TW201033302A - Ink-jet ink for organic electroluminescence element and method for manufacturing organic electroluminescence element - Google Patents

Ink-jet ink for organic electroluminescence element and method for manufacturing organic electroluminescence element Download PDF

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Yutaka Kawanishi
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Description

201033302 六、發明說明: '【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機電致發光元件用喷墨印墨、以及使 用該印墨之有機電致發光元件之製造方法。 【先前技術】 有機電致發光元件(以下,有時亦稱為有機EL元件) 係由含有一對電極與設置於該電極間之1層或複數層有機 層所構成。有機電致發光元件係至少具備發光層作為有機 © 層,並以外加電壓使從一對電極注入之電洞與電子於發光 層再結合,藉此而發光。 從步驟簡易度之觀點,檢討藉由塗佈法形成有機層。 就其一例而言,有將含有構成有機詹之有機化合物或溶媒 .等的印墨自喷嘴吐出成液滴並使其附著於預定位置的喷墨 印刷法(例如參照專利文獻1)。 以往使用於喷墨印刷法之噴墨用印墨係有附著之印墨 _ 液滴難以濕潤擴展、或是從喷嘴吐出時液滴不成球形、或 是液滴會從噴嘴之開口牽絲(以下,有時稱為垂滴)的問題。 當液滴之濕潤擴展性不佳時,由於印墨會難以擴展成 所期望之面積,故塗佈而形成之膜容易變成不均一。此外, 當液滴垂滴時,會發生液滴之直進性之惡化、或是液滴前 端部雖著墨至所期望之位置但液滴之尾部(垂滴部)會超出 預定進行塗佈範圍之外的現象等,故難以高精度地塗佈印 墨。 專利文獻2中記載使濾色器(color filter)用喷墨印 3 321728 201033302 墨提昇濕潤擴展性的技術。此印墨之 (binder)成分、顏料、及溶劑所構成,,你包含黏結劑 低之燒烴系溶劑。因該特徵, =復含有表面張力 表面張力,並提升印墨本身之_^:低Μ之黏度及 專利文獻3中記載使濾色器用噴墨印 度提升的技術。此印墨之特徵係組合含有=印墨附著精 慢與表面張力高H _賴,而種蒸發速度 變高,且藉由噴墨法形成之液滴會成為接近球張力 ◎ 之任如:予將印墨之濕潤擴展性或吐出液滴之形狀 之任一者予以改良的技術。然而,使兩性能同時成立,吐 出之液料會垂滴且附著時會良好地濕潤擴展的喷墨用印 墨仍尚未存在。X ’專利文獻2及3記载之技術係關於溶 劑型印墨之技術,未記載關於水性印墨之特性。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1 :日本特開平1〇_12377號公報 專利文獻2 :日本特開2〇〇6_284752號公報 專利文獻3 :日本特開2008-70864號公報 【發明内容】 (發明欲解決之課題) 本發明之目的係提供一種水性有機EL元件用喷墨印 墨’其係吐出之液滴不會垂滴且附著時會良好地濕潤擴展 者。 (解決課題之方法) 4 321728 201033302 • 亦即,本發明提供一種水性有機EL元件用喰畧印畧, •其含有水、界面活性劑、與水性高分子材料,而其靜態表 -面張力為40mN/m以下,且依最大泡壓法在1〇〇Hz測定二之 . 動態表面張力為55mN/m以上者。 ' 在某一型態中,前述界面活性劑包含直鏈狀聚醚醇 ' (polyether alcohol) ° 在某一型態中,前述直鏈狀聚醚醇之分子量為25〇至 600 〇
在某一型態中’刖述直鍵狀聚趟醇為下式所示之結構: Ri-(〇-R2)n-〇H (式中’ Ri為可具有取代基之烧基’ R2為可具有取代基之伸 烷基,η為自然數;當存在複數個R2時,各個匕可為相同 或不同)。 在某一型態中,前述Ri為碳數4至20之直鏈狀烧基, R2為碳數1至10之直鍵狀伸烧基,η為1至12之整數。 φ 在某一型態中,前述界面活性劑為五乙二醇單十二基 醚(pentaethylene glycol mono-dodecyl ether) 〇 在某一型態中,相對於有機EL元件用喷墨印墨之全量 100重量份,前述界面活性劑之含量為0. 001至1〇重量份。 在某一型態中,前述水性高分子材料為水性導電性高 分子。 此外,本發明提供一種有機EL元件之製造方法,該有 .機EL元件係具備一對電極、與設置於該電柽間之有機層 -者,該方法之特徵為包括下述步驟:使用前述有機EL元件 321728 201033302 用喷墨印墨藉由喷墨法而形成前述有機層的步驟。 (發明之效果) 本發明之有機EL元件用喷墨印墨由於不會使液滴垂 滴’而能以高精度使印墨附著至所期望之位置。此外,液 滴係於附著之處良好地濕潤擴展,故塗佈印墨而形成之祺 厚度均一。