TW200920593A - Compositions and methods for creating electronic circuitry - Google Patents

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200920593 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致係關於用於印刷電路材料之傳導路徑圖宰之 製造。更特定而言，本發明之方法和材料係關於一種藉 雷射或相似類型能量射束燒勉之非光刻圖案化，其中: 蚀系統最終產生相對上不含碎屑引發之過度電鑛缺陷⑽ 燒蝕過程相關之碎屑）和完全加 、 陷之電路特徵。 力成電錢引發之過度電錄缺 【先前技術】 印刷電路板（PCB)—般包括支援呈為料應用而設計之 圖案之料f層（通常相）之崎純（例如，經玻璃纖維 強化之環氧薄膜或聚醯亞胺薄膜)。圖案化導電層(也稱為 印刷電路)為在不同電組件如 及其他電子裝置之間傳送電…“、積體電路 間傳达電恩和電流之構件。電路圖案 (即佈線組態般係藉由傾向於相當複㈣昂貴的光_ 方法生產。因此，若可使用替代的非光刻方法更簡單及/ 或更經濟地將圖像資料轉移至電路板上將是有利的。 在含可活化填料之電路板的雷射圖案化製程期間，在圖 案化製程期間會由燒餘產生碎屑。一些碎屬會沉積在介電 或絕緣基材之表面上。在電鑛步驟期間，表面上之活化碎 肩會被金屬化。導電特徵之變化尺寸會導致給定電鍍時間 ㈣電鑛不；ί或過度電錄。會發生過度電鍵而產生不清潔 之迹線或路徑。 、 有需要消除在線路和空間中的過度電鍍。過度電鑛會使 I33021.doc 200920593 電荷可沿不同於預期的路徑流動’從而導致短路。 【發明内容】 本發明係關於一種具有絕緣基材和覆蓋層之印刷電路板 前驅體。絕緣基材包含絕緣聚合基質材料。絕緣聚合基質 材料包括下列之·一或多者： 聚酿亞胺、 經玻璃纖維強化之環氧樹脂、 本齡-甲酸·、 環氧樹脂、 經矽石填充之環氧樹脂、 雙馬來醯亞胺樹脂、 雙馬來酿亞胺三嗪、 含既聚合物、 聚酯、 聚苯趟/聚苯醚樹脂、

聚丁二稀/聚異戊二稀可交 合物、 邱J文聯樹脂和其共聚物、液 聚酿胺、 氰酸酯、 氧化鋁、 矽石、及 任何前述材料之組合。 化填料。可活化填 於基質材料中並在 〜小竹竹運一步包括金屬氧— 料係以介於3 $ 0/ 、J至60 wt°/0之間之^ 133021.doc 200920593 至少一維度中具有50到10000 nm之平均尺寸。印刷電路板 前驅體之覆蓋層具有介於和包括〇5至5〇〇微米之間之厚 度。覆蓋層係選自永久性覆蓋層、犧牲性覆蓋層和可剥離 性覆蓋層。永久性覆蓋層可與犧牲性覆蓋層組合使用。 【實施方式】 本發明係關於一種用於生產清潔電路特徵之覆蓋層組合 物。現參考圖式，圖1說明本發明之一實施例，印刷電路 板（"PCB")前驅體10。PCB包括覆蓋層14和包括絕緣基質材 料和可活化填料之絕緣基材12。覆蓋層14係位於絕緣基材 上。 絕緣基材12包括散佈在絕緣基質材料内之可活化填料。 在一實施例中，填料包括兩種或多種在可定義之晶體生成 内之金屬氧化物團簇組態。總體之晶體生成，當在理想 (I7未爻/亏染、非衍生物）狀態時，具有以下通式： AB2O4 其中： ''A為2價金屬陽離子，其選自包含鎘、鉻、錳、 錄鋅銅、钻、鐵、鎮、錫、鈦和其組合之群 、’且，其提供一般為四面體結構之第一金屬氧化物團 蔟（"金屬氧化物團簇1")之主要陽離子成分， .B為3價金屬陽離子，其選自包含鉻、鐵、鋁、鎳、 錳、錫和其組合之群組，其提供一般為八面體結構 之第二金屬氧化物團簇（"金屬氧化物團簇2")之主要 ^離子成分， 133021.doc 200920593 iH.其中在以上組八或8内，可將任何可能具有2價之金 屬陽離子用作"A”，且可將任何可能具有3價之金屬 陽離子用作"B"。 W.其中”金屬氧化物图^"之幾何組態（一般為四面體 結構）不同於"金屬氧化物團簇2"之幾何組態（一般為 八面體結構）， v. 其中可將來自A和B之金屬陽離子用作，，金屬氧化物 團簇2"(—般為八面體結構）之金屬陽離子，如在，，逆 "尖晶石型晶體結構之情形下， vi. 其中Ο為氧；和 νϋ.其中”金屬氧化物團幻”和，，金屬氧化物團竊2”共同 提供具有經以下特性所證實之對電磁輻射之提高敏 感性之獨特、可識別的晶型結構：當其以約10至約 3〇 wt%之載入量分散在基於聚合物之電介質中時， 可測得"可見光至紅外光"消光係數係介於並包括以 下數字之任兩者：0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、 〇·1、0·2、〇.3、〇·4、〇.5和 〇 6/微米。 尖晶石晶體填料可分散於絕緣基材12之基f材料的液體 前驅體中。填料可以介於和包括以下數字之任兩者之重量 百分比進行分散：3、5、7、9、H)' 12、15、2〇、25、 30 35 40 45、50'55和60 wt%，並且最初具有介於和 包括以下數子之任兩者的平均粒度（併入至基質材料中 後）’ 5〇、100、300、500、800、1000、2000、3000、 4000、5000和 l00〇〇 nm。 133021.doc 200920593 大日日石晶體填料可分散在有機溶劑中（藉助或不藉助分 散:），並在隨後步驟中，分散在基質材料溶液中而形成 摻混聚合物組合物。此摻混聚合物組合物隨後可漁鑄在平 坦表面(或滚筒)上’加熱，乾燥，及固化或半固化以形成 包括具有尖晶石晶體填料分散於其中之基f之絕緣基材 12 〇 f 著聚S物膜可藉由使用雷射光束透過光活化步驟進 行處理。雷射光束可使用光學元件聚焦，並經導引至聚合 物膜表面之需要於其中設置電路迹線或其他電組件的-部 分。-旦選擇之表面部分經光活化，則光活化部分可被用 作待於稍後藉由金屬電鍍步驟（例如無電極電鑛步驟）形成 之電路迹線的路徑（或有時為一點）。 相對於現今工業上通常採用之減去法的步驟數，使用聚 合物膜或聚合物複合物來製造電路之加工步驟數目通常遠 遠較少。 在-實施例中’絕緣基材組合物和聚合物複合物旦有介 於和包括以下數字之任兩者的可見光至紅外光消光係數： 〇.〇5、0.06、〇.07、〇.〇8、〇〇9、〇1〇2 〇3 〇4、〇5 和0.6/微米（或1/微米）。 使用可見光至紅外光來測量每種膜的消光係數。計算中 使用膜厚度來測定消光係數。 使用於此之可見光至紅外光消光係數(文中有時簡稱為 c〇為计异值。此計算值係經由計算在光束路徑中放置複 合物膜樣本後，特定波長光之測量強度(使用分光計)，及 133021.doc 200920593 將該值除以相同光通過空氣之光強度的比而測得。 若將該比值取自然對數並乘以（_ 1 )，然後將該值除以膜 厚度（以微米測量），則可計算得可見光至紅外光消光係 數。 可見光至紅外光消光係數之一般方程式由以下通式表 示： α 一1 X [In (ι(χ)/Ι(0))] / t 其中I(X)代表透射通過薄膜之光強度，

