TW201012839A - Organic light-emitting materials and devices - Google Patents

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Mary Mckiernan
Thomas Pounds
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Cambridge Display Tech Ltd
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Description

201012839 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機發光材料及包含彼等之有機發光裝 置。 【先前技術】 典型的有機發光裝置（OLED)包括一基板，其上承載一 陽極、一陰極及一位於該陽極及陰極之間的發光層，且包 括至少一種有機電激發光材料。在操作中，將電洞通過該 陽極注入該裝置中及將電子通過該陰極注入該裝置中。該 等電洞及電子在發光層中結合以形成一激發子，其然後經 放射衰變以發射光。 OLED中可存在其他層，例如可在陽極及發光層之間提 供一電洞注入材料層（例如聚（伸乙基二氧噻吩穴聚苯乙烯 磺酸Sa (PEDOT/PSS))，以協助電洞自該陽極注入至該發光 層。此外，可在該陽極及該發光層之間提供一電洞傳輸 層，以協助電洞傳輸至該發光層。 電激發光聚合物（例如共軛聚合物）係一種重要的材料， 其將用於下一代之基於資訊技術之消費性產品的有機發光 裝置中。與無機半導體及有機染料相反，對使用聚合物的 主要關注在於利用成膜材料《溶液處理生產低成本裝置的 辄疇。電激發光聚合物之進一步優點為：其等可容易地藉 由鈐木（Suzuki)或山本（Yamam〇t〇)聚合作用而形成。此優 點此夠冋度控制最終形成之聚合物的立體規則度。 在過去十年間’已付出諸多努力以藉由開發高效材料或 142281.doc 201012839 有效裝置結構來提高有機發光裝置的發光效率。此外，又 已付出諸多努力以藉由開發新賴材料或裝置結構來提高有 機發光裝置之壽命。此外’ β已付出諸多努力以開發具有 特疋發射色彩及電荷傳輸性質之材料。 關於以上，已知可將各種稠合芳族衍生物併入發光聚合 物中作為發光單元及/或電荷傳輸單元。其中之一些將於 以下論述。 本發明申請者已開發多種在發光聚合物中作為藍光發射 單元或電洞傳輸單元之β卡唾衍生物。 WO 2007/071957揭示作為藍光發射單元及/或電洞傳輸 單元之根據以下通式之單元：
其中，Ri及R2表示取代基’例如烷基。該重複單元可藉由 使包括溴離去基之對應單體聚合而形成。發光聚合物亦可 包括其他電荷傳輸及/或發光重複單元，例如苐重複單 元。
Chemistry Letters, 36卷，No.1〇, 1206-1207頁（2007)揭示 在發光聚合物中使用以下通式之二噻吩并噻吩重複單元： 142281.doc 201012839
/ w /八汴里 硬早元之發光共聚物 揭不包括該等重複單 揭示該等聚合物可發射黃綠光 根據上述情況’明顯已知將多環雜芳族單元（例如 〇坐、聯笨基胺基衍生物及二噻 ..^ ^ 叁％并噻吩）併入發光聚合物 中以作為發光單元及/或電荷傳輸單元。 上述多環雜芳族單元存在—門 1題為其等容易捕獲電荷， :而降低了電荷載子在包含該等翠元之聚合物中的移動 =發明具體例之-目的係提供新財機 發光及/或電荷傳輸單元製造料材料之方法=用 等材料之有機發光裝置。本發 有"亥 雷荇妯僅A u义 發月具體例之另—目的係提供 電何捕獲力比刚述多環雜芳 Φ ^ ^ 早疋更低的單凡’從而提供 電何載子移動率經提高之發光聚合物。 【發明内容】 根據本發明之第一態樣， 物： 棱供一包括以下單元之聚合 142281.doc 7 201012839
