TW200909561A - Use of metal complex as p-dopant for organic semiconductor matrix material, organic semiconductor material and organic electroluminescence - Google Patents
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Description
200909561 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係使用金屬錯合物作爲有機半導電基質材料、 有機半導體材料、以及有機發光二極體之P摻雜劑。 【先前技術】 專利WO 2005/08 625 1有揭示一種在有機半導電材料中 摻雜電子受主’以提高有機基質材料之導電性的方法。由 於金屬錯合物(尤其是多核金屬錯合物,例如所謂的葉輪 (p a d d 1 e - w h e e 1)錯合物)具有很強的給電子特性,因此道種方 法是以金屬錯合物作爲電子注入的η摻雜劑。 但是也會有需要以Ρ摻雜劑摻雜電洞注入層的情狀。 【發明内容】 本發明的目的是提出一種與電洞導電基質材料摻雜的 Ρ摻雜劑’以及將摻雜這種Ρ摻雜劑的電洞導電基質材料 使用在輻射發射裝置上,尤其是使用在有機發光二極體 (OLED)上。 採用本發明之主申請專利項目之特徵即可達到上述目 的,尤其是以具有路易氏酸特性之中性金屬錯合物作爲電 洞導電有機基質材料的Ρ摻雜劑。此外,爲了達到上述目 的,本發明還提出一種含有以具有路易氏酸特性之金屬錯 合物作爲ρ摻雜劑之化合物的有機半導電材料。此外,爲 了達到上述目的,本發明還提出一種具有至少一個本發明 之有機基質材料層的OLED。 本發明是使用一種具有路易氏酸特性之金屬錯合物作 -5- 200909561 爲有機半導電基質材料的p摻雜劑。此外,本發明還包括 ~種電洞1導電層’這種電洞導電層是由一種以金屬錯合物 作爲摻雜齊[[(佔電洞導電層之厚度的〇.1%至5〇%)之電洞導 電有機基質材料所構成。此外,本發明還包括一種具有至 少、一個I以金屬錯合物作爲?摻雜劑之摻雜電洞導電材料的 OLED。 氏;酸是一種能夠作爲電子對受體的金屬錯合物。 路易氏驗則是一種能夠釋出電子對的電子對予體。尤其是 可以使電洞導電有機基質材料具有金屬錯合物的路易氏酸 特性’以便呈現(或含有)相應之路易氏鹼。 金屬錯合物是一種其內有一個金屬原子或金屬離子被 一個或多個配位基配位的化合物。在一般情況下,金屬錯 合物是一種金屬有機化合物,也就是說,是一種至少有一 部分配位基含有碳且經常也含有氫的錯合物。 本發明使用的金屬錯合物最好是一種多核錯化物,尤 其是一種具有至少一個金屬-金屬鍵的錯化物。 依據一種有利的實施方式,金屬錯合物的至少一個中 心原子是來自於鉑族,也就是下列元素中的一種:釕、鍺 、記、餓、銥、鉑。其中又以铑錯合物爲最佳。 依據一種有利的實施方式,中心原子是一種電中性或 帶有電荷(尤其是正電荷)的過渡金屬原子。 所謂電洞導體是指能夠在〇LED中產生電洞導電作用 的典型材料,例如NPB (N,N,-二-1-萘基-二苯基·聯苯胺; H〇MO = 5.5eV,LUMO = 2.5eV)或 Naphdata (4,4,,4,,-5(N-U- -6- 200909561 萘基)-N-苯基-胺基)-三苯胺;HOMO = 5.1eV,LUMO = 2.3eV) ο 以下將以摻雜劑佔層厚度的百分比(%)來表示摻雜量 ,也就是以摻雜劑之沉積率相當於基質材料之沉積率的X % 來表示。 一種有利的方式是以具有所謂的葉輪結構 (paddle-wheel)的錯合物作爲中性金屬錯化物,而且最好是 使用具有至少一個金屬-金屬鍵的雙核及多核金屬錯合物 ’例如 Cotton FA, Gruhn NE,Gu J,Huang P,Lichtenberger DL,Murillo Ca’ Van Dorn LO 及 Wilkinson CC 在”Closed Shell Molecules That Ionize More Readily Taan Cesium”(Science, 2002, 298; 1971-1974)中提及的葉輪結構 。同樣的,在專利WO 2005/08625 1中也有提及這種葉輪結 構,不過該專利的出發點是以具有葉輪結構的多核金屬錯 合物作爲η摻雜物。但這個出發點適合於所有的葉輪錯合 物及/或在該專利中提及的所有結構。 專利WO 2005/0 8 625 1 Α2是以具有葉輪結構的錯合物 作爲典型的η摻雜劑。爲了檢驗是否可以用二铑-四-三氟 醋酸鹽(PDW-2H一種在本發明中作爲Ρ摻雜劑的具有很強 的路易氏酸特性的具有代表性的金屬錯合物)作爲η摻雜劑 ,故進行了以下的實驗: 利用加熱蒸鍍法將一層厚度爲150nm之電子導體 BCP( = 2,9-二甲基_4,7_二苯基- 啡啉)沉積在一個銦錫氧 化物(IT0)電極上。以一個厚度爲150nm的鋁層作爲反電極 200909561 。