TW200916977A - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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200916977 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種微影裝置及一種用於製造器件之方 法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在該情況下，圖案化結構（其或者被稱作光 I或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖 案。可將此圖案轉印至基板（例如，石夕晶圓）上之目標部分 (例如H曰日粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒）上。圖 案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輕射敏感材料 (抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化 之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進 器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射 每-目標部分；及所謂的掃描器’其中藉由在給定方向 , Γ掃描"方向）上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平 行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有 可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化結構轉印 至基板。 已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折 射率之液體（例如，水）中，以便填充投影系統之最終元件 與基板之間的空間。液體可為蒸館水（超純水），但可使用 另一高折射率液體。將參考液體（例如，大體上不可壓縮 133410.doc 200916977 及/或浸濕流體）來描述本發明之實施例。然而，另一流體 可為適當的，特別為具有比空氣高之折射率的流體，諸 如，烴（諸如’氫氟碳）。因為曝光輻射在液體中將具有更 短波長，所以此情形之要點為致能更小特徵之成像。（液 體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑（NA)且亦增 • 加焦點深度。）已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒 - 子（例如，石英）之水。 然而’將基板或基板及基板台浸潰於液體浴中（見（例如） C ^ 全文以引用之方式併入本文中的美國專利第4,5 09，852號） 思明在掃描曝光期間存在必須被加速之大量液體。此需要 額外或更強大之馬達，且液體中之紊流可能導致不良且不 可預測之效應。 所提議之解決方案中之一者係使液體供應系統使用液體 限制系 '统而僅.在基板之區域化區域上及在投影系統之最終 元件與基板之間提供液體（基板通常具有比投影系統之最 終7L件大的表面區域）。在全文以引用之方式併入本文中 〇 的PCT專利申請公開案WO 99/49504中揭示-種經提議以 .十對此h形所配置之方式。如圖2及圖3所說明，液體藉由 ,、 而供應至基板上（較佳地沿著基板相對於最 、、兀•件之移動方向），且在投影系統下穿過之後藉由至少 出OUT而移除。亦即，隨著在—X方向上於元件下方掃 在元件之+χ側處供應液體且在—X側處吸取液 體。圖2示意性地展示液體經由入口 m而被供應且在元件 之另側上藉由連接至低屢源之出口 OUT而被吸取的配 133410.doc 200916977 置。在® 2之說日月巾’沿著基板相對於最終元件之移動方 向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位 之入口及出口之各種定向及數目為可能的，圖3中說明一 實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上入 口與出口之四個集合。 圖4中展示具有區域化液體供應系統之另一浸沒微影解 決方案體藉由投景’系統PL之任一側上的兩個凹槽入口 職供應’且藉由自人σΙΝ徑向地向外所配置之複數個離 散出口OUT而移除。可在中心中具有孔之板中配置入口取 及OUT’且經由該孔而投影投影光束。液體藉由投影系統 PL之-側上的—凹槽人口 IN而供應，且藉由投影系統pL 之另一側上的複數個離散出口OUT而移除，從而導致液體 薄膜在投影系統PL與基板w之間的流動。對使用入口师 出口 OUT之哪-組合的選擇可視基板…之移動方向而定（入 口 IN與出口 〇υτ之另一組合為不活動的）。 提議之另解決方案為提供具有障壁部件之液體供應 =統障壁部件沿著投影系統之最終元件與基板台之間的 門之邊界之至少一部分延伸。障壁部件在XY平面中相 對於投影系統而大體上靜止，但在z方向上（在光軸之方向 上）可能存在某相對移動。在障壁部件與基板之表面之間 y成密封件。在—實施例中，密封件為諸如氣體密封件之 無接觸密封件。全文以引用之方式併入本文中的美國專利 青A開案第2GG4-G2G7824號中揭示具有氣體密封件之該 系統。 133410.doc 200916977 在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公 開案第1420300號及美國專利申請公開案第2〇〇4_〇136494 號中，揭示複式平台或雙平台浸沒微影裝置之觀念。該裝 置具備用於支撐基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下， 藉由第一位置處之台來進行調平量測。在存在浸沒液體之 ' 情況下，藉由第二位置處之台來進行曝光。或者，裝置可 僅具有一可在曝光位置與量測位置之間移動的台。 在投影系統與基板之間提供浸沒液體用於使經圖案化輻 (; 射光束穿過呈現特定挑戰。舉例而言，在障壁部件之情況 下，空間中之液體位準的控制可能較難。過多液體可能導 致溢流。在過少液體之情況下，更可能的為，氣泡可併入 投影系統與基板之間的液體（赌集器）中。 【發明内容】 在某些浸沒微影裝置中’在浸沒系統結構與投影系統 (亦被稱作WELLE透鏡）之間存在間隙。#卻氣體流在投影 纟統上流動以維持投影系統之溫度。某些氣體流在浸沒系 U 統（亦即，液體限制系統）上流入間隙中。外部障壁可用於 浸沒系統中以防止氣體流進入間隙，但在某些裝置中，可 - %不提供外部障壁。然而，氣體流可能不利地導致浸沒液 冑蒸發’藉此將熱負載施加於浸沒系統及最終投影系統元 件上。熱負載亦可或或者可由最終投影元件之下側上之氣 體的移動而形成。熱負載可導致最終投影系統元件中之熱 (例如，冷）點。熱點可被偵測為與經預測像差量測不同之 光學像差。此外或或者，浸沒液體可穿過最終投影系統元 133410.doc 200916977 件與次沒系統之間的此間隙，且某些浸沒液體可經由間隙 而逸出。 在曝光期間，基板台相對於浸沒系統（及投影系統）而移 動。此可導致浸沒系統内之浸沒液體向上移動間隙(例 如在基板之行進方向上）。因此，當基板經由掃描或步 進運動而移動時，基板之移動方向改變。因為間隙中之浸 1液體隨著基板之移動而移動，所以移動導致間隙中之浸 沒液體的位準改變，其可導致壓力差。浸沒液體之移動被 f! 肖作攪動。若移動足夠大，則浸沒液體上之壓力可足以導 致液體溢流至液體限制系統之了貝部表面上。當壓力降低 時，液體回流至間隙中，從而可能地隨其帶入存在於液體 限制系統之表面上的不需要污染粒子。液體可為缺陷度及 疲點之來源。液體亦可留存於液體限制系統之頂部表面 上’及最終投影系統元件之表面上。剩餘液體可蒸發且將 熱負載施加至各別表面。 此外’當浸沒系統在朝向投影系統之方向上移動時，浸 ’ &液體在液體限制系統之頂部表面上的存在可導致液體限 制系統與投影系統之間的減幅。該減幅亦可被稱作橋接且 為不良的，因為其可能降低裝置之效能。 因此，需要（例如）藉由具有用以限制間隙中之浸沒液體 之移動且減少經由間隙而逸出浸沒系統之浸沒液體之量的 方式來減輕前述問題中之一或多者或—或多個其他問題。 本發明之-態樣為提供一種微影裝置，其包括投影系 統’投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之 133410.doc 200916977 目標部分上。裝置亦包括障壁部件，其圍繞投影系統與在 使用中之基板之間的空間，以部分地與投影系統界定㈣ 液體之儲集器。障壁部件之面向投影系統之一部分的徑向 外部表面及該部分之面向障壁部件的徑向外部表面各自且 有疏液性外部表面。障壁部件之疏液性夕卜部表面及/或投 . i系統之部分之疏液性外部表面具有部分地界定儲集器之 内部邊緣。 本發明之-態樣為提供—種障壁部件，其經組態以圍繞 ° 微影裝置之投影系統與在使用中之基板之間的空間，以部 分地與投影系統界定用於液體之儲集器。投影系統之—部 分具有徑向外部表面，徑向外部表面具有疏液性外層。障 壁部件之徑向外部表面經組態以面向該部分之疏液性外 層，且具有疏液性外層。障壁部件之疏液性外層具有部分 地界定儲集器之内部邊緣。 本發明之-態樣為提供一種微影裝置，其包括投影系 、统’投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之 y目標部分上。投影系統之-部分之面向基板的徑向外部表 面具有Uv吸收層及在UV吸收層之-部分上的疏液性外 $。在投影系統之部分之徑向外部表面的疏液性性質中存 在步進功旎。步進功能由疏液性外層與uv吸收層之間的 邊界界疋。步進功能在投影系統與基板之間的空間中部分 地界定用於液體之儲集器。 本發明之一態樣為提供一種器件製造方法，其包括將經 圖案化輻射光束自投影系統投影穿過液體而至基板之目標 1334l0.doc -12- 200916977 =二方法亦包括藉由以下各物而將液體限制於投㈣ 1的二間中：圍繞空間之障壁部件、障壁 之面向投影系統之—部分之疏液性徑向外部表面的内部邊 :’及投影系統之部分之面向障壁部件之疏 表面的内部邊緣， Π卜 本發月之—態樣為提供一種器件製造方法，纟包括 ，圖案化輜射光束自投影㈣投影穿過液體而至基板之目

