TW201014451A - Method for making an organic electroluminsecent element, light emitting device, and display device - Google Patents

Method for making an organic electroluminsecent element, light emitting device, and display device Download PDF

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TW201014451A
TW201014451A TW098125637A TW98125637A TW201014451A TW 201014451 A TW201014451 A TW 201014451A TW 098125637 A TW098125637 A TW 098125637A TW 98125637 A TW98125637 A TW 98125637A TW 201014451 A TW201014451 A TW 201014451A
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TW
Taiwan
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organic
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light
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Application number
TW098125637A
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English (en)
Inventor
Kouichi Rokuhara
Tomonori Matsumuro
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
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Description

201014451 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 發 :光裝種有機電致發光元件之製造方法、 【先前技術】 二=致發光元件(以下有時稱為有機EL元件)传、 一對電極與位於該電極間之 牛 光。 電门與電子在發光層中結合而每 機:元:裝配置置^ 像素之一部分之_ 分別發揮做為 置成格子狀,各有機虹2 =面板通常係將間隔壁配 壁所分隔成之各像素區域。之機層係分別形成於由間隔 ❿ 有機層可藉由使用含有 塗佈法成膜。具體而言,有機料與溶劑之印墨之 擇性地供給至各 …、,以首先將前述印墨選 膜。已知有下述方法 印墨之溶劑乾燥去除而成 區域之配置進行圖牵化例如·精由使用具備對應於各像素 焊而开墨選擇性地供給至各像素區域,再使S 「奎而形成有機層(例如參照專利文獻υ。 其乾 【發明t獻】1]日本__—286243號公報 (發明欲解決的課題) 321409 3 201014451 由於有機層之材料之溶解性不良,故印墨中之有機層 之材料之比例通常為1重量%左右,且印墨之大部分是由 溶劑所構成。由於溶劑為在供給印墨後進行乾燥時被去除 之成分,故當使用如此之印墨成膜有機層時,為了形成預 定膜厚之有機層,必須將較有機層之體積更大量之印墨供 給至間隔壁内,通常係供給較間隔壁内之容量更大量之印 墨。若如此進行,則有時供給至預定之間隔壁内之印墨會 自間隔壁内溢出,並流到鄰接之間隔壁内。例如在彩色顯 示用之顯示器中,係將分別含有發出RGB各色光之材料之 3種印墨選擇性地供給至預定的間隔壁内,形成各色之發 光層。在如此將不同種的印墨分別供給至預定的間隔壁内 時,若所供給之印墨流到鄰接之間隔壁内,則會發生不同 種的印墨互相混雜之混色之問題。 因此,本發明之目的係提供一種使用可防止在供給印 墨時發生混色之凸版印刷法之有機EL元件之製造方法、及 一種具有容易防止混色的構成之發光裝置、以及一種具備 前述發光裝置之顯示裝置。 (解決課題的手段) 本發明為一種有機電致發光元件之製造方法,係製造 具有一對電極與位於該電極間之有機層之有機電致發光元 件之方法,其中,包括下述步驟: 提供大致平行地互相面對面配置複數個間隔壁,且於 該間隔壁之與基板侧之面相對向之面,沿著該間隔壁之長 度方向設置有貫通之溝部之基板之步驟;及 4 321409 201014451 •使用經由以對應於由前述間隔壁與前述基板所形成 之凹部之方式大致平行地互相面對面裝設複數個凸部而成 - 之凸版印刷板,將含有前述有機層材料之印墨供給至前述 。 凹部,而形成前述有機層之步驟。 此外,本發明為如前述之有機電致發光元件之製造方 法,其中,前述溝部係貫通間隔壁設置。 此外,本發明為如前述之有機電致發光元件之製造方 法,其中,垂直於基板之厚度方向及前述長度方向的方向 之前述溝部之寬度係5//Π1至30#m。 