第1圖顯示實驗結果:一個面積爲4mm2的構件產生如圖 中以正方形標示之典型特性曲線(第1圖正方形)。 第二個實驗是經由蒸發將10%的PDW-2摻雜到BCP層 中。第1圖中以圓圈標示的特性曲線與純B C P之特性曲線 僅有很小的差異。由此可知PDW-2不能作爲η摻雜劑,尤 其是不能作爲OLED及其使用之典型電子導體(典型HOMO 介於5.8eV至6.2eV之間,典型LUM ◦介於3.0eV至2.4eV 之間)。 一個與第二個實驗類似的實驗是經由蒸鍍將PDW-2摻 雜到電洞導體NPB(二-N,N,N’,N'-(萘基-苯基)聯苯胺)中。 在第2圖中分別顯示摻雜度〇%(實心圓)、1%(正方形)、5%( 三角形)、1 0 % (空心圓)的特性曲線。 以上的實驗結果顯示以電洞導電基質材料PDW-2作爲 摻雜物質的可能性。令人訝異的是無法從鋁注入任何電洞 (X軸的負分支)’因此整流係數爲3 X 1 0·7。摻雜度只需相當 於層厚度的很小百分比(%)即可達到有效的摻雜(尤其是 〇 - 5 0 % ’或最好是〇 -1 5 %)。這些特性曲線都很陡峭。在較高 的電壓下,特性曲線會達到飽和,因而產生限流特性。 將有機基質材料摻雜P摻雜劑對有機發光二極體具有 決定性的重要性。有機發光二極體的亮度(c d / m 、效率(c d / A) 、以及使用壽命(h)主要是由發光層中的激發密度及電荷載 體注入的品質決定’而且也會受到此二者的限制。摻雜的 輸送層的優點是在其上發生的電壓降僅相當於使整個結構 運轉所需之電壓降的一小部分(<<30 %)。輸送層的電壓降最 -8- 200909561 好是只有1 〇 %或更小,這樣就不會在輸送層上觀察到有電 壓降的情況。 第3圖顯示具有多個功能層之OLED的結構。其中位 於最下端、同時也是厚度最大的層(1)是一片基板,例如由 石英、玻璃、金屬膜、或是聚合物膜構成的基板。在基板 上方是一層透明的電極(2 ),例如由透明導電氧化物構成的 電極。透明導電氧化物(TCO)是一種透明的導電材料,通常 是金屬氧化物,例如氧化鋅、氧化錫、氧化鍚、氧化鈦、 氧化銦、或氧化銦錫(ITO)。除了二元金屬氧化物(例如Zn〇 ' Sn02、In2〇3)外,三元金屬氧化物(例如Zn2Sn〇4、CdSn03 、ZnSn〇3、MglmCU、GaIn〇3、Zn2ln2〇5、IruSruOu)及不同透明 導電氧化物的混合物亦屬於TCO。此外,TCO也不一定要 相當於某一化學計量成分,而且可以是p摻雜或η摻雜。 如果是一種頂面發射的二極體,則電極(2)可以是一個由金 屬構成的(非透明)層,基板則可以是一層不透明的金屬膜 。例如第3圖有顯示一個ΙΤ0陽極。在這個位於下方的電 極之上有一個電洞導電層(3)。根據本發明,電洞導電層(3) 是由一種摻雜具有路易氏酸特性之金屬錯合物的有機基質 材料所構成。 在電洞導電層(3)發射層(4)之上的是0LED的作用層 ’也就是發射層(4)。在上方依序是電子輸送層(5)及反電極 (6)。發射層(4)可以是一個有機作用層,例如以聚合物(例 如聚(Ρ-苯基-乙烯基)(PPV))爲主要成分或以所謂的低分子 量的小分子(例如三(8-羥基喹琳)鋁(Alq))爲主要成分的有 -9- 200909561 機作用層。此外,也可以是以摻雜到一種基質材料(例如二 咔唑基二苯基)(CPB))內的磷光三重態發射體(例如 三(苯基吡啶))爲主要成分的有機作用層。發射層也可以是 由多個單一的發光層所組成’例如發射紅光、綠光、藍光 的發射層°除了編號1至6的層外,最好還有一個保護〇led 用的外殼。 電極經由電線(7)與電壓源連接。 電荷注入的均勻性在大面積平面發光元件中扮演一個 十分重要的角色。微粒、結晶小粒、或是尖端造成的場過 高及因此而產生的”暗點”的潛在輸出點可能導致發光元件 故障。經由電洞注入層(例如在此層內有埋入雙核铑醋酸鹽 爲主要成分的”葉輪結構”錯合物)可以產生一個具有很高 的載流能力及內在限流的層。 最好是使用鍺錯合物’例如具有一個Rh24+核及一個金 屬-金屬鍵的金屬錯合物-化合物,這種铑錯合物具有很強 的路易氏酸特性,因此可以作爲p摻雜劑及電子受體。 二铑四三氟醋酸鹽(第4圖)具有很好的升華特性,因 此是一種很好的摻雜物質。令人訝異的是,在化學文獻[F. A. Cotton, C.A. Murillo, R.A. Walton Multiple Bonds between Metal Atoms” 3. Auflage, Springer Science and Business Media,Inc. 2005. 465 -6 1 1·]中甚至可以找到能夠以未置換 的芳香族化合物作爲RH/4核在軸向位置之予體的記載。實 驗顯不’將 PDW-2 與 NPB 或 Naphdata (Naphdata = 4,4’,4’’_ 三(N-(l-萘基)-N-苯基-胺基)-三苯胺)摻雜的過程可以產生 200909561 P摻雜。 第4圖顯示R H 2( c F 3C〇〇)4的結構,在這個結構中, ' RH2(CF3C00)4與芳香族系統六甲基苯配位。 