TW201003334A - Position measuring method, and exposure method and device - Google Patents
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Description
201003334 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於測量移動體之&罢咨^ π勒體之位置貧訊之位置測量技 術、使用此測量技術之曝光技術、以及使用此曝光技術之 70件製造技術’特別是使用干涉儀測量可動載台之位置資 訊之場合時適用者。 【先前技術】 直以來,於製造液晶顯示元件或半導體元件等元件 之微影步驟,為了將开$ $ #止s ' y成於先罩之圖案透過投影光學系統 轉印至塗有光阻之晶圓或板件等基板,係使用步進機等之 -次曝光型投影曝光裝置、或掃描步進機等之掃描曝光型 投影曝光裝置(掃描型曝光裝置)等之曝光裝置。此種曝光裝 般而。用以2,維移動基板之載台於正交之2方向
之座標位置,過去孫以士女|L 舌係以6亥载口上以反射面正交之方式固定 之、2個移動鏡、及對應此移動鏡配置之2軸以上雷射光波 干涉式測距儀(以下,稱干涉儀。)加以測量。 — 昜口 2個移動鏡之反射面最好是完全的平面,但實 ’、於該。等移動鏡分別會有反射面真直性(面形狀)之誤差 、、又誤差因此,以往,係事先分別測量2個移動鏡 度並求出相對於既定基準值之誤差,根據此結果以 式b正以干涉儀所測得之座標值,據以將該載台正 確的移動於正交之2方向。 乍為驾知之真直度之測量方法以下述2點法較為人 4 201003334 二其係對載台之移動鏡從2軸干涉儀平行的照射測量用 ^ 邊使載台在與該測量用光束正交之方向步進移 :邊、逐次測量2軸干涉儀之差分值,從該差分值之 隻化求出該移動鏡之真直度(例如’參照專利文獻〇。此2 =法’由於係是視2軸干涉儀之測量用光束之間隔設定該 步進移動之間隔,因此測量點數恆大致一定 [專利文獻1]特開2002— 3:280〇7號公報 ' 1 【發明内容】 ^於曝光裝置持續進行曝光時,會有因裝置内產生之熱 二迨成之載台變形等,而使得移動鏡之真直度產生經時變 之隋形。特別是測距範圍在1 m程度或超過該程度之大型 動鏡之場合,當真直度變化時,會導致曝光圖案之位置 偏差等。 作為其對策,如定期的以上述2點法測量載台之移動 ’ 真直度之情形時’由於須在上述步進移動之間隔所定 夕個測里點分別測量2軸干涉儀之差分值,因此會產生 則里時間長、曝光製程之生產量(或裝置之運轉率)降低之問 題。 本發明有鑑於上述情事,其目的在提供一種能以短時 間下修正載台等移動體之位置資訊之測量所使用之移動鏡 之反射面之真直度資訊的置測量方法、以及使用此位置 、】夏方法之曝光技術及元件製造技術。 本發明之位置測量方法,係透過設於移動體之反射面 5 201003334 測量該移動體之位置資t ^ ^ A ' ’其包含:重複進行僅第1次鉍 之邊移動體往移動方向 數 > 移動、與該反射面在與該移動方 向交叉之方向之位置資 郢方 出該反射面之第i真直二广量’根據㈣1測量結果求 m ’ 又貝訊之第1步驟;重複進行較1 第1次數少之僅第2戈 】平又5亥 心 t 致之該移動體往該移動方向之款 動、與該反射面在與該 π之移 θ ^ ^ 勒方向交叉之方向之位置資訊夕 測罝,根據該第2測量处要七, 巩之 -iL ^ ^ 9 ^ ^ Q果求出該反射面之第2真直度資 甙之弟2步驟;以及以 又貝 命次1 _ 第2真直度資訊修正該第1直吉 度貧訊之第3步驟。 木Α具直 又’本發明之曝弁太 υ乃在’係一邊使裝載弁星夕伞s 台與裝載基板之基板載台相斜違便表戟光罩之先罩载 案使該基板曝光,其包含: 料W先罩之圖 使用本發明之付番、|胃 ^ , 測置方法,測量該光罩載A及> 板载台之至少一方夕H U早戟口及该基 至夕方之可動載台之位置資訊之步驟;以 根據该測量結果,| 動之步驟。 使4先罩載台與該基板載台相對移 又’本發明之曝井奘 △I狀# Η '"置,係一邊使裝載光罩之光罩. :與裝載基板之基板載台相對移動於既定移動方/罩載 透過該光罩之圖案使該基板曝光,1且借·移:方向、-邊 係用以測量設於該光罩载二.硬數個干涉儀, 秋〇及S亥基板載台之至少 士 動载台之反射φ,在於該 …之可 功戟口之移動方向士人 貧訊;測量控制裝置,重複進行僅第丨 °之 载台往該移動方向之銘叙 _人數之該可動 Π之移動、與使用該 組干涉儀進行之i e U 调卞涉儀尹之第i 俄進仃之该反射面在與該移動 X入万向之位置 6 201003334 負sfL之測量,摘始 根據該第1測量結果之求出該反射面之第1 會吉隹二欠j ^ 一又貝5fl,並重複進行較該第1次數少之僅第2次數之 該可動截A& 口 〇移動方向之移動、與使用該複數個干涉儀 中之第2组千、牛# 、·卞v儀進行之該反射面在與該移動方向交叉方 向之位置資夕.、目,丨 ' '、里’根據該第2測量結果之求出該反射 面之第2真言;#咨^^ —'且度貝矾,並以該第2真直度資訊修正該第1 …,度貝讯,以及驅動控制裝置,根據該複數個干涉儀之 則里資汛及忒第丨真直度資訊,移動該可動載台。 、,又,本發明之元件製造方法,包含:使用本發明之曝 光方去或曝光裝置,將形成於該光罩之圖案之像轉印至感 光基板之步驟;使轉印了該圖案像之該感光基板顯影,將 對應該圖案像之形狀之轉印圖案層形成至該感光基板上之 步驟’以及透過該轉印圖案層對該感光基板進行加工之步
根據本發明,能以短時間〒修正載台等移動體之位置 貧訊之測量所使用之移動鏡等之反射面之真直度資訊,在 不致使使用該移動體之曝光裝置等裝置之生產率及允㈣ 降低之情形下’以高精度維持該移動體之位置資訊之測量。 L實施方式】 以下,參照圖1〜圖13説明本 ^ η ^ 實施形態例。 圖1係顯示本實施形態之掃描型液晶顯示元件 光裝置(液晶曝光裝置)1〇之概略構成的圖。 ^ 裝置1〇,具備:吸附保持光罩ΜΑ並 " 曝光 Κ忐罩載台MST、 7 201003334 以照明光(曝光用光)^照明光罩Μα< 裝置m、為了將光罩ΜΑ之部 德 之‘日"、明 固案之像形成於板件ΡΤ
上而包含複數(此處為7個)投影光學模纪PL1〜PL7之投男 光學系統PL、保持板件PT並移動之板件載台psT、由J 控制裝置全體之動作之雷腦所播^ 邗之電細所構成之主控制系統30、以及 未圖示之驅動機構等。又1中為便於説明,光罩載台 MST等係2點鏈線表示。以下,在與裝載板件載台聊之 面平行之面(本實施形態中大致為水平面)内正交之方式取 軸及Y軸、在與包含χ軸及丫轴之平面(χγ面)垂直的取 2夺軸進行説明。裝載光罩載台膽之面亦與χγ面平行, 知祂曝光日寸之光罩載台MST及板件載台PST之掃描方向為 與X軸平仃之方向(x方向)。又,繞與z軸平行之軸之旋轉 方向亦稱βζ方向。 '光IL係使用例如來自超高壓水銀燈之紫外線帶 之Ζ線(例如g線、h線、i線等)、波長1931^之ArF準分 子田射光或波長248nm之KrF準分子雷射光、或YAG雷射 之3次尚諧波(波長35511111)等。本實施形態之板件ρτ,舉 例而s ’係液晶顯示元件(顯示元件)製造用之塗有光阻 (感光材料)之19x22m方型' 22x24m方型、2.4x2.8m方 ^ 2·8x3.2m m方型程度之矩形平板狀玻璃板件。此外, 反件pt表面係被區劃為分別待轉印光罩μα之圖案之複數 個(圖1中為2個)圖案轉印區域(區劃區域)ΕΡ1、ΕΡ2,於各 圖案形成區域皆分別附設有對準標記(未圖示)。 圖1中’照明裝置IU,具備:用以照明光罩ΜΑ之圖 8 201003334 案面上排列於γ方向之第I姐 排梯形照明區域IF卜IF2、IF3、 IF4的4個部分照明系統,以 及用以明於X方向距離照明 區域IF1〜IF4之排列於γ方向 Π之弟2排梯形照明區域IF5、 IF6、IF7的3個部分照明系統。 元妝明裝置IU另具備光源(未 圖不)、以及將來自此光源之昭 '、、、明先予以分歧以供應至該等
部分照明系統之7個光導件(去R 守1千(禾圖不)。照明區域IF1〜IF7 為千鳥格子狀之排列’藉由對齊照明區域⑻〜旧之X方 向位置,可將照明區域抒丨〜^ /王體形成為於γ方向之細 長的1個矩形照明區域。照明裝置m亦具備個別規定照明 區域IF 1〜IF7之形狀的可變視野光闌。 光罩MA之圖案區域,相對照明區域ΐ]ρι〜抒7、分為
