TW201029798A - Polishing pad edge extension - Google Patents

Description

201029798 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例係大致上關於研磨一基材，例如一半 導體晶圓。 【先前技術】 在基材上製造積體電路與其他電子元件時，多個導電 Φ 層、半導體層與介電材料層被沉積在基材之特徵側（即沉 積接收表面）上’或從基材之特徵側被移除。隨著材料層 依序地被沉積且被移除，基材之特徵側可能變得不平 坦，並且需要平坦化與/或言磨。平坦化與研磨是將先前 沉積的材料從基材之特徵側移除以形成大致上平順、平 坦或平滑表面的程序。這些程序對於移除不希望的表面 拓樸與表面缺陷（例如粗糖表面、聚結材料、晶格損壞與 • 刮傷）是有用的。這些程序對於藉由除過量沉積的材料 (其用來填充特徵且用來提供用於後續沉積和處理的平 順或平滑表面）以在基材上形成特徵也是有用的。 化學機械研磨是一種普遍用在製造高密度積體電路的 製程，其係藉由在研磨流體存在下移動與研磨墊接觸的 基材特徵側來平坦化或研磨所沉積在半導體晶圓上之材 料層材料經由化學和機械作用的組合從與研磨表面接 觸的基材特徵侧被移除。 研磨表面之週期性調節是有需要的，用以維持研磨表 4 201029798 面之恆定的粗糖度與/或大致平坦的輪廊β典型地，使用 一掃過研磨表面且抵靠研磨表面的旋轉調節碟片來執行 調節。墊之周邊或邊緣區域的調節對於研磨表面之全面 粗輪性與/或全面平坦性產生挑戰。 因此’亟需一種方法與設備’其可促進研磨表面的均 等調節》 【發明内容】 # 本發明提供一種方法與設備，其可提供由一調節構件 所施加到研磨表面的實質均等壓力。在一實施例中，本 文描述一種設備。該設備包括：一基部，其具有一平台， 該平台耗接到該基部之上表面；一研磨墊，其耦接到該 平口之上表面’該研磨墊具有一研磨表面；一支撐構件， 其耗接到該基部且鄰近該研磨墊之一周邊邊緣；以及一 磨耗材料’其耦接到該支撐構件之上表面，該磨耗材料 _ 之上表面與該研磨墊之上表面共平面。 在另一實施例中，本文描述一種設備。該設備包括： 一基部，其具有一平台，該平台係可旋轉地耦接到該基 部之上表面；一研磨墊，其耦接到該平台之上表面，該 研磨墊具有-研磨表面；-支撐構件，其耦接到該基部 且鄰近該研磨墊之一周邊邊緣，該支撐構件可相對於該 研磨墊之該研磨表面調整；以及一磨耗材料，其耦接到 該支撐構件之上表面。 5 201029798 在另-實施例中’本文描述—種用以調節一研磨墊之 :法麻：方法包括：使一調節碟片抵靠-旋轉研磨墊之 研面，I揮掃圖案將該調節碟片移動越過該研 磨表面，該揮掃圈案包括該調節碟片之至少―部分㈣ 超過該研磨表面之—周邊邊緣；以及維持在該揮掃圖案 期間由該調節碟片施加到該研磨表面之實質均等的麼 力。 — 【實施方式】 第1圖為一處理系統100之平面圖，該處理系統ι〇〇 具有一適於電化學機械研磨與/或化學機械研磨之處理 模組105。處理模組105包括一第一處理站1〇2、一第二 處理站103及一第三處理站1〇6，其設置在一環境控制 的圍壁188中。處理站1〇2、1〇3、1〇6之任一者可以執 行平坦化或研磨製程以從基材之特徵侧移除材料，藉此 ❿ 在該特徵側上形成一平坦表面。處理模組可以是一處理 系統的一部分，例如可由美國加州聖大克勞拉市的應用 材料公司（Applied Materials, Inc.)獲得之 REFLEXION®、REFLEXION® LK、REFLEXION® LK ECMP™、MIRRA MESA®研磨系統，儘管可以使用其他 研磨系統。