TW201118197A - CVD reactor - Google Patents
CVD reactor Download PDFInfo
- Publication number
- TW201118197A TW201118197A TW099127289A TW99127289A TW201118197A TW 201118197 A TW201118197 A TW 201118197A TW 099127289 A TW099127289 A TW 099127289A TW 99127289 A TW99127289 A TW 99127289A TW 201118197 A TW201118197 A TW 201118197A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- processing chamber
- wall portion
- gap
- heating device
- heat
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
201118197 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種反應器,特別是CVD反應器,包括 一佈置在一反應器殼體内的可加熱之本體、一用於加熱該本 體且與該本體間隔有一定距離的加熱裝置及一與該本體間 隔有一定距離的冷卻裝置,該冷卻裝置如此佈置,使得熱量 自該加熱裝置經由該加熱裝置與該本體間之間隙傳遞至該 本體,再自該本體經由該本體與該冷卻裝置間之間隙傳遞至 該冷卻裝置。 本發明此外亦有關於一種在一反應器具有第一壁部及第 二壁部之處理室内對一基板進行熱處理的方法,特別是在一 CVD反應器内沉積層的方法,其中,該基板平放於一構成 該處理室第一壁部之基座上,至少一壁部被一與該壁部間隔 有一定距離的加熱裝置加熱至一處理溫度,該至少一已加熱 壁部分配有一與該壁部間隔有一定距離的冷卻裝置,該冷卻 裝置如此佈置,使得熱量自該加熱裝置經由該加熱裝置與該 已加熱處理室壁部間之間隙傳遞至該處理室壁部,再自該已 加熱處理室壁部經由該已加熱處理室壁部與該冷卻裝置間 之間隙傳遞至該冷卻裝置。 【先前技術】 DE 100 43 601 A1係有關於一種同類型反應器。此種反應 器具有一將反應器殼體内腔與外界氣密隔離的外壁。反應器 099127289 4 201118197 殼體内設一處理室,該處理室向下由一基座界定,向上由一 處理室頂部界定。基座及處理室頂部皆用石墨製成,利用高 頻交變場實現加熱。相關射頻加熱裝置位於基座下方或處理 室頂部上方,其外形分別為一螺旋形盤管。盤管本體由2中 空體構成。該中空體呈螺旋狀。中空體内通冷卻劑,故該加 熱裝置同時亦為一冷卻裝置。該等射頻盤管所產生之交變場 在基座或處理室頂部中產生渦電流,由此使基座或處理室頂 部得到加熱。 DE 103 20 597 A1、DE 10 2006 018 515 A1 及 DE 1〇 2〇〇5 056 320 A1亦有關於類似反應器。 10 2005 055 252 A1亦描述一種同類型裝置,其處理室内 設一基座,該基座由石墨構成且同樣由一通冷卻液的射頻般 管加熱’該基座下方設有一石英製支撐板。在該石英板上, 圍繞一中心軸受到旋轉驅動的基座在一氣墊上滑動。基座底 面與石英板頂面間之縫隙内設有多個通道,藉該等通道為一 驅動機構提供驅動氣體,以便對嵌入在基座頂面凹槽内的基 板座進行旋轉驅動。通冷卻劑之該射頻盤管亦同樣與基座間 隔有一定距離。 US 5,516,283 A描述一種用於處理多個圓盤形基板的處 理設備,其在間隔有一定距離堆疊佈置之基板間設有傳熱元 件。 DE 198 80 398 B4係有關於一種基板測溫裝置,其使用插 099127289 5 201118197 裝在被覆零件中的溫度感測器來量測基板之底面溫度。 US 6,228,173,B1描述一種用於對半導體基板進行熱處理 之熱處理設備。其工作板下方設有一用於反射熱輻射的環形 熱補償元件。 US 2005/0178335 A1係有關於一種調溫系統,其係藉由在 已加熱基座與冷卻器間之間隙内通入導熱氣體以達成調溫 目的。 技術上要求對已加熱處理室壁部的發熱狀況局部施加影 響。傳統解決方案係為局部改良熱輸出。但因高頻交變場較 為複雜且與邊界條件及功率相關’故其效益甚微。 【發明内容】 本發明之目的在於提供多項可對已加熱處理室壁部之表 面溫度局部施加影響的措施且該等措施具有可重複性。 此目的藉由如申請專利範圍所述之本發明而達成,附屬項 為各並列請求項之有利改良方案,同時亦構成上述目的之獨 立解決方案。 本么明之主要暨基本特徵在於,該已加熱壁部與該冷卻裝 f或加熱裝置間之間隙内可送入-或多個調節元件。該等調 1元件可纟4理過g中或在兩相繼實施的處理過程之間 發生位移,從而在基座之表面引起局部溫度變化。 本毛明基於以下認識:如DE 1〇綱5 252 ai所述之 CVD反應②’在自射頻加熱裝置傳輸至基座或已加熱處理 099127289 6 201118197 室頂部的功率中大約有10%至如〇/ 4 用在於對該熱虿之回輸途徑施加影響。 在佈置於反應II殼體㈣之處㈣中所實施的製 在1毫巴以上嶋力下進行。