201114689 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於氧化錫粒子。另， 膠之製造方法。 明係關於氧化錫溶 【先前技術】 作為對非導電性材料、❹塑膠Μ 知有於塑膠添加導電性粉末tι之方法’已 守电f生杨末之方法。作為導 知例如摻雜有金屬粉末、碳黑、銻 屬粉末或碳,1添加於塑料，所 '等。但將金 ㈣w 錢f所叙塑膠變黑色，有限定 知π @ m大 將摻雜有銻等之氧化錫添 :了時，塑膠變成藍以，與碳黑等相同，仍會有限 = ’„因使料而造成環境負擔 H因此’進行各種針對不含料㈣物之氧化錫之 研討。 例如日本特開2_-359477號公報中，記載有以NH3/Sn〇: 莫耳比在0.01〜〇·3範圍内含有四甲基氫氧化銨而成之粒徑 為3〇 run以下之驗穩定型氧化錫溶膠。㈣化錫溶膠係於 Sn〇2之氧化錫濃度為15質量％以下之鹼型氧化錫溶膠添加 四甲基氫氧化銨，進行濃縮而製造。 作為氧化錫溶膠之製造方法之其他方法，日本特開 2008-222540號公報中提出有將錫以Hci/Sn(莫耳比）=0 5^ 之方式添加於0.1〜8 mol/l之鹽酸中，對該液體添加過氧化 氫水之方法。根據相同公報，以該方法所得之氧化錫粒子 之平均粒徑成5〜100 nm ° 148825.doc 201114689 但，根據上述技術所製造之氧化錫粒子係將此作為膜時 之透明性或導電性不充分者。 另，關於含2價及4價錫之化合物，已知有日本特開平 1 1-292535號公報及日本特開20084 5〇258號公報所記載之 技術。日本特開平^92535號公報中，提出有含2價及4 價之錫以及可與錫形成複合氧化物之第2元素之複合氧化 錫粉末。曰本特開2008_15〇258號公報中，提出有含2價及 4價錫之二氧化錫前驅物粒子。日本特開平^9加號公 報所記載之複合氧化錫粉末係含锡以外之元素者，由經: 性或環境負擔之點而言不能說有利。另，日本特開2曝 150258號公報所記載之二氧化錫前驅物粒子由該公報全 體之兄載所見，認為其係氨氧化物而非氧化物。再者，認 為由該前驅物粒子製造之二氧化錫只含4價之錫。 日本特開2〇03·128417號公報中，提出有作為導電性填 料使用之錫系氧化物。該錫系氧化物以Sn〇U示錫之 平均價數為4價以下。但此不表示錫具有複數之價數，作 為錫之價數僅係4價之單一者。 【發明内容】 本發明之目的係提供一種可消除前述先前技術所具有之 各種缺點之氧化錫粒子及其製造方法。 本發明係提供一種氧化錫粒子，其特徵在於：含2價一 價範圍内價數不同之複數種錫， 具有導電性。 貫質不含揍雜物元素，且 另，本發明作為前述氧化錫粒子之較佳製造方法，係提 148825.doc 201114689 供一種氧化錫溶膠之製造方法，將含2價錫之水溶液與驗 混合，於液中生成2價錫之氫氡化物； 夺斤生成之2價錫之氫氧化物於液中氧化，將2價錫之一 - 部份氧化成大於2價、4價以下之錫； • 並以混合有含2價錫之水溶液與鹼之液體之pH值成丨〜7之 方式混合該驗。 [發明之效果] 根據本發明’可提供—種作為膜時之導電性或透明性高 之氧化錫粒子。 【實施方式】 以下，基於其較佳實施形態說明本發明。本發明之氧化 錫粒子之特徵之-係含有價數在2價至4價之範圍内價數不 同之複數種錫。