TW200919665A

TW200919665A - Bump I/O contact for semiconductor device

Info

Publication number: TW200919665A
Application number: TW097133635A
Authority: TW
Inventors: Pradip D Patel
Original assignee: Maxim Integrated Products
Priority date: 2007-10-11
Filing date: 2008-09-02
Publication date: 2009-05-01
Also published as: WO2009048738A1; DE112008002620T5; CN101821843A; TWI479623B; US9368466B2; US8269345B2; US20090096092A1; CN103560118A; US20130015574A1

Description

200919665 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明—般係關於用於電連接—基板與黏著㈣基板之半導體裝置的接點。更特定言之，本發明係關於在半導體裝置之覆晶封裝中採用以電耦合一半導體裝置上之接觸塾與黏著該半導體裝置之—基板的凸塊接點。【先前技術】 :塊接點藉由消除用以將一半導體裝置上之許多接觸墊 H者連接絲著該半導體裝置之—支撐基板上之對應導體的電引線之使用來流線化半導體裝置之封裳。此類電引線之薄紗品質或為了實現針對甚至一單一半導體褒置的必要電相通所要求的較大數目都不最佳地適合於有效率的工業製程。此外，相對於使用一電引線可獲得的電距離，在一半導體裝置上之-接觸塾與一支撑基板上之一導體之間的凸塊接點大大減低該接觸墊與該導體之間的電距離。與此類電引線形成對比，一凸塊接點僅具有於其要求附著之一單一而並且透過凸塊接點實現的附著比於一電引線之任一端形成的附著機械上強固得多。【發明内容】本發明涵蓋半導體裝置之封裝的改善。使用本發明導致展現增強的機械與電可靠性之半導體封裝。依據本發明之一態樣，提供一改良的凸塊接點，使用其來將一基板上之一導體電連接至黏著至該基板的一半導體 134129.doc 200919665 裝置之一接觸塾。本發明還涉及用於在-半導體裝置上之接觸塾與黏著該半導體裝置的一支撐基板上之導體法。導體之間進行電連接的方在此發明說明章節中已一般地說明本發明之特定特徵與有點；然而，本文中呈現額外特徵、優點及具體實施例並且鑑於圖式、規格及其申請專利範圍將明白該等額外特徵、優點及具體實施例。因此，應明白，本發明之範_並不受此發明說明章節中呈現的特定特徵所限制。【實施方式】在以下說明中，出於說明夕θ is 说明之目的，提出特定細節以便瞭解本發明。然而，可不使用一些或所有此等細節來實施本發明。可將下面說明的本發明之具體實施例併入若干不同電組件、電路、裝置及系統中。方塊圖中顯示的結構與裝置說明本發明之範例性具體實施例並且不用作用以混淆本發明之寬泛教導之-藉口。該等圖式内的組件之間的連接並不曰在限於直接連接。相反，可藉由巾間組件來修改、重新格式化或另外改變組件之間的連接。當該規格參考「一項具體實施例」或「—具體實施例」時，其旨在表示結合所說明的具體實施例說明的特定特徵結構、特性或功能係包括於本發明的至少一具體實施例中。因而’短語「在_具體實施例中」在本規格中之不 ^位置的出現並不構成對本發明之一單一具體實施例的複數個參考。 134129.doc 200919665 圖1繪示一典型半導體封裝的基本元件。此處，顯示一半導體封裝10，其包括黏著一半導體裝置16的具有—接合表面14之一支撐基板12。半導體裝置16具有一電存取表面 18,其係平行於並面向支撐基板12之接合表面14定位。實質上相同的凸塊接點20在半導體裝置16之電存取表面“與支撐基板12之接合表面14之間延伸，從而電耦合半導體裝置16與支撐基板12。每一凸塊接點20皆包括一對材料上形成對比的主要組