因此,存在於基座與加就裝 置/冷部裝置間之氣體的總壓力至少為1毫巴。該氣體-般 為-惰性氣體,例如稀有氣體、氫氣錢氣。當處理溫度低 於H)0〇C時,此氣體會以熱傳導方式將可觀的功率從已加 熱壁部(例如,該基座)雜處理室之—_輸至通冷卻劑之 盤管管圈。在更高溫度下則以熱韓射形式將可觀的功率傳輸 至該等冷卻it件。若在基座核理_部與加齡置/冷卻 裝置間之間隙内局部設置—調節元件,即可對該熱量之回輸 施加影響。若該熱量之回輸以熱傳導為主,則較佳地該調節 70件之比熱導率遠大於存在於該間隙内之氣體的比熱導 率。較佳地該二比熱導率之商至少為2,尤佳至少為5。採 用本發明方法之該種變型方案時,藉由在基座或處理室頂部 與冷部裝置/加熱裝置間之間隙内自外部插入一調節元件, 可局部增大熱量回流,從而使基座或處理室頂部在該位置上 的表面溫度發生輕微下降。若該調節元件由電絕緣材料構 成’則無法對以射頻耦合方式輸入基座或處理室頂部之能量 施加影響。根據本發明一種變型方案,該調節元件至少在其 才曰向基座或處理室頂部之一側具有一反射性表面。該表面可 099127289 201118197 反射土座或處理室頂部所發出的熱輕射,以此減小從基座或 至頁P之表面到射頻盤管的熱量回輸。採用該種變型方 案寺較佳H㈣元件具有極低之熱導率。該熱導率低於 该乱體,熱導率。#此可在基絲面產生局部賴效果。作 為僅》又早獨-個射頻盤管之替代方案,亦可佈置多個同轴相 接的射頻盤s。此等射頻盤管可以不同功率進行X作。藉此 可對土 ^或處理至頂部之局部供應能量進行粗略調節。精確 周畴則應按上述方式藉由調節基座或處理室頂部至冷卻襄 ,之熱量回輸而實現。其中在某些區域内,輸入基座或處理 至頂。P之功率可能高於其他區域。正常情況下可在該些區域 範圍内在加熱盤官與基座或處理室頂部之間佈置調節元 件。^加熱區為圓形,則其整個範圍皆可設置由若干弓形構 成的㈣5周料件。當該調節元件被移除時,基座或處理室 頂部將會局部出絲面溫度上升之情況。在此情況下,平放 於該基座上之基板的邊緣受熱程度會大於基座中央區域。藉 此可避減板發m形彎曲,,(Kesseln),即邊緣向上彎 曲。此點甚至剌於下述情況:基座践形,基板平放於多 個®繞基座ϋ置的基板座上’該等基板座各承載一基板 且按DE 10 2005 055 252 A1所述之方式繞軸旋轉。在此情 況下僅需對位於該板座《邊緣區域下方之徑向外侧或徑 向内側的加熱區進行調節。該處理室頂部指向處理室之表面 之裱形區域上的表面溫度可藉類似方式予以降低或提高。 099127289 0 201118197 藉本兔明之解決方案可實現—種加熱I置,其加熱能力可 施以局部影響且方法簡單,從而使基座表面溫度均勾化。從 調節角度看’該機構耐用、低維護。僅f藉由相應選擇及佈 置通冷卻㈣射頻盤管來對其進行粗略預調。其巾主要調節 該等射頻盤管到基座之距離。基座表面溫度分佈中因射頻盤 管之螺旋狀外形而產生的不規則性同樣可藉該等調節元件 之恰當成型與佈置加以補償。基座溫度愈高,加熱盤管之溫 度反柄合度愈大。 下文將藉由附圖對本發明之實施例予以說明。 【實施方式】 為清楚起見,各圖所示僅為佈置於反應器殼體内部的處理 室1及其底部2與頂部3以及說明本發明所需之其他機構。 處理至1及附圖所示其他機構位於不伽反應器殼體内 部。未圖示反應器殼體的壁部穿設有用於輸送處理氣體及反 應斋忒體内加熱裝置4、17工作所需之熱能的輸送管。另設 有用於排放已用過處理氣體的排出管及冷卻劑的輸送管及 排出管’以便經冷卻通道5、18將冷卻劑送入及排出反應哭 殼體。該反應器殼體對外係氣密封閉,因而可用真空果(圖 略)抽空或保持一明確的總内壓。 圖1至圖4為第一實施例,基座2由 體成型或組合式 石墨盤構成。圓盤形之基座2可繞一位於支柱14中的中心 轴旋轉。為此’支柱14可由一旋轉驅動裝置予以旋轉驅動。 099127289 9 201118197 支柱14及基座2内設多個進氣管8 ’該等進氣管與設於基 座2指向處理室1之頂面的凹槽連通。該等凹槽内各嵌入圓 盤形之基板座7。自排氣孔射出的氣體噴柱可使得基板座7 在懸浮狀態下進行旋轉。該等基板座7上平放有一或多個有 待在處理室1内加以熱處理之基板。 該熱處理可為一塗覆製程。該塗覆製程係為CVD製程, 較佳為MOCVD製程,藉由佈置於處理室1中央的進氣機 構9將反應性處理氣體連同運載氣體一起送入處理室1。該 處理氣體可為一氫化物,例如NH3 ’由直接佈置於基座2 上方之輸送管12送入處理室。位於該輸送管上方的輸送管 11則用於將有機金屬化合物(例如,TMGa或TMIn)形式之 處理氣體送入處理室1。 處理室1向下由基座2界定,處理室1向上則由一處理室 頂部3界定。處理室頂部3及基座2可由石墨構成。 經進氣機構9進入處理室1之處理氣體基本僅在佈置於基 板座7上的基板表面發生分解。該基板表面溫度適宜,適合 處理氣體在此發生熱分解。分解產物應沉積於基板表面,同 時形成單晶III-V層。 δ又有用於加熱基座2之射頻加熱裝置,其由一個呈螺旋狀 臂曲的管件4構成。該呈螺旋狀彎曲管件4位於基座2下方 一平行平面内。射頻加熱裝置4與基座2之底面間存在一間 隙。該官件構成一冷卻通道5,其中通冷卻劑(例如,水)。 099127289 201118197 射頻盤管4所產生之高頻交變場在導電之基座2内產生渴電 流。