WO2021182585A1

WO2021182585A1 - 発光装置、及びその製造方法、並びに面状発光装置

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Publication number: WO2021182585A1
Application number: PCT/JP2021/009911
Authority: WO
Inventors: 田村　量; 拓磨堀内; 昭渡邊
Original assignee: シチズン電子株式会社; シチズン時計株式会社
Priority date: 2020-03-13
Filing date: 2021-03-11
Publication date: 2021-09-16
Also published as: JP7438326B2; JPWO2021182585A1

Abstract

発光装置は、実装基板と、実装基板の表面に接着された回路基板と、実装基板の表面である実装領域に実装された複数の発光素子とを備え、実装基板及び回路基板の外縁が平面視で重畳しない非重畳部が形成される。

Description

発光装置、及びその製造方法、並びに面状発光装置

　本発明は、発光装置、及びその製造方法、並びに面状発光装置に関する。

　液晶ディスプレイ等の表示装置用、又はシーリングライト等の照明装置用の光源として、面状に光を照射するバックライトが用いられる。バックライトは、ケースの側面に配置された発光装置が出射する光を、導光板を用いて面状の光に変換してバックライトの主面から照射する、いわゆるエッジライト型のバックライトとして構成されることが一般的である。

　バックライトに用いられる光源は、一般に、実装基板と回路基板とを接着した集合基板上に、発光素子を実装して形成される。例えば、特開２０１５－２０７７４３号公報に記載されるＬＥＤ照明装置は、アルミ基板と、アルミ基板上に設けられた複数の増反射処理層と、複数の増反射処理層上に接着されたＬＥＤ素子と、アルミ基板上で複数の増反射処理層が設けられた領域以外の領域に接着されたプリント配線基板と、プリント配線基板とＬＥＤ素子とを接続するワイヤと、ＬＥＤ素子の周囲に配置されたダム材と、ダム材の内側領域に配置された蛍光体樹脂を有する。

　バックライト用の発光装置は、製造効率を向上させるために、実装基板と回路基板とが接着された一枚の大型の集合基板上に複数の発光装置を形成した後、集合基板を切断して複数の発光装置に個片化して形成されることが一般的である。一方、発光装置の小型化の進展により、実装基板と回路基板との間を接着する接着部の面積が小さくなると共に、切断される切断部と配線パターンとの間の離隔距離が減少する。発光装置の小型化の進展により、接着部の面積が小さくなり且つ切断部と配線パターンとの間の離隔距離が減少することで、実装基板と回路基板との間の剥離、及び配線パターンの断線が発生し、発光装置の製造歩留まりが低下するおそれがある。

　本開示は、集合基板を切断して個片化された複数の発光装置を形成するときに、基板の剥離及び配線パターンの断線が発生するおそれが低い発光装置を提供することを目的とする。

　本開示に係る発光装置は、実装基板と、実装基板の表面に接着された回路基板と、実装基板の表面である実装領域に実装された複数の発光素子とを備え、実装基板及び回路基板の外縁が平面視で重畳しない非重畳部が形成される。

　また、発光装置では、実装基板及び回路基板は、第１方向に伸延する線状の平面形状を有し、非重畳部は、第１方向に延伸する辺に沿って配置されることが好ましい。

　また、発光装置では、実装基板の第１方向に直交する第２方向の長さは、回路基板の第２方向の長さよりも長いことが好ましい。

　また、発光装置では、実装基板の第１方向に直交する第２方向の長さは、回路基板の第２方向の長さよりも短いことが好ましい。

　また、発光装置では、非重畳部は、第１方向に延伸する一対の辺のそれぞれに複数配置されることが好ましい。

　また、発光装置では、非重畳部は、扇形の平面形状を有し、実装基板の四隅に配置されることが好ましい。

　また、発光装置は、実装基板の裏面に接合された金属板を更に有し、実装基板は、第１の熱膨張率を有する材料で形成され、回路基板は、第１の熱膨張率より小さい第２の熱膨張率を有する材料で形成され、金属板は、第１の熱膨張率より小さい第３の熱膨張率を有する金属で形成されることが好ましい。

　また、面状発光装置は、発光装置と、底面、及び底面の端部から直立して延伸すると共に、発光装置が固定される側面を有するケースと、複数の発光素子から出射された光を入射する入光面と、入光面から入射した光を出射する出光面とを有し、入光面を複数の発光素子に対向させ、且つ、出光面の反対の面が底面に対向するように配置された導光板と、出光面の全体を覆うように配置された光学シートと、実装基板が固定される側面に近接して配置された第１端辺、及び導光板の上部に配置された第２端辺を含み、第１端辺と第２端辺との間で、発光装置から出射されて光学シートへ向かう直接光を遮光するように導光板と光学シートとの間に配置された遮光部材とを有することが好ましい。

　また、面状発光装置では、発光装置は、複数の発光素子を封止する封止材を更に備え、複数の発光素子から遮光部材までの垂直方向の距離をＨ、封止材の表面の直上から第２端辺までの距離をＤとした場合、Ｈ／Ｄが、１．０以下であることが好ましい。

　また、面状発光装置では、発光装置は、複数の発光素子を封止する封止材を更に備え、導光板は、入光面に設けられ、複数の発光素子の発熱に応じて発光装置に向けて伸長する凸部を更に有し、複数の発光素子が発光していない非発光状態における導光板の凸部の長さが、入光面から封止材の表面までの発光面離隔距離以上、且つ、入光面から発光装置の基板までの基板離隔距離以下であることが好ましい。

　発光装置の製造方法は、回路基板の裏面を実装基板の表面に接着して集合基板を形成し、実装領域に、複数の発光素子を実装し、実装基板及び回路基板の第１方向に沿う外縁が平面視で重畳しない非重畳部が形成されるように、集合基板を第１方向に沿って切断して、複数の発光装置を形成する工程を含む。

　また、発光装置の製造方法では、集合基板を形成する工程は、複数の回路基板を実装基板の表面に、第１方向に直交する第２方向に互いに離隔するように配置する工程を含み、複数の発光装置を形成する工程は、集合基板を、複数の回路基板の間を第１方向に沿って切断する工程を含むことが好ましい。

　また、発光装置の製造方法では、複数の発光装置を形成する工程は、集合基板を、複数の回路基板の間を第２方向に沿って切断する工程を更に含むことが好ましい。

　また、発光装置の製造方法では、集合基板を形成する工程は、回路基板の裏面に、複数の実装基板を第２方向に互いに離隔するように配置する工程を含み、複数の発光装置を形成する工程は、集合基板を、複数の実装基板の間を第１方向に沿って切断する工程を含むことが好ましい。

　また、発光装置の製造方法では、回路基板は、第２方向に所定の間隔離隔して第１方向に配列される複数の孔が形成され、集合基板を形成する工程は、回路基板の裏面を実装基板の表面に接着する工程を含み、複数の発光装置を形成する工程は、孔を切断するように、集合基板を及び回路基板を第１方向に沿って切断する工程を含むことが好ましい。

　本開示によれば、集合基板を切断して個片化された複数の発光装置を形成するときに、基板の剥離及び配線パターンの断線発が発生するおそれが低い発光装置が提供される。

第１実施形態に係る発光装置を用いたバックライトを模式的に示す斜視図である。図１に示すバックライトの分解斜視図である。第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す図である。バックライトの構成を模式的に示す平面図である。図４に示すバックライトのＣ－Ｃ’’線に沿った断面図である。図４に示すバックライトのＣ－Ｃ’線、Ｂ－Ｂ’線に沿った拡大断面図である。第１実施形態に係る発光装置の製造方法における、集合基板を形成する工程の一例を示す図である。図７に示す集合基板のＤ－Ｄ’線に沿った断面図である。発光素子を実装する工程、及び複数の発光装置に個片化する工程の一例を示す図である。第２実施形態に係る発光装置の製造方法における、集合基板を形成する工程の一例を示す図である。図１０に示す集合基板のＤ－Ｄ’線に沿った断面図である。発光素子を実装する工程、及び複数の発光装置に個片化する工程の一例を示す図である。第２実施形態に係る発光装置の製造方法を用いて製造された発光装置の構成を模式的に示す図である。第３実施形態に係る発光装置を製造するための集合基板を示す図である。第４実施形態に係る発光装置を製造するための集合基板を示す図である。第５実施形態に係る発光装置を製造するための集合基板を示す図である。第６実施形態に係る発光装置を製造するための集合基板を示す図である。第１変形例に係るバックライトの分解斜視図である。図１８に示すバックライトの拡大断面図である。図１８に示すバックライトにおいて、発光装置からの出射光量及び距離Ｈの値を変更させたときの、光学シートの下面位置での光束量のシミュレーション結果を示す図であり、（ａ）は発光装置が３００００（ｃｄ／ｍ²）の輝度の光を出射する場合のシミュレーション結果を示し、（ｂ）は発光装置が４５０００（ｃｄ／ｍ²）の輝度の光を出射する場合のシミュレーション結果を示し、（ｃ）は発光装置が６００００（ｃｄ／ｍ²）の輝度の光を出射する場合のシミュレーション結果を示す。第２変形例に係るバックライトの拡大断面図である。第３変形例に係るバックライトの分解斜視図である。（ａ）は図２２に示すバックライトの構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は図２２に示す導光板の凸部の拡大平面図である。（ａ）は図２２に示すＣ－Ｃ’線に沿う拡大断面図であり（ｂ）は２２に示すに示すＢ－Ｂ’線に沿った拡大断面図である。図２２に示すバックライトにおいて、発光装置の発熱によって導光板の凸部が伸長した様子を模式的に示す拡大平面図である。（ａ）は図２４（ａ）に示す導光板の凸部が伸長した様子を示す拡大断面図であり、（ｂ）は図２４（ｂ）に示す導光板の凸部が伸長した様子を示す拡大断面図である。図２４（ａ）及び２４（ｂ）に示す遮光部材のストッパ部、及び導光板の変形例を示す図である。第５変形例に係るバックライトの構成を模式的に示す平面図である。図２８に示すバックライトのＣ－Ｃ’線に沿う拡大断面図であり、図２８に示すバックライトのＢ－Ｂ’線に沿う拡大断面図である。（ａ）は遮光部材の変形例（その１）を示す図であり、（ｂ）は遮光部材の変形例（その２）を示す図である。遮光部材の変形例（その３）を示す図である。（ａ）は第１変形例に係る発光装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の底面図である。（ａ）は第２変形例に係る発光装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の底面図である。（ａ）は第３変形例に係る発光装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の底面図である。（ａ）は第４変形例に係る発光装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の底面図である。（ａ）は第５変形例に係る発光装置の断面図であり、（ｂ）は第６変形例に係る発光装置の断面図である。