t部分上’及藉由投料統之—部分之疏液性徑向外部表 面：至少一内部邊緣而將液體限制於投影系統與基板之間 ]中方法亦包括藉由投影系統之部分與疏液性徑向 外部表面之間的UV吸收層來保護投影系統之部分之疏液 性徑向外部表面。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 裝置包3 .照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輻射光 束B(例如，UV輻射或DUV輻射）；支撐結構（例如，光罩 台）MT，其經建構以支撐圖案化結構（例如，光罩）ma且連 接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化結構之第 一定位器PM ;基板台（例如，晶圓台）Wt，其經建構以固 持基板（例如，塗覆抗蝕劑之晶圓）w且連接至經組態以根 據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW ;及投影 系統（例如’折射投影透鏡系統）ps，其經組態以將由圖案 133410.doc •13- 200916977 化結構隐賦予至韓射光束B之圖案投影至基板…之目標部 分C(例如，包含一或多個晶粒）上。 照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型 的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其 他類型之光學組件，或其任何組合。 八 支撑結構以視圖案化結構之定向、微影裝置之設計及其 他條件（諸如，圖案化結構是否固持於真空環境中）而定的 方式來固持圖案化結構。支撐結構可使用機械、真空、靜 ° 電或其他夾持技術來固持圖案化結構。支撐結構可為（例 如）C木或σ，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐 、’、。構可確保圖案化結構（例如）相對於投影系統而處於所要 位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光翠"之任何使用均 與更通用之術語"圖案化結構”同義。 本文所使用之術語”圖案化結構.•應被廣泛地解釋為指代 ^用以在輕射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在 ί板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如， :被二予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特 二要=圏案Γ不會精確地對應於基板之目標部分中的 所要圖案。通常，被賦予至鲈 τ主季田射光束之圖案將對應於目標 °刀所形成之器件（諸如，積體電路）中的特定功能層。 ^化結構可為透射或反射的。圖案化結構之實例包括 η Γ壬式化鏡面陣列，及可程式化lcd面板。光罩在 =中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移 型’以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 133410.doc 200916977 之-實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之 可個別地傾斜，以俤Α π π 有 便在不同方向上反射入射輻射光束。 斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。 本文所使用之術語"投料'統"應被廣泛地解釋為涵蓋任 何類型之投㈣統，包括折射、反射、反射折射、磁性、 電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝 光輻射’或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其

