TW201038765A - ALD reactor, method for loading ALD reactor, and production line - Google Patents

Description

201038765 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 至多個基板之高速原 本發明係有關於一種用以處理 子層沈積製程反應器。 【先月U技術】 依照習知技術，基板載入至高 门迷原子層沈積製程反應 :、別進入低壓腔室之反應腔室中且藉由閥門控制將其 示’或者是反應腔室有一可閱罢 有了開I，透過此蓋基板可放置 ;反映腔室中。在此情況下，每— 甘暴板載入至尚速原子屏 沈積製程反應器及移除是由許客;， 曰 除步驟完成。于疋由〇個接續地分開的載入/移 用以ΓΓ知方式相關的問題是繁雜且緩慢的解決方案 τ冑#於產線中的高速原子層 、美連結相當困難。複雜舊 绩式糟由幾個接 ，-，、步驟載入基板及移除基板時， 罟，ν ^ 以於緩k且需要複雜的裝 乂控制基板。此外，習知技術並盔 离冻E 7 β …忒應用快速而有效的 -速原子層沈積製程運作，類似於流動式運作由 愁段進入高速原子層沈積製程， π欣傻進入下一生產階段。 【發明内容】 有鑑於此，本發明之目的在於提供—種 =:?=處理—至多個基板，高逮原子層沈= —’匕括至>'一反應腔室且反應腔室包括一前板， 201038765 其-有夕個氣體連接部，用以導入初始材料、沖洗氣體等 類似氣體至反應腔室中，特徵在於前板設置於放置基板的 上方以關閉反應腔室且設於基板表面特定距離以打開反 應腔室，以使，基板設置於载入至前板的上、下或前方， 其中前板距離基板-距離，因而在前板在放置於基板上且 在反應腔室關閉狀態下以進行高速原子層沈積製程。本發 月亦提供生產線，设置依據本案申請專利範圍第2 6項之 〇 技術。另外，本發明提供一方法，用以載入一至多個基板 至一高速原子層沈積製程反應器之一反應腔室及移除其 中於方法中，基板2載入至反應腔室中以進行處理： 藉由傳送基板載入至反應腔室之前板的上、下或前方 且則板包括具有多個氣體連接部，用以導入初始材料、沖 洗氣體等類似氣體至反應腔室中； 藉由相對於反應腔室之前板及基板移動，以放置前板 至基板上以關閉反應腔室至關閉狀態； 〇 且於方法中，基板由反應腔室中移除： 藉由相對於反應腔室之前板及基板移動，以一距離放 置板至基板，以打開反應腔室至打開狀態；且 藉由於打開狀態時的反應腔室中，傳送基板遠離前板 之上、下或前方。 本發明於一較佳實施例中描述於相關申請專利範圍 中。 本發明依據提供於一低壓腔室中之一反應腔室的高速 原子層沈積製程反應器，用於高速原子層沈積製程且基板 201038765 可於則板之上、下、前方水平方向傳送，透過給予初始 材料、沖洗氣體及其他氣體處理後，基板與前板彼此相對 移動，以於關閉狀態下放至前板於基板表面。當反岸腔室 設置於開放狀態時，其中前板以上方或下方-距_離基 板表面且基板處可於前板上方或下方移除取出。為關閉腔 室，基板與前板彼此相對移動，前板放至於待處理之基板 表面。基板與前板的相對運動，可藉由移動基板或前板或 同時產生。當基板上表面處理完時，前板可由上往基板上 表面低下移動，或者基板上表面向上移動以放置前板於上 表面上。可選擇地，基板向上且同時前板向下。基板的上 下表面可藉由提供上述用途分別設置於上下兩方之反應腔 室中之兩前板同時進行處理’亦即，基板如三明治般夹於 前板中間。 即使於本實施例中所述前板與支擇結構實質上於垂直 方向相對運動’前板與支撐結構亦可設置彼此於水平方向 相對運動。在此情形下，例如大型玻璃板設置垂直位置， 可由距離前板之—距離的位置傳送，因而前板與基板彼此 以水平方向相對移動，其中玻璃基板放置於前板之垂直位 反應腔至可藉由前板與基板相對地且水平地運動對應 打開。 ^ 本發明方法及系統之優點在於簡化載入基板特別是平 面基板到反應腔室中之高速原子層沈積製程反應器的步 驟。依據本發明，反應腔室之開啟與關閉，可由單—方向 的移動或相對移動達成。優勢地，藉由連接反應腔室，可 201038765 傳送基板至腔室中接著關閉， 且於腔至打開後對應地將基 板移除。因此反應腔室的結構 稱很間皁，载入及移除基板的 動作快速而簡化，當載入且關 奇閉腔至同時或移除及開啟腔 室同時進行時’較佳地，於同— J 方向進行。本發明同時具 有一優點’基板或基板支擇可由於、、，*山 林J由輪运帶中拆卸且無須分離 動作且強迫控制至上下封閉處， 處輸运▼並無受到關閉力且 可用於傳送。 Ο 為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂， 下文特舉較佳實施例並配合所附圖式做詳細說明。 【實施方式】 請參閱第1A圖，為本發明之高速原子層沈積製程反摩 器，本反應器設置用於安裝於生產線之—部分，其包括兩 至多個接續固接的製程腔室，於生產過程中使基板傳遞於 其中。冑速原子層沈積製程反應_ i，包括：一冑程腔室4 〇及一第一閘門設置14及一第二閘門設置Μ。製程腔室‘ 為一低壓腔室、高壓腔室或一般氣壓腔室（NTp:ibar，〇度 C) ’第一閘門設置14包括一閥門或對應分隔裝置，以使基 板2導入或移除製程腔室4。依據本發明之第丨人圖，高= 原子層沈積製程反應器1進一步包括傳送工具18,用以傳 送基板2至低壓腔室4進出。傳送工具18，可為傳送皮帶 供基板在上。依據第1B圖，傳送皮帶提供以使基板2支= 於其上，僅在相反邊緣或邊緣區域，換句話說，基板2放 置於傳送工具18上，以使基板2放置於傳送工具18上。 201038765 然而’即使規格定義於平面基板，亦可為其他構件如手機 貼等，可一至多個放置於基板支撐上。 在此規格中，基板2單指基板本身，可選擇地，可指 基板及基板支撐，且基板支撐/連接於生產過程。因此，在 方案1A & 1B中，實質平板2放置於傳送工具Μ上因而 僅有基板支撐接觸於傳送工具18上，而實質上基板2位於 傳送工具18間。第1B圖顯示傳送工具18如何相對於基板 2被設置，以使它們能夠從下方支撐基板2的邊緣部分。 在方案1A及1B中，基板2可透過閥門設置14進入高 速原子層沈積製程反應器15之低壓腔室4中，且基板2 進一步可藉由傳送工具18傳送於腔室4中。在低壓腔室4 中，進一步提供反應腔室4,包括於第丨人圖中之前板及支 撐結構8。然而應注意的是，於一些實施例中，低壓腔室 可被忽略或被取代’對應的製程腔室如高壓腔室或是一般 氣壓腔室（NTP : 1 bar，0度C)。於此實施例中，製程腔室應 用成為低壓腔室’亦可由其他腔室取代，反應腔室中包括 前板6及支撐結構8打開以前板6及支撐結構8互相移動 以彼此間設置一距離且抵接彼此。前板6及支撐結構8實 質上相對於彼此間平板表面垂直設置。於第1A及1B圖中， 如板6及支撐結構8設置於相對彼此垂直方向移動以打開 或關閉反應腔室。依據第1A及1B圖，反應腔室藉由前板. 6及支撐結構8朝向彼此移動關閉，且基板2於前板6及 支撐結構8間變成三明治狀態。在反應腔室關閉狀態，前 板6及支撐結構8設置抵接彼此或可選擇地，可抵接基板 201038765 2或是相反邊的基板支撐’因而在反應腔室關閉時，基板^ 或基板支樓構成反應腔室的一部份。相對應地，腔室打開 時，前板6及支撐結構8互相遠離彼此。於本發明中，應 進-步注意當基板载速於前板6及支擇結構8間時，亦: 括另一選項其中支撺結構是一基板支擇且一直跟隨基板。 在此情況下，載入基板於前板及支揮結構間係透過支撐結 構傳送其上基板，與前板對應動作。