同樣的’具有與Rh /+錯合物相同結構的等電子金屬錯 合物,尤其是大小與前述化合物相近之等電子金屬錯合物( 例如以Ru22+離子爲中心原子之同族元素)也適於作爲p摻雜 劑。這種作用一方面會使錯合物具有葉輪結構,另一方面 也會使錯合物具有很高的路易氏酸的酸性。能夠直接與芳 % 香族系統(例如不帶電荷的芳香族系統)配位的適於作爲p 摻雜劑的中心原子或金屬錯合物尤其適合。第6至第9B族 的金屬最適合作爲中心原子。 在葉輪錯合物中’至少兩個金屬中心原子(通常是剛好 兩個中心原子’尤其是兩個過渡金屬原子)會經由分別以一 個配位原子鍵結在至少兩個金屬中心原子上的單牙、雙牙 、3牙、4牙、或多牙配位基(尤其是雙牙配位基)彼此橋接 在一起。金屬原子通常是以4重方式與前面提及的配位基 配位(視金屬原子的半徑大小而定)。 葉輪錯合物的路易氏酸特性來自於在至少一個金屬原 子上有一個鬆的或空的配位位置,因此一個芳香環可以鍵 結在這個鬆的或空的配位位置上,如第4圖所示。金屬原 子的配位環境最好是具有一個一個金屬-金屬鍵及與配位 基有4個赤道鍵。因此在正常情況下,軸向位置具有鬆的 或空的配位位置’因此錯合物會是一種視配位基及中心原 子而定的路易氏酸。 200909561 原則上所有雙牙或多牙配位基(尤其是可以吸引電子 的配位基)均可作爲之配位基。例如對電子具有吸引力之碳 酸的陰離子,例如CHalxH3-xC〇OH(尤其是CFxH3-xCOOH及 CClxH3-xCOOH ’其中X代表一個介於〇至3之間的整數,Hal 代表一個鹵素原子)、(CRi,R2, R3)COOH,其中彼此相互獨立 的IUR2,R3均爲烷基(例如Η、甲基、乙基、丙基、異丙基、 正丁基、仲丁基、叔丁基)、苯酸及其經置換的類似物(Q,p,m-氟苯酸,o,p,m -氰苯酸,硝苯酸,氟化或部分氟化的烷基苯 酸(包括單重或多重取代的烷基苯酸),吡啶碳酸)。 本發明使用的金屬錯化物最好是能夠彼此相互獨立被 蒸發的分子。也就是說每一個金屬錯合物都可以彼此鍵結 ,或是與其他的成分(例如基質材料)鍵結。 可以用下面的方式計算PDW-2的價電子: 具有4個負電荷的雙牙配位基第IX族可以形成以下之 金屬-金屬結構: 4 x4e = 16個電子,來自於配位基 1兀26 = 2個電子,來自於1^-1111之間的單重鍵結 2x9e = 18個電子,來自於Rh 總計36個電子,因此每一個Rh都具有稀有氣體原子 組態,因此是很穩定的。 或是在配位基相同時,從其他的金屬也可以§十算出總 共36個電子: 第6族金屬:金屬-金屬四重鍵結,也就晏說具有σ、 2x7T、lxd 鍵結: -12- 200909561 第7族金屬:金屬-金屬三重鍵結,也就是說具有σ、 2χπ 、1x5 鍵結及 1x5*; 第8族金屬:金屬-金屬雙重鍵結,也就是說具有σ、 2χ7Γ 、1x5 鍵結及 Ιχδ* 及 1χ7Γ*; 弟9族金屬.金屬-金屬單重鍵結’也就是說具有¢7、 2x?r 、1x5 鍵結及 1x5* 及 2χττ*。 每一個金屬錯合物都可以彼此鍵結,或是與其他的成 分(例如基質材料)鍵結。經由予體-受體交互作用及適當的 分子大小可以將摻雜物質固定在基質材料中。 所有常用的電洞導電基質材料都可以作爲有機基質材 料,例如 ΝΡΒ' Naphdata、Ν,Ν’-二(萘-1-基)-Ν,Ν’-二(苯基)-聯苯胺、Ν,Ν ’ -二(萘-2 -基)-Ν,Ν ’ -二(苯基)-聯苯胺、Ν,Ν ’ -二(3-甲基苯基)-Ν,Ν’-二(苯基)-聯苯胺、Ν,Ν’-二(3-甲基苯 基)-Ν,Ν’-二(苯基)-9,9-螺二莽、Ν,Ν’-二(萘-1-基)-Ν,Ν’-二(苯基)-9,9-螺二苐、Ν,Ν’-二(3-甲基苯基)-Ν,Ν’-二(苯 基)-9,9-二甲基-苐、Ν,Ν’-二(3-萘-1-基)-Ν,Ν’-二(苯基)-9,9-二甲基-莽、Ν,Ν’-二(3-甲基苯基)-Ν,Ν’-二(苯基)-9,9-二苯基-莽、Ν,Ν’-二(3-萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二苯基 -弗、2,2’,7,7’-四(N,N-二苯基胺基)-9,9’-螺二莽、9,9-二 [4-(N,N-二聯苯-4-基-胺基)苯基]-9H -莽、9,9-二[4-(N,N-二 萘-2-基-胺基)苯基]-9H-弗、9,9-二[4-(N,N’-二萘-2-基-N,N-二苯基-胺基)苯基]-9H-莽、2,2’,7,7’-四[(N-萘基(苯基)-胺 基]-9,9-螺二苐、N,N’-二(菲-9-基)-Ν,Ν’-二(苯基)-聯苯 胺、2,7-二[Ν,Ν-二(9,9-螺二弗-2-基)胺基]-9,9-螺二弗、2,2’-二[Ν,Ν-二(聯苯-4-基)胺基]-9,9-螺二莽、2,2’-二(Ν,Ν-二苯 -13- 200909561 基胺基)-9,9-螺一薄、酞菁銅錯合物、4,4,,4,,-三(N-3 -甲基 苯基-N-苯基-胺基)二苯胺、4,4’,4’’·三(n_(2-萘基)-N-苯基-- 胺基)三苯胺、^’^’’-三⑺-㈠-萘基卜^苯基—胺基彡三苯 月女、4,4’,4’’-二(N,N- —苯基-胺基)三苯胺、氧化欽酞菁、 2,3’5,6-四氟-7,7,8,8-四氰-酿二甲院、啦哄并[2,3-5][1,1〇] 啡啉- 2,3-二甲腈、N,N,N,,N’-四(4 -甲氧苯基)聯苯胺、2,7-二[N-N-二(4 -甲氧-苯基)胺基]-9,9-螺二蔣、2,2,-二[N-N-二 (4 -甲氧-苯基)胺基]-9,9-螺二蒋、1,3-(昨哩_9-基)苯、1,3,5-f 三(咔唑-9-基)苯、4,4,,4,,-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4,-二(咔 哗-9-基)聯苯、4,4’-二(9-味哩基)-2,2、二甲基-聯苯、2,7-二(昨哗-9-基)-9,9-二甲基莽、以及2,2,,7,7,-四(昨哩-9-基)-9,9’-螺二蕗。 