201107443 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於半導體背面之切晶帶一體型薄 膜，其包括一覆晶型半導體背面之薄膜。該覆晶型半導體 背面之薄膜用於保護一晶片形工件（例如一半導體晶片）之 一背面並增強強度及諸如此類之目的，此外，本發明係關 於種用於使用一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來 製作一半導體裝置之方法及一種覆晶安裝式半導體裝置。 【先前技術】 近年來，已越來越要求半導體裝置及其封裝之薄化及小 型化。因此，作為半導體裝置及其封裝，已廣泛利用一其 中一晶片形工件（例如一半導體晶片）藉助覆晶結合安裝（覆 晶結合）於一基板上之覆晶類型之半導體裝置。於此覆晶 結合中，將一半導體晶片以一其中該半導體晶片之一電路 面與一基板之一電極形成面對置之形式固定至該基板。於 此一半導體裝置或類似裝置中，可存在半導體晶片（晶片 形工件）之背面由保護薄膜保護以阻止半導體晶片損壞或 諸如此類之情形（參見，例如，專利文獻丨至1 〇)。 專利文獻 1 : JP-A-2008-166451 專利文獻 2 : JP-A-2008-006386 專利文獻 3 : JP-A-2007-261035 專利文獻4 : JP-A-2007-250970 專利文獻 5 : JP-A-2007-158026 專利文獻 6: JP-A-2004-221 169 148667.doc 201107443 專利文獻 7 : JP-A-2004-214288 專利文獻 8 : JP-A-2004-142430 專利文獻9 : JP-A-2004-072108 專利文獻 10 : JP-A-2004-063551 【發明内容】 然而’將用於保護半導體晶片之背面之背面保護薄膜附 者至藉由在一切晶步驟中切晶半導體晶圓所獲得之半導體 晶片之背面導致添加一用於附著之步驟，從而使步驟數目 增加且成本及諸如此類增加。此外，由於薄化，半導體晶 片在某些情形下可於一在該切晶步驟之後對該半導體晶片 之拾取步驟中受損。因此，期望在該拾取步驟之前強化該 半導體晶圓或半導體晶片。 考慮到上述問題’本發明之目的係提供一種能夠自半導 體晶圓切晶步驟至半導體晶片覆晶結合步驟利用之用於半 導體背面之切晶帶一體型薄膜。 此外，本發明之另目的係提供一種能夠在半導體晶片切 晶步驟中展現極佳固持力且能夠在半導體晶片覆晶結合步 驟之後展現極佳雷射標記性質及極佳外觀性質之用於半導 體背面之切晶帶一體型薄膜。 為了解決上述問題，本發明者進行了廣泛且深入的研 九、、。果已發現，當將具有指定多層結構之覆晶型半導 體貪面之膜層壓於包括基礎材料及麗敏黏合劑層之切晶 苹之£敏黏合劑層上從而以一體形式形成切晶帶及覆晶型 半導體背面之薄膜時，τ自半導體晶圓切晶步驟至半導體 148667.doc 201107443 晶片覆晶結合步驟利用其中切晶帶及半導體背面之薄膜係 以一體形式形成之壓層（用於半導體背面之切晶帶—體型 4膜），可在半導體晶圓切晶步驟中展現極佳固持力，且 可在半導體晶片覆晶結合步驟之後展現極佳雷射標記性質 及極佳外觀性質，從而導致本發明之成就。 亦即’本發明提供一種用於半導體背面之切晶帶—體型 薄膜，其包含： 切晶帶’其包括一基礎材料及一提供於該基礎材料上 之壓敏黏合劑層；及 一覆晶型半導體背面之薄膜，其提供於該壓敏黏合劑層 上， 其中§玄覆晶型半導體背面之薄膜具有一包括一晶圓黏合 層及一雷射標記層之多層結構， 其中該晶圓黏合層係由一樹脂組合物形成，該樹脂組合 物含有一熱固性樹脂組分及作為一可選組分之一相對於樹 脂組分之總量小於3 〇重量％之量之熱塑性樹脂組分，且 其中該晶圓黏合層係由一樹脂組合物形成，該樹脂組合 物含有一熱固性樹脂組分及作為一可選組分之一相對於樹 脂組分之總量小於30重量％之量之熱塑性樹脂組分。 如上述，於本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄 膜中，該覆晶型半導體背面之薄膜與包括該基礎材料及該 壓敏黏合劑層之該切晶帶係以一體方式形成，且該覆晶裂 半導體背面之薄膜具有一包括該晶圓黏合層及該雷射標記 層之多層結構。因此，在切晶該半導體晶圓（工件）時，可 148667.doc 201107443 藉由利用S亥晶圓黏合層藉助極佳緊密黏合將該用於半導體 考面之切晶帶一體型薄膜附著至該半導體晶圓來固持並有 效地切晶該半導體晶圓《此外，在切晶該半導體晶圓以形 成—晶片形工件（例如，一半導體晶片）之後，藉由將該晶 片形工件連同該覆晶型半導體背面之薄膜剝離該切晶帶之 該壓敏黏合劑層，可容易獲得其背面受到保護之晶片形工 件。此外，由於包括該雷射標記層，因此可使該晶片形工 件之背面（亦即，該雷射標記層）經受具有極佳雷射標記性 質之雷射標記。此外，可有效地增強該外觀性質及類似性 質。 於本發明中’該晶圓黏合層係由一含有一熱固性樹脂及 作為一可選組分之一相對於樹脂組分之總量小於3 〇重量％ 之量之熱塑性樹脂組分（在該熱塑性樹脂組分之量為〇重量 %之情形下，不含有該熱塑性樹脂組分）之樹脂組合物形 成，且該雷射標記層係由一含有一相對於樹脂組分之總量 為30重量％或以上之量之熱塑性樹脂組分及作為一可選組 分之一熱固性樹脂組分（在該熱塑性樹脂組分之量為1〇〇重 量％之情形下，不含有該熱固性樹脂組分）之樹脂組合物形 成。 於一貫施例令’該晶圓黏合層相對於一半導體晶圓具有 一 1 N/10 mm-寬度或以上之黏合力；且當在一其中一輕射 強度為1.0 W之條件下用一具有532 nm之波長之飢酸|乙雷 射輻射時該雷射標記層具有一 2 μιη或以上之加工深度。 於一實施例47，該晶圓黏合層及該雷射標記層分別含有 148667.doc 201107443 一添加至其之著色劑。 於-實施例中’該用於半導體背面之切晶帶—體型薄膜 係在覆晶結合時使用。 本發明亦提供一種用於使用上述用於半導體背面之切晶 帶-體型薄膜來製作-半導體裝置之方法，該方法包含： 將一工件附著至該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 之該覆晶型半導體背面之薄膜之該晶圓黏合層上， 切晶該工件以形成一晶片形工件， 將该晶片形工件連同該覆晶型背面薄膜剝離該切晶帶之 該壓敏黏合劑層，及 藉由覆晶結合將該晶片形工件固定至一黏合體。 本發明進一步提供一種藉由上述方法製造之覆晶安裝式 半導體裝置。 根據本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，不 僅以一體形式形成該切晶帶及該覆晶型半導體背面之薄 膜，而且該覆晶型半導體背面之薄膜具有一包括該晶圓黏 合層及該雷射標記層之多層結構。因此，可自一工件（例 如一半導體晶圓）之一切晶步驟至一晶片形土件（例如半一 導體晶片）之一覆晶結合步驟利用本發明之用於半導體背 面之切晶帶一體型薄膜。特定而言，本發明之用於半導體 背面之切晶帶一體型薄膜可在一工件之切晶步驟中展現一 極佳固持力且亦可在一晶片形工件之覆晶結合步驟之後展 現一極佳雷射標記性質及一極佳外觀性質。此外，於該覆 晶結合步驟及類似步驟中’因於該晶片形工件之背面由該 148667.doc 201107443 覆晶型半導體背面之薄膜保護，因此可有效地抑制或防止 該晶片形工件之破損、剝落、勉曲及諸如此類^當然，本 發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜可在除自該晶 片形工件之切晶步驟至覆晶結合步驟以外的步驟中有效地 展現其功能。 【實施方式】 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 參照圖1來闡述本發明之一實施例，但本發明不僅限於 此實施例。圖1係一顯示本發明之用於半導體背面之切晶 帶一體型薄膜之一實施例之刮面示意圖。於圖1中，丨係一 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜（在下文中有時稱作 「切晶帶一體型半導體背面保護薄膜」、「具有切晶帶之 半導體背面之薄膜」或「具有切晶帶之半導體背面保護薄 膜」）；2係一覆晶型半導體背面之薄膜（在下文中有時稱作 半導體者面之薄膜」或「半導體背面保護薄膜」）；Η 係一雷射標記層；22係一晶圓黏合層；3係一切晶帶；3 i 係一基礎材料；及32係一壓敏黏合劑層。 附帶而言，於本說明書之圖式中，未給出對說明無關緊 要之部分，且存在藉由放大、縮小等來顯示以使說明變得 容易之部分。 如圖1中所示，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜}具 有一組態’ s玄組態包括：包括形成於基礎材料3 i上之壓敏 黏合劑層32之切晶帶3、及包括形成於雷射標記層21上之 晶圓黏合層22之半導體背面之薄膜。此外，用於半導體背 148667.doc 201107443 面之切晶帶一體型薄膜！係以一其中壓敏黏合劑層W與雷 射標記層2 1彼此接觸之形式構成。半導體背面之薄臈2之 表面（欲附著至半導體晶圓（工件）之背面之表面； 曰 ，晶 圓黏合層22之表面）可在該週期期間由一隔離物或類似物 保護直至其附著至晶圓之背面為止。 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜丨既可具有—其中 半導體背面之薄膜2形成於切晶帶3之壓敏黏合劑層“之整 個表面上方之組態亦可具有一其中，如圖丨中所示，半導 體背面之薄膜2僅形成於欲將半導體晶圓附著至其之切晶 帶3之壓敏黏合劑層32之一部分上之組態。 覆晶型半導體背面之薄膜 半導體背面之薄膜2具有一薄膜形狀。如先前所述’由 於半導體背面之薄膜2具有一包括雷射標記層21及晶圓黏 σ層22之多層結構，因此在切削一附著至半導體背面之薄 膜2上之半導體晶圓（亦即，晶圓黏合層22)之切削加工步驟 (切晶步驟）中，半導體背面之薄膜2具有一藉助至該半導體 晶圓之緊密黏合來支撐該半導體晶圓之功能且能夠展現黏 合性以使得切削件不會散開。此外，於一在該切晶步驟之 後的杧取步驟中，可容易將已藉由切晶個體化之半導體晶 片（晶片形工件）連同半導體背面之薄膜2剝離切晶帶3。此 外在°玄拾取步驟之後（在將已藉由切晶個體化之半導體 晶片連同半導體背面之薄膜2剝離切晶帶3之後），半導體 者面之薄膜2具有一保護該半導體晶片之背面之功能。此 外，由於雷射標記層21變為該半導體晶片之背面側上的最 148667.doc 201107443 外層，因此可顯露一展現極佳雷射標記性質之功能。此 外，由於晶圓黏合層22藉助極佳緊密黏合附著至該半導體 晶片之背面，因此觀察不到因缺陷黏合而引起之鼓起或諸 如此類，且該半導體晶片可展現極佳外觀性質。如上述， 由於半導體背面之薄膜2具有極佳雷射標記性質，因此可 執行雷射標記以藉由利用一經由半導體背面之薄膜2之雷 射標記方法使用該半導體晶片來賦予一半導體晶片或一半 導體裝置之非電路側上之面（更詳細地，半導體背面之薄 膜2之雷射標記層21)各種資訊，諸如文字資訊及圖形資 訊0 根據本發明，於半導體背面之薄膜2中，較佳地雷射標 記2丨係有色的，但更佳地晶圓黏合層以及雷射標記層21 = 者皆係有色的。如上述，於半導體背面之薄膜2中，當雷 射標記層21(較佳地，晶圓黏合層22及雷射標記層2ι)Ζ有 色的時，可更多地展現極佳雷射標記性質。特定而言藉 由控制著色之色彩，可觀察到藉由具有極佳可見度之標^ 所賦予之資訊（例如，文字資訊及圖形資訊）。 特定而言，由於半導體背面之薄膜2具有至半導體晶圓 或半導體晶片之極佳緊密黏合，因此觀察不到鼓起或諸如 此類。此外’由於半導體背面之薄膜2可展現極佳外觀性 質，因此可獲得-具有極佳增值外觀性質之半導體裝置。 舉例.而言，作為半導體护番 . 千导體裝置，可藉由使用不同色彩來分類 其產品。 此外藉由著色雷射標記層21及晶圓黏合層22 ’可容易 148667.doc 201107443 把切晶帶3與半導體背面之薄膜2彼此區別開，且可增強可 工件性及諸如此類。 如上述’半導體背面之薄膜2不用於將一半導體晶片晶 粒結合至一黏合體（例如一基板）但用於保護欲覆晶安裝（或 已覆BB文裝）之半導體晶片之背面（非電路面）且具有對於其 最佳之功能及構造。就此而言，一晶粒結合薄膜係一用於 將該半導體晶片強力附著至該黏合體（例如基板）上之應用 之黏合劑層。此外，於使用一晶粒結合薄膜之半導體裝置 中由於其最終由一囊封樹脂囊封，因此該晶粒結合薄膜 在功能及構造方面不同於旨在保護半導體晶圓及半導體晶 片中之每一者之背面之本發明之半導體背面之薄膜因 此，使用本發明之半導體背面之薄膜2作為晶粒結合薄膜 並非係較佳的。 半導體背面之薄膜2之厚度（總厚度）不受特別限制而是 可（例如）在自約5 μηι至5〇〇 μιη之範圍内合適地選擇。此 外’半導體背面之薄膜2之厚度較佳自約5 _至15〇㈣， 更佳自約5，至100 _，進一步較佳自約5 _至5〇叫， 更進-步較佳自約1G _至3() _，且尤其較佳自約Η _ 至 25 μηι。 本發明之半導體背面之薄膜2 C下的彈性模數 (拉伸儲存彈性模數Ε|)為較佳！奶或以上，更佳2 Gpa或 以上’且尤其較佳3 Gpa或以上。當半導體背面之薄膜2之 拉伸儲存彈性模數為1GP_以上時，則在將半導體元件 連同+導體背面之薄膜2剝離切晶帶之壓敏層，並隨後將 148667.doc •12· 201107443 半導體背面之薄膜2置於支撐件（例如，載體帶）上以執行輸 送或諸如此類的時候，可有效地抑制或防止半導體背面之 薄膜2附著至支撐件（例如，載體帶中之頂部帶或底部帶）。 在半導體背面之薄膜2係由一含有一熱固性樹脂之樹脂組 合物形成之情形下，如先前所述，由於該熱固性樹脂通常 處於一未固化或部分地固化之狀態下，因此半導體背面之 薄膜2在23°C下的拉伸儲存彈性模數通常係一處於一其中 該熱固性樹脂未固化或部分地固化之狀態下之值。 半導體背面之薄膜2在231下的彈性模數（拉伸儲存彈性 模數E’）係藉由製備由晶圓黏合層22及雷射標記層21形成之 半導體背面之薄膜2而不層壓於該切晶帶上並使用由 Rheometrics公司製造之動態黏彈性量測設備「固體分析器 RS A2」在一處於一規定溫度（m)下之氮氣氛下在1〇 mm 之樣本寬度、22.5 mm之樣本長度、〇·2 mm之樣本厚度、1 Hz之頻率及1(rC /分鐘之溫度升高速率之條件下量測一處 於一拉伸模式下之彈性模數來確定，且視為所獲拉伸儲存 彈性模數E’之一值。 此外，處於未一固化狀態下之半導體背面之薄膜2之上 述拉伸儲存彈性模數（23°C )可藉由合適地設定樹脂組分（熱 塑性樹脂及/或熱固性樹脂）之種類及含量或填充劑（例如二 氧化碎填充劑）之種類及含量來加以控制。 一處於一可見光區（波長：自400 nm至800 nm)内之半導 體背面之薄膜2之光透射比（可見光透射比）不受特別限制， 而是（例如）較佳在不超過2〇%(自〇%至20%)之範圍内，更 148667.doc 201107443 佳處於不超過10%(自0%至10%)之範圍内，且尤其較佳在 不超過5°/。（自0。/。至5%)之範圍内。當處於一可見光區内之 半導體背面之薄膜2之光透射比不超過20%時，可見光透 射過半導體背面之薄膜2並抵達一半導體晶片，藉此可減 少對該半導體晶片之不利影響。 半導體背面之薄膜2之可見光透射比（％)可受控於構成半 導體背面之薄膜2之樹脂組分之種類及含量、著色劑（例 如’顏料及染料）之種類及含量、填充劑之種類及含量等 等。 可（例如）以下述方式來計算可見光透射比（％) ^亦即， 製備具有一 20 μιη之厚度（平均厚度）之半導體背面之薄膜2 而不層壓於該切晶帶上。接下來，使用r absorption SPECTRO PHOTOMETER」（Shimadzu 公司之一商品名）用可 見光來輻射半導體背面之薄膜2。可見光具有自4〇〇 nm至 800 nm之波長。可根據下述表示式來計算已藉由此輻射透 射過半導體背面之薄膜2之可見光之光強度。 可見光透射比（％)=[(可見光在透射過半導體背面之薄膜2 之後的光強度）/(可見光之初始光強度）]xl00 光透射比（％)之上述計算方法亦可應用於計算一其厚度 並非係20 μιη之半導體背面之薄膜之一光透射比（％)。特定 而a ’根據朗伯-比爾定律（Lambert-Beer law)，可按下述 方式來計算一在20 μιη之厚度之情形下之吸收率a2〇。 A2〇 = ax UoxC (1) (於該公式中，Lw係一光路徑長度，α係一吸收率指數， 148667.doc •14- 201107443 c係一樣本濃度。） 另外’可按下述方式來計算一在X(gm)之厚度之情形下 之吸收率Ax。