其中1(0)代表透射通過空氣之光強度， 和 其中t代表薄膜厚度。 在此等計算中，膜厚度一般係用微米表示。因此，一特 疋4膜之消光係數（或α值）係表示為丨/微米或微米的倒數 (例如微米〗）。於此處討論之測量中有用之特定波長光一 般為涵蓋光譜之可見光到紅外光部分之該等波長光。 聚合物組合物和聚合物複合物包括尖晶石晶體填料其 係以介於（和包括）以下重量百分比之任兩者範圍内之含量 實質上均勾地分散在基質材料溶液中：3、4、$、6、7、 8、 9、 Η)、 12、 15、 18、 20、 24、乃、28、 ％、 & μ、 35 、 36 、 38 、 4〇 、 42 、 44 、 46 、 48 、 5〇 、 52 、 54 u 和60 由於含較高載人量填料之複合物傾向於失去柔 勤性，因而包含太多尖晶石晶體填料之聚合物複合物有時 太易碎而無法在下游加工中處理。 在-實施例中，尖晶石晶體填料係由如下通式表示： 133021.doc 200920593 AB2O4 其中A係一般為2價之金屬陽離子，其選自包含鎘、鉻、 猛錦鋅、銅、始、鐵、鎮、錫、鈦和兩種或多種以上 之，、且口之群組，且其_ B係一般為3價之金屬陽離子，其選 自包含鉻、鐵、鋁 '鎳、錳' 錫和兩種或多種以上之組合 之群組’其中〇主要為氧(若在有些情況下不全部為氧)。 在一實施例中，金屬陽離子A提供第一金屬氧化物圏馨 (尖晶石結構之，，金屬氧化物團箱1"(一般為四面體結構）之 主要陽離子成分。金屬陽離子B提供第二金屬氧化物團蔟 ("金屬氧化物團簇2"(-般為八面體結構）)之主要陽離子成 分。 在另-實施例中’可將在以上組制内之任何可能具 有2價之金屬陽離子用作，，A”陽離子。另外’可將任何可能 具有3價之金屬陽離子用作陽 屬氧化物團簇1”之幾何組態係不 之幾何組態。 離子，其限制條件為，，金 同於金屬氧化物團簇2” 在又另-實施例中，可用作金屬氧化物團襄2”（一 般為八面體結構）之金屬陽離子。此係一般具有通式 B(AB)〇4之"逆"尖晶石型晶體結構之特殊情況。 工 在-或多個步驟中’使絕緣基材基f材料溶劑合至足夠 低的黏度（一般係小於50、40、30、1 c 15、1〇、9、8、 7、6、5、4、3、2、1.5、1、0.5、〇」、〇 〇5和 〇，仟泊 (kiloPoise)之黏度），以使尖晶石晶體填料（其亦可懸浮於 類似或相同溶劑中）可充分地分散在基質材料溶液中。尖 133021.doc •12· 200920593 晶石晶體填料之分散係以可避免顆粒在溶液或分散液中之 不當凝聚的方式進行。填料粒子之不期望的凝聚會引起不 』望的界面工隙或在聚合物複合物中之其他問題。 尖晶石晶體填料粒何直接純在絕緣基材基質材料溶 液中，或可在分散於絕緣基材基質材料溶液中之前，先分 散在洛劑中。填料粒子可在溶劑中混合以形成分散液，直 到顆粒平均粒度達到介於以下數字之任兩者之間為止： 50、100、300、5〇〇、 800、 1000、2000、3000、4000、 然後可使用高速或高剪切混合裝置混合 晶體填料可使用各種適宜溶劑分散。在 5000和 loooo nm 〇 此分散液。尖晶石 一些情況下，分散液亦可包括熟悉技術人士所知曉之一或 夕種適宜分散劑，以有助於形成穩m液，尤其係對於 工業規模的生產。 分散在絕緣基材基f材料溶液中之尖晶石晶體填料一般 有"於和包括以下數字之任兩者的平均粒度：5〇、 100、200、250、300、350、400、450、500、1000、 2000、3000、4000、5〇〇〇和 1〇〇〇〇 ⑽。一般至少 8〇、85、 90 92 ' 94、95、96、98、99或100%之經分散之尖晶石 曰曰體填料係在以上大小範圍内。基質材料溶液中之晶體大 小可藉由雷射粒子分析器如c〇ULTER®製造之具有小體積 模組之LS 130粒度分析器測定。 將絕緣基材基質材料溶液和尖晶石晶體填料粒子組合形 成相田均勻的組合物之分散液。該組合物隨後可如下所述 轉變為聚合物複合物，其中固體含量一般大於98.〇、 133021.doc 200920593 98.5、99·0或 99.5 wt0/〇。

由於-些尖晶石晶體填料容易分散在基質材料溶液中， 而需要極少或不需要額外的剪切力’目此形成之漿料通常 包含少於 100、50、20、10、8、6、5、4、3、2、或"阿 之不期望的凝聚物。不期望的凝聚物的定義為具有大於 10、11、12、13、14或15微米之平均粒度之許多結合(鄰 接的）尖晶石晶體填料H _些尖晶石晶體填料可能 需要-些礙磨或過渡以打散不期望的顆粒凝聚，以便充分 地分散奈米級填料至聚合物中。碾磨和過濾可能成本高 昂’並且可能無法令人滿意地移除全部不期望的凝聚物。 因而，在-實施例中’尖晶石晶體填料係可以20 分散 和懸浮於（至州wt%純的）二甲基乙醯胺溶劑中。在將尖 晶石晶體填料分散並懸浮至溶劑（視需要藉助高剪切機械 混合器)中後，當使溶液在2(rc下靜置72小時後，少於 15、10、8、6、4、2或i wt%之填料粒子會自溶液沉澱 出。 本發明使料料組的尖^晶體填料，^可在將藉由 雷射形成之圖案整體金屬化之前，透過藉由雷射活化（或 其他相似類型之光圖案化技術）實現有效率和準確的表面 圖案化。 在-實施例中，可添加消光係數調節劑作為一些（而非 全部)尖晶石晶體填料之部分替代物。適當的取代量可在 介於和包括以下數字之任兩者之範圍内··卜]、〕、 5 、 10 、 15 20、25、30、35或40 wt%之尖晶石晶體填料 133021.doc 14 200920593 成分總含量。在一實施例中，可用碳粉或石墨粉取代約ι〇 Wt%的尖晶石晶體填料。由此形成之聚合物複合物應於聚 合物複合物中存在足夠量之尖晶石晶體結構以使金屬離子 可有效地鍍在其表面，同時上述含量之取代物（如碳粉）使 聚合物複合物充分地變黑，以致可吸收足量之光能（即可 有效地光活化複合物表面之光能量）。 已對聚合物組合物和聚合物複合物有利地測得有用消光 係數之明確範圍。明確言之，據發現聚合物組合物和聚合 物複口物而要足夠程度的吸光能力以在一般利用特定雷 射機器之高速光活化步驟中有效地起作用。

