TW201041191A - Light emitting device package, backlight unit, display device and illumination device - Google Patents

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201041191 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光裝置封裝件，且詳而令 關於一種具有包含波長轉換材質的樹脂封裝件部分之… 波長的發光裝置封裝件，以及利用該發光裝置封襞件之^ 光單元（BLU)、顯示裝置及照明裝置。 【先前技術】 發光一極體（light emitting diode ; LED)為一種將 〇電能轉換為光能之半導體裳置。該發光二極體係由依據能 帶間隙產生特定波長的光線之化合物半導體所形成。發光 二極體的用途正日益擴展到光通訊、行動顯示、電腦螢幕 '等的顯示、用於液晶顯示器（liquid crystal display;LCD) •的背光單元（backlight unit ; BLU)及照明裝置的領域。 具體而言，由於發展用於照明裝置的發光二極體需要 大電流、咼光通量、及均勻（uniform)的光線發射，因此導 致研發新的設計及製程之需求。 〇 一般而言，為了發射白光’通常藉由利用如點膠 (dispensing)的已知方法，將波長轉換材質的化合物（例如 磷光體（phosphor)及透明樹脂）塗敷於發光二極體晶片的 周圍，來製發光裝置封裝件。於這樣的情形中，位於該 發光二極體晶片的上表面及側表面上之波長轉換材質的數 量會有所不同，藉此，於從該發光二極體晶片的上表面所 \發出的白光與從該發光二極體晶片的側表面所發出的白光 之間便產生不同的顏色特性（如顏色溫度）。 94807 3 201041191 換吕之’如第1圖 同會導致於光線發射期^ ’…特性（如顏色溫度）之不 (_，贈，：s= 帶x，稱之為細 光裝置封裝件之全體。均勻的白光發射特性遍佈於發 該:二片安裝區域具有杯形結構且以 質所_擴::::::路，換材 (optical efficiency)。 / 少光學效率 【發明内容】 避免=先之=供—種藉由提高其光線效率以及 射均勻顏⑽不同，得以發 光：提供-種包含該發光裝置封裝件之 本發明之禮樣另提供—種包含該發光裝置封之 顯示裝置及照明裝置。 展件之 八依據本發明之態樣’提供一種發光裝置封裝件，係包 .封裝件主體，係用以設置晶片安裝區域且包含及 第二引線端；發光二_晶片，係絲在該晶 上且電性連接至該第―及第二引線端；凹部，係配^晶 片安裝區域内的該發光二極體晶片的周圍；以及辣 換部，係由含有波長轉換材質之樹脂所形成，复_、 =㈣光二極體晶片且具有由該凹部所定二外 94807 4 .201041191 ， 該波長轉換材質可包含罐光體、量子點（quantum dot)、或前述者之混合物。 該碟光體可包含破酸鹽基磷光體、氧化物基磷光體、 氣化物基碟光體、石榴石基磷光體、硫化物基磷光體、或 前述者之組合。 〇 〇 § I子點~j包含含有如硫化録、石西化鑛、蹄化編、句 鋅西化辞、碲化鋅、硫化汞、砸化汞及碲化汞的二四 ☆ (gr〇up Π-νι)化合物之半導體奈米晶體、或含有如氣^ 二、_磷化鎵、碎化鎵、磷化銦及砷化銦之三五族一 一Y化合物之半導體奈米晶體、或前述之混合物。 ^波長轉換材f可包含磷錢及量子點之混合物。摩 發光轉換材f可包含黃色和綠色磷光體及紅色 尤里于點之混合物。 :凹部可具有圓形形狀以圍繞該發光二極體晶片。 形狀^ 可具有對應該發光二極體晶片的外部形狀的 咳發杏“ 圍繞該發光二極體晶片。 可具有四邊形形狀以圍燒該發光二極體晶片邊“該㈣ 其中片可安裝於該第-及第二引線端之 需求，具有树忠_ 一 化線知的上表面中。根據 向下延伸的散熱片。'a日片女裝於其上之引線端可具有 94807 5 201041191 該凹。阿形成於該封裝件主體之引線端以外的表面。 