TW201107882A - Positive typed photosensitive composition - Google Patents

Description

201107882 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 相關申請的交叉引用 ^申凊要求2_年8月31在韓國钱財產權局提交的韓國 專利申凊N0. 10-2009-_181的優先權，其公開内容以引用的 式併入本申請。 技術領域 本發明涉及正型光敏組合物，其可防止在半導體製造過中 現的半導體片的翹曲現象，且具有優異的延展性。 ^出 【先前技術】 背景技術 一般來說，在半導體處理中使用的光敏組合物大多數顯示正 型，因為被曝光部分被紫外線照射在域水溶液中溶解。所述組合 物可包含溶解在所述域水溶液中的樹脂、在所述域水溶液中不^ 解而且對紫外線靈敏的光敏化合物和其他添加劑。 作為在所述域水溶液中溶解的樹脂的實例，可以提到聚醯胺衍 夸物。此樹脂可通過加熱被轉化為聚醯胺和聚苯並噁唑，從而顯 示耐熱細旨的特性。在現有技術巾，可使肖不具有敏感度的組合 物’然而近年來丄為了簡化過程的目的出現了優選具有敏感度的 組合物的趨勢。高集成度伴隨著半導體製造技術的發展而加速， 封裝技巧可^^不同于傳統封裝技術的顯著複雜的過程進行。從 現有技術，簡單的一維封裝技術可採用至少兩層的高層疊封裝技 術。所述高層疊封裝技術可為相較晶片尺寸最大化晶片容量的技 術。在此情況下’為了減少由於層疊而被增加的晶片厚度，可通 過在所述半導體製造過程中研磨晶片的後面而減小晶片厚度。當 所述晶片的厚度通過研磨所述薄膜的後面被最終減小至4〇#m或 者更)、時，可能會出現所述薄片的翹曲現象。由於在所述薄片前 面和後面使用的材料不同，線性擴展係數會不同，於是就會出現 所述的巧曲現象。當明顯地發生翹曲現象時，在接下來的處理中 薄片的操作可能是不方便的，而且錯誤也會頻繁地發生，導致產 率下降。 201107882 f發明内容】 發明概述 導體製造顧，其可防止在半 根據本發明的—方顏曲現象且具有優異的延展性。 型先敏組合物’所述聚醯胺;【包含聚醯胺衍生物的JL [化學式1] U r2—JL_nh_r1__nh_ -r2—Lnh—r4—nh-(-x 明m X——HN—R5—HN-

(“ 1 ”叫心),，, 價的^mR·^自獨立地表示含有至少2個碳原子的二價到六 仏的=基，r表喊原子或者具有丨到 的，或者具有線性結構的芳基=含= 線性㈣㈣六價的絲、具有紐結構眺基和具有 的敫：冓的：基々中的任何一種;k和1各自獨立地表示10到麵 (n+m>0) ^x m t明!!其它方面、特徵和/紐麟在接下來的描述中部分 、被闡述，在所述描述中將變得清楚，或者可通過本發明的實 被領會。 效果 根據示例性實施方案，在半導體製造過程中，當使用正型光 敏組合物時，可預防半導體片的翹曲現象的發生，且在半導體製 造過程中可以容易地處理所述薄片，從而可以提高半導體處理的 效率。 以下’將詳細描述根據示例性實施方案的正型光敏組合物。 根據示例性實施方案的正型光敏組合物具有高度敏感度，和 使在形成薄膜後薄片的翹曲現象的出現變得最小。所述正型光敏 組合物可包括聚醯胺衍生物、重氮萘酚化合物和其他添加劑。作 為所述添加劑的實例，可以提到交聯催化劑、助粘合劑、表面活 性劑、抗腐蝕劑等。所述聚醯胺衍生物表示為 0 201107882 [化學式1] （1)" -R2 丄 NH—R4-NH~[-；( (C02R3) -HN—R5—HN-

K {L)n \ ·/·· \ 一广"" 價的含有至少2猶原子的二價到六 少2個碳原子的二價到六生：基，R表不含有至 線性結構的芳基中的任何、—ϋϋ 的炫基和具有 :整數;η和m各自獨立地表 ：1， 原子或者具有2 _個碳原子的芳基。數（n+m>G)，Χ表不虱 原子且含有至少-_基料基。此外個或更少的碳 的基團、。即U4和R5可具有相同的化學、=與R或者R相同 作為R1的實例，可以提到由以下化學 且所述基團可單獨或者組合使用。 到22表示的基團， [化學式2 to 22]