他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更 通用之術語"投影系統”同義。 如此處所描繪，裝置為透射類型（例如，使用透射光 罩）。或者’裝置可為反射類型（例如，使用如以上所提及 之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩 微影裝置可為具有兩個（雙平台）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支撐結構）的類型。在該等"多平台"機器 中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進 步驟’同時將一或多個其他台用於曝光。 參看圖1 ’照明器IL自輻射源S0接收輻射光束。舉例而 e，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為 單獨實冑。在該等情況了，不認為輕射源形成微影裝置之 一部分，且輻射光束借助於包含（例如）適當引導鏡面及/或 光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源s〇傳遞至照明 器比。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源 可為微影裝置之整體部分。輻射源S〇及照明器比連同光束 傳送系統BD(在需要時）可被稱作輻射系統。 133410.doc -15- 200916977 照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整 器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的 至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作σ 外部及σ内部）。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸 如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光 束’以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如，光罩台）MT 上之圖案化結構（例如，光罩）MA上，且由圖案化結構圖案 化。在橫穿圖案化結構MA後，輻射光束B穿過投影系統 ps，#又景> 系統pS將光束聚焦至基板w之目標部分c上。借 助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器 件、線性編碼器，或電容性感測器），基板台…丁可精確地 移動例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部 刀C類似地，第一定位器PM及另一位置感測器（其未在 圖1中被㈣地㈣）可用以（例如）在自光罩庫之機械揭取 之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位 圖案化結構MA。一般而言’可借助於形成第一定位器 之一部分的長衝程模組（粗略定位）及短衝程模組（精細定 :)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二 定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基 板台WT之移動。在步進器（與掃描器相對）之情況下，支撐 結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可： 用圖案化結構對準標記而、組及基板對準標記心以 對準圖案化結構财及基板W。儘管如所說明之基板對準 133410.doc 200916977 標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間 中（此等被稱為切割道對準標記）。類似地，在一個 曰白 粒提供於圖案化結構MA上之情形下，圖案化結構對準標 記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至目標部分c上時，使支撐結構河丁及基板台 WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著，使基板 台WT在X及/或γ方向上移位，使得可曝光不同目標部分 C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光 中所成像之目標部分c的尺寸。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目钛部分c上時，同步地掃描支撐結構Μτ及基板台 WT(亦即，單次動態曝光）。可藉由投影系統”之放大率 (縮小率）及影像反轉特性來判定基板台|丁相對於支撐結構 MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限 制單次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向上）， 而掃描運動之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 3.在另模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分C上時，使支撐結構“丁保持基本上靜止，從而 固持可程式化圖案化結構，且移動或掃描基板台WT。在 此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每 移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而 更新可程式化圖案化結構。此操作模式可易於應用於利用 133410.doc 17 200916977 可程式化圖案化結構（諸如，如以上所提及之類型的可程 式化鏡面陣列）之無光罩微影術。 亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖5以橫截面說明根據本發明之一實施例之在⑸中經展 示為m的液體供應系統。液體供應系統包含障壁部㈣， 其至少部分地或完全地圍繞投影系統孔與基板1之間的空 間，且具有連同投影系統PL及基板w(及/或基板台资）界 ( $用於液體11之儲集器的障壁表面。以此方式，液體听 提供於該工間中，使得經由投影系統pL而投影至基板w上 之經圖案化輻射光束穿過液體11。 在一實施例中，無接觸密封件可形成於障壁部件10與基 板w(或當成像基板w之邊緣時為基板台WT)之間。在所說 月實施例中，無接觸密封件包含液體移除器件、自液體 移除器件徑向地向外之凹座4〇，其在徑向向内頂部表面處 具有氣體入口 42且在徑向向外表面處具有氣體出口 44。選 I， 狀氣體刀5G亦可經提供成自凹座40徑向地向外。全文以 引用之方式併人本文t的美國專利中請公開案第US 2嶋_ 0158627號中詳細地描述在障壁部件ι〇之底部表面上之此 #三個項目的配置。全文以引用之方式併入本文中的美國 專利申4公開案第us 2006_0038968號中揭示液體移除器 件30之細節。a替無接觸密封件及氣體刀或&了無接觸密 封件及氣體刀以外，障壁部件可具有—系列氣體拖复孔 徑0 133410.doc •18- 200916977 如由圖5(藉由實例）所表示之實施例所示，液體可在高 壓下藉由障壁部件1〇而提供至腔室2〇。液體在大體上水平 方向上（亦即，大體上平行於基板w之頂部表面，如由箭頭 29所說明）經由一或多個人口 28而進入投影系統孔與基板 W之間的空間。液體亦經由在遠離於投影系統孔之方向上 如由箭頭25所說明（朝向基板w)垂直地向下引導液體流動 的一或多個人口 24而退出腔室20。此液體流動意欲填充通 常存在於基板w與基板台WT之間的間隙26，且亦將彎液 面保持於自液體移除器件3〇之内側徑向地向外的障壁部件 1〇下（特別在障壁部件1〇下掃描基板w期間）。藉由在入口 2 4外之液體流動的此間隙2 6之填充可減少該間隙中之氣泡 的發生。 在實施例十，入口 24包含以圓形（或圍繞投影系統pL 之影像場之其他形狀）所定位之-系列離散孔。此入口及 此等孔之目的為在成像基板w之邊緣時或在掃描速度超過 某一量值時防止障壁部件1〇與基板w之間的彎液面被吸入 投影系統PL與基板w之間的空間中。若在基板μ投影系 統PL之相對移動期間來自彎液面之向外側的氣體(例如， 空氣）包括於投影系統下，則此可有害地影響成像品質。 然而，在一系列離散孔之情況下，氣體可被截獲於孔之間 且藉此累積於基板w與基板台wt之間的間隙％中。該等 巩泡可接著進入基板w與投影系統pL之間的液體11。為此 原因亦將&多個出口 27提供成緊接於人口 ，且經由 出27而提取氣體與液體之混合物，使得截獲於間隙26中 133410.doc 200916977 之氣體可逸出且液體可填充間隙26之孔而不截獲氣泡。出 口 27可連接至腔室（未說明）（諸如，腔室2〇)，以減少出口 27處之壓力波動。出口 27可包含以圓形（或圍繞投影系統 PL之影像％之其他形狀）所定位之一系列離散孔。在一實 施例中，提供形成孔之外部周邊的入口 24及形成孔之内部 周邊的出口 27,使得當穿越間隙26時，間隙26首先藉由入 口 24而被填充且接著氣泡藉由出口 27而被提取。然而，只 要達成功能，則入口 24及出口 27之精確定位可以其他方式 進行。出口 27亦可用以提取可能被在投影系統下溶解之抗 蝕劑污染的液體。在該提取之情況下，接近彎液面（接近 液體移除器件30)之液體將被較少地污染。在掃描期間留 存於基板W上之液體可接著亦被較少地污染，且因此，留 存於基板上之粒子量可如乾燥污潰在液體移除之後可減少 一樣而減少。 障壁部件10可通常經成形以符合投影系統％之外部形 狀，使得大體上恆定間隙存在於投影系統PL與障壁部件1〇 之間。存在間隙，以便使投影系統PL與障壁部件1〇之獨立 相對移動為可能的。 在實施例中’採取一或多種措施，以便處理儲集器之 容積的變化及自儲集器之液體供應/提取的變化。在正常 條件下’液體11之頂部表面具有相對於投影系統及障壁部 件1〇而為大體上靜止的彎液面11〇。障壁部件1〇之頂部表 面90為平坦之水平表面’且僅允許液體在緊急情形下存在 於頂部表面90上。為了處理緊急情形，將出口 80提供於頂 133410.doc -20- 200916977 部表面90中.一旦彎液面11〇處於頂部表面9〇上，則其可 容易地推進且障壁部件10可能溢流.為了防止此情形\'可 將突起100在障壁部件之最内部邊緣處提供於障壁部件 之頂部表面90上《突起100可圍繞障壁部件1〇而延伸且因 此可形成環或其他封閉形狀。突起1〇〇可比障壁部件1〇之 圍繞突起100之部分接近於投影系統PL之表面（特別為投影 系統PL之水平表面2〇〇)。 在一實施例中，自突起100與投影系統pL之間至障壁部 件10與投影系統PL之間存在距離之步進改變。此步進改變 可在圖5中之突起100之左手側上被看見。在一實施例中， 此步進改變處於突起100之徑向向外側上，但亦可或視情 況存在於突起100之徑向向内側上’如圖5中之情況。此幾 何形狀意謂m吏液體μ頂部之彎液面11〇越過突起 ⑽’彎液面110之長度將需要增加，其需要大量能量。在 實把例中，突S1G0及突起之區域t之投影系統pL的表 面係由拒液性材料或疏液性材料形成（例如，液體與彼等 表面形成通常大於90。之接觸角，諸如，1〇〇。、ιι〇。、 120。、130。、14〇。、15〇。、16〇。、17〇。及間使得彎液 面110之形狀在自液體之外部被檢視時為凸起的。 因此，投影系統PL之表面與障壁部件1〇之間的距離在徑 向向外方向上之步進增加的提供可顯著地降低在使用障壁 部件1 0時之溢流的可能性。 突起刚經說明為處於障壁部件1G上。然而，並非需要 為此情況且突起可處於投影系統上，只要達到相同功能 133410.(3〇c •21 200916977 (亦即 提供用於彎液面 起）〇 之旎量障壁以克服移動越過突 亦說明於圖5中的為系統之實施例，其中障壁部件1〇之 面向投影系統PL的内部表面經故意地作成奇形怪狀，使得 其更接近地類似投料、訊之亦可經故意地作成奇形怪狀 的外部表面。以此方式，迷宮式密封經形成用於使液體U 自基板朝向突起1〇0向上流動’且此增加流動限制且藉此 降低溢流危險。因此’液體將需要行進以便溢流越過障壁 10之路徑將為曲折的且需要至少三個方向改變。在所說明 實施例中’此可藉由在投影系訊之㈣中提制痕220 而達成。突起可提供於障壁部件10之内部側壁上（在障壁 表面中）’且可由兩個元件310、320形成。亦可採取其： 措施’以便增加用於使液體自投影系統PL與基板w之間的 位置行進至障壁部件10之頂部之路徑的曲折度。可在具有 或無突起100及在具有或無以下更詳細論述之疏液性材料 的情況下使用壓痕220及/或元件310、320。

