TW201033282A - Resin composition, reflector and light-emitting device - Google Patents

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201033282 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種作爲反射板之材料之有用的樹脂組 成物、使用該樹脂組成物所得到之反射板以及裝設該反射 板之發光裝置。 【先前技術】 φ 在LED (發光二極體）發光裝置使用之反射板，有許 多基於加工性或輕量性之觀點，係使用樹脂製品。在此種 LED發光裝置之製造中，由於在LED元件之實裝步驟或 封止樹脂之硬化步驟、甚至於LED模組組裝時以焊錫進 行焊接步驟等，因爲反射板會暴露於高溫環境之故，在構 成反射板之樹脂材料上，就需要高耐熱性。此外，在製造 反射板上，由於需要優良之成形性之故，關於該樹脂材料 ，已廣泛地檢討液晶聚合物，尤其是液晶聚酯。 φ 進一步，在反射板上，爲使發光裝置之亮度保持良好 起見，係要求高度之反射率。因此，關於反射板之樹脂材 料，即曾檢討一種樹脂組成物，其特徵係包含能賦予反射 板以高反射率之塡充劑以及液晶聚合物者。舉例而言，在 特公平6-38520號公報及特開2007-254669號公報中，關 於反射板之樹脂材料，曾揭示一種含有液晶聚酯及氧化i太 塡充劑之樹脂組成物。 【發明內容】 -5- 201033282 發明之揭示 發明所欲解決之課題 然而，傳統上，含有液晶聚酯及氧化鈦塡充劑之樹脂 組成物，由於其氧化鈦塡充劑對於液晶聚酯之分散性未必 完全之故，所得到反射板之反射率有變低的現象。此外， 當其調製時或成形時，如液晶聚酯及氧化鈦塡充劑在高溫 下發生接觸時，且該接觸時間變成較長時間時，液晶聚酯 就有可能被誘發分解•低分子量化之現象；且在所得到之 反射板上如將其他元件以焊錫進行接合時，可能因爲所生 成之分解•低分子量成分發生揮發等，而產生外觀上膨脹 等外觀異常之情形。 據此，本發明之目的，係提供一種合適之樹脂組成物 ，其特徵係能作爲反射板之材料使用，而該反射板具有高 反射率’且在高溫下進行處理時亦具有能充分防止外觀異 常發生之高耐熱性者；以及使用該樹脂組成物所成之反射 板及使用該反射板所成之發光裝置。 解決課題之手段 本發明者們’經過反覆努力檢討之結果，完成了本發 明，並達成了前述目的。亦即’本發明係一種含有液晶聚 酯及氧化鈦塡充劑之樹脂組成物，如將該氧化鈦塡充劑中 之鋁含量換算爲氧化鋁之含量之値定爲A重量。/。，且將該 氧化駄塡充劑之體積平均粒徑定爲B/zm時，A及B可滿 足下式（I)及（II)之樹脂組成物。 -6- 201033282 A ^ 0.1 (I) A/ B2 S 25 (II) 進一步，本發明係提供一種將前述樹脂組成物加以成 形所得到之反射板、以及具有該反射板及發光元件之發光 裝置。 根據本發明之樹脂組成物，可得到一種具有高反射率 、且具有高耐熱性之反射板。再者，使用該反射板，由於 φ 可得到在亮度等特性上相當優異之發光裝置，因此在產業 上係極爲有用者。 【實施方式】 實施發明之最佳型態 本發明之樹脂組成物，係含有液晶聚酯及氧化鈦塡充 劑者。 φ 液晶聚酯 在本發明所使用之液晶聚酯，係一種稱爲熱向型 (Thermotropic)液晶聚合物之聚醋，且其在450°C以下會形 成顯示光學異方性之溶融體。此種液晶聚酯，例如有以下 者。 (1) :將芳香族羥基羧酸及芳香族二羧酸及芳香族二醇 加以組合並聚合所得者。 (2) :將多數種的芳香族羥基羧酸進行聚合所得者。 (3) :將芳香族二羧酸及芳香族二醇加以組合並聚合所 201033282 得者。 (4):在聚對苯二甲酸乙二醇酯等之結晶性聚酯上，使 芳香族羥基羧酸發生反應而得者。 此外，在液晶聚酯之製造中，亦可不使用芳香族羥基 羧酸、芳香族二羧酸或芳香族二醇，而使用其等之酯形成 性衍生物，而如使用該酯形成性衍生物時，則有可更容易 地製造液晶聚酯之優點。 在此，茲就酯形成性衍生物加以簡單地說明。在分子 內具有羧基之芳香族羥基羧酸或芳香族二羧酸之酯形成性 衍生物，例如有該羧基轉化成鹵甲醯基或醯基氧基羰基等 之高反應性之基者；以及，該羧基可藉由酯交換反應而生 成聚酯之情形下，而形成醇類或乙二醇及酯者。此外，關 於在分子內具有苯酚性羥基之芳香族羥基羧酸或芳香族二 醇之酯形成性衍生物，則例如有該苯酚性羥基可藉由酯交 換反應而生成聚酯之情形下，而形成低級羧酸類及酯者。 進一步，只要在不會阻礙酯形成性之程度下，芳香族 羥基羧酸、芳香族二羧酸或芳香族二醇，亦可在其芳香環 上，具有氯原子、氟原子等鹵原子；甲基、乙基等之碳數 1〜10之烷基；苯基等之碳數6〜10之芳基，而作爲取代 基者。 構成液晶聚酯之構造單位，例如有下述者。 由芳香族羥基羧酸所衍生之構造單位： 201033282

前述之構造單位 取代基者。 由芳香族二羧酸 (AX) (A2) ，亦可具有鹵原子、烷基或芳基作爲 所衍生之構造單位：

201033282

c-- II O .

