JP5788018B2 - 有機発光部品及び電荷輸送層における銅錯体の使用 - Google Patents
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Description
以下に記載される実施形態の多様な構成は、類似して適用可能である場合には、該有機発光部品及び有機層構造体における該銅錯体の該使用にも同じように当てはまる。
図1は、有機発光部品100の第一実施例の概略図を示す。
該正孔輸送層108の該機能は優先的に、該活性層110中への正の電荷キャリヤのバランスのとれた輸送を保証することにある。該正孔輸送層108は、p−ドープされたマトリックス材料であってよい。p−ドーパントとして、式Iによる化学構造を有する少なくとも1個の配位子を有する銅錯体が用いられる:
NPB(N,N′−ビス(1−ナフチル)−N,N′−ビス(フェニル)−ベンジジン、β−NPB(N,N′−ビス(ナフタレン−2−イル)−N,N′−ビス(フェニル)−ベンジジン)、TPD(N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ビス(フェニル)−ベンジジン)、N,N′−ビス(1−ナフチル)−N,N′−ビス(フェニル)−2,2−ジメチルベンジジン、スピロ−TPD(N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ビス(フェニル)−9,9−スピロビフルオレン)、スピロ−NPB(N,N′−ビス(1−ナフチル)−N,N′−ビス(フェニル)−9,9−スピロビフルオレン)、DMFL−TPD(N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ビス(フェニル)−9,9−ジメチルフルオレン、DMFL−NPB(N,N′−ビス(1−ナフチル)−N,N′−ビス(フェニル)−9,9−ジメチルフルオレン)、DPFL−TPD(N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ビス(フェニル)−9,9−ジフェニルフルオレン)、DPFL−NPB(N,N′−ビス(ナフト−1−イル)−N,N′−ビス(フェニル)−9,9−ジフェニルフルオレン)、Sp−TAD(2,2′,7,7′−テトラキス(n,n−ジフェニルアミノ)−9,9′−スピロビフルオレン)、TAPC(ジ−[4−(N,N−ジトリル−アミノ)−フェニル]シクロヘキサン)、スピロ−TTB(2,2′,7,7′−テトラ(N,N−ジトリル)アミノ−スピロ−ビフルオレン)、BPAPF(9,9−ビス[4−(N,N−ビス−ビフェニル−4−イル−アミノ)フェニル]−9H−フルオレン)、スピロ−2NPB(2,2′,7,7′−テトラキス[N−ナフチル(フェニル)−アミノ]−9,9−スピロビフルオレン)、スピロ−5(2,7−ビス[N,N−ビス(9,9−スピロ−ビフルオレン−2−イル)−アミノ]−9,9−スピロビフルオレン)、2,2′−スピロ−DBP(2,2′−ビス[N,N−ビス(ビフェニル−4−イル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン)、PAPB(N,N′−ビス(フェナントレン−9−イル)−N,N′−ビス(フェニル)−ベンジジン)、TNB(N,N,N′,N′−テトラ−ナフタレン−2−イル−ベンジジン)、スピロ−BPA(2,2′−ビス(N,N−ジ−フェニル−アミノ)−9,9−スピロビフルオレン)、NPAPF(9,9−ビス[4−(N,N−ビス−ナフチル−アミノ)フェニル]−9H−フルオレン)、NPBAPF(9,9−ビス[4−(N,N′−ビス−ナフト−2−イル−N,N′−ビス−フェニル−アミノ)フェニル]−9H−フルオレン)、TiOPC(酸化チタン−フタロシアニン)、CuPC(銅フタロシアニン)、F4−TCNQ(2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノ−キノジメタン)、m−MTDATA(4,4′,4″−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン)、2T−NATA(4,4′,4″−トリス(N−(ナフタレン−2−イル)−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン)、1−TNATA(4,4′,4″−トリス(N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン)、NATA(4,4′,4″−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)トリフェニルアミン)、PPDN(ピラジノ[2,3−f][1,10]フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル)、MeO−TPD(N,N,N′,N′−テトラキス(4−メトキシフェニル)−ベンジジン)、MeO−スピロ−TPD(2,7−ビス[N,N−ビス(4−メトキシ−フェニル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン)、2,2′−MeO−スピロ−TPD(2,2′−ビス[N,N−ビス(4−メトキシ−フェニル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン)、β−NPP(N,N′−ジ(ナフタレン−2−イル)−N,N′−ジフェニルベンゼン−1,4−ジアミン)、NTNPB(N,N′−ジ−フェニル−N,N′−ジ−[4−(N,N−ジトリル−アミノ)フェニル]−ベンジジン)又はNPNPB(N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ−[4−(N,N−ジ−フェニル−アミノ)フェニル]−ベンジジン)。
該電子輸送層112の該機能は優先的に、該活性層110中への負の電荷キャリヤのバランスのとれた輸送を保証することにある。そのためには、該電子輸送層112は、n−ドープされた材料を有していてよい。該n−ドーピングのためには、低い仕事関数を有する金属、例えばセシウム、リチウム又はマグネシウムを使用することができる。同様に、これらの金属を含有する化合物、そして例えばCs2CO3、CsF又はLiFがn−ドーパントとして適している。これらのドーパントは、マトリックス材料中へ導入されている。マトリックス材料として、例えばTPBi(1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾル−2−イル)ベンゼン)が適している。
