TW200913013A - Method of manufacturing a gray tone mask, gray tone mask, method of inspecting a gray tone mask, and method of transferring a pattern - Google Patents

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200913013 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液晶顯示裝置（Liquid Crystal

Display:以下稱作LCD)製造等使用的灰階光罩之製造方 法與灰階光罩、灰階光罩的檢查方法以及圖案轉印方法， 特別有關於薄膜電晶體液晶顯示裝置的製造所使用的薄膜 電晶體基板（TFT基板）的製造中適於使用的灰階光罩之製 造方法與灰階光罩、灰階光罩的檢查方法以及圖案轉印方 法。 【先前技術】 現在’ LCD的領域中，薄膜電晶體液晶顯示裝置（Thin

Film Transistor Liquid Crystal Display :以下稱作 TFT-LCD)與CRT (陰極射線管）相較，由於有容易薄型化且 消耗電力低的優點，於是現在急速發展商品化。TFT_LCj) 具有的概略構造，係對應各畫素排列紅、綠、及藍的畫素 圖案的彩色濾光片，在液晶層介於其間的下方與矩陣狀排 列的各晝素令排列TFT的構造的TFT基板互相重疊。 TFT-LCD的製造，步驟數多，光是TFT基板就使用5〜6枚 的光罩來製造。如此的情況下，提供使用4牧的光罩來進 行TFT基板製造的方法。 上述方法係，使用具有遮光部、透光部、及半透光部（灰 憨4 )的光罩（以下稱作灰階光罩），藉此減低使用的遮光罩 枚數。在此，所謂半透光部，係指使用遮光罩在被轉印體 2130-9833-PF;Ahddub 6 200913013 上轉印圖案之際，使透射的曝光光的透射量減低既定量， 控制被轉印體上的光阻膜顯像後的殘膜量的部分，而同時 具有上述半透光部及遮光部、透光部的光罩稱作灰階光罩。 第11圖及第12圖（第12圖是第11圖的製造步驟接續） 中，顯示使用灰階光罩的TFT基板的製造步驟的一範例。 玻璃基板1上，形成閘極電極用金屬膜，藉由使用光 罩的微影成像製程形成閘極電極2。之後，形成閘極絕緣 膜3、第1半導體膜4(a-Si)、第2半導體膜5(N + a-Si)、 源極汲極用金屬膜6、及正型光阻膜八第丨丨（1)圖）。其次， 使用具有遮光部1卜透光部12及半透光部13的灰階光罩 1〇’曝光正型光阻膜7，並顯像，藉此形成第ι光阻圖案 7a(第11(2)圖）’以覆蓋m通道部與源極没極形成區域 及貝料線形成區域，且使通道部形成區域部分比源極沒極 ★形成區域薄。其次，第1光阻圖案7a作為遮光罩，蝕刻源 極沒極用金屬膜6及第？、筮！ & # Α 第1丰導體膜5、4(第11(3)圖）。 八二人’通道部形成區域的薄 專先阻膜以氧產生的灰化除去， 形成第2光阻圖案7b(第 几作為遮光罩，_源極、圖）。然後，第2光阻圖案 其次_第:半導及二：6,形成… 殘存的第2光阻喝(第12=咖 已知有半透光部以微細圖案形成的構造，作為在此使 用的灰階光罩。例如第心料在此使 遮光邻Ϊ 1 a I iu 斤不，具有對應源極/汲極的 遮光口IM la、Ub、透光 (灰階部）13,主、#1 以及對應通道部的半透光部 Μ13 +透光部13係形成遮光圖案Ua的區域，而 2130-9833-PF;Ahddub 7 200913013 遮光圖案1 3a係使用灰階光罩的LCD用曝光機的解析界限 以下的微細圖案所構成。遮光部lla、lib與遮光圖案i3a 通常同時由鉻或鉻化合物等的相同材料構成的相同厚度的 膜所形成。使用灰階光罩的LCD用曝光機的解析界限，在 多數的情況下，階梯方式的曝光機約3 # m(微米），鏡投影 方式的曝光機約4/ζιη。因此，例如，第13圖中半透光部 13的透射部13b的間距寬可以未滿3/zm，遮光圖案i3a的 線寬可以未滿曝光機的解析界限以下的3 M m。 上述微細圖案型的半透光部中，灰階部分的設計，具 體而言’為了具有遮光部與透光部的中間的半灰階效果， 微細圖案有線和間距型或網點型、或是其他的圖案的選 擇，又，如果是線和間距型，可以考慮線寬為多少、光透 射部分與遮光部分的比率為何、全體的透射率要設計到什 麼程度等再設計。 另一方面，先前提出被轉印體上的光阻圖案中設置段 差的目的，係半透光部為半透射性的半灰階膜（半透光 膜）（例如，參考特開2002-189280號公報（專利文件丨）。 藉由使用半透光臈’可以減少半透光部中曝光量的既定量 再曝光。使用半透光膜時，檢討設計中全體的透射率需要 多少、，並選擇遮光罩中半透光膜的膜種（材料）或膜厚，藉 此可以生產遮光罩。在遮光罩的製造中控制半透光膜的膜 厚、。/打通道部以灰階光罩的半透光部形成時，如果是半 透光膜的4 ’由於以微影成像步驟可以容易圖案姓刻，且 有的優點為TFT通道部的形狀也可以是複雜的圖案形狀:、 8 2130-9833-PF；Ahddub 200913013 【發明内容】 如上述，被轉印體上的光阻圖案中設置段差的目的， 係半透光部中使用半透光膜的灰階光罩，相較於半透光部 中使用微細圖案的灰階光罩，具有半透光部的面積可以比 較大，描繪資料不會膨脹，具有的優點為容易且確實控制 半透光部的透射率等。不過，由於上述灰階光罩在遮光罩 階段中至少需要2次描繪步驟，產生其間的定位差距。 因此，特開2005-37933號公報（專利文件2)中揭露遮 光罩製造過程，使2次描繪圖案的定位差距不影響最終製 品的性能，又，特開2006_20320號公報（專利文件3)中揭 硌使用預先6又置邊界區域的描繪圖案的遮光罩製造過程， 預先假設2次描繪圖案的定位差距，使定位差距不影響最 終製品的性能。 不過，近年灰階光罩中也逐漸要求起更微細圖案，因 此必須定量檢查2次的描繪的定位差距實際發生到什麼程 度。又，在遮光罩製造中，適合在遮光罩製造的中途，評 估疋位差距’必要的話，在遮光罩製造的中途階段執行可 能的修正（例如重作光阻圖案）。 又，預先假設不可避免的定位差距，進行對應製品圖 案的資料加卫時’也必須定量評估產生的定位差距，為了 要知道資料加工的必須量’纟需要高精確度的定量的定位 評估資料。 