:例如’在所採用之—類型之光活化步驟中（例如’採用 雷射光束之步驟），據發現本發明之聚合物組合物和複合 物能吸收顯著量之光能，以致可於其上形成明確的電路迹 線圖案。廷可在相對上短的時間内完成。反之，市售之聚 合物膜(即沒有此等特定填料之薄膜，或包含無官能基尖 晶石晶體填料之薄膜），如果可以的話，將耗時更長，具 有過低之消光係數且無法在相對短的期間内光活化。因 許多聚合物膜，甚至係包含相對高之載入量之其他類 2晶石晶體填料的薄膜，亦無法吸收有用於高速光活化 、之足夠光能，以及以明晰的電路圖案接受金屬電鍍。 在一些實施例中，絕緣基質材料係選自聚醯亞胺、經玻 璃纖維強化之、 β 虱樹脂、苯酚-曱醛、環氧樹脂、經矽石 嗪、：環氧樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三 '氟聚口物、聚能、聚苯趟/聚苯醚樹脂、聚丁二稀/ 133021 .doc -15· 200920593 聚異戊二烯可交聯樹脂（和共聚物）、液 胺、氰酸醋、或前述材料之任何組合二聚醯 :業中已知並使用的絕緣基質材料，且其為;::::板 為有用之任-厚度。在-些實施例中，基^被視 可包括添加❹料電性填料、顏料質材料 中已知之其他常用添加劑。 考度調即劑和技術 在一些實施例中’絕緣基材包含介於和包括卜2、4、 6、10、12、14、16、18和2〇 wt%間之雷射染料。 用於製備本發明之絕，緣基材基㈣料之 能夠溶解絕緣基材基質材料。適宜溶 應 ,分w乃應具有適宜沸點 如2%以下’因此聚合物溶液可在適中（即更方便和成本 較低的）溫度下乾燥。低於21〇、2〇5、2〇〇、I _ mi 16g'15()、14()、m、職靴之彿點為適 宜的。 環氧樹脂係可被@化成熱固性聚合物之熱塑性材料。主 要的樹脂類型尤其包括雙酚A之二縮水甘油醚、酚醛型環 氧樹舳（novolacs)、過氧酸樹脂和乙内醯脲樹脂。世界上 有許多裱氧樹脂供應商，其中最知名的商品名包括

Araldite、DER、Epi-Cure、Epi-Res、Epikote、Epon、

Epotuf，其各視調配物和處理而提供範圍寬廣的性質。亦 可添加其他成分至環氧樹脂和固化劑調配物中。此等成分 包括但不限於，稀釋劑、影響柔韌性、韌性或剝離強度 之村月曰質調郎劑、黏者填料、著色劑、染料、流變添加劑 和阻燃劑。 133021.doc -16· 200920593 在-實施例中，絕緣基材基質材料可包括環氧樹月旨 氧樹脂之適宜實例包括’但不限於，縮水甘油醚型環氧樹 脂、縮水甘油醋樹脂和縮水甘油胺型環氧樹脂 何填充矽石或氧化鋁之環氧樹脂也為適宜的。 壬 適宜縮水甘油鹎型環氧樹脂之實例包括，但不限於 ㈣型、雙紛F型、演化雙齡A型、氫化雙盼A型、雙紛s 型、雙祕型、聯苯型、蔡型、第型、齡，搭型環氧 型、甲盼，酸型環氧型、Dpp_㈣型環氧型、三官能 :：經苯基甲院型和…基乙燒型環氧樹： 適且縮水甘油酉旨型環畜括 氫化鄰苯二甲酸二# Π實例包不限於:六 醆酉曰型和鄰苯二甲酸酯型環氧樹脂。 甘油胺型環氧樹脂之實例包括，但不限於··四 听乙胺基二苯基甲烧、三縮水甘油基異氛尿酸 产曰 醯腺型、u.雙（N，N•二縮水甘油基胺甲基）環己 " *酚型、苯胺型和甲苯胺型環氧樹脂。 在一實施例中，I , 土質材料可包括聚酯。適宜聚酯之實例 不限於：聚對苯二甲酸乙二酿、聚對苯二甲酸丁 醋、聚认蔡二一甲^丙二醋等等，聚（e_己内醋）、聚碳酸 酸）_共-聚（對笨 乙一一醋、聚乙醇酸、聚（4-經基苯甲 I乙二酯）(PHBA)和聚經基丁酸酯。 在另一實施例Φ 妨 宜脂族聚醯胺之實例、=基：基質材料可包括聚醯胺。適 耐綸6，1〇和耐輪3包括，但不限於：耐綸6、耐綸以、 ’ 耐論3、财論4，6及其共聚物於本發 I3302I.doc 17· 200920593 明有用。脂族芳族聚酿胺之實似台紅 曜W < X例包括，但不限於，耐綸 6T(或耐綸6(3)T)、耐綸10Τ以及其Α.^ 11 . 丹/、物’耐論1 1、对論 12以及耐論MXD6也適合應用於太放 愿用於本發明。芳族聚醯胺之實 例包括，但不限於，聚對苯二甲酿對苯二胺、聚對苯甲醯 胺、及聚間苯二甲酿間苯二胺也適合應用於本發明。 在另-實施例中’絕緣基材基質材料可包括含氣聚合 物。術語含氟聚合物意指具有至少—個(若非多個)包含在 聚合物結構之重複單元内之氧原子之任何聚合物。術語含 r t聚合物或含氟聚合物成分亦意指氣聚合物樹脂(即氟樹 脂）。通常，含氣聚合物為包含共價地鍵結至或共價地與 聚合物之重複分子結合之氟原子之聚合材料。適宜的含敗 聚合物成分包括，但不限於： 1. PFA，聚（四I乙烯_共_全敦[烧基乙稀基鍵])，包括 其變型或衍生物，具有代表全體聚合物之至少5〇、 60、70、80、85、Q〇、〇< r\r Λ 〇 95、96、97、98、99 或約 100 wt°/〇之以下部分：

