201030547 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種圖樣校正支援方法、一種製造半導體 裝置之方法，及一種圖樣校正支援程式，且更特定言之’
T 係在光學接近校正（OPC)之前，適當地應用一種校正設計 * 資料之佈局值的方法，以減小轉移於晶圓上之實際圖樣與 獲自該設計資料之佈局圖樣之間的差異。 本申請案係基於且主張於2008年12月27號申請之曰本優 ❿ 先專利申請案第2008-335564號的優先權權益，該案之全 文以引用的方式併入本文中。 【先前技術】 根據近年來半導體積體電路的微型化，等於或小於光之 半波長之一圖樣係藉由光微影術而形成。在此情況中，實 際上形成於一晶圓上之一圖樣之尺寸與設計值間的誤差是 大的。因此，藉由電腦模擬來預測此等誤差，且應用光學 接近校正於一遮罩圖樣以使實際上形成於該晶圓上之該圖 攀 樣之該等尺寸接近於設計值。 曰本專利特許公開申請案第2〇〇1_3383〇4號揭示一種稱 ，為日曰片至貝料庫比較的方法，用於轉換cad資料為一影像 格式，及比較該影像格式與獲卜檢驗目標晶片之一影像 以檢驗一晶圓及一主光罩。 …：而，s對一製程設定之條件不足時或當精度不足 時，即使執行光學接近校正，仍難以於一晶圓上形成一具 有如設計之尺寸的實際圖樣。 145311.doc 201030547 【發明内容】 根據本發明之一實施例之一圖樣校正支援方法包括：建 立對應於一目標佈局之設計資料；改變對應於一目標佈局 之設計資料之一佈局值；應用光學接近校正於該改變之設 計資料；以光罩在一晶圓上形成圖樣，在該光罩上有形成 ’ 經受光學接近校正之該佈局圖樣；比較晶圓上之該圖樣與 改變該佈局值之前之該目標佈局圖樣。 根據本發明之一實施例之一圖樣校正支援方法包括：建 立對應於一目標佈局之設計資料；改變該建立之設計資料 之一佈局值；應用光學接近校正於該改變之設計資料；增 加或減小經受光學接近校正之該佈局圖樣之一遮罩尺寸特 定值；以光罩在一晶圓上形成圖樣，在該光罩上有形成在 該遮罩特定值增加或減小之光學接近校正之後之該佈局圖 樣；比較晶圓上之該圖樣與改變該佈局值之前之該目標佈 局圖樣。 ❹ 根據本發明之—實施例之—圖樣校正支援方法包括：製 備對應於-第-圖樣之U局，豸第―圖樣為待形成 於一基板上之目標圖樣；改變該第一佈局至一第二佈局， 該第二佈局係對應於不同於該第—圖樣之—第二圖樣γ且 應用光學接近校正於該第二佈局。 ， 根據本發明之一實施例之一製造半導體 M 置之方法包 括.改變對應於一目標佈局之設計資料之一佈局值 光學接近校正於該改變的設計資料；以光罩於、 成圖樣’在該光罩上有渺忐c典l 、日日圓上形 先罩上㈣成經受光學接近校正之該佈局圖 145311.doc •4- 201030547 樣；比較晶圓上之該圖樣與在改變該佈局值之前之該目標 佈局圖樣；擷取該改變之設計資料’該改變之設計資料之 該比較之一結果滿足一所需條件；且轉移藉由應用光學接 近校正於該擷取設計資料而獲得之一遮罩圖樣於一半導體 基板上。 根據本發明之一實施例之用於使電腦執行之一圖樣校正 支援程式包括：獲取對應於一目標佈局圖樣之設計資料； 獲取在改變該獲取之設計資料之後之一佈局值；且比較藉 Φ 由使用基於該改變之後之該設計資料製造之一光罩所形成 之一圖樣與獲自該設計資料之該目標佈局圖樣之一影像。 根據本發明之一實施例之用於使電腦執行之一圖樣校正 支援程式包括：製備對應於一第一圖樣之一第一佈局，該 第一圖樣為待形成於一基板上之目標圖樣；改變該第—佈 局至一第二佈局’該第二佈局係對應於不同於該第一圖樣 之一第二圖樣；及應用光學接近校正於該第二佈局。 【實施方式】 ❿ 參考以下附圖詳細來解釋本發明之例示性實施例。本發 明不受該等實施例限制。 . 圖1係一系統之一概要組態之一方塊圖，根據本發明之 一第一實施例之一圖樣校正支援方法係應用於該系統。 