TW201028246A - Grinding stone for surface plate correction, polishing device for surface plate correction, and correction method for polishing surface plate - Google Patents

Grinding stone for surface plate correction, polishing device for surface plate correction, and correction method for polishing surface plate Download PDF

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TW201028246A
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TW
Taiwan
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polishing
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grindstone
correction
surface plate
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Application number
TW099102132A
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Inventor
Kai Yasuoka
Tsuyoshi Shimizu
Kenichi Kazama
Original Assignee
Shinano Electric Refining Co Ltd
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Description

201028246 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ,本發明係關於平台修正用磨石、平台修正用拋光裝置及該拋 光平台之修正方法,該平台修正用磨石用以修正該拋光裝置中的 該拋光平台,而該拋光裝置係於拋光平台上設置具有修正用磨石 固持用孔部的平台修正用載體,且在該載體之孔部固持修正用磨 石,以使拋光平台及載體分別旋轉,並對該抛光平台供給游離 粒以將該拋光平台拋光。 【先前技術】 攻從自以往’就將梦晶圓、合成石频璃、水晶、液晶玻璃、陶 瓷等拋光工作件拋光的拋光裝置而言,有人使用圖i所示裝置。 圖1中之1為拋光平台(下平台),且係含有粒狀石墨的禱鐵 所製。該平台1設置成以未圖示之驅動裝置而可旋轉。於該平二工 =侧’其中心部配置有齒輪(太陽齒輪)2,並沿靠外周緣而配置口 狀的气輪(内齒輪)3 ’且嚷合於該等齒輪2、3而設置有複數之載 。该等載體4分別形成有抛光工作件固持用孔5,且於該等 插入有拋光工作件6。又,雖未圖示,於該等載體4上,可 ,上平σ 地以可雜方式設置。當上舰紅作件 載體4往與該旋轉相反之方向旋轉,拋光工作 面進=么轉且自轉’一面對平台供給游離磨粒而受拋光。 絲置重複進行研光處理時,拋光平台耗損而平 凸狀,待加工物之平坦度惡化,變得無法得到平 ΐ二加工物。因此’使用與平台係同質材料之鱗鐵製的 半二二r具一面供給游離磨粒’―面進行平台表面之修正、 贿正此種施予研光加工之拋光裝置的平台 11-105月22又啼八i 口仏正用治具而言’專利文獻1 :曰本特開平 利文獻3广專利文獻2 :日本特開2000-135666號公報、專 現A報專利文獻5 .