此外,本發明為如前述之有機電致發光元件之製造方 法,其中,前述間隔壁之高度係〇. l#m以上。 此外,本發明為一種發光裝置,係包含: 基板; 複數個間隔壁,係大致平行地互相面對面載置於該基 板上;以及 ❹ 有機電致發光元件,係具有設置於前述基板上之一對 電極、及位於該電極間之有機層, 其中, 前述有機層係形成於前述間隔壁間, 於前述間隔壁之與基板側之面相對向之面,沿著該間 隔壁之長度方向設置有貫通之溝部。 此外,本發明為一種顯示裝置,係具備前述發光裝置。 (發明的效果) 根據本發明,於間隔壁之與基板侧之面相對向之面, 5 321409 201014451 沿著間隔壁之長度方向設置有貫通之溝部。由於即使有時 供給至間隔壁間之印墨從間隔壁間溢出,所溢出之印墨也 會流進貫通地設置於間隔壁之溝部中,故可防止印墨流到 鄰接之間隔壁間,藉此可防止混色。 。 並且’由於藉由設置溝部即可避免混色’故無須如以 往高精度地進行凸版印刷版與基板之位置校準,而可有效 率地供給印墨。 此外’根據本發明,由於於間隔壁之與基板侧之面相 對向之面’沿著間隔壁之長度方向設置有貫通之溝部,故 ❹ 可實現防止混色且可有效率地以凸版印刷法製作之發光裝 置。 【實施方式】 第1圖係表示本發明之一實施形態之發光裝置中所使 用之基板及於該基板上設置有數個構件之狀態之平面圖。 第2圖係從第1圖之剖面線11 — 11觀察之基板之剖面圖。 發光裝置係形成為包含基板2、大致平行地互相面對面配 ^ 置於該基板2上之複數個間隔壁3、以及具有設置於基板2 上之一對電極、及位於該電極間之有機層之有機電致發光 元件之構成。有機層係形成於前述間隔壁間4,於間隔壁3 之與基板2侧之面相對向之面3a,沿著間隔壁3之長度方 向設置有貫通之溝部8。在第1圖及第2圖中係顯示設置 有機層前之狀態。 以下,說明被動矩陣型(passive matrix)發光裝置。 在本實施形態中,將大致並行地互相面對面排列之複數個 6 321409 ,201014451 電極5(-對電極中之-個電極;以下,依需要而簡稱為電 極5)設置於基板2。以下,有時將電極5之長度方向稱為 ' 行(column)方向X’將基板2之厚度方向稱為厚度方向z, •將垂直於行方向X及厚度方向Z的方向稱為排列方向γ。 本貫施形恶中之電極5係分別朝行方向χ隔開等間隔地排 列。 在本實施形態之發光裝置中,進一步從厚度方向2之 ❹-側設置被覆基板2及電極5之絕賴6。對此絕緣膜6, j各電極5上形成貫穿厚度方向2之複數個貫穿孔7、。各 貫穿孔7係在各電極5上朝行方向X隔開預^間隔地形成。 複數個間隔壁3係使長度方向與電極5之長度方向(在 本實施形態中為行方向X)一致,並朝排列方向γ隔開等間 隔地排列,而設置於前述絕緣膜6之表面上。具體而言, 從厚度方向Ζ之-側觀察’各間隔壁3係設置於鄰接之電 極5之間隙上。再者’從厚度方向ζ之一侧觀察,間隔壁 ® 3可以收納於鄰接之電極5之間隙内之方式形成,也可形 成至超出前述間隙之區域。 於間隔壁3之與基板2側之面相對向之面3a,沿著間 隔壁3之長度方向(在本實施形態中為行方向幻貫通地設 ^有溝部8。此溝部8以貫通間隔壁3而設置為佳。在本 實施形態中,係沿著間隔壁3之長度方向形成有朝厚度方 向Z貫通間隔壁3之溝部8。 有機層係形成於間隔㈣4。再者,如後述形成於基 板2之有機EL元件’係在一對電極間具備」層或複數層有 321409 7 201014451 機層’且具有至少一層發光層做為該有機層。此外,也有 時在一對電極間具備與發光層不同之有機層,且也有時具 備無機層。 發光裝置係具有使長度方向與排列方向γ —致地形成 之複數個另一電極。換言之,從厚度方向z之一侧觀察, 另一電極係與電極5垂直相交地設置。從厚度方向z之一 侧觀察’此另一電極係以與貫穿孔7重疊之方式,朝行方 向X隔開預定間隔地配置。 在上述說明之發光裝置中,從厚度方向Z之一側觀 察,電極5與另一電極交錯之部分分別發揮做為1個有機 EL元件之機能。 [有機EL元件之構成] 以下,說明設置於發光裝置之各有機EL元件之構成。 有機EL元件係由一對電極(陽極及陰極)與位於該電 極間之發光層構成。此外,於陽極與陰極之間可設置與發 光層不同之複數有機層或無機層,也可設置複數發光層。 設置於陰極與發光層間之層之例子可舉例如:電子注 入層、電子輸送層、電洞阻擋層等。當於陰極與發光層之 間設置電子注入層與電子輸送層等兩層時,靠近陰極的層 稱為電子注入層’靠近發光層的層稱為電子輸送層。 電子注入層係具有改善從陰極注入電子之效率之機能 之層。電子輸送層係具有改善從陰極、電子注入層或更接 近陰極的電子輸送層注入電子之機能之層。電洞阻播層係 具有阻礙電洞輸送之機能之層。再者,當電子注入層及/ 321409 8 ,201014451 '或電子輸送層具有阻礙電洞輸送之機能時,此等層有瞎善 做電洞阻擋層。 . I置於陽極與發光層間之層之例子可舉例如:電洞、、主 ,入層、電洞輸送層、電子阻擋料。#設置電洞注入層與 電洞輸送層等兩層時,靠近陽極的層稱為電洞注入層,靠 近發光層的層稱為電洞輸送層。 f m層係具有改善從陽極注人電洞之效率之機能 ❹之層。電洞輸送層係具有改善從陽極、電洞注入層或更= 近陽極的電洞輸送層注入電洞之機能之層。