TW201101511A - A photoelectric conversion element - Google Patents

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201101511 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光電變換元件。 【先前技術】 色素增感太陽能電池係經由瑞士的Gratzel等所開發 的構成，作爲光電變換效率高，具製造成本便宜之優點， 0 新型式之太陽能電池而受到注目。 色素增感太陽能電池之槪略構成係具有於設置有透明 導電膜之透明基材上，設置載持光增感色素之多孔質氧化 物半導體層之作用極，和對向於其作用極而加以設置之對 極，於此等作用極與對極之間，塡充含有氧化還原對之電 解質，經由密封材而加以密封者。 此種色素增感太陽能電池係將經由吸收太陽光等之入 射光的光增感色素而產生的電子，注入於氧化物半導體微 〇 粒子，經由於作用極與對極之間產生起電力之時，作爲將 光能變換成電力之光電變換元件而發揮機能。 作爲電解質，使用將Γ/Ι3_等之氧化還原對溶解於乙 腈等之有機溶劑的電解液者則爲一般，除此之外，知道有 使用非揮發性之離子液體的構成，以適當的凝膠化劑使液 狀之電解質凝膠化，做成擬固體化之構成，以及使用ρ型 半導體等之固體半導體之構成等。 對極係必須使用抑制經由與電解質化學反應之腐蝕的 材質。作爲如此之材質，係可採用將白金成膜之鈦基板， -5- 201101511 將白金成膜之玻璃電極基板等。 對於如此之色素增感型太陽能電池，係提案一般而言 經由加熱熔融離子交聯聚合物之Himilan (商品名：DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS 公司製）而密封，可防 止電解液中的揮發溶劑的揮發之色素增感型太陽能電池 (例如，參照專利文獻1 )。 另外亦提案有由較Himilan氣體遮蔽性爲高的理由， 經由加熱熔融乙烯-乙烯醇共聚物而密封，更可防止電解 液中的揮發溶劑的揮發之色素增感型太陽能電池（例如， 參照專利文獻2 )。 以往技術文獻 [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2〇〇3·297446號公報 [專利文獻2]曰本特開2007-149652號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 但在記載於上述專利文獻1，2之色素增感型太陽能 電池中，不能說是光電變換效率的經時變化乃充分小的位 準，而是要求耐久性優越之色素增感太陽能電池。 因此，本發明之目的係提供對於耐久性優越之光電變 換元件。 [爲解決課題之手段] -6 - 201101511 本發明者們係爲了解決上述課題，對於引起光電變換 效率之經時變化的原因，重複進行銳意硏究的結果，認爲 來自密封部的電解液之洩漏，特別是電解液中的有機溶媒 之洩漏是否爲主要大的原因。因此’本發明者們係將只由 以往的樹脂所構成之密封部，變更爲無機材料所成之無機 密封部與樹脂所成之樹脂密封部乃沿著連結一對之電極的 方向而加以連結之密封部。由此，比較於密封部只由樹脂 0 密封部所加以構成之情況，認爲減少電解液與樹脂密封部 接觸的面積，經由無機密封部的高密封能而減少電解液之 洩漏者，可提昇光電變換元件之耐久性。此時，爲了提昇 無機密封部的耐久性，經由聚醯亞胺等之耐藥品性的樹脂 而更被覆無機材料。 但，具有耐藥品性之保護樹脂層係有與樹脂的黏接力 爲弱之情況，並了解到有樹脂密封部與保護樹脂層剝落之 情況。 〇 因此，本發明者們更加進行重複檢討，發現經由以下 的發明而解決上述課題者。 即，本發明之光電變換元件係其特徵乃具備：相互對 向之一對的電極，和設置於前述一對的電極之一方的多孔 質氧化物半導體層，和配置於前述一對的電極之間的電解 質，和連結前述一對的電極，包圍前述多孔質氧化物半導 體層與前述電解質而密封之密封部；前述密封部之至少一 部分乃由形成於前述一 fi的電極之至少一方表面之無機材 料所成之無機密封部，和沿著連結前述一對的電極之方 201101511 向，與前述無機密封部連結，由含有樹脂之材料所成之樹 脂密封部所構成，較與前述無機密封部之表面的前述樹脂 密封部連結之範圍，前述電解質側的範圍係由具有對於前 述電解質而言之耐性的保護樹脂層加以被覆者。 如根據如此之光電變換裝置，密封部乃密封多孔質氧 化物半導體層與電解質。並且，密封部之至少一部分係由 無機材料所成之無機密封部，和含有與無機密封部連結之 樹脂的樹脂密封部所成。其無機密封部係對於電解質而 言，具有較樹脂密封部爲高的密封能。隨之，在本發明之 光電變換裝置中，經由無機密封部的存在，比較於只由樹 脂密封部而構成密封部之情況，可充分抑制電解質之洩 漏。 更且，無機密封部係由無機材料所構成之故，以強黏 接力而連結無機密封部與樹脂密封部。隨之，無機密封部 與樹脂密封部不易剝落。另外，較與無機密封部之表面的 樹脂密封部連結之範圍，電解質側的範圍係由保護樹脂層 加以被覆之故，無機密封部係因防止與電解質之接觸，具 有更高的耐久性。如此，光電變換元件係具有優越之耐久 性。 另外，在上述光電變換元件中，更具備具有設置於在 前述一對的電極間之前述一對的電極之至少一方表面上之 金屬所成之集電配線，和被覆前述集電配線之無機材料所 成之配線保護層的配線部，前述配線部之至少一部分係構 成前述無機密封部之至少一部分，在前述配線部乃構成前 -8 - 201101511 述無機密封部之部分，前述樹脂密封部乃與前述配線保護 層連結，較與前述配線保護層之表面的前述樹脂密封部連 結之範圍，前述電解質側的範圍係由具有對於前述電解質 而言之耐性的保護樹脂層加以被覆者爲佳。 