到目BU爲止’還沒有任何一種適於作爲摻雜物質之材 料系統有被觀察到在實驗室中記錄到的限流情況。這對於 大面積平面有機發光二極體尤其重要,因爲這會使發光密 度均句化。由於最大流量不再是由所接通的場決定,因此 c;基板材料中的微粒或尖端造成的場過高會被具有限流作用 的層抵消。 【實施方式】 下面以若干實驗結果對本發明的內容做進一步的說 明: 實例1 和前面所述的實驗一樣,利用加熱蒸鍍法將PDW-2摻 雜到電洞導體NPB(二->^,,,化-(萘基-苯基)聯苯胺)中。 在第5圖中分別顯示pdw-2之摻雜度爲〇%、1%' 5%、10% -14- 200909561 以及100%的特性曲線。 方令UV光譜中’在550nm~600nm之範圍的額外譜帶顯 示NPB被PDW-2摻雑的能力。 第ό圖顯示第5圖的層的光致發光光譜。受到波長 3 4 2 n m的紫外線激發時,ν ρ Β層的發出的螢光會持續下降。 和其他的慘雜劑一樣,pDW_2也會降低螢光的產生。 實例2 利用加熱蒸鍍法依序將以下的層沉積在一個銦錫氧化 物(ιτο)電極上’以便形成一個有機發光二極體(Alq =三(8_ 羥基喹啉)鋁,LiF =氟化鋰) a: 50nm NPB; 40nm NPB; 40nm Alq; 0.7nm LiF ; 200nm A1(實心圓) b: 50nm NPB:PDW-2 [10%]; 40nm NPB; 40nm Alq; 0.7nm LiF; 200nmAl(空心圓) 參照第7圖,從I-V特性曲線可以看出,使用經摻雜 的電洞注入層能夠使電壓從5.7 7 V下降到5.0 3 V,以便達到 10mA/cm2的電流密度。從第7 »可以看出,這個二極體的 效能獲得很大的改善。 經由降低供電電壓,使用經摻雜的電洞注入層只需 6 .1 8 V的電壓即可達到1 〇 〇 〇 c d /m2的輝度,若使用未經摻雜 的電洞注入層則需7 · 1 0V的電壓才能夠達到(第8圖)。 實例3 參照第9圖PDW-2在類於第5圖的結構中具有類似的 作用,這和文獻記載的其他已知摻雜劑(例如 MoCh或 F4TCNQ)是一樣的。 -15- 200909561 實例4 以PDW-2作爲摻雜劑也可以提高其他的電洞導體(例 如Naphdata)的電荷載體密度。 參照第10圖瞬變暗電流測量顯示,將10%之PDW-2摻 雜到N aphdata時,流動性幾乎沒有任何改變。如第1 〇圖所 示’供有機發光二極體使用的電荷載體密度會大幅上升, 這對於有機發光二極體的特性曲線有極爲正面的影響。 (σ =導電性,μ =電荷流動性,^電荷載體的數量,6 =基 本電荷)。 實例5 一個構造與實例2類似的發光二極體,不同之處是以 Naphdata取代電洞注入層中的ΝΡΒ。 a : 50nm Naphdata ; 40nm NPB ; 40nm Alq ; 0.7nm LiF ; 200nm A1(實心圓) b: 50nm Naphdata:PDW-2 [10%]; 40nm NPB; 40nm Alq; 0.7nm LiF ; 2 00nm A1 (空心圓) 從I-V特性曲線可以看出,使用經摻雜的電洞注入層 能夠使電壓從1 1.6V下降到8.0V,以便達到10mA/cm2的電 流密度。從第1 1圖可以看出,這個二極體的效能獲得很大 的改善。 經由降低供電電壓,使用經摻雜的電洞注入層只需 10.6V的電壓即可達到l〇〇〇cd/m2的輝度,若使用未經摻雜 的電洞注入層則需13.9V的電壓才能夠達到(第12圖)。 到目前爲止,還沒有任何一種適於作爲摻雜物質之材 料系統有被觀察到在實驗室中記錄到的限流情況。這對於 -16- 200909561 大面積平面有機發光二極體尤其重要,因爲這會使發光密 度均句化。由於最大流量不再是由所接通的場決定,因此 基板材料中的微粒或尖端造成的場過高會被具有限流作用 的層抵消。 本發明的最大特徵是所使用的材料與〇Led相容,以 及在具有金屬-金屬鍵之雙核金屬錯合物中,電荷在分子內 的電流傳輸是分佈在兩個金屬原子中,這對於整個層的穩 定性是有幫助的。 本發明係使用金屬錯合物作爲有機半導電基質材料、 有機半導體材料、以及有機發光二極體之p摻雜劑。本發 明係使用具有路易氏酸特性之金屬錯合物作爲有機基質材 料的P摻雜劑。 本發明的範圍並非僅限於以上所舉的實施例。