(5) ⑹

⑺ -CH, (10) 6 ⑻ (9) 201107882

(14)

〇6)

P3 CH: _(CH2)3—Si-—qJ. ' I 7、 -^Eo-

(19)

ChU j ch3 -(ch2)3 十。—卜(CH如 Ph Ph (21)

ch3 ch. (20) Ph I •(ch2)3-

(CH2)3—Sj^〇〜I I 卜(ch2)3

Ph Ph (22) 在以上化學ii 硫醇基、具有為氫原子、鹵原子、m基, 芳基中的任-個。個兔原子的絲和具有1到1G個碳原竣子 此外’在以上化學 由以下化學式23到37 = _ 為R化合物的實例，可以去 合使用。 表不的基團，且所述基團可以單獨或者 [化學式23 5彳37]

(23) 201107882 (26)

(29)

(30) Ύ~ -Ο- -〇 (33) (34) ip- 、JOr (36) < (37) (32)

(35) 在以上化學式33中D5li6) (37) 硫醇基、具有i到10中個n氫原贫子、⑽子、經基、叛基、 芳基中的任一個。個反原子的烷基和具有1到10個碳原子的 化學^^1^化1巾’作為R4的實例，可以提到由以下 式基11 ’且所述基團可單獨或者組合使用。 €Η2*|τρ·ΝΗ2

H2NH2C-Υ--CH2NH2 (40) 在以上化學式38到41中，R ·ί D -r(41) 或者絲，Y可表示具有‘2Rd J; J立地表示氬J子 1到12的自然數。 原子的说基，m和η可表示 根據示例性實施方案的所述聚醯胺衍±物 用與心應的單體的聚合物的延展性。由於所以= 201107882 性，發生在半導體片製造過程中的薄片的翹曲現象可被最小化。 然而，當與R4相應的單體的鏈長過長，且R4的用量過大時，所述 t合物的玻璃化轉變溫度（Tg)會降低。相應地，所述單體（R4) 的鏈長優選在碳原子數少於2〇的範圍内。此外，R4的量優選為根 據全部聚醯胺衍生物的2111〇1%到l〇m〇1%。 里慢選馮 ，以上化學式1的聚合物合成中，為了調整分子量和提高產 品的存儲穩定性，聚合物主鏈的胺基優選被化學穩定的宫能團取 種用功能團取代胺基的方法、然而’所述胺基優選被醯 私’烧基幾基氣化物衍生物、稀基縣氣化物衍生 Λ 减氯化物衍生物、絲俩基統物触物、芳緣醯 • ίΐί物rf物、含絲酸酐触物、含芳基酸酐衍生物、含烯 等可以作為與所述胺基反應生成所述醯胺基的化合 氣化物i當使用具有明顯快的化學反應速度的院基幾基 所述嫌基衍生物時’所述烧M基氣化物衍生物和 ΐ可同除了所述聚合物主鍵的胺基之外的其他 g月匕團反應，從而不利地產生副產物。 51裊學式1巾’ X可為氮原子，或者由以下化學式42到 多基團的纟Γ合作n其並不舰於此，且可域_種或者更 [化學式42到50]

OH (42) 0 0 h3c h3c

0

η30^^ν^ο 〇Η (47)

〇 OH (46) 在以上化學4 M * D6 - (49) (5〇) 或者具有1到=示具有1到_碳原子的燒基 原子的芳基。即，利用至少—個以上化合物， 201107882 主鏈的胺基可被醯胺基取代。 由以上化學式1表示的聚合物通常可通過縮合反應製造。可 以進行所述縮合反應，以利用亞硫醯將二羥酸衍生物轉化為二氯 化物衍生物，然後在鹼性催化劑下與二胺衍生物發生縮合反應。 所述縮合反應的反應溫度並無特別限定，然而優選為約8〇〇c或者 更低。當所述縮合反應的反應溫度過高時，會生成副產物，而使 顯影速度或者UV透明度等下降。然而，當其反應溫度為_1〇。^或 者更低時，反應速度會明顯降低。所述縮合反應的反應混合可被 緩慢地滴入純淨物中，以使反應混合物在縮合反應完成之後沉 澱，由此獲得固體顆粒形式的聚合物混合物。當所述聚合物的分 子量較大時，能夠與胺官能團反應的酸酐衍生物或者磺醯氣化物 衍生物的用量會增加，由此調節所述聚合物的分子量。 根據示例性實施方案所述光敏化合物的重氮萘紛化合物可通 過使包含至少兩個羥基的苯酚衍生物與重氮萘酚磺化氣衍生物在 胺催化劑的存在下反應。所述重氮萘紛化合物表示為 [化學式51]