件。凸塊接點20之此等主要組件之第一組件係一導電柱 22。柱22係以柱22自電存取表面18朝向支撐基板12之接合表面14向外地突出之一方式來於其一第一端以附著於半^ 體裝置16之電存取表面18。在柱22之自由或相對的第二端 26上係定位凸塊接點2〇之第二主要組件，其係可於一預定溫度回悍從而橋接柱22之第二端26與支撐基板12之接合表面14之間之任何間隙的焊料冠。如圖丨所示，為了橋接該間隙，於柱22之第二端26處的焊料冠已呈現一經回焊的焊料冠2 8之形式。半導體裝置16之電存取表面18與半導體裝置16之接合表面14之間未藉由凸塊接點2〇佔據的空間係藉由一黏著齊1填料30所封裝。黏著劑填料3〇增強支撐基板12與半導體裝置 16之間的相互抓緊’ {撐每一凸塊接點2〇之結構整合性，並自所有其他凸塊接點20上之信號電絕緣一凸塊接點“上之信號。其揭示半圖2係來自圖1之一單一凸塊接點2〇的放大圖 134129.doc 200919665 導體封裝1 〇之額外結構態樣。首先，由圖2可明白，柱22之第一端24並不直接接合半導體裝置16之電存取表面18。相反，電存取表面18承載一接觸塾32,其以未使用半導體裝置16中之適當結構說明的方式進行電相通。接著，凸塊接點2〇之柱22實際上實現與接觸墊32的直接電接觸與機械附著。於凸塊接點20之相對端，一類似結構配置較為明顯。圖『 2揭示凸塊接點20之經回焊的焊料冠28並不直接接合支撐 1 基板12之電存取表面18。作為替代，電存取表面18承載— 導體34，其以未使用支撐基板12中之適當結構說明的方式進行電相通。接著，凸塊接點2〇之經回焊的焊料冠Μ實際上實現與導體34的直接電接觸與機械附著。在經回焊的焊料冠28附近，導體34之表面可具有—薄焊劑塗層36，其促進經回焊的焊料㈣實現至導體34之一電接觸與-機械附著。然而，甚至當採用一塗層（例如焊劑 *層36)時，仍將考量藉由—經回焊的焊料冠透過該焊劑層如此實現的電接觸與機械附著，並且其在本文中將係稱為在該經回焊的焊料冠與該導體之間直接實現之-電接觸與機械附著，猶如該焊劑塗層不存在。經回焊的焊料冠28在附著於柱22之第二端26的一第—端與遠離其的回焊端4〇之間延伸。經回谭的焊料冠Μ最終係包含的前身材料最初僅係附著於柱22之第二端％，並 :不附著於任何其他結構，因而係固定於所認為的凸塊接點2〇之尖端。在圖2所示之半導體封裝H)之組件的级 134129.doc 200919665 裝期間，於凸塊接點20之尖端的此前身材料係接近導體^ 放置並係加熱至足以引起該前身材料軟化之一預定溫度。當附著於柱22之第二端26的該前身材料之部分保持：：附 ^以變成經回焊的焊料冠28之第__端3叫，該加熱軟化的前身材料之平衡自柱22之第二端26朝向導體Μ下垂開並與導體34接觸’從而最終呈現經回焊的焊料冠私回谭端4〇的形狀。對於本發明而言重要的係在一介面42附近的凸塊接點Μ 之區域，其中柱22之第二端26接觸經回焊的烊料冠28之第一端38。圖3八與38中以放大的細節顯示於凸塊接點⑼之右邊緣處的介面42之一部分。在圖3八與叩中，為方便起見凸塊接點20右側的黏著劑填料3〇已係首略。圖3 Α與3Β凊楚忒明已發現要在一介面（例如介面2句附近形成的所選擇問題性材料與結構改變。此等結構改變由於建構一柱（例如柱22)之金屬與通常包含於一鄰接結構（例如經回焊的焊料冠28)之焊料中的金屬合金組分之對比材料品質所致而發生。一些結構改變在製造期間或僅由於放置於一結構中之永久接點中的不同材料之對比品質所致而自然地形成。出於本發明之說明目的，此類自然結構改變並不顯著削弱一凸塊接點之可靠性或功能性，並因此係認為係良性的。然而，額外結構改變係藉由在使用期間電流透過一凸塊接點之預期傳輸所引起。並非所有此類電流引致結構改變都同樣係良性的；相反，許多係高度難以解決的。本發明係關 134129.doc 200919665 的此類問題性電流引致於一凸塊接點（例如凸塊接點2〇)中結構改變的防止。在圖3A中，顯示緊接著在製造凸塊接點20之後在柱22之第二端26與經回焊的焊料冠28之第一㈣之間的介面42。建構柱22的金屬與通常包含於鄰接的回焊焊料冠28中之金屬合金組分之對比材料品質已引起凸塊接點2〇中的各種自然結構改變，其然而係認為係良性的。在進行至圖3B之前將調查此等良性自然結構改變之一者。柱（例如凸塊接點20之柱切最一般的係自銅製成，並偶爾係自金（Au)製成。用於一焊料冠（例如凸塊接點20之經回焊的焊料冠28)中的焊料係一易熔以錫為主的合金，其主要包含錫（Sn)與錯（ph)並組合各種其他金屬元素’例如錄（Sb)、絲⑽及銀（Ag)。存在無錯谭料組成物，其中錫㈣占主導地位並組合各種微量的録(sb)、叙 _及銀（Ag)。在圖3八與财，出於說明之目的將假定極 22係包含銅（Cu)並且經回焊的焊料冠2 料，其中錫㈣係主要組分。為於柱22中之銅（Cu)與經回焊的焊料冠28中之錫（sn)之介面42處，藉由箭頭顯示之—自,然擴散Μ%。發生，其中銅（a) 離開柱22 ^跨介面42並進人經回桿的焊料冠28之緊鄰部分。因此’展和金屬間化合物相43無意地在與介㈣相鄰之經回焊的焊料冠28中的回焊的焊料凸塊2〇之材料基質内發展形成。混和金屬間化合物相43具有一相對均勻的厚度 Τη，其係與介面42正交地向經回焊的焊料冠28内進行測 134129.doc 200919665 量。混和金屬間化合物相4 3向經回焊的焊料冠2 §内延伸至一不規則邊界’其為方便起見在圖3 A中以虛線顯示為一線性下部邊緣44。混和金屬間化合物相43之下部邊緣44係緊密接近介面42定位。混和金屬間化合物相43係包含來自柱22之銅（cu)，其係透過經回焊的焊料冠28之焊料中的錫（Sn)分佈。由於當在製造期間將經回焊的焊料冠28之前身悍料材料施加至柱22 時施加於介面42處的熱所致，以及之後僅由於在一結構 (例如凸塊接點20)中銅（Cu)之一區域與錫（sn)之一區域的永久接觸所致’該銅（Cu)係擴散至經回焊的焊料冠28中。當如此發展形成時，混和金屬間化合物相43在大小上係穩定的’其在其範圍内表示建置於柱22與經回焊的焊料冠28 之間的原子結晶平衡之一狀態。以圖3 A所示之大小存在的混和金屬間化合物相4 3不引起機械脆性或凸塊接點2 〇之電阻的顯著不利改變。然而，該平衡係藉由使用凸塊接點2〇來傳導電流或藉由再度將凸塊接點2 0曝露至極度高溫所打破。圖3 b中繪示混和金屬間化合物相43中的平衡之此一打破的後果。該些後果之一些後果可足夠嚴重以致導致凸塊接點2〇中的災難性結構失效。在圖3B中，藉由一箭頭示意性顯示一電流y透過凸塊接點20而自柱22與半導體裝置16流向經回焊的焊料冠與支撐基板12。當電流^穿過介面42時，混和金屬間化合物相 43變得在大小上不穩定。此導致在介面42附近的進—步材 134129.doc 200919665 料與結構改變，其劣化凸塊接點2G之電與機械效能。新生的且不α需要的金屬間化合物相在介面a附近形成，其展見反功此的電與機械特性。此等不合需要的金屬間化合物相之一些金屬間化合物相甚至在介面42附近的凸塊接點之材料基質中包含空隙。依據本發明之教導，當凸塊接點2〇係用以傳輸電流& 時，藉由箭頭顯示之一快速且較大引致擴散Du發生，其中銅（Cu)自柱22橫跨介面42進入經回焊的焊料冠28中之混和金屬間化合物相43中《混和金屬間化合物相43放大。其下部邊緣44以圖3B中藉由相關聯於混和金屬間化合物相μ 之厚度Τη的尺寸線所建議之方式向經回焊的焊料冠“深處移動。最終，混和金屬間化合物相43變得銅（Cu)飽和且不能進步增長。接著，電流1^透過凸塊接點2〇之繼續傳輸以藉由圖3B中之箭頭指示之-引致擴散IDSn開始錫(Sn)離開經回焊的焊料冠28巾之混和金屬間化合物相43橫跨介面似進入柱22之一反擴散。在此等情況下’不合需要的銅（Cu)與錫（Sn)之金屬間化合物相的形成發生，與混和金屬間化合物相43不同，其展現易碎材料特性與對電流l2〇之傳輸的增加電阻。、易碎金屬間化合物相之形成顯著減低抗熱機械疲勞性與抗機械衝擊性’從而引起介面42附近的過早破裂並減低凸塊接點2。之結構可靠性。此等金屬間化合物相中之增加的電阻導致凸塊接點2G作為—互連之電功能的不可靠性。其 134129.doc 200919665 次，凸塊接點20中的更高電阻引起透過其傳輸的任何電流 12〇在介面42附近的凸塊接點2〇之材料基質中產生大量的熱。以-正回授的方式，此加速不合需要的金屬間化合物相之形成。此等不合需要的金屬間化合物相並不均勻地分佈於整個凸塊接點2”或彼此隔離。然而，為清楚起見，在圖π 中，以隔離的層來繪示不適宜的金屬間化合物相之主要類型。此等層之第一層係一混和金屬間化合物相45，其在柱22 中相郴於介面42發展形成並包含透過銅(c匀分佈的錫師不幸的係，混和金屬間化合物相化不合需要地易碎並且不合需要地阻抗電流12〇之傳輸。一不適宜的金屬間化合物相之一第二層亦自使用在凸塊接點20中形成。因而，所示係一抽空金屬間化合物相a，其係在經回焊的焊料冠28中相鄰於介面42發展形成。抽空金屬間化合物相46涵蓋複數個細微空隙48。當經回焊的焊料冠28中的混合金屬間化合物相43中之錫（8幻在一延伸的基礎上橫跨介面42擴散至柱22中時’空隙48形成。由於錫 (Sn)離開混合金屬間化合物相43之引致擴散所致，抽空金屬間化合物相46在柱22中之混合金屬間化合物相45之建置之後發展形成。抽空金屬間化合物相46中空隙48的存在以兩種方式削弱凸塊接點20的可靠性。首先，空隙48使抽空金屬間化合物相46機械上易碎。其次，空隙48實體上減小凸塊接點汕於 134129.doc -13- 200919665 介面42處的導電斷面面積。此增加電阻並對應地加速相關聯於電流i2G之傳輸的凸塊接點2G之材料基質中加熱的速率。依據本發明之一態樣，-凸塊接點(例如圖3A與3B所說明之凸塊接點20)具有用於在其中採用凸塊接點2〇的半導體封裝之操作期間延遲一易碎金屬間化合物相在介面彻近形成的穩定化構件。實行此功能之結構位於柱22之第二端26與經回焊的焊料冠28之第一端^之間並係在製造凸塊接點2 0時布置於其。 ☆經由舉例，依據本發明之教導的—敎化構件之一形式採取對柱22之-選定化學組分至經回焊的焊料冠之第一端3 8中之電遷移的—且陸夕# sr , 〇β J I丨早之形式。最一般的係，柱22之該選單=學組分係銅（Cu)，或偶爾係金（Au)。依據本發明，以P P章係插人至柱22之第二端26與經回焊的焊料冠28之第 -端38之間的材料之一控制層。該阻障之材料係選自由鎳㈣、把（Pd)、氮化组（TaN)、鈦鎢之合金（η,及鎳釩之合金（Ni-V)構成的群組。該控制層之厚度並不大較佳的係在自大約5微米至大約10微米之一範圍内。將參考圖4 A至4 J中呈現的示意正視圖之排序的序列來說明一範例性第一方法，藉其可在—凸塊接點（例如，凸塊接點20)中製造一控制層並接著將該控制層用於實現一支撐基板與黏著於該支樓基板上之一半導體裝置之間的電連接。在圖4八中，顯示一半導體裝置5〇，並且其電存取表面Μ 134129.doc •14· 200919665 係識別。在電存取表面52上擱置一接觸塾54，其以未使用半導體裝置50中之適當結構說明的方式進行電相通。為了開始在接觸墊54與欲點著半導體裝置5〇之一支撐基板之間進行電連接，以-光阻層56來覆蓋電存取表面52與接觸墊54如圖4B所說明，形成透過光阻層56至接觸墊“之一井58。在圖4C中，開始建構電與機械地附著於接觸墊54之一凸塊接點彳58之底部係充滿一材料（例如銅（Cu)或金（心)） Μ在接觸墊54上產生一直立柱⑼。因此，柱6〇具有一曝露的端表面61，其可經由井58來存取。接著，如圖4D所示，透過井58將一控制層62施加至柱6〇之曝露的端表面61。此係使用一選自由電解電鑛、無電極電鍍及A相/尤積構成之群組的方法來經由舉例而非限制地完成。㈣層62係自能夠阻止一或多個選定化學組分離開柱60進入在井58中製造並欲在隨後的製造步驟中添加至該凸塊接點的凸塊接點之部分中的電遷移之一材料製成。經由舉例而非限制，控制層62旨在阻止銅（Cu)離開柱6〇之電遷移。接著對應地，經由舉例而非限制，該控制層62之材料係選自由鎳（Ni)、鈀（Pd)、氮化鈕（TaN)、鈦鎢之合金 (Ti-W)及鎳釩之合金（Ni_v)構成的群組。控制層62的厚度Τα必須足以實現其預期目的。因此，經由舉例，控制層62的厚度Τα的範圍係自小至大約2微米至大至大約20微米。控制層62中之一更大厚度丁62不一定會毀損控制層62之預期功能，但出於與製造方法或與所建 134129.doc •15· 200919665 構之半導體封裝的架構相關的原因可能不合需要。替代地，經由舉例，控制層62的厚度丁62的範圍係自大約3.5微米至大約15微米，或更窄的係自大約5微米至大約1〇微米。接著，如圖4E所示，使用焊料電鍍技術來將一可回焊焊料冠64女裝至控制層62上。其他安裝技術係可接受的，並且隨後將說明一額外的此類技術。通常，製成可回焊焊料冠64的焊料係一易熔以錫為主的合金，其主要包含錫（sn) 與鉛（Ph)並組合各種其他金屬元素，例如銻（Sb)、鉍（Bi)及銀（Ag)。存在無鉛焊料組成物並且可接受其用於形成可回焊焊料冠64。在此等組成物中，錫（Sn)占主導地位並組合各種微量的（例如）銻（Sb)、鉍（Bi)、銅（Cu)、銀（Ag)及其他凡素。柱60、控制層62及可回焊焊料冠64之集體集合在下文中將係稱為一凸塊接點66，儘管在凸塊接點66實際係用於將半導體裝置50電連接至一支撐基板之前將實施對凸塊接點66之結構的進一步修改。如圖4F所示，光阻層56之所有剩餘部分都係自半導體裝置50之電存取表面52移除，從而留下凸塊接點“作為一獨立結構，該凸塊接點實質上與其電存取表面52正交地自半導體裝置50突出。視需要地，但如圖4(}所說明，半導體裝置50整體（尤其包括凸塊接點66)係藉由足以軟化可回焊焊料冠64之焊料並允許可回焊焊料冠64重新形成為一圓形可回焊焊料冠68之環境加熱來變熱。圖4H繪示欲黏著並電連接來自圖4G之半導體裝置⑼的 134129.doc -16- 200919665 一支撐基板72。還識別支撐基板72之接合表面74。接合表面74承載一導體76，其係藉由-焊劑塗層78來覆蓋。導體 76以未使用支撐基板72中之適#結構說明的方式進行電相通。半導體裝置5G係定位於支揮基板72附近，其中凸塊接點20在半導體裝置5〇與支撐基板72之間並形可回焊焊料冠68接觸支撐基板72上的導體％。如圖41所示，支撐基板72與半導體裝置％的整體集合係充分變熱讀化圓料轉焊料冠68之焊料並允許圓形可回焊焊料冠6 8代表凸塊接點2 0與支撐基板7 2上之導體7 6電與機械地實現―回焊附著。如此重新組態，該焊料呈現經回焊的焊料冠70之形式。最後，如圖4J所示，使用黏著劑填料82來封裝在半導體裝置50之電存取表面52與支樓基板72之接合表面μ之間未藉由凸塊接點66佔據的空間。得出一完整的半導體封裝 84。 ~ 以圖5A至5E中呈現的示意正視圖之排序的序列說明一用於實現-支撐基板與黏著至該支撐基板之一半導體裝置之間之—電連接的第二範例性方法。該第二方法使料球附^來在-控制層（例如在該第—方法中建立的控制層62) 上安裝-可回焊焊料冠。在可實施的程度上，將採用來自該第一方法之參考符號來識別在圖5八至冗中繪示的第二方法中出現的相同或實質上相同的結構。圖5A所示係半導體裝置5〇與接觸墊“，纟上已建構一凸塊接點的-些初始部分。—凸塊接點之此等初始部分包括 134129.doc -17- 200919665 其上布置的柱60與控制層62。與先前揭示的第一方法中之圖4C形成對比，控制層62之一曝露的表面外與光阻層％之頂部表面齊平。如圖5B所示，一圓形焊球9〇係安裝於控制層“之曝露的表面96上，從而完成一凸塊接點92。如圖％所示，光阻層 56係移除。隨即，如圖5D所示，半導體裝置5〇係定位於支撐基板72附近，其中凸塊接點92在半導體裝置5〇與支撐基板72之間並且焊球9〇接觸支撐基板72上的導體76。圖5D所示的支撐基板72與半導體裝置5〇之裝配件整體係充分變熱以軟化焊球90之焊料並允許焊球9〇代表凸塊接點 92與支撐基板72上之導體76電與機械地實現一回焊附著。如此重新組態，該焊料呈現圖诏所示之一經回焊的焊料冠 94之形式。使用黏著劑填料82來封裝在半導體裝置％之電存取表面52與支撐基板72之接合表面74之間未藉由凸塊接點92佔據的空間。得出一完整的半導體封裝94。以圖6A至6C中呈現的示意正視圖之排序的序列說明一用於實現-支揮基板與黏著至該支樓基板之一半導體裝置之間之一電連接的第三範例性方法。在一控制層（例如在上面說明的第-方法中建立的控制層62)上，該第三方法用不展現任何圓形之—可回焊焊料冠。在可實施的程度上’將採用來自該第一方法之參考符號來識別在圖仏至中繪不的第三方法中出現的相同或實質上相同的結構。圆6A所示係半導體裝置5〇與接觸墊54，其上已建構一凸塊接點1。。的所有部分。此等部分包括柱6。、可=焊： 134129.doc 200919665 冠64及夾在其間的控制層62。圖6B所示，無需第一方法之圖4G中所繪示之類型的進一步處理，半導體裝置5〇係定位於支撐基板72附近，其中凸塊接點100在半導體裝置50與支撐基板72之間並且可回焊桿料冠64接觸支撐基板72上的導體76。