每一種 新的特徵及這些特徵的所有組合方式(尤其是申請專利範 圍中提及的特徵的所有組合方式)均屬於本發明的範圍,即 使這些特徵或特徵的組合方式未在本說明書之說明部分或 實施例中被明確指出。 【圖式簡單說明】 第1圖爲一實施例之特性曲線圖。 第2圖爲一實施例之特性曲線圖。 第3圖爲具有多個功能層之〇 LED的結構。 第4圖爲二铑肆三氟醋酸與六甲基苯配位之晶體結構。 第5圖爲實例1之特性曲線圖。 第6圖爲實例1之光致發光光譜圖。 200909561 第7圖爲實例2之電流-電壓特性曲線圖 第8圖爲實例2之輝度-電壓特性曲線圖 第9圖爲實例3之特性曲線圖。 第1 0圖爲實例4之特性曲線圖。 第1 1圖爲實例5之特性曲線圖。 第1 2圖爲實例5之特性曲線圖。 【主要元件符號說明】 1 基板 2 第一電極(尤其是透明電極) 3 電洞導電層 4 發射層 5 電子輸送層 6 第二電極(反電極) 7 電線
Claims (1)
- 200909561 十、申請專利範圍: 1. 使用一種金屬錯合物作爲一種電洞導電有機基質材料的 p摻雜劑’其特徵爲:該金屬錯合物是一種具有路易氏酸 特性之金屬錯合物,其任務是作爲電子對受體。 2. 如申請專利範圍第1項的使用方法,其特徵爲:金屬錯 合物是一種多核金屬錯合物。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項的使用方法,其特徵爲 :金屬錯合物的中心原子是一種電中性或帶有電荷的過 渡金屬原子。 4 ·如則述申請專利範圍中任一項的使用方法,其特徵爲: 至少有一個中心原子是來自於第6至第9B族。 5. 如前述申請專利範圍中任一項的使用方法,其特徵爲: 至少有一個中心原子是铑。 6. 如前述申請專利範圍中任一項的使用方法,其特徵爲: 金屬錯合物是一種多核金屬錯合物,而且至少有一個配 位基連接兩個配位中心原子。 7. 如前述申請專利範圍中任—項的使用方法,其特徵爲: 至少有一個中心原子被配位基以平面正方形的方式環繞 住。 8. 如前述申請專利範圍中任一項的使用方法,其特徵爲: 金屬錯合物具有多個核,而且具有對稱的結構。 9 _如前述申請專利範圍中任一項的使用方法,其特徵爲: 配位基是具有吸引電子之置換物的碳酸或碳酸陰離子。 10.如前述申請專利範圍中任一項的使用方法,其特徵爲: 200909561 金屬錯合物具有葉輪結構。 11. 一種半導電材料, 、 m ^ /JN 一是有機半導電材料,其特徵爲含 有至 > 一種如申請專 ^ M ^ 貞至笫10項中任一項的 有機基質材料及p摻雜劑。 12_如申請專利範圍第u 機牛導電材料,其特徵爲: P摻雜劑與聚合基質材 料力于Z單體單元的克分子摻雜 比例介於1:1至丨:1〇〇〇〇〇之間。 13.—種製造含有有機基質材料及P摻雜劑之有機半導電材 料的方法,其特徵爲:使用如申請專利範圍帛i項至第 1 0項中任I頁的至少—種或多種金屬錯合物作爲p摻雜 劑。 —種輻射發射裝置,其特徵爲含有如申請專利範圍第u 項或第1 2項之有機半導電材料。 15_如前述申請專利範圍之輻射發射裝置,其特徵爲:該輻 射發射裝置是一種有機發光二極體,此種有機發光二極 體具有兩個電極、一個電洞導電層、以及一個發射層, 其中電洞導電層含有如申請專利範圍第1項至第1 〇項中 任一項的至少一種或多種金屬錯合物。 -20-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007028238A DE102007028238A1 (de) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und organische Leuchtdiode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200909561A true TW200909561A (en) | 2009-03-01 |
TWI374925B TWI374925B (en) | 2012-10-21 |
Family
ID=39720107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097122794A TWI374925B (en) | 2007-06-20 | 2008-06-19 | Use of metal complex as p-dopant for organic semiconductor matrix material, organic semiconductor material and organic electroluminescence |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8513702B2 (zh) |
EP (3) | EP3157072B1 (zh) |
JP (1) | JP5559044B2 (zh) |
KR (3) | KR101645042B1 (zh) |
CN (1) | CN101785127B (zh) |
DE (1) | DE102007028238A1 (zh) |