其中η和m各自獨立地表示〇到5的整數（n+m>〇); z表示具 有12到40個碳原子的芳基;DNQ由以下的化學式52或者53表 •R7表示氫原子、具有1到12個碳原子的烷基、且有}到】2個磁 原子的烷羰基中的任一個。 〃 [化學式52和53] 201107882 〇 〇 CXJ rWN2 〇=s=o 1 o=s=o (52) 和 (53)

在以上化學式51中，DNQ : R7的比例可為1 : 4到20 : 1。當所 述DNQ : R//的比例太高時，敏感度會降低；而當其比例過低時， 圖案的垂直性會降低。當利用i-line曝光機時，優選使用不具有在 365nm的紫外線吸光度的笨酚衍生物。當所述紫外線吸光度較高 時’所述圖案的垂直性會降低。所述重氣萘盼化合物的實例可由 以下化學式54至61表示，且本發明並不局限於此。 [化學式54到61]

DNQ DNQ DNQ 和 (59) (60) (61), 201107882 其中DNQ表示氫原子、烷羰基以及由以上化學式52或53表示 的基團；R8表示甲基或者二疊氮基萘醌續酸基（__q) (DNq為氫 原子、烷羰基以及由以上化學式52或53表示的基團）。 可在化合物的混合物中使用所述重氮萘酚化合物。就敏感度 來說，優選使用二笨甲酮衍生物，然而就圖案的垂直性來說其並 不是優選的。然而，當少量混入二苯甲酮衍生物然後使用時，可 幸坐微提尚敏感度’而不降低垂直性。一般來說，就敏感度來說， 優選使用1，2-萘酿i-2-二疊氮化物-4-續酸酯衍生物，而不是1，2一 萘醌-2-二疊氮化物-5-磺酸酯衍生物。基於10Q重量百分比的所述 聚醯胺化合物，優選使用5到30重量百分比的所述重氮萘酚化合 物。g所述重氮秦盼化合物的用量少於5重量百分比時，溶解抑制 效，影響不明顯，導致圖案形成中出現困難；而當其用量多於3〇 重量百分比，在進行熱交聯後，薄膜厚度損失明顯地增加。 在形成圖案時，基本上可以僅使用聚醯胺化合物、重氮萘酚 化合物和洛劑形成所述圖案。然而，由於半導體裝置是高度集成 的，所以需要在實施熱交聯後具有高解析度、高敏感度和較 小的厚^改變的組^物。為了獲得在不損害其他物理特性的前提 下具有高解析度、高敏感度和最小厚度變化的組合物，除了聚醯 胺化合物和重氮萘盼化合物外’還需要其他添加劑。作為所述添 加劑的實例，可使用普通低分子量苯酚化合物。所述低分子量苯 酚化合物容易獲得，然而具有較低的熱穩定性，因此當所述熱交 ，在大約·°(：或者更高的高溫下進行時，職的随無法維持。 ，了克服此問題’可廣泛使用包括㈣基官能_笨贿生物和 :獨的熱交_。當單獨使騎述熱交聯継，可維穩定性， 然而經受熱交聯處理的薄膜的延展性會降低。 成所述随的處理巾’為了防止树級未曝光部分在 劑中被溶解，可使用由以下化學式62表示的二(4_經基笨基） 除了防止在曝光後未曝光部分在顯影劑中被溶解以外，所述 -（'祕苯基）魏能在所述圖案硬化後增加其熱穩定性。 [化學式62] 201107882

