TW201009511A - Inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device - Google Patents

Description

201009511 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一檢査設備、一曝光設備、及一製造裝置 的方法。 【先前技術】 大致上，於ICs及LSIs之製造過程中’諸如步進器或 光罩對準曝光機之曝光設備將形成在光罩、光掩模等上之 電路圖案轉印至塗以一抗蝕劑之晶圓上。 於此轉印步驟中，如果一圖案缺陷或諸如灰塵之外來 物質存在光罩等上’該外來物質亦同時被轉印至該晶圓上 ，導致1C及LSI製造的產量中之減少。特別地是，當光罩 被使用及在晶圓上之很多拍攝區域上藉由該步進及重複方 法重複地曝光電路圖案時，如果一有害之外來物質存在該 光罩上，該外來物質係暴露在該整個晶圓表面上。這大幅 地減少ICs及LSIs之產量。 對於ICs及LSIs用之製造過程偵測一光罩上之外來物 質的存在係因此不可缺少的。大致上，使用一外來物質之 等向地擴散光線的特性之外來物質檢查設備被使用。 譬如，一待檢查物件的表面係藉由傾斜向上地將平行 光束投射在該物件之表面作檢查，且藉著經由渐變折射率 微透鏡陣列造成該感測器接收來自該外來物質之散射光， 在一維影像感測器（感測陣列）上形成一外來物質之影像 (看日本專利特許公開申請案第7-433 1 2及7-51 15號）。 201009511 圖10顯示日本專利特許公開申請案第7-43312及7-5115 號中所揭示之外來物質檢查的光學系統之基本配置。用於 簡單之說明，僅只用於檢查一光罩的空白表面上之外來物 質的光學系統將在下面被敘述。然而，實際上，此設備亦 包括一用於檢查表層薄膜上之外來物質的光學系統，該表 層薄膜保護一光罩之電路圖案表面免於外來物質。圖1〇中 之參考數字2標示一附接有表層薄膜之表層機架。 一準直透鏡42將藉由半導體雷射41所放射且具有一發 散角度之雷射光束轉換成平行光束。λ/2板43接著造成該 投射光線之偏振軸平行於一平面，該平面包括該投射光之 光軸及藉由光接收單元7所接收之光的光軸。該雷射光束 係在一接近平行於該物件之表面的角度Θ入射於一待檢查 物件之表面上。這藉由該雷射光束在一當作待檢査表面之 空白表面la上形成一線性光投射區域5。 如果外來物質3存在該光投射區域5上，散射光係藉由 該外來物質3所產生。一成像透鏡71 (透鏡陣列）將散射 光聚焦於一線感測器72上，該成像透鏡7 1具有沿著該光投 射區域5之縱向排列的透鏡，以接收散射光。該成像透鏡 71被組構成在該線感測器72上形成該光投射區域5的一影 像。如藉由圖10中之參考符號B所標示者，此設備藉由在 一方向中線性地掃描一整個光學系統10檢查該整個空白表 面la上之外來物質，該方向垂直於該光投射區域5之縱向 及平行於該空白表面la、亦即該X方向。 在此亦提出一檢査設備，其包括與圖10中之光接收單 -6- 201009511 元7具有相同配置的另一光接收單元7’，且比較來自該二光 接收單元之檢查映成表，以移除當光束被電路圖案等所散 射時所產生之錯誤的外來物質信號，藉此精確地偵測一外 來物質之位置及尺寸（看日本專利申請案第2008-108291 號（美國專利申請案第12/424,468號））。 圖2顯示一移除錯誤之外來物質信號的技術。圖2中之 參考符號A標示由該光接收單元7所獲得之檢查映成表的範