(i)
其中X係S、〇、p及N中之一者；或p;且尺為烷基， 其中除與Z相鄰之C原子外的一或多個不相鄰的c原子可經 Ο、S、N、C = 0及-COO-置換，或為視需要經取代之芳基 或雜芳基。該聚合物較佳為發光聚合物。 在R為芳基或雜芳基的情況下’較佳的視需要取代基包 含烷基，其中一或多個不相鄰的C原子可經〇、S、N、 C=〇及-COO-置換。 通式（I)之稠合環系統可經一或多個取代基取代。較佳的 取代基包含烷基（其中一或多個不相鄰的C原子可經〇、S、 N、C=0及-COO-置換）、視需要經取代之芳基、視需要經 取代之雜芳基、烷氧基、烷硫基、氟、氰基及芳烷基。 本發明申請者已發現根據通式⑴之單元具有比前述多環 雜芳族單元更低的電荷捕獲力，其形成具有經提高之電荷 載子移動率的聚合物。 根據一較佳具體例，2為Ν β χ較佳為s。但是，可根據 所需發光及/或電荷傳輸性質選擇不同的X及Z，以調整該 發光聚合物’例如改變該聚合物之發射顏色。 同樣地了根據所需光發射及/或電荷傳輸性質選擇R基 團。該R基團亦可經選擇以改變該聚合物之其他物理性 14228丨.doc 201012839 質，例如其溶解度。較佳的R包括芳基，例如三芳胺基。 該三芳胺基可發揮輔助電洞傳輸之作用。該三芳胺基可經 烷基或芳基取代，例如增溶基（如烷基鏈），以增加該聚合 物之溶解度且因此有助於溶液處理。如此，通式（I)之單元 可具有以下結構：
z
其中X及Z如先前描述所定義且R3為取代基，例如烷基或 芳基取代基，尤其係增溶基（例如烷基鏈）。 上述重複單元可係一發射單元或電荷傳輸重複單元或兩 者，此取決於聚合物中所提供之其他重複單元。該聚合物 可包括一電子傳輸單元，例如苐重複單元。該聚合物亦可 包括一電洞傳輸重複單元，例如三芳胺。或者，本發明之 單元可同時作為發射單元及電洞傳輸單元之作用。該單元 可係紅光發射單元或黃光發射單元，此取決於X、Z及R所 142281.doc 201012839 選擇之基圏。 該早疋可經由通式⑴之雜芳基或經由R基圈鍵結至該聚 =中2係經由通式⑴之雜芳基。可將該單元併入該聚 元、或作為封端基。 複早 中。該等二 基圓—二=二合 ==為*複單元、下_: J眾口基γ，母個雜芳香環上—個： R I 7
142281.doc (IV) 201012839
(VI) 一特別佳單體單元係如下所示： 142281.doc -10- 201012839
(VII) 倘若將該單元併入聚合物中作為封端基，則只需要一個 可聚合基。 根據本發明之另一態樣，前述單體單元係用於製造一發 光聚合物。根據本發明之又另一態樣，該發光聚合物係用 於製造有機發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；及一位 於該陽極及該陰極之間的光發射層，其中該光發射層包含 如前所述之發光聚合物。 【實施方式】 現在將僅參考附圖，藉由實例來描述本發明。 此處描述與以下單體單元有關的本發明之實例： 142281.doc -11 - 201012839
R
其中R為烷基或芳基取代基。 可利用以下合成途徑以製造該單體：