半導體裝置製造過程中，當形成聚醯亞胺薄膜或者 ίΐίίί細時需要較低的溫度。這是為了通過最小化施加在 =述^導體設備上的熱衝擊，而最大化半導體的製造生產量。穩 定的薄膜可通過在35(TC加熱聚醯亞胺前體或者聚笨並噁唑前g 30分鐘或者更長而獲得。根據本發明，可加入其中通過加埶生 酸的化合物，從而降低交聯溫度20〇c或者更多。作為其中^過加 熱生成酸的化合物的實例，可使用二價的烷基甲笨磺酸酯。當所 述二價的烷基甲笨績酸酯被較低熱量分解時，在形成所述圖^時 f曝，部分會出現浮膜(scum);當所述二價的烷基甲苯磺酸酯^皮較 尚熱里为解時，所述二價的烧基曱笨績酸g旨的影響將變得不明 顯。1為所述二價的烷基曱笨磺酸酯的實例，可以使用2_丙基磺酸 醋、環烧基磺酸酯、2-羥基環己基磺酸酯等，然而本發明並不特別 局限於此。至於二價的烧基曱苯績酸酯的用量，全部組合物中的 0.01到5%是適當的。當其用量不足時，其影響會不明顯；當其用 量過量時，對所述圖案的形狀和曝光能量會有不利的影響。 在製造根據本發明的組合物時，為了獲得與基板的粘合力， 可使用石夕烧偶聯劑，或者可在聚合物主鏈中使用少於的二氨基 矽氧烷單體。當聚合物主鏈中二氨基矽氧烷單體的量為5%或者更 多時，耐熱性會降低。作為所述矽烷偶聯劑的實例，可以使用乙 烯基三甲氧基矽烷、{3-(2-氨基乙基氨基)丙基}三甲氧基矽烷、3_ 氨基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基-3·氨丙基三甲氧基矽烷、3_縮水 甘油醚氧基丙基三甲氧基石夕烧、3_縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基石夕 烧、二甲氧基[2_(7·氧雜二環[4.1.0]庚_3_基)乙基]石夕烧、3-(甲基丙 晞醯氧)丙基三甲氧基石夕烧、3-疏丙基三甲氧基石夕烧、n-(1，3-二甲 基丁稀基)-3-(三乙氧基石夕烧)-1-丙胺、n，N-二(3-三甲氧基石夕炫)丙 基乙基胺、N-(3-三甲氧基石夕丙基)吡洛、脲丙基三甲氧基石夕院、（3-三乙氧基矽烷丙基)氨基甲酸叔丁酯、N-苯基氨基丙基三甲氧基矽 201107882 旨基丙基三甲氧基魏。其中優選3_縮水甘⑽氧基 Ϊ、3-縮水甘油_基丙基三乙氧基魏和脲丙基 -甲氧基《规。基於刚重量百分比的聚醯 耳齊^量優選為卿0重量百分比。當其用量: 力的提高會有不利的影響；而當其用量大於1〇4 百刀比時，圖案形成會受到抑制，或者可能產生浮膜。 ί發明組合物形成®*後，可以進行祕處理來移除 化層。在此情況τ ’為了防止被曝光的财或者導電佈 $曰1相’可添加防腐敍劑。作為所述防腐鋪㈣代表實 I以其中錄靠近苯基的鄰苯二紛衍生物、連苯三盼衍生

U基沒食子酸s§衍生轉。本發明並無_限定，例如，只 f f 生物、連苯三_生物、絲沒食子_衍生物等 近苯基即可。所述防腐㈣的用量優選為全部組合物的 纖到10=。當所述防腐敍劑的用量少於〇 〇1%時，防腐姓功能會 而自其用f大於1G%時，在㈣時所述薄膜的損 日^ 顯地增加。 《耳/1 此外，可使用表面活性劑來提高塗層物理特性，而且 泡劑來移除雜。 根據本發明’所述組合物可通過在溶射溶解社描述 來提供。作為所述溶劑的實例，可使用丁内酯、N_