先前已知之導電性氧化錫一般係於4價錫 4雜銻銳、鈕等摻雜物元素而提高導電性，但本發明中 採^於η型半導體之2價氧化踢摻雜作為摻雜物元素之大於 b 4½以下之錫之構成。藉由採用該構成，可克服先前 所使用之摻雜物元素所具有之問題，例如經濟上之不利或 環兄負擔大荨，且可提南氧化錫粒子之導電性。只含2價 - ^氧化物變成黑色’無法用於要求透明性之用途，例如 彡明導電膜等。另-方面’只含4價錫之氧化物與只含2價 錫之氧化物相比無法提尚導電性。大於2價、4價以下之錫 之具體例有4價錫（Sn〇2)或3價錫（Sn2〇3)等。 2價至4價範圍内價數不同之複數種錫存在於氧化錫粒子 中係可利用例如氧化錫粒子之XRD測定而確認。具體言 148825.doc 201114689 由於氧化錫粒子根據錫之價數而XRD之繞射峰不同， 因此藉由測定該繞射峰而可得知構成氧化錫粒子之錫之價 價數不同之複數種錫之存在亦可根據粉末之顏色 而確°心。即’氧化錫(11)粒子之粉末為黑另一方面氧 )粒子之粉末為白色或透明。與此相對，含2價至4 價範圍内價| Χ + 貝数不同之複數種錫之氧化錫粒子之粉末按照各 之錫之存在比例而被著色成帶黃色。因此判斷被著 色成6亥色之氧化錫中含有2價至4價範圍内價數不同之複數 種锡。 本發明之氧化錫粒子僅具有錫作為金屬，實質不含摻雜 物70 ,，即所謂無換雜物者。藉由氧化錫粒子係無播雜物 者，可不使用高價且經濟性差或環境負擔大之元素之各種 換雜物元素，而獲得導電性高之氧化錫粒子。作為摻雜物 几素’可舉出該技術領域中先前已使用者，作為用以提高 氧化錫之導電性之元素。作為如此元素，可舉出例如Nb、 Ta Sb、W、P、N、Bi。再者，所謂「實質上不含有」， 係意圖除外刻意添加摻雜物元素者，氧化錫粒子之製造過 程中不可避免之微量摻雜物元素之混入係所允許之主旨。° 本發明之氧化錫粒子中之2價錫與大於2價、4價以下之 錫之比例以莫耳比表示，前者：後者=1 : 9〜9: i較佳，尤 其係2 : 8〜5 : 5。該比例可利用定裝置測定。 本發明之氧化錫粒子即使係微粒者亦附有特徵。具體士 之，係以穿透式電子顯微鏡（TEM)觀察之一次粒子之平岣 粒徑為1〜20 nm，尤其係2〜1〇 nm之微粒者。 148825.doc 201114689 本發明之氧化錫粒子不僅係微粒還是導電性高者。具體 言之，係500 kgf下之壓粉體積電阻率為1〇7 ω 以下，尤 八係10 Ω cm以下之低電阻者。壓粉體積電阻率使用例如 三菱化學股份有限公司製KGresuta PApD4i，按照4端子 法測定。 ^者’本發明之氧化錫粒子在將其成形為膜狀時係透明 性同者。製造例如厚度2〜3 μιη，氧化錫粒子含量為 之膜時’成為該膜之可見光之全光線透射率為85% 以上，尤其係90%以上之高透明性者。 接著#對本發明之氧化錫粒子之較佳製造方法進行說 明。本製造方法中’將2價錫作為原料使用，使用其獲得2 價錫之氫氧化物，將該氫氧化物氧化，獲得含2〜4價範圍 内價數不同之複數種錫之氧化錫粒子 驟。 以下說明具體步 首先，準備含2價錫之水溶液作為原料。為調製該水溶 液，可使用例如2價錫之鹽，例如二氯化錫⑻。水溶液中 一"4貝錫之離子濃度可為 辰-J為0.01〜0.35 m〇1/L。為促進二氣化錫 (II)朝水之溶解，亦可並用濃鹽酸或稀鹽酸。