舉例而§ ’該封裝件主體可包含陶变基板，係用以設 置曰曰片安裝區域，及至少_部份之該凹部係可配置於該陶 竞基板中。 §該凹部定義為第〜凹部時，該發光裝置封裝件可復 包含第二凹部，其係配置於該晶片安裝區域中，且與該第 -凹部間隔均勻間距同時圍繞該第一凹部。 w /口著該第凹口P配置之波長轉換部定義為第一波 長轉換部時，該發光裝置封裝件可復包含第二波長轉換部， 其配置於該第-波長轉換部上且由該第二凹部所定義。 該第-及第二波長轉換部可包含發射不同波長之光 2的不同波長轉換材質。該第—波長轉換部的波長轉換材 貝可產生光線，其具有波長短於該第二波長轉換部的波長 轉換材質所產生光線之波長。 該凹邻可具有V形、u形或四邊形的形式之垂直剖面。 該凹部可藉由壓印或蝕刻製程所形成。 由該凹部所圍繞的區域可設定為該發光二極體晶片 的區域的九倍或少於九倍。 連接該發光二極體晶片中心至該凹部之一點的暫時 直線的長度可設定為從該發光二極體晶片中心至該直線通 過之該發光二極體晶片之邊緣之一點的該發光二極體晶片 之長度的三倍或少於三倍。 Θ該波長轉換部的最大高度可設定為該發光二極體晶 片厚度的四倍或少於四倍。 94807 6 201041191 該發光一極體晶片可藉由導線連接至談第一及第二 引線端的至少一者，且該導線的高度高於樹脂封裝件部分 的最大高度。 根據本發明之另一態樣，提供一種包含該發光裝置封 裝件之光源模組及背光單元。 根據本發明之另一態樣，提供一種包含該發光裝置封 裝件之藏示裝置及照明裝置。 【實施方式】 〇 現在將參考附圖來詳細說明本發明之示範實施例。然 而’本發明可以許多不同的形成來實施，而並非限定於在 此所述之實施例中。再者，提供這些實施例使得本揭露内 容係徹底且完整，並完全傳達本發明的範疇予熟習該項技 術之人士。應理解到，在圖式中元件的形狀和尺寸可以誇 大或縮小以便於解釋。 第2圖係為依據本發明之示範實施例說明發光裴置封 ❹裝件之侧面剖面圖。第3圖係用以說明第2圖之發光裝置 封裝件之頂面圖。 如第2圖所示，發光裝置封裝件1〇具有設置晶片安 裝區域11a之封裝件主體U。發光二極體晶片15係安裝 在晶片安裝區域11a上。 雖然未顯示於第2圖中，封I件主體n具有電性連 接至發光二極體晶片15之引線端（1- terminal)(未圖 示）°發光二極體晶片15可依據其電極結構藉由覆晶接合 (flip chip bonding)或導線而電性連接至該引線端。 94807 7 201041191 根據本實施例，封裴件主體u可包含圍繞晶片安裝 區域lla之侧壁結構lib。側壁結構lib可具有傾斜内" 壁，其可作為反射表面。 發光裝置封裝件10包含由樹脂18a所形成之波長轉 換部18，其中，樹脂l8a含有圍繞發光二極體晶片15的 波長轉換材質18b。波長轉換材質18b可包含磷光體、量 子點或兩者之混合物。一般而言，可形成波長轉換材質 18b，使得其依據發光二極體晶片15的發射波長，藉=混 合所獲得之發射光線的各段波長來產生白光。 舉例而言’當發光二極體晶片15發射藍光時，圍繞 發光二極體晶片15之波長轉換材fl8b可包含綠色和紅色 碟光體或量子點的組合’或額外地包含黃色或橘色碟光體 或量子點。 該綠色磷光體可為包含M2Si〇4:R之矽酸鹽基 (silicate-based)磷光體或包含石一以“⑽之氮化物基 (nitride-based)磷光體。該紅色磷光體可為包含 土

CaAlSiN3:R、MxSiyN(2/3x+4/3j〇: 或 MxSiy〇zN(2/3x+4/3y_2/3z):p ^ 氮化物基磷光體。在此，Μ為從由鎂（Mg)、鈣（Ca)、鳃（义 鋇（Ba)及鋅（Zn)所組成之二族元素中選擇至少一者，^ 為從稀土元素中選擇至少一者。 該構光體不以上述為限。用來作為該波長轉換材質 磷光體可為’如也1、（^，）2，训4:如、或（如、81 Ca、Mg)3Si〇5:Eii之矽酸鹽基磷光體、如（Β&、^、α、μ (Sc、Υ、Gd、La、Lu、A1、β in)2U4.Ce之氧化物基磷光體 94807 8 201041191 j 如（Ba、Sr、Ca、Mg)(A1、Si、Ga、In)0N:Eu、a -SiA1 ON:Eu、 或/3-SiA10N:Eu之氮化物基鱗光體、如（Y、Tb)3(Al、 Ga)50i2:Ce 之名榴石基（garnet-based)磷光體、如（Sr、