電子阻撐層係 具有阻礙電子輸送之機能之層。再者,當電洞注入層及; 或電洞輸送層具有阻礙電子輸送之機能時,此等層有 做電子阻擋層。 、兼 再者,有時將電子注入層及電洞注入層總稱為電荷注 入層’有時將電子輸送層及制輸送層總稱為電荷輸送層。 在以下之a)至p)中例示有機EL元件之具體構成。 ® a)陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 c) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 e)陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極 Ο陽極/電洞注入層/發光層/電子輪送層/電子注入層 /陰極 d) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 e) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 Ο陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 321409 9 201014451 g) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層 /陰極 a h) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 i) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層 /陰極 ' j) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層 /陰極 k) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層 /電子注入層/陰極 ❹ l) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 m) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極 η)陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 (在此,記號「/」表示夾住記號「/」之各層互相鄰接地 積層。以下皆同)。 (基板) 基板以在形成有機EL元件之步驟中不會變形者為 佳’可使用例如:玻璃、塑膠、高分子薄膜、矽基板、及 ® 積層此等而成之積層體等。此外,也可將經實施低透水化 處理之塑膠、高分子薄膜使用於基板。 各有機EL元件,以基板為基準,可為於基板侧配置陽 極、於與基板遠離之側配置陰極之構成,亦可為於基板侧 配置陰極、於與基板遠離之側配置陽極之構成。換言之, 在本實施形態中,可構成令一電極為陽極、令另一電極為 陰極之有機EL元件,亦可構成令一電極為陰極、令另一電 321409 10 201014451 極為陽極之有機EL元件。 此外,各有機EL元件可採用從基板侧取出光之底部發 • 光型之元件構成、或從與基板相反側取出光之頂部發光型 - 之元件構成。底部發光型之有機EL元件,從發光層至一電 極間之各層由透明之層所構成;頂部發光型之有機EL元 件’從發光層至另一電極間之各層由透明之層所構成。 (陽極) 當於陽極使用透明電極時,可使用導電度高的金屬氧 化物、金屬硫化物或金屬之薄膜,且宜使用穿透率高者。 具體而言,可使用氧化銦、氧化鋅、氧化錫、銦錫氧化物 (IndiumTin Oxide ’ 簡稱 ΙΤ0)、銦鋅氧化物(indium zinc
Oxide ’簡稱IZO);金、鉑、銀及銅等之薄膜,可依設置 於電極間之層之種類而適當選擇使用。此等之中,陽極以 ΙΤ0、ΙΖ0、氧化錫為佳。 此外 ❿ 5人 可使用聚苯胺或其衍生物、聚嗟3 (polythiophene)或其衍生物等有機透明導電膜。此外,^ 將由含有從由前述有機透明導電财所使用之材料、二 氧化物、金屬硫化物、金屬、及碳奈米料碳材 組中選出之至少-種以上之混合物所構成之薄膜使用= 極。 、 並且’在例如從陰極側取出光之構造之卜 中,可使錢統射之㈣形成陽極,如此 L疋件 :函數為3.0ev以上之金屬、金屬氧化物、金屬::: 321409 11 201014451 陽極之膜厚可考慮透光性與導電度而適當選擇,例 如:5nm至10私m,且以10nm至1 μ m為佳、以20nm至500nm 更佳。 (電洞注入層) 構成電洞注入層之材料,可適當使用習知之材料,無 特別限制。該材料之例子可舉例如:苯基胺系、星爆 (5士31*131^51:)型胺系、駄菁系、腙〇^(^32〇]16)系衍生物、 咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、具有胺基之噚二 β坐(oxadiazole)衍生物、氧化飢、氧化组、氧化鶴、氧化 鉬、氧化釕、氧化鋁等氧化物;非晶形碳、聚苯胺、聚噻 吩衍生物等。 電洞注入層之厚度係依目的之有機EL元件之設計而 適當設定,以5至300nm左右為佳。