其他研磨模組，包括使用其他類型之處理墊、 帶、可索引網狀形式墊或其組合的研磨模組以及以旋 轉、線性或其他平面運動將基材相對於研磨表面移動的 6 201029798 研磨模組，也可以受益自本文描述的實施例。 例如，第-處理站！02可以配置以執行—電化學機械 平坦化（ECMP)製程，而第二處理站1〇3與第三處理站1〇6 可以執行一傳統的化學機械研磨（CMJ>)製程。應瞭解， 本發明不被限制在此結構，並且任何或所有的處理站 102、103與106可以使用ECMp製程來移除基材上所沉 積的各種層。替代地，處理模組〇5可以包括兩個執行 _ ECMP製程的站’而另一站可以執行CMp製程。在一製 程的一實施例中，對於一具有多個特徵定義形成在其中 且被填充以一阻障層及進而一導電材料於阻障層上方的 基材，可以將導電材料移除。該移除可以藉由一 CMp製 程在第一與第二處理站1〇2、1〇3中的兩步驟，以及藉由 一第三CMP製程在第三站106中處理該阻障層來達成， 以在基材上形成一經平坦化的表面。 系統100中描述的實施例包括一支撐處理站102、1〇3 _ 與106的基部108、一轉移站110、及一轉體112。圖上 顯示複數個調節裝置182耦接到基部1〇8，並且該些調 節裝置182可以移動於箭頭109所指方向，以選擇性地 將調節裝置182放置在各個處理站1〇2、1〇3與1〇6上 方。轉移站110大致上經由一負載機械手臂116將基材 114轉移至與自系統100。典型地，負載機械手臂116將 基材114轉移於該轉移站11〇與一介面之間，其中 該介面120可以包括一清潔模組122、一量測裝置1 〇4 及一或多個基材儲存匣118。 7 201029798 轉移站110包含一輸入緩衝站124、一輸出緩衝站 126、一轉移機械手臂132、及一負載杯組件12ge負載 機械手臂116係將基材114放置到輸入緩衝站124上。 轉移機械手臂132具有兩個夾持組件，各夾持組件具有 藉由藉由基材邊緣來固持住基材的氣動夾持指部。轉移 機械手臂132係將基材114抬離輸入缓衝站124且旋轉 夾持部與基材114’以將基材114定位在負載杯組件128 上方，並且接著將基材114向下放置到負載杯組件128 上。 轉體112支撐複數個承載頭190，各個承載頭丨9〇在 處理期間係保持住基材114。轉體112移動承載頭190 於轉移站110與處理站102、103與106之間。轉體112 係置中地設置在基部108上且包括複數個臂138。各個 臂支撐該些承載頭190之其中一承載頭。第1圖將其中 兩個臂138繪示成虛線’使得能看見轉移站與處理 站106的處理表面125。轉體112是可索引的，因此承 載頭190能夠以使用者定義的一順序而被移動於處理站 102、103與106與轉移站11〇之間。 基材114被设置在處理站102、103、106的同時，承 載頭190保持住基材114，承載頭190可藉由當基材被 保持在同一承載頭190中時移動基材於該些站之間以允 許基材114進行後續處理。 為了促進處理系統1〇〇及其上所執行之製程的控制， 一控制器140連接到處理系統100，控制器140包含一 8 201029798 中央處理單元（CPU) 142、記憶體144及支援電路146。 CPU 142可以是能夠用在工業設備以控制壓力與各種設 置在系統100上之驅動器的任何形式的電腦處理器。記 憶體144連接到CPU 142 »記憶體144或電腦可讀媒體 可以是一或多種容易取得之記憶體，例如隨機存取記憶 體（RAM)、唯讀記憶體（ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他 形式的數位儲存器（無論是當地的或遠端的數位儲存器 皆可）。