TW200918939A - Integrated imods and solar cells on a substrate - Google Patents

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TW200918939A
TW200918939A TW097125360A TW97125360A TW200918939A TW 200918939 A TW200918939 A TW 200918939A TW 097125360 A TW097125360 A TW 097125360A TW 97125360 A TW97125360 A TW 97125360A TW 200918939 A TW200918939 A TW 200918939A
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interference
forming
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Teruo Sasagawa
Lior Kogut
Ming-Hau Tung
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Qualcomm Mems Technologies Inc
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Description

200918939 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例係關於包含太陽能電池之干涉顯示裝置 及製造該干涉顯示裝置之方法。 本申請案主張2007年7月5日申請之題為”於一基板上之 整合式干涉調變器與太陽能電池（INTEGRATED IMODS AND SOLAR CELLS ON A SUBSTRATE)”之美國申請案第 11/773,757號以及2008年3月20日申請之題為”於一基板上
( ' 之整合式干涉調變器與太陽能電池（INTEGRATED IMODS AND SOLAR CELLS ON A SUBSTRATE)"之歐洲申請案第 08 153 162.6號之權利，該等申請案之全文以引用之方式併 入本文中。 【先前技術】 微機電系統（MEMS)包括微機械元件、致動器及電子器 件。可使用沈積、蝕刻及/或蝕刻掉基板及/或沈積材料層 之部分或添加層以形成電氣及機電裝置的其他微切削製程 ϋ 來製造微機械元件。一種類型之MEMS裝置被稱為干涉調 變器。如本文中所使用，術語干涉調變器或干涉光調變器 係指使用光學干涉原理來選擇性地吸收及/或反射光的裝 置。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電板，其 一者或二者可為整體或部分透明及/或反射的，且能夠在 施加適當之電信號後進行相對運動。在一特定實施例中， 一個板可包含沈積於基板上之靜止層，且另一板可包含藉 由氣隙而與該靜止層分離之金屬膜。如本文中較詳細描 132479.doc 200918939 述’一個板相對於另一板之位置可改變入射於該干涉調變 器上之光之光學干涉。該等裝置具有廣泛應用，且在此項 技術中利用及/或修改此等類型裝置的特性以使得其特徵 可用於改良現存產品並製造尚未開發出之新產品將係有益 的。 【發明内容】 在一些實施例中，提供一包括干涉調變器及太陽能電池 之顯示裝置’其中該太陽能電池經組態以為干涉調變器提 供月b董。該裝置可進一步包括一電容器，其中該電容器經 組態以儲存來自太陽能電池及/或電池之能量，其中該電 池經組態以儲存來自太陽能電池之能量。該裝置可包括一 干涉調變器陣列。該太陽能電池可位於陣列中之干涉調變 器中之至少兩者之間及/或陣列周邊外部。干涉調變器之 至少一材料可與太陽能電池之至少一材料相同。干涉調變 器之至少一材料可與太陽能電池之至少一材料厚度相同。 干涉調變器之至少一材料及太陽能電池之至少一材料可包 括氧化鋼锡。干涉調變器之電極層可包括干涉調變器之至 少一材料。 該裝置可進一步包括：包含干涉調變器之顯示器；經組 態以與該顯示器通信之處理器，該處理器經組態以處理影 像貝料，及經組態以與該處理器通信之記憶體裝置。該裝 ' 步包括經組態以將至少一信號發送至顯示器之驅 動器電路、經組態以將影像資料之至少一部分發送至該驅 器電路之控制器、經組態以經該影像資料發送至處理器 132479.doc 200918939 之影像源模組、及經組態以接收輸入資料且將該輸入信號 傳達至該處理器之輸入裝置中的一或多者。該影像源模組 可包括接收器、收發器及傳輸器中之至少一者。 在一些實施例中，提供製造光學裝置之方法，其可包 括.於基板上形成干涉裝置，其中形成干涉裝置包括於該 基板上沈積多個層；及於該基板上形成一太陽能電池，其 中形成太陽能電池包括於該基板上沈積多個層。該方法可 進一步包括於太陽能電池與干涉調變器之間形成一共用
層。該共用層可為操作層，τ包括氧化銦錫，及/或可包 括干涉裝置之電極層。 形成干涉裝置可包括：於基板上形成_第一電極層；於 該第-電極上形成一犧牲層；於該犧牲層上形成一電極 層；及移除該犧牲層之至少—部分。形成太陽能電池可包 括：於基板上形成ρ摻雜層；於該Ρ摻雜層上形成-本質 層；及於該本質層上形成一11摻雜層。 藉由本文所揭不之方法來製造一微機電（MEms)裝置。 在-些實例中，提供使用太陽能電池之方法，其可包 2使用太陽能電池將光能轉換成電能；使用電能對能量 儲存裝置充電；及將能量儲存 仔褒置連接至干涉調變器；及 將來自能量儲存裝置之能量 .^ 圾供至干涉調變器。該能量儲 存裝置可為電池。太陽能電 L 次干涉調變器可形成於相同 基：亡方。太陽能電池可與干涉調變器共用至少一層。 些實例中，提供一種裝置 M φ At 罝其包括：用於將太陽能 轉換為電此之構件；用於干涉 調變光之構件；及用於將電 132479.doc 200918939 :=，干涉調變構件之構件。該裝置可進一步包括用於 蜩:杏月"之構件。用於將太陽能轉換為電能之構件及干涉 調變光之構件可形成於相同基板上。 