在圖1中，一圖樣校正支援設備17a包含一圖樣比較單元 18a、一差值计算單元18b及一校正值選擇單元Μ。。一 cad系統n、—佈局值改變單元12、—成像裝置^及一顯 示裝置19係連接至該圖樣校正支援設備17a。 145311.doc 201030547 該CAD系統11可建立對應於一目標佈局圖樣之設計資 料。舉例而言’純文字座標資料、GDS資料、oasis資料、 HSS資料或影像資料（Tiff、Bit Map及jpeg)可用作設計資 料之一資料格式。該佈局值改變單元12可改變由該Cad系 統11建立之該設計資料的佈局值。該設計資料之該等佈局 值的實例包含S玄佈局圖樣的尺寸及一配置位置。該成像裝 置16可將形成於一晶圓W上之一實際圖樣成像為晶圓上之 一圖樣。除一光學顯微鏡影像之外，一電子顯微鏡影像及 類似物可用作藉由該成像裝置16成像之一影像。該顯示裝 置19可顯示與該圖樣校正支援裝置na協作而於一顯示平 面19a上執行圖樣校正的資訊。 該圖樣比較單元18a可比較由該成像裝置16所成像之該 晶圓w上之該實際圖樣與獲自由該CAD系統n所建立之該 6又计資料之該目標佈局圖樣。該差值計算單元1此可計算 由該成像裝置16所成像之該晶圓贾上之該實際圖樣的尺寸 與獲自由該CAD系統11所建立之該設計資料之該目標佈局 圖樣的尺寸之間的差值。該校正值選擇單元18c可選擇改 變之後之該佈局值，以減小由該差值計算單元18b所計算 出之該等尺寸間之該差值。 圖2係根據該第一實施例之圖樣校正支援方法之一流程 圖。 在圖2中，該CAD系統11建立對應於一目標佈局圖樣之 &计資料（步驟s丨丨）’且發送該設計資料至該佈局值改變單 兀12及该圖樣校正支援設備。該佈局值改變單元η改 145311.doc 201030547 變由該CAD系統11所建立之該設計資料的佈局值（步驟 S12) ’且發送該等佈局值至該㈣處理單元13及該圖樣校 正支援設備17a。該〇PC處理單元13應用光學接近校正於 獲自由該佈局值改變單元12所改變之該設計資料之一佈局 圖樣（步驟S13)，且發送該佈局圖樣至該遮罩資料建立單 元14。該遮罩資料建立單元14建立對應於經受該處理 單元13之光學接近校正之該佈局圖樣的遮罩資料（步驟 S14)。一光阻擋膜只係形成於基於由該遮罩資料建立單元 14所建立之該遮罩資料之一光罩河上。 當其上形成該光阻擋膜Η之該光罩肘及其上形成一抗蝕 膜R之該晶圓W係配置於一曝露裝置15上時，該曝露裝置 15經由該光罩Μ而曝露該抗蝕膜尺。執行由該曝露裝置b 所曝露之該抗蝕膜R的顯影，從而該抗蝕膜尺經圖樣化。 在其中使用一電子顯微鏡或類似物之一觀察環境下，該 成像裝置16成像經圖樣化於該晶圓冒上之該抗蝕膜r(步驟 S16)，且發送該抗姓膜尺之一實際圖樣之一影像至該圖樣 校正支援設備17a。當該抗蝕膜R之該實際圖樣之該影像係 發送至該圖樣校正支援設備17a時，該圖樣比較單元“a比 較由該成像裝置16所成像之該抗钱膜r之該實際圖樣與在 由該佈局值改變單元12改變該等佈局值之前之該目標佈局 圖樣（步驟S17)。 該差值計算單元l8b計算由該成像裝置16所成像之該抗 蝕膜R之該實際圖樣之該等尺寸與獲自由該CAD系統 建立之該設計資料之該目標佈局圖樣之該等尺寸間的差值 145311.doc 201030547 (步驟S18)。該校正值選擇單元⑽選擇該改變之後之該佈 局值，以減小由該差值計算單元18b所計算之該等尺: 之該等差值（步驟S19)。 結果’即使當改變該設計資料上之該目標佈局圖樣之該 等佈局值之時在該晶靜上形成一實際圖樣該晶圓1上 之該實際圖樣可與該目標佈局圖樣相比較。此舉可改良轉 移於該晶圓W上之該實際圖樣的尺寸精度而不增加施二至 該0PC的負載。即使在針對—製程㈣之條件係不足時或 在OPC精度係不足時，可於該晶圓w上形成—具有如設計 之尺寸的實際圖樣。 °x° 代替使該校正值選擇單元18c選擇該改變之後之該佈局 值’該圖樣校正支援設備17a可使該顯示螢幕19a顯示由該 差值計算單元18b所計算之與該改變之後之該等佈局值關 聯之該等尺寸間之該等差值。接著，該圖樣校正支援設備 17a可允許使用者手動地選擇該改變之後之該佈局值，以 最小化由該差值計算單元丨8b所計算之該等尺寸間之該等 差值。 ^ 當該抗#膜11之該實際圖樣之該影像係發送至該圖樣校 正支援設備m時，該圖樣校正支援設備17a可使該顯示榮 幕19a顯示該抗蝕膜R之該實際圖樣之一影像〇2，該影像 G2待疊加於獲自由該CAD系統u所建立之該設計資料之該 目標佈局圖樣之-影像⑴上。或者，該圖樣校正支援設備 17a可使該顯示螢幕19a顯示該實際圖樣之該等尺寸與該佈 局圖樣之該等尺寸之間的差值D。 145311.doc 201030547 為了什算由該成像裝置l6所成像之該抗蝕膜R之該實際 圖樣之該等尺寸與獲自由該CAD系統11所建立之該設計資 料之該目標佈局圖樣之該等尺寸之間的差值可使用一晶 片至資料庫比較裝置或一晶片至晶片比較裝置。 當在步驟819選擇該改變之後之該佈局值時，使用基於 對應於該選擇佈局值之該設計資料所製造之—鮮，可藉 ❹ 由轉移該目標佈局圖樣於-半導體基板上㈣-晶圓上^ 成一半導體裝置。 圖3係根據該第—實施例之該圖樣校正支援設備之硬體 組態之一方塊圖。 j圖3中，圖1中所繪示之該圖樣校正支援設備i7a可包 含一處理器卜一唯讀記憶體（R〇M)2、一隨機存取記憶體 (RAM)3、—外部儲存裝置4、—人性化介面5及-通訊介 面6,該處理器！包含一中央處理單元（cpu)，該唯讀記憶 體⑽M)2儲存靜態資料，該隨機存取記憶體（RAM)3向該 處理益1提供—卫作區域及類似物’該外部儲存裝置愤存 用於使該處理器1操作之—電腦程式及各種資料，該人性 化介面5居間調解人類與電腦，該通訊介面6提供聯外之通 訊構件。該處理器1、該職2、該RAM 3、該外部儲存 裝置4、該人性化介面5及該通訊介面6係經由一匯流排7而 互相連接。 舉例而言’例如—硬碟之磁碟機、例如-DVD之光碟機 及例如-刪記憶體及—記憶卡之可財導體儲存農置可 用作該外部儲存裝置[舉例而言，如該人性化介面5, 一 145311.doc -9- 201030547 鍵盤及一滑鼠可用作 可用作一輸出介面。 LAN卡、一數據機及 通訊介面6。 —輸入介面，且一顯示器及一印表機 舉例而言，用於連接至網際網路之一 一路由器、一 LAN及類似物可用作該 該處理器1可藉由執行一圖樣校正支援程式而實現執行 圖1中所繪示之該圖樣校正支援設備17a之該圖樣比較單元 18a、該差值計算單元Ub及該校正值選擇單元18c中的功 月b亥圖樣枝正支援設備17a使該處理器1執行之電腦程式 可儲存於該外部儲存裝置4中，且被讀入該RAM 3内’當 執行该電腦程式時，其可事先儲存於該R〇M 2中，或可經 由該通訊介面6來獲取。 圖4係用於根據該第—實施例之該圖樣校正支援方法之 設計佈局圖樣、在OPC處理之後之遮罩圖樣及轉移於一晶 圓上之實際圖樣之—簡圖。 在圖4中’舉例而言’當一目標佈局圖樣K1係建立於該 CAD系統11上時’該佈局值改變單元12改變設計資料上之 該佈局圖樣K1的佈局值，藉此產生佈局圖樣K2至K5。舉 例而言’在該佈局圖樣K1中，形成接觸圖樣p 1至p6。舉 例而s ’在該佈局圖樣K2中’增加或減少形成於該佈局圖 樣K1中之s亥接觸圖樣P5的垂直方向尺寸。舉例而言，在佈 局圖樣K3中’增加或減少形成於該佈局圖樣κι中之該接 觸圖樣P5的水平方向尺寸。舉例而言，在佈局圖樣K4中， 增加或減少形成於該佈局圖樣K1中之該接觸圖樣P1的尺 寸。舉例而言，在佈局圖樣K5中，增加或減少形成於該佈 145311.doc -10- 201030547 局圖樣K1中之該等接觸圖樣P2至P4之該等尺寸。 該OPC處理單元13應用〇pc處理於該等佈局圖樣以至 K5，藉此建立分別對應於該等佈局圖樣κι至κ5的遮罩圖 樣C1至C5。 