若此厚度未達5nm, 則有難以製造之傾向,另一方面,若超過300nm,則有驅 動電壓及對電洞注入層施加之電壓會變大之傾向。 (電洞輸送層) 構成電洞輸送層之材料無特別限制,其例子可舉例 如:Ν,Ν’-二苯基-N,Ν’-二(3-甲基苯基)4,4’-二胺基聯苯 (TPD)、4,4’-雙[Ν-(卜萘基)-Ν-苯基胺基]聯苯(ΝΡΒ)等芳 香族胺衍生物、聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生 物、在侧鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑 琳衍生物、芳胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍 生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或 其衍生物、聚吼咯或其衍生物、聚(對伸苯基伸乙烯基)或 12 321409 201014451 其衍生物、或聚(2,5-伸β塞吩基# 此等之中’形成電㈣送:時乙;;基)或其衍生物等。 以聚乙稀十线其衍生物、聚 用之電洞輸送材料 主鏈具有芳香族胺化合物基之衍生物、在側鏈或 其衍生物、聚㈣或其衍生物—心生物、聚苯胺或 伸苯基伸乙·)或其衍生物、或=或其何生物、聚(對 基)或其衍生物等高分子電洞輪料5:伸噻吩基伸乙烯 ❹ 參 或其衍生物、聚—生物二 族胺化合物基之聚魏奸生物 1主鏈具有方香 洞輸送材料時,以使其分散於高分低分子之電 電·_之厚度無特別限制子依黏目合:中::為佳。 適當設定,以⑽左右為佳。若此厚度I =限值,則有難以製造、或無法得到充分的電洞: ^之傾向。另一方面,若超過前述上限值,則有驅 動電壓及對電洞輸送層施加之電壓會變大之傾向 電洞輪送層之厚度係如上述為U !嶋咖左右 ’ 至500nm為佳、以5nm至2〇〇nm更佳。 咖 (發光層) 發光層通常主要含有發出螢光及/或麟光之 (低分子化合物及高分子化合物),且可復含有推雜㈣ 料。構成發光層之發光材料之例子可舉例如··以下之\ 料材料等。 。刀子㈣料、及摻雜㈣ 上述色素系材料之例子可舉例如:環戊胺 321409 13 201014451 (〇5^1〇口€1^3111丨116)衍生物、四笨基7 —烯衍生物化合物、 三苯基胺衍生物、噚二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二(苯 乙烯基)笨衍生物、二(苯乙烯基)伸芳基衍生物、吡咯衍生 物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、紫環酮(perinone)衍 生物、茈(perylene)衍生物、募聚嚓吩衍生物、三延胡索 基胺(trifumanyl amine)衍生物、时—°坐二聚物、°比°坐琳 二聚物等。 上述金屬錯合物系材料之例子<舉例如:銥錯合物、 鉑錯合物等具有從三重態激發狀態發光之金屬錯合物;喹 ❹ 啉酚鋁錯合物、苯并喹啉酚鈹錯合物、苯并噚唑鋅錯合物、 苯并嗟β坐辞錯合物、偶氮甲基辞錯合物、卩卜琳(P〇rphyrin) 辞錯合物、銪錯合物等在中心金屬具有Α1、Ζη、β6等或
Tb、Eu、Dy等稀土金屬且在配位基具有噚二唑、嗟二峻、 苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉構造等之金屬錯合物等。 上述高分子系材料之例子可舉例如:聚(對伸綠仲 烯基)衍生物、聚嘆吩衍生物、聚對 土申乙 ❹ 衍生物、聚乙块衍生物、聚第衍生 土:物、聚石夕烧 及將前述色素系材料或金屬鋩人 Λ乙烯咔唑衍生物、 化而成者等。 相合㈣發行高分子 (苯乙歸基)伸芳基街I:色二之材料之例子可 該等之聚合物、聚乙烯咔唑 $一唑衍生物、及 聚苐衍生物等。其中尤以高分子 '、聚對伸笨基衍生物、 物、聚對伸苯基衍生物和聚莓衍聚乙烯咔唑衍生 321409 14 201014451 此外,上述發光層形成材料中,發出 例子可舉例如:嗤吖 '光之材料之 •衍生物、及該等之聚合物 ^物、香豆素 烯基)衍生物、聚g衍生物f騎。 _本基伸乙 此外’上述發光層形成材料中 例子可舉例如:香豆+^ 色忐之材料之 ❹ 聚合物、聚(對伸I及該等之 丁狎本基伸乙烯基)衍生物、聚 聚苐衍生物等。复中责以古八嚯%何生物、 稀基)衍生物、^ = 之聚(對伸苯基伸乙 I噻吩竹生物、聚第衍生物等為佳。 在上述發光層中,為了提高發光效率和改 等目的,可添加摻雜志,,, 發光波長 謝物、香豆素二:此之摻雜劑之例子可舉例如: 咭酮行生物太物、紅螢烯(rUbrene)衍生物、喹吖 mu音、青(squaryllum)衍生物、㈣衍生物、 ❿ '、- 綱四苯衍生物、吡唑酮衍生物、产 (decacyclene)、夠_(_。聊此)等。 — 發光層之厚度通常為2nm至200nm。 (電子輸送層) 構成電子輪送層之材料可使用習知之任何材料 例如·曙二心錢物、I醌二甲践其衍生物、笨 衍生物、祕或㈣生物、蒽醍或其衍生物、四氰贫:、 甲烧或其衍生物、_衍生物、二苯二氰乙烯或其衍^二 聯苯酿衍生物H縣料或其衍生物之金屬錯合物、 本喧淋或其彳’Ϊ生物、聚*曙4 ( 1师丨nQxa 1丨Μ )或其衍生 321409 15 201014451 物、聚苐或其衍生物等。 