圖6B所示的支撐基板72與半導體裝置5〇之集合整體分變熱以軟化可回焊焊料冠64之焊料並嶋凸塊接點_與支撐基板72上之導體76電=: 實現一回焊附著。如此重新組態，該焊料呈現圖6C所示之一經回烊的焊料冠102之形式。使用黏著劑填料U來封裝在半導體裝置50之電存取表面52與支撐基板72之接合表面 74之間未藉由凸塊接點1〇〇佔據的空間。得出一完整的半導體封裝104。圖7A與7B —起呈現圖4A至4j中說明的第一製造方法中、圖5八至5財說明的第二製造方法中及圖6A至6C中說明的第三製造方法中的步驟之一單一綜合流程圖。在圖7A中，所有該等方法都以在概念上以一虛線次常式矩形110分組之一共用步驟集開始。實現包括於次常式矩形110中时驟之總體結果係一具有第一與第二末端之導電柱的建構以及該柱之第一端電與機械地至一半導體裝置上之接觸塾的附著。特定言之，該些步驟如程序矩形 112所示藉由塗布該接觸墊與以一光阻層承载該接觸墊的半導體裝置之表面來開始。接著，如程序矩形114所示，於該接觸墊處在該光阻層中形成一井。最後，如程序矩形 134129.doc •19· 200919665 116所示在該井之底部沈積用以形成一凸塊接點之柱之一材料，例如銅（Cu)或金（All)。在虛線次常式矩形120中，接著進行數個替代性步驟之 —者。實行次常式矩形120内的替代性步驟之任一者的結果係將-導電控制層施加至該柱之第二端，該控制層係包含能夠阻止銅（Cu)離開該柱之第二端並進入該可回焊焊料冠之電遷移的材料。如程序矩形122所示藉由電解電鑛該材料、如程序矩形124所示藉由無電極電鍍該材料或如程序矩形12 6所需要藉由使用該材料之汽相沈積來完成此總體目標。繼續，其涵蓋各包括複數個方法步驟的一到式。在該等次次常式之—者中，該等方法步需要的。實行次常式矩形13〇内之次次常式體結果係將—可回焊焊料冠安裝至先前施加接著’在圖7B中’該等方法在一虛線次常式矩形13〇中