換句話說，基板並非 Ο 〇 插入前板及支樓結構間’但仍位於前板及支撐結構之間， 當支擇結構（如基板支擇）實質上與前板（如位於下方）對庫 動作。 ^ 本發明反應腔室細部描述於第2圖中，於此連接中， 反應腔室前板6所指部分為包括氣體連接部1〇，12以傲送 Γ原料、沖洗氣體等氣體至反應腔室，且選擇地由腔室 中移除。換句 Γ- ^ 1η 19勺話說反應腔室氣體改變透過氣體連接部 i U’ 1 Ζ依照高速原子 透過進氣管i…出二2:r Γ去游_、 孔Β 12排出。前板6包括多個餵口 體:二：餵：氣體至腔室中，且包括排放口以供排放氣 -邊於，使又Γ貫施例中，饒口與排放口提供於前板6之每 當心關:至少包括一Μ 口與排放口。在此情形下， 氣體變換所有邊牆具有—至多個銀口與排放口參與 -至1 解決此事方法為區分包括邊牆之周邊進入 夕個娘部，氣體可 體排放。根據第？…以及多個排放部供氣 間於腔 ’ 6提供下凹形狀形成一反應空 、至中，而且前板6與基板2彼此抵接此空間，或基 201038765 板2與基板支撐定義出此空間24，其中此空間24形成於 刚板6與基板2。在此情況下，當反應腔室處於關閉狀態 下柃，基板2與或基板與其基板支撐構成反應腔室之一部 分，反應腔室可被量測尺寸，設置同時接收兩至多個基板。 在此情形下，反應腔室在開放狀態，兩至多個腔室傳送於 月'J板6及支撐結構8，而在支撐結構關閉後，兩至多個基 板如上所述的進入被處理狀態。於較佳方案中，腔室設置 於接收基板於並列狀態。氣體餵送移除設置於腔室中，餵 送開口設置於前板6於基板位至間且排放位置於前板6邊 牆環繞基板2於基板2之邊緣。因此，於本方案中，兩基 板並列於腔室中，氣體餵送發生於兩並列基板間且氣體由 這些並列基板2排放，1氣體由環繞基板2周圍之邊牆排 放。因此，腔室流動動態可最佳〖，而有多個基板在：板 餵送排放連接部提供於本發明之高速原子層沈積製程 反應器’使得儘管前板6移動時，連接部的緊度及、、主絮卢 得以確保。確保連接„度之—方法為以完全^風= 或金屬中空管於腔室4内牆中及可移動的上下平板。中允 管焊接至凸緣或固接銲接於對應部件上，或至胪^ 4 、二 壁或是前板…連接部因而再被固定住且或二::: 區應用採用金屬封閉。當前板6在腔室"循環式移動日士 風管延伸呈直線變皺彈性收回進行。因此在腔室4中才 會因滑動 '摩擦接觸等相對運動造成低壓管 ：二 況。 A乎的情 10 201038765 如上所述，一閉鎖連社 、、Q於低壓管路中的風管，為一有

效且經濟的方案，其中前始+ U 板6相對於腔室4移動，風管在 前板6及支撐結構8移動時可 町j，准持緊度。藉由風管，可導 入或移除氣體於低壓管中^ a電力、熱偶計及壓力計亦可應 用這些連接部連接至於腔宮4 & t至4中移動的構件。在風管中， 具有一般大氣壓力其中之營錄 線及其餘應用構件在低壓腔室 4中也具有一般大氣壓力及宮㈤ 及至，皿’且提供無須提供於低壓 Ο Ο 或面溫壤境。同時，風普i 了使传追蹤熱連接源，例如真空 管具有冷牆壁透過分開的加熱器來應用可達成並避掉不當 的凝結。 透過風管’可固定低壓腔室4上舉齒輪，則前板… 或支擇結構8可上舉或低下，於第u、iB、2圖中，前板 6之角落或旁邊，可提供舉起連接部至風管間，因而舉起 齒輪之舉起部件可將前板6於低壓管中移動，由風管導入 至低塵腔室4且連接至前板6。舉起齒輪之舉起部在正常 的大氣壓力其中低壓的低壓腔室4拉動前板6向上朝向支 撐結構8,且舉起齒輪用於拉動前板6往下。於此狀況中， 舉起齒輪可為旋轉馬達或螺桿等。 於於第1A、1Β、2圖之實施例中，支撑結構8構成支 撐結構當腔室關閉時’抵接前板6或基板2,換句話說， 牙口構8不包括任何連接部。