該活性層110は、有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層を有する。該エレクトロルミネセンス材料中で、励起子の形成、引き続きその崩壊に基づき、電磁放射線114の放出が引き起こされる。該電磁放射線114は、該正孔輸送層108及び該陽極102を経て該有機発光部品100から出る。
・ (i)ポリ(p−フェニレンビニレン)及び該フェニレン基上の多様な位置で置換されたその誘導体;
・ (ii)ポリ(p−フェニレンビニレン)及び該ビニレン基上の多様な位置で置換されたその誘導体;
・ (iii)ポリ(p−フェニレンビニレン)及び該フェニレン成分上の多様な位置で及び該ビニレン基上の多様な位置でも置換されたその誘導体;
・ (iv)ポリアリーレンビニレン、その際に該アリーレンは、例えばナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾール等のような基であってよい;
・ (v)ポリアリーレンビニレンの誘導体、その際に該アリーレンは上記の(iv)の通りであってよく、かつ付加的に該アリーレン上の多様な位置で置換基を有していてよい;
・ (vi)ポリアリーレンビニレンの誘導体、その際に該アリーレンは上記の(iv)の通りであってよく、かつ付加的に該ビニレン上の多様な位置で置換基を有していてよい;
・ (vii)ポリアリーレンビニレンの誘導体、その際に該アリーレンは上記の(iv)の通りであってよく、かつ付加的に該アリーレン上の多様な位置で置換基をかつビニレン上の多様な位置で置換基を有していてよい;
・ (viii)アリーレン−ビニレンオリゴマー、例えば(iv)、(v)、(vi)及び(vii)中のものと非共役オリゴマーとのコポリマー;及び
・ (ix)ポリ(p−フェニレン)及び該フェニレン基上の多様な位置で置換されたその誘導体、はしご形ポリマー誘導体、例えばポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)等も含む;
・ (x)ポリアリーレン、その際に該アリーレンは、ナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾール等のような基であってよい;及び該アリーレン基上の多様な位置で置換されたそれらの誘導体;
・ (xi)オリゴアリーレン、例えば(x)中のものと非共役オリゴマーとのコポリマー;
・ (xii)ポリキノリン及びその誘導体;
・ (xiii)ポリキノリンと、溶解度を維持するためにフェニレン上で例えばアルキル基又はアルコキシ基で置換されたp−フェニレンとのコポリマー;及び
・ (xiv)剛直棒状ポリマー、例えばポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾビスチアゾール)、ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾビスオキサゾール)、ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾイミダゾール)及びそれらの誘導体。
(i)トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム、(Alq);
(ii)1,3−ビス(N,N−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(OXD−8);
(iii)−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリナト)アルミニウム;
(iv)ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム;
(v)ビス(ヒドロキシベンゾキノリナト)ベリリウム(BeQ.sub.2);
(vi)ビス(ジフェニル−ビニル)ビフェニレン(DPVBI);及び
(vii)アリールアミン置換ジスチリルアリーレン(DSAアミン)。
図2は、有機発光部品200の第二第一実施例の概略図を示す。図1に関して記載された該第一実施例の構成に加えて、該有機発光部品200は、基板202を有し、該基板上に該電極及び該有機層スタックが施されている。該基板202は、該有機発光部品200の必要な要素ではない。該基板は該層スタックの機械的な安定化に用いられる。同時に、該基板は該有機発光部品200の該図に示されていない封止の要素であってよい。基板202は、同じように該有機発光部品100の第一又は他の実施例に関連して設けられていてよい。該基板は同じように該陰極104上に設けられていてよい。この場合に、逆構造OLEDと呼ばれる。
該有機発光部品は、基礎となる該思想の説明のために幾つかの実施例に基づいて記載されている。該実施例は、その際に、特定の特徴の組合せに限定されるものではない。幾つかの特徴及び構成が、特別な実施例又は個々の実施例と関連してのみ記載されている場合でも、これらはそれぞれ、他の実施例からの他の特徴と組み合わせることができる。実施例において示された個々の特徴又は特別な構成を省くこと又は付け加えることは、一般的な該技術的教示が実現されたままである限りは、同じように可能である。
本明細書において、次の刊行物が引用されている:
[1] 独国特許出願公開(DE-A1)第101 35 513号明細書
102 陽極
104 陰極
106 電流源
108 正孔輸送層
110 活性層
112 電子輸送層
114 放出された放射線
200 有機発光部品
202 基板
204 透明な陰極
206 放出された放射線
E 電場
Claims (11)
- ・電磁放射線を放出するための活性層(110)と;
・陽極(102)と;
・該陽極(102)から該活性層(110)中へ電荷キャリヤ輸送するための、該活性層(110)と該陽極(102)との間に配置された有機電荷輸送層(108)とを有する
有機発光部品(100,200)であって、