再者，亦可 考慮使用4價錫作為原料，但本發明者等進行研討結果判 明.2價錫與4價錫t 2價錫比4價錫更容易變成氧化物，因 此本製造方法中可將2價錫作為原料使用。 如此含2價錫之水溶液調製後，將該水溶液添加於驗（驗 '生物質）之水溶液中。利用該操作而於液中生成2價錫之氯 氧化物。作為驗，可舉出例如氫氧化鈉或氫氧化卸等之驗 148825.doc 201114689 :屬：：氧化物、氫氧化鎮等驗土類金屬之氳氧化物、氣 f 混合亦可於室溫中進行，或亦可於加熱下進 ^ ^者混合時無論進行加熱之情形或不進行加熱之情 形，驗之水溶液之_為7〜13較佳，尤其係U〜⑴沖值 方在⑽圍内，則反應速度充分高，因此可獲得微粒子。 再者’亦可於該2價錫之水溶液中添加鹼，但由獲得微粒 子之觀點’相比該操作，如上述於鹼之水溶液中添加以賈 錫之水溶液較為有利。 將2價錫之水溶液添加於驗之水溶液中時，根據添加之 方法’有時係不生成2價錫之氫氧化物，而係直接生成氧 化錫，因而需要注意。為防止直接生成氧化錫宜將2價 錫之水溶液添加於鹼之水溶液中時’可進行劇烈攪拌而防 止2價錫之濃度局部變i不由含2價錫之水溶液直接生成 氧化錫，而經過2價錫之氫氧化物之生成而生成氧化錫之 理由’係容易生成含後述之解粒十生良好之凝集體之氧化錫 粒子之故。以下說明中，將解粒性良好表現為「易解粒 性」。後述關於生成易解粒性之氧化錫粒子之優點。 藉由2價氫氧化錫之生成，而於反應系統内生成含該氫 氧化錫之易解粒性之凝集體。構成該凝集體之氫氧化錫之 粒性對最終目的物之氧化錫粒子之粒徑產生影響。構成兮 凝集體之氫氧化錫之粒徑可藉由控制溫度 '時間及pH值等 反應條件而控制。另，該凝集體自身之平均粒徑為〇1〜1〇 μπι左右。本發明者等推測：生成2價錫之氫氡化物時生成 易解粒性凝集體之機制係由於一次粒徑為微粒所引起之強 148825.doc 201114689 凝集性之故。 本說明書中所謂「易解粒性」，係使用研磨機，將直和 〇.3 之氧化錯磨球裝入5〇 “之樹脂容器以使填充率^ 6〇%，進行經過！小時之解粒操作時，以使解碎前之 體之個數減少至10%以下程度地容易解粒。 ” 本製造方法中生成2價錫之氫氧化物時，將此以易解粒 性之凝集體之形態生成之理由係後步驟中容易清洗氧化錫 粒子之故。於氧化錫粒子生成之時點，該氧化錫粒子為高 分散性微粒時，益法i隹并古4 .主 ^ …沄進仃同效清洗，雜質會殘留於溶膠 中。若雜質殘留於溶膠中則對溶膠產生著色。其 用由本製造方法所得之氧化踢粒子形成膜時，成為^降低該 膜之透明性之一個原因。 2價錫之氬氧化物生成後，使其於液t氧化。氧化可使 f各種氧化劑。具體言之’例如可使用朝液中添加過氧化 風’朝液中吹入氧氣等。另，亦可將過氧化氯以外之過氧 化物、齒素、過氧酸、含氧酸、高價數金屬鹽、臭氧等作 為氧化劑使用。利用該氧化而將2價錫中之一部份氧化成 大於2價、4價以下之㉟，且可獲得含2價〜4價範圍内價數 :同之複數種錫之氧化錫粒子。該氧化錫粒子以易解粒性 乳化錫粒子之凝集體之形態生成於液中。 旦本製&方法中’藉由適當控制氧化劑之種類或其添加 量丄可控制氧化錫中所含之具有各種價數之錫之比例。詳 細言之’氧化性強之環境下進行2價錫之氯氧化物之氧化 時’幾乎所有2價錫都被氧化成4價錫。