Ax = axLxxC (2) 此外，可按下文方式來計算在20 μιη之厚度之情形下之 吸收率八2。。 A2〇=-log10T20 (3) (於该公式中，丁2〇係一在20 μηι之厚度之情形下之光透射 比。） 自以上公式（1)至（3)，吸收率Αχ可由下述公式表示。 Αχ = Α2〇 x (Lx/L2〇) = -[log10(T20)] x (Lx/L2〇) 因此可按下文方式來計算一在X μηι之厚度之情形下 之光透射比Τχ〇> : Τχ=1〇-^ 其中 Αχ β *[1〇gi〇(T2〇)] X (Lx/L2<〇 此外，將在對一光透射比（％)之上述計算方法中之半導 體背面之薄膜之厚度調節至2G㈣之事實並不特別限制本 發明之半導體背面之薄膜2之厚度。「2〇㈣」之值係一為 了便於量測而採用之厚度。 此外’半導體背面之薄膜2較佳具有一低水分吸收率。 特定而t，該水分吸收率較佳不超過i重量％，且更佳不 超過〇 · 8重量％。藉由將水分吸收率調節至不超過上重旦 可增強雷射標記性質…卜，例如，可在一回流步： 中抑制或防止空隙之產生。水分吸收率可(例如)藉由改變 148667.doc •15· 201107443 有機填充劑之添加量來加以調節。水分吸收率係一根據一 當允許薄膜在一處於85t及85% RHT之氣氛下靜置168小 時時之重量變化所計算之值（參見下述表示式此外，在 半導體背面之薄膜2係由一包含一熱固性樹脂之樹脂組合 物形成之情形下，水分吸收率係、—根據—當允許薄膜在熱 固化之後在-處於85。。及85% RH下之1氛下靜置168小時 時之重量變化所計算之值。 水分吸收率（重量％)=[{(在允許半導體背面有色薄膜靜置 $後的重量）-(在允許半導體背面著色薄膜靜置之前的重 量）}/(在允許半導體背面著色薄膜靜置之前的重量）]χΐ〇〇 此外，半導體背面之薄膜2較佳具有一揮發物質之一小 比率。特定而言，一在— 25(rc之溫度下加熱丨小時之後的 重量減少之比率（重量減少比）較佳不超過丨重量％，且更佳 不超過Q·8重量％。藉由將重量減少比調節至不超過1重量 %，可增強雷射標記性質。此外，例士口，可在該回流步驟 中抑制或防止封裝中之裂紋之產生。重量減少比可(例如) 藉由添加一能夠在無鉛焊料回流時減輕裂紋之產生之無機 材料來加以調節。*量減少比係-根據-當在-處於 25代下之條件下對薄膜加熱1小時時之重量變化所計算之 值（參見下述表示式）。此外，在半導體背面之薄膜2係由-3有熱固性樹脂之樹脂組合物形成之情形下，重量減少 比係根據一當允許薄膜在熱固化之後在處於25〇。(：下之 條件下靜置1小時時之重量變化所計算之值。 重里減少比（重量。/。) = [{(在允許半導體背面有色薄膜靜置 148667.doc •16- 201107443 之前的重量H在允許半導體背面著色薄膜靜置之後的重 里）}/(在允許半導體背面著色薄膜靜置之前的重量）]χΐ 〇〇 半導體背面之薄膜2(特定而言，晶圓黏合層22)較佳受 一隔離物（釋放襯墊）（未顯示於圖式中）保護。該隔離物具 有一作為一保護材料用於保護半導體背面之薄膜2(特定而 言，晶圓黏合層22)直至其投入實際使用為止之功能。此 卜在將半導體背面之薄膜2轉移至基礎材料31上之壓敏 黏合劑層32時，該隔離物可進一步用作—支樓基礎材料。 «亥隔離物在一半導體晶圓附著至用於半導體背面之切晶帶 -體型薄膜1之半導體背面之薄膜2上時剝離。作為隔離物 (聚乙烯或聚丙烯)，亦可使用一其表面塗有釋放劑(例如氟 基釋放劑及丙烯酸長鏈坑基s旨基釋放劑）之塑膠薄膜（例 如，聚對苯二甲酸乙二商旨）或紙。該隔離物可藉由一通常 已知之方法來形成。此外’該隔離物之厚度或諸如此類不 受特別限制。 在半導體背面之薄膜2俜由—人女 ju. m 係由含有一熱固性樹脂組分（例 如環氧樹脂）之樹脂組合物（細節猶後將閣述㈣成之情# 下’於半導體背面之薄膜2中，該熱固性樹脂在其施力I: -半導體晶圓之前的，處於一未固化或部分地固化之 狀態下。在此種情形下，在其施加至半導體晶圓之後（特 = 在該覆晶結合步驟中固化一囊封材料的時 完全固化。 …口咖曰組分完全或幾乎 其中熱固性樹 如上述，由於半導體背面之薄膜2處於 148667.doc -17· 201107443 脂組分未固化或部分地固化之狀態下，甚至當薄膜含有熱 固性樹脂組分時，因此半導體背面之薄膜2之凝膠分數不 爻特別限制但可（例如）在不超過5〇重量％(自〇重量％至5〇重 量％)之範圍内合適地選擇，且其較佳不超過30重量％(自0 重直％至30重量％) ’且尤其較佳不超過1〇重量％(自〇重量 %至10重量％) » 半導體背面之薄膜2之凝膠分數可以下述量測方法來量 測《亦即，自半導體背面之薄膜2取約〇i g之一樣本並對 其進行精確稱重（樣本重量），且在將該樣本包裹於網型薄 片中之後，將其在室溫下在約5〇 mL之曱苯中浸潰丨周。此 後，自甲笨中取出溶劑不溶性物質（網型薄片巾之内容物） 且在130 C下乾燥約2小時’在乾燥之後對溶劑不溶性物質 進行稱重（浸潰及乾燥後之重量），且隨後根據下述表示式 (a)來計算凝膠分數（重量％)。 凝膠分數（重量％)=[(浸潰及乾燥之後的重量）/(樣本重 量)]xl00 (a) 半導體背面之薄膜2之凝膠分數可受控於樹脂組分之種 類及含量及交聯劑之種類及含量以及加熱溫度、加熱時間 等等。 (晶圓黏合層） ♦晶圓黏合層22係一展現至半導體晶圓之極佳黏合性（緊 密黏合）之層且係一與半導體晶圓之背面接觸之層。較佳 地，晶圓黏合層22對於半導體晶圓之黏合力為！ N/1〇 · 寬度或以上（例如，自1 N/10 mm-寬度至10 N/1〇 mm•寬 148667.doc •18- 201107443 度）。晶圓黏合層22對於半導體晶圓之黏合力為更佳2 Ν/ι〇 mm-寬度或以上（例如，自2 N/10 mm-寬度至10 N/1〇 mm_ 寬度），且進一步更佳4 N/10 mm-寬度或以上（例如，自4 N/10 mm-寬度至10 N/10 mm_寬度）。當晶圓黏合層22對於 晶圓之黏合力小於1 N/10 mm-寬度時，可存在無法利用其 作為晶圓黏合層22之情形。 半導體背面之薄膜2對於半導體晶圓之黏合力係（例如） 一以下述方式量測之值。亦即，將壓敏黏合劑帶（商品 名：BT315，由Nitto Denko公司製造）附著至半導體背面之 薄膜2之一面，由此加固該背面。此後，#由下述方式將 一具有一0.6 mm之厚度之半導體晶圓附著至具有一 15〇 mm之長度及一 10 mm之寬度之半導體背面背面加固薄膜2 之表面上，藉由一熱層壓方法使一處於5〇<t下之2 kg之輥 往復運動一次。 此後，允許該壓層在一熱板（5(rc)上靜置2分鐘並隨後 允許其在常溫（約23。〇下靜置20分鐘。在靜置之後，藉由 使用一剝離測試儀（商品名：AUT〇GRApH ags·】，由 Shimadzu公司製造）在一 18〇0之剝離角及一 3〇〇 之 拉伸速率之條件下在—231之溫度下剝離半導體背面之背 面加強薄膜2。|占纟力係—ϋ由此時在一半導體背面之薄 膜2與該半導體晶圓之間的介面處剝離所量測之值（Ν/10 mm-寬度）。 通常’晶圓黏合層22較佳受-隔離物保護。在此種情形 下，當剝離該隔離物時，晶圓黏合層22用作用於半導體背 148667.doc •19· 201107443 面之切晶帶一體型薄膜1之一側上的一最外層且用於將用 於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1附著至該半導體晶 圓。 晶圓黏合層22可由一樹脂組合物形成。作為用於形成晶 圓黏合層22之樹脂組合物（在下文中有時稱作「晶圓黏合 層樹脂組合物」），可合適地使用一含有—作為一可選組 分之熱塑性樹脂組分及一熱固性樹脂組分之樹脂組合物。 於該晶圓黏合層樹脂組合物中，闡述（或例示）於下述章節 (熱塑性樹脂組分）等等中之熱塑性樹脂可用作該熱塑性樹 脂組分，而闡述（或例示）於下述章節（熱固性樹脂組分）等 等中之熱固性樹脂可用作該熱固性樹脂組分。 於本發明中，如下所述’丙稀酸系樹脂適合作為晶圓黏 合層樹脂組合物中之該熱塑性樹脂組分。另一方面，環氧 樹脂及酚系樹脂適合作為晶圓黏合層樹脂組合物中之該熱 固性樹脂組分。因，匕’含有環氧樹脂、齡系樹脂及丙稀酸 系樹脂之樹脂組合物適合作為晶圓黏合層樹脂組合物。由 於此等樹脂組分具有低離子雜質及高耐熱性，因此可綠保 半導體元件之可靠性。 於該晶圓黏合層樹脂組合物中，從對半導體晶圓之黏合 性觀點來看’該熱塑性樹脂組分之比率相對於該樹脂組分 之總量較佳小於30重量％(例如，〇重量％或以上且小於3〇 重量。/。)，且更佳不超過28重量％(尤其較佳不超過25重量 %)。於該晶圓黏合層樹脂組合物中’當該熱塑性樹脂組分 之比率太小時’可能有成膜性降低之情形存在。從成膜性 148667.doc 201107443 之铙點來看，該熱塑性樹脂組分之比率之下限值相對於該 晶圓黏合層樹脂組合物中之該等樹脂組分之總量較佳為5 重量％或以上，且更佳10重量％或以上（尤其較佳15重量％ 或以上）。總之，該晶圓黏合層樹脂組合物中之該熱塑性 树知組分之比率可（例如）在5重量％或以上且小於3 〇重量 °/〇(較佳10重量％或以上且小於30重量％，且更佳15重量％ 或以上且小於3 0重量％)之範圍内選擇。 該晶圓黏合層樹脂組合物中之該熱固性樹脂組分之比率 係藉由自100重量％(其之一值係該等樹脂組分之總量之比 率）減去該熱塑性樹脂組分之比率所獲得之剩餘比率。在 該熱塑性樹脂組分之比率相對於該等樹脂組分之總量為〇 重量％之情形下，該晶圓黏合層樹脂組合物係一僅含有該 熱固性樹脂組分（不含有該熱塑性樹脂組分）作為樹脂組分 之樹脂組合物（熱固性樹脂組合物）。 若期望’則s玄晶圓黏合層樹脂組合物可除交聯劑及著色 劑以外還含有作為除該等樹脂組分以外的組分之添加劑， 例如填充劑、阻燃劑、矽烷偶聯劑、離子陷獲劑、增量 劑、抗老化劑、抗氧化劑及表面活性劑。舉例而言，闡述 (或例示）於下述章節（交聯劑）等等中之交聯劑可用作該交 聯劑。舉例而言’闡述（或例示）於下述章節（著色劑）等等 中之著色劑可用作該.著色劑。 藉由使用交聯劑，可設法增強加高溫下之黏合特性（緊 密黏合特性）並改良耐熱性。於一實施例中，為了藉助一 交聯劑來交聯該等樹脂組分之目的，於該等樹脂組分之— 148667.doc -21· 201107443 之官能基引入至一分 聚合物中，將一能夠與該交聯劑反應 子鏈末端或諸如此類中。 曰曰圓黏合層22可藉由利用—使ώ _ 其令將一熱固性樹脂組分 (例如一環氧樹脂）與一埶 t ·、，、』性树月曰組分（例如丙烯酸系樹 脂）混合並視需要進一步將並 、， 7肝具與—溶劑及其他添加劑混合 以製備一樹脂組合物、隨德开；{忐 丨逍设t成一溽膜形層之慣常方法來 形成。特定而言，例如’晶圓黏合層22可藉由下述方法來 形成：-將該樹脂組合物塗佈於形成於切晶帶3之壓敏黏 合劑層32上之雷射標記層21上之方法；-將該樹脂組合物 塗佈於-適當隔離物(例如，一釋放紙)上以形成一樹脂層 (或黏合劑層）、隨後轉移(黏合或嵌入)至雷射標記層。上 之方法；或類似方法。 晶圓黏合層22之厚度不受特別限制，而是其可(例如)在 自i μη^至50 μΐΏ(較佳自3 μ〇^3〇 μηι ’且更佳自$ μΓη)之範圍内選擇且尤其較佳自7叫至15叫。當晶圓黏合 層22之厚度過小時，存在一在雷射標記時曝露該晶圓之可 能性，而當其過大時’存在一在熱固化之後該晶圓翹曲之 可能性。晶圓黏合層22可呈一單層或一多層之任一形式。 (雷射標記層） 雷射標記層21係一展現極佳雷射標記性質之層且係一用 來在該半導體晶片之背面上執行雷射標記之層。亦即，雷 射標記層21係一具有較佳雷射加工性之層。對於雷射標纪 層21之雷射加工性’較佳地’當在一其中一強度為丨〇 w 之條件下用一 YV04(釩酸釔）雷射[波長：532 nm ; 一由 M8667.doc -22- 201107443 y e A司製造之雷射發射設備（商品名：MD_S9900)]來 輻射雷射標記層21時’ _加工深度(深度)為2 μιη或以上。 肩加工冰度之上限不《特別限制而是可與雷射標記層21之 厚度為同一值。特定而言，雷射標記層。之雷射加工深度 可（例如）在自2 μιη至25 μηι之範圍内選擇，且其為較佳3 或以上（例如，自\ 目^ μιη至20 μπι)，且更佳5 μιη或以上（例 士自5 μιη至1 5 Pm)。當作為雷射標記層21之雷射加工性 之私軚之加工深度〔波長：532 ; —由Keyence公司製造 之雷射發射設備（商品名：MD_S99〇〇)]在一其中一強度為 1.0 W之條件下小於2 _時，彳存在無法利用生成物作為 雷射標記層21之情形。當雷射標記層21之雷射加工深度與 雷射標記層21之厚度為同一值時，可存在雷射抵達在用雷 射輻射之後與雷射標記層21層壓之晶圓黏合層22，藉此亦 加工晶圓黏合層22之情形。此外，當在用雷射輻射之後加 工雷射標記層21時，該加工方法之實例包括一其中藉由雷 射來燃燒有機組分及類似物，藉此改變組合物之加工方 法。 作為雷射標記層2 1之雷射加工性之一指標之加工深度係 一藉由下述方式確定之值：在一其中一強度為丨〇 w之條 件下用雷射[波長.532 nm ;—由Keyence公司製造之雷射 發射没備（商品名：MD-S9900)]來輻射雷射標記層21 (其可 係一與晶圓黏合層22之壓層）並量測一藉由此雷射輻射所 加工之加工深度。 於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中，雷射標記 148667.doc •23- 201107443 層21附著至切晶帶3之壓敏黏合劑層32，但在該切晶步驟 之後拾取之半導體晶片中，雷射標記層21變為該半導體晶 片之背面側上之最外層。 雷射標記層21可由一樹脂組合物形成。作為用於形成雷 射標記層21之樹脂組合物（在下文中有時稱作「雷射標記 層樹脂組合物」）’可合適地使用一含有一熱塑性樹脂組 分及作為一可選组分之一熱固性樹脂組分之樹脂組合物。 於該雷射標記層樹脂組合物中，闡述（或例示）於下述章節 (熱塑性樹脂組分）等等中之熱塑性樹脂可用作該熱塑性樹 脂組分，而闡述（或例示）於下述章節（熱固性樹脂組分）等 等中之熱固性樹脂可用作該熱固性樹脂組分。 於本發明中，如上所述，一丙烯酸系樹脂適合作為雷射 標記層樹脂組合物中之該熱塑性樹脂組分。另一方面，一 %氧樹月曰及一酚系樹脂適合作為雷射標記樹脂組合物中之 忒熱固性樹脂組分。因此，含有環氧樹脂、酚系樹脂及丙 烯酸系樹脂之樹脂組合物適合作為雷射標記層樹脂組合 物。由於此等樹脂組分具有低離子雜質及高耐熱性，因此 可確保半導體元件之可靠性。 