　以下、本開示の好適な実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、各図において同一こと、又は相当する機能を有するものは、同一符号を付し、その説明を省略又は簡潔にするもある。

　（第１実施形態）
　図１は、実施形態に係る発光装置２を用いたバックライト１を模式的に示す斜視図である。バックライト１は、不図示の外部電源からケーブル２３を介して電力が供給されることに応じて、ケース６上の発光面１０から面状に光を照射する面状発光装置である。バックライト１は、例えば、液晶ディスプレイ等の表示装置用、又はシーリングライト等の照明装置用の光源として用いられる。バックライト１は、所定の方向に伸延した扁平な直方体の形状を有するが、実施形態に係るバックライトの形状は、用途に応じて適宜決定されてよい。また、実施形態に係るバックライトの発光面の形状は、適宜決定されてよく、５角形以上の多角形又は楕円形等の矩形状以外の形状であってもよい。

　図２は、バックライト１の分解斜視図である。バックライト１は、発光装置２、導光板３、反射シート４、及び光学シート５と、これらを収納するケース６を構成する上ケース６ａ及び下ケース６ｂを備える。

　発光装置２は、第１方向とも称される長手方向が下ケース６ｂの長手方向と一致するように、下ケース６ｂの一つの内側面に沿って配置される。発光装置２は、基板２０の長手方向にＬＥＤ（Light-Emitting Diode）等の発光素子が配列された発光領域２１を有する。発光装置２は、ケーブル２３を介して電力を供給され、３００００（ｃｄ／ｍ²）以上かつ４５０００（ｃｄ／ｍ²）以下の輝度の光を、発光領域２１から線状に出射する。バックライト１の中心部の輝度が１００（ｃｄ／ｍ²）のときの発光装置２の全光束量は１（ｌｍ／ｍｍ²）となる。発光装置２は、ケーブル２３を介して電力が供給され、発光領域２１から光を出射する。発光装置２は、２つの発光領域２１を有するが、実施形態に係る発光装置は、１つ又は３つ以上の発光領域を有してもよい。

　導光板３は、一つの主面である出光面３２と、発光装置２に対向する側面である入光面３１とを有し、出光面３２が上方に配置されるように下ケース６ｂに配置される。発光装置２の発光領域２１から出射した光は、入光面３１から導光板３に入射する。導光板３の出光面３２と反対の下面には微細な凹凸構造が形成され、入光面３１から導光板３に入射した光は、下面に形成された凹凸構造に反射して、出光面３２から出射される。導光板３は、例えば、ポリカーボネート及びアクリル等の樹脂、並びに耐光性の高いガラス等の光透過性部材により形成される。

　反射シート４は、導光板３と下ケース６ｂの間に配置される。反射シート４は、導光板３の下面から反射シート４に入射した光を導光板３に反射して、発光装置２の発光効率を向上させる。反射シート４は、例えば、アルミニウム、銀等の光反射率の高い金属を、ナイロン、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂に蒸着又は塗装して形成される。反射シート４の表面には、増反射膜がコーティングされてもよい。また、反射シート４として、光を反射する白色のシート等が用いられてもよい。

　光学シート５は、拡散シート、集光シート及び偏光シートの１つ又は２つ以上の組み合わせで構成され、導光板３の出光面３２を覆うように配置される。導光板３の出光面３２から出射した光は、光学シート５によって各種の光学的効果が加えられた後、バックライト１の発光面１０となる上ケース６ａの開口部６１から面状に照射される。

　拡散シートは、導光板３の出光面３２から出射する光を拡散する。拡散シートは、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート又はアクリル等の樹脂に、シリカ粒子等を分散させて形成される。集光シートは、導光板３の出光面３２から出射する光の配光分布を調整する。集光シートは、例えば、アクリル等の樹脂からなるプリズムシートである。偏光シートは、導光板３の出光面３２から出射する光の互いに直交する偏光成分のうちの一方を透過し、他方を吸収又は反射する。偏光シートは、例えば、樹脂等により形成される多層膜構造を有する。光学シート５において、拡散シート、集光シート及び偏光シートの配列は限定されず、光学シート５は、拡散シート、集光シート及び偏光シート以外のシートを更に有してもよい。

　上ケース６ａ及び下ケース６ｂは、合成樹脂又は金属等の硬度が高い材料で形成され、発光装置２、導光板３、反射シート４、及び光学シート５を収納する。下ケース６ｂの一つの側面には、発光装置２が配置され、下ケース６ｂの底面には、反射シート４、導光板３、及び光学シート５が、外形が一致するように順次重畳される。上ケース６ａが下ケース６ｂを覆うように更に配置されて、バックライト１が形成される。上ケース６ａは、開口部６１を有しており、開口部６１から光学シート５が露出する。また、下ケース６ｂは、四隅の一つに引出孔６２を有しており、発光装置２と接続されたケーブル２３は、バックライト１の外部に引出孔６２を介して引き出される。

　弾性部材７は、シリコン等の可とう性が高い樹脂により形成され、発光装置２が配置された側面に対向する下ケース６ｂの側面と、入光面３１と反対の導光板３の側面との間に配置され、導光板３を発光装置２の方向に押圧する。弾性部材７が配置されることで、発光装置２及び導光板３が下ケース６ｂ内で弾性的に固定される。弾性部材７は、黒色等の遮光性を有した材料で形成されてもよく、光を反射する白色の材料で形成されてもよい。弾性部材７が光を反射する白色の材料で形成されることにより、弾性部材７と導光板３が接触しても暗部にならず、バックライト１の狭額縁化が可能となる。

　図３（ａ）は発光装置２の構成を模式的に示す平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示すＡ－Ａ’線に沿った発光装置２の断面図である。発光装置２は、ＬＥＤ等の発光素子２４が実装された基板２０を有する。

　基板２０は、実装基板２０ａ及び実装基板２０ａの表面に接着された回路基板２０ｂを有する。実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂは、細長い線状の平面形状をするが、正方形又は長方形等の矩形の平面形状を有してもよい。実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂが線状の平面形状を有する場合、実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂの長手方向は、発光装置２の長手方向と一致し、実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂの幅方向は、発光装置２の幅方向と一致する。回路基板２０ｂは、開口部２９を有し、開口部２９の長手方向は発光装置２の長手方向と一致し、開口部２９の幅方向は発光装置２の幅方向と一致する。

　実装基板２０ａは、アルミニウム又は銅等の金属、若しくはセラミックスを主成分とする熱伝導率の高い材料で形成される。実装基板２０ａは平坦な表面を有し、回路基板２０ｂの開口部２９に露出した実装基板２０ａの平坦な表面上に、複数の発光素子２４が直接配置される。複数の発光素子２４が発光している発光状態において、発光素子２４から発生する熱は、熱伝導率の高い実装基板２０ａを伝導して効率よく放熱される。

　回路基板２０ｂは、フェノール、エポキシ、ポリイミド、又はポリエステル等の樹脂を主成分とする絶縁性の高く且つ実装基板２０ａを形成する第１の熱膨張率を有する材料よりも熱膨張率が小さい第２の熱膨張率を有する材料である樹脂で形成される。回路基板２０ｂの表面には、一対の配線２５ａ及び２５ｂが、回路基板２０ｂの開口部２９を挟むように幅方向に間隔を開けて、回路基板２０ｂの長手方向に伸延するように形成される。配線２５ａ及び２５ｂの長手方向の一方の端部には、電極２２ａ及び２２ｂが形成される。電極２２ａ及び２２ｂは、ケーブル２３を介して供給される電力を、発光素子２４に供給する。配線２５ａ及び２５ｂ並びに電極２２ａ及び２２ｂは、回路基板２０ｂ上に金又は銅等の金属をパターニングすることで形成される。配線２５ａ及び２５ｂは、更に、絶縁性膜であるソルダレジストにより覆われて保護される。

　長手方向に直交し、第２方向とも称される実装基板２０ａの短手方向の長さは、回路基板２０ｂの短手方向の長さよりも長い。実装基板２０ａの短手方向の長さが回路基板２０ｂの短手方向の長さよりも長いので、発光装置２は、長手方向に延伸する一対の辺に、実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂの外縁が平面視で重畳しない非重畳部４１を有する。発光装置２では、非重畳部４１は、発光装置２の長手方向に延伸する一対の辺の全体に亘って延伸するように形成される。

　発光素子２４は、青色の光を出射する青色ＬＥＤダイである。発光素子２４は、回路基板２０ｂの開口部６１から露出する実装基板２０ａの表面にダイボンドによって接着されると共に、カソード及びアノードがボンディングワイヤにより配線２５ａ及び２５ｂに電気的に接続される。複数の発光素子２４は、辺が対向するように配置されるが、発光素子２４を４５度回転させて、頂点が対向するように配置されてもよい。複数の発光素子２４は、上面が実装基板２０ａの表面と平行となるように配置される。

　複数の発光素子２４は、ボンディングワイヤにより電気的に接続されて一つの列を形成する。発光装置２では、一つの列に８個の発光素子２４が直列接続されるが、一つの列に接続される発光素子２４の数は、ケーブル２３を介して供給される電圧に応じて適宜決定される。例えば、順方向電圧が約３Ｖの発光素子２４が８個直列に接続されて一つの列が形成される場合、２４Ｖを超える電圧が供給される。列の両端に位置する発光素子２４は、ボンディングワイヤを介して配線２５ａ又は配線２５ｂに電気的に接続される。発光素子２４は、ケーブル２３、電極２２ａ及び２２ｂ、配線２５ａ及び２５ｂ、並びにボンディングワイヤを介して電力が供給されて発光する。配線２５ａと配線２５ｂの間には、発光素子２４に過電圧が印加されることを防止するツェナーダイオードが接続される。