_ 例；及B標示由該光接收單元7’所獲得之檢査映成表的範 W 例。既然來自一外來物質之散射光一般顯現於該等檢査映 成表兩者中，其係可能藉由移除僅只顯現於該等檢查映成 表之一中而當作錯誤之外來物質信號的信號，僅只擷取一 外來物質信號。在由該二檢查映成表A及B移除錯誤的外來 物質信號之後，參考符號C標示一檢查映成表》 將參考圖4敘述一用於該外來物質檢査設備開始檢查 之位置、亦即該光接收單元開始掃描之位置的基本管理方 φ 法。每一掃描開始位置係藉由與該原點開關位置隔開之距 離所管理。該線感測器之縱向係藉由與該線感測器的測量 端點隔開之距離所管理。既然該原點開關及該線感測器具 有安裝誤差，僅只在一被放置於該外來物質檢查設備中之 光罩上的預定範圍內之外來物質，係在組裝該外來物質檢 查設備之時藉由調整用於每一線感測器之掃描開始位置作 檢查。 將敘述調整複數光接收單元之掃描開始位置的一傳統 技術。該傳統調整技術使用一調整陶瓷板（下文稱爲“調 201009511 整板”），像該符號“+”之預定圖案被印刷在該調整板 上。此技術檢査被放置在該外來物質檢査設備中之架台的 中心之調整板，且調整複數光接收單元之個別掃描開始位 置，使得顯現於所獲得之檢查映成表中的圖案影像之顯示 位置係位於該檢査區域之中心。然而，該傳統調整技術可 僅只獲得至多大約1毫米之調整精度。 圖3顯示藉由該傳統技術所獲得之檢査映成表的範例 ，其已藉由使用一調整板調整複數光接收單元之掃描開始 位置。參考符號A標示由一光接收單元7所獲得之檢查映成 表；B標示由該另一光接收單元7'所獲得之檢查映成表； 及C標示藉由移除基於該檢査映成表A及B所產生之錯誤的 外來物質信號所獲得之檢查映成表。 外來物質信號係在該檢査映成表A及B中被分別地偵測 。假設僅只在該等檢查映成表之一中顯現的信號被當作一 錯誤的外來物質信號移除。於此案例中，如果該等光接收 單元在與該檢查映成表A及B之案例不同的位置偵測一外來 物質，該外來物質信號可在該檢查映成表C中被刪除。 如上面所述，根據藉由使用一調整板調整掃描開始位 置之傳統技術，既然掃描開始位置之調整的精度係不足的 ，即使一外來物質信號可在移除一錯誤的外來物質信號之 過程中藉由使用複數光接收單元被刪除。 【發明內容】 本發明允許一包括複數光接收單元之外來物質檢査設 -8- 201009511 備施行精確之檢查。 根據本發明之一態樣，提供有一檢查設備，包括一光 投射單元，其被組構成將線性光投射在一待檢査物件之表 面上；第一光接收單元及第二光接收單元，其被組構成接 收藉由該光投射單元投射在該表面上之光線的散射光，該 散射光係藉由該表面所產生；及一控制器，其被組構成沿 著該表面相對地掃描該光投射單元、該第一光接收單元、 p 及該第二光接收單元，同時維持該光投射單元、該第一光 接收單元、及該第二光接收單元間之位置關係，並基於由 該第一光接收單元及該第二光接收單元所輸出之信號的強 度分佈決定該表面上之外來物質的存在/不存在，該控制 器造成該檢査設備複數次地施行外來物質檢查，同時改變 該第一光接收單元開始掃描之嘗試性第一開始位置與該第 二光接收單元開始掃描的嘗試性第二開始位置間之位置關 係，爲該複數外來物質檢査之每一個，計算由該第一光接 φ 收單元所輸出之信號的強度分佈及由該第二光接收單元所 輸出之信號的強度分佈間之重叠程度，及決定該第一光接 收單元及該第二光接收單元之每一個的掃描開始位置，以 基於該嘗試性第一開始位置及該嘗試性第二開始位置間之 位置關係檢査該物件之表面，其在該複數經計算的重叠程 度之中呈現一最大之重叠程度。 根據本發明之另一態樣，提供有一檢查設備，包括一 投射單元，其被組構成將線性光投射在一物件之表面上； 一第一接收單元及一第二接收單元，其被組構成接收所投 -9 - 201009511 射之線性光的散射光；及一控制器，其被組構成沿著該表 面掃描該投射單元、該第一及第二接收單元，同時維持該 投射單元、該第一及第二接收單元間之位置關係，並基於 由該第一及第二接收單元所輸出之信號的強度分佈，決定 該表面上之外來物質的存在/不存在，其中該控制器造成 該檢查設備複數次地施行外來物質檢查，同時改變該第一 接收單元開始掃描之第一開始位置與該第二接收單元開始 掃描的第二開始位置間之位置關係，爲該複數外來物質檢 査之每一個，計算由該第一及第二接收單元的每一個所輸 出之信號的強度分佈間之重疊程度，及決定該第一及第二 接收單元之每一個的掃描開始位置，以基於該重疊程度檢 查該物件之表面。 