如根據如此之光電變換元件，形成於在一對的電極間 之一對的電極之至少一方之配線部的至少一部分乃構成無 機密封部之至少一部分。也就是，構成無機密封部之一部 0 分的配線部乃構成密封部之一部分。如此，配線部之至少 一部分係未設置於與由密封部所包圍之範圍相反側，而更 未設置於由密封部所包圍之範圍側。因此，可減少佔配線 部與密封部之面積，可將經由配線部與密封部所遮蔽之入 射光控制成最小限度者。隨之，經由集電配線之動作而降 低抑制電阻之同時，可擴大多孔質氧化物半導體層之面積 者。因而可做成高的光電變換效率。 然而，在配線部乃構成無機密封部之部分，較與配線 〇 保護層之表面的樹脂密封部連結之範圍，電解質側的範圍 係由保護樹脂層加以被覆之故，集電配線係長期間保護經 由電解質之腐蝕。 另外，在上述光電變換元件，前述配線部之其他一部 分係設置於在由前述密封部內周所包圍之範圍內的前述一 對之電極之至少一方表面上，在由前述密封部內周所包圍 之範圍內的前述配線保護層係由前述保護樹脂層而被覆全 體者爲佳。 如根據如此之光電變換元件，因設置配線部於由密封 -9 - 201101511 部內周所包圍之範圍內之故，更可降低光電變換元件之阻 抗。並且，在由密封部內周所包圍之範圍內之配線保護層 係由保護樹脂層加以被覆之故，集電配線係長期間保護經 由電解質之腐蝕。 另外，前述光電變換元件中，前述配線部係從由前述 密封部外周所包圍之範圍設置至前述密封部外周之外側， 於與在前述一對的電極之至少一方之前述一對的電極間側 相反側之表面，設置端子，前述端子係看沿著連結前述一 對的電極之方向而設置前述端子之電極之情況，形成於與 在由前述密封部外周所包圍之範圍的前述配線部重疊之位 置者爲佳。 如根據如此構成之光電變換元件，設置於一對的電極 之至少一方之配線部的集電配線係因由金屬所成之故，對 於熱傳導性優越。另外，端子係看沿著連結一對的電極之 方向而設置端子之電極之情況，形成於與在由密封部外周 所包圍之範圍的配線部重疊之位置。隨之，端子的形成位 置與集電配線之位置接近，對於端子焊接導電線等時’藉 由形成有端子之電極而傳導至密封部外周之內側的熱係容 易傳導至集電配線。並且，傳導至集電配線的熱係經由集 電配線之優越熱傳導而釋放於密封部外周之外側。如此’ 可抑制對於端子焊接時’經由藉由形成有端子之電極而傳 導的熱，載持於多孔質氧化物半導體層之光增感色素或電 解質產生劣化者。 -10- 201101511 [發明效果] 如根據本發明，提供對於耐久性優越之光電變換元 件。 【實施方式】 以下，對於有關本發明之光電變換元件之最佳實施形 態，參照圖面同時而詳細加以說明。 〇 (第1實施形態） 圖1乃顯示有關本發明之第1實施形態的光電變換元 件之槪略剖面圖。 如圖1所示，光電變換元件1 〇〇係作爲主要構成要素 而具備作用極11，和呈與作用極11對向地加以配置之對 極12，和配置於作用極11與對極12之間的電解質5,和 包圍電解質5之密封部1 4。 (作用極） 作用極11係具備透明基材2及設置於透明基材2之 一方的面之透明導電體1所成之第2電極20，和設置於 透明導電體1上，載持光增感色素之多孔質氧化物半導體 層3。 透明基材2係經由光透過性之材料的基板加以構成。 作爲如此之材料係可舉出玻璃、聚乙烯對苯二甲酸酯 (PET)、聚碳酸酯（PC)、聚醚（PES)、聚萘二甲酸 -11 - 201101511 乙二酯（PEN )等，通常如爲作爲光電變換元件之透明基 材所使用之材料，亦可採用任何者。透明基材2係從此等 之中，考慮對於電解質之耐性等而作適宜選擇.。另外，透 明基材2係盡可能對於光透過性優越之基材爲佳，而光透 過率乃90%以上之基材更佳。 透明導電體1乃透明導電膜，形成於透明基材2之一 方的面之一部分，或全面之薄膜。爲了作爲未顯著損及作 用極11之透明性的構造，透明導電體1係由導電性金屬 氧化物所成之薄膜者爲佳。作爲如此之導電性金屬氧化 物，係例如可舉出氧化銦錫（ITO )、添加氟氧化錫 (FTO)、氧化錫（Sn02)等。另外，透明導電體1係即使爲 單層，亦可由不同導電性金屬氧化物所構成之複數的層之 層積體而加以構成。透明導電體1乃以單層加以構成之情 況，透明導電體1係從成膜容易且製造成本廉價之觀點， ITO、FTO爲佳，另外從具有高耐熱性及耐藥品性之觀 點，由FTO加以構成者更佳。 另外，透明導電體1經由以複數的層加以構成之層積 體所構成時，從可使各層之特性反映者爲佳。其中，於 ITO所成的膜，層積FTO所成的膜而成之層積膜爲佳。 此情況，可實現具有高導電性，耐熱性及耐藥品性之透明 導電體1，可構成在可視域的光之吸收量少，導電率高的 透明導電性基板。另外，透明導電體1之厚度係例如，如 作成Ο.ΟΙμιη〜2μηι之範圍爲佳。 作爲形成多孔質氧化物半導體層3之氧化物半導體係 -12- 201101511 並無特別加以限制，而通常，如爲使用在形成光電變換元 件用的多孔質氧化物半導體層時之構成，亦可使用任何構 成者。作爲如此之氧化物半導體，例如可舉出氧化鈦 (Ti〇2)、氧化錫（Sn〇2)、氧化鎢（W03)、氧化鋅（ZnO)、氧 化鈮（Nb205)、鈦酸緦（SrTi03)氧化銦（Ιη303)、氧化锆 (Zr02)、氧化鉈（Ta205)、氧化鑭（La203)、氧化釔（Y203)、 氧化鈥（Η0203)、氧化鉍（Bi203)、氧化鈽（Ce02)、氧化鋁 0 (A1203)，亦可爲由此等2種以上所構成之氧化物半導