於該雷射標記層樹脂組合物中，從雷射標記性質之觀點 來看，泫熱塑性樹脂組分之比率相對於該樹脂組分之總量 較佳為30重量％或以上（例如，3()重量％或以上且不超過 100重量％) 〇於該雷射標記層樹脂組合物中，當該熱塑性 樹脂組分之比率過A時，降低耐熱性能。@此，從耐熱性 之觀點來看’作為熱塑性樹脂組分相對於該雷射標記層樹 148667.doc •24- 201107443 脂組合物中之該等樹脂組分之總量之比率之一上限值，較 佳不超過90重量％，更佳不超過8〇重量％ ,且進一步更佳 不超過60重量％(尤其較佳不超過5〇重量因此，該雷 射標記層樹脂組合物中之該熱塑性樹脂組分之比率可（例 如）在30重量％或以上且不超過9〇重量％(較佳3〇重量％或以 上且不超過80重量％，更佳3〇重量％或以上且不超過6〇重 量％，且尤其較佳30重量％或以上且不超過5〇重量％)之範 圍内選擇。 該雷射標記層樹脂組合物中之該熱固性樹脂組分之比率 係藉由自100重量％(其之一值係該等樹脂組分之總量之比 率）減去該熱塑性樹脂組分之比率所獲得之剩餘比率。在 該熱塑性樹脂組分之比率相對於該等樹脂組分之總量為 100重量％之情形下，該雷射標記層樹脂組合物係僅含有 熱塑性樹脂組分（不含有熱固性樹脂組分）作為樹脂组分之 樹脂組合物（熱塑性樹脂組合物）。 若期望，則该雷射標記層樹脂組合物可除交聯劑及著色 劑以外還含有作為除該等樹脂組分以外的組分之添加劑， 例如填充劑、阻燃劑、矽烷偶聯劑、離子陷獲劑、增量 劑、抗老化劑、抗氧化劑及表面活性劑。舉例而言，闡述 (或例示）於下述章節（交聯劑）等等中之交聯劑可用作該交 聯劑。舉例而言，闡述（或例示）於下述章節（著色劑）等等 中之著色劑可用該作該著色劑。 雷射標記層21可藉由利用一其中將一熱固性樹脂組分 (例如一裱氧樹脂）與一熱塑性樹脂組分（例如丙烯酸系樹 148667.doc •25- 201107443 脂）混合並視需要進—步將其與一溶劑及其他添加劑屍人 以製備-&後形成於薄膜形層中之樹脂組合物之慣用^、 來形成。特定而言，例％ ’雷射標記層21可藉由下述方： 來形成一將該樹脂組合物塗佈於切晶帶3之壓敏黏合劑 層32上之方法；一將該樹脂組合物塗佈於一適當隔離物 (例如，一釋放紙）上以形一成隨後轉移（黏合或嵌入）至切 晶帶3之壓敏黏合劑層32或晶圓黏合層22上之樹脂層（或一 黏合劑層）之方法；或類似方法。 雷射標記層21之厚度不受特別限制，而是其可（例如）在 自1 μιη至50 μιη(較佳自3卜爪至3〇 μιη，且更佳自5叫^至2〇 μπ〇之範圍内選擇且尤其較佳自7 4〇1至15 μηι。當雷射標記 層21之厚度太小時，存在一在雷射標記時曝露該半導體晶 圓之可能性，而當其過大時，存在一在熱固化之後，該半 導體晶圓翹曲之可能性。雷射標記層21可呈一單層或一多 層之任一形式。 (熱塑性樹脂組分） 於該晶圓黏合層樹脂組合物或該雷射標記層樹脂組合物 中’該熱塑性樹脂組分之實例包括天然橡膠、丁基橡膠、 異戊二烯橡膠、氣丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚 物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二 烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹 脂（例如6-耐綸（6-nylon)及6,6-耐綸）、苯氧基樹脂、丙烯酸 系樹脂，飽和聚酯樹脂（例如PET及PBT)、聚醯胺-醯亞胺 樹脂及氟碳樹脂。該熱塑性樹脂組分可單獨地或以其之兩 148667.doc •26· 201107443 個或更多個種類之組合形式使用。在此等熱塑性樹脂組分 之中，含有少量離子雜質之丙烯酸系樹脂（其具有高耐熱 性且能夠確保半導體元件之可靠性）係尤其較佳的。 該等丙烯酸系樹脂不受特別限制，且其實例包括含有一 種或兩種或更多種丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯作為組分 之聚合物，其中烷基係具有30個或更少個碳原子（尤其4至 18個碳原子）之直鏈或具支鏈烷基。烷基之實例包括甲 基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、 戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基已基 '辛基、異辛 基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基 (月桂基）、十二烷基、十四烷基、硬脂基及十八烷基。 此外，用於形成該等丙烯酸系樹脂之其他單體組分（除 其中烷基係具有30個或以下碳原子烷基之丙烯酸或曱基丙 烯酸烷基酯以外的單體組分）不受特別限制，且其實例包 括：含羧基之單體’例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸叛 乙基醋、丙烯酸羧戊基酯、衣康酸（itac〇nic acid)、馬來 酸、富馬酸及巴豆酸；酸酐單體，例如馬來酸酐及衣康酸 酐；含羥基之單體，例如（甲基）丙烯酸2_羥乙基（曱基）丙 烯酯、（曱基）丙烯酸2-羥丙基酯、（甲基）丙烯酸4_羥丁基 酯、（曱基）丙烯酸6-羥己基酯、（甲基）丙烯酸8_羥辛基酯、 (曱基）丙烯酸10-羥癸基酯、（曱基）丙烯酸12_羥基月桂基酯 及丙烯酸（4-羥曱基環己基）曱g旨；含磺酸之單體，例如苯 乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基）丙烯醯胺基_2_曱基丙磺 酸、（甲基）丙烯醯胺基丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺基丙基酯 148667.doc -27· 201107443 及（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸；及含磷酸基團之單體，例如 2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。 (熱固性樹脂組分） 於該晶圓黏合層樹脂組合物或該雷射標記層樹脂組合物 中’該熱固性樹脂組分之實例除環氧樹脂及酚系樹脂以外 還包括胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、 聚石夕氧樹脂及熱固性聚醯亞胺樹脂。該熱固性樹脂組分可 單獨地或以其之兩個或更多個種類之組合形式使用。作為 熱固性樹脂組分，一含有少量侵蝕半導體元件之離子雜質 之環氧樹脂係合適的。此外，該酚系樹脂可合適地用作該 環氧樹脂之固化劑。 戎％氧樹脂不受特別限制且，例如可使用雙官能環氧掏 月曰或多官能環氧樹脂（例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環 氧樹鈿、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚a型環氧樹脂、氫化 制A型環氧樹脂、雙盼AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹 月曰、萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧 脂、鄰甲齡祕型環氧樹脂、三經苯基甲烧型環氧樹脂及 ==烧燒型環氧樹脂)，或環氧樹脂(例如乙内酿腺 !衣氧樹月日、二缩水甘油其里备 '、氰尿酸酯型環氧樹脂或縮水 甘油基胺型環氧樹脂）。 ^ ^ 邛马環氧樹脂
T 双哥银氧树脂之 型環氧樹脂、㈣環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、一 :基：烧型環氧樹脂及四經苯基乙燒 : 的。此乃因此等環氧樹脂具有與—紛系樹脂（例二 148667.doc 201107443 劑）具有高反應性且在耐熱性等方面係優異的。 此外，上述酚系樹脂充當該環氧樹脂之固化劑，且其之 實例包括：酚醛型酚系樹脂，例如苯酚酚醛樹脂、苯紛芳 烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、第三丁基苯酚酚醛樹脂及壬基 苯酚酚醛樹脂；甲階型酚系樹脂；及聚羥基苯乙稀 (polyoxystyrene)，例如聚-對-羥基苯乙烯。該酚系樹脂可 單獨地或以兩個或更多個攀類之組合形式採用。在此等齡 系樹脂之中，苯酚酚醛樹脂及苯酚芳烷基樹脂係特別較佳 的。此乃因可改良半導體裝置之連接可靠性。 該環氧樹脂對該酚系樹脂之混合比較佳使得（例如）該紛 系樹脂中之羥基變成0.5至2.〇當量/當量該環氧樹脂組分中 之環氧基。其更佳為0.8至1.2當量。亦即，當該混合比變 為超出該範圍-固化反應不充分地進行，且環氧樹脂 經固化產品之特性趨於劣化。 -用於該等環氧樹脂及該等酚系樹脂之熱固化加速觸媒 不受特別限制且可從已知熱固化加速觸媒中合適地選擇並 使用。該熱固化加速觸媒可單獨地或以兩個或更多個種類 之組合形式採用。作為熱固化加速觸媒，例如，可使用胺 基固化加速觸媒、磷基固化加速觸媒、味唾基固化加速觸 媒、硼基固化加速觸媒或磷_硼基固化加速觸媒。 (交聯劑） 於該晶圓黏合層樹脂組合物或該雷射標記層樹脂組合物 中’可添加上述交聯劑。藉由使用該交聯劑，可設法增強 高溫下之黏合特性（緊密黏合特性）並改良耐熱性。於一實 148667.doc -29- 201107443 施例中’ A 了藉由制邊交聯劑來交聯該等樹脂組分之目 的，於该等樹脂組分之-聚合物中，將一能夠與該交聯劑 反應之官能基引入至一分子鏈末端或諸如此類中。 。亥交聯劑不觉特別限制且可任意選擇已知交聯劑。特定 而言，作為交聯劑，不僅可提及異氮酸醋基交聯劑、環氧 基父聯劑、二聚氰胺基交聯劑、及過氧化物基交聯劑，而 且可提及尿素基交聯劑、金屬醇鹽基交聯劑、金屬螯合物 基交聯劑、金屬鹽基交聯劑、碳二亞胺基交聯劑、噁唑啉 基交聯劑、氮丙啶基交聯劑、胺基交聯劑、及諸如此類。 作為交聯劑，一異氰酸酯基交聯劑或一環氧基交聯劑係合 適的。交聯劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式 採用。 異氰酸酯基交聯劑之實例包括低碳數脂肪族多異氰酸 酯，例如1，2-伸乙基二異氰酸酯、丨，4_伸丁基二異氰酸 酯、及1,6-六亞甲基二異氰酸酯；脂環族多異氰酸酯，例 如伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮 (isophorone)二異氰酸酯、氫化伸曱苯基二異氰酸酯及氫 化伸二曱苯基二異氰酸酯：及芳香族多異氰酸酯，例如 2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、4,4，-二苯基曱院二異氰酸酯、及伸二曱苯基二異氰酸酯。此 外’亦可使用三羥曱基丙烷/伸曱苯基二異氰酸酯三聚體 加 & 物[商品名「COLONATE L」，由 Nippon Polyurethane Industry公司製造]、三羥曱基丙烷/六亞曱基二異氰酸酯三 聚體加合物[商品名「COLONATE HL」，由Nippon 148667.doc -30- 201107443
Polyurethane Industry公司製造]、及諸如此類。此外，該 等環氧基交聯劑之實例包括N,N，N'，N'-四縮水甘油基間伸 二曱苯基二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3-雙（Ν,Ν-縮水甘油 基胺基曱基）環己烷、込6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇 二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油 醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山 梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、異戊四醇聚縮 水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨醇酐聚縮水甘油 醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、 鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三（2_羥乙基）異 氰尿酸酯、間苯二盼二縮水甘油ϋ、及雙酌·_ s ·二縮水甘 油醚，亦及分子中具有兩個或更多個環氧基團之環氧基樹 脂。 該交聯劑之量不受特別限制且可根據該交聯之程度適當 地選擇。特定而言，較佳地該交聯劑之量基於丨〇〇重量份 數樹脂組分（聚合物組分）（特定而言，一在分子鏈端處具有 官能基之聚合物）為（例如）0.05至7重量份數。當該交聯劑 之量基於100重量份數該等樹脂組分超過7重量份數時，降 低黏合力，而當其不到〇.〇5重量份數時，降低内聚力。 於本發明中，代替用交聯劑或連同使用交聯劑，亦可藉 由用電子束或备、外光轉射來執行交聯處理。 (著色劑） 於本發明中，戎半導體背面之薄膜較佳係有色的。特定 而5，杈佳地，晶圓黏合層22及雷射標記層2 1中之至少一 148667.doc •31· 201107443 者係有色的；首先，較佳地，至少雷射標記層21係有色 的，且更特疋而a，較佳地，晶圆黏合層22及雷射標記層 21兩者皆係有色的。如上述，在該半導體背面之薄膜係有 色的（半導體背面之薄膜係非無色亦非透明）之情形下藉 由著色顯示之色彩不受特別限制，但（例如）較佳為深色 的，例如黑色、藍色或紅色，且黑色尤其較佳。 於本發明中，深色基本上係指一具有6〇或更小（自〇至 60) ’較佳50或更小（自〇至50)，且更佳4〇或更小（自〇至4〇) 之界定於L*a*b*色空間中之l*之深色。 此外，黑色基本上係指一具有35或更小（自〇至35)，較 佳30或更小（自0至30)，且更佳25或更小（自〇至25)之界定 於L*a*b*色空間中之L*之基於黑色的色彩。就此而言於 黑色中，界定於L*a*b*色空間中之a*及b>|!中之每一者皆可 根據L*之值合適地選擇。舉例而言，a*及b*兩者皆處於較 佳自-10至1〇’更佳自-5至5，且尤其較佳_3至3(特定而言〇 或約0)之範圍内。 於本發明中，界定於L*a*b*色空間中之L*、一及b*可藉 由一藉助一色差儀（由美能達公司製造之商品名「cR_ 200」，色差儀）之量測來確定。色空間係一於Η% 年由國際照明協會（CIE)所推薦之色空間，且係指一稱作 CIE1976(L*a*b*)色空間之色空間。此外，L*a*b*色空間 界定於JISZ8729中之日本工業根準中。 在根據-目標色彩對晶圓點合層22或雷射標記層21著色 時’可使用-染色劑(著色劑）。作為此一染色劑，可合適 148667.doc •32· 201107443 地：用各種冰色染色劑，例如黑色染色劑、藍色染色劑及 =染色劑且黑色染色劑係尤其合適的。染色劑可係顏料 中之任何-者。_色劑可單獨地或以兩個或更多個 種類之組合形式採用。就此而言，作為染料，可使用任何 形式之染料’例如酸性染料、反應性染料、直接染料、分 散染料及陽離子染料。此外’亦就顏料而言，其形式不受 特別限制且可從已知顏料之中合適地選擇並使用。 黑色染色劑不受特別限制且可（例如）從無機黑色顏料及 黑色染料中合適地選擇。