200925108 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用在涵蓋於切削工具、電極材料 、散熱材料等之多方面之領域且鑽石被覆於碳質或石墨質 之基材的碳材料。 【先前技術】 © [背景技術] 鑽石係在其強度、熱傳導率、耐藥品性等，具備有意 義之特性，成爲對於以發揮這些物性之工業材料爲主之應 用展開之潛在性非常高之材料。CVD鑽石係由發現其成 膜方法開始很久，已經活躍於主要以切削、硏削加工用爲 首而涵蓋於（電子零件零件之）散熱基板或（工作於過度 嚴酷環境）感測器、光學窗材、（基本粒子物理學實驗之 )檢測器、揚聲器之振動板等之多方面之領域，來作爲工 ® 業用途，在今後還期待擴大用途。 工業用途之鑽石之製作方法係大致分成爲2種，分成 ' 爲一種係藉由對於成爲鑽石原料之石墨來賦予高溫高壓而 -由石墨轉化成爲鑽石之模擬自然界之鑽石生成之方法之靜 態高壓合成法，另一種係使得作爲鑽石構成元素之碳由來 之原料成爲氣體狀態，經驗以透過電磁波或發熱體之激發 、分解爲首之化學反應，在基板上，再構築成爲鑽石之方 法之氣相法。 在列舉氣相法之代表性方法時，列舉電漿CVD ( 200925108 P1 a s m a - a s s i s t e d C h e m i c a 1 V a p 〇 r D e p 0 s i t i ο η :電槳輔 學氣相沉積）法以及熱纖維絲 CVD ( HFCVD ：
Filament Chemical Vapor Deposition:熱纖維絲化學 沉積）法和燃燒焰（Chamber flame )法’但是’任 種方法係也使得在氣相空間之分子之分解•激發手段 在電漿中之電子、離子、自由基種類或發熱體、或者 能而不同於能量之賦予方式。 〇 藉由相同方法而合成之鑽石係表現膜狀形態，以 被覆材之表面形狀之形式，來得到鑽石。此外’可以 選定成爲原料之氣體種類而在膜中，含有（摻雜）硼 、氮等之不純物，導入這些元素之膜係呈電氣地顯示 體之舉動，隨著含有量之增加而終於不久改變對於導 性質。 但是，在各種基材上成膜CVD鑽石之際，於基 CVD鑽石之間，發現熱膨脹係數差成爲問題，在成 Ο 膜對象之基材和CVD鑽石之間存在過度之熱膨脹係 之狀態下，於降低在成膜調製後之溫度之步驟，膜係 * 基材，對於壓縮或拉引方向而承受應力，以致於剝離 - 向來，作爲解決此問題之手段係檢討藉由粗化基 表面而對於鑽石膜進行及保持機械式固定之方法等， 爲提高CVD鑽石膜和基材間之附著力之工夫。例如 藉由CVD法而在基材上形成鑽石膜之方法係正如下 專利文獻1所記載的，進行在藉由噴砂處理來粗化基 面而產生之凹凸上，形成以CVD法之所造成之膜之 助化 Hot 氣相 何一 藉由 是熱 轉印 藉由 或碟 半導 體之 材和 爲成 數差 對於 〇 材之 來作 作爲 列之 材表 方法 200925108 。藉由該方法而以轉印凹凸面之形式，來形成膜，在增加 接觸面積時，同時，基材係對於膜，以打擊楔之形式，來 進行固定（增黏），提高膜和基材間之附著力。藉由該方 法之所造成之處理係希望能夠防止以由於膜和基材間之熱 膨脹係數差之所造成之膜伸縮作爲原因之剝離或破裂之發 生，實踐成爲非常有用之表面處理方法。 [專利文獻1]日本特開2005-224902號公報 〇 【發明內容】 [發明之揭示] [發明所欲解決之課題] 但是，在以前述之習知方法所製造之材料，存在因爲 原料氣體來蝕刻之基材之存在等之僅在固定而無法解決之 問題。具體地說，在使用和膜之熱膨脹係數也不太相差懸 殊之基材或者是在成膜CVD鑽石之際之爐內氣氛而對於 ® 藉由氫之所造成之還原氣氛呈微弱之材料之狀態下，產生 高於固定效果之力之應力，或者是由於優先地蝕刻形成之 ' 凹凸等之意外而剝離形成之膜。 - 本發明係爲了解決前述之問題而完成的，其目的係提 供一種鑽石對於基材呈穩定地附著的成膜方法以及鑽石呈 穩定地附著於基材的材料。 [用以解決課題之手段] 本發明之碳材料係具備：碳質或石墨質之基材、形成 200925108 於前述基材表面且鑽石粒子之一部分埋設於前述基材而含 有前述鑽石粒子之緩衝層、以及形成於前述緩衝層上之導 電性鑽石層。此外，作爲其他觀點係本發明之碳材料具備 :碳質或石墨質之基材、形成於前述基材表面且含有金屬 碳化物之緩衝層、以及形成於前述緩衝層上之導電性鑽石 層，前述金屬碳化物之金屬係與碳反應而形成金屬碳化物 且對於固溶之碳不產生觸媒石墨作用的金屬。 〇 在藉由本發明時，透過緩衝層而形成導電性鑽石層。 藉此而使得基材和形成於其上面之導電性鑽石層，以具有 化學鍵之狀態，來進行附著，因此，發揮比起向來還更加 牢固之附著力，導電性鑽石層呈穩定地附著於基材。 此外，最好是前述之鑽石粒子係具有結晶性同時在X 射線繞射，具有0.3 5 7nm以下之格子常數。特別最好是格 子常數爲 〇.35 68nm以下。此外，最好是使用起因於 Raman分光測定之鑽石格子振動所造成之波峰之半寬度爲 β 5 OcrrT1以下之鑽石粒子。可以藉此而發揮更加牢固之附著 力，可以藉由基材而穩定地附著導電性鑽石層。此外，在 ' 使用具備格子常數大於〇.3 5 7nm之結晶格子或者是具有波 -峰之半寬度大於50cm·1之半寬度之結晶性之鑽石粒子之 狀態下，容易在緩衝層和鑽石層之界面’產生缺陷，容易 成爲層間附著力之降低原因。 此外，前述鑽石粒子之粒徑係最好是以下。 藉此而以基材來牢固地附著緩衝層。在使用粒徑大於1〇〇 //m之鑽石粒子之狀態下，容易由基材來剝離緩衝層。此 -8 - 200925108 外，前述鑽石粒子之粒徑係特別最好是lOym。 本發明之碳材料之製造方法係具有：鑽石粒子之一部 分埋設於由碳質或石墨質所組成之基材表面而在前述之基 材表面形成含有前述鑽石粒子之緩衝層之緩衝層形成步驟 、以及在前述緩衝層上形成導電性鑽石層之導電性鑽石層 形成步驟。可以藉此而使得導電性鑽石層呈穩定地附著於 基材。 © 此外，最好是在前述之導電性鑽石層形成步驟，藉由 氣相成長法而形成前述之導電性鑽石。特別最好是前述之 氣相成長法係藉由在碳源氣體中，包含50000ppm以下之 由氮、硼和磷所組成之群組來選出之至少一種之導電性賦 予元素之氣體而進行。可以藉此而以基材來穩定地附著導 電性鑽石層。 [發明之效果] 在藉由本發明時，可以製造能夠使得鑽石膜呈穩定地 附著於基材同時鑽石膜穩定地附著於基材的碳質材料° 【實施方式】 [發明之最佳實施形態] 在以下，就本發明之理想之實施形態而參照圖式’並 且，進行說明。 <第1實施形態> -9- 200925108 在此，關於本發明之碳材料之第1實施形態而進行說 明。圖1係藉由本發明之第1實施形態所造成之碳材料之 剖面示意圖。 碳材料10係具備：基材1、形成於基材1表面之緩 衝層2以及形成於緩衝層2上之導電性鑽石層3，由這些 之3層構造所組成。基材1係碳質或石墨質之基材。緩衝 層2係含有具備結晶性之複數個鑽石粒子4，鑽石粒子4 Ο 之各個之至少一部分埋設於基材1。 緩衝層2之鑽石粒子4係粒徑爲100 以下之鑽石 粒子4。此外，在使用粒徑大於1〇〇“1!1粒徑之鑽石粒子 4之狀態下，限定爲均勻地設置鑽石粒子4至基材1上之 方法，同時，起因於鑽石粒子4之大小之所造成之鑽石粒 子4間之空隙變大，因此，在導電性鑽石層3之成膜之際 ，C V D鑽石係完全掩埋空隙，所以，優先地開始進行成 膜，作爲緩衝層之功能變得稀薄，容易由基材來剝離緩衝 ® 層。此外，鑽石粒子4之粒徑係特別最好是1 〇 // m以下 〇