本發月的第1目的係鑑於上述習知的情況而形成，半 2130-9833-PF;Ahddub 9 200913013 透光部中使用半透光膜的灰階光罩的製造階段中，提供的 灰階光罩的製造方法包含定量檢查2次的描繪定位差距的 檢查步驟。 又’本發明的第2目的係在半透光部中使用半透光膜 的灰階光罩的製造階段中，提供可以定量檢查2次的描繪 定位差距的灰階光罩的檢查方法。 又’本發明的第3目的係提供可以定量評估定位差距 的灰階光罩。 又，本發明的第4目的係提供使用上述灰階光罩的圖 案轉印方法。 為了達成上述目的’本發明具有以下的結構。 [結構1] 一種灰階光罩的製造方法，其中灰階光罩具有遮光 部、透光部、以及以既定量減低使用遮光罩時使用的曝光 光的透射量的半透光部，並且灰階光罩係用以在被轉印體 上形成膜厚為階段或連續不同的光阻圖案，其特徵在於包 括.準備在透明基板上形成第i膜的灰階空白光罩的步 驟；圖案钮刻上述第！膜上形成的光阻膜，形成第i光阻 圖案的步驟；以上述第丨^ώ t m 4弟1先阻圖案為遮光罩，蝕刻上述第 1膜，形成第！膜圖案的㈣；除去上述第】光阻圖宰的 上述透明基板上，包含上述帛1膜圖案的面上，形成第2 膜的步驟；圖案蚀刻上述第2膜上形成的光阻 10 200913013 1光阻圖案包含第丨々妹 °唬，上述第2光阻圖案包含第2記 5虎，又，上述第2光阻 形成後，至少其" 壬一且：：成後’或，上述第2膜圖案 八有執行定位差距檢查的步驟，·上 述檢查步驟中，上诚笼9 先阻圖案形成後執行定位差距檢 二對應上述第1記號的第1膜圖案的邊緣與上述 第2光阻圖案中μ 9 0 % °唬的邊緣之間的距離；上述第2膜 圖案形成後執行定位#辟& 差距的檢查時’測定對應上述第1記 1第1膜圖案的邊緣與對應上述第2記號的第2膜圖案 間的距離，並檢查上述距離是否在既定範圍内。 [結構2] 一種灰階光罩的製造方法，其中灰階光罩具有遮光 透光部、以及以㈣量減低使用遮光罩時使用的曝光 先的透射罝的半透光部，並且灰階光罩係用以在被轉印體 上形成膜厚為階段或連續不同的光阻圖案，其特徵在於包 括.準備在透明基板上依序形成第2膜及第！膜的灰階空 白光罩的步驟；圖案敍刻上述第1膜上形成的光阻膜，形 成第i光阻圖案的步驟；以上述第1光阻圖案為遮光罩， 姓刻上述第1膜，形成第1膜圖案，接著以上述第i光阻 圖案或上述第i圖案為遮光罩，敍刻上述第2膜，形成第 2圖案的步驟；除去上述第^阻圖案的上述透明基板上， 圖案㈣包含上述第！及第2圖案的面上形成的光阻膜， 形成第2光阻圖案的步驟；以及以上述第2光阻圖案為遮 光罩#刻上述第1膜，形成第3圖案的步驟丨其中，上 述第1光阻圖案包含第！記號，上述第2光阻圖案包含第 11 2130-9833-PF; Ahddulb 200913013 2°己唬，又，上述第2光阻圖案形成後，或，上述第3圖

案形成後，至少盆φ ^ Θ 士 AL . 夕其中任一具有執行定位差距檢查的步驟； 上述檢查步驟中，上述第2光阻圖案形成後執行定位差距 檢查時’測定對應上述第i記號的第i圖案的邊緣與上述 第2光阻圖案十第2記號的邊緣之間的距離；上述第3圖 案形成後執行定位差距的檢查時，測定對應上述第卜己號 的第1圖案的邊緣與對應上述第2記號的第3圖案的邊: 之Η的距離’並檢查上述距離是否在既定範圍内。 [結構3] ^ -種灰階光罩的製造方法，其中灰階光罩具有遮光 部、透光部、以及以既定量減低使用遮光罩時使用的曝光 光的透射量的半透光部，並且灰階光罩係用以在被轉印體 上形成膜厚為階段或連續不同的光阻圖案，其特徵在於包 括.準備在透明基板上依序形成第2膜及第i膜的灰階空 白光罩的步驟；圖案姓刻上述第1膜上形成的光阻膜，形 成第1光阻圖案的步驟；以上述第J光阻圖案為遮光罩， 蝕刻上述第1膜，形成第1膜圖案的步驟；除去上述第i 光阻圖案的上述透明基板上，圖案钱刻包含上述第工膜圖 案的面上形成的光阻膜，形成第2光阻圖案的步驟；以及 以上述第2光阻圖案為遮光罩，至少餘刻上述第之膜，形 成第2膜圖案的步驟，·其令，上述第1光阻圖案包含第丨 記號，上述第2光阻圖案包含第2記號；又，上述第2光 阻圖案形成後’或，上述第2膜圖案形成後，至少其中任 一具有執行定位差距檢查的步驟；上述檢查步驟中，上述 12 2130-9833-PF；Ahddub 200913013 第2光阻圖案形成後執行定位差距檢查時，測定對應上述 第1記號的第1膜圖案的邊緣與上述第2光阻圖案中第2 記號的邊緣之間的距離；上述第2膜圖案形成後執行定位 差距的檢查時’測定對應上述第1記號的第1膜圖案的邊 緣與對應上述第2記號的第2膜圖案的邊緣之間的距離， 並檢查上述距離是否在既定範圍内。 [結構4 ] 、’、。構1至結構3其中任一所述的灰階光罩的製造方 法，其中，上述第1記號與第2記號，在上述透明基板上 形成時，其中之一的記號的外形包含在另一記號的外形内 部中。 [結構5] 結構4所述的灰階光罩的製造方法，其中，上述第i 記號與第2記號以上述透明基板表面的平面視的一方向 上，包含以第1記號的邊緣、第2記號的邊緣、第2記號 的邊緣、第1記號的邊緣的順序排列，或是，以第2記號 的邊緣、第1記號的邊緣、第丨記號的邊緣、第2記號的 邊緣的順序排列的圖案。 [結構6] 結構4所述的灰階光罩的製造方法，其中，上述第i 記號與上述第2記號在一方向以及與上述方向垂直的方向 上’都具有對稱的形狀圖案。 [結構7] 結構4所述的灰階光罩的製造方法，其中，上述第丄 2130-9833-PF；Ahddub 13 200913013 記號的外形與上述第2記號的外形係相似形。 [結構8 ] 結構4所述的灰階光罩的製造方法，其中，上述第1 記號與上述第2記號都包含矩形的圖案。 [結構9] 結構1至結構3其中任一所述的灰階光罩的製造方 〃中上述檢查步驟的執行係照射光至上述灰階光罩， 接受其透射光。 [結構1 0 ] 、’°構1至結構3其中任一所述的灰階光罩的製造方 法，其中，上述檢查步驟的執行係照射光至上述灰階光罩， 接受其反射光。 根據本發明的灰階光罩的製造方法，包含定量檢查2 次的描緣的定位差距的檢查步驟，可以定量檢查半透:部 中使用半透光膜的灰階光罩的製造階段中實際產生的定位 差距的大小1，分別在第1次描㈣作成特定的遮光罩 (第1遮光罩在第2次料時作成特定的遮光罩（第2遮 光罩）’以14些遮光罩的邊緣間的距離評估2次的描繪的定 位差距，藉此可以定量檢㈣1次描繪產生的圖宰與第2 次描綠產生的圖案的定位差距。