Ca、Ba、Mg)(S、Se、Te):Eu 之硫化物基（sulfide-based) 填光體、或前述者之組合。 該量子點可為包含例如硫化鎘（CdS)、硒化鎘（CdSe)、 碲化録（CdTe)、硫化鋅（ZnS)、砸化鋅（ZnSe)、碲化鋅 (ZnTe)、硫化汞（HgS)、硒化汞（HgSe)及碲化汞（HgTe)的二 ❹四族化合物之半導體奈米晶體、包含例如氮化鎵（GaN)、構 化鎵（GaP)、砷化鎵（GaAs)、磷化銦（InP)及砷化銦（lnAs) 之第三五族化合物之半導體奈米晶體、或前述混合物。 根據需求，該波長轉換材質可為磷光體和量子點之組 合。舉例而言，紅色發光量子點（代替光線效率相對較低的 紅色磷光體）可與黃色或綠色磷光體組合。 此外，樹爿a 18b可為被氧樹脂、秒樹脂、前述之混合 0 物、或前述之化合物。 用以形成波長轉換部18的區域，.係藉由形成於晶片 安裝區域lla中的凹部（gr〇〇ve p〇rti〇n)G所定義。本實 施例所採用的凹部G可定義為液態樹脂的外部邊界，而該 $態樹脂包含缝於波長轉換部18之波長轉換材質且憑Λ 著表面張力而具有凸©結構。含有波長轉換材f之該凸。面 結構的液態樹脂可透過硬化（curing)製程而設置作為波長 轉換部18 〇 ' 於此方式中，波長轉換部18的外部形狀係由凹部g 94807 9 201041191 所定義，且因而波長轉換部18可具有凸面結構。波長轉換 部18的形狀可主要藉由凹部G來決定，但會隨著液態樹脂 的黏性、表面特徵（如粗糙度、疏水性/親水性性質 曰 (hydrophobic/hydrophilic pr〇perty)、波長轉換材 容、添加物的形式和内容等而變化調整。 、 此外，由於波長轉換部18係藉由形成於發光二極體 晶片15周圍的凹部G所定義，相較於由晶片安裝區域 置的杯形結構所定義的情形，決定每—方向之光學路^又 度的厚度變化可能會減少。 ^ ^ 目此，便可解決在光學路#長度相對較長之波 部18的邊緣處，其顏色溫度不同所導致的乾心現象、、 = —__)，藉此可輸出具叫 =體㈣，遍佈於波長轉換部之全體均 長度會大大地減少，從而減少 尚的最小光學路徑長度，且具有 人 ，換所 範圍内之厚度。 〇至口適於波長轉換的 圭地，形成波長轉換部18的區域，亦即，凹部G 勺區戈，可限制為儘可能的小，且 體晶片區域的相對比例來表示。4可糟由發光二極 曰片：皮長轉換部18的區域可設定為發光二極體 日日片之£域的九倍或少於九倍。 極體 示較佳的狀況。其 雜才了用另—態樣來表 七w兄月將會稍後參考第6圖來說明。 94807 10 201041191 本實施例中所採用的凹部G可在晶片安裝區域ua的 底部表面具有一圓形，如第3圖所示（在此，波長轉換部 .18並未顯示於第3圖中），但不以此為限。這樣的凹部g 可藉由已知的製程，例如壓印（imprinting)、铸模（m〇lding) 或蝕刻製程所形成。 ❹ 〇 凹部G可形成在封裝件主體u的底部表面、該引線 端、或從封裝件主體11的底部表面通過該引線端。封粟件 體11包含设置晶片安裝區域的基板（substrate)。這樣 的基板是以陶瓷材質或合成樹脂所形成。 ， 、轰舉例而言，當須利用陶瓷基板時，透過壓印製程及其 ，結（Sintering)來實現於生胚薄片（green sheet)形、 、凹邛G ,藉此獲得具有該凹部6的陶瓷基板。 ' 型部:據置封裝件10可復包含樹骑成 前述之化合物之:二:樹 :樹脂成型部19。另外，與樹 利 構可設置在該封裝件域的頂部上。Q合之透鏡結 第4圖係為依據本發明之另一 先裝置，之部份切*透視圖。第5圖實苡=明發 圖之發光袭置封裝件之頂面圖。、為用以說明第 j 4圖所示，發光裝置封裝件仙且丰 相似” 中置，，主趙41中。 有發先二極體晶片45安裝^^區域41 a具 上封裝件主體41可包含 94807 11 201041191 圍繞晶片安裝區域41a之側壁結構41b。