分別被掃描於X方向之7個部分圖案區域。又,在被H 排照明區域IF5〜旧照明之部分圖案區域緣有斜線。舉一 例而言’於光罩Μ A之-X方向端部形成有複數個對準標記 2 8〇 又,光罩載台MST,透過空氣軸承裝載於未圖示之光 罩基座構件上*能在包含X方向掃描曝光時之掃描距離之 範圍移動、且在既定範圍内移動於χ方向、γ方向、Θ 向。於光罩载台MST之—X方向端部固定有又軸移動鏡(未 圖示),與+Υ7向端部固定有沿又轴之細長桿狀之υ轴移 動鏡54Υ。進—步的,亦設有在γ方向分離之2處測量γ 軸移動鏡之X方向位置的2軸之乂軸干涉儀(未圖干)以 及測量Υ轴移動鏡方向位置的γ轴干涉儀(未圖 不),此等干涉儀例如係以固定在用以支承投影光學系統 9 201003334 之構件的參照鏡(未圖示)為基準,以既定取樣率並以例如 0_ 5 0 _1 nrn权度之解析能力測量對應移動鏡之χ方向、γ 方向位置’將測里值供應至主控制系統3〇。主控制系統% 從該等測量值求出光罩載台MST之X方向、Υ方向位置及 θζ方向之旋轉角等之位置資訊,根據此位置資訊透過線性 馬達等驅動機構(未圖示)控制光罩載台mst之位置及速度。 再者,作為—例’相對光罩載台MST於+ X方向側配 置有用以收、.内更換用之複數個光罩的光罩缓衝部2 7,於光 罩缓衝部27附近配置有用以保持更換用光罩之可移動更換 臂26 ’於更換臂26附近配置有放置被卸載(unlGad)之光罩 之卸載台(未圖示)、以及放置待裝載(1〇&(1)之光罩之裝載台 (未圖示)包3更換臂26等而構成光罩裝載系統。又,實 際上,光罩緩衝部27係設置在離開照明裝置⑴之位置。 圖1中構成投景> 光學系統PL之7個投影光學模組pL i 〜PL7,各自之光軸與z軸平行且以兩側遠心之等倍系統形 成正立正像。因此’於板件PT之各圖案轉印區域Ep丨、eP2 會分別形成與光罩ΜΑ之圖案相同大小且相同方向之圖 案。投影光學系統PL之排列於γ方向之第丨排投影光學模 組PL 1〜PL4,將照明區域if 1〜IF4之圖案之像投影至板件 PT上之第1排曝光區域(像場)EF1〜EF4(參照圖3(A)),排 列於Y方向之第2排投影光學模組PL5〜PL7則將照明區域 IF5〜IF7之圖案之像投影至板件ρτ上之第2排曝光區域 EF5〜EF7。因此,投影光學系統凡係2排之多投影系統。 曝光區域EF1〜EF7之形狀及排列與照明區域IF1〜IF7相 201003334 同以下將曝光區域EF1〜EF7之全體稱為曝光區域Μ。 牛PT之各圖案轉印區域Ep卜,雖然係分別於γ 方向刀為藉由投影光學模組pL1〜pL7而曝光之部分轉印 區域,為降低接合誤差,相鄰部分轉印區域之交界部係被 重複曝光。又,於圖1之板件PT上藉由第2排投影光學模 組PL5〜PL7曝光之部分轉印區域繪有斜線。 圖1中’板件載台PST係透過空氣軸承裝載於未圖示 之基座構件表面而能移動於X方向、Y方向,於板件載台 PST之—X方向及~ Y方向端部分別固定有剖面矩形、於γ 方向及X方向之細長桿狀之移動鏡51又及5ΐγ。移動鏡wx 及51Υ之長度分別為lm程度或以上。再者,對與X軸移 動鏡51X之YZ面大致平行之反射面5ΐχ&分別以和X軸平 行的照射測量光束之第ιχ軸干涉儀52χι、χ軸真直度測 量用干涉儀52XF、以及第2χ軸干涉儀52χ2係被支承於未 圖示之框架機構。而對與丫轴移動鏡51γ之χζ面大致平 行之反射面5 lYa分別以和γ軸平行的照射測量光束之第 1Y軸干涉儀53Y1、γ軸真直度測量用干涉儀53YF、第2γ 轴干涉儀53Y2、以及第3γ軸干涉儀53γ3係被支承於未圖 示之框架機構。 X轴干涉儀(雷射光波干涉式測距器)52Xh 52XF、52χ2 及Υ軸干涉儀53Υ1、53YF、53Υ2、53Υ3,係分別以例如 固定於支承投影光學系統PL之構件之參照鏡(未圖示)為基 率,以既疋之取樣率及以例如〇 · 5〜〇丨nm程度之解析能力 測量移動鏡5 IX及5 1Y之χ方向及γ方向之位置,並將測 11 201003334 量值供應至主控制系統3 〇。 圖3(A)係顯示圖1之板件載台pST之位置測量用干涉 儀之配置的俯視圖。圖3(A)中,為顯示投影光學系統之 位置,顯示了曝光區域EA(曝光區域EF1〜EF7)、與通過曝 光區域EA之中心平行於χ軸及¥軸之直線cx& cy。於 曝光區域EA,在掃描曝光時以外之期間不照射照明光。χ 軸干涉儀52Χ卜52Χ2之測量光束如、Βχ2,係與X轴平 行的挾著直線CX而對稱的以例如1〇〇mm程度之間隔配 置,主控制系統30從干涉儀52X1、52幻之測量值之差分 求出板件載台PST之偏搖(yawing、^方向之旋轉角),從
干涉儀52Χ1、52Χ2之測量值之平均值求出板件載台psT 之X座標。又,干涉儀52幻、52幻之測量值,如後所述, 係根據儲存於記„置3Ga之移動鏡51χ之真直度資訊加 以修正。 ' 又,為了在與干涉儀52X1之間測量χ軸移動鏡51χ 之真直度而配置真直度測量用干涉儀52XF,真直度測量用 切儀52XFU量光束腳以配置在干涉儀5加之測量 光束Bxi與直線cx之間較佳。亦即,測量光束Βχι、bxf 之γ方向間隔FX1,最好是能設定為較測量光束bx2、bxf 之Y方向間隔LX1為窄。 又’ 2Υ轴干涉儀53丫2之測量光束Βγ2設定為在直線 Υ上,主控制系統30從干涉儀53Υ2之測量值求出曝光時 之板件載台PST之Υ座標。第!及第3γ軸干涉儀53γι、 53Υ3之測量光束BY1、ΒΥ3,被配置為與γ軸平行的爽著 12 201003334 直線CY而對稱。為硪保γ軸移動鏡51¥之長度以上之板 件載台PST於X方向之移動行程,而使用干涉儀53γι、53Υ3 之測量值。測量光束ΒΥ1、ΒΥ2之X方向之間隔、及測量 光束ΒΥ2、ΒΥ3之X方向之間隔係設定為例如1〇〇mm程度 以上。因此,測量光束BY1、BY3之x方向之間隔LY1被 設定為例如200mm程度以上。 此外’為了在與干涉儀53 Y2之間測量γ軸移動鏡51γ f 之真直度’而配置真直度測量用干涉儀53YF,真直度測量 用干涉儀53YF之測量光束BYF與干涉儀53γ2之測量光束 ΒΥ2間之\方向間隔FY1,最好是能設定為較測量光束byf 與測量光束BY1間之X方向間隔為窄。 真直度測量用干涉儀52XF、53YF之測量光束BXF、 B YF與對應之干涉儀52χ 1、53 γ2之測量光束b 之間隔FX1、ργ 1,彔好是能配置得相對位於其附近之測量 光束ΒΧ1、ΒΧ2& ΒΥ2、Βγι之間隔充分的窄。當移動鏡 ( 51X、51Y之長度為1m程度或超過時,間隔FX1、FYi最 好是能以例如50mm以下程度之間隔加以設定。間隔、 FY1越窄,越能將測量移動鏡51χ、51γ之真直度時之偏搖 成分(θζ方向之旋轉誤差)所造成之真直度測量誤差抑制的 車义小。再者,由於間隔FXb FY1較窄,能在有限之板件載 台pst之行程内實質上連續的測量移動鏡5ΐχ' “γ之反 射面。 又’干涉儀53Υ!、53Υ2、53Υ3之測量值,亦如後述 般根據儲存在$ ,障#罢α Λ 隹记匕裝置30a之移動鏡5ΐγ之真直度資訊加 13 201003334 以修正。主控制系統3 〇,根據例如移動鏡5丨χ及5 1 γ之真 直度誤差修正後之X軸干涉儀52Χ1、52χ2及γ軸干涉儀 53YU或53Υ2、53Υ3)之測量值,透過包含線性馬達等之板 件載台驅動系統(未圖示)控制板件載台pST之X方向、Υ 方向之位置及速度、以及旋轉方向02之角度。 又,相對圖1之投影光學系統PL於—χ方向側,以未 圖示機架支承有用以測量板件ρτ之各圖案轉印區域m、 EP2之對準標記(未圖示)之位置的離軸方式之影像處理型 之複數個(圖1中為6個)對準系統21。進一步的,於板件 載台PST2 X|4移動鏡51χ附近固^有γ方向細長之基準 位置杖正板22 ’在基準位置校正板22之上面於γ方向以既 定間隔形成有複數個基準標記23。此外,於基準位置校正 板22之底面側之板件載台—内部,對應複數個基準桿記 23分別設有用以拍攝空間像之複數個空間像測量系統24。 :::MA之對準標記28藉投影光學系統pL形成之像形 測曰Γ準位置校正板22之基準標記23附近,並以空間像 夏糸統24檢測該對準標記28之像與基準標記η重疊之 像,據以進行氺g λ/Γ A 且 仃以MA之對準。對準系統21及空間像測量 《檢測訊號分別被供應至對準控制“(未圖示), 對準控制系鲚斛兮暫μ ; 、,對该4檢測訊號進行處理以進行板件PT及光 Α之對準,將對準之結果(板件ρτ之 與光罩ΜΑ之知m , 口茶^成£域 、立置關係之資訊)供應至主控制系統30。 與板件在板件ρτ之曝光時,以能將光罩- -、轉印區域ΕΡ2(或ΕΡ 1)間之相對位置關係 14 201003334 維持於既定關係之方式,反複進行透過光罩載台MST對照 明區域於+ X方向(或一X方向)掃描光罩MA,並與此同步, 透過板件載台PST對曝光區域EA於相同方向移動板件ρτ 的掃描曝光,與停止照明光之照射後透過板件载台psT將 板件PT移動於X方向、γ方向的步進移動。如此,以步進 掃描(step & scan)方式將光罩MA之圖案之像依序曝光至板 件PT之圖案轉印區域EP1 ' EP2。 f si. V.. 以下’參照圖2及圖8之流程圖’說明於本實施形態 之曝光裝置10中測量板件載台PST之移動鏡51χ、51丫之 真直度後,根據此測量結果以軟體方式修正干涉 一—之測量值之一動作例。