但藉由調節氧化環 148825.doc 201114689 境而可只使2價錫中之—部份氧化成大於2價、4價以下之 錫。 作為用以使2價錫中之僅一部份氧化成大於2價、4價以 下之锡之條件，例如使用過氧化氫作為氧化劑時，添加過 氧化氫刖之狀態下，對液中所含之2價錫1莫耳添加1〜13莫 耳、尤其3〜12莫耳之過氧化氫較佳。此時，過氧化氫可一 起=加或逐次添加。由防止產生錫（Π)之局部氧化之觀點 而言，經過特定時間逐次添加較佳。 方面使用氧氣作為氧化劑時，相對於1 l的液 體，可以〇.〇1〜1 L/min、尤其〇 〇5〜〇」L/min之比例吹入氧 氣。 吏4貝錫中之一部份氧化成大於2價、4價以下之錫 時’本發明者等進行研討，結果判明存在於液巾之雜質之 濃度亦會造成影響。詳細言之，使用二氣化錫（ιι)作為2價 錫之原料時，若為將其溶解於水而並用鹽酸（例如濃鹽 1 π〜$寸逆仃研对結果判明，藉由該過 剩之氣化物離子之存在，2價錫難以氧化成其以上之氧化 數之錫Φ „亥觀點而言，氧化反應前之狀態下，相對存在 夂」、’ 7浴液中存在比二氣化錫（II)之化學計量比更過剩 之氣化物離子°本發明者等進行研討結果判明，藉由該過 之氣.化必）触1 . 於液中之2價錫. Λ 踢莫耳’存在0.1〜5莫耳之氣化物離子較 佳’尤其係1.5〜3.5莫耳。
/、使2價錫中之—於翁L °卩伤氧化成大於2價、4價以下之錫 時，本發明者等谁』 進仃研时、、，。果判明，生成2價錫之氫氧化 物時之鹼之濃度亦合雔A总，_ , 丌會帶來影響。詳細言之，鹼之濃度較低 148825.doc 201114689 之情形比濃度較高之情形更易生成具有大於2價之價數之 錫更八體說明，係以混合有含2價錫之水溶液 體之pH值成1〜7，鉍杜*， . 較佳為2〜6之方式混合該驗時，易峰忐 有大於2價之價數之錫。 八 有氧化2價錫時之溫度與之前生成2價錫之氫氧化物時之 ’皿度對只使2價錫中之—部份氧化成大於2價、4價以下之 錫帶來影響之情形。具體言之，較低設定兩個溫度時易生 成大於2價、4價以下之錫，較高設定兩個溫度時不易生成 大於2價、4價以下之錫。設成中間溫度從而可以適當比例 生成2價〜4價範圍内價數不同之複數種錫。更具體言之， 使兩個溫度為2〜1G(rc較佳，尤其係、秦⑽t，特別係 50〜90〇C。 ’、 藉由適當地設定以上⑴氯化物離子之濃度、（2)生成2價 錫之虱氧化物時之鹼之濃度、（3)氧化2價錫時之溫度及生 成2價錫之氫氧化物時之溫度，從而可使價數不同之複數 種錫之組成成為期望者。 所生成之氧化錫粒子接替該原料之氫氧化錫之易解粒性 凝集體的形態，成為易解粒性凝集體之形態。作為用以將 氧化錫粒子作為易解粒性凝集體之形態生成之條件，可舉 出生成氯氧化錫後，不改變液體組成地進行氧化。 藉由氧化錫粒子為易解粒性凝集體，可使下一個步驟之 氧化錫粒子之清洗變得容易。具體言之，含易解粒性凝集 體之氧化錫粒子進行例如再漿化（repulp)清洗從而可容易 地除去雜質。清洗進行至分散介質之水之導電率達到5〇〇 148825.doc 201114689 μδ以下’尤其⑽μδ以下，由充分除去雜質之點而言較 佳。尤其係以進行清法$油士+ > 坭仃，月洗至液中之氣化物離子之濃度達到 0.5〜1.0質量％為止較佳。 利用再聚化清洗而清洗至特定導f率之易解粒性氧化锡 粒子之分散液被進行解粒操作。藉此可獲得氧化錫溶膠。 