J --(CF2-CF2)x.(CF2-CF)y -—

I 0

I R. 中R1為CnFh+i，η可為等於或大、包括直至2〇或 更大之任何自然數，η 一般為〗至3 ;父和y為莫耳分 率，X係介於0.95至〇·99之間，一般為〇97，及y係介 於0.01至0.05之間’ 一般為0.03 ;及其中於八8頂D 1238中描述之熔體流動速率係介於1至100(g/10 min.) 133021.doc -18- 200920593 之間，較佳為1至50(g /10 min.)，更佳為2至3〇(§ /1〇 min·)，及最佳為 5至 25(g/10 min.)。 2_ ”FEP”，完全或部分地衍生自四氟乙烯和六氟丙烯之 聚（四氟乙烯-共-六氟丙烯）[亦稱為聚（四氟乙烯-共-丄 氟丙烯）共聚物]，包括其變型或衍生物，其具有代表 王體聚合物之至少50、60、70、80、85、90、95 96、97、98、99或約100 wt%之以下部分： --(CF2-CF2)X- (CF2-CF)y-一 CF3 其中X和y為莫耳分率，x係介於〇 85至〇 95之間，一般 為0.92，y係介於0_05至0.15之間，一般為〇 〇8 ;且其 中於ASTM D 1 238中描述之溶體流動速率係介於丄至 100(g/10 min.)之間，較佳為 1至5〇(§/1〇 min )，更佳 為 2至30(g/10 min·)，及最佳為 5至25(g/l〇 min.)。FEp 共聚物可直接或間接地衍生自：（i ) 5〇、55、60、65、 70或75%至約75、80、85、90或95%之四氟乙稀；和 (ii·) 5、10、15、20 或 25%至約 25、30、35、40、45 或50%(—般為7至27。/。）之六氟丙烯。此類FEp共聚物 係為熟知並描述於美國專利第2,833,686號和第 2,946,763號中。 3. PTFE -聚四氟1乙稀，包括其變型或衍生物，其完全 或部分地衍生自四氟乙烯並具有代表全體聚合物之至 少 50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99或 133021.doc 19 200920593 約100 wt%之以下部分：其中x為介於5〇和5〇〇〇〇〇之 間之任何自然數。 4. "ETFE”-乙烯·四氟乙烯共聚物，包括其變型或衍生 物，其完全或部分衍生自乙烯和四氟乙烯並具有代表 王體聚合物之至少50、60、70、8〇、85、90、95、 9 6、9 7、9 8、9 9或約1 〇 〇 wt°/〇之以下部分： —(CH2-CH2)x -(CF2-CF2)y — 其中x和y為莫耳分率，x係介於〇 4〇至〇 6〇之間，一般 為0.50，y係介於〇.4〇至0.60之間，一般為〇 5〇 ;及其 中於ASTM D 1238中描述之熔體流動速率係介於1至 100(g/10 min.)之間’較佳為 1至 5〇(g/1〇 min )，更佳 為 2至 30(g/10 min.)，及最佳為 5至25(g/10 min.)。 氟聚合物樹脂之有利特徵包括高溫穩定性、耐化學腐蝕 性、有利的電特性（尤其是高頻性能）、低摩擦性質和低膠 黏性。其他可能有用之氟聚合物樹脂包括下列： 1. 三氟氣乙烯聚合物（CTFE); 2. 四氟乙烯-三氟氣乙烯共聚物（TFE/CTFE); 3. 乙烯-三氟氯乙烯共聚物（ECTFE); 4. 聚二氟亞乙烯（PVDF); 5. 聚氟乙烯（PVF);和 6. Teflon® AF(由 E.I. du Pont de Nemours & Co.出售）。 在又另一實施例中，絕緣基材基質材料可包括液晶聚合 133021.doc •20- 200920593 物或熱致液晶聚合物。液晶聚合物一般包括可熔解或熔融 加工型聚醯胺或聚酯。液晶聚合物還包括，但不限於，聚 酯醯胺、聚酯酿亞胺和聚曱亞胺。適宜的液晶聚合物由 Jackson等人說明在美國專利第4,169,933號、第4,242,496 號和第4,238,600號中，以及在"液晶聚合物VI :經取代對 苯二紛之液晶聚 S旨（Liquid Crystal Polymers VI: Liquid Crystalline Polyesters of Substituted Hydroquinones)"中。 術語”熱致”意指當聚合物經如美國專利第4,075,262號描述 : 之TOT試驗進行測試時，使光透射通過正交偏光鏡並因此 被視為形成各向異性熔體。適宜的液晶聚合物描述於，例 如，美 國 專利號 3,991,013 ； 3,991,014 ； 4,011,199 4,048,148 : 4,075,262 ；4,083,829 ；4,118,372 4,122,070 4,130,545 4,153,779 ;4,159,365 ；4,161,470 4,169,933 4,184,996 4,189,549 ；4,219,461 ；4,232,143 4,232,144 4,245,082 4,256,624 ；4,269,965 ；4,272,625 4,370,466 4,383,105 4,447,592 ；4,522,974 ；4,617,369 4,664,972 4,684,712 4,727,129 ；4,727,131 ;4,728,714 4,749,769 4,762,907 4,778,927 ；4,816,555 ;4,849,499 4,851,496 4,851,497 4,857,626 ；4,864,013 ；4,868,278 4,882,410 4,923,947 4,999,416 ；5,015,721 ；5,015,722 5,025,082 5，1086，158 ; 5,102,935 ; 5，110,896和 5，143,956 ;以及歐洲專利申 請案356,226中。液晶聚合物之商業實例包括以商標 Zenite® (DuPont)、VECTRA® (Hoechst)和 XYDAR® (Amoco)銷售之芳族聚S旨或聚（醋-酸胺）。 133021.doc 21 - 200920593 現^考圖2，絕緣基材12位於作為保護層之覆蓋層14下 方，當雷射(或相似類型能源)燒蝕穿過覆蓋層14且進入絕 緣基材12中時’燒料屑16將傾向於落在覆蓋層上。雷射 燒敍過程稍微類似挖掘過程，其切割出槽18或通孔2〇。 在實施财，覆蓋層14㈣牲層。犧牲性覆蓋層移除 雷射產生之活化碎屑。在金屬化之前移除犧牲性覆蓋層， 因此在碎心電㈣巾被金屬化之前，移除任何活化碎 屑。 在此實施例之雷射燒蝕期間，碎屬堆16將沿覆蓋層之槽 18的上緣形成。雷射燒料屑通常將包括絕緣基材材料， 並且絕緣基材碎屑16内之可活化填料通常將由於雷射燒蝕 過程而變活化。在碎屑丨6表面之此種經活化填料將傾向於 在金屬化期間成為金屬化引體，導致當雷射燒蝕槽（或通 孔）在金屬化期間經填充金屬時，金屬形成於碎屑上。一 般不期望燒蝕碎屑之金屬化，其會導致最終印刷佈線板產 品之電氣性能及/或可靠性的問題。 在一些實施例中，犧牲性覆蓋層基質材料係選自由聚丙 烯醯胺、聚二醇類、聚乙二醇、聚氧化乙烯、聚乙烯基吡 咯啶酮、聚丙烯酸、聚曱基丙烯酸、聚馬來酸和其混合物 組成之群組。在一些實施例中，存在之犧牲性覆蓋層基質 材料係介於和包括8.0、85、90、95和1 〇〇 wt%。 在一些實施例中’犧牲性覆蓋層係可溶於水、稀驗液和 弱酸溶液以及有機溶劑中。該溶劑不必溶解全部覆蓋層， 而係可僅具有足夠的活性以穿透層下方並因此破壞其與下 133021.doc -22- 200920593 方絕緣基材之黏著’藉此覆蓋層14正好可被除去。總之， 洗液應基於其之溶解或以其他方式除去覆蓋層之能力 擇。 在一些實施例中，犧牲性覆蓋層之厚度係.介於和包括 ❹·5、1、5、10、15、"，、…、…、 55、60、65、70、75、8〇 ' 85、9〇、”和 ι〇〇微米。