之層回焊成一圓形一對替代性次次常

134129.doc -20· 200919665 冠如程序矩幵> 140所提出。然而，程序矩形丨4〇之方法步驟係視需要的’因為可使用並非圓形的冠材料之—層來成功地實行所示方法步驟之其餘步驟。在人-人常式矩形134之附著選項中，方法步驟如程序矩形1 4 2所示藉由在先前施加至該柱之第二端的控制層上定位訄材料之一球來開始。接著如程序矩形144所示，自該接觸墊與承載該接觸墊的半導體裝置之表面移除該光阻層。一旦如次常式矩形13〇所要求一可回焊焊料冠係安裝至違控制層上，所示方法便在—虛線次常式矩形150中繼續，其涵蓋一對替代性方法步驟。依據是否在先前實際進行的方法步驟中產生一圓形冠來決定欲採用的替代性方法步驟。實行次常式矩形150内的替代性方法步驟之任一者的結果係將該半導體裝置定位於該支撐基板附近，其中該柱在該半導體裝置與該支樓基板之間並且該冠材料接觸該支樓基板上的導體。若在先前方法步驟中產生的冠並非圓形，則如程序矩形152所示’藉由冠材料之層來接觸該導體。另一方®’若在先前方法步驟中產生的冠係圓形的，則如程序矩形154所示，作為替代藉由該圓形冠材料來接觸該導體。在圖7B中，所有該等繪示的方法以按順序實行之一共用步驟集來結束。首先，如程序矩形16〇所示，該半導體裝置及該支撐基板與其間的柱之裝配件係充分加熱以使該冠代表該凸塊接點與該支樓基板上之導體電與機械地進行一 134129.doc -21 · 200919665 回焊附著。接著，如程序矩形170所示，施加黏著劑填料以封裝在該半導體裝置與該支樓基板之間未藉由該凸塊接點佔據的空間。一完整的半導體封裝得出體現本發明之教導的結果。圖8係體現本發明之教導的材料上形成對比的一對一凸塊接點中之主要組件之間的介面區域之高度放大示意圖。因而，所示係位於經由舉例自銅（Cu)或金（Au)建構之—導電柱182與由一包含錫（Sn)之焊料合金建構之一經回焊的焊料冠183處並在其間的一凸塊接點18〇之一部分。圖8中未顯示的柱182之端代表柱182之一端實現至一半導體裝置 (其亦未在圖8中出現）之一電接觸與一機械附著。同樣，圖 8中未顯示之經回焊的焊料冠183之端代表柱182之相對端實現至一支撐基板（其亦不在圖8中）之一電接觸與一機械附著。位於在圖8中出現的柱182之端182與在圖8中出現的經回焊的焊料冠183之端185之間的係以及本發明之教導製造與組態之一控制層186。控制層186用作延遲銅（Cu)自柱Μ〗至經回焊的焊料冠183中之擴散的阻障。以此方式，儘管使用凸塊接點180來傳輸電流Iis〇(其在圊8中藉由—箭頭^ 示），控制層186仍穩定凸塊接點18〇之結構與電特性。因此，控制層1S6係由選自由鎳（Ni)、鈀（pd) '氮化鈕 (TaN)、鈦鎢之合金（Ti_ w)及鎳釩之合金（Ni_v)構成之群組的材料建構而成。控制層186具有一範圍係自大約5微米至大約10微米的厚度丁186。 134129.doc -22- 200919665 雖然相對較薄，控制層186必然具有固定於柱i82之端 182的一第一側187與固定於經回焊的焊料冠183之端185的一第二側188。在電流Ils〇透過凸塊接點18〇傳輸期間，控制層186在柱182與經回烊的焊料冠183之間的存在延遲銅 (Cu)離開其在柱182中原始製造的位置並進入經回焊的焊料冠183之端185中的遷移移位。以此方式，(例如)在圖3B 中繪示的，不合需要的金屬間化合物相在凸塊接點i8〇之材料基質内的形成被阻止，，無包含透過銅(cu)分佈

