TW200906930A - Process for producing polyimide film, and polyimide film - Google Patents

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200906930 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 並 本發明係關於黏著性經改良後的聚醯亞胺膜之製造方法 關於聚醯亞胺膜及包銅聚醯亞胺膜。 【先前技術】 聚醯亞胺膜由於具備良好的耐熱性、耐化性、機械性強度、 電特性、、尺寸穩定性等，因此廣泛使用於電氣.電子設備領域、半 ί體領Ϊ等。例如’就繞性印刷電路板(FPC)而言，使用於聚酿亞 胺膜的單面或雙面將銅箔疊層所構成之包銅疊層基板。 然而，聚醯亞胺膜存在黏著性之問題，亦即隔著環氧樹脂系 黏接劑等耐熱性黏接劑而與銅箔等金屬箔接合時，有無法充分增 強^者的黏著之情況。又，即使藉由金屬蒸鑛或缝在聚酿亞^ 膜設置金屬層’依然無法獲籠離強度足夠大的疊層體。 就聚隨亞胺膜之黏著性的改良方法而言，專利文獻1提出一 種如下述的?鐵亞賴之製造法：於㈣亞胺前驅物溶液的 撐性膜(固化膜)之表面，將含有胺基石夕烧系、環氧石夕烧系等耐 表面處理，(偶合劑}的至少一種在0.5重量％以上，且水分含;率 在f重量％以下的表面處理液，加以均勻地塗佈。然後 A.,/ 該表面處取夜後之固化膜加熱至刚〜6(xrc的溫度，而將形 化膜之聚醯麟加以輕胺化，同義蘭行乾燥及理 專利文獻2提出—種如下述的聚醯亞胺膜之製造法 : 清漆流延、乾燥所得到之聚__浸潰在 劑^液f 然後加熱閉環(酿亞胺化）。 ㈣口心液中’ 【專利文獻1】曰本特公平6-2828號公報 【專利文獻2】日本特開昭63-99281號公報 【發明内容】 發明所欲解^^ 200906930 自以往，製造聚醯亞胺前驅物溶液的自支 醯亞胺前驅物溶液流延塗佈在不銹鋼基板、不牙|=等 ΐκ)’自支撐性的程度(指通常的硬化處理前之階段），以； 計白=之溫度加熱2〜60分鐘左右。細，將偶合劑溶液塗 支雜膜之雙面的上述方法巾，鄰接於膜之支魏的一侧 ίΓ生(不同面^鄰接於膜之支撐體的相反側之面(A面)二者有黏 夕，近年來，電子設備的小型化、薄型輕巧化日益進展，隨 等使用的小型化備*要求。作為撓性_電路板(FPC) 2 Jit 賴也要求更_化，且使肖更_聚醯亞 月女膜’具體而έ ’係使用厚20隅以下，甚至b 3薄之聚醯亞胺膜的情況下，在聚酸亞胺前驅 ί生上述方法中，聚醯亞胺膜之«性的會 iii 且也有無法使聚醯亞麵之黏著性充分提高 a面2黏著性的提高效果發生差異，且 汉曲的黏耆性也發生差異的原因如下述。 性气Ζϋί劑含有結合於石夕原子的烧氧基，此统氧基為具有活 物，例如經由與水進行脫醇反應而產生反應。在聚醯 佈液的自支撐性膜將含有魏偶合劑之溶液加以塗 胺化魏錄轉性改變時，糾伴隨醯亞 ^禺5劑二者反應，進行表面變性。然而，依矽 ==ΐ i支r膜的渗入程度，石夕烧偶合劑會不產生i =二ii該魏偶合劑溶液對自支撐性膜的滲人，依自支 。亦即=之殘存量、乾燥溫度及乾燥時間等，而微妙地不 二ί!；Γ種製造生產條件的微妙變化，所得到之聚酿亞ΐ 膜的表面雜、轉性會產生差異。 