日本特開2〇〇7_69323號公報等 201028246 所記載者為已知。 然而,該等平台修正用治具為將平台修正、平坦化, 必須進 長時間的修正拋光’拋光後存在於 燒所產生的孔部上產生毛邊,而且鑄J燃 的重量也增加而在處理 丄ί以短時間進行修正拋光,而且能從剛開始 的拋光力’得到表面粗度良好的待加讀。]起以穩疋 ❹ 【先前技術文獻】 【專利文獻1】 【專利文獻2】 【專利文獻3】 【專利文獻4】 【專利文獻5】 曰本特開平11-10522號公報 曰本特開2000-135666號公報 曰本特開2000-218521號公報 曰本特開2006-297488號公報 曰本特開2007-69323號公報 【發明内容】 發明所欲解決之課題 參 本發明因應上述要求,目的為:提供么 ,正用抛光裝置及拋光平台之修正方法,、即二、平台 能以輕量在短時間内進行平台修 ' 至化,也 放而可得_—細微面。 Π肝妹狀石墨孔開 解決課題之手段 本發明人等為達成上述目的,專 光機中待加工物受拋光的過程隨時間進行 台内可進行均一拋光之理想的平台修正治且.,研九出在平 佳為治具材質具有與鑄鐵平台所存‘之“^ ’二研究出:較 微氣孔,且較佳為洛氏硬度(聰}係肩〜150的磨上相^^細 用合成樹轉扣麟_石,比 5 201028246 行ΐ:之具而一面供給相同磨粒,-面進 ^面所存在陳狀石墨孔開放’可得到均—細微面;且實際使 用游離磨粒將拋光工作件拋光時,平台 ===,因該保持力增加而可 待加工作件,可刺表神度良好的 因此,本發明提供下述平台修正用磨石 置、及拋光平纟之修正綠。 Α正用拋先裝 申請專利範圍1 : 平位於抛光裝置’該抛光裝置係於抛光 磨石111持用孔部的平台修正用載體,且在 Μ載體U©持修正㈣;5,贱拋光平台 Ϊ對ίϊί平t供給游離磨粒以將該拋光平台修正拋:』徵 為配置修正用磨石的形狀係_之中心部角度 申請專利範圍2 : 如申請專利範圍第1項之平台修正用麻 甘士 _ 石的寬度在該圓形之直徑的1〇〜2〇0/二範 ’、~扇狀磨 申請專利範圍3: _ 如申請專利範圍第1或2項之平a佟 石的洛氏硬度(HRS)為80〜15〇。 ° >用磨石,其中’該磨 申請專利範圍4 : 如申請專利範圍第1至3項中任一項 中’該磨石係具有微小氣孔的磨石。 α ;用磨石’其 申請專利範圍5 : 如申請專利範圍第1 JL 4項中任一項之平叫 中,該磨石為合成樹脂製磨石。 口 >正用磨石,其 申請專利範圍6 : 如申請專利範圍第5項之平台修正用磨石,其中,該磨石的 201028246 微小氣孔率為50〜90%。 申請專利範圍7 : 專利範圍第5或6項之平台修正用磨石,其中,該磨 申為2G〜⑼阿的聚氨基f酸乙1旨製磨石。 如申請專利範圍第5至7項中任一頊之伞a依 中,使得與將該抛光工作件拋光時游^ 散固定在該磨石而成。 獄⑽離磨粒相冋的磨粒分 申請專利範圍9: ❹ 如申請專利範圍第8項之平台修正用磨 1 摻合磨石整體之20〜50質量%的磨粒而^磨石其中’在該磨石 申請專利範圍10: 如申請專利範圍第1至4項中任一項 中,該磨石為鱗鐵磨石。、甲任項之千口修正用磨石,其 申5月專利範圍11 : n, !°„利範圍第10項之平台修正用磨石,其中,石的 嘁小氣孔率為10〜50。/。。 τ 4磨石的 申請專利範圍12 : —種平台修正用拋光裝置,於拋光 =固持用孔部的平台修正城體,且在J載體磨 磨石,以使拋光平台及麵分別旋轉,並 ^二^用 磨粒以將該拋光平台修正拋光;^ ^ 供給游離 申請專利範圍第1至u項中任—項體之孔部配置 申請專利綱13 ·· 奴h修正_石而成。 ===歐嫩於触罐伽且 磨 用 7 201028246 磨石,以使拋光平台及載體分職轉 =立以將該拋光平台修正拋光;其特徵為 ㈣拋繼騎她紐=正1光 光平修正·,其中,對拋 發明之效果 的平,___ '金屬等所形成修正載體等 正的情形’可在短時間進行平台修正’同時 均一細微面;且實際使用:離磨“拋 ’因該保持力增加而可得到穩定馳光力,而且細微平^ 面轉p至拋光X·作件’可制表面粗度良好的待加工物。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 本發明之平自修JL職絲置如_ 2輯,係棚丨之抛光 裝置中’不设置載體4而將具有修正用磨石固持用孔部n的平台 修正,載體10與齒輪2、3灌合而設置,且於該載體1〇之孔部u 固持著修正用磨石12 ’以使拋光平台丨及載體1〇分別旋轉,並對 ,拋光平台供給游離磨粒以進行修正拋光。此時,該載體丨〇之孔 部11所設有修正用磨石12呈扇狀,由合成樹脂製磨石、鑄鐵磨 石等之磨石構成;該孔部11係因應該磨石形狀之扇狀的孔部,且 該孔部11嵌合有例如板狀(plate狀)之磨石12。又,圖中之13係 =以使拋光磨粒研漿從上平台流通至下平台的流通孔。在此,所 謂扇狀,係如日本扇之骨架所貼有和紙部分之具有既定寬的圓弧 形狀’意味著例如將以2個同心圓所區隔的環狀以圓形之中心部 〇的角度Θ切開180。以下之範圍内的形狀。 依本發明之磨石形狀係將拋光機中待加工物受拋光的過程隨 201028246 的研究出n在平台内可進行均-拋光之理想 〜9〇。的形狀,而言,較佳為圓形之中心部0的角度Θ為· 變得極少,^度9〇°、’與平台抵接之磨石面積 過180。時,比起平經濟。又,當扇形狀角度超 變得無部’與内侧磨石的接觸機會增加而 係 θ f8 120〇〇 j又Θ在180〜90。之範圍内,但較佳為16〇〇〜 =,機會更均-化為更 =向 石宽超’磨-石消耗量增大’有時變得不經濟。又,當磨 決,但比起平\ 濟性獲得解 無法進行均,譜正,卩為其=磨石_齡增加而變得 樹脂ϊίϊΐΐ: 石3鐵磨石。就合成 • Ϊ:=Ξ二可適•當使用聚氨基曱酸乙酯製者。作為該聚氨ϊίϊ t酉曰製的磨石,較佳係在例如聚己二酸亞⑽ 基醋、聚己内醋多元醇、聚碳酸醋二醇等之聚 = 二醇、聚云二醇、聚丁醚二醇等之聚醚系多元醇^醇: -2,4〔二異氰酸酯(TDI)、4,4,_二苯曱烧二異氰酸醋帅之里二 —別混合有使祕抛光的拋絲粒者;為此,可用 混合,進行高速攪拌,以利用所微量添加於多元醇“三 之 又’聚氨基甲酸乙酯製之具有微小氣孔的 _〜5_r.p.m旋轉的靜態混合機將多元醇與異氰_= 201028246 合,藉此使其等產生氨基甲酸乙酯反應。 性,=、桌^^、^_製之微小氣孔的磨石較佳係帶有斥水 非連通軋泡構造而為獨立氣泡構造者。 检,ίΐ述ΐίί細離之微小氣孔的磨石較佳係摻合細微磨 ^40 ^/該佳為磨石整體的2G〜5G質量%,尤佳為3〇 微粒t暫^ 而言’較佳為平均粒徑20〜1脾左右的 尤材質而言,可將碳化石夕、氧化銘、氧化鉻、氧 明^行5 用J:混合2種以上使用’但是尤其按照本發 的游離磨使用與馳光工作件拋光時所使用 有效合磨粒以使絲分散、固絲磨石,而能 ΐίί 又此時,若能使與抛光工作件之拋光加 二1 離磨粒相_磨粒分散、固定,則使_磨石進行平 U L ’即使平台修正後來自該磨石的磨粒脫落而殘存於平 :m «1⑥此係與拋光工作件之抛光所使轉離磨粒相同的磨 粒’因此,有因殘存絲對卫作件造賴賴傷等之弊病。 又’就鎊鋪;5而言,較佳為具有微小氣孔者 氣=立氣_。作為此種磨石,較佳為因著將粒 ίΪί ΐ鑄公解的鑄鐵材料,而鑄鐵中所存在粒狀石墨之部 ί的^械微小氣孔者。料雜鑄鐵,可舉例如FCD45〇 ’發明中’上述磨石係使用其洛氏硬度(HRS)為8〇〜i5 , 較佳係使用HRS 100〜13〇者,尤佳係使用HRS 11〇〜12 ;告 洛^硬度太低時,因拋光形成的磨石消耗量增大,而有時變得i =J洛氏硬度太高時’比起鑄鐵平台硬度變得過高而磨石不 曰自脫落’ ^變得無法均—地修正平台之虞。