圖6說明除了如以下所描述以外與以上關於圖5所描述之 實施例相同的實施例。 在此實施例中，代替提供一或多個入口 28(其在投影系 統之最終元件下於大體上水平方向上提供至投影系統1^與 基板W之間的空間中之液體流動），提供一或多個入口 400 ’其相抵於投影系統Pl之側而以低速度來提供均勻液 體流動。此流動由箭頭514說明。自與腔室2〇進行流體連 通之腔室21提供退出入口 400之液體。兩個腔室之提供允 133410.doc 22- 200916977 許施加至入口 400與施加至入口 24之液體的壓力不同。可 藉由變化連接腔室20及21之孔221的尺寸及/或數目來調整 壓力。 在此實施例中之突起1 〇〇類似於如以上關於圖5所描述之 突起之處在於：液體11之彎液面110在突起100與投影系統 PL之間延伸。儘管在此實施例中之突起1〇〇的構造不同， 但應用相同原理。亦即，突起比附近之障壁部件丨〇的其他 部分接近於投影系統PL，使得為了使彎液面11〇越過突起 1 〇〇 ’彎液面之長度應極大地增加。 藉由在下方水平部分515之徑向最内部邊緣（其中入口 400退出）處存在第二突起520而防止液體之水平流動朝向 基板W被向下抽吸。此允許液體514之水平流動由投影系 統PL之表面偏轉，以自投影系統pL之底部表面上方開始 向下且徑向地向内形成流動516。 此配置克服關於圖5所描述之實施例之入口 28趨向於形 成可向下抽吸彎液面11〇之較強向下流動而藉此導致可能 不穩定彎液面位置的缺點。不穩定彎液面可導致液體供應 中之氣體陷入’因為當液體供應速率超過某一值時，較大 氣舌可在投影系統PL下延伸。因為此實施例與自入口 28之 出流速度相比可允許降低自入口 4〇〇之出流速度，所以可 在此實施例中達成該缺點之避免。該實施例亦可允許障壁 部件10定位成更接近於投影系統PL。突起1〇〇可幫助確保 彎液面110儘可能地短。因此，將需要大量能量以向下抽 吸彎液面110,其中將需要增加彎液面之長度。 133410.doc -23- 200916977 圖7說明除了如以下所描述以外與關於圖6所描述之實施 例相同的實施例。 在此實施例中，入口之位置不同。在先前實施例中，入 口 400之位置在大體上水平方向上提供至投影系統與基 板W之間的空間中之液體流動。在此實施例中，提供入口 5〇〇，其在遠離於基板W之方向上（亦即，在相反於經圖案 化輻射光束之傳播方向的方向上）提供至界定於基板w、投 影系統PL與障壁部件1 〇之間的空間中之液體流動，如由箭 頭510所說明。自與腔室2〇進行流體連通之腔室21提供退 出入口 500之液體，如以上關於圖6所描述。 退出入口 500之液體流動可藉由突起1〇〇而偏轉至徑向地 向内且大體上平行於基板W之頂部表面的方向，如在以上 關於圖6所描述之實施例中。此由箭頭512、514說明。在 此實施例中之突起100類似於其他實施例之突起之處在 於：液體11之彎液面110可在突起100與投影系統PL之間延 伸。儘管在此實施例中之突起100的構造不同於以上關於 圖5所描述之實施例的構造’但應用相同原理，亦即，突 起比附近之障壁部件1 〇的其他部分接近於投影系統PL，使 得為了使彎液面110越過突起100，彎液面之長度將需要極 大地增加。 在流動5 1 0由突起1 〇〇偏轉之後，流動被均勻化，如在以 上關於圖ό所描述之實施例中，且相抵於投影系統PL而大 體上水平地以相對較慢速度流動。突起1〇〇可幫助確保弯 液面11 0儘可能地短，因此’將需要大量能量以向下抽吸 133410.doc •24· 200916977 彎液面110以增加彎液面々且Λ 面之長度。此實施例可比以上關於 圖6所描述之實施例有利 ' ’⑴’因為其可使用更少空間。 在以上所描述之所有眚 1 ,貫鼽例中，已展示障壁部件1〇之 截面。障壁部件10未必帛 ' 圍繞其整個周邊為對稱的，且可為 (例如）僅圍繞障壁部件 ‘" 千10之周邊的一小部分而提供入口 28、400、500且園蝽 1 从 μ、 八他。Ρ 〃刀而提供用於提取浸沒液體之 系統。該配置可導致:留 ., 在早一方向上跨越投影系統PL與基板 W之間的空間之液體11之流動。其他配置亦為可能的且以