該渦電流因基座2具有電阻而在其中產生熱量,從而將 基座2加熱至低於1GG(rc或高於麵。(:之處理溫度。基座 2經加熱後所達到的溫度通常超過$⑽。^。 —揮發性反應產物及該運載氣體在徑向外側流出圓形處理 室1並由環形排氣機構10排走。環形排氣機構ι〇由一中空 體構成且具有多個開口 13,氣體可經由該等開π進入環: 排氣機構10。環形排氣機構10與上述真空泵相連。 射頻盤管4所產生的交變電磁場具有一種空間構型,此空 間構型不僅與圍繞處理冑1所佈置之元件的幾何結構及材 料特性相關,該錢電磁場之空間構財與該射頻加熱盤管 的輸入功率有關。因此藉由對射頻加熱盤管4進行相應設 計’即相應設計管®間距或類似尺寸,可對基座2指向處理 至1之表面的溫度分佈進行粗略調節。經該射頻場輸入基座 2之功率被基座2轉骑及㈣導形輕騎運載氣體在 處理室1内部散逸。在此方向上係朝處理室頂部3方向散 逸。處理室頂部若非自動主動加熱,則由基座2所散發之熱 量加熱。 然而在基座2所吸收的射頻能量令,有極大一部分亦由基 座2之底面朝已冷卻射頻加熱盤管4的方向散發。用沖洗氣 體(例如,虱氣或氮氣)沖洗加熱盤管4與基座2之間的間 隙。該處之總壓力一般都超過丨毫巴,在該總壓力下,將有 099127289 11 201118197
可觀的熱量以熱傳導方式自基座2散發到加熱盤管4上教I 此處由冷卻通道5中的冷卻劑散熱。 設有多個調節元件6。在本實施例中,該等調節元件為胃 弓形,可以處理室1之中心為基準沿徑向自不工作位置壤& 工作位置。圖2為該等弓形6之俯視圖,圖1為其剖面圖 圖3為調節元件6處於不工作位置時的俯視圖。圖1中點~ 線部分表示該等調節元件處於不工作位置。調節元件6在上 作位置上共同形成一個完整的圓,其材料熱導率遠高於間%、 内氣體之熱導率。在圖1所示實施例中,調節元件6之柯料 厚度大於該間隙一半高度。調節元件6由石英、藍寶石、丄 破 能力優於不設調節元件的同等 璃或類似的不導電材料構成。因而從其剖面看,調節元件6 構成一段導熱距離,其導電 度距離。故當調節元件6從圖1中用點劃線表示的不X作& 置進入用實線表示之工作位置時,會增大基座2由調節元件 6覆蓋之區域内從基座2到加熱盤管4的熱量回輸。其社 、、ti 果 為基座2之表面得到局部冷卻。如圖2所示形成完整i裒形 調節元件6在基座2下方及基板座7之邊緣下方位於一趣向 外側區域内。由於基板座7繞一軸旋轉且該軸位於調節元件 6所在區域以外,平放於基板座7上的基板僅邊緣段得到冷 卻。由於基板座7在加工過程中連續繞其旋轉軸7旋轉,基 座2之徑向外側區域内之局部降溫將使得在基板座7上大體 整面延伸的圓形基板之整個邊緣皆發生降溫。藉此可避免基 099127289 12 201118197 板彎曲。 、'、製各令可藉由以馬達驅動的機械驅動裝置(圖略) 使調節元件6往返於圖2及圖3所示兩位置之^ j圖5所示實施财,處理室中之相同元件由相同元件符 二在本實施例中,處理室頂部3並非由—體成型或組 ,只。石墨板構成。處理室頂部3具有多個呈筛狀佈置的 :氣孔16。處理室頂部3在此由-“蓮蓬頭”5構成。處 軋體經該等排氣孔16進入處理室。 在本只〜财’基座2與佈置在該基座下方的加熱盤管4 之門亦同樣有⑤導熱電絕緣位置之可變調節元件6。 在圖6所示之第三實施例中,處理室頂部3係用石墨或另 一導電材料製成。處理室頂部3上方間隔有—垂直距離處同 樣設有射頻加熱裝f 17,其由一個呈螺旋狀彎曲的管件構 成。該管件構成—冷料道18,其巾通冷㈣。該射頻加 熱盤管與處理室頂部3之間設有調節元件19,其由石英、 玻璃、藍寶石或其他比熱導率較高但為電絕緣的合適材料構 成。此處亦可設置多個在如圖6所示工作位置上形成一完整 圓圈的調節元件19。 基座2與射頻加熱盤管4之間同樣設有調節元件6 “周節 元们9、6可自-卫作位置(在該位置上,其位於處理室! 之輪扉以外)進人-工作位置(在該位置上,其位於處理室】 之輪廓以内)。 099127289 13 201118197 根據本發明-種變型方案,調 極低的材料構成。藉由如此設物」:19由-種熱導率 又°卞5周即兀件6、19,可诘,"λ 基座2或處理室頂部3到冷卻通道了減小攸 片杏《一 的熱蛋:回輪。 當處理溫度介於·。C與咖。c之間時,敎 j 熱量回輸傳熱機制。在更高溫度 私4要的 皿/又卜則以熱輻射為主。 隶佳方式對此傳熱過程施加影塑 _ 々主二^ I 5周即兀件6指向基座2 之表面6,或調節元件19指向處理室頂部3之表面a,可具有 反射性。在此情況下,若在加熱盤管4、17與基座2或處理 至頂部3間之__人調節元件6、19’即可減小從基座 2或處理室頂部3到冷卻通道5、18的熱量回輸。 調節元件6、19指向射頻盤管4、17之表面6"、—同樣 可具有反射性。但此非必要措施。 所有已揭示特徵(自身即)為發明本質所在。故本申請案之 揭示内容亦包含相關/所附優先權文件(在^請副本)所揭 示之全部内容,該等文件所述特徵亦一併納入本申請案之申 清專利範圍。 【圖式簡單說明】 圖1為CVD反應器處理室之半侧剖面圖,為清楚起見, 反應器壁部圖略; 圖2為沿圖1中Π-ll線截取的剖視圖,其中調節元件處 於其工作位置; 圖3為如圖2之視圖,其中調節元件已進入不工作位置; 099127289 14 201118197 圖4為沿圖1中IV_;[V線截取之剖視圖. 成; 及 圖 6為本發明第三實施例, 部3 亦可加熱。 【主要元件符號說明】 1 處理室 2 底部/基座 3 頂部/處理室頂部 4 加熱農置/管件/射頻 #、、、 5 冷卻通道 6 調節元件/弓形 6, 表面 6n 表面 7 基板座 8 進氣管 9 進氣機構 10 環形排氣機構 11 輪适管 12 輪送管 13 開D 14 支杈 099127289 圖5為本發明k實施例,其處理室頂部由—蓮蓬頭構 置的處理室頂 15 201118197 15 蓮蓬頭 16 排氣孔 17 加熱裝置/射頻加熱裝置/加熱盤管/射頻盤管 18 冷卻通道 19 調節元件 19' 表面 19〃 表面 099127289 16
