻 #、、、 5 冷卻通道 6 調節元件/弓形 6, 表面 6n 表面 7 基板座 8 進氣管 9 進氣機構 10 環形排氣機構 11 輪适管 12 輪送管 13 開D 14 支杈 099127289 圖5為本發明k實施例,其處理室頂部由—蓮蓬頭構 置的處理室頂 15 201118197 15 蓮蓬頭 16 排氣孔 17 加熱裝置/射頻加熱裝置/加熱盤管/射頻盤管 18 冷卻通道 19 調節元件 19' 表面 19〃 表面 099127289 16

Claims (1)

  1. 201118197 七 、申請專利範圍·· 應;^5應器,特別是CVD反應器,包括—佈置在一反 =:的可加熱本體(2’3)、一用於加熱該本體& 3) 版(2 ’ 3)間隔有—歧離的加熱裝置(4,17)及-盜 =本_’3)間隔有—_離的冷卻裝置(5,】8),該冷卻褒 口此佈置,使得熱量自該加熱裝置(4, 17)經由該加熱裝 以’ 17)與該本體(2,3)間之間隙傳遞至該本體(2,3),再 自5亥本體(2 ’ 3)經由該本體(2 ’ 3)與該冷卻裝置(5,18)間之 間隙傳遞至該冷卻裝置(5,1δ),其特徵在於: 口亥冷部裝置/加熱裝置(4’5, 17, 18)間之間隙内可放入一 ❹购節元件(6’ 19)’以便對該傳熱過程局部施加影響。 2·如申請專利範圍第1項之反應器,其中, .可加熱之該本體(2,3)與該冷卻裳置(5,ΐδ)間之間隙内包 3乳體’該氣體具有-第一比熱導率,該調節元件(6,⑼ 具有-第二比熱導率’該第二比熱導率有別於·該第—比熱導 ”寺疋°之大於第—比熱導率,較佳至少為該第-比熱 導率的兩倍或五倍。 3.如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 可加熱之該本體(2,3)由一構成—處理室(1)的一第一壁部 =用於容置-待熱處理基板之基座(2)構成,亦或由該處理 至(1)與該基座(2)間隔有一定距離相對佈置的一第二壁部(3) 構成。 099127289 17 201118197 4.如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 該調節元件(6, 19)可自該調節元件(6, 19)位於該處理室 ⑴輪廓以外之-不X作位置進人該間隙内—位於該處理室 (?輪廓以内的工作位置’亦或可在該間隙内兩位於該處理 室(1)輪廓以内的工作位置之間進行位移。 5·如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 該加熱裝置(4,17)由-射頻盤管構成,該冷卻裝置由該 射頻盤管内一冷卻通道(5,18)構成。 6. 如申請專利範圍第5項之反應器,其中, 該射頻盤管(4)呈螺旋狀佈置在該沿—水平面延伸之⑽ (2)下方之—平面内’駐少—調節元件⑹以可位移之^ 佈置在該基座(2)與騎《管⑷之間-平行平面内。 7. 如申請專利範圍第5項之反應器,其中, 該射頻盤管(17)呈螺旋狀佈置在該沿—水平面延伸且參 -基座(2)相#佈置之處理室頂部(3)上方之_平面内,該至 少一調節元件(19)以可位移之方式佈 : 與該射頻盤管(17)之間—平行平面内。&至了、祁 8. 如申請專利範圍第5項之反應器,其中, 該調節元件(6,19)為-電絕緣體且特定言之由石英構成( 9. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 該調節元件(6’19)指向可加熱之該本體(2,3)或該加熱裝 置(4 ’ Π)的表面(6',6”,19,,19”)具反射性。 099127289 18 201118197 10. —種在一反應器具有一第一壁部及一第二壁部(2,3) 之處理室(1)内對一基板進行熱處理的方法,特別是在一 CVD反應器内沉積一層的方法,其中,該基板平放於一構 成該處理室(1)之第一壁部之基座(2)上,至少一壁部(2,3) 由一與該壁部(2,3)間隔有一定距離的加熱裝置(4,19)加熱 至一處理溫度,該至少一已加熱壁部(2,3)分配有一與該壁 部間隔有一定距離的冷卻裝置,該冷卻裝置如此佈置,使得 熱量自該加熱裝置(4,17)經由該加熱裝置(4,17)與該已加 熱處理室之壁部(2,3)間之間隙傳遞至該處理室之壁部(2, 3),再自該已加熱處理室之壁部(2,3)經由該已加熱處理室 之壁部(2, 3)與該冷卻裝置(5,18)間之間隙傳遞至該冷卻裝 置(5,18),其特徵在於: 一或多個可放入該冷卻裝置/加熱裝置(4,5 ; 17,18)間之 間隙内的調節元件(6,19)在該熱處理過程中及/或在若干相 繼實施之處理步驟之間進行位移,以便對該傳熱過程局部施 加影響,進而對該已加熱壁部(2,3)指向該處理室(1)之表面 的溫度局部施加影響。 11. 如申請專利範圍第10項之方法,其中, 在由該第一壁部構成之一基座(2)或由該第二壁部構成之 一處理室頂部(3)與分配給相應壁部之該冷卻裝置(5,18)間 的間隙内存在一氣體,該氣體具有一第一比熱導率,該調節 元件(6,19)具有一第二比熱導率,該第二比熱導率有別於 099127289 19 201118197 該第一比熱導率且至少為該第一比熱導率的兩倍。 12·如申凊專利範圍第項之方法,其中, 該,體為氫氣、氮氣或一稀有氣體,該間隙内之總遂力介 於1晕巴與1 〇〇〇毫巴之問,节 間口亥5周即凡件(6,19)由石英、誌 知石或破璃構成,該已加熱壁 ' 13如申… 丨(2 3)由-石墨製品構成。 .申π專利範圍第10項之方法,其中 該加熱褒置(4’17)為一由_ :、, 裝置,一冷卻液穿過該管件所構成、,之螺旋形射頻加熱 的冷卻通道(5,18)。 099127289
TW099127289A 2009-09-08 2010-08-16 CVD reactor TW201118197A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009043960A DE102009043960A1 (de) 2009-09-08 2009-09-08 CVD-Reaktor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201118197A true TW201118197A (en) 2011-06-01