因此,本發明之有機EL元件用喷墨印墨在工業 上極為有用。 【實施方式】 [有機EL元件用喷墨印墨] 本發明之有機EL元件用喷墨印墨為水性印墨。水性印 墨係指含有水作為溶媒之主成分的印墨。主成分係指至少 佔約50重量%之成分。若以有機EL元件用喷墨印墨之全 量作為100重量份’則水所佔有之比例通常為5〇重量份至 99· 989重量伤,較佳為6〇重量份至99. 9重量份。 本發明之有機EL元件用喷墨印墨的靜態表面張力由 :小到40祕細下,故當從喷嘴吐出之印墨在著墨時,在 者墨:中容易濕潤擴展。印墨之靜態表面張力若大,則印 墨在著墨面中不容易濕潤擴展,並且尤其如後述,當在以 隔牆圍住之畫素區域令、京丁〜苗^士 匕埤中滴下印墨時,印墨容易因隔牆而被 彈散,故相接於_之周緣部之膜厚會變薄。 印墨之濕潤擴展性,同時 此,可形成乾燥時為均一膜 力係指在収對象之液為靜 相對於此,藉由使用靜態表面張力小之印墨,而可改 同時亦防止隔牆所造成之彈散,因 一膜厚之有機膜。又,靜態表面張 為靜止或與其相當之狀態下測定時 321728 6 201033302 的表面張力,於本說明書中,靜態表面張力係鞋 ., t '、積由懸滴法 (pendant drop method)所測定之值。本發明之有機 件用噴墨印墨係靜態表面張力為20至45mN/ EL疋 mN/m為更佳。 从25至4〇 此外,本發明之有機EL元件用噴墨印墨之動熊 力,依據最大泡壓法在100HZ時所測定之值係言遠^面張 以上。例如在喷墨㈣,對於設置在喷嘴之; ❹ 鲁 加電壓,使壓電元件以預定之頻率震動,而令=外 在如此以預定周期滴下印墨之喷墨裝置中》下。 狀態係大幅依存於印墨之動態表面張力之印 述,== 噴::墨之動態表面張力若低,則如】 液滴時:二=:,故在一邊移動嘴嘴-邊滴- 難以使印墨以高精度附著於所期望 :此而若藉由提高有機EL元件用噴墨印墨之動 故能時,則可使印墨成球狀液義下5 又使印墨考墨於所期望之位置。 伯* : L表面張力小之印墨通常亦為動態表面張们本 面苦Η明之有a EL元件用噴墨印墨係藉由使用特-之1 =性劑等’而將靜態表面張力及動態表面 厚之有機膜。在本朗" 麵成均d 壓法所測定之值,乂曰各動表力售齡最大、; 出頻率贿4之=為動態表面張力時,_ 表面張力,例如H 由最大泡壓法所求得之钔 可糈由LAUDA公司製之動態表面張力測; 321728 7 201033302 裝置「Bubble Pressure Tensiometer MPT2」測定。本發 明之有機EL元件用喷墨印墨係動態表面張力為5〇至8〇 mN/m ’以55至75mN/m為更佳。 該界面活性劑中,例如以非離子性界面活性劑為佳, 具體上可例示如聚醚醇類。非離子性界面活性劑之分子形 狀係以直鏈狀為佳。界面活性劑之更佳具體例可列舉如聚 醚單醇及聚醚二醇。又,界面活性劑之分子量為1〇〇至 800,以200至7〇〇為佳,以250至600為更佳。 界面活性劑之分子量若未達1〇〇,則動態表面張力之 值容易變小,若超過800,則靜態表面張力之值與1〇〇Hz 時之動態表面張力之值的差有時小。 特佳之界面活性劑係如下式所示結構之聚醚單醇
Ri-(〇-R2)„-〇h (式中’ R!為可具有取代I之烧基,R2為可具有取代基之伸 烧基’ η為自然數;當存在複數個㈣,各個&可為相同 或不同)。 烷基R!之碳數係以丨至20為佳,以4至 若烧基為直鏈狀,職容易進行印墨表面張力之調 伸 較佳。此外,貌基所具有之取代基可列舉如’而 烷基R2之碳數以〇 乳泰等 双从I至10為佳,以2至6為更佳。 Ν為1至12,以3至1〇之整數為佳 則有時即使增加解,動態表面張力亦不會變大I12, 性劑之特佳具體例為五乙二醇單十二基_。。界面活 又有機ELtg件用喷墨印墨之全量若為咖重量份, 321728 8 201033302 貝 1界面/舌性劑所佔之比例通常為0.001重量份至10重量 伤以0. 01重量份至5重量份為佳。界面活性劑之量若未 達〇·001重量份,則有時對表面張力不會造成影響,若超 過10重置份’則靜態表面張力之值與100Hz時之動態表面 張力之值的差有時小。
本發明所用之界面活性劑係以親水性疏水性參數(Hlb 值)為2至25為佳,以3至18為更佳。當界面活性劑之 HLB值未達2或超過25時,界面活性劑係存在於靠近界面 之主體(bulk)侧,有時會不顯示界面活性。 水性高分子材料係指水溶性高分子或水分散性高分 子。水性高分子材料只要是成為以下所說明之電洞輪送 層電洞注入層、發光層、電子輸送層等的材料即可。該 水性尚分子材料之例為水性導電性高分子。具體上可例示 如聚苯胺、聚吡咯、聚(3, 4-伸乙基二氧基噻吩)、及聚(4. 苯乙稀續酸)等。 就水性高分子材料而言,尤其是當使用聚(3, 4_伸乙基 一氧基嗔吩)與聚(4-苯乙烯續酸)之混合物(PED0T/PSS )作 為水性高分子材料時,由於可在預定位置形成均一膜厚之 有機膜,故適合作為在形成由PED0T/PSS所構成之有機膜 時所使用之噴墨用印墨。 又’在本說明書中’水性高分子材料係表示換算成聚 苯乙歸之數平均分子量為800以上之材料’較佳為8〇〇至 1000000 ’更佳為1〇〇〇至5〇〇〇〇〇。