根據本發明，例如，一包括複數光接收單元之外來物 質檢査設備可施行精確之檢查。 本發明之進一步特色將參考所附圖面由示範具體實施 例之以下敘述變得明顯。 @ 【實施方式】 圖1係一視圖，顯示根據第一具體實施例之外來物質 檢查設備的光學系統之基本配置。爲了單純故，在下面將 敘述僅只一用於檢查光罩1的空白表面la上之外來物質的 光學系統。然而，此具體實施例亦可包括用於檢査一表層 薄膜上之外來物質的光學系統，該表層薄膜保護該光罩1 的電路圖案表面免於外來物質。圖1中之參考數字2標示一 -10- 201009511 附接有表層薄膜之表層機架。因此’ 一待藉由該外來物質 檢查設備檢査之物件可爲該光罩1及該表層薄膜之至少一 個。 一將線性光45投射在當作待檢查物件之光罩1的表面 上之光投射單元4，包括半導體雷射41、準直透鏡42、及 λ/2板43，如於圖10中所示之配置。其係可能使用一偏振 濾波器、λ/4板、光學偏振元件等代替該λ/2板43。接收被 _ 該光投射單元4所投射而在該空白表面la上之散射光的第 一光接收單元8，具有與圖10中之光接收單元7相同之配置 。圖1中之外來物質檢査設備亦包括一與該第一光接收單 元8具有相同配置之第二光接收單元9。此設備亦包括一控 制器11，其基於由該二光接收單元8及9所輸出之信號的強 度分佈決定一空白表面la上之外來物質的存在/不存在。 該控制器11亦可決定一外來物質之尺寸。 如藉由圖1中之參考符號B所標示，該外來物質檢查設 Φ 備藉由相對該光罩1於一方向中掃描一整個光學系統10, 檢查該整個空白表面la上之外來物質，該方向垂直於一光 投射區域5之縱向及平行於該空白表面la、亦即沿著該X方 向。當檢查一外來物質時，該設備維持該光投射單元4及 該二光接收單元8及9間之位置關係。 放置該光投射單元4,使得藉由該光投射單元4所投射 之光的光軸係相對於該空白表面1 a在Θ傾斜。 將參考圖7敘述一調整該等掃描開始位置之技術的範 例，該二光接收單元、更特別地是二線感測器82及92於該 -11 - 201009511 等掃描開始位置開始在該X方向中掃描。參考數字81 意指成像透鏡感測器（透鏡陣列）° 於步驟101中，該操作員粗略地調整（粗調整） 線感測器82及92之掃描開始位置。藉由在外來物質檢 備中之預定位置放置一具有像該符號“+”之預定圖 調整板、及調整該等掃描開始位置以便在預定位置放 由該等線感測器82及92所拍攝之影像的傳統調整技術 係可能施行此粗調整。施行此粗調整能決定該線感測 之第一掃描開始位置（X82, Y82 )。該粗調整亦嘗試 決定該線感測器92的一嘗試性第二掃描開始位置（ Y 92 )。該操作員藉由使用已決定其掃描開始位置之 測器82檢查一外來物質，且該外來物質檢查設備儲存 線感測器82所輸出之信號的強度分佈之檢查映成表（ 圖5中之參考符號A所標示）。注意其係可能使用已決 掃描開始位置之線感測器82施行外來物質檢査，與於 步驟中使用該線感測器92相對於塗以參考微粒當作一 之玻璃板施行外來物質檢查。 於步驟102至108中，該設備施行細微調整處理， 密地匹配該線感測器92之嘗試性第二掃描開始位置與 感測器82之第一掃描開始位置。 於步驟102中，該外來物質檢查設備之控制器11 性地設定該線感測器92的一嘗試性之第二掃描開始位 X82-0.5毫米）。