Claims (1)
- 201118197 七 、申請專利範圍·· 應;^5應器,特別是CVD反應器,包括—佈置在一反 =:的可加熱本體(2’3)、一用於加熱該本體& 3) 版(2 ’ 3)間隔有—歧離的加熱裝置(4,17)及-盜 =本_’3)間隔有—_離的冷卻裝置(5,】8),該冷卻褒 口此佈置,使得熱量自該加熱裝置(4, 17)經由該加熱裝 以’ 17)與該本體(2,3)間之間隙傳遞至該本體(2,3),再 自5亥本體(2 ’ 3)經由該本體(2 ’ 3)與該冷卻裝置(5,18)間之 間隙傳遞至該冷卻裝置(5,1δ),其特徵在於: 口亥冷部裝置/加熱裝置(4’5, 17, 18)間之間隙内可放入一 ❹购節元件(6’ 19)’以便對該傳熱過程局部施加影響。 2·如申請專利範圍第1項之反應器,其中, .可加熱之該本體(2,3)與該冷卻裳置(5,ΐδ)間之間隙内包 3乳體’該氣體具有-第一比熱導率,該調節元件(6,⑼ 具有-第二比熱導率’該第二比熱導率有別於·該第—比熱導 ”寺疋°之大於第—比熱導率,較佳至少為該第-比熱 導率的兩倍或五倍。 3.如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 可加熱之該本體(2,3)由一構成—處理室(1)的一第一壁部 =用於容置-待熱處理基板之基座(2)構成,亦或由該處理 至(1)與該基座(2)間隔有一定距離相對佈置的一第二壁部(3) 構成。 099127289 17 201118197 4.如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 該調節元件(6, 19)可自該調節元件(6, 19)位於該處理室 ⑴輪廓以外之-不X作位置進人該間隙内—位於該處理室 (?輪廓以内的工作位置’亦或可在該間隙内兩位於該處理 室(1)輪廓以内的工作位置之間進行位移。 5·如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 該加熱裝置(4,17)由-射頻盤管構成,該冷卻裝置由該 射頻盤管内一冷卻通道(5,18)構成。 6. 如申請專利範圍第5項之反應器,其中, 該射頻盤管(4)呈螺旋狀佈置在該沿—水平面延伸之⑽ (2)下方之—平面内’駐少—調節元件⑹以可位移之^ 佈置在該基座(2)與騎《管⑷之間-平行平面内。 7. 如申請專利範圍第5項之反應器,其中, 該射頻盤管(17)呈螺旋狀佈置在該沿—水平面延伸且參 -基座(2)相#佈置之處理室頂部(3)上方之_平面内,該至 少一調節元件(19)以可位移之方式佈 : 與該射頻盤管(17)之間—平行平面内。&至了、祁 8. 如申請專利範圍第5項之反應器,其中, 該調節元件(6,19)為-電絕緣體且特定言之由石英構成( 9. 如申請專利範圍第1項之反應器,其中, 該調節元件(6’19)指向可加熱之該本體(2,3)或該加熱裝 置(4 ’ Π)的表面(6',6”,19,,19”)具反射性。 099127289 18 201118197 10. —種在一反應器具有一第一壁部及一第二壁部(2,3) 之處理室(1)内對一基板進行熱處理的方法,特別是在一 CVD反應器内沉積一層的方法,其中,該基板平放於一構 成該處理室(1)之第一壁部之基座(2)上,至少一壁部(2,3) 由一與該壁部(2,3)間隔有一定距離的加熱裝置(4,19)加熱 至一處理溫度,該至少一已加熱壁部(2,3)分配有一與該壁 部間隔有一定距離的冷卻裝置,該冷卻裝置如此佈置,使得 熱量自該加熱裝置(4,17)經由該加熱裝置(4,17)與該已加 熱處理室之壁部(2,3)間之間隙傳遞至該處理室之壁部(2, 3),再自該已加熱處理室之壁部(2,3)經由該已加熱處理室 之壁部(2, 3)與該冷卻裝置(5,18)間之間隙傳遞至該冷卻裝 置(5,18),其特徵在於: 一或多個可放入該冷卻裝置/加熱裝置(4,5 ; 17,18)間之 間隙内的調節元件(6,19)在該熱處理過程中及/或在若干相 繼實施之處理步驟之間進行位移,以便對該傳熱過程局部施 加影響,進而對該已加熱壁部(2,3)指向該處理室(1)之表面 的溫度局部施加影響。 11. 如申請專利範圍第10項之方法,其中, 在由該第一壁部構成之一基座(2)或由該第二壁部構成之 一處理室頂部(3)與分配給相應壁部之該冷卻裝置(5,18)間 的間隙内存在一氣體,該氣體具有一第一比熱導率,該調節 元件(6,19)具有一第二比熱導率,該第二比熱導率有別於 099127289 19 201118197 該第一比熱導率且至少為該第一比熱導率的兩倍。 12·如申凊專利範圍第項之方法,其中, 該,體為氫氣、氮氣或一稀有氣體,該間隙内之總遂力介 於1晕巴與1 〇〇〇毫巴之問,节 間口亥5周即凡件(6,19)由石英、誌 知石或破璃構成,該已加熱壁 ' 13如申… 丨(2 3)由-石墨製品構成。 .申π專利範圍第10項之方法,其中 該加熱褒置(4’17)為一由_ :、, 裝置,一冷卻液穿過該管件所構成、,之螺旋形射頻加熱 的冷卻通道(5,18)。 099127289