此外 '黑色染色劑可係一其中將 青色染色劑（藍綠色染色劑）、冑色染色劑（紫紅色染色劑） 與黃色染色劑（黃色染色劑）混合之染色劑昆合物。黑色染 色劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。當 然，黑色染色劑可與-具有一不同於黑色之色彩之染色劑 結合使用》 黑色染色劑之具體實例包括碳黑（例如爐法碳黑、槽法 碳黑、乙炔碳黑、熱裂法碳黑或燈黑）、石墨 '氧化銅、 一氧化錳、偶氮型顏料（例如，曱亞胺偶氮黑）、苯胺黑、 茈黑、鈦黑、青黑、活性碳、鐵氧體（例如非磁性鐵氧體 或磁性鐵氧體）、磁石、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻 錯合物、複合氧化物型黑色顏料及蒽酿型有機黑色顏料。 在使用其中將青色染色劑、品紅色染色劑與黃色染色劑 混合作為黑色染色劑之染色劑混合物之情形下，青色染色 劑之實例包括青色染料，例如C.I.溶劑藍25、36、60、 70、93、95 ; C.I.酸性藍6及μ ;青色顏料，例如c〗顏料 148667.doc -33- 201107443 藍 1 ' 2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、 16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66 ; C.I. 還原藍4、60 ;及ci.顏料綠7。 此外’在品紅色染色劑之中，品紅色染料之實例包括 C.I.溶劑紅 1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、 63、81、82、83、84、1〇〇、109、ηι、121、122 ; c.I.分 散紅 9 ’ C.I.溶劑紫 8、13、14、21、27 ; C.I.分散紫 1 ; CI. 鹼性紅1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、 24、 27 ' 29、32 、34 、35、 36、 37、： 38、39 、40 ; CI.鹼 性紫 1 ' 3 、7、10 、14 、15、 21、 25 、 26 、 27及28 ° 在 .品紅 色染色劑之 中，品 紅色 顏料 之實例包括CI.顏料 紅1 、2、 3、4、5、6 、7、8 、9、 10、 11、12 、13、 14、 15、 16、 17 > 18 、19 、21、 22 ' 23、 30、31 、32、 37、 38 ' 39、 40、41 、42 、 48:1 、 48:2 、 48:3、 48:4、 49 ' 49:1 、50 、51、 52、 52:2、 53:1 、54 、55、 56、57:1、 58、 60 > 60:1、 63、 63:1、 63:2 '64 ' 64:1 、67、 68、 81、 83 ' 87、88 、89 ' 90、 92、 101 、104、 105、 106、 108 、112 、114、 122 、123 ' 139 、144 '146、 147、 149、 150 ' 151 、163 ' 166 ' 168' 170 、171 、172 ' 175、 176、 177 、178 、179、 184 、185 ' 187 、190 、193、 202、 206、 207 、209 、219、 222 、224、 238 、245 ;CI.顏 料紫3 、9、 19、 23、 31、32 '33 、36、 38、 43、 50 ； C1 [.鹼性 紅1、 2、 10 、 13 、 15 、 23、 29及35 °此外， 黃色染 色劑之實例 包括黃色 ,染料， 例如 'CI.溶 劑黃 19、 44 ' 77 、79、 81、 148667.doc »34- 201107443 82、93、98、103、104、112及 162 ;黃色顏料，例如ci· 顏料橙 31、43 ; CI.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、 11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、 42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、 97、98、100、1〇1、1〇4、1〇8、1〇9、110、113、114、 116 、 117，120 、 128 、 129 、 133 、 138 、 139 、 147 、 150 、 151 、 153 、 154 、 155 、 156 、 167 、 172 、 173 、 180 、 185 、 19 5，C · I ·驗性黃 1、3 及 2 0。 各種染色劑（例如青色染色劑、品紅色染色劑及黃色染 色劑）可分別單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採 用。就此而言’在使用各種染色劑（例如青色染色劑、品 紅色染色劑及黃色染色劑）中之兩個或更多個種類時，此 等染色劑之混合比（或摻合比）不受特別限制且可根據每一 染色劑之種類、目標色彩等合適地選擇。 附帶而言，在黑色染色劑係藉由將青色染色劑、品紅色 染色劑與黃色染色劑混合所形成之染色劑混合物之情形 下，此等染色劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形 式使用。混合油墨組合物中之青色染色劑、品紅色染色劑 與黃色染色劑之混合比（或摻合比）不受特別限制只要可展 現基於黑色之色彩(例如，一具有處於上述範圍内之界定 於L*a*b*色空間中之[ a*及b*之基於黑色之色彩），且 可根據每-染色劑之類型等合適地選擇。混合油墨組合物 中之月色染&齊！、品红色染色劑及黃色染色劑之含量可 (例如)在-對於染色劑之總量之青色染色劑/品紅色染色齊” 148667.doc -35- 201107443 黃色染色劑=ιο重量％至50重量％/1〇重量％至5〇重量％/1〇 重罝°/❶至50重量。/〇(較佳2〇重量％至4〇重量％/2〇重量％至4〇 重量％/20重量％至40重量％)之範圍内合適地選擇。 作為黑色染色劑，可利用黑色染料，例如CI.溶劑黑3、 7、22、27、29、34、43、70、C.I.直接黑 17、19、22、 32、38、51、71、C.I·酸性黑 1、2、24、26、31、48、 52、107、109、110、119、154、j 分散黑 i、3 ' 1〇、 24 ;黑色顏料’例如c.j.顏料黑丨、7 ;及諸如此類。 作為此等黑色染色劑，例如，商品名「Oil Biack BY」、商品名「〇ii Black BS」、商品名「0il Black HBB」、商品名「on Black 803」、商品名「〇ii Biack 860」、商品名「0il Black 597〇」、商品名「〇il Black 5906」、商品名「〇n Black 59〇5」（由 〇rient chemical Industries公司製造）及類似染色劑可在市場上買到。 (其他添加劑） 於本發明中，如先前所述，於該晶圓黏合層樹脂組合物 或該雷射標記層樹脂組合物中’可使用除填充劑、阻燃 劑、矽烷偶聯劑及離子陷獲劑以外的添加劑，例如增量 劑、抗老化劑、抗氧化劑及表面活性劑。 該填充劑可係無機填充劑及有機填充劑中之任何—者但 無機填充劑係合適的。藉由摻合填充劑（例如無機填充 劑）’可達成對半導體背面之薄膜之導電性之賦予、對半 導體背面之薄膜之導熱性之改良、對半導體背面之薄膜之 彈性模數之控制等等。就此而言’該半導體背面之薄膜可 148667.doc -36- 201107443 係導電的或不導電的。無機填充劑之實例包括由二氧化 矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、陶 瓷（例如矽碳化物及矽氮化物）、金屬或合金（例如鋁、銅、 銀、金、鎳、絡、錯、錫 '鋅、纪及焊料）、碳等構成之 各種無機粉末。填充劑可單獨地或以兩個或更多個種類之 組合形式採用。特定而言，填充劑合適地為二氡化石夕且尤 其合適地為熔融二氧化矽。無機填充劑之平均粒子直徑較 佳在0_1 μιη至80 μιη之範圍内。無機填充劑之平均粒子直 徑可藉由一雷射衍射型粒子大小分佈量測設備來量測。 填充劑（特定而言，無機填充劑）之摻合量較佳不超過基 於"亥等树月曰組分之1 00重量份之80重量份（例如，自〇重量 伤至80重里份）’且尤其較佳自〇重量份至重量份。 阻燃劑之實例包括三氧化銻、五氧化二銻及溴化環氧樹 脂。阻燃劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採 用。矽烷偶聯劑之實例包括β-(3,4-環氧環己基）乙基三甲 氧基矽烷、γ·縮水甘油醚氧基丙基甲基三甲氧基矽烷及丫· 縮水甘油_氧基丙基曱基二乙氧基石夕烧。石夕烧偶聯劑可單 獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。離子陷獲劑 之實例包括水滑石及氫氧化鉍。離子陷獲劑可單獨地或以 兩個或更多個種類之組合形式採用。 切晶帶 切晶帶3係由基礎材料31及形成於基礎材料31上之壓敏 黏合劑層32構成。因此’切晶帶3足夠具有一層壓基礎材 料31與壓敏黏合劑層32之構造。基礎材料31(支撐基礎材 148667.doc •37· 201107443 料）可用作壓敏黏合劑層32及諸如此類之_支樓材_ ^ 為基礎材料3 1 ’例如’可使用（例如）合適薄材料，例士系 基基礎材料’例如紙；纖維基基礎材料，例如織物、無纺 纖維、毛氈、及網狀物；金屬基基礎材料，例如金屬箔及 金屬板；塑膠基礎材料，例如塑膠薄膜及薄片；橡膠美某 礎材料’例如橡膠薄片；發泡體，例如發泡薄片；及其^ 層[特定而言，塑膠基材料與其他基礎材料之壓層、塑膠 薄膜（或薄片）相互之壓層、等等]。於本發明中，作為基礎 ㈣’可合適地採用塑膠基礎材料，例如塑膠薄膜及=膠 薄片。該等塑膠材料之原材料之實例包括稀煙樹脂，例如 聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、及乙烯_丙烯共聚物；使用乙烯 作為單體組分之共聚物，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物 (EVA)、離聚物樹脂、乙稀_(甲基）丙烯酸共聚物、及乙烯_ (曱基）丙稀酸醋（無規、交替）共聚4勿；聚酉旨，例如聚對苯 —甲魷乙一酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(pEN)、及聚對苯 —甲酸丁KPBT);丙稀酸系樹脂；聚氣乙烯（PVC);聚 胺基甲8九Sa，聚碳酸酯；聚苯硫醚（pps);醯胺基樹脂， 例如聚醯胺（耐綸）及全芳香族聚醯胺（芳香族聚醯胺 (a_ide));聚㈣酮（pEEK);聚醯亞胺；聚醚醢亞胺，· ^ -氣亞乙稀，ABS(丙稀腈·丁二烯-苯乙烤共聚物）；纖 食素基树月曰，聚石夕氧樹脂；及氣化樹脂。此外，作為基礎 材料之材料，亦可使用一聚合物，例如上述樹脂中之每一 交聯體。此等原材料可單獨地或以兩個或更多個種 類之組合形式採用。 I48667.doc -38- 201107443 在使用塑膠基礎材料31作為基礎材料之情形下可藉由 拉伸處理或類似處理來控制變形性質，例如伸長度。 基礎材料31之厚度不受特別限制且可根據強度、撓性、 既定使用目的及諸如此類適當地選擇。舉例而言，厚度通 常為1000 μηι或以下（例如i μιη至1〇〇〇 μιη)、較佳i 至 500 μπι、更佳3 _至3〇〇 μηι、且尤佳約5 _至25〇叫， 但並不限於此。就此而言，基礎材料31可具有一單層形式 或一層壓層形式中之任一形式。 可對基礎材料3 1之表面應用常用表面處理（例如，化學 或物理處理，例如鉻酸鹽處理、暴露於臭氧、暴露於火 焰、暴露於高壓電擊、及離子化輻射處理、及使用底塗劑 之塗佈處理）以改良與相鄰層之緊密黏合性、固持性等。 附帶而言，基礎材料31可含有處於其中不損害本發明之 優點及諸如此類之範圍内之各種添加劑（著色劑、填充 劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、纟面活性劑、阻燃劑 等）。 ’、 壓敏黏合劑層32係由一壓敏黏合劑形成且具有壓敏黏合 性。此壓敏黏合劑不受特別限制且可從已知壓敏黏合劑之 中合適地選擇。特定而言，作為壓敏黏合劑，可從以下已 知壓敏黏合劑之中合適地選擇並使用具有上述特徵之壓敏 黏合劑：例如丙烯酸壓敏黏合劑、橡膠基壓敏黏合劑、乙 稀基烧基喊基磨敏黏合劑、聚石夕氧基廢敏黏合劑、聚醋基 壓敏黏合劑、聚醯胺基麼敏黏合劑、胺基甲酸醋基壓敏黏 合劑、氟基壓敏黏合劑、苯乙婦-二烯嵌段共聚物基壓敏 148667.doc -39- 201107443 黏合劑 '及其中將熔點為約2〇〇它或更低之熱可熔化樹脂 混合至此等壓敏黏合劑中之蠕變特性改良壓敏黏合劑（參 見’例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、 17981、JP-A-56-13040等，其中每一者皆以引用方式併入 本文中）。此外’作為壓敏黏合劑’亦可使用輻射可固化 壓敏黏合劑（或能量射線可固化壓敏黏合劑）或熱可膨脹壓 敏黏合劑。壓敏黏合劑可單獨地或以兩個或更多個種類之 組合形式採用。 於本發明中，作為壓敏黏合劑，可合適地使用丙烯酸壓 敏黏合劑及橡膠基壓敏黏合劑，且特寫而言，丙烯酸壓敏 黏合劑係合適的。作為丙烯酸壓敏黏合劑，可提及其中使 用一種或多種（甲基）丙烯酸烷基酯甲基）丙烯酸烷基酯）作 為單體組分之丙烯酸聚合物（均聚物或共聚物）用作基礎聚 合物之丙浠酸壓敏黏合劑。 上述丙烯酸系壓敏黏合劑中之（甲基）丙烯酸烷基酯之實 例包括（曱基）丙烯酸炫基酯，例如（曱基）丙烯酸甲酯、（甲 基）丙烯酸乙酯、（曱基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸異丙 酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯 酸第二丁基酯、（甲基）丙烯酸第三丁基酯、（甲基）丙烯酸 戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（曱基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯 酸辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己基酯、（甲基）丙烯酸異辛 基酯、（甲基）丙烯酸壬基酯、（甲基）丙烯酸異壬基酯、（甲 基）丙烯酸癸基酯、（甲基）丙烯酸異癸基酯、（曱基）丙烯酸 十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十 148667.doc •40- 201107443 三烷基酯、（曱基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五 烷基酯、（甲基）丙烯酸十六烷基酯、（甲基）丙烯酸十七烷 基醋、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（曱基）丙烯酸十九烷基 酿及（曱基）丙烯酸二十烷基酯。作為（曱基）丙烯酸烷基 醋’具有4至18個碳原子之（甲基）丙烯酸烷基酯係合適的。 附帶而言，（曱基）丙烯酸烷基酯之烷基可為直鏈或具支鏈 炫基。 