　枠体２６は、回路基板２０ｂの開口部２９を囲むように環状又は矩形状に配置される。枠体２６は、例えば、シリコン樹脂又はエポキシ樹脂で形成される。枠体２６は、光を反射する酸化チタン等の微粒子を含有する白色の樹脂で形成される。枠体２６が発光素子２４から出射された光を反射することで、発光装置２の発光効率が向上する。

　封止材２７は、枠体２６によって囲まれた実装基板２０ａの開口部２９を封止して発光素子２４を保護する。封止材２７によって封止された領域は、発光装置２の発光領域２１である。封止材２７は、発光素子２４が出射した光を透過するエポキシ又はシリコン等の樹脂で形成される。封止材２７は、発光素子２４が出射する光をより長波長の光に波長変換する蛍光体を含有する。封止材２７される蛍光体は、例えば、発光素子２４が出射する青色光を吸収して黄色光を放射するＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）等の粒子状の蛍光体材料である。発光素子２４が出射する青色光と、蛍光体によって波長変換された黄色光とが混合されて、白色光が得られる。封止材２７は、青色光を例えば赤色光又は緑色光の黄色光以外の色の光に波長変換する蛍光体を含有していてもよく、蛍光体を含有していなくてもよい。また、発光装置２は、封止材２７を形成してから、枠体２６を取り除き、封止材２７が配置され且つ枠体２６が配置されなくてもよい。

　図４は、バックライト１の構成を模式的に示す平面図である。また、図５は、図４に示すバックライト１のＣ－Ｃ’’線に沿った断面図である。また、図６（ａ）及び６（ｂ）は、それぞれ、図４に示すバックライト１のＣ－Ｃ’線、Ｂ－Ｂ’線に沿った拡大断面図である。

　発光装置２は、長手方向が下ケース６ｂの長手方向と一致するように、下ケース６ｂの一つの側面に沿って配置される。発光装置２は、発光領域２１と反対の裏面において、下ケース６ｂの側面に、接着シート、接着テープ、又は接着剤によって接着される。発光装置２は、位置決めの精度を向上させるために、下ケース６ｂにねじ止めされてもよく、発光装置２の基板２０又は下ケース６ｂの側面に形成された貫通孔を介してピンにより固定されてもよい。

　導光板３は、発光装置２に向いた凸部３３を入光面３１に有する。導光板３の凸部３３は、入光面３１の両端に位置する第１凸部及び第２凸部、並びに入光面３１の中央に位置する第３凸部を含む。導光板３は、弾性部材７により押圧されて、凸部３３において発光装置２の基板２０を下ケース６ｂの側面に押圧する。弾性部材７は、導光板３の凸部３３が設けられた箇所と反対側の側面にそれぞれ配置されることにより、弾性部材７による押圧力が、凸部３３を介して発光装置２の基板２０に効率よく印加される。

　導光板３の凸部３３は、発光領域２１以外の領域である非発光領域において、発光装置２と当接するように導光板３の入光面３１に設けられることにより、発光領域２１の周囲に配置される枠体２６及び封止材２７は、凸部３３と接触して損傷することが防止される。

　図７は、第１実施形態に係る発光装置２の製造方法における、集合基板２０ｃを形成する工程の一例を示す図である。また、図８は、集合基板２０ｃのＤ－Ｄ’線に沿った断面図である。

　第１方向ｄ１に長手方向を有する開口部２９が形成され且つ第１方向ｄ１に伸延した形状をそれぞれが有する複数の回路基板２０ｂを、一枚の実装基板２０ａに接着して、図７及び図８に示す一枚の矩形の平面形状を有する集合基板２０ｃが形成される。集合基板２０ｃを形成する工程において、複数の回路基板２０ｂは、実装基板２０ａに、第１方向ｄ１と直交する第２方向ｄ２に所定の配置幅ｄで並べて配置され、接着層２００を介して実装基板２０ａと接着される。接着層２００として、例えば、接着シート、接着テープ、又は接着剤が用いられるが、分子接合及び拡散接合の技術により、複数の回路基板２０ｂは、接着層２００を用いない接着により実装基板２０ａに接着されてもよい。配置幅ｄは、例えば１０（ｍｍ）未満とされる。配置幅ｄは、シチズン電子（株）製ＣＬ－Ｌ１０４シリーズの第２方向ｄ２の幅が７（ｍｍ）であり、且つ、切断幅が約３（ｍｍ）であるため１０（ｍｍ）未満に設定された。

　図９（ａ）～９（ｃ）は、発光素子２４を実装する工程、及び複数の発光装置２に個片化する工程の一例を示す図である。図９（ａ）～９（ｃ）は、図８と同様に、図７に示す集合基板２０ｃのＤ－Ｄ’線に沿った断面図である。

　まず、図９（ａ）に示すように、回路基板２０ｂの開口部２９から露出する実装基板２０ａの表面である実装領域に、発光素子２４が実装される。発光素子２４を実装する工程において、まず、実装基板２０ａの表面上に、発光素子２４がダイボンドによって接着される。そして、発光素子２４のカソード及びアノードが、回路基板２０ｂの実装基板２０ａと反対側の面に形成された配線２５ａ及び２５ｂと、ワイヤボンディングによって電気的に接続される。発光素子２４がフリップ接続されるとき、発光素子２４は、回路基板２０ｂ上に設けられた接続部を介して配線２５ａ及び２５ｂに電気的に接続される。

　次に、図９（ｂ）に示すように、回路基板２０ｂの開口部２９を囲むように枠体２６が形成され、枠体２６によって囲まれた領域が封止材２７によって封止される。そして、切断手段を切断線に沿って第１方向ｄ１に移動することによって集合基板２０ｃが切断されて、図９（ｃ）に示すように、第１方向ｄ１に延伸する一対の切断辺を有する複数の発光装置２に個片化される。切断手段は、切断線を境界として集合基板２０ｃを上下にずらすようにせん断応力を加えることによって集合基板２０ｃを切断する例えばハサミ又はカッタであってもよい。また、切断手段は、切断線に沿って集合基板２０ｃを削ることによって集合基板２０ｃを切断する回転研磨装置又はノコギリであってもよい。また、切断手段は、第１方向ｄ１の切断線に沿ってレーザを照射することによって集合基板２０ｃを切断してもよく、切断線と垂直な第２方向ｄ２に曲げ応力を加えて集合基板２０ｃを曲げることによって集合基板２０ｃを切断してもよい。

　金属を主成分とする材料により形成される実装基板２０ａと樹脂を主成分とする材料により回路基板２０ｂを同時に切断すると、切断時に加わる応力によって実装基板２０ａと回路基板２０ｂとの間が剥離するおそれがある。また、レーザが照射されて生じる熱によって集合基板２０ｃの切断面が変形等して実装基板２０ａと回路基板２０ｂとが剥離するおそれがある。特に、回路基板２０ｂの配置幅ｄが１０（ｍｍ）未満であり、且つ、発光装置２が細長い線状の形状を有する場合は、接着層２００の面積が小さくなるため実装基板２０ａと回路基板２０ｂとの間が剥離しやすい。回路基板２０ｂに応力が加わると、回路基板２０ｂ上に形成された配線２５ａ及び２５ｂ、並びに発光素子２４を接続するボンディングワイヤが断線するおそれがある。実験では、接着層２００の第１方向ｄ１の長さが２５（ｍｍ）以上であり且つ接着層２００の第２方向ｄ２の長さが２．５５（ｍｍ）であるときに、切断により実装基板２０ａと回路基板２０ｂの剥離が生じた。第２方向ｄ２の長さが少なくとも２．５５（ｍｍ）以下になると、実装基板２０ａと回路基板２０ｂとの間に剥離が生じるおそれがある。

　本実施形態に係る製造方法では、集合基板２０ｃを切断して複数の発光装置２に個片化する工程において、隣り合う回路基板２０ｂの間の回路基板２０ｂが接着さない領域で実装基板２０ａは切断される。回路基板２０ｂが接着されない領域で実装基板２０ａが切断されることで、複数の発光装置２が個片化されるときに、実装基板２０ａと回路基板２０ｂとの間の剥離、並びに配線パターン及びボンディングワイヤの断線が防止される。なお、図７（ａ）に示す実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂは、細長い線状の平面形状を有するが、本実施形態に係る製造方法は、実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂが、正方形又は長方形等の矩形の平面形状を有する場合であっても同様の効果が得られる。

　また、実装基板２０ａが積層構造を有する場合、実装基板２０ａが各層ごとに順に数回に分けて切断されてもよい。例えば、実装基板２０ａが二層構造を有する場合、二層構造の第１層が切断された後に、二層構造の第２層が切断されてもよい。また、実装基板２０ａの第１層及び第２層が反対の方向から同時に切断されてもよい。実装基板２０ａの第１層及び第２層が反対の方向から同時に切断されることにより、集合基板２０ｃを切断して複数の発光装置２に個片化するときに、実装基板２０ａを構成する積層構造の各層の間の剥離が防止される。

　集合基板２０ｃを用いて製造された発光装置２は、図３（ｂ）に示されるように、発光装置２の幅方向のＡ－Ａ’線に沿った断面において、実装基板２０ａと回路基板２０ｂとで端部位置が異なる。端部位置は、実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂを平面視したときの実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂの位置である。特に、本実施形態に係る製造方法を用いて製造された発光装置２は、実装基板２０ａの幅方向の長さが、回路基板２０ｂの幅方向の長さよりも長くなる。

　（第２実施形態）
　図１０は第２実施形態に係る発光装置２ａの製造方法における、集合基板２０ｄを形成する工程の一例を示す図であり、図１１は図１０に示す集合基板２０ｄのＤ－Ｄ’線に沿った断面図である。

　第１方向ｄ１に長手方向を有する複数の開口部２９が第２方向ｄ２に互いに離隔して形成された一枚の回路基板２０ｂ１に、第１方向ｄ１に伸延した複数の実装基板２０ａ１を接着して、一枚の矩形の集合基板２０ｄが形成される。集合基板２０ｄを形成する工程において、複数の実装基板２０ａ１は、回路基板２０ｂ１に、第１方向ｄ１と直交する第２方向ｄ２に所定の配置幅ｄで並べて配置され、接着層２００を介して回路基板２０ｂと接着される。接着層２００として、例えば、接着シート、接着テープ、又は接着剤等が用いられる。配置幅ｄは、例えば１０（ｍｍ）未満である。