的錫（Sn)之混和金屬間化合物相在柱182中發展形成並且無包含空隙之抽空金屬間化合物相在經回焊的焊料冠 183中發展形成。其餘圖式係自裝ge·的半導體封錢取並在使用—掃描電子顯微鏡解剖之後獲取的實際凸塊接點之顯微照片。圖9A與9B係不使用本發明之教導之好處製造的凸塊接點之顯微照片。一起考量圖从與叩尤其提供此類凸塊接點中藉由電流產生之不合需要的材料與結構改變之一視覺理解。圖1 0A與1 0B係以及本發明之教導製造與組態的凸塊接點之顯微照片。一起考量圖9八與9B提供此類凸塊接點中藉由電流引起之不合需要的材料與結構改變中藉由本發明引起的顯著減低之一視覺理解。圖n係執行本發明的另一凸塊接點之一部分在持續使用之後的高度放大圖。圖9 A繪示不體現本發明之教導的一未使用的新製造的凸塊接點190a。凸塊接點19〇a連接一半導體裝置194上之一 134129.doc •23· 200919665 接觸墊192與不包括於圖9A中的一支撐基板上之一導體 196。導體196係藉由一焊劑塗層198覆蓋。在半導體裝置 194與承載導體196的支撐基板之間未藉由凸塊接點i9〇a佔據的空間係藉由一黏著劑填料2 〇〇來封裝。凸塊接點190a包括一對材料上形成對比的主要組件：一導電柱202 ’其係由銅（Cu)製成；以及―經回焊的焊料冠 204，其係由主要包含錫（Sn)與銀（A幻之一無鉛焊料合金製成。經由透視，柱202具有在黏著劑填料2〇〇之區域之間橫跨凸塊接點190a測量之一直徑，其等於大約12〇微米。自接觸墊192至經回焊的焊料冠2〇4的與凸塊接點丨9〇&對準測里的柱202之南度等於大約8〇微米。柱202針對經回焊的焊料冠2〇4之界接界定其間之一介面 2〇6，其在圖9A中係反覆識別。在圖9A中，顯示一對不規則的暗線橫跨黏著劑填料200之區域之間的經回焊的焊料冠204延伸至其任一側。此等暗線各係分別在凸塊接點 l9〇a之製造與凸塊接點19〇a至導體196之附著期間在經回焊的焊料冠204之材料基質内無意產生的一個別混和金屬間化合物相之一邊限。此等暗線之第一暗線係在相鄰於介面2〇6之經回焊的焊料对204中發展形成之一混和金屬間化合物相208。混和金屬間化合物相208係包含來自柱2〇2之銅（Cu)，其係透過經回焊的焊料冠204之焊料中的金屬元素分佈。當在凸塊接點190a作為固定於半導體裝置194之一結構的製造期間將經回焊的焊料冠2〇4之前身焊料材料施加至柱202時，由於 134129.doc • 24· 200919665 施加於介面206處的熱所致，該銅（Cu)擴散至經回焊的焊料冠204中。混和金屬間化合物相2〇8不引起該機械脆性或凸塊接點190a之電阻的顯著不利改變。另一混和金屬間化合物相係一混和金屬間化合物相 210，其在相鄰於導體196上之焊劑塗層198之經回焊的焊料旭204中發展形成。混和金屬間化合物相21〇係包含來自導體196之銅（Cu)與來自焊劑塗層198之錫（Sn)，其係透過經回焊的焊料冠204之焊料中的金屬元素分佈。當經回= 的焊料冠204之前身焊料材料充分變熱以致能凸塊接點 190a至導體196之回焊附著時，由於施加於導體196上與焊劑塗層198上的熱所致，該銅（Cu)與該錫（Sn)擴散至經回焊的焊料冠204中。混和金屬間化合物相21〇不引起該機械脆性或凸塊接點190a之電阻的顯著不利改變。圖9B繪示不體現本發明之教導的類似於圖9A中之凸塊接點190a的一凸塊接點19〇1^凸塊接點19〇b與凸塊接點 1 90a實際上並非一單一凸塊接點，但兩者都係使用相同材料以實質上相同的製程來製造成相同規格。因此，出於任何實際比較之目的，凸塊接點DOb與凸塊接點19〇a實質上係相同的。在可實施的程度上’將採用相同的參考符號來 s戠別凸塊接點1 90b中與凸塊接點j 9〇a中的對應結構。然而，與凸塊接點19〇a不同，凸塊接點19〇b既非新製造的亦非未使用的。相反，凸塊接點丨9〇b係經受一等於大約〇.5文培之電流I丨9〇約8〇〇小時的透過其之傳輸。以此方式使用凸塊接點19〇b使其材料結構產生許多改 134129.doc -25- 200919665 變。將藉由最初針對圖9B中之凸塊接點19〇b中之經回焊的焊料冠204與圖9A中之未使用凸塊接點丨9〇a中之經回焊的焊料冠204之間的外觀對比來說明對凸塊接點19〇b之總體材料與電可靠性相對良性的此等改變之數個改變。例如，在凸塊接點190b中，混和金屬間化合物相2〇8本身已自介面206延伸至經回焊的焊料冠204深處，混和金屬間化合物相208係實質上放大。在某種程度上自導體196前進至經回焊的焊料冠204中’混和金屬間化合物相2丨〇亦在範圍上增長（但較不顯著）。然而，每一者的擴展皆比朝向左邊緣更快地朝向經回焊的焊料冠204之右邊緣。此外，在圖9A中之凸塊接點丨9〇a之經回焊的焊料冠2〇4中展現的錫（Sn)與銀（Ag)之相對均勻的相互混和係在局部區域中藉由銀（Ag)向其他區域中的擴散所中斷。因而，錫之一實際上純區域212在經回焊的焊料冠204之左邊緣上並在其中心中發展形成。然而，純區域212與混和金屬間化合物相208、210的存在與生長並不導致機械脆性或電阻之顯著不合需要的改變。另一方面，圖9B中之凸塊接點190b與圖9A中之凸塊接點190a的進一步比較確實揭示相當不適宜的額外材料與電改變。首先，實質上均勻厚度之一混和金屬間化合物相214在柱202中相鄰於介面2〇6發展形成。金屬間化合物相214係包含透過銅（Cu)分佈之錫（Sn)。由於電流119〇橫跨介面2〇6 之傳輸與錫（Sn)離開混和金屬間化合物相210橫跨介面206 134129.doc -26· 200919665 進入柱202之一所得反擴散所致，混和金屬間化合物相214 形成。不幸的係，混和金屬間化合物相214不合需要地易碎並且不合需要地阻抗電流119〇之傳輸。