TW (1) | TWI374925B (zh) |
WO (1) | WO2008154914A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8633475B2 (en) * | 2010-07-16 | 2014-01-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and a method for producing the device |
DE102010056519A1 (de) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Heliatek Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit dotierten Schichten |
DE102011003192B4 (de) | 2011-01-26 | 2015-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102012209523A1 (de) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Hauptgruppenmetallkomplexe als p-Dotanden für organische elektronische Matrixmaterialien |
DE102012209520A1 (de) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Metallkomplexe als p-Dotanden für organische elektronische Matrixmaterialien |
GB201309668D0 (en) | 2013-05-30 | 2013-07-17 | Isis Innovation | Organic semiconductor doping process |
DE102013106949A1 (de) | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
KR102442614B1 (ko) | 2015-08-07 | 2022-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디벤조보롤계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR102615114B1 (ko) | 2016-08-23 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 보롤 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR101836041B1 (ko) | 2016-08-30 | 2018-03-07 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 금속 착물 |
DE102017111425A1 (de) | 2017-05-24 | 2018-11-29 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements |
EP3859808A1 (en) | 2020-01-28 | 2021-08-04 | Novaled GmbH | An organic electronic device comprising a hole injection layer that comprises a hole transport compound |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3644454A (en) * | 1968-11-01 | 1972-02-22 | Allied Chem | Chromium complexes of fluorocarbon acids |
JPH03208689A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
EP1289030A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-05 | Sony International (Europe) GmbH | Doping of a hole transporting material |
KR100991112B1 (ko) * | 2002-12-19 | 2010-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법 |