为別對應於該等佈局圖樣K1至Κ5之實際圖樣T1至τ5係 藉由使用該光罩M而形成於該晶圓胥上，在該光罩m上形 成該等遮罩圖樣Cl至C5。 該成像裝置16成像形成於該晶圓w上之該等實際圖樣τι 至T5。該圖樣校正支援設備17a比較該等實際圖樣丁^至乃 與該佈局圖樣κι。該圖樣校正支援設備17a計算該等實際 圖樣T1至T5之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸之間的差值， 且選擇該等佈局圖樣K1至K5以最小化該等實際圖樣丁丨至 T5之該等尺寸與該佈局圖樣K1之該等尺寸之間之該等差 值。此舉使其可能於該晶圓W上形成具有最接近於設計尺 寸之尺寸的實際圖樣。 該等實際圖樣T1至T5可於該晶圓W之一 TEG區上形成為 測試圖樣。舉例而t，當該佈局圖樣K2係自該等佈局圖樣 K1至K5選出以最小化該等實際圖樣T1至T5之該等尺寸與 該佈局圖樣Κ1之該等尺寸之間之該等差值時’（例如）二 SRAM之一半導體積體電路係藉由使用該佈局圖樣尺2代替 該佈局圖樣K1而形成於該晶圓|上。此舉使其可能最小化 與該佈局圖樣K1的差異。 在該第一實施例中解釋之該方法中，該佈局值改變單元 12及該〇PC處㈣元13係自該圖樣校正支援設備m分開 145311.doc 201030547 地提供。然而，該佈局值改變單元12或該〇PC處理單元13 可併入該圖樣校正支援設備17a中。此外，該圖樣校正支 援設備17a可併入該CAD系統11中。 在該第一實施例中，該等抗蝕圖樣係解釋為形成於該晶 圓W上之该等實際圖樣之一實例。然而，該等實際圖樣可 為佈線圖樣、電極圖樣及接觸圖樣。 圖5係一系統之概要組態之一方塊圖，根據本發明之一 第二實施例之一圖樣校正支援方法係應用於該系統。 在圖5中，除圖丨中所繪示之該等組件外此系統包含一 特定值增加與減小單元2〇。該CAD系統u、該佈局值改變 單兀12、该成像裝置16、該顯示裝置19及該特定值增加與 減小單兀20係連接至該圖樣校正支援設備17&。該差值計 算單元18b可計算由該成像裝置16所成像之該晶圓w上之 一實際圖樣之尺寸與獲自由該CAD系統丨丨所建立之設計資 料之一目標佈局圖樣之尺寸之間的差值。該差值計算單元 ⑽可計算在—遮罩尺寸特定值為增加或減小時之該晶圓 上之該實際圖樣之該等尺寸與獲自該設計資料之該目標佈 〇 局圖樣之該等尺寸之間之該等差值的變動寬度。該特定值 增加與減小單元20可增加與減小經受該OPC處理單元13之 光學接近校正之一佈局圖樣之一遮罩尺寸特定值。 · 圖6係根據該第二實施例之圖樣校正支援方法之一流程 - 圖。 在圖6中，與在圖2中之步驟su至步驟su之該處理相同 的處理經執行以產生在佈局錢改變之設計資料上之光學 1453ll.doc -12- 201030547 接近校正之後之一佈局圖樣。該佈局圖樣係發送至該特定 值增加與減小單元20。該特定值增加與減小單元2〇建立一 具有一遮罩尺寸特定值（遮罩製造期間之-尺寸誤差）的佈 • 局圖樣（步·2ί))，該遮罩尺寸特定值係從光學接近校正 • t後在該a 3十資料上具有經改變之佈局值之該佈局圖樣中 的遮罩尺寸特疋值增加或減小，且發送該佈局圖樣至該遮 罩資料建立單元14。 與在圖2中之步驟Sl4至步驟si9之該處理相同的處理係 ❹j用於該遮罩尺寸特定值’其中藉由該蚊值增加與減小 單疋20來增加或減小之該佈局圖樣，藉此比較該晶圓W上 之一實際圖樣與獲自該設計資料之—目標佈局圖樣，並計 算該晶圓W上之該實際圖樣之尺寸與獲自該設計資料之該 目標佈局圖樣之尺寸之間的差值。該改變之後之該佈局值 經選擇以減小獲自增加或減小該遮罩尺寸特定值之前之該 佈局圖樣之該晶圓界上之該實際圖樣之該等尺寸與獲自該 • 設計資料之該目標佈局圖樣之該等尺寸之間的差值。在該 第二實施例中，可選擇該改變之後的複數個佈局值。 圖5中所繪示之該差值計算單元m計算自增加或減小該 遮罩尺寸特定值之後之該佈局圖樣所獲得之該晶圓霤上之 該實際圖樣之該等尺寸與自該設計資料所獲得之該目標佈 局圖樣之該等尺寸間之該等差值的變動寬度。