TW200925268A - Fluoride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction - Google Patents

Fluoride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction Download PDF

Info

Publication number
TW200925268A
TW200925268A TW097103555A TW97103555A TW200925268A TW 200925268 A TW200925268 A TW 200925268A TW 097103555 A TW097103555 A TW 097103555A TW 97103555 A TW97103555 A TW 97103555A TW 200925268 A TW200925268 A TW 200925268A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
composition
compound
group
amine
hydroxycarbonyl
Prior art date
Application number
TW097103555A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Inaoka
William R Gemmill
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc filed Critical Mallinckrodt Baker Inc
Publication of TW200925268A publication Critical patent/TW200925268A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/38—Cationic compounds
    • C11D1/62—Quaternary ammonium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3703—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3723—Polyamines or polyalkyleneimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

200925268 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ❹ 本發明係關於適用於自微電子裝置移除光阻、污染物或 電讓或姓刻殘留物之組合物，該等組合物提供良好腐_ 腐蝕抑制作用或抵抗性，同時保持清洗效率。詳言之，本 發明提供水性或半水性、高度驗性、含氣化物之清洗植入 物，該組合物令存在基幾基化合物之"栋色"寡聚或： 合共轆材料，尤其單醣之”椋色”募聚或聚合共輛材料。本 發明亦提供採用該等組合物清洗微電子基板及裝置之方 法。 【先前技術】 半導體裝置係由以下步㈣造：以光阻塗佈無機基板； 藉由曝露於光且隨後顯影使光阻媒圖案化；制圖案化光 阻膜作為遮罩㈣無機基板之曝露區形成精密電路；及自 無機基板移除圖案化光阻膜。或者，在以與上文相同之方 式形成精密電路後，使圖案化光阻膜灰化，且接著自無機 基板移除剩餘抗蝕劑殘留物。 已提出許多以鹼性為主之清洗組合物來自該等微電子裝 置清洗光阻及殘㈣。然而，在清洗該等微電子裝置過程 中所遇到的-個顯著問題為該等清洗組合物具有腐钱該等 微電子裝置中之金屬(尤其銅)之傾向。然而，已觀測到目 前可獲得之剝離劑溶液（一般為鹼性剝離劑溶液）至少部分 由於金屬與鹼性剝離劑之反應而產生各種類型之金屬腐 蝕，諸如腐蝕鬚晶、電化腐蝕、金屬線之坑洞或凹口。 128376.doc 200925268 用於避免此腐蝕問題之先前方法採用以非鹼性有機溶劑 (諸如異丙醇）進行中間沖洗。然而，該等方法成本高且具 有非所要之安全性、化學衛生問題及環境影響。 在美國專利6,465,403中，揭示適於在微電子工業中用於 藉由移除光阻殘留物及其他非所要污染物來剝離或清洗半 導體晶圓基板的水性鹼性組合物。該等水性組合物通常包 含（a)足以產生約10-132PH值之量的一或多種無金屬離子 之鹼’·（b)約0·01重量％至約5重量％(表示為Si〇2%)之水溶 性無金屬離子之矽酸鹽；（勾約〇 〇1重量％至約1〇重量％之 一或多種金屬螯合劑及（d)視情況之其他成份。 然而，先前技術中未揭示有效移除典型蝕刻製程後剩餘 的所有有機污染物及含金屬殘留物之組合物。含矽殘留物 尤其難以使用此等調配物移除。因此， 需要藉由自基板移