• 此外，緩衝層2之鑽石粒子4之結晶性係可以藉由X -射線繞射（在以下，表示爲XRD。）以及Raman分光測 定而進行辨識，本實施形態之鑽石粒子4係藉由XRD所 造成之格子常數爲0.3 5 7nm以下，起因於Raman分光測 定之鑽石格子振動之所造成之波峰之半寬度爲5 OcnT1以 下。此外，在使用藉由 XRD所造成之格子常數大於 0.357nm或者是起因於Raman分光測定之鑽石格子振動之 -10- 200925108 所造成之波峰之半寬度大於SOcnr1之鑽石粒子4之狀態 下’在緩衝層2和導電性鑽石層3之界面，產生缺陷，成 爲層間附著力之降低之原因。此外，藉由XRD所造成之 格子常數係特別最好是0.3 5 6 8 nm以下。 接著’說明碳材料10之製造方法。首先，複數個鑽 石粒子4埋設於基材1而形成緩衝層2。在此，鑽石粒子 4設置於基材1上之方法係列舉：藉由噴砂之所造成之鑽 © 石粉末吹附至基材1之吹附或者是在碳化良品率低之溶媒 中分散鑽石粉末而透過塗佈後熱處理來添合鑽石粒子4至 基材1等之方法。像這樣鑽石粒子4之一部分埋設於基材 1之表面，緩衝層2形成於基材1之表面上。接著，在緩 衝層2上，形成導電性鑽石層3。導電性鑽石層3係藉由 氣相成長法（CVD)而形成。氣相成長法係藉由在碳源氣 體中，包含50000ppm以下之由氮、硼和磷所組成之群組 來選出之至少一種之導電性賦予元素之氣體而進行。此外 ® ，氣相成長法係即使是一般進行之條件，也可以進行。 在此時重要者係緩衝層2之鑽石粒子4包埋於基材1 ' 之內部而由基材1來露出一部分之構造，在鑽石粒子4和 - 基材1之間，透過物理之附著力而進行接合。在對於進行 前述處理之基材1而成膜鑽石層3之時，鑽石粒子4係發 揮作爲種結晶之功能，藉由以設置成爲緩衝層2之鑽石粒 子4，作爲起點，呈部分地進行磊晶成長’而使得緩衝層 2和鑽石層3進行一體化，同時，成爲CVD反應，因此 ，鑽石層3係到達至基材1爲止。接著’使用於緩衝層2 -11 - 200925108 之鑽石粒子4間係也還藉由鑽石膜3而進行接合’形成牢 固之鑽石膜，結果，基材1、緩衝層2和導電性鑽石層3 之間係具有牢固之附著力。 本實施形態之碳材料10係透過緩衝層2而形成導電 性鑽石層3，因此，基材1和形成於其上面之導電性鑽石 層3係以具有化學鍵之狀態，來進行附著’發揮比起向來 還更加牢固之附著力’導電性鑽石膜3呈穩定地附著於基 ❹ 材1。 此外，含有於緩衝層2之鑽石粒子4係具有結晶性’ 同時，在X射線繞射，具有0.3 5 7nm以下之格子常數’ 起因於Raman分光測定之鑽石格子振動之所造成之波峰 之半寬度爲50cm·1以下，因此，能夠發揮更加牢固之附 著力，使得導電性鑽石層3更加穩定地附著於基材1。 此外，含有於緩衝層2之鑽石粒子4之粒徑係100 以下，因此，緩衝層2係藉由基材1而牢固地附著。 ® 此外，可以藉由鑽石粒子4之一部分埋設於基材1來 形成緩衝層2並且在緩衝層上形成導電性鑽石層之製造方 ' 法，而製造能夠在基材1穩定地附著導電性鑽石層3同時 - 導電性鑽石層3穩定地附著於基材1的碳材料1。此外， 形成導電性鑽石層之步驟係藉由使用包含50〇〇〇ppm以下 之由氮、硼和磷所組成之群組來選出之至少一種之導電性 賦予元素之氣體之氣相成長法而進行，因此，可以藉由基 材1而穩定地附著導電性鑽石層3。 -12- 200925108 <第2實施形態> 接著，關於本發明之碳材料之第2實施形態而進行說 明。圖2係藉由本發明之第2實施形態所造成之碳材料之 剖面示意圖。