Bftt 體。 此等氧化物半導體的粒子平均粒徑乃1〜lOOOnm，但 以色素加以被覆之氧化物半導體表面積則變大，即進行光 電變換的場所變寬，可生成更多的電子之故而爲理想。另 外，多孔質氧化物半導體層3係層積粒度分布不同之氧化 物半導體粒子而加以構成者爲佳。此情況，可在半導體層 內引起重覆光的反射，減少釋放至多孔質氧化物半導體層 〇 3之外部的入射光，可有效率將光變換成電子。多孔質氧 化物半導體層3之厚度係例如如作成0.5〜5 Ομηι即可。然 而，多孔質氧化物半導體層3係亦可由不同材料所成之複 數的氧化物半導體之層積體而構成者。 作爲光增感色素係可舉出將聯吡啶構造，三砒啶構造 等含於配位子之釕錯合物、卟啉，酞花青等之含金屬錯合 物、曙紅，若丹明，部花青等之有機色素等，從中可無特 別限定選擇顯示適合於用途、使用半導體之舉措者。具體 而言，係可使用Ν3，Ν719，Ν749(黑色染料）等者。 -13- 201101511 (電解質） 電解質5係使用於多孔質氧化物半導體層3內，使電 解液浸含而成之構成，或於多孔質氧化物半導體層3內， 使電解液浸含之後，將其電解液，使用適當的凝膠化劑作 爲凝膠化（擬固體化），與多孔質氧化物半導體層3形成 爲一體而成之構成，或者含有離子性液體、氧化物半導體 粒子或導電性粒子之凝膠狀的電解質。 作爲上述電解液，係使用將碘、碘化物離子、磷酸三 丁酯等之電解質成分，溶解於碳酸乙烯酯或甲氧基乙腈等 之有機溶媒而成之構成。作爲使用在將其電解液作爲凝膠 化時之凝膠化劑，係可舉出聚偏二氟乙烯、聚環氧乙烷衍 生物、氨基酸衍生物等。 作爲上述離子性液體，並無特別加以限定，但在室溫 爲液體，例如可舉出將具有作爲四級化之氮原子的化合 物，作爲陽離子或陰離子之常溫熔融性鹽。作爲常溫熔融 性鹽之陽離子，係可舉出四級化咪唑衍生物，四級化吡啶 衍生物，四級化銨衍生物等。作爲常溫熔融鹽之陰離子， 係可舉出 BF，、PF〆、F(HF)n·、三氟醚甲基磺醯亞胺 [(cf3so2)2>t]、碘化物離子等。作爲離子性液體之具體 例，係可舉出四級化咪唑系陽離子與碘化物離子或三氟醚 甲基磺醯亞胺離子等所成的鹽類者。 作爲前述之氧化物半導體粒子，物質之種類或粒子尺 寸等並無特別加以限定，但使用對於與將離子性液體作爲 -14- 201101511 主體之電解液的混合性優越，使其電解液凝膠化之構成。 另外，氧化物半導體粒子係必須未使電解質之導電性降 低，而對於含於電解質之其他共存成分而言，化學安定性 優越者。特別是，電解質乃即使含有碘/碘化物離子，或 溴/溴化物離子等之氧化還原對之情況，氧化物半導體粒 子係亦未產生經由氧化反應之劣化者爲佳。 作爲如此之氧化物半導體粒子，係可舉出選自 Si〇2、Ti〇2、Sn〇2、WO3、ZnO、Nb2〇5、I112O3、Zr〇2、 T 3.2 〇 5、L 3.2 O 3、SrTi〇3、Y 2 0 3 ' H〇2〇3、B12O3 ' Ce〇2 ' Al2〇3所成的群之1種或2種類以上的混合物爲佳，而二氧 化鈦微粒子（奈米粒子）乃特別理想。其二氧化鈦的平均 粒徑乃2nm~1 0 00nm程度爲佳。 作爲上述導電性粒子，係使用導電體或半導體等具有 導電性之粒子。此導電性粒子的比電阻之範圍係理想爲 1.0xl0_2Q.cm以下，更理想爲 l.〇xl〇-3Q*cm以下。另 Q 外，導電性粒子之種類或粒子尺寸等並無特別加以限定， 但使用對於與將離子性液體作爲主體之電解液的混合性優 越，將其電解液作爲凝膠化之構成。對於如此之導電性粒 子係要求在電解質中，導電性不易降低，而對於含於電解 質之其他共存成分而言，化學安定性優越者。特別是，電 解質乃即使含有碘/碘化物離子，或溴/溴化物離子等之氧 化還原對之情況，亦未產生經由氧化反應等之劣化者爲 佳。 作爲如此之導電性粒子，係可舉出將碳作爲主體之物 -15- 201101511 質所成之構成’作爲具體例’可例示奈米碳管，碳纖維， 碳黑等之粒子。此等物質之製造方法係均爲公知的方法， 另外亦可使用市販品者。 (對極） 對極1 2係經由第1電極10加以構成。第i電極係由 鈦或鈦合金所成之金屬板4與觸媒層6所構成。然而，促 進還原反應之觸媒層6係形成於在金屬板4之作用極11 側之表面。觸媒層6係由白金或碳等而成。 (密封部） 密封部14係由樹脂密封部14a與無機密封部14b與 保護樹脂層1 7加以構成。無機密封部1 4b係呈包圍多孔 質氧化物半導體層3地設置於作用極11上，樹脂密封部 14a係連結於無機密封部1 4b與對極1 2。如此作爲，密封 部14係連結作用極1 1與對極12，作用極1 1與對極12 之間的電解質5係由經由密封部14所包圍者而加以密 封。 具體而言，樹脂密封部〗4a在與無機密封部14b之透 明導電體1相反側之表面的範圍s 1上’與無機密封部 14b加以連結。更且，較形成有無機密封部14b表面之樹 脂密封部1 4 a的範圍’電解質側的範圍S 2係由保護樹脂 層1 7加以被覆。 更且，樹脂密封部14a係亦設置於與範圍S1鄰接之 -16- 201101511 保護樹脂層1 7表面上。經由如此從無機密封部i 4b之範 圍S1上至與範圍S1鄰接之保護樹脂層17表面上，設置 有樹脂密封部14a之時，防止無機密封部Hb與電解質5 接觸，而維持無機密封部14b之高耐久性。 作爲構成樹脂密封部14a的材料，係例如可舉出離子 交聯聚合物、乙烯-乙烯基醋酸酐共聚物、乙烯-異丁烯酸 共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、紫外線硬化樹脂，及乙烯 〇 醇共聚物。然而，樹脂密封部14a係亦可只由樹脂所構 成，而亦可由樹脂與無機塡充劑所構成。 另外，作爲構成無機密封部14b的材料，例如可舉出 非鉛系之透明低融點玻璃材，或氧化鈦（Ti〇2 )、氧化鋁 (Al2〇3 )等之氧化物、或碳化鈦（Tic ).、碳化矽 (Sic )等之碳化物、或氮化鋁（A1N )等之氮化物等之 無機材料。 