(2)不需要中間沖洗； 效的；及 (3)對於富含Si之殘留物清洗而言為有 128376.doc 200925268 (4)基本上不損害ILD。 【發明内容】 根據本發明提供水性或半水性含氟化物之微電子清洗組 合物或調配物，其含有（a)至少一種提供氟離子之氟化合 物，（b)至少一種”棕色"心羥基羰基共軛物，其為α_羥基羰 基化合物與胺或銨化合物之募聚或聚合共軛物及（C)水。 Ct-羥基羰基化合物具有通式rich(〇h)c〇r2，其中…及汉2 係獨立地選自H、脂族基或環狀基團，該等脂族基或環狀 基團可包含一或多個取代基。該等取代基包括（但不限於） 選自以下基團之基團：芳族基、雜芳族基、羥基（_〇H 基）、醚基（-C-O-C)、醯胺基（-C(O)NH)、亞颯基（_c_s(〇)_ C)、胺（-NR3R4)(其中R3及R4為Η或具有1至10個碳原子之 烷基）及酮基（-C(O))。在通式11丨(：11(011)(：0112之α-羥基羰 基化合物中’R1及R2較佳為選自Η及焼基之基團，更佳 為選自Η、CH3及（CH2)nCH3之基團，其中η為〇至20之整 數，較佳為1至10之整數且更佳為1至6之整數。合適α_ 羥基羰基化合物之一些實例包括（但不限於）1 _羥基_2_丙 酮（CH3COCH2OH) CAS#119-09-6、1，3-二羥基丙綱 (HOCH2COCH2OH) CAS#62147_49-3及單醣，尤其包括符 合上文通用結構之葡萄糖、果糖或半乳糖。已知胺與α—經 基羰基化合物之反應首先藉由胺在羰基碳上親核加成而發 生，接著經由梅納反應（Maillard reaction)而繼續進行 (Yaylayan, V. A. ； Harty-Majors, S. ； Ismail, A. A. ； J. Agric. Food Chem. 1999，47，2335-2340)。梅納反應實際上 128376.doc 200925268 為一系列複雜反應且其細節可見於Dills，W. L ; Am. J. Clin. Nutr· 1993，58, 779S-787S。 本發明之清洗組合物可視情況包含其他成份，諸如（d) 至少一種極性、可與水混溶之有機溶劑。組合物之pH值可 為酸性至鹼性pH值之任何合適pH值。在本發明組合物之 一實施例中，組合物亦可包含（e)足以產生pH值為7或更 高，較佳pH值為約9.5至約1 0.8之最終組合物之量的至少 一種無金屬離子之鹼。本發明組合物亦可包括一者或多者 之（f)多元醇及（g)界面活性劑。本發明組合物中所採用之α_ 輕基Ik基化合物之棕色募聚或聚合共輕物為在約3〇〇至330 nm處具有吸收峰，吸收峰在約600至800 nm之波長處開始 的寡聚或聚合共軛物。此等棕色募聚或聚合共軛物可由已 知之梅納反應 ”-L.C. Maillard，Compi. 154，66 (1912) ; ZCMm. 9, 5, 258 (1916)形成。本發明組合物 中所用之為α-羥基羰基化合物與胺或銨化合物之寡聚或聚 合共軛物的"棕色"共軛物與為α_羥基羰基化合物與胺或銨 化合物之反應產物寡聚或聚合共輛物的心經基幾基化合物 之僅”黃色”共軛物的區別在於”黃色"α_羥基羰基共軛物在 本發明調配物中不起作用，因為該等包含"黃色"α_羥基羰 基共軛物之調配物不提供適當Cu蝕刻速率保護。"黃色"α_ 羥基羰基共軛物為α-羥基羰基化合物與胺或銨化合物之反 應產物，其在約300至330 nm處具有吸收峰，然而該吸收 峰在約500至580 nm處開始。 使本發明之清洗組合物與半導體裝置在足以自基板表面 128376.doc 200925268 清洗非所要污染物及/或殘留物之溫度下接觸足以自某板 表面清洗非所要污染物及/或殘留物之時間。本發明2 物k供增強之财韻性（尤其銅财钱性）及改良之清，先效率 【實施方式】 ' ° . 本發明之清洗組合物含有中性至鹼性、水性或半水性清 洗調配物，其含有：（a)至少一種提供氟離子之氟化合物， (b)至少一種為α_羥基羰基化合物與胺或錢化合物之寡聚戋 ❹ 聚合共軛物的”棕色"α-羥基羰基共軛物，及（c)水。該等調 配物亦可含有其他可選組份，包括（但不限於）(句至少一種 極性、可與水混溶之有機溶劑，足以製造口只值為7或更 高’較佳pH值為約9.5至約10.8之最終組合物之量的至少 一種無金屬離子之鹼（當需要鹼性清洗組合物時），及一者 或多者之（f)多元醇及（g)界面活性劑。 本發明組合物中所用之"標色"α_經基幾基共耗物為α·經 基羰基化合物舆胺或銨化合物之募聚或聚合共軛物且在 Q 約300至330 nm處具有吸收峰，該吸收峰在約6〇〇至8〇〇 nm 之波長處開始。該等棕色寡聚或聚合共軛物係根據已知程 序製備，諸如藉由先前提及之|，梅納反應”製備。然而，可 採用獲得棕色α_經基幾基共扼物之任何合適方式。此 外，該等棕色"α-羥基羰基共軛物可以（例如）深色糖蜜形 式使用。羥基羰基化合物與含胺或氨之化合物的反應可 使用化學計量比率之α_羥基羰基化合物與胺或氨化合物 (、’、勺1.1至約16:1)以1莫耳α_羥基羰基化合物與丨莫耳胺或氨 化合物之反應為基礎進行。然而，比率較佳為丨：丨，因為 128376.doc •10- 200925268 存在較少之與α-羥基幾基化合物反應之胺或氨化合物導致 反應產物的銅腐蝕抑制能力減小。過量之含胺或氨之化合 物並不對清洗組合物之銅腐蝕抑制特性有任何顯著影響。 儘管反應可在寬廣範圍之時間及溫度下進行，但反應較佳 係藉由將α-羥基羰基化合物與胺或氨化合物加熱至約7〇艽 或更高溫度歷時約3小時或更長時間而進行。可採用任何 合適時間及溫度’只要所得寡聚或聚合共軛物反應產物為 ’’棕色"產物，亦即在約300至33〇 nm處具有吸收峰且彼峰 在約600至800 nm處開始的產物。