上關於上述實施例所描述之原理亦可應用於其他類型之液 體供應系統。將清楚的為，本文之任何實施例的特徵均可 結合本文之任何其他實施例的某些或所有特徵而加以使 用。 圖8說明經組態以將浸沒流體大體上限制至投影系統與 基板之間的所要容積之液體限制系統800的實施例。浸沒 流體理想地為具有等於或大於純水之折射率之折射率的液 體。液體限制系統800包括具有徑向外部表面（亦即，自由 投影系統PS所投影之輻射光束之投影轴線pA徑向地向外定 位的表面，如以上關於圖丨所描述）之障壁部件81〇。障壁 部件81〇之徑向外部表面包括大體上水平頂部表面814及相 對於水平頂部表面814及投影軸線PA而傾斜之傾斜頂部表 面8!6。障壁部件810自投影系統之一部分82〇間隔，以便 在其間界定間隙830。 投影系統之部分820可為整個投影系統之最終元件，或 可為與液體接觸之中間投影系統之最終元件。投影系統之 133410.doc -25- 200916977 部分820包括徑向外部矣 — P表面（亦即，自投影軸線PA徑向地向 外疋位之表面）’杈向外部表面包括相反於障壁部件㈣之 大體上水平頂部表面814的大體上水平表面824，及相反於 P章壁部件81G之傾斜表面816的傾斜表面826。投影系統之 部分820之下部表面及障壁部件…之頂部表面可經成形以 彼此協作。 在圖8所示之實把例中，浸沒系統之頂部表面（例如，液 體限制系統8GG之障壁部件81G)可具有拒液性或疏液性（例 如’虽/文'又液體為水時為疏水性）外層840，其可以塗層之 /式在實施例中，障壁部件8 1 〇可由提供疏液性或拒 液性表面之疏液性材料製成。如本文所使用之術語，，層，，應 被廣泛地解釋為包括為部件之整體部分的纟面以及以塗層 之形式所提供且因此未必為部件之整體部分的表面。疏液 性外層840在其自投影軸線？八延伸時可為環形連續或不連 續的在實把例中，疏液性外層840可經圖案化，以便 形成在疏液性性質中為不連續的表面。 在攪動期間，疏液性外層840可幫助防止浸沒液體接取 障壁部件810之大體上水平頂部表面814。此接取防止可減 少在儲集器中之浸沒液體中所發現之污染物粒子的量。歸 因於邊緣842處之表面性質的步進功能改變，浸沒液體之 弯液面860之一末端可銷釘至疏液性外層84〇之邊緣842。 換吕之’因為浸沒液體與疏液性外層之間的接觸角大於 度（例如，在90度與180度之間），且不包括疏液性外層之障 壁部件810之表面之間的接觸角小於約9〇度（例如，在〇度 133410.doc • 26 · 200916977 與90度之間），藉此形成步進功能改變，所以彎液面mo不 可能上升至高於邊緣料2。如本文所使用之術語"邊緣”意 欲描述在不賦予任何特定實體結構或形狀的情況下最接近 於包含於投影系統與基板之間的浸沒液體儲集器之疏液性 外層840的末端。 若施加至浸沒液體之壓力（例如）在基板台之移動期間足 夠大，則液體可脫離於其銷釘，且逸出至疏液性外層84〇 上。然而’因為層840具有疏液性性質，所以層840可排斥 液體（理想地排斥返回超出層84〇之邊緣842)。大體上無浸 沒液體可被允許殘留於疏液性外層84〇上，且因此減少蒸 發及施加至裝置之熱負載。 如圖8所示，投影系統之部分82〇之徑向外部表面的大體 上水平表面824可包括經組態以排斥液體之疏液性外層 850。在所說明實施例中，疏液性外層85〇具有位於大體上 水平表面824與投影系統之部分82〇之傾斜表面826之相交 處或附近的邊緣852。投影系統之部分820之疏液性外層 850之邊緣852相對於障壁部件81〇之疏液性外層84〇之邊緣 842的位置可允許浸沒液體之彎液面860銷釘於邊緣852 處。類似於疏液性外層840，疏液性外層85〇在其自投影軸 線pa延伸時可為環形連續或不連續n實施例中，疏 液性外層850可經圖案化，以便形成在疏液性性質中為不 連續的表面。 疏液性外層請、850可包括任何適當疏液性材料。舉例 而言’在-實施例中，疏液性外層84〇、謂可包括聚四氣 133410.doc •27· 200916977 稀例如，TEFLON®。疏液性外層84〇、85〇可以塗層之 形式而她加至其各別表面，或可藉由包括該塗廣之貼紙或 層壓材料而施加。 圖9說明液體限制系統_之實施例，其具有圖8之液體 限制系統800之某些特徵，如由對應參考符號所指示。液 體限制系統900包括疏液性外層94〇，疏液性外層94〇可施 加至障壁部件810之頂部表面且可覆蓋大體上水平表面 814，以及障壁部件81〇之傾斜頂部表面816的一部分。浸 沒液體之f液面860之一末端因此銷釘至疏液性外層94〇之 邊緣942 ’其位於傾斜表面8丨6上。 如以上所論述，若施加至浸沒液體之壓力（例如）在基板 台之移動期間足夠大，則液體可仍能夠脫離於其銷釘。然 而，因為層940具有疏液性性質，所以大體上無浸沒液體 可被允許殘留於疏液性外層940上且因此減少蒸發及施加 至裝置之熱負載。 如圖9所示’大體上水平表面824以及投影系統之部分 " 8 2 0之徑向向外表面之傾斜表面8 2 6的一部分可包括經組態 以排斥液體之疏液性外層950。如所說明，疏液性外層95〇 具有邊緣952 ’其允許浸沒液體之彎液面860銷釘於邊緣 952處。在一實施例中，大體上相反於疏液性外層940之提 供於障壁部件8 1 0上的邊緣942(亦即，跨越間隙830)而定位 邊緣952。此可允許浸沒液體之彎液面86〇銷釘於邊緣 942 ' 952處 ° 圖10說明液體限制系統1000之實施例，其具有圖8之液 133410.doc • 28 - 200916977 體限制系統800之某些相同特徵，如由對應參考符號所指 示。液體限制系統1000包括用於障壁部件81〇之頂部表面 的疏液性外層胸，包括大體上水平表面814，以及所有 或大體上所有傾斜頂部表面816。若浸沒液體之位準足夠 低’則浸沒液體之彎液面86〇之一末端可銷釘至疏液性外 層_之邊緣1042,其位於傾斜表面816之底部處。否 則彎液面860之-末端可向上移動傾斜表面816,但接觸 角將使得浸沒液體之薄膜可能不形成於表面816上。 如圖1〇所不，大體上水平表面824以及投影系統之部分 820之徑向向外表面的所有或大體上所有傾斜表面826可包 括經組態以排斥液體之疏液性外層1〇5〇。如所說明，疏液 性外層！ 050具有位於投影系統之部分82()之傾斜表面^之 底部末端處的邊緣1〇52。類似於提供於障壁部件81〇上之 疏液性外層购，提供於投影系統之部分82〇上的疏液性 外層1050可防止浸沒液體之薄臈形成於投影系統之部分 820之傾斜表面826上，其可減少可蒸發之浸沒液體量且因 此減少投影系統之部分8 2 0上的冷點。 如以上所論述，疏液性外層之邊緣可在障壁部件810之 大體上水平頂部表面的内部邊緣處（如圖8所示），或在傾斜 表面之頂部附近（如圖9所示）。如圖1〇所示，疏液性外層可 覆蓋整個傾斜表面（或錐形表面）。疏液性外層之邊緣可在 此等三個實施例中之任何兩者的任何中間位置處；邊緣可 位於障壁部件810之水平頂部表面814上。理想地，疏液性 外層覆蓋頂部表面之所有水平部分，且可能地覆蓋水平表 133410.doc •29- 200916977 面之邊緣與親液性（例如’親水性、矣 吼八注）表面之邊緣之間的整個 表面。表面可為施加至包括（作不ΡΡ +限於）以上所論述之障壁 部件的液體限制系統之本體的塗層。 A m 本體或其一或多個部 分可由為親液性及/或疏液性之材料製成。本文對疏㈣ 及/或親液性層或塗層之參考應被理解為包括由疏液性及/ 或親液性材料製成之表面。疏液性类 呵·饮f生录面之邊緣下方的傾斜 表面可為本體之經曝光材料且因此為親液性的。 圖11說明具有本體1110之液體限制系統11〇〇，本體111〇 具有為親液性的（亦即，與液體形成在約〇度與約9〇度之間 (通常在約40度與約50度之間）的接觸角）表面1112。親液性 表面1112經說明為相反於另一親液性表面1114，其可提供 於裝置之另一部分1115(諸如，投影系統之最終元件）上， 以便界定間隙1130。如所說明，本體111〇之親液性表面 Π丨2將浸沒液體ι118之彎液面1116的邊緣m6a抽吸至液體 限制系統1100之表面1112。類似地，親液性表面丨丨14將浸 沒液體1118之彎液面1116的邊緣1U6b抽吸至表面1114。 如圖11所說明’親液性表面丨i i 2、i丨丨4導致與其接觸之浸 沒液體1118薄化成各別薄膜，薄膜導致曝光至氣體 1120(例如’空氣）之由彎液面1116所界定的液體之表面增 加。此可導致蒸發速率增加’其可增加至液體限制系統 Π〇〇及/或裝置之包括親液性表面m4之其他部分的所施加 熱負載。在某些情況下，蒸發速率可極大以使得蒸發之液 體（例如）藉由毛細管作用而向上抽吸且因此補充薄液體 膜。因此’在攪動期間可能出現之問題在基板台相對於投 133410.doc 30- 200916977 影系統而為靜止時亦可能出現。藉由疏液性表面之邊緣之 銷釘或僅提供疏液性表面自身可輔助施加至浸沒系統及/ 或投影系統之熱負載的減少（甚至當裝置之各別組件停置 時）。 圖η說明液體限制系統1200之實施例，其具有圖8之液 體限制系統800之某些特徵，如由對應參考符號所指示。 液體限制系統1200包括障壁部件81〇之頂部表面之疏液性 卜層1240，具體而言，為大體上水平表面814，以及傾斜 頂。卩表面816之一部分。浸沒液體之彎液面86〇之一末端可 銷釘至疏液性外層124〇之邊緣1242，其位於傾斜表面816 上。 若施加至浸沒液體之壓力（例如）在基板台之移動期間足 夠大，則液體可仍能夠脫離於其銷釘，且逸出至疏液性外 層1240上。然而，因為層124〇具有疏液性性質，所以層 1240可排斥液體（理想地排斥返回超出層1240之邊緣 1242)。理想地，大體上無浸沒液體被允許殘留於疏液性 外層1240上，且因此減少蒸發及施加至裝置之熱負載。若 施加至浸沒液體之壓力足夠大及/或儲集器中之浸沒液體 的位準使得彎液面860將上升至間隙830中，則接觸角可足 夠大，以便防止薄膜顯影於障壁部件81〇之傾斜表面816 上。 如圖12所示，大體上水平表面824以及投影系統之部分 820之徑向向外表面之傾斜表面826的一部分可包括經組態 以排斥液體之疏液性外層12·5 0。如所說明，疏液性外層 133410.doc -31 · 200916977 1250具有邊緣1252，邊緣1252經組態以將彎液面860銷釘 於邊緣1252處。在一實施例中，大體上相反於間隙830而 自障壁部件810之疏液性外層1240的邊緣1242且與障壁部 件8 10之疏液性外層1240的邊緣1242大體上水平地定位邊 緣1252。與圖9所說明之實施例相比，此配置提供傾斜表 面826上之疏液性外層1250的較大覆蓋。此可允許浸沒液 體之彎液面860銷釘於邊緣1242、1252處。視間隙830中之