因此，於此所描述之實施 例令’基板表面面對前& 6藉由高速原子層沈積製程處 :’因為僅有此面曝露於氣體中，於另一方案中前板6 〃 # ^構8都有氣體連接部使得基板2表面或兩基板背 11 201038765 對背可同時進行開始作用 料，其中支撑結構8將構成一第门初始原料或不同初始原 結構8功用類似於前板6 因而’此時支撐 部1〇, 至少部分連接於切結構8之 =體連接 支撐結構沒有氣體連接部的 氣體即使 。 , 的狀况下可由基板2之支撐紝槿 8之一邊進入及排放。支揮結構δ或許平面或包心二: 件。換句^兄，支撑結構可為任何“ 支撐物。 双<基板 前板6與支撐結構8可提供封閉物，反應腔室可封閉 為關閉狀態例㈣型環。此封閉物可用於前板6及支撐. 構8,因而封閉物位於前板6與支擇結構8之間，彼此封 閉抵接。戶斤以，封閉物僅提供於前板6與支撐結構… 之一。可選擇地’輸提供於前板6與支撐結構8使其 彼此抵接基板2或基板支撐。當高溫使㈣，反應腔室封 閉無需封閉物使用’當時即使前6與支撐結構8彼此抵 接且接觸以進行封閉，，亦可由放置至少一部分前板 6及支撐結構8之邊緣部抵接基板2及基板支#以進㈣ 閉。 再者即使《又置上述之咼速原子層沈積製程處理器i， 或包括僅有一反應腔室之低壓腔室4，亦可提供一低壓腔 至4具有上述高速原子層沈積製程處理器丨但多個反應腔 室。於較佳狀況下，這些反應腔室成功地設置於低壓腔室 4因而基板2可同時導入於每一反應腔室，產能得以增加。 另，可選擇地，每一基板連續導入此反應腔室，因而每一 12 201038765 反應腔室中，基板2預先處理以具有初始材料。所以，再 一高速原子層沈積製程處理器1中可成功地具有不同處理 後的表面。 此外，反應腔室可具有電漿電子或是噴嘴頭。 第1A、1B、2圖所示實施例中，高速原子層沈積製程 反應器1 §史置以开> 成一生產線具有並包括兩至多個接續之 製程腔室，用以修正及/或成長基板2之表面且基板2透過 〇 接續之製程腔室水平傳送。因此，高速原子層沈積製程反 應器1具有一第一閘門設置U，基板2透過它以進入低壓 腔室4且具有一第二閘門設置16，基板2透過它由低壓腔 室4中移除。在低壓腔室4中，較佳地，於整個生產線中， 基板2於水平方向傳遞。在低壓腔室4中，基板2藉由傳 送工具18傳送，且傳送工具18支撐基板2邊緣部分以傳 遞，特別是支撐邊緣部分平行於基板2的旅行方向，如第 2圖所示。換句話說，藉由傳送工具18，基板2得以水平 〇 傳送於低壓腔室4之中。 依據第ΙΑ、1B圖所示，在低壓腔室4中，提供一反應 腔室4’其包括一前板6,具有氣體連接部1〇, 12及一支撐 結構8。於本實施例中，前板6放置於基板2下方且支撐 結構8放置於上方，基板2於前板6及支撐結構8間形成 三明治。此外，於第1Α、1β、2圖中所示，前板6設置垂 直移動且支摟結構8靜止不動，所以反應腔室4得以藉由 月'J板於箭頭20方向移動時進行開關動作。因此，移動前板 6遠離支樓結構8至第2圖中之位置，使得腔室4打開， 13 201038765 ’、* '板6與支撐結構8於垂直方向以-距離遠離彼此。 如第2圖所不之打開狀態，前板6放置於傳送工具！ 8上之 基板2下方或者在傳送玉具18上方且位於接觸基板2之相 反邊緣的傳送卫目，。μ /、18的輸送路徑或是滾動軸。作用為一

態結構，支撐姓槿R 、，°構8則以一預定距離設置於基板2或/及 送工具18之上方。 哥 -j a IB、2圖中所示，基板2可藉由一第一閘 設置14於傳译τ θ , —^ 、 〃、18水平方向移動且進一步位於開放腔 至月J板6及支擇結構8間。基板2停在位於前板6及支 撐結構8間之一批…a $ 又、置’其中前板6垂直移動向上朝向 支擇結構8，所以告&化p ， 田則板6移動時’舉起基板2向上離開 傳送工具18，因使棋其4c Ω 1 土板2放置於前板6上。前板6繼續