此時,洛氏硬度係 =壓頭餘1/2英忖鋼球而試驗荷重励kg時的數值作為' 上述具有微小氣孔的磨石如上所述,較佳為具有微小氣 孔(氣囊爾^ ;但鱗,微小氣孔(_之大小[氣囊徑(氣孔徑)] 201028246 為20μηι以上’較佳為40μιη以上,尤佳為50μιη以上,而200μιη 以下’較佳為150μιη以下’尤佳為80μιη以下。為合成樹脂製磨 石的情形’較佳為20μπι〜150μπι ’尤佳為40μιη〜80μηι ;為鑄鐵 磨石的情形,較佳為50μιη〜200μηι。若氣孔徑未滿上述範圍,拋 光時所散佈之拋光磨粒研漿的流動受限制而拋光容易變得不均 一’當氣孔徑超過上述範圍時’拋光磨粒研漿的流動變活潑,抛 光變得均一,但磨石組織變粗糙,磨石消耗量增大,有變得不經 濟之虞。 、又’上述具有微小氣孔的合成樹脂製磨石係細微氣孔率(容積 率)為50〜90%者,較佳為細微氣孔率6〇〜8〇%者。若微小氣孔率 ❹ 未滿50% ’與平台之抵接面所存在的微小氣孔數減少,拋光時所 散佈之拋光磨粒研漿中的磨粒之可保持比例變少,有平台修正能 力減少之虞。又,當微小氣孔率超過9〇%時,拋光時之磨粒的保 持力增加而平台修正能力提高,但磨石組織變粗糙,磨石消耗量 增大,有時變得不經濟。 ,另一方面’上述具有微小氣孔的鑄鐵磨石由於比起合成樹脂 製磨石,磨石消耗量在1/3以下,磨石的自脫落少,有磨石形狀不 易變形的特徵,因此係細微氣孔率(容積率)為1〇〜5〇%者,較佳為 細微氣孔率%〜4〇%者。若微小氣孔率未滿1〇%,拋光中鎊鐵幾 〇 乎不會自脫落,即使拋光中發生細微氣孔的變形堵塞也無法更 穿斤,而拋光時所散佈之拋光磨粒研漿中的磨粒變得無法保持,有 、氣孔率超過50%時,成 樹脂製磨石姻的磨石消耗量,且與合成樹脂製磨石拋 ^產生之磨石的自脫落粉不同,因著鑄鐵磨石拋光所產生之磨 石自脫落的鎢鐵粉而有平台產生拋光刮傷現象之虞。 ,伽本發明之平台修正用磨石進行平台之修正的時期 ΐΐΞϋί制’但是對於將隨著反覆進行待拋光物的拋光加工而 所使,拋光劑削除,面精度惡化而成為凸狀或凹 起使用成减度之平台面精度的健,本發明之磨石比 起使用S知的鑄鐵修正載_情形,可在辦_得到高精度的 11 201028246 平台面精度,並且能使平台面所存在的粒狀石墨孔開放,可 均一細微面;且實際使用游離磨粒將拋光工作件拋光時, 面所存在雜狀石墨孔充分保持著餘,隨保持力増加而^ 到穩定的拋光力,而且細微平台面轉印至拋光工作件,可得到表 面粗度良好的待加卫物。又’就使聽抛光的平台(成為修正 的平台)衫,雖無制限定’但本發明巾健為含擁狀石 铸鐵製平台。 」 使用本發明之磨石進行平台修正時,首先使關2所示 用以固持該扇狀磨石12之固持用孔部n的含玻璃纖維之環^ 脂製等的載體10,在該載體10的固持用孔部n固持磨石12。該 載體10除磨石固持用孔部11外,為使抛光中的拋光磨粒研聚^ 上平台均一地流到下平台,而另外設有流通孔13 ;且一面於該 ^ 態I將載體10設置在上下平台内以使拋光磨粒研漿流動,一面在 下平台1、太陽齒輪2、内齒輪3之間配置複數個固持有扇狀磨石 12的載體10以進行正旋轉,同時於對扇狀磨石12施加上平台自 重的狀悲下進行逆旋轉以進行抛光,進行上下平台之修正。又, 載體10的配置數為2〜16,較佳為4〜10。 ^此時,該拋光條件可適當選定,但進行該平台修正後,較佳 係採用與進行拋光工作件之拋光時的拋光條件相同的條件。 如上述,以本發明之磨石進行平台的拋光處理時,游離磨粒 使用與其後所進行拋光工作件之拋光所使用游離磨粒相同的磨 © 粒,此係由於即使在上述磨石所進行之平台的拋光處理後游離磨 粒殘留於平台,也不會對其後之拋光工作件的拋光造成妨礙, 此較佳。 