一般而言，較佳用於本 發明之棕色α-羥基羰基共軛物的特徵為具有約〇 5 eV或更 低之低能帶隙。 棕色α-羥基羰基共軛物可由任何合適心羥基羰基化合物 與胺或氨化合物之反應獲得。合適α_羥基羰基化合物包括 (但不限於）1-羥基_2_丙酮、CHsCOCHzOH及1，3-二經基丙 _、HOCH2COCH2〇H，及所有單醣，包括阿拉伯糖 (arabinose)、來蘇糖（lyX0Se)、核糖、去氧核糖、木糖、核 酮糖、木酮糖、阿洛糖（allose)、阿卓糖（ahr〇se)、半乳 糖、葡萄糖、古洛糖（gulose)、艾杜糖（id〇se) '甘露糖、 果糖、阿洛酮糖、山梨糖、塔格糖（tagat〇se)、甘露庚酮 糖、景天庚酮糖、辛酮糖（octulose)、2-_基-3-去氧-甘露-辛酸酯及唾液糖（sialose)。尤其較佳為果糖。本發明不可 用雙醣。 任何合適的含胺或氨之化合物可與本發明之α_經基羰基 化合物反應產生α-羥基羰基化合物與胺或銨化合物之棕色 128376.doc 200925268 募聚或聚合共軛物。合適胺為胺、二胺、三胺、烷醇胺' 胺基馱’尤其第一胺及第二胺及烷醇胺。尤其適用為式 NH2(CH2)n〇H之烷醇胺，其中11為1至約1〇，較佳1至約4之 正數，且尤其為2。氨與上文所述之胺同樣適用。合適胺 ，合物包括（但不限於）單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、 . 單異丙醇胺、二伸乙基三胺、胺基乙酸。尤其較佳為單乙 醇胺。較佳棕色α_羥基羰基化合物係由果糖與單乙醇胺之 反應獲得。 任何合適之提供氟離子之氟化合物可用於本發明組合物 中合適氟化合物包括HF、氟化銨、氟化四烷基銨（尤其 為烷基包含1至4個碳原子之氟化四烷基銨）、氟化鹽（諸如 氟化銨）。尤其適用之氟化合物中，可提及氟化四甲基 銨、氟化四丁基銨及氟化銨，較佳為氟化銨。 本發明β洗組合物中之氟化合物之量一般將在約〇 〇〇〇工 至約10重量％範圍内，較佳約〇 〇1至約5重量％範圍内，且 〇 更佳約〇.5至約1重量％範圍内。"棕色”募聚或聚合(X-羥基 羰基化合物一般將以約〇. 1至約20重量。/。，較佳約i至約1〇 重量/〇，且更佳約3至約7重量％之量存在於本發明清洗組 合物中。水將以約10至約99.9重量％，較佳約60至約99重 量/〇且更佳約85至約96.5重量％之量存在於本發明組合 中 所有百分比係以清洗組合物之總重量計。 清洗組合物之PH值將為酸性或鹼性，但較佳將為7或更 高，較佳為約pH 7至約pH 1〇 8，更佳為約pH 9 5至約pH 1〇·8。若需要調整組合物2pH值，則可視情況向清洗組合 128376.doc -12- 200925268 物中添加無金層離子之驗。可採用任何合適的無金属離子 之驗。可用於清洗組合物令之合適的無金屬離子之驗可為 氨氧化第四銨’諸如氫氧化四烷基銨(包括含羥基之烷基 及含烧氧基之烧基，其在燒基或貌氧基中—般具有…個 碳原子)。此等鹼性材料中最佳者為氫氧化四甲基銨及氫 氧化三甲基-2·經基乙基録（膽驗其他可用的氫氧化第四 銨之實例包括：氫氧化4基领基丙基錢、氫氧化三甲 基-3-經基丁基敍、氫氧化三甲基·4_經基丁基銨、氯氧化 ，乙基-2-羥基乙基銨、氫氧化三丙基_2_經基乙基銨、氫 氧化三丁基-2-羥基乙基銨、氫氧化二甲基乙基_2_羥基乙 基敍、氫氧化二甲基二（2·經基乙基）敍、氣氧化單甲基三 (2-經基乙基）錢、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基敍、氫 氧化四丁基錢、氫氧化單甲基·三乙基敍、氫氧化單甲基 三丙基銨、氫氧化單曱基三丁基銨、氫氧化單乙基三甲基 錢、氫氧化單乙基三丁基錄、氫氧化二甲基二乙基録、氫 氧化一曱基一丁基敍及其類似物及其混合物。將在本發明 中起作用之其他鹼包括氫氧化銨；有機胺，尤其烷醇胺， 諸如2-胺基乙醇、丨_胺基_2_丙醇、丨_胺基_3_丙醇、2_(2_胺 基乙氧基）乙醇、2-(2-胺基乙基胺基）乙醇、2_(2_胺基乙基 胺基）乙基胺及其類似物；及其他有機強鹼，諸如胍、丨，3_ 戊二胺、4-胺基甲基―^-辛二胺、胺基乙基哌嗪、4_(3_胺 基丙基）嗎啉、1，2-二胺基環己烷、參（2_胺基乙基）胺、2_ 甲基-1，5-戊二胺及羥基胺。組合物中所用之該等鹼之量將 為賦予組合物所要pH值之量，且一般將為約〇至約15重量 128376.doc -13- 200925268 %，較佳約0.5至約5重量％之量，且更佳為約i至約2重量0/〇 之量。 本發明調配物可為以水性為主，但亦可為半水性。亦 即，調配物可視情況包含至少一種極性、可與水混溶之有 機溶劑。調配物中可採用任何合適極性、可與水混溶之有 . 機溶劑。該等合適極性、可與水混溶之有機溶劑包括（但 不限於）醯胺、砜、亞颯、飽和醇及其類似物。該等有機 0 極丨生;谷劑包括（但不限於）有機極性溶劑，諸如環丁;E風（四氫 噻吩-1,1-二氧化物）、3_甲基環丁砜、正丙基砜、二甲亞 石風（DMSO)、甲石風、正丁颯、3_甲基環丁硬、酿胺（諸如卜 (2-羥基乙基）_2-吡咯啶（HEp)、二甲基哌啶酮（DMpD)、N-甲基-2-吡咯啶酮（NMp)、二甲基乙醯胺（DMAc)及二甲基 曱酿胺（DMF))及其混合物。尤其較佳之有機極性溶劑為N_ 甲基吡咯啶酮、環丁砜及DMS〇。