兄妝 200906930 又，關於矽烷偶合劑溶液對自支撐性膜的滲入，於製造自支 撐性膜時，有時會因為膜表面狀態，鄰接於膜之支撐體的一側之 面(B面）’或者係未鄰接於膜之支撐體的相反側之面(A面），也會 有不同情況。因此，A面及B面的黏著性有時會產生差異。 若為膜厚40μιη左右之較厚的聚醯亞胺膜，此種黏著性差異的 產生情況較少。然而，聚醯亞胺膜較薄時，此種問題有容易發生 的傾向。 本發明之目的為：提供一種聚醯亞胺膜之製造方法，使得到 之聚醯亞胺膜的黏著性之差異減少，並將黏著性經改良後之聚醯 亞胺膜穩定地製造。又’於製造聚醯亞胺前驅物溶液的自支撐性 膜時’鄰接於膜之支撐體的一侧之面(Β面）以及未鄰接於膜之支撐 體的相反側之面(Α面)二者的黏著性幾乎沒有差異。進而，提供一 種剝離強度較大之包銅聚醯亞胺膜，使用以該方法所得到之聚醯 亞胺膜。 解決課題之年殿 本發明係關於下列事項。 1. 一種聚酿亞胺膜之製造方法’具在聚酿亞胺前驅物溶液的自 支撐性膜之單面或雙面將含有内含結合於矽原子之水解性烷氧基 的矽烷偶合劑之溶液加以塗佈’且將其加熱、醯亞胺化之步驟； 而製造出的聚醯亞胺膜之膜厚為7μιη以上30μιη以下； 其特徵為：該含有矽烷偶合劑之溶液實質上並不含水，而於 該溶液中的矽烷偶合劑，結合於矽原子之烷氧基有5%以上被水 解。 2. 如上述1.之聚醢亞胺膜之製造方法，於該溶液中的石夕烧偶合 劑’結合於矽原子之烷氧基有5%〜95%被水解。 3_如上述1.或2·之聚醯亞胺膜之製造方法，該含有矽烷偶合劑 之溶液係於矽烷偶合劑或矽烷偶合劑之有機溶劑溶液，以相對於 烷氧基總量為5〜100莫耳％之範圍加入水，使結合在矽原子之烧 200906930 氧基水解，並因應其需要而添如有機溶劑。 ϋ上述丨·至3·中任―項之聚醯亞麵之製造方法，該魏偶 :有，自，基魏系魏偶合劑、環氧魏系石夕烧偶合劑、 虱硫糸石夕：)：完偶合劑的至少1成分。 m5人t上述丨·至4·中任一項之聚酿亞胺膜之製造方法，該含有石夕 偶合劑之溶液係含有酸觸媒。 造方賴，^述h至5.中任—項之聚醯亞胺膜之製 德人7二種t娜醯亞麵’於製造上述6·之㈣亞麵時，在塗 布3石夕烧偶&劑之溶液的一面，將銅層疊層所構成。 羯而^如上述I之包銅聚酿亞胺膜，以黏接劑在聚醯亞胺膜黏接鋼 成銅I之包銅親亞_，以驗或紐在聚醯亞胺膜形 7_ m 述8·或9·之包銅聚酿亞胺膜，聚醯亞胺膜之膜厚為 7μη^上以下，90度剝離強度為〇 7N/mm以上。旱為 50二9〇度剝離強度係針對包銅聚酿亞胺膜，以拉伸速产 50mm/分進行90度剝離試驗所測定的值。 狎迷度 發明之 子之使結合於石夕原 =面:且將其加熱、酿亞胺化。調製該石媒偶合 二基水解所需之量；以使溶液水解後， 或巧偶合劑之有機溶劑溶液加人水，使結合在 $溶劑。加 藉由塗佈此種魏偶合劑之溶液，即使例如膜厚為7脾 樓性膜之表面時實質上並不含& ’塗佈在自支 以上 200906930 3^)μπι，下’甚至為8μΓη以上25μιη以下，進而為1〇,左右之較 j的聚醯亞胺膜，也不會受製造生產條件之微妙變化所影響，而 月二使相稱於塗佈量之量，例如來自理論殘存率9〇%以上之量的矽 烷偶^劑之化合物確實地殘存在熱處理後的聚醯亞胺膜。因此， 可穩定地得到矽烷偶合劑良好的黏著性改良效果。又，與習知方 法不同地，不論製造自支撐性膜時係鄰接於膜之支撐體的一側之 面(B面）’或者係未鄰接於膜之支撐體的相反側之面(A面），由於 相稱於塗佈量之量的來自魏偶合劑之化合物皆會殘存在熱處理 後的?