另外’作爲構成保護樹脂層17之材料，係可舉出聚 〇 醯亞胺、氟素樹脂、離子交聯聚合物、乙烯-乙烯基醋酸 酐共聚物、乙烯-異丁烯酸共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、 紫外線硬化樹脂，及乙烯醇共聚物等之耐藥品性樹脂。 然而’對於以在作用極1 1之對極1 2側表面的密封部 1 4之外周所包圍之外側的範圍，係形成有端子8。作爲構 成端子8之材料，係可舉出金、銀、銅、白金、鋁等之金 屬。另外’於端子8上，形成爲了連接導電線等與端子8 之焊料1 3即可。作爲焊料i 3係並無特別加以限定，但低 融點焊料爲最佳。作爲低融點焊料，係例如使用融點爲未 -17- 201101511 達20 0 °C之構成者爲最佳。作爲如此之焊料，可舉出 形式（例如Sn-Pb等），或鉛單體（例如：Sn_Ag、sn-Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Zn- B 等）等。 如根據有關本實施形態之光電變換元件1 ο ο，密 14乃密封多孔質氧化物半導體層3與電解質5。並且 封部14之至少一部分係由無機材料所成之無機密 14b，和含有與無機密封部14b連結之樹脂的樹脂密 Ma所成。其無機密封部14b係對於電解質5而言， 較樹脂密封部1 4a爲高的密封能。隨之，在本發明之 變換元件1 00中，經由無機密封部14b的存在，比較 由樹脂密封部1 4 a而構成密封部1 4之情況，可充分 制電解質5的洩漏。 更且，無機密封部1 4b係因由無機材料加以構 故，以強黏接力而連結無機密封部14b與樹脂密 14a。隨之’不易剝落無機密封部14b與樹脂密 14a。另外，較與無機密封部Mb表面之樹脂密封部 連結的範圍S 1，電解質5側之範圍S 2係因由保護樹 1 7加以被覆之故，無機密封部1 4b係因防止與電解 接觸而具有高耐久性。如此作爲，光電變換元件1 〇 〇 有優越的耐久性。 接著，對於圖1所示之光電變換元件100之製造 加以說明。 首先，準備作用極U，和對極12(準備工程）。 作用極1 1係可經由以下的工程而得到者。最初 共晶 Cu、 封部 ，密 封部 封部 具有 光電 於只 地抑 成之 封部 封部 14a 脂層 質之 係具 方法 ，於 -18- 201101511 透明基材2之一方的面上，形成透明導電體1而作爲第2 電極20。接著，於第2電極20之透明導電體1上，形成 多孔質氧化物半導體層3。接著，形成無機密封部Mb。 接著，於多孔質氧化物半導體層3，載持光增感色素。 作爲形成透明導電體1於透明基材2上之方法，係例 如可舉出濺鍍法、CVD法（化學氣相成長法），噴射熱 分解法（SPD法）’蒸鍍法等之薄膜形成法。其中，噴射 〇 熱分解法爲佳。由將透明導電體1，經由噴射熱分解法而 形成者，可容易控制霧度率。另外，噴射熱分解法係因無 需真空系統之故，可謀求製造工程之簡素化低成本化之 故，而爲最佳。 作爲於透明導電體1上形成多孔質氧化物半導體層3 的方法，主要由塗佈工程和乾燥.燒成工程所成。作爲塗 佈工程，例如將以特定比例混合Ti〇2粉末與界面活性劑 及增黏劑而成之Ti〇2膠體的漿劑，塗佈於謀求親水性化 〇 之透明導電體1的表面。作爲塗佈法，係使用加壓手段 (例如，玻璃棒）而將前述膠體壓上於透明導電體1上同 時，將所塗佈之膠體，呈保持均一的厚度地將加壓手段移 動在透明導電體1上的方法。作爲乾燥.燒成工程，例如 於大氣環境中，約30分鐘，以室溫放置，乾燥所塗佈之 膠體之後，使用電爐，約60分鐘，以450 °C的溫度加以 燒成之方法。由如此作爲，於透明導電體1上形成多孔質 氧化物半導體層3。 無機密封部14b，係例如，可於上述之低融點玻璃材 -19- 201101511 等之無機絕緣材料’將因應必要而調配增黏劑，結合劑， 分散劑’溶劑等而成之漿劑，可經由藉由網板印刷法等而 進行塗佈’加熱燒成而得到。 接著’形成保護樹脂層17。保護樹脂層17係於耐藥 品性樹脂或其前驅體’將因應必要而調配增黏劑，結合 劑’分散劑’溶劑等而成之漿劑，可經由藉由網板印刷法 等，較預定與無機密封部14b之表面的樹脂密封部14a之 接觸的範圍S1，呈被覆預定塡充電解質之範圍（多孔質 氧化物半導體層3側之範圍）側地進行塗膜，加以加熱處 理而得到。或者保護樹脂層1 7係可經由較將熔融之耐藥 品性樹脂預定與無機密封部1 4b之表面的樹脂密封部1 4a 之接觸的範圍S1，呈被覆預定塡充電解質之範圍側地進 行塗佈之後’以室溫進行自然冷卻而得到。或者，可經由 將薄膜狀之耐藥品性樹脂預定與無機密封部1 4b之表面的 樹脂密封部l4a之接觸的範圍S1，接觸於預定塡充電解 質之範圍側’經由外部的熱源而加熱熔融薄膜狀之耐藥品 性樹脂之後’以室溫進行自然冷卻而得到。作爲熱可塑性 之耐藥品性樹脂，例如使用離子交聯聚合物或乙烯-異丁 烯酸共聚物。耐藥品性樹脂乃紫外線硬化樹脂之情況係在 將耐藥品性樹脂之前驅體的紫外線硬化性樹脂塗佈於無機 密封部1 4b之後，經由紫外線，根據使上述之紫外線硬化 性樹脂硬化之時，而可得到耐藥品性樹脂。耐藥品性樹脂 乃水溶性樹脂之情況，係經由將含有耐藥品性樹脂之水溶 液，塗佈於無機密封部14b上之時，可得到耐藥品性樹 -20- 201101511 作爲於多孔質氧化物半導體層3載持光增感色素之方 法，係首先，預先準備將色素載持用之色素溶液，例如乙 腈與t-丁醇，對於以容積比作爲1 : 1之溶媒而言加上極 微量的N3色素粉末而進行調整的溶液。 接著，於作爲溶劑而含有放入於碟形狀之容器內的光 增感色素之溶液中，以另外電爐做成加熱處理至120〜150 0 t程度，做成浸漬形成有多孔質氧化物半導體層3之第2 電極20的狀態，在暗處浸漬一晝夜（約20小時）。