TW201109413A - Film for semiconductor and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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TW201109413A
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TW
Taiwan
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adhesive layer
semiconductor
film
layer
resin
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TW099118713A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Yasuda
Takashi Hirano
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co
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Description

201109413 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、本發_關於半導體㈣觀半導體裝置的製造方 法0 【先前技術】 近年對應於電子_、的高雜倾軸崎的擴大， +導體裝置巧密度化、高频化的要求麵加強，且 封裝的大容量高密度化正不斷進步签。 此等半導體裝置之製造方法中，首先，將 附於由石夕、鎵、石申等所構成之半導體晶圓上，一邊以曰圓 %(waferring)时半導體晶圓的周圍、—邊以切割=驟=上 述半導體晶圓切斷分離(個片化)為各個的半導體元件。、盆 次，進行分離展開經個片化之各個的半導體元件紗 驟、及撿拾經個片化之半導體元件的撿拾步驟。 二 撿拾之半導體元件搭餅金心丨線框或基^ =W狀隸、有機硬質基板等)上的芯片接合(die b〇 步驟。错此，能得到半導體裝置。 y 又，在芯片接合步驟係亦可利用將經撿拾之 於其他的半導體元件上，而得到在1個封裝内搭載 有複數個半導體元件之晶片堆疊型的半導體裝置。 ^為在像這樣的半導體裝置之製造方法、中所使用的接 第：二已t有在基材薄膜上依序積層第1黏接著劑層與 弟2黏接者劑層而成者(例如，參照專利文獻”。 該接著薄片係在貼附於半導體晶圓上之狀態下，供仏 二迷之糊步驟。在_步驟係藉由設置用以使切^ 的别端到達基材薄膜的切槽，使半導體晶圓與2層的黏接 4/61
V 201109413 =2;:=:分。而且，在撿拾步驟係於基 化之半導體元件與 == :。經檢拾之2層的二Γ劑====-: 著。 ¥體"°件與金利線框(或基板)之間的接 =，撿拾步_朗稱為抑焊接機之裝置。 於其^沾糸顯不使用芯片蟬接機撿拾半導體元件，且载置 於基板上的樣子的圖(縱剖面 载， 6中的上側稱為「上」，下側稱為「下」。在下的-明，圖 接著積層體2〇0係積層接著薄片210與重疊於 ^ 之半導體晶圓22〇而形成的，其中接著舊 片210係從下側依序積 ' 2U與第層基材賴211、幻黏接著劑層 θ θ 213而成的。針對該積層體200進行 ===’係'使半導體晶請、第】黏接著劑層212及丁 弟黏接耆劍層213被個片化，以得到個片230。 此處圖6所不之芯片焊接機25〇係在撿拾經由 乂驟所得之個片23G後’移送至基板240上者。 該芯片焊接機25〇係具有：吸附個片230之筒夾(芯片 吸附部)260、從下方加熱基板之加熱器27()、與以可自 在移動的方式支持筒夾施之裝置本體，。筒夾施係在 吸附個片230之狀態下，能夠從積層體2〇〇的載置部移動 至基板240的載置部。 在撿拾步驟係利用筒夾260撿拾個片230,並將該個片 23〇載置於基板240上。而且，藉由利用加熱器27〇加熱且 將個片230壓延至基板240上，以將個片230接著於基板[ 5/61 201109413 240上 及產這Γ往的撿拾步驟會有所謂撿拾的效率 及^低關4。其結果最終則會成為 2 生產性低的問題。 导篮裝置的 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1特開2004-43761號公報 又，藉由芯片焊接機2Μ)撿拾個片BO之後，重 230 240 , 270 t:=23=達至筒夹260而蓄熱。藉此，會使㈣ = 260 ▼熱，本來預計在常溫進行的撿拾步驟結果因為該 …的影響而變得在高溫下進行了。其結果係筒夾26〇的執 也^傳達至積層體200上’而使得積層體2〇〇中的第^占 接著劑層212、第2黏接著劑層213的黏接著性係為增強。 成為像這樣的狀態時，會產生經由切割步驟而暫時互相分 離的個>} 230之間會再次接著’或在撿拾步驟巾應剝離的 基材薄臈211與2層黏接著劑層的界面中黏附力係為增 強，而使得順利的撿拾變得困難(撿拾性降低）的問題。而 且，該問題會招致撿拾時的半導體元件的裂紋或破碎等的 缺陷。 【發明内容】 本發明的目的係提供一種可製造能圖謀撿拾性的提 歼、防止對半導體元件的缺陷發生、且可靠性高的半導體 裝置的半導體用薄膜，及使用該半導體用薄膜的半導體裝 置之製造方法。 為達成上述目的，本發明係關於一種半導體用薄膜， 6/61 201109413 其特徵在於： 其係依序積層接著層、至少」層的黏著層與 而軸的，其係在使半導體晶圓積層於上述接著層與= 黏者層為反對側的面上，在該狀態下將該半導體晶 述接著層切斷並分職片化，將所得之個片從上述 膜撿拾之際所使用的半導體用薄膜， Λ 將上述個片在抑從上述黏著層獅之際所測定之黏 附力設為F23(eN/25mm)、將上述個片在_從上述黏著^ 剝離之際所測定之黏附力設為！^_25叫時 ^ 10〜80(4〜32N/m)，且 f60/F23 為 0.3〜5.5。 3 f據像這樣的本發明，由於半導體㈣難以接著層 與黏著層之間的在高溫(6〇。〇的剝離強度，對於在常溫(23 C)的剝離強度而言以成為規定的比率的方式而構成的，所 以即使在個片的撿拾時熱傳導至個片上，亦可防 的降低。因此，根據本發明的話’能得到提高半導體^置 的製造產率，同時可製造可靠性高的半導體裝置的半^體 用薄膜。 又，在本發明的半導體用薄膜，上述接著層的構成材 料係在熱硬化性樹脂中以60〜1〇〇重量％的比例含有軟 為7〇°C以上1KTC以下的材料為佳。 又，在本發明的半導體用薄膜，在上述接著層的構成 材料中，軟化點為3〇°C以上低於70〇C之材料的含有率，較 佳係在熱硬化性樹脂中為30重量％以下。 又，在本發明的半導體用薄膜，在上述接著層的構成 材料中，係以60〜1〇〇重量％的比例含有在熱硬化性樹脂中[$ 150°C的ICI黏度為1〜2〇dPa.s之材料為佳。 7/61 201109413 又，在本發明的半導體用薄膜’上述接著層的構成材 料在60°C的熔融黏度為ΙχΙΟ2〜l><105Pa.s為佳。 又’在本發明的半導體用薄膜，上述接著層的構成材 料係含有丙烯酸系樹脂及環氧系樹脂為佳。 又’在本發明的半導體用薄膜’上述接著層的構成材 料係含有酚系樹脂為佳。 又’在本發明的半導體用薄膜，上述黏著層係以複數 層而構成的為佳。 又，在本發明的半導體用薄膜，上述複數層係包含位 於上述半導體晶圓側的第1黏者層、及與該第1黏著層的 上述支持薄膜側鄰接且黏著性比上述第1黏著層大的第2 黏著層為佳。 又’在本發明的半導體用薄膜，上述接著層的外周緣 及上述第1黏著層的外周緣係分別位於比上述第2黏著層 的外周緣更内側的位置為佳。 又’在本發明的半導體用薄膜，上述第2黏著層的硬 度係比上述第1黏著層的硬度小為佳。 又，在本發明的半導體用薄膜，上述第i黏著層的肖 式D硬度為20〜60為佳。 又’在本發明的半導體用薄膜’在與上述半導體晶圓 積層之前’事先對上雜著層之上述接著相之面欲=層 上述半導體晶圓之領域照射紫外線為佳。 、曰 為達成上述目的’本發明係關於一種半導體裝置制 造方法，其特徵係具有： < ^ 以上述半導體用薄膜的上述接著層與半導體晶圓 的方式’準備積層上述半導體用薄膜半導體晶圓而成之 積 8/61 201109413 層體的第1步驟； 藉由從上述半導體晶圓側設置切槽於上述積層體上， 個片化上述半導體晶圓，以得到複數個半導體元件之第2 步驟；及 撿拾上述半導體元件之第3步驟。 一根據像這樣的本發明，可防止撿拾不良的發生，且可 以咼製造產率製造半導體裝置。 ^又，，本發明的半導體裝置之製造方法，上述切槽係 设置成其最深部為位於上述黏著層内為佳。 、又，在本發明的半導體裝置之製造方法，在i條的上 述切槽中’從上述接著層與±述崎層的界面起前端側部 分之橫剖面積為5xl〇-5〜3〇〇xl〇-5mm2為佳。 【實施方式】 >以下，係基於附加圖式所示之適宜實施形態，來詳細 况明本發明的半導體用薄膜及半導體裝置之製造方法。 <第1實施形態> 首先，說明本發明之半導體用薄膜及本發明之半導體 褒置的製造方法的第i實施形態。 圖1至圖3制以制本發_半導體㈣膜及本發 月的半導體裝置之製造方法的第1實施形態之說明圖(縱剖 面3)圖4係用以§兒明製造本發明的半導體用薄膜之製造 方法的說明圖。而且，在以下的說明，圖上 側稱為厂上」，下側稱為「下」。 Η中勺上 [半導體用薄膜] 圖1所示之半導體用薄膜10係具有支持薄膜4、第【 黏著層1、第2黏著層2、與接著層3。更詳而言之，半導 9/61 201109413 體用薄膜10係在古姓# Ί在支持溽膜4上依序積層第2黏著層2、第 1黏耆層卜接著層3而形成者。 供接導體用薄膜1ίΗ_1⑷所示，係具有提 層於接i層3 ，該接著層31係在使料體晶圓7積 之際用以讀半導二7個片化 晶圓7(半導# ^阳圓同&在撿拾經则化之半導體 體疋件71)之際使第1黏著層1與接著層3之間 二=性地剝離’而用以將經撿拾之半導體元件71接著 半^5/。亦即，半導體用薄膜10係使用於分別將 7^ a 著層3個片化，峨拾積層半導體元件 ，、接考層31而成之個片83。 又’支持薄膜4的外周部41及第2黏著層2的外周部 係各自超過第1黏著層1的外周緣11而存在於外側。 在此，外周部21係貼附有晶圓環9。藉此，使 晶圓7確實地受到支持。 _ ! 係具有將羊導體用薄膜1G在坑的第1黏著層 者曰3的黏附力設為F23(cN/25mm)、在的它的ί 黏著層1對接著層3的黏附力設為F60(cN/25mm)時，f23為 10〜80(4〜32N/m) ’ 且 f60/F23 為 0 3〜5 5 的特徵。 