，酿亞麵，因此於A面及B面二雜接性並*會產生差異。 、▲從而，依本發明，得到之聚醯亞胺膜的黏接性之差異會減少， 並能將黏著性經改良後的聚醯亞胺膜穩定地製造。又，可製造一 種I醯亞胺膜，於製造聚醯亞胺前驅物溶液的自支樓性膜時，鄰 ^膜之支撐_-側之面(B面)以及未鄰接於膜之支撐體的相 反側之面(A面)二者大致無黏著性的差異。 【實施方式】 實施發明之最佳形熊 ^發明巾’在聚醯亞料驅物溶㈣自支雜狀單面或雙 =佈-驗，此溶液含有—_含結合_原子找氧基被水 ί烷偶气劑，且實質上不含水;該塗佈作業後，進行 加熱、醯亞胺化，而製造聚醯亞胺膜。 製造聚醯亞胺前驅物溶液的自支撐性膜時，若有必要，在供 你微粒以後，娜亞胺前驅物溶液流 處理前之階’、’ υ麵自支撐性的程度(指通常的硬化 香』驅物而言，較佳為使用芳香族四叛酸二芳 其中車乂it為以3,3,4,4-聯笨四^^酸二酐(以下也有僅略稱 200906930

BpDA之情況)及對苯二胺(以下也有僅略稱ppd之情況），有時甚 至以4,4 -—胺一本鍵(以下也有僅略稱DADE之情況)製造的聚酿 亞胺前驅物。此時，PPD/DADE(莫耳比)較佳係loo/ο〜85/15。 、又，以均苯四酸二酐(以下也有僅略稱PMDA之情況），或者 為3,3’，4,4，-聯苯四羧酸二酐及均苯四酸二酐之組合的芳香族四羧 酐，以及苯二胺或者聯苯二胺等芳香族二胺所製造的聚醯亞 胺刖驅物也屬較佳。就芳香族二胺而言，較佳為對苯二胺或 ^JD/DADE為90/10〜10/90之芳香族二胺，或者聯曱苯胺(鄰位 體、間位體）。此時，BPDA/PMDA較佳係ο/loo〜90/10。 另外，以均笨四酸二酐、對苯二胺及4,4，_二胺二苯醚所製造 的承醯亞胺珂驅物也屬較佳。此時，DADE/ppD較佳係 10/90 〇 編驅物之合成係藉由在有機溶射，將約略相 =方香族四羧酸二酐及芳香族二胺加以隨機聚合或嵌段聚合而 ίΐ二任—種成分為過多之2種以上的聚驢亞胺前驅物 Git!各严胺前驅物溶液混在-起後，於反應條 造。 料錄絲加溶劑，而使用於自支雜膜的製 1., 聚醯亞胺前驅物溶液之有機溶劑而言，可 啶酮、N，N-二甲基甲醯胺、N，N•二 J 乂比各 胺等。該等有機溶劑可單獨使用，也可併用Y種以^「乙土乙醯 媒、i有驅物溶液中添加醯亞胺化觸 就醯亞胺化觸媒而言，可舉例 合物、該:氮雜環化合物之N_氧化物、二=== 合物、具有絲之芳香族碳新化人物非取代之月女基酸化 其，可適當使用U-二，^ 香族雜環狀化合物。尤 2-甲咪峻、2-乙如純、5m ’、#、Nm·2子米唑、 甲本並咪唑等之低級烷基咪唑，以及 10 200906930 甲 酿亞胺化麟的制量為相對㈣*比疋等之f代吼α定等。 倍當量，尤佳係之酿胺酸單位係购 酸酷就i=:i:而ί肉己，酸醋、單辛基鱗 =:;、三乙二醇單十三=酸:== &之早付is曰、—乙一醇單十八烷基醚之單 二 ，酯、二辛基磷酸酯、二辛基磷酸酯 了一内^ 磷酸醋、二録蠟磷酸醋、雙十 了一曰忒= r：r;.r!^ 三乙胺、三丙胺、三丁胺、單女-丙月女、-丁胺、二甲胺、 就無機微粒而言，可舉二，胺、三乙醇胺等。 (silica)粉末、氧化鎂粉末、氧=狀一=化鈦粉末、二氧化矽 無機氧化物粉末、錄狀氮 、氧化鋅粉末等之 物粉末、碳化雜料之化鈦粉料之無機氮化 酿亞膜時，係將™ 加以流延塗佈w樣4之*醯亞胺前驅物溶液組成物 200906930 溫度加熱2〜60分鐘左右。