水性高分子材料之數平 均分子量若超過1000000,則垂滴會變長,從嘴墨裝置吐 9 321728 201033302 出時之直進性變差。 此外,有機EL·元件用喷墨印墨之全量若為1〇〇重量 伤,則水性兩分子材料所佔之比例通常為1重量份至 20重量份’以0>1重量份至1〇重量份為佳。水性高分子 材料之量若未達0.01重量份,則塗佈形狀膜之膜厚有時 會無法成為所期望之值,若超過1〇重量份,則會有印墨之 黏度顯著變南或谷易形成垂滴等不適合喷墨印墨之情形。 此外,有機EL元件用噴墨印墨亦可含有水、界面活性 劑及水性高分子材料以外之物,例如亦可含有甘油、乙二 ◎ 醇等多元醇。 有機/L元件用喷墨印墨之靜態表面張力及動態表面 張力可藉由適纟選擇組成物之混合比例及界面活性劑之 種類而調整。尤其是表面張力,係可藉由適當選擇界面活 性劑之種類而調整。例如當添加界面活性劑時,雖然有頻. 率越大則表面張力之大小越增加的傾向,但當所用界面活 性劑之分子量大時,較增加鮮,㈣表面張力料會 變多大。藉由使用預定分子量之界面活性劑,即可實現靜© 態表面張力小且動態表面張力大之有機EL元件用喷墨印 墨。 面活=言’當使用下式所示之結構彻單醇作為界
CaH2a+l(OC2H4)n〇H (式中’ a及η表*自然數)’n越大之界面活性劑即使泡 吐出頻率為高頻率,表面張力增加之份量亦小。上述式中 321728 10 201033302 之η為1至12,以3裏之整數為佳。 本發明之有機EL元件用喷墨印墨係藉由將上述各成 分予以適量混合而製造。混合成分之順序並無特別限定, 只要以實現均一混合之方式進行即可。例如,首先,將界 . 面活性劑混合至溶媒中,將此混合物與水性高分子材料混 合,更進一步混合其他成份並均一化。 [有機EL元件之製造方法] 其次,說明關於使用有機EL元件用喷墨印墨製造有機 EL元件之方法。有機EL元件係具備一對電極、與設置於 該電極間之有機層。在本發明中,該有機層係藉由使用上 述有機EL元件用喷墨印墨並以噴墨印刷法形成。 有機EL元件通常係設置於基板上。例如在顯示裝置用 •之面板中,係在基板上分別形成於由形成格子狀之隔牆所 圍住的晝素區域中。 具體而言,在主動矩陣型之顯示裝置中,陽極係以行 ❹列狀且離散地配置在基板上,並以從基板之厚度方向之一 方看來使各陽極之表面露出的方式設置格子狀之隔牆。此 隔牆係藉由使用例如感光性樹脂並依據光微影術 (Photolithography)而形成。由隔牆所圍住的區域係相當 於晝素區域。 使用會成為電洞輸送層、電洞注入和發^^、電子 輸送層等的材料作為前述有機EL元件用喷墨印墨之水性 .高分子材料’並使时墨裝置,在各晝素區域中滴下有機 • EL το件用喷墨印墨。其次,藉由燒成或放置使溶媒乾燥, 321728 201033302 即可在各畫素區域形成有機層。藉此 ,可在畫素區域内以 膜厚均t方式形成電洞輸送層、電洞注入層、發光層、 電子輸送層等X ’藉由重覆進行滴下印墨及乾燥,即可 形成由電洞輸送層、電洞注人層、發光廣、電子輸送層等 所構成之積層體。再者,藉由形成陰極,即可形成分別發 揮作為畫素功能的有機EL元件。
此外’本發明之有機EL元件用喷墨印墨不限於主動矩 車^'之基板’亦可適用於被動矩陣型之基板,X,亦可適 用於將陰極配置在比陽極更靠近基板的構成的有機EL元 另外在配置成條狀(stripe)之隔牆間形成有機EL元 有機EL it件时墨印墨亦可適用。 [有機EL元件之一般構成]
繼而’更詳細說明關於有機EL元件之構成。本實施型 L之有機EL το件係具有陽極、陰極、配置在陽極及陰極間 =發光層作為必須構成要件,在陽極與發光層之間、及/ 二發光!與陰極之間亦可具有與發光層不同之其他層。此 在陽極與陰極之間不僅限於一層發光層 數層發光層。 ^ 在陰極與發光層之間所設置之層,可列舉如電子注入 子輸送層、電洞阻擋層(hole blocking layer)等。 =陰極與發光層之間僅設置—層時,該層稱為電子注入 、、此外,在陰極與發光層之間設置電子注入層與電子輸 ^層兩方之層時’相接於陰極之層稱為電子注人層,此電 /主入層以外之層則稱為電子輸送層。 12 321728 201033302 電子注入層係具有改善來自陰極之電子注入效率機能 的層。電子輸送層係具有改善來自陰極、電子注入層、或 更接近陰極之電子輸送層的電子注入機能的層。電洞阻擋 層係具有阻擋電洞輸送機能的層。又,當電子注入層及/ r 或電子輸送層具有阻擋電洞輸送之機能時,此等層有時亦 兼作為電洞阻擋層。 電洞阻擋層具有阻擋電洞輸送之機能一事,可藉由例 如製作僅流動電洞電流之元件並以其電流值之減少確認阻 ®擋效果。 在陽極與發光層之間所設置之層,可列舉如電洞注入 層、電洞輸送層、電子阻擋層等。在陽極與發光層之間僅 .設置一層時,該層稱為電洞注入層。在陽極與發光層之間 •設置電洞注入層與電洞輸送層兩方之層時,相接於陽極之 層稱為電洞注入層,此電洞注入層以外之層則稱為電洞輸 送層。 φ 電洞注入層係具有改善來自陽極之電洞注入效率機能 的層。電洞輸送層係具有改善來自陽極、電洞注入層、或 更接近陽極之電洞輸送層的電洞注入機能的層。電子阻擋 層係具有阻擂電子輸送之機能的層。又,當電洞注入層及/ 或電洞輸送層具有阻擋電子輸送之機能時,此等層有時亦 兼作為電子阻擋層。 