Ν，Ν·二甲基乙醯胺、二甲亞硬、環己烧、2-庚酮 '丙二醇各^甲剩 乙，酉曰、甲基異丁酮、乙二醇二乙喊、乙二醇二甲g|、乙基乳酸 Ξί不局限於此。所述雜可單獨細或者兩種或 下面詳細描述使用根據本發明的組合物形成圖案的方法。組 合物可被均勻地溶解在溶劑中。接下來，可過濾所述溶液，麸德 利用旋塗、喷塗、滾塗等塗布在料或者玻璃基板上而獲得 的^度。經塗布的基板可利用加熱板或者紅外線加熱到5〇它 150C從而乾聽被移除的溶劑。在所絲板上生摘纟蜂物 膜可利用i-line曝光機、Wine曝光機*g_Une曝光機經受曝光理。 所述包含掩模圖案的基板可經顯影、清洗和乾燥而獲得圖案。氫 14 201107882 氧化四曱銨可在顯t彡處理巾用作顯·，然而本發 限於此’只要所用化合物顯示鹼性即可。為了 局 化成Μ亞胺化合物或者聚苯並峻化合物 2 轉 入280。「,成去争客！疮认从技〜.丄、^导戶斤獲何·的圖案放 入280 CS者更③溫度舰肋’加減十分鐘。所獲 ϊίίίΪ絕半導體薄膜或者顯示處理，或者在“過程ί用; 产解Si本具有優良的塗布均勾性和顯影時的高 J解析度纟具有祕感度_時，#進行交聯時可最小化^缩 平0 、 ’應該理解的是這些 圍。在此情況下，可 且可在氮保護氣氛下

以下’通過實例詳細描述本發明。然而 實例僅用於說明目的，並不限制本發明的範 使用經脫水處理的有機木料(organic timber)， 實施聚合物的合成。 【實施方式】 合成實施例 合成實施例1 「4,4-氣甲酿基菜驗的合成1 在包括攪拌器和安裝在燒瓶内的溫度計的〇 5L燒瓶中，將6〇 (0.232m〇l) 4,4，-二苯趟二甲酸加入24〇g N•甲基吡咯烷酮辦) 中，攪拌並溶解。接下來，將所述燒瓶冷卻至〇。〇，麸後將u〇g (0.9246mol)的二氣亞砜滴入所述燒瓶中，使滴入的產物反應一 個小時，從而獲得4,4-氣甲醯基苯醚溶液。 對比合成實施例1 [聚醯胺A的合成] 將400gNMP放入包括攪拌器和安裝在燒瓶内的溫度計的化 燒瓶中，將85g (0.2321 mol) 2,2-雙(3-氨基-4-羥基笨基)六氟丙烷加 )燒瓶中，擾拌並溶解。接下來，將39g(0.4930 mol户比啶加入所 述燒瓶中’然後將8g(0.0487mol)的5-降冰片烯-2,3-草酸酐和所合 成的4,4-氯甲醯基苯醚緩慢地滴入燒瓶中。接下來，將滴入的產物 在室溫下攪拌一個小時。接下來，將通過以上描述的過程獲得的 溶液加入二升水中而獲得沉;殿物。接下來，過濾所獲得的沉澱物， 201107882 清洗並真空乾燥，而獲得ll〇g聚醯胺A。在此情況下，以聚笨乙 烯作為標樣，所獲得的聚醯胺的平均分子量為18,5〇〇。 佥成實施例2 ， [聚醯胺B的合成]