之 後，從含有光增感色素之溶液，取出形成有多孔質氧化物 半導體層3之第2電極20，使用由乙腈與t一丁醇所成的 混合溶液而洗淨。由此，得到具有載持光增感色素之 Ti02薄膜所成之多孔質氧化物半導體層3之作用極11。 另外，形成於作用極1 1上之端子8係例如經由印刷 等而塗佈銀漿劑，進行加熱•燒成而加以形成。其端子8 〇 的形成係於色素載持工程之前進行者爲佳。 另一方面，對於準備對極12，首先準備鈦或鈦合金 所成之金屬板4。並且，於準備之金屬板4的表面上，形 成由白金等所成之觸媒層6。觸媒層6係經由濺鍍法等而 形成。由此，可得到具有金屬板4與觸媒層6之第1電極 10，而第1電極10則直接成爲對極12。 接著，於作用極11與對極1 2之間，經由樹脂密封部 1 4a包圍電解質5而加以密封（密封工程）。 首先，於作用極1 1上，以及先前形成之無機密封部 -21 - 201101511 14b上，形成爲了成爲樹脂密封部14a之樹脂或其前驅 體。此時，樹脂或其前驅體係呈包圍作用極11之多孔質 氧化物半導體層3地形成。另外，形成於無機密封部14b 上之樹脂或其前驅體係設置於未形成有無機密封部14b之 保護樹脂層17的範圍S1上。此時’爲了確實經由樹脂密 封部14a而被覆範圍S1’形成於配線部30s上之樹脂或 其前驅體係呈被覆保護樹脂層17上之一部分地形成爲 佳。 樹脂乃熱可塑性樹脂之情況’可經由於塗佈熔融之樹 脂於作用極U上及無機密封部14b上之後，以室溫進行 自然冷卻，或使薄膜狀之樹脂接觸於作用極U及無機密 封部14b，經由外部的熱源而加熱熔融樹脂之後，以室溫 進行自然冷卻而得到樹脂。作爲熱可塑性之樹脂，例如使 用離子交聯聚合物或乙烯-異丁烯酸共聚物。樹脂乃紫外 線硬化樹脂之情況，將樹脂之前驅體的紫外線硬化性樹脂 塗佈於作用極1 1上及無機密封部1 4 b上。樹脂乃水溶性 樹脂之情況，將含有樹脂之水溶液塗佈於作用極1 1上及 無機密封部1 4b上。作爲水溶性之樹脂，例如使用乙烯乙 醇聚合物。 接著’於對極12上，形成爲了成爲樹脂密封部i4a 之樹脂或其前驅體。對極12上之樹脂或其前驅體係在使 作用極1 1與對極1 2作爲對向時，形成於與作用極1 1上 之樹脂或其前驅體重疊之位置。另外，對極12上之樹脂 或其前驅體之形成係如與形成於作用極1 1上之樹脂或前 -22- 201101511 軀體同樣作爲進行即可。 接著，於由作用極11上之樹脂或其前驅體所包圍之 範圍，塡充電解質。 並且，使作用極11與對極12對向，重合對極12上 之樹脂與作用極11。之後，在減壓環境下，樹脂乃熱可 塑性樹脂之情況，係使樹脂加熱熔融，使作用極1 1與對 極1 2黏接。如此作爲而得到樹脂密封部1 4a。樹脂乃紫 Q 外線硬化樹脂之情況，於重合對極1 2上之樹脂的紫外線 硬化性樹脂與作用極11之後，經由紫外線而使紫外線硬 化性樹脂硬化，得到樹脂密封部1 4a。樹脂乃水溶性樹脂 之情況，於形成層積體之後，以室溫進行觸指乾燥之後， 在低濕環境下使其乾燥而得到樹脂密封部1 4a。如此作 爲，樹脂密封部14a乃與無機密封部Mb連結而成爲密封 部14。 然而，配置端子8上之焊料的情況，係使焊料在端子 〇 8上熔融，之後經由使其凝固而加以形成。 如此，得到圖1所示之光電變換元件1 00。 (第2實施形態） 接著，對於本發明之光電變換裝置之第2實施形態， 使用圖2加以說明。然而，在圖2中，對於與第1實施形 態同一或同等之構成要素，附上同一符號，省略重複之說 明。 圖2乃顯示本實施形態之光電變換裝置的槪略剖面 -23- 201101511 圖。 如圖2所示，光電變換元件110係在於作用極11上 形成配線部30c’ 30s、和於對極12上形成端子7的點， 主要與在第1實施形態之光電變換宂件100不同。 在本實施形態中，多孔質氧化物半導體層3係由2個 多孔質氧化物半導體層3a，3b加以構成。 配線部係在經由密封部14之內周所包圍的範圍，在 多孔質氧化物半導體層3a，3b之間，具有設置於透明導 電體1上之配線部30c，和在與連結作用極11與對極12 之方向的樹脂密封部14a重疊之位置，具有設置於透明導 電體1上之配線部30s。更且，配線部30c ’ 30s係同時延 伸存在至密封部1 4之外周的外側，與端子8加以連接。 在配線部3 0 c，集電配線3 5 c係經由配線保護層3 6 c 而被覆全體，更且，配線保護層36c係經由保護樹脂層 17而被覆全體。如此作爲，防止電解質5與集電配線35c 之接觸。然而，配線保護層36c及保護樹脂層17係只要 被覆集電配線35c的全體，即使接觸作用極11之透明導 電體1亦可，而未接觸亦可。 配線部3 Os係構成無機密封部1 4b之至少一部分。並 且，在配線部30s中，集電配線35s係經由配線保護層 36s而被覆全體。更且，於與配線保護層36s之透明導電 體1側相反側之表面的範圍S1上，連接樹脂密封部 14a。更且，較連接有配線保護層36s表面之樹脂密封部 1 4a的範圍S 1，電解質側的範圍S2係由保護樹脂層1 7加 -24- 201101511 以被覆。 構成集電配線35c，35s之材料係如爲具有較透明導 電體1爲低阻抗之金屬即可，作爲如此之材料，係例如可 舉出金’銀，銅，白金，鋁，鈦及鎳等之金屬。 作爲構成配線保護層3 6 c，3 6 s之材料，係例如可舉 出非鉛系之透明的低融點玻璃材等之無機絕緣材料。 另外，在與對極1 2之作用極1 1側相反側的表面上， 0 沿著連結作用極11與對極12之方向來看對極12之情 況，對於與在由密封部14之外周所包圍之範圍的集電配 線35c重疊之位置，係形成有端子7。端子7係由含有高 融點焊料或銅及鎳之至少一方的金屬構件所構成。 作爲高融點焊料，係使用融點爲200 °C以上（例如： 2 1 0 °C以上）之構成者爲最佳。