其次，在混和金屬間化合物相2 0 8中’許多細微空隙216 係在經回焊的焊料冠204中相鄰於介面206發展形成。次具有將良性混和金屬間化合物相208之一部分轉換成一問題性抽空金屬間化合物相218的效應。在銅（Cu)自柱202進入混和金屬間化合物相208中的較大移位使經回焊的焊料冠 204變得銅（Cu)飽和並迫使來自混和金屬間化合物相之⑽的錫（Sn)反擴散至柱202中之後，空隙216形成。抽空金屬間化合物相218中的空隙216以兩種方式削弱凸塊接點190b的可靠性。首先，空隙216使抽空金屬間化合物相218機械上易碎。其次，空隙216實體上減小凸塊接點 1 90b在介面206附近的導電斷面面積。該增加的電阻對應地加速每當傳輸電流時該凸塊接點190b係加熱之速率。圖10A繪示已製造並係依據本發明之教導的結構之—未使用的新製造的凸塊接點220a。凸塊接點連接—半導體裝置上之-接觸塾222與—支樓基板上之一導體226。圖 10A中不包括該半導體裂置，亦不包括該支摔基板。導體 226係藉由—焊劑㈣228覆蓋。在該半㈣裝置與該支撐基板之間未藉由凸塊接點22()3佔據的空間係藉由—黏填料230來封襄。 … 凸塊接點⑽包括-對材料上形成對比的主要組件：— 134129.doc -27- 200919665 導電柱232,其係由銅（Cu)製成；以及—經回焊㈣㈣ 34 /、係由主要包含錫(Sn)與銀(Ag)之一無鉛焊料合金製成。經由提供一透視，一各使用1〇〇微米之增量的大小比例尺係包括於圖1〇Α之右下邊緣上。位於柱232與經回焊的焊料冠234之間的係依據本發明之教導製造與組態之一控制層236。控制層236係自鎳（Ni)構造而成，從而用作延遲銅（Cu)自柱232至經回焊的焊料冠 234中之擴散的阻障。以此方式，儘管使用凸塊接點來傳輸電流，控制層236仍穩定凸塊接點22〇a之結構與電特性。控制層236具有至少大約2〇微米之一厚度丁19〇。雖然相對較薄，控制層236必然具有固定於柱232的一第一側 238與固疋於經回焊的焊料冠234的—第二側240。在將凸塊接點220a附著於導體226期間，在圖ι〇Α之經回焊的焊料冠234之材料基質242内無意地產生一混合金屬間化合物相。該混和金屬間化合物相係一混和金屬間化合物相244， ·,Γ '其在相鄰於導體226上之焊劑塗層228之經回焊的焊料冠 204之材料基質242中發展形成。混和金屬間化合物相244 係包含來自導體226之銅（Cu)與來自焊劑塗層228之錫 (Sn)’其係透過經回焊的焊料冠234之焊料中的金屬元素分佈。當經回焊的焊料冠234之前身焊料材料充分變熱以致能凸塊接點220a至導體226之回焊附著時，由於施加於導體226上與焊劑塗層228上的熱所致，該銅（cu)與該錫 (Sn)擴散至經回焊的焊料冠234中。混和金屬間化合物相 134129.doc •28· 200919665 244不引起該機械脆性或凸塊接點22〇a之電阻的顯著不利改變。圖1〇B繪示電與機械地互連一半導體裝置246上之接觸墊 222與一支撐基板248上之導體226的一凸塊接點22肋。類似於圖10A中之凸塊接點22〇a，凸塊接點22〇b體現本發明之教導。凸塊接點220b與凸塊接點220a實際上並非一單一凸塊接點，但兩者都係使用相同材料以實質上相同的製程來製造成相同規格。因此，出於任何實際比較之目的，凸塊接點 220b與凸塊接點220a實質上係相同的。在可實施的程度上，將採用相同的參考符號來識別凸塊接點22〇b中與凸塊接點220a中的對應結構。然而，與凸塊接點22〇a不同，凸塊接點22〇b既非新製造的亦非未使用的。相反，凸塊接點22〇b係經受一等於大約 0-5女培之電流丨^❶約3700小時的透過其之傳輸。以此方式使用凸塊接點22Ob使其材料結構僅產生略微改變。然而，將藉由最初針對圖1 〇B中之凸塊接點220b中之經回焊的焊料冠234之材料基質242的外觀與圖l〇A中之未使用凸塊接點220a中之經回焊的焊料冠234之材料基質242 的外觀之間的對比來說明此等改變之一者。例如，在凸塊接點220b中，在某種程度上自導體226均句地板跨凸塊接點1 90b前進至經回焊的焊料冠234之材料基質242中，混和金屬間化合物相244在範圍上增長。然而’混和金屬間化合物相244的存在與生長並不導致機械 134129.doc •29- 200919665 脆性或電阻之顯著不合需要的改變。圖ιοΒ中之凸塊接點220b與圖10A中之凸塊接點22〇&的進一步比較並不揭示由於電流^川之傳輸所致而在圖兆之凸塊接點190b中所觀察到的類型之顯著不適宜的材料或電改變。相對於未使用的凸塊接點190a中之該些改變，在凸塊接點190b中產生的不適宜改變增加脆性與電阻。可以講的係，雖然透過凸塊接點190b傳輸的電流與透過凸塊接點220b傳輸的電流在量值上相等，但透過凸塊接點 220a的電流傳輸之持續時間係透過凸塊接點丨9〇b的電流傳輸之持續時間的四倍以上。儘管如此，在凸塊接點22汕中偵測不到顯著的不適宜改變。在電流122〇透過凸塊接點220傳輸期間，控制層236在柱 232與經回焊的焊料冠234之間的存在延遲銅（Cu)離開其在柱232中原始製造的位置並進入經回焊的焊料冠234中的電引致遷移移位。以此方式，（例如）在圖3B與圖9B中繪示的不合需要的金屬間化合物相在凸塊接點22〇之材料基質内的形成係阻止。因而，無包含透過銅（Cu)分佈的錫（Sn)之混和金屬間化合物相在柱232中發展形成，並且無包含空隙之抽空金屬間化合物相在經回焊的焊料冠234中發展形成。作為相對於本發明技術的此等結論之進一步確認，圖j! 王現一凸塊接點250之右邊緣之一部分的高度放大顯微照片，該凸塊接點具有插入在問題性的材料上形成對比的該對凸塊接點2 5 0之主要組件之間的執行本發明技術之一鎳 134129.doc •30- 200919665 (Ni)控制層252。凸塊接點250係使用約3700小時來傳輸等於大約0·5安培之一電流匕⑼。經由透視，一各使用2〇微米之增量的大小比例尺係包括於圖11之右下邊緣上。該大小比例尺實際上指示圖11中的凸塊接點250之部分之放大約係圖10Β中的凸塊接點190b之放大的五倍。 • 圖11中作為結果所不係控制層2 5 2之一第一面2 5 4。控制 . 層252之第一面254係藉由包含銅（Cu)之一柱258界接。在與第一面254相對的控制層252之側上的控制層252之面係 Ο 藉由一經回焊的焊料冠260之錫（Sn)與銀（Ag)焊料合金界接。還出現的係包圍凸塊接點250之一黏著劑填料262。在製造凸塊接點250期間在經回焊的焊料冠260之材料基質内無意地產生一混合金屬間化合物相。一較薄混合金屬間化合物相256在經回焊的焊料冠204中相鄰於控制層252 發展形成。混和金屬間化合物相256係由來自控制層252之鎳（Ni)組成，其係透過經回焊的焊料冠260之焊料中的金屬元素分佈。當在凸塊接點250作為固定一半導體裝置之一〔；結構的製造期間將經回焊的焊料冠260之前身焊料材料施加至控制層252時，由於施加於控制層252上的熱所致，該 •錄（Ni)擴散至經回焊的焊料冠26〇中。混和金屬間化合物相 256不引起該機械脆性或凸塊接點25〇之電阻的顯著不利改變〇在電流125〇透過凸塊接點200傳輸期間，由圖i i應明白，控制層252在柱258與經回焊的焊料冠26〇之間的存在延遲銅（Cu)自柱258至經回焊的焊料冠26〇中的電引致遷移移 134129.doc -31 · 200919665 位。以此方式，（例如）在圖3B與圖9B中繪示的不合需要的金屬間化合物相在凸塊接點250之材料基質内的形成係阻止。因而，無包含透過銅（Cu)分佈的錫（Sn)之混和金屬間化合物相在柱258中發展形成，並且無包含空隙之抽空^ 屬間化合物相在經回焊的焊料冠26〇中發展形成。已出於清楚與明白之目的說明本發明的上述說明。其並非曰在將本發明限於所揭示的精確形式。在隨附申請專利範圍之範疇與等效範圍内可進行各種修改。