將拋光機中待加工物受拋光的過程隨時間進行追蹤模擬,將 圖4之圓盤狀待加工物21的情形顯示於圖5(a),圖6之環狀待加 工物22的情形顯示於圖7(A),圖8之扇形狀待加工物23之集合 體的花形狀待加工物23’的情形顯示於圖9(A)(又,圖中之20 载體)’而將受拋光後之平台面的狀態顯示於圖5(B)、圖7(B)、圖 9(B)。由模擬研究出:拋光機中待加工物自轉公轉以致累積與平台 12 201028246 面接觸的次數,而分成鱼 多的部分32及接觸頻率·多^分31、接觸頻率稱 公轉以致累積與平台面接勺^33,且拋光機中待加工物自轉 依圓盤狀待加工物、環狀、-人’而與平台接觸頻率多的部分 的花形狀待加工物則形成均—接之丄m扇形狀之集合體 34顯示不與平台接觸的部分。冑中之1顯示拖光平台, 載體=方:之=二扇形靠狀載二乍為磨石,並調整 =^_複數_細狀磨石7 (自轉方向) ❿ 固持4〜12個。此時,尤 ^係口持2〜2〇個,更佳係 ==成 Γ;卿置複數個成=2=¾ 表知的缚鐵修正載體進行平台修正後的平台 :燒所產生的孔部27上產生毛邊,而且铸鐵平台 磨石成樹脂製 燃燒所產生的& ΐί於禱鐵平台表面之粒狀石墨 面所ί麵粒狀石墨孔充分保持著磨粒,因該 工作件,曰二到5疋的拋光力’而且細微平台面轉印至拋光 作件了侍到表面粗度良好的待加工物。 平4·!: ϋΐ扇形狀之集合體的花形狀的合成樹脂製磨石進行 後f"磨石表面狀態顯示於圖13,係使得以微小氣孔29 練谢綱臟,藉此 13 201028246 以下顯示實施例及比較例,具體說明本發明,但本發明不限 於下述實施例。 [實施例、比較例] 拋光裝置使用16B、4向之兩面拋光裝置(不二越機械工業(股) 製)’將載體的固持用孔形狀搗擊成圖4之合成樹脂製圓盤狀磨 石、圖6之合成樹脂製環狀磨石、圖8之合成樹脂製扇形狀之集 合體的花形狀磨石及圖10之自以往所使用鎊鐵修正載體,以下述 方法、條件進行上下平台之修正。 平台修正拋光條件 平台 材質:含有粒狀石墨的鑄鐵FCD45〇 大小:16B 01127mm 載體 大小:0423mm共5個 修正方法、條件 拋光荷重:l〇〇g/cm2(約 9.8kpa) 下平台轉速:60rpm 上平台轉速:20rpm 游離磨粒種類:FO# 1200 磨粒濃度:20質量%分散液 游離磨粒供給量:2〇〇ml/min 拋光時間:3〇min 用於上述修正的磨石種·顯示如 ,下 形狀 圖號 樹脂材料 Α^#(μιη)
磨石一 3 圓盤狀 圖4 聚氨基甲 酸乙酯 100 90 201028246 磨粒種類 FO # 1200 FO# 1200 FO# 1200 35 40 45 洛氏硬度 (HRS) 110 100 90 使用圖14之平台形狀測定器對如上述地修正平台後之 狀作測稍得的值顯示於表2,圖表顯示於圖15。 平台直徑 高度(μιη) --~ 外周— —内J 萄^--^外周 1 2 3 4 5 6 7 8 9 P 磨石-1 —8.3 3.3 8.3 12.0 J4^ 19.8 14.5 19.0 12.8 15.5 5.0 5 5 -7.3 _ 一7 8 XV OR 1 磨石-2 —8.3 4.0 11.0 16Γ 磨石-3 -9.5 4.5 12.8 18.3 22.8 22.0 18.3 7.3 —8 3 ^O. 1 修正載 體 -7.8 3.3 9.0 14.3 16.8 16.8 14.3 5.8 —8.3 •^上♦ J 25.1 上述抛光的結婁, ^ ί δ體的化形狀磨石為最小,拋光後的平台形狀呈均一 化,係獲得確認。 孔邱ϊί 1、=上述16Β、4向之兩面拋光裝置,將載體的固持用