封展件主體4i勺 含在發光二極體晶片45周圍之波長轉換部仙，其中，、皮 長轉換部48係以包含波長轉換材質48b之樹脂所形成: 依據本實施例，定義用以形成波長轉換部48的區域 之凹部G具有對應於發光二極體晶片45的外部形狀之四邊 形。為了在發光二極體晶片45周圍形成的波長轉換部48 可具有更均勻的光學路徑長度’具有形狀對應於發光二極 體晶片45外型的凹部G允許厚度分布，藉此可預期保；塗 層（conformal coating)的效果。 具體而言 一炫篮日日片15 之每-側的位置’具有圓形的凹㈣與具有四邊形的發夕 二極體晶片15之間具有不均勻的間距^^%2)，然而，依 據本貫施例，設置在具有四邊形的凹部G的中心之發光-極體晶片45在每一側具有均勻間距（心）。 ^ 於本實施例中，在具有四邊形的凹部G的角落處之$ 間距係相對地大’但凸面的波長轉換部48的整體表; 表面張力而傾向具有均勻的表面曲率，藉此，波長轉換: 48可在該凹部的角落處具有厚度，其類似於在相鄰兩側: 厚度。因此，相較於第3圖所示之波長轉換部18，於々 施例中所採用的波長轉換部48緩和遍佈於波長轉換部^ 全體之光學路徑長度的變化，藉此可_更均勻的顏色半 性0 四邊形。該凹部的形狀可以 片的外部形狀’從而預期如 這樣的凹部結構並不限於 做成對應於其他發光二極體晶 94807 12 201041191 上述之類似功效。 有使用具有多逢形外形的晶片時，設置具 每-側處具有均句的間距，籍此^的晶片且從該晶片的 徑長紅波長轉換部。 k供財更均㈣光學路 第6圖係為用以說明關於本發採之 部的形狀之較佳條件之側面剖面圖。斤採用之波長轉換 ο 遍佈換:另一觀點來考慮本發明，其理解為-種 Ϊ二= 所引起的光學損失。此方法允許該 波長轉換4破保波長轉換所需 有減少至合適於波長轉換的範園内之=路控長度’且具

G 區域，η首先考慮到’限制用以形成波長轉換部68的 二L凹部G的區域。換言之，連接該發光二極體 長产部^點的暫時直線（tem财町㈣的 過^發Γ為從該發光二極體晶片之中心至該直線所通 度= ^的該發光二極體晶片的長 長轉例中’在最低條件下用於形成所需的波 68,連接該發光二極體晶片中心至 點:，線的長度W可設定為從該發;晶-〜至該直線所通過之該發光二_ 體日日片之中 光二極體〶η 體曰曰片邊緣之-點的該發 同樣5倍、或較佳為兩倍。 ’ ’可適當Μ波長轉換部68的高度條件。波 94807 13 201041191 長轉換部68的最大高度η可設定為該發光二極體晶片厚产 1的四倍或纽四倍。在最低條件下祕職所需的波長又 轉換部68，波長轉換部68的最大高度Η可設定為該發光 一極體晶片的厚度⑴.5倍、或較佳為兩倍。 本發明中所採社凹部的結構可被變化祕改。第7Α 及7Β圖顯示用以形成本發明中所採用的波長轉換部之凹 部的變化。 拓第7Α圖所示之凹部具有雙結構，包含圍繞安裝在基 G1間隔二極體晶片75之第—凹部G1及與第一凹部 文中曰f間距且圍繞第―凹部61的第二凹部.於本 文中，第二凹部G2係設置作為次凹部。 π 用於形成波長轉換部78的區域可藉由第一凹 i黏性V::能依據例如包含波長轉換材質的液態樹脂 二工广境之條件，而部分延伸超過第-凹部G1。 第二㈣t實施例’溢出第一凹部以的液態樹脂A可被 第一凹G2胆撞。於并古、土 士 θ 7〇 ^ ^ 此方去甲，即使用以形成波長轉換部 因此^超過第—凹部Gl，仍可被第二凹部G2所限制。 =县Γ有關於形成區域而產生重大誤差之下，得以實 現波長轉換部78 〇 Ά 之間的誤差的發生’在第一凹部G1與第二凹部G2 可設定為從該發光二極體晶片 一 ㈣的距離Da之〇.2倍或少於〇.2倍。 置額實施例，該凹部具有雙結構，但當需要時可設 置額外的切部。转，可設置複數個次凹部。 94807 14 201041191 此外’本發明中所採用的凹部可具有各種刹面形狀。 於上述實施例中，該凹部具有有利於壓印製程之v型結構。 然而，該凹部可為各種形狀’例如四邊形或曲線形。 舉例而言’如第7B圖所示’具有剖面為四邊形的凹 部G3可形成在有發光一極體晶片85安裝於其上之基板81 上’藉此利用凹部G3來定義用以形成波長轉換部88的區 域。 