如上述可以定量檢查2欠 的摇緣的定位差距，藉此，執行對應遮光罩的品質評估、 製品圖案的資料加工時，可以精確評估資料加工的必需 量。又，由於遮光罩的製造途令可以評估定位差距， 必要的話，可以在此階段執行可能的修正，是遮光罩生產 2130-9833-PF;Ahddub 14 200913013 上的大優點。 [結構11] 〒及P白光罩在透明基板 種及階光罩的檢查方法 上具有遮光部、透光部、以及以既定量減低使用遮光罩時 使用的曝光光的透射量的半透光膜所形成的半透光部，並 且上述灰階光罩係用以在被轉印體上形成膜厚為階段或連 續不同的光阻圖案，以及灰階光罩係藉由使用包含至少2 次描緣步驟的圖案餘刻步驛，在透明基板上形成的膜I形 成圖案而製造，其特徵在於：第！次描繪步驟所得到的第 !光阻圖案包含第！記號，帛2次騎步驟所得到的第2 光阻圖案包含第2記號，測定上述第1光阻圖案中的第！ §己號或對應第1記號的膜圖案的邊緣與上述第2光阻圖案 中的第2記號或對應第2記號的膜圖案的邊緣之間的距 離，並檢查上述距離是否在既定範圍内。 根據本發明的灰階光罩的檢查方法，分別在第^ I日㈣成特定的遮光罩（第i遮㈣），在第2次描緣時作田 成特定的遮光罩（第2遮光罩），以 ^ 心二避光罩的邊緣間的 離評估2次的描緣的定位差距’由於藉此可以定量檢杳 半透光料使料透光臈的灰階^在製造階段中實際; 生的疋位差距大小’所以執行對應遮光罩的品質評估、製 叩圖案的資料加工時，可以精辞評㈣料加卫的必需量，

p ’由於在遮光罩的㈣❹的階段可以評估定位差 ’。果必要的話，可以在此階段執行 [結構12J 2l30-9833-PF;Ahddub 15 200913013 一種灰階光罩，在透明基板上具有遮光部、透光部、 以及以既定量減低使用遮光罩時使用的曝光光的透射量的 半透光膜所形成的半透光部，並且用以在被轉印體上形成 膜厚為階段或連續不同的光阻圖案的上述灰階光罩，以及 藉由使用包含至少2次描繪步驟的圖案蝕刻步驟，在透明 基板上形成的複數的膜上分別形成圖案而製造，其特徵在 於.上述灰階光罩，具有以包含第1次描緣步驟的圖案餘 刻在膜上形成的第i記號，以及以包含第2次描繪步驟的 圖案蝕刻在其他膜上形成的第2記號，並測定上述第丨記 號的邊緣與第2記號的邊緣之間的距離，再檢查上述距離 是否在既定範圍内，藉此可以評估2次描繪的定位差距。 本發明的灰階光罩，第1次與第2次的描緣時分別作 成特定的記號的圖案，藉此可以定量評估實際產生的定位 差距。 [結構13] 一種圖案轉印方法，其特徵在於：使用結構12所述的 灰階光罩，轉印上述灰階光罩中形成的圖案至被轉印體。 藉由使用根據本發明的灰階光罩的圖案轉印方法，可 以預先定量評估在遮光罩的製造階段中產生的定位差距， 因此使用上述結果定位差距在既定範圍内的遮光罩，可以 實施高精確度的圖案轉印。 【實施方式】 以下’根據圖面，說明用以會祐夫 用Μ X也本發明的最佳實施例 2130-9833-PF；Ahddub 16 200913013 [第一實施例] 第1圖用以說明使用本發明的灰階光罩的圖案轉印方 法的剖面圖。 第1圖所示本發明的灰階光罩20，係用以製造例如液 晶顯示裝置（LCD)的薄膜電晶體（TFT)、彩色遽光器、或電 漿顯示面板（PDP)等。灰階光罩20，在第！圖所示的被轉 印體30上，用以形成膜厚階段或連續不同的光阻圖案。 又，第1圖中的符號32A、32B係指示被轉印體3〇中基板 31上堆疊的膜。 上述灰階光罩20由遮光部21、透光部22、以及半驾 光部23構成。具體而言’當使用灰階光罩2〇時，遮光奇 21遮住曝光光（透射率約〇%)。透光部22透射透明基板2 表面露出的曝光光。當透光部的曝光光透射率為副％時， 半透光部23減低透射率2〇〜6〇%，最好至4〇〜6〇%的程度 半透光4 23的構成，係在玻璃基板等的透明基板以上形 成半透射性的半透光膜26。又，遮光部21的構成，係在 透月基板24上依序设置上述半透光膜26及遮光性的遮光 膜25。又，根據製造方法，遮光部21的構成’有時也在 透明基板2 4上依疼却罢u、+、、ώ I- * "又置上述遮光膜25及半透光膜26(參 考第2⑴圖中的灰階遮光罩2()，）。又，帛ι圖及第“ 所示的遮光部21、透光部22、及半透光部Μ的圖案形狀 。疋代表f生# &例，當然本發明的帛旨並非限定於此。 提出鉻化合物、銷合物、Si、W、A1 # ’作為上述半 透光膜26的材料。f/f A , 其中，鉻化合物中，包括氧化鉻（CrOx)、 2130-9833-PF；Ahddub 17 200913013 氮化鉻（CrNx)、氮氧化鉻（CrOxN)、氟化鉻（CrFx)，這些包 含碳元素或氫元素。又’除了 M〇Six，包含MoSi的氮化物、 氧化物、氮氧化物、碳化物等，作為鉬化合物。又，提出 Cr、Si、W、A1等，作為上述遮光膜25的材料。上述遮光 部21的透射率，依據遮光膜25與半透光膜26的膜材料及 及膜厚的選定而設定。又，上述透光部23的透射率，依據 半透光膜26的膜材料及膜厚的選定而設定。 使用如上述的灰階光罩2〇時，由於遮光部21實質上 不透射曝光光，半透光部23降低曝光光，被轉印體30上 塗佈的光阻膜（在此為正型光阻膜），轉印後，經過顯像時， 對應遮光部21的部分膜厚變厚，對應半透光部23的部分 膜厚變薄，對應透光部22的部分甲形成無膜的光阻圖案 33(參考第1圖）。光阻圖案33中，對應半透光部23的部 勿’膜厚變薄的效果稱作灰階效果。又，使用負型光罩時， 必須執行考慮對應遮光部與透光部的光阻膜厚逆轉的設 計。 於是，在第1圖所示無光阻圖案33的膜的部分，對被 轉印體30中例如膜32A及32B實施第i蝕刻，以灰化等除 去光阻圖案33的膜薄的部分，此部分中，被轉印體3〇中 對例如膜32B實施第2蝕刻。於是，使用1枚灰階光罩2〇， 實施習知2牧光罩部分的步驟，削減了遮光罩牧數。 其··人，根據第2圖，說明第一實施例中灰階光罩的製 造步驟。本第一實施例中，使用具有遮光部、透光部、及 半透光部，且TFT基板製造用的灰階光罩。 2130-9833-PF;Ahddub 18 200913013 使用的灰階光罩， 分的遮光膜25,其上塗 圖）。 在透明基板24上，形成以鉻為主成 佈光阻，形成光阻膜27(參考第2(a) 百先，進行第1次的描畫。