若存在，則極性、可與 水混溶之有機溶劑一般將以約〇以上至約5〇重量％，較佳 〇 約5至約30重量％，且更佳約10至約20重量％之量採用。 本發明之調配物亦可視情況包含任何合適之多元醇組 份。該等合適之多元醇包括（但不限於）山梨糖醇、木糖 醇、甘油、乙二醇、丁_丨，4_二醇。較佳地，所採用之多元 醇較佳為D-山梨糖醇β若存在，則組合物中所存在之多元 醇之量可在約〇以上至約丨〇重量％，較佳約〇以上至約7重 量％，且更佳約0以上至約5重量％之範圍内。 本發明之調配物亦可包含對清洗組合物之效力無害的可 選成份，諸如界面活性劑。本發明組合物亦可包含任何合 128376.doc -14· 200925268 適之水溶性兩性、非離子、陽離子或陰離子界面活性劑。 界面活性劑之添加將減小調配物之表面張力且改良待清洗 表面之濕潤性，且因此改良組合物之清洗作用。適用於本 發明組合物之兩性界面活性劑包括甜菜鹼及磺基甜菜鹼， 諸如烷基甜菜鹼、醢胺基烷基甜菜鹼、烷基磺基甜菜鹼及 醯胺基烷基磺基甜菜鹼；胺基羧酸衍生物，諸如兩性甘胺 酸酯、兩性丙酸酯、兩性二甘胺酸酯及兩性二丙酸酯丨亞 ❹ 胺基二酸’諸如烷氧基烷基亞胺基二酸；胺氧化物，諸如 烷基胺氧化物及烷基醯胺基烷基胺氧化物；磺酸氟烷酯及 氟化烷基兩性界面活性劑；及其混合物。較佳地兩性界 面活性劑為椰油酿胺丙基甜菜鹼、可可醯胺基丙基二甲基 甜菜驗、可可醯胺基丙基羥基磺基甜菜鹼（suhaine)、辛醯 基兩性二丙酸酯、可可醯胺基二丙酸酯、可可兩性丙酸 酯、可可兩性羥基乙基丙酸酯、異癸氧基丙基亞胺基二丙 酸、月桂基亞胺基二丙酸酯、可可醯胺基丙基胺氧化物及 ❹ 可可胺氧化物及氟化烷基兩性界面活性劑。適用於本發明 組合物之非離子界面活性劑包括炔二醇、乙氧基化炔二 醇、氟化烷基烷氧基化物、氟化烷基酯、氟化聚氧伸乙基 烷醇、多元醇之脂族酸酯、聚氧伸乙基單烷基醚、聚氧伸 - 乙基二醇、矽氧烷型界面活性劑及烷二醇單烷基醚。較佳 地’非離子界面活性劑為炔二醇或乙氧基化炔二醇。適用 於本發明組合物之陰離子界面活性劑包括叛酸酯、N_醯基 肌胺酸酯、磺酸酯、硫酸酯及正磷酸之單酯及二酯（諸 如，磷酸癸酯）。較佳地，陰離子界面活性劑為無金屬之 128376.doc 200925268 界面活性劑。適用於本發明組合物之陽離子界面活性劑包 括胺乙氧基化物、二烷基二甲基銨鹽、二烷基嗎啉鏽鹽、 烷基苯甲基二甲基銨鹽、烷基三甲基銨鹽及烷基吡啶鑌 鹽。較佳地，陽離子界面活性劑為無由素之界面活性劑。 若本發明組合物中採用界面活性劑，則其一般將以約〇以 上至約1重量°/〇，較佳約〇.〇5至約0.2重量％之量存在。 本發明調配物亦可與一或多種合適金屬螯合劑一起調配 以增加調配物在溶液中保持金屬之能力且增強金屬殘留物 在晶圓基板上之溶出。適用於此目的之金屬螯合劑之典型 實例為以下有機酸及其異構體及鹽：（乙二胺）四乙酸 (EDTA)、丁二胺四乙酸、環己烷]，2-二胺四乙酸 (CyDTA)、二伸乙三胺五乙酸（DETPA)、乙二胺四丙酸、 (經基乙基）乙二胺三乙酸（HEDTA)、N，N，N，，N，-乙二胺四 (亞甲基膦）酸（EDTMP)、三伸乙四胺六乙酸（ttha)、l，3-二胺基-2-羥基丙烷-N，N，N，，N'-四乙酸（DHPTA)、曱基亞胺 基二乙酸、丙二胺四乙酸、硝基三乙酸（NTA)、檸檬酸、 酒石酸、葡萄糖酸、葡萄糖二酸、甘油酸、草酸、鄰苯二 甲酸、順丁烯二酸、扁桃酸、丙二酸、乳酸、水楊酸、兒 茶紛、五倍子酸、沒食子酸丙醋、連苯三紛、8_經基啥琳 及半胱胺酸。較佳之金屬螯合劑為胺基羧酸，諸如環己 烧-1，2-二胺四乙酸（CyDTA)。調配物中可以約〇以上至約1 重量％之量，較佳以約〇·〇5至約〇 2重量％之量存在至少一 種金屬螯合劑。 本發明之清洗組合物係用於藉由使微電子裝置與本發明 128376.doc -16- 200925268 之清洗組合物在適合溫度下接觸合適時間以自微電子裝置 移除光阻或電漿或蝕刻殘留物，從而自微電子裝置清洗光 阻或電漿或蝕刻殘留物。 本發明由以下說明性實例說明，但不限於該等實例。 以下為適用於本發明組合物之”棕色Ί基縣共輛寡 聚物或聚合物的實例。 棕色組份A:在7(TC之溫度下，使1〇〇 g果糖與水之5〇5〇
重量混合物與50 g單乙醇胺反應約3小時。 棕色組份纟7rc之溫度下，使_ g果糖與水之5〇5〇 重量混合物與16 g單乙醇胺反應約3小時。 標色組份C:在7(TC之溫度下，使100 g果糖與水之5〇:5〇 重量混合物與5 g單乙醇胺反應約3小時。 你咖度下，使100 g果糖與水之5〇:5〇 重量混合物與1 g單乙醇胺反應約3小時。 棕色組份E:將50 g果糖溶解於1〇g水中且將混合物加熱 至，且接著添加20.8 §單異丙醇胺’溶 液自身加熱且在沸騰作用下釋放水。 棕色組份F:將50 g果糖溶解於1〇g水中且將混合物加熱 至8〇t，且接著添加29 2 §二乙醇胺，溶液 自身加熱且在沸騰作用下釋放水。 椋色組份G:將50 g果糖溶解於1〇g水中且將混合物加熱 至80°C ’且接著添加41.9 g三乙醇胺，溶液 自身加熱且在沸騰作用下釋放水。 棕色組伤Η .將50 g果糖溶解於1 〇 g水中且將混合物加熱 128376.doc 200925268 至80 C，且接著添加26 5 g二伸乙三胺溶 液自身加熱且在沸騰作用下釋放水。 掠色組伤J · 將5 0 g果糖浪1 Λ * . ^木糖/合解於10 g水中且將混合物加熱 至80C，且接著添加2〇8 §胺基乙酸（甘胺 酸），溶液自身加熱且在沸騰作用下釋放 水。 標色組份K :將5 0 g葡翁輔·：资~ ! Λ , g 甸糖/奋解於1 〇 g水中且將混合物加