聚醯亞胺前驅物溶液中，較 物1G〜3Q f量％左右。又，作為聚醯亞胺前驅物溶 1不度較佳為8〜25質量%左右；而作為支撐體，使用例 如不銹鋼基板、不銹鋼帶等。 .陳巾、’在剝離後的自支撐性膜之單面或雙面，必須將石夕 ί *二::之溶液大致均勻塗佈’較佳為均勻平整地塗佈。因此， 均句二膜在膜之單面或雙面可將奶完偶合劑之溶液大致 二a勒可均句平整塗佈的膜；而有必要適當選擇加熱 必，ΐΓίϊΓ熱條件，以得到此種狀態的膜。為得到此種 1匕2=支撐性膜中所含有的溶劑及聚驢亞胺前驅物之酿亞 在在2Q〜4G質量％之範圍；甚至，加熱減量 你彼-C /里之軏圍，且醯亞胺化率在δ〜40〇/。的範圍，此箄 下乾^0上 =支係f測定對象之膜於4耽 式求得之值。由乾^刖的重置W1及乾燥後的重量W2，以下 加熱減量(質量％)1W1—W2)/W1} x 100 9_316^99ί^ΐ^?3亞胺化率’能以採用日本特開平 測定，利用膜及入廍各了水分计的方法而求得；例如，以ir(atr) 率。作為提動^更化品的振動帶峰面積之比’而算出醯亞胺化 骨架伸縮^動料。可彻亞胺錄之對稱伸縮振動帶或苯環 -、容如上述所得到的自支撐性膜之單面或雙面塗備 偶合劑’，且於Γΐ絲基被水解5%以上的石夕院 3水。烷虱基之水解率(被水解之烷氧基的比 12 200906930 :=:=〜7〇%，尤佳為—，最 易殘的水，液中將 獅：二2氧或魏偶合劑之有機溶劑 時，將產生對應於矽_應醇其；^加人有機溶劑。當水解烧氧基 少1成分。 凡/' 、兀&劑、氫硫系矽烷偶合劑等之至 f 就石夕燒偶合劑而言，較佳為 炫、r_環氧丙氧基丙基甲』一乙氣丙，基丙基三甲氧基石夕 基三甲氧基魏等之環氧石;玆環氧環己基)乙 氧J魏、叫(胺乙}个月安丙基甲基二卞=^乙^胺丙基4 =基:垸，乙)儀基 之γ:氫，基甲基二甲氧基魏；氫基; 月女丙基二甲氧其石、Λ,与ri 丫好 α 尤佳為Ν-本-γ- 驅物溶液的有機溶劑(自支撐性膜所 ^如/、t醯亞胺前 ^劑，較佳為與聚醢亞胺前驅物溶液互溶:自同者。作為有機 則驅物溶液之有機溶劑_者亦屬較佳聚酿亞胺 種以上之混合物。 有機:溶劑也可為2 相對於矽烷偶合劑的烷氧基總量，用以 〜100莫耳％，較佳為5〜95莫耳％ ^之水置為5 為15〜60莫耳％，最佳為％、 ·、、、〜7〇莫耳％，尤佳 旲耳/〇最佳為3〇〜60莫耳％之範圍。若水量相對於燒 200906930 氧基總量而未滿5莫耳％，將無法得 超過100莫耳％，則產生塗佈液中殘留面矣右 張力上升而出頦斥泱笙·+、土μ μ未反應之水，塗佈液之表面 礙，得到夕取护π —荨，或者小醯胺酸之醯亞胺化反應受到阻 加入之乂性降低之情況。相對織綠總量， 又，為心;^ ，尤佳為4G〜5()莫耳％左右。 並無特別若㈣域麟為弱酸， 液塗佈 你以矽烷偶合劑之濃度係10,重^ =及i f手r5G重量%之溶液為初始反應液，而進行ί解 ϊί搞反應係於反應溫㈣〜職ίΐ 之範圍，進行1〜10小時左右即可。 較佳=ϋΤί=ί=Γ5ι，換算成水解前之漠度係 f t，分之效果。另—方面，若魏偶合劑之濃度^成太 =^有在膜表面堆積來自魏偶合 醯亞胺膜—不理想之奸的航。⑴θ林付到之t 不含魏偶合敵絲實質上並 t上@塗佈液含有大夏水分時，會