作爲如此之高融點焊料， 係可舉出 Sn-Cu 系、Sn-Ag 系、Sn-Ag-Cu 系、Sn-Au 系、 Sn-Sb系、Sn-Pb系（Pb含有量係例如超過85質量％) 〇 等，此等之中亦可單獨使用1個，亦可倂用2以上。 作爲構成金屬構件之材料係除了銅，鎳之單體之外， 可舉出於銅，鎳含有其他金屬之合金。 然而，於端子7上，形成爲了連接導電線等與端子7 之焊料13亦可。端子7上之焊料係與端子8上之焊料13 同樣。 如根據有關本實施形態之光電變換元件11 〇，形成於 作用極1 1之配線部3 0 s乃構成無機密封部1 4b之至少一 部分。也就是，配線部3 0s係構成密封部1 4之一部分。 -25- 201101511 如此，配線部3 0 s係未設置於與由密封部1 4所包圍之範 圍相反側，而更且未設置於由密封部1 4所包圍之範圍 側。因此，可減少配線部3 0 s與密封部1 4所佔的面積， 可將經由配線部3 Os與密封部1 4所遮蔽之入射光控制在 最小限度者。隨之，經由集電配線35s之動作而降低抑制 阻抗同時，可擴大多孔質氧化物半導體層3的面積。進而 可做成高光電變換效率。 然而，較與配線保護層36s表面之樹脂密封部14a連 結之範圍S 1，電解質側之範圍S2係由保護樹脂層1 7加 以被覆之故，集電配線35s係長期間保護經由電解質之腐 餓。 更且，如根據光電變換元件110，因於由密封部14 之內周所包圍之範圍內設置配線部30c之故，可更降低光 電變換元件之阻抗。並且，在由密封部14之內周所包圍 之範圍內的配線保護層36c係保護樹脂層17加以被覆之 故，集電配線35c係長期間保護經由電解質之腐蝕。 另外，如根據光電變換元件1 1 〇，設置於作用極11 上之配線部30s之集電配線35s係因由金屬所成之故，對 於熱傳導性優越。另外，端子7係沿著連結對極12與作 用極1 1之方向來看對極1 2之情況，形成於與配線部3 0 s 重疊之位置。隨之，端子7之形成位置與集電配線35s之 位置接近，經由伴隨焊接導電線等於端子7等的熱之手段 而連接時，藉由形成有端子7之對極1 2而傳導至密封部 14之外周的內側的熱乃容易傳導至集電配線35s。並且， -26- 201101511 傳導至集電配線35s的熱係經由集電配線35s之優越的熱 傳導而釋放至密封部1 4之外周的外側。如此，經由伴隨 焊接於端子7等的熱之手段而連接導電線等時，可抑制經 由藉由對極而傳導的熱，載持於多孔質氧化物半導體層3 的光增感色素或電解質5產生劣化者。 接著，對於光電變換元件110之製造方法加以說明。 首先，準備作用極1 1，和對極12(準備工程）。 〇 作用極11之準備係與第1實施形態同樣作爲而進行 之。即首先，於透明基材2上，形成透明導電體1。接 著，於透明導電體1上，形成多孔質氧化物半導體層 3a，3b。對於形成多孔質氧化物半導體層3a，3b，使用 在第1實施形態中，與形成多孔質氧化物半導體層3的方 法同樣之方法，如設置多孔質半導體於2處即可。 接著，形成配線部30c，30s。具體而言，於多孔質 氧化物半導體層3a，3b之間形成.配線部30c，在多孔質 Ο 氧化物半導體層3的周圍，於預定形成密封部14的場 所，形成配線部30s。 集電配線3 5 c，3 5 s係可經由在形成多孔質氧化物半 導體層3a，3b之後，於構成集電配線35c，35s之金屬材 料，將因應必要而調配增黏劑，結合劑，分散劑，溶劑等 而成之漿劑，經由網版印刷法等，於各形成集電配線 3 5 c，3 5 s之場所進行塗膜，加熱而燒成者而得到。然 而，端子8係可與集電配線35c，35s同時形成者爲佳。 配線保護層36c，36s，係例如，可於上述之低融點 -27- 201101511 玻璃材等之無機絕緣材料，將因應必要而調配增黏劑，結 合劑’分散劑’溶劑等而成之漿劑，經由網板印刷法等， 呈被覆集電配線3 5 c ’ 3 5 s之全體地進行塗佈，再經由加 熱燒成而得到。 接著’於配線保護層36c上，及配線保護層36s上形 成保護樹脂層17。配線保護層36c上之保護樹脂層17係 經由在第1實施形態，與形成保護樹脂層17同樣的方 法’形成於配線保護層36c之表面全體。另外，配線保護 層3 6s上之保護樹脂層17係經由在第1實施形態，與形 成保護樹脂層17同樣的方法，較預定與配線保護層36s 表面之樹脂密封材14a之連結的範圍S1，如形成於預定 塡充有電解質之範圍側即可。 在準備工程之其他的工程係與第1實施形態相同。 接著，在密封工程中，呈重疊樹脂密封材14a與配線 部3 0s地重疊作用極1 1 ·與對極12而加以密封。密封之方 法係與在第1實施形態之密封工程同樣地進行即可。 接著，於與對極1 2之作用極1 1側相反側之表面上， 即在第1電極10之金屬板4上，形成端子7 (端子形成工 程）。端子7係對於對極12之表面而言，從垂直的方向來 看對極1 2之情況，形成於與由密封部1 4之外周所包圍之 範圍的集電配線35c重疊之位置。 對於端子7乃經由高融點焊料所構成之情況，首先， 在與對極1 2之作用極U側相反側的表面，於對極1 2之 表面從垂直方向來看對極12之情況，於與集電配線35c -28- 201101511 重疊的位置，呈接觸高融點焊料，烙鐵前端部地加以配 置。 此時，烙鐵前端部係可熔融高融點焊料地加熱同時， 產生超曰波。如此，高融點焊料係經由從烙鐵前端部傳送 的熱而熔融，經由來自烙鐵前端部的超音波而產生振動。 隨之，局融點焊料係提昇與金屬板4之潤濕性，固定於金 屬板4之表面上。如此，端子7乃形成於對極12之表面 〇 上。此時，藉由對極12而傳導至由密封部14之內周所包 圍的範圍的熱之一部分’係藉由集電配線35c而釋放至密 封部14之外周之外。 然而’烙鐵前端部的溫度係如爲可熔融高融點焊料， 並無特別加以限制，.