向上則進，古不丨L 剛板6或室基板2抵接至支撐結構8，此 時反應腔室4谁人Μ日日， 4進入關閉狀態。換句話說，藉由前板6線性 移動’基板2得以舉起雜„你 举起離開傳送工具18且腔室關閉以進行 製程動作，如第 _ * 115圖所示。當反應腔室4關閉時，可 :门速原子層沈積製程處理基板2，在處理完基板2後， :移動前板6垂直向下回到原本位置使得腔室開啟，如 第2圖所示，且低於 -、k工具18之上表面，且基板2同時 回到傳送工具18上。 μ ，、、、後’基板2可進一步透過第二閘門 α又置丨6遠離低壓腔穹4 _ ^ 4方向移動，因此，載入基板2進入 至4、關閉腔室4且料處， 1對應地，打開腔室4且離開腔室4 匕程可藉由線性移動達 〇 ,, ^ 運成’於本實施例中，係垂直於基板 z的運動方向。 14 201038765 反應腔室4亦可且i Λ1_ ijj. H /、有支撐結構8設置低於基板2， 别板6設置高於基板2， 向I扳2則放置於兩者之間。 外’支撐結構8與前板6可設i b 前板6或切結構8向下低下h上方的 下低下運動關閉反應腔室，或者向 上運動時打開腔室。在此情 匕障形下，如果只是位於基板2上 t的前，6或支撐結構8進行移動，而位於下方的呈現靜 恶’則板6或支撐結構8必須放置與傳送卫具18上表面 Ο Ο 相同高度。可選擇地，前板6或支撐結構8設置垂直移動， 以使前板6或支撐結構8朝向彼此移動使得反應腔室4關 閉，前板6或支撐結槿a、土 μ , 〇褥8逖離彼此移動造成腔室4開啟。 可應用於兩種方式’如第U、1B圖所示，基板2藉由位於 下方之刖板6或支撐結構8舉起離開傳送工具^且位於上 方的前板6或支撐結構8同時向下移動，或者-開始僅有 位於上方的前板6或支撐結構8移動，或下方前板6或支 撐，。構8上升至基板2低表面之上，但並未舉起基板2， 然後’位於上方的前板6或支撐結構8低下至基板2以關 閉腔室4。 ；簡單《施例中，腔室僅包括前板6，使得基板2 可在其上方或下方傳遞。放置於基板2上方之前板6低下 於基板2之上表面以關閉腔室4且由基板2之上表面一距 離向上移動’打開腔室。可選擇地，前板6放置於基板2 向上升起至基板2之低表面以關閉腔室且由基板2 之下表面一距離向下低下以打開腔室。 兩平面基板 於另一實施例中 一第一前板及一第 15 201038765 —基板上下疊加设置，亦即表面彼此抵接，因此兩基板 可同時進仃傳廷與處理。於此實施例巾，高速原子層沈積 製程處理器1包括兩前6彼此以一距離分別設置於兩基 板旁邊。疊加之第-及第二基板2傳送於前板6間，且前 板6移至基板2上方以形成腔室。在此情形下，第一基板 2形成具有第一月;】板6《第一反應腔室用以處理第一基板 2之表面，第一基才反2形成具有第二前板6之第二反應腔 至用以處理第—基& 2之表面。於本實施例中，亦可同時 移動第一與第二基板，朝向第—或第二第二前&，使得僅 有第二前板需要移動’所以例如用於第一前板設置於靜止 在第一基板上方的情形下。 、…於另-實施例中，兩基板，—第_及一第二基板，傳 、、、可乂距離上下又疊’此尚速原子層沈積製程處理器 i更包括一前板，具有一第一邊及一第二邊。帛一及第二 基板分別於第—邊及第二邊前方同時移動，例如第一基板 在第-邊的前方或是上方’第二基板在第二邊的前方或是 下方。為關閉腔室，第-及第二基板移動使得第—及第二 邊設置於基板上；可選擇地，可移動前板及其中之—的基 板。前板用以創造出兩分離腔室’分別具有第一基板及第 :基板。前板亦可用於創造出—反應腔室，使得第一及第 一基板與前板共同構成反應腔室之_部>。 如上所述’藉由描述的建構方式可創造出適當之反庫 腔室’料’應注意的是’前板6及支撐結構8的移心 向為垂直，但同時可在其他方向移動如水平方向。類似地， 16 201038765 · 基板於製程腔室之移動方向亦可別於水平方向。例如，基 板垂直移動且前板與/或支擇結構可水平移動。在此情形 I，基板沒有-個上表面及下表面，但為一第一表面及一 第二表面，對應於前述實施例之上下表面。