將4⑻gNMP放入包括攪拌器和安裝在燒瓶内的溫度計的1L 燒瓶中，將75.5g (0.209 mol)的2,2-雙(3-氨基-4-羥基苯基)六氟丙 烧和5g(0.023 mol)的4,7，10-三氧十三烷二胺加入燒瓶中，攪 拌並溶劑。接下來，將39g (0.4930 mol)吡啶加入所述燒瓶中，然 後^8苞.(〇.〇487111〇1)的5-降冰片烯-2,3-草酸酐和合成的4,4-氣曱醯 ^苯醚緩慢地加入所述燒瓶内。接下來，可以將滴入的產物在室 溫下，拌一個小時。接下來，將通過以上描述的過程獲得的溶液 加入三升水中來獲得沉澱。接下來，過濾所獲得的沉澱物、清洗 並真空乾燥，來獲得119g聚醯胺B。在此情況下，以聚苯乙烯作 為標樣’所獲得的聚醯胺B的平均分子量為15,600。 金成實施例3 [聚醯胺C的合成] 按照和以上描述的合成實施例1中相同的方式獲得110g聚醯 胺C ’除了用5.5g (0.023 mol) 4,4，-乙烯二間甲苯胺代替5g (0.023 爪〇1)4,7，1〇-三氧_1，13-十三烷二胺。在此情況下，以聚苯乙烯作為 標樣’所獲得的聚醯胺的平均分子量為24,000。 合成實施例4 [二曱基-3,3’，4,4’-二苯醚-四曱酸二氣化物的合成] 將 60g (0.1934 mol)二甲基-3,3’,4,4'-二笨醚-四甲酸酐、2 g(〇.〇198mol)甲醇、2g(0.0198mol)三乙胺和 120gNMP 加入包括 攪拌器和安裝在燒瓶内的溫度計的1L燒瓶中，然後攪拌並在室溫 下反應4個小時來獲得二曱基_3,3，，4,4，-二笨醚_四曱酸酯溶液。接 下來’將所述燒瓶冷卻至〇。〇，將70g (0.5884mol)亞硫醯二氣滴 入燒瓶中’使滴入的產物反應2個小時，由此獲得二曱基·3,3，，4,4，-一笨趟·四曱酸二氣化物溶液。 對比合成f施例2 [聚醯胺D的合成] 201107882

沉澱物。接下來，過濾所獲得的沉澱物、 清洗和真空乾燥來獲得 作為標樣，所獲得的聚 128g聚醯胺D。在此情況下，以聚笨乙烯作為標樣 醯胺的平均分子量為19,200。 ^ ’ .合成實施例3 • [聚醯胺E的合成]

將260gNMP加入包括攪拌器和安裝在燒瓶内的溫度計的1L 燒瓶中，然後將58.5g (0.160 mol) 2,2-雙(3-氨基4-羥基笨基)六氟 丙烷和4.3g(0.0178m〇l)4,4，-乙烯二間甲笨胺加入所述燒瓶中，麸 後攪拌並溶解這些反應物。接下來，將35g (〇 4425 m〇1)吡啶加又 燒瓶中，然後，在所述燒瓶中緩慢滴入二甲基_3,3，，4,4，_二苯醚_四 甲酸二氯化物溶液30分鐘，然後在室溫下將這此反庫物撥拌卜 B:。在通過以上描述的過程獲得的溶液中加之3-攪^ >儿澱物。接下來，過濾所獲得的沉澱物、清洗和真空乾燥來獲得 l〇5g聚醯胺E。在此情況下，以聚苯乙烯作為標樣，所獲得的 醯胺的平均分子量為22,000。 合成實施例6 [重氮萘酚化合物合成/PAC A] 产巧圓底燒瓶内’將50g三(4·羥苯基)乙烷、87g的丨，2·萘醌重 ，氮-5-磺醯氯和17g乙酸酐溶解在8〇〇g二噁烷中，並利用冰水冷 部。接下來，將59g三乙胺在相同溫度下緩慢地滴入此溶液中， 且在至溫下攪拌所述溶液8個小時。接下來，將經攪拌的溶液滴 入過量的去離子水中，來獲得沉澱物。接下來，過濾所獲得的沉 澱物、清洗，並在40。(：下真空乾燥48小時，由此獲得95g磺酸醋。 合成實施例7 [重氮萘酚化合物合成/PAC B] 17 201107882 在合成實施例1中，用87g的1，2-萘醌重氮_4-續醯氣代替87g 的1，2-萘醌重氮-5-橫醢氯，從而獲得91g續酸酯。 實施例 利用包括在每一個合成實施例2、3和5 (實施例1到4)和 對比實施例1和2中合成的聚合物的光敏組合物，實施圖案化處 理’並檢查翹曲度（beding)和圖案化的結果。 麵曲度檢查 、將所合成的聚合物、重氮萘酚化合物和多種添加劑溶解在作 ^溶劑的γ-丁内醋内，至40重量％，然後利用〇 5μιη筛檢程式移 ，顆粒雜質。接下來，將舰旋塗在8英寸的糾上來獲得1〇叩 片。在此情況下，為了完全移除溶齊J，在大約130〇C下供烤 斤，6。秒鐘。在所述薄片中，薄膜在烘爐中在大約挪力下 鐘，利用，磨輯述薄片的後面，使其具有5〇μΓη -般和;Ί峨_結果魏存的㈣度概被分成好、 胤案形成檢杳 8英寸的⑦片上來獲得1Qum厚度_片 ^ ° 60 # 錢進行县麗寻;ί。刺闲爲知 利用2.38重里％氳氣化四曱 如觀測。在顯影部八和之後的薄膜厚度使用Nano 觀测。考慮麵财通鱗描電子顯微鏡 般和差。以下的化學掩錄固體’將圖案分成好、一 添加劑C。 5刀別表示添加劑A、添加劑b和 [化學式63到65] 201107882