些實施例中’提供—電腦可讀媒體，其可包括用於 操作干涉調變器之指令，該等指令包含用於將時變電麼施 力二涉調變器之指令，其中該電塵藉由連接至太陽能電 池之取*量儲存裝置而供應。 【實施方式】 下列詳細描述係針對本發明之某些特定實施例。然而， 本發明可以許多不同方式體現。在此描述中，參見圖式， =中通篇以相同數字表示相同部件。如自以下描述將顯而 見’該專實施例可以經組態而顯示影像之任何裝置來實 施不皆該影像為運動（例如，視訊）還是靜止⑽如 不管為文字還是圖形的。更特定言之，婦 :實施例可以多種電子裝置來實施或與多種電 聯，該等電子裝置諸如（但不限於）：行動電話、無線裝 置、個人資料助理（PDA)、手持式或攜帶型電腦、⑽接 收器/導航器、相機、MP3播放機、攝錄影機（_⑽d、 遊戲控制台、腕錶、_、計算器、電視監視器 示器、電腦監視器、自動顯示器(例如，里程計顯干器 等)、駕馱搶控制器及/或顯示器、相機視窗顯示器(例如， 車輛上之後視相機的顯示器）、電子照片、電子廣 標牌、投影儀、建築結構、包裝及美學結構(例如：件： 寶上之影像顯示器）。與本文中所述之mems裝置結構類似 132479.doc 200918939 的MEMS裝置亦可用於諸 电丁乂谀装置之非顯不器應用 τ 〇 干涉調變器顯示器需要電源來控制電極位置，且 制裝f之光反射率。在本發明之實施例中，干涉調變器與 太陽此電池結合。提供用於在相同基板上形成干 及太陽能電池之方法。 9 在圖:中說明包含干涉MEMS顯示元件之-個干涉調變 器顯不器實施例。在兮笼姑士 . / 纟衫裝4巾’像素處於亮狀態或暗狀 …“Γ開啟”或”打開”)狀態下，顯示元件將大部分 =了見光反射至使用者。當處於暗（,，斷開，，或"關狀 顯以件將極少量人射可見光反射至使用者。視該 歹而疋’開啟"及"斷開"狀態之光反射性質可顛倒。 MEMS像素可經組態以主要反射選定色彩，以允許除里色 及白色之外的色彩顯示。 圖:為描繪一視覺顯示器之一系列像素中之兩個鄰近像 ：：角視圖，其中每-像素包含-MEMS干涉調變器。 在些實施例中，一干涉調變器顯示器包含該
:;射—列/行陣列。每-干涉調變器包括-對反射層I 一1射層定位於彼此相距一可變且可控之距離，從而形成 ,\ 可變尺寸之諧振光學間隙。在一個實施例 立，该等反射層中之一者可於兩個位置之間移動。在第一 位本^中稱為鬆弛位置）中，可移動反射層定位於距一 固疋邛分反射層相對較遠之距離處。在第二位置（本文中 考冉為致動彳☆ g 置）中，可移動反射層定位於較緊密鄰近該部 132479.doc 200918939 分反射層處。視可移動反射層之位置而定，自兩個層反射 之入射光發生相長或相消干涉’從而針對每一像素產生總 體反射狀態或非反射狀態。 圖1中所描繪之像素陣列之部分包括兩個鄰近干涉調變 器12a及12b。在左側之干涉調變器12a十，可移動反射層 l4a經說明為處於距光學堆疊16a預定距離之鬆弛位置中， 該光學堆疊16a包括部分反射層。在右側之干涉調變器i2b 中，可移動反射層14b經說明處於鄰近光學堆疊16b之致動 位置中。 如本文中所參考，光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆疊 16)通常包含若干熔合層，該等熔合層可包括一諸如氧化 銦錫(ITO)之電極層、一諸如鉻之部分反射層及一透明介 電質。光學堆疊16因此為導電、部分透明及部分反射的， 且可(例如)藉由將上述層中之一或多者沈積在一透明基板 2〇上而製成。部分反射層可由多種部分反射之材料（諸如 各種金屬、半導體及介電質）形成。部分反射層可由一或 多個材料層形成，且該等層中之每一者可由單一材料或材 料之組合形成。 在-些實施例中，光學堆疊16之層經圖案化成平行條 帶且可如下文進一步描述而形成顯示裝置中之列電極。 可移動反射層14a、14b可形成為沈積於柱18頂部之沈積金 屬層(正交於16a、161)之列電極)及沈積於柱18之間的介入 犧牲材料之u平行條帶。當犧牲材料被㈣掉之後， °動反射層14a、14b與光學堆疊16a、16b分離經界定之 132479.doc 200918939 間隙1 9 °諸如鋁之高導電性及反射性的材料可用於反射層 14’且該等條帶可在顯示裝置中形成行電極。 如圖1中像素12a所說明，在不施加電壓時，間隙19保持 於可移動反射層14a與光學堆疊16a之間，其中可移動反射 層14a處於機械鬆弛狀態。然而，當對選定列及行施加電 位差時’形成於相應像素之列電極及行電極之交又處的電 容器變為帶電的，且靜電力將電極拉到一起。若電壓足夠 高’則可移動反射層14變形且被擠壓抵靠光學堆疊16。由 圖1中右侧之像素12b所說明，在光學堆疊16内之介電層 (未圖示）可防止短路且控制層14與層16之間的分離距離。 不論所％加電位差之極性如何，行為均相同。以此方式， 可控制反射與非反射像素狀態之列/行致動在許多方面類 似於習知LCD及其他顯示器技術中所使用之方式。 圖2至圖5B說明用於在一顯示器應用中使用一干涉調變 器陣列之一種例示性過程及系統。 圖2為說明一可併入本發明之態樣之電子裝置之一個實 施例的系統方塊圖。在該例示性實施例中，該電子裝置包 括-處理器，其可為任何通用單晶片或多晶片微處理 器，諸如ARM、pentium®、Pentium π⑧、卜此⑽出⑯、 Pentium IV⑧、Pentium® Pr。、8G51、Mlp#、p。^ %⑧、 ALPHA⑧，或任何專祕處理器，諸如數位㈣處理器、 微控制器或可程式化間陣列。如此項技術中所習知，處理 器21可經組態以執行一或多個軟體模組。除執行操作系統 以外’處理器可經組態以執行一或多個軟體應用程式，包 132479.doc 200918939 括網頁劉覽器、電話摩用兹 軟體應用程式。應用程式、電子郵件程式或任何其他 在-個實施例中，處理器21亦經組態以與陣列驅動器Μ # :在-個實施例中，陣列驅動器22包括將信號提供至 顯示陣列或面板30之列驅動器電路24及行驅動器電路％。 圖1中所說明之陣列的橫截面藉由圖2中之線Μ而繪示。 對於MEMS干涉調變器，列/行致動協定可利用圖3所說明 之該等裝置之滯後性f。舉例而言，其可需要職特之電 位差以使可移動層自鬆他狀態變形至致動狀態。