　図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、発光素子２４を実装する工程、及び複数の発光装置２ａに個片化する工程の一例を示す図である。図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、図１１と同様に、図１０に示すＤ－Ｄ’線に沿った断面図である。図１２（ａ）～図１２（ｃ）に示す工程は、集合基板２０ｄの形状が異なる以外は図９（ａ）～図９（ｃ）に示す工程と同様であるため、図９（ａ）～図９（ｃ）に示す工程と異なる点について説明する。

　図１２（ａ）～図１２（ｃ）に示す工程では、集合基板２０ｄを切断して複数の発光装置２に個片化する工程において、隣り合う実装基板２０ａ１の間の実装基板２０ａ１が接着されない領域で回路基板２０ｂ１を切断する。図１２（ａ）～図１２（ｃ）に示す発光装置２の製造方法によっても、図９（ａ）～図９（ｃ）に示す発光装置２の製造方法と同様の効果が得られる。

　図１３（ａ）は、第２実施形態に係る発光装置２の製造方法を用いて製造された発光装置２ａの構成を模式的に示す平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す発光装置２のＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

　集合基板２０ｄを用いて製造された発光装置２ａは、図３（ｂ）に示す発光装置２と同様に、発光装置２ａの幅方向のＡ－Ａ’線に沿った断面において、実装基板２０ａ１と回路基板２０ｂ１とで端部位置が異なる。本実施形態に係る製造方法を用いて製造された発光装置２では、実装基板２０ａの幅方向の長さが、回路基板２０ｂ１の幅方向の長さよりも短くなる。

　実装基板２０ａ１の短手方向の長さは、回路基板２０ｂ１の短手方向の長さよりも短い。実装基板２０ａ１の短手方向の長さが回路基板２０ｂ１の短手方向の長さよりも短いので、発光装置２ａは、長手方向に延伸する一対の辺に、実装基板２０ａ及び回路基板２０ｂの外縁が平面視で重畳しない非重畳部４２を有する。非重畳部４２は、発光装置２ａの長手方向に延伸する一対の辺の全体に亘って延伸するように形成される。

　（第３実施形態）
　図１４は、第３実施形態に係る発光装置２ｂを製造するための集合基板２０ｅを示す図である。図１４には、それぞれ、集合基板２０ｅの平面図とそのＤ－Ｄ’線に沿った断面図が示される。図１４に示す集合基板２０ｅは、集合基板２０ｃと比べて、一枚の回路基板２０ｂ２が一枚の実装基板２０ａ２に接着されて形成される点が異なる。集合基板２０ｅの他の構成は、集合基板２０ｃと同様であるため、集合基板２０ｃと異なる点について説明する。

　集合基板２０ｅは、複数の開口部２９が形成された一枚の回路基板２０ｂ２を、一枚の実装基板２０ａ２に接着して形成される。回路基板２０ｂ２には、切断線Ｓ１に沿って、細長い線状の平面形状を有する孔２８が形成されている。孔２８は、一定間隔でミシン目状となるように形成されなくてもよく、第１方向ｄ１の切断線Ｓ１上の少なくとも一部に形成されていればよい。孔２８の第２方向ｄ２の幅は、例えば３（ｍｍ）である。

　図９（ａ）～図９（ｃ）に示す第１実施形態に係る発光装置２の製造方法において、集合基板２０ｅを集合基板２０ｃの代わりに用いて実施形態に係る発光装置を製造した場合でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。回路基板２０ｂ２には、切断線Ｓ１に沿って孔２８が形成されているため、実装基板の全面に亘って回路基板が配置された集合基板を切断する場合と比べて、実装基板２０ａ２と回路基板２０ｂ２との間の剥離が防止される。また、集合基板２０ｅが、一枚の実装基板２０ａ２と一枚の回路基板２０ｂ２で形成されるため、集合基板２０ｃが一枚の実装基板２０ａと複数の回路基板２０ｂで形成される場合と比べて、集合基板２０ｅを形成する工程が簡素化される。

　集合基板２０ｅを用いて製造された発光装置２ｂは、実装基板２０ａ２の切断辺Ｓ１の一部において、実装基板２０ａ２の端部位置が回路基板２０ｂ２の端部位置と異なる。複数の非重畳部４３は、実装基板２０ａ２の端部位置が回路基板２０ｂ２の端部位置と異なる部分に形成される。複数の非重畳部４３は、発光装置２ｂの長手方向に延伸する一対の辺に沿って配置される。複数の非重畳部４３は、実装基板２０ａ３端部位置が回路基板２０ｂ３の端部位置と異なる部分に配置される。非重畳部４３は、発光装置２ｂの長手方向に延伸する一対の辺のそれぞれに沿って配置される。

　（第４実施形態）
　図１５は、第４実施形態に係る発光装置２ｃを製造するための集合基板２０ｆを示す図である。図１５には、それぞれ、集合基板２０ｆの平面図とそのＤ－Ｄ’線に沿った断面図が示される。集合基板２０ｆは、集合基板２０ｅと比べて、回路基板２０ｂに形成された孔２８ａが、集合基板２０ｆの第１方向ｄ１の一端付近から他端付近まで細長く伸びる点が異なる。集合基板２０ｆの他の構成は、集合基板２０ｅと同様であるため、集合基板２０ｅと異なる点について説明する。

　集合基板２０ｆは、集合基板２０ｅと同様に、複数の開口部２９及び孔２８ａが形成された一枚の回路基板２０ｂ３を、一枚の実装基板２０ａ３に接着して形成される。回路基板２０ｂ３は、第１方向ｄ１に伸延した開口部２９並びに配線２５ａ及び２５ｂをそれぞれ有する複数の回路部が、回路部の第１方向ｄ１の両端部において互いに連結される。

　図９（ａ）～図９（ｃ）に示す第１実施形態に係る発光装置２の製造方法において、集合基板２０ｆを、集合基板２０ｃの代わりに用いて発光装置を製造した場合でも、第３実施形態と同様の効果が得られる。図１５に示す孔２８ａは回路基板２０ｂ３の一端付近から他端付近まで連続して形成されるため、集合基板２０ｆを切断線Ｓ１に沿って切断する場合だけでなく、直交する第２方向ｄ２の切断線Ｓ２に沿って集合基板２０ｆを切断する場合でも切断が容易となる。例えば、集合基板２０ｆの端部位置を揃えるために、回路基板２０ｂ３の回路部でない端部を第２方向ｄ２の切断線Ｓ２に沿って切断する場合にも、集合基板２０ｆの剥離、及び配線パターン及びボンディングワイヤの断線が抑制される。集合基板２０ｆは、切断線Ｓ１に沿って切断された後に切断線Ｓ２に沿って切断されてもよく、切断線Ｓ２に沿って切断された後に切断線Ｓ１に沿って切断されてもよい。

　集合基板２０ｆを用いて製造された実施形態に係る発光装置２ｃは、実装基板２０ａ３の第１方向ｄ１に沿った切断辺Ｓ１において、実装基板２０ａ３の端部位置が回路基板２０ｂ３の端部位置と異なる。他方で、集合基板２０ｆを用いて製造された発光装置２ｃは、実装基板２０ａ３の第１方向ｄ１と直交する第２方向ｄ２に沿った切断辺Ｓ２においては、実装基板２０ａ３の端部位置が回路基板２０ｂ３の端部位置と同じである。複数の非重畳部４４は、実装基板２０ａ３端部位置が回路基板２０ｂ３の端部位置と異なる部分に配置される。非重畳部４４は、発光装置２ｃの長手方向に延伸する一対の辺のそれぞれに沿って配置される。

　（第５実施形態）
　図１６は、第５実施形態に係る発光装置２ｄを製造するための集合基板２０ｇを示す図である。図１６には、集合基板２０ｇの平面図とそのＤ－Ｄ’線に沿った断面図が示される。集合基板２０ｇは、集合基板２０ｃと比べて、複数の回路基板２０ｂ４が、互いに直交する第１方向ｄ１と第２方向ｄ２の両方向に並べて配置されている点が異なる。集合基板２０ｇの他の構成は、集合基板２０ｃと同様であるため、集合基板２０ｃと異なる点について説明する。

　図１６に示す集合基板２０ｇは、それぞれ開口部２９が形成された複数の回路基板２０ｂ４を、一枚の実装基板２０ａ上の互いに直交する第１方向ｄ１と第２方向ｄ２の両方向に並べて配置して形成される。

　図９（ａ）～図９（ｃ）に示す第１実施形態に係る発光装置２の製造方法において、集合基板２０ｇを、集合基板２０ｃの代わりに用いて発光装置２ｄを製造した場合でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。集合基板２０ｇは、まず、図９（ｂ）に示すように、第１方向ｄ１の切断線Ｓ１に沿って切断される。そして、集合基板２０ｇは、更に、第２方向ｄ２の切断線Ｓ２に沿って切断されて、複数の発光装置２ｄに個片化される。集合基板２０ｇを互いに直交する第１方向ｄ１と第２方向ｄ２の両方向に沿って切断して複数の発光装置２ｄに個片化する場合でも、集合基板２０ｇの剥離並びに配線パターン及びボンディングワイヤの断線が防止される。

　集合基板２０ｇを用いて製造された発光装置２ｄは、実装基板２０ａ４の第１方向ｄ１に沿った切断辺Ｓ１と第２方向ｄ２に沿った切断辺Ｓ２の両方において、実装基板２０ａ４の端部位置が回路基板２０ｂ４の端部位置と異なる。複数の非重畳部４５は、実装基板２０ａ４端部位置が回路基板２０ｂ４の端部位置と異なる部分に配置される。非重畳部４５は、発光装置２ｄの長手方向に延伸する一対の辺のそれぞれに沿って配置される。