R=烷基 R=烷基 下列參考文獻描述該合成途徑中各個步驟之細節： 步驟 1 及 2 : S.M.H· Kabir等人。2000，671。 步驟 3 ·· K.Nozaki等人。C72ew_ //?/· £Ί2003，2051 142281.doc -12- 201012839 步驟 4 :與 T.W. Biinnagel 等人。Macromo/ecw/es，2006, 8870中之步驟相似。 以下係上述單體之一實例：
s S' 其中R為烷基或芳基取代基，例如增溶基（如烷基鏈）。 可利用以下合成途徑來製造此單體： 142281.doc -13 201012839
例如Nil步驟1
Sn. HCI
R=烷基
PhCH2N{Br)3(CH3)3 ZnCI2l DMF
製造中間硝基化合物之另一途徑係如下圖所示：
Std Buchwald-Hartwig 以下描述本發明實施例之其他特徵。 -14· 142281.doc 201012839 一般裝置結構 參照圖1，根據本發明電激發光裝置之結構包括透明玻 璃或塑料基板1、陽極2及陰極4。於陽極2及陰極4之間提 供電激發光層3。 在實務裝置中，s亥等電極中至少一個係半透明的，以 使光可被吸收（在光敏裝置之情況下）或發射（在〇LED之情 • 況下）。當該陽極為透明時，其通常包含銦錫氧化物。 電荷傳輸層 m 更多層可位於陽極2及陰極4之間，例如電荷傳輸層、電 荷注入層或電荷阻斷層。 特定而言，希望提供一導電性電洞注入層，其可由設於 陽極2及電激發光層3之間的導電有機或無機材料而形成， 以助於電洞自該陽極注入至該或該等半導電聚合物層中。 摻雜的有機電洞注入材料之實例包含摻雜聚（伸乙基二氧 噻吩）(PEDT)，尤其係摻雜有平衡電荷之聚酸，例如Ep φ 0901176及EP 0947123所揭示之聚苯乙烯磺酸酯（PSS)、聚 丙稀酸或氟化續酸（例如Nafion®) ; US 5723873及US 5798170所揭示之聚苯胺；及聚（二噻吩并二噻吩）之 PEDT。導電無機材料之實例包含過渡金屬氧化物，例如
Journal of Physics D: Applied Physics (1996), 29(11), 2750-2753所揭示之 VOx、MoOX及 ru〇x。 右存在，則位於陽極2及電激發光層3之間的電洞傳輸層 較佳具有小於或等於5.5 ev之HOMO能階，更佳係約4.8-5·5 eV。HOMO能階可藉由例如循環伏安法而測量。 142281.doc 201012839 若存在’則位於電激發光層3及陰極4之間的電子傳輸層 較佳具有約3-3.5 eV之LUMO能階。 電激發光層 電激發光層3可僅由電激發光材料組成或可包括電激發 光材料及一或多種其他材料。特定而言，該電激發光材料 可與例如WO 99/48160中所揭示之電洞及/或電子傳輸材料 混合，或可在半導電主體基質中包含發光摻雜劑。或者， 可將該電激發光材料共價鍵結至電荷傳輸材料及/或主體 材料。 電激發光層3可經圖案化或未經圖案化。包含未經圖案 化層之裝置可用作例如照明源。白光發射裳置係特別適於 此目的。包含經圖案化層之裝置可係例如主動式矩陣顯示 器或被動式矩陣顯示器。在主動式矩陣顯示器之情況下， 經圖案化之電激發光層通常與經圖案化之陽極層及未經圖 案化之陰極-起使用。在被動式矩陣顯示器之情況下該 陽極層係由平行條之陽極材料、及平行條之電激發光材料 及經排列與該陽極材料垂直之陰極材料組成，其中該等電_ 激發光材料條及陰極材料條通常被藉由光微影姓刻法形成 之絕緣材料條（「陰極隔離物」）而關。 用於層3之適宜的材料包含小分子材料、聚合材料及樹 枝狀聚合材料，及其組合物。 - 陰極 陰極4係選自具有分 允终電子注入至電激發光層之功函數 的材料。