支援電路146連接到CPU 142，為了以傳統方式 來支援處理器❶這些電路包括快取、電源供應、時脈電 路、輸入/輸出電路、子系統、及類似者。 電源供應器150係提供用來操作處理系統100與/或控 制器140的功率。圖上顯示電源供應器15〇連接到處理 系統的多個部件（包括轉移站11〇、介面12〇、負載機械 手臂116、及控制器丨4〇) » 第2圖為配置以執行傳統cmP製程之處理站！ 06之一 Φ 實施例的部分截面圖。圖上顯示一調節裝置182與一喷 桿255設置在一研磨墊226之處理表面125的上方。喷 桿255包括複數個噴嘴258，該些喷嘴258係適於提供 流體到研磨塾226之半徑的至少·一部分。喷桿225係繞 著中心線A可旋轉地耦接到基部108，並且提供被導向 處理表面125的流體260。流體260可以是化學溶液、 清潔溶液、或其組合。例如，流艘26〇可以是有助於從 基材之特徵侧移除材料的含磨粒或不含磨粒之研磨化合 物。還原劑與氧化劑（例如過氧化氫）也可以被添加到流 201029798 鱧260。替代地，流體260可以是潤濕劑（例如去離子水 (DIW)) ’其用作為漂洗液或沖洗液以從研磨材料228移 除研磨副產物。或者，流體26〇可以用來促進研磨表面 125的調節’以打開研磨表面125的微觀孔洞結構。 調節裝置182大致上包括一調節載具212，調節載具 212耦接到頭組件2〇2，頭組件2〇2經由一臂2〇6耦接到 一支撐構件204。支撐構件204係設置穿過處理站ι〇6 _ 的基部108。轴承設置在基部108與支撐構件204之間， 以促進支撐構件204相對於基部1〇8繞著中心線B的旋 轉。一致動器（未示出）可以被耗接在基部1〇8與支樓構 件204之間’以控制支撐構件204繞著中心線B的旋轉 方位’並且將頭組件202相對於處理站1 〇6橫向地定位。 支撐構件204可以容納多個驅動部件，以選擇性地將調 節構件208相對於研磨墊226繞著中心線c旋轉。支撐 構件204也可以提供流體管路，以控制調節載具212或 • 頭組件2〇2之其中一者的垂直位置。 調節構件208耦接到調節載具212的底表面。調節載 具212耦接到頭組件202，並且可以在繞著中心線C旋 轉的同時選擇性地抵靠平台23〇旋轉，以調節該研磨材 料228。同樣地’平台230(其上具有研磨墊226)相對於 基部108繞著中心線D旋轉。調節構件2〇8能夠以約0>1 镑力量到約20碎力量的壓力或向下力量來抵頂該研磨 材料228。調節構件208可以是一磨蝕碟片，例如鑽石 或陶瓷材料’其係配置以摩擦並增強該研磨材料228。 201029798 替代地’調節構件可以是—刷子形式的調節碟片’ 例如具有尼龍刷毛的碟[調節構件2G8可輕易被更 換，以提供使用者所需要之新的或不同的碟片。

在—實施例中，研磨墊226之研磨材料228是商業上 可獲得之墊材料，例如典型用在CMp之聚合物系塾材 料。聚合物材料可以是聚氨基甲酸_、聚碳酸_、氣化 聚合物、PTFE、PTFA、聚笨硫__)、或其組合。塾 材料可以進一步包含開放或密閉室之發泡聚合物、彈性 體、毛魅、浸染的毛&、塑膠、及可與處理化學相容的 類似材料。在另一實施例中，墊材料是一 浸染的毛魅材料。 來 大致上，研磨墊226包含一處理表面125，處理表面 125包括可具有微觀孔洞結構的短絨毛。短絨毛與/或孔 洞結構會影響從基材特徵側的材料移除。諸如研磨化合 物保持、研磨或移除作用、及材料和流體傳送的屬性會 影響移除速率。為了促進材料從基材的最佳移除，處理 表面125必須被粗糙化與/或完全地且均勻地開放以提 供相當高且穩定的移除速率。經粗糙化的處理表面125 可以透過增加墊表面潤濕能力且散佈研磨化合物（例如 由研磨化合物供應的磨蝕微粒）來促進移除。 第圓為研磨塾226之俯視圖，其顯示在處理表面125 上的-調節揮掃圖案300。調節構件2G8係揮掃越過處 理表面125，以調節與/或再更新該處理表面125，藉此 增加材料從基材移除的移除速率。施加到調節構件 201029798 的向下力量在整個揮掃圖案3〇〇(其可促進越過處理表面 125的不同效果）是實質相等的。