為了改良内聚力、耐熱性、交聯能力、及諸如此類之目 的’上述丙烯酸聚合物可含有對應於可與上述（曱基）丙烯 酸烧基酯聚合之其他單體組分（可共聚單體組分）之單元。 該等可共聚單體組分之實例包括含羧基單體，例如（曱基） 丙烯酸（丙烯酸或曱基丙烯酸）、丙烯酸羧乙基酯、丙稀酸 幾·戊基目旨、衣康酸、馬來酸、富馬酸、及巴豆酸；含酸酐 基團單體，例如馬來酸酐及衣康酸酐；含羥基單體，例如 (甲基）丙烯酸羥乙基酯、（曱基）丙烯酸羥丙基酯、（甲基）丙 稀酸經丁基酯、（曱基）丙烯酸經己基酯、（曱基）丙稀酸經 辛基醋、（甲基）丙烯酸羥癸基酯、（曱基）丙稀酸羥基月桂 基醋、及曱基丙烯酸（4-羥曱基環己基）曱酯；含磺酸基團 之單體’例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基）丙稀醯 胺-2-曱基丙烷磺酸、（甲基）丙烯醯胺丙烷磺酸、（甲基）丙 烯酸續基丙基酯、及（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸；含磷酸基 團之單體，例如2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯；（N-經取代）醯 胺基單體’例如（曱基）丙稀醢胺、N，N-二甲基（甲基）丙稀 酿胺、N-丁基（曱基）丙烯醯胺、N_羥曱基（甲基）丙稀醯 148667.doc •41 - 201107443 胺、及N-羥曱基丙烷（甲基）丙烯醯胺；（曱基）丙烯酸胺基 烷基酯基單體，例如（甲基）丙烯酸胺基乙基酯、（甲基）丙 烯酸N，N-二曱基胺基乙基酯、及（甲基）丙烯酸.第三丁基胺 基乙基酯；（曱基）丙烯酸烷氧基烷基酯基單體，例如（曱 基）丙烯酸甲氧基乙基酯及（曱基）丙烯酸乙氧基乙基酯；氰 基丙烯酸酯單體，例如丙烯腈及甲基丙烯腈；含環氧基團 之丙烯酸單體，例如（甲基）丙烯酸縮水甘油基酯；苯乙烯 基單體’例如苯乙烯及α-甲基苯乙烯；乙烯酯基單體，例 如乙酸乙烯酯及丙酸乙烯酯；烯烴基單體，例如異戊二 稀、丁 一稀、及異丁稀，乙婦喊基單體，例如乙稀喊；含 氮單體’例如Ν-乙烯基吡咯啶酮、曱基乙烯基吡咯啶酮、 乙烯基吡啶、乙烯基六氫η比啶酮、乙浠基嘧啶、乙稀基六 氫吡嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙稀基 噁唑、乙烯基嗎啉、Ν-乙烯基羧酸醯胺、及Ν-乙烯基己内 醯胺；馬來醯亞胺基單體，例如Ν-環己基馬來醯亞胺、Ν_ 異丙基馬來醯亞胺、Ν-月桂基馬來醯亞胺、及ν-苯基馬來 醯亞胺；衣康醯亞胺基單體’例如Ν-曱基衣康醯亞胺、Ν-乙基衣康醯亞胺、Ν-丁基衣康醯亞胺、Ν-辛基衣康醯亞 胺、Ν-2-乙基己基衣康醯亞胺、Ν-環己基衣康醯亞胺、及 Ν-月桂基衣康醯亞胺；琥珀醯亞胺基單體，例如Ν_(甲基） 丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、Ν-(曱基）丙稀醯基-6-氡基 六亞曱基破珀醢亞胺、及Ν-(甲基）丙烯醯基-8-氧基八亞甲 基號ίά酿亞胺，二醇基丙稀酸醋單體，例如聚乙二醇（甲 基）丙烯酸酯、聚丙二醇（曱基）丙烯酸酯、曱氧基乙二醇 148667.doc •42- 201107443 (甲基）丙烯酸酯、及曱氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯；具 有雜環、鹵素原子、石夕原子、或諸如此類之丙烯酸酯基單 體、例如（曱基）丙烯酸四氫呋喃酯、氟（甲基）丙烯酸酯、 及聚矽氧（甲基）丙烯酸酯；多官能團單體，例如己二醇二 (甲基）丙烯酸酯 '(聚）乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、（聚）丙二 醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（曱基）丙烯酸酯、異戍 四醇二（曱基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（曱基）丙烯酸 酉旨、異戊四醇三（曱基）丙浠酸酯、二異戊四醇六（曱基）丙 烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙婦 酉文s曰、一乙嫦本 '二（曱基）丙浠酸丁 g旨、及二（甲基）丙稀 酸己酯；及諸如此類。此等可共聚單體組分可單獨地或以 兩個或更多個種類之組合形式採用。 在使用可固化壓敏黏合劑（或能量射線可固化壓敏黏合 劑）作為壓敏黏合劑之情形下，輻射可固化壓敏黏合劑（組 合物）之實例包括其中在聚合物側鏈或主鏈中具有自由基 反應性碳-碳雙鍵之聚合物用作基礎聚合物之内部輻射可 固化壓敏黏合劑、其中uv可固化單體組分或募聚物組分 摻合至壓敏黏合劑中之輻射可固化壓敏黏合劑及類似輻射 可固化壓敏黏合劑。此外，在使用熱可膨脹壓敏黏合劑作 為壓敏黏合劑之情形下，作為熱可膨脹壓敏黏合劑，可提 及3有壓敏黏合劑及發泡劑（特定而言熱可膨脹微球體） 及諸如此類之熱可膨脹壓敏黏合劑。 於本發明中，壓敏黏合劑層可含有處於其中不損害本發 明之優點之範圍.内之各種添加劑(例如，增黏性樹脂、著 148667.doc •43· 201107443 色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增.塑劑、抗老化劑、抗 氧化劑、表面活性劑、交聯劑等）。 交聯劑不受特別限制且可使用已知交聯劑。特定而古， 作為乂聯齊1 τ僅可提及異氰gu旨基交聯劑、環氧基交聯 劑、三聚氰胺基交聯劑及過氧化物基交聯劑，而且可提及 尿素基交聯劑、金屬醇鹽基交聯劑、金屬螯合物基交聯 劑、金屬鹽基交聯劑、碳二亞胺基交聯劑n琳基交聯 劑、氮丙啶基交聯劑、胺基交聯劑及諸如此類，且異氰酸 酯基交聯劑及環氧基交聯劑係合適的。交聯劑可單獨地或 以兩個或更多個種類之組合形式採用。附帶而言，交聯劑 之量不受特別限制。 異氰酸醋基交聯劑之實例包括低碳數脂肪族多異氰酸 酯，例如1，2-伸乙基二異氰酸酯、丨，4_伸丁基二異氰酸 酯、及1，6-六亞甲基二異氰酸酯；脂環族多異氰酸酯，例 如伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮 二異氰酸酯、氫化伸甲苯基二異氰酸酯及氫化伸二曱苯基 一異氰酸δ旨，及芳香族多異氰酸g旨，例如2,4-伸曱苯基二 異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、4,4·-二苯基甲烷二 異氰酸S旨及伸二曱苯基二異氣酸酯。此外，亦可使用三經 曱基丙烷/伸曱苯基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 「COLONATE L」’由 Nippon Polyurethane Industry 公司 製造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物 [商品名「COLONATE HL」，由 Nippon Polyurethane Industry 公司製造]、及諸如此類。此外，環氧基交聯劑之實例包 148667.doc -44 - 201107443 括抑，心、四縮水甘油基間伸二甲苯基二胺、二縮水甘 油基苯胺、1，3-雙（N，N'缩水甘油基胺基甲基）環己燒、 己二醇二縮水甘油ϋ、新戊H水甘油⑽、乙二醇二 縮水甘油驗、丙二醇二縮水甘油趟、#乙二醇二縮水甘： 醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘 油聚縮水甘油喊、異戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油㈣水 甘油喊、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三經甲基㈣聚縮水甘 己二酸二縮水甘油酯 油鍵 鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、 三縮水甘油基-三(2-經乙基)異氰尿酸酿、間苯二紛二縮水 甘油I及雙H縮水甘油醚’亦及其分子中具有兩 個或更多個環氧基團之環氧基樹脂。 於本發明中，代替使用交聯劑或連同使用交聯劑，亦可 藉由用電子束或紫外線輻射來執行交聯處理。 Μ敏黏合劑層32可（例如）藉由利用一包括將壓敏黏合劑 與選用溶劑以及其他添加船I合並隨後使該混合物成形為 -片狀層之常用方法來形成。特定而言，壓敏黏合劑層32 可（例如）藉由下述方法來形成：一包括在一基礎材料上施 加-含有壓敏黏合劑及選用及其他添加劑之混合物 之方法、一包括在一適當隔離物（例如一釋放紙）上施加上 述混合物以形成一壓敏黏合劑層32並隨後在一基礎材料上 轉移（轉錄）該壓敏黏合劑層之方法、或類似方法。 壓敏黏合劑層32之厚度不受特別限制且（例如）為約$至 300 μπι，較佳5至80 μιη，且更佳15至5〇 μιη。當壓敏黏合 劑層32之厚度處於上述範圍内時，彳有效地展現一適當^ I48667.doc -45. 201107443 敏黏合力。壓敏黏合劑層32可係一單層或一多層。 把據本發明，可將用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 1製^成具有一抗靜電功能。由於此構造，可防止電路因在 黏α其時及在剝離其時產生靜電能或因靜電能對半導體晶 圓充電而引起斷裂。可藉由一適當方式（例如一添加抗: 電則或導電物質至基礎材料3丨、壓敏黏合劑層Κ及該半導 體背面之薄膜（晶圓黏合層22及雷射標記層21)中之方法或 -提供-由電荷轉移錯合物、金屬薄膜或諸如此類構成之 導電層至基礎材料31上之方法)來賦予抗靜電功能。作為 此等方法，較佳係一種難以產生擔心改變半導體晶圓之品 質之雜質離子之方法。基於賦予導電性'&良導熱性等目 的所摻合之導電物質(導電填充劑)之實例包括銀、鋁、 金、銅 '鎳、導電合金或類似物之球形、針形、薄片形金 屬粉末；金屬氧化物，例如氧化紹；無定形碳黑及石墨。 然而，從無漏電之觀點來看，該半導體背面之薄膜較佳係 不導電的。 ^ 此外，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜丨可以一如 輥般捲繞之形式形成或可以一層壓薄片（薄膜）之形式形 成。舉例而言，在該薄膜具有如輥般捲繞之形式形 下，將該薄膜捲繞成呈根據需要呈半導體背面之薄膜1受 一隔離物保護之狀態之輥，藉此可將該薄膜製成一呈如= 般捲繞之狀態或形式之用於半導體背面之切晶帶一體 膜1。就此而言，呈如輥般捲繞之之狀態或形式之用於半 導體背面之切晶帶一體型薄膜丨可由基礎材料31、形成於 I48667.doc •46· 201107443 基礎材料31之一個表面上之壓敏黏合劑層32、形成於壓敏 黏合劑層3 1上之半導體背面之薄膜2與一形成於基礎材料 3 1之另一個表面上之經可釋放處理層（經後表面處理層）所 構成。 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜丨之厚度（半導體背 面之薄膜2之厚度與由基礎材料3丨及壓敏黏合劑層32構成 之切晶帶3之厚度之總厚度）可（例如）在自11 μιη至300 μιη範 圍内選擇，且其較佳自u ^^至之⑽μιη，更佳自15 至 2〇〇 μΠ1，且進一步較佳自15 μιη至100 μιη(尤其較佳自2〇 μιη至 80 μηι) 〇 於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中，半導體背 面之薄膜2之厚度對切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之 比不文特別限制，而是其可（例如）根據{(半導體背面之薄 膜2之厚度）/(切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之比在 自15〇/5至3/100之範圍内合適地選擇。半導體背面之薄膜2 之厚度對切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之比較佳自 1〇〇/5至3/5〇 ’且更佳6〇/5至3/4〇。當半導體背面之薄膜2 之厚度對切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之比屬於上 述範圍時，可展現一適當壓敏黏合力，且可展現極佳切晶 性質及拾取性質。 於用於半導體者面之切晶帶一體塑薄膜1中，半導體背 :之薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比不受特別限制，而 疋其可（例如）根據{(半導體背面之薄膜2之厚度扒切晶帶3 之厚度）}之比在自150/50至3/500之範圍内合適地選擇。半 148667.doc -47· 201107443 導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比較 _一且更佳自_至3/150。藉由 3面二薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比調節至不超過 ⑼’可抑制拾取性質之降低m，藉由將半導 體为面之_膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比調節至⑽5〇 或以上’可抑制在切晶時側向殘留物之產生或其量之辦 加。 曰 如上述’於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜i中， 藉由調節半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3中之 =層以厚度之比或半導體背面之薄膜2之厚度對切晶 π之厚度之比’可增強切晶步驟時之切晶性質及拾取步 驟時之拾取性質。此外，可自工件（例如半導體晶圓）之切 晶步驟至半導體元件（例如半導體晶片）之覆晶連接步驟有 效地利用用於半導體背面之切晶帶—體型薄膜卜 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之製作方法 使用用於半導體背面之切晶帶—體型薄臈i作為實例來 閱述本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之製作 方法。首先’可藉由-通常已知成膜方法來形成基礎材料 31。成膜方法之實例包括-曰曆膜形成方法(calendar fUm-f〇rming meth〇d)、—在一有機溶劑中之洗鎮方法、一 在—緊密㈣系統中之膨服擠壓方法、一τ模具擠出方 法、一共擠出方法及一乾式層壓方法。 接下來，藉由施力σ —壓敏黏合劑組合物至基礎㈣η 上’並隨後進行乾燥（根據需要藉由在加熱下交聯）來形成 148667.doc -48- 201107443 壓敏黏合劑層32。施加方法之實例包括輥塗佈、絲網塗佈 及凹版塗佈。就此而言，既可直接至基礎材料3丨上執行壓 敏黏合劑組合物之施加以在基礎材料3丨上形成壓敏黏合劑 層32’亦可至一其表面已經受一經可釋放處理之釋放紙或 類似物上施加壓敏黏合劑組合物以形成一壓敏黏合劑層 32 ’該壓敏黏合劑組合物隨後被轉移至基礎材料3丨上以在 基礎材料3 1上形成壓敏黏合劑層32。因此，藉由在基礎材 料3 1上形成壓敏黏合劑層32來製備一切晶帶3。 