然而，當 電壓自彼值減小時’隨著電壓降回1〇伏特以下，可移動層 將仍保持其狀態。在圖3之例示性實施例中，可移動層直 至電壓降至2伏特以下才完全鬆他。因此，在圖3中所說明 之實例中存在約3 乂至7 v之施加電㈣，裝置在該電壓窗 =穩定地處於鬆弛或致動狀態。此在本文中被稱作"滞後 窗”或”穩定窗"。對於具有圖3之滯後特性的顯示陣列而 言’列/行致動協定可經設計以致在列選通期間，所選通 之列中的待致動之像素經暴露至約1〇伏特之電壓差，且待 鬆弛之像素經暴露至接近零伏特之電壓差。選通之後，像 素暴露至約為5伏特之穩定狀態電壓差以致其保持於列選 通使其進入之任何狀態中。寫入之後’在該實例中每一像 素受到3至7伏特之"穩定窗”内的電位差。此特徵使圖^中 所說明之像素設計在相同的施加電壓條件下保持穩定於預 先存在之致動或鬆弛狀態。由於干涉調變器之每一像素 (無論處於致動狀態還是鬆弛狀態）基本上為由固定及移動 132479.doc •13- 200918939 反射層形成之電容器，故此穩定狀態可保持於在滞後窗内 之電壓處而幾乎沒有功率耗散。若所施加電位固定，則 基本上無電流流入像素中。 在典型應用中，一顯示圖框可藉由根據第一列中之所要 致動像素組而確立行電極組來建立。接著施加列脈衝至列 1電極，從而致動對應於所確立之行線之像素。接著改變 所確立之行電極組以對應於第二列中之所要致動像素組。 接著施加脈衝至列2電極，從而根據所確立之行電極而致 〇 動列2中之適當像素。列1像素不受列2脈衝影響，且保持 於其在列1脈衝期間被設定之狀態。可以順序方式將此過 程重複用於整個列系列以產生圖框。一般，藉由以某―所 要圖框數/秒來不斷地重複此過程而以新的顯示資料刷新 及/或更新圖框。用於驅動像素陣列之列電極及行電極以 產生顯示圖框的多種協定亦為熟知的，且可結合本發明而 使用β 圖4、圖5Α及圖5Β說明用於在圖2之3χ3陣列上建立顯示 I， 圖框之一種可能致動協定。圖4說明列及行電壓位準之可 能的組，其可用於展現圖3之滯後曲線的像素。在圖4之實 施例中，致動一像素涉及將合適行設定為並將合適 列設定為+Δν，其可分別對應於_5伏特與+5伏特。藉由將 適當之行設定至+vbias及將適當之列設定至相同+Δν，從 而產生跨像素的零伏特電位差來實現使像素鬆弛。在列電 壓保持於零伏特之彼等列中，{象素穩定於其最初所處之狀 態而不管行是處於+Vbias還是-Vbias。亦如圖4中所說明，將 132479.doc 14 200918939 瞭解，可使用與以上所述之電壓極性相反之電壓，例如， 致動一像素可涉及將適當之行設定至+%心及將適當之列 設定至-Δν。在該實施例中，藉由將適當之行設定至 及將適田之列設定至相同_Δν從而產生跨像素的零伏特電 位差來實現釋放像素。
圖5Β為繪示施加至圖2之3><3陣列之一系列列及行信號的 時序圖，其將導致圖5騎所說明之顯示配置，其中經致動 像素為非反射的。在寫入圖5Α中所說明之圖框之前，該等 像素可處於任何狀態，且在此實例中，所有列處於0伏特 =所有行處於+5伏特。在此等施加電壓下，所有像素皆穩 定於其現存的致動或鬆弛狀態中。 、在圖5Α圖框中，像素（μ)、〇,2)、（2,2)、（3,2)及⑽ 被致動。為實現此目的’在列i之"線時間"期間，將行1及 又定至5伏特，且將行3設定至+5伏特。此不會改變任何 像素之狀態’因為所有像素皆保持在Η伏特之穩定窗 中。列1接著以自〇升至5伏特且返回至零之脈衝得以選 通此致動（1,1)及G，2)像素且使（1，3)像素 鬆弛。陣列中之 z、他像素不受影響。為視需要設定列2，將行2設定至_5伏 行1及3°又疋至+5伏特。施加至列2之相同選通接著 將經致動像素（2,2)且使像素（2，1}及（2,3)鬆他。同樣，陣列 之其他像素不受影響。類似地藉由將行2及3設定至_5伏特 將仃U又疋至+5伏特而設定列3。歹|J3選通設定如圖5八中 斤丁之列3像素。在寫入圖框之後，％電位為零，且行電 位可保持於+5伏特或·5伏特，且顯㈣接著穩定於圖5Α之 132479.doc 200918939 配置。將瞭解，相同程序可用於數十或數百個列及行之陣 列。亦將瞭解，用以執行列及行致動之電壓的時序、序列 及位準可在以上所概述之一般原理之範圍内廣泛地變化， 且以上實例僅為例示性的，且任何致動電壓方法可與本文 中所述之系統及方法一起使用。 圖6A及圖6B為說明顯示裝置4〇之—實施例的系統方塊 圖。舉例而言，顯示裝置40可為蜂巢式電話或行動電話。 然而，顯示裝置40之相同組件或其輕微變體亦說明各種類 、型之顯示裝置，諸如電視及攜帶型媒體播放機。 顯示裝置40包括外殼41、顯示器3〇、天線43、揚聲器 45、輸入裝置48及麥克風46。外殼41通常由熟習此項技術 者所熟知之多種製造過程中的任一者形成，其包括射出成 形及真空成形。另外，外殼41可由多種材料中之任一者製 成，該等材料包括（但不限於）塑膠、金屬、玻璃、橡膠及 陶竟或其組合。在一個實施例中，外殼41包括可與里有不 @色彩或含有不同標識、圖片或符號之其他可移除部分互 * 換的可移除部分（未圖示）。 例示性顯示裝置40之顯示器3()可為多種顯示器中之任一 者，該等顯示器包括如本文中所述之雙穩態顯示器。在其 他實施例中，如已為熟習此項技術者所熟知，顯示器3〇包 括諸如上文所述之電漿' EL、〇LED、STN lcd或tft LCD之平板顯示器，或諸如CRT或其他管狀裝置之非平板 顯示器。然而，出於描述本實施例之目的，如本文所描 述’顯示器30包括干涉調變器顯示器。 132479.doc -16- 200918939 :::= 地說明例示性顯示裝置40之-個實施例的 所說明之例示性顯示裝置包括-外殼41且可包括 至少部分地封閉於其中之額外組件。舉例而言，在一個實 施例中，例不性顯示裝置4G包括網路介面27，纟包括 至收發器47之天線43。收發器47連接至處理⑽，該處理 器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態以調節一信 號（例如，過據-信號）。調節硬體52連接至揚聲器Μ及麥 克風46。處理器21亦連接至輸入裝置48及驅動器控制器 29。驅動器控制器29耦接至圖框緩衝器28及陣列驅動器 Μ，其又耦接至顯示陣列3〇。電源5〇按照特定例示性顯示 裝置40設計之需要而將電源提供至所有組件。 