第8及9圖係顯示本發明之較佳示範具體實施例。於 〇 本實施例中’詳細說明了凹部所形成的位置以及關於引線 端結構的導線接合。 如第8圖所示’發光裝置封裝件1〇〇具有設置有晶片 安裝區域101a之封裝件主體101。晶片安裝區域101a具 '有發光二極體晶片105安裝於其上。 封裝件主體可包括圍繞晶片安裝區域101a之侧 壁結構101b。側壁結構l〇lb可具有作為反射表面之傾斜 ◎ 内壁。 本實施例中所採用之封裝件主體1〇1包含電性連接至 發光二極體晶片105之第一及第二引線端1〇2a及l〇2b。 散熱片103係設置於第一引線端i〇2a的較低部分之對應於 發光二極體晶片105所安裝的區域。 如第8圖所示，發光二極體晶片1〇5安裝在第一引線 端102β的上表面上’且分別藉由導線1〇6&及1〇6b連接至 第一及第二引線端l〇2a及l〇2b。 於本實施例中所採用之波長轉換部1〇8及1〇9可具有 94807 15 201041191 雙層結構。就此雙層結構而言，可使用前述額外的次凹部。 亦即，如第8及9圖所示，可形成彼此間隔均勻間距之雨 個凹部G1及G2 ’使得位於内側的第一凹部gi用以形成第 一波長轉換部108 ’且位於外侧的第二凹部用以形成第 二波長轉換部109，藉此設置所需具有雙層結構之波長轉 換部。 如上所述，於本實施例中，複數個凹部結構可具有不 同於第7A圖的實施例之相同的中心，藉此用以形成兩個波 長轉換層。 波長轉換部108及1〇9的每一者可以含有不同波長轉 換材質之樹脂所形&。舉例而t，位於内侧之第〆波長轉 換4 1〇8可包含相對短波長的鱗光體或量子點，而位於外 侧之第—波長轉換部⑽可包含相對長波長㈣光體或量 子點。 於—具體實施例中，第一波長轉換部108可為以綠色 及藍色磷域之混合物卿狀龍層。第二波長轉換部 109可為紅色軸體或紅色發光量子點。 於本不範實施例中，藉由利用兩個凹部G1及G2以設 置兩個波長轉換層。然而，根據需要，可復設置額外的凹 部及波長轉換層。 、於本實施例中所採用的第一及第二凹部G丨及G 2係形 成在其上安裝有發光二極體晶片105之第-引線端l〇2a :士表面亡。由於第一及第二引線端1〇2&及可以金 心、有同延展性的合金所形成，㈣G1及G2可根據需 94807 16 201041191 要以滾壓製程輕易地形成。 依據本實施例，發光二 结 線端⑽…咖係藉由導二片挪和第-及第二引 情形中，及lfl6b所連接。在此 少人mu %’用以形成波長轉換部⑽ :3有波長轉換材質的液態樹脂損壞“d_)該導線， ^而難以獲得所希望的凸面形狀。因此，如第8圖所示， 2驗及嶋的高度h可高於波長轉換部1〇8的最大 咼度〇 依據本發明，遍佈於發域置封裝狀全體的該發光 «置封裝件提供了優良的光線效率以及均句白色的特性， 藉此在各種應用中作為良好的白光源。以下，使用前述發 光裝置封裝件之各種應用，係作為本發明其他態樣的示範。 S 10A及10B1係依據本發明之各種示範實施例說明 發光二極體光源模組之透視圖。在此，所示範的發光二極 體光源模組可應用至顯示器的背光單元⑽）以及各種照 q 明裝置的光源。 如第10A圖所示之發光二極體光源模組11〇，係包含 印刷電路板（printed circuit board ; PCB)111 及安裝在 印刷電路板111之上表面上的複數個發光二極體光源115。 於本實施例中，發光二極體光源115可利用上述的發光裝 置封裝件。 於本實施例中所採用的發光二極體光源115可安裝在 印刷電路板111上’使得鄰近發光表面115a之發光二極體 光源115的表面係接觸印刷電路板111的上表面。發光二 94807 17 201041191 極體光源馳no可包含連㈣117，錢㈣ 應電路或其他發光二極體光源模組連接。 你供 同樣地，如第⑽圖所示之發光二極體光源模祖12〇 可包含印刷電路板121、複數個制前述發先裝置封裝件 之發先-極體紐125、以及連接器m。然而，不同於上 述之實施例’於本實施财所採用之發光二極體光源125 係設置與其下表面相對之發光表面125&作為安裝表面。 