其他因素舍 f毛響該陰極之選擇’例如在該陰極及 142281.doc •16· 201012839 電激發光材料之間發生不利相互反應的可能性。該陰極可 由單一材料組成，例如鋁層。或者，其可包括複數種金 屬’例如低功函數材料及高功函數材料組成之雙層，如： WO 98/10621 所揭示的鈣及鋁；w〇 98/57381、Appl phys Lett· 2002, 81(4)，634 及 WO 02/84759 所揭示之元素鋇；或 一金屬化合物薄層，尤其係鹼金屬或鹼土金屬之氧化物或 氟化物’例如W0 00/48258所揭示之氟化鋰，以協助電子 注入；Appl. PhyS. Lett· 2001，79(5)，2001 所揭示之氟化 鎖’及氧化鋇。為提供有效的電子注入至該裝置中該陰 極較佳具有低於3·5 eV之功函數，更佳為小於3 2 eV，最 佳為小於3 eV。金屬之功函數可見於例如Michaelson，j
Appl· Phys. 48(11)，4729, 1977。 該陰極可係不透明或透明的。透明陰極對於主動式矩陣 裝置特別有利，因為通過該等裝置中之透明陽極的發射至 少部份會被位於發射像素下的驅動電路所阻斷。透明陰極 將包括一足夠薄至透明之電子注入材料層。該層之側向導 電性由於其薄度通常會較低。在此情況下，該電子注入材料 層係與更厚的透明導電材料層（例如銦錫氧化物）一起使用。 應瞭解透明陰極裝置無需具有透明陽極（當然，除非需 要一完全透明之裝置）’且因此用於底部發光裝置之透明 陽極可由反射材料層（例如鋁層）代替或增補。透明陰極裝 置之實例揭示於例如GB 23483 16中。 封裝 光學裝置容易受水分及氧氣影響。因此，基板較佳應具 142281.doc -17· 201012839 有良好的阻擋性質以阻止水分及氧氣進入該裝置中。該基 板通常係玻璃，然而可使用替代基板，尤其當該裝置需要 可撓性時。舉例而言，該基板可包括如us 6268695中之塑 料（其揭示交替的塑料與阻擋層之基板），或Ep 〇94985〇所 揭示之薄玻璃與塑料之積層體。 該裝置較佳係用一封裝物（未顯示）封裝以阻止水分及氧 氣侵入。適宜的封裝物包括玻璃薄板、具有適宜阻擋性質 之薄膜，例如WO 01/81649所揭示之聚合物與介電質的交 互堆疊、或例如WO 〇1/19142所揭示之氣密容器。可將用 於吸收任何可能滲透入該基板或封裝物之大氣水分及/或 氧氣的集氣劑材料置於該基板及該封裝物之間。 其他 圖1之具體例闡明一裝置，其中該裝置係藉由首先於一 基板上形成一陽極，然後沉積一電激發光層及一陰極而形 成，但是應瞭解本發明之裝置亦可藉由首先於一基板上形 成陰極，然後沉積一電激發光層及一陽極而形成。 共耗聚合物（發螢光及/或電荷傳輸） 適且的電激發光及/或電荷傳輸聚合物包含聚（伸芳基伸 乙稀基），例如聚（對-伸苯基伸乙烯基）及聚伸芳基。 聚合物較佳包括選自例如Adv. Mater. 2000 12(23) 1 737- 1750及其引用之參考文獻所揭示之伸芳基重複單元的第一 重複單元。示例性第一重複單元包含：；Appl phys 1996，79，934所揭示之1，4-伸苯基重複單元；Ep 〇8422〇8 所揭示之第重複單元；例如Macromolecules 2000，33(6)， 142281.doc -18- 201012839 2016-2020中所揭示之茚并苐重複單元；及例如EP 0707020中所揭示之螺環第重複單元。該等重複單元各係 視需要經取代。取代基之實例包含增溶基，例如烷基 或烷氧基；拉電子基，例如氟、硝基或氰基；及用於增加 該聚合物之玻璃轉化溫度（Tg)的取代基。 特別佳聚合物包括視需要經取代之2,7-鍵聯之第，最佳 包括以下通式之重複單元：