Ο 熱至80 C，且接著添加17,0 g單乙醇胺，溶 液自身加熱且在沸騰作用下釋放水。 標色組份L ·將5 0 g丰筹丨撼、.交紐分^ j Λ | S干孔糖/合解於i〇 g水中且將混合物加 熱至80 C，且接著添加20.8 g單乙醇胺，溶 液自身加熱且在沸騰作用下釋放水。 棕色組份M:在7〇°C下’使5〇 g i-經基_2_丙軋與水之 50:50混合物與8 g單乙醇胺反應約丨小時。 棕色組份N .在7(TC下，使50 g二羥基丙酮與水之5〇:5〇混 合物與8 g單乙醇胺反應約1小時。 關於棕色組分E-L，"自身加熱》係指反應為放熱，因此 可自身加熱。 出於比較之目的製備^羥基羰基化合物與胺之比較性 ”黃色”反應產物。此等黃色反應產物如下： η色組份14 .使1〇〇 g果糖與水之5〇:5〇重量混合物與16呂 單乙醇胺一起在7〇〇c之溫度下反應，歷時約 3小時’然後在約2(TC之室溫下置放隔夜。 黃色組份15 :使1〇〇 g果糖與水之5〇:5〇重量混合物，與％经
IS 128376.doc 200925268 單乙醇胺一起在70°C之溫度下反應隔夜，然 後在約20°C之室溫下置放1週。 製備其他比較性組合物，其中僅採用果糖，亦即未與含 胺或氨之化合物反應從而提供Cu蝕刻速率之基線量測。 以下列方式測試本發明組合物及比較性組合物之銅蝕刻 抑制作用。在約20°C下，將銅毯覆式晶圓置於包含測試組 合物之150 ml燒杯中。以約200 rpm將組合物攪拌15分鐘， Cu表面遠離攪拌棒。藉由向以下兩種鹼溶液中之一者中添 加上文所述之”棕色"組份或上文所述之"黃色比較組份， 或僅添加果糖來製備測試組合物。鹼溶液# 1 :由3.25 g 40% NH4F 水溶液（1.3 g NH4F 及 1.95 g 水）、4.33 g 30% NH4OH水溶液（1.3 g NH4OH 及 3.03 g水）、466.82 g去離子 水組成；總溶液重量為474.4 g。鹼溶液# 2由1.75 g 40% NH4F水溶液（0.7 g NH4F及1.05 g水）及足以使本發明組合物 之總重量為100 g之去離子水組成。 組合物及測試結果呈現於表1中。 棕色或黃色組份 量 鹼溶液 量 組合物pH值 Cu蚀刻速率 A/min. 掠色組份A 5.15 g 驗溶液#1 94.85 g 10.003 3.39 棕色組份B 5.15 g 鹼溶液#1 94.85 g 9.57 4.64 棕色組份B 1.7g 鹼溶液#1 98.3 g 9.58 4.64 棕色溶液c 5.15 g 鹼溶液#1 94.85 g 9.57 8.90 棕色組份D 5.15 g 鹼溶液#1 94.85 g 9.59 17.08 掠色組份E 鹼溶液#2 5.52 3.04 51 g 49 g (稀釋20倍以供使用） (稀釋20倍以供使用） 128376.doc -19- 200925268 棕色組份F 51S 鹼溶液#2 49 g 5.85 (稀釋20倍以供使用） 0.83 (稀釋20倍以供使用） 棕色組份G 51 R 鹼溶液#2 49 g 7.94 (稀釋20倍以供使用） 9.04 (稀釋20倍以供使用） 棕色組份Η 51g 鹼溶液#2 49 g 9.17 (稀釋20倍以供使用） 14.47 (稀釋20倍以供使用） 標色組份J _ 51 g 鹼溶液#2 49 g 9.19 (稀釋20倍以供使用） 1.16 (稀釋20倍以供使用） 棕色組份κ -51β 鹼溶液#2 49 g 5.67 (稀釋20倍以供使用） 2.24 (稀釋20倍以供使用） 棕色組份L 5U 鹼溶液#2 49 g 5.18 (稀釋20倍以供使用） 1.35 (稀釋20倍以供使用） 棕色組份Μ 2.58 e 驗溶液#1 47.42 g 8.24 0.84 棕色組份Μ 0.85 e 鹼溶液#1 49.15 g 8.07 5.4 標色組份N 2-58 g 鹼溶液#1 47.42 g 7.54 r 4.38 棕色組份N 0.85 ε 鹼溶液#1 49.15 g 7.11 9.51 黃色組份1 i-lg 98.3 g 9.840 49.05 黃色組份2 5.1 g__ 94.9 g 10.213 35.26 僅果糖 l-7g 94.85 g 9.59 47 測试右干種化合物以確證α-經基幾基化合物在與胺之反 應中提供適當銅腐♦虫抑制作用之必要性。測試不同類型之 Q 羰基化合物；酮（丙酮，H3CCOCH3)、二酮（2,3-戊二酮， H3CCOCOCH2CH3)、醛（曱醛，HCOH)及兩種不同α_經基 羰基化合物（1-羥基-2-丙酮，CH3COCH2OH及1，3-二經基丙 _，HOCH2COCH2OH)。由表2可見，丙鲷及曱搭在與單乙 • 醇胺結合使用時皆未展示益處。相反，當使用α-經基幾基 化合物1-經基-2-丙酮及1，3-二經基丙酮時，Cu餘刻速率比 單乙醇胺之蝕刻速率低約20倍。亦已展示，藉由使用二 酮、2,3-戊二嗣可獲得合理之腐蚀抑制作用。