【圖式簡單說明】已參考在附圖中說明的本發明之範例性具體實施例。該些圖式旨在係說明性而非限制性。雖然本發明係一般在該些具體實施例之背景下予以說明，但並不旨在藉此將本發明之範疇限於所繪示與說明的具體實施例之特定特徵。圖1係包括一半導體裝置、一支撐基板及其間一對凸塊接點的一半導體封裝之一示意正視圖；圖2係揭示圖i之半導體封裝之額外結構態樣的圖1之凸塊接點之一單一凸塊接點的放大示意正視圖；形成對比之該對主圖’其說明初始在圖3A與3B係圖2之凸塊接點的材料上要組件之間的介面之一部分的放大示意完成圖1之半導體封裝的製造之後與隨後在一使用週期之後’於該介面形成的狀況；圖4A至4J係使用本發明之教導來實現一支撐基板上之一導體與黏I至該支縣板上之—半《體裝4中之上的一接觸墊之間的f連接之—第—方法中的步驟之示意正視圖之 134129.doc 32· 200919665 一排序的序列；圖5A至5E係使用本發明之教導來實現一支撐基板上之一導體與黏著至該支撐基板上之一半導體裝置中之上的— 接觸墊之間的電連接之一第二方法中的步驟之示意正視圖之一排序的序列；圖6A至6C係使用本發明之教導來實現—支撐基板上之一導體與黏著至該支撐基板上之一半導體裝置中之上的一接觸塾之間的電連接之一第三方法中的步驟之示意正視圖之一排序的序列；圖7A與7B—起呈現分別在圖4A至4J、圖5A至5E及圖6A 至6C中說明的製造方法中之步驟之一單一綜合流程圖；圖8係體現本發明之教導的材料上形成對比的該對一凸塊接點中之主要組件之間的介面之高度放大示意圖；圖9A與9B係不使用本發明之教導之好處製造的凸塊接點之顯微照片，其一起提供在此類凸塊接點中藉由電流產生的材料與結構改變之一瞭解，圖9A係不體現本發明之教導的一新製造的凸塊接點之一顯微照片，而圖係在一預疋使用週期之後此一凸塊接點之一顯微照片；圖10A與10B係依據本發明之教導製造的凸塊接點之顯微照片，並且藉由與圖9八與卯進行比較，提供藉由電流在此類凸塊接點中引起的材料與結構改變中藉由本發明引起的有利減低之一瞭解，圖10A係體現本發明之教導的一新製造的凸塊接點之一顯微照片，而圖丨圃1UB係在—預定使用週期之後此一凸塊接點之一顯微照片；以及 134129.doc •33· 200919665 圖π係在一預定使用週期之後插入在一凸塊接點之材料上开> 成對比的該對主要組件之間的執行本發明技術之一控制層的高度放大顯微照片。在本實例中，已得出結論，過去在圖式中繪示斷面半導體結構中傳統上採用的交又影線僅會用作混淆而非增強本文中要傳達的本發明之瞭解。因此，替代此類傳統實務，在上面說明的圖式中已放棄結構之斷面交叉影線，並且其中繪示的所有結構已係藉由參考符號來謹慎並甚至冗餘地識別。【主要元件符號說明】 10 半導體封裝 12 支撐基板 14 接合表面 16 半導體裝置 18 電存取表面 20 凸塊接點 22 導電柱 24 導電柱之第一端 26 導電柱之第二端 28 焊料冠 30 黏著劑填料 32 接觸塾 34 導體 36 焊劑塗層 134129.doc •34· 200919665 38 焊料冠之第一端 40 回焊端 42 介面 43 混和金屬間化合物相 44 下部邊緣 45 混和金屬間化合物相 46 抽空金屬間化合物相 48 空隙 50 半導體裝置 52 電存取表面 54 接觸墊 56 光阻層 58 井 60 柱 61 曝露的端表面 62 控制層 64 可回焊焊料冠 66 凸塊接點 68 圓形可回焊焊料冠 70 經回焊的焊料冠 72 支撐基板 74 接合表面 76 導體 78 焊劑塗層 134129.doc -35- 200919665

82 黏著劑填料 84 半導體封裝 90 焊球 92 凸塊接點 94 經回焊的焊料冠 96 控制層之曝露的表面 100 凸塊接點 102 經回焊的焊料冠 104 半導體封裝 180 凸塊接點 182 導電柱 183 經回焊的焊料冠 184 導電柱之端 185 經回焊的焊料冠之端 186 控制層 187 控制層之第一側 188 控制層之第二側 190a 凸塊接點 190b 凸塊接點 192 接觸墊 194 半導體裝置 196 導體 198 焊劑塗層 200 黏著劑填料 134129.doc ·36· 200919665