以下之動作係:以 主控制系統30加以控制。又,於主控制系統3〇連接有用 以運异真直度資訊等之真直度運算部31。真直度運算部Η 可以是電腦軟體上之功能、亦可以是硬體。 首先’預先在曝光裝置10之曝光動作開始前,如圖2 之步驟1〇2〜"4所示’針對移動鏡51χ、5ΐγ以窄的測量 間距(測量間隔)、換言之以多次之測量次數高精度的進行直 直度測量。 … 亦即,於圖2之步驟102,將板件载台pST之位置,移 動至所有干涉儀52Xi、52X2、52xf及53γ丨〜53γ3、53γρ 月巨對移動鏡51X、51Y進行測距夕办 一 丁州距之位置(载台原點座標)。舉 一例而言,於該載台原點座標, 旦土土 不如圖3(A)所不’ X軸之測 里九束BX卜BX2之中心照射於蒋叙 ^么栘動鏡5 i X之γ方向中心、 而γ軸之測量光束BY2則,昭射於数a …射於移動鏡51Υ之X方向中 15 201003334 、又於步驟104,為進行移動鏡51χ之真直度測量,對 除了位置控制所使用之干涉儀53γ2外之干涉儀53γι、53γ3 及真直度測f用干涉儀洲進行重置(⑽丨)處理。亦即, 例如使干涉儀饥^〜洲之測量值與干涉儀㈣ 之測量值-致。同樣的,為進行移動鏡5ιγ之真直度測量, 芬控制所使用之干涉儀52χ2之測量值,使干涉儀52幻 八直度測量用干涉儀5 2 X F之測量值一致(重置處理)。 於其—人之步驟106 ’將板件載台PST之位置移動至測量 ;^驟1 08,當進行移動鏡5 IX之真直度測量時,將 及由之真直度測量用干涉儀52XF、X車由干涉儀52X卜52χ2 3〇 干"儀53Y1〜53Υ3之測量值擷取至主控制系統 站。另古—方面’當進行移動鏡51Υ之真直度測量時,則將γ 及之”直度測量轩涉儀53YF、X軸干涉儀52Χ1、52Χ2 30。干"儀53Υ1〜53Υ3之測量值擷取至主控制系統 則彳,於步驟110 ’判斷測量是否結束,若測量未結束, 、 規步驟106及108。 如圖為進行移動鏡51Χ之真直度測量,於步驟1〇6及1〇8, 52^2 ) ^不冑板件載台PST移動至來自X軸干涉儀 置之測置光束照射於移動鏡51X之+ Y #向端部之位 台阶:取干涉儀之測量值後,如圖3(c)所示,使板件載 量值。;Y方向每次移動測量間距SX1以擷取干涉儀之測 態下,此動作’係在固定板件載台PST之X方向位置之狀 於移動#圖3(D)所7F,反複進行至到達測量光束BX1照射 動鏡之一 丫方向端部之位置為止。 16 201003334 mil’為進行^移動鏡51Y之真直度測量,於步驟 轴干=8,如圖4(Α)所示,將板件載台μ移動至來自υ 部之‘置:Τ:測量光束照射到移動鏡51Υ2+Χ方向端 置 並類取干涉僅之丨丨旦/么 柄杜撕二η ^儀之測里值後,如圖4(B)所示,使 儀之^值STH方向每次移動測量間距⑺以擷取干涉 置之狀::。此動作,係在固定板件载台PST之Υ方向位 53YF Μ 4(C)所示,反複進行至到達來自干涉儀 :之測量光束照射於移動鏡51γ之—乂方向端部 :場合’為測量移動鏡51γ之真直度,於移動鏡训 ^射面’測量光束BYF或ΒΥ2所照射位置之χ方向之— =串測量點吟卜2、…),如圖6⑷所示, = SY1設定。又,係、以移動鏡-之X方向中心為原點。 樣的,為測量移動鏡51X之真直度之移動鏡51X之反射 面之-連串之測量點,係以測量間距SX1設定。 又,為了盡可能的連續測量移動鏡51X、51Y之反射面 之形狀,測量間距sx…γ卜最低亦是設定為與測量光 束BX1、BXY之間隔FX1及測量光束BY2、BYF之間隔州 為相同值。若能以更低(小)之測量間距進行測量,則能更, 細的測量移動鏡51X、51Y之面形狀,當移動鏡似、5ΐγ 之長度為h程度時,將測量間距切及州設定為ι〇腿 裎度是較適當的。此場合,各測量光束之測量點之數量, 沿X軸及γ軸分別大致為1〇〇個、合計為大致2〇〇個。又, 板件載台PST之步進移動次數係沿χ軸及γ轴分別為大致 17 201003334 100 次。 進一步的’若將間隔FX1及間隔FY1使用既定之2以 上之整數η及既定之單位長度Lu設定為n · 時可使用 整數η之因子k ’將測量間距Sxi及SY1設定為k · Lu。 舉一例而言’可將測量間距sx 1及SY1設定為間隔FX1及 FY1之整數分之1。藉由此方式將測量間距1及sy 1設 定為k· Lu,在如後述般算出移動鏡51χ、51γ之真直度時, 不會於計算產生誤差。 又’為修正Υ軸移動鏡5 1Υ之真直度測量時之板件載 台pst之偏搖誤差,使用X轴干涉儀52χι、52χ2之測量 值’而為了修正Χ軸移動鏡5 1 X之真直度測量時之板件載 台PST之偏搖誤差,係使用X方向間隔最廣之γ軸干涉儀 53Υ1、53Υ3之測量值。 又’雖然於例如移動鏡5 1 X之真直度測量中,板件載 台pst之χ方向位置係固定,但亦可將板件載台pST之χ 方向位置設定於不同之複數個位置,分別於各位置求出移 動鏡51X之真直度。以此方式於χ方向之各位置求出真直 度’即能求出不同載台位置之真直度變動’而能2維的修 正移動鏡51X之真直度。不過,如前所述,必須進行在來 自Y轴干涉儀53Y1、53YF、53Y2、53Y3中之至少2個干 涉儀之測量光束照射於移動鏡5 1γ之範圍内之測 -,, 问樣 、,針對移動鏡51Υ,亦可在板件載台PST之複數個γ方 向位置進行真直度之測量。 如以上所述’在所有測量點結束干涉儀測量值之掏取 18 201003334 後’於步驟U2’主控制系統3〇將各干涉儀之測量值及測 量光束之間隔等之資訊供應至真直度運算部31。真直度運 算部31 ’從干涉儀之各測量值除去因板件載台psT之偏搖 所產生之誤差成分。因此,將圖3之X軸干涉儀52χρ、 52X1、52X2 及 Y 轴干涉儀 53YF、53Υ1、53γ2、53γ3 之 測量值顯示如下。 真直度測量用干涉儀52XF之測量值:Ιρχκ…(ια) 第1X軸干涉儀52Χ 1之測量值:jpx i 1B;) 第2X軸干涉儀52X2之測量值:…(ic) 真直度測量用干涉儀53YF之測量值:Ιργκ ... (2Α) 第1Υ軸干涉儀53Υ1之測量值:Ιργι 〜(2β) 第2Υ軸干涉儀53Υ2之測量值:Ιργ2…(2〇 第3Y軸干涉儀S3Y3之測量值:Ιργ3 (2〇)
圖5(A)係對應偏搖誤差修正前之圖3(a)之各干、井儀之 測量光束,顯示對應干涉儀之測量值的圖。圖5(a):,^ 件載台PST之X方向、Y方向位置之基準(不含偏搖誤差之 位置)係干涉儀52X2及53Y2之測量值Ιρχ2、ιργ2。修正 移動鏡51χ之真直度測量用資料時,若設移動鏡5ιχ: 搖誤差為θ(測量值ΙΡΧ2、ΙΡΥ2之函數)的話,偏搖亨差0 可使用測量光束ΒΥ1、ΒΥ3之間隔LY1全而表示如下。 Θ =(IPY3-IPY1)/LY1 ...(3) 使用此偏搖誤差6»及 進行測量值IPXK及IPX1 測量值IPXK’及IPX1’ 測量光束BXF、BX2之間隔LX1 之修正時,》5(B)所#之修正後 即女D下。 19 201003334 ΙΡΧΚ’ = ΙΡΧΚ- LX1 · θ =ΙΡΧΚ — LX1(IPY3- IPY1)/LY1 ...⑷ ΙΡΧΓ = ΙΡΧ1 —(LX1 + FX1) θ =IPX1 - (LX1 + FX1)(IPY3 — ΐργι)/ LY1 …⑸ 又,移動鏡51 Y之偏搖誤差由於可從測量值Ιρχ2、ιρχ1 之差分求出,因此與式(4)及(5)同樣的,求出移動鏡51γ之 真直度測量用之測量值ΙΡΥ卜IPγΚ、ΙΡΥ3之偏搖誤差修正 後之值 ΙΡΥ1’ 、ΙΡΥΚ’ 、ΙΡΥ3’ 。 之後,於步驟114’真直度運算部31,作為移動鏡5ΐχ、 51Υ之反射面上一連串測量點之γ方向及χ方向位置之函 數,作成記錄了移動鏡51Χ、51γ之真直度測量結果之表的 真直度修正表’將其儲存於連接在主控制系統3〇之記情裝 置30a。針對例如移動鏡51χ之真直度修正表之—作成^ 例,參照圖2之步驟12〇〜128說明如下。 首先’於步驟12G’如下述般求出偏搖誤差修正後之χ 軸真直度測量用干涉儀52xf •牛儀5加, 測置值1PXK,與第IX軸干 夕儀52X1之測量值Ιρχι,之 差刀值Μ,以及干涉儀^ 之測篁值ΙΡΧ1,盥第2χ鉍 儀52X1 ”第2Χ軸干涉儀μ 差分值IPX1S。 〜里值IPX2之 IPX1S^IPxr -IPX2 …⑺ 於其次之步驟 11 '‘ λ ,從該差分值Μ徒用-、4· (合成法)求出作為 Μ使用一點法與内插 位置之分^ 鏡51Χ之真直度的反射面之 位置之刀布(面形狀)。具體而言 之X方向 在圖3(C)之移動鏡5ιχ 20 201003334 之測量間距SX1與測量光束之間隔ρχι 藉由以2點法累藉爹 匱%盼,可 '、在—連串測量點之差分值μ,& 測量點之γ座標求出 Μ而對應各 叫、2、...)。移動鏡似之反射面之Χ方向位置邱 在測I間距SX1小於該間隔Fx 間隔FX1配置之巷I彳& 形時,在以 尤複數個主要之測量點,可藉由 的計算反射面之X方向 . 點法正確 之測量點,可針對例… 該複數個主要挪量點間 J針對例如正確求出之位置 分值Μ根據測量點間之距離予以八配a 异將差 法),而計算出反射面之χ;^ ' 的内插(合成 叫 < 入万向位置χι。此外 出移動鏡面形狀之2點、ϋ 自於用以求 / π及2點法專,例如已詳細 開2002- 328007號公報。 揭路於日本特 又’於圖3(B)中,在從移動鏡爪之+