此操作最初設定該線感測器82之第 描開始位置及該線感測器92的嘗試性第二掃描開始位 及91 該等 査設 案的 置藉 ，其 器82 性地 X92, 線感 由該 藉由 定其 以下 目標 以精 該線 嘗試 置（ 一掃 置間 201009511 之位置關係。注意該（X82-0.5毫米）指示該控制器11所 認知之線感測器92的嘗試性第二掃描開始位置，係位在步 驟101所決定的線感測器82之第一掃描開始位置的前方達 0.5毫米處。參考圖4所示之原點開關位置表達該等線感測 器82及92之第一及第二掃描開始位置。圖5中之線感測器 92的嘗試性第二掃描開始位置（X82-0.5毫米=10.5毫米） 係首先嘗試性地設定’並指示該位置係由該原點開關位置 I 隔開達10.5毫米。 , 於步驟1 03中，該線感測器92由該嘗試性第二掃描開 始位置（X82-0.5毫米=10.5毫米）開始檢査一外來物質。 該控制器11計算一對應之檢查映成表（藉由圖5中之參考 符號B所標示）。 於步驟104中，該控制器11施行該處理，用於移除一 錯誤的外來物質信號。於此步驟中，該控制器11藉由移除 來自步驟101中所儲存之線感測器82的檢查映成表A及在步 ^ 驟103中所計算之線感測器92的檢查映成表B之錯誤的外來 物質信號，計算一檢查映成表C。該檢査映成表C係藉由僅 只擷取共用於該等檢査映成表A及B的信號所獲得之映成表 ，且係該二檢査映成表中之一信號、各信號的強度分佈， 該信號係位於該等映成表中之相同位置及具有一最低之強 度。亦即，該檢查映成表C指示該等線感測器82及92的檢 查映成表A及B中之信號的強度分佈間之重疊程度。

於步驟105中，該控制器11藉由在移除錯誤的外來物 質信號之後編譯該檢査映成表C中之信號來計算一直方圖D -13- 201009511 ，當作強度之頻率分佈。注意於此具體實施例中，該強度 係以電壓顯示。 於步驟106中，該控制器11擷取嘗試性地設定用於該 線感測器92之嘗試性第二掃描開始位置（10.5毫米）、與 及對應於該直方圖D上之最大頻率的強度（峰値電壓）的 一組合，且造成該外來物質檢查設備儲存該組合。 於步驟107中，該控制器11藉由將0.1毫米加至在步驟 102中所嘗試性地設定之嘗試性第二掃描開始位置、及將 該下一嘗試性第二掃描開始位置設定至10.6毫米，改變該 二線感測器的掃描開始位置間之位置關係。 隨後，以相同之方式，該控制器11造成該外來物質檢 查設備複數次施行外來物質檢查，同時每次改變該線感測 器92之嘗試性第二掃描開始位置達0.1毫米。於此案例中 ，假設該線感測器92之嘗試性第二掃描開始位置的改變範 圍係該範圍，其中該線感測器92之嘗試性第二掃描開始位 置係與該原點開關位置隔開達10.5毫米至11.0毫米。 於步驟108中’該控制器11檢查該嘗試性第二掃描開 始位置是否落在該改變範圍內，亦即在11.0毫米內。如果 於步驟108爲是（YES )，該製程返回至步驟1〇3。 於步驟109中’該控制器11決定該線感測器92之掃描 開始位置，以檢查該物件的表面上之外來物質。該控制器 11由圖6所示之曲線圖獲得該嘗試性第二掃描開始位置， 該峰値電壓在此位置變得最大，該曲線圖描述步驟106中 所儲存的嘗試性第二掃描開始位置及該峰値電壓間之關係 -14- 201009511 。該控制器11接著造成該外來物質檢查設備儲存該嘗試性 第二掃描開始位置當作一校正掃描開始位置。 根據該上面之技術，該控制器11基於該信號強度決定 該線感測器92之校正掃描開始位置，由該二線感測器所輸 出之共用信號的強度在此信號強度呈現一最大頻率。 然而，該控制器11可在以下方式中決定一校正掃描開 始位置。如果該二線感測器82及92具有相同之靈敏度，該 P 二線感測器82及92輸出具有相同之強度分佈的信號。