前述發光裝置封裝件可㈣表現於各種安t結構，且 可適用於設置各種4型式之發光二極體光源模组。前述 發先裝置縣似包含該發絲賴裝狀光源模組可適 用於各種顯示裝置或照明裝置。 第11A及11B圖係依據本發明之各種示範實施例說明 背光單元之剖面圖。 请务閱第11圖’其顯示作為背光單元的範例之側光 式（edge-type)背林元15()，其中，依據本發明之發光裝 置封裝件可適用於謗背光單元。 依據本實施例’側光式背光單元15G可包含光導板144 及光導板144之兩側所設置之發光二極體光源模組13〇。 依據本實施例，係在光導144相對的兩侧設置發光 二極體光賴組13〇。然而，可僅在光導板144的一側設 置該發光二極體光源模組，或者可在光導板144的另一侧 設置額外的發光二極體光源模組。 如第11A圖所示，復可於光導板144之下設置反射板 142。於本貫施例中所採用的發光二極體光源模組13〇可具 18 94807 201041191 有類似於第10B圖所示之結構。亦即，發光二極體光源模 組130包含印刷電路板131及複數個安裝於印刷電路板 • 131之上表面上之發光二極體光源135。發光二極體光源 135可使用前述發光裝置封裝件。 請參閱第11B圖，係顯示作為其他背光單元形式的範 例之直下式（direct-type)背光單元18〇。 依據本實施例之直下式背光單元180可包含光擴散板 174及排列在光擴散板174之下的發光二極體光源模組 〇 160° 於第11B圖所示之直下式背光單元18〇可包含在光擴 散板174之下用以容納發光二極體光源模組mo之底殼 171 〇 於本實施例中所採用的發光二極體光源模組160係包 含印刷電路板161及複數個安裝於印刷電路板κι之上表 面上的發光二極體光源165。發光二極體光源165可使用 ◎上述之發光裝置封裝件。 第12圖係依據本發明之示範實施例用以說明顯示裝 置之分解透視圖。 如第12圖所示之顯示裝置240係包含背光單元220 及如液晶面板230之影像顯示面板。背光單元220包含光 導板224及設置於光導板224之至少一側上之發光二極體 光源模組210。 依據本實施例，如第12圖所示，背光單元22〇復可 包括底殼221及在光導板224之下的反射板222。 94807 19 201041191 此外，依據各種光學特性的需求，在光導板224與液 晶面板230之間可包含各種型式的光學薄片226，例如擴 散薄片、稜鏡薄片或保護薄片。 發光二極體光源模組210包含準備在光導板224之至 少一侧上的印刷電路板211，以及複數個安裝在印刷電路 板211上且允許光線入射在光導板224上之發光二極體光 源215。發光二極體光源215可使用上述之發光裝置封筆 件。於本實施例中所採用之發光二極體光源215可為侧視 式（side view type)發光裝置封裝件，其中，鄰近於發光 表面之發光二極體光源的表面係安裝於該側視式發光事置 封裝件。 i 如上所述，依據本發明之示範實施例’具有相對均勺 厚度的波長轉換部可不依靠習知的杯形結構或其他模具而 輕易地形成於發光二極體晶片的周圍。具體而言，適也 考慮設定凹部的形狀及/或尺寸以及該晶#的形狀及/或尺 寸’藉此確保在每一個方向的光學路徑長度為最均勺 4且大 大增加發光效率。 雖然結合示範實施例來顯示及說明本發明，值對熟 此項技藝之人士而言，在不違背由申請專利範園所定 本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改與改： 顯而易見。 "十 【圖式簡單說明】 本發明之上述與其他態樣、特徵及其他優點將由上、 詳細說明並結合附圖而更加清楚地了解，其中： t 20 948〇7 201041191 第1圖係依據先前技術說明從發光裝置封裝件輸出光 線狀態之影像； 第2圖係依據本發明之示範實施例說明 件之側面剖面圖丨 ^置封裝 =圖係為說明第2圖之發光裝置封裝件之頂面圖； 封裝件之部另一不範實施例說明發光裝置 ο 第6 5兒明弟4圖之發光裝置封裝件之頂面圖； 乐匕圖係為說明關於本發明所搡技 狀之較佳條件之侧面剖面圖；所才木用之波長轉換部的形 轉換係為說明用以形成本發明所採用之波長 轉換邛之凹部變化之側面剖面圖； 第8圖係依據本發明之另— 封裝件之侧面剖面圖； ^貫施例說明發光裝置 Ο 係為說明第8圖之發光裝置封料之頂面圖； 發光m圖_據本發明之各種示範實施例說明 發先一極體光源模組之透視圖； 背光f UA及11B圖係依據本發明之各種示範實施例說明 穿九早7〇之侧面剖面圖；以及 第12圖係依據本發明之千益鲁 分解透視圖。 