干涉儀52X2、52XF之測量光束 ° ^ ^ U J置尤采之間隔所定之區域 於來自干涉儀52XF之測量光束βχ 射 由 51Χ,因此不進行使用差八信Μ 會…、射於移動鏡 量。 使用差刀值%之移動鏡之面形狀測 於其夂之步:124 ’使用在步驟120求出之干涉儀 對庳:!Χ2之測*值之差分值1PX1S,與步驟122同樣的, j '弟2X軸干涉儀52X2測量之範圍内各測量點之Y座 軚,未出移動鏡51X之反射面之χ方 ., 於其次之步驟126,以在步驟122二位置X1 (面形狀)。 請番.、 ,鄉122求出之移動鏡51X之面形 Γ ”與在步驟m求出之移動鏡-之面形狀(位 置X1 )之中,測量點重疊之部分之差分之平方和為最小之 21 201003334 方式,在以步,驟m求出之面形狀中加入傾斜及偏置。並 在乂 / .驟1 22使用與真直度測量用干涉儀52xf之測量值之 差分值Μ所算出之移動鏡51χ之面形狀,作為在此面形狀 之測量範圍外之區域、亦即在圖3(B)之移動鏡51Χ之+ γ 方向端部之區域55Α之面花:以-, 珲 面形狀,加入以步驟124求出之加 入傾斜及偏置之面形狀。 於其次之步驟128,真直度運算部3卜從以步驟126 求出之移動鏡51X t面形狀求出平均之&方向之傾斜〇 X、以及在移動鏡51Χ< Υ方向中心位置之χ方向位置之 偏置⑽從移動鏡51Χ之面形狀除去傾斜ωχ及偏置Xof。 康匕移動鏡5 1 X之面形狀資料(於各測量點之X方向位置 XI)在移動鏡5 IX之中心成為〇,而平均的表示與γ軸平行 之面形狀。再者,為了排除因測量時板件載台Μ之位置 變動影響等造成與相鄰測量點之資料大幅不同之資料(飛“ ^料),視需要對該面形狀資料進行平滑處理(移動平均處理 等)’以作成最終的移動鏡51χ之真直度修正表。此真直度 修正表及傾斜ω χ儲存於記憶裝置3〇&。 同樣的’關於移動鏡51Y,亦係作成反射面之各測量點 (X方向位置)之γ方向位i yi之集合(面形狀資料)的直直产 修正表。此真直度修正表及移動鏡51γ之平物z方向: 傾斜oy儲存於記憶裝置3〇a。 圖WA)係顯示移動鏡51γ之真直度修正表之γ方向位 置”之資料之一例。又,位置丫係内插位置yi間之資料後 之資料。此場合’可將位置y之資料,就位置X分為既定 22 201003334 低次之圖6(B)之函數fl(x)、以及位4y 分之圖6(c)之高次成分。函數η(χ)之數n(x)之差 小平方法來決定。此函數f A ,、數例如可以最 由数ίΐ(χ)及尚次成分占 記憶裝置3 0a。 亦可儲存於 之後’於圖2之步驟116之曝光步驟中 將光罩Μ A之圖亲夕# 曝'光*裝^置10 將先罩MA之圖案之像以掃描曝光方式曝 板件PT之各圖案轉印區域。此時,主控制系二片數之 在記憶裝置30a之真直度修正表 ,、、 以儲存 如及干涉儀训〜=3到旦正以干涉儀伽、 載台PST)之X座桿、¥座/: ^@51X'5m板件 η Yg,據以求出板件載台PST之正 確的位f貧訊,根據此位置資訊驅動板件載台咖。 如前所述,將測量間距SX1、SY1設定的較窄來測量移 動鏡5仏51¥之面形狀,即能求出包含因移動鏡批、价 之機械安裝誤差及移動鏡5ΙΧ、5〜反射面之加工誤差所 導致之移動鏡真直度之位置y、x相關之非常高次成分之真 直又G正表SI此’根據该真直度修正表修正干涉儀5加、 52X2及干㈣53γι〜53γ3之測量值,即能不受移動鏡 5 IX、51Y之真直度誤差(彎肖)影響,高/精度控制板件載台 PST之X方向、γ方向之位置及0z方向之旋轉角。其結果, 在例々板件PT上之第2層以後之曝光時,能提升重疊精度。 然而,右持續進行曝光的話,有可能因曝光裝置1〇内 產生之熱等之影響,發生使移動鏡51X、51Y之真直度逐漸 變動之情形。例如,如圖7⑷所示,透過板件(未圖示)被照 月光IL照射之板件載台pST,例如具備固定移動鏡、 23 201003334 51Y之鏡座32、以及固定在鏡座32上用以仅站 保持具33。 以保持板件之板件 合,移動鏡Μ、51Y之材f係例如低熱膨服玻璃 或低㈣脹陶堯’移動鏡51χ、5ιγ本身雖幾乎不致引起執 變形,但移動鏡51Χ、51Υ卻有可能隨 』此丨思者鏡座32之執變形 而變形。如圖7(B)所示,當因對板件伴拉 ’、 ^ 呆持具33之照射熱等 而使付其中央部產生假設性之熱 .^ , 隱形時,該熱源 會隨者距離而產生大致同心圓狀之温度分布,因此因該轨 源導致之鏡座33之變形,為能就位置以2次或4次等_ 低次之曲線加以近似之狀態。因此 s 1 γ ^ ^ -λ- 丨迎者其變形之移動鏡 51Χ之考曲亦可能成為大致 一、, 琛或4次曲線(未圖 不)。此點,移動鏡5 1 Y亦同。 之二:本發明人之實驗結果得知,因持續曝光所造成 板件載cr PST之移動鏡51χ、51γ 可η &番 v 1 Y之真直度變動(彎曲), T就位置y、X以2次岑4呤笙 面 次 ·^較低次之函數加以近似。 例如圖6(A)之移動錄S1V 古 ^ v ”直又,於曝光中被附近低次 u數成分’而產生以圖6(D) )反射面之Y方向位置Ey所示 之變化。 同樣的,針對圖i之基準位置校正板22,亦有可能產 生於曝光中就位置 y 比較低z人之函數加以近似之變形。 因該變形(真直度之變 — 化。 )g使一連串之基準標記之位置變 22 ::亩上:斤述’利用移動鏡51乂、51¥及基準位置校正板 ' ^交動能就位置以比較低次< 函數加以近似之 24 201003334 事,本貫施形態中,係於曝光震置10之曝光中以既定 如圖8之流程圖所示,進行移動鏡沿、51¥之真直斤正 表之校正(calibration)及基準位置校正板22之標記:置之 修正等。 首先,於圖8之步驟130中,主控制系统3〇 資料判斷是否進行光罩之更換,在不更換光罩之情形時, 移至步驟160,與圖2之步驟"6同樣的,對既定片數之板 光罩圖案像之曝光。之後,於步驟162判斷曝光是 否'·、《束,在持續曝光時即回到步驟13〇。 另-方面’於步驟13〇,判斷要更換光 =一例如係進行步驟―之料更= U仃於板件載台PST側則進行步驟138〜158 2將^修t表之校正等。於光罩載台MST側,步驟132 =二之光軍載台方向位置移動至更換臂26 t取出位置。此時,預先以更換臂26從光罩緩衝 ;)上装個使用之光罩,將此光罩裝載於裝载台(未圖 至伸載N二將先罩载台MST上之光罩以更換臂26裝載 未圖示)上(步驟134)。其次,以更換臂26將上述 ί(步(將此稱為光罩MA則至光罩載台MST (步驟m)。之後,以更換臂26將 至光罩緩衝部27,即完成光罩更換。 之先軍“ 構成二光同罩更Γ:,會隨著所使用之光罩裝載系統之 關於此點,二:動Γ言,需要例如60sec程度之時間。 右。又移動鏡51χ、51Υ之長度為lm程度、圖2 25 201003334 之步驟106〜丨ι〇之測量間距為1〇mm程度的話測量點數 全部即大致為200點。又,若設1次板件載台PST之移動(步 進移動)及測5約g lsec程度的話,圖2之步驟〜"4 為止真直度修正表之製作約需大致20〇sec程度之時間,在 1次光罩更換中是無法進行的。因此,本實施形態,係利用 移動鏡5 IX、5 ιγ之真直度變動能以比較低次之函數加以近 似之點,為能纟1次光罩更換中完成,係如以下所述,減 少移動鏡51Χ、5ΐγ之真直度之測量點數,以減少為進行測 量之板件載台PST之步進移動次數。 亦即,在板件載台PST側,於步驟138中判斷是否身 換板件,在不更換板件之情形時,為有效測量γ軸移動寿 51Υ之真直度而移至步,驟142,當要更換板件時,在將㈣ 載台pst上之板件更換為未曝光之板件(設為板件ρτ)後^ 驟140),即移至步驟142。此處,取代使用_ 4(α)之測, 光束之間隔為FY1之真直度測量用干涉儀53¥?及干涉偉 53Y2’而使用具有間隔FY1之數倍間隔ίγ2之測量光束^ 干涉儀 53Y2、53Y3。 亦即,於步驟142,如圖9(A)所示,將板件載台psT 移動至來自干涉儀53丫3之測量光束照射於移動鏡5ιγ之+ X方向端部,且來自偏搖修正用χ軸干涉儀52幻、52幻 重光束 〜 …〜丁天之位置。由 位置接近板件更換位置,因此能減少板件載台ps丁之 I。接著,主控制系統30在擷取此時之真直度測量用 干涉儀53Y2、53Y3及X軸干涉儀52χι、52χ2"之^量{ 26 201003334 於步驟144判斷測量是否結束。測量未姓 ,^ , 采時,回到步驟 142 ’如圖9(B)所示’使板件載台pST於X太 旦万向步進移動測 里間距SY2後,擷取干涉儀53¥2、53们及χ 52X1、52X2之測量值。 測量間距SY2,係設定為較圖4(B)之測量間距8γι(於 步驟1〇6之測量間距)廣例如數倍以上。測量間距可與 干涉儀53Y2、53Y3之測量光束Βγ2、Βγ3之間隔匕们相 同’但亦可較間隔LY2窄或寬。此步進移動及測量值、 =動作’如圖9(C)所示,反複進行至來自干涉儀53γ2 :列 :光束照射於最接近移動鏡51Υ…方向端部之 止0