網路介面27包括天線43及收發器47，使得例示性顯示裝 置40可在網路上與一或多個裝置通信。在一個實施例中， 網路介面27亦可具有一些處理能力以減輕處理器21之要 求。天線43為熟習此項技術者所習知之用於傳輸及接收信 號之任何天線。在一個實施例中，該天線根據IEEE 8〇2 n 才不準（包括IEEE 802.11(a)、（b)或（g))而傳輸及接收rF信 號。在另一實施例中，天線根據藍芽（bluetooth)標準 而傳輸及接收RF信號。在蜂巢式電話之狀況下，天線經設 計以接收用以在無線手機網路内通信的CDMA、GSM、 AMPS或其他已知信號。收發器47預處理自天線43接收之 信號使得其可由處理器21接收並進一步操縱。收發器47亦 處理自處理器21接收之信號使得其可經由天線43自例示性 顯示裝置40傳輸。 132479.doc -17- 200918939 在一替代實施例中，收發器47可由一接收器替換。在另 -替代實施例巾，網路介面27可由影像源替換，其可儲存 或產生待發送至處理器21之影像資料。舉例而言，影像源 可為數位視訊光碟（DVD)、或含有影像資料之硬碟機、或 產生影像資料之軟體模組。 處理器21通常控制例示性顯示裝置4〇之總體操作。處理 121接收來自網路介面27或影像源之諸如壓縮影像資料的 2料’且將資料處理為原始影像資料或易處理為原始影像 ( 胃料之格式。處理11 21接著發送經處理資料至驅動器控制 器29或至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常係指識別 影像内每一位置處之影像特性的資訊。舉例而言，該等影 像特性可包括色彩、飽和度及灰階度。 在-個實施例中’處理器21包括微控制器、cpu或邏輯 單元以控制例示性顯示裝置4〇之操作。調節硬體^通常包 括放大器及過慮器以用於傳輸信號至揚聲器“，並用於自 #克風46接收信號。調節硬體52可為在例示性顯示裝置4〇 内之離散組件，或可併人處理⑽或其他組件内。 驅動器控制器29直接自處理器21或自圖框緩衝㈣取得 . 自處理器21產生之原始影像資料’且適當重新格式化該等 j始影像貧料以高速傳輪至陣列驅動器22。特定地，驅動 讀制器29將原始影像資料重新格式化為具有類光柵格式 之資料流，使得其具有適合在顯示陣列3〇上掃描之時間順 序。接著驅動器控制器29將經格式化之資訊發送至陣列驅 動器22。儘管諸如LCD控制器之㈣器控制器㈣常與作 132479.doc 200918939 為單獨積體電路（iC)的系統處理器21相關聯，但此類控制 器可用多種方法實施。其可作為硬體嵌入處理器21中、作 為軟體篏入處理器21中，或以硬體而與陣列驅動器22完全 整合。 通常，陣列驅動器22接收來自驅動器控制器29之經格式 匕之負訊並將視訊資料重新格式化成一組平行波形，該 組波形每秒數次地被施加至來自顯示器之χ-y像素矩陣之 數百且有時數千個引線。 一在一個實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯 不陣列30適於本文中所述之任何類型之顯示器。舉例而 言，在一個實施例中，驅動器控制器29為習知顯示控制器 或雙穩態顯示控制器(例如，干涉調變器控制器）。在另一 :鉍例中’陣列驅動器22為習知驅動器或雙穩態顯示驅動 态（例如，干涉調變器顯示器）。在一個實施例争，驅動器 控制器29與陣列驅動器22整合。此類實施例在諸如蜂巢式 電話、手錶及其他小面積顯示器之高度整合系統中為常見 、 實施例中，顯示陣列3 0為典型顯示陣列或雙穩 L顯不陣列（例如，包括干涉調變器陣列之顯示器）。 輸入裝置48允許使用者控制例示性顯示裝置40之操作。 在個實知f列中，輸入裝置48包括諸如QWERTY鍵盤或電 ^鍵盤之小鍵盤、按紐、開關、觸敏營幕、或壓敏膜或 熱敏膜。在—個實施例中，麥克風46為用於例示性顯示裝 之輸入震置。當麥克風46用於將資料輸入裝置時，可 由使用者提供語音命令用於控制例示性顯示裝置4〇之操 132479.doc 200918939 作。 電源50可包括此項技術中已知之各種能量儲存裝置。舉 例而言，在一個實施例中，電源50為諸如鎳鎘電池或鋰離 子電池之可充電電池。在另一實施例中，電源5〇為再生能 源、電谷器或太陽能電池（包括塑膠太陽能電池及太陽能 電池塗料）。在另一實施例中，電源5〇經組態以自牆上插 座接收電力。 在一些實施例中，如以上所述，控制可程式化性駐留於 可位於電子顯示系統中之若干位置處的驅動器控制器中。 在一些實施例中，控制可程式化性駐留於陣列驅動器22 中。熟習此項技術者應認識，上述最佳化情況可實施於任 何數目之硬體及/或軟體組件中及各種組態中。 根據以上所陳述之原理而操作的干涉調變器之結構的細 節可廣泛地變化。舉例而言，圖7A至圖7E說明可移動反 射層14及其支撐結構之五個不同實施例。圖7A為圖丨之實 施例的橫截面，其中金屬材料14之條帶沈積於正交延伸之 支撑件18上。在圖7B中，可移動反射層在繫栓32上僅在 轉角處附接至支撐件。在圖7C中，可移動反射層14自可變 形層34而懸浮，該可變形層34可包含可撓性金屬。可變形 層34直接或間接連接至圍繞在可變形層34周邊之基板2〇。 本文中之該等連接係指支稽·柱。圖7D中所說明之實施例具 有支樓柱插塞42，可變形層34搁置在支撐柱插塞42上。如 圖7A至圖7C，可移動反射層14在空隙上保持懸浮，但可 變形層34未藉由填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔而 132479.doc •20- 200918939 化成支樓柱。相反，支樓柱由平坦化材料（其用於形成支 掉柱插塞42)形成。圖7E所說明之實施例基於請中所示 之實施例，但亦可經調試以與圖7八至圖7c所說明之任何 實施例及未㈣之額外實施例一起運作。在圖職示之實 施例中’金屬或其他導電材料之額外層用以形成匯流排結 構44。此允許信號沿著干涉調變器背料由，從而消除可 原本形成於基板20上之大量電極。 在諸如圖7中所示之實施例的實施例中，干涉調變器充 當直觀裝置’其中自透明基板2G之前側觀看影像，該側與 其上配置有調變器之側相對。在該等實施例中，反射層Μ 光學屏蔽包括可變形層34之在反射層之與基板2〇相對之侧 上的干涉調變器之部分。