但例如2 0 0〜4 5 0 °C之情況係從充分熔 融焊料的觀點而爲理想，而2 5 0〜3 5 0。(：之情況係從焊料的 氧化防止’及防止經由光增感色素的熱之劣化的觀點而更 爲理想。另外，從烙鐵前端部產生的超音波振動頻率數係 Q 10kHz〜200kHz爲佳，而20kHz〜100kHz之情況係從防 止傷及金屬板4之觀點爲更佳。 接著，從熔融之高融點焊料，將烙鐵離開，由冷卻高 融點焊料者而形成端子7。 另一方面，對於第1端子7乃從含有銅及鎳之至少一 方的金屬構件加以構成之情況，首先，在與對極1 2之作 用極U側相反側的表面上，從垂直於對極12的表面的方 向來看對極12之情況，於與集電配線35c重疊的位置’ 配置金屬構件，將金屬構件’呈壓上於對極12地進行加 -29- 201101511 壓。其加壓係包含經由金屬構件之自重，而加上壓力至金 屬板之情況。並且，在加壓金屬構件之狀態，施加超音波 振動至金屬構件。如此，在對極12與金屬構件之間，對 極1 2與金屬構件係經由超音波振動而相互摩擦，至少去 除不需要之氧化皮膜之一部分，經由加壓之塑性變形，以 固態狀態加以接合。如此，端子7乃接合形成於對極1 2 之表面上。 此時，對極12與金屬構件之間的壓力係較〇N/m2爲 大之300N/m2以下之情況乃在緊密對極12與金屬構件之 觀點而爲理想，而1〜100 N，m2之情況乃在防止對極12 的變形之觀點而更理想。 另外，傳達至金屬構件的超音波係對於接合對極12 與金屬構件的面，平行方向地傳達爲佳。更且，超音波的 振動頻率數乃1kHz〜200kHz之情況係從良好地接合對極 I2與金屬構件之觀點爲佳，而10kHz〜100kHz之情況係 從控制傷及對極1 2之觀點而爲更佳。另外，超音波的振 動寬幅乃〇.〇1〜50μιη之情況係從接合的觀點爲佳，而 0·1~10μιη之情況係從抑制傷及金屬構件及金屬板4之觀 點而爲更佳。 然而，在接合金屬構件時，如對於金屬構件進行加 熱，因更提昇接合之強度之故而爲佳。此時之金屬構件的 溫度係例如爲1 0〜5 0 (TC，但從容易接合對極1 2與金屬構 件之觀點爲佳，而20-200 °C之情況乃從將色素及電解液 保持爲良好狀態之觀點而更佳。然而此時，藉由對極12 -30- 201101511 而傳導至由密封部14之內周所包圍的範圍的熱之一部 分，係藉由集電配線35c而釋放至密封部14之外周之 外。 以上，對於本發明，以例說明過第1，第2實施形 態，但本發明並不限定於此等。 例如，在第1實施形態中，無機密封部14b係呈包圍 多孔質氧化物半導體層3地加以設置，但本發明並不局限 0 於此等，無機密封部14b乃只設置於密封部14之周方向 之一部分亦可。此情況，對於未設置無機密封部1 4b之部 分，係樹脂密封部1 4a乃連結作用極1 1與對極1 2 » 例如，在第1，第2實施形態中，無機密封部14b係 只設置於作用極1 1上，但本發明並不局限於此。例如， 將無機密封部設置於作用極11與對極12上，以樹脂密封 部連結設置於作用極11上之無機密封部與設置於對極12 上之無機密封部亦可。此時之設置於作用極11上之無機 Q 密封部與設置於對極12上之無機密封部的構成係如作爲 與在第1，第2實施形態之無機密封部1 4b同樣的構成即 可。並且，在設置於作用極11上之無機密封部及設置於 對極1 2上之無機密封部之表面’較與樹脂密封部連結之 範圍，電解質側之範圍係如由保護樹脂層加以被覆即可。 例如，在第2實施形態中，端子形成工程係作爲在密 封工程之後進行，但本發明並不限於此。例如，於密封工 程之前進行端子形成工程亦可。 此情況，於進行密封之前之對極12之一方表面，形 -31 - 201101511 成端子7。端子7的形成係如與上述實施形態之 工程同樣地進行即可。 接著，端子7乃爲了未經由樹脂密封部而加 未形成在對極1 2之端子7側之表面乃如朝向作戶 地，使作用極1 1與對極1 2對面而進行密封即可 方法係如與上述實施形態之密封工程同樣地進行 如此，經由將端子形成工程，於密封工程之 時，在端子形成工程中，即使加上熱之情況，因 孔質氧化物半導體層3與電解質5之前之故，在 工程的熱乃傳達至光增感色素或電解質5，可防 色素或電解質5產生劣化。 另外，在第1，第2實施形態中，多孔質氧 體層·3係做成形成於第2電極20上之構成。並 極11係由第2電極20與載持光增感色素之多孔 半導體層3加以構成，對極1 2係作爲以第1電I 成者。但本發明並不限於此，多孔質氧化物半導 形成於第1電極10上，作用極11係由第1電卷 持光增感色素之多孔質氧化物半導體層3加以構 12係作爲以第2電極20而構成者亦可。圖3乃 所示之光電變換元件1 1 〇之如此變形例的剖面圖 變換元件120中，第1電極10係由金屬板4加 作用極11係由第1電極10與載持光增感色素之 化物半導體層3加以構成。另外，第2電極2〇 基材2與透明導電體1與設置於透明導電體1上 端子形成 以密封， 目極1 1側 。密封的 即可。 前進行之 在密封多 端子形成 止光增感 化物半導 且，作用 質氧化物 g 1 0而構 體層3係 i 1〇與載 成，對極 〖顯7Γ：圖2 。在光電 以構成， 多孔質氧 係由透明 之觸媒層 -32- 201101511 6加以構成，對極12係由第2電極20加以構成。然而， 觸媒層6係例如由光透過程度加以薄製膜之白金等所成。 光電變換元件120之製造係如以下加以進行。首先， 準備由金屬板4所構成之第1電極10。接著於第1電極 10上，形成多孔質氧化物半導體層3。形成多孔質氧化物 半導體層3之方法係與在第2實施形態，形成多孔質氧化 物半導體層3之工程同樣作爲進行即可。接著，於多孔質 0 氧化物半導體層3，載持光增感色素。