前述之構造單位，亦可具有鹵原子、烷基或芳基作爲 取代基者。 由芳 醇所衍生之構造單位： 201033282

I 前述之構造單位，亦可具有鹵原子、烷基或芳基作爲 響 取代基者。 關於合適之液晶聚酯，例如有其構造單位之組合係以 下'之（a)〜（h)之液晶聚醋者。 (a) :由（A,)、（B〗）、及（Cl)所成之組合、或由（A!)、 (Βι)、（B2)、及（C〇所成之組合。 (b) :由（A2)、（B3)、及（C2)所成之組合、或由（A2)、 (Βι)、（B3)、及（C2)所成之組合。 (c) :由（A,)及（A2)所成之組合。 (d) :在（a)之構造單位之各種組合中，（Ai)2 —部份 -11 - 201033282 或全部係以（a2)取代者。 (e) :在（a)之構造單位之各種組合中，（Bl)之一部份或 全部係以（B3)取代者。 (f) ’·在（a)之構造單位之各種組合中，（CJ之一部份或 全部係以（C3)取代者。 (g) :在（b)之構造單位之各種組合中，（A2)之一部份 或全部係以（A〇取代者。 (h) :在（c)之構造單位之各種組合中，再加入（8〇及 _ (C2)者。 如前述（a)〜（h)，關於本發明所使用之液晶聚酯，其 芳香族羥基羧酸所衍生之構造單位，係以具有（A,)及/或 (A2)者；芳香族二醇所衍生之構造單位，係以具有選自 (B〇、（B2)及（B3)所成群之1個以上者；芳香族二羧酸所 衍生之構造單位，係以具有選自（C〇、（C2)及（C3)所成群 之1個以上者，爲較佳。此外，如上所述，此等之構造單 位’亦可在其芳香環上具有取代基，惟在反射板需要更高 @ 度之耐熱性時，其係以不具有取代基者爲較佳。 本發明所使用之液晶聚酯，係以其流動溫度爲2 7 0〜 400°C之範圍爲較佳，並以300〜3 80°C之範圍爲最佳。如 使用流動溫度爲此範圍之液晶聚酯時，反射板之製造就可 以更爲容易，且如果將反射板使用於例如以LED爲發光 元件之發光裝置上時，在LED模組組裝步驟等之高溫環 境下，就可以相當良好地防止包括反射板變形、反射板著 色甚至反射率降低等不佳狀況。 -12- 201033282 此外’在此所謂之流動溫度，係指使用具有內 mm、長度10 mm之噴嘴之毛細管型流動計，在9.8 之負重下’以4°C /分之升溫速度將加熱溶融體由噴嘴 時’其溶融黏度係4800 Pa· sec之溫度之意，該流動 係所屬技術領域中用以表示習知之液晶聚酯之分子量 標。（參照小出直之編，「液晶性聚合物合成•成形 用」’95〜105頁，CMC，1987年6月5曰發行）。 φ 關於液晶聚酯之製造方法，可採用各種習知之方 惟係以本案申請人在特開2004-256673號公報所提案 晶聚酯之製造方法爲較佳。以下，茲就本公報所提案 適之液晶聚酯之製造方法，舉出一例加以說明。 在芳香族羥基羧酸及芳香族二醇及芳香族二羧酸 合物中’藉由混合脂肪酸酐，並於氮氣環境下以1 3 0 -°〇：使其反應，再將芳香族羥基羧酸及芳香族二醇之苯 羥基以脂肪酸酐進行醯基化，而得到醯基化物（芳香 〇 基羧酸醯基化物及芳香族二醇醯基化物）。其後，進 升溫將反應副產物餾出至反應系外，再使該醯基化物 基及芳香族羥基羧酸醯基化物及芳香族二羧酸上之羧 發生酯交換反應之情形下，使其進行重縮合而製得液 酯。 在芳香族羥基羧酸及芳香族二醇及芳香族二羧酸 合物中，羧基相對於苯酚性羥基之莫爾比，係以0.9 之範圍爲較佳。 芳香族二醇及芳香族羥基羧酸，其相對於苯酚性 徑1 MPa 壓出 溫度 之指 •應 法， 之液 之合 之混 -180 酚性 族羥 一步 之醯 基可 晶聚 之混 〜1 1 羥基 -13- 201033282 之合計之脂肪酸酐之使用量，係以0.95〜1.2莫爾倍爲較 佳，並以1.00〜1.15莫爾倍爲最佳。如脂肪酸酐之使用量 少時，所得到之液晶聚酯之著色將有被抑制之傾向，又如 脂肪酸酐之使用量過少時，在重縮合時該未反應之芳香族 二醇或芳香族二羧酸會變得容易昇華，使得反應系將有閉 塞之虞。