&允許所屏&區在&消極影響影 像品質的情況下經配置及操作。此屏蔽允許圖”中之匯流 排結構44，該匯流排結構44提供將調變器之光學性質與調 變器之機電性質（諸如定址及由彼定址產生之移動）分離的 月色力。此可分離的調變器架構允許用於調變器之機電態樣 及光學態樣之結構設計及材料經選擇且彼此獨立作用。此 外，圖7C至圖7E繪示之實施例具有得自反射層丨4之光學性 質與其機械性質去耦之額外優勢，該等機械性質由可變形 層34實現。此允許關於光學性質來最佳化用於反射層14之 結構設計與材料，且允許關於所需機械性質來最佳化用於 可變形層34之結構設計與材料。 圖8說明干涉調變器之製造過程800之一實施例中的某些 步驟。與圖8中未繪示之其他步驟一起，此類步驟可存在 132479.doc 21 200918939 於用於製造例如圖1至圖7所說明之通用類型之干涉調變器 之過程中。參見圖1、圖7及圖8，過程800開始於步驟8〇5 處’其中於基板20上形成光學堆疊16 ^基板2〇可為諸如玻 璃或塑膠之透明基板’且可經受先前製備步驟（例如，清 潔）以有助於有效形成光學堆疊16。如上所討論，光學堆 疊16為導電、部分透明及部分反射的，且可（例如）藉由在 透明基板20上沈積一或多個層而製成。在一些實施例中， 該等層經圖案化成平行條帶，且可形成顯示裝置中之列電 極。在一些實施例中，光學堆疊16包括在一或多個金屬層 (例如’反射層及/或導電層）上方沈積之絕緣層或介電層。 在一些實施例中，絕緣層為光學堆疊16之最上層。 圖8中說明之過程800於步驟810處繼續，其中於光學堆 疊16上形成一犧牲層。稍後移除該犧牲層（例如步驟825)以 开> 成如下文所时論之腔19 ’且因此該犧牲層未緣示於圖1 所說明之所得干涉調變器12中。於光學堆疊16上形成犧牲 層可包括以經選擇以在隨後移除之後提供具有所要大小之 腔19的厚度來沈積XeFz可蝕刻材料（諸如鉬或非晶矽）。可 使用諸如物理氣相沈積（PVD，例如濺鍍）、電敷增強化學 氣相沈積（PEC VD)、熱化學氣相沈積（熱cVD)或旋塗之沈 積技術來進行犧牲材料之沈積。 圖8中說明之過程800於步驟815處繼續，其中形成一支 撐結構’例如如圖1及圖7所說明之柱18。形成柱18可包括 以下步驟：圖案化犧牲層以形成支撐結構孔；接著使用例 如PECVD、熱CVD或旋塗之沈積方法來將材料（例如聚合 132479.doc -22· 200918939 物）沈積至該孔中以形成柱1 8。在一些實施例中，在犧牲 層中形成之支撐結構孔延伸穿過犧牲層及光學堆疊16至下 方基板20 ’使得柱18之下端接觸基板20(如圖7A中所說 明）。在其他實施例中，在犧牲層中形成之孔延伸穿過犧 牲層，但不穿過光學堆疊丨6 ◊舉例而言，圖7D說明支撐柱 插塞42之下端與光學堆疊16接觸。 圖8中說明之過程800於步驟“ο處繼續，其中形成諸如 圖1及圖7中所說明之可移動反射層14之可移動反射層。可
移動反射層14可藉由使用一或多個沈積步驟（例如反射層 (例如鋁、鋁合金）沈積）連同一或多個圖案化、遮罩及/或 蝕刻步驟而形成。如上文所論述，可移動反射層14通常為 導電的，且本文可將其稱為導電層。在一些實施例中，反 射層包含鋁》由於犧牲層仍存在於在過程8〇〇之步驟82〇處 形成之部分製成的干涉調變器中，故在此階段，可移動反 射層14通常並不可移動。本文可將含有犧牲層之部分製成 的干涉調變器稱為"未釋放"干涉調變器。 圖8中說明之過程8〇〇於步驟82s處繼續，其中形成一 腔’例如圖!及圖7所說明之腔19。腔19可藉由將犧牲材料 (於步職〇處沈積）暴露至㈣劑而形成。舉例而言，可藉 由乾式化學蝕刻來移除可姓刻犧牲材料(諸如翻或非晶 二’例如’藉由將犧牲層暴露於氣態或蒸汽钱賴諸如 氟化氣（XeF2)之氣體）—段可有效移除所要量之 選擇’乾式化學蝕刻通常相對於腔19周圍之結構而 亦可使用其他㈣方法，例如濕式㈣及/或電紫 132479.doc -23- 200918939 蝕刻。由於在過程800之步驟825期間移除犧牲層，故在此 階段之後，可移動反射層14通常為可移動的。在移除犧牲 材料之後，本文可將所得完全或部分製成之干涉調變器稱 為"已釋放"干涉調變器。 圖9說明在MEMS裝置之製造過程9〇〇之一實施例中的某 些步驟。該等步驟可與圖9中未繪示之其他步驟存在於製 造過程中。過程900開始於步驟905處，其中提供一基板。
基板20可為諸如玻璃或塑膠之透明基板，且可經受先前製 備步驟，例如清潔。過程9〇〇於步驟910處繼續，其中於該 基板上形成一干涉裝置。該干涉裝置可（例如）藉由過程8〇〇 或藉由其他替代性製造方法而形成。過程9〇〇於步驟915處 繼續，其中於基板上形成太陽能電池。太陽能電池可由任 何適合之方法形成。在一些實施例中，步驟9ι〇之至少部 分發生於步驟91 5之前。在一些實施例中，步驟915之至少 部分發生於步驟910之前。步驟91〇可於步驟915開始之前 完成，或步驟915可於步驟91〇開始之前完成。在一些實施 例中’步驟910及步驟915同時發生。 在二實施例中，太陽能電池及干涉裝置形成於相同基 板上使得太陽能電池鄰近干涉裝置。干涉裝置可包含與太 ^電池所包含之㈣相同的材料。共同材料對於該等褒 =者可操作。㈣，㈣材料可具有―些詩該等裝置 ==作目的。在一些實施例中，干涉裝置可包 再次對於：等厚度且相同材料之層。共同材料 專裝置兩者可操作。在一些實施例中，干涉裝 132479.doc -24- 200918939 置之層在與太陽能電池之層大體上相同之時間形成。 在一些實施例中，干涉裝置包含干涉調變器之陣列。太 陽能電池可定位於干涉調變器之陣列之外部。該裝置可包 含一個或一個以上太陽能電池。 在另一實施例中，太陽能電池及干涉裝置形成於不同基 板上。兩個基板可接著直接或間接地彼此附接。該等基板 可附接（例如）使得干涉裝置鄰接太陽能電池。在另一實施 例中’太陽能電池相對於入射光定位於干涉裝置之後側。 在一些實施例中’太陽能電池之一或多個部分可形成於一 個基板上，且干涉裝置之一或多個部分可形成於另一基板 上。該等兩個基板可接著直接或間接地彼此附接。 在一些實施例中，太陽能電池經組態以提供能量至干涉 裝置。太陽能電池可經組態以提供能量至一個或一個以上 干涉調變器。