其中R1及R2分別獨立選自氫或視需要經取代之烷基、烷氧 基、方基、芳烷基、雜芳基及雜芳烷基。更佳，r1&r2中 至少一個包含視需要經取代之C4_c2〇烷基或芳基。 聚合物可提供電洞傳輸、電子傳輸及發射功能中的一或 多種，此取決於其用於該裝置中之哪—層及共重複單元之 性質。 尤其是： 从 單兀之均聚物’例如9,9-二烷基苐-2,7-二基之均 聚物，可用於提供電子傳輸。 •包含三芳胺重複單元’尤其重複單元以共聚物：
142281.doc -19- (1) 201012839 其中Ar1及Ar2係視需要經取代之芳基或雜芳基，n大於或 等於1，較佳為1或2,及汉為]^或取代基，較佳為取代基。 R較佳為烷基或芳基或雜芳基，最佳為芳基或雜芳基。通 式1單元中之任何芳基或雜芳基可經取代。較佳的取代基 包括烷基及烷氧基。該重複單元中之任何芳基或雜芳基可 由直接鍵或二價聯結原子或基團鍵結。較佳的二價聯結原 子及基團包括〇、S ·’經取代的N ;及經取代的c。 符合通式1之特別佳單元包括通式2_4單元：
其中Arl及Ar2如以上所定義；及Ar3為視需要經取代之芳基或 雜芳基。當存在時’ Αι·3之較佳取代基包含烧基或烧氧基。 特別佳之此類型電洞傳輸聚合物為苐重複單元及三芳胺 重複單元之共聚物。 -包括上述重複單元及雜亞芳基重複單元之一之共聚物可 用於電荷傳輸或發射。㈣的⑽申芳基重複單元係選自通 式 7·21 ·· 142281.doc 201012839
為；基·、芳 基 其中尺6及r7係相同或小内且分别獨立為氫或取代丞 基、芳基、全氟烷基、硫烷基、氰基、烷氧基、 烧芳基或芳烧某。炎s 雜方 其等承 坑基為易於製造，尺6及R7軔估y
其#更佳係相同的且均… 6及1較佳係相同
-21· 201012839
13
18
19 142281.doc -22- 201012839
電激發光共聚物可包括一電激發光區域及例如w〇 00/55927 and US 6353083所揭示之電洞傳輸區域與電子傳 輸區域中之至7彳@。右僅提供電洞傳輪區域及電子傳輸 區域中之-者，則該電激發光區域亦可提供其他電洞傳輸 及電子傳輸功能。或者，電激發光聚合物可與一電洞傳輸 材料及/或—電子傳輸材料混合。包括電洞傳輸重複單 兀、電子傳輸重複單元及發光重複單元中之一或多個的聚 合物可提供該等單元於聚合物主鏈或聚合物側鏈中。 根據US 6353083,該聚合物中之該等不同區域可沿該聚 合物主鏈提供，或根據觸嶋869，作為懸掛於該聚合 物主鏈之基（側鏈）。 聚合方法 142281.doc •23- 201012839 製備該等聚合物之較佳方法為例如WO 00/53656所述之 鈴木聚合及例如 T. Yamamoto, "Electrically Conducting And Thermally Stable-Conjugated Poly(arylene)s Prepared by Organometallic Processes", Progress in Polymer Science 1993，17, 1153-1205所述之山本聚合。該等聚合技術均藉 由「金屬嵌入」而操作，其中金屬錯合物觸媒之金屬原子 係嵌於一單體之芳基及離去基之間。在山本聚合的情況 下，使用鎳錯合物觸媒；在鈐木聚合的情況下，使用鈀錯 合物觸媒。 舉例而言，在藉由山本聚合作用合成直鏈聚合物中，使 用一具有兩個反應性i基之單體。同樣地，根據鈴木聚合 方法，至少一個反應性基為硼衍生物基（例如圃酸或晒酸 酯）且另一反應性基為鹵基。