於此情形下， 基板在腔室開放狀態時，傳送在前板的前方或旁邊且前板 離基板距離且月ί』板與基板彼此相對移動以開關反應腔 室、。然而，於一較佳實施例中，平面式的基板於腔室中的 〇傳达方向平行於自身表面且前板及/或支撐結構以垂直基 板表面方向移動，使得基板載入於腔室中時，得以上升或 下降進行移動。 本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明的範圍’任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之 精神和圍内’當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之 保濩粑圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ❹ 【圖式簡單說明】 第1A及1B圖係表示本發明高速原子層沈積製程反應 器之示意圖；及 圖係表示具有本發明南速原子層沈積製程反應器 之反應腔室之示意圖。 【主要元件符號說明】 1 高速原子層沈積製程反應器 2基板 17 201038765 4 腔室 6 前板 8 支撐結構 10 氣體連接部 12 氣體連接部 14 第一閘門設置 16 第二閘門設置 18 傳送工具 2 0 移動方向 18

Claims (1)

1. 201038765 七、申請專利範圍： 1. 一種高速原子層沈積製程反應器（1)，用以處理一 至多個基板（2)，該高速原子層沈積製程反應器（1)，包括 至少一反應腔室且該反應腔室包括一前板（6)，其具有多個 氣體連接部（1 0 )，用以導入初始材料、沖洗氣體等類似氣 體至反應腔室中，特徵在於該前板（6)設置於放置基板（2) 的上方，以關閉反應腔室且設於基板表面特定距離以打開 反應腔室，以使，基板（2)設置於載入至前板（6)的上、下 〇 或前方，其中前板（6)距離基板（2)—距離，因而在前板（6) 在放置於基板（2)上且在反應腔室關閉狀態下以進行高速 原子層沈積製程。 2 ·如申凊專利範圍第1項所述之高速原子層沈積製 程反應器（1)，其中該前板（6)設置以垂直移動。 3. 如申請專利範圍第丨或2項所述之高速原子層沈積 製程反應器（1)，其中該前板（6)設置由高於該基板（2)低至 Q 該基板（2)之上表面以關閉該反應腔室或由該基板（2)下方 上移至抵住該基板（2)之下表面以關閉該反應腔室。 4. 如申請專利範圍第項中任—項所述之高速原 子層沈積製程反應器（1)，其中該基板（2)設置以垂直移動。 5. 如申請專利範圍第4項所述之高速原子層沈積製 程反應器⑴，其中該基板⑵設置上提以放置該前板（6) 於該基板（2)之上表面。 6. 如申請專利範圍第項中任—項所述之高速原 子層沈積製程反應器⑴’其中該前板⑻包括多個氣體連 19 201038765 接部（12)以由反應腔室移除初始材料及沖洗氣體。 7. 如申請專利範圍第1至6項中住一馆舶、+，— ^ 貝甲任項所述之高速原 子層沈積製程反應器（1)，其中該古、&丄 ，、丫忑阿速原子層沈積製程反應 盗（1)包括一支樓結構（8)，放詈於 欲罝於該則板（6)之該基板（2) 的相反端。 8. 如申請專利範圍第7項所述之古冻塔工s πχΐ之同速原子層沈積製 程反應器⑴’其中該支撐結構⑻於反應腔室在關閉狀態 時，設置抵住該基板⑵、基板支撐或該前板⑻之表面。 〇 9. 如申請專利範圍第項中任—項所述之高速原 子層沈積製程反應器⑴’其中該支撐結構⑻設置以垂直 移動以打開或關閉該反應腔室（β)。 1。‘如申請專利範圍第9項所述之高速原子層沈積製 程反應H⑴，其中該支撐結構（8)設置舉起該基板⑵向上 以放置位於該基板（2)上方之兮& )上万之°亥月板（6)至該基板（2)之上 表面。