電子阻擋層具有阻擋電子輸送之機能一事,可藉由例 如製作僅流動電子電流之元件並以其電流值之減少確認阻 .擔效果。 13 321728 201033302 又,電子注入層及電洞注入層有時係總稱為電荷注入 層,電子輸送層及電洞輸送層有時總稱為電荷輸送層。 本實施型態之有機EL元件可採取之層構成之一例係 如下所示: a) 陽極/發光層/陰極 ' b) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 c) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 e) 陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極 f) 陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰 ❿ 極 d) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 e) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 f) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 g) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰 極 h) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 ^
Q i) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰 極 j) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰 極 k) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電 子注入層/陰極 l) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 m) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極 14 321728 201033302 n)陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 .(在此,符號「/」係表示夾住符號「/」之各層為鄰接積層 之意。以下相同)。 < 本實施型態之有機乩元件可具有2層以上之發光層, .就具有2層發光層之有機EL元件,係在上述幻至n)之層 構成之任一者中,若以由陽極與陰極所挾持而成之積層體 作'「重複單元A」’則可列舉如以下之〇)所示之層構:: ❹〇)陽極/(重複單元A)/電荷注入層〆(重複單元A)〆陰極 此外,就具有3層以上發光層之有機EL元件而言,若 以(重複單元A)/電荷注入層」作為「重複單元b」,則可 列舉如以下之P)所示之層構成: 、 P)陽極/(重複單元B)x/(重複單元A)/陰極 又,符號「X」表示2以上之整數,(重複單元Β)χ係 表示重複單元Β積層X段之積層體。 在此電何注入層係指猎由外加電場而產生電洞與電 ❹子之層。電荷產生層可列舉如由氧化飢、銦錫氧化物 (indium tin oxide :簡稱ΙΤ0)、氧化鉬等所構成之薄膜。 本實施型態之有機EL元件為了將來自發光層之光放 出至外界,通常係以發光層作為基準,將配置於光放出侧 之所有層製成透明者。若就具有如基板/陽極/電荷注入層/ 電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極/密封 構件之層構成的有機EL元件作為一例而進行說明,當其為 .將來自發光層之光從基板側放出的所謂底部發光(b〇tt〇m emission)型之有機EL元件時,係將基板、陽極、電荷注 321728 15 201033302 入層及電洞輸送層皆製成透明者’當其為將來自發光層之 光從密封構件側放出的所謂頂部發光(top emission)型之 有機EL元件時,係將電子輸送層、電荷注入層、陰極及密 封構件皆製成透明者。此外,若就具有如基板/陰極/電荷 注入層/電子輸送層/發光層/電洞輸送層/電荷注入層/陽 極/密封構件之構成的有機EL元件作為一例而進行說明, ‘ 當其為底部發光之元件時,係將基板、陰極、電荷注入層 及電子輸送層皆製成透明者’當其為頂部發光型有機EL元 件時,係將電洞輸送層、電荷注入層、陰極及密封構件皆 0 製成透明者。在此,透明之程度係以光放出側之有機EL元 件之最表面與發光層之間的可見光穿透率為40%以上者為 佳。當為要求紫外線區域或紅外線區域之發光的有機EL元 件時,以在該區域中顯示40¾以上之光穿透率者為佳。 本實施型態之有機EL元件為了更進一步提升與電極 之密著性和改善來自電極之電荷注入性,可設置鄰接電極 且膜厚2nm以下之絕緣層。此外’為了提升於界面之密著 性和防止混合等,亦玎在前述各層間插入薄緩衝層。 Ο 關於積層之層之順序、層數及各層之厚度’可來考 發光效率或元件壽命而適當設定。 [有機EL元件之具體構成] 元件之各層之材料 其次’更具體說明關於構成有機EL 及形成方法。 <基板> 基板係以在製造有機 之步驟中不變化者為適 321728 16 201033302 用,係使用例如玻璃、塑膠、及矽基板、以及積層該等而 成者等。前述基板可使用市售品,又,可依據公知方 造。 i <陽極> 當為透過陽極將來自發光層之光放出的構成的有機乩 元件時,陽極係使用透明或半透明之電極。透明電極 透明電極可使用導電度高之金屬氧化物、金屬硫化物二=