太陽能電池可（例如）藉由對電池或電容器充 電而間接提供能量至干涉裝置。電池或電容器可連接至該 干涉裝置。 圖10為說明製造MEMS裝置之方法之一實施例中之某此 步驟的流程圖。該等步驟可與圖1〇中未繪示之其他步驟存 在於製造過程中。圖11A至圖11〇示意性地說明使用諸如 光微影、沈積、遮罩 '蝕刻（例如，諸如電漿蝕刻之乾式 方法及濕式方法）等之習知半導體製造技術來製造M E M s裝 置之方法之一實施例。沈積可包括諸如化學氣相沈積 (CVD，其包括電漿增強CVD及熱CVD)及濺塗之，，乾式”方 法及諸如旋塗之濕式方法。 132479.doc -25· 200918939 參見圖10及圖11，過程100開始於步驟105，其中提供基 板200。基板2〇〇可為諸如玻璃或塑膠之透明基板且可經 受先前製備步驟，例如清潔。 過程100於步驟110處繼續’其中於基板200上形成透明 電極層205。透明電極層2〇5可（例如）藉由在基板2〇〇上沈積 導電透明材料而製成。透明電極層205可包含（例如）氧化銦 錫。 過程100於步驟115處繼續’其中形成一太陽能電池。太 陽能電池可形成於透明電極層205上。在一些實施例中， 太陽能電池可（例如）藉由在透明電極層205上沈積一或多個 層而製成。在一些實施例中，太陽能電池包括p摻雜矽層 及η摻雜石夕層。在一些實施例中，妙為非晶石夕。在一些實 施例中’如圖11Α所示，太陽能電池包含底部太陽能電池 層210、中部太陽能電池層215及頂部太陽能電池層22〇。 底部太陽能電池210可包含p摻雜非晶矽。中部太陽能電池 層21 5可包含無摻雜或本質非晶矽。頂部太陽能電池層220 可包含η摻雜非晶矽。在一些實施例中太陽能電池層 21〇、215及220包含矽替代非晶矽或包含多晶矽替代非晶 矽。底部太陽能電池層21 〇可為（例如）約5〇埃至約2〇〇埃 厚。中部太陽能電池層215可為（例如）約3〇〇〇埃至約30000 埃厚。頂部太陽能電池層220可為（例如）約5〇埃至約2〇〇埃 厚。如圖11Β所示，太陽能電池層210、215及220可經圖案 化及餘刻以形成非晶矽堆疊。太陽能電池層210、21 5及 220可由任何能夠光產生及分離電荷载流子之材料形成， 132479.doc •26- 200918939 且可包括三層以下或以上。該等層可包括（例如）多晶矽、 微晶矽、碲化鎘、硒化/硫化銅銦、光電化學電池、聚人 物、奈米晶體或其他奈米粒子。應瞭解，太陽能電池無需 在步驟120開始之前完全形成。 過程100於步驟120處繼續’其中形成如圖llc中所示之 保6蔓層225。該保護層225可包含（例如）氧化石夕（|§i〇x)、氮 化石夕（SixNy)或氮氧化矽（Si〇xyy)。該保護層225可包含一絕 緣材料。如圖11D所示，該保護層225可經圖案化及蝕刻。 餘刻之保護層225可繼續圍繞太陽能電池。 過程1〇〇於步驟125處繼續，其中形成如圖11E中所繪示 之金屬層230。金屬層230可包含（例如）鉬、鉻或鉬鉻材 料。金屬層23 0可為（例如）約50埃至約1〇〇埃厚。如圖111?所 示，金屬層230及透明電極層205可經圖案化及蝕刻。金屬 層230可於透明電極層205圖案化及钱刻之前經圖案化及餘 刻。透明電極層205可經圖案化及蝕刻以形成至少兩個組 件.位於太陽能電池下方之太陽能電池電極層205a及位於 將形成干涉調變器之位置的干涉調變器電極層2〇5b。金屬 層2 3 0可經圖案化及钱刻以形成至少兩個組件：太陽能電 池金屬層23 0a及干涉調變器金屬層230b。太陽能電池金屬 層23 0a可在太陽能電池電極層2〇5a上方且鄰接太陽能電 池。干涉調變器金屬層230b可在干涉調變器電極層205b上 方。 過程100於步驟130處繼續，其中形成如圖〗丨〇中所示之 介電層235。介電層23 5可包含（例如）氧化物。介電層235可 132479.doc -27· 200918939 包含（例如）氧化矽或氧化鋁。介電層235可至少部分作用為 絕緣層。 過程100於步驟135處繼續，其中形成如圖11H中所示之 犧牲層240。稍後移除犧牲層24〇以形成如下文討論之腔 270a，且因此犧牲層24〇未繪示於所得mems裝置中。犧牲 層240在介電層235上方之形成可包括以經選擇以在隨後移 除之後提供具有所要大小之腔27〇a的厚度來沈積XeF〗可蝕 刻材料（諸如鉬或非晶矽）。可使用諸如物理氣相沈積 (PVD ’例如濺鐘）、電漿增強化學氣相沈積（pecvD)、熱 化學氣相沈積（熱CVD)或旋塗之沈積技術來進行犧牲材料 之沈積。如圖111所示，犧牲層24〇可經圖案化及蝕刻。蝕 刻之犧牲層可包括犧牲層組件24〇a，其位於干涉調變器之 腔所要之位置。在一些實例中，如圖丨u所示，形成一個 以上之犧牲層組件240a。在其他實例中，僅形成一個犧牲 層組件240a。 過程100於步驟140處繼續，其中形成支撐件245a。如圖 11J所示，支撐件可藉由首先沈積一支撐層245而形成。支 撐層245可包含（例如）氧化材料。支撐層245可包含非導電 材料。如圖11K所示’支撐層245可經圖案化及蝕刻以形成 一或多個支撐件245a。支撐件245a可位於鄰近犧牲層組件 240a處。支撐層240之蝕刻可包含蝕刻掉支撐層240在犧牲 層組件240a頂部上之至少一部分。 過程100於步驟145處繼續’其中形成如圖iil所示之通 路250a至250c。通路250a至250c可藉由姓刻在太陽能電池 132479.doc -28- 200918939 頂部之層、太陽能金屬層230a及/或干涉調變器金屬層 23Ob中之至少部分而形成。在一些實施例中，步驟i 45可 與步驟140大體上同時執行。 過程100於步驟150處繼續，其中形成如圖UM所示之第 一電極層255。該第二電極層25 5可為導電的。該第二電極 層255可如圖11N所示經圖案化及钱刻以形成兩個太陽能電 池電極260a及260b、至少一可移動膜265及iM〇D電極 26〇y兩個太陽能電池電極260a及260b與iMoD電極260c可 疋位於通路250&至250(：上，且在一些實施例中在通路250a 至250c中。第一太陽能電池電極26〇a可定位於太陽能電池 堆疊上方，且在一些實施例中可在太陽能電池堆疊上。