Hit ώ ^狀磨石、圖8之辆狀之集合體的花形狀磨 女往所使麟鐵修正載體’以下述方法、條件進行 ft,町述餅反覆進㈣晶圓的誠。其結果 .,、肩不於表3〜4及圖16、17。 _晶圓抛光條件 工作件:矽晶圓 工作件大小:6英吋0 l5〇mm 批次工作件使用片數:20片 1批次拋光時間:l〇min 回收:無 15 201028246 上平台轉速:20rpm 下平台轉速:60rpm 荷重:100g/cm2(約 9.8kPa) 研漿濃度:20質量% 防鏞劑:1質量% 滴入量:200ml/min 使用磨粒:FO# 1200 載體個數:5個 【表3】 拋光量(μηι/min) 批次數 磨石-1 磨石-2 修正載體 1 7.56 6.88 6.27 2 7.10 6.93 6.66 3 7.05 6.66 6.51 4 6.88 6.79 6.63 5 7.15 7.19 6.77 6 7.41 7.21 6.83 7 7.20 6.97 6.87 8 7.14 7.21 6.72 9 7.17 7.08 6.73 10 7.37 6.88 6.73 11 7.33 7.00 6.74 12 7.18 7.20 6.92 13 7.00 6.96 6.75 14 7.15 7.01 6.68 15 7.13 7.15 6.61 16 7.27 7.12 6.65 17 7.19 7.06 6.64 18 7.39 7.31 6.66 16 201028246 19 7.38 7.36 6.50 20 7.31 7.05 6.42 平均值 7.22 7.05 6.66 σ 0.16 0.17 0.15 MAX 7.56 7.36 6.92 MIN 6.88 6.66 6.27 R 0.68 0.70 0.65 【表4】 十點平均表面粗度Κ·ζ(μιη) 拋光批次 磨石-1 磨石-2 修正載體 1 1.313 1.356 1.389 2 1.275 1.268 1.404 3 1.305 1.269 1.401 4 1.300 1.314 1.419 5 1.255 1.320 1.342 6 1.302 1.251 1.462 7 1.297 1.375 1.403 8 1.301 1.408 1.397 9 1.285 1.346 1.478 10 1.280 1.305 1.432 11 1.308 1.269 1.399 12 1.339 1.377 1.484 13 1.320 1.407 1.461 14 1.320 1.259 1.472 15 1.353 1.306 1.434 16 1.310 1.289 1.430 17 1.287 1.325 1.409 18 1.325 1.295 1.386 19 1.319 1.280 1.388 17 201028246 20 1.307 1.305 1.466 --------- 1.423 ----- 0.037 平均值 1.305 1.316 σ 0.022 0.047 —~ MAX T353 「1.408 _U84 1.342 MIN 1.255 1.251 R 0.098 0.157 上述石夕晶圓拋光的結果,本發明之扇形狀之集合體 磨石為拋光量㈣最高’且十點平均表面粗度 1 值,係得以確認。 顯不最小 此顯示出:能使平台面所存在的粒狀石墨孔開放,可得 一細微面;且實際使用游離磨粒將拋光工作件拋光時,平台面 所,在的粒狀石墨孔充分保持著磨粒,因該保持力增加而^得到 穩疋的拋光力,而且細微平台面轉印至拋光工作件, 粗度良好的待加工物。 卞』衣曲 【圖式簡單說明】 圖1係顯示拋光工作件之拋光裝置之一例的省略上平台後 狀態的概略俯視圖。 圖2係顯示本發明之平台修正用拋光裝置之一實施例的省略 上平台後之狀態的俯視圖。 ,圖3(A)、3(B)係顯示本發明之扇狀磨石之一例的俯視圖,3(A) ❹ 係中心部角度Θ為180。時的例子,3⑼係中心部角度θ為9〇。時 例子。 圖4係圓盤狀磨石於载體内的配置圖。 圖5(A)係圓盤狀待加工物於平台内的配置圖,圖5(Β)係顯示 抛光模擬的俯視圖。 ®6係巧狀磨石於載體内的配置圖。 圖7(A)係環狀待加工物於平台内的配置圖’圖7⑻係顯示抛 光模擬的俯視圖。 圖8係扇形狀之集合體的花形狀磨石於載體内的配置圖。 18 201028246 ® ^ Ϊ 圖i〇係顯示習知的鱗鐵修正鐘的俯視圖。 態的•^崎彻输面狀 進行I 7之合成雛製縣狀之集合體的花形狀磨石 千σ仏正後之平台表面狀態的顯微鏡照片(100倍)。 表面明之合成細旨製辆彡狀之集合_花形狀磨石之 表面狀態的顯微鏡照片(1〇〇倍)。 參 圖14係平台形狀測定器的配置概略圖。 著顯示實闕、比糊巾進行平台修正後的平台測定位 置與平台高度之__表。 圖16係顯示實_、比較例中财晶圓拋光後的批次 先罝之關係的圖表。 、九 圖17係顯示實施例、比較例中將矽晶圓拋光後的批次數與十 點平均表面粗度之關係的圖表。 【主要元件符號說明】 1〜抛光平台(下平台) φ 2〜太陽齒輪 3〜内齒輪 4〜載體 5〜拋光工作件固持用孔 6〜拋光工作件 1〇〜平台修正用載體 11〜修正用磨石固持用孔部 12〜修正用磨石(扇狀磨石) 13〜流通孔 2〇〜載體 21〜圓盤狀待加工物 19 201028246 22〜環狀待加工物 23〜扇形狀待加工物 23'〜花形狀待加工物 27、28〜存在於鑄鐵平台表面之粒狀石墨燃燒所產生的孔部 29〜合成樹脂製磨石的微小氣孔 31〜與平台接觸頻率多的部分 32〜與平台接觸頻率稍多的部分 33〜與平台接觸頻率均一的部分 34〜不與平台接觸的部分 D〜扇狀之延長圓直徑 Ο〜圓形之中心部 W〜扇狀磨石之寬 20

Claims (1)

  1. 201028246 七、申請專利範圍: 台上用冑石’設於拋光裝置中’雌光裝置係於拋光平 續拋#孚用磨石,使拋光平台及載體分別旋轉,並對 磨粒以將該拋光平台修正拋光; ❹ 參 專利範圍第i項之平 寬度在_形之餘㈣〜20%之範_。韻狀磨石的 其中,該磨石的 i如氏申硬=為圍=項之平台修正用磨石’ 磨石,其中,該磨石係 4.如申請專利範圍第丨或2項之平台修正用 具有微小氣孔的磨石。 5. 如申請專利範圍第1或2項之 合成樹脂製磨石。 、磨石,其中,該磨石為 6. 如申請專利範圍第5項之平台修正用磨石, 氣孔率為50〜90%。 “令’該磨石的微小 7. 如申請專利範圍第5項之平台修正用磨石, 氣孔徑為2〇〜l5〇Mm的聚氨基尹酸乙醋製磨石、’該磨石係微小 8.如申請專利範圍第5項之平台修正用磨石, 光工作件抱光時所使用游離磨粒相同的磨,使得與進行拋 成。 77政固定在該磨石而 201028246 該磨石 =磨晴石專利範圍第1或2項之平台修正用磨石’其中, 項之平台修正用磨石,其中,該磨石的微 種平台修正用拋絲置’於拋光平台上㈣具有修正用磨石 ❹ :持=:的平台修正用載體’且在該載體之孔部正j 平台及載體分別旋轉,並對該抛光平台供給游離磨i 以將該拋光平台修正樾光; 其特徵在於: 在該载體之孔部設置申請專利範圍第〗至u項中 台修正用磨石而成。 π T壮項之千 ❹ 13.如申請專利範圍第12項之平台修正用拋光裝置,其中,沿 體之周向在該載體形成2〜20個修正用磨石固持用孔部,並且各 該孔部所設置並固狀縣石於韻⑽整體雜為花形狀。 Μ·—種拋光平台之修正方法,於拋光平台上設置具有修正用磨石 固持用孔部的平台修正㈣體,且在該麵之孔部嚼修正用磨 石,使拋光平台及載體分別旋轉,並對該拋光平台供給^離磨粒 以將該拋光平台修正拋光; 其特徵在於: 使用該申請專利範圍第12或13項之平台修正用拋光裝置, 進行該拋光平台的修正拋光。 < 對拋光 15.如申請專利範圍第14項之拋光平台之修正方法,其中, 22 201028246 平台供給游離磨粒以進行拋光。 八、圖式:
    23
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