此藉由有機 化學中熟知的酮·烯醇互變現象來解釋，此將提供若干化 128376.doc -20- 200925268 學平衡濃度之α-經基幾基化合物（Jones, Μ ; Organic Chemistry 1997, W.W. Norton & Company, Inc., 500 Fifth Avenue, New York，N. Y. 10 110)。清楚表明 a-經基幾基化 合物之必要性的其他資料為使用4-羥基-4-甲基2-戊酮（β-羥 基羰基化合物）之結果。此化合物未展示銅相容性之改 良，強烈表明需要a-經基裁基化合物。 在70°C下，DMSO、NMP或其混合物中測試組合物之銅 蝕刻速率（人/min)闡述於表2中。所有組合物利用單乙醇胺 $ 作為與所列出之化合物在70°C下反應約3小時之胺。 表2 反應產物 DMSO中之Cu蝕刻速率 (A/min) NMP中之Cu蝕刻速率 (A/min) 空白：單乙醇胺(MEA) > 100 >100 單乙醇胺+丙酮 192.3 單乙醇胺+曱醛 19.3(使用 NMP:DM SO之2:1混合物） 單乙醇胺+乙二醛 33.3(使用NMP:DMSO之2:1混合物） 單乙醇胺+ 1-羥基-2-丙 酮 1.1 1.5 單乙醇胺+1，2-二羥基丙 酮 4.7 1.0 單乙醇胺+2,3-戊二酮 10.4 5.1 單乙醇胺+4-羥基-4-曱 基2-戊酮 267.1 本發明組合物提供與已知含氟化物之微電子清洗組合物 類似的光阻或電漿或蝕刻殘留物自微電子裝置之清洗，但 無使用已知含氟化物之清洗組合物所遭遇的顯著銅腐蝕。 較佳之本發明清洗組合物含有約1.74重量份果糖與單乙醇 胺之寡聚或聚合共輛物，約0.06重量份氟化銨及約98.2重 量份水。 128376.doc -21 - 200925268 儘管本文已參考本發明之特定實施例 瞭解可不悖離本文所揭示 ,L發明，但應 發月概念的精神及範疇下作出 卩、> 正及變化。因此’意欲涵蓋所有該等在所附申請 專利範圍之精神及範_内之改變、修正及變化。
Ο 128376.doc **22-

Claims (1)

  1. 200925268 十、申請專利範圍： 1. 一種水性或半水性含氟化物之微電子清洗組合物，其含 有：⑷至少一種提供氣離子之氟化合物，⑻至少一種: 羥基羰基化合物與胺或銨化合物之"棕&，,寡聚或聚合:~ 軛物，及（C)水。 σ ^ ,2.如〖凊求項1之組合物，其中該（X-羥基羰基化合物為式 R CH(〇H)CQR2化合物，其中Ri及r2#獨立地選自由η、 月曰族基團及環狀基图組成之群。 ❽3. >請求項2之組合物，其中在該α·羥基羰基化合物中，ri 及R2係獨立地選自由Η、CH3及（CH2)nCH3組成之群，其 中η為0至20之整數，且該α•羥基羰基化合物與胺或銨化 δ物之寡聚或聚合共輛物在約3〇〇至330 nm處具有吸收 峰’且該吸收峰在約600至800 nm處開始。 4. 如請求項1之組合物，其中該心羥基羰基化合物為選自由 阿拉伯糖（arabinose)、來蘇糖（lyx〇se)、核糖、去氧核 ◎ 糖、木糖、核酮糖、木酮糖、阿洛糖（all〇se)、阿卓糖 (altrose)、半乳糖、葡萄糖、古洛糖（gUi〇se)、艾杜糖 (idose)、甘露糖、果糖、阿洛酮糖、山梨糖、塔格糖 (tagatose)、甘露庚酮糖、景天庚酮糖、辛酮糖 ' (octulose)、2-酮基-3-去氧-甘露-辛酸酯及唾液糖 (sialose)組成之群之單醣，且該α_羥基羰基化合物與胺 或銨化合物之寡聚或聚合共軛物在約300至330 nm處具 有吸收峰，且該吸收峰在約600至800 nm處開始。 5. 如請求項1之組合物，其中該α_羥基羰基化合物與胺或銨 128376.doc 200925268 化合物之寡聚或聚合共軛物為果糖與單乙醇胺之共耗 物。 6. 如請求項5之組合物，其中該果糖與單乙醇胺之寡聚或 聚合共軛物在約300至330 nm處具有吸收峰，且該吸收 峰在約6〇〇至800 nm處開始。 7. 如請求項6之組合物，其中該共軛物係藉由將果糖與單 乙醇胺一起在至少70 t之溫度下加熱至少3小時而製 8. 如請求項丨之組合物，其包含氟化銨作為氟化合物。 9. 如請求項5之組合物，其包含氟化銨作為氟化合物。 10. 如請求項9之組合物，其中該組合物額外包含氫氧化 锻。 11. 如咕求項1之組合物，其中該組合物之pH值為約pH 7至 約 PH 10.8 〇 12. 如吻求項5之組合物，其中該組合物之值為約7至 約 PH 10.8 〇 13. 如咕求項！之組合物，其包含約〇 〇〇〇ι至約1〇重量％氟化 物組份；約（M至約20重量％募聚或聚合共軛物組份，及 約10至約99.9重量％水。 14. 如吻求項5之組合物，其包含約〇 5至約1重量％氟化物組 伤，約3至約7重量％果糖與單乙醇胺之募聚或聚合共軛 物組份，及約85至約96.5重量％水。 15. 如請求項丨之組合物，其額外包含選自由界面活性劑、 無金屬離子之鹼、極性可與水混溶之有機溶劑、多元醇 128376.doc 200925268 及金屬聲合劑組成之群的一或多種組份。 16.如吻求項5之組合物，其額外包含選自由界面活性劑、 無金屬離子之驗、極性可與水混溶之有機溶劑、多元醇 及金屬t合劑組成之群的一或多種組份。 ‘ 17·如吻求項5之組合物’其包含約1.74重量份果糖與單乙醇 胺之寡聚或聚合共軛物，約〇〇6重量份氟化銨及約982 重量份水。 ❾ 18.如清求項1之組合物’其中該棕色共軛物具有約0,5 eV或 更低之能帶隙。 19. 