然而 ，如果該等線感測器82及92之嘗試性第一及第二掃描開始 位置SA及SB彼此極其不同，基於一外來物質的信號之強 度分佈A及B不會彼此重疊，如藉由圖8中之參考符號A所 標示。因該等線感測器82及92之嘗試性第一及第二掃描開 始位置匹配，基於該外來物質的信號之強度分佈A及B彼此 重疊（看圖8中之參考符號B及C)。由該等線感測器82及 92所輸出之信號的信號強度分佈A及B之重疊程度、與共用 φ 於由該等線感測器82及92所輸出之信號的信號強度及該等 信號強度分佈之重疊範圍的尺寸具有一正的相互關係。參 考圖8當作一範例，其係亦可能基於藉由該畫有陰影線的 部份所指示之重叠部份C的高度（或該底邊之尺寸）的最 大値，獲得該等線感測器82及92之校正掃描開始位置。 該等線感測器82及92於該Y方向中之校正掃描開始位 置亦能以與該上面技術相同之方式被調整。其因此係亦可 能決定該等線感測器82及92之校正掃描開始位置當作在二 維平面上之位置。 -15- 201009511 使用該上面具體實施例之技術能精確地檢查僅只一外 來物質，而不會遺漏及不會被來自一電路圖案等之散射光 或繞射光所影響。 該上面之具體實施例固定該線感測器82之掃描開始位 置，且僅只調整該線感測器92之掃描開始位置。然而’其 係可能保有一習知之參考檢查映成表當作資料，且對應於 該參考檢查映成表獲得該等線感測器82及92之最佳掃描開 始位置。 此外，該上面之具體實施例使用一塗以參考微粒之玻 璃板，當作一待檢查之物件。然而，其係可能設定一當作 待檢查物件之平坦物件，其表面係犬牙交錯的或在其上畫 出一圖案。 此具體實施例之外來物質檢查設備可被應用至各種高 精密度處理設備、各種高精密度測量設備、與類似設備等 ，以及用於製造半導體裝置、液晶顯示裝置、與類似裝置 等之曝光設備。此外來物質檢查設備可有效地偵測待處理 物件與待測量物件的檢査表面上之外來物質。 在下面將敘述一示範之曝光設備，其被組構成將一光 罩之圖案轉印至一基板及曝光該基板，此具體實施例之外 來物質檢查設備係應用至該曝光設備。如圖9所示，該曝 光設備包括一照明系統501、一在其上安裝光罩之光罩架 台5 02、一投射光學系統5 03、及一固持基板之基板架台 5 04。一驅動機件（未示出）在該Y方向中掃描/運動該基 板架台504，且在該X方向中逐步地運動該架台，如上面所 201009511 述。該曝光設備將一光罩上所形成之電路圖案投射及掃 描-曝光至一基板上。 該照明系統501照明一光罩，及具有一光源單元及照 明光學系統，一電路圖案係形成在該光罩上。該光源單元 使用譬如雷射當作光源。該雷射可爲譬如具有大約193奈 米波長之ArF準分子雷射、具有大約248奈米波長之KrF準 分子雷射、或具有大約153奈米波長之F2準分子雷射。然 p 而，雷射之型式係未特別受限於準分子雷射，且可爲譬如 YAG雷射，及同樣未特別限制雷射之數目。當一雷射被用 作該光源時，一用於將來自該雷射光束來源之平行光束塑 形成一想要的光束形狀之光學系統、及一用於將相干雷射 光束轉換成不相干雷射光束之光學系統可被使用。能被使 用於該光源單元之光源係亦未特別受限於雷射，且一或複 數水銀燈或氙氣燈可被使用。該照明光學系統係一照明罩 幕之光學系統，且包括譬如透鏡、鏡片、光積分器、及光 鲁 闌。 該投射光學系統5 03可爲譬如一獨自具有複數透鏡元 件之光學系統、一具有複數透鏡元件及至少一凹鏡之光學 系統、一具有複數透鏡元件及諸如機諾虹（kino form )的 至少一繞射光學元件之光學系統、或一全鏡片型光學系統 〇 該光罩架台502及該基板架台5 04可藉由譬如線性馬達 所驅動。該等個別之架台同步地運動。致動器（驅動機件 )(未示出）被提供至該基板架台504及該光罩架台5 02, -17- 201009511 以將該光罩圖案對齊在該基板上。 