該校正值選 擇單元18c進一步從在步驟S19選擇之該等佈局值中選出具 有此等圖樣間之該等差值之小變動寬度之該等佈局值 (S21) 〇 145311.doc -13· 201030547 果p使在增加或減小該遮罩尺寸特定值之時於該晶 圓上开/成實際圖樣，該晶圓之該實際圖樣可與該 目標佈局圖樣相比較1此，即使在料尺寸中存在一製 造誤差時，可改良轉移於該晶靠上之該實際圖樣的尺寸 精度而不增加強加至OPC的負載。即使在針對一製程設定 之條件係不；i時或在OPC精度係不^時，可於該晶圓|上 形成一具有如設計之尺寸的實際圖樣。 在圖6十所緣示之該實施例中所解釋之該方法中，該改 變之後之料佈局值經選擇以減小獲自增加或減小該遮罩 寸特疋值之％之該佈局圖樣之該晶圓贾上之該實際圖樣 之該等尺寸與獲自該設計資料之該目標佈局圖樣之該等尺 寸之間之1¾等差m。在該遮罩尺寸特定值為增加或減小 時，具有此等圖樣間之該等差值之小變動寬度之該等佈局 值係進一步由該等選擇佈局值選出。然而，亦可在該改變 之後，一次選擇具有獲自增加或減小該遮罩尺寸特定值之 前之該佈局圖樣之該晶圓W上之該實際圖樣之該等尺寸與 獲自該設計資料之該目標佈局圖樣之該等尺寸之間的小差 值之該等佈局值，以及在該遮罩尺寸特定值為增加或減小 時具有此等圖樣間之該等差值之小變動寬度之該等佈局 值。 圖7係用於根據該第二實施例之圖樣校正支援方法之設 計佈局圖樣、在OPC處理之後之遮罩圖樣，及轉移於—曰 〜 白曰 圓上之實際圖樣之一簡圖。 在圖7中，舉例而言’當一目標佈局圖樣K1係建立於該 1453H.doc -14- 201030547 CAD系統11上時，該佈局值改變單元i2改變設計資料上之 該佈局圖樣1〇之佈局值，藉此產生佈局圖樣K2sK5。 該OPC處理單元13應用OPC處理於該等佈局圖樣以至 K5，藉此產生分別對應於該等佈局圖樣κι至之遮罩圖 樣C1至C5 。 該特定值增加與減小單元2〇增加或減小相對於該遮罩圖 樣C1之遮罩尺寸特定值，藉此建立遮罩圖樣C1，及ci，，。 "亥特定值增加與減小單元2G增加或減小相對於該遮罩圖樣 ❹ C2之遮罩尺寸特定值’藉此建立遮罩圖樣C2,及C2'·。該特 定值增加與減小單元2〇增加或減小相於該遮罩圖樣Ο之遮 罩尺寸特定值，藉此建立遮罩圖樣C3，&C3"。該特定值增 加與減小單元20增加或減小相對於該遮罩圖樣[4之遮罩尺 寸特定值，藉此建立遮罩圖樣C4，及C4"。該特定值增加與 減小單元20增加或減小相對於該遮罩圖樣(：5之遮罩尺寸特 定值，藉此建立遮罩圖樣C5,及C5，，。 φ 實際圖樣T1至T5、T1,至T5’及T1"至T5"係藉由使用該光 罩Μ而形成於該晶圓贾上，在該光罩μ上形成該等遮罩圖 樣 C1 至 C5、C1’至 C5,及 C1"至 C5"。 . °亥成像裝置16成像形成於該晶圓W上之該等實際圖樣τι 至Τ5、Τ1至Τ5’及丁1’’至丁5’，。該圖樣校正支援設備17&比 較該等實際圖樣T1至T5、ΤΓ至T5'及T1·，至丁5，，與該佈局圖 樣κι。該圖樣校正支援設備17a計算該等實際圖樣耵至乃 之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸之間的差值。該圖樣校正支 援設備17a選擇料佈局圖樣以至^中之任意項（例如佈局 145311.doc -15· 201030547 圖樣K2及Κ5)，以減小該等實際圖樣丁丨至巧之該等尺寸與 該佈局圖樣Κ1之該等尺寸之間的差值。 舉例而言，當選擇該等佈局圖樣Κ2及Κ5時，該圖樣校 正支援設備17a比較對應於該佈局圖樣Κ22該等實際圖樣 Τ2、Τ2'及Τ2"之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸之間之差值的 變動寬度與對應於該佈局圖樣&5之該等實際圖樣Τ5、Τ5, 及Τ5"之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸間之差值的變動寬 度。