屬等之薄膜,以光穿透率高者為適用。具體上係使用由氧 化銦、氧化鋅、氧化錫、ΙΤ0、銦鋅氧化物(indium . oxide .簡稱ιζο)、金、鉑、銀、及銅等所構成之薄臈 此等中以由ΙΤΟ、ΙΖ0、或氧化錫所構成之薄膜為適用。、陽 極之製作方法可列舉如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法 電鍍法等。此外,該陽極亦可使用聚苯胺或其衍生物 X 噻吩或其衍生物等有機透明導電膜。 & 防極亦可使用會反射光之材料’該材料係以功函數 ❹ eV以上之金屬、金屬氧化物、金屬硫化物為佳。 陽極之膜厚可在考慮光之穿透性與導電度後而適卷 擇’例如為1 Onm至10 // m,以20nm至1 # m為#,、田選 M 5〇nn 至500nm為更佳。 <電洞注入層> 構成電洞注入層之電洞注入材料可列舉如:氣化& 氧化鉬、氧化釕、及氧化鋁等氧化物;或是苯基胺系化i 物、星爆(starburst)型胺化合物、醜菁系化合物、 ° . 非晶型 石反(amorphous carbon)、聚苯胺、及聚°塞吩衍生物等 321728 17 201033302 電洞注入層之成膜方法可列舉如由 之溶液所進行之成膜。由溶液成膜時所 ㈣入材料 會溶解電洞注入材料者即可,並無特別所之溶媒只要是 氣仿、二氯甲烧、二氣乙燒等氣系溶限制:可列舉如: 溶媒;曱苯、二曱料料族烴系溶媒二Μ喃等鍵系 酮等酮系溶媒;乙酸乙自旨、& gt s旨、、乙— ' 甲基乙基 醋(ethyl cel— acetate)#s旨系溶:醇=乙鍵乙酸 當使用成為電洞注入層之材料作為前述有機’水1又, 墨印墨中的水性高分子材料時,係使 70用噴 于使用則述有機EL元件用 喷墨印墨中的水性*分子材料以外之溶液作為溶媒。 由溶液成膜之方法可列舉如旋轉塗佈法、'澆 (casting method)、微凹版塗佈法、凹版塗佈法 :、 佈法(bar coating method)、輥式塗佈法、線棒塗二塗 (wire-bar coating method)、浸塗法、哈务〆 H凌、網板印刷 法、柔板印刷法(flexographic printing)、平板印刷、 (offset printing)、喷墨印刷法等塗佈法。又,使用本發 明之有機EL元件用喷墨印墨時’係使用喷墨印刷法。具體 上係將經使用PED0T/PSS作為水性高分子材料之有機_ 件用喷墨印墨藉由利用喷墨裝置進行塗佈而可形成電洞、、主 入層0 電洞注入層之膜厚係依所用之材料而有不同之最適 值,係以使驅動電壓與發光效率成為適當值之方式進行= 當設定’至少必須為不產生針孔之厚度,若太厚,則元件 之驅動電壓會變高而不佳。因此,電洞注入層之膜厚係例 321728 201033302 如為1 nm至】, . 〈電洞輸送層:為Μ"1至5〇〇朦更佳為51"至綱朦 味嗤輪送層之電洞輪送材料可列舉如··聚乙稀基 香族胺㈣或其触物、側鏈或主鏈具有芳 芳Α胺街在ί 诉生物、吡唑啉(PyraZ〇line)衍生物、 e 衍ί物、麥μ、二苯乙烯(Stilbene)衍生物、三苯基二胺 笨胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳某 等。 次聚(2, 5♦塞吩基伸乙歸基)或其衍生物 等中,電洞輪送材料係以聚烯 物、聚錢或其衍生物、側鏈或主鍵二=坐或其仿 之聚—聚胺化合 基之聚錢二Γ、側鏈或主鏈具有芳香族胺以 α、聚芳基胺或其衍生物、聚(對吩或々 :㊁物、或聚(2, 5~伸嗟吩基伸乙烯基)或其生^ 子電洞輸送材料為佳, 八,生物等違 燒或其衍生物、側鏈或 或師生物、鸾 物為更佳。當為低分==方香族胺之聚, 子黏結射制為佳電讀特料時4分散於廣 電洞之= 二材料之混合液進行的成膜,:為電, ’可列舉W含有㈣輪送材料之溶=輪送相 由溶液成膜時所使用之祕只要是會溶Γ電成^场 19 321728 201033302 料者即可,並無特別限制,可_# =氣=等Μ溶媒、氫吱喃等嶋溶^二,甲燒、 笨等芳香族烴系溶媒;岛θ m 、、’曱表、二曱 酸乙醋、乙酸丁輯、己二醇單乙^^等_系溶媒;己 又,當使用成為電洞輪适層之材料作=等醋系溶媒等。 喷墨印墨中的水性高分子 & 34有機EL元件用 由雜祕之方_列舉如與前=為=媒。 法相同的塗佈法。 左入層之成犋 ❹ 杜混合之高分子黏結_以不會 ▲ 佳,又,以對於可見光之吸收 礙電何輪送者為 酯、聚丙稀酸酉旨、聚兩场 ^ 可列舉如聚碳酸 *乙稀'聚氣聚甲基丙缔酸甲-、聚 電洞輸送層之膜厚係依所用之材料而 值,係以使驅動電壓與發 同之最適 當設定,至少_不=:::當::厚方式進行適 佳。因此,電_層二= <發光層> #111佳為2nm至5〇〇nra’更佳為5nm至200nm。 