另一方面，如脂肪酸酐之使用量過多時，所得到 之液晶聚酯會發生著色，並有使得到之反射板之反射率有 惡化之虞。有鑑於此等之觀點，脂肪酸酐之使用量係以前 述之範圍爲較佳。 脂肪酸酐，例如有醋酸酐、丙酸酐、酪酸酐、異酪酸 酐、吉草酸酐、三甲基乙酸酐、2-乙基己酸酐、單氯醋酸 酐、二氯醋酸酐、三氯醋酸酐、單溴醋酸酐、二溴醋酸酐 、三溴醋酸酐、單氟醋酸酐、二氟醋酸酐、三氟醋酸酐、 戊二酸酐、馬來酸酐、琥珀酸酐、溴丙酸酐，惟並無 特別之限制。此等亦可將2種類以上加以混合而使用。又 基於經濟性及處理性之觀點，較佳可使用醋酸酐、丙酸酐 、酪酸酐、異酪酸酐，並以醋酸酐爲最佳。 酯交換（重縮合）反應，係以130〜400°C之範圍、且 〇·1〜50 °C /分之比例一面進行升溫者爲較佳，另以150〜 3 50 °C之範圍、且0.3〜5 °C /分之比例一面進行升溫者爲最 佳。再者’爲使酯交換（重縮合）反應更順暢地進行起見 ’可將反應副產物餾出至系統外。 酯交換（重縮合）反應，基於使液晶聚酯之製造更順 暢地進行之觀點’以及能將所得到之液晶聚酯之著色充分 -14- 201033282 地加以抑制之觀點，係以在含有2個原子以上之氮原子之 雜環狀有機鹼性化合物之存在下進行者爲較佳。此種含有 2個原子以上之氮原子之雜環狀有機鹼性化合物（含氮雜 環狀有機鹼性化合物），例如有咪唑化合物、三唑化合物 、二吡啶化合物、菲繞啉化合物、二氮菲化合物。此等之 中，又基於重縮合相關之反應性之觀點，係以使用咪唑化 合物爲較佳，又基於獲得容易性之觀點，以1 -甲基咪唑、 φ 1 -乙基咪唑爲最佳使用者。 此外，基於能更促進酯交換（重縮合）反應並使重縮 合速度增加之目的，如在不損及本發明目的之範圍內，亦 可使用前述含氮雜環狀有機鹼性化合物以外之觸媒。惟如 將金屬鹽作爲觸媒使用時，因爲該金屬鹽在液晶聚酯上係 以雜質而殘存之故，其對於反射板等電子零件可能有不良 影響。在此點上，如使用前述含氮雜環狀有機鹼性化合物 ，在製造液晶聚酯上係最佳之實施態樣。 Φ 使酯交換（重縮合）反應進一步進行，且更提升液晶 聚酯之聚合度之方法，例如有將酯交換（重縮合）反應之 反應谷器內進行減壓之方法（減壓聚合）；或將酯交換（ 重縮合）反應後之反應生成物冷卻固化後，磨碎成粉末狀 ’再將所得到之粉末以2 5 0〜3 5 0 °C進行2〜2 0小時加熱處 理之方法（固相聚合）等。藉由以此等之方法提升聚合度 ’就可以容易地製得適合之流動溫度之液晶聚酯。又基於 設備簡便之觀點’其係以使用固相聚合者爲較佳。 此外’前述之醯基化及酯交換（重縮合）反應、或目 -15- 201033282 的在提升聚合度之減壓聚合或固相聚合，其可在氮氣等不 活性氣體之環境下進行，且可充分地防止液晶聚酯之著色 ，故爲較佳者。 這樣所製造之液晶聚酯，一般其YI値係32以下，最 適合作爲本發明之液晶聚酯而使用。此外，所謂YI値， 係指表示物體之黃色度之指標，其係以下式所定義之値， 亦即，就液晶聚酯所成之試驗片，根據A STM D 1 925爲標 準，再使用色差計進行測定。 _ YI = [100(1.28Χ - 1.06Ζ)/Υ] (式中，X、Υ及ζ，係ΧΥΖ表色系之光源色之三刺 激値）。 以前述含氮雜環狀有機鹼性化合物作爲觸媒使用之製 造方法所得到之ΥΙ値在32以下之液晶聚酯係最佳者，惟 如將多數之液晶聚酯加以混合而使用ΥΙ値在32以下之液 晶聚酯混合物，亦可使用。此時，液晶聚酯混合物之ΥΙ 値，亦可以上述方法求出，再選擇適合之液晶聚酯混合物 @ 氧化鈦塡充劑 本發明所使用之氧化鈦塡充劑，係除了氧化鈦之外， 還含有金屬鋁及/或鋁化合物（以下，將金屬鋁及/或鋁化 合物一起稱爲「鋁成分」）者，並將氧化鈦之表面以鋁成 分進行被覆者爲較佳。在此種氧化鈦塡充劑上使用之氧化 鈦，在所屬技術領域中亦稱爲「氧化鈦」，並以樹脂塡充 -16 - 201033282 用塡充劑販售。 前述氧化鈦之結晶形，並無特別之限制，其可爲金紅 石型，亦可爲銳鈦礦型，亦可爲二者混在型。