4若利用像這樣的半導體用薄膜10，由於接著層3與第 1黏著層1之間在高溫(6G<t)賴離強度’係以相對於在常 溫(23°C)的剝離強度而言成為規定的比率而構成的，所以即 使在撿拾個片83時熱傳導至個月83上，亦可防正因熱的 影響而使第1黏著層1、第2鮮層2的黏著性增強，並可 防止撿拾性的降低。其結果係半導體用薄膜1〇可防止撿拾 不良的發生且提高半導體裝置】〇〇的製造產率，同時可製 i〇/61 201109413 造可靠性高的半導體裝置100。 以下，依序詳述半導體用薄膜1G的各部構成。 (第1黏著層） —f:/占著層1係以-般的黏著劑所構成。具體而言， 第*1 4著層1 含有丙烯I㈣著劑、橡料黏著劑等 之第1樹脂組成物所構成的。 丙晞酸系黏著劑，可舉出例如以（甲基)丙烯酸及彼等的 醋而構成之樹脂、（甲基)丙烯酸及彼等㈣、及可 聚合之不飽和單體(例如乙酸乙_、笨乙烯、丙婦腈等、) 的共聚物等:又，亦可2種_上混合此等的樹=猜寻) 又此等之中，尤以由（甲基)丙婦酸甲醋 酸乙基己醋及（曱基)丙稀酸丁醋所構成群組中所選土出之1 種以上、與由（曱基)兩烯酸錄乙§|及乙酸乙獅旨之中所 出之1種以上的共聚物為佳。藉此，帛丨黏著層1盘勒著 之被黏者_黏附性與黏著性的控制係變得容易。一 、又’為了控娜紐(接著性），亦可在第丨樹脂組成 中添加胺基曱酸g旨丙稀酸§旨、_酸§旨單體 ;化合物(例如，2,4_曱笨二錢義、2,6 氮= 等的異氰《化合轉的單體及絲物。 、鼠㈣) 此外，當利用紫外線等使第1黏著層1硬化之情妒， 亦可产ΐ 1樹脂組成物中添加曱氧基苯乙酮、2,2·二甲氧美 -2-苯基苯乙酮、2,2·二乙氧基苯乙酮、2•甲基甲炉^ 苯基]_2_咪似服丨#的笨乙啦化合物 ^化 合物，偶_化合物、^ = 姻安”酸甲基系化合物、笨偶姻安息香酸系化:物本: 偶姻甲細純合物1絲腐㈣、化合物、节基系化 11/61 201109413 Z。、聯«化合物、聯乙_化合物等來作為光聚合引 香用強度為目的，亦可添加松 腊肪族系石脂:，笨刚脂、 石油樹脂等的騎予黏著材等。“石油樹知、腊肪族芳香族系 像這樣的第】黏荽爲 定，惟以1〜iooAm左右曰A、平均厚度雖然沒有特別地限
佳。π 為佳，特別是3〜5〇Αηι左右為M 佳；度低於上述下限値時，左右為叙 困難的情形，即使確1刀的黏著力變得 影響，但也得不到優點。太大的 於在切割時不會剝離，在上述軌圍内時，特別是由 比較料㈣，何得;著㈣貞荷而變得 層卜 仔到切割性、撿拾性優異之第i黏著 (第2黏著層） ^第2黏著層2係黏著性比前述之第1黏著層i高者。 使第2黏著層2與晶圓環9之間變得比^黏著μ ，、接著層3之間更為堅_著，在第2步 ^ =域片化之際，第2黏著層2與晶圓環9之導^^ 又传文到H其結果、可使半導體晶圓7 確實地被社，且㈣止料體元件γι的財財的降低。 第2黏者層2係可使用與前述之第工黏著層t為相同 者。具體而言，第2黏著層2係以含有丙稀酸系勒著劑、 橡膠系黏著劑等之第2樹脂組成物而構成的。 作為丙烯酸系黏著劑’係可使用例如以（曱基)兩稀酸及 彼等的酯而構成之樹脂、（曱基)丙烯酸及彼等的酯、及可與 12/61 201109413 此等共聚合之不飽和單體(例如乙酸乙烯酯、笨乙烯 '丙 腈等)的共聚㈣。又，亦可混合2 _以上的此等共聚物。 又此等之中，尤以由（曱基)丙烯酸曱酯、（曱基）丙 酸乙基己自旨及（曱基)丙職旨所構成群組巾所選出之1 種以上、與由（甲基)丙稀酸經基乙酿及乙酸乙稀醋之中所 出之1種以上的共聚物為佳。藉此，第2黏著層2鱼點著 之被黏著物的黏附性與黏著性的控制係變得容易。/… 中.二t 了控制黏著性(接著性)’亦可在第2樹脂組成物 中〜加私基甲酸醋丙烯酸醋、丙婦酸酿單體 如’2,4-甲苯二異氛酸醋、2,"笨二^ 等的異氰酸酯化合物等的單體及寡聚物。 此外’亦可在第2翻組成物巾添加與第1樹脂組 物相同的光聚合引發劑。 又，以提高接㈣度及共㈣度為㈣，亦可添加松 封脂、香豆嶋旨、盼樹脂、苯乙歸樹脂、
系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族夺 石油樹脂等的賦予I占著材等。 M 定：2㈣層2的平均厚度雜沒有特別地限 左右為佳，特別是3〜20左右為較 “之於上述下限値時，會有確保充分的黏著力變得 枚果。二即使超過上述上限俊也不會得到特別優異的 二若第二2黏著層2由於柔軟性比第1黏著層1高， 邦菩^ 層2的平均厚度在上述翻内的話，第2 ^ “ 、形狀隨動性受到確保，且可更提高半導體用薄 膜10對半導體晶圓7的黏附性。 用厚 (接著層） [ 13/61 201109413 接著層3係以例如含有熱可塑性樹脂與熱硬化性樹脂 之第/樹駄賴崎成的。像這樣的飽旨域物係薄膜 幵>成能力、接著性及硬化後的耐熱性優異。 在此，熱可塑性樹脂，可舉出例如聚醯亞胺樹脂、聚 醚酿亞胺細旨等的雜亞㈣獅、聚醯胺細旨、聚酿胺 T胺樹脂等的聚臨胺系樹脂、_酸系樹脂、苯氧基樹 脂等。此等之中，尤以丙烯酸系樹脂為佳。丙烯酸系樹脂 由於玻璃轉移溫度低，所以可更提昇接著層3的初期黏附 性0 而且，所謂的丙烯酸系樹脂係意味著丙烯酸及其衍生 $ ’具體而言，可舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸甲 酉:&丙烯酸乙酯等的丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙 稀酉夂乙|9等的甲基丙烯酸g旨、丙烯腈、丙烯醯胺等的聚合 物及與其他單體之共聚物等。 、，又、，丙烯酸系樹脂之中，尤以含有具環氧基、羥基、 竣，^硝基等的官能基之化合物(共聚合單體成分)的丙婦酸 二jfM特別是丙稀酸醋共聚物)為佳。藉此，可更提昇半導 耻:件71等對被黏著物的黏附性。作為具有上述官能基之 t物純而言可舉^具有縮水甘細基之甲基丙婦酸 宜甘油酉旨、具有經基之Ψ基丙烯酸經醋、具有幾基之甲 基丙烯酸羧酯、具有硝基之丙烯腈等。 /、有上述g能基之化合物的含量雖然沒有特別地 惟以㈣酸系樹脂全體的G5〜4G重量％左右為佳， 合古=3G重|%左右為較佳。含量低於上述下限倍時， ^ 峰附性之效果係為降低之情形，超過上述上限値 r會有點著力過強而使提昇作紐之效果係為降低之情 14/61 201109413 形 『#可塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg雖然沒有特別地 =更佳mi2GC為佳，特別是-2G〜6(rc為較佳、10〜50 破璃轉移溫度低於上述下限値時，會有接著層3 黏目Tf 作紐降低的情形，而超過上述上限僖 牯’則g有提昇低溫接著性之效果係為降低的情形。 曰又’熱可雜娜(制是丙馳纟、觸)的重量平均分 特別地限定，惟以10萬以上為佳，特別是15 萬〜〇〇萬為佳。重量平均分子量在上述 提昇接著層3的成膜性。 才了特別 、主玄U面’作為熱硬化性樹脂’可舉出例如苯盼_ 心，、甲笨驗祕清漆樹脂、雙紛A祕清漆樹脂等 的紛終清漆型_脂、可溶__脂等的_脂、雙盼入 ，氧樹脂、㈣F環氧樹鱗的紐型環氧翻旨、畴清 A乳樹脂、甲苯⑽酿清漆環氧樹脂等的祕清漆 乳樹月^聯苯型環氧難、二苯乙烯型環氧概、三紛甲 烧型環氧樹脂、絲熱性三㈣妨環氧樹脂、含三听核 環氧樹脂、二環；^二烯熱㈣魏氧樹料 z 尿素樹脂、蜜胺樹脂等的具有三畔環之樹脂、不飽和^旨 樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酷樹脂、鄰苯二 酸二烯丙絲齡、妙氧樹脂、具有料啊環之樹^、 驗醋樹脂等，亦可使用此等之中的！種或2 _上的曰混 。物又’此等之中’尤以環氧樹脂或_丨脂為佳。若 用此等的獅’可更提昇接著層3的耐熱性及黏附性。
S 又，熱硬化性樹脂的含量雖然沒有特別地限定，惟 對於熱可塑性樹脂UK)重量份而言，α丨〜伽重量份左右【 15/61 201109413 為佳’特別是3〜3GG重量份左右為較佳。含量超過上述上 限値時，會有削片或龜裂發生的情形，與提昇黏附性的效 果降低的情形’含量低於上述下限糾，會有黏著力過強、 撿拾不良發生的情形，與提昇作業性之效果降低的情形。 又，第3樹脂組成物較佳係更含有硬化劑(熱硬化性樹 脂為環氧樹脂的情形，特別是酚系硬化劑）。 作為硬化劑，可舉出例如含有二乙三胺(DETA)、三乙 四胺(TETA)、間二甲苯二胺(MXDA)等的脂肪族聚胺、二胺 基二苯基曱烷(DDM)、m·苯二胺(MPDA)、二胺基二芏A石思. (DDS)等的芳香族聚胺、雙氰胺(DICY)、有機酸雙嶋^的 聚胺化合物等的胺系硬化劑；六氫鄰苯二甲酸酐(HHpA)、 甲基四氫鄰苯一甲酸酐(MTHPA)等的脂環族酸酐（液狀酸 酐）、偏苯三酸酐(ΤΜΑ)、笨均四酸酐(pMDA)、二苯曱酮四 缓酸(BTDA)料衫魏时的酸料硬化劑；轉脂等 的酚系硬化劑。此等之中，尤以酚系硬化劑為佳，具體而 言’可舉出雙(4-羥基-3,5-二曱基苯基)甲烷(通稱四甲基雙酚 F) 4,4 _〜酿二紛、4,4’ _異亞丙基二紛(通稱雙齡A)、雙 (4·經笨基)曱燒、雙(2_經苯基)甲烧、（2_羥苯基)(4_經苯基） 曱烷、及此等之中的雙(4_羥苯基）甲烷 '雙(2_羥苯基）曱烷、 (2-羥笨基)(4_羥苯基）曱烷的3種混合物(例如，本州化學工 業(股)製、雙酚F_D)等的雙酚類、1，2-苯二酚、1,3-苯二酚、 1，4-苯二酚等的二羥基苯類、苯三酚等的三羥基笨 類、1，6-二羥基萘等的二羥基萘類的各種異構物、2,2，-雙 紛、4,4’ -雙紛等的雙酚類的各種異構物等的化合物。 又’硬化劑(特別是紛系硬化劑）的含量雖然沒有特別地 限定’惟相對於熱可塑性樹脂100重量份而言，以1〜200 16/61 Ο 201109413 重量份為佳，特別是3〜⑼重量份 下限値時，會有提昇接著層3的耐執^ ^罝低於上述 2超過上耻紐時’料縣層3料存 的宫能基之當量(例如若為: 會有提昇耐熱性之效果降低的情形。過上地上限値時’ 第3樹脂組成物雖然沒有特別地 :有硬化觸媒(硬化促進劑)。藉此，可提昇接著層：= =為硬化觸媒，可舉出例如味。坐類、u•二氮雜二 ^ )十—碳烯等胺系觸媒、三苯基膦等石舞系觸媒等。此等 存性。尤以味唾類為佳。藉此，可特別兼具速硬化性與保 —盆作為咪唑類，可舉出例如1-节基-2曱基咪唑、丨-节基_2 ::米^: U氰基乙基·2·乙基斗曱基咪唑、2_苯基斗甲基 氮基乙基-2-笨基。