此等之中尤以噚二唾衍生物、苯醌或其衍生物、蒽酉昆 或其衍生物、或8-羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物、聚 喹啉或其衍生物、聚喹噚啉或其衍生物、聚穽或其衍生物 為佳’以2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)_1,3, 4-嘴二 °坐、苯醌、蒽酿、參(8-啥琳紛)|g、聚啥琳更佳。 (電子注入層) 構成電子注入層之材料之例子可舉例如:驗金屬和驗 土金屬、或是含有前述金屬一種以上之合金、或是前述金 屬之氧化物、鹵化物及碳酸化物、或是前述物質之混合物 等,依發光層之種類而適當選擇。 前述鹼金屬或其氧化物、齒化物及碳酸化物之例子可 舉例如:鋰、鈉、鉀、铷、铯'氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、 氟化納、氧化卸、I化鉀、氧化伽、氣化撕、氧化絶、氣 化鉋、碳酸鋰等。 前述驗土金屬或其氧化物、_化物及碳酸化物之例子 可舉例如:鎮、舞、鎖、銷、氧化鎂、氟化鎮、氧化每、 虱化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氣 酸Μ等。 ㈣鋇、⑽銘、氟化銷、碳 機金屬化合物^,摻雜有金屬、金屬氧化物、金屬鹽之有 物做為電子注Ζ 屬錯合物化合物、或此等之混合 卞庄入層之材料使用。 言可舉例如積層2層以上之積層構造,具體而 &等層構造。電子注人層之膜厚以lnm 321409 16 201014451 至1//Π1左右為佳。 (陰極) . 陰極之材料以功函數小、容易將電子注入至發光層、 , 及導電度高的材料為佳。此外,當為從陽極侧取出光之構 造之有機EL元件時,以將可見光反射率高的材料使用於陰 極為佳。如此之陰極材料具體而言可舉例如:金屬、金屬 氧化物、合金、石墨或石墨層間化合物、氧化鋅(ZnO)等無 機半導體等。 m 上述金屬可使用驗金屬或驗土金屬、過渡金屬或Illb 族金屬等。此等金屬之具體例可舉例如:鋰、鈉、鉀、铷、 铯、鈹、鎂、#5、錄、鋇、金、銀、翻、銅、鐘、鈦、銘、 鎳、鎢、錫、鋁、銃、釩、鋅、釔、銦、鈽、釤、銪、铽、 镱等。 此外,合金可舉例如含有上述金屬之至少一種之合 金,具體而言可舉例如:鎂一銀合金、鎂一姻合金、鎮一 Φ 鋁合金、銦一銀合金、鋰一鋁合金、鋰一鎂合金、鋰一銦 合金、妈一铭合金等。 當為從陰極侧取出光之構造之有機EL元件時,將透明 電極使用於陰極,透明的陰極之材料之例子可舉例如:氧 化銦、氧化鋅、氧化錫、ΙΤ0、ΙΖ0等導電性氧化物;聚苯 胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等導電性有機物等。 再者,可將陰極形成為2層以上之積層構造。此外, 也有時將電子注入層做為陰極使用。’ 陰極之膜厚可考慮導電度和耐久性而適當選擇,例 17 321409 201014451 如:10nm至10 // m,且以20nm至1 // m為佳、以50nm至 500nm更佳。 (上部密封膜) , 由於發光層等發光材料容易氧化,且容易因與水接觸 、 而劣化,故發光裝置以復具備保護有機EL元件之上部密封 膜為佳。此上部密封膜係以從基板2之厚度方向之一側被 覆各有機EL元件之方式形成。上部密封膜係由對氣體及液 體之阻障性高的材料所構成,通常以將無機層與有機層交 互地積層之方式構成。 ® 再者,由於即使有機EL元件經基板及上部密封膜密 封,塑膠基板之氣體及液體之穿透性仍較玻璃基板高,故 當使用塑膠基板做為基板時,為了提高有機EL元件之密封 性,可將對氣體及液體之阻障性高的下部密封膜積層於塑 膠基板上,然後於此下部密封膜上積層有機EL元件。此下 部密封膜通常係由與上部密封膜同樣之構成、同樣之材料 所形成。 © [有機EL元件之製造方法] 以下,一面參照適當圖式,一面詳細說明有機EL元件 之製造方法之一實施形態。 (陽極形成步驟) 準備由前述之任一基板材料所構成之基板。當使用氣 體及液體之穿透性高的塑膠基板時,依需要而預先於基板 上形成下部密封膜。 接著,於所準備之基板上,使用前述之任一陽極材料 18 321409 201014451 形成陽極圖案。當形成透明的陽極時,如前述使用IT〇' IΖ0、氧化錫、氧化辞、氧化銦、鋅鋁複合氧化物等透明電 極材料。藉由例如濺鍍法將均勻膜厚之ΙΤ0薄膜堆積於基 板上’再猎由光微影法(photolithography)將ΙΤ0薄膜圖 案化成條紋狀’藉此形成相當於電極5之陽極。 (絕緣膜形成步驟) 絕緣膜6係依需要而設置。絕緣膜6係由例如感光性 樹脂等有機物所構成。首先,於形成有陽極之基板上經由 塗佈光阻而成膜光阻層,並且隔著遮罩將預定區域曝光, 接著進行㈣’ H此職減個貫穿孔7。藉此形成絕緣 膜6。 ^光阻具體而言可適當使用聚醯亞胺系、丙烯酸樹脂 系祕樹脂系之各感光性樹脂。此等之中尤宜使用财久 性f的聚醯亞胺系之樹脂。光阻之塗佈可藉由使用旋轉塗 佈器棒塗佈器、輥塗佈器、模具塗佈器、凹版塗佈器、 ❹狹縫塗佈器等之塗佈法進行。 再者’絕緣膜6也可由Si〇2、SiN等無機物所構成。 例如:首先藉由電聚CVD法或錢鍍法等習知方法於基板 上形成0.1至0.2_厚之由無機絕緣材料所構成之薄土膜, 並且藉由光微影法於預定位置形成貫穿孔7。藉此形成由 無機物所構成之絕緣膜6。 (間隔壁形成步驟)