較佳的鹵基為氯、溴及碘， 最佳為溴。 因此應瞭解：包括本申請案所述之芳基的重複單元及端 基可源於具有適宜離去基之單體。 鈐木聚合可用於製備立體規則性共聚物、嵌段共聚物及 無規共聚物。特定而言，當一反應性基為鹵基及另一反應 性基為硼衍生物基時，可製得均聚物或無規共聚物。或 者，當第一單體之兩個反應性基為硼基且第二單體之兩個 反應性基為鹵基時，可製得嵌段或立體規則性（尤其AB型） 共聚物。 其他可代替鹵基參與金屬嵌入之離去基包括含甲苯磺酸 根、甲磺酸根及三氟甲磺酸根。 142281.doc -24- 201012839 溶液處理 早-聚合物或複數種聚合物可自溶液中沉積以形成層體 5。聚伸芳基（尤其聚第）之適宜溶劑包含單-或聚-烷基苯， 例如甲苯及二甲苯。特別佳的溶液沉積技術為旋轉塗佈及 噴墨印刷。 旋轉塗佈特別適合於無需電激發光材料之圖案化之裝 置·例如，對於照明應用或單色分區顯示器。 噴墨印刷特別適合於高資訊量顯示器，尤其係全彩顯示 器。OLED之噴墨印刷係描述於例如ep〇88〇3〇3中。 其他溶液沉積技術包括浸塗、輥印及網印。 如果該裝置之多個層係由溶液處理而形成，則熟知本技 術者應知道防止相鄰層互混之技術’例如藉由先交聯一 層，然後 >儿積下一層或選擇用於相鄰層之材料以使形成該 等層之第一層的材料不溶於用以沉積第二層之溶劑中。 發射顏色 「紅光電激發光材料」意指一種有機材料藉由電激發光 發射波長在600-750 nm範圍内的光線，較佳為60〇_7〇〇 nm， 更佳為610-690 mn及最佳具有約650-660 nm之發射高峰。 「綠光電激發光材料」意指一種有機材料藉由電激發光 發射波長在510-580 nm範圍内的光線，較佳為510-570 nm。 「藍光電激發光材料」意指一種有機材料藉由電激發光 發射波長在400-500 nm範圍内的光線’更佳為430-500 nm。 磷光發射饉之主體 先前技術中描述了諸多主體，包括「小分子」主體，例 142281.doc •25· 201012839 如 Ikai等人.，Appl. Phys. Lett” 79 no. 2, 2001，156所揭示 之4,4’-雙（（咔唑-9-基）聯苯）（稱為cbP)，及（44，，4"_三（咔 0坐-9-基）二本基胺）（稱為TCTA);及三芳胺，例如三_4-(N_ 3-甲基苯基-N-苯基）苯基胺（稱為MDTATA)。已知聚合物亦 叮作為主體’尤其係均聚物’諸如’例如Appl. Phys. Lett. 2000，77(15)，2280所揭示之聚（乙稀基味峻）；Synth. Met. 2001，116，379 ; Phys· Rev. B 2001，63，235206&Αρρ1· Phys· Lett. 2003，82(7)，1006 中之聚荞；Adv. Mater. 1999, 11(4)，285中之聚[4-(N-4-乙烯基苄基氧乙基，N-甲基胺 基）-N-(2,5-二-第三-丁基苯基萘二甲酿亞胺）];及j. Mater. Chem· 2003，13, 50-55中之聚（對-伸苯基）。已知共聚物亦 可作為主體。 金屬錯合物（發磷光及發螢光） 較佳的金屬錯合物包括視需要經取代之通式（22)錯合 物： ML1qL2rL3s (22) 其中Μ為金屬；L1、L2及L3分別為配位基；q為整數；r及s 分別獨立為0或整數；且（a· q)+(b. r)+(c.s)之總和等於μ上 可利用之配位位置數，其中a為L1上的配位位置數，b為L2 上的配位位置數及c為L3上的配位位置數。 