DE10347856B8 (de) * | 2003-10-10 | 2006-10-19 | Colorado State University Research Foundation, Fort Collins | Halbleiterdotierung |
US20070185343A1 (en) * | 2004-02-26 | 2007-08-09 | Universiteit Gent | Metal complexes for use in olefin metathesis and atom group transfer reactions |
DE102004010954A1 (de) | 2004-03-03 | 2005-10-06 | Novaled Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
EP1763532B1 (de) * | 2004-07-05 | 2007-10-10 | Solvias AG | 1,1'diphosphinoferrocene mit 2,2'-gebundenen achiralen oder chiralen resten |
US7645830B2 (en) * | 2005-01-21 | 2010-01-12 | Nippon Soda Co., Ltd. | Polymer, crosslinked polymer, composition for solid polymer electrolyte, solid polymer electrolyte, and adhesive composition |
GB0517137D0 (en) * | 2005-08-22 | 2005-09-28 | Viacatt N V | Multicoordinated metal complexes for use in metalthesis reactions |
US8147986B2 (en) * | 2005-09-30 | 2012-04-03 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
DE502005009802D1 (de) * | 2005-11-10 | 2010-08-05 | Novaled Ag | Dotiertes organisches Halbleitermaterial |
JP2007141736A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP2007157629A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP2007200938A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
US7968904B2 (en) * | 2006-02-06 | 2011-06-28 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
JP4896544B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2012-03-14 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
EP1860709B1 (de) * | 2006-05-24 | 2012-08-08 | Novaled AG | Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand |
US7663309B2 (en) * | 2006-09-28 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element having plurality of light emitting layers with specific thicknesses |
DE102006054523B4 (de) * | 2006-11-20 | 2009-07-23 | Novaled Ag | Dithiolenübergangsmetallkomplexe und Selen-analoge Verbindungen, deren Verwendung als Dotand, organisches halbleitendes Material enthaltend die Komplexe, sowie elektronische oder optoelektronisches Bauelement enthaltend einen Komplex |
DE102006054524B4 (de) * | 2006-11-20 | 2022-12-22 | Novaled Gmbh | Verwendung von Dithiolenübergangsmetallkomplexen und Selen- analoger Verbindungen als Dotand |