此外’分配第1實施形態之碳材料1〇之圖 號1和3之各部分以及分配本實施形態之圖號21和23之 各部分係依序地相同而省略說明。 本實施形態之碳材料20係緩衝層22含有金屬碳化物 © 之方面，不同於第1實施形態之碳材料10。 使用之金屬粉末之粒徑係最好是100#m以下。此外 ，在使用粒徑大於l〇〇"m之金屬粉末之狀態下，限定爲 均勻地設置材料至基材21上之方法，同時，在熱處理之 際，形成之緩衝層22變厚而容易由基材來剝離。此外， 在基材21上添合金屬粉末之方法係相同於第1實施形態 之鑽石粉末添合於基材上之方法，藉由對於添合後之基材 21，進行熱處理，直到金屬之熔點爲止，而在基材21和 〇 緩衝層22之間，形成化合物，接合基材21和緩衝層22 〇 在此，就基材21和緩衝層22之接合而具體地進行說 _ 明。在基材21上添合金屬粉末之後，進行熱處理，金屬 熔融於基材21上，形成和基材21之化合物（金屬碳化物 )。在此時，使用之金屬係採用與碳反應而形成金屬碳化 物且對於固溶之碳不產生觸媒石墨作用的金屬，例如最好 是成爲形成碳化物之材料之矽、鎢、鉅和二氧化矽等。 在藉由以前述之方法而在基材21上形成金屬碳化物 -13- 200925108 來形成之緩衝層22之上而成膜導電性鑽石膜23之狀態下 ，首先成爲原料氣體之碳源氣體和基材21界面之緩衝層 22發生反應，形成金屬碳化物。然後，導電性鑽石膜23 係透過形成之金屬碳化物（緩衝層22)而進行成長，緩 衝層22和導電性鑽石膜23之間係進行透過牢固之共價鍵 之接合。 像這樣基材1和緩衝層2之間係形成金屬碳化物（金 ❹ 屬化合物），藉由透過共價鍵之牢固之化學鍵而進行附著 ，導電性鑽石膜23和緩衝層22之間係形成金屬碳化物， 造成透過相同於前面敘述之共價鍵之附著力。結果，能夠 得到具有由基材2 1開始透過緩衝層22而直到導電性鑽石 膜23爲止之牢固之附著力的導電性鑽石被覆基材（碳質 材料20)。 此外’本實施形態之碳質材料之製造方法係除了不同 於前述緩衝層22之製造步驟以外，其餘係相同於第1實 ® 施形態之同樣方法，因此，省略說明。 本實施形態之碳材料20係具備前述之構造，因此， _ 得到相同於第1實施形態之碳材料1 0之同樣效果。 [實施例] 接著，使用實施例而進行說明。 (實施例1 ) 在被覆基材，使用石墨基材分切成爲20x20x2tmm尺 -14- 200925108 寸者。調製在濃度調製成爲2%之聚乙烯醇溶媒來添加以 靜態高壓合成法之所製作之粒徑〇.5#m之鑽石粉末1體 積％的溶液，藉由旋轉數5 000rpm之旋轉塗佈法而均勻地 塗佈於前述之基材。然後，在真空加熱爐內，進行1〇〇〇 °C、1小時之熱處理，除去成爲溶媒之聚乙烯醇溶媒，得 到添合含有鑽石粒子之緩衝層之CVD鑽石被覆用基材。 在導電性鑽石層之成膜，採用熱纖維絲CVD法，在 〇 構件之表面，進行導電性鑽石膜之成膜。在纖維絲，使用 鉅素線，爐內之構件和纖維絲間之距離係配置成爲5mm 〇 此外，原料氣體係以氫來搬送且作爲碳源氣體之乙醇 蒸氣和氫，導入乙醇蒸氣而相對於全氣體流量成爲1體積 %，爐內之壓力保持在50T〇rr(6650Pa)。在CVD鑽石 之合成時，以纖維絲溫度2000°C、基材溫度750°C之狀態 ，保持18小時，在構件之表面，進行導電性鑽石膜之成 © 膜。 成膜之基材係在Raman分光測定，觀察起因於鑽石 ' 之所造成之在1 3 32CDT1具有波峰之光譜，確認在基材之 - 表面存在有鑽石膜。在1 3 32(:1^1觀察之波峰之半寬度係 lScrrT1。藉由SEM而進行觀察，結果，得到之鑽石膜係 具有粒徑大約之多結晶體，藉由剖面觀察而得知膜 厚成爲5#m。