描緣中，通常大多使用電 子線或（短波長光），本第—實施例中使用雷射光。因此， 使用正型光阻料上述光阻。於是，對於光阻膜Μ，描洛 既定的元件圖案（形成對應遮光部及透光部的區域的光^ 圖案的圖案），描繪後進行顯像，藉此，形成對應遮光部及 透光部的光阻圖案（第1光阻圖案）27(參考第2(b)圖）。 又，描繪上述元件圖案時’ @時描繪特定的記號圖案。例 如在形成基板上的元件圖案的區域外側的區域中，描繪上 述特定的記號圖案。因此，上述第！光阻圖案包含描繪、 顯像上述特定的記號所形成的記號（第丨記號）。有關第t 記號在之後詳述。 其次，以上述第1光阻圖案27為蝕刻光罩，蝕刻遮光 膜25，形成遮光膜圖案。由於使用以鉻為主成分的遮光膜 25，乾姓刻或濕钮刻都可以作為蝕刻手段，本實施係利用 濕蚀刻。 殘存的光阻圖案除去後（參考第2(c)圖），在包含基板 24上的遮光膜圖案的全面形成半透光膜26(參考第2(d) 圖）。半透光膜26’對透明基板24的曝光光的透射量，具 有50〜20%程度的透射量，本實施例中採用的半透光膜（曝 光光透射率50%)包含濺鍍成膜形成的氧化鉻。 其次’上述半透光膜26上形成與上述相同的光阻膜， 2130-9833-PF;Ahddub 19 200913013 進行第2次的描繪。第2次的描繪，描繪既定的圖案，用 以在遮光部及半透光部上形成光阻圖案。描繪後，藉由進 行顯像，對應遮光部及半透光部的區域中形成光阻圖案（第 2光阻圖案）28(參考第2(e)圖）。又，描繪上述第2次的圖 案時，也同時描繪特定的記號圖案。上述特定的記號圖案， 與上述第1記號的情況相同，在例如基板上的元件圖案形 成區域的外侧區域中，描繪成與上述第丨記號為既定的位 罝關係（距離關係）。因此，上述第2光阻圖案28包含上述 第2次的描繪顯像所形成的記號（第2記號）。有關第2記 號在之後詳述。 其次，以上述第2光阻圖案28為蝕刻光罩，蝕刻露出 的半透光膜26及遮光膜25的堆疊膜，形成透光部^。本 第-實施财，利㈣㈣作為此時的㈣手段。於是， 除去殘存的光阻圖案，在透明基24上，完成灰階光單 20 4有遮光骐25與半透光膜26的堆疊膜所構成的遮 光部2卜露出透明基板24的透光部㈡、以及半透光臈⑼ 所形成的半透光部23(參考第2(f)圖）。 其次，參考第3圖，說明根據本發明的定位差距的檢 檢查步驟)。第3圖係特定的記號圖案形成部分的 製造步驟順序的剖面圖(左半部)及平面圖(右半部)，用： β明上逑第—實施例中根據本發明的檢查方法。 作為上述第i光阻圖案27内所含的第以號，本第— 訑例中，使用4種類的圖案A、B、C、D為1 έ f n 3(1)圖)“種類的圖宰A、B、C丄為1組(參考第 π圃茶A、B、C、D都是矩形的圖案。詳 2130-9833-PF；Ahddub 20 200913013 述的話’圖案A係在中央具有小—點的矩形的開孔（無光阻） 部分的圖案。圖案B係在中央小—點的矩形光阻圖案。圖 案C係具有矩形既定寬度的開孔部分的圖案。圖案"在 中央具有大一點的矩形的開孔部分的圖案。 以下的步驟，與上述第2圖的步驟完全相同。即，以 上述第1記號的光阻圖案27為蚀刻光罩，钱刻遮光膜25(參 考第3(2)圖）’除去殘存光阻圖案時，形成相當上述第1 記號A、B、C、D的遮光膜圖案（參考第3(3)圖）。 其次，在基板的全面形成半透光膜26(參考第3(4) 圖）。於是’半透光膜26上形成光阻膜，藉由既定的圖案 描緣、顯像，形成第2光阻圖案28。 本實施例中，以4種類的圖案a、b、c、d4i組1 作上述第2光阻圖案28内所含的第2記號，分別對應上述 第1記號A、B、C、D(參考第3(5)圖）。4種類的圖案a、b、

C、d都是矩形的圖案。詳述的話，圖案a係比第lfW A 大的矩形圖案。圖案b係比第1記號B大的矩形圖案。圖 案c係比第1記號c ,丨、沾&取^ 士 孔L小的矩形圖案。圖案d係比第工 D小的矩形圖案。 ° 因此’上述本實施例中，第"己號A與第2記號a、 第1 -己號B與第2 5己號b、第i記號c與第2記號。1 記號D與第2記號d分別組合使用。這些第1記號盘第2 記號，在透明基板24上形成時，係-方的記號的外形包含 在另一方的記號的外开彡肉At 卜形内部的形狀。又’這些第丨記 第2記號’在一方向以及與此方向垂直的方向上，都具有 2130-9833-PF;Ahddub 200913013 對稱形狀的圖案。又’這些第1記號的外形與第2記號的 外形，係矩形的相似形’且包含具有共同的重心的距形圖 案作為這些記號的圖案資料。 因此，本實施例中的第1記號A、B、C、D與第2記號 a、b、c、d，在透明基板2 4上形成時，在分別的組合中， 以透明基板24表面的平面視的一方向上，以第1記號的邊 緣、第2記號的邊緣、第2記號的邊緣、第丨記號的邊緣 的順序排列，或以第2記號的邊緣、第1記號的邊緣、第 1 5己號的邊緣、第2記號的邊緣的順序排列（參考第3 (5 ) 圖）。 第2光阻圖案28形成後（第3(5)圖的步驟），進行定 位差距的檢查。此時，測定相當第！記號的膜圖案的邊緣 ”第2光阻圖案28中第2記號的邊緣之間的距離，檢查此 距離是否在既定範圍内’藉此評估定位差距。總之，本第 -實施例的情況’如第4⑸圖所示，4種類的圖案中的任 :圖案中’例如X方向中’相當於第1記號的遮光膜25及 半透光膜26的堆疊膜圖案的邊緣與第2光阻圖案28中的 ^ 2記號的邊緣之間的距離载為^ n，以（m_n)/2評估 定，差距的大小，纽值是否在預先設定的既定範圍(容 ㈣圍）内。又’也可以同樣地評估γ方向較位差距。第 3⑸圖及第4(5)圖中附有〇記號之處係本第—實施例中適 當的測定處。 —於是，第2光阻圖案28形成後，進行定位差距的檢查， 疋位差距的大小超過容許範圍時，除去第2光阻圖案，重 2130-9833-PF；Ahddub 22 200913013 新執行光阻膜形成、騎（重做光阻圖㈣刻），藉此可以 進行修正。 ，隨著必須進行第2光阻圖案形成後的定位差距檢查 後’第2記號的光阻圖案28作為蝕刻光罩，蝕刻半透光膜 Μ及遮Μ 25(參考第3⑹圖），除去殘存光阻圖案時， 形成相當於第1記號A、B、C、D與第2記號a、b、c、d(的 組合）的膜圖案（參考第3(7)圖）。 在最終步驟後，進行定位差距的檢查。