該圖樣校正支援設備17a進一步選擇具有此等圖樣之 尺寸之間之差值之較小變動寬度之該佈局圖樣K2或。 舉例而言，當對應於該佈局圖樣尺5之該等實際圖樣乃、 T5'及T5"之該等尺寸與該佈局圖樣K1之該等尺寸間之該等 差值之該變動寬度料於對應於該佈局圖樣K2之該等實際 圖樣Τ2、Τ2’及Τ2”之該等尺寸與該佈局圖樣Kj[之該等尺寸 間之該等差值之該變動寬度時，職樣校正支援設備⑺ 選擇該佈局圖樣K2。 该寻X際圖樣T1 ^王！：>及11"至丁5|，可於該庙圆 W之該TEG區或類似物中形成為測試圖樣。當該佈局圖樣 K2係由以Λ解說之該處理選擇時，（例如）-SRAM之一半 製造誤差的影響 之 導體積體電路係藉由使用該佈局圖樣K2代替該佈局圖樣 ==於該晶WW±。此舉使其可能減小與該佈局圖樣 :異，同時減小在實際圖樣之佈局精度上一遮罩尺寸
之—方塊圖 第三實施例之一圖樣校正支援方法係應 ’根據本發明之一 用於該系統。 14531 l.<loc 201030547 在圖8中，除圖5中所繪示之該等組件外，此系統包含一 曝露量/聚焦量控制單元2卜該⑽系仙、該佈局值改 變單兀12、該成像裝置16、該顯示裝置19、該特定值增加 與減小單元20及該曝露量/聚焦量控制單元以係連接^該 圖樣校正支援設備17a。該差值計算單元18b可計算由該成 像裝置16所成像之該晶圓霤上之一實際圖樣與獲自由該 CAD系統n所建立之設計資料之一目標佈局圖樣之間的差
值。該差值計算單S18b可計算在—曝露量及—聚焦量係 變化時之該晶B1W上之該實際圖樣之該等尺寸與獲自該設 計資料之該目標佈局圖樣之該等尺寸之間之差值的變動寬 度。該曝露量/聚焦量控制單元21可控制該曝露裝置此 一曝露量及一聚焦量。 正支援方法之一流程 圖9係根據該第三實施例之圖樣校 圖。 在圖9中，執行與在圖6中所繪示之步驟su至步驟⑴及 步驟S20之該處理相同的處理以產生_佈局圖|，該佈局 圖樣相對於設計資料上佈輕經改變之光學接近校正之後 之佈局圖樣，具有一增加或減小之遮罩尺寸特定值。該 佈局圖樣係發送至該遮罩資料建立單元14。 該遮罩資料建立單元14建立制於該料尺寸特定值係 由該教值增加與減小單元2Q增加或減小之該佈局圖樣的 遮罩資料。該光阻檔膜H係基於該遮罩資料而形成於該光 罩Μ上。 由該光罩Μ而執 該晶圓W上之該抗蝕膜R之曝露係經 145311.doc -17. 201030547 行，同時一曝露量及一聚焦量係藉由該曝露量/聚焦量控 制單元21而變化（步驟S15')。與圖5中之步驟S16至步驟S19 之該處理相同的處理係應用於形成於該晶圓W上之一實際 圖樣’同時變化該曝露量及該聚焦量，藉此比較該晶圓W 上之該實際圖樣與獲自該設計資料之該目標佈局圖樣。在 改變之後之該佈局值經選擇以減小此等圖樣間之一差異。 在該第三實施例中’選擇該改變之後的複數個佈局值。 一遮罩變動寬度計算單元及一製程變動寬度計算單元計 算自該遮罩尺寸特定值及該曝露量/該聚焦量係變化時之 ❹ 該佈局圖樣獲得之該晶圓W上之該實際圖樣的尺寸與自該 設計資料獲得之該目標佈局圖樣的尺寸之間之差值的變動 寬度。該校正值選擇單元18c進一步從在步驟§19選擇之該 專佈局值中選出具有此等圖樣間之差值之小變動寬度的佈 局值（步驟S22)。 結果，即使在變化該曝露量及該聚焦量之時於該晶圓w 上形成一實際圖樣，該實際圖樣可與該目標佈局圖樣相比 較。因此，即使當製程變動發生於一光微影術製程中，可 Q 改良轉移於該晶圓W上之該實際圖樣的尺寸精度而不增加 施加至OPC的負載。即使在針對一製程設定之條件係不足 時或在OPC精度係不足時，可於該晶圓冒上形成一具有如 設計之尺寸的實際圖樣。 在圖9中所繪示之該實施例中解釋之該方法中，該改變 之後之該等佈局值經選擇以減小該晶圓霣上之該實際圖樣 與獲自該設計資料之該目標佈局圖樣之間的差異。