其次將舉例說明藉由使用上面之曝光設備製造一裝置 、諸如半導體積體電路裝置或液晶顯示器裝置之方法。 裝置係藉由使用上面之曝光設備曝光一基板之曝光步 驟、使在該曝光步驟中曝光之基板顯影的顯影步驟、及處 理在該顯影步驟中顯影之基板的另一習知步驟（例如蝕刻 、抗蝕劑移除、切丁、接合、與封裝步驟）所製成。 雖然本發明已參考示範具體實施例作敘述’將了解本 發明不被限制於所揭示之示範具體實施例。以下申請專利 之範圍將被給與最寬廣之解釋，以便涵括所有此等修改及 同等結構與功能。 【圖式簡單說明】 圖1係一槪要視圖，顯示一外來物質檢查設備； 圖2係一槪要圖表，顯示移除錯誤的外來物質信號之 處理的範例； 圖3係一槪要圖表’顯示移除錯誤的外來物質信號之 處理的範例； 圖4係一槪念性圖解’顯示掃描開始位置； 圖5係用於說明一決定掃描開始位置的技術之視圖； 圖6係一曲線圖，顯示該等掃描開始位置及峰値電壓 間之關係； 圖7係用於決定一掃描開始位置的技術之流程圖； 圖8係一曲線圖，用於說明一決定掃描開始位置之技 201009511 術； 圖9係一視圖，顯示一曝光設備之範例；及 圖1 〇係一傳統外來物質檢查設備之槪要視圖 主要元件符號說明】 1 :光罩 1 a :空白表面 ❹ ❹ 2 :表層機架 3 :外來物質 4 =光投射單元 5 :光投射區域 7 ’·光接收單元 7’ ：光接收單元 8 :光接收單元 9 :光接收單元 1 〇 :光學系統 1 1 :控制器 4 1 :半導體雷射 42 :準直透鏡 43 : λ/2板 45 :線性光 71 :成像透鏡 72 :線感測器 8 1 :成像透鏡感測器 -19- 201009511 8 2 :線感測器 9 1 :成像透鏡感測器 92 :線感測器 5 Ο 1 :照明系統 502 :光罩架台 503 :投射光學系統 504 :基板架台

Claims (1)

1. 201009511 七、申請專利範圍： 1.一種檢查設備，包括： 一光投射單元，其被組構成將線性光投射在一待檢查 物件之表面上； 第一光接收單元及第二光接收單元，其被組構成接收 藉由該光投射單元投射在該表面上之光線的散射光，該散 射光係藉由該表面所產生；及 P —控制器，其被組構成沿著該表面相對地掃描該光投 射單元、該第一光接收單元、及該第二光接收單元，同時 維持該光投射單元、該第一光接收單元、及該第二光接收 單元間之位置關係，並基於由該第一光接收單元及該第二 光接收單元所輸出之信號的強度分佈決定該表面上之外來 物質的存在/不存在， 該控制器造成該檢查設備複數次地施行外來物質檢查 ，同時改變該第一光接收單元開始掃描之嘗試性第一開始 0 位置與該第二光接收單元開始掃描的嘗試性第二開始位置 間之位置關係， 對於該複數外來物質檢查之每一個，計算由該第一光 接收單元所輸出之信號的強度分佈及由該第二光接收單元 所輸出之信號的強度分佈間之重疊程度，及 基於該嘗試性第一開始位置及該嘗試性第二開始位置 間之位置關係決定該第一光接收單元及該第二光接收單元 之每一個的掃描開始位置以檢査該物件之表面，該位置關 係在該複數經計算的重疊程度之中呈現一最大之重疊程度 -21 - 201009511 2·如申請專利範圍第1項之檢查設備，其中該重疊程 度係藉由一強度分佈所界定，該強度分佈包括在具有來自 該第一光接收單元及該第二光接收單元兩者之高於0的強 度値之位置處的成對強度値之較低強度値。 3 .如申請專利範圍第2項之檢查設備，其中該控制器 基於該強度分佈之最大強度値決定該第一光接收單元及該 第二光接收單元之每一個的掃描開始位置。 4. 如申請專利範圍第2項之檢查設備，其中該控制器 基於具有來自該第一光接收單元及該第二光接收單元兩者 之高於〇的強度値之若干位置，決定該第一光接收單元及 該第二光接收單元之每一個的掃描開始位置。 