此時，如第4(7) 圖所不，例如X方向上，相當於第1記號的遮光膜25及半 、光膜26的堆疊膜圖案的邊緣與相當於帛2記冑的半透光 膜26圖案的邊緣之間的距離測定為m及n，以（m_n)/2評 估一定位差距的大小，檢查此值是否在預先設定的既定範圍 (容許範圍）内。又，也可以同樣地評估Y方向的定位差距。 第3(7)圖及第4(7)圖中附有◦記號之處係本第一實施例 中適當的測定處。又，此階段中，根據記號的圖案，有時 消失(例如第i記冑A)’上述第2光阻圖案形成後的 階段中，可以根據第1記號A及第2記號a的組合進行檢 查。 排除製造過程產生的CD差距（圖案的粗細）要素，由於 純粹只評估定位差距的要素，為了可以檢出例如分別X 轴、Y轴的方向有無定位差距，第1記號與第2記號在一 方向及與此方向垂直的方向上，最好都具有對稱（例如左右 對稱、上下對稱)的形狀圖案。又’第1記號與第2記號最 好配置成這些邊緣間的距離可以以1次的測定精確測定的 2130-9833-PF;Ahddub 23 200913013 1記號與第2記號的邊緣 2記號的外形最好是相似 位置關係。又，為了容易測定第 間的距離，第1記號的外形與第 形。 又’如本第一實施例，遮光部、半透光部、透光部分 別鄰接的各種（複數的）圖案適合成組使用，作為檢查用的 記號圖案。經常在第2光阻圖案28形成後的階段進行定位 差距的檢查時，由於以基板上載有光阻圖案的狀態檢查， 也影響光阻的透射率。又，實際上每個製品中半透光膜（半 透光部）的透射率不同，依照遮光罩的製造過程（如本實施 例在製程的中途形成半透光膜，或是如後述的實施例在基 板上使用從起初開始形成半透光膜的空白光罩），有時必須 改變膜材料。因此，根據是否高測定精確度（根據任一的情 況，是否得到高對比）’由於可以選擇測定時容易測定的記 號的圖案’以反射光與透射光中任一為測定方是適合的： 根據情況，反射光、透射光兩方可以進行定位差距的檢查。 例如’第1記號C與第2記號C的組合圖帛，半透光膜的 透光率高且靠近透光部，上述的邊緣可以以良好的對比檢 出，由於這些邊緣間的距離m、n的測定精確度變高，此圖 案適合用於檢查。 總之，由於變更每個製品檢查用的記號圖案很煩雜， 如本實施例，複數的檢查用記號圖案（第丨記號與第2記號 的組合）成組，應用於所有灰階光罩時，由於有檢查的自由 度，是理想的。當然，並非上述複數的圖案成組用於所有 製品，每個製品也可以選擇使用約i種類至2種類的適當 2130-9833-PF;Ahddub 200913013 的記號圖案。 [第二實施例] 其次，根據第5圖’說明灰階光罩的製造過程的第一 實施例。 使用的灰階光罩與上述第一實施例情況相同，在透明 基板24上’形成以鉻為主成分的遮光罩25，其上塗佈光 阻，形成光阻膜27(參考第5(a)圖）。 首先’對於光阻膜27，描繪既定的元件圖案（形成對 應遮光部的光阻圖案的圖案），描繪後進行顯像’藉此，形 成對應遮光部區域的光阻圖案（第1光阻圖案）27(參考第 5(b)圖）。又，上述第1光阻圖案，包含特定的記號圖案的 描繪、顯像所形成的記號（第1記號）。 其次，以上述第1光阻圖案27為蝕刻光罩，蝕刻遮光 膜25’形成遮光膜圖案。 除去殘存的光阻圖案後（參考第5(c)圖），包含基板24 上的遮光膜圖案的全面形成半透光膜26(參考第5(d) 圖）。半透光膜26採帛&含上述第—實施例中使用的濺鑛 成膜產生的氧化鉻的半透光膜（曝光光透射率5〇%)。 其次，上述半透光膜26上形成與上述相同的光阻膜， 進行第2 -人的描繪。第2次的描繪_，描繪既定的圖案， 用以在遮光部及半透光部上形成光阻圖案。描緣後，藉由 進灯顯像，在對應遮光部及半透光部的區域上形成光阻圖 案（第2光阻圖案）28(參考第5(e)圖）。又，上述第2次的 圖案描繪時，也同時描緣特定的記號圖案。因此，上述第 25 2130-9833-PF;Ahddub 200913013 2光阻圖案28包含上述第2次的描汾顯 2記號)。 "像所形成的記號(第 其次，以上述第2光阻圖案28為姓刻光罩，姓刻露出 的+透光膜26,形成透光部。於是，除去殘存的光阻圖宰， 透明基板24上完成灰階遮光罩2〇,，具有遮光膜25盥半 透光膜26的堆疊膜構成的遮光部21、露出透明基板_ 透光部22、以及半透光膜26構成的半透光部^(參 5(f)圖）。 第6圖係上述第二實施例中上述特定的記號圖案形成 部分的製造步驟順序的剖面圖（左半部）及+自圖（右半 部）。因此’第6圖所示的製造步驟與上述第5圖中說明的 製造步驟完全相同。 本第-實施例，為了評估2次的猫繪定位差距，使用 4種類的圖案A、B、e、D(參考第6⑴圖），作為第i光阻 圖案27内所含的帛i記號，使用4種類的圖案a、b、c、 d(參考第6(5)圖），作為第2光阻圖案28内所含的第2記 途’使用分別組合第1記號A與第2記號a、帛i記號B 與第2 s己號b、第1記號c與第2記號c、第i記號d與第 2記號…種類圖案。上述各記號的圖案形狀、大小、 板合的位置關係等與上述第-實施例的情況相同。 因此，第2光阻圖索28形成後（第6(5)圖的步驟）， 進行定位差距的檢查。此時’測定相當於第1記號的膜圖 案的邊緣與第2光阻圖案28中的第2記號的邊緣之間的距 離’藉由檢查此距離是否纟既定範圍β，評估定位差距。 2l30-9833-PF;Ahddub 26 200913013 本第二實施例的情況下，4種類的圖案中的任一圖 案中，例如在X方向上，測定相當於第！記號的遮光膜25 與半透光膜26的堆疊膜圖案的邊緣與第2光阻圖案μ中 的第2記號的邊緣之間的距離，可以評估定位差距的大 小。又，也可關樣評^方向的定位差距。第6⑸圖中 附有〇記號之處係本實施例中適當的測定處。 因此’第2光阻圖案28形成後進行定1差距的檢查的 結果’定位差距的大小超過容許範_，除去第2光阻圖 案，重新執行光阻膜形成、描繪（重做光阻圖案姓刻），藉 此可以進行此階段中的修正。 s 又，最終步驟後，執行定位差距的檢查。此時，如第 6⑺圖所示，4種類的圖案中的任一圖案中，例如在X方 向上，測定相當於第1記號的遮光膜25與半透光膜Μ的 堆疊膜圖帛(或是遮光膜25圖案)的邊緣與相當於第2記號 的半透光膜26圖案的邊缕) 固示町違緣之間的距離，可以評估定位差距 的大小。X，也可以同樣評估以向的定位差距。第6(了） 圖中附有〇記號之處係本第二實施例中適#的測定處。 [第三實施例] 其次’根據第7 H ’說明灰階光罩的製造過程的第三 實施例。 