在基材上製作之鑽石膜之附著力之測定， 於針負載荷重，進行刮痕，使用以在剝離膜時之負載荷重 來作爲附著力之刮痕測試而進行測定，結果，以5 5 0 g之 -15- 200925108 荷重來剝離膜。 (實施例2) 在被覆基材，使用石墨基材分切成爲20x20x2tmm尺 寸者。對於前述之基材，進行使用以靜態高壓合成法來製 作之粒徑〇. 5 ( V m )之鑽石粒子作爲噴砂顆粒之噴砂處 理，得到添合含有鑽石粒子之緩衝層之CVD鑽石（導電 ® 性鑽石層）被覆用基材。 在成膜，採用熱纖維絲CVD法，在前面敘述得到之 基材表面，進行導電性鑽石膜之成膜。在纖維絲，使用钽 素線，爐內之構件和纖維絲間之距離係配置成爲5mm。 原料氣體係以氫來搬送且作爲碳源氣體之乙醇蒸氣和氫， 導入乙醇蒸氣而相對於全氣體流量成爲1體積％，爐內之 壓力保持在50Torr( 6650Pa)。在CVD鑽石之合成時， 以纖維絲溫度2000°C、基材溫度750 °C之狀態，保持18 ® 小時，在基材（緩衝層）之表面，進行導電性鑽石膜之成 膜。 ' 在得到之基材之Raman分光測定，觀察起因於鑽石 - 之所造成之在1 3 32CHT1具有波峰之光譜，確認在基材之 表面存在有導電性鑽石膜。在1332CHT1観察之波峰之半 寬度係19cm·1。藉由SEM而進行觀察，結果，得到之導 電性鑽石膜係具有粒徑大約l^m之多結晶體，藉由剖面 觀察而得知膜厚成爲4.8// m。 在基材上製作之導電性鑽石膜之附著力之測定’於針 -16- 200925108 負載荷重，進行刮痕，使用以在剝離膜時之負載荷重來作 爲附著力之刮痕測試而進行測定，結果，以400g之荷重 來剝離膜。 (實施例3 ) 在被覆基材，使用同等於實施例1列舉之基材之同等 者。對於前述之基材，調製在調製成爲濃度2%之聚乙烯 Ο 醇溶媒來添加以靜態高壓合成法之所製作之粒徑1 0.0 # m 之鑽石粉末1體積％的溶液，在該溶液，浸漬基材，藉由 超音波洗淨而嘗試10分鐘之鑽石粒子之添合處理。 在對於得到之基材來進行100°c、60分鐘之乾燥後， 在真空加熱爐內，進行600 °c、1小時之熱處理，除去成 爲溶媒之聚乙烯醇，得到添合含有鑽石粒子之緩衝層之 CVD鑽石被覆用基材。在對於基材上之導電性鑽石膜之 調製，使用熱纖維絲CVD法，進行成膜。作爲纖維絲係 ® 使用鎢，配置基材而使得基材和纖維絲間之距離成爲 8mm之狀態。作爲原料氣體係在基礎氣體導入氫氣，在 ‘ 碳源氣體導入甲烷氣體，相對於氫氣而成爲1體積％，作 -爲摻雜氣體係以相對於碳源而B/ C比値成爲lOOOppm之 比率來導入三甲基硼氣體，總流量成爲5公升/分鐘。以 纖維絲2400°C、爐內壓力50Torr之狀態，使得成膜時間 成爲8小時，進行導電性鑽石膜對於基材上之成膜。在此 時，以纖維絲之輻射熱，來升溫基材，設置於基材下部之 熱電偶之溫度係顯示7 5 0 °C。 -17- 200925108 進行藉由前述之操作而製作之構件表面之Raman分 光分析’結果，在1 3 3 3 cm·1觀察起因於鑽石之所造成之 波峰，確認以導電性鑽石膜來覆蓋構件之表面。此外，藉 由SEM而進行表面形態觀察，結果得知··得到之膜係由 具有粒徑大約1 V m之自有形狀之鑽石粒所組成之多結晶 膜。 在基材上製作之鑽石膜之附著力之測定，於針負載荷 ❹ 重，進行刮痕，使用以在剝離膜時之負載荷重來作爲附著 力之刮痕測試而進行測定，結果，以45 0g之荷重來剝離 膜。 (實施例4) 在被覆基材，使用同等於實施例2列舉之基材之同等 者。進行使用以靜態高壓合成法來製作之平均粒徑50( 作爲噴砂顆粒之噴砂處理，得到添合含有鑽石粒子 Ο 之緩衝層之CVD鑽石被覆用基材。 在對於基材上之導電性鑽石膜之調製，使用熱纖維絲 * CVD法，進行成膜。