間隔壁3係由有機物或無機物所構成,且可 影法容易地形成’因此以由感光性樹脂所構成為佳。首先B 321409 19 201014451 於形成有絕緣膜6之基板上經由塗佈光阻而成膜光阻層。 並且隔著遮罩將預定區域曝光,並進行顯影,藉此形成複 數個間隔壁3。此時,也可經由同時去除形成溝部8之區 域,而以同一步驟形成溝部8。再者,當不設置絕緣膜6 時,在間隔壁間4中陽極4會露出。 光阻具體而言可適當使用聚醯亞胺系、丙烯酸樹脂 系、酚醛樹脂系之各感光性樹脂。此等之中尤宜使用耐久 性高的聚醯亞胺系之樹脂。光阻之塗佈可藉由使用旋轉塗 佈器、棒塗佈器、輥塗佈器、模具塗佈器、凹版塗佈器、 狹縫塗佈器等之塗佈法進行。再者,為了提高有機EL元件 之顯示品質,可使顯示遮光性之材料含於光阻中。 間隔壁3之主要作用在於謀求經間隔壁3分隔之鄰接 之像素間絕緣,並且防止經間隔壁3分隔之鄰接之像素間 之混色。另一方面,絕緣膜6之主要作用在於謀求沿著間 隔壁3之長度方向(行方向X)配置之像素間之絕緣,絕緣 膜6不具有防止經間隔壁3分隔之鄰接像素間混色之機 能。因此,絕緣膜6之厚度方向Z之高度無須增加到如間 隔壁3之厚度方向Z之高度之程度,而只設定於可確保電 性絕緣之程度。此外,間隔壁3之厚度方向Z之高度係設 定於在後述之塗佈印墨時所塗佈之印墨不會超出間隔壁而 溢出之程度。從如此之基準來看,隔壁3之厚度方向Z之 高度以設定成0. 1 /im以上為佳、以設定成2至3//m更佳。 此外,絕緣膜6之厚度方向Z之高度以設定成0. 1至0. 2 // m為佳。 20 321409 201014451 、此外,間隔壁3之排列方向Y之寬度L1通常為5/zm 至50 /z m,且以10 // m至30 // m為佳。此外,溝部8之排 - 列方向Y之寬度L2係設定成在後述之供給印墨之過程中可 / 收納流進溝部8中之印墨的值,通常為1 /z m至3 0 // m,且 以5 /z m至30 /i m為佳、以5 // m至20 /i m更佳。 間隔壁3之表面以對所供給之印墨顯示撥液性者為 佳、以較一電極(陽極)顯示更強的撥液性者為佳。再者, 在下述說明中,以陽極5為基準,當對印墨顯示與陽極5 同程度之親液性時,記載為顯示親液性,當較陽極顯示更 強的撥液性時,記載為顯示撥液性。例如當間隔壁3之表 面顯示親液性時,供給至間隔壁間4之印墨會擴散地塗在 間隔壁3之與基板侧之面相對向之面3a(以下有時稱為上 面),而容易流進鄰接之間隔壁間4中,但當間隔壁3之表 面顯示撥液性時,由於在間隔壁3之上面印墨受到排斥, 故可防止供給至間隔壁間4之印墨流進鄰接之間隔壁間4 參_ 中。 對間隔壁3之表面賦予撥液性之方法之一,可舉例如 電漿處理等表面處理,可舉例如:經由以氟取代間隔壁表 面之有機材料之官能基而將表面進行改質之方法。具體而 言,經由使用真空電漿裝置使CF4氣體電漿化,並將間隔 壁表面進行電漿處理,即可對間隔壁表面賦予撥液性。再 者,由於使用CF4氣體之電漿處理係對含有有機物之構件 賦予撥液性,故即使對由無機物所構成之陽極5進行電漿 處理,陽極5也不會顯示撥液性。因此,容易將印墨塗佈 21 321409 201014451 於電極上。經由如此對間隔壁3進行賦予撥液性之處理, 即可防止供給至間隔壁3内之印墨溢出並流進鄰接之間隔 壁間中。 由於若進行使用CF4氣體之電漿處理,則可對由有機 物所構成之構件賦予撥液性,且不會對由無機物所構成之 構件賦予撥液性,故當絕緣膜6由無機物所構成時,絕緣 膜6係顯示親液性,當絕緣膜6由有機物所構成時,係顯 示撥液性。由於可僅對由有機物所構成之構件選擇性地賦 予撥液性,故以如此使用CF4氣體之電漿處理為佳。 當如前述藉由聚醯亞胺等形成絕緣膜6時,間隔壁3 與絕緣膜6兩者皆顯示撥液性。當為例如主動矩陣型發光 裝置時,係於絕緣膜6上形成線路等構造物。此構造物之 厚度方向Z之高度通常為0.1//m至2//Π1。當於絕緣膜6 上設置構造物且該絕緣膜6顯示親液性時,若將印墨供給 至間隔壁間4,則會在印墨受到構造物拉扯之狀態下進行 乾燥,故有會形成貫穿孔7之邊緣部之膜厚較中央部厚的 有機層之傾向,但由於經由形成顯示撥液性之絕緣膜6, 即使於絕緣膜6上設置有構造物,印墨也會受到絕緣膜6 排斥,故不會受構造物影響,可形成均勻膜厚之有機層。 再者,為了對間隔壁3之表面賦予撥液性,可在形成 間隔壁時所使用之感光性材料中加入撥液性物質,也可在 形成間隔壁3後在其表面塗佈含有撥液性成分之塗佈液, 且也可使撥液性成分氣化並堆積於間隔壁表面。間隔壁3 之表面以對在形成有機EL元件之各層時所使用之所有印 22 321409 201014451 t 墨皆顯示撥液性為佳。 前述添加於感光性材料中之撥液性物質可使用例如: ^ 聚矽氧系化合物或含有氟之化合物。此等撥液性物質由於 ^ 對含有後述之發光層及電洞輸送層等材料之印墨顯示撥液 性,故可適當使用。 (電洞注入層及電洞輸送層之形成步驟) 在形成間隔壁後,依需要形成前述之電洞注入層及電 洞輸送層等。