理想上’在此類實施例中’金屬化應主要(若非完全的 活）在由絕緣基材12所界定之雷射燒姓槽18或通孔2〇内發 生。現參考圖3,在一實施例中，覆蓋層可在雷射燒钱之 後及在金屬化之前移除。在該類實施例中，—旦覆蓋層瘦 移除’則經燒緣基材層暴露，並在絕緣層表面處大 體上（右非王#的話）沒有燒餘碎屑。在該類實施例中，金 屬化將傾向於槽18或通孔2G之表面進行。由於雷射燒钱過 %將會活化經燒蝕表面之填料，因此在絕緣層之槽(或通 孔)之壁上產生金屬化引體，並填充槽(或通孔)而在槽(或 通孔）外部無不當的金屬化。 在另實細*例中，覆蓋層14為可剝離的層。可剝離性覆 蓋層移除雷射產生之活化碎屑並控制任何過度電錢。可剝 離性覆蓋層可經受pH大於7之溶劑且可溶於pH小於7之溶 J中。可剝離性覆蓋層能經受鹼洗浴和無電極電鍍浴。可 剝離性覆蓋層可在金屬化之後除去。可剝離性覆蓋層除去 任何過度電鍍和經金屬化之碎屑，並部分除去或限制過度 電鍍而提供更清潔之電路特徵。術語”過度電鍍”係指於導 體特徵如通孔、迹線、襯墊等等以及電路上之空間橫向和 13302I.doc •23- 200920593 向上過度積聚金屬。導體特徵之過度金屬積聚會引起短 路。在雷射成像後之額外的碎屬移除製程係可選擇。關於 此額外的清潔製程，可將壓敏膠帶層壓於基材上以除去碎 屑。亦可應用橡膠滾筒，以藉助壓敏膠塗層從成像基材移 除碎屑。 現參考圖4，在其他實施例中，覆蓋層14可被保留至金 屬化22以後，然後再除去.在此類實施例中，金屬化圖案 將傾向於在槽（或通孔）邊緣處具有非常乾淨、明顯的金屬 化線路，並且在經燒蝕槽（或通孔）外部具有極少（若有的 話）的不期望的金屬化。 在一些實施例中，可剝離性覆蓋層基質材料係選自由殼 V糖、曱基乙二醇般聚糖、殼聚糖募糖乳酸鹽、乙二醇殼 聚糖、聚（乙烯咪唑）聚烯丙胺、聚乙烯胺、聚醚胺、 cycler^環聚胺）、聚乙烯胺（直鏈、支鏈或苄基化）、聚（N_ 甲基乙烯胺）、聚氧伸乙基雙（胺）N，-(4-苄氧基）_N，N-二甲 基甲脒聚合物鍵合（脒樹脂）、聚（乙二醇）雙（2_胺乙基）、聚 (2-乙烯基吡啶）、聚（4-乙烯基吡啶）、聚（2_乙烯基吡啶N_ 氧化物）、聚（4-乙烯基吡啶N_氧化物）、聚（4_乙烯基吡嘴_ 共-二乙烯基苯）、聚（2-乙烯基η比啶-共-苯乙烯）、聚（4»乙 稀基°比咬-共-苯乙烯）、聚（4-乙稀基"比咬）-2°/。交聯、聚（4_ 胺基苯乙烯）、聚（胺曱基）聚苯乙烯、聚（曱基丙烯酸二甲 胺乙酯）、聚（甲基丙烯酸第三丁基胺乙酯）、聚（甲基丙稀 酸二曱基胺乙酿）、聚（甲基丙烯酸胺乙醋）、苯乙稀和二甲 基胺丙基胺馬來醯亞胺之共聚物、及其混合物組成之群 133021.doc -24- 200920593 組。聚合物不受分子量及單體比所限制。 在一些實施例中’可剝離性覆蓋層可溶於水或弱酸與水 之混合物中。在一些實施例中，可剝離性覆蓋層可溶於有 機溶劑中。術語"可溶”係意指藉由液體之作用而經移除之 能力。該液體不必完全地溶解整個覆蓋層，而可僅具有足 夠的活性以穿透層下方並因此破壞其與下方絕緣基材之黏 著，藉此覆蓋層正好被移除❶總之，洗液應基於其溶解或 以其他方式除去覆蓋層之能力作選擇。 在一些實施例中，可剝離性覆蓋層之厚度係介於和包括 2、 5、 10、 50、 100、 150、 2〇〇、 25〇、 3〇〇、 35〇、 4〇〇、 450以及500微米。 在覆蓋層係使用作為可剝離層並在金屬化之前或之後移 除之實施例中，金屬化之化學及金屬化加工可經調節或微 調’以便金屬化大體上可在計畫之處停止，如在槽表面或 者延伸超過槽頂面成為堆。 在又另-實施例中’覆蓋層14為永久性層。永久性覆蓋 層係指在電㈣後未被除去之層。永久性覆蓋層降低過度 電鍍量以及提供更乾淨的電路特徵。在另一實施例中，: 牲性覆蓋層係與永久性覆蓋層組合使用。 現參考圖5，在另—實施例中，覆蓋層14為永久性覆蓋 層。在該類實施例中，覆蓋層經保留並成為最終印刷佈線 板產品之一部分。若絕緣基材12之槽18内之理想 盘 任何的金屬化碎屬充分分離’或若覆蓋層充 屬 化22之槽18使免受可能由碎屬引起之任何缺陷或問題: 133021.doc -25- 200920593 覆蓋層可為永久性層。永 金屬化可更容易地保掊覆蓋層之-優點為填充槽之’ 鍍。 ' :頂鸲表面之下，而減少過度電 在一些實施例中，氽々以a ^ 久’生覆蓋層基質材料係ϋ自a _ _ 亞胺、經玻璃纖维綠、自由聚醯 圾哨纖、准強化之環氧樹月旨、苯 月曰、經矽石填充之環氧_ -衣氧樹 醯亞胺三嗪、含氟聚人版雙馬來醯亞㈣脂、雙馬來 聚丁-烯/¾旦占 聚酯、聚苯醚/聚苯醚樹脂、 取丁一婦/聚異戊二稀 物、$航π故 人聯樹知和其共聚物、液晶聚合 物聚醯胺、氰酸酯、氧化$ 組。 、紗石和其混合物組成之群 在-些實施射，覆蓋層係單獨地配合絕緣基材使用。 些實把例中’可將犧牲性和可剝離性覆蓋層與絕緣基 材組合使用’其中絕緣基材作 何作為底層，可剝離性覆蓋層居 中和犧牲性覆蓋層作為頂層。在—些實施例中，可將永久 性和犧牲性覆蓋層與絕緣基材組合使用，其中絕緣基材作 為底層’永久性覆蓋層居中和犧牲性覆蓋層作為頂層。 在一些實施例中，犧牲性覆蓋層包含雷射染料。在一些 實施例中，可剝離性覆蓋層包含雷射染料。在一些實施例 中’永久性覆蓋層包含雷射染料。在一些實施例中，絕緣 基材包含雷射染料。在-些實施例中，單獨或組合使用之 任覆蓋層以及絕緣基材均包含雷射染料。在一些實施例 中存在之雷射染料係介於和包括1、2、4、6、10、12、 14、16、18以及20 wt%。在一些實施例中，雷射染料具有 包括和介於 200、300、400、500、600、700、800、900、 133021.doc -26- 200920593 1000和_⑽之吸收峰。由於雷射染料之吸收峰接近於 所使用雷射之波數，所以其可促進雷㈣射之吸收。添加 雷射染料可促進光分解和控制散熱n雷射成像溝渠 將具有定義明確的幾何形狀和銳緣之高解析度。 〃 在-些實施例中，用於uv雷射之雷射染料係選自：芪 420: 2,3”-([1，1'·聯笨]_4,4，_二基二 _2，u 烯二基）雙-苯續