例說明顯示裝置之 【主要元件符號說明】 10、 4〇、1〇〇發光裝置封裝件 11、 41、ιοί封裝件主體 94807 21 201041191 lla、41a、101a 晶片安裝區域 lib、41b、101b 侧壁結構 12 凹部 15、45、75、85、105 發光二極體晶片 18、48、68、78、88 波長轉換部 18a、48a、68a、78a、88a 樹脂 18b、 48b 、 68b 、 78b 、 88b 波長轉換材質 19 樹脂成型部 61 ' 71 ' 81 基板 102a 第一引線端 102b 第二引線端 103 散熱片 106a、106b 導線 108 第一波長轉換部 109 第二波長轉換部 110、 120 、 130 、 160 、 210 發光二極體光源模組 111 ' 121 > 131 ' 161 ' 211 印刷電路板 115、 125 、 135 、 165 、 215 發光二極體光源 115a 、125a 發光表面 117 、 127 連接器 142、 222 反射板 144 、 224 光導板 150、 180、220 背光單元 171 ' 221 底殼 174 光擴散板 226 光學薄片 230 液晶面板 240 顯示裝置 A 溢出的樹脂 dl、ώ、da、 g 間距 G > G3 凹部 Gi 第一凹部 g2 第二凹部 Η、h、t 南度 D、W 長度 22 94807

Claims (1)

1. .201041191 七、申請專利範圍： ’ 1. 一種發光裝置封裝件，包括： 封裝件主體，係用以設置晶片安裝區域且包含第一 及第二引線端； 發光二極體晶片，係安裝在該晶片安裝區域上且電 性連接至該第一及第二引線端； 凹部，係配置於該晶片安裝區域内的該發光二極體 晶片的周圍，以及 〇 波長轉換部，係由含有波長轉換材質的樹脂所形 成，該波長轉換部圍繞該發光二極體晶片且具有實質上 由該凹部所定義之外部形狀。 _ 2.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中， 該凹部具有對應於該發光二極體晶片的外部形狀之形 狀。 3. 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置封裝件，其中， 該發光二極體晶片的外部形狀為多邊形，且該凹部具有 ◎ 多邊形形狀以圍繞該發光二極體晶片。 4. 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置封裝件，其中， 該發光二極體晶片的外部形狀為四邊形，且該凹部具有 四邊形形狀以圍繞該發光二極體晶片。 5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中， 該凹部具有圓形形狀以圍繞該發光二極體晶片。 6. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中， 該波長轉換材質為磷光體、量子點或前述者之混合物。 23 94807 201041191 7.如申請專利_第6韻述之發 — 該波長轉換材質包含 封震件，其中， 混合物。 ^、，杀色七先體和紅色礙光體的 8· Μ請專利_第7項所述 + 該綠色細為咖4:R、二置:，，、f中， 物，且該紅色碟光體⑽A1SiN3: 者之此合 MXS抓―^ 錤令錄、鋇及鋅所址成之二族元素中選^ 且R係從稀土it素中選擇至少—者:、、擇至少一者’ 9. 