讀有機物由發出螢光及/或碌光之有機物、或 為了提升發先㈣雜物(dopant)所形成。摻雜物係例如 為低分子化合物變發光波長而添加。又,有機物可 換算成聚苯乙婦之f為南分子化合物,發光層係以含有 之數平均分子量為π至】〇8的高分子化合 321728 20 201033302 物為佳。構成發光層之發光材料可列舉如以下之色素系材 料、金屬錯合物系材料、高分子系材料、摻雜物材料。 (色素系材料) 色素系材料可列舉如環嗔達明(cyclopendamine)衍生 物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噚二 唑衍生物、吡唑并喹啉(pyraz〇l〇quin〇1 ine)衍生物、二(苯 乙烯基)苯衍生物、二(笨乙烯基)伸芳基衍生物、吡咯衍生 物、嗟吩環化合物、吼咬環化合物、紫_(perinone)# 生物、訪生物、寡聚嗟吩衍生物、三苯基胺衍生物、辱 二唾二聚物、㈣琳二聚物、切相(quinaGrid隱)衍 生物、香豆素(coumarin)衍生物等。 (金屬錯合物系材料) =錯合物系材料可列舉如中心金屬具m、zn、Be ‘ΐ某二、Dy等稀土金屬且配位子具有-二嗤、嗟二 可列苯絲并料、料結財的金屬錯合物, 態錯合物等具有來自三重態激發狀 錯合物、苯并物、銘嗤琳醇錯合物、苯并啥#醇鈹 甲基鋅^物、辞錯合物、苯并嗟哇辞錯合物、偶氮 C高材料/物0响叫辞錯合物、销錯合物等。 鬲分子系材料可列舉如聚 ==笨基衍生物、㈣==
32172S 21 201033302 等 ^述發光性材料中,藍色發光之材料可列舉如二(笨乙 烯基)伸》基衍生物、0Ί衍生物、及該等之聚合物、聚 乙稀基叶㈣生物、聚對伸笨基衍生物、聚料生物等。 其中以同刀子材料之聚乙缔基啼唾衍生物、聚對伸笨基 衍生物或聚苐衍生物等為佳。 -又,綠色發光之材料可列舉如啊顿衍生物 、香豆 素衍生物、及料之聚合物、料伸苯基伸乙絲衍生物、
聚第衍生物等H以高分子材料之聚對伸苯基伸乙婦 基衍生物、聚s衍生物等為佳。 又’紅色發光之材料可列舉如香豆素衍生物 、噻吩環 化合物'及該等之聚合物、聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、 聚嗟^衍生物、料衍生物等。其中,以高分子材料之聚 對伸苯基伸乙烯基射物、㈣吩衍生物、聚㈣生物等 為佳。 (摻雜物材料) 摻雜物材料可列舉如茈衍生物、香豆素衍生物、紅螢 烯(rubrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸菁(squary} ium) 衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、稠四苯(tetracene) 衍生物、Π比β坐琳酮(pyraZ〇l〇ne)衍生物、十環婦 (decacyclene)、吩曙π井嗣(phenoxazone)等。又,此種發 光層之厚度通常為約2mn至200nm。 <發光層之成膜方法> 發光層之成膜方法可使用塗佈含有發光枯料之溶液的 22 321728 201033302 。由溶液成膜時所使用之办 祠輪送層製成膜時所使用2 方法、真空f备錢法、轉印法等 媒可列舉如與前述由溶液將電 ^ 溶媒相同的溶媒。 • ㈣含有發紐料之溶液的方法可列舉 法、洗鑄法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒式=塗佈 輥式塗佈法、線棒塗佈法、浸塗法、狹縫式塗佈法佈法、 管塗佈法、嘴塗法及喷嘴塗佈法等、以及凹 法毛細 ❿板印刷法、柔板印刷法、平板印刷法、反轉印^哈網 印刷法等塗佈法。從易於形成圖案或分塗多點: 看,以凹版印刷法、網板印刷法、柔板印刷法=來 法、反轉印刷法、喷墨印刷法等印刷法為佳。此外it 顯示昇雜之低分子化合物時,可使用真空麵法。再田者為 亦可使用藉由f射之轉印或熱轉印*僅在期望處形成發光 層的方法。又,當將發光材料是使用水性高分子材料的 發明之有機EL元件用喷墨印墨作為塗佈液而使用時,係 ❿用喷墨印刷法。. 〜史 〈電子輸送層〉 構成電子輸送層之電子輸送材料可使用公知者,例如 可列舉如噚二唑衍生物、蒽醌并二甲烷或其衍生物、苯鲲 或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰義 恩酿并二甲烧或其衍生物、苐酮衍生物、二苯基二氛武乙 稀或其衍生物、聯苯酿(diphenoquinone)衍生物、或窥 —基啥琳或其衍生物之金屬錯合物、聚啥琳或其衍生物、聚 •喹曙琳(polyquinoxaline)或其衍生物、聚薙或其衍生物 321728 23 201033302 等。 d +輸送材料係以嗜二嗤街生 其衍生物、其衍生物、或 本醌或 聚i其衍生物、料,錢騎生物、 ^或其射物為佳,以2_(4,苯基)+⑷m苯 基)-1,3, 4-曙二嗤、笑酿、贫細 ^ 琳為更佳 葱職、三(8物)銘、聚喧 電子輪送層之成膜法並無特別限制,在為低分子之電 子輸送材料時’可列舉如由粉末成膜之真空蒸链法、或是❹ =液或嫁融狀態進行之成膜’在為高分子之電子輪送材 料時’可列舉如由溶液或熔融狀態進行之成膜。