使用灰階空白光罩，在透明基板24上，依序形成包含 矽化鉬的半透光膜（曝光光透射率5〇%)26以及以鉻為主成 份的遮光膜25,其上塗佈光阻，形成光阻膜27(參考第7(a) 圖）。 2130-9833-PF；Ahddub 27 200913013 ."首先，對於光阻膜27,描繪既定的元件圖案(對應遮 光部及半透光部的區域中形成光阻圖案的圖案），插繪後進 行顯像，藉此，形成對應遮光部及半透光部區域的光阻圖 案（第1光阻圖案）27(參考第八…圖）。又，上述第i光阻 圖案包含特定的記號圖案的描繪、顯像所形成的記號（第卫 記號）。 其次，以上述第i光阻圖帛27為姓刻光罩，敍刻遮光 膜25’形成遮光膜圖案，接著以上述遮光膜圖案為遮光罩， 蚀刻下層的半透光膜26，露出透光部的區域的透明基板 24，形成透光部。除去殘存的光阻圖案（參考第八幻圖）。 其次，基板全面形成與上述相同的光阻膜，進行第2 次的描繪。以第2次的描繪’描繪既定的圖案，在遮光部 及透光部上形成光阻圖案。描繪後，藉由執行顯像，在對 應遮光部及透光部的區域上形成光阻圖案（第2光阻圖 案）28(參考第7(d)圖）。又，上述第2次的圖案描緣時， 也同時描繪特定的記號圖案。因此，上述第2光阻圖案Μ 包含上述第2次描繪、顯像所形成的記號(第2記號）。 其次，以上述第2光阻圖案28為蝕刻光罩，蝕刻露出 的半透光部區域上的遮光膜25,形成半透光部（參考第7(幻 圖）。於疋，除去殘存的光阻圖案，在透明基板24上，完 成灰階光罩20，具有半透光膜26與遮光膜25的堆疊膜所 構成的遮光部21、露出透明基板24的透光部22、以及半 透光膜26所形成的半透光部23(參考第八”圖）。 第8圖係上述第二實施例中上述特定的記號圖案形成 2130-9833-PF;Ahddub 28 200913013 部分的製造步驟順序的剖面r 士 * μ、 面圖（左半部）及平面圖（右丰 部）。因此’第8圖的製造步驟，、够π ν驟與上遠第7圖所說明的制 造步驟完全相同。 本第三實施例中，為了蜂/ 勺ί 4估2次描繪的定位差距， 用4種類的圖案A、B、c、Dn去铱0,、门、 ^叭參考第8(a)圖），作為第i 阻圖案27内所含的第1印躲庇m ^ J步1 °己唬，使用4種類的圖案a、b、c、

d(參考第8⑷圖），作為第2光阻圖案㈣所含的第卜己 號’使用分別組合第1記號A與第2記號a、n記號B 與第2 s己號b、第1記號c盘楚pqT去 雄 JL L興第2 s己唬c、第丨記號D與 2記號d的4種類圖牵。！_、+. ' 圑茶上述各記號的圖案形狀、大小、 組合的位置關係等與上述第一實施例的情況相同。 因此’第2光阻圖案28形成後(第8⑷圖的步驟）， 進行定位差距的檢杳0 拄-日〜上上 此時，測定相當於第1記號的膜圖 案的邊緣與第2光阻圖宰28 φ Μ笛 w呆肀的第2 έ己號的邊緣之間的距 離，藉由檢查此距離是否在既定範圍Θ，評估定位差距。 總之，本第三實施例的情況下’ 4種類的圖案中的任一圖 案中’例如在χ方向上’敎相當於第1記號的半透光膜 26與遮光膜25的堆疊膜圖案的邊緣與第2光阻圖案28中 的第2 5己號的邊緣之間的距離，可以評估定位差距的大 小。又，也可以同樣評估γ方向的定位差距。第8⑷圖中 附有〇記號之處係、本第三實施例中適當的測定處。 因此，第2光阻圖案28形成後進行定位差距的檢查的 結果’ ^位差距的大小超過容許範料，除去第2光阻圖 案重新執行光阻臈形成、描繪（重做光阻圖案蝕刻），藉 213〇-9833-PF；Ahddub 29 200913013 此可以進行此階段中的修正。 又，最終步驟後，執行定位差距的檢查。此時，如第 8(f)圖所示，例如在X方向上，測定相當於第（記號的半 透光膜26 (或是半透光膜26與遮光膜25的堆疊膜圖案）的 邊緣、與相當於第2記號的半透光膜26與遮光膜25的堆 疊膜圖案（或半透光膜26圖案）的邊緣之間的距離，可以評 估定位差距的大小。又，也可以同樣評估γ方向的定位差 距。第8(f)圖中附有〇記號之處係本第三實施例中適當的 測定處。又，此階段中，根據記號的圖案，有時也會消失（例 如第2記號b肖d)，上述第2光阻圖案28形成後的階段 中’可以分別以第！記號B與第2記號b、第】記號〇與 第2記號d的組合進行檢查。 [第四實施例] 又，利用第9圖說明根據第四實施例使用上述第7⑷ 圖所示的灰階光罩的製造過程。 即’首先’對於光阻膜27 ’對應遮光部的區域中静 形成光阻圖案的圖帛，料後進行顯像，藉此形成^ 光部的區域的第1光阻圖案27(參考第g⑴圖）。^、 阻圖案包含特定的第1記號。 无 其次，以上述第1光阻圖案27為姓刻光罩’餘刻遮光 膜25，形成遮光膜圖案。 、’、九 其次，除去殘存的光阻圖案後（參考第9(〇圖） 全面形成光賴，進行第2 :欠的料。以第2次的^ 描繪既定的圖案、進行顯像，在遮光部及半透光部上田形成 2130-9833-PF;Ahddub 30 200913013 光阻圖案，藉此在對應遮光部及半透光部的區域上形成第 2光阻圖案28(參考第9⑷圖）。此第2光阻圖案包含特定 的第2記號。 其次，以上述第2光阻圖案28為蝕刻光罩，蝕刻露出 的透光部區域上的半透光膜26，形成透光部（參考第9⑷ 圖）。於是’除去殘存的光阻圖案，與上述第7⑴圖相同， 在透明基板24上，完成灰階光罩2〇,具有半透光膜心 遮光膜25的堆疊臈所構成的遮光部21、露出透明基板“ 的透光部22、以及半透光膜26所構成的半透光 第9(f)圖）。 少气 本第四實施例中’使用例如上述4種類的圖案Α、β、 種:二Γ 1光阻圖案内所含的第1記號，❹上述4 圖案a、b、c、d’作為第2光阻圖案内所含 記號，藉由使用分別組合第i記號八與 記號B與第2記號b、第 ° ^ ^ 1 D與第2記號…種類圖：與第2記號C、第1記號 定位差距。 種類圖案’可以進行評估2次騎的 第10圖係上述第 成部分的製造步_序_:(左上::)定 部)。因此，…所示的製造：:::(右半 的製造步驟完全相同。 、之第9圖中說明 本第四實施例，為了 4種類的圖案A、B、C、D:?的描纷定位差距，使用 阻圖案27内所含的第丄 1〇(a)圖），作為第1光 U己就，使用4種類的圖案a、b、c、 2130-9833-PF；Ahddub 31 200913013 d(參考第10(d)圖），作為第2光阻圖案28内所含的第2 記號，使用分別組合第1記號A與第2記號a、第1記號b 與第2記號b、第1記號C與第2記號c、第1記號D與第 2記號d的4種類圖案。