電洞注入層及電洞輸送層之成膜方法無特別 限制,使用低分子材料之成膜方法之例子可舉例如:從與 高分子黏合劑混合而成之混合溶液成膜之方法。使用高分 子材料之成膜方法之例子可舉例如:從溶液成膜之方法。 換言之,經由以塗佈法塗佈含有電洞注入層或電洞輸送層 之材料之印墨並使其乾燥,而形成電洞注入層或電洞輸送 層。 上述所混合之高分子黏合劑以不會極度阻礙電荷輸送 〇 者為佳,且宜使用對於可見光之吸收不強者。前述高分子 黏合劑之例子可舉例如:聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯 酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氣乙烯、聚矽 氧烧等。 從溶液成膜時所使用之溶劑,只要為可將前述之電洞 注入層或電洞輸送層之材料溶解或分散者,則無特別限 制。如此之溶劑之例子可舉例如:氣仿、二氣甲烷、二氯 乙烷等氯系溶劑;四氫呋喃等醚系溶劑;曱笨、二甲苯等 芳香族烴系溶劑;丙酮、甲基乙基酮等酮系溶劑;乙酸乙 23 321409 201014451 酯、乙酸丁酯、乙基赛璐蘇乙酸酯等酯系溶劑;水等。 從溶液成膜之方法以使用凸版印刷法為佳,其中尤宜 為柔版(ilexo)印刷法。第3圖係表示從溶液成膜電洞注入 層或電洞輸送層之步驟之示意圖。凸版印刷版2〇具有以對 應於由間隔壁3與基板2所形成之凹部9之配置之方式配 置之複數個凸部21 〇因此,複數個凸部21係大致平行地 互相面對面裝設。凸版印刷版20係形成為包含版體與纏捲 地固定於該版體之表面之印刷版之構成,且以對齊水平方 向之方式配置軸芯。凸版印刷版2〇係例如柔版,且由感光 性材料(例如紫外線硬化樹脂)等柔軟的材料所構成。此 外’凸版印刷版20係以使複數個凸部21分別朝周圍方向 延伸之方式設置。 首先,以使間隔壁3之長度方向對齊塗佈方向之方式 設置基板2,並且使含有電洞注入層或電洞輸送層材料之 印墨附著於凸版印刷版2〇之凸部21。其次,一面使凸版 印刷版20旋轉,一面將凸版印刷版2〇按壓於基板2,並 同時將基板2朝與印刷方向反方向地運送,藉此將附著於 凸》卩21之印墨供給至凹部9。經由使供給至凹部9之印墨 乾燥以去除溶劑,即可形成電洞注入層或電洞輸送層。再 者,當電洞注入層或電洞輸送層為有機層時,將使用凸版 印刷版20之上述步驟對應於有機層形成步驟。 印墨中之電洞注入層或電洞輸送層材料之比例通常為 〇· 1重量%至1〇重量% ,且以i重量%至5重量%為佳。 再者’複數個凸部21係分別朝凸版印刷版之軸線方向 321409 24 201014451 延伸形成,使用朝周圍方向互相隔開預定間隔設置之凸版 印刷版,亦可形成電洞注入層及電洞輪送層。 (發光層形成步驟) 9
接著形成發光層。當不設置電祠注入層及電洞輸送層 時’係鄰接陽極形成發光層。發光層係經由使用與前述同 樣的凸版印刷版並將含有發光層材料之印墨供給至凹部9 而形成。從溶液成膜時所使用之溶劑之例子可舉例如:曱 苯、二曱苯、丙酮、苯甲醚、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、 環己酮等單獨或此等之混合溶劑等。此等之中,由於可良 好地溶解發光材料,故以曱笨、二甲笨、笨曱醚等芳香族 有機溶劑為佳。印墨之供給可藉由第3 ®所示之與前述同 樣的方法進行。印墨中之發光層材料之比例通常為^重 量^至10重量% ’且以!重量%至5重量%為佳。發光層 係3有有機物之有機層’且形成此發光層之步驟相當於有 機層形成步驟。 在彩色示用之發光裝置中,必須分別朝行方向X依 序5又置’刀別發出紅色光、綠色光、藍色光之發光層(R發光 層“發光層、B發光層)。具體而言係以朝行方向X依R 發光層、B#光層之财排贼之3列發光層做 蔣’將該重複單元朝行方向Χ依序重複排列。當 3種印罢'、刀別發出紅色光、綠色光、藍色光之發光層之 種下有時稱為R印·墨、g印墨、Β印墨)分開塗佈 先將0墨隔開2列之間隔塗佈,其次將G印 * 1之間隔塗佈,再將Β印墨隔開2列之間隔塗佈。 321409 25 201014451 換言之,可對鄰接之凹部9供給不同種的印墨。 再者,在有機發光印墨中,也可依需要而添加界面活 性劑、抗氧化劑、黏度調整劑、紫外線吸收劑等。 (電子注入層及電子輸送層形成步驟) 在形成上述發光層後,依需要而形成電子輸送層及電 子注入層等。電子輸送層之形成法無特別限制,使用低分 子電子輸送材料之形成法之例子可舉例如:從粉末之真空 蒸鍍法、或從溶液或熔融狀態之成膜方法,使用高分子電 子輸送材料之形成法之例子可舉例如:從溶液或熔融狀態 之成膜方法。在從溶液或熔融狀態成膜時,可併用高分子 黏合劑。從溶液成膜電子輸送層之方法可使用與前述之從 溶液成膜電洞輸送層之方法同樣的成膜法。當從溶液成膜 時,與前述之形成發光層之方法同樣,以使用凸版印刷法 為佳。 此外,電子注入層係使用蒸鍍法、濺鍍法、印刷法等 形成。 (陰極形成步驟) 陰極係使用前述之陰極之任一材料,藉由真空蒸鍍 法、濺鑛法、CVD法、離子鑛覆法、雷射剝姓(laser ablation) 法、及將金屬薄膜壓著之積層法等而形成。 