又,舍由 溶液或熔融狀態進行成膜時,亦可併用高分子黏結劑:由 溶液使電子輸送層成膜之方法,可列舉如與前述由溶液使 電洞,送層成膜之方法相同的方法。此外,當將電子輸送 材料疋使用水性高分子材料的本發明之有機EL元件用喷 墨印墨作為塗佈液使用時,係使用喷墨印刷法。 電洞輸送層之膜厚係依所用之材料而有不同之最適❹ 值’係以使驅動電壓與發光效率成為適當值之方式進行適 當設定,至少必須為不產生針孔之厚度,若太厚則元件 之驅動電壓會變高而不佳。因此,電洞輸送層之膜厚係例 如為lnm至l#m,較佳為2nm至500nm,更佳為5nin至200nm。 〈電子注入層〉 構成電子注入層之材料係因應發光層之種類而適當選 擇最適合之材料,可列舉如驗金屬、驗土金屬、含有驗金 321728 24 201033302 屬及Ir 土金屬中之1種以上的合金、驗金屬或驗土金屬之 氧化物、齒化物、碳酸化物、或此等物質之混合物等。鹼 金屬、鹼金屬之氧化物、齒化物及碳酸化物之例可列舉如 鋰、鈉、鉀、铷、鉋、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、 氧化鉀、氟化鉀、氧化铷、氟化如、氧化绝、氟化鉋、碳 酸鐘等。此外’驗土金屬、驗土金屬之氧化物、鹵化物及 ,酸化物之例可列舉如鎂、鈣、鋇、锶、氧化鎂、氟化鎂、 ❹ ❹ 氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、氧化锶、氟化锶、碳 酸鎂等。電子注人層可由積層2層以上之積層體所構成’ 例如可列舉如UF/Ca # ^電子注人層可藉由紐法、濺鑛 :二:刷法等而形成。電洞注入層之膜厚係以至 左右為佳。 <陰極> 導電=古2材料係以功函數小、電子容易注入發光層、且 元件材料為佳。此外,在從陽極側放出光之有機EL 極之材料係^使來自發光層之光由陰極反射至陽極側’陰 如:鹼金屬可見光反射率高之材料為佳。陰極可使用例 極之材料可使^金屬、過渡金屬及ΙΠ_Β族金屬等。 錯、鋇、餘Γ、鋼、斜、麵、絶、皱、鎮、妈 等合屬.-铳、釩、鋅、釔、麵〜鏵、彭〜、銪、铽、 屬中之2種以上之合金;前_之 1種以上的心麵、銅、龜、鈥、鈷、鎳、鎢、錫中· 例可列舉如ϋ或是石墨或石墨層間化合物等。合金. 、’t合金、鎂_銦合金、鎂—鋁合金、銦-銀 321728 25 201033302 金經紹合金、裡-鎖合金、鐘-銦合金、纟弓_叙合金等。 此外,陰極可使用由導電性金屬氧化物及導電性有機物等 所構成的透明導電性電極。具體而言’導電性金屬氧化物· 可列舉如氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITQ及⑽,導電性有 機物可縣如聚苯胺或其衍生物、㈣吩或其衍生物等。 又,陰極可由積廣2層以上之積層體所構成。此外,亦有 使用電子注入層作為陰極之情形。 陰極之膜厚係考慮導電度和耐久性而適當設定,例如 為l〇nm至,較佳為20nm至l//m,更佳為50nm至 〇 5〇Onm。 陰極之製作方法可列舉如真空蒸鍍法、濺鍵法、或將 金屬薄膜予以熱壓合之積層法等。 <絕緣層〉 絕緣層之材料可列舉如金屬氟化物、金屬氧化物、有 ^絕緣材料等。設有膜厚2nm以下之絕緣層的有機EL元件 可列舉如··鄰接陰極而設有膜厚2nm以下之絕緣層者、鄰 接陽極而設有膜厚2nm以下之絕緣層者。 ◎ ^以上所說明之有機EL元件可適合使用作為曲面狀或 平面狀之照明裝置(例如作為掃瞄器光源用的面狀光源)、 以及顯示裝置。 具備有機EL元件之顯示裝置可列舉如區段式顯示裝 置、點矩陣顯示裝置等。點矩陣顯示裝置有主動矩陣顯示 骏置及被動矩陣顯示裝置等。在主動矩陣顯示裝置、被動 矩陣顯示裝置中,有機EL元件係作為構成各畫素之發光元 26 321728 201033302 件使用。又,在區段式顯示裝置中,有機EL元件係作為構 .成各區段之發光元件使用,在液晶顯示裝置中,係作為背 -光使用。 ^ +有水、界面活性劑、水性高分子材料,而靜態表面 張力為40mN/m以下,且依最大泡壓法所測定之在ι〇〇Ηζ時 之動態表面張力為55mN/m以上的噴墨印墨係亦可適合使 用於製造有機電晶體、有機太陽電池。 [實施例] ❹ (調製例1) 將 PED0T/PSS 水溶液(商品名:cievi〇us p vp ch8〇〇〇, H. C. Stark公司製)與甘油以70 : 30之重量比混合,調製 印墨1。 -(實施例1) 將五乙一醇早十二基醚與水以5 : 95之重量比混合, 調製PEGDE水溶液。其次,將PED0T/PSS水溶液(商品名:
⑩ Clevi〇usPVPCH8000’H. C. Stark 公司製)與甘油與 PEGDE 水溶液以70 : 29 : 1之重量比混合,調製印墨2。 (調製例2) 將 PED0T/PSS 水溶液(商品名:cievi〇us P VP CH8000, H.C. Stark公司製)與PEGDE水溶液與包含甘油與具有乙 炔基之界面活性劑的Surfynol溶液(商品名:Surfynol 104PA,日信化學工業公司製,其為將Surfynol 1〇4與異 丙醇以50 : 50之重量比混合而成之溶液)以70 : 29 : 1之 -重量比混合,調製印墨3。 27 321728 201033302 (靜態表面張力之測定) 使用接觸角測定裝置(商品名:OCA30,data physics 公司製)’藉由懸滴法測定印墨1至3之靜態表面張力。印 墨1之靜態表面張力為69. 6mN/m,印墨2之靜態表面張力 為31. 4mN/m ’印墨3之靜態表面張力為32. lmN/m。 (動態表面張力之測定) 一邊改變泡吐出頻率,一邊使用動態表面張力測定裝