酸二鈉鹽，喹諾酮165: 7_二甲基胺基_4_甲基喹諾酮，香豆 素450: 7-(乙基胺基）_4,6_二曱基苯并旅喊冬綱）， 香丑素445: 7·(乙基胺基）_4_甲基_211，_卜苯并哌喃_2酮）， 香豆素44〇: 7_胺基-4-甲基-2H，-1-苯并哌喃-2-酮），香豆素 460. 7-(乙基胺基）_4_甲基_2ίί，-1-苯并π底喃_2_酮），香豆素 481: 7-(二乙基胺基）_4_(三氟甲基）·2Η，小苯并哌喃_2_ 酮），香豆素487，香豆素500: 7_(乙基胺基）_4_(三氟甲基）_ 2Η，-1-苯并哌喃_2_酮香豆素5〇3: 7_(乙基胺基）_6_(三氟 曱基）-2Η，-1-苯并哌喃 _2_酮），BPBD-3 65，2-[1，Γ-聯苯]-4-基-5-[4-(l，l-二甲基 乙基）苯基].^仁噁 二唑， Pbd ， 2-[1，1'-聯苯]_4-基_5-苯基]-1,3,4-噁二唑，？？〇，2-5-二苯基-噁二唑，QUI，3,5,3，"，，5，"|-四-第三丁基-對·五聯苯， BBQ ’ 4,4''"-雙[(2-丁基辛基）氧基]_1，1，4，，1"，4"，1，"-四聯 苯 ’ 2-(1-萘基）-5-苯基-噁唑，ΡΒΒΟ，2-[1，1'-聯苯]4-基-6-苯基-苯并噁唑，DPS，4,4"-(1，2，-乙烯二基）雙-1，1'-聯苯， POPOP，2,2，-(1，4，-伸笨基）雙[5_ 苯基-噁唑]，Bis-MSB， U4-雙[2-(2-甲基苯基）乙烯基]-苯，5-苯基-2-(4-"比啶基）噁 唾，4-甲基-7-(4-嗎啉基）-2H-哌喃并[2,3-b]吡啶-2-酮，7- 133021.doc -27- 200920593 (二乙基胺基-2H-1-苯并哌喃_2_酮，7-(二甲基胺基）-4-曱氧 基-1,8-萘啶-2(1H)-酮，ι，2,3,8-四氫 _1，2,3,3,8-五曱基·5-(三氟甲基）-7Η-吡咯并[3,2-g]喹啉-7_酮，6,7,8,9-四氫-6,8,9-三甲基-4-(三氟甲基；)-2Η-吡咯并[3,2-1?][1，8]萘啶-2-酮’ 7-胺基-4-甲基-ιοί!)-喹啉酮，2,3,6,7-四氳-1 Η,5H，1，1H-[ 1 ]苯并 0底喃并[6,7,8-ii]-喧唤-11 _ 酮， EXALITE 376 ’ EXALITE 384，EXALITE 389，EXALITE 392A，EXALITE 398，EXALITE 404，EXALITE 411， EXALITE 416，EXALITE 417，EXALITE 428，EXALITE 392E，EXALITE 400E，EXALITE 377E和其組合物。 在另一實施例中，用於準分子雷射之雷射染料係選自： 對聯二本，1，1'，4'，1’-聯三苯，2”，3,3"，3'”-四曱基-mi'4，1 1，”- 四聯苯，2-甲基-5-第三丁基對-四聯苯，EXAUTE 348 , EXALITE 35卜 EXALITE 360: 2,3,2，”，5，”-四甲基-對·四聯苯， 對-四聯苯，1，1，4，，1，，，4"，1，，，-四聯苯和其組合物。 在又另一實施例中，用於IR雷射之雷射染料係選自：8_ [[3_[(6,7-一氬-2,4-二苯基-5H-1-苯并娘喃_8·基）亞甲基]·2_ 苯基-1-環己烯-1-基]亞甲基]_5,6,7,8_四氫_2,4_二苯基_丨_苯 并哌喃鏽四氟硼酸鹽（IR-1100)，4_[2_[2-氯_3_[(2,6_二苯 基-4H-噻喃-4-亞基）亞乙基環己烯_丨_基]乙烯基]_2 6_二 苯基硫代哌喃鑌四氟硼酸鹽（IR_1〇61)，丨_ 丁基-2_[2_[3_ [(1-丁基-6-氯苯并[Cd]吲哚-2(1H)-亞基）亞乙基]_2_氣_5_甲 基-1-環己烯-1-基]乙烯基]-6-氯笨并[cd]吲哚鑌四氟硼酸鹽 (IR-1050) ’ 1- 丁基-2-[2-[3-[(l- 丁基 _6氣苯并[cd]，〇朵 _ •28- 133021.doc 200920593 2(1H)-亞基）亞乙基]-2-氯-1-環己烯_丨_基]乙烯基]_6_氯苯并 [cd]吲哚鏘四氟硼酸鹽（IR_1〇48)，4_[2_[3_[(2,6_二苯基_ 4H_噻喃_4_亞基）亞乙基]_2·苯基-1-環己烯-1-基]乙烯基]-2,6-二苯基硫代哌喃鏽四氟硼酸鹽（111_1〇4〇)，4_[2_[2_氣_ 3-[(2-苯基-4H-1-苯并哌喃_4_亞基）亞乙基環己烯基] 乙烯基]-2-苯基-1-苯并哌喃鑌鹽（IR_27)，4_(7_(2_苯基_4Η_ 1-苯并噻喃-4·亞基）-4-氯-3,5-三亞甲基_ι，3,5·庚三烯基）_2_ 苯基_i-苯并硫代哌喃鑌過氣酸鹽（IR_26)，3_乙基_2[[3_[3_ [(3-乙基-2(3H)-笨并亞噻唑基）曱基]5,5_二甲基_2_環己烯_ 1-亞基]-1-丙烯基]-5,5-二甲基-2-環己烯-1-亞基]甲基]_苯 并噻唑嗡過氣酸鹽（DNTPC_P)，3_乙基_2[[3_[3_[(3_乙基萘 酚[2，l-d]噻唑_2(3H)-亞基）甲基]_5,5_二甲基_2_環己烯 亞基]-1-丙烯基]-5,5-二甲基-2·環己烯-1-亞基]甲基]萘 d]噻唑嗡過氣酸鹽⑴ndtpc-p)和其組合物。 在又另一實施例中，用於2X yag雷射之雷射染料係選 自：弗盧羅（Fluorol)555 ’ LDS 698，DCM，LDS 722，螢光黃 一納鹽’若丹明（Rh〇damine)560，螢光素，LDS 821，LD 688 ’ 11比咯甲川（Pyrr〇methene)567，1，3,5,7,8-五甲基-2,6- 一乙基11比咯甲川-二氟硼酸鹽複合物，若丹明575，吡咯甲