在第3圖中，處理表面125被分隔成兩個區塊，其可 .呈歷來自調_構件的不同調節效果。為了將研磨塾 226的整個處理I® 125進行調節以提供用來研磨基材 的网徑向表面區域且有效率地利用研磨表面揮掃圖案 3〇〇包括將調節構件2〇8之中心移動超過研磨墊226的 邊緣315。當調節構件208之中心移動超過邊緣315時， 調節構件的-部分沒有接觸處理表面125,其降低了研 磨構件208接觸研磨墊226的表面區域。當施加到調節 構件208的向下力量相等時，減少的接觸可促進施加到 處理表面之周邊區塊31〇相對於内部區塊3〇5的更大壓 力。例如，内部區塊3〇5經歷來自調節構件2〇8之實質 均等的表面壓力，而周邊區塊31〇經歷來自調節構件2〇8 不同的表面壓力。當相同的向下力量被施加到橫越揮 掃圖案300的調節構件2〇8時，此種非均等的表面壓力 可促進處理表面125的非均等調節。 ★ 2他因素可能對於區塊3〇5、31〇的非均勻或非均等調 節造成貢獻。例如’當㈣構件携移動超過邊緣川 時’調節構件208可以在其於邊緣3〗5上方未被支撐時 傾斜。調節構件208的傾斜可以促進處理表面125在周 邊區塊310中的更大粗糙程度。 在一實施例中，研磨墊226是圓形並包括約24吋至約 2时的直徑。内部區塊3〇5可以被定義成處理表面⑵ 12 201029798 的中心徑向區域，其包括研磨墊226的幾何中心到周邊 區塊310。周邊區塊310可以被定義成處理表面125的 邊緣區域。若使用圓形的調節構件2〇8，周邊區塊3ι〇 包括實質等於調節構件208之半徑的長度。例如，若使 用直徑約4.0吋至約5.0吋之圓形的調節構件2〇8，則周 邊區塊310的長度為約2.0吋至約2.5对。 第4圖是第3圖之研磨墊226的部分截面圖，其顯示 籲 4理表δ 125之非均等調節的結果。非均等調節是調節 構件208施加到處理表面125之非均等表面壓力與/或調 節構件208抵達研磨墊226之邊緣315時來自調節構件 208之傾斜所造成的結果。周邊區塊31〇已經被調節構 件208過度調節而產生一有時稱之為「邊緣光禿（edge balding)」的情況，其至少部分地是由處理表面125接觸 調節構件208之減少的接觸區域與/或調節構件2〇8的傾 斜所造成。周邊區塊310包括一尺寸H，其標示周邊區 ❿ 塊31〇相對於内部區塊305之處理表面125之高度的差 值。在一實施例中，尺寸Η為比内部區塊3〇5中處理表 面125之高度低約〇·〇〇5吋至約〇 〇1〇吋。減少的高度意 謂著更大之施加到周邊區塊310的調節力量與在周邊區 塊310之處理表面125的破壞。因此，周邊區塊31〇内 的處理表面125在研磨製程期間可能無法有效地被利 用，並且研磨墊226之過早的更換可能導致成本增加且 產量降低。 本文描述的實施例係提供一種方法與設備，其係從調 13 201029798 節構件208提供均等麼力到研磨塾226且因此抵消了越 過研磨塾226之處理表面125的非均等調節效應。在一 實施例中，可以改變調節構件2〇8的向下力量以在調節 構件208位在或靠近研磨墊226之邊緣時包括較低 的向下力量。在此實施例中，調節頭組件2〇2(第2圖） 可以耦接到一可在揮掃圖案300期間（第3圖）改變向下 力量的控制器，以提供均等的向下力量到研磨墊226之 ❹整個處理表面125。