又基於光反 射性能及耐候性之觀點，係以含有金紅石型之氧化鈦者爲 較佳’並以使用實質上全部皆爲金紅石型氧化鈦者爲最佳 〇 使用於氧化鈦塡充劑之氧化鈦，其製造法並無特別之 Φ 限制，可使用以鈦鐵礦爲原料使硫酸作用之硫酸法、或以 金紅石礦等爲原料並使氯氣作用之氯法等。此等之中，以 氯法所製造之氧化鈦，相較於以硫酸法所製造之氧化鈦， 由於其鐵、鉻、鈀等著色性之金屬材料雜質的含量極低之 故，反射率及焊錫耐熱溫度有變得更佳之傾向，作爲本發 明之氧化鈦使用爲較佳。 此外，亦可在將鈦硫酸加水分解所得到之偏鈦酸上， 添加硫酸鋁水溶液，充分地混練之後，將焙燒之氧化鈦作 〇 爲氧化鈦塡充劑使用。 在本發明可使用之合適的氧化鈦塡充劑，係以鋁化合 物，較佳以氧化鋁，將氧化鈦進行表面處理所成者。此外 ’該氧化鈦塡充劑，亦可使用以氧化鋁及氧化矽將氧化鈦 進行表面處理所成者，或者，以氧化鋁、二氧化矽及氧化 锆將氧化鈦進行表面處理所成者。再者，以氧化鋁將氧化 鈦進行表面處理所成之氧化鈦塡充劑，以及再與未以氧化 鋁將進行表面處理之氧化鈦加以混合者，亦可作爲氧化鈦 塡充劑而使用。 -17- 201033282 茲就以氧化鈦之表面處理，而製造氧化鈦塡充劑之典 型方法。此種氧化鈦塡充劑之製造方法，例如有將氧化鈦 及含有鋁化合物之表面處理劑，使其分散於水或有機溶劑 中之濕式處理方法；或者’將氧化鈦及含有鋁化合物之表 面處理劑，以超級混合器、亨謝耳混合器等進行乾式處理 之方法。此等之中’又以前者之濕式處理方法爲較佳。其 理由，係因在所得到之氧化鈦塡充劑中，其氧化鈦之表面 係更均一地被以鋁化合物進行表面處理者。在此之鋁化合 物，一般可使用鋁酸鹽乃至於鋁鹽，此種鋁酸鹽乃至於鋁 鹽，則例如有鋁酸鈉、硫酸鋁、硝酸鋁、氯化鋁等。此外 ，氧化鈦之表面處理層，爲得到在氧化鋁外更含有氧化矽 或氧化锆者，亦可除前述之鋁酸鹽乃至於鋁鹽之外，同時 使用矽酸鈉、矽酸鉀、四氯化矽等或硫酸鉻、氯化锆等。 關於濕式處理之例子，進一步詳細加以說明，首先調 製含有氧化鈦之水性漿料，在該水性漿料上加入前述表面 處理劑之後，再以酸或鹼將pH値調整至6〜7左右，而於 氧化鈦表面上被覆表面處理劑。接著，將該水性漿料以壓 濾機、鼓形過濾機等過濾，再洗淨，將殘存之表面處理劑 洗掉。然後，以手提乾燥機、噴霧乾燥機等進行乾燥之後 ，再使用電氣爐、旋轉型燒成爐等加以燒成。燒成後，可 進行適當之磨碎，即可製得氧化鈦塡充劑。 本發明所使用之氧化鈦塡充劑，如將其中之鋁含量換 算爲氧化鋁之含量之値並定爲人（重量％)，且將其體積 平均粒徑定爲B( //m)時，A及B係可滿足下式（I)及（II) 201033282 者。 A ^ 0.1 (I) A/ B2 S 25 (II) 前述式（I)及（II)中之A ’換言之，係將氧化鈦塡充劑 中所含之鋁成分’其全部皆作爲氧化鋁時所得之氧化鋁含 量（單位：重量％ ) 。A係以0.2以上爲較佳，並以〇.3 以上爲最佳。A如未達0.1時，氧化鈦塡充劑對於液晶聚 φ 酯之分散性將有降低之傾向’所得到之反射板之反射率亦 有降低之傾向。 此外’前述式（II)中之A / B2，其係表示鋁成分相對 於氧化鈦塡充劑之全表面積之表面存在量之槪念，其單位 係重量％/ Ai m2。再者’氧化鈦塡充劑中所含之鋁成分，其 不僅存在於氧化鈦塡充劑之表面，亦可能存在於氧化鈦塡 充劑之內部。然而’本發明者們，發現了當表面上存在有 許多鋁成分之氧化鈦塡充劑，其所得到之反射板之反射率 9 或焊錫耐熱溫度等特性將有容易受損之情形。因此，假定 即使在氧化鈦塡充劑內部存在有鋁成分時，此種鋁成分將 會偏處在氧化鈦塡充劑之表面，而當A/B2在25以下時 ’就可作爲本發明之氧化鈦塡充劑使用。其並以A/ B2在 2 〇以下時爲較佳，另以2以上爲較佳，且3以上爲最佳。 在此說明關於氧化鈦塡充劑中之鋁含量，其氧化鋁含 量換算値A之計算方法。爲求得該氧化鋁含量換算値a， 首先應精秤氧化鈦塡充劑0.05 g〜0.1 g左右，再加入白 金皿中。接著，加入碳酸鈉丨g及硼酸〇.5 g後，將白金 -19- 201033282 皿以噴燈等加熱，以使其內容物融解。