5. 如申請專利範圍第2項之檢查設備，其中對於該複 數外來物質檢查之每一個，該控制器由具有最小強度的信 號之強度分佈計算強度之頻率分佈、擷取具有在所計算的 頻率分佈中之最大頻率的強度、與基於該位置關係決定該 第一光接收單元及該第二光接收單元之每一個的掃描開始 位置，該位置關係呈現該複數具該最大頻率的所擷取強度 之最大強度。 6. 如申請專利範圍第1項之檢查設備，其中該控制器 決定用於該第一光接收單元及該第二光接收單元之每一個 的掃描開始位置係一在二維平面上之位置。 7·—種曝光設備，其經由一光罩之圖案將基板暴露至 輻射能量，該設備包括根據申請專利範圍第1至6項之一的 -22- 201009511 檢査設備，其中該檢査設備被組構成檢查一在該光罩的表 面上之外來物質。 8.—種製造裝置的方法，該方法包括： 使用根據申請專利範圍第7項之曝光設備，經由一光 罩之圖案，將基板暴露至輻射能量： 使該經曝光之基板顯影；及 處理該經顯影之基板，以製造該裝置。 H 9. 一種檢査設備，包括： 一投射單元，其被組構成將線性光投射在一物件之表 面上； 一第一接收單元及一第二接收單元，其被組構成接收 所投射之線性光的散射光；及 一控制器，其被組構成沿著該表面掃描該投射單元、 該第一及第二接收單元，同時維持該投射單元、該第一及 第二接收單元間之位置關係，並基於由該第一及第二接收 φ 單元所輸出之信號的強度分佈，決定該表面上之外來物質 的存在/不存在， 其中該控制器造成該檢查設備複數次地施行外來物質 檢査，同時改變該第一接收單元開始掃描之第一開始位置 與該第二接收單元開始掃描的第二開始位置間之位置關係 ，對於該複數外來物質檢查之每一個，計算由該第一及第 二接收單元的每一個所輸出之信號的強度分佈間之重疊程 度，及基於該重疊程度決定該第一及第二接收單元之每一 個的掃描開始位置以檢查該物件之表面。 -23- 201009511 10. 如申請專利範圍第9項之檢查設備，其中該控制器 基於該第一及第二開始位置間之位置關係決定該第一及第 二接收單元之每一個的掃描開始位置以檢查該物件之表面 ，該位置關係在該複數經§十算的重疊程度之中呈現一最大 之重疊程度。 11. 如申請專利範圍第10項之檢查設備，其中該重疊 程度係藉由一強度分佈所界定，該強度分佈包括在具有來 自該第一及第二接收單元兩者之高於0的強度値之位置處 的成對強度値之較低強度値。 12·如申g靑專利fe圍第11項之檢査設備，其中該控制 器基於該強，度分佈之最大強度値，決定該第一及第二接收 單元之每一個的掃描開始位置。 13.如申請專利範圍第11項之檢查設備，其中該控制 器基於具有來自該第一及第二接收單元兩者之高於0的強 度値之複數位置，決定該第一及第二接收單元之每一個的 掃描開始位置。 14·如申請專利範圍第11項之檢査設備，其中對於該 複數外來物質檢查之每一個，該控制器由具有最小強度的 信號之強度分佈計算強度之頻率分佈、擷取具有在所計算 的頻率分佈中之最大頻率的強度、與基於該位置關係決定 該第一及第二接收單元之每一個的掃描開始位置，該位置 關係呈現該複數具該最大頻率的所擷取強度之最大強度。 1 5 .如申請專利範圍第9項之檢查設備，其中該控制器 決定用於該第一及第二接收單元之每一個的掃描開始位置 -24- 201009511 ，係一在二維平面上之位置。 16.—種曝光設備，其經由一光罩之圖案將基板暴露 至輻射能量，該曝光設備包括根據申請專利範圍第9至15 項之一項的檢査設備，其中該檢查設備被組構成檢查一在 該光罩的表面上之外來物質。 1 7·—種方法，包括： 使用根據申請專利範圍第16項之曝光設備’經由一光 罩之圖案將基板暴露至輻射能量； 使該經曝光之基板顯影；及 處理該經顯影之基板。 -25-