解粒操作可使用例如球磨機等介質研磨機。此時，將各種 PH調整劑添加於液中進行解粒操作從而使氧化錫粒子容 易接近單分散狀態。作為pH調整劑，使用可將液體之pH 值调王至2〜12者較佳。作為如此阳調整劑例如可舉出三 乙醇胺等胺類、四甲基氫氧化銨等四級銨化合物。- 根據以上操作，可獲得以水為分散媒之氧化錫溶膠。該 氧化錫溶膠中之氧化錫粒子之濃度為0.1〜30重量％較佳， ^其係1〇〜20重量％。該氧化锡溶膠中氧化錫粒子高度分 政’即使長時間保存亦觀察不到有沉搬生成等。 :據：上方法’由於於液中(水中)生成錫之氧化物因 、將糟由太。燒所付之氧化錫粉碎之後而溶膠化之先前方 目比’可容易獲得凝集》1分散性高之氧化錫溶膠。 如此所得之氧化錫粒子例如利用其高導電性可廣泛用 機或影印機關聯之帶電輥、感光鼓、碳粉、靜電刷 '…千板顯示器、CRT、布朗管等領域、塗料、油 墨、孔劑領域等。 [貫施例] 不η，根據實施例更詳細說明本發明。但本發明之範圍 …亥實施例。只要無特別說明1「％」意味著「重 I48825.doc 12 201114689 量 〇/〇 J 。 [實施例1] 使80 g之二氯化錫（II).五水合物溶解於2〇〇〇爪丨之純水 中，獲得含錫（II)之水溶液。溶解時使用12〇 ml之濃鹽 酸。除該水溶液外，另外準備2〇〇〇⑹之1%氫氧化納水溶 液。以33 ml/min之添加速度對氫氧化鈉水溶液中逐次添加 含2價錫之水溶液，使PH值成為3.〇。此時之混合液之溫度 為25°C。藉由該添加，於液中生成含2價錫之氫氧化物之 黃色沉澱。該沉澱由易解粒性之凝集體構成。 接著，以20 ml/min之添加速度對液中逐次添加2〇〇 w之 過氧化氫水（30%)，進行2價錫之氫氧化物之氧化。過氧化 氫之全部添加量為200 氧化於25它進行。藉由過氧化 氫之添加，而使存在於液中之2價錫之一部份氧化成4價 錫，且於液中生成含易解粒性凝集體之氧化錫粒子。以 奶⑽咖UPA(商品名）測定凝集體之大小，結果平均為10 nm左右。利用Micr〇trac upA測定之順序如下。即，使分 散液保持原液地進人單元内，照射f射並測定粒徑。 /接者，使用6G C之溫水進行液體之再f化清洗。清洗進 行至液體之導電率成為100 0為止。該時點之液中之氣化 物離子之濃度使用離子色谱法之測定結果為〇 .。清洗結 …行易解粒J·生氧化錫粒子之解粒。解粒係使用利用 0.1叫之氧化錯球之分散機（paint shaker),解粒令將作 為pH調整劑之四甲基氣氧化錄添加於液中，將㈣㈣ 值調整為11 °解粒係進行1小時。最後使液體通過0.2 _ I48825.doc .13· 201114689 之薄膜過遽器而除去粗粒，獲得目的之氧化錫粒子之溶 膠—4 /合膠之氧化錫粒子之濃度為2〇%。利用tem所測定 之氧化錫粒子之平均粒徑為5 nm。另，該氧化錫粒子之溶 膠及粉末呈淡黃色。對該粉末進行XRD測定，結果混合有 2½錫之氧化物與4價錫之氧化物之圖案。xrd之測定結果 顯不於圖1。圖丨所示之XRD測定圖中，寬大峰值係4價氧 化錫之峰值，窄小峰值係2價氧化錫之峰值。由該結果可 確認該氧化錫係含2價錫及4價錫者^ 2價錫與4價錫之比率 係由2價氧化錫之峰值面積及4價氧化錫之峰值面積算出。 其結果，2價錫：4價錫=5 : 5。另，該氧化錫粒子實質不 含摻雜物元素。