該融解，只要以目 視確認白金皿中之內容物有融解者即可。在冷卻後之融解 物中加入鹽酸10 ml使其溶解，進一步將水加入50 ml量 瓶中進行定容。再將如此地所得到之測定用溶液，使用 ICP-AES (電漿發光分光分析）進行分析。此外，爲使此 時可以ICP-AES進行分析之範圍起見，可進一步以水將該 測定用溶液加以稀釋。如此地操作，由使用ICP-AES所求 得之鋁分析値，以及用於融解之氧化鈦塡充劑之重量，可 求出該氧化鈦塡充劑中所含之鋁量（重量％ )，再藉由代 入式[101.96 (氧化鋁Al2〇3之式量）/26.98 (鋁A1之原子 量）/2]= [ 1.8 89]中，而換算氧化鋁之含量（重量％)。 前述氧化鈦塡充劑之體積平均粒徑B，只要滿足前述 式（II)者即可，並無特別之限制，惟基於可得到具有更高 度之反射率之反射板，且該反射板中之氧化鈦塡充劑之分 散性能良好之觀點，係以〇 . 〇 1〜1 〇 β m爲較佳，並以0.1 〜lym爲更佳，又以0.20〜0.35//m爲最佳。此種氧化 鈦塡充劑之體積平均粒徑，可考慮其目的之反射板厚度再 選擇最適者使用，亦可將塊狀者或體積平均粒徑大者加以 適當地磨碎，如有必要再以篩等進行分級後，而使用具有 適合之體積平均粒徑之氧化鈦塡充劑。 再者，在此所謂之體積平均粒徑，係指將氧化鈦塡充 劑以掃描形電子顯微鏡（SEM )進行觀察，所得到之SEM 照片再以畫面解析裝置（例如株式會社 NIRECO製「 Luzex IIIU」）進行解析，求出一次粒子之各粒徑區間之 201033282 粒子量（％)，再於以此等爲體積基準所累積之分布曲線 中，累積度爲50%時之粒徑之意。 A及B如滿足前述式（I)及（II)時，可將市售之氧化鈦 作爲氧化鈦塡充劑使用。本發明者等在市售之氧化鈦中’ 發現石原產業（股）製「TIPAQUE CR-61」、堺化學（股 )製「D-2378」、RAIKA (股）製「JR-405」，其 A 及 B 如滿足前述式（I)及（II)，而可在本發明中作爲氧化鈦塡充 φ 劑使用。當然，此種市售之氧化鈦塡充劑，亦可使用篩等 ，而變更其體積平均粒徑B，且只要能在滿足前述式（I)及 (Π)之範圍者，皆可實施。 樹脂組成物 本發明之樹脂組成物，其係含有上述液晶聚酯及氧化 鈦塡充劑者，該樹脂組成物中之氧化鈦塡充劑之含量，可 依使用之液晶聚酯之種類或使用之氧化鈦塡充劑之種類而 ® 適當地決定，惟相對於液晶聚酯1 00重量份，較佳係5〜 100重量份，更佳係10〜90重量份，最佳則係10〜80重 量份。相對於液晶聚酯之氧化鈦塡充劑之含量如在此範圍 內時，所得到之反射板就可繼續表現良好之反射率，進而 可充分防止外觀異常之發生，亦即其耐熱性將更爲良好， 並且反射板將更容易製造等優點。氧化鈦塡充劑之含量如 過多時，所得到之反射板之機械特性將有受損之虞。此外 ’如使用多數氧化鈦塡充劑時，其總計含量相對於液晶聚 酯’只要在前述範圍內者即可。此外，如使用多種液晶聚 -21 - 201033282 酯時，相對於其合計量1 00重量份，氧化鈦塡充劑之含量 只要在前述範圍內者即可。 此外，在本發明之樹脂組成物中，如有必要，亦可含 有氧化鈦塡充劑以外之塡充劑（以下，稱爲「其他塡充劑 」）。此時，其他塡充劑之含量，相對於液晶聚酯1 00重 量份，較佳係5〜100重量份，最佳則係5〜90重量份。 其他塡充劑之含量如過多時，所得到之反射板之色調乃至 於反射率容易降低，並且，樹脂組成物之溶融黏度將容易 _ 變高使得造粒性惡化，在小型之反射板的成形上，其成形 加工性並有降低之傾向。再者，如使用其他塡充劑時，係 以無機塡充劑爲適合者。 該無機塡充劑，可爲纖維狀塡充劑，亦可爲板狀塡充 劑，或爲粒狀塡充劑。纖維狀塡充劑，例如有玻璃纖維、 PAN系或瀝青系之碳纖維、碳化矽纖維、石棉纖維、石膏 纖維、陶瓷纖維、不銹鋼纖維、鋁纖維或黃銅纖維等之金 屬纖維、氧化鉻纖維、氧化鋁纖維、二氧化矽纖維、氧化 G 鋁矽酸鹽纖維、氧化鈦纖維、碳化矽纖維、硼纖維、鈦酸 鉀晶鬚、鈦酸鋇晶鬚、碳酸鈣晶鬚、矽灰石晶鬚、硼酸鋁 晶鬚、氧化鋅晶鬚、氮化矽晶鬚、碳化矽晶鬚、以及石棉 。此外，板狀塡充劑’例如有蒙脫石、拜來石、囊脫石、 皂石、鋰蒙脫石、鋅蒙脫石、富鎂蒙脫石、Na囊脫石、