上述各記號的圖案形狀、大小、 組合的位置關係等與上述第一實施例的情況相同。 因此，第2光阻圖案28形成後（第l〇(d)圖的步驟）， 進行定位差距的檢查。此時，測定相當於第丨記號的膜圖 案的邊緣與第2光阻圖案28中的第2記號的邊緣之間的距 離，藉由檢查此距離是否在既定範圍内，評估定位差距。 總之，本第四實施例的情況下，4種類的圖案中的任一圖 案中’例如在X方向，測定相當於第"己號的遮光膜25 的邊緣與帛2光阻圖案28中的第2記號的邊緣之間的距 離可以3平估定位差距的大小。χ，也可以同樣評估Y方 向的定位差距。第1G⑷圖中附有Q記號之處係本第四實 施例中適當的測定處。 因此第2光阻圖案28形成後進行定位差距的檢查的 結果’定位差距的大小超過容許範㈣，除去第2光關 案’重新執行光阻膜形成、描緣（重做光阻圖案姓刻），藉 此可以進行此階段中的修正。 又，最終步驟後，執行定位差距的檢查。此時，如第 10(f)圖所示，例如為Υ古& l 光膜25的圖荦的：缘二上:測-相當於第1記號的遮 的邊緣、與相當於第2記號的半透光膜26 的圖案的邊緣之間的距離，可以評估定位差距的大小。又， 也可Μ樣評估γ方向的定位差距。帛10⑴囷中附有〇 2130-9833-PF;Ahddub 32 200913013 記號之處係本第四實施例中適當的測定處。又，此階段中， 根據§己戒的圖案，有時也會消失（例如第2記號a與c)， 上述第2光阻圖案28形成後的階段中，可以分別以第1記 唬A與第2記號a、第1記號C與第2記號c的組合進行 檢查。 如以上第一至第四實施例的說明，根據本發明，在第 1次描緣時及第2次描繪時分別作成特定的記號（第1記號） 與特疋的s己號（第2記號）’以這些記號的邊緣間的距離評 估2次描繪的定位差距，藉此可以定量檢查第1次描繪產 生的圖案與第2次描繪產生的圖案之間的定位差距，而且 即使利用任一的製造過程製造半透光部内使用半透光膜的 灰階光罩時’也可以定量檢查製造階段中產生的2次描繪 定位差距。 又’以上第一至第四實施例中使用的第1記號A、b、 C、D以及第2記號a、b、c、d，始終是顯示代表性的範例， 為了達到本發明的效果’記號的形狀、大小、第1記號與 第2記號的組合、其位置關係等，在以上實施例中當然不 必作任何限定。 【圖式簡單說明】 [第1圖]用以說明使用本發明的灰階圖案的圖案轉印 方法的剖面圖。 [第2(a)圖至第2(f)圖]依序顯示灰階光罩的製造步 驟的第一實施例的剖面圖。 33 2l30-9833-PF；Ahddub 200913013 [第3(1)圖至第3⑺圖]係特定的記號圖案形成部八 的製造步驟順序的剖面圖及平面W，用以說明上述第一： 施例中根據本發明的檢查方法。 見 [第 4(5)圖及第 士 乐圖]係特定的記號圖案形成部八 的平面圖，用以說明根據本發明的檢查方法。 " [第5⑷圖至第5⑴圖]依步驟順序顯示灰階 驟的第二實施例的剖面圖。 ’ [第6(1)圖至第6⑺圖]係特定的記號圖案形 的製造步驟順序的剖面圖及平面圖，，以說明上述第二實 施例中根據本發明的檢查方法。 見 :第一 7(a)圖至帛7⑴圖]依步驟順序顯示灰階製造年 驟的第三實施例的剖面圖。 ^ [第（a)圖至第8⑴圖]係特定的記號圖案形成部八 的製造步驟順序的剖面圖

_ 卞面圖，用以說明上述第二I 施例中根據本發明的檢查方法。 一實 二二圖至'9⑴圖]依步驟順序顯示灰階製造步 驟的第四實知例的剖面圖。 ^第_圖至第1G⑴圖]係特 分的製造步驟順序的剖面 《案… 卞命圖，用以說明上诚笛 實施例中根據本發明的檢查方法。 [第11 (1)圖至第i i (3)圖]

其此从制4 」尔顯不使用灰階光罩的TFT 基板的製造步驟的概略剖面圖。 旳 [第12(1)圖至第ι2(3)圖]係

美柘的制t 、”肩不使用灰階光罩的TFT 基板的製造步驟(第11圖的製造步心… ，驟的接續）的概略剖面 2130-9833-PF;Ahddub 34 200913013 圖。 [第1 3圖]係顯示習知微細圖案型的灰階光罩的一範 例的平面圖。 【主要元件符號說明】 1〜玻璃基板； 3〜閘極絕緣膜； 6〜源極没極用金屬膜； 2〜閘極電極； 4〜第1半導體膜（a_Si); 5〜第2半導體膜（N+a-si); 6a、 6b〜源極/沒極 7a〜 第1光阻圖案； 10〜 灰階光罩； 11a ' 11 b〜遮光部； 13〜 半透光部； 13b- 〜透射部； 20， 〜灰階遮光罩； 22〜 透光部； 24〜 透明基板； 26〜 半透光膜； 28〜 第2光阻圖案； 31〜 基板； 33〜 光阻圖案； a、b 1、c、d〜圖案； 7〜 正型光阻膜 ， 7b- -第2光阻圖 案； 11- v遮光部； 12- “透光部； 13a 〜遮光圖案； 20- •"灰階遮光罩 1 21- “遮光部； 23- 半透光部； 25- ν遮光膜； 27- •^第1光阻圖 案； 30, -被轉印體； 32A 、3 2 Β〜堆疊 膜； A、 Β、C、D〜圖 案； in、 η〜距離。 2130-9833-PF;Ahddub 35

Claims (1)

1. 200913013 十、申請專利範圍： 1.種灰階光罩的製造方法，其中灰階光罩具有遮光 部、透光部、以及以既定量減低使用遮光罩時使用的曝光 光的透射里的半透光部，並且灰階光罩係用以在被轉印體 上形成膜厚為階段或連續不同的光阻圖案， 其特徵在於包括： 準備在透明基板上形成第丨膜的灰階空白光罩的步 驟； 圖案姓刻上述第1膜上形成的光阻膜，形成第1光阻 圖案的步驟； X上述第1光阻圖案為遮光罩，蝕刻上述第1膜，形 成第1膜圖案的步驟； 除去上述第1光阻圖案的上述透明基板上，包含上述 第1膜圖案的面上’形成第2膜的步驟； 圖案敍刻上述第2臈上形成的光阻膜，形成第2光阻 圖案的步驟；以及 、上述第2光阻圖案為遮光罩’蝕刻上述第2膜，形 成第2膜圖案的步驟； 其中，上述第1光阻圖案包含第1記號，上述第2光 阻圖案包含第2記號； 、又，上述第2光阻圖案形成後，或，上述第2膜圖案 开/成後至乂其中任一具有執行定位差距檢查的步驟； 上述檢查步驟中’上述第2光阻圖案形成後執行定位 差距檢查時’測定對應上述第1記號的第i膜圖案的邊緣 2130-9833-PF;Ahddub 36 200913013 與上述第2光阻圖案中第2記號的邊緣之間的距離； 上述第2膜圖案形成後執行定位差距的檢查時，測定 對應上述第丨記號的第1膜圖案的邊緣與對應上述第2記 號的第2膜圖案的邊緣之間的距離，並檢查上述距離是否 在既定範圍内。 