米σ坐鏽偏苯三酸自旨、2,4_二胺美 ^ :甲基〇米°圭基-(1 ’)]-乙基-s-三_、2,4_二胺基-6-[2、十1 =土米坐基-(1 )]乙基-s-三《井、2,4-二胺基-6·[2，-乙基_4,甲 土 1米唾基-(11乙基$三听、Μ二胺基_6_[2，_曱基味嗅基 y 土 S 一井兴二聚氰酸加成物、2-苯基0米0圭異三聚氰 ^加成物、2·笨基_4,5_二經基甲基_„坐、2.苯基_4_甲基·5_ 經基曱基咪唾、2,4_二胺基各乙稀基+三_、2,4_二胺基[ 17/61 201109413 j基二二°料三聚氰酸加成物、2,4·二胺基W雜氧基 ㈣轉紅基·δ·三啡異三聚 唑戋：笨Α 4甲其尋中 2~苯基妙二羥基曱基咪 二Ϊ基·5__&_佳。藉此，可特別提 熱可二=:的重=，=;=:_於 ,4 44νΙΘ 垔里如而吕，以0.01〜30重量份左右為 作’士特別疋0.5〜10重量份左右為較佳。含量低於上述下限 2 ’會有硬化性不充分的情形，超過上述上限値時，則 S有保存性降低的情形。 又’硬化觸媒的平均粒經雖然沒有特別地限定，惟以 以下為佳’特別是㈣為較佳。平均粒徑在上述 範圍内時，硬化觸媒的反應性特別優異。 又，第3樹脂組成物雖然沒有特別地限定，惟較佳係 含有偶合劑。藉此，可更提昇樹脂與被黏著物及樹脂界面 的黏附性。 作為上述偶合劑’可舉出矽烷系偶合劑、鈦系偶合劑、 鋁系偶合劑等。此等之中，尤以矽烷系偶合劑為佳。藉此， 可更提昇耐熱性。 在此’作為石夕炫系偶合劑’可舉出例如乙烯基三氯矽 院、乙烯基三曱氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、β_(3,4 環氣環己基）乙基二甲氧基碎烧、Τ-環氧丙氧基丙基三曱氧 基矽烷、r-環氧丙氧基丙基甲基二曱氧基矽烷、曱基丙 烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、r-甲基丙烯醯氧基丙基甲基 —乙氧^基石夕烧、T -甲基丙稀醯氧基丙基三乙氧基石夕烧、N-召（胺基乙基）γ-胺基丙基曱基二曱氧基石夕燒、Ν-β (胺基乙 18/61 201109413 基）r:胺基丙基三甲氧基矽烷、胺基乙基）7 •胺基丙基 二乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、胺基丙基三 乙氧基石夕烧、Ν-苯基个胺基丙基三甲氧基矽垸、卜氣丙 ，三甲氧基魏、r·氫硫基丙基三甲氧基魏、3_異氰酸 酯丙基三乙氧基矽烷、3_丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、雙 (3_二乙氧基梦烧基丙基)四硫燒等。 偶合劑的含量雖然沒有特別地限定，惟相對於熱可塑 性樹脂10G重量份而言，以⑽_重量份左右為佳，特^ 是0.5〜10重量份左右為較佳。含量低於上述下限値時，合 有黏附性的效果為不充分的情形，超過上述上限値時，; 有成為除氣與孔隙之原因的情形。 θ 物溶系將像這樣的第3樹脂組成 冰偏 甲基基丙_、甲苯、二甲基曱駿·等的
Ilr)秦的狀態之後’使用缺角輪塗布機(C_ 薄膜i ^ 輕塗布機等藉以塗布、乾燥於承載 溥膜上，可侍到接著層3。 3的平均厚度雖然沒有制地限定，惟以3〜10〇 右為佳，特別是5〜70#m左右為較佳。厚 範圍内時，特別是可輕㈣控制厚度精^度在上述 有填^ 按岐要含有_。藉由含 作接層的機械特性及接著力的提昇。 母等的粒;？、’可舉出例如銀、氧化鈦、二氧化矽、雲 真料的平均粒徑為Q l 徑低於上述下轉時 左右輕。平均粒 限値時，會奸舰V·加的效果變少，超過上述上1 有心致作為賴的縣力降低的可紐。 19/61 201109413 舰f/4的含量賴沒有卵地岐，㈣目對於熱可塑性 树曰二重量份而言，以。.卜觸f量份左右為佳，特別是 重里份左右為較佳。藉此，可提高接著層3 性，且更提高接著力。 餓特 (支持薄膜） ★支持薄膜4係如上所述，為支持第^ 著層2及接著層3的支持體。 《弟2黏 作:像這樣的支持薄膜“猶成材料，可舉出 乙細、1丙細、聚丁婦、聚丁二歸、聚甲二 = 苯二甲酸乙二^聚對苯^ = 聚合物、=二=乙=聚物，子 舉出此权中的1種或2_上的混合物。 了 5 2〇ί持m的平均厚度雖然沒有特職較，惟以 5〜2〇〇/zm左右為佳，％ mu 薄膜4㈣成為具有:〜:左右為較佳°藉此’支持 黏著層卜第2黏著3剛性者，所以可確實地支持第1 用薄膜H)的同時層3，可輕易地處理半導體 提高與半導體㈣7 ㈣膜1G適度崎曲，可 (半導體用薄臈的特性） 弟1黏著層1、第 的黏附力，但彼等較佳2及接著層3係各具有不同 首先，第！黏著層^有如以下般的特性。 黏著層2對關環9 層3的_力較佳係比第2 步驟中，於撿拾個片83^Tf。藉此，在後述之第3 之際’第2黏著層2與晶圓環9之 20/61 201109413 間沒有剝離’而接著層3與第1黏著層1之間可選擇性地 剝離。而且’在切割之際，利用晶圓環9可確實地支持連 接積層體8。 亦即’在本實施形態，由於使用第1黏著層1及第2 黏著層2的2層黏著層，所以使得各自的黏附力不同，如 上述般’則會使得積層體8的確實固定與個片83的容易撿 拾兩者並存變得可能。若換句話說的話，可圖謀切割性的 撿拾性的並存。 而且’第1黏著層1對接著層3的黏附力與第2黏著 層2對晶圓環9的黏附力係可分別使前述之丙烯酸系樹脂 等的種類(組成）、單體等的種類、含量、硬度等變化而進行 調整。 又，在切割前的第1黏著層1對接著層3的黏附力雖 然沒有特別地限定，惟以黏附界面的平均在 10〜80cN/25mm(4〜32N/m)左右為佳，特別是 30〜60cN/25mm(12〜24N/m)左右為較佳。黏附力在上述範圍 内時，在如後述般拉伸積層體8(擴展）、又切割積層體8之 際，可防止半導體元件71從第1黏著層丨脱落等的缺陷， 同時可確保優異的撿拾性。 而且，上述黏附力的單位即「cN/25mm」係表示將接 著層3貼附於第1黏著層1的表面上之試樣做成25mm寬 的長條狀，然後在231(室溫）中，在該積層薄膜中以剝離 角180°且拉伸速度i〇〇〇mm/min來剝離接著層部分時的負 荷(單位cN)。亦即，此處係將第丨黏著層丨對接著層3的 黏附力當作180°剝離強度來進行說明。 具有如上述般特性的第1黏著層丨的組成，可舉出例 21/61 201109413 ^相對於丙稀酸系樹脂⑽重量份而言，配合有丙稀酸酉旨 早體1〜50重量份、與異氰酸醋化合物〇1〜1〇重量份者。 另-方面，第2黏著層2對晶圓環9的黏附力雖然沒 有特別地限定’惟以黏附界面的平均在 100〜2,000cN/25mm(40〜800N/m)左右為佳特別是 4〇(M，200cN/25mm⑽〜480N/m)左右為較佳。黏附力在上 述範圍内時，在如後述般拉伸積層體δ(擴展）、又切割積層 體8之際’能防止第1黏著層1與第2黏著層2界面的剝 離，結果係可確實地防止半導體元件71的脱落等。又，利 用晶圓環9可確實地支持積層體8。 。而且’上述黏附力的單位即「cN/25mm」係表示在23 °C(室溫)下將25mm寬的長條狀的黏著薄膜貼附至晶圓環9 的上面，然後在23°C(室溫)中’以剝離角18〇。且拉伸速度 1 〇〇〇mm/min來剝離該黏著薄膜時的負荷(單位cN)。亦即^ 此處將第2黏著層2對晶圓環9的黏附力當作。剝離強 度來進行說明。 具有如上述般特性的第2黏著層2的組成’可舉出例 如相對於丙烯酸系樹脂100重量份而言，配合有胺基甲酸 酯丙烯酸酯1〜50重量份、與異氰酸酯化合物〇·5〜1〇重量份 而且，第1黏著層1對接著層3的黏附力設為八1、第 2黏著層2對第1黏著層1的黏附力設為a2時，AM〗雖然 沒有特別地限定’惟以5〜200左右為佳，10〜5〇左右為^ 佳。藉此，第1黏著層1、第2黏著層2及接著層3係形= 在切割性及撿拾性方面為特別優異者。 / 又，第1黏著層1對接著層3的黏附力較佳係比接著 22/61 201109413 層3對半導體晶圓7的黏附力要小。藉此，在撿拾個片83 之際，可防止半導體晶圓7與接著層3的界面非出於本意 的被剝離。亦即，可在第1黏著層丨與接著層3的界面發 生選擇性的剝離。 而且，接著層3對半導體晶圓7的黏附力雖然沒有特 別地限定，惟以50〜500cN/25mm(20〜200N/m)左右為佳，特 別疋80〜250cN/25mm(32〜100N/m)左右為較佳。黏附力在上 述範圍内時，可充分地防止特別是在切割時因振動與衝擊 而使得半導體元件71飛落脱落的所謂「芯片飛落」的發生。 又，第1黏著層1對接著層3的黏附力較佳係比第1 黏著層1對第2黏著層2的黏附力要小。藉此，在撿拾個 片83之際，可防止第！黏著層丄與第2黏著層2的界面非 出於本意的被剝離。亦即，可在第丨黏著層丨與接著層3 的界面發生選擇性的剝離。 而且，第1黏著層1對第2黏著層2的黏附力雖然沒 有特別地限定，惟以⑽〜丨烟備纟職㈣〜伽N/m)左右 ，佳，特別是300〜60〇CN/25mm(120〜240N/m)左右為較佳。 黏附力在上述範圍㈣，特別是在㈣地與撿拾性方^係 為優異。 (半導體用薄膜的製造方法） 、如以上所說明的半導體用薄膜1Q係可以例如以下般 方法來製造。 首先，準備圖4⑻所示之基材如，在該基材4 面^成第1黏著層i的膜。藉此’以得到基材 ^的積層體6卜形成第！黏著層i的膜係可利用 塗布法等塗布含有前述之第1齡組成_樹脂^漆 23/61 201109413 然後藉由使塗布膜乾燥的方法、與 所構成之薄膜的方法等而進行。又曰 樹脂組成物 放射線，亦可使得塗布膜予以硬化。照射紫外線等的 作為上述塗布法，可舉出例如到刀 法、喷塗法、凹布法、棒材塗布*=輥塗布 又，與積層體61同樣地，如圓 布法等。 基材4b的-側面上形成接著層3 : ^料備之 與接著層3的積層體62。 、猎此以诗到基材4b 此外，與各積層體61、62同 在準備之支持_ 4的-側面上形成第=所示般， 藉此叫到支持_ 4與第2黏著層2的積層 的膜， 其次，如圖4(b)所示般，積層積声 : 以使得第1黏著層1與接著層3減θ ' ”積層體62 該積層係可個例如她積層法等而進;^到積層體… 其次’如圖4⑻所示般’從積層體64 '如圖4⑷所示般，對於剝離上述基材知^ ‘ 基材A，且環狀地去除上述接著層3 /上述第 係指其外周比半導體晶圓7的外徑要大，且 内徑要小的領域。 的 】的二、Γ 以第2黏著層2與第1黏著層 的路出面相接的方式，_歸4a且積層雜地去 效領域的外侧部分之積層體64與積層體63。然後，萨由 離基材4b，可得到圖4(f)所示之半導體用薄膜1〇。； [半導體裝置的製造方法] ' 接著，說明㈣如上述的半導體用_⑴以製造半導 24/61 201109413 體裝置100白勺方法(本發明之半導體裝置的製造方法的第1 實施形態）。 