[表1] 樹脂 PAC 對比實施例1 A，30g B，6g 實施例1 B，30g B，6g 實施例2 C，30g B，6g 對比實施例2 D，30g B，6g 實施例3 E，30g B，6g 實施例4 C，30g A, 6g 溶劑 60g 翹曲度 一般，差 好 差 一般 儘管已經參照其特定示例施例顯示和 本發明並不局限於所述的示例性實施例。而且，本領域的技術人 員應該理解’在不脫離由權利要求限定的本發明的精神和範圍的 情況下’可以對其進行形式和細節上的各種改變。本發明的範圍 由申請專利範圍及其等同物限定。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無

Claims (1)

1. 201107882 ’所述聚醯胺衍 七、申請專利範圍： 1、一種包含聚醯胺衍生物的正型光敏组合物 生物表示為 ’ [化學式1] X HN R5一HN— f〇 0 r? 〇 | (〇H)n y — —NH K1—NH- R2_X_NH—p4—__ (V )m (iH)n K (V)m 價的各有至少2彳_子的二價到六 方基，R表不虱原子或者具有！到2〇個碳 性結構眺基或者具有線性結構的芳基；r5 G含有 了構Πί的任何一種;❿1各自獨立地表示ι〇到_ 2申請專利範圍第丨項所述之正 =固 子並含有至少-個稀基忽基或者 一有20個或更夕的奴原子並含有至少一個烯基的芳基。 3、如申請專^範圍第i項所述之正型光敏組合物，立中所述 聚醯胺衍生物中R的含量為2m〇l〇/0到10m〇1%。 八 與^或如/^範圍第1項所述之正型光敏組合物，其中R5 心5/j包含重氣獅化合物、添加劑和聚軸触物的正型 光敏組合物，所述聚醯胺衍生物表示為 [化學式1] X一HN——R5—HN-(OH)η -R2- -NH—R1—NH- (C〇2R3)^ (〇H)n K 0 -r2-L NH—R4—NH-_X (C02R” m 20 201107882 陶㈣含有至少2 結構的芳基中的』d方基、具有線性結構的炫基和具有雜 數；η和m各自獨自獨立地表示1〇到_的整 子或者具有2到的整數x表示氫原 述重氮6萘SCj第5項所述之正型光敏組合物，其中所 [化學式2]

   9 其中η和m各自獨立地表示〇 · 具有12到4G個碳原子的芳基 G)’z表不 [化學式3]

   :s=o ，或者

   0=5=0 201107882 7、如申請專利範圍第6項所述之正型 與DNQ的摩爾比為4 : !到！ ： 2〇。 i规、且口物其中R7 舌申^專·圍第5項所述之正贼驗合物，1中所述 化學式5到12表示的化合物 [化學式5到12]

   (10) (11) (12) 其中DNQ為氫原子、烷羰基和由化學式13或者化學式14表示 團’且Rs表示甲基或者二疊氮基萘醌磺酸基（-ODNQ)，DNQ 為氣原子、烧幾基和由化學式13或者化學式14表示的基團 22 201107882 ςά" 〇=s=〇 I (13) 〇φτΝ2 〇=s=〇 I • (14) 9、 如申請專利範圍第5項所述之正型光敏組合物，其中所述 添加劑包括從由交聯催化劑、助粘附劑、表面活化劑、抗腐蝕劑 和二(4-羥基苯基）芴組成的組中選出的至少一種添加劑。 10、 如申請專利範圍第5項所述之正型光敏組合物，其中在所 述組合物的總量中，基於100重量百分比的聚酿胺衍生物，所述重 氮萘酌·化合物的含量為5到30重量百分比。

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