第 二太陽能電池電極260b可定位於太陽能電池金屬層23〇a上 方’且在一些實施例中可在太陽能電池金屬層23〇a上。 iMoD電極260c可定位於干涉調變器金屬層23〇b上方，且 在一些實施例中在干涉調變器金屬層230b上。由於犧牲層 組件240a仍存在，所以至少一可移動膜265通常在此階段 ^ 為不可移動的。至少一可移動膜265可定位於犧牲層組件 240a上方，且在一些實施例中在犧牲層組件24如上。在一 些實施例中，一獨立可移動膜265定位於每一犧牲層組件 240a上方，且在一些實施例中在每一犧牲層組件24〇a上。 在一些實施例中，由第二電極層255所形成之組件中無一 者彼此接觸。在一些實施例中，第一太陽能電池電極 260a、第二太陽能電池電極260b、iMoD電極260c及至少一 可移動膜265中無一者直接彼此接觸。 132479.doc -29· 200918939 或多個腔270a可藉由將犧牲層組件24〇a暴露至蝕刻劑 而形成。舉例而言，可藉由乾式化學蝕刻(例如，藉由將 犧牲層暴露於氣態或蒸汽银刻劑（諸如得自固態二氣化氣 (XeF2)之氣體)一段有效移除所要量材料的時間可移除諸如 鉬或非晶矽之可蝕刻犧牲材料，該所要量通常相對於一或 多個腔27Ga周圍之結構而選擇。亦可使用諸如濕式钱刻及/ 或電漿㈣之其㈣刻方法1牲層組件2術之移除通常 導致至少一可移動膜265在此階段之後可移動。 可對過程100進行諸如添加步驟、蝕刻變化、移除步驟 或重排序步驟之變〖。舉例而t，干涉調變器電極層織 可由與太陽能電池電極層2〇5a不同之初始層形成。作為另 一實例，介電層可經蝕刻使得在太陽能電池電極層2〇化上 方無介電。作為又一實{列，太陽能電池電極2術及2働 可經連接以對電池充電，該電池可連接至iM〇D電極 260c 〇 各種類型之太1%能電池可包括在本文所描述之裝置中。 上述過程100描述一種類型之太陽能電池，其包含在步驟 2 1 5中形成之層。 在一些實施例中，如圖12 A所示，太陽能電池形成於一 基板上且包含太陽能電池電極層2〇5a '底部太陽能電池層 210、中部太陽能電池層215、頂部太陽能電池層22〇及太 陽能電池電極260a。如上所述，在一個實施例中，底部太 陽此電池層210包含p摻雜非晶矽，中部太陽能電池層2 i 5 包含非晶矽，及頂部太陽能電池層22〇包含n摻雜非晶矽。 132479.doc -30· 200918939 在另一實施例中，底部太陽能電池層2 i 〇包含p摻雜非晶碳 化石夕’中部太陽能電池層21 5包含非晶矽，及頂部太陽能 電池層220包含η摻雜非晶石夕。 在一些實施例中，如圖12Β所示，太陽能電池形成於一 基板上且包含太％能電池電極層2〇5a、底部太陽能電池層 21 〇、中部太陽能電池層215、頂部太陽能電池層22〇、第 二底部太陽能電池層305、第二中部太陽能電池層3 1()、第 二頂部太陽能電池層3 15及太陽能電池電極26〇a。第二底 部太陽能電池層305、第二中部太陽能電池層3丨〇及第二頂 部太陽能電池層3 15可定位於頂部太陽能電池層22〇上方且 太陽能電池電極260a下方。底部太陽能電池21〇、中部太 陽能電池層215及頂部太陽能電池層22〇可包含上述之材 料。第二底部太陽能電池層3〇5可包含p摻雜非晶碳化矽。 第二中部太陽能電池層310可包含非晶矽^第二頂部太陽 能電池層3 1 5可包含η摻雜非晶矽。 在一些實施例中，如圖12C所示，太陽能電池形成於一 基板上且包含太陽能電池電極層2〇5a、底部太陽能電池層 21〇、中部太陽能電池層215、頂部太陽能電池層22〇、第 二底部太陽能電池層305、第二中部太陽能電池層31〇、第 一頂部太陽能電池層3 1 5、第三底部太陽能電池層32〇、第 三中部太陽能電池層325、第三頂冑太陽能電池層33〇及太 陽能電池電極260a。第三底部太陽能電池層32〇、第三中 部太陽能電池層325及第三頂部太陽能電池層33〇可定位於 第二頂部太陽能電池層315上方且太陽能電池電極廳下 132479.doc 31 200918939 方。底部太陽能電池21〇'中部太陽能電池層215、頂部太 陽此電池層220及第二底部太陽能電池層3〇5、第二中部太 陽月b電池層31G、第二了頁部太陽能電池層315可包含上述材 料：第三底部太陽能電池層32〇可包含p摻雜非晶碳化矽。 第三中部太陽能電池層奶可包含非晶鍺㈣。第三頂部 太陽能電池層330可包含n摻雜.非晶矽。 應瞭解其他類型之太陽能電池可併人本文所描述之裝置 中。在-個實施例中’舉例而言，裝置之太陽能電池組件 包含光電容器。 儘管以上詳細描述已繪示、描述且指出了本發明在應用 至多種實施例時之新穎特徵，但應瞭解，熟f此項技術者 可在不背離本發明之精神的情況下對所說明之裝置或過程 之形式及細節進行多種省略、替代及改變。本發明之範嗜 由所附之申請專利範圍而非前X之描述指#。在申請專利 範圍之等效物之含義及範圍内的所有改變將包含在申請專 利範圍之範_内。 【圖式簡單說明】 圖1為描繪干涉調變器顯示器之一個實施例之一部分的 等角視圖，其中第一干涉調變器之可移動反射層處於鬆弛 位置，且第二干涉調變器之可移動反射層處於致動位置。 圖2為說明併有3x3干涉調變器顯示器之電子裝置之一個 實施例的系統方塊圖。 圖3為對於圖丨之干涉調變器之一個例示性實施例的可移 動鏡面位置對施加電壓之圖。 132479.doc -32- 200918939 圖4為對可用以驅動干涉調變器顯示器之一組列及行電 壓的說明。 圖5A說明圖2之3x3干涉調變器顯示器中的顯示資料之 一個例示性圖框。 圖5B說明可用以寫入圖5A之圖框之列及行信號的一個 例示性時序圖。 圖6A及圖6B為說明一包含複數個干涉調變器之視覺顯 示裝置之一實施例的系統方塊圖。 圖7A為圖1之裝置之橫截面。 圖7B為一干涉調變器之一替代實施例之橫截面。 圖7C為一干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。 圖7D為一干涉調變器之又一替代實施例之橫截面。 圖7E為一干涉調變器之一額外替代實施例之橫截面。 圖8為說明在製造干涉調變器之方法之一實施例中的某 些步驟的流程圖。 圖9為說明製造MEMS裝置之方法之一實施例的流程 圖。 圖10為說明製造MEMS裝置之方法之一實施例的流程 圖。 圖11A至圖110示意性說明用於製造MEMS裝置之方法之 一實施例。 圖12A至圖12C為不同太障，能電池之橫截面。 【主要元件符號說明】 12a 干涉調變器 132479.doc •33- 200918939