作爲纖維絲係使用鎢，配置基材而 - 使得基材和纖維絲間之距離成爲8mm之狀態。作爲原料 氣體係在基礎氣體導入氫氣，在碳源氣體導入甲烷氣體， 相對於氫氣而成爲1體積％，作爲摻雜氣體係以相對於碳 源而B/C比値成爲lOOOOppm之比率來導入三甲基硼氣 體，總流量成爲5公升/分鐘。以纖維絲2400 °C、爐內 壓力50T〇rr之狀態，使得成膜時間成爲8小時，進行鑽 -18- 200925108 石膜對於基材上之成膜。在此時，以纖維絲之輻射熱，來 升溫基材，設置於基材下部之熱電偶之溫度係顯示800°c 〇 進行藉由前述之操作而製作之構件表面之Raman分 光分析，結果，在1 3 3 3 (^1^1觀察起因於鑽石之所造成之 波峰，確認以導電性鑽石膜來覆蓋構件之表面。此外，藉 由SEM而進行表面形態觀察，結果得知：得到之膜係由 〇 具有粒徑大約1 m之自有形狀之鑽石粒所組成之多結晶 膜。 在基材上製作之導電性鑽石膜之附著力之測定，於針 負載荷重，進行刮痕，使用以在剝離膜時之負載荷重來作 爲附著力之刮痕測試而進行測定，結果，以45 0g之荷重 來剝離膜。 (實施例5 ) 使用相同於實施例2之同樣基材，進行下列之操作而 嘗試緩衝層之形成。量取粒徑150/zm之矽粉lg，分散於 基材上，在1 500°C、50Torr之真空加熱爐內，嘗試1小 時之熱處理。在藉由前述處理所得到之基材上，以相同於 實施例1之條件，來進行CVD鑽石膜（導電性鑽石膜） 之成膜。 在成膜後，進行得到之基材之Raman分光分析，結 果，在1 3 3 2CHT1觀察具有隨著半寬度lScnT1之波峰之光 譜，確認在基材表面存在有導電性鑽石膜。藉由SEM而 -19- 200925108 進行表面觀察，結果得知：形成由具有粒徑大約1 自有形狀之鑽石粒子所組成之多結晶膜。 (比較例1 ) 在被覆基材，使用相同於實施例1之同樣基材 由靜態高壓合成法之所得到之具有150"m粒徑之 子，作爲噴砂顆粒，進行噴砂處理，嘗試含有鑽石 〇 緩衝層對於基材表面之形成。對於藉由前述之操作 之基材，依循同等於實施例1之程序，嘗試CVD (導電性鑽石膜）對於基材上之形成。在經過設置 應時間之1 8小時後，在降低纖維絲之溫度而由爐 出時，於基材上，並無形成導電性鑽石膜，僅得到 基材。 (比較例2) 被覆基材係使用鎳板分切成爲2〇X2〇X2tmm尺 仿效實施例2，在對於基材上而進行鑽石粒子之設 設）後，使用相同於實施例1、2之同樣方法，在 ，嘗試CVD鑽石膜（導電性鑽石膜）之成膜。成 成爲18小時，在仍然直接進行安裝及觀察時，在 表面，生成石墨粉，並無看到導電性鑽石膜之成長 (比較例3 ) 在被覆基材，使用石英板（Si〇2)分切成爲 μ m之 ，以藉 鑽石粒 粒子之 所得到 鑽石膜 成爲反 子來取 粗化之 寸者。 置（埋 基材上 膜時間 基材之
2 0 X 2 0 X -20- 200925108 2tmm尺寸者。仿效實施例2，在嘗試鑽石粒之添合後， 使用相同於實施例1、2之同樣方法，在基材上，嘗試 CVD鑽石膜之成膜。但是，成膜時間結束，在降低纖維 絲溫度之途中，剝離膜而飛散。 此外，本發明係可以在不脫離申請專利範圍之範圍內 而進行各種之變更，並非限定在前述之實施形態或實施例 〇 【圖式簡單說明】 圖1係藉由本發明之第1實施形態所造成之碳材料之 剖面示意圖。 圖2係藉由本發明之第2實施形態所造成之碳材料之 剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 1 :基材 2 :緩衝層 3 :導電性鑽石層 4 :鑽石粒子 10 :碳材料 20 :碳材料 21 :基材 22 :緩衝層 23 :導電性鑽石層 -21 -