浸沒液體的位準而定，有可能的是，浸沒液體將不銷釘於 邊緣1252處，但將代替地上升至高於邊緣1252。然而，歸 因於疏液性外層1250之疏液性性質，浸沒液體可能不黏附 至疏液性外層1250。 在一實施例中，疏液性外層理想地提供於投影系統之部 分之相反於提供於浸沒系統之㈣限騎構上之疏液性外 層的至少整個表面上。如上述實施例中所說明，藉由^ 系統之部分及液體限制表面中之每—者之疏液性表㈣覆 蓋範圍可能不同，使得相反疏液性表面之邊緣可能不 越液體限制系統與投影系統之間的間隙而對應。此 定性之優點，且可最小化曝光至氣體流動之弯 面的區域。邊緣可經選擇以最佳化（例如 液 發及施加至投影系統及/或浸沒系統之熱負載。)液體蒸 在一實施例中，疏液性外層之邊緣可能不同， 地提供接觸角之突然不連續性。如以上所論而理想 認為係各別表面之疏液性性質中的步進邊緣可被 角）。 的步進功能(亦即，接觸 133410.doc 32· 200916977 产 、在-實施例中，邊緣可經界定為不為疏液性(亦即，親 液性）之區域與具有大體上Μ疏液性接觸角之區域之間 的接觸角之逐漸改變。舉例而言，邊緣區域可具有隨著遠 離於光徑之軸線（亦即，投影軸線ΡΑ)之距離而增加之逐漸 改變的接觸角。理想地’接觸角自非疏液性表面之接觸角 改變至提供於疏液性表面上之接觸角。具有逐漸改變的接 觸角之表面的區域可具有經良好界定邊緣，或可具有提供 液體與疏液性外層之間的接觸表面之破裂的粗縫化表面。 藉由具有經良好界定邊緣，可達成彎液面銷釘之更好控 制。邊緣之經良好界定邊界可被認為係表面之疏液性性質 隨著自光軸移位之改變速率的步進功能，如以上所論述。 在實施例中，如以上所描述，液體限制系統之障壁部 件可具有突出物。然而，可藉由具有適當疏液性表面而藉 由控制液體彎液面來達成足夠效能。如以上所論述，表面 可為直接施加至障壁部件及/或投影系統之部分的塗層， 或表面可為具有外部疏液性表面之貼紙。貼紙可直接施加 至投影系統及/或浸沒系統（例如，液體限制系統）之表面。 貼、氏了經成形以配合所意欲表面。疏液性表面理想地具有 為9〇度或更多之接觸角（亦即，在9〇度與18〇度之間）。舉例 而言’接觸角可為90度、1〇〇度、11〇度、120度、13〇度、 14〇度、150度、160度、170度、180度，等等。可藉由使 用具有為100度或更多之接觸角之表面而達成改良之銷針 效能（例如，以更快掃描及步進速度）。 如以上所論述’疏液性塗層至前述表面之施加可防止浸 133410.doc -33- 200916977 之表面）。可減 :。可藉由減少 丨不需要蒸發所 沒液體之蒸發（特別自投影系統之最終元件： 少由最終元件中之熱波動所導致的光學像差 浸沒系統之液體限制系統之頂部表面上經由 施加之熱負載而達成系統效能之增加。 應注意，疏液性外層《定位可允許液體大體上進入投影 系統之部分820與障壁部件81〇之間的間隙83〇。在—實施 ' W中’在以上所描述之實施例中以液體而供應之間隙的長 寬比等於或小於1〇:1，且理想地等於或小於5:卜此可藉由 ( 影響在曝光移動期間施加至液體之壓力而限制攪動量。 某些疏液性表面已知受射影響。因為1；¥輻射可用 於（例如）微影裝置中之曝光中，所以疏液性表面可能被該 輻射損壞，除非其受保護（例如，遮蔽）。 圖13說明液體限制系統13〇〇之實施例’其具有圖8之液 體限制系統800之某些特徵，如由對應參考符號所指示。 液體限制系統13〇〇包括疏液性外層13 4〇，疏液性外層134〇 可覆蓋大體上水平表面814,以及障壁部件81〇之傾斜頂部 (/ 表面816的一部分。浸沒液體之彎液面860之一末端可銷釘 至疏液性外層1340之邊緣1342，其位於傾斜表面816上。 如圖13所示，大體上水平表面824以及投影系統之部分 820之徑向向外表面的傾斜表面826可包括經組態以排斥液 體之疏液性外層1350。如所說明，疏液性外層135〇具有位 於傾斜徑向向外表面826與投影系統之部分82〇之底部大體 上水平表面828之相交處（亦即，傾斜表面826之底部處）的 邊緣1352。如圖13所說明，投影系統之部分82〇亦包括提 133410.doc -34- 200916977 供於投影系統自身之部分820之表面與疏液性外層135〇之 間的UV吸收層1370。在一實施例中，部分82〇為投影系統 之最終元件。在一實施例中，部分820為透射的（例如，熔 化矽石或氟化鈣）。在一實施例中，部分82〇為投影系統之 最終元件，且最終元件係由透射材料製成。 UV吸收層1370理想地經提供作為塗層。可在施加疏液 性外層1350之前將UV吸收層1370施加至投影系統之部分 820的表面，使得UV吸收層1370在投影系統之部分82〇與 疏液性外層1350之間。UV吸收層可分別防止不需要輻射 到達投影系統之部分820及障壁部件81〇上之疏液性外層 1350、1340中的每一者，且可保護及延長疏液性外層 1340、1350之使用壽命（特別在疏液性外層134〇、135〇為 易受UV影響的情況下）。UV吸收層1370可能不為疏液性 的’或可能不在與提供於投影系統之部分820上之隨液性 外層1350之表面相同的程度上為疏液性的。在一實施例 中，UV吸收層可具有親液性表面性質。如以上實施例中 所描述’不受UV輕射不利地影響之疏液性材料可直接施 加至投影系統之部分而不使用UV吸收層。 在圖13所說明之實施例中，UV吸收層13 70至少覆蓋投 影系統之部分820之表面之與疏液性外層1 3 50相同的區 域，使得UV吸收層1370之邊緣1372位於與疏液性外層 1350之邊緣1352相同的位置處。UV吸收層1370可置放於 微影裝置之其他部分處以保護疏液性外層1340、1350。因 為UV輻射可在投影系統及浸沒系統内反射及折射，從而 133410.doc •35· 200916977 穿過浸沒液體而散射為雜名 双耵馮雜散輻射，所以對於uv吸收層 1370可月b有益的為覆蓋投影系統之部分的最大可能表 面’而不遮掩曝光光束之路徑，以防止經投影輕射之不需 要反射及折射。否則，雜散輻射可與疏液性外層134〇、 1350相互作用’且可減少疏液性外層134〇、135〇之使用壽 命。若將uv吸收層1370提供至投影系統之部分82〇的大體 上水平徑向向外表面824且同樣提供至投影系統之部分82〇 的傾斜徑向向外表面826，則可最大化uv吸收層137〇之效 應。 為了達成對於疏液性外層之最大uv保護，且為了最小 化經由蒸發而施加至系統之熱負載，υν*收層可覆蓋投 影系統之部分之比疏液性外層大的區域，如圖14所示及以 下更詳細所描述。 圖14說明液體限制系統14〇〇之實施例，其具有圖8之液 體限制系統800之某些特徵，如由對應參考符號所指示。 液體限制系統1400包括可施加至障壁部件81〇之頂部表面 的疏液性外層1440。在圖14所說明之實施例中，疏液性外 層1440可覆蓋大體上水平表面Μ#，以及障壁部件gi〇之傾 斜頂部表面816的一部分。浸沒液體之彎液面860之一末端 可銷釘至疏液性外層1440之邊緣1442，其位於傾斜表面 816 上。 大體上水平表面824以及投影系統之部分820之徑向向外 表面的傾斜表面826可包括經組態以排斥液體之疏液性外 層1450。疏液性外層1450具有邊緣1452，邊緣1452允許弯 133410.doc -36- 200916977 液面860之末端銷釘至邊緣1452。在一實施例中，且如所 說明’疏液性外層1450具有相反於提供於障壁部件8丨〇上 之疏液性外層1440之邊緣1442所定位的邊緣1452。 如圖14所說明’投影系統之部分82〇亦包括提供於投影 系統自身之部分820之表面與疏液性外層1450之間的UV吸 收層1470。UV吸收層1470理想地經提供作為塗層。可在 施加疏液性外層1450之前將UV吸收層施加至投影系統之 部分820的表面，使得uv吸收層147〇在投影系統之部分 820與疏液性外層145〇之間。如圖14所說明，uv吸收層 1470提供於投影系統之部分82〇之大體上所有徑向向外表 面上；亦即，提供於大體上水平表面824及傾斜表面826 上。因此，UV吸收層1470之邊緣1472(亦即，末端）位於傾 斜表面826與投影系統之部分82〇之底部表面828的相交處 或大體上位於其附近。如上文，uv吸收層防止不需要輻 射到達疏液性外層1440、1450中之每一者，且因此可保護 及延長疏液性外層144〇、145〇之使用壽命。uv吸收層 1470可能不為疏液性的或不在與提供於投影系統之部分 820上之疏液性外層145〇之表面相同的程度上為疏液性的 且可為親液性的。 在疏液性外層1450之邊緣1452與uv吸收層147〇之表面 處的邊界處，在疏液性性質中可存在步進功能。亦即，如 以上所論述，可存在接觸角之突然改變’或自相對於離投 影軸線PA(亦即，光軸）之距離而為大體上恆定之接觸角至 隨著移位遠離於投影系統之投影軸線PA而改變之接觸角 133410.doc -37- 200916977 (理想地為隨著增加之移位而增加之接觸角）的改變。因 此，具有兩個塗層之表面（諸如，投影系統之部分82〇之傾 斜表面826)可具有不連續特徵，不連績特徵可擔當障壁以 控制表面826上之浸沒液體移動且亦提供對uv之不需要反 射及折射的防止。 圖15說明液體限制系統15〇〇之實施例，其具有圖8之液 體限制系統800之某些特徵，如由對應參考符號所指示。 液體限制系統1500包括疏液性外層154〇，疏液性外層154〇 可覆蓋大體上水平表面814，以及障壁部件81〇之傾斜頂部 表面816的一部分。類似於以上所論述之實施例，此塗層 1540可防止浸沒液體在攪動期間接取障壁部件8丨〇之大體 上水平頂部表面814。浸沒液體之彎液面86〇之一末端可銷 釘至疏液性外層1540之邊緣1542 ,其位於傾斜表面816 上》 如圖15所不，大體上水平表面824以及投影系統之部分 820之住向向外表面之傾斜表面826的一部分可包括疏液性 外層1550。疏液性外層155〇具有邊緣1552，邊緣1552允許 售液面8 6 0之末端銷釘至邊緣15 5 2。在一實施例中，且如 所說明’疏液性外層1 5 5 0具有相反於提供於障壁部件8 J 〇 上之疏液性外層1540之邊緣1542所定位的邊緣1552。 技衫系統之部分8 2 0亦包括提供於投影系統自身之部分 820之表面與疏液性外層1550之間的UV吸收層1570。如圖 15所說明’ UV吸收層1570僅提供於投影系統之部分820之 亦由疏液性外層155〇所覆蓋的大體上所有徑向向外表面 133410.doc -38- 200916977 亦即’提供於大體上水平表面824及傾斜表面826之一 部分上。uv吸收層157〇之邊緣1572因此位於疏液性外層 155〇之邊緣1552處。UV吸收層1570理想地防止不需要輻 射到達投影系統之部分82〇的至少疏液性外層〗55〇。 儘笞以上已說明及描述疏液性外層以及uv吸收層之許 夕實施例，但所說明實施例不意欲以任何方式作為限制。 舉例而s，障壁部件及投影系統之部分的疏液性外部表面 可覆蓋比以上所描述及圖所說明之表面區域多的表面區域 或少的表面區域。藉由跨越障壁部件與投影系統之部分之 間的間隙而於對應位置處提供障壁部件及投影系統之部分 之疏液性外部表面的邊緣’可大體上控制彎液面之形狀。 藉由控制彎液面之形狀（例如，最小化彎液面之表面區 域）了最小化間隙中之液體的蒸發。在某些實施例中， 障壁部件與投影系統之部分之間的間隙之一部分可能不會 相對於扠影軸線而以傾斜面定向。舉例而言，間隙可位於 障壁部件與投影系統之部分之大體上水平表面及/或大體 上垂直表面之間。 儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使 用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用， 諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測 圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中， 可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒，，之任何使用分別與更通 用之術語"基板"或，，目標部分"同義。可在曝光之前或之後 133410.doc 39· 200916977 在（例如）執道（通常將抗蝕劑層施 ^ ^ τ θ, 丞板且顯影經曝光抗 蝕劑之工具）、度量衡工具及/或檢 及之基板。適用時，可將本文之揭示應;=本文所提 用於该等及其他基 另外’可將基板處理一次以上，(例如)以便 m得本文所使用之術語基板亦可指代已經含 有多個經處理層之基板。 儘管以上可特定地參考在光學㈣術之情境巾對本發明 之實施例的使用’但應瞭解，本發明可用於其他應用(例 如’屬印微影術)中’且在情境允許時不限於光學微影 術。在壓印微影術中，圖案化結構中之構形界定形成於基 板上之圖案。可將圖案化結構之構形屋入被供應至基板之 抗姓劑層中’在基板上，抗㈣藉由施加電磁輻射、熱' 廢力或其組合而固化。在抗餘劑固化之後’將圖案化結構 移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文所使用之術語"輻射”及”光束"涵蓋所有類型之電磁 輻射，包括紫外線（uv)輻射（例如，具有為或為約365 nm、 248 nm 193 nm' 157⑽或⑵nm之波長）及遠紫外線 (EUV)轄射（例如’具有在為5 nm至20 nm之範圍内的波 長）以及粒子束（諸如，離子束或電子束）。術語"透鏡"在 隋境允許可指A各種類型 < 光學組件之任一者或組合， 包括折射 '反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以 2所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而 5 ’本發明可採用如下形式：電腦程式，其含有描述如以 133410.doc -40- 200916977 上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料 儲存媒體（例如，半導體記憶體、磁碟或光碟），其具有儲 存於其中之該電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦 程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式 儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。 本發明之一或多個實施例可應用於任何浸沒微影裝置， 特別為（但不獨佔式地），以上所提及之彼等類型，且無論 浸沒液體是以浴之形式被提供，還是僅提供於基板之區域 化表面區域上，還是未經限制的。在未經限制配置中，浸 OC液體可在基板及/或基板台之表面上流動，使得浸濕基 板台及/或基板之大體上整個未經覆蓋表面。在該未經限 制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒液體，或其 可能提供一定比例之浸沒液體限制，但未大體上完成浸沒 液體之限制。應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系 統。 在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影 系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組 合。其可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多 個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間 之或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面 可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全地 覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基 板台。液體供應系統可視情況進一步包括一或多個元件以 控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他 133410.doc -41 - 200916977 -夕控制元件可經提供以控制I 具有可操作以執行一或多個電腦程式之處二置。。控制器可 以上為述意欲為說明性而非限制性的 此項技術者而古將顯而屆目& & 口此，對於熟習 °將顯而易見的為，可在不脫籬以Τ 之申請專利範圍之範，的情況下離以下所閣明 修改。 '如所榀述之本發明進行 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2及圖3描緣用於在微影投影裝置中使用之液體供 統； ’、