如咐求項5之組合物，其中該棕色共軛物具有約ο」或 更低之能帶隙。 20. —種自微電子基板清洗光阻、污染物或蝕刻或灰份殘留 物之方法’其包含使該微電子基板與清洗組合物在足以 移除光阻、污染物或餘刻或灰份殘留物之溫度及時間下 接觸，其中該清洗組合物含有：（a)至少一種提供氟離子 Q 之氟化合物，（b)至少一種α-羥基羰基化合物與胺或銨化 合物之"棕色”募聚或聚合共軛物，及（c)水。 21. 如請求項20之方法，其中該心羥基羰基化合物為式 R CH(OH)COR2化合物，其中Ri&R2係獨立地選自由η、 * 脂族基團及環狀基團組成之群。 22. 如請求項20之方法，其中該心羥基羰基化合物為選自由 阿拉伯糖、來蘇糖、核糖、去氧核糖、木糖、核酮糖、 木酮糖、阿洛糖、阿卓糖、半乳糖、葡萄糖、古洛糖、 艾杜糖、甘露糖、果糖、阿洛酮糖、山梨糖、塔格糖、 128376.doc 200925268 甘露庚酮糖、景天庚酮糖、辛輞糖、2_酮基_3_去氧-甘 露-辛酸酯及唾液糖組成之群之單醣，且該α_羥基羰基化 合物與胺或銨化合物之寡聚或聚合共軛物在約300至33〇 nm處具有吸收峰，且該吸收峰在約6〇〇至8〇〇 處開 始0 23·如請求項20之方法，其中該α-羥基羰基化合物與胺或銨 化合物之募聚或聚合共輛物為果糖與單乙醇胺之共扼 物，且在約300至330 nm處具有吸收峰，且該吸收锋在 約600至800 nm處開始。 24.如請求項23之方法，其中該共軛物係藉由將果糖與單乙 醇胺一起在至少70°C之溫度下加熱至少3小時而製備。 25·如請求項24之方法，其中該組合物含有氟化銨作為氟化 合物且該組合物具有約pH 7至約pH 1〇_8之pH值，且該共 輛物具有約0.5 eV或更低之能帶隙。 ❹ 128376.doc 200925268 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）
    128376.doc
TW097103555A 2007-12-06 2008-01-30 Fluoride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction TW200925268A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US99276507P 2007-12-06 2007-12-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200925268A true TW200925268A (en) 2009-06-16

Family

ID=40303916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097103555A TW200925268A (en) 2007-12-06 2008-01-30 Fluoride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP2009141310A (zh)
KR (1) KR20090060103A (zh)
CN (1) CN101452227A (zh)
SG (1) SG152961A1 (zh)
TW (1) TW200925268A (zh)
WO (1) WO2009073588A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009001486A1 (de) * 2009-03-11 2010-09-16 Henkel Ag & Co. Kgaa Biologisch abbaubare Buildersubstanzen und Co-Tenside
US9536730B2 (en) 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
WO2017023348A1 (en) * 2015-08-06 2017-02-09 Kyzen Corporation Water tolerant solutions and process to remove polymeric soils and clean micro electronic substrates
JP6808730B2 (ja) * 2016-06-03 2021-01-06 富士フイルム株式会社 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法
JP6495230B2 (ja) * 2016-12-22 2019-04-03 花王株式会社 シリコンウェーハ用リンス剤組成物
KR20200042900A (ko) * 2017-08-22 2020-04-24 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 세정 조성물
US11339302B2 (en) * 2019-09-03 2022-05-24 Nch Corporation Composition and method for removing a coating from a surface