另一方面，藉由下述方式來形成晶圓黏合層22:塗佈一 係一用於在一釋放紙上形成晶圓黏合層22以便在乾燥之後 具有一規定厚度之形成材料之樹脂組合物（晶圓黏合層樹 脂組合物）並在規定條件下進一步對其乾燥（在需要熱固化 之情形或類似情形下，執行一熱處理以達成乾燥，若期 望）。隨後，藉由下述方式來形成雷射標記層21 :塗佈一 係一用於在晶圓黏合層22上形成雷射標記層21以便在乾燥 之後具有一規定厚度之形成材料之樹脂組合物（雷射標記 層樹脂組合物）並在規定條件下進—步對其乾燥（在需要熱 固化之情形或類似情形下，執行-熱處理以達成乾燥，若 期望），從而製備具有雷射標記層21與晶圆黏合層22之層 壓結構之半導體背面之薄膜2。將半導體背面之薄膜2以一 其中田射& Z層2 1與壓敏黏合劑層32接觸之形式轉移至壓 敏黏合劑層3 2上，從而太厭 向在壓敏黏合劑層32上形成半導體背 面之薄膜2。就此而兮卡 ，亦可藉由下述在壓敏黏合劑層32 上形成半導體背面之镇睹〇. 疋厚膜2 .在壓敏黏合劑層32上塗佈雷 148667.doc -49. 201107443 射標記黏合劑層樹脂組合物以形成雷射標記層21並進一步 在雷射標記層21上塗佈晶圓黏合層樹脂組合物以形成晶圓 黏〇層22於此方法中，在需要熱固化雷射標記層21或晶 圓黏^層22之情形或類似情形下，較佳執行一熱處理以達 成乾燥’若期望。因此可獲得根據本發明之用於半導體背 面之切日曰帶體型薄膜i。在形成半導體背面之薄膜2時執 行熱固化之情形下，重要的是，執行熱固化㈣此處於_ 部分固化狀態下。然而，較佳不執行熱固化。 可在製作一半導體裝置（包括一覆晶結合步驟）時合適地 使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜卜亦即，在製 作-覆晶安裝式半導體裝置時使用用於半導體背面之切晶 帶-體型薄膜U因此呈一其中將半導體背面之薄膜2附著 至半導體晶片之背面之狀況或形式製作覆晶安裝式半導體 裝置。因此，根據本發明之用於半導體背面之切晶帶—體 型溥膜1可用於一覆晶安裝式半導體裝置（一呈一其中藉由 一覆晶結合方法將該半導體晶片固定至一例如一基板之黏 合體之狀態或形式之半導體裝置）。 f 半導體晶圓 半導體晶圓不受特別限制只要其係—已知或常用半導體 晶圓且可從由各種材料製成之半導體晶圓之中適當地選^ 並使用。於本發明中，作為半導體晶圓，可合適地使用石夕 晶圓。 半導體裝置之製作方法 用於製作本發明之半導體裝置之方法不受特別限制只要 148667.doc •50· 201107443 之切晶帶一體型薄膜 ’可提及一包括以下 其係一用於使用上述用於半導體背面 來製作半導體裝置之方法。舉例而言 步驟之製作方法及類似方法。 -將一工件(半導體晶圓)附著至該用於半導體背面之切 晶帶-體型薄膜之半導體背面之薄膜上(即，至該半導體 背面之薄膜之晶圓黏合層22上）之步驟（安裝步驟）； 一切晶該工件以形成一晶片 (切晶步驟）； 形工件（半導體晶片）之步驟 -將該晶片形卫件連同該半導體背面之薄膜剝離切晶帶 之壓敏黏合劑層之步驟（拾取步驟）；及 一藉由覆晶結合將該晶片形工件固定至一黏合體之步驟 (覆晶結合步驟）。 更特定而言，作為用於製作一半導體裝置之方法例 如，可按下述方式在剝去視需要提供於該半導體背面之薄 膜上（即，於該半導體背面之薄膜之晶圓黏合層Μ上）之隔 離物之後使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄 膜來製作一半導體裝置。在下文中，參照圖2A至2d，使 用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜丨作為實例來闡述 該方法^ 圖2A至2D係顯示用於使用本發明之用於半導體背面之 切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置之方法之一個實施 例之截面示意圖。於圖2A至2D中，4係一半導體晶圓（工 件），5係一半導體晶片（晶片形工件），51係一形成於半導 體晶片5之電路面處之凸塊，6係一點合體，61係一配合黏 148667.doc -51 · 201107443 合至黏合體ό之一連接墊之導電材料，且1、2、21、22、 3、3 1及3 2分別係一用於半導體背面之切晶帶一體型薄 膜、一半導體背面之薄膜、一雷射標記層、晶圓黏合層、 一切晶帶、一基礎材料及一壓敏黏合劑層，如上所述。 (安裝步驟） 首先，如圖2 Α中所示，將半導體晶圓4附著（尤其壓結 合）至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜丄中之半導體背 面之薄膜2之晶圓黏合層22上以藉由黏合（緊密黏合）及固持 來固疋4半導體晶圓（安裝步驟）。本步驟通常在用一壓製 構件（例如一壓製輥）壓製的同時執行。 (切晶步驟） 接下來，如圖2B中所示’切晶半導體晶圓4。因而，將 半導體晶圓4切成-規定大小並使其個體化（形成為小件）以 :作半導體晶片5。例如’自半導體晶圓4之電路面側根據 常方法來執仃該切晶，舉例而言。此外，本步驟可採 用(例如)-形成—抵達用於半導體背面之切晶帶一體型薄 膜1之狹長切口之稱作全切之切削方法。用於本步驟之切 :設備不受特別限制，且可使用一通常已知的設備。此 ^由於半導體晶圓4由用於半導體背面之切晶帶一體型 :膜1黏。（緊社'黏合）並固定，因此可抑制晶片裂紋及晶片 二：’：且亦可抑制半導體晶圆4之損壞。就此而言，當 且古？月面之缚臈2(雷射標記層21及晶圓黏合層22)係由— 防止IS::樹脂組合物形成時，在切削表面處抑制或 面之薄膜2之黏合劑擠出之產生，甚至當 148667.doc •52· 201107443 藉由切晶來切削其時。 切削表面本身且因此可 T抑制或防止重附著(遮住) 拾取。 —步更方便地執行下文欲提及之 在展開用於半導體势 下，可使用-通常已，《切晶帶一體型薄膜1之情形 備具有-能夠來執行展開。該展開設 外推進穿過一切晶環之心f面之切晶帶-體型薄膜向 直徑ϋ # β # π i长/卜％及一具有一小於該外環之 且仅且叉撐該用於半導北 環。由於該展開步驟，因此^ 晶帶―”薄膜之内 因此可防止毗鄰半導體晶片因在下 文欲提及之拾取步驟中彼此接觸而損壞。 (拾取步驟） • ®所示執行對半導體晶片5之拾取以將半導體晶片$ 連同半導體背面之薄膜2剝離切晶帶3以便收集黏合（緊密 t 〇)且固疋至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之半 V體阳片5。邊拾取方法不受特別限制，且可採用通常已 知的各種方法。舉例而言，可提及一包括用針將每一半導 體明片5自用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜丨之基礎材 料3 1側向上推進並用一拾取設備拾取經推進半導體晶片5 之方法。就此而言’所拾取半導體晶片5之背面（亦稱作非 電路面、非電極形成面等）由包括雷射標記層21及晶圓黏 合層22之半導體背面之薄膜2保護。 (覆晶結合步驟） 藉由一覆晶結合方法（覆晶安裝方法）將所拾取半導體晶 片5固定至一黏合體，例如一基礎材料。特定而言，根據 148667.doc •53· 201107443 -通常方式將半導體晶片5以__其中半導體晶片5之電路面 (亦稱作正面、電路圖案形成面、電極形成面等）與點合體6 對置之形式固定至黏合體6。舉例而t，使形成於半導體 晶月5之電路面處之凸塊51與附著至黏合體6之一連接墊之 一導電材料61(例如焊料）接觸並使其在壓製下熔化，藉此 可確保半導體晶片5與黏合體6之間的電連接且可將半^體 晶片5固定至黏合體6。就此而言，在將半導體晶片$固定 至黏合體6時’重要的是，預先洗料導體晶片5與黏合體 6之對置面及間隙並隨後將一囊封材料（例如一囊封樹脂鳩 充至該間隙中。 作為黏合體6’可使用各種基板，例如引線框架及電辟 板（例如佈線電路板）。基板之材料不受特別限制且可提及 陶曼基板及塑膠基板。塑膠基板之實例包括環氧基板、雙 馬來醯亞胺三嗪基板及聚醯亞胺基板。 :覆B曰結合中’凸塊及導電材料之材料不受特別限制且 其貫例包括焊料(合金)’例如錫_鉛基金屬材料、錫銀基 金屬材料 '錫-銀·銅基金屬材料、錫.鋅基金屬材料、及 錫-鋅A基金屬材料、以及金基金屬材料及銅_基金屬材 附帶而言，於本步驟中，炼化導電材料以連接半導體晶 片5之電路面處之凸塊與黏合體6之表面上之導電材料。在 熔化導電材料時之溫度通常為約26代（例如，至 300 C )可藉由用環氧樹脂或類似物形成半導體背面之薄 膜來將本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製成 J48667.doc -54 - 201107443 具有能夠承受覆晶結合步驟中之高溫之耐熱性。 .此外’欲在覆晶結合中用於洗務半導體晶片5與勒合體6 之間的對置面(電極形成面)及間隙之洗滌液不受特別限制 且該液體既可係-有機洗蘇液亦可係—水性洗務液。本發 明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之半導體背面 之薄膜對洗滌液具有耐溶劑性且對此等洗滌液大致無溶解 性。因此，如上所述，可採用各種洗滌液作為洗滌液且該 先;條可藉由任-習用方法來達成而無需任何專用洗務液。 ;、本發b月中，攻用於囊封半導體晶片$與黏合體6之間的 間隙之囊封材料不受特別限制只要該材料係一具有一絕緣 ^之樹脂（一絕緣樹脂）且可從已知囊封材料（例#囊封樹 月曰）之中合適地選擇並使用。該囊封樹脂較佳係一具有彈 士匕、邑緣祕月日。該囊封樹脂之實例包括含有一環氧樹脂之 樹餘合物。作為環氧樹脂，可提及上文中所例示之環氧 相::曰。此外，由含有環氧樹脂之樹脂組合物構成之囊封樹 脂可含有不同於環氧樹脂之熱固性樹脂(例如一酚系樹脂） ，除環氧樹脂以外的熱塑性樹脂。附帶而言，可利用紛系 f曰作為裱氧樹脂之固化劑，且作為酚系樹脂，可提及上 文中所例示之酚系樹脂。 ,用囊封樹脂之囊封步驟中，通常藉由加熱來固化囊 /曰。X達成囊封。對囊封樹脂之固化通常在許多情形下 75 C下進行6〇秒到9〇秒。然而，於本發明中，對此沒 有限制，固外·5Γ + 匕了在一 165至185°C之溫度下實施幾分鐘，舉 例而吕〇於主道诚也 u '牛導體奇面之溥膜2中，由於雷射標記層21係 148667.doc -55· 201107443 由一具有一熱塑性樹脂組分及作為一可選組分之一熱固性 樹脂組分之樹脂組合物形成，因此在含有一熱固性樹脂組 分之情形下’該熱固性樹脂組分可在固化囊封樹脂時完全 固化或幾乎完全固化。此外，由於晶圓黏合層22係由一含 有作為一可選組分之一熱塑性樹脂組分及一熱固性樹脂組 分之樹脂組合物形成’因此該熱固性樹脂組分可在固化此 囊封樹脂時完全固化或幾乎完全固化。 半導體晶片5與黏合體6之間的間隙之距離通常為約3〇 μηι至 300 μηι 〇 如此形成之半導體裝置可合適地用作電子部分或其材 料。 於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製 造之半導體裝置（覆晶安裝式半導體裝置）中，呈一其中雷 射標記層21為最外層之形式將該半導體背面之薄膜附著至 該半導體晶片之背面，且因此雷射標記可施加具有極佳可 見度。特定而言’雷射標記可施加具有一極佳反差比，且 可觀察到藉由具有較佳可見度之雷射標記所施加之各種資 訊（例如，文字資訊及圖形資訊）。在雷射標記時，可利用 一已知雷射標記設備。此外，作為雷射，可利用各種雷 射，例如氣體雷射、固態雷射及液體雷射。
特定而言’作為氣體雷射，可利用任何已知氣體雷射而 無特別限制但二氧化碳雷射（C〇2雷射）及準分子雷射（ArF 雷射、KrF雷射、XeCi雷射、XeF雷射等）係合適的。作為 固態雷射’可利用任何已知固態雷射而無特別限制但YAG 148667.doc -56· 201107443 雷射（例如Nd ·· YAG雷射）及YV〇4雷射係合適的。 由於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 製作之半導體褒置係-藉由覆晶安裝方法安裝之半導體裝 置，因此該裝置具有一與一藉由一晶粒結合安裝方法安裝 之半導體裝置相比薄化及小型化之形狀。因此，合適地採 用覆晶安裝式半導體裝置作為各種電子裝置及料部分^ 其材料及成分。特定而言，作為其中利用本發明之覆晶安 裝式半導體裝置之電子裝置，可提及所謂「行動電話 「「PHS」、小型電腦[所謂「舰」（手持式終端機）、所謂 「筆記本型個人電腦」、所謂「NetB〇〇k(商品名)」、及 所謂「可穿戴式電腦」等]、呈其中整合「行動電話」盘 電腦之形式之小型電子裝置、所謂(商品 名）」所5月「數位攝影機」、小型電視機、小型遊戲 機雷：型數位聲訊播放器、所謂「電子記事本」、所謂 如1典」、所謂「電子書籍」之電子裝置終端機、例 位式手錶之行動電子裝置（可攜式電子裝置）、及 =置。不必說，亦可提及除行動電子褒置以外的電子 :(、固定式電子裝置等)’例如，所謂「桌上型個人電 記錄-電視機、用於"己錄及重現之電子裝置（硬磁碟 晉·。’、益、DVD播放器等）、投影機、微機械、及類似裝 電子部分或電子裝置及電子部分之材料及成分 憶:且「其實例包括所謂、」之部分及各種記 ""所明「记憶體」、硬磁碟等）之成分。 實例 148667.doc 201107443 下文將以例示性方式詳細闡述本發明較佳實例。然而， 除非另有說明’否則此等實例中所述之材料、混合量及諸 如此類並非旨在本發明之範疇僅限於此，且其僅為解釋性 實例。此外，除非另有說明，否則每一實例中之份數皆係 一重量標準。 (製作實例1) 基於100伤含有丙稀酸乙醋及甲基丙稀酸甲醋作為主要 組分之丙烯酸酯基聚合物（商品名：PARACRON W-197CM， 由Negami Chemical Industrial公司製造），將193份之雙盼a 型環氧樹脂（商品名：EPIKOTE 1004，由JER公司製造）、 207份之苯酌芳烧基樹脂（商品名：MIREX XLC-4L，由 Mitsui Chemicals公司製造）、370份之球形二氧化矽（商品 名：SO-25R，由Admatechs公司製造）' 8份之染料ι(商品 名：OIL GREEN 502，由 Orient Chemical Industries公司製 造）及8份之染料2(商品名：OIL BLACK BS，由〇rient Chemical Industries公司製造）溶於甲基乙基酮中以製備一 具有 23.6重直％之固體濃度之樹脂組合物之溶液（在下文 中有時稱作「樹脂組合物溶液A」）。於此樹脂組合物溶液 A中’該等樹脂組分中之熱塑性樹脂（亦即，丙烯酸酯基聚 合物）之一比率相對於該等樹脂組分之整體為2〇重量0/〇。 (製作實例2) 基於100份含有丙烯酸乙酯及曱基丙烯酸曱酯作為主要 組分之丙烯酸酯基聚合物（商品名：PARACRON W-197CM « 由 Negami Chemical Industrial公司製造），將 135 148667.doc •58· 201107443 份之雙酚A型環氧樹脂（商品名：ΕΡΙΚΟΤΕ 1004，由JER公 司製造）、144份之苯酚芳烷基樹脂（商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals公司製造）、280份之球形二氧化矽 (商品名：SO-25R，由Admatechs公司製造）、6份之染料1 (商品名：OIL GREEN 502，由 Orient Chemical Industries 公司製造）及6份之染料2(商品名：OIL BLACK BS，由 Orient Chemical Industries公司製造）溶於甲基乙基酿1中以 .