   11.如申請專利範圍第 原子層沈積製程反應器（丨）， (8)提供固定且靜止功用。 1至8項中任一項所述之高速 其中該前板（6)或該支撐結構 12·如申請專利範圍第8至 m ^ m 1貝Y仕項所述之 :二L積製％反應益⑴’其中該支撐結構(8)形成 一月'j板以當反應腔室是關閉時，處理該基板⑵的另一 I3.如申請專利範圍第8至11項中任_ 原子層沈積製程反應器（丨）， 、^ 室之支心構⑻。 d絲板支撐構成該反 20 201038765 14.如申請專利範圍第1至13 王以項肀任一項所述之高速 原子層沈積製程反應器⑴，其中當該反應腔室於關閉狀離 時’該基板⑺及/或該基板切，心切該基板，構成 該反映腔室之一部分。 1 ί).如甲請專利範 1〜〜冋迷原千層沈積 f程反m⑴’其中„板（6)為凹狀’所以當該反應腔 室在關閉狀態時’該前板⑷或該基板⑺及該基板支撑放 Ο 置於該基板⑺之上表面或下表面，於該前板（6)與該基板 (2)構成一反應空間（2 4)。 16.如申請專利範圍第u15項中任_項所述之高速 原子層沈積製程反應器⑴，其中該反應腔室設置以同時接 收兩個或多個基板（6)。 17.如申請專利範圍第丨至16項中任_項所述之高速 原子層沈積製程反應器（1)，其中該反應腔室包括一第一及 一第二前板（6)在該反應腔室處於打開狀態時，彼此以一距 〇離設置以處理該基板⑵之相反表面，且該第—前板及該第 二前板（2)分別放置於該基板（2)之相反面，或為在反應腔 室處於關閉狀態時，處理該第一前板及該第二前板彼此 放置至另—個上方或面對面且該第一前板（6)放置於該第 基板（2)之上或該第二前板（㈠放置於該第二基板（？）之 上。 18.如申請專利範圍第1至16項中任一項所述之高速 原子層沈積製程反應器（1)，其中該反應腔室包括具有一第 一邊及—第二邊之一前板（6)，且當該反應腔室處於關閉狀 21 201038765 態時該第一邊設置於放置於該第一基板（2)之上且該第二 邊設置於这弟二基板（2)之上D 1 9.如申請專利範圍第1 8項所述之高速原子層沈積 製程反應器（η，其中該前板（6)設置形成具有該第一基板 (2)之一反應腔室且具有該第二基板（2)之反應腔室，或者 形成具有該第一及該第二基板（2)之一共同反應腔室。 20·如申請專利範圍第1至19項中任一項所述之高速 原子層沈積製程反應器（1)，其中該前板（6)及/或該支撐結 構（8)及/或平基板（2)具有一密封墊以於關閉狀態下封閉 該反應腔室。 21. 如申請專利範圍第1至2〇項中任一項所述之高速 原子層沈積製程反應器（1)，其中該高速原子層沈積製程反 應器（1)包括一製程腔室（4)，内具有一至多個反應腔室。 22. 如申請專利範圍第丨至21項中任一項所述之高速 原子層沈積製程反應器（1)，包括用以將該基板（2)載入至 該前板（6)之上方或是下方之一傳送工具（18)。 23. 如申請專利範圍第22項所述之高速原子層沈積 製程反應器（1)，其中當該反應腔室關閉時，該前板（6)或 戎支撐結構（8)設置於該基板（2)下方以舉起該基板（2)向 上以離開該傳送工具（18)，I當該反應腔室打開時，將該 基板（2 )降至該傳送工具（1 8)上。 Χ 24. 速原子層 路，提供 丁 δ月 ，^ n\ 2¾. 沈積製程反應器（1 )，藉由具有一至多個風箱 一牆壁於該製程腔室（4)與該前板（6)及/或^ 22 201038765 結構（8)在内移動以導入於該製程腔室（4)。 25. 如申請專利範圍第24項所述之高速原子層沈積 製程反應器（1)’其中該風箱型管路緊密地、直接地透過多 個凸緣接合於該製程腔室（4)之牆且於低壓腔室（4)之内部 至該前板（6)及/或該支撐結構（8)相對於該製程腔室（4)移 • 動。 26. 