Li囊脫石、皂石等之蒙脫石；水合矽酸鹽Kanemite、凱 寧石等之層狀聚矽酸鹽；金雲母 '白雲母、絹雲母、氟金 雲母、K四矽雲母、Na四矽雲母、Na帶雲母、Li帶雲母 -22- 201033282 等之雲母；鉛白、滑石、矽灰石、膨潤土、高嶺土、埃洛 石、高嶺石、蛭石、綠泥石、葉鱲石、黏土、磷酸鉻、磷 酸鈦、石墨、氧化鋁、沸石、氫氧化鎂、氫氧化鋁、氧化 锆、氮化硼、氧化鐵、碳酸鈣、硫酸鈣、硫酸鋇、玻璃磚 。此外，粒狀塡充劑，例如有二氧化矽、陶瓷珠、玻璃珠 、中空玻璃珠、碳黑、氧化鋁、沸石、氫氧化鎂、氫氧化 鋁、氧化鎂、氧化鉻、氮化硼、碳化矽、氧化鐵、碳酸鈣 ❹ 、碳酸鎂、硫酸鈣。此等之中，爲了不使反射板之反射率 顯著地降低’並賦予反射板以實用之機械強度，其係以玻 璃纖維、氧化鈦纖維、矽灰石晶鬚等之纖維狀塡充材料、 滑石、雲母等之板狀塡充材料爲較佳。此外，在此種無機 塡充劑中’亦可能使用矽烷系、鈦酸鹽系等之偶合劑、及 其他表面處理劑，惟如基於抑制色調降低之觀點，其係以 使用之表面處理劑之量少者爲較佳。 再者’該樹脂組成物上，於不損及本發明之目的之範 • 圍內，可使其含有氟樹脂、高級脂肪酸酯化合物、脂肪酸 金屬皂類等之離型改良劑；抗氧化劑、熱安定劑；螢光增 白劑；紫外線吸收劑；抗靜電劑；界面活性劑等之添加劑 。此外’亦可使其含有具有高級脂肪酸、高級脂肪酸酯、 高級脂肪酸金屬鹽、氟碳系界面活性劑等之外部滑劑效果 者。 本發明之樹脂組成物，可將液晶聚酯、氧化鈦塡充劑 及必要使用之其他塡充劑或添加劑，使用亨謝耳混合器、 轉鼓混合器等進行混合；亦可在這樣的混合後，使用擠壓 -23- 201033282 機藉由溶融混練而使其成爲小片化。如此地，經過小片化 所得到之樹脂組成物，其在後述之成形上之操作性即爲良 好，且可因目的之元件之形狀，而有更大之適當成形方法 之選擇範圍。 反射板 本發明之反射板，可將前述之樹脂組成物以各種慣用 之成形方法加以成形。成形方法，例如射出成形法、射出 _ 壓縮成形法、壓出成形法等溶融成形法皆爲適合。特別以 射出成形爲適合，如以射出成形進行時，就可製造出具有 薄層部之反射板、或複雜形狀之反射板；尤其在薄層部之 厚度爲〇.〇1 mm〜3.0 mm’較佳爲0.02 mm〜2_0 mm，更 佳爲0.05 mm〜1.0 mm之小型反射板之製造上，即爲適合 者。此外，此種射出成形，在需要耐熱性之反射板之製造 上，則爲最有利者。再者，如使用上述適合之流動溫度之 液晶聚酯時，以射出成形可製造出焊錫耐熱溫度爲285 °C Q 以上之具有良好耐熱性之反射板。此外，在此所謂之焊錫 耐熱溫度，係指將反射板之試驗片於加熱至所定溫度之焊 錫浴中浸漬1分鐘，再就浸漬後之試驗片，以目視確認其 有無變形或膨脹狀態之外觀異常發生，等一連串之手段而 言，並且係將前述焊錫浴之溫度做各種變更，而不會發生 變形或膨脹狀態之外觀異常之最高溫度者而言。 射出成形等溶融成形之相關成形溫度，係以較溶融成 形所使用之樹脂組成物之流動溫度高1 〇〜6(TC之溫度者爲 -24- 201033282 較佳。成形溫度如過低時，樹脂組成物之流動性會變得極 低，並導致成形性之惡化或反射板之強度降低之傾向。再 者，成形溫度如過高時，液晶聚酯之劣化會變得很顯著， 並產生反射板之反射率降低之傾向。此外，樹脂組成物之 流動溫度，可將該樹脂組成物用在與上述液晶聚酯之流動 溫度之測定方法爲同樣之測定方法上，再使用毛細管型流 動計測定者即可。另外，樹脂組成物，如係由液晶聚酯、 φ 氧化鈦塡充劑及無機塡充劑所成者時’該樹脂組成物之流 動溫度，係幾乎與所使用之液晶聚酯之流動溫度爲相同者 〇 本發明之反射板，其對於可見光領域之光線之反射率 ，尤其是對於藍光之反射率，係極爲良好的。具體而言， 其可製造出對於波長460 nm之光線之反射率在75%以上 之反射板。進一步，亦可製造出反射率爲8 0%以上之反射 板。