光增感色素之載持 係與在上述實施形態，載持光增感色素之工程同樣作爲進 行即可。如此，得到於第1電極10上形成多孔質氧化物 半導體層3之作用極11。 接著，準備對極12。對極12之準備係於透明基材2 上，形成透明導電體1，除預定配線部30c，30s之形成 的範圍之外，於透明導電體1上形成觸媒層6而作爲第2 電極。形成透明導電體1之方法係在第2實施形態中，與 〇 於透明基材2上，形成透明導電體1之方法同樣作爲進行 即可。對於透明導電體1上形成觸媒層，係以與在上述實 施形態，於金屬板4上形成觸媒層之方法同樣的方法進行 即可。如此所得到之第2電極乃成爲對極1 2。 接著，形成配線部3 0 c，3 0 s。配線部3 0 c，3 0 s的形 成係如經由與第2實施形態同樣的方法而形成即可。如 此，得到形成有配線部30c，30s之第2電極。 接著，在作用極1 1與對極12之間，由密封部14而 密封多孔質氧化物半導體層3與電解質5。密封的方法係 -33- 201101511 如與第2實施形態之密封工程同樣地進行即可。接著，形 成端子7。端子7的形成係如與第2實施形態之端子形成 工程同樣地進行即可。另外，其他的工程係與第2實施形 態同樣。 如此作爲而得到光電變換元件1 20。 另外，在光電變換元件120之製造中，在前述爲在密 封工程之後形成端子7，但亦可在密封工程之前進行端子 7之形成。由如此作爲，在端子形成工程中，即使加上熱 情況，熱未傳導至電解質5，可防止經由端子形成工程的 熱，電解質5產生劣化者。 更且，在光電變換元件120之製造中，亦可在色素載 持工程之前進行端子7之形成。由如此作爲，在端子形成 工程中，即使加上熱情況，熱未傳導至光增感色素，可防 止經由端子形成工程的熱，光增感色素產生劣化者。 另外，在前述之實施形態中，端子7係在與對極12 之作用極1 1側相反側之表面上，沿著連結作用極1 1與對 極12之方向來看對極12之情況，形成於與在由密封部 1 4之外周所包圍的範圍之集電配線3 5 c重疊之位置。但 本發明並不限於此，亦可形成於與集電配線3 5 s重疊之位 置。 另外，在第1，第2實施形態中，第2電極係作爲由 透明基材2及設置於透明基材2上之透明導電體1加以構 成，但經由導電性玻璃而加以構成亦可。此情況，亦可作 爲於與第2電極之第1電極側相反側之表面，形成端子之 -34- 201101511 構成。 另外’在第1，第2實施形態中，作爲只於作用極的 表面上形成集電配線之構成，但例如將對極，由導電玻璃 而構成，於對極之作用極側的表面，形成集電配線亦可。 另外，第1電極係作爲經由鈦或含有鈦之合金與觸媒 層而加以構成者，但亦可經由設置觸媒層於鎳等之金屬之 構成，或白金板等而加以構成。另外，構成端子7之材料 0 係如爲設置於第1電極上之導電性的材料，並無特別加以 限制。 [產業上之利用可能性] 如根據本發明，提供對於耐久性優越之光電變換元 件。 【圖式簡單說明】 Ο 圖1乃顯示有關本發明之第1實施形態的光電變換元 件之剖面圖。 圖2乃顯示有關本發明之第2實施形態的光電變換元 件之剖面圖。 圖3乃顯示圖2所示之光電變換元件之變形例的剖面 圖。 【主要元件符號說明】 1 :透明導電體 -35- 201101511 2 :透明基1 3 ， 3a， 3b 5 :電解質 7 :端子 8 :端子 10 :第1電 11 ·‘作用極 1 2 :對極 1 4 :密封部 14a :樹脂S 14b :無機ί 1 7 :保護樹 20 :第2電 30c， 30s: 35c ， 35s : 36c， 36s: 100， 110, :多孔質氧化物半導體層 極 5封部 容封部 脂層 極 配線部 集電配線 配線保護層 120:光電變換元件 -36-

Claims (1)

1. 201101511 七、申請專利範圍 1.—種光電變換元件，其特徵乃具備：相互對向之 一對的電極； 和設置於前述一對的電極之一方的多孔質氧化物半導 體層， 和配置於前述一對的電極之間的電解質； 和連結前述一對的電極，包圍前述多孔質氧化物半導 0 體層與前述電解質而密封之密封部； 前述密封部之至少一部分乃由形成於前述一對的電極 之至少一方表面之無機材料所成之無機密封部，和沿著連 結前述一對的電極之方向，與前述無機密封部連結，由含 有樹脂之材料所成之樹脂密封部所構成， 較與前述無機密封部之表面的前述樹脂密封部連結之 範圍，前述電解質側的範圍係由具有對於前述電解質而言 之耐性的保護樹脂層加以被覆者。 〇 2.如申請專利範圍第1項記載之光電變換元件，其 中，更具備具有設置於在前述一對的電極間之前述一對的 電極之至少一方表面上之金屬所成之集電配線，和被覆前 述集電配線之無機材料所成之配線保護層的配線部， 前述配線部之至少一部分係構成前述無機密封部之至 少一部分， 在前述配線部乃構成前述無機密封部之部分，前述樹 脂密封部乃與前述配線保護層連結，較與前述配線保護層 之表面的前述樹脂密封部連結之範圍，前述電解質側的範 -37- 201101511 圍係由具有對於前述電解質而言之耐性的保護樹脂層加以 被覆者。 3 .如申請專利範圍第2項記載之光電變換元件，其 中，前述配線部之其他一部分係設置於在由前述密封部內 周所包圍之範圍內的前述一對之電極之至少一方表面上， 在由前述密封部內周所包圍之範圍內的前述配線保護層係 由前述保護樹脂層而被覆全體者。 4_如申請專利範圍第2項或第3項記載之光電變換 元件，其中，前述配線部係從由前述密封部外周所包圍之 範圍設置至前述密封部外周之外側，於與在前述一對的電 極之至少一方之前述一對的電極間側相反側之表面，設置 端子，前述端子係看沿著連結前述一對的電極之方向而設 置前述端子之電極之情況，形成於與在由前述密封部外周 所包圍之範圍的前述配線部重疊之位置者。 -38-