EP2092807B1 (en) | 2006-12-12 | 2013-04-17 | CDA Processing Limited Liability Company | Composite organic encapsulants |
US20080187748A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-07 | Masayuki Mishima | Organic electroluminescence device |
JP5117199B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2013-01-09 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
DE102007028236A1 (de) | 2007-06-20 | 2009-01-02 | Siemens Ag | Halbleitendes Material und organische Gleichrichterdiode |
-
2007
- 2007-06-20 DE DE102007028238A patent/DE102007028238A1/de active Pending
-
2008
- 2008-06-18 EP EP16203223.9A patent/EP3157072B1/de active Active
- 2008-06-18 KR KR1020107001189A patent/KR101645042B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-18 WO PCT/DE2008/001033 patent/WO2008154914A1/de active Application Filing
- 2008-06-18 KR KR1020157022753A patent/KR101716600B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-18 US US12/665,934 patent/US8513702B2/en active Active
- 2008-06-18 EP EP08773272.3A patent/EP2158625B1/de active Active
- 2008-06-18 KR KR1020167018569A patent/KR101691780B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-18 JP JP2010512514A patent/JP5559044B2/ja active Active
- 2008-06-18 CN CN200880103120.7A patent/CN101785127B/zh active Active
- 2008-06-18 EP EP16203230.4A patent/EP3157073A1/de active Pending
- 2008-06-19 TW TW097122794A patent/TWI374925B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010530618A (ja) | 2010-09-09 |
CN101785127A (zh) | 2010-07-21 |
DE102007028238A1 (de) | 2008-12-24 |
EP2158625B1 (de) | 2017-02-15 |
KR20100050455A (ko) | 2010-05-13 |
KR101645042B1 (ko) | 2016-08-02 |
US8513702B2 (en) | 2013-08-20 |
TWI374925B (en) | 2012-10-21 |
WO2008154914A1 (de) | 2008-12-24 |
CN101785127B (zh) | 2014-03-26 |
EP3157073A1 (de) | 2017-04-19 |
EP3157072A1 (de) | 2017-04-19 |
KR101691780B1 (ko) | 2017-01-09 |
KR101716600B1 (ko) | 2017-03-14 |
US20100308306A1 (en) | 2010-12-09 |
KR20150103320A (ko) | 2015-09-09 |
KR20160088940A (ko) | 2016-07-26 |
EP2158625A1 (de) | 2010-03-03 |
JP5559044B2 (ja) | 2014-07-23 |
EP3157072B1 (de) | 2023-03-22 |
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