此場合,為測量移動鏡51Υ之真直度而於移動鏡MY 之反射面,測量光束BY…Υ3之照射位置的父方向一連 串之測量點MQi(i=1、2、…),如圖12(A)所示,係以測量 間距SY2加以設定。又,係設測量值為Mm、移動鏡爪
L 7 X方向中心為原點。舉—例而言’設測量間距叱與間 隔LY2(此處大致為1〇〇inm)相同、圖4⑻之測量間距州 為嶋程度時,測量間距SY2為SY1之大致1〇倍,測量 點MQ!之數量減少至圖6(A)之測量點μη之數量之大致1 /10板件載纟PST之步進移動次數亦減少至大致1/1〇。 、兄5 1 Y之長度為大致1 m的話,測量點M 之 大致為10點。 此時’移動鏡51X、51Y之測量點數合計為約2〇點。 因此’若設1次板件载台pST之移動(步進移動)及測量所需 27 201003334 :間為約isec的話,測量所需時間即為大 換時間(例如大致60sec)之大致1/3。因此/為先罩更 增加測量點數十隹丰 即使若干程度 等;或進—步的進行其他基準標記之位置測量 ==罩更換時間内有餘裕的充分完成此等動作。 為^真直度之測量精度,只要在移動鏡Mm 真=測量時間在步驟132〜136之光罩更換時間内完成之 測量間距SY2所定之測量點邮之數量盡可 =疋夕數即可。此場合,考慮測量前板件载台 置至穩定為止所黨夕立— 1 時間中加八安定等二各測量點之步進移動 此點對移動鏡5=:亦可。據此,可提升測量精度。 :次,為測量基準位置校正板…轴移動鏡5ΐχ之 、又而移至步驟146’如圖1G(A)所示,將板件載台㈣ =至基準位置校正板22之測量開始位置、即對準系統η 第4個對準糸統21B能檢測基準位置校正 ::標記23之位置。於此處,為有效測量移動j = ^取代圖3⑷之測量光束之間隔為切之真直度測量 用干涉儀52XF及干涉儀52幻,而使用具有間隔ρχι之數 倍間隔LX2之測量弁走之+减 之束之干涉儀則H於此狀態
干涉儀52X1之測量光束BX1照射於移動鏡51X 之大致- Υ方向端部、且來自偏搖修正用γ轴干涉儀 53Υ2、53Υ3之測量光束照射於移動鏡5ιγ。 於其次之步驟148,主控制系統3〇以對準系統2ΐβ檢 測基準標記23之位置,且在擷取此時之真直度測量用X軸 28 201003334 干涉儀52X1、52X2及Y轴干涉儀53Y2、53Y3之測量值後, 於步驟150判斷測量是否結束。在測量未結束之情時,回 到步驟148,如圖10⑻所示,使板件載台pSMY方向步 進移動測量間距SX2後,擷取干涉儀52幻、52χ2及γ轴 干涉儀53Υ2、53Υ3之測量值。 測量間距SX2,係設定為較圖3(c)之測量間距切(於 步驟1〇6之測量間距)寬例如數倍以上。對移動鏡51X之測 量間距SX2與SX1之關係,與對移動鏡5ΐγ之測量間距奶 與SY1之關係相同。因此,測量f曰U巨SX2可與測量光束 BX:l、BX2之間隔LX2相同’亦可較間隔[χ2窄或寬。又, 此實施形態中’亦使用帛3個對準“ 2iA或第4個對準 系統21B進行基準位置校正板22上之基準標記之測量因 此當基準標記23之間隔與測量間距δχ2不同之情形時,可 在進行移動鏡51X之真直度測量之期間’使板件載台ρ§τ 僅移動基準標記23之Y方向間隔分,以對準系統21人或 2 1B進行對應基準標記23之位置測量。 又,基準標記23之數量多時,基準標記23中之測量 對象之標記,只要步驟142〜150為止之測量時間在光罩更 換時間中結束之範圍内選擇即可。此步進移動、以對準系 統進行之測量及測量值讀取動作,如圖1〇(c)所示,反複進 行至來自干涉$ 52X2之測量光束Βχ2照射於最接近移動 鏡51X之+ Y方向端部之位置為止。 測量結束後,主控制系統30將步驟142及上Μ之測量 值供應至真直度運算部。於其次之步驟152,真直度= 29 201003334 算部31 ’如下述方式算出於步驟114求出之真直度修正表 之近似修正式。此場合,由於步驟142及148之測量值係 使用於步驟114作成之真直度修正表予取予求修正後之 值’因此真直度運算部3 1算出之近似修正式對應於相對真 直度修正表之變動分。 舉一例而言,說明關於圖丨丨之γ軸移動鏡51γ之真直 度變動成分之2次近似修正式之算出方法。設以間隔ίγ2 之測量光束BY2、BY3測量之移動鏡51γ之反射面之γ方 向位置之測量值為ΙΡΥ2、ΙΡΥ3,以間隔LX2之測量光束 BX1、BX2測ϊ之移動鏡5 iχ之反射面之χ方向位置之測 里值為ΙΡΧ1、ΙΡΧ2。X ’此處,設測量間距SY2與間隔 LY2相同’設連結測量光束Βγ2所照射之第】個測量點、 與相鄰第d + 1)個測量點之直線之傾斜角為傾斜成分 Μ⑴。並設測量光束ΒΥ2照射於第ι個測量點時之測量值 IPY2 IPY3及ΐρχι、Ιρχ2分別為^丫之⑴、⑴及 IPXl(i)、IPX2(i) 〇 此昜ο,係以干涉儀之測量值Ιργ2為基準算出移動鏡 51Υ之真直度。X ’由於移動鏡51γ之真直度可視為測量 %之X j向位置座標別之正交度變化之集纟,因此從在各 測量點之測量值IPY2及ιργ3算出傾斜成分m⑴。不過, 降這樣的話將包含測量時板件載台PST之偏搖誤差,因此 之X軸之測量值IPX1及IPX2 同 因此,算出第i個測量點之 亦必須從為修正偏搖誤差 樣的算出傾斜成分以進行修正。 傾斜成分]M(i)之式如下。 30 201003334 Μ⑴二(IPY2(i)— IPY3(i))//LY2—讲幻⑴ -IPX2⑴)/LX2 …(8) 其次,針對所算出之傾斜成分M⑴,就各測量點之板 件載台PST之X座標以最小平方法算出一次成分之傾斜 α。由於傾斜α係以測量光束Βγ2、Βγ3之間隔ly2將移 動鏡5 1 Y之彎曲加以微分者,因此若設移動鏡5 1 γ之真直 度之2次近似式之2次係數為Αχ的話,Αχ即如下。 f ^ — 2 · Αχ ··· (9)
Ax= a / 2 …(ίο) 因此,代表在移動鏡51Y之反射面之位置乂的γ方向 位置y(彎曲成分)之圖12(A)之2次近似式f2(X)如下。 y = f2(X)= {a / 2) · χ2 …(li) 以同樣方式,針對移動鏡5 ιχ亦能從步驟148之干涉 儀之測量結果,求出以2次近似式構成之變動成分。式(ιι) 等之修正用近似式(近似修正式)儲存於記憶裝置3〇a。 I: 於其次之步驟15心算出與移動鏡51乂之真直度同時進 量之基準位置权正板22之基準標記之排列誤差(基準板 修正值)。此場合,使用干涉儀52χι、52χ2及53γ2、5m / /則里值(例如使用真直度修正表修正後之值)、與使用對準 $統21A、21B之測量結果,各標記之χ方向位置係使用2 人式進行近似計算,Y方向位置則係作為從基準位置校正板 22之中心往Y方向之倍率變化,算出近似修正式。再者, 針對未進行測量之基準標記’則係以例如γ方向位置相關 之2次或4次等比較低次之近似修正式之内插,算出修正 31 201003334 量。 不過,本實施形態中係一邊進行移動鏡5ιχ之測量、 -邊亦測量基準標記之排列’因此會因移動鏡犯所呈有 之真直度變動分造成之影響使基準位置校正板22之基準標 記之測量結果中包含誤差。 $ 此場合,移動鏡51Χ之真直度變動能以2次函數程度 加以近似’在移動鏡51Χ具有某種程度之真直度變動之: 態下進行對準系統21之測量的話,會於板件載台PST產生 既定之旋轉誤差θ,因此對準系統21之測量結果亦會產生 X方向之測量誤差。此外’於板件載台psT之y方向步進 移動時’對測量移動鏡51γ之干涉儀53γ2、53γ3盘對準 糸統υ或測量對象之基準標記乂位置不同時,會因移動鏡 5iX之真直度影響所產生之旋轉誤^而產生所謂之阿貝 誤差Δ㈣。其結果’於對準系、㈣之測量結果中,若移 動鏡51X之2次近似之反射面頂點與γ座標之原點相同的 ::可能產生對應板件載台阶之Y位置的Y方向倍率誤 “因此’在以對準系統21進行基準位置校正板22之標 ::置之权正(修正)時,不僅考慮移動鏡5ΐχ之真直度變動 誤差所產生^^==慮因旋轉誤D造成之阿貝 4。 、方向之七率誤差,以求出2次近似修正 :又’本實施形態中雖求出因基準位置校正板U之校正 ㈠之Μ干涉儀52Χ1、52Χ2所測量之旋轉誤差 阿貝誤差成分,但亦可使用丫轴干涉儀53γ2、53γ3:: 32 201003334 出不會產生阿貝誤差之位置。 於其次之步驟1 56,真直度運算部3 1進行真直度修正 表之修正(真直度修正)及基準位置校正板22之基準標記之 位置之修正(基準板修正)。