圖1至圖3所示之半導體裝置之製造方法係 層半導體晶圓7與半導體用薄膜1G，以得到積層…之^ 1步驟；在半導體用薄膜1G的外周部21貼附於晶圓環 的狀態下，藉由從半導體晶圓7側在積層體8上設切 切槽，则化半導體晶圓7及接著層3，以得到 體元件71及接著層31所構成之複數片的個片幻之第2 : 合至少-個的個片83之第3步驟；及將經檢拾之^ 3載置於絶緣基板5上，以得到半導體裳置則之 步驟。以下，就各步驟依序詳述。 [1] [1-1]首先’準備半導體晶圓7及半導體用薄膜。 路半=體晶圓7係預先在其表面上形成有複數個分的電 。作為該半導體晶圓7係除了梦晶圓以外，還可舉出 榦砷、氮化鎵的化合物半導體晶圓等。 話，這樣的半導體晶圓7的平均厚度若要特別限定的 相撼Γ佳為請〜lmm左右、更佳為_〜G.5mm左右。若 半導辟置之製造方法，對於像這樣厚度的 =晶圓7而言，不會產生破碎或裂紋等的缺陷，可簡 早且確實地切斷而進行個片化。 薄胺接著’如圖1⑻所示般，黏附如上述之半導體用 10斑半=曰者=7=半導體晶圓7，且積層半導體用薄膜 用Ί (弟1步驟）。而且，在圖1所示之半導體 交〜、1G—係將在接著層3之平面視中的大小及形狀預先【 °成比半導體晶圓7的外徑要大，且比晶圓環9的内徑 25/61 201109413 要小的形狀。因此，半導體 财，藉以使得;的曰:面全體係與接著層」 J0所走持著。 導體一 7財導體用薄臈 體用C層的結果係如圖咻)所示，可得_ 體用錢10與半導體 了件到積層有半 [2] 口 而成之積層體8。 導 叫]接著，準備晶圓環9 之外周部U的上面° =續’以黏附第2黏著層2 8與晶圓環9。#此、衣的下面的方式，積層積層體 而被支持著。贼’積層體8的外周部係可藉由晶圓= 藉由半導體用確貫地防止積層體8的變形。 層黏著層(第1勘著層;二、有如+上述般的黏著性不同的2 的差異，可目糾龜_^m2)。’彻鱗黏著性 工作[=:薄::圖式中未顯示一 工作台上。夺'、_的方式’將積層體8載置於切粒 上= 刀害所示般，使用切割刀82而在積層體8 领^刀 >；等而槿/的切槽8卜切割刀82係由圓盤狀的金 的半導體晶@ ^ / 接於積層體8 ^ 面而形成切槽81。而且，沿著形成於 半^ —曰曰从、的電路圖案之間的間隙，使切割刀82相對 地移動，=使半導體晶圓7個片化成複數個的半導體元 件7i(匕驟）。又，接著層3也同樣地被予以個片化成 複數個白勺著層31。像這樣的在切割之際，雖然會對半導 26/6\ 201109413 體晶圓7施加振動與衝擊，但是由於半導體晶圓7的下面 被半導體用薄膜W所支持的，所以上述的振動與衝擊會因 此而缓和。其結果可確實防止在半導體晶圓7中 ^ 碎等的缺陷發生。 、’次皮 切槽81的深度若為能貫穿半導體晶圓7與接著層3的 深度的話，沒有特观限定。亦即，域81的前端^到達 ^ 1黏著層1、第2黏著層2及支持薄膜4中的任一層為佳。 藉此，可使半導體晶圓7與接著層3被確實地個片化，且 可使得各個半導體元件71與接著層31予以形成。 ^ t在本只把形態，如圖i(c)所示般，關於切槽81 的月^ ㊄在第1黏著層1内的情形係說明如後。 [3] [3/]接著’利用圖式中未顯示的擴展|置將複數個切 \ f成之積層體8㈣(擴展)成放射狀。藉此，如圖1(d) 戶^不叙’形成於積層體8上的切槽81的寬度變廣，伴隨於 二半導體元件71之間的間隔也擴大了。其結 糾^ ^件71之間沒有相互干涉之虞，且也變得容易 、,f二牛：：半導體疋件7卜而且，擴展裝置係為即使在後 福步驟巧可_像這樣的擴展狀態的構成。 & [ 3接著^利用圖2所示之芯片焊接機25Q，吸附經個 如圖導粗兀件71之中的—個並吊起至上方。其結果係 性二制L所不般、’接著層31與第1黏著層1的界面係選擇 片幻似/半導體元件71與接著層31所積層而成之個 片幻係為撿拾(第3步驟）。 [4] [4烟著’準備搭載(裝配)半導體元件7K芯片）用的絶 27/61 201109413 緣基板5。 作為該絶緣基板5，可舉出具有具備搭載半導體元件 且電氣連接半導體元件71與外部用的配線與端子等的 絶緣性之基板。 ~ 八體而s，除了聚|旨覆銅薄膜基板、聚酿亞胺覆銅薄 膜基板、芳族聚醯胺覆銅薄膜基板等的可撓性基板、與玻 璃布·環氧覆銅積層板等的玻璃基材覆銅積層板、玻璃不織 布·裱氧覆銅積層板等的複合覆銅積層板、聚醚醯亞胺樹脂 基板、聚醚酮樹脂基板、聚颯系樹脂基板等的耐熱•熱可塑 性基板所謂的硬質性基板以外，可舉出氧化鋁基板、氮化 銘基板、碳化矽基板等的陶瓷基板等。 而且，亦可使用引線框等來取代絶緣基板5。 其次，如圖2(f)所示般’利用芯片焊接機25〇將經撿拾 之個片83載置於絶緣基板5上。 此處’說明芯片焊接機250。 圖2所示之芯片焊接機250係經由切割步驟撿拾所得 之個片83後，移送至後述之絶緣基板5上者。 該芯片焊接機250係具有：吸附個片83之筒夾(芯片吸 附部)260、從下方加熱絶緣基板5之加熱器27〇、與支持筒 夾260的裝置本體280。筒夾260係在吸附個片83之狀態 下，可以從積層體8的載置部移動至絶緣基板5的载置部。 在本步驟係如圖2(e)所示般，利用筒夾260撿拾個片 83 ’而將該個片83載置於絶緣基板5上。而且，藉由以加 熱器270加熱且將個片83壓延至絶緣基板5上，而使得個 片83與絶緣基板5接著(參照圖2(f))。 而且，像這樣的在撿拾之際，接著層31與第1黏著層 28/61 201109413 1的界面選擇性剝離的理由係如前所述，由於f2黏著層2 的黏著性比第1黏著層丨的黏著性高，因而使得支持薄膜4 ^ 2黏著層2的界面的_力、及第2黏著層2與第i 黏著層1料面的黏著力，大於第i黏著層i與接著層3 的，附力。亦即’在將半導體元件71檢拾至上方的情ς， 此等的3處之中，黏著力最小的第i黏著層！與接著層3 的界面係選擇性地剥離。 曰 又’在檢拾個片83之際，亦可從半導體用薄膜1〇的 下方選擇性地向上頂起應撿拾的個片83。藉此，由於從積 層體8使個片83向上頂起，所以可變得更容易進行前述之 個片83的撿拾。而且，在將個片83向上頂起時，係使用 攸下方將半導體㈣膜1G向上頂㈣圖式巾未顯示之針狀 體(滾針)等。亦即，芯片焊接機25〇亦可具有該針狀體。 [4-2]接著’如圖3(g)所示般’加熱•麗延載置 板5上的㈣83。藉此，經由接著層31使半導體元 與絶緣基板5接著(芯片接合)(第4步驟）。 作為加熱•壓延的條件，可舉出例如加埶溫产 100〜30(TC左右為佳，则〜2G〇t左右為較佳。又、，壓ς時 間為1〜10秒左右為佳’ 1〜5秒左右為較佳。 人，以㈣可&加加誠理。此時的加熱條件係加勒 溫度較佳為100〜300t：左右、更佳為l5〇〜25(rc左右，加券 時間較佳為1〜240分左右、更佳為1〇〜6〇分左右。 ’、、 、然後，利用金屬線84電氣連接半導體元件71的端 式中未顯示)與絶緣基板5上的端子(圖式中未顯示）。而且， 在該連接中，亦可使用導電，_、導紐_等 屬線84。 八备 29/61 201109413 及今被覆載置於絶緣基板5上的個片83 US 形成成型層85。作為構成該成型層85的 树月曰材料，可舉出環氧系樹脂等的各種成型用樹脂。 此外’藉由將球狀電極86接合至設置於絶緣基板 圖式中未顯示），以得到如圖3⑻所示的將半導體 兀件71收納於封裝内而成之半導體農置100。 體 若根據以上的方法，因為在第 31附著於半導體元件71的狀態、亦即個片83:= 以撿拾，在第4步驟中，可 =的狀恕下予 緣基板5縣。因此，妓H讀31直接這樣與絶 可進-步提高半導體褒置1〇〇的製造效率。β的义要而 此外，利用芯片烊接機25〇撿拾個片Μ之 謂的將個片83壓延至絶緣基板 又斤 埶#铖由佃Η Μ作、去广外 ”衣％4,加熱器270的 二在:!慢地蓄熱。藉此， 該熱的影響而變得在高溫下進行。下=的檢拾係因 的溫度是根據加熱器270的溫度，但二:上’、:：夾㈣ V的溫度。 奴胃上升至超過60 筒夾260的溫度上料，如 溫度也會傳達至積層體δ，積層體 夾施的 亦恐會有非出於本意的職之虞。^接^層3的接著性 而應暫時分離的個片83之間會隨著^會產生利用切割 或低黏度化而再次接著(附著），或在撿著性增強 層3與第1黏著層1之界面的勒附力係為^的接著 利的撿拾變得困難的問題。 ’、、、9強，而使得順 相對於該問題’本發明者係針對即使積層體8的溫度 30/61 201109413 非wS勺上升，業可以順利檢拾的半導體用薄膜進行專心 檢討。而且，發現使個片83的黏附力最適化在如下述的範 圍的話在解決上述問題上係為有效的，而最終完成了本 發明。 、 ,亦即/半導體用薄膜1〇(本發明的半導體用薄膜)係如 前所述’係將半導體用薄膜10在23Ϊ的第1黏著層1對接 著層3的站附力設為Fn(cN/25mm)、在6〇。〇的第工黏著層 1對接著層3的黏附力設為F60(cN/25mm)時，F23為10〜80， 且F6〇/F23為〇·3〜5.5為其特徵者。 若利用像這樣的半導體用薄膜10，在常溫下是想當然 爾，而假設即使在撿拾之際筒夾260的溫度上升，積層體8 的ZfflL度也因之上升，仍然可以順利地進行個片的撿拾。 因此，可在撿拾之際確實地抑制在半導體元件71上發生裂 紋或破碎等的缺陷(撿拾不良）。亦即，可以高製造產率製造 可靠性高的半導體裝置100。 又，F23超過上述上限値之情形中，變得無法在常溫時 順利的撿拾。另一方面，Fa低於上述下限値之情形中，由 於在積層體8中的接著層3與第丨黏著層丨之界面的黏附 性頦著地降低，所以在切割之際在該界面產生剝離，並引 起切割不良。 此外，F6〇/F23超過上述上限値之情形中，由於對於 F23(cN/25mm)而言F^cNMmm)的比例過大，所以在常温 時雖然可順利的撿拾，但在高溫時則撿拾性降低。另一方 面’ F6〇/F23低於上述下限値之情形中，這回由於對於 F23(cN/25mm)而言F6〇(cN/25mm)的比例過小，所以在常溫[s 時雖然可順利的撿拾，但在高溫時以筒夾26〇所吸附之個 31 /61 201109413 片83以外的個片，也會從第i黏著層1剝離下來。變成這 樣時’最後剝離的個片83會變得阻礙了隨後的撿拾。 而且，Fa及F6〇其各自的詳細内容係如後所述來測定。 將接者層3貼附於弟1黏著層1的表面上之試樣做成 25mm寬的長條狀，然後在23°C(室溫），在該積層薄膜中， 將接著層部分以剝離角18〇。且拉伸速度1000mm/min撕 下。此時，一邊剝離接著層部分，一邊測定與接著層有關 的拉伸負荷(單位CN)的大小。