置(商品名:Bubble Pressure Tensiometer MPT2,LAUDA 公司製)測定印墨1至3的動態表面張力。結果示於第^ 圖。印墨2之靜態表面張力為4〇mN/m以下,並且如第1圖 所示’在100Hz時之動態表面張力為55mN/m以上。 (實施例2) 其次’使用喷墨裝置(Dimatix公司製,Model DMP-2831) 從喷嘴滴下印墨2,以裝附之相機觀察液滴。滴下印墨時, 於壓電το件外加25伏特之電壓,頻率為1〇〇〇Hz。第3圖 係表示印墨2滴下的狀況。又’將印墨2吐出在基板上時, 印墨2係濕潤擴展。 (比較例1) 除了使用印墨1替代印墨2以外,以與實施例2同樣 之方法滴下印墨。帛2圖係表示印墨i滴下的狀況。又, 將印墨1吐出在基板上時’印墨2未濕潤擴展。 (比較例2) $了使用印墨3替代印墨2以外’以與實施例2同樣 方法滴下印墨。第4圖係表示印墨3滴下的狀況。 321728 28 201033302 第2至4圖中,上方表示垂直方向上方,下方表示垂 . 直方向下方,上方之左右分別照映出有喷嘴,而表示從該 , 2支喷嘴朝下方吐出印墨的狀態。在第2圖、第3圖中之 ^ 液滴係正常滴下,但在第4圖則有垂滴。如此,動態表面 張力大之印墨1、2係適當地滴下所期望之液滴,但動態表 面張力小之印墨3則有垂滴,而無法滴下所期望之液滴。 又,印墨1雖然沒有垂滴,但由於靜態表面張力大,故在 著墨面不會濕潤擴展,而靜態表面張力小之印墨3則會在 ® 著墨面濕潤擴展。 (實施例3) 在玻璃基板上形成作為陽極之ΙΤ0電極之圖案,於其 上將堤岸(bank)材料予以圖案化而形成堤岸。在洗淨基板 -後,於基板之表面進行〇2電漿處理,繼而進行CF4電漿處 理。在由堤岸所圍住之區域中使用喷墨裝置(Dimatix公司 製,Model DMP-2831)從喷嘴滴下印墨2,形成電洞注入層。 φ 在電洞注入層上塗佈含有發光材料與溶媒之溶液,形成發 光層。在發光層上蒸鐘鋇,於其上蒸鍍紹。然後,進行玻 璃密封,藉此即可製造有機EL元件。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示印墨1至3之動態表面張力之圖。 第2圖係表示液滴1滴下之形狀的照片。 第3圖係表示液滴2滴下之形狀的照片。 第4圖係表示液滴2滴下之开多狀的照片。 .【主要元件符號說明】 29 321728 201033302

Claims (1)

  1. 201033302 七、申請專利範圍: L 一種有機電致發光元件用喷墨印墨,其含有水、界面活 一 性劑、與水性高分子材料,而其靜態表面張力為40mN/m I 以下’且依最大泡壓法在100Hz測定時之動態表面張力 為55mN/m以上者。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用噴墨印 墨’其中’前述界面活性劑包含直鏈狀聚醚醇 〇 (polyether alcohol)。 3. 如申請專利範圍第1或2項之有機電致發光元件用喷墨 印墨’其中’前述直鏈狀聚醚醇之分子量為1〇〇至8〇〇。 4. 如申請專利範圍第2或3項之有機電致發光元件用噴墨 印墨’其中,前述直鏈狀聚醚醇為下式所示之結構: Ri-(〇-R2)„-〇H (式中,L為可具有取代基之烷基,r2為可具有取代基 ❹ 之伸烷基’ η為自然數;當存在複數個r2時,各個r2 可為相同或不同)。 5. 如申請專利範圍第4項之有機電致發光元件用喷墨印 墨’其中,前述R!為碳數4至20之直鏈狀烷基,只2為 碳數1至10之直鍵狀伸烧基,η為1至12之整數。 6. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用喷墨印 墨,其中,前述界面活性劑為五乙二醇單十二基醚 _ (pentaethylene glycol mono-dodecyl ether) ° 31 321728 201033302 7. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用喷墨印 墨,其中,相對於有機電致發光元件用喷墨印墨之全量 100重量份,前述界面活性劑之含量為0. 001至10重 量份。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之有機電致發光元 件用喷墨印墨,其中,前述水性高分子材料為水性導電 性高分子。 9. 一種有機電致發光元件之製造方法,該有機電致發光元 件係具備一對電極、與設置於該電極間之有機層者,該 方法包括下述步驟:使用申請專利範圍第1至8項中任 一項之有機電致發光元件用喷墨印墨藉由喷墨法形成 前述有機層的步驟。 32 321728
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