在該遮 I45311.doc -18- 201030547 罩尺寸特定值及該曝露量/該聚焦量係變化時，進一步從 該等選擇佈局值中選出具有該等差值之小變動寬度之該等 佈局值。然而，亦可一次選擇具有該晶圓w上之該實際圖 樣與獲自該設計資料之該目標佈局圖樣間之小差異的佈局 值，及在該遮罩尺寸特定值及該曝露量/該聚焦量為變化 時具有該等差異之小變動寬度的佈局值。 圖1 〇係用於根據該第三實施例之圖樣校正支援方法之設 計佈局圖樣、在OPC處理之後之遮罩圖樣及轉移於一晶圓 上之實際圖樣之一實例之一簡圖。 在圖10中，舉例，當一目標佈局圖#K1係建立於該 CAD系統11上時，該佈局值改變單元12改變設計資料上之 §亥佈局圖樣κι的佈局值，藉此產生佈局圖樣尺2至尺5。 該OPC處理單元13應用0PC處理於該等佈局圖樣幻至 K5，藉此產生分別對應於該等佈局圖樣艮1至尺5之遮罩圖 樣C1至C5 。 該特定值增加與減小單元2 〇增加或減小相對於該等遮罩 圖樣C1至C5之一遮罩尺寸特定值，藉此建立遮罩圖樣ci， 至 C51Cr!C5n。 實際® ^T1至T5 ' ΤΙ’至mT1"至T5"係藉由使用該光 罩Μ而形成於該晶，上，在該光罩Μ上形成該等遮罩圖 樣C1至C5、C1，至C5,及C1，，至C5'，。實際圖樣了匕至丁化、 Tin’至Τ5η·及Tin”至Τ5η，，係藉由使用該光罩Μ且變化一曝 露量及一聚焦量而形成於該晶圓贾上，在該光罩μ上形成 該等遮罩圖樣C1至C5、C1，至C5,及C1，，至C5，.。 145311.doc -19- 201030547 該成像裝置16成像該等實際圖樣T1至T5、T1，至T5,、 Τ1"至 Τ5·’、TluT5n、Tln’至 Τ5η•及 Tln"至 Τ5η"。該圖樣 校正支援設備17a比較該等實際圖樣τΐ至Τ5、ΤΓ至Τ5,、 T1"至 T5"、Tin 至 T5n、Tin’至 T5n’及 Tin”至 T5n"與該佈局 圖樣κι。該圖樣校正支援設備j 7a計算該等實際圖樣丁1至 T5之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸之間的差值。該圖樣校 正支援設備17a選擇該等佈局圖樣1〇至尺5之任意項（如佈局 圖樣K2、K3及K5)以減小該尊實際圖樣丁丨至乃之該等尺寸 與該佈局圖樣K1之該等尺寸之間的差值之。 舉例而言，當選擇該等佈局圖樣K2、K3及K5時，圖8中 所繪示之該差值計算單元18b計算對應於該佈局圖樣K2之 該等實際圖樣T2、T2·及T2，，之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸 間之差值的變動寬度、對應於該佈局圖樣K3之該等實際圖 樣Τ3、Τ3’及Τ3"之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸間之差值的 變動寬度’及對應於該佈局圖樣尺5之該等實際圖樣T5、 Τ5及Τ5’，之尺寸與該佈局圖樣K1之尺寸間之差值的變動寬 度。該圖樣校正支援設備17a比較此等圖樣之該等尺寸之 ❿ 間之該等差值之該等變動寬度，且進一步選擇該等佈局圖 樣K2、K3及K5中具有該等圖樣之該等尺寸之間之該等差 值之小變動寬度的任意項（例如佈局圖樣K2及K5)。 舉例而言’當選擇該等佈局圖樣K2及K5時，圖8中所繪 示之該差值計算單元18b計算對應於該佈局圖樣K2之該等 實際圖樣T2及T2n之尺寸與該佈局圖樣尺丨之尺寸之間之差 值的變動寬度及對應於該佈局圖樣Κ5之該等實際圖樣Τ5 145311.doc -20- 201030547