一種生產線，包括兩至多個接續之製程腔室，用 0 以U正及/或成長一基板（2)之一表面且該基板（2)透過接 續之製程腔室傳送，其中該生產線之至少一製程腔室具有 前述申請專利範圍第1至22項所述之高速原子層沈積製程 反應器（1 )。 27. —種方法，用以載入一至多個基板（2)至一高速原 子層沈積製程反應器（1)之一反應腔室及移除，其中於該方 法中，該基板2載入至該反應腔室中以進行處理： 藉由傳送該基板（2)載入至該反應腔室之該前板（6)的 〇 上、下或前方且該前板（6)包括具有多個氣體連接部（10)， 用以V入初始材料、沖洗氣體等類似氣體至該反應腔室中； 藉由相對於該反應腔室之該前板（6)及該基板移動，以 放置該4板（6)至該基板（2)上以關閉該反應腔室至關閉狀 態； 且於該方法中’該基板（2)由該反應腔室中移除： 藉由相對於該反應腔室之該前板（6)及該基板移動，以 X距離放置該前板（6)至該基板（2)，以打開該反應腔室 至打開狀態；且 23 201038765 藉由於打開狀態時的該反應腔室中，傳送該基板（2) 遠離該前板（6)之上、下或前方。 28_如申請專利範圍第項所述之方法，其中該前板 (6)與該基板（2)設置彼此垂直相對移動以打開及關閉該反 應腔室。 29. 如申請專利範圍第27或28項所述之方法，其中 邊蚰板（6)設置由高於該基板（2)低至該基板（2)之上 表面以關閉該反應腔室。 30. 如申請專利範圍第27或28項所述之方法，其中 該則板（6)由該基板（2)下方上移至抵住該基板（2)之下表 面以關閉該反應腔室。 31. 如申請專利範圍第27至29項中任一項所述之方 法，其中該基板（2)設置上提以放置該前板（6)於該基板（2) 之上表面以關閉該反應腔室至關閉狀態。 32. 如申請專利範圍第27至29項中任一項所述之方 法，其中當該反應腔室於關閉狀態時，支撐該基板（2)藉由 該支撐結構（8)放置於該基板（2)相對於該前板（6)之另— 邊。 33. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中 支撐結構（8)舉起該基板（2)向上，以關閉該反應腔室至關 閉狀態放置該前板（2)至該基板（2 )表面。 34. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中藉由放 置省則板（6)輪流舉起該基板（2)向上、放置該前板至該 基板（2)之低表面以放置該基板（2)之上表面、基板支撐或 24 201038765 該前板（6)抵住該支撐結構（8)。 35.如申請專利範圍第32或34項所述之方法，其中 藉由降低該支擇結構⑻向下抵接該基板⑺之上表面、基 板支撐或該前板⑻以關閉該反應腔室至關閉狀態。 亂如申請專利範圍第27至35項中任一項所述之方 法’其中透過該前板（6)導人及移除初始材料、沖洗氣體等 類似氣體至該反應腔室之反應空間。 37·如中請專利範圍第27至36項中任—項所述之方 導入及移除初始材料、沖洗氣體等 之反應空間且該支撐結構（8)構成 透過該支擇結構（8) 類似氣體至該反應腔室 該第二前板。 、38.如申請專利範圍帛27至36項中任一項所述之方 法其中同時載入兩至多個基板至該反應腔室。 39.如申請專利範圍第”至⑽項中任一項所述之方 〇 *’其中藉由傳送κ18)傳送該基板⑺低於或高於該前 板（6 )。 如申咕專利範圍第2 7至3 9項中任一項所述之方 =中田該反應腔室於關閉狀態時，藉由該前板（2)或下 之k支撐結構（8)舉起該基板（2)向上以離開該傳送工具 (18)且§该反應腔室打開時，降低基板（2)至該傳送工呈 (18)上。 ' 如申印專利範圍第27至40項中任一項所述之方 法其中邊方法用至一生產線，具有兩至多個接續製程腔 25 201038765 室，用以修正及/或長出該基板（2)之一表面且其中該基板 (2)於水平方向通過該等接續製程腔室。 26