　（第６実施形態）
　図１７は、第６実施形態に係る発光装置２ｅを製造するための集合基板２０ｈを示した図である。図１７には、集合基板２０ｈの平面図と集合基板２０ｈのＤ－Ｄ’線に沿った断面図が示される。図１７に示す集合基板２０ｈは、集合基板２０ｅと比べて、複数の回路基板２０ｂ５が、互いに直交する第１方向ｄ１と第２方向ｄ２の両方向に並べて配置されている点、及び孔２８ｂが円形状又は円弧状である点が異なる。集合基板２０ｈの他の構成は、集合基板２０ｅと同様であるため、集合基板２０ｅと異なる点について説明する。

　集合基板２０ｈは、複数の開口部２９が形成された一枚の回路基板２０ｂ５を、一枚の実装基板２０ａ５に接着して形成される。回路基板２０ｂ５は、第１方向ｄ１に沿った切断線Ｓ１と第２方向ｄ２に沿った切断線Ｓ２の交差領域に、円形状の孔２８ｂ又は円弧状の切り欠き２８ｃを有している。円形状の孔２８ｂ及び円弧状の切り欠き２８ｃの直径は、例えば３（ｍｍ）とされる。

　図９（ａ）～図９（ｃ）に示す第１実施形態に係る発光装置２の製造方法において、集合基板２０ｈを、集合基板２０ｃの代わりに用いて発光装置２ｅを製造した場合でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。集合基板２０ｈは、まず、図９（ｂ）に示すように、第１方向ｄ１の切断線Ｓ１に沿って切断される。そして、集合基板２０ｈは、更に、第２方向ｄ２の切断線Ｓ２に沿って切断されて、複数の発光装置２ｅに個片化される。集合基板２０ｈを互いに直交する第１方向ｄ１と第２方向ｄ２の両方向に沿って切断して複数の発光装置２ｅに個片化する場合でも、集合基板２０ｈの剥離並びに配線パターン及びボンディングワイヤの断線が防止される。また、回路基板２０ｂ５には、切断線Ｓ１及びＳ２に沿って孔２８ｂ又は切り欠き２８ｃが形成されているため、実装基板の全面に亘って回路基板が配置された集合基板を切断する場合と比べて、実装基板２０ａ５と回路基板２０ｂ５との間の剥離が防止される。特に、孔２８ｂ又は切り欠き２８ｃは、切断線Ｓ１と切断線Ｓ２の交差領域に形成されているため、集合基板２０ｈを切断線Ｓ１に沿って切断するときと、集合基板２０ｈを切断線Ｓ２に沿って切断するときの両方において効果が得られる。また、集合基板２０ｈが、一枚の実装基板２０ａ５と一枚の回路基板２０ｂ５で形成されるため、集合基板２０ｃが一枚の実装基板２０ａと複数の回路基板２０ｂで形成される場合と比べて、集合基板２０ｈを形成する工程が簡素化される。

　集合基板２０ｈを用いて製造された実施形態に係る発光装置２ｅは、第１方向ｄ１に沿った切断辺Ｓ１と第２方向ｄ２に沿った切断辺Ｓ２の交差領域において回路基板２０ｂ５の外縁部が円弧状の平面形状を有する。集合基板２０ｈを用いて製造された実施形態に係る発光装置は、交差領域において、実装基板２０ａ５の端部位置が回路基板２０ｂ５の端部位置と異なる。複数の非重畳部４６は、扇型の平面形状を有し、実装基板２０ａ５端部位置が回路基板２０ｂ５の端部位置と異なる部分に配置される。２つの非重畳部４６は、実装基板２０ａ５の四隅に配置される。

　以上のように、実施形態に係る発光装置は、集合基板を切断して複数の発光装置に個片化するときに、基板の剥離並びに配線パターン及びボンディングワイヤの断線を防止することが可能な発光装置の製造方法が提供される。

　（変形例）
　図１８は、第１変形例に係るバックライト１ａの分解斜視図である。

　バックライト１ａは、遮光部材８を有することがバックライト１と相違する。遮光部材８以外のバックライト１ａの構成要素の構成及び機能は、同一符号が付されたバックライト１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

　遮光部材８は、下ケース６ｂの側面側に配置された第１端辺８ａ及び導光板３の上部に配置された第２端辺８ｂを有する。遮光部材８は、第１端辺８ａと第２端辺８ｂとの間で、発光装置２から出射されて光学シートへ向かう直接光を遮光するように導光板３と光学シート５との間に配置される。遮光部材８が配置されることにより、発光装置２から光学シート５に直接入射する直接光によって光学シート５が変色して劣化することが防止される。

　図１９は、バックライト１ａの拡大断面図である。図１９は、図４に示すバックライト１のＣ－Ｃ’線に沿った拡大断面図に対応する拡大断面図である。

　遮光部材８は、導光板３と光学シート５との間で、導光板３の上部の一部を覆うように配置されている。また、遮光部材８は、発光装置２側に第１端辺８ａ、導光板３側に第２端辺８ｂを有する矩形のシート状部材である。さらに、遮光部材８は、導光板３側に遮光面８ｃを有する。遮光面８ｃは、光を通過させないインク等の印刷（グラデーション）によって形成される。

　遮光部材８の第１端辺８ａは、下ケース６ｂの端面の直上付近に位置している。発光素子２４から出射された光は、発光装置２の枠体２６によって遮られるため、遮光部材８の第１端辺８ａは、少なくとも枠体２６の最上部の直上より、下ケース６ｂ側に配置されることが好ましい。例えば、遮光部材８の第１端辺８ａは、発光装置２の実装基板２０ａの側面の直上に配置される。

　遮光部材８の遮光面８ｃは、発光装置２から出射され、導光板３を介さずに位置９ａ’で光学シート５に直接到達する直接光９ａ、及び、導光板３を介して位置９ｂ’で光学シート５に到達する光９ｂを遮る。発光装置２から出射された光９ｃは、遮光面８ｃで遮られることなく、位置９ｃ’を介して光学シート５に入射する。

　遮光部材８は、導光板３と光学シート５との間に挟持されて配置される。下ケース６ｂに対して、上ケース６ａが上からはめ込まれることで、遮光部材８は所定位置に位置決めされる。しかしながら、遮光部材８は、下ケース６ｂの端面に接着テープにより接着されることで、高精度に位置決めされる。また、遮光部材８は、下ケース６ｂと一体的に樹脂成型されてもよい。さらに、下ケース６ｂが金属材料で形成されている場合には、プレス加工によって折り曲げて成形されてもよい。また、遮光部材８は、発光装置２の実装基板２０ａの側面に接着テープにより接着されてもよい。

　遮光部材８の遮光面８ｃは、発光装置２から入射する光を導光板３に反射する反射面であってもよい。遮光面８ｃが反射面であるとき、発光装置２から出射した光が再利用されるので、バックライト１ａの発光効率が向上する。

　発光素子２４の直上の封止材２７の表面から遮光部材８の第２端辺８ｂまでの距離はＤ（ｍｍ）であり、発光素子２４の中心位置から遮光部材８までの垂直方向の距離はＨ（ｍｍ）である。図１９では、導光板３は、光学シート５及び下ケース６ｂとの間に間隔が形成されるが、導光板３は光学シート５及び下ケース６ｂとの間に間隔が形成されることなく配置されているので、距離Ｈは、導光板３の厚さの１／２とほぼ等しい。

　図２０は、バックライト１ａにおいて、発光装置２からの出射光量及び距離Ｈ（導光板の厚さの１／２）の値を変更させたときの、光学シート５の下面位置での光束量（lｍ）のシミュレーション結果を示す図である。シミュレーションは、ＳＹＮＯＰＳＹＳ社製のＬｉｇｈｔｔｏｏｌｓを使用して実行された。また、シミュレーションでは、発光装置２の配光はランバーシアン配光であり、輝度は３００００（ｃｄ／ｍ²）、４５０００（ｃｄ／ｍ²）、及び６００００（ｃｄ／ｍ²）である。さらに、シミュレーションでは、距離Ｈは、０．７（ｍｍ）、１．０（ｍｍ）、１．２５（ｍｍ）、１．５（ｍｍ）、１．６（ｍｍ）、１．７５（ｍｍ）、２．０（ｍｍ）及び３．０（ｍｍ）であり、導光板３は距離Ｈの２倍の厚さを有する。

　図２０（ａ）は、発光装置２が３００００（ｃｄ／ｍ²）の輝度の光を出射する場合のシミュレーション結果を示す。図２０（ｂ）は、発光装置２が４５０００（ｃｄ／ｍ²）の輝度の光を出射する場合のシミュレーション結果を示す。図２０（ｃ）は、発光装置２が６００００（ｃｄ／ｍ²）の輝度の光を出射する場合のシミュレーション結果を示す。図２０（ａ）～２０（ｃ）において、横軸は距離Ｄ（ｍｍ）であり、縦軸は光学シート５の下面位置での光束量（lｍ）である。また、曲線４０ａ～曲線４０ｈは、それぞれ、距離Ｈが０．７（ｍｍ）、１．０（ｍｍ）、１．２５（ｍｍ）、１．５（ｍｍ）、１．６（ｍｍ）、１．７５（ｍｍ）、２．０（ｍｍ）及び３．０（ｍｍ）であるときの光束量を示す。

　光学シート５が受光する光の光束量が０．０１２（lｍ）を超えるとき、光学シート５、特に光学シート５に含まれる偏光シートが経年劣化することがある。光学シート５が受光する光の光束量が０．０１２（lｍ）を超えないように、導光板３の厚さ、及び遮光部材８の第２端辺８ｂの位置を選択することにより、光学シート５の劣化が防止される。

　表１は、図２０に示すシミュレーション結果より算出された、光学シート５に入射される光の光束量が０．０１２（ｌｍ）未満になるときの最小のＨ／Ｄを示す。表１において、距離Ｈ（ｍｍ）は０．７（ｍｍ）、１．０（ｍｍ）、１．２５（ｍｍ）、１．５（ｍｍ）、１．６（ｍｍ）、１．７５（ｍｍ）、２．０（ｍｍ）及び３．０（ｍｍ）である。また、発光装置２から出射される光の輝度は３００００（ｃｄ／ｍ²）、４５０００（ｃｄ／ｍ²）及び６００００（ｃｄ／ｍ²）である。