應系 圖4描繪用於在微影投影裝置中使用 之另 統； 液體供應系 液體供應系 圖5以橫截面描繪根據本發明之一實施例的 統； 圖6以橫截面描繪根據本發明之另一實施例的液體供應 系統；

圖7以橫截面描繪根據本發明之另—實施例的液體供應 系統； 圖8描繪根據本發明之一實施例之液體限制系統及投影 系統之一部分的橫截面； 圖9描繪根據本發明之一實施例之液體限制系統及投影 系統之一部分的橫截面； 圖10描繪根據本發明之一實施例之液體限制系統及投影 系統之一部分的橫截面； 133410.doc •42· 200916977 圖11描繪具有低接觸角之表面上之液體彎液面之行為的 示意圖； 圖12描繪根據本發明之一實施例之液體限制系統及投影 系統之一部分的橫截面； 圖13描繪根據本發明之一實施例之液體限制系統及投影 系統之一部分的橫截面； 圖14描繪根據本發明之一實施例之液體限制系統及投影 系統之一部分的橫截面；且 圖15描繪根據本發明之一實施例之液體限制系統及投影 系統之一部分的橫截面。 【主要元件符號說明】 10 障壁部件 11 液體 20 腔室 21 腔室 24 入口 25 箭頭 26 間隙 27 出口 28 入口 29 箭頭 30 液體移除器件 40 凹座 42 氣體入口 133410.doc -43 200916977