Family

ID=43064513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099127289A TW201118197A (en) 2009-09-08 2010-08-16 CVD reactor

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20120156396A1 (zh)
EP (1) EP2475804A1 (zh)
JP (1) JP2013503976A (zh)
KR (1) KR20120073273A (zh)
CN (1) CN102612571A (zh)
DE (1) DE102009043960A1 (zh)
TW (1) TW201118197A (zh)
WO (1) WO2011029739A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011055061A1 (de) * 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
DE102012108986A1 (de) 2012-09-24 2014-03-27 Aixtron Se Substrathalter einer CVD-Vorrichtung
US10727092B2 (en) * 2012-10-17 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Heated substrate support ring
DE102013109155A1 (de) * 2013-08-23 2015-02-26 Aixtron Se Substratbehandlungsvorrichtung
DE102013113048A1 (de) 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Heizvorrichtung für einen Suszeptor eines CVD-Reaktors
DE102013113046A1 (de) 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Stütz- bzw. Verbindungselemente an einem Heizorgan eines CVD-Reaktors
DE102013113045A1 (de) 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Heizvorrichtung
KR101598463B1 (ko) * 2014-04-30 2016-03-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
DE102016103270B3 (de) * 2016-02-24 2017-05-11 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Halterung, Rotation sowie Heizung und/oder Kühlung eines Substrats
US11430639B2 (en) * 2018-12-13 2022-08-30 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Plasma processing system
DE102019104433A1 (de) * 2019-02-21 2020-08-27 Aixtron Se CVD-Reaktor mit Mitteln zur lokalen Beeinflussung der Suszeptortemperatur
DE102019116460A1 (de) * 2019-06-18 2020-12-24 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen und Einstellen der Neigungslage eines Suszeptors
CN110961489B (zh) * 2019-12-20 2021-06-15 芜湖通潮精密机械股份有限公司 一种气体扩散器的平面度热整形处理工艺
DE102020107517A1 (de) 2020-03-18 2021-09-23 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
KR102500070B1 (ko) * 2021-03-30 2023-02-15 주식회사 테스 유기금속화학기상증착장치
DE102022002350A1 (de) 2022-06-29 2024-01-04 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln eines Substrates