基板2係具有下述構成:大致平行地互相面對面配置 複數個間隔壁3,且於該間隔壁3之與基板侧之面相對向 之面3a,沿著該間隔壁3之長度方向設置有貫通溝部8, 提供具有如此構成之基板2之步驟可為下述步驟之任一 26 321409 201014451 t -者:(a)直接提供具有如此構成之基板2本身之步驟;或(b) 首先提供不具有如此構成之基板2,接著經由以使該基板2 < 具有如此構成之方式進行加工,最後提供具有如此構成之 ^ 基板2之步驟。 由於在有機層形成步驟中,印墨中之有機層材料之比 例低,因此將較有機層之體積更大量之印墨供給至凹部 9,故有印墨會從凹部9溢出之虞。然而,由於即使例如印 墨從凹部9溢出,所溢出之印墨也會流進貫通地設置於間 ® 隔壁3之溝部8中,故可防止印墨流進鄰接之凹部9中。 由於可如此防止印墨流進鄰接之凹部9中,故可形成所需 膜厚之有機層。再者,所謂有機層之材料,係意指在塗佈 印墨後會形成有機層者,印墨係形成為包含有機層材料與 溶解此有機層材料之溶劑之構成。 此外,即使將不同種的印墨供給至鄰接之凹部9時, 也可防止印墨流進鄰接之凹部9中,故可防止混色發生。 Q 由於經由設置溝部8即可避免混色,故無須如以往高精度 地進行凸版印刷版20與基板3之位置校準,可有效率地供 給印墨。 此外,由於即使將較間隔壁間4之容量更大量之印墨 供給至凹部9,間隔壁3也顯示撥液性,故該印墨會以使 印墨保存於間隔壁間4之方式在間隔壁3之上面受到排 斥。藉此,可防止印墨流進鄰接之凹部9中。 此外,當間隔壁3顯示親液性時,由於供給至凹部9 之印墨會一面受到間隔壁3吸引一面乾燥,故間隔壁3附 27 321409 201014451 近之有機層之膜厚會較中央部更厚,但在本實施形雜、 供給至凹部9之印墨會一面受到顯示撥液性之間隔^中’ 斥一面乾燥,故可成膜膜厚均勻的有機層。 排 此外,由於於間隔壁3貫通地設置有溝部,故 形態之發光裝置係具有適於使用前述之凸版印刷被 施 成有機層之構造。 % 顯示裝置係具備上述說明之發光裝置,復具傷 發光裝置之驅動裝置。經由例如使驅動裝置分別對〜此
與另一電極選擇性地施加電壓,即可使預定之有機El _ 選擇性地發光,藉此可使預定之影像資訊顯示。 m 再者,以上係說明被動矩陣型發光裝置,伯丄 〜也可例如 使用TFT基板構成主動矩陣型發光裝置,也可使用 主動矩陣型發光裝置構成顯示裝置。 ^ (產業上之可利用性) 本發明之有機電致發光元件之製造方法,係在例%_ 作經防止混色之發光裝置及顯示裝置、以及藉由凸 ^
法有效率地製作發光裝置及顯示裝置等時為有用。 之發光裝置及顯示裝置係在例如防止混色所伴隨之色調優 良之觀點、藉由凸版印刷法有效率地製作之觀點等上為有 用。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明之一實施形態之顯示裝置中所使 用之基板之平面圖。 第2圖係從第1圖之剖面線II 一 Π觀察之基板之别面 321409 28 4 201014451 ·- 圖。 第3圖係表示從溶液成膜電洞注入層或電洞輸送層之 ^ 步驟之示意圖。 - 【主要元件符號說明】 2 基板 3 間隔壁 3a 間隔壁之與基板側之面相對向之面 4 間隔壁間 5 一對電極中之一電極 6 絕緣膜 7 貫穿孔 8 溝部 9 凹部 20 凸版印刷版 21 凸部 ❿ L1 間隔壁之排列方向之寬度 L2 溝部之排列方向之寬度 X 行方向 Y · 排列方向 Z 厚度方向 29 321409

Claims (1)

  1. 201014451 七、申請專利範圍: 1. 一種有機電致發光元件之製造方法,係製造具有一對電 極與位於該電極間之有機層之有機電致發光元件之方 法,其中,包括下述步驟: 提供大致平行地互相面對面配置複數個間隔壁,且 於該間隔壁之與基板側之面相對向之面,沿著該間隔壁 之長度方向貫通地設置有溝部之基板之步驟;及 使用經由以對應由前述間隔壁與前述基板所形成 之凹部之方式大致平行地互相面對面裝設複數個凸部 而成之凸版印刷板,將含有前述有機層材料之印墨供給 至前述凹部,而形成前述有機層之步驟。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方 法,其中,前述溝部係貫通間隔壁設置。 3. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方 法,其中,垂直於基板之厚度方向及前述長度方向的方 向之前述溝部之寬度係5/zm至30/zffl。 4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件之製造方 法,其中,前述間隔壁之高度係0. 1 //m以上。 5. —種發光裝置,係包含: 基板; 複數個間隔壁,係大致平行地互相面對面載置於該 基板上;以及 有機電致發光元件,係具有設置於前述基板上之一 對電極、及位於該電極間之有機層, 30 321409 201014451 一 其中, 前述有機層係形成於前述間隔壁間, 於前述間隔壁之與基板側之面相對向之面,係沿著 該間隔壁之長度方向貫通地設置有溝部。 6· —種顯示裝置,係具備申請專利範圍第5項之發光裝 置。 31 321409
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