此外，在此所謂之反射率，係指基於JIS K7 105- 1 98 1 φ 之全光線反射率測定法A (標準白色板：硫酸鋇）所求得 者。 本發明之反射板，在電氣、電子、汽車、機械等領域 上，特別適合於使用在可見光反射相關之元件。舉例而言 ，其適合於使用在鹵素燈、HID等光源裝置之燈具反射器 、或使用LED或有機EL等發光元件之發光裝置或顯示裝 置之高強度反射板上。尤其，其適合於在使用LED之發 光裝置之反射板上。 -25- 201033282 實施例 以下，顯示本發明之實施例，惟本發明並不限於此等 之實施例。 (1 )反射率 對於64 mmx64 mmxl mm之平板試驗片之表面，依 JIS K7 1 05 - 1 9 8 1之全光線反射率測定法A (標準白色板·· 硫酸鋇）爲基準，使用自記分光光度計（（股）日立製作 所製「U-3500」），進行對於波長460 nm之光線之擴散 _ 反射率之測定。此外，此擴散反射率係將硫酸鋇之標準白 色板之擴散反射率定爲100%時之相對値。 (2 )焊錫耐熱溫度 將JIS K7113之1(1/2)號之迷你啞鈴型試驗片，浸漬 於加熱至所定溫度之焊錫浴中1分鐘，再確認試驗片有無 變形或膨脹狀態之外觀異常發生。然後，將該所定溫度以 5 °C之刻度依次提高’在不會見到變形或膨脹狀態之外觀 異常發生之最高溫度，將其定爲焊錫耐熱溫度。 @

(3)鋁含量之氧化鋁含量換算値A 在白金皿中採取約0.05〜0.1 g之氧化鈦塡充劑後， 加入碳酸鈉1 g及硼酸0.5 g，以噴燈使其鹼融解。接著， 加入水及鹽酸1 0 m 1，以1 3 0〜1 5 0 °C使其加溫溶解後，以 50 ml量瓶定容。其後，稀釋50倍，再依ICP-AES測定 鋁量，由該鋁量及採取之氧化鈦塡充劑重量，求出氧化鈦 塡充劑所含之鋁量（重量％)，換算氧化鋁之含量（重量 % )。 -26- 201033282 ]內之檁記 ’簡寫爲「 氧化鈦塡充劑，係使用以下者。此外，f 係表示氧化鈦塡充劑相關之氧化鈦製造方法。 石原產業（股）製「TIPAQUECR-61」： [氯法]，體積平均粒徑〇.21ym (表1中 C R - 6 1」） 石原產業（股）製「TIPAQUECR-60」： [氯法]，體積平均粒徑〇.21/zm (表1中，簡寫爲「 CR-60」） 石原產業（股）製「TIPAQUECR-67」： [氯法]，體積平均粒徑0.21 /zm (表1中，簡寫爲「 CR-67」） 石原產業（股）製「TIPAQUECR-EL」： [氯法]，體積平均粒徑〇·25μπι (表1中，簡寫爲「 CR-EL」） 石原產業（股）製「TIPAQUE CR-50」： ® [氯法]，體積平均粒徑〇.25#m (表1中，簡寫爲「 CR-50」） 石原產業（股）製「TIPAQUE CR-58」： [氯法]，體積平均粒徑0.2Mm (表1中，簡寫爲「 C R - 5 8」） 堺化學（股）製「D-2378」： [硫酸法]，體積平均粒徑〇.26 M m (表1中’簡寫爲 r D-23 78 j ) RAIKA (股）製「JR-405」： -27- 201033282 [硫酸法]，體積平均粒徑0.21 // m (表1中，簡寫爲 「JR-405」） RAIKA (股）製「JR-600E」： [硫酸法]，體積平均粒徑0.27 μ m (表1中，簡寫爲 「 JR-600E」） 製造例1 液晶聚酯之製造 在備有攪拌裝置、扭力計、氮氣導入管、溫度計及還 _ 流冷卻器之反應器中，加入對羥基苯甲酸994.5 g ( 7.2莫 爾）、4,4’-二羥基聯苯446.9 g(2.4莫爾）、對苯二甲酸 299.0 g(l,8莫爾）、間苯二甲酸99.7g(〇_6莫爾）、及 醋酸酐1347.6 g( 13.2莫爾），再添加1-甲基咪唑0.2 g 之後，將反應器內充分地置換成氮氣後，於氮氣流下以30 分鐘升溫至150 °C，並保持於該溫度下還流1小時。其後 ，添加0.9 g之1-甲基咪唑，接著一面餾去副產物之醋酸 及未反應之醋酸酐，一面以2小時50分升溫至320°C，保 參 持同溫度直至可確認轉矩上升爲止，而製得前聚合物。 