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009043960A DE102009043960A1 (de) | 2009-09-08 | 2009-09-08 | CVD-Reaktor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201118197A true TW201118197A (en) | 2011-06-01 |
Family
ID=43064513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099127289A TW201118197A (en) | 2009-09-08 | 2010-08-16 | CVD reactor |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120156396A1 (zh) |
EP (1) | EP2475804A1 (zh) |
JP (1) | JP2013503976A (zh) |
KR (1) | KR20120073273A (zh) |
CN (1) | CN102612571A (zh) |
DE (1) | DE102009043960A1 (zh) |
TW (1) | TW201118197A (zh) |
WO (1) | WO2011029739A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011055061A1 (de) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | Aixtron Se | CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor |
DE102012108986A1 (de) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Aixtron Se | Substrathalter einer CVD-Vorrichtung |
US10727092B2 (en) * | 2012-10-17 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support ring |
DE102013109155A1 (de) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Aixtron Se | Substratbehandlungsvorrichtung |
DE102013113048A1 (de) | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Aixtron Se | Heizvorrichtung für einen Suszeptor eines CVD-Reaktors |
DE102013113046A1 (de) | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Aixtron Se | Stütz- bzw. Verbindungselemente an einem Heizorgan eines CVD-Reaktors |
DE102013113045A1 (de) | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Aixtron Se | Heizvorrichtung |
KR101598463B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2016-03-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
DE102016103270B3 (de) * | 2016-02-24 | 2017-05-11 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Halterung, Rotation sowie Heizung und/oder Kühlung eines Substrats |
US11430639B2 (en) * | 2018-12-13 | 2022-08-30 | Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. | Plasma processing system |