該氧化錫粒子之TEM像顯示於圖2。如由 同圖可明瞭所得之氧化錫粒子係其直徑為數口爪之微粒者。 將該氧化錫粒子之壓粉體積電阻率（500 kgf以下）使用二 菱化學股份有限公司製Koresuta P APD-4 1，按四端子、去進 行測定，結果為2.1X105 Ω-cm。另，將該氧化錫粒子連同 市售之丙烯酸樹脂添加於曱苯丁醇混合溶液中，使用分散 機進行磨球分散’調製成分散液。將該分散液塗布於ρΕτ 薄膜，風乾1小時而形成透明薄膜。對該薄膜測定可見光 之全光線透射率，結果為90%。 [實施例2] 除使添加含2價錫之水溶液時之ΡΗ值為2·〇外，進行與實 施例1相同之反應’獲得2價錫之氫氧化物之沉澱。該氮氧 化物係黃色沉澱。該沉澱由易解粒性凝集體所構成。接 著’以與實施例1相同之條件對液中添加過氧化氮水 148825.doc 14 201114689 (30%) ’進行2價錫之氫氧化物之氧化。藉由過氧化氫之添 加，可使存在於液中之2價錫之一部份氧化成4價錫，且於 液中生成含易解粒性凝集體之氧化錫粒子。以Micr〇trac ’結果平均為10 nm左右。 UPA(商品名）測定凝集體之大小 接著，以與實施例丨相同之條件進行再漿化清洗及易解 粒性氧化錫粒子之解粒。以Micr〇trac upA(商品名）測定清 洗後之易解粒性氧化錫粒子之大小，結果平均為丨〇 nm左 右。另’以TEM測定解粒後之氧化錫粒子，結果平均粒徑 為5 nm。該氧化錫粒子之溶膠及粉末呈黃色。對該粉末進 行XRD測定’結果混合有2價錫之氧化物與*價錫之氧化物 之圖案由11亥結果可確認該氧化錫係含2價錫及4價錫者。 4價錫=4 : 6。另，該氧化 2價錫與4價錫之比率為2價錫 。對該氧化錫與實施例1相同 光線透射率。結果顯示於以下 錫粒子實質不含摻雜物元素 地測定壓粉體積電阻率及全 表1。 [實施例3] 除使添加含2價錫之水溶液時之pH值
，_ r —说小、V ν · V/ ，1丈王力乂 Z 價錫之氫氧化物時之溫庚主 皿度為50 C以外，進行與實施例i相 同之反應，獲得2僧锯夕_ # & & 價錫之虱氧化物。該氫氧化物係白色之 沉澱0該沉殿由县組4 w 。、 ㈠解粒性凝集體所構成。接著，除設溫度 ，50C以外’以與實施例以同之條件對液中添加過氧化 風水（3〇%)，進行2價錫之氫氧化物之氧化。藉由過氧化氫 之添加’可使存在於液中 中之2仏錫之一部份氧化成4價錫， 且於液中生成合且& 战3易解粒性凝集體之氧化錫粒子。以 148825.doc •15- 201114689
Microtrac UPA(商品名）測定凝集體之大小，結果平均為1〇 nm ° 接著’以與實施例1相同之條件進行再漿化清洗及易解 粒性氧化錫粒子之解粒。以Microtrac UPA(商品名）測定清 洗後之易解粒性氧化錫粒子之大小，結果平均為丨〇 nm左 右。另，以TEM測定解粒後之氧化錫粒子，結果平均粒徑 為5 nm。該氧化錫粒子之溶膠及粉末呈白色對該粉末進 行XRD測定，結果混合存在有2價錫之氧化物與4價錫之氧 化物之圖案。由該結果可確認該氧化錫係含2價錫及4價錫 者。2價錫與4價係之比率為2價錫：4價錫=2 : 8。又，該 氧化錫粒子實質不含摻雜物元素。對該氧化錫與實施例】 相同地測定壓粉體積電阻率及全光線透射率。結果顯示於 以下表1。 [實施例4] 取代實施例W使用之1%氫氧化鈉水溶液，而使用職 水溶液，使添加含2價錫之水溶液時之pH值為6〇，且使生 成2價錫之氫氧化物時之溫度為5代，此外進行與實施例丄 相同之反應，獲得2價錫之氫氧化物。該氣敦化物係黃色 之沉殿。該沉澱由易解粒性凝集體所構成。接著，除設溫 度為50 C以外，以與實施你丨1 }日ρη +片 、頁她例1相同之條件對液中添加過氧 化氫水（30%) ’進行2價錫之氫氧 严 L軋化物之軋化。藉由過氧化 氮之添加’可使存在於液中之2價錫之一部份氧化成*價 錫’且於液中生成含易解粒性凝集體之氧化錫粒子。以 (商品名）測定凝集體之大小，結果平均為10 148825.doc 201114689 nm左右。 接著’以與實施例1相同之條件進行再漿化清洗及易解 粒性氧化錫粒子之解粒。以Micr〇trac upA(商品名）測定清 洗後之易解粒性氧化錫粒子之大小，結果平均為ι〇⑽左 右。另，以TEM測定解粒後之氧化錫粒子，結果平均粒徑 為5 nm。該氧化錫粒子之溶膠及粉末呈黃色。對該粉末進 行XRD測定，結果混合存在有2價錫之氧化物與*價錫之氧 化物之圖案。由該結果可確認該氧化錫係含2價錫及4價錫 者。2價錫與4價錫之比率為2價錫：4價錫=4: 6。又古亥 氧化錫粒子實質不含摻雜物元素。對該氧化錫與實施们 相同地測定壓粉體積電阻率及全光線透射率。結果顯示於 以下表1。 [比較例1 ] 使添加含2價錫之水溶液時之pH值為8 〇，且使生成2價 Μ氫氧化物時之溫度為9{)t ’此外進行與實施例i相同 之反應，獲得2價錫之氫氧化物。該氫氧化物係黑色之沉 澱。接著’除設溫度為啊以外，以與實施例⑷同之條 件對液中添加過氧化氫水_)，進行2價錫之氫氧化物之 氧化，於液中生成氧化錫（π)粒子。 接著，以與實施m㈣之條件進行再漿化清洗。該氧 化錫粒子之溶膠及粉末呈黑色。對該粉末進行XRD測定， ，果可確認係錫（11)之氧化物之圖案。另，該氧化錫粒子 貫質不含摻雜物元素。對該氧化锡與實施⑷相同地測定 μ粉體積電阻率及全光線透射率。結果顯示於以下表卜 148825.doc •17- 201114689 [比較例2] 除使添加含2價錫之水溶液時之pH值為7〇外，進行與實 施例1相同之反應，獲得2價錫之氫氧化物。該氫氧化物係 白色之沉澱。接著，以與實施例丨相同之條件以2〇 mlZmh 之添加速度對液中逐次添加過氧化氫水（3〇%)，進行2價錫 之氫氧化物之氧化。過氧化氫之所有添加量為4〇〇爪卜藉 由過氧化氫之過剩添加，可使存在於液中之所有2價錫^ 化成4價錫，於液中生成氧化錫粒子。 接著’以與實施例W同之條件進行㈣化清洗。 化錫粒子之溶膠及㈣呈黑色。對㈣末進行卿測定， 結果可確認係錫（IV)之氧化物之 初之圖案。對該氧化錫與實施 例1相同地測定壓粉體積電阻率 示於以下表i。 ㈣㈣1果顯 [表1]
由表1所示之結果可明瞭’於各實施例所得之^7 有鬲透明性，且係低電阻者。與此 .八 得之氧化錫係電阻低但透明性差、，可知比較例1所 氧化錫相反係透明性良好但卻為高電阻'知比較例2所得之 【圖式簡單說明】 η ° 148825.doc •18- 201114689 圖1係於實施例1所得之氧化錫粒子之XRD繞射圖。 圖2係於實施例1所得之氧化錫粒子之掃描式電子顯微鏡 像。 148825.doc -19-