　発光装置２から出射する光の輝度が３００００（ｃｄ／ｍ²）以上且つ６００００（ｃｄ／ｍ² ）以下である場合、Ｈ／Ｄの値が１．０であるとき、光学シート５に入射される光の光束量は、０．０１２（ｌｍ）未満である。Ｈ／Ｄの値が１．０以下であるように、導光板３の厚さ及び遮光部材８の第２端辺８ｂの位置を選択することにより、光学シート５の経年劣化が防止される。

　図２１は、第２変形例に係るバックライト１ｂの拡大断面図である。図２１は、図４に示すバックライト１のＣ－Ｃ’線に沿った拡大断面図に対応する拡大断面図である。

　バックライト１ｂは、遮光部材８の発光装置２側の面に配置された透光部材９を更に有することがバックライト１ａと相違する。透光部材９以外のバックライト１ｂの構成要素の構成及び機能は、同一符号が付されたバックライト１ａの構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

　透光部材９は、黄色又は赤者褐色を有するポリイミドとは異なり、無色透明である。透光部材９が遮光部材８の発光装置２側の面に配置されることによって、遮光部材８の遮光面８ｃに入射する光の損失を低減することができる。

　図２２は、第３変形例に係るバックライト１ｃの分解斜視図である。図２３（ａ）はバックライト１ｃの構成を模式的に示す平面図であり、図２３（ｂ）は導光板３の凸部３３の拡大平面図である。図２４（ａ）及び２４（ｂ）はバックライト１ｃの図２３（ａ）に示すＣ－Ｃ’線、Ｂ－Ｂ’線に沿った拡大断面図である。

　バックライト１ｃは、遮光部材８１及び８２を遮光部材８の代わりに有することがバックライト１ａと相違する。遮光部材８１及び８２以外のバックライト１ｃの構成要素の構成及び機能は、同一符号が付されたバックライト１ａの構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

　遮光部材８１及び８２は、遮光部材８と同様に、発光装置２に向いた遮光面を有し、発光装置２から光学シート５へ出射する直接光を遮光する。遮光部材８１及び８２は、発光装置２の発光領域２１から光学シート５へ出射する直接光を、発光装置２の発光領域２１の上方でのみ遮光する。遮光部材８１及び８２が発光領域２１の上方でのみ遮光することで、発光装置２の発光領域２１外の非発光領域の上方では光が遮光されないため、発光装置２が非発光領域において暗くなることが抑制される。

　遮光部材８１及び８２は、導光板３の入光面３１に向いた一つの端辺であるストッパ部８３を有する。ストッパ部８３は、入光面３１に向いて又は入光面３１に当接して導光板３が発光装置２の発光領域２１に接近することを防止するストッパとして機能する。ストッパ部８３がストッパとして機能することで、導光板３の入光面３１と発光装置２の基板２０との間には、少なくとも第１距離ｄ１の基板離隔距離が確保される。導光板３の入光面３１と発光装置２の発光領域２１の表面との間には、少なくとも発光面離隔距離ａ１が確保されて、発光装置２の発する熱又は光によって導光板３が劣化することが防止される。遮光部材８のストッパ部８３は必ずしも常に導光板３と当接していなくてもよく、ストッパ部８３と導光板３の間に一時的に隙間が生じてもよい。

　第１距離ｄ１は、例えば、発光装置２が発光状態となってから所定の第１期間ｔ１（例えば１分）が経過するまでは、発光装置２の発熱によって導光板３が劣化することが防止される基板離隔距離の最小値として、予め実測等によって決定される。また、第１距離ｄ１は、導光板３の温度が所定の第１温度Ｔ１（例えば８５（℃））未満であるときは、発光装置２の発熱によって導光板３が劣化することが防止される基板離隔距離の最小値として、予め実測等によって決定されてもよい。

　図２５は、発光装置２の発熱によって導光板３の凸部３３が伸長した様子を模式的に示す拡大平面図である。また、図２６（ａ）及び２６（ｂ）は、それぞれ、図２４（ａ）及び２４（ｂ）に示す導光板３の凸部３３が伸長した様子を示す拡大断面図である。

　発光装置２に電力が供給されて発光素子２４が発光状態になると、発光装置２の発する熱又は光によって導光板３の凸部３３の温度が上昇する。導光板３の凸部３３は、温度が上昇することに応じて、発光装置２の発熱によって長さｘ２に伸長する。凸部３３が伸長する一方で、弾性部材７が凸部３３の伸長に合わせて収縮するため、導光板３は全体として下ケース６ｂ内を発光装置２から離れるように変位する。

　導光板３の入光面３１から発光装置２の基板２０までの基板離隔距離は、発光装置２の発光状態において、第１距離ｄ１よりも大きい第２距離ｄ２以上に保持される。例えば、発光装置２が発光状態となってから所定の第１期間ｔ１が経過しても、或いは、導光板３の温度が所定の第１温度Ｔ１以上となっても、発光装置２の発熱によって導光板３が劣化することが抑制される。

　発光装置２の非発光状態において温度Ｔ０であったときの凸部３３の長さｘ１と、発光装置２の発光状態において温度Ｔ２となった凸部３３の長さｘ２との差Δｘ＝（ｘ２－ｘ１）は、凸部３３の線膨張係数αを用いて、式（１）により求められる。
　Δｘ＝α（ｘ１）（Ｔ２－Ｔ０）　　（１）

　発光装置２が発光状態となってから所定の第１期間ｔ１が経過したとき、又は導光板３の温度が所定の第１温度Ｔ１以上となったときに、基板離隔距離が大きくなるためには、凸部３３の線膨張係数αが大きいことが好ましい。凸部３３は、例えば、線膨張係数αが５０×１０^-6（１／Ｋ）以上であるポリカーボネート等の樹脂を主成分とする材料からなることが好ましい。また、約８５（℃）であるガラス転移温度を超えたときに、線膨張係数αが大きくなって凸部３３の伸長がより顕著になるＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）等を、凸部３３の材料として用いてもよい。

　しかしながら、凸部３３の材料として特別な材料を用いるとき、バックライト１ｃのコストは高くなる。ポリカーボネート等の一般的な樹脂を凸部３３として用いた場合でも基板離隔距離が大きくなるように、発光装置２の発光状態において、凸部３３の先端部が発光装置２に接近又は当接していることが好ましい。非発光状態における導光板３の凸部３３の長さは、入光面３１から発光領域２１の表面までの発光面離隔距離ａ１以上、且つ、入光面３１から発光装置２の基板２０までの基板離隔距離以下となるように調整される。発光領域２１の表面は、例えば、枠体２６の最も高く、導光板３に最も近い位置を通る面である。

　例えば、遮光部材８１及び８２のストッパ部８３によって、導光板３の入光面３１から発光装置２の基板２０までの基板離隔距離が、非発光状態において第１距離ｄ１＝５．００（ｍｍ）に保持される場合、非発光時における凸部３３の長さｘ１は、４．９９（ｍｍ）である。凸部３３の長さｘ１は、発光面離隔距離ａ１（例えば４．９０（ｍｍ））以上、且つ、基板離隔距離（５．００（ｍｍ））以下という上述の条件を満たすように調整されており、凸部３３の先端部と発光装置２の基板２０との間隙は、０．０１（ｍｍ）である。発光装置２の発熱によって凸部３３の長さが０．０１（ｍｍ）伸長して５．００（ｍｍ）となると、凸部３３の先端部が基板２０の当接領域に当接する。凸部３３の長さが０．０１（ｍｍ）伸長してｘ２＝５．０１（ｍｍ）となると、基板離隔距離も凸部３３の伸長によって拡大し、第１距離ｄ１よりも大きい第２距離ｄ２＝５．０１（ｍｍ）以上に保持される。

　凸部３３の伸長幅（Δｘ＝０．０２（ｍｍ））は、例えば、式（１）において、線膨張係数α＝５０×１０^-6（１／Ｋ）、非発光状態における凸部３３の長さｘ１≒５．００（ｍｍ）、及び温度上昇（Ｔ２－Ｔ０）＝８０（Ｋ）であるときに、実現される。さらに、ガラス転移温度を超えたときに線膨張係数αが大きくなるＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）のような特別な材料を、凸部３３の材料として用いることで、凸部３３の伸長幅Δｘは、更に大きくできる。

　導光板３の凸部３３の長さｘ１は、製造ばらつき等による誤差を有するので、凸部３３の先端部と発光装置２の基板２０との間隙は、非発光状態において、例えば０．００～０．０１（ｍｍ）となるように調整されてもよい。凸部３３の先端部と発光装置２の基板２０との間隙が０．００～０．０１（ｍｍ）となるように調整されることで、発光装置２の発熱によって凸部３３が少なくとも０．０１（ｍｍ）伸長すると、凸部３３の先端部が基板２０の当接領域に当接する。さらに、凸部３３の長さが０．０１（ｍｍ）伸長すると、基板離隔距離は、第２距離ｄ２＝５．０１（ｍｍ）以上に保持される。

　図２７は、図２４（ａ）及び２４（ｂ）に示す遮光部材８１及び８２のストッパ部８３、及び導光板３の変形例を示す図である。図２７は、発光装置２の発熱による基板離隔距離の拡大幅をより大きくすることが可能な構成を示す。図２７は、第４変形例に係るバックライト１ｄの拡大平面図、並びにバックライト１ｄのＣ－Ｃ’線及びＢ－Ｂ’線に沿った拡大断面図が示される。

　導光板３ａは、発光装置２に向いた側面に入光面３１よりも後退した後退面３４を有する。入光面３１と後退面３４との間には段差ｘ０が形成される。ストッパ部８３は、導光板３の後退面３４に向いて又は後退面３４に当接して、後退面３４から発光装置２の基板２０までの距離をｄ１＋ｘ０以上に保持することで、基板離隔距離を所定の第１距離ｄ１以上に保持する。ストッパ部８３は、入光面３１と後退面３４との間の境界面に配置される。入光面３１と後退面３４との間の境界面のステップ形状の角部は、曲線である。ステップ形状の角部が曲線であることにより、導光板３ａの入光面３１から入射した光が後退面３４で向きを変えて導光板３の出光面３２に集中して輝線が生じることが抑制される。