DE102019104433A1 (de) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit Mitteln zur lokalen Beeinflussung der Suszeptortemperatur |
DE102019116460A1 (de) * | 2019-06-18 | 2020-12-24 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen und Einstellen der Neigungslage eines Suszeptors |
CN110961489B (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-15 | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 | 一种气体扩散器的平面度热整形处理工艺 |
DE102020107517A1 (de) | 2020-03-18 | 2021-09-23 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
KR102500070B1 (ko) * | 2021-03-30 | 2023-02-15 | 주식회사 테스 | 유기금속화학기상증착장치 |
DE102022002350A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln eines Substrates |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
JPH07254591A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
US5653808A (en) * | 1996-08-07 | 1997-08-05 | Macleish; Joseph H. | Gas injection system for CVD reactors |
JPH10239165A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sony Corp | 基板の温度測定器、基板の温度を測定する方法および基板の加熱方法 |
US6228173B1 (en) * | 1998-10-12 | 2001-05-08 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-heat-treating apparatus for semiconductor process system |
DE10043601A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten |
WO2002071446A2 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for active temperature control of susceptors |
US7412299B2 (en) * | 2002-12-23 | 2008-08-12 | Mattson Thermal Products Gmbh | Process for determining the temperature of a semiconductor wafer in a rapid heating unit |
JP4058364B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2008-03-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置 |
DE10320597A1 (de) | 2003-04-30 | 2004-12-02 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist |
DE102005055252A1 (de) | 2005-11-19 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter |
DE102005056320A1 (de) | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan |
DE102006018515A1 (de) | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke |
DE102007009145A1 (de) * | 2007-02-24 | 2008-08-28 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE |
-
2009
- 2009-09-08 DE DE102009043960A patent/DE102009043960A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-16 TW TW099127289A patent/TW201118197A/zh unknown