該活性層(110)から放出された電磁放射線(114)が、該陽極(102)を介して該有機発光部品(100,200)から取り出し可能であり、かつ
該有機電荷輸送層(108)が、式I:
- 該銅錯体が銅(I)ペンタフルオロベンゾアートである、請求項1記載の有機発光部品(100,200)。
- 該マトリックス材料が、1−TNATA(4,4′,4″−トリス(N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン)を含有する、請求項1又は2に記載の有機発光部品(100,200)。
- 該有機電荷輸送層(108)が、1〜50質量%のドーパント濃度を有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の有機発光部品(100,200)。
- 該有機電荷輸送層(108)が、1質量%よりも多いドーパント濃度を有する、請求項1から4までのいずれか1項記載の有機発光部品(100,200)。
- 該有機電荷輸送層(108)が、5質量%よりも多いドーパント濃度を有する、請求項1から5までのいずれか1項記載の有機発光部品(100,200)。
- 該有機電荷輸送層(108)が、10質量%よりも多いドーパント濃度を有する、請求項1から6までのいずれか1項記載の有機発光部品(100,200)。
- 該電荷輸送層(108)が、該陽極(102)から該活性層(110)の方へのドーピング勾配を有する、請求項1から7までのいずれか1項記載の有機発光部品(100,200)。
- 該電荷輸送層(108)の該ドーピングが、活性層(110)の方へ減少する、請求項8記載の有機発光部品(100,200)。
- 該活性層(110)中で放出された電磁放射線(114,204)の分光範囲内で透明な陰極を有する、請求項1から9までのいずれか1項記載の有機発光部品(100,200)。
- 透明な陽極接点(102)を有するオプトエレクトロニクス部品(100)の有機電荷輸送層(108)における銅錯体の使用であって、該銅錯体が、式I:
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010062877A DE102010062877A1 (de) | 2010-12-13 | 2010-12-13 | Organisches Lichtemittierendes Bauelement und Verwendung eines Kupferkomplexes in einer Ladungstransportschicht |
DE102010062877.8 | 2010-12-13 | ||
PCT/EP2011/070934 WO2012079956A1 (de) | 2010-12-13 | 2011-11-24 | Organisches lichtemittierendes bauelement und verwendung eines kupferkomplexes in einer ladungstransportschicht |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014504454A JP2014504454A (ja) | 2014-02-20 |
JP5788018B2 true JP5788018B2 (ja) | 2015-09-30 |
Family
ID=45217517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013543615A Active JP5788018B2 (ja) | 2010-12-13 | 2011-11-24 | 有機発光部品及び電荷輸送層における銅錯体の使用 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9520575B2 (ja) |
EP (1) | EP2652809B1 (ja) |
JP (1) | JP5788018B2 (ja) |
KR (1) | KR101645784B1 (ja) |
CN (1) | CN103262285B (ja) |
DE (1) | DE102010062877A1 (ja) |
WO (1) | WO2012079956A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010062877A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches Lichtemittierendes Bauelement und Verwendung eines Kupferkomplexes in einer Ladungstransportschicht |
KR101614043B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2016-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
JP2015012105A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 日立化成株式会社 | 有機発光素子 |
DE102014114224A1 (de) | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauteil, Verwendung eines Zinkkomplexes als p-Dotierungsmittel für organische elektronische Matrixmaterialien |
DE102016101710A1 (de) | 2016-02-01 | 2017-08-03 | Osram Oled Gmbh | OLED und Verfahren zur Herstellung einer OLED |
EP3583636B1 (en) * | 2017-02-20 | 2023-05-24 | Novaled GmbH | Electronic semiconducting device, method for preparing the electronic semiconducting device and compound |