KR102192954B1 (ko) * 2020-03-26 2020-12-18 동우 화인켐 주식회사 고분자 세정용 조성물
CN113161234B (zh) * 2021-04-27 2023-02-17 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟清洗液组合物的应用

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR9305878A (pt) * 1992-02-13 1997-08-19 Torf Ets Compostos e produtos de reação de amadori processo para sua fabricação e seu uso
US5567574A (en) * 1995-01-10 1996-10-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Removing agent composition for photoresist and method of removing
WO1998030667A1 (en) * 1997-01-09 1998-07-16 Advanced Technology Materials, Inc. Semiconductor wafer cleaning composition and method with aqueous ammonium fluoride and amine
US6755989B2 (en) * 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning

Also Published As

Publication number Publication date
CN101452227A (zh) 2009-06-10
WO2009073588A1 (en) 2009-06-11
JP2009141310A (ja) 2009-06-25
KR20090060103A (ko) 2009-06-11
SG152961A1 (en) 2009-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200925268A (en) Fluoride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
ES2335786T3 (es) Composiciones de limpieza para sustratos microelectronicos.
JP4758055B2 (ja) マイクロエレクトロニクス基板洗浄用の安定化アルカリ性組成物
US7928046B2 (en) Stripping and cleaning compositions for microelectronics
ES2282453T3 (es) Composicion de limpieza alcalina sin amoniaco que presentan una mejor compatibilidad con substratos destinados a elementos microelectronicos.
TWI330766B (en) Microelectronic cleaning and arc remover compositions
JP4750807B2 (ja) 半導体基材用洗浄剤
US8178482B2 (en) Cleaning compositions for microelectronic substrates
TW200428512A (en) Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing
ZA200603387B (en) Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors
TWI297725B (en) Non-corrosive cleaning compositions for pemoving etch residues
KR20160097201A (ko) 표면 잔류물 제거용 세정 제형
TWI417683B (zh) 用於微電子基板之穩定化，非水性清潔組合物
TWI292437B (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
TW200925800A (en) Fluoride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
TWI784995B (zh) 洗淨液及製造其之方法
TWI758386B (zh) 洗淨液、防腐蝕劑、及製造該等之方法
JP4565741B2 (ja) マイクロエレクトロニクス基板洗浄用珪酸塩含有アルカリ組成物
TWI748369B (zh) 用於鋁氮化物的蝕刻溶液及方法
TWI354020B (en) Stripping and cleaning compositions for microelect
TWI732885B (zh) 用於含鋁之微電子基板的清潔組合物