- 2010-08-30 CN CN201080039892.6A patent/CN102612571A/zh active Pending
- 2010-08-30 KR KR1020127008983A patent/KR20120073273A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-08-30 JP JP2012528310A patent/JP2013503976A/ja not_active Withdrawn
- 2010-08-30 US US13/394,040 patent/US20120156396A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-30 EP EP10751613A patent/EP2475804A1/de not_active Withdrawn
- 2010-08-30 WO PCT/EP2010/062631 patent/WO2011029739A1/de active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102612571A (zh) | 2012-07-25 |
US20120156396A1 (en) | 2012-06-21 |
JP2013503976A (ja) | 2013-02-04 |
WO2011029739A1 (de) | 2011-03-17 |
DE102009043960A1 (de) | 2011-03-10 |
EP2475804A1 (de) | 2012-07-18 |
KR20120073273A (ko) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201118197A (en) | CVD reactor | |
US6301434B1 (en) | Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates | |
CN107881490B (zh) | 化学气相沉积装置及其用途 | |
US20120244684A1 (en) | Film-forming apparatus and method | |
TWI703639B (zh) | 用於加熱半導體基板的燈具 | |
CN100479117C (zh) | 半导体器件的热处理系统 | |
KR101624984B1 (ko) | 열처리 챔버에서 웨이퍼 지지부의 온도 측정 및 제어 장치 및 방법 | |
TWI654712B (zh) | 用於具有多區加熱之基材支撐件的方法及設備 | |
US20110089166A1 (en) | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber | |
US6492621B2 (en) | Hot wall rapid thermal processor | |
TW201212126A (en) | Substrate support for use with multi-zonal heating sources | |
KR19990013713A (ko) | 오버헤드 솔레노이드 안테나 및 모듈식 플라즈마 구속자석 라이너를 가지는 유도 결합된 rf 플라즈마 반응기 | |
WO2012125469A2 (en) | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly | |
TW201230243A (en) | Metal organic chemical vapor deposition apparatus and chamber assembly therefor | |
KR20120140631A (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
JP4583618B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102603029B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
JP3383784B2 (ja) | 半導体ウェハの熱処理装置 | |
JP2007095923A (ja) | 半導体結晶の成長装置 | |
TWM526576U (zh) | Mocvd設備及其加熱裝置 | |
TW201502314A (zh) | 用於原子層沉積之加熱燈 | |
JPH08316154A (ja) | 疑似ホットウォール反応チャンバ | |
WO2015194675A1 (ja) | 加熱装置、加熱方法、温度調整機構及び半導体製造装置 | |
KR20210095059A (ko) | 불균일한 열 출력의 필라멘트 램프를 갖는 반도체 처리 챔버 | |
JP2000260720A (ja) | 半導体製造装置 |