川 580 ’ D比咯甲川 597，[os 720，LDS 751，styril 8，若 丹明590 ’若丹明61〇，LDS 759，LDS 798，吡咯甲川 605 ’ 8-乙醯氧基甲基_2,6_二乙基^，^八四甲基吡咯甲川 氟删酸鹽，LDS 750、若丹明640 Per，磺醯若丹明640， DODC 碟，Kiton 紅 620，LDS 925，吼洛甲川 650，LDS 133021.doc -29- 200920593 765 ’ LDS 73 0 ’ LDS 867，1，1’-二乙基_2,2’-二碳花青峨， LD 690過亂酸鹽’ 1，1 二乙基_4,4’-碳花青蛾，甲紛紫 (Cresyl Violet) 670，5-亞胺基-5H-苯并[a]啡噁嗪·9_胺單過 氣酉文S曰’ 3,3 一乙基硫雜_一碳花青峨，1，3-雙[4-(二曱胺 基）-2-羥苯基]-2,4_二羥基環丁烯二基鏽二氫氧化物，雙 (内鹽）’丙基星藍碘（Propyl Astra Blue Iodide)，峨化物 1，1，3,3,3，3 -六曱基-4,5,4'，5’_二苯并吲哚二碳花青（设_ 6 7 6)和其混合物。 在又另一實施例中，用於GaAs雷射之雷射染料係選 自：5,5’-二氣-11-二苯基胺基_3,3’_二乙基_1〇，12_伸乙基硫 雜三碳花青過氯酸鹽（IR-140)，^，，^^六曱基巧蜂三 石厌化青、1，1’，3,3,3’，3’-六曱基吲哚三碳花青碘化物，u· — 二乙基·2,2’·酿三碳花青碟化物’雙卜[[4_(二甲胺基）苯基] 亞胺基]-8(5Η)-喹啉酮]鎳（„)，2,4_二_3_癒創木奥基 (guaiazulenyD-^ —二羥基環丁烯二基鏽二氫氧化物雙（内 鹽），3,3'-二乙基噻三碳花青碘化物，3,3,_二乙基噻三碳花 青過氣酸鹽二甲基{4.H5-參（4_二曱基胺基苯基）_2,4_五 一稀亞基]-2,5-環己二烯亞基丨銨過氣酸鹽（ir_8〇〇)， 1，1 - 一乙基-4,4'-二碳花青碘化物，HITC，二甲基（4_ [1，7,7參（4 —曱基胺基笨基）_2,4,6_庚三亞稀基]環己 二稀-1-亞基}铵過氯酸鹽（IR_895)，[2_[2_氯_3_[[13_二氯_ 1’1 一甲基3-(4-¾酸丁基）_2H-苯并㈤吲哚_2_亞基]_亞乙 基]小環己烯小基乙烯基Η小二甲基_3_(4_確酸丁基） 1Η-苯并[e]吲味鑌氫氧化物内鹽（IR_82〇) ’萘酚綠Β，2_[2_ 133021.doc -30- 200920593 [2-氯-3-U屮，3-二氫_3,3_二甲基小(4_確酸丁基）u 〇朵_ 亞基]·亞乙基Μ·環己烯基]·乙稀基 土）3H引〇木鏽氫氧化物⑽_783)，2_[2_[2_氯_3·[2_ (1，3_二氫-1，3,3_三甲基视十朵！亞基)·亞乙基]·】·環己 稀_1·基]乙烯基]十3,3-三甲基-3Η令朵鏽氣化物（IR_775 氯化物），2-[7-Π 3 -与，， ，-一虱-3,3-二甲基-丨气各磺酸丁基）_211_ 引木2亞基]-庚-1，3,5·三烯基]_3,3_二甲基小（4_續酸丁 基）·3Η-«鏽氫氧化物陶46)，iri44和其混合物。 :藉由技術中熟知之任何方法製造心製成任何覆蓋層 之聚口物田覆蓋層包括雷射染料時’可將粉末雷射染料 =加至聚合物溶液或可將雷射染料溶於溶劑中並與聚合物 办液屈合。對於濕式塗布方法可使用溶液或懸浮液混合 物’或對於乾式塗布方法可塗布於載體薄膜上並加熱除去 溶劑。 犧^性' 可剝離性或永久性覆蓋層可藉由網印、溶液塗 布、浸塗、旋轉塗布、喷塗或熟悉技術者熟知之任何濕式 塗布方法施用於絕緣基材。在—些實施例中，犧牲性、可 剝離性或永久性覆蓋層可藉由乾膜層壓或熟悉技術者熟知 之任何其他方法施用於絕緣基材。 當應用濕式塗布方法時，加熱並乾燥覆蓋層以除去任何 溶劑。然後，使用被視為適宜的雷射（包括但不限於 YAG、紅外雷射和紫外雷射）將印刷電路板前驅體雷射圖 案化。雷射除去部分覆蓋層和位於下面的絕緣基材而在絕 緣基材上形成一或多個圖案元件。如果使用犧牲層，則其 133021.doc 200920593 藉由用適宜液體處理 在丨細 而除去’然後再金屬化。如果使用可 剝離的層，則在圖案 掷 ^ '、匕几件形成後，電鍍印刷電路板前驅 後’藉由用適宜该脚由 ^且液體處理而除去可剝離性覆蓋層。 雖然本發明已就—此 二貫施例和調配物作說明，但當明勝 可做出本發明之許多 ’、 d, t ^ 跫異、修改及其他應用。前述說明並 非曰在限制本發明筋阁丄 • 界定 圍。本發明之限制僅受以下請求項所 【圖式簡單說明】 ί、 本發明於此僅經由表考阱園^1 ^ , /号附圖耜由實例作說明，其中： 圖1為雷射燒触之前 很據本發明之空白印刷電路板前 驅體之一部分的橫剖面圖； 其說明於板上燒蝕圖案之 其說明在金屬化之前除去 其說明在除去可剝離性覆 圖2為類似於圖1之橫剖面圖 過程； 圖3為類似於圖2之橫剖面圖 犧牲性覆蓋層之過程； (? 圖4為類似於圖2之橫剖面圖 其說明利用永久性覆蓋層 蓋層之前金屬化之過程；和 圖5係類似於圖2之橫剖面圖 10 印刷電路板 12 絕緣基材 14 覆蓋層 16 燒蝕碎屑 而非犧牲性覆蓋層之過程。 【主要元件符號說明】 133021.doc -32- 200920593 18 槽 20 通孔 22 金屬化 133021.doc -33-