將得到之前聚合物冷卻至室溫使其固化，以粗磨碎機 進行磨碎後，所得到之粉末在氮氣環境下以1小時由室溫 升溫至250°C，再以5小時由250°C升溫至285°C ’保持於 同溫下3小時，進行固相聚合。冷卻所得到之液晶聚酯之 流動溫度係327t。 實施例1〜3、比較例1〜6 -28 · 201033282 對於製造例1所得到之液晶聚酯10 0重量份’在配合 表1所示之氧化欽塡充劑80重量份及玻璃纖維（旭纖維 玻璃（股）製「CS03 JAPX-1」）20重量份之後，使用雙 軸擠壓機C池田鐵工（股）製「PCM-30」）進行溶融混 練，製得小片狀之樹脂組成物。將得到之小片狀樹脂組成 物以射出成形機（日精樹脂工業（股）製「PS40E5ASE型 」）在340°C下成形，而製得前述平板試驗片及迷你啞鈴 φ 型試驗片，各自進行反射率及焊錫耐熱溫度之測定。其結 果如表1所示。此外，在前述平板試驗片之成形上，係使 用經過鏡面加工之模具。 表1 例 氧化鈦 塡充劑 A mm.%) B (/zm) A/B2 (重量 ％/"m2) 反射率 (%) 焊錫耐熱溫度 (°C) 實施例1 CR-61 0.9 0.21 20 83 295 實施例2 D-2378 0.4 0.26 6 82 285 實施例3 JR-405 0.6 0.21 14 82 300 比較例1 CR-60 2.5 0.21 57 83 280 比較例2 CR-67 3.7 0.21 84 77 <250 比較例3 CR-EL <0.1* 0.25 <1.6 74 285 比較例4 CR-50 2.1 0.25 34 80 280 比較例5 CR-58 3.5 0.28 45 85 275 比較例ό JR-600E 3.8 __0.27 52 77 <250 *未達定量下限値 -29-

Claims (1)

1. 201033282 七、申請專利範圍： 1· 一種樹脂組成物，其特徵爲其係含有液晶聚酯及氧 化鈦塡充劑之樹脂組成物，且如將該氧化鈦塡充劑中之鋁 含量換算爲氧化鋁之含量之値定爲A重量％，並將該氧化 鈦塡充劑之體積平均粒徑定爲B/zm時，A及B可滿足下 式⑴及（Π)之樹脂組成物 A ^ 0.1 (I) A/ B2 S 25 (II) 。 2 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中相對於 該液晶聚酯1 0 0重量份，該氧化鈦塡充劑之含量係5〜1 0 0 重量份者。 3.如申請專利範圍第1或2項之樹脂組成物，其中該 氧化鈦塡充劑之體積平均粒徑係0.20〜0.35// m。 4·如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中係進一 步含有氧化鈦塡充劑以外之無機塡充劑者。 5 . —種反射板，其特徵係將申請專利範圍第1項之樹 脂組成物成形所得者。 6 · —種反射板，其特徵係將申請專利範圍第1項之樹 脂組成物射出成形所得者。 7. 如申請專利範圍第5項之反射板，其中該焊錫耐熱 溫度係285°C以上者。 8. 如申請專利範圍第5項之反射板，其中基於JIS K7 105-1981之全光線反射率測定法A (標準白色板：硫酸 鋇）所求得之對波長4 6 0 nm光線之反射率係7 5 %以上者 201033282

   9. 一種發光裝置，其特徵係具有申請專利範圍第5項 之反射板及發光元件。 10. 如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該發光 裝置係LED。 -31 - 201033282 . 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明：無

   -3- 201033282 五 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無 -4-