製備一具有一 23.6重量％之固體濃度之樹脂組合物之溶液 (在下文中有時稱作「樹脂組合物溶液B」）。於此樹脂組 合物溶液B中，該等樹脂組分中之熱塑性樹脂（亦即，丙烯 酸酯基聚合物）之一比率相對於該等樹脂組分之整體為26.4 重量％。 (製作實例3) 基於1 00份含有丙烯酸乙酯及曱基丙烯酸甲酯作為主要 組分之丙烯酸酯基聚合物（商品名：PARACRON W-197CM ’ 由 Negami Chemical Industrial公司製造），將 110 份之雙酚A型環氧樹脂（商品名：ΕΡΙΚΟΤΕ 1004，由JER公 司製造）、118份之苯酚芳烷基樹脂（商品名：MIREX XLC-4L ’由Mitsui Chemicals公司製造）、246份之球形二氧化矽 (商品名：SO-25R，由Admatechs公司製造）、5份之染料1 (商品名：OIL GREEN 502，由 Orient Chemical Industries 公司製造）及5份之染料2(商品名：OIL BLACK BS，由 Orient Chemical Industries公司製造）溶於曱基乙基酮中以 製備一具有一 23.6重量％之固體濃度之樹脂組合物之溶液 148667.doc -59- 201107443 (在下文中有時稱作「樹脂組合物溶液c」）。於此樹脂組 合物溶液c中，該等樹脂組分中之熱塑性樹脂（亦即，丙烯 酸酯基聚合物）之一比率相對於該等樹脂組分之整體為％ $ 重量％。 (製作實例4) 基於100份含有丙烯酸乙酯及曱基丙烯酸甲酯作為主要 組分之丙稀酸酿基聚合物（商品名：PARACR0N 197CM，由 Negami Chemical industrial 公司製造），將 93份 之雙酚A型環氧樹脂（商品名：Ερικ〇ΤΕ 1〇〇4，由jer公司 製造）、101份之苯酚芳烧基樹脂（商品名：MIREX 4L，由Mitsui Chemicals公司製造）、28〇份之球形二氧化矽 (商品名：SO-25R，由Admatechs公司製造）、6份之染料丄 (商品名：OIL GREEN 502，由 〇rient Chemical Industries 公司製造）及6份之染料2(商品名：0IL black BS，由 Orient Chemical Industries公司製造）溶於甲基乙基酮中以 製備一具有一 23.6重量❶/。之固體濃度之樹脂組合物之溶液 (在下文中有時稱作「樹脂組合物溶液D」）。於此樹脂組 合物溶液D中，該等樹脂組分中之熱塑性樹脂（亦即，丙烯 酸Sa基聚合物）之一比率相對於該等樹脂組分之整體為3 4 重量％。 (晶圓黏合性評估） 對於由在製作實例1至4中所製備之樹脂組合物溶液A至 D形成之樹脂層中之每一者，藉由下述黏合力量測方法來 量測對晶圓之黏合力’並根據下述黏合性評估標準琿評估 148667.doc -60- 201107443 樹脂層是否具有足以作為晶圓黏合層之黏合力。評估或量 測之結果顯示於表1中。 <黏合力量測方法> 藉由在製作實例1至4中所製備之樹脂溶液Α至D將一聚 對笨二曱酸乙二酯薄膜（厚度：3 8 μηι ;在下文中有時稱作 「PET 4臈」）附著至該等樹脂層中之每一者之一面，從而 獲得附著有樹脂層之PET薄膜。將一作為一晶圓之矽晶圓 (厚度：0.6 mm)置於一熱板上並藉由使一處於5(rc下之2 kg之輥往復運動一次呈一其中附著有樹脂層之pET薄膜之 樹脂層與晶圓接觸之形式在一規定溫度（5)下附著該矽 晶圓。此後’允許該壓層在一熱板（5〇。〇)上靜置2分鐘並隨 後允許其在常溫（約23。〇下靜置20分鐘。在靜置之後，藉 由使用一剝離測試儀（商品名：AUTOGRAPH AGS-J，由 Shimadzu公司製造）在一 18〇〇之剝離角及一3〇〇 mm/min之 拉伸速率之條件下於一 23 °C之溫度下剝離（在樹脂層與晶 圓之間的一介面處剝離）附著有樹脂層之pET薄膜。量測剝 離時之負荷之一最大負荷（已自其除去量測開始時之一峰 頂之負荷之一最大值），並確定該樹脂之一黏合力（N/1〇 mm-寬度）同時將此最大負荷作為樹脂層與晶圓之間的一黏 合力（該樹脂層對該晶圓之黏合力）。 <黏合性評估標準> 好：對晶圓之黏合力為i Nn〇mm_寬度或以上。 差.對晶圓之黏合力小於i N/1 〇 mm寬度。 於此黏合力量測方法中’儘管用pET薄膜來增強樹脂 148667.doc -61 - 201107443 層’甚至當使用一壓敏黏合劑帶（商品名：BT3 15，由Nitto Denko公司製造）來代替PET薄膜時，但可獲得相同之黏合 力。 表1 製作實例 黏合力 1 好 2 好 3 差 4 差 如由表1很清楚’由在製作實例1至2中所製備之樹脂組 合物溶液A至B製成之樹脂層在對晶圓之黏合力方面係有 利的因而其等適合作為晶圓黏合層。因此，可利用此等樹 月曰層作為晶圓黏合層。 另一方面，由在製作實例3至4中所製備之樹脂組合物溶 液C至D製成之樹脂層在對晶圓之黏合力方面係低的，因 而其等不適合作為晶圓黏合層。因此，無法利用此等樹脂 層作為晶圓黏合層。 <雷射標記性質之評估> 對於由在製作實例丨至4中所製備之樹脂組合物溶液Α至 D製成之樹脂層中之每一者，藉由下述雷射加工性評估或 里測方法來評估或量測雷射標記性質，並根據下述雷射加 工性評估標準來評估該樹脂層是否具有足以作為雷射標記 層之雷射標記性質。評估或量測之結果顯示於表2中。 <雷射加工性評估或量測方法> I48667.doc -62- 201107443 用—雷射來輻射由在製作實例1至4中所製備之樹脂組合 /谷液A至A製成之樹脂層中之每一者，並使用一雷射顯微 鏡來測里在此雷射輻射之後加工之加工深度。在一 532 nm 之波長及—1.0 W之輻射強度之條件下使用一 YV04(釩酸 )苗射來執行幸畜射。此外’使用一由Keyence Corporation A司製造之雷射發射設備（商品名：MD-S9900)。 <雷射加工性評估標準> 好：雷射加工深度為2 μιη或以上。 差：雷射加工深度小於2 μιη。 表2 製作實例 雷射加工性 1 差 2 差 3 好 4 好 如由表2很清楚，由在製作實例3至4中所製備之樹脂組 合溶液C至D製成之樹脂層在雷射加工性方面係有利的， 因而其等適合作為雷射標記層。因此，可利用此等樹脂層 作為雷射標記層。 另一方面，由在製作實例⑴中所製備之樹脂組合物溶 液Α至Β製成之樹脂層在雷射加工性方面係低的，因而复 等不適合作為雷射標記層。因此，基本上無法制此等樹 脂層作為雷射標記層。 (實例1) 148667.doc •63· 201107443 <覆晶型半導體背面之薄膜製備> 將在製作實例i中所製備之樹脂組合物溶液A作為釋放概 塾^離物）塗佈於-由一具有一 5〇陣之厚度之聚對苯二 甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜（其已經受一聚 矽：釋放處理)上，並隨後使其在⑽下乾燥2分鐘以形 成:具有一 Η) μιη之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製 作實例3中所製備之樹脂組合物溶液〇塗佈於晶圓側樹脂層 上並隨後使其㈣代下乾燥2分鐘以形成一具有一 ι〇 ^ 之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一20 μιη之厚度（平 均厚度）之覆晶型半導體背面之薄膜（在下文中有時稱作 半導體背面之薄膜Α」）。 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備> β藉由使用一手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之 壓敏黏合劑層接觸之形式將上述半導體背面之薄膜Α附著 至切晶帶（商品名：V_8_T，由Nitto Denko公司製造，美 礎材料之平均厚度：65 μιη，壓敏黏合劑層之平均厚度： 1〇 μπι)之一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體=面 之切晶帶一體型薄膜。 於根據此實例1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 中，半導體背面有色薄膜之厚度（平均厚度）為2〇 μηι。此 外’於該切晶帶（商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司掣 迄）中，基礎材料之平均厚度為6 5 μπι ;壓敏黏合劑層之^ 均厚度為10 μηι，且總厚度為75 μιη。因此，半導體背面有 色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比（平均厚度比）為 148667.doc -64 - 201107443 20/10，且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚度之 比（平均厚度比）為20/75。 (實例2 ) <覆晶型半導體背面之薄膜製備> 將在製作實例1中所製備之樹脂組合物溶液A作為釋放襯 塾離物）塗佈於一由一具有一5〇 _之厚度之聚對苯二 甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜（其已經受一聚 矽氧釋放處理）上’並隨後使其在13〇t：下乾燥2分鐘以形 成一具有一 10 μηι之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製 作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D塗佈於該晶圓側樹脂 層上並隨後使其在130°c下乾燥2分鐘以形成一具有一⑺ km之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一 2〇 之厚度 (平均厚度）之覆晶型半導體背面之薄膜（在下文中有時稱作 「半導體背面之薄膜Β」）。 <用於半導體背面之切晶帶—體型薄膜製備> 藉由使S -手動輥呈-其中該外部樹脂層與該切晶帶之 f敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜Β附著至一切晶 帶（商品名：V-8-T，由Nitto Denk〇公司製造，基礎材料之 平均厚度：65 μηι，壓敏黏合劑層之平均厚度：1〇 ^⑷之 壓敏黏合劑層上’從而製備一用於半導體背面之切晶帶 一體型薄膜。 於根據此實例2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 中，半導體背面有色薄膜之厚度（平均厚度）為2〇哗。此 外，於該切晶帶（商品名：ν·8_τ，由Niu〇以以。公司製 148667.doc -65 - 201107443 ^中’基礎㈣之平均厚度為65 _;壓敏黏合劑層 句厚度為u)㈣’且總厚度為75 μιηβ因此， 色溥膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比(平均有 20/10 ;且丰茑驴呰而古Α -厚度比）為 且+導體是面有色缚膜之厚度對切晶帶 比（平均厚度比）為20/75。 又 (比較實例1) <覆晶型半導體背面之薄膜製備> 將在製作實例4所製備之樹脂組合物溶液Α作為釋放概 離物)塗佈於一由一具有一 5〇 _之厚度之聚對笨二 甲酸乙二S旨薄膜構成之經可釋放處理薄膜（其已經受—聚 石夕^釋放處理）上，並隨後使其在13代下乾燥2分鐘以形 成HiG叫之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製 作貫例2中所製備之樹脂組合物溶液B塗佈於該晶圓側樹脂 層上並隨後使其在13(TC下乾燥2分鐘以形成一具有一 1〇 之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一 2〇 pm之厚度 (平均厚度）之覆晶型半導體背面之薄膜（在下文中有時稱作 半導體背面之薄膜C」） 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備> 藉由使用一手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之 壓敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜C附著至一切晶 帶（商〇口名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造，基礎材料之 平均厚度：65 μηι，壓敏黏合劑層之平均厚度：1〇 μιη)之 一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體背面之切晶帶 一體型薄膜。 148667.doc 201107443 於根據此比較實例丨之用於半導體背面之切晶帶一體型 薄膜中，半導體背面有色薄膜之厚度（平均厚度）為a2〇 μ^π。此外，於該切晶帶（商品名：ν_8_τ,由犯11〇以故〇公 司製造）中，基礎材料之平均厚度為65 μιη;壓敏黏合劑層 之平均厚度為10 μπι，且總厚度為75 。因此，半導體背 面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比（平均厚度 比)為20/10;且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之： 度之比（平均厚度比）為20/75。 (比較實例2) <半導體背面之薄膜製備> 將在製作實例3中所製備之樹脂組合物溶液c作為釋放概 墊(隔離物)塗佈於一由一具有一 5〇叫之厚度之聚對笨二 甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄臈（其已經受一聚 石夕氧釋放處理）上，並隨後使其在13代下乾燥2分鐘以形 成一具有一 10 μι„之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製 作實例3中所製備之樹脂組合物溶液c塗佈於晶圓側樹脂層 上並隨後使其在130。(：下乾燥2分鐘以形成一具有一 i〇 pm 之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有—2〇 pm之厚度（平 均厚度）之半導體背面之薄膜（在下文中有時稱作「半導體 背面之薄膜D」） <用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備〉 猎由使用-手動輥呈—其中該外部樹脂層與該切晶帶之 =敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜β附著至一切晶 帶（商品名m’由Nitto Denk0公司製造基礎材料之 148667.doc •67· 201107443 平均厚度：65 μϊη ’壓敏點合劑層之平均厚度：ι〇㈣之 -廢敏黏合劑層上’從而製備一用於半導體背面之切晶帶 一體型薄膜。 •於根據此比較實例2之用於半導體背面之切晶帶一體型 薄膜中導體背面有色薄膜之厚度(平均厚度)為冗 叫。此外，於該切晶帶（商品名：ν·8τ，由公 司製造）中，基礎材料之平均厚度為65 壓敏黏合劑層 之平均厚度為lGpm，且總厚度為75㈣。