亦即，Fr及F6〇係在23〇c及 6〇°C中的第1黏著層1與接著層3的18〇。剝離強度。 又’如前所述，Fa為1〇〜80，但較佳為20〜70左右， 更佳為30〜60左右。 此外’如前所述，為〇.3〜5.5，但較佳為〇 8~5 左右’更佳為1〜4左右。 而且，F60的範圍雖然根據與F23的相對關係而規定的’ 但具體的數值較佳係與f23同樣的範圍。 又’從能確實展現上述特性(最適合的黏附力）之觀點， 作為接著層3的構成材料巾的熱硬化性麟且軟化點為7〇 C以上130 C以下之材料，係在全熱硬化性樹脂中以604⑻ 重里％的比例含有為佳，以8q〜95重量％的比例含有為較 ，。稭此:從常溫時直到高溫時，接著層3 +接著性的顯 著上升係防止。其結果即使假設筒灸帶熱，亦可 與在韦溫4同樣地順利的撿拾。亦即，個片83❾檢拾性係 為提昇。 _又’成為高溫則1Wf23上升，恐有撿拾性降低之虞， 仁藉由將軟化點為听以上⑽。c以下之材料的比例設定 在上述範圍内’可使F6(/F23的上升程度受到控制，且可確 32/61 201109413 實地將f6()/f23的健财前狀範_。 進行個片83的撿拾而無關乎溫度。 .作為軟化點為7〇ΐ以上lure以下之材料，可舉出例 如，雙酸A環氧樹脂、雙驗F環氧樹脂(例如外⑽ 新日鐵化學(股)製）、聯苯型環氧樹脂(例如γχ4_κ 環氧樹脂（股）製）、甲為、祕清漆 腦福·8ϋ、日本化藥（股）製；ν·673 = 臓-齡S、DIC(股)製）、萘型環氧 购、 me⑻製)的環氧編、苯氧基樹脂如HP = 的1種或2種以上的混合物。 『使用此权中 又，基於相同的觀點，作為接著芦 熱硬化性樹脂且軟化點為3〇t以上‘ 7Qt === 率，係在全熱硬化性樹財為4G重量2 f摘含有 即使接著層3的溫度從常溫時上升二糟此， 低，且可使接著層3盘第i 撿拾性的降 切割之際可防止積層體8與；“ 力^化，並 層3盥第1匆:益a 7刀離。亦即，接著 充分的，且積層體\ 得在切割之際為必要且 3〇°C以上低於7()ΐ ^^為提昇。而且，軟化點為 限定，惟例如為1重=有率訂限値雖然沒有特別地 !4 5 酚F環氧樹脂、聯 本；魏樹脂(股)製）、雙 氧系樹脂、笨氧基樹|/ 祕清漆環氧樹脂的環 又’藉由變更分子量 能基的種類等，亦可調整樹脂材“軟;^性=有的宫f 33/61 201109413 為相同的樹腊材料， 於 70°C。 亦可將軟化點提高至70°C以上 或低 ICI ㈣成材射的熱魏且在150 、黏度為1〜20dpa.s之材料，係在全熱硬化性樹r 。的f量中以6G〜⑽重量％的比例含有為佳，以80〜95重^ 二=含有為較佳。藉此，特別是即使在高溫時，亦可防 嫌執^ 3中接著性賴著上升。其結果即使筒夹260 :二亦可與常溫時同樣地順利的撿拾。，亦即，高溫時的 個片83的撿拾性係為提昇。 又，接严層3 ό勺構成材料在6〇。〇的·熔融黏度為 lxl〇Pa’s為佳。接著層3的構成材料在6〇。匸的熔融 ，度若在上雜接著層3即使躲了，也會形成溶 融物的黏性為高者。因此，高溫時的接著層 因而受到進一步的抑制。 考性知 〜若利用如以上的半導體用薄膜10,即使芯片焊接機250 的同夾260溫度上升，積賴8的溫度摘之上升，仍然 可抑制接著層3的接著性_著上升，且可防止撿拾性降 低。 此外，使用如上述的半導體用薄膜10且具有切割半導 體晶圓7之步驟的本發明的半導體裝置之製造方法，係特 別是在第2步驟具有特徵。 首先，在該特徵的說明之前，說明以往的切割步驟。 以往的切割步驟係以切割刀的前端分別貫通半導體晶 34/61
201109413 、者心各黏著層，且到達支持薄膜的方式而進行的。 薄膜被刀割刀的前端到達支持薄膜的結果會使得支持 持薄膜周❿發生其削屑。而且，該卿沒有停留在支 、潯、周邊，而是往各黏著層的周邊、 導體晶圓的周邊㈣&道從々你得者層的周邊及+ 兴屮·μ㈣ 4致各種的缺陷。具體而言，可 二驟中^半導體科之際產生掛膜、在後述的第4 ί導緣基板與半導體元件之間、削屑附著於 的缺Γ"所形成之電路上而在引線接合法導致障礙等 二相對於此’本發日⑽在第2步驟中，係以_刀82的 2停留絲著相㈣絲設定_深度。若換句話說 巧，以域81的前端沒有到達支持_4而停留在第i 2層1内的方式進行洲。如此的話，由於支持薄膜4 ^屬不會發生，所以可確實地消除如上述般伴隨削屑的 題亦即，在撿拾半導體元件71之際，可防止掛膜等的 受生，而在將經撿拾之半導體元件71裝配於絶緣基板$之 際，可防止異物的侵人及引線接合法不良的發生。其結果 可得到半導體裝置100的製造產率提昇的同時，且可靠性 局的半導體裝置100。 又，特別是，藉由使切槽81的前端位於第丨黏著層i 内的方式進行切割’可防止第2黏著層2的成分經由切槽 8卜參出至接著層3的周邊、半導體晶圓7的周邊。其結 果可防止滲出物質非&於本意的提高層3與第】黏著 層1之間的黏附力，且可以防止阻礙撿拾個片83的缺陷。 再者，可防止滲出物質引起半導體元件71的變質•劣化。 像這樣的成分的滲出由於第2黏著層2的黏著性比第i 35/61 201109413 黏著層1的黏著性要強，所以必舰會認為第2黏著層2 柔軟性比第1料層1要高，因此-般係認為第2黏著層2 =所含有的物質係域於流動性與流出性比第丨黏著層^ 向的現象。亦即’如本實施形態般’黏著層係由複數層而 構成的，在支持薄膜4侧的黏著層(在圖i為帛2黏著層幻 的黏著性比接著層3側的黏著層(在圖1為第1黏著層1}要 強的情形中，如圖l(c)所示般使切槽81的前端停留在第i 黏著層1内，係在防止上述缺陷時為特別有效的。 —而且，基於上述的觀點，第2黏著層2的硬度較佳係 比第1黏著層1的硬度要小。藉此’第2黏著層2與第i ，著層1相比係確實為黏著性較高者，另一方面，第1黏 著層1係成為撿拾性優異者。 又，第1黏著層1的肖式D硬度係20〜60左右為佳， 3〇〜50左右為較佳。像這樣硬度的第丨黏著層丨係黏著性會 叉到適度地抑制，另-方面’由於能比較抑制成分的流動 性、流出性，所以在該第丨黏著層丨上形成切槽81，可兼 具提昇撿拾性，且防止因來自第〗黏著層丨的物質滲出所 致的缺陷。 又，第2黏著層2的肖式A硬度係20〜90左右為佳， 3〇〜80左右為較佳。像這樣硬度的第2黏著層2係具有充分 的黏著性，另一方面，由於能比較抑制成分的流動性、流 出性，所以可兼具切割性(在切割中的積層體8與晶圓環9 的固定性)的提昇，與防止因物質滲出所致的缺陷。 又，基於如上述的觀點，在丨條的切槽81之中，由接 著層3與第1黏著層1的界面至前端側部分的橫剖面積雖 然可按照切割刀82的厚度、各黏著層丨、2的厚度而有所 36/61 201109413 不同，但 5〜30〇(xl〇5mni2)左右為佳 ’ 10〜200(xl〇-5mm2)左 右為較佳。藉由將切槽81之中從接著層3與第1黏著層1 的界面起前端側部分的橫剖面積設定在上述範圍内，確實 地個片化接著層3的同時，可將對於第1黏著層丨之切槽 部分的橫剖面積抑制在最小限度内。其結果可使個片的 確貝h拾與來自弟1黏者層1的成分渗出的抑制兩者並存。 又，第1黏著層1的膜厚設為t時，切槽μ之中的位 於弟1黏者層1内的部分的深度係〇.2t〜o.gt為佳，〇 gt〜〇 7t 為較佳。藉此，可使個片83的確實撿拾與來自第丨黏著層 1的成分滲出的抑制兩者更高度地並存。 如上所述，在使切槽81的前端停留在第丨黏著層丨内、 又即使不這樣而使從切槽81之中的接著層3與第丨黏著層 1的界面起前端側部分的橫剖面積在上述範圍内的情^ 中，^於來自S丨黏著層丨、第2黏著層2的成分滲出被抑 4在取小限度内，所以該成分的渗出對於第丨黏著層丄與 接著層3的黏附力造成的影響也被抑制在最小限度二。^ ^係該_力最麟S®的提高，何防核；；3的檢 拾性受到阻礙。 具體而言，藉由控制靖81的深度、 特値範圍内。藉此，個片83的撿綱 t t 際可防止在半導體元件7丨上裂纹 毛料躲生。其結果最終可 可#性高的半導體裝置100。 门座丰衣每 下)的=是中在體SI圓7的厚度為較薄(例如綱㈣以 )如財，使弟1姆層丨舆接著層3的_力在上述 37/61 201109413 範圍内的話，可使得防止產生於半導體 之缺陷的效果變得顯著。 上的如上述 片Ζ’Λ1,黏著層1與接著層3的點附力係在各個的個 在邊緣部分的第！黏著層i中的成分其係起因於 端面’與中央部相比黏附力變得容易二。:個片83的 個片83之際，在中央部與邊緣部“黏二 同，伴隨於此恐有導致半導體元件7 、不 相對於此，根據本發明的話，藉由 才留^弟^^者们内的方式進行切割的深度控制’可小^ ，也抑制在個片83中黏附力的偏差範圍。因此，在檢_ 之際’可在半導體元件71中抑制裂紋或破碎等發生。 此處，在剝_片83之際，將與㈣83的邊緣 有關的負何(邊緣部分的黏附力)設為a、與個片83的中央部 有關的負荷（中央部的黏附力)設為b時，a/b為！以上4、以 下^佳’ 1〜3左右為較佳，卜2左右為更佳。藉此，由於可 使得半導體元件71的各部分的負荷誤差被抑制在比較狹小 的辄圍内，所以可在檢拾之際讀f地抑制半導體元件71的 裂紋或破碎等的缺陷發生。而且，藉由使用像這樣的半導 體=薄膜10，半導體裝置刚的製造產率提昇的同時，最 後還能得到可靠性高的半導體裝置1〇〇。 而且，黏附力a及黏附力b其各自的詳細内容係如後 所述且予以測定。 首先’在積層半導體用薄膜1〇與半導體晶圓7而得到 積層體8之後’在將半導體晶圓7個片化成10mmxl〇mm 見方之後的狀態下，將lcm寬的長條狀的黏著薄膜在2；rc 38/61 201109413 (至/皿^貼附至進行第3步驟之前的積層體8的上面。 /、一人’在23〇C(室溫）中，以釗籬备 SOmm/min從積層體8撕 著 伸速度 古姓結n r弟1‘者層1、第2黏著層2、 支捭餐膜4此時，一邊剝離第1黏著層卜第2黏著層2、 支持f膜4 ’且—邊測定與第i黏著層卜第 支持薄膜4有關的拉伸負荷曰 83的邊緣部分從第i㈣思)的大小。而且’在個片 μ、ϋΓΛ 層腹落之際，施加於第1黏著 二第2黏考層2、支持薄削的拉伸負荷的平均値係相 田於部占附力a」，在個片83 '、 分㈣_—，=== :2、支持薄膜㈣負荷的平均値係相當V: 利用半導體用薄膜1〇，使個片⑴ 脫=讀1脫落時、及個片83的中央部從第1黏著層 脫^ ％加於第i黏著層卜第2黏著層2、 於A小絲咖、且_卩制，即使在撿 β之際於+導體元件71產生f曲之情形下， =可被抑制在最小限度内。其結果可使得半導體元件^ 裂紋或破碎等的缺陷被抑制在最小限度内。 ' 片83的中央部(邊緣部分以外的部分)的黏附力 内^係切述之第1黏著層1與接著層3的黏附力的範圍 7 ^〇〇Um , 下)的㈣中，使黏附力b在上述範圍内，可 於半導體元件71上的如上述之缺_效果變得顯著。 而且’所謂的個片83的邊緣部分係指從半導體元件71 [ 39/61 201109413 的外緣起半導體元件71寬的10%以下的領域。 83广部係指上述邊緣部分以外二:面亦 即，+導體元件71的形狀係例如在平面視中為1〇瓜4 的正方形時，從外緣起lmm寬的領域為邊 領域為中央部。 刀剩餘的 麟=在本實施形態’藉由使切槽81的前端停留在第1 者】4’能使半導體晶圓7及接著層3被確實地個片 化’另-方面，第i黏著層i及第2黏著層2則不 片化。因此’在第3步驟中’於撿拾個片83之際，可 層1與第2黏著層2原應留在支持薄膜4侧卻非 出於本思而在貼附於個片83側之狀態下被撿拾。其係夢由 不個片化第1黏著層1及第2黏著層2，所以可維持此^之 =向的聯繫，因而可防止第丨黏著層丨與第2黏著層2 ^附力、及第2黏著層2與支持薄膜4的黏附力降低。 :二弟1黏著層1與第2黏著層2和的黏附力、及第2 a 2與支持賴4和_附力係對於往撿拾的上方的 拉伸力具有充分的抗力。 “又，如上所述，由於可防止第1黏著層1與第2黏著 ^的黏附力、^ 2 _層2與支持薄膜4的黏附力的 氏’所以即使弟1轉層丨與接著層3的_力增大， 1 可抑制撿拾性的降低。亦即，在第！黏著層i與接著層3 附力中&於可進—步擴大可良好撿拾的容許範圍， ^提昇半導卵細1G㈣造料性及裝配後的半導體 疋件71與絶緣基板5的接著性的優點。 〈第2實施形態> 接著’說明本發明的半導體用薄膜及本發明的半導體 4〇/6】 201109413 裝置之製造方法的第2實施形態。 圖5係用以說明本發明的半導體用薄膜及本發明的 導體裝置之製造方法的第2貫抱形態之說明圖（縱剖面 圖）。而且，在以下的說明，圖5中的上側稱為「上」，^側 寻再為下」。 以下，說明第2實施形態，惟重點地說明與上述第1 實施形態的不同點，針對相同的事項則省略其說明。而 在圖5中’針對與第i實施形態相同的構成部分 = 與先前說明之圖1相同的符號。 與本實施形態有關的半導體用薄膜1〇，係除 的層構成不同以外，與上述第丨實施形態相同。'…者層 亦即’在如圖5所示之半導體用薄膜1〇 黏著層卜僅設置有1層的第2黏著層2。 弟1 一而且二當製造像這樣的半導體用薄膜1〇，日寺， 22黏者層2的上面之中與接著層3相接二 Ϊ 紫外線。藉此’該領域的黏著^ 活，結果係弟2黏者層2盥 可丨王天 果當在第3步驟中撿拾個片 ^二丨~低。其結 的負荷亦能撿拾個片83，㈣於即使不賦予很大 斤以可圖谋撿拾性的提昇。 另一方面，由於沒有對於 黏著層2本來的黏著力 J機了維持第2 的黏附力也受到維持，而防# ^者層2與晶圓環9 若換句話說的話，在第^ 切割性的降低。 [S 1 不同的2層黏著層，蝴貫砂‘祕經由使用黏著性 .^ 圖謀切割性與撿拾性的並存，惟在 本以料'，係猎由降低僅第2黏著層2的—部:領= 41/61 201109413 黏著性，即使只有1層的黏著層，亦可兼具_性與檢拾 性。 如圖5(a)所示般，將像這樣的半導體用薄膜1〇，與 體晶圓7積層，以得到積層體8。 〃 其次，如® 5(b)所示般，使用切割刀μ而在積層體8 上形成(切割)複數個的切槽81。此時，如圖5(b)所示般，藉 由使切槽81的前端崎留在第2㈣層2 _方式進行^ 割’由於支持薄膜4的則不會發生，所以可得到與上 第1實施形態相同的作用•效果。 壯然後，藉由進行第3步驟及第4步驟，可得到半導體 ^置。 叫儿 .曰▲ «、J糸汴骒，較佳係使用 波長100〜400左右者、更佳係使用波長200〜左右者。 又’作為紫外線的照射時間，係根據波長、功率，惟較佳 二〇0二二、時Ϊ右、更佳係3〇秒〜3〇分左右。若根據偉 使勒著性更有效率地纽的啊，可； 點著性降低至必要以上。防止第2黏者層2的 可為ΐ子iWri層2進行照射的話不限於紫外線，亦 Γ為電子束、χ線專的各種放射線。 第2 照!若如本實施形態’為預先對於與 晶圓7之後、或積層第2黏==3和半導體 均2與接者層3和半導體晶 42/61 201109413 圓7且切割半導體晶圓7之後的任一者中，照射紫外線。 像這樣的情形中，由於伴隨著照射紫外線會使得第2黏著 層2硬化，所以降低了位於照射領域的第2黏著層2的黏 著力。其結果即使在像這樣的情形中，也可以圖謀個片 的撿拾性的提昇。 以上，基於圖示的實施形態來說明本發明的半導體用 薄膜及半導體裝置之製造方法，惟本發明係不受限於此等。
例如’封袭的形態亦可為BGA(Ball Grid Array,球型陣 列封裝）、LGA(Land Grid Array,閘型陣列封裝）等的 CSP(ChiP Size Package，晶片尺寸封裝）、τα)(τ^ ⑸此 Package，捲帶式封裝）的表面實裝型的封裝、_(_ Inlme Package,雙列直插式封裝）、阳八㈣⑽A 腳陣列)赌人㈣封料，沒有_地限定。 ^貝化〜恕雖然巩明了將個片83裝配方 、’—土板5上的情形，惟該個片83 φ可裝配於其他的半琴 °亦即，本發明的半導财置之製造方法亦可赶 穿；3層巧個半導體元件而成之晶片堆疊型的半_ ^有削藉此，沒有撿拾不良之虞與在半導體元# 片堆疊型的半導體ί置 Ο ^ * 著層=====第1 實但是仍可得到與上述
又’在本發明的㈣料置㈣造綠’亦可按照必 43/61 201109413 要追加任意的步驟。 實施例 以下，說明本發明的具體實施例。 1.半導體裝置的製造 (實施例1) <1>第1黏著層的形成 對於將共聚合丙烯酸2·乙基己酯30重量％與乙酸乙烯 酯70重量％所得之重量平均分子量300,000的共聚物1〇〇 重量份、分子量為700的5官能丙烯酸酯單體45重量份、 2,2-二甲氧基-2-笨基苯乙酮5重量份、與曱苯二異氰酸酯 (CORONETT-100、曰本聚胺基甲酸酯工業(股)製)3重量份 剝離處理之厚度38//m的聚酯薄膜，以乾燥後的厚度為10 的方式塗布，然後，在80〇C乾燥5分鐘。而且，對所 得之塗布膜照射紫外線SoomJ/cm2,而在聚酯薄膜上形成第 1黏著層的膜。 而且’所得之第1黏著層的肖式D硬度係40。 <2>弟2黏著層的形成 對於將共聚合丙烯酸丁酯70重量％與丙烯酸2-乙基己 酯30重1%所得之重量平均分子量5〇〇,〇〇〇的共聚物1〇〇 重量份、與甲笨二異氰酸酯(CORONET T-100、日本聚胺基 曱酸醋工業(股)製)3重量份剝離處理之厚度38/zm的聚醋 薄膜’以乾燥後的厚度為10/m的方式塗布，然後，在80 C乾燥5分鐘。而且，在聚酯薄膜上形成第2黏著層的膜。 然後’積層厚度1叫m的聚乙烯薄片作為支持薄膜。 而且’所得之第2黏著層的肖式A硬度係80。 <3>接著層的形成 44/61 201109413 將丙烯酸酯共聚物（丙烯酸乙基酯•丙烯酸丁基酯-丙烯 腈-丙烯酸-曱基丙烯酸羥基乙基酯共聚物的曱基乙基酮 (MEK)溶解品、Nagasechemtex(股)製、SG-708-6、Tg:6°C、 重量平均分子量:500,000)的固體含量為100重量份、環氧 樹脂(EOCN-1020-80、軟化點8(TC、在150°C的ICI黏度 5.2dPa*s、日本化藥(股)製)261重量份、作為填料而添加的 球狀一氧化吩(SE2050-LC、平均粒徑:0.5 // m、Admatechs(股) 製)56重量份、作為偶合劑而添加之r _環氧丙氧基丙基三 曱氧基矽烷(KBM403E、信越化學工業(股)製)〇.5重量份、 驗樹脂(PR-HF-3、羥基當量l〇4g/OH基、住友Bakelite(股） 製）55重量份、其他的酚樹脂(MEH8〇〇〇h、經基當量 141g/OH基、明和化成工業(股)製)82重量份、與作為硬化 促，劑之咪唑化合物(2PHZ-PW、四國化成工業（股）製)〇8 重里伤，溶解於甲基乙基酮中，以得到樹脂固體含量45重 量％的樹脂清漆。 接著，利用缺角輪塗布機(commac〇ater),將所得之樹 脂清漆塗布於聚對苯二甲酸乙二酉旨薄膜（帝人DUP0nt ==、型號臟χ A43、厚度38㈣上後，在溫度 3分鐘’而在聚對苯二曱酸乙二自旨薄膜上形 度25#m的接著層的膜。 而且，所得之樹脂清漆在6〇ΐ的炫融黏度為叫 <4>半導體用薄膜的製造 以得到積層體 以第 層的薄膜 聚酯薄膜 45/61 201109413 ，次’使用軋輥狀的模具，將第！黏著層與接著層沖 孔成比半導體外徑要大、且比晶圓環的雜要小， 然後去除不要的部分，以得到第2積層體。 並且’剝離在第2勸著層之一方面侧的聚酷薄膜。而 且以上述第2積層體的第i黏著層與第2黏著膚相接的 方式積層彼等。藉此’以得到依序積層聚乙烯薄片（支持薄 膜）、第2黏著層、第1勒著層、接著層及聚_薄膜的5層 而成之半導體用薄膜。 <5>半導體裝置的製造 接著’準備厚度100鋒、8吋的石夕晶圓。 。而且，從半導體用薄膜上剝離聚酯薄膜，將矽晶圓在 ?〇C下積層於其剝離面上。藉此，以得到依序積層聚乙烯 ’專片（支持薄膜）、第2黏著層、第i黏著層、接著層及石夕晶 圓5層而成之積層體。 其次，使用切割鋸(DFD6360、DISCO(股)製)及以下的 條件，從石夕晶圓側切割(切斷)該積層體。#此，以得到石夕晶 圓經個片化之以下切割尺寸的半導體元件。 <切割條件> •切割尺寸 ：10mmxl0mm見方 •切割速度 ：50mm/sec •旋轉軸旋轉數 ：40,000rpm •切割最大深度：0.130mm(自石夕晶圓表面起的切槽 量） θ •切割刀的厚度 ：15 μ m •切槽的橫剖面積：7.5xl〇-5mm2(從接著層與第工黏著 層的界面起前端側部分的橫剖面積） — 46/61 201109413 而且，由該切割所形成之切槽係其前端到達第丨黏著 層内。 此處’為了評價半導體元件的撿拾性，測定接著層與 第1黏著層間的180。剝離強度(黏附力）。該剝離強度係將半 導體用接著薄膜做成25mm寬的長條狀，然後在23。〇(室溫） 中，以剝離角18〇。且拉伸速度i〇〇〇mm/min剝離在該積層 薄膜中接著屬部分時的貞荷。而且，在積層體巾的剝離係 在第1黏著層與接著層的界面發生。 該測定之結果，在23。(：的剝離強度(F23)為25cN/25nim。 其次，使積層體的溫度依次升溫至4〇〇C、6〇°c。而且， 在各/jbl度中，與23 C的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，在40 t的剝離強度（F4〇)為 41cN/25mm、在 60。(：的剝離強度(匕^為 6〇cN/25mm。 