如相專利範項所述之發光裝 件，中 該波長轉換材質的量子點包含令古屐仵，、中 ··· 03 3有如硫化鎘、硒化鎘、 2仏、硫鱗、魏鋅、碲化鋅、硫以、硒化汞及 碲化汞的二四族化合物之半導體 rJ,,^丄 菔不米日日體、或含有如氮 化叙、Μ化鎵、石申化鎵、填化銦及石申化鋼之三五族化合 物之半奈米晶體、或前述的混合物。 、 10. 如申請專利範圍第6項所述之發衫置封料，其中， 較長轉換材質包含減個具有不同發光顏色的罐光 體及紅色發光量子點之混合物。 11. 如申請專利範圍第i項所述之發光裝置封裝件，其中， 該發光二極體晶片係安裝在該第一及第二引線端的其 中一者的上表面上。 12. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置封裝件，其 中，該凹部形成於具有該發光二極體晶片安裝於其/上之 該引線端之上表面中。 94807 24 .201041191 • 13.如U利範圍第u項或第12項所述之發光裝置封裝 件’其中’具有該發光二極體晶片安裝於其上之該引線 端具有向下延伸的散熱片。 14.如申請專利範圍第丨項所述之發枝置封料， 該封裝件主體包含： 八 陶瓷基板，係用以設置該晶片安裝區域；及 至少部份之該凹部，係配置於該陶瓷基板中。 〇 15.如中請專利範_丨項所述之發光裝置封裝件，其中， 該凹σ卩具有v形、u形或四邊形形式之垂直剖面。 16·如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置封裝件，其中， 該凹部係藉由壓印或蝕刻製程所形成。 17·如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置封裝件，其中， 由該凹部所圍繞之區域係設定為該發光二極體晶片的 區域的九倍或少於九倍。 18.如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置封裝件，其中， 〇 連接該發光二極體晶片中心至該凹部之一點的暫時直 線的長度係設定為從該發光二極體晶片中心至該直線 通過之該發光二極體晶片之邊緣之一點的該發光二極 體晶片之長度的三倍或少於三倍。 19.如申g|專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中， 該波長轉換部的最大高度係設定為該發光二極體晶片 的厚度之四倍或小於四倍。 .20.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，復包括 §該凹部定義為第一凹部時’第一凹部係配置於該晶片 94807 25 201041191 間距同時圍繞該 安裝區域中且與該第1部間隔均勾 第一凹部。 21.如申料職㈣20項所述之發光 括當沿著該第-凹部所配置之波長 封/件’復έ 波長轉換部時，第二波長轉換部係配置於H義為第-換部上且由該第二凹部所定義。 、孩第—波長與 22.^申請專利範圍第21項所述之發光褒置封裝件，甘 的’該第-及第二波長轉換部包含發射波丄〜 的不同波長轉換材質。 長之光 23· ^申請專利範圍第22項所述之發光裝置封， ，該第一波長轉換部的波長轉換材質產生^其 有波長短於由該第二波㈣換部的波㈣換=，心 生光線之波長。 、材質所產 24.如申請專利範圍第1項所述之發光裳置封 該發光一極體晶片藉由導線連接至該第一^其中 Μ :的至少一者’且該導線的高度高於樹脂二弓丨線 最大高度。 χ件部分 25.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件， 該封襄件主體包含園繞該晶片钱區域的侧其中， 26· 一種包含如申請專利範圍第1項至第25工員中^構。 所逑之發光裝置封震件之發光二極體光源模細何項 27. 一種包含如申請專利範圍第1項至第25項巾彳 所述之發光裝置封裝件之背光單元。 壬何〜項 28. 一種顯示裝置，包括： 26 948〇7 201041191 面板，用以顯示影像；以及 如申請專利範圍第27項所述之該背光單元，該背 光單元係用以提供光線予該面板。 29.—種包含如申請專利範圍第1項至第25項中任何一項 所述之發光裝置封裝件之照明裝置。 〇 〇 27 94807