向下力量的變化可以取決於調節構 件208突懸於（over_hanging)研磨墊226的表面區域。例 如，可以將向下力量循環於當調節構件2〇8位在或靠近 研磨墊226之邊緣315時之較小向下力量以及當調節構 件208位在内部區塊3〇5内時之較大向下力量。在一實 例中，當調節構件208位在内部區塊3〇5内時，可以施 加一第一向下力量到調節構件2〇8;而當調節構件2〇8 位在或靠近邊緣315時，可以施加一第二向下力量到調 癱 節構件208。依此方式，一均等的調節壓力可以從調節 構件208被施加到研磨墊226。第二向下力量可以是第 一向下力量的約 1/4(25%)、約 1/3(33%)、或約 1/2(5〇%)。 在一實施例中，向下力量的減少是基於調節構件2〇8超 過邊緣315的表面區域百分比，其中向下力量是基於突 懸程度（degree of overhang)(即調節構件2〇8超過邊緣 315之部分）的因素來下降。依此方式，可以從調節構件 208施加一實質均等的調節壓力到研磨塾226。 第5圖為研磨墊226之俯視圖，其顯示在研磨墊226 14 201029798 之處理表面125上的-另一揮掃圖帛5〇〇。在此實施例 中，一研磨塾延伸部505設置在靠近研磨塾226的邊緣 315。在一實施例中，研磨墊延伸部5〇5係被提供作為一 用於調節構件208的支撐構件，其允許調節構件2〇8的 中心揮掃到或超過研磨墊220的邊緣》 第6圖為研磨墊226與研磨墊延伸部5〇5的部分截面 圖。研磨墊延伸部5〇5設置在一支樓構件51()上支推 • 構件51〇可相對於研磨墊226之邊緣315移動。一具有 處理表面525之邊緣延伸部526係被支撐在支推構件51〇 的上表面51G上。在—實施例中，邊緣延伸部526可以 疋商業可獲得之具有硬度大於前述研磨材料228的墊 材料。在另一實施例中，邊緣延伸部526可以是不會耗 員或半耗損之一犧牲材料或一磨耗表面《邊緣延伸部526 係以允許更換邊緣延伸部526的方式黏附到或可移除地 耦接到支撐構件510之上表面515。 研磨塾延伸部5〇5與支撐構件51〇之其中一者或兩者 係選擇性地固定或可以相對於研磨塾226來調整。在-實施例中，支撐構件5 10與研磨墊延伸部505可以相對 於處理表面與/或邊緣315之水平面而垂直地（Z方向）且 水平地（X與/或γ方向）調整，並且接著相對於研磨墊 來固定。在一實施例中’支撐構件耦接到處理站之基部 1〇8。在一態樣中’研磨墊延伸部505包括或耦接到一驅 動系統605 ’驅動系統605係適於至少在X方向與z方 向調整邊緣延伸部526的位置。研磨整226之周邊邊緣 15 201029798 3 15之間存在一小間隙以允許研磨墊226的旋轉移動而 不會干擾研磨塾延伸部505。

在一實施例中’驅動系統605包括一致動器61〇，致 動器610適於相對於研磨墊a%#/或平台23〇橫向地（χ 與/或Υ方向）與/或垂直地（Ζ方向）移動研磨塾延伸部 505。在一實施例中，致動器61〇是一氣動馬達而具有煞 車器’其適於相對於研磨墊226與/或平台23〇橫向地與 /或垂直地移動研磨墊延伸部505 ^致動器61〇可以耦接 到一驅動臺座615’驅動臺座615可以接著藉由多個固 定件耦接到基部108’該些固定件可以被鬆弛以相對於 基部108來調整驅動臺座615，驅動臺座615係相對於 研磨墊226與/或平台230移動研磨墊延伸部5〇5。在另 一實施例中，研磨墊延伸部505之橫向調整是由一或多 個固定件（例如套組螺絲或螺栓）來提供，無論是同心地 或離心地。此外或替代地，致動器61〇可以是一液壓汽 缸、一導螺桿、或其他機械或電化學驅動器。 