又 ’ F6〇 對 F23 的比例(F60/F23)為 2.4。 然後，在塗布有焊接光阻(太陽祖製造(股)製、商品 名細3〇8)之雙馬來輕胺_三销脂基板（電路高低差 5〜iO/zm)上，上述半導體元件係藉由使用芯片接合機(asm 公司製、AD請）’在芯片裝配溫度為坑及13叱的各溫 度中，評價連續撿拾1〇〇個的半導體元件時的好壞。 …”σ果在23 C及130 C的芯片裝配溫度條件的雙方 中，全部100個的撿拾均為良好。 •接著，將經撿拾之個片在塗布有焊接光阻(太陽 INK製 造(股)製、商品名:AUS308)之雙馬來醯亞胺·三听樹脂基板 (電路高低差5〜10㈣上，以溫度13〇ΐ、負荷5n壓延ι 〇 秒鐘’以進行芯片接合。而且，相對於此，在溫度nc下 進行1小時的熱處理，以使得接著劑層半硬化。 47/61 201109413 其次’利用引線接合法電氣連接半導體元件與樹脂基 板。 而且，以密封樹脂EME-G760密封樹脂基板上的半導 體兀件及接合線，在溫度175t下提供2小時的熱處理。藉 此，使密封樹脂硬化以得到半導體裝置。而且，在本實施 例係製作1〇〇個的該半導體裝置。 (實施例2) 除了使用作為接著層中的環氧樹脂之NC3000P(日本 化，(股)製、軟化點57。〇在150°C的ICI黏度UldPa.s)78 重里伤、與E〇CN-1020-80(日本化藥(股)製、軟化點8〇°c、 在150 C的ICI黏度5.2dPa.s)183重量份以外，與實施例1 同樣地製造半導體裝置。 此外，針對半導體用接著薄膜，與實施例1同樣地， 測疋接著層與第1黏著層間的刚。剝離強度(黏附力）。 該測定之結果，在23t_離強度㈣為25eN/25mm。 其次，將積層體的溫度依次升溫成4〇〇c、6〇£>c。而且， 在各溫度中，與23°c的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，纟4〇ΐ的剝離強度㈣為 42CN/25mm、在6(rc的剝離強度的。)為83咖/25咖。 又’ f6〇對f23的比例斤6()/?23)為3 3。 #丄π男坪按尤阻（太陽INK製造（股）製、商d 名.傷3〇8)之雙馬來醯亞胺·三啡樹脂基板（電路高幻 5〜上，上述半導體科係藉由使用^接合機(腦 公司製、AD_)，在糾裝配溫度為抑及13叱的各、 度中，評價連續撿拾⑽個的半導體元件時的好壞。 其結果在芯、片裝配溫度坑中，全部100個的撿拾土 48 / 61 201109413 為良好’惟在芯片裝配溫度13(rc中發生了 }個撿拾不良。 (實施例3) 除了使用N-685-EXP-S(DlC(股)製、軟化點饥、在 赋的幻黏度12.〇dPa.s)261重量份作為接著層中的環氧 樹脂以外，與實施例1同樣地製造半導體裝置。 此外，針對半導體用接著薄膜，與實施例i同樣地， 測定接著詹與第1黏著層間的180。剝離強度(黏附力）。 該測定之結果，在23。(:的剝離強度(f23)為32cN/25mm。 其次’將積層體的溫度依次升溫成4〇Q(：、6〇。〇。而且， 在各溫度中’與23°C的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，纟4〇的剝離強度（F4〇)為 28cN/25mm、在 6〇。(：的剝離強度(f6。)為 37cN/25mm。 又 ’ ho 對 Fa 的比例(!?6()/;?23)為 12。 又，在塗布有焊接光阻(太陽INK製造(股)製、商品 名.AUS308)之雙馬來酿亞胺_三^井樹脂基板（電路高低差 5〜⑺㈣上’上述半導體元件係藉由使用芯丨接合機 么司製、ad8%)，在芯片裝配溫度為坑及13〇〇c的各溫 度中’評價連續撿拾100個的半導體元件時的好壞。 其結果在23°C及13(TC的芯片裝配溫度條件的雙方 中王部100個的撿拾均為良好。 (實施例4) 。除了使用YDCN-70〇-l〇(東都化成(股）製、軟化點8〇 C、在15〇C的1CI黏度10.0dPa*s)261重量份作為接著層 +的壞氧樹脂以外’與實施例丨同樣地製造半導體展置。 、一此外，針對半導體用接著薄膜，與實施例1同樣地，； 測定接著層與第1㈣賴的180。祕強度(黏附力）。 49/61 201109413 該測定之結果，在23°C的剝離強度(F23)為35cN/25mm。 其次’將積層體的溫度依次升溫成4〇〇c、6〇。[。而且， 在各溫度中，與23°c的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結& ’在40。。的剝離強度(F40)為 45cN/25mm、在 60°C 的剝離強度斤^為 6〇cN/25mm。 又，f6。對 f23 的比例(F6g/F23)為 21。 又’在塗布有焊接光阻(太陽INK製造(股)製、商品 名:AUS308)之雙馬㈣亞胺_三讀脂基板（電路高低差 5〜10/zm)上，上述半導體元件係藉由使用芯片接合機(asm 公司製、AD898) ’在芯片裝配溫度為坑及13忙的各溫 度中，評價連續撿拾100個的半導體元件時的好壞。 其結果在23C及13GX：的;^㈣溫度條件的雙方 中’全部100個的撿拾均為良好。 (實施例5) 除了使用HP-4700(DIC(股)製、軟化點9〇。〇、在15〇。〇 的ICI黏度4.5dPa.s)261重量份作為接著層中的環氧樹脂以 外，與實施例1同樣地製造半導體裝置。 此外，針對半導體用接著薄膜，與實施例 1同樣地， 測定接著層與第1黏著層間的18〇。剝離強度(黏附力）。 該測定之結果，在23。(：的剝離強度(F23)為5〇cN/25mm。 其次，將積層體的溫度依次升溫成4〇〇c、6〇〇c。而且， 在各溫度中，與23°C的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，在40。(：的剝離強度（f4〇)為 55cN/25mm、在 60°C 的剝離強度(1?6())為 8〇cN/25mm。 又’ F6〇對Fa的比例(卩6〇/!723)為16。 另外在塗布有焊接光阻(太陽INK製造(股）製、商品 50/61 201109413 名.AUS3G8)之雙馬㈣亞胺_三铺脂基板（電路高低差
ZlT)上’上述半導體元件係藉由使用芯、片接合機(asm 么司衣、AD898)，在芯片裝配溫度為坑及靴的各溫 度中，評價連續撿拾⑽個的半導體元件時的好壞。 其結果在2代及丨耽姑#裝配溫度條件的雙方 中，全部100個的撿拾均為良好。 (比較例1) 除了使用YL681G(日本魏獅(股)製、軟化點机、 fbOC的ICI 4度〇.〇3dPa.s)261重量份作為接著層中的 壤乳樹脂以外，與實施例丨同樣地製造半導體裝置。 此外’針對半導體用接著薄膜，與實施例i同樣地， 測定接㈣與第1黏著層_⑽。剝_度(黏附力）。 °玄測定之結果’纟23。。的剝離強度(F23)為 112cN/25mm。 其次，將積層體的溫度依次升溫成贼、6〇ΐ。而且， 在各溫度中，與23Ϊ的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，在㈣的剝離t(F4〇)為 134cN/25mm、在崎的剝離強度(F6。)為3〇〇cN/25麵。 又，F6〇 對 F23 的比例(ρ6(/ρ23)為 2·7。 又，在塗布有焊接光阻(太陽祖製造(股)製、商品 名:AUS308)之雙馬來_胺_三领職板（電路高低差 5〜ίο㈣上，上述半導體元件係藉由使用芯片接合機(asm 公司製、AD898)，在芯片裝配溫度為坑及13叱的各溫 度中，評價連續撿拾1〇〇個的半導體元件時的好壞。 其結果在芯片裝配溫度23t:中，發生撿拾不良60個， 在芯片裝配溫度130°C中，發生全數撿拾不良。 51/61 201109413 (比較例2) 作為接著層中的環氣樹脂之NC3000P(日本化藥（股) 製、軟化點57°C、在15〇它的ία黏度UldPa.s)261重量 份以外，與實施例1同樣地製造半導體裝置。 而且’得到接著層用的樹脂清漆在6〇°c的熔融黏度為 2><102Pa-s。 此外，針對半導體用接著薄膜，與實施例丨同樣地， 測定接著層與第1黏著層間的180。剥離強度(黏附力）。 該測定之結果，在23<t的剝離強度(F23)為40cN/25mm。 其次’將積層體的溫度依次升溫成40°C、60。(：。而且， 在各溫度巾，與23。(：的情形同樣地測㈣離強度。 該測定之結果，在40。(：的剝離強度（F40)為 9〇CN/25mm、在 60°C 的剝離強度(F6())為 257cN/25mm。 又 ’ F6〇 對 F23 的比例(F6〇/F23)為 6 4。 又’在塗布有焊接光阻(太陽INK製造(股)製、商品 名.AUS308)之雙馬來酿亞胺_三^井樹脂基板（電路高低差 10/zm)_L上述半導體元件係藉由使用纪片接合機(MM 公司製、AD_)，在芯片裝配溫度為说及職的各溫 度中，” 100個的半導體元件時的好壞。 其、（果在4片裝配溫度坑中，全部觸個的撿拾均 好准在心片裝配溫度13〇。〇中，發生全數檢拾不良。 作為接著層中的環氧樹脂除了使用YSLV80XY(東都a =)«、軟化點8叱、在_的ια黏度⑽顺·似 重钱以外，與實施例1同樣地製造半導體裝置。 此外針對半導體用接著薄膜，與實施例1同樣地 201109413 測定接著層與第1黏著層間的18〇。剝離強度(黏附力）。 該測定之結果’在23。(：的剝離強度（F23)為 104cN/25mm。 其次，將積層體的溫度依次升溫成4(rc、6〇ΐ。而且， 在各溫度中，與23°C的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，在40。(：的剝離強度（F4G)為 103cN/25mm、在 60°C 的剝離強度汗一為 101cN/25mm。 又，f60 對 f23 的比例(F6〇/F23)為 0·97。 又，在塗布有焊接光阻(太陽ΙΝΚ製造(股)製、商品 名:AUS308)之雙馬來醯亞胺_三畊樹脂基板（電路高低差 5〜10#m)上，上述半導體元件係藉由使用芯片接合機(ASM 公司製、AD898)，在芯片裝配溫度為23〇c及i3(rc的各溫 度中，#價連續撿拾100個的半導體元件時的好壞。 其結果在芯片裝配溫度23¾中，發生撿拾不良60個， 在芯片裝配溫度130。(：中，也發生60個撿拾不良。 (比較例4) 作為接著層中的環氧樹脂除了使用γχ4〇〇〇κ(日本環 氧樹脂(股)製、軟化點11〇。〇、在l5〇°c的ICI黏度〇13dPa •s)261重量份以外，與實施例1同樣地製造半導體裝置。 