如本實施形態之使用離軸對準系統21之曝光裝置1〇 中,以在測量投影光學系統PL與對準系統21 之前-刻,進行移動鏡51X、51Y之真直度修正表J = 佳。又,以對準系統21測量基準位置校正板22.上之基準 標記之位置,以測量曝光中心與對準系統21之檢測中心之 位置關係(基準線)之情形時,最好是能一併進行位置校正板 22上之基準標記位置之校正。 進订真直度修正之情形時,真直度運算部3丨,於記憶 裝置30a内除真直度修正表外、亦儲存上述式(u)等之近似 修正式(真直度變動分之資訊)即可。之後,進行板件載台 pst之位置控制之情形時,主控制系统3〇,將各干涉儀之 測S值先依據記憶裝置3〇a之真直度修正表加以修正後,於 遠修正後之值中,加算對儲存於記憶裝置3〇a之式〇 1)等之 近似修正式代入板件載台PST之X方向、y方向位置所求 出之修正值(變動分)即可。在此之後,在每次光罩更換時, 亦藉=進行移動鏡51Χ、51γ之真直度變動成分(低次成分) 之測量,即使如圖13(Α)之連結測量值MD之直線56α至曲 線56Β〜56G所示’移動鏡5ΐχ、5ΐγ之真直度之低次成分 逐漸菱動’亦僅需求對應該低次成分之近似修正式即可。 並根據真直度修正表及近似修正式,修正干涉儀52Χ卜52Χ2 33 201003334 及,53YW53Y3之測量值,即能修正移動鏡沿、$ 動後之彎曲高精度的控制板件載台PST之位置。 又,作為其他方法,亦可對於步驟114求 修正表,内插從該近似修正式算出之一又 度修正表。 值以更新該真直 二針對基準位置校正板22之各基準標記之位置誤 亦作為修正值儲存於記憶裝置3 統測量基準標記之位置時,即"“之後’在以對準系 使用儲存於記侉裝置3〇 $ ^ °於主控制系統30 度的進行對準 修正值修正該測量值,據以高精 广其次之步驟158,以複數個對準系統21測 置杈正板22上之基準標記之位置,將兮曰、里土〆 156求出之位置將s亥測量結果以在步驟 土準軚,己之位置之修正值加以 數個對準系統21間之測量值誤差之修正 即…- 又,本實施形態巾,由於係使用2 鏡之真直度,藉由此修正 式修正移動 動鏡价之正交度不會變動。 對移動鏡沿之移 關於此點,由於銘叙於
、5ίΥ^ 直MUM 上之干涉儀之測量值之傾斜成 說是對移動鏡5H 5ίγ & τ ^此違真直度亦可 施形態中,在例如: 變化之集合。因此,本實 >正移動鏡51Υ之真直度時, :不使以監視偏搖成分之移動鏡51χ為基 度支化之以下進行真直度之修正。 此時,若假定例如移動鏡51Y之真直度變動能以2次 34 201003334 式加以近似的話,可如圖13(B)所示,設移動鏡51Y之長度 為卜在長度L之約1/21/2倍之位置之真直度修正值怪: 變之情況下進行修正。此場合,可使移動鏡51X、51Y之正 父度ω a為當時之狀態,僅修正真直度。 如以上所述,根據本實施形態,與光罩更換同時進行 移動鏡51X、51γ之真直度之低次成分之修正,即能在不使 、光乂驟之效率降低之情形下,1即使在持續曝光中產生 =鏡5ΐΧ、51γ之真直度變動,亦能高精度修正移動鏡 之真直度誤差,以咼精度控制板件載台ρ s τ之位 因此此恆維持高曝光精度(重疊精度等)。 V. Λ里又,本實施形態之曝光裝置10,如圖1所示,2排多 ^衫糸^之投影光學系統PL、與離軸之對準系統21係位在 量聍向(知撝方向)相分離之位置。因此,例如可在基準線測 '如下述般’簡易的測量Y轴移動鏡5 1 Y之真直度。 a圖M(A)、(B)、(C)係概略顯示將圖i之板件載台psT 方向之狀態之圖。首先,圖14㈧所示,在將 以测量移移動至對準系統21下方之狀態,將用 兄1γ之位置之γ軸干涉儀(控制用干涉儀), "^文例如、、本/辛 ) 干涉儀 1切換為中央之干涉儀53Y2°再者’使 / 53Υ3之測量值與干涉儀53Υ2之測量值-致(重置處 應基準之對準系統21測量基準位置校正板22上之對 分G丨己之位置’求出干涉儀5 3 Υ2、5 3 Υ 3之測量值之差 ”人如圖14(B)所示,使板件載台pST於+ χ方向移 35 201003334 動△ XT 1,將投影光學系統PL之第}排之複數個投影光學 模組之曝光區域設定在基準位置校正板22之對應基準標記 上,並以圖1之空間像測量系統24拍攝光罩之對準標記以 投影光學模組形成之像與基準標記之像,求出兩者之位置 偏差里。與此並行,求出干涉儀53Y2、53Y3之測量值之差 分G2。 之後’如圖14(C)所示’使板件載台pST於+ X方向移 動△ XT2,將投影光學系統pL之第2排之複數個投影光學 杈組之曝光區域設定於基準位置校正板22之對應基準標記 上,並以圖1之空間像測量系統24拍攝光罩之對準標記以 投影光學模組形成之像與基準標記之像,求出兩者之位置 偏差置。與此並行’求出干涉儀53Υ2、53γ3之測量值之差 分G3。 之後’藉由干涉儀53Y2、53Y3之測量光束間隔、板件 載台PST之移動量△ XT1、△ XT2及干涉儀之測量值之差分 G1〜G3之使用,即能與步驟152同樣的,簡單的求出移動 鏡5 1 Υ之真直度之低次近似修正式。 又’上述實施形態中’ X軸移動鏡5 ιχ之真直度測量 用干涉儀52XF雖為1台,但亦可如圖μ所示,在例如干 涉儀52X2之附近配置其他真直度測量用之干涉儀52χ〇。 此場合,在來自偏搖測量用之干涉儀52χ卜52χ2之測量光 束内側’以窄的間隔分別對稱配置真直度測量用之干涉儀 5 2XF、5 2XG之測量光束。 此變形例中,於高精度測量移動鏡5丨x之真直度時, 36 201003334 例如圖16(A)所示,從干涉儀52X2之測量光束照射於移動 鏡51X之+ γ方向端部之狀態,如圖16(B)所示,到干涉儀 52X1之測量光束照射於移動鏡51χ之—γ方向端部之狀態 為止,使板件載台PST以既定測量間距逐漸移動於γ方向, 並分別操取干涉儀52X1、52XF、52XG、52Χ2及干涉儀 53Υ1、53Υ3之測#值。接著’於圖2之步驟114將使用干 涉儀52ΧΥ之測量值作成之真直度修正表作為干涉儀52幻 用之第1真直度修正表之情形時,與步驟丨14同樣的,可 從真直度測量用之干涉儀52XG及干涉儀52χ2之測量值求 出干涉儀52X2用之第2真直度修正表。 根據此變形例,第i真直度修正表包含圖i6(a)之移動 鏡51X之區域跑之真直度,第2真直度修正表包含圖_) 之移動鏡51X之區域則之真直度。因此,能使用干涉儀 52Xi、52XF或干涉儀52X2、5加之窄間隔之測量光束,
將移動鏡51X全面之真直度就位置詳細的測量至高次成 分,而能進行更精度之真直度修正。 進-步的’亦可取代僅從干涉儀52幻、似2之測量值 測量板件載台PST之偏搖,使用例如干涉儀52χι、52χ2 及干涉儀52XF、52XG之測量值之平均值,測量板件載台 PST之偏搖。據此’可降低對干涉儀之空氣波動等之影響。 又,上述實施形態中’例如不以真直度修正表修正步 驟i42及148之干涉儀之測量值時,舉一例而|,亦可藉 由對圖U⑷之近似函數f2(x)加算於步驟ιΐ4所求出之圖 6(0之高次成分占y,據以求出由圖丨2(c)之修正(校正)後之 37 201003334 值Dy所構成之真直度修 丄人 糾規0 1 Λ,亦可益i 正:似:數加算以步驟114 “之高次成分,據以求出V :之真直度修正表。在此場合,主控制系統3 正後之真直度修正表修正干涉儀之測量值即可。使用修 二上述實施形態中,於步驟152係將移動鏡51 之真直度就位置以2次式加以近似。然而,若 及148之移動鏡51X、51Y v 142 n的話’移動鏡51X、爪之真直声】里點數里為 ,,,具直度即能以關於位置之— -人式加以求出。惟,越減少 數、越能減輕例如以最小平方=進订近似之式之次 測量值不均(誤差)之影響。 U似式之各係數時之 因此,在測量點數n例如為 直度之測量精度,…式外、亦二=升真 行真直度之近似。此外,在測 人式或4次式進 時,可以9 A 、]里2數n例如為1〇點之情形 了以9次以下之任意次數之式 月巾 此之外,亦能使用指數函數、或正 、又之近似。除 來進行真直度之近似。 ^ 、)函數等其他函數 又,上述實施形態中,雖係測量板件載 '兄51Χ、51Υ之真直度,但亦可與其 ° ♦動 發明適用於測量圖丨之光罩 ,、5而代之,將本 度。再者,光置二 之移動鏡54Y之真直 行f ’先罩載台MST之蒋叙於^ 旦 分測量,亦可在例如板件載 1 ^、直度之低次成 行。 取° PST±之板件ΡΤ之更換時進 又’上述實施形態中,於步驟152係求關於移動鏡 38 201003334 、51γ之真直度位置之低次成分。關於此點,相 驟108中之移動鏡51χ之測量間距SXl、在步驟Μ中乂 移動鏡51X之測量間距SX2大致為數分之一以下。 