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5062386A (en) * 1987-07-27 1991-11-05 Epitaxy Systems, Inc. Induction heated pancake epitaxial reactor
JPH07254591A (ja) * 1994-03-16 1995-10-03 Toshiba Corp 熱処理装置
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
JPH10239165A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Sony Corp 基板の温度測定器、基板の温度を測定する方法および基板の加熱方法
US6228173B1 (en) * 1998-10-12 2001-05-08 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-treating apparatus for semiconductor process system
DE10043601A1 (de) 2000-09-01 2002-03-14 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
WO2002071446A2 (en) * 2001-03-02 2002-09-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for active temperature control of susceptors
US7412299B2 (en) * 2002-12-23 2008-08-12 Mattson Thermal Products Gmbh Process for determining the temperature of a semiconductor wafer in a rapid heating unit
JP4058364B2 (ja) * 2003-03-18 2008-03-05 株式会社日立製作所 半導体製造装置
DE10320597A1 (de) 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
DE102005055252A1 (de) 2005-11-19 2007-05-24 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter
DE102005056320A1 (de) 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan
DE102006018515A1 (de) 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke
DE102007009145A1 (de) * 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE

Also Published As

Publication number Publication date
CN102612571A (zh) 2012-07-25
US20120156396A1 (en) 2012-06-21
JP2013503976A (ja) 2013-02-04
WO2011029739A1 (de) 2011-03-17
DE102009043960A1 (de) 2011-03-10
EP2475804A1 (de) 2012-07-18
KR20120073273A (ko) 2012-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201118197A (en) CVD reactor
US6301434B1 (en) Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates
CN107881490B (zh) 化学气相沉积装置及其用途
US20120244684A1 (en) Film-forming apparatus and method
TWI703639B (zh) 用於加熱半導體基板的燈具
CN100479117C (zh) 半导体器件的热处理系统
KR101624984B1 (ko) 열처리 챔버에서 웨이퍼 지지부의 온도 측정 및 제어 장치 및 방법
TWI654712B (zh) 用於具有多區加熱之基材支撐件的方法及設備
US20110089166A1 (en) Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US6492621B2 (en) Hot wall rapid thermal processor
TW201212126A (en) Substrate support for use with multi-zonal heating sources
KR19990013713A (ko) 오버헤드 솔레노이드 안테나 및 모듈식 플라즈마 구속자석 라이너를 가지는 유도 결합된 rf 플라즈마 반응기
WO2012125469A2 (en) Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
TW201230243A (en) Metal organic chemical vapor deposition apparatus and chamber assembly therefor
KR20120140631A (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP4583618B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102603029B1 (ko) 열처리 방법 및 열처리 장치
JP3383784B2 (ja) 半導体ウェハの熱処理装置
JP2007095923A (ja) 半導体結晶の成長装置
TWM526576U (zh) Mocvd設備及其加熱裝置
TW201502314A (zh) 用於原子層沉積之加熱燈
JPH08316154A (ja) 疑似ホットウォール反応チャンバ
WO2015194675A1 (ja) 加熱装置、加熱方法、温度調整機構及び半導体製造装置
KR20210095059A (ko) 불균일한 열 출력의 필라멘트 램프를 갖는 반도체 처리 챔버
JP2000260720A (ja) 半導体製造装置