此外’針對半導體用接著薄膜，與實施例1同樣地， 測疋接著層與第1黏著層間的18〇。剝離強度(黏附力）。 該測疋之結果’在23°C的剝離強度(F23)為97cN/25mm。 其次’將積層體的溫度依次升溫成4〇°C、6(TC。而且， 在各溫度中，與23。(：的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，在40 t的剝離強度（F4〇)為 96cN/25mm、在 60°C 的剝離強度(F60)為 91cN/25mm。 53/61 201109413 又 又 ，〜對f23的比例(F6〇/F23)為〇 94。 名:AUS3^t^阻(太陽跳製造(股)製、商品 ,ln .、·、采醯亞胺-三哜樹脂基板（電路高低差 ^司=Ami述半導體元件係藉由使用芯片接合機(應 ;衣背連:捨严芯片裴配溫度為23ΐ及13〇°C的各溫 度中办連續撿拾⑽個的半導體元件時的好壞。 二結果在芯片裝配溫度坑中，發生％個撿拾不良， 在心片裝配溫度靴中，也發生50個撿拾不良。 (比較例5) 乍為接著層中的環氧樹脂除了使用NC6〇〇〇(日本化藥 (1 製、軟化點6(TC、在靴的Ια黏度〇 HI卿 重里份以外’與實施例丨同樣地製造半導體裝置。 此外’針對半導體用接著薄膜，與實施例1同樣地， 測定接著層與第1黏著層_ _。剝離強度(黏附力）。 該測定之結在23°C的剝離強度(f23)為9〇cN/25mm。 其次，將積層體的溫度依次升溫成4〇°c、6〇t>ct>c。而 且，在各溫度中，與23。(：的情形同樣地測定剝離強度。 該測定之結果，在40 t的剝離強度（f4g)為 143cN/25mm、在 60°C 的剝離強度(F6〇)為 260cN/25nim。 又 ’ F6〇 對 F23 的比例(f6〇/F23)為 2.9。 又，在塗布有焊接光阻(太陽INK製造(股)製、商品 名:AUS308)之雙馬來醯亞胺-三畊樹脂基板（電路高低差 5〜10 // m)上’上述半導體元件係藉由使用芯片接合機(ASM 公司製、AD898)，在芯片裝配溫度為23°C及130Ϊ的各溫 度中，評價連續撿拾1〇〇個的半導體元件時的好壞。 其結果在芯片裝配溫度23°C中，發生50個撿拾不良， 54/61 201109413 在芯片裝配溫度13(TC中，發生全數撿拾不良。 2.切割性及撿拾性的評價 將在各實施例及各比較例中接著層的製造條件與撿拾 的評價結果表示於表1。 表1 丙烯酸运 共菜物 接著劑的# 環氧樹脂 a成 酚樹脂 偶合劑 硬化 促進劑 填料 評慣結果 剝離強度 撿拾性 i檢拾性不良數） 軟靜 I C I粘度 (150^) [dPa*s] 重&份 中的比毕） 茧是份 茧暈份 茧£份 至£份 Fa3 [cN/25mm] Fee [cN/25mm] 23ΐ 130*C g施例1 100 80 5.2 261 (100%) 137 0.5 0.8 56 25 60 2.4 Ti 0 資施例2 100 57 ......... 1.11 - 78 (30%) 137 0.5 56 25 83 80 5.2 μ-一一一一— 183 (70%) 0.8 3.3 0 1 賁施例3 100 85 12.0 261 (100%) 137 0.5 0.8 5& 32 37 1.2 0 0 S施例4 100 80 10.0 261 (100%) 137 0.S 0.8 56 35 60 2.1 0 0 實施例5 100 90 4.5 261 (100%) 137 0.5 0.8 56 50 βο 1.6 0 0 比較例1 100 45 0.03 261 (100%) 137 0,5 0.8 56 112 300 2.7 比較例2 100 57 1.11 26Ϊ (100%) 137 0.5 0.8 56 40 257 6.4 0 100 比較例3 100 80 0.03 261 (100%) 137 0.5 0.8 56 104 101 0.97 60 60 比較例7 100 110 0.13 261 (100%) 137 0.5 0.8 56 97 91 0.94 50 ................. 50 比較例5 100 60 0.11 261 (100%) 137 0.5 0.8 56 90 260 1 2.9 50 100 由表1可明顯得知在各實施例及各比較例的切割性係 均為良好。亦即，在切割之際，沒有發生半導體元件的破 碎或剝離等。 又，在各實施例已知均可穩定地進行半導體元件(個片） 的撿拾。又’無關乎撿拾之際的芯片裝配溫度(23。〇或13〇 C) ’係可進行安定之撿拾。因此，若根據各實施例，明顯 可知即使芯片焊接機的筒失帶熱導致撿拾之際積層體的溫 度也上升，仍然可抑制因熱而使得接著層的接著性顯著增 強’且可防止檢拾不良發生。 另一方面，在各比較例係無關乎溫度，係發生比較多 的檢拾不良。 55/61 201109413 良好中U仏溫度在23。⑽檢拾雖然 示在士^ 溫度13〇t係發生了撿拾不良。其係顯 發生多^良芯片焊接機的筒夹帶熱的情形中，會 控#^發Θ科導咖薄麟其特徵在於··錢依序積層 幻層_著層財持_而形成的，其係在 導體晶®積層於上述接著層與上述㈣層為反對側的 面上，在該狀態下將該半導體晶圓及上述接著層切斷並分 i個片化將所得之個片從上述支持薄膜撿拾之際所使用 的半導體㈣膜’將上述個Q 23。€從上義著層剝離之 際所測疋之黏附力設為F23(cN/25mm)、將上述個片在6〇°c ，上述黏著層剝離之際所測定之_力設為F6Q(eN/25mm) 吩’ F23為10〜80 ’且FWF23為0.3〜5.5。藉此，半導體用薄 膜由於係以接著層與黏著層之間的在高溫(6〇。〇的剝離強 度，對於在常溫(23°C)的剝離強度而言為規定的比率的方式 而構成的，所以即使在撿拾個片時熱傳達至個片上，亦^ 防止撿拾性的降低。因此，根據本發明的話，能得到提高 半導體裝置的製造產率，同時可製造可靠性高的半導體^ 置的半導體用薄膜。因此，本發明的半導體用薄膜係具有 產業上的利用巧·能性。 【圖式簡單說明】 圖1係用以說明本發明的半導體用薄膜及本發明的半 導體裝置之製造方法的第1實施形態之說明圖（縱剖面圖）。 圖2係用以說明本發明的半導體用薄膜及本發明的半 導體裝置之製造方法的第1實施形態之說明圖（縱剖面圖）。 圖3係用以說明本發明的半導體用薄膜及本發明的半 56/61 201109413 導體裝置之製造方法的第1實施形態之說明圖（縱剖面圖）。 圖4係用以說明製造本發明的半導體用薄膜之製造方 法的說明圖。 圖5係用以說明本發明的半導體用薄膜及本發明的半 導體裝置之製造方法的第2實施形態之說明圖（縱剖面圖）。 圖6係顯示使用芯片焊接機撿拾半導體元件，且載置 於基板上的樣子的圖（縱剖面圖）。 【主要元件符號說明】 1 第1黏著層 11 外周緣 2 第2黏著層 21 外周部 3 接著層 31 接著層 4 支持薄膜 4a 基材 4b 基材 41 外周部 5 絶緣基板 61 積層體 62 積層體 63 積層體 64 積層體 7 半導體晶圓 71 半導體元件 8 積層體 57/61 201109413 81 切槽 82 切割刀 83 個片 84 金屬線 85 成型層 86 球狀電極 9 晶圓孩 10 半導體用薄膜 10， 半導體用薄膜 100 半導體裝置 200 積層體 210 接著薄片 211 基材薄膜 212 第1黏接著劑層 213 第2黏接著劑層 220 半導體晶圓 230 個片 240 基板 250 芯片焊接機 260 筒夾 270 加熱器 280 裝置本體

Claims (1)

  1. 201109413 七 1. 2. 3. 4. 5. 6. 、申請專利範圍： ，半導㈣膜’其特徵在於：其係依序積層接著層、 ^ 1層的黏著層與支持_而形成的，其係在使半導體 著層與上述黏著層為反對側的面上，在 二 f斜導體晶®及上述接著層切斷並分別個片 體用=狀個片從上述支持薄膜撿拾之際所使用的半導 將上途個片在23c從上述黏著層祕之際所败之點附 =設為F23(cN/25mm)、將上述個片在机從上述黏著層剝 之際所測定之黏附力言史4 F6〇(cN/25mm)時，f23為 10〜80，且 f6〇/F23 為 〇 3〜5 5。 … 如申請專利範圍第！項之半導體用薄膜，其中上述接著芦 的構成材料係在熱硬化性樹脂中以6G〜1GG重量％的比^ 含有軟化點為7〇t以上iktC以下的材料。 如申請專利範圍第丨項之半導翻薄膜，其中在上述接 =的構成材射，軟化點為3m低於7叱之材料的 含有率在熱硬化性樹脂中為30重量％以下。 如申請專利範圍第1項之半導體用薄膜，其中在上述接著 層的構成材料中，係以 60〜100重量％的比例含有在埶 性樹^ l5〇MICI黏度WPa.s之材料。’、，、更化 如申請專利範圍第1項之半導體用薄膜，其中上述接著層 的構成材料在60t的熔融黏度為 ΙχΙΟ2〜lxl〇5pa.s 〇 如申請專利範圍第1項之半導體用薄膜，其中上述接著層 的構成材料係含有丙烯酸系樹脂及環氧系樹脂。 s 如申請專利範圍第1項之半導體用薄膜，其中上述 的構成材料係含有酚系樹脂。 曰 59/61 201109413 8. 如申請專利範圍第i項之半導體 、 9. 係以複數層而構成的。 彳、”中上述黏著層 如申請專利範圍第！項之半導 係包含位於上述半導體3/、八中上述複數層 黏著層的上述= 的弟1黏著層、及與該第1 大的第2黏=糊鄰接且黏著性比上述第1黏著層 10.如申請專利範圍第9項之半導體用薄膜， 12. 如申請專利範圍第 著層的肖式D硬度為2〇〜6G^用雜其中上述第1黏 13. 如申請專利範圍第i項之 導體晶圓積層之前，辜弁斜 ^、，/、中在與上述半 面奴積層上述半導體晶圓之領域，接者層側之 14. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係=線 以與如申請專利範圍第！項 與半導體晶圓相接的方式，準備積声上^^上述接著層 f導體晶_成之積層體的第丨步^ ; 4+¥體用薄膜與 藉由從上述半導體晶圓側設置切 =彻晶一到複數個半導：體之= 撿拾上述半導體元件之第3步驟。 如申請專利範圍第14項之半導體裘置 上述切槽係設置成其最深部為位於上_著層^ ^ 60/61 201109413 16.如申請專利範圍第14項之半導體裝置的製造方法，其中 在1條的上述切槽中，從上述接著層與上述黏著層的界面 起前端側部分之橫剖面積為5><10_5〜30〇xl(T5mm2。 61/61
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