　非発光状態において、後退面３４から基板２０までの距離がｄ１＋ｘ０に保持される場合、凸部３３の長さｘ１が入光面３１を基準としてΔｘ伸長すると、導光板３及び凸部３３は、後退面３４を基準として（ｘ０＋ｘ１）／（ｘ１）Δｘ伸長する。バックライト１ｄは、発光装置２の発熱による基板離隔距離の拡大幅をより大きくできる。例えば、段差ｘ０が、凸部３３の長さｘ１とほぼ同じである場合、導光板３及び凸部３３の後退面３４を基準とした伸長幅は、凸部３３の入光面３１を基準とした伸長幅Δｘの約２倍となる。

　導光板３の凸部３３の温度が例えば所定の第１温度Ｔ１未満であるときは、基板離隔距離が第２距離ｄ２未満となるため、導光板３の入光面３１が発光装置２の発光領域２１に接近して、発光装置２から導光板３へ入光する光の入光効率が向上する。一方、導光板３の凸部３３の温度が例えば所定の第１温度Ｔ１以上になると、基板離隔距離が第２距離ｄ２以上となって、発光装置２の発熱によって導光板３が劣化することが抑制される。この所定の第１温度Ｔ１は、例えば、発光装置２の動作最高温度である８５（℃）、又はＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）のガラス転移温度である８５（℃）とされる。

　図２８は、第５変形例に係るバックライト１ｅの構成を模式的に示す平面図である。図２９（ａ）及び２９（ｂ）は、図２８に示すバックライト１ｅのＣ－Ｃ’線、Ｂ－Ｂ’線に沿った拡大断面図である。

　バックライト１ｃでは、発光装置２の発熱によって導光板３の凸部３３が伸長すると、遮光部材８１のストッパ部８３と導光板３の入光面３１との間に隙間が生る。バックライト１ｃは、ストッパ部８３と導光板３の入光面３１との間に隙間が生るため、一定輝度（４５０００（ｎｉｔ））を超えるような高輝度の光を出射すると、光学シート５に発光装置２から光が直接入射して光学シート５が経年劣化するおそれがある。

　バックライト１ｅの遮光部材８５は、導光板３と光学シート５の間へ延長した延長部８４を更に有する。遮光部材８の延長部８４は、導光板３の凸部３３が伸長したときに生じる遮光部材８と導光板３の間の隙間から光学シート５へ出射する発光装置２からの直接光を遮光する。

　遮光部材８５は、一枚の大きなひさしの形状を有し、導光板３の入光面３１の側の端部を、導光板３の凸部３３の上方も含めて完全に覆うように配置される。発光装置２から光学シート５へ出射する直接光が遮光部材８によって完全に遮光され、発光装置２から出射する直接光によって光学シート５が劣化することが更に防止される。

　なお、延長部は遮光部材８と別体とし、延長部８４の代わりに、例えば、図３０の遮光部材８の変形例に示すように、導光板３と光学シート５の間に第２遮光部材８６を配置してもよい。このとき、第２遮光部材８６は、例えば、アルミニウム、銀等の光反射率の高い金属を、ナイロン、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂に蒸着又は塗装して形成される。第２遮光部材８６の導光板３に対向する面には、更に、増反射膜等がコーティングされてもよい。また、第２遮光部材８６として、光を反射しやすい白色のシート等が用いられてもよい。延長部８４を別体とすると、例えば、延長部８４をポリエチレンテレフタレート、下ケース６ｂを金属とそれぞれ異なる材料を使用できる。延長部８４に金属等のより柔らかい材料を用いることができるので、導光板３及び光学シート５の損傷が防止される。遮光部材８と別体とされた第２遮光部材８６は、遮光部材８の上面に接着されてもよく、光学シート５の導光板３に向いた下面に接着されてもよい。第２遮光部材８６は、導光板３の入光面３１の側の端部を、導光板３の凸部３３の上方も含めて完全に覆うように配置される。

　図３１は、遮光部材の更に他の変形例を模式的に示す拡大断面図である。遮光部材は、下ケース６ｂと一体化していたが、遮光部材８７は、発光装置２の実装基板２０ａと一体化してもよい。遮光部材８７は、例えば、発光装置２の実装基板２０ａがプレス加工等によって折り曲げられて、実装基板２０ａの側面から起立するように形成されてよい。遮光部材８７は、発光装置２の実装基板２０ａと同じアルミニウム若しくは銅等の金属、又はセラミックスを主成分とする熱伝導率の高い材料で形成される。このような構成によっても遮光部材８１及び８２と同様の効果が得られる。

　図３２（ａ）は第１変形例に係る発光装置２ｆの断面図であり、図３２（ｂ）は発光装置２ｆの底面図である。図３２（ａ）は、図４のＡ－Ａ´断面に対応する断面図である。

　発光装置２ｆは、金属板１２０を有することが発光装置２と相違する。金属板１２０以外の発光装置２の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置２の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

　金属板１２０は、実装基板２０ａの下面に接合された接合面を有する。金属板１２０は、線状の部材である。金属板１２０は、第１の熱膨張率よりも小さい第３の熱膨張率を有する金属で形成される。実装基板２０ａがアルミニウムで形成される場合、金属板１２０は、例えば、鉄、インバー又は銀で形成される。鉄の熱膨張率は約１１～１３×１０^-6（１／℃）であり、熱伝導率は約６０～９０（Ｗ／ｍ・Ｋ）である。インバーの熱膨張率は約１．２～２．０×１０^-6（１／℃）であり、熱伝導率は約１０～１５（Ｗ／ｍ・Ｋ）である。銀の熱膨張率は約１８～２０×１０^-6（１／℃）であり、熱伝導率は約４１０～４３０（Ｗ／ｍ・Ｋ）である。

　なお、金属板１２０が鉄で形成されるとは、金属板１２０の材料が鉄を主成分とすることをいう。金属板１２０が銀で形成されるとは、金属板１２０の材料が銀を主成分とすることをいう。金属板１２０がインバーで形成されるとは、金属板１２０の材料が鉄及びニッケルの合金であることをいい、好ましくは、金属板１２０の材料が鉄にニッケルを重量比で３６パーセントとなるように加えた合金であることをいう。

　金属板１２０の外周は、実装基板２０ａの下面の外周と同一の形状を有する。金属板１２０は、金属板１２０の外周と実装基板２０ａの下面の外周とが一致するように実装基板２０ａに接合される。金属板１２０は、例えば、拡散接合により実装基板２０ａと接合される。なお、同一の形状は、２つの部材が厳密に同一の形状である場合に限られず、２つの部材が製造上の誤差と認められる差異がある状態を含む。

　発光装置２ｆは、実装基板２０ａの下面に接合された金属板１２０を有する。また、回路基板２０ｂは、実装基板２０ａの材料が有する熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する材料で形成される。また、金属板１２０は、実装基板２０ａの材料が有する熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する金属で形成される。実装基板２０ａの下面に接合された金属板１２０を有することで、発光装置２ｆは、熱膨張に伴う破損の可能性を低減させることを可能とする。また、金属板１２０は、鉄、インバー又は銀で形成されることが好ましい。特に、インバーは、熱膨張率が小さく発光装置２ｆの湾曲を抑えるので、好ましい。

　また、発光装置２ｆにおいて、金属板１２０は、金属板１２０の外周と実装基板２０ａの下面の外周とが一致するように接合される。すなわち、金属板１２０は、実装基板２０ａの下面の全面に接合する。発光装置２ｆは、金属板１２０を実装基板２０ａの下面の一部に接合する場合よりも金属板１２０の曲げ剛性が向上し、実装基板２０ａの湾曲が抑止される。

　図３３（ａ）は第２変形例に係る発光装置２ｇの断面図であり、図３３（ｂ）は発光装置２ｇの底面図である。図３３（ａ）は、図４のＡ－Ａ´断面に対応する断面図である。発光装置２ｇは、金属板の形状が発光装置２と相違する。

　発光装置２ｇが有する金属板１２０ａの外周は、実装基板２０ａの下面の外周と同一の形状を有する。金属板１２０ａは、金属板１２０ａの外周と実装基板２０ａの下面の外周とが一致するように実装基板２０ａに接合される。金属板１２０ａは、接合面の中央部に形成された開口部を有する。開口部は、長手方向に延伸する矩形の形状を有する。

　発光装置２ｇは、金属板１２０ａが開口部を有することにより、発光装置２ｆとほぼ同等の曲げ剛性を有しながら、その形成に要する金属材料の量を少なくすることができ、製造効率が向上する。また、発光装置２ｇは、金属板１２０ａが開口部を有することにより、金属板１２０ａの表面積が増加すると共に、実装基板２０ａの下面の一部が露出し、放熱効率が向上する。

　金属板１２０ａの開口部の形状は矩形状であるが、金属板の開口部の形状は、楕円形や多角形等の任意の形状が用いられてもよい。また、金属板１２０ａは、複数の開口部を有してもよい。

　図３４（ａ）は第３変形例に係る発光装置２ｈの断面図であり、図３４（ｂ）は発光装置２ｈの底面図である。図３４（ａ）は、図４のＡ－Ａ´断面に対応する断面図である。発光装置２ｈは、実装基板及び金属板の形状が発光装置２ｆと相違する。

　発光装置２ｈが有する実装基板２０ｉは、下面の中央部に凸部２１１ｂを有する。凸部２１１ｂは、長手方向に延伸する矩形状であり、その周囲は実装基板２０ｉの下面に垂直な面２１２ｂにより囲まれる。

　発光装置２ｈが有する金属板１２０ｂの実装基板２０ｉに接合された面は、実装基板２０ｉの下面と同一の形状を有する。また、金属板１２０ｂは、実装基板２０ｉの凸部２１１ｂの高さと同一の厚さを有する。金属板１２０ｂは、中央部に、凸部２１１ｂの外周の形状と略同一の形状の開口部２７１ｂを有する。

　金属板１２０ｂの開口部２７１ｂの径は、凸部２１１ｂの径よりも小さくなるように形成される。金属板１２０ｂは、その開口部２７１ｂが凸部２１１ｂに圧入されることにより、凸部２１１ｂが開口部２７１ｂに嵌合されて実装基板２０ｉに接合される。