重元素Μ引發強烈的自旋-軌道耦合，以允許快速的系統 間轉換及自三重態或更高態發光（磷光）。適宜的重金屬Μ 142281.doc -26- 201012839 ^ 包括： -鑭系金屬，例如鈽、釤、銪、軾、鏑、铥、餌及斂·，及 -d-區金屬，尤其第2及3排之d_區金屬，即元素”至^ 及72至80 ’纟其係釕、铑、鈀、銖、餓、銀、鉑及 金。 f-區金屬之適宜配位基包含氧或氮供體系統，例如羧 酸、1，3-二酮酸酯、羥基羧酸、包含醯基笨酚及亞胺基醯 基的希夫鹼。已知發光之鑭系金屬錯合物需要具有比該金 屬離子第一激發態更高之三重激發能階的增敏基團。發光 來自該金屬之f-f躍遷且因此該發光顏色係由所選擇的金屬 而決定。陡峭發射通常較窄，其形成用於顯示器應用之純 色彩發射。 該等d-區金屬特別適合於自三重激發態發光。該等金屬 與碳或氮供體（例如卟啉及通式（23)之雙牙配位子）形成有 機金屬錯合物：
其中Ar4及Ar5可相同或不同，且分別獨立選自視需要經取 代之芳基或雜芳基；X1及γΐ可係相同或不相同，且分別獨 立選自碳或氮；且Ar4及Ar5可稠合在一起。其中χΐ為碳及 Υ1為氮之配位子係特別佳。 雙牙配位子之實例係如以下所示： 14228I.doc -27- 201012839
Ar及Ar可分別具有一或多個取代基。該等取代基中之 兩或多個可鍵結以形成環，例如芳香環。特別佳取代基包 ， 括 WO 02/45466、WO 02/44189、US 2002-117662及 US r 2002-182441所揭示之可用於藍移該錯合物之發射的氟或 二氟甲基；JP 2002_324679所揭示之烷基或烷氧基；w〇 ® 02/81448描述之可協助電洞傳輸至該錯合物（當其作為發射 材料時）之咔唑；WO 02/68435及EP 1245659所揭示之可用 於使配位子聯結其他基團的溴、氯或碘；及W〇 〇2/66552 所揭示之可用於獲得或增強該金屬錯合物之溶液可處理性 的樹突。 發光的樹枝狀聚合物通常包含與一或多個樹突鍵結的發 光中心，其中每個樹突包括一分支點及兩或多個樹枝狀分❿ 支該樹犬較佳係至少部份共概的，且該中心及樹枝狀分 支中至少一個包含芳基或雜芳基。其他適合與d_區元素共 同使用之配位子包括二酮酸酯，尤其係乙醯丙酮酸酯；三 ' 芳基膦及"比咬，其各可經取代。 - 主族金屬錯合物顯示基於配位子的發射，或電荷轉移發 射。對於該等錯合物’發射顏色係由所選擇的配位子及金 屬而決定。 該主體材料及金屬錯合物可呈物理混合物之形式組合。 142281.doc -28· 201012839 或者’該金屬錯合物可化學鍵結至該主體材料。在聚合主 體之情況下，該金屬錯合物可經化學鍵結作為聯結至聚合 物主鏈之取代基，作為重複單元併入該聚合物主鏈或作為 例如 EP 1245659、WO 02/31896、WO 03/18653及WO 03/22908 所揭示之聚合物之端基而提供。 一系列發螢光的低分子量金屬錯合物為已知且已在有機 發光裝置中證明[參見 H#jWMacromol.Sym.l25(1997)l-48，US-A5，150,006，US-A 6,083,634&US_A 5,432,014]。 用於二價或三價金屬的適宜配位子包括：類噁辛 (Oxinoids)，例如含有氧-氮或氧-氧供體原子，通常為具有 取代氧原子或取代氮原子的環氮原子或具有取代氧原子的 環氧原子（例如8-經基喧咐化物及經基喧嗯琳基-1 〇-經基苯 并（h)喹啉（II))、苯并唑（ΙΠ)、希夫鹼、偶氮吲哚、色酮衍 生物、3-羥基黃酮、及羧酸（例如水揚酸基胺基羧酸酯及酯 羧酸酯）。視需要之取代基包括齒基、烷基、烷氧基、鹵 烷基、氰基、胺基、醯胺基、磺醯基、羰基、芳基或可改 變發射顏色之（雜）芳香環上的雜芳基。 本發明已參照其較佳實施例經特別表明及描述，熟習此 項技術者應瞭解在不脫離由隨附申請專利範圍所界定之本 發明範圍下，可在其中對形式及詳情進行變更。 【圖式簡單說明】 圖1顯示根據本發明具體例之有機發光裝置。 【主要元件符號說明】 1 基板 142281.doc -29- 201012839 2 陽極 3 電激發光層 4 陰極 142281.doc