當一新的研磨墊226被安裝到平台23〇上時，研磨塾 延伸部505之處理表面525的高度可以匹配於研磨墊226 之處理表面125的高度。取決於處理表面525或處理表 面125的磨耗速率，可以調整處理表面525的高度。處 理表面525的高度可以由一直尺或計量器相對於研磨墊 226之處理表面125的高度來決定。在一實施例中該 高度是由調節構件208(此圖未示出）之下表面來決定。 發明人使用一研磨墊延伸部505進行測試，其令研磨 201029798 塾延伸部505係使用一材料與研磨墊226之材料相同所 製成的邊緣延伸部526。發明人發現邊緣延伸部5〇5之 處理表面525與研磨墊226之處理表面125有相同的磨 耗速率。因此’可以在更換研磨墊的期間更換研磨墊邊 緣505，而不必在處理期間進行再調整。 本文描述的實施例係提供一種方法與設備，其用於抵 消對研磨墊有害之調節效應。本文描述的方法與設備可 ❹ 以促進更長的墊壽命，並且促進更大的研磨墊使用區域。 儘管前述說明是著重在本發明之實施例，在不脫離本 發明之基本範圍下，可以設想出本發明之其他與進一步 實施例》 【圖式簡單說明】 本發明之前述特徵、詳細說明可以藉由參照實施例來 詳細地瞭解，其中一些實施例係繪示在附圖中。然而， • 值得注意的是附圖僅示出本發明的典型實施例，並且因 此不會限制本發明範圍，本發明允許其他等效的實施例。 第1圖為一處理系統之平面圖。 第2圖為處理站之一實施例的部分截面圓。 第3圖為研磨塾之俯視圖，其顯示一調節揮掃圖案。 第4圖疋第3圖之研磨塾的部分截面圖。 第5圖為研磨墊之俯視圖，其顯示另一調節揮掃圖案。 第6圖為第5圖顯示之研磨墊與研磨墊延伸部的部分 17 201029798 截面圖。

【主要元件符號說明】 A-H 中心線 X-Y 方向 100 方向 102 第一處理站 103 第二處理站 104 量測裝置 105 處理模組 106 第三處理站 108 基部 109 箭頭 110 轉移站 112 轉體 114 基材 116 負載機械手臂 118 基材儲存匣 120 介面 122 清潔模組 124 輸入緩衝站 125 處理表面 126 輸出緩衝站 128 負載杯組件 132 轉移機械手臂 138 臂 140 控制器 142 中央處理單元（CPU) 144 記憶體 146 支援電路 150 電源供應器 182 調節裝置 188 圍壁 190 承載頭 202 頭組件 204 支撐構件 206 臂 208 調節構件 212 調節載具 226 研磨墊 228 研磨材料 230 平台 255 喷桿 18 201029798 258 噴嘴 260 流體 300 揮掃圖案 305 内部區塊 310 周邊區塊 315 邊緣 500 揮掃圖案 505 研磨墊延伸部 510 支撐構件 515 上表面 525 處理表面 526 邊緣延伸部 605 驅動系統 610 致動器 615 驅動臺座 19

Claims (1)

1. 201029798 七、申請專利範圍： 1 · 一種設備，包含： 一基部’其具有一平台，該平台耦接到該基部之 上表面； 一研磨塾’其耦接到該平台之上表面，該研磨塾 具有一研磨表面； 一支撐構件’其耦接到該基部且鄰近該研磨墊之 一周邊邊緣；以及 一磨耗材料’其耦接到該支撐構件之上表面，該 磨耗材料之上表面與該研磨墊之該研磨表面共平面。 2.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該平台為圓 形且可相對於該基部旋轉。 3·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該磨耗材料 包含一聚合物材料。 4.