之 相對於以步驟⑽測量之移動鏡51χ之真直度之空==率 之上限(叫/SX1),以步,驟148測量之移動鏡5以之 度之空間頻率之上限(=1/SX2)約為數分之一以下,: 148中可視為測量出較步驟1〇8低之空間頻率成分。因:驟 步驟Η”,可將移動鏡51Χ之真直度之測量結果分為* 間頻率在1/SX2以下之成分與以上之成分,於步驟心 則將移動鏡51X之真直度以空間頻率在以下八 加以求出。此場合,可於步驟156,將以 2 間頻率一以下之成分,以步驟152所求出:= 以置換後,計算移動鏡51Χ之修正後之真直度。 又,上述實施形態中,於步驟108、142、148中在(一 各測量點之干涉儀之測量雖為1:欠,但亦可例如曰本特開 32_7號公報所揭示,於各測量點之進行複數次干 涉儀之測置後,以該平均值作為於該測量點之測量值。 上述實施形態,雖係針對投影光學系統PL為具備 ::二學模組之多透鏡方式之投影光學系統的情形作 了説明,但投影光學模組之數量不限於此’只要是2以上 :可。此外,例如作為投影光學系統PL, 式之投影光學I统,亦可❹單-投影光學模組 又技,1V光學系、统或投影光學模、组可 反射系統、或折反射系統之任-者,其投影;:=立 39 201003334 像。此外,上述實施形態中’作為 π仅〜九學糸統PL雖係飪 對使用投影倍率為等倍者之情形作 , v 卜『6兄明,但不限於此, 投影光學系統u可以是縮小系統或放大系統。 又’上述實施形態係測量載台之移動鏡之直直度。缺 而,例如對載台側面之反射面照射干涉儀之測量光束,以 測量該載台之位置之情形,纟測量該反射面之真直度時亦 可適用本發明。 又,本發明除掃描曝光型之投影曝光裝置外,亦能適 =於測量-次曝光型之投影曝光裝置(步進機)、或不使用投 影光學系統近接方式之曝光裝置之移動鏡或取代移動鏡之 載台側面之反射面之真直度之情形。 其次,參照圖1 7之流程圖,說明於微影步驟使用上述 實施I態之曝光裝置1 〇之液晶顯示元件(微元件)之製造方 法0 於圖17之步驟202之圖案形成步驟,係使用上述曝光 裝置,實行將圖案像形成於感光性基板(塗有抗蝕劑之玻璃 基板等)、所謂之微影步驟。藉由此步驟,於感光性基板上 形成含有多數電極等之既定圖案。之後,曝光後之基板經 顯影步驟、蝕刻步驟及光阻剝離步驟等之各處理步驟,於 基板上形成既定圖案。 其次,於步驟204之彩色濾光片形成步驟,形成具有 夕數對應R(Red)、G(Green)、B(Blue)之3個點之組排列成 矩陣狀 '或將複數個R、G、B之3條濾光片之組排列於水 平掃描線方向的彩色濾光片。之後,於步驟206之單元組 201003334 成步驟所得之既定圖案之基 所得之彩色濾光片之間注入 元)。之後,於步驟208之模 組裝之液晶面板(液晶單元) 零件’完成液晶顯示元件。 裝步驟’在例如具有以圖案形 板、與以彩色遽光片形成步驟 液晶’以製造液晶面板(液晶單 組組裝步驟,安裝用以進行所 之顯示動作的電路及背光等各 此場合,於圖案形成步驟,能使用上述曝光裝置以高
生產率、且高精度的進行板件之曝光,因此能提升高功能 之液晶顯示元件之生産性。 又本%明之曝光裝置之用途不限於將液晶顯示元件 圖案轉印至方型玻璃板件之液晶用曝Mi,亦能廣泛的 適用於用以製造例如電聚顯示器等之其他顯示元件、半導 體元件、薄臈磁頭及微型機器等微元件(電子元件)之曝光裝 置,或用以製造DNA晶片或其他曝光裝置所使用之光罩等 之曝光裝置。此外,曝光對象之物體不限於玻璃板件,亦 可以是例如晶圓、陶竟基板、薄膜構件、或光罩基板(磁 blanks)等之其他物體。 如以上所述,本發明不限於上述實施形態,在不脫離 本發明要旨之範圍能有各種構成。 【圖式簡單說明】 圖1係概略顯示一實施形態例之曝光裝置之構成的立 體圖。 圖2係顯示移動鏡之真直度修正表之一製作方法例的 流程圖。 41 201003334 圖3(A)係顯示板件裁台之位置測量用干涉儀之配置的 俯視圖,圖3(B) ' (〇及(D)係顯示χ軸移動鏡之真直度蜊 里時之板件載台之位置變化的俯視圖。 圖4係顯示Y轴移動鏡之真直度測量時之板件载台之 位置變化的俯視圖。 圖5(A)係顯不偏搖誤差修正前之板件載台的圖、圖 係顯示偏搖誤差修正後之板件載台的圖。 圖6(A) (B)、(〇係顯示γ軸移動鏡之真直度之〜剛 里結果例的圖、圖6(D)係顯示移動鏡變動後之真直度之二 例的圖。 圖7(A)係顯不板件載台之概略構成的立體圖、圖 係顯示因照射熱造成之移動鏡一變形例的圖。 圖8係顯示包含直亩_彳夂丁 * 〃置度修正表之修正之曝光步驟一 動作例的流程圖。 圖9係顯示移動错吉古ώ 、兄真直度之低次成分測量時之板件 台位置變化的俯視圖。 $ 圖10係顯示γ康由极知拉士 多動鏡真直度之低次成分測量時之相 件載台之位置變化的俯視圖。 圖11係顯示Υ轴敕备 移動鏡之傾斜成分之一變化例的圖, 圖12 ( A)係顯示γ抽銘勒^ # 軸移動鏡之真直度之一近似曲線例纪 圖、圖1 2(B)係顯示其直吉择々
直度之—尚次成分例的圖、圖12(C 係顯示Y軸移動鏡之—真直度例的圖。 圖13(A)係顯示移動 ^
^ 、兄真直度之一變化的圖、圖1 3(B 係顯示有X軸及γ點敕命^ 移動鏡之正交度誤差之狀態的圖。 42 201003334 圖14係顯示簡易的測量Y軸移動鏡之真直度之情形時 之板件載台之位置變化的圖。 圖1 5係顯示設置2個真直度測量用X轴干涉儀之變形 例中,干涉儀之配置的俯視圖。 圖1 6係顯示於圖1 5之變形例中,X軸移動鏡之真直度 測量時之板件載台移動範圍的俯視圖。 圖1 7係用以說明製造液晶顯示元件之方法的流程圖。 f ' 【主要元件符號說明】 10 曝光裝置 21 對準系統 22 基準位置校正板 23 基準標記 24 空間像測量系統 26 更換臂 27 光罩緩衝部 28 對準標記 30 主控制系統 30a 真直度修正表 31 真直度運算部 32 鏡座 33 板件保持具 51X、5 1Y 移動鏡 52X1 > 52X2 X軸干涉儀 43 201003334 52XF X軸真直度測量用干涉儀 53Y1〜53Y3 Y轴干涉儀 53YF Υ軸真直度測量用干涉儀 EA 曝光區域 EP1 ' EP2 圖案轉印區域 IF1〜IF7 照明區域 IL 照明光 IU 照明裝置 MA 光罩 MST 光罩載台 PL 投影光學系統 PL1 〜PL7 投影光學模組 PST 板件載台 PT 板件 44
Claims (1)
- 201003334 七、ΐ請專利範園: 1 ·一種位置測量方法,俜 < 量該移動體之位置資訊,其包含:°°又;動體之反射面測 重複進行僅第1次數之該移動體往移動方向之移動 與該反射面在與該移動方向交又之方向之位置多動、 量,根據該第1洌量έ士果卡山— 貝Λ之測 、°果未出該反射面之第1真直卢資1 之第1步驟; 、且度貝訊 重複進行較該第1次數少之僅第 該移動方向之移動、μ 之相動體往 ,、忒反射面在與該移動方向交叉夕古 向之位置資訊之測量,根攄 之第$結果求出該反射面 真直度為訊之第2步驟;以及 以該第2真直度資訊修正該第i真直度資訊之第〇 1¾¾ 0 ^ 2 .如申請專利範圍第1項之位置測量方法,其中,該 弟1步驟中該反射面之位置資訊之測量,係藉由對該反射 面照射於該移動方向具有第!間隔之2個測量光束來進行; 。亥第2步驟中該反射面之位置資訊之測量,係藉由對 該反射面照射於該移動方向具有較該第丨間隔廣之第2間 隔之2個測量光束來進行。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之位置測量方法,其中, 该第3步驟係於該第1真直度資訊加算該第2真直度資訊。 4 ·如申請專利範圍第3項之位置測量方法,其中,該 第2步驟係將該第2測量結果就該移動體之該移動方向之 位置以既定次數之函數加以近似,以求出該第2真直度。 45 201003334 至4項中任一項之位置測量方 正父之第1及第2移動方向; 驟中之該移動體之移動方向係 5 ·如申請專利範圍第丄 法’其中’該移動體能移動於 在'"亥弟1步驟及第2步 該第1移動方向; 2移動方向之位置 透過該反射面測量該移動體之該第 資訊。 6· -種曝光方法,係、—邊使裝載光罩之光罩載台斑裝 載基板之基板載台相對移動、—邊透過該光罩之圖 基板曝光,其包含: 使用申請專利範圍第1 i 5項中任一項之位置測量方 法,測量該光罩載台及該基板載台之至少一方之可動載△ 之位置資訊之步驟;以及 σ 根據該測量結果,使該光罩載台與該基板載台相對移 動之步驟。 7 ·如申請專利範圍第6項之曝光方法,其中,該可動 載台為該基板載台; 該位置測量方法之該第2步驟係在該光罩之更換中實 施。 8 .如申請專利範圍第6項之曝光方法,其中,該可動 載台為該光罩載台; 該位置測量方法之該第2步驟係在該基板之更換中實 施。 9 ·如申請專利範圍第6至9項中任一項之曝光方法 其包含: 46 201003334 /貝j量土板載台上所設之複數個標記之位置資訊之步 驟;以及 根據該基板载台上所設之該反射面之該第】及第2直 直度資訊,修正該標記之位置資訊之步驟。 