2.—種灰階光罩的製造方法，其中灰階光罩具有遮光 邛透光部、以及以既定量減低使用遮光罩時使用的曝光 光的透射量的半透光部，並且灰階光罩係用以在被轉印體 上形成膜厚為階段或連續不同的光阻圖案， 其特徵在於包括： 準備在透明基板上依序形成第2膜及第丨膜的灰階空 白光罩的步驟； 圖案蝕刻上述第1膜上形成的光阻膜，形成第〗光阻 圖案的步驟； 以上述第1光阻圖案為遮光罩，餘刻上述第1膜，形 成第1膜圖案的步驟，接著以上述第J光阻圖案或上述第 1圖案為遮光罩’蝕刻上述第2膜，形成第2圖案的步驟； 除去上述第1光阻圖案的上述透明基板上’圖案钮刻 包含上述第i及第2圖案的面上形成的光阻膜，形成第2 光阻圖案的步驟；以及 、以上述第2光阻圖案為遮光軍，钱刻上述第i膜，形 成第3圖案的步驟； 其中，上述第1光阻圖案包含第"己號，上述第 阻圖案包含第2記號； 2l30-9833-PF；Ahddub 3Ί 200913013 . 又，上述第2光阻圖案形成後，或，上述第3圖案形 成後’至少其中任一具有執行定位差距檢查的步驟； 上述檢查步驟中，上述第2光阻圖案形成後執行定位 差距檢查時，測定對應上述第1記號的第1圖案的邊緣與 上述第2光阻圖案中第2記號的邊緣之間的距離； 上述第3圖案形成後執行定位差距的檢查時，測定對 應上述第1記號的第1圖案的邊緣與對應上述第2記號的 第3圖案的邊緣之間的距離，並檢查上述距離是否在既定 範圍内。 3·種灰階光罩的製造方法，其中灰階光罩具有遮光 邛透光部、以及以既定量減低使用遮光罩時使用的曝光 光的透射量的半透光部，並且灰階光罩係用以在被轉印體 上形成膜厚為階段或連續不同的光阻圖案， 其特徵在於包括： 準備在透明基板上依序形成第2膜及第丨膜的灰階空 白光罩的步驟； 圖案姓刻上述第1膜上形成的光阻膜，形成第1光阻 圖案的步驟； 以上述第1光阻圖案為遮光罩，蝕刻上述第丨膜，形 成第1臈圖案的步驟； y 勺人除去上述第〗光阻圖案的上述透明基板上，圖案蝕刻 上述第1膜圖案的面上形成的光阻膜，形成第2光阻 圖案的步驟；以及 、上述第2光阻圖案為遮光罩，至少蝕刻上述第2膜， 2130-9833-PF;Ahddub 200913013 形成第2膜圖案的步驟； 其_ ’上述第1光阻圖案包含第"己號，上述第2光 阻圖案包含第2記號； 上述第2光阻圖案形成後，或，上述第2膜圖案 形成後，至少其中任—i/ 1 具有執行定位差距檢查的步驟； 上述檢查步驟中，上述第2光阻圖案形成後執行定位 差距檢查時，測定對應上述第】記號的第】膜圖案的邊緣 與上述第2光阻圖案中第2記號的邊緣之間的距離； 上述第2臈圖案形成後執行定位差距的檢查時，測定 對應上述第1記號的第1膜圖案的邊緣與對應上述第2記 號的第2膜圖幸的邊綾夕„& ^ 茶的邊緣之間的距冑，並&查上述距離是否 在既定範圍内。 4.如申請專利範圍第1 至3項中任一項所述的灰階光 罩的製方法，其中? y ^ ψ ^ ^ 共〒上述第1記號與第2記號，在上述 透明基板上形成時，其中之—Mi t 取于IT之的記號的外形包含在另 號的外形内部中。 5·如申請專利範圍第4頊斯、+、& — 員所边的灰階光罩的製造方 法，其中，上述第丨記號與第2 旒以上述透明基板表面 的千面視的一方向上，包含以 ^选^ 0 弟1 5己旒的邊緣、第2記號 的邊緣、第2記號的邊緣、第丨 ^ θ °己戒的邊緣的順序排列， 或疋’以第2記號的邊緣 '第1 邊緩、兹9…,“认 δ己戒的邊緣、第1記號的 邊緣、第2記號的邊緣的順序排列的圖案。 6.如申請專利範圍第4項 所述的灰階光罩的製造方 法，其中，上述第1記號與上述帛 弟2 C旒在一方向以及與 2130-9833-PF;Ahddub 39 200913013 上述方向垂直的方向上，都具有對稱的形狀圖案。 7. 如申請專利範圍第4項所述的灰階光罩的製造方 法，其中，上述第i記號的外形與上述第2記號的外形係 相似形。 8. 如申請專利範圍第4項所述的灰階光罩的製造方 法其中上述第ls己號與上述第2記號都包含矩形的圖 案。 9. 如申請專利範圍第彳$ q @ Λ f 4祀固弟1至3項中任一項所述的灰階光 罩的製造方法，其中，上述檢查步驟的執行係照射光至上 述灰階光罩，接受其透射光。 10. 如申請專利範圍第丨至3項中任—項所述的灰階光 罩的製造方法，其中，上述檢查步驟的執行係照射光至上 述灰階光罩，接受其反射光。 11_-種灰階光罩的檢查方法，其中灰階光罩在透明基 板上具有遮光部、透光部、以及以既定量減低使用遮 日技㈣曝光光料射量的半透光臈所形成的半透光部， 並且上述灰階光罩係用以在被轉印 1 M上形成膜厚為階段或 連續不同的光阻圖案，以及灰階光罩係藉由使用包含至少 2次描❹驟的圖案_步驟’在透明基板上形成的膜上 形成圖案而製造； 、 其特徵在於： 上述的檢查方法中，第卜欠描繪步㈣ 阻圖案包含第1記號； j i尤 第2次描繪步驟所得到的第2光阻圖案包含第2記號; 2130-9833-PF;Ahddub 40 200913013 測定上述第！光阻圖案中的第i記號或對應第工記號 的膜圖案的邊緣與上述第2光阻圖案中的帛2記號或對應 第2記號的膜圖案的邊緣之間的距離，並檢查上述距離是 否在既定範圍内。 12. -種灰階光罩，在透明基板上具有遮光部、透光 卩以及以既疋量減低使用遮光罩時使用的曝光光的透射 量的半透光膜所形成的半透光部，並且用以在被轉印體上 形成膜厚為階段或連續不同的光阻圖案的上述灰階光罩， 以及藉由使用包含至少？ +少，洛此碰^ v Z -人描繪步驟的圖案蝕刻步驟，在 透明基板上形成的複數的膜上分別形成圖案而製造的灰階 光罩； 其特徵在於： 上述灰I5白光罩’具有以包含第j次描繪步驟的圖案姓 刻在膜上形成的第i記號，以及以包含第2次描繪步驟的 圖案姓刻在其他膜上形成的第2記號； 測定上述第1記號的邊緣盥第？ %等/、弟Z a己唬的邊緣之間的距 離，再檢查上述距離是否在既定益 货隹既疋範圍内，藉此可以評估2 次描螬'的定位差距。 -- π构甲萌·寻刊範 圍第12項所述的灰階光罩，轉印上述灰階光罩中形成的圖 案至被轉印體。 2130-9833-PF；Ahddub 41