因此，半導體背 面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比（平均厚度 比)為2_ ;且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚 度之比（平均厚度比）為20/75。 (比較實例3) <半導體背面之薄膜製備> 將在製作實例3中所製備之樹脂組合物溶液c作為釋放襯 墊（隔離物）塗佈於一由一具有一 5〇 μηι之厚度之聚對苯二 甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜（其已經受一聚 矽氧釋放處理）上，並隨後使其在130。(：下乾燥2分鐘以形 成一具有一 10 μηι之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製 作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D塗佈於該晶圓側樹脂 層上並隨後使其在130。(：下乾燥2分鐘以形成—具有_ 1〇 Pm之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有_ 2〇 之厚产 (平均厚度）之半導體背面之薄膜（在下文中有時稱作「半導 體背面之薄膜E」）。 <用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備> 148667.doc -68- 201107443 敏2 動輥呈—其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓 敏黏層接觸之形式將上述背面薄❹附著至—切晶帶 名· V_8_T’由驗t〇 Denk0公司製造，基礎材料之平 句厚度：65 μηι ’麼敏#合劑層之平均厚度：ι〇㈣之一 壓敏黏合劑層_h，從而製備一用於半導體背面之切晶帶一 體型薄膜。 ，於根據此比較實例3之用於半導體背面之切晶帶一體型 缚膜中，半導體背面有色薄膜之厚度（平均厚度）為2〇 _。此外，於該切晶帶（商品名：ν_8_τ，由Nitt〇Denk〇公 司製坆)_ &礎材料之平均厚度為65 _ ;壓敏黏合劑層 之平均厚度為1G μηι，且總厚度為75 ^因此，半導體背 .面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比（平均厚度 比)為20/10 ;且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚 度之比（平均厚度比）為20/75。 (比較實例4) <半導體背面之薄膜製備> 將在製作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D作為釋放襯 墊（隔離物）塗佈於一由一具有一 5〇 μηι之厚度之聚對笨二 甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜（其已經受一聚 矽氧釋放處理）上，並隨後使其在13〇。(：下乾燥2分鐘以形 成一具有一 10 μηι之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製 作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D塗佈於該晶圓側樹脂 層上並隨後使其在130。(：下乾燥2分鐘以形成一具有一 1〇 μηι之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一 2〇 之厚度 148667.doc -69· 201107443 (平均厚度)之半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導 體背面之薄膜F」等 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製 藉由使用手動.昆呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓 敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄辭附著至—切晶帶 (商品名：ν·8_Τ，由Nitt。Denk。公司製造基礎材料之平 均厚度：65㈣’ Μ敏黏合劑層之平均厚度：】。_之一 壓敏黏合劑層上，&而製備一用於半導體背面之切晶帶一 體型薄膜。 於根據此比較實例4之用於半導體背面之切晶帶一體型 薄膜中導體背面有色薄膜之厚度（平均厚度）為2〇 叫。此外，於該切晶帶（商品名：ν·8 τ，由顺^ 公 司製造）中’基礎材料之平均厚度為65 壓敏黏合劑層 之平均厚度為10 μιη，且總厚度為75㈣。因此，半導體背 面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比（平均^度 比）為20/10 ;且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之^ 度之比（平均厚度比）為20/75。 (半導體背面有色薄膜之物理性質量測） 對於在實例1至2及比較實例丨至4中所製備之用於半導體 背面之切晶帶一體型薄膜中之半導體背面有色薄膜中之^ 一者，分別以下述方式來量測可見光透射比（％)、水分吸 收率（重量❶/〇)及重量減少比（重量％)。量測之結果顯示於表 3中。 <可見光透射比量測方法> 148667.doc •70· 201107443 使用「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER」（商品 名，由Shimadzu公司製造）用可見光來輻射在實例i至2及 比較實例1至4中所製備之半導體背面有色薄膜a至F中之每 一者（平均厚度：20 μιη)。將可見光之波長自4〇〇 nm調節至 800 nm。根據下述表示式來量測並計算藉由此輻射透射過 半導體背面有色薄膜2之可見光之光強度。 可見光透射比（％) =[(可見光在透射過半導體背面有色薄膜 之後的光強度）/(可見光之初始光強度）]χ丨〇〇 <水分吸收率量測方法> 允許在實例1至2及比較實例i至4中所製備之半導體背面 有色薄膜A至F中之每一者在—處於一85t之溫度及一 85% RH之濕度下之恒溫及恒濕室中靜置168小時。量測在靜置 之前及之後的重量，並根據下述表示式來計算水分吸收率 (重量％)。 水分吸收率（重量％)= = [{(在允許半導體背面有色薄膜靜晋
<重量減少比量測方法>
旦"，WU π卞守姐頁！67百色薄祺靜置 置之刖的重量）]χ1〇〇 I48667.doc 201107443
重量減少比 (重量％) Os d C) 〇 00 〇 ”_Η ^-H 硃A 佘_ cn 〇 rn 〇 m 〇 rn 〇 rn 〇 cn 〇 Φ刺 ^ Cp ^ L· Ο Ο 〇 Ο Ο 〇 < CQ U Q W IXi 瑤 波 败 波 彼 波 波 波 •«3 <a3 <a3 <s3 -¾) V0 V0 韜 黩 韜 鹬 韜 饀 ώ- ♦ 斗 CN 1—1 ¥ (Ν m 苳 寸 ¥ 革 • (K {Κ {—C ^lUy· 錄 jSi λ3 -lJ JJ -72- 148667.doc 201107443 (評估） 對於在實例1至2及比較實例1至4中所製備之用於半導體 背面之切晶帶一體型薄膜中之每一者，藉由下述評估或量 測方法來評估或量測切晶性質、拾取性質、覆晶結合性、 晶圓背面之標記性質及晶圓背面之外觀性質。評估或量測 之結果顯示於表4中。 <切晶性質及拾取性質之評估方法〉 藉由使用在實例1至2及比較實例1至4中所製備之用於半 導體背面之切晶帶一體型薄膜中之每一者，藉由實際切晶 半導體晶圓來評估切晶性質’且此後，評估剝離性，從而 評估用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之切晶性能及拾 取性能。 使一半導體晶圓（直徑：8英吋，厚度：0.6 mm ; —矽鏡 面晶圓）經受一背面拋光處理，並使用一具有一 〇 2 厚度之鏡面晶圓作為工件。在將隔離物剝離用於半導體背 面之切晶帶一體型薄膜之後，在70°C下藉由輥壓結合將鏡 面晶圓（工件）附著至半導體背面之薄膜（亦即，半導體背面 之薄膜之晶圓黏合層），且進一步執行切晶。在本文中， 以全切形式執行切晶以便切晶成一 10 mm2之晶片大小。就 此而言’半導體晶圓研磨條件、附著條件及切晶條件如 下。 (半導體晶圓研磨條件） 研磨設備：由DISCO公司製造之商品名「DFG-8560」，半 導體晶圓：8英吋直徑（研磨背面以便為自一0.6 mm之厚度 148667.doc •73· 201107443 直到一 0.2 mm之厚度）。 (附著條件） 附著設備：由NittoSeiki公司製造之商品名「MA-3000II」 附著速度：10mm/min 附著壓力：0.15 MPa 附著時之階段溫度：70°C (切晶條件） 切晶設備：由DISCO公司製造之商品名「DFD-6361」 切晶環：「2-8-1」（由DISCO公司製造） 切晶速度：30mm/sec 切晶刀片： Z1 ’ 由 DISCO 公司製造之「203O-SE 27HCDD」 Z2 ;由 DISCO公司製造之「203O-SE 27HCBB」 切晶刀片轉速： Z1 ； 40,000 r/min ； 45,000 r/min 切削方法：階梯切削 晶圓晶片大小：10.0 mm2 在切晶中，確認鏡面晶圓（工件）是否令人滿意地牢牢 持於用於半導體背面之切晶帶—體型薄膜上而無剝離以 施切晶。將很好地執行切晶之情形分等為「好」且將不 好地執行切晶之情形分尊 , 寺為差」，從而評估切晶能力 接下來，藉由用針蔣放 驴刑哉描 將工件自用於半導體背面之切晶帶 體i <4膜之切晶帶側向卜拖.仓也 … 门上推進來將藉由切晶所獲得之Β 形工件連同半導體背 彳獲侍之曰曰 之4膜剝離切晶帶之壓敏黏合 148667.doc •74· 201107443 層’藉此拾取呈其中背面已由半導體背面之薄膜保護之狀 態之晶片形工件。確定這個時候的晶片（總共400件）之拾取 比（％)以評估拾取性質。因此，當拾取比接近於100%時， 拾取性質較好。 此處，拾取條件如下。 (半導體晶圓拾取條件） 拾取设備：由Shinkawa公司製造之商品名「SPA-300」 拾取針之數目：9個針 針之向上推進速度：20 mm/s 針之向上推進距離：5〇〇 μπι 拾取時間：1秒 切晶帶展開量：3 mm <覆晶結合性之評估方法> 在使用根據該專實例及比較實例中之每一者之用於半導 體背面之切晶帶一體型薄膜藉由上述 <切晶性質/拾取性質 之評估方法 >所獲得之根據該等實例及比較實例中之每一 者之晶片形工件上，呈一其中晶片形工件之表面（電路面） 與具有一對應於電路面之佈線之電路板之表面對置之形式 使一开> 成於晶片形工件之電路面處之凸塊與一附著至電路 板之一連接墊之導電材料（焊料）接觸，並藉由使溫度升高 至260°C在壓力下熔化該導電材料且隨後使其冷卻至室 溫，藉此將該晶片形工件固定至該電路板以製造一半導體 裝置。根據下述評估標準來評估這個時候的覆晶結合性。 (覆晶結合性之評估標準） 好：可藉由覆晶結合方法來達成安裝而無任何麻煩； 148667.doc -75- 201107443 差·不可藉由覆晶結合方法來達成安裝。 <晶圓背面標記性質之評估方法> 藉助使用YAG雷射在藉由上述 < 覆晶結合性之評估方法> 所獲得之半導體裝置中之晶片形工件之背面（即，半導體 背面之薄膜之最外層之表面）上施加雷射標記。在藉由雷 射標記所獲得之資訊（條碼資訊）上，根據下述評估標準來 評估使用根據該等實例及比較實例中之每一者之用於半導 體背面之切晶帶一體型薄膜所獲得之半導體裝置之標記性 質（雷射標記性質）。 (標記性質之評估標準） 好：評價藉由雷射標記所獲得之資訊令人滿意地可見之人 數為隨機選擇的10個成年人之中的8人或以上。 差：評價藉由雷射標記所獲得之資訊令人滿意地可見之人 數為隨機選擇的10個成年人之中的7人或以下。 <晶圓背面外觀性質之評估方法> 在使用根據該等實例及比較實例中之每一者之用於半導 體背面之切晶帶一體型薄膜藉由上述 < 切晶性質/拾取性質 之評估方法 > 所獲得之根據該等實例及比較實例中之每一 者之晶片形工件上’根據下述評估標準視覺評估晶片形工 件之背面之外觀性質。 (外覜性貿 好：在晶片形工件中之晶圓（石夕晶圓）之背面與半導體 之薄膜之間觀察不到剝離（鼓起）；差：在晶片形工件 晶圓（矽晶圓）之背面與半導體背面之毽 守牙囟之潯膜之間觀察到 (鼓起）。 148667.doc •76· 201107443 寸 外觀性質 神1 rO 索 岽 ±1 龙 索 索 岽 mg 〇 〇 〇 〇 100 〇 时 4° tng 衆 索 索 岽 〇|m m 寸 CN m 寸 寸 — 苳 革 (K {^κ (Κ sH 寂 襄 誠 阿 < ¥ 革 (K (Κ (K 诗κ m 考： Η < 襄 誠 親 <Ν cn 寸 CN 军 w (Κ 待< (Κ 餘 獄 龄 £ .〇 -77- 148667.doc 201107443 自表4可看到根據實例丨至2之用於 一體型薄腔且古仏、 令體月面之切曰日帶 上之半導體北 為切晶帶之功能及作為處於極佳位準 二T 薄膜之功能(例如，對晶圓之黏合性及 一雷射標記性質）。 發日nr半導㈣面之薄膜係以—體形式形成於本 2之導體背面之切晶帶—體型薄膜中而且該半導 面之薄膜具有一包括一 .a /L _舶0層及一雷射標記層之 :層、，·。構，因此可自一半導體晶圓之切晶步驟至一半導體 晶圓之覆晶結合步驟利用該用於半導體背面之切晶帶一體 里相。亦即，可在藉由—覆晶結合方法製作半導體裝置 時合適地使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄 膜作為具有一切晶帶及—本填和哲品+ ^ 曰市夂牛導體旁面之溽膜之兩種功能之 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。 雖然本文已參照本發明具體實施例詳細闡述了本發明， 但熟習此項技術者應瞭解，可在不背離本發明範嘴之前提 下對其實施多種改變及修改。 本申請案係基於2009年5月29日提出申請之第2〇〇9_ 130900號曰本專利申請案及2〇1〇年4月28曰提出申請之第 2010-103901號日本專利申請案，該兩個曰本專利申請案 之全部内容以引用方式據此併入。 【圖式簡單說明】 圖1係一顯示本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型 薄膜之一個實施例之截面示意圖。 圖2A至2D係顯示一用於使用本發明之用於半導體背面 148667.doc • 78 · 201107443 之切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置之方法之一個實 施例之截面示意圖。 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜半導體背面之薄膜 【主要元件符號說明】 1 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 2 半導體背面之薄膜 3 切晶帶 4 半導體晶圓（工件） 5 半導體晶片（晶片形工件） 6 黏合體 21 雷射標記層 22 晶圓黏合層 31 基礎材料 32 壓敏黏合劑層 51 形成於半導體晶片5之電路面處之凸塊 61 配合黏合至黏合體6之連接墊之導電材料 14B667.doc -79-