　発光装置２ｈにおいて、実装基板２０ｉは凸部２１１ｂを有し、金属板１２０ｂは開口部２７１ｂと凸部２１１ｂとが嵌合して実装基板２０ｉに接合される。発光装置２ｈ全体としての厚さを増加させることなく実装基板２０ｉの断面積を凸部２１１ｂの分だけ増加させることができ、曲げ剛性が大きくなるため、発光装置２ｈが湾曲する可能性が低減される。

　また、発光装置２ｈにおいて、実装基板２０ｉを形成する材料は、凸部２１１ｂから効率的に放熱するために、金属板１２０ｂを形成する金属より大きい熱伝導率を有してもよい。例えば、実装基板２０ｉとして高熱伝導率であるアルミニウムを用いた場合、金属板１２０ｂとして低熱伝導率である鉄、インバーを用いても、凸部２１１ｂが高熱伝導率であるアルミニウムなので高い放熱性が維持できる。なお、発光素子２４は発光と共に発熱するから、凸部２１１ｂの少なくとも一部は、効率よく放熱ために、発光素子２４に対向する位置に設けられると好ましい。

　発光装置２ｈでは、金属板１２０ｂと実装基板２０ｉとは圧入により接合されるものとしたが、金属板１２０ｂと実装基板２０ａとは、拡散接合により接合されてもよい。この場合、開口部２７１ｂの径は、凸部２１１ｂの径よりも大きくなるように形成されてもよい。

　なお、開口部２７１ｂ及び凸部２１１ｂの形状は、矩形、楕円形、多角形等の任意の形状でよい。また、開口部２７１ｂ及び凸部２１１ｂは、それぞれ複数設けられてもよい。

　図３５（ａ）は第４変形例に係る発光装置２ｉの断面図であり、図３５（ｂ）は発光装置２ｉの底面図である。図３５（ａ）は、図４のＡ－Ａ´断面に対応する断面図である。発光装置２ｉは、金属板の形状が発光装置２ｆと相違する。

　発光装置２ｉが有する金属板１２０ｃは、長手方向に延伸し、その短手方向の幅が実装基板２０ａの幅よりも狭くなるように形成される。また、金属板１２０ｃの長手方向の長さは、実装基板２０ａの長手方向の長さよりも短くなるように形成される。金属板１２０ｃは、実装基板２０ａの下面の中央部に接合される。発光装置２ｆでは、実装基板２０ａの下面の一部が外部に露出し、放熱効率が向上する実装基板２０ａとして高熱伝導率であるアルミニウムを用い、金属板１２０ｃとして更に高熱伝導率である銀を用いると、放熱性を増すことができる。なお、発光素子２４は発光と共に発熱するから、金属板１２０ｃの少なくとも一部は、発熱効率を向上させるために、発光素子２４に対向する位置に設けられると好ましい。

　なお、金属板１２０ｃの長手方向の長さは、実装基板２０ａの長手方向の長さと同一に、又は実装基板２０ａの長さよりも大きくなるように形成されてもよい。また、実装基板２０ａの下面に凹部を設け、その凹部に金属板１２０ｃを配置してもよい。これにより、発光装置２ｉが厚くなることを抑制できる。

　図３６（ａ）は、第５変形例に係る発光装置２ｊの断面図である。図３６（ａ）は、図４のＡ－Ａ´断面に対応する断面図である。発光装置２ｇは、金属板の形状が発光装置２ｆと相違する。

　発光装置２ｊが有する金属板１２０ｄは、接合面の長手方向に延伸する一対の辺の一方の辺から接合面の法線方向に実装基板２０ａの側面に沿って延伸する壁部２７１ｄをさらに有する。壁部２７１ｄは、例えば、金属板１２０ｄを折り曲げ加工することによって形成される。壁部２７１ｄは、接合面の一方の辺の全体に亘って配置される。発光装置２ｊは、金属板１２０ｄが発光装置２ｄの上下方向について高い曲げ剛性を有するため、湾曲がより抑えられる。

　なお、壁部２７１ｄは、接合面の一方の辺の一部に配置されてもよく、実装基板２０ａの側面に接していてもよく、実装基板２０ａの側面から離隔していてもよい。

　図３６（ｂ）は、第６変形例に係る発光装置２ｋの断面図である。図３６（ａ）は、図４のＡ－Ａ´断面に対応する断面図である。発光装置２ｋは、金属板の形状が発光装置２ｆと相違する。

　発光装置２ｋが有する金属板１２０ｅは、第１壁部２７１ｅと第２壁部２７２ｅとを更に有する。第１壁部２７１ｅは、接合面の長手方向に延伸する一対の辺の一方の辺から接合面の法線方向に接合面と反対側に延伸する。第２壁部２７２ｅは、第１壁部２７１ｅの接合面に接する辺に対向する辺から短手方向に直交する方向に延伸する。発光装置２では、金属板１２０ｅは、発光装置２ｋの上下方向についてさらに高い曲げ剛性を有するため、湾曲がより抑えられる。

　なお、発光装置２ｋでは、第２壁部２７２ｅは第１壁部２７１ｅに対して接合面と同じ方向に延伸するが、このような例に限られず、第２壁部２７２ｅは第１壁部２７１ｅに対して接合面とは反対方向に延伸してもよい。

　上記の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示すものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならない。すなわち、本発明は、その技術思想又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。例えば、上記の実施形態の構成は組み合わせて実施することもできる。また、上記の実施形態に係る発光装置は、細長い線状の平面形状を有しているが、上記の実施形態の製造方法は、発光装置２が、正方形又は長方形等の矩形の平面形状を有する場合であっても効果が得られる。

Claims

　実装基板と、
　前記実装基板の表面に接着された回路基板と、
　実装領域に実装された複数の発光素子と、を備え、
　前記実装基板及び前記回路基板の外縁が平面視で重畳しない非重畳部が形成される、
　ことを特徴とする発光装置。
　前記実装基板及び前記回路基板は、第１方向に伸延する線状の平面形状を有し、
　前記非重畳部は、前記第１方向に延伸する辺に沿って配置される、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記実装基板の前記第１方向に直交する第２方向の長さは、前記回路基板の前記第２方向の長さよりも長い、請求項２に記載の発光装置。
　前記実装基板の前記第１方向に直交する第２方向の長さは、前記回路基板の前記第２方向の長さよりも短い、請求項２に記載の発光装置。
　前記非重畳部は、前記第１方向に延伸する一対の辺のそれぞれに複数配置される、請求項２に記載の発光装置。
　前記非重畳部は、扇形の平面形状を有し、前記実装基板の四隅に配置される、請求項５に記載の発光装置。
　前記実装基板の裏面に接合された金属板を更に有し、
　前記実装基板は、第１の熱膨張率を有する材料で形成され、
　前記回路基板は、前記第１の熱膨張率より小さい第２の熱膨張率を有する材料で形成され、
　前記金属板は、前記第１の熱膨張率より小さい第３の熱膨張率を有する金属で形成される、
　請求項１～６の何れか一項に記載の発光装置。
　請求項２～７の何れか一項に記載の発光装置と、
　底面、及び前記底面の端部から直立して延伸すると共に、前記発光装置が固定される側面を有するケースと、
　前記複数の発光素子から出射された光を入射する入光面と、前記入光面から入射した光を出射する出光面とを有し、前記入光面を前記複数の発光素子に対向させ、且つ、出光面の反対の面が前記底面に対向するように配置された導光板と、
　前記出光面の全体を覆うように配置された光学シートと、
　前記実装基板が固定される側面に近接して配置された第１端辺、及び前記導光板の上部に配置された第２端辺を含み、前記第１端辺と前記第２端辺との間で、前記発光装置から出射されて前記光学シートへ向かう直接光を遮光するように前記導光板と前記光学シートとの間に配置された遮光部材と、
　を有する、面状発光装置。
　前記発光装置は、前記複数の発光素子を封止する封止材を更に備え、
　前記複数の発光素子から前記遮光部材までの垂直方向の距離をＨ、前記封止材の表面の直上から前記第２端辺までの距離をＤとした場合、Ｈ／Ｄが、１．０以下である、請求項８に記載の面状発光装置。
　前記発光装置は、前記複数の発光素子を封止する封止材を更に備え、
　前記導光板は、前記入光面に設けられ、前記複数の発光素子の発熱に応じて前記発光装置に向けて伸長する凸部を更に有し、
　前記複数の発光素子が発光していない非発光状態における前記導光板の凸部の長さが、前記入光面から前記封止材の表面までの発光面離隔距離以上、且つ、前記入光面から前記発光装置の基板までの基板離隔距離以下である、請求項８に記載の面状発光装置。
　回路基板の裏面を実装基板の表面に接着して集合基板を形成し、
　実装領域に複数の発光素子を実装し、
　前記実装基板及び前記回路基板の第１方向に沿う外縁が平面視で重畳しない非重畳部が形成されるように、前記集合基板を前記第１方向に沿って切断して、複数の発光装置を形成する、
　工程を含む、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
　前記集合基板を形成する工程は、複数の前記回路基板を前記実装基板の表面に、前記第１方向に直交する第２方向に互いに離隔するように配置する工程を含み、
　前記複数の発光装置を形成する工程は、前記集合基板を、前記複数の回路基板の間を前記第１方向に沿って切断する工程を含む、請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
　前記複数の発光装置を形成する工程は、前記集合基板を、前記複数の回路基板の間を前記第２方向に沿って切断する工程を更に含む、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
　前記集合基板を形成する工程は、複数の前記回路基板の裏面に、複数の前記実装基板を前記第２方向に互いに離隔するように配置する工程を含み、
　前記複数の発光装置を形成する工程は、前記集合基板を、前記複数の実装基板の間を前記第１方向に沿って切断する工程を含む、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
　前記回路基板は、前記第２方向に所定の間隔離隔して前記第１方向に配列される複数の孔が形成され、
　前記集合基板を形成する工程は、前記回路基板の裏面を前記実装基板の表面に接着する工程を含み、
　前記複数の発光装置を形成する工程は、前記孔を切断するように、前記集合基板を及び回路基板を前記第１方向に沿って切断する工程を含む、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。