如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該研磨墊與 該磨耗材料包含相同的材料。 5·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該支撐構件 叙接到一驅動系統，以將該支撐構件相對於該研磨墊 之周邊邊緣橫向地與/或垂直地移動。 20 201029798 6·如申請專利範圍第i項所述之設備，其中該研磨墊是 可移動的’並且該磨耗材料係相對於該研磨表面固定 且與該研磨表面分隔一間隙。 7.如申請專利範圍第丨項所述之設備，更包含： -調節構件，其_龍㈣，該調節構件適於 以一揮掃圖案越過該研磨表面來調節該研磨表面。 籲8.如申請專利範圍第7項所述之設備，其中該揮掃圖案 包括移動該調節構件之中心超過該研磨墊之周邊邊 緣。 9. 如中請專利範0第7項所述之設備，其中該調節構件 包括一向下壓力，並且該向下壓力在該揮掃圖案中是 相同的。 參 10. —種設備，包含： 一基部’其具有一平台，該平台係可旋轉地耦接 到該基部之上表面； 一研磨墊’其耦接到該平台之上表面，該研磨墊 具有一研磨表面； 一支撐構件’其耦接到該基部且鄰近該研磨墊之 一周邊邊緣，該支撐構件可相對於該研磨墊之該研磨 表面調整；以及 21 201029798 一磨耗材料’其_到該支撑構件之上表面。 如申請專利範圍第10項所述之設備，其中該研磨墊 為圓形。 12. 如申請專利範圍第10項所述之設備，其中該磨耗材 料為一犧牲材料》 13. 如申請專㈣圍第1G項所述之設備，其中該研磨塾 與該磨耗材料包含相同的材料。 如申請專利範圍第10項所述之設備，更包含： 一驅動系統，其耦接到該支撐構件，以將該支撐 構件相對於該研磨墊線性地移動於χ方向與乙方向。 如申請專利範圍第14項所述之設備，其中該驅動系 統包含一氣動馬達》 16·如申請專利範圍第H)項所述之設備，其中該磨耗材 料係相對於該研磨墊固定且與該研磨墊分隔一間隙。 Π.如申請專利範圍第10項所述之設備，其中該磨耗材 料包含一聚合物材料。 22 201029798 18·如申請專利範 —=♦ 第10項所述之設備，更包含： — = P構件其耦接到該基部，該調節構件適於 婦圖案越過該研磨表面來調節該研磨表面。 19.如申請專利範 ^ ^ . 圍第18項所述之設備，其中該揮掃圖 八括移動該調筋& 邊緣。 凋卽構件之中心超過該研磨墊之周邊 參 20. 一種用以铟缺 調即一研磨墊之方法，包含： 使調節碟片抵靠一旋轉研磨墊之一研磨表面； ^揮掃圖案將該調節碟片移動越過該研磨表 該揮掃圖案包括延伸超過該研磨表面之一周邊邊 緣的至少-部分該調節碟片；以及 維持在該揮掃圖案期間由f亥調節碟片施加到該 研磨表面之實質均等的壓力。 21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中當該調節 碟片之一部分延伸超過該研磨表面之周邊邊緣時，施 加到該調節碟片之向下力量係減少。 22.如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該減少的 向下力量是#決於㈣節碟片》有接觸該研磨表面 之表面區域。 23 201029798 23.如申請專利範圍第 等的向下力量施加 間維持住。 20項所述之方法，其申一實質均 到該調節碟片且在該揮掃圖案期 24.如申請專利範圍第23 項所述之方法，其中該揮掃圖 累包括揮掃該調節播姓s，丨、 構件之至夕一部分使其越過該研 磨表面之周邊邊緣而接艏一 觸磨乾表面，該磨耗表面與 該研磨墊分隔。 、

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