US20210074933A1 (en) * | 2018-01-02 | 2021-03-11 | The University Of Hong Kong | Luminescent gold(iii) compounds with thermally stimulated delayed phosphorescence (tsdp) property for organic light-emitting devices and their preparation |
CN109411626B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光器件及其制备方法、照明装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541909B1 (en) * | 1999-03-02 | 2003-04-01 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device with doped transport layer(s) and production method |
DE10135513B4 (de) | 2001-07-20 | 2005-02-24 | Novaled Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
EP2169028B1 (en) * | 2002-03-22 | 2018-11-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same |
DE102004010954A1 (de) * | 2004-03-03 | 2005-10-06 | Novaled Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
JP5102533B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子 |
JP2010153284A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP5182133B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2013-04-10 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子 |
EP2478576B9 (en) * | 2009-09-18 | 2017-09-06 | OSRAM OLED GmbH | Organic electronic device and dopant for doping an organic semiconducting matrix material |
DE102010013495A1 (de) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Dotierstoff für eine Lochleiterschicht für organische Halbleiterbauelemente und Verwendung dazu |
DE102010062877A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches Lichtemittierendes Bauelement und Verwendung eines Kupferkomplexes in einer Ladungstransportschicht |
-
2010
- 2010-12-13 DE DE102010062877A patent/DE102010062877A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-11-24 WO PCT/EP2011/070934 patent/WO2012079956A1/de active Application Filing
- 2011-11-24 KR KR1020137018155A patent/KR101645784B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-24 US US13/993,662 patent/US9520575B2/en active Active
- 2011-11-24 JP JP2013543615A patent/JP5788018B2/ja active Active
- 2011-11-24 CN CN201180059984.5A patent/CN103262285B/zh active Active
- 2011-11-24 EP EP11793377.0A patent/EP2652809B1/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102010062877A1 (de) | 2012-06-21 |
CN103262285B (zh) | 2016-10-12 |
US20130334519A1 (en) | 2013-12-19 |
KR20130116301A (ko) | 2013-10-23 |
EP2652809B1 (de) | 2015-07-01 |
US9520575B2 (en) | 2016-12-13 |
CN103262285A (zh) | 2013-08-21 |
EP2652809A1 (de) | 2013-10-23 |
KR101645784B1 (ko) | 2016-08-04 |
JP2014504454A (ja) | 2014-02-20 |
WO2012079956A1 (de) | 2012-06-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140430 |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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