44 氣體出口 50 氣體刀 80 出σ 90 頂部表面 100 突起 110 彎液面 200 水平表面 220 壓痕 221 子L 310 元件 320 元件 400 入口 500 入口 510 箭頭 512 箭頭 514 箭頭 515 水平部分 516 流動 520 第二突起 800 液體限制系統 810 障壁部件 814 水平頂部表面 816 傾斜頂部表面 820 投影系統之部分 133410.doc -44- 200916977 824 大體上水平表面 826 傾斜表面 828 底部大體上水平表面 830 間隙 840 疏液性外層 842 邊緣 850 疏液性外層 852 邊緣 860 彎液面 900 液體限制系統 940 疏液性外層 942 邊緣 950 疏液性外層 952 邊緣 1000 液體限制系統 1040 疏液性外層 1042 邊緣 1050 疏液性外層 1052 邊緣 1100 液體限制系統 1110 本體 1112 親液性表面 1114 親液性表面 1115 裝置之另一部分 133410.doc -45 - 200916977

1116 彎液面 1116a 邊緣 1116b 邊緣 1118 浸沒液體 1120 氣體 1130 間隙 1200 液體限制系統 1240 疏液性外層 1242 邊緣 1250 疏液性外層 1252 邊緣 1300 液體限制系統 1340 疏液性外層 1342 邊緣 1350 疏液性外層 1352 邊緣 1370 UV吸收層 1372 邊緣 1400 液體限制系統 1440 疏液性外層 1442 邊緣 1450 疏液性外層 1452 邊緣 1470 UV吸收層 133410.doc -46- 200916977 1472 邊緣 1500 液體限制系統 1540 疏液性外層 1542 邊緣 1550 疏液性外層 1552 邊緣 1570 UV吸收層 1572 邊緣 B 輕射光束 BD 光束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IH 液體供應糸統 IL 照明系統 IN 積光器 Ml 圖案化結構對準標記 M2 圖案化結構對準標記 MA 圖案化結構 MT 支樓結構 OUT 出口 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PA 投影軸線 133410.doc -47- 200916977 PL 投影系統 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 X 方向 r:'; Y 方向 z 方向

133410.doc •48

Claims (1)

1. 200916977 十、申請專利範圍： 1. 一種微影裝置，其包含： 光影系統經組態以將，案化輻射 一 基板之-目標部分上；及 之卩件，輯壁部件®繞該投μ統與在使用中 用於;r «ft之間的—空間’以部分地與該投影系統界定一 用於液體之儲集器， 外^該障壁部件之—面向該投影系統之—部分的徑向 1 ®及該部分之—面向該障壁部件的徑向外部表面 具有-疏液性外部表面，該障壁部件之該疏液性外 部表面及/或該部分之該疏液性外部表面具有一部分地界 定該儲集器之内部邊緣。 2.如請求項1之微影裝置 部表面包含一塗層。 3 如請求項1之微影裝置 貼紙。 4. 如請求項丨之微影裝置，其中該障壁部件與該投影系統 之該部分之間的—間隙具有一大體上等於或小於10:丨之 長寬比。 5. 如請求項4之微影裝置，其中該長寬比大體上等於或小 於 5:1。 ，其中該障壁部件之該疏液性外 其中該疏液性外部表面包含一 6.如請求項1之微影裝置，其中該投影系統上之該部分之 該疏液性外部表面包含一部分地界定該儲集器之内部邊 緣。 133410.doc 200916977 求項6之微影裝置，其中該内部 該障壁部件與最終元件之間的間隙内。，、界定於 8. 如請求項1之微 表面包Α 〃中該障壁部件之該徑向外邻 衣®包含一大體上水平 ^卜邛 液性外部μ胃 其中該障壁部件之該疏 r4表面大體上覆蓋該水平表面。 ' 9. 如研求項1之微影裝置，其中嗲隆辟加 夹® W #中°亥障壁部件之該徑向外邻 Ο κ.. ^ 3 —傾斜表面，且其中該障壁部件之誃 部表面至少部分地覆蓋該傾斜表面。 ” U性外 項1之微影裝置，其中該投影系統之該部分之該 外部表面包含一大體上水平表面，且其中該投影系 面^該部分之該疏液性外部表面大體上覆蓋該水平表 m青求項10之微影裝置，其中該投影系統之該部分之該 =外部表面包含-傾斜表面，且其中該投影系統之= β为之該疏液性外部表面至少部分地覆蓋該傾斜表面。 12·如睛求項}之微影裝置，其中該投影系統之該部分為該 投影系統之最終元件。 13 一種障壁部件，其經組態以圍繞一微影裝置之一投影系 統與在使用中之一基板之間的一空間，以部分地與該投 影系統界定一用於液體之儲集器，該投影系統之一部分 具有一具有一疏液性外層之徑向外部表面，其中該障壁 部件之一徑向外部表面經組態以面向該部分之該疏液性 外層，且具有一疏液性外層，該障壁部件之該疏液性外 層具有一内部邊緣以部分地界定該儲集器。 133410.doc 200916977 14 ·如凊求項13之障壁部件 層包含一塗層。 1 5 ·如凊求項13之障壁部件 層包含一貼紙。 其中該障壁部件之該疏液性外 其中該障壁部件之該疏液性外 16·如請求項13之障壁部件，其中該障壁部件之該徑向外部 表面包含-大體上水平表面，且其中該障壁部件之該疏 液性外層大體上覆蓋該水平表面。 17.如請求項13之障壁部件，其中該障壁部件之該徑向外部 表面包含-傾斜表面，且其中該障壁部件之該疏液性外 層至少部分地覆蓋該傾斜表面。 1 8. 一種微影裝置，其包含： 一投影系統，該投影系統經組態以將一經圖案化輕射 光束投影至一基板之一目標部分上，

   其中該投影系統之-部分之一面向該基板的徑向外部 表面具有一 uv吸收層及一在該^吸收層之一部分上的 疏液性外層，且其中在該投影系統之該部分之該徑向外 =面的疏液性性質中存在—步進魏，該步進功能係 由該疏液性外層與該UV吸收層之間的一邊界予以界定， 該步進功能在該投影系統與該基板之間的一空間中〇分 地界定—用於液體之館集器。 19,如請求項18之微影裝置，其中該疏液性外層覆蓋該投界 系統之該部分之該徑向外部表面的一大體上水平表面。 爪如請求項18之微影裝置，其中該疏液性外層覆蓋該投影 系統之該部分之該徑向外部表面之一傾斜表面的至少— 133410.doc 200916977 部分。 21. 如凊求項20之微影裝置，其中該疏液性外層覆蓋該投影 系統之該部分之該徑向外部表面之該傾斜表面的全部。 22. 如凊求項18之微影裝置，其中該UV吸收層覆蓋該投影系 統之。亥刀的最大可能表面’而不遮掩該經圖案化輻射 光束之路徑。 23. 如凊求項18之微影裝置，其中該投影系統之該部分為該 投影系統之最終元件。

   24· —種器件製造方法’其包含： 將—經圖案化輻射光束自一投影系統投影穿過一液體 而至一基板之一目標部分上；及 藉由以下各物而將該液體限制於該投影系統與該基板 之間的一空間中： —圍繞該空間之障壁部件； ”該障壁部件之-面向該投影系統之—部分之疏液性 技向外部表面的一内部邊緣；及 該投影系統之該部分之一面向該障壁部件之疏液性 担向外部表面的一内部邊緣。 25. —種器件製造方法，其包含： 印主—基板之一目標部分上； 藉由該投影系統之一部分之一疏液性徑向外部表面的 至少一内部邊緣而將該液體限制於該投影系統與該基柄 之間的一空間中；及 133410.doc 200916977 藉由該投影系統之該部分與該疏液性徑向外部表面之 間的一 uv吸收層來保護該投影系統之該部分之該疏液性 徑向外部表面。 26.如請求項25之方法，其中該投影系統之該部分為該投影 系統之最終元件。

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