202 導電柱 204 經回焊的焊料冠 206 介面 208 混和金屬間化合物相 210 混和金屬間化合物相 212 純區域 214 混和金屬間化合物相 216 空隙 218 抽空金屬間化合物相 220a 凸塊接點 220b 凸塊接點 222 接觸墊 226 導體 228 焊劑塗層 230 黏著劑填料 232 導電柱 234 經回焊的焊料冠 236 控制層 238 控制層之第一側 240 控制層之第二側 242 材料基質 244 混和金屬間化合物相 246 半導體裝置 248 支撐基板 134129.doc •37- 200919665 250 凸 252 控 254 控 256 混 258 柱 260 經 262 黏塊接點制層制層之第一面合金屬間化合物相回焊的焊料冠著劑填料 134129.doc -38-

Claims

200919665 、申請專利範圍：一種用於電連接-基板上之—導體與黏著至該基板之一半導體裝置上之一接觸塾的凸塊接點，該凸塊含： a. -導電柱’其具有第—與第二末端，該柱之該第一端能夠實現該柱至該半導體裝置上之該接觸塾的電接觸與機械附著’其中該柱自該半導體裝置向外突出； b. -焊料冠’其具有第―㈣二末端，該焊料冠係與該柱軸向對準料位並且該焊料冠之該第—端面向該柱之該第二端’該焊料冠可於1定溫度回焊而實現藉由其第二端與該基板上之該導體的電接觸與機械附著；以及 .-転政阻障’其將該焊料凸塊之該第一端電與機械地接合至該柱之該第二端’該擴散阻障阻止藉由該柱之—選定化學組分至該烊料冠之該第_端中的電遷移。 2. 如請求们之凸塊接點，其中該柱之該選定化學組分包含選自由銅與金構成的該群組之—材料。 3. :請求項!之凸塊接點’其中藉由阻止藉由該柱之一選疋化予組》至该焊料冠之該第_端中的電遷移該擴散阻障同時阻止藉由料料冠之—選定化學組分至該柱之該第二端中的反擴散。 4. 如请求項3之凸塊接點，其_該焊料冠之該選定化學組分包含錫。 5·如請求項1之凸塊接點’其令該擴散阻障包含在該柱之 134I29.doc 200919665 該第二端上的鎳之一控制層。 6.如請求項丨之凸塊接點，其中該擴散阻障包含在該柱之該第二端上的材料之一控制層，該控制層之該材料係選自由鈀、鈦鎢、鎳釩及氮化鈕構成之該群組。 7·如明求項丨之凸塊接點，其中該擴散阻障具有在該焊料冠與該柱之該第二端之間測量的一厚度，並且該擴散阻 P早之該厚度在自大約2微米至大約2〇微米之一範圍内。 8. 如請求項丨之凸塊接點，其中該焊料冠係以錫為主的。 9. 一種半導體封裝，其包含： a.—支撐基板，其具有其上承載一電導體之一接合表面； b· —半導體裝置，其具有承載一接觸墊之一電存取表面，該半導體裝置透過該接觸墊與該支撐基板上之該導體進行電相通，該半導體裝置位於該基板上，其中該半導體裝置之該接合表面面向該支撐基板之該接合表面並且該半導體裝置之該接觸墊與該支撐基板上之該導體緊密相對； c. 一導電柱，其具有第一與第二末端，該柱之該第一端與該半導體裝置上之該接觸墊電接觸並係機械附著於該接觸墊，該柱從而自該半導體裝置之該接合表面朝向該支撐基板上之該導體突出； d. —經回焊的焊料冠，其具有第一與第二末端，該焊料冠係與該柱軸向對準地定位，其中該焊料冠之該第一端面向該柱之該第二端並且該焊料冠之該第二端與該 134129.doc 200919665 支撐基板上之該導體電接觸並機械附著；以及 e·在該柱之該第二端與該焊料冠之該第一端之間的穩定化構件，其用於延遲在該半導體封裝之操作期間- 易碎金屬間相形成於該柱之該第二端處的增長。 !〇.如請求項9之半導體封裝，其中該穩定化構件包含對於藉由該柱之m學組分至該焊料冠之該第—端中之該電遷移的一阻障。 η·如請求項1G之半導體封裝，其中該柱之該選定化學組分包含選自由銅與金構成的該群組之一材料。 12.如請求項1G之半導體封裝，其中藉由阻止藉由該柱之一選定化學組分至該焊料冠之該第一端中的電遷移，該擴散阻障同時阻止藉由該燁料冠之一選定化學組分至該杈之該第二端中的反擴散。 !3.如請求項12之半導體封裝，其中該焊料冠之該選定組分包含錫。

14.如凊求項9之半導體封裝，其中該穩定化構件包含插入在該柱之該第二端與該焊料冠之該第—端之間的材料之 -控制層’該控制層之該材料係選自由錦、纪、鈦鶴、錄鈒及氮化钽構成之該群組。 15·如請求項14之半導體封裝，其中該控制層具有在該焊料冠與β亥柱之§亥第二端之簡：目丨丨曰认而之間測里的一厚度，並且該控制層之該厚度在自大約牡目大、，勺5微未至大約1〇微米之—範圍内。 16，一種用於在一支撞其士又琮基板上之一導體與黏著至的一半導體裝置上之一桩網轨叉保基板上之接觸墊之間進行一 134129.doc 200919665

裝一可回焊焊料冠；，該方法包含以下步驟： a.建構具有第一與第二 b•將該柱之該第一端電

文得基板附近，其中該之間且其中該焊料冠接觸該支撐基板上之該導體；以及 f•充分加熱該焊料冠以引起該焊料冠在電與機械上與該支撐基板上之該導體的回焊附著。 17·如明求項16之方法’其中在施加—導電控制層之該步驟中，能夠阻止銅之電遷移的該材料係使用選自由電解電鍍、無電極電鍍及汽相沈積構成之該群組的一方法來施加至該柱之該第二端。 18. 如請求項16之方法，其中該可回焊焊料冠係使用選自由焊料電鍍與焊球附著構成之該群組的一方法來安裝至與該柱之該第二端相對的該控制層之該侧上。 19. 如請求項16之方法，其中該控制層包含選自由鎳、鈀、鈦鎮及鎳釩及氮化鈕構成之該群組的一材料。 20. 如請求項16之方法，其中該控制層具有在該焊料冠與該 134129.doc 200919665 並且該控制層之該厚柱之S亥第二端之間測量之一厚度，並且度係至少大約2微米。

一半導體裝置該柱之該第觸與機械附 a. —導電柱，其具有第一與第二末端，該一端能夠實現該柱至該半導體裝置的電接觸著’其中該柱自其向外突出； b. —鎳之控制層，其係布置於該柱之該第二端上 c· 知料甩，其係與該柱軸向對準地固定至該控制層，該焊料冠可於一預定溫度回焊而實現與該基板之電接觸與機械附著。 22.如請求項21之凸塊接點，其中該控制層具有在該焊料冠與δ亥柱之δ亥弟一端之間測量的一厚度，並且該控制層之該厚度在自大約2微米至大約20微米之一範圍内。 23·如請求項21之凸塊接點，其中該控制層具有在該焊料冠與該柱之該第二端之間測量之至少2〇微米的一厚度。 134129.doc