10·如申請專利範圍第9項之曝光方法,其中,修正 該標記之位置資訊之步驟’係將該複數個標記之位置資訊 就該可動載台之該移動方& 秒勖方向之位置以既定次數之函數加以 近似之步驟。 11 · 一種元件製造方法,其包含: 使用申請專利範圍笫6 固弟6至10項中任一項之曝光方法, 將形成於該光罩之圖幸之德絲e s 4 圖茶之像轉印至感光基板之步驟; 使轉印了該圖案俊之## m Μ感光基板顯影,將對應該圖案 像之心狀之轉印圖案層形成至該感光基板上之步驟;以及 透過該轉印圖案層對該感光基板進行加工之步驟。 一種曝光震置’係一邊使農載光罩之光單㈣ :载基板之基板載台相對移動於既定移動方向 二、 s亥光罩之圖案使該基板曝光,其具備: 邊透過 複數個干涉儀,传用w、日丨丨旦< 載么… g係用以測里设於該光罩載台及該基 找口之至少一方之可動載A 悉板 M^^ 口之反射面,在於該可動恭厶 移動方向交又方向之位置資訊; 動栽台之 裝置,重複進行僅第i次數之 该移動方向之孩叙 J動栽台往 多動、一使用該複數個干涉儀中之第】4 '步儀進杆夕好C; 6丄γ丄 昂1組千 之該反射面在與該移動方向交又方 之測量,根據該第1測量&I + 位置資訊 弟,則里結果之求出該反射面之第丨 具直 47 201003334 度資訊,並重複進行較該第丨 双v之僅弟2次數之該可 動載台往該移動方向之移動、與使用該複數個干涉儀中之 第2組干涉儀進行之該反射面在與該移動方向交叉方向之 位置資訊之測量,根據該第2 — ^ 叫里結果之求出該反射面之 第2真直度貧訊,並以兮笛-Λ * dt r*r 並以D亥苐2真直度資訊修正該第1真直 度資訊;以及 驅動控制裝置,根據該複數個干涉儀之測量資訊及該 第丨真直度資訊,移動該可動载台。 13·如申請專利範圍第12項之曝光裝置,並中,該第 1 曰組干涉儀,包含將沿該移動方向以第1間隔配置之2個測 量光束照射於該反射面之2個干涉儀; ^ 干儀,包含將沿該移動方向以較該第1間 1¾廣之第2間隔配置之2個、、則吾本由M i心z個測罝光束照射於該反射面之2 個干涉儀。 、14 ·如申請專利範圍第12或13工員之曝光裝置,其中, 該測量控制裝詈传於^_ μ 利戒1係於3亥第丨真直度資訊加算該第2真直度 資訊。 又 15 ·如申請專利範圍第14項之曝光裝置,其中,該測 量::裝置,係將該第2測量結果就該移動方向之位置二 既定次數之函數加以近似來求出該第2真直度資訊。 16 .如申請專利範圍第12至15項中任—項之曝光裝 置,其中,該可動載台為該基板載台; 、 及測量控制裝置,係在該光罩之更換中,一邊將該基 板載口移動於該移動方向 '一邊根據使用該第2組干涉儀 48 201003334 僅以該第2方# 日丨旦 . 里所得之該反射面之位置資訊,求出該 反射面之該第2真直度資訊。 署二如申請專利範圍帛12至15項中任-項之曝先裝 :、中’該可動載台為該光罩載台; §衾剩量控制裝 s ^ , 係在该基板之更換中,一邊將該光 罩載口移動於該移動 夕勁方向、一邊根據使用該第2組干涉儀人數測里所得之該反射面之位置資訊,求出該 反射面之該第2真直度資訊。 如申睛專利範圍帛^ i 17 ϊ員中任一項之曝光裝 其一備δ又於该基板載台上之複數個標記、與測量該標 記之位置資訊之標記檢測系統; 該測量控制裝置,«該基板載台上所設之該反射面 之舌亥第 1 另楚 ο 古士一 一 弟/、直度資訊’修正該標記檢測系統之檢測 結果 ° Θ 如申研專利範圍第丨8項之曝光裝置,其中,該測 量控制裴1,係將該複數個標記之位置資訊就該基板載台 之。亥移動方向之位置以既定次數之函數加以近似,根據該 近似結果修正該標記檢測系統之檢測結果。 20 ·—種元件製造方法,其包含: 使用申請專利範圍冑12至19項中任一項之曝光裝 置,將形成於該光罩之圖案之像轉印至感光基板之步驟; 使轉印了 5亥圖案像之该感光基板顯影,將對應該圖案 像之形狀之轉印圖案層形成至該感光基板上之步驟;以及 透過該轉印圖案層對該感光基板進行加工之步驟。 49
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008179622 | 2008-07-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201003334A true TW201003334A (en) | 2010-01-16 |
Family
ID=41507016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098123011A TW201003334A (en) | 2008-07-09 | 2009-07-08 | Position measuring method, and exposure method and device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5517071B2 (zh) |
TW (1) | TW201003334A (zh) |
WO (1) | WO2010004900A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI624733B (zh) | 2011-03-30 | 2018-05-21 | 瑪波微影Ip公司 | 用於曝光工具的干涉儀模組的校準 |
US8724115B2 (en) * | 2011-09-06 | 2014-05-13 | Kla-Tencor Corporation | Linear stage and metrology architecture for reflective electron beam lithography |
JP5950760B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2016-07-13 | 清野 慧 | 干渉形状測定機構の校正方法 |
CN105278254B (zh) * | 2014-07-11 | 2018-01-19 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种工件台长条镜面形漂移补偿的方法 |
WO2020173652A1 (en) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | Asml Netherlands B.V. | Stage system and lithographic apparatus |
JP2019117403A (ja) * | 2019-03-22 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274049A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Nikon Corp | 位置測定方法および位置測定装置並びに露光装置 |
JP2002328007A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Nikon Corp | ステージ位置計測方法、露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002365016A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Nikon Corp | 干渉計を用いた位置測定方法、干渉式位置測定装置、露光装置及び露光方法 |
JP2007113938A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 計測方法 |
-
2009
- 2009-06-29 WO PCT/JP2009/061856 patent/WO2010004900A1/ja active Application Filing
- 2009-06-29 JP JP2010519740A patent/JP5517071B2/ja active Active
- 2009-07-08 TW TW098123011A patent/TW201003334A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010004900A1 (ja) | 2012-01-05 |
JP5517071B2 (ja) | 2014-06-11 |
WO2010004900A1 (ja) | 2010-01-14 |
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