12b 干涉調變器 14 可移動反射層 14a 可移動反射層 14b 可移動反射層 16 光學堆疊 16a 光學堆疊 16b 光學堆疊 18 柱 19 間隙、腔 20 基板 21 處理器 22 陣列驅動器 24 列驅動器電路 26 行驅動器電路 27 網路介面 28 圖框緩衝器 29 驅動器控制器 30 顯示器 32 繫栓 34 可變形層 40 顯示裝置 41 外殼 42 支撐柱插塞 43 天線 132479.doc •34 200918939 44 匯流排結構 45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入裝置 50 電源 52 調節硬體 200 基板 205 透明電極層 205a 太陽能電池電極層 205b 干涉調變器電極層 210 底部太陽能電池層 215 中部太陽能電池層 220 頂部太陽能電池層 225 保護層 230 金屬層 230a 太陽能電池金屬層 230b 干涉調變器金屬層 235 介電層 240 犧牲層 240a 犧牲層組件 245 支撐層 245a 支撐件 250a 通路 132479.doc -35- 200918939 250b 通路 250c 通路 255 第二 電極層 260a 第一 太陽 能 電 池 電 極 260b 第二 太陽 能 電 池 電 極 260c iMoD電極 265 可移動膜 270a 腔 305 第二 底部 太 陽 能 電 池層 310 第二 中部 太 陽 能 電 池層 315 第二 頂部 太 陽 能 電 池層 320 第三 底部 太 陽 能 電 池層 325 第三 中部 太 陽 能 電 池層 330 第三 頂部 太 陽 能 電 池層 132479.doc -36-

Claims (1)

  1. 200918939 十、申請專利範圍： 1· 一種顯示裝置，其包含： —干涉調變器；及 一太陽能電池’其中該太陽能電池經組態以提供能量 至該干涉調變器。 2.如叫求項1之裝置，其進一步包含一電容器，其中該電容 11、緩組態以儲存來自該太陽能電池之能量。 如叫求項1之裝置，其進一步包含一電池，其中該電池經 f、 組態以儲存來自該太陽能電池之能量。 用求項1之裝置，其中該裝置包含一干涉調變器 列。 ° 5. 如睛求項4之裝置，其中該太陽能電池位於該陣列中之 該等干涉調變器中之至少兩者之間。 6. 如明求項4之装置，其中該太陽能電池位於該陣 邊外部。 ° 7. ^叫求項丨至6中任一項之裝置，其中該干涉調變器之至 。 少一材料相同於該太陽能電池之至少一材料。 8·如叫求項7之裝置，其中該干涉調變器之該至少—材料 厚度相同於該太陽能電池之該至少一材料厚度。 9. 如凊求項7之裝置，其中該干涉調變器之該至少一材料 及該太陽能電池之該至少一材料包含氧化銦踢。 10. 如凊求項7之裝置，其中該干涉調變器之一電極層包含 該干涉調變器之該至少一材料。 如請求項16中任一項之裝置，其進一步包含： 132479.doc 200918939 顯示器，其包含該干涉調變器； ▲處理器’其經組態以與該顯示器通信，該處理器經 組態以處理影像資料；及 己隐體裝置，其經組態以與該處理器通信。 經 月长項11之裝置，其進一步包含一驅動器電路，其 、且以將至少一信號發送至該顯示器。 月求項12之裝置，其進一步包含一控制器，其經組態 、將°亥衫像資料之至少—部分發送至該驅動器電路。
    14·如二求項〗丨之裝置，其進一步包含一影像源模組，其經 組態以將該影像資料發送至該處理器。 月求項14之裝置，其中該影像源模組包含一接收器、 收發器及傳輸器中之至少一者。 16. 如請求項丨〗之裝置，其進一步包含一輸入裝置，其經組 態以接收輸入資料且將該輸入資料傳達至該處理器。 17. —種製造一光學裝置之方法，其包含： 於一基板上形成一干涉裝置，其中該形成該干涉裝置 包含於該基板上沈積多個層；及 於該基板上形成一太陽能電池，其中該形成該太陽能 電池包含於該基板上沈積多個層。 18. 如請求項17之方法，其進一步包含形成一共用層，其由 該太陽能電池及該干涉調變器兩者共用。 19. 如請求項18之方法，其中該共用層為一操作層。 20. 如凊求項18之方法，其中該共用層包含氧化銦錫。 21. 如請求項17至20中任一項之方法，其中該共用層包含該 132479.doc 200918939 干涉裝置之電極層。 其中形成該干涉裝置 22.如睛求項17至20中任一項之方法 包含： 於該基板上形成一第一電極層； 於該第一電極上形成一犧牲層； 於該犧牲層上形成一電極層；及 移除該犧牲層之至少一部分。 23. 如請求項17至20中任一 n夕士，t 仕丄 甲任項之方法，其中該形成該太陽能 電池包含： 於該基板上形成一 P摻雜層； 於該P換雜層上形成一本質層；及 於該本質層上形成一 η摻雜層。 24. -種藉由請求項17至2〇中任一項之方法製造之微機電 (MEMS)裝置。 25. —種使用一太陽能電池之方法，其包含： 使用該太陽能電池將光能轉換成電能； 使用該電能對一能量儲存裝置充電； 將該能量儲存裝置連接至一干涉調變器；及 自該能量儲存裝將提供能量至該干涉調變器。 26. 如請求項25之方法，其中該能量儲存裝置為一電池。 27. 如請求項25或26之方法，其中該太陽能電池及該干涉調 變器形成於相同基板上方。 28. 如請求項25或26之方法，其中該太陽能電池與該干涉調 變器共用至少一層。 132479.doc 200918939 29. —種裝置，其包含： 用於將太陽能轉換成電能之構件； 用於干涉調變光之構件；及 30.如請求項29之裝置，其進一步包含— 構件。 用於將電能提供至該干涉調變構件之構件 用於儲存該電能之 31·如請求項29或30之裝置，其中 月&之構件及該用於干涉調變光 上0
    能量儲存裝置予以供應。 132479.doc
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