Claims (1)

1. 200920593 十、申請專利範圍： 1 · 一種印刷電路板前驅體，其包括： a. 可剝離性覆蓋層組合物，其包括： i. 80至1〇〇重量。/〇之可溶解聚合基質材料； ii. O至20重量％之雷射染料； b. 絕緣基材，其包括： i. 40至97重量％之絕緣聚合基質材料； ii. 3至6〇重量。/。之金屬氧化物可活化填料； / : 出.〇至20重量％之雷射染料，和視需要的 c·犧牲性覆蓋層組合物，其包括： i· 80至1〇〇重量％之可溶解聚合基質材料； Π.0至20重量％之雷射染料； 其中該犧牲性覆蓋層係位在該永久性覆蓋層之上。 2.如請求項1之印刷電路板前驅體’其中該可剝離性覆蓋 層之可溶解聚合基質材料係選自由以下組成之群組：殼 聚糖（chitosan)、甲基乙二醇殼聚糖、殼聚糖寡糖乳酸 V ' 鹽、乙二醇殼聚糖、聚（乙稀咪唑）、聚稀丙胺、聚乙烯 胺、聚喊胺、環聚胺（CyClen)(CyCliC p〇lyaniine)、聚乙烯 胺（直鏈、支鏈或苄基化）、聚（Ν·曱基乙烯胺）、聚氧伸 乙基雙（胺）、Ν，-(4-苄氧基）-Ν,Ν-二甲基曱脒聚合物鍵合 (肺樹脂）、聚（乙二醇）雙（2_胺乙基）、聚（2_乙烯基吼 °定）、聚（4-乙烯基吡啶）、聚（2-乙烯基吡啶Ν-氧化物）、 聚（4_乙烯基吡啶Ν-氧化物）、聚（4-乙烯基吡啶-共-二乙 稀基苯）、聚（2_乙烯基吡啶-共-苯乙烯）、聚（4-乙烯基吡 133021.doc 200920593 咬-共-苯乙烯）、聚（4-乙烯基吡啶）-2%交聯、聚（4-胺基 苯乙烯）、聚（胺曱基）聚苯乙烯、聚（曱基丙烯酸二曱基 胺乙酯）、聚（甲基丙烯酸第三丁基胺乙酯）、聚（曱基丙 烯酸二甲基胺乙酯）、聚（曱基丙烯酸胺乙酯）、苯乙烯和 二甲基胺基丙胺馬來醯亞胺之共聚物，及其混合物。 3,如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有 從2〇〇到1100 nm之吸收峰。 4_如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有 從2 0 0到3 0 0 nm之吸收峰。 5. 如明求項1之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有 從3 00到4〇〇 nm之吸收峰。 6. 如吻求項1之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有 從4〇0到7〇〇 nm之吸收峰。 7. 如明求項1之印刷電路板前驅體’其中該雷射染料具有 從700到11 〇〇 nm之吸收峰。 8. 如吻求項1之印刷電路板前驅體，其中該絕緣聚合基質 材料係選自由以下組成之群組： 醯亞胺、經玻璃纖維強化之環氧樹脂、苯酚-曱醛、 環氧樹脂、經破石填充之環氧樹脂、雙馬來醯亞胺樹 月:、雙馬來醯亞胺三嗪、含氟聚合物、聚酯、聚苯醚/聚 苯輕樹月曰、聚丁二埽/聚異戊二稀可交聯樹脂、和其共聚 物、液晶聚合物、聚醯胺' 氰酸酯和其混合物。 9. 如請求項8之印刷電路板前驅體，其中該絕緣基材進一 步包括填料。 133021.doc 200920593 ίο. 如明求項1之印刷電路板前驅體 層具有從2到500微米之厚度。 其中該可剝離性覆

   11. 如請求項1之印刷電路板前驅體’其中該可活化填料包 括具有AB2〇4通式之晶體形成之金層氧化物或其衍生 物， 其中： A為2價金屬陽離子，其係選自由鎘、鉻、錳、鎳、 辛銅鈷、鐵、鎂、錫、鈦和其組合組成之群組， 其中A提供第一金屬氧化物團簇之主要陽離子成分， 該第一金屬氧化物團簇為四面體結構， B為3價金屬陽離子，其係選自由鉻、鐵、鋁、鎳、 錳、錫和其組合組成之群組，其中B提供第二金屬氧 化物團簇之主要陽離子成分，該第二金屬氧化物團義 具有八面體結構， 其中〇為氧；及 其中該第一金屬氧化物團簇和該第二金屬氧化物團镇 一起提供獨特的可識別晶體結構。 12.如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該可剥離性覆蓋 層係可藉由用pH小於7之液體處理而移除。 13· —種在印刷電路板基材上形成金屬化圖案之方法，該方 法包括： (1) 提供如請求項1之印刷電路板前驅體； (2) 用雷射處理該前驅體以除去部分覆蓋層和位於丁 面的絕緣基材’而在該絕緣基材上形成一或多個圖案元 133021.doc 200920593 件，其中該等圖案元件係選自由槽、通孔和其組合所組 成之群組； (3) 藉由用液體處理而除去視需要的犧牲性覆蓋層； (4) 將該絕緣基材上之該等圖案元件金屬化；以及 (5) 藉由用pH小於7之液體處理而移除可剝離性覆蓋 層0 133021.doc