Claims (1)

  1. 201012839 七、申請專利範圍： 1· 一種聚合物，其包含以下單元：
    其中X係S、0、P及N中之一者；Z係N或P;且R為烷 基，其中除與Z相鄰之C原子外之一或多個不相鄰的C原 子可經Ο、S、N、C=0及-COO-置換，或為視需要經取 代之芳基或雜芳基。 2. 如請求項1之聚合物，其中Z係N。 3. 如請求項1或2之聚合物，其中X係S。 4. 如請求項1或2之聚合物，其中R包含芳基。 5. 如請求項4之聚合物，其中R包含三芳胺基。 6. 如請求項5之聚合物，其中該通式（I)單元具有以下結構：
    142281.doc 201012839 其中x及z係如嗜出s, ^ "青未項1至3中任一項所定義且R在箕 芳基取代基。 W且1係说基或 7‘ U項6之聚合物’其中R為-增溶基。 8· U項1或2之聚合物’其中該通式⑴單it係-發光單 元。 其中該通式（I)單元係黃光發射單 9.如請求項8之聚合物 元0 10.如4求項1或2之聚合物其中該聚合物為包含—或多個 其他電荷傳輪及/或發射單元之共聚物。 # 如《月求項10之聚合物’其中該—或多個其他電荷傳輸及/ 或發射單元包括電子傳輸單元。 12’如*月求項U之聚合物’其中該電子傳輸單元為葬重複單 元。 13·如π求項10之聚合物’其中該—或多個其他電荷傳輸及/ 或發射單7L包括電洞傳輸重複單元。 14.如請求項13之聚合物其中該電洞傳輪單元為三芳胺重 複單元。 ❹ 15·如請求項1或2之聚合物，其中該通式（I)單元係經由通式 (I)之雜芳香環或經由R基鍵結至該聚合物。 16. 如請求項！或2之聚合物，其中該通式（1)單元係併入該聚 合物中作為該聚合物主鏈或懸掛於該聚合物主鏈之側鏈 中的重複單元、或作為封端基。 17. —種製造如請求項1至16中任一項之聚合物之方法其 使用铃木（Suzuki)聚合反應或山本（Yamamot〇)聚合反 142281.doc 201012839 應，藉此使單體聚合，各單體具有至少一個反應性基。 18. 如請求項17之方法’其中該等反應性基係選自硼衍生物 基團例如S明酸或S朋酸酯、函基、甲苯續酸根、甲績酸根 及三氟曱磺酸根。 19. 一種有機發光裝置（OLED)，其包含一陽極、一陰極、及 一介於該陽極與該陰極之間之電激發光層，該電激發光 層包含如請求項1至16中任一項之聚合物。 20. 如請求項19之OLED，其於該陽極與該電激發光層之間 包含一導電性電洞注入層，以協助電洞自該陽極注入該 電激發光層中。 21· —種製造如請求項19或請求項20之OLED之方法，其包 含藉由溶液處理自溶液中沉積如請求項1至16中任·一項 之發光聚合物，以形成一OLED層之步驟。 22. 如請求項21之方法，其中該溶液處理技術為旋轉塗佈或 噴墨印刷。 23. —種光源’其包含如請求項19或請求項2〇之OLED。 24. 如請求項23之光源，其中該光源為一全彩顯示器。 142281.doc
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