及Τ5η之尺寸與該佈局圖樣幻之尺寸之間之差值的變動寬 度。該圖樣校正支援設備17a比較此等圖樣之該等尺寸之 間之該等差值之該等變動寬度，且進一步選擇具有該等圖 樣之該等尺寸之間之該等差值之較小變動寬度之該等佈局 圖樣K2及K5中的任意項。舉例而言，當該等實際圖㈣ 及T5n之該等尺寸與該佈局圖樣幻之該等尺寸之間之該等 差值之該變動寬度係小於該等實際圖樣乃及Th之該等尺 寸與該佈局圖細之該等尺寸之間之該等差值之該變動寬 度時，該圖樣校正支援設備17a選擇該佈局圖樣Κ2。 該等實際圖樣口至乃、T1•至T5,、T1M至T5"、至 Τ5η、Tin’至Τ5η’及Tln，，至Τ5η，，可於該晶圓w之該㈣區或 類似物中形成為測試圖樣。當該佈局圖狀2係藉由以上所 述之孩處理而選擇時，（例如）一 SRAM之一半導體積體 電路係藉由使用該佈局圖樣K2來代替該佈局圖樣而形 成於該曰曰圓w上。此舉使其可能減小與該佈局圖樣κι之一 差異，同時減小實際圖樣之佈局精度上之一遮罩尺寸及製 程變動之一製造誤差的影響。 在該第三實施例中所解釋之該方法中，使用具有該遮罩 尺寸特定值經增加或減小之該佈局圖樣，且接著變化該曝 露里及该聚焦量。然而，亦可能變化該曝露量及該聚焦量 而不増加或減小該遮罩尺寸特定值。 在該第三實施例中所解釋之該方法中，為了考慮在形成 實際圖樣於該晶圓W上之製程變動’變化該曝露量及該聚 焦量 ο 缺 “、、。…、而，當形成於該晶圓W上之實際圖樣為佈線圖 -21· 201030547 樣、電極圖樣、接觸圖樣或類似物時 件、膜形成條件及類似物。 亦可變化蚀刻條 時 在改變由該CAD系統11所 ，當一佈局圖樣係巨大的， 該等分隔佈局圖樣之各者的佈局值。 建立之設計資料之一佈局值 亦可分隔該佈局圖樣並改變 在該實施例中所解釋之該 W上之該抗蝕圖樣係用作晶 擬形成於該晶圓W上之實際 用作晶圓上之該圖樣。 方法中’實際上形成於該晶圓 圓上之一圖樣。然而，藉由模 圖樣所獲得之一模擬圖樣亦可 熟習此項技術者將易於瞭解額外優點及修飾。因此，在 本發明之廣義態樣中，本發明不限於此處所繪示及描述之 該等特^細節及表示性實施例。據此，可製成各種修飾而 不脫離由該等附屬請求項及其等同項所定義之一般發明概 念的精神或範疇。 【圖式簡單說明】 圖1係一系統之一概要組態之一方塊圖，根據本發明之 一第一實施例之一圖樣校正支援方法係應用於該系統； 圖2係根據該第一實施例之圖樣校正支援方法之一流程 圖， 圖3係根據該第一實施例之一圖樣校正支援設備之硬體 組態之一方塊圖； 圖4係用於根據該第一實施例之該圖樣校正支援方法之 設計佈局圖樣、在OPC處理之後之遮罩圖樣及轉移於一晶 圓上之實際圖樣之一簡圖； 145311.doc .22- 201030547 圖5係-系統之概要組態之__方塊圖，根據本發明之一 第二實施例之—圖樣校正支援方法係應用於該系統； 圖圖6係根㈣第：實施狀圖樣校正支援方法之—流程 圖7係用於根據該第二實施例之圖樣校正支援方法之冰 計佈局圖樣、在〇PC處理之後之遮㈣樣及轉移於一晶圓又 上之實際圖樣之一簡圖；
圖8係-系統之概要組態之_方塊圖，根據本發明之一 第三實施例之-圖樣校正支援方法係應㈣該系統； 圖9係根據該第三實施例之圖樣校正支援方法之一流程 圖；且 圖10係用於根據該第三實施例之圖樣校正支援方法之設 計佈局圖樣、在OPC處理之後之遮罩圖樣及轉移於一晶圓 上之實際圖樣之一實例之—簡圖。 【主要元件符號說明】 1 處理器 2 唯讀記憶體 3 隨機存取記憶體 4 外部儲存裝置 5 人性化介面 6 通訊介面 11 CAD系統 12 佈局值改變單元 13 OPC處理單元 145311.doc •23· 201030547 14 遮罩資料建立單元 15 曝露裝置 16 成像裝置 17a 圖樣校正支援設備 18a 圖樣比較單元 18b 差值計算單元 18c 校正值選擇單元 19 顯示單元 19a 顯示平面 20 特定值增加及減小單元 21 曝露量/聚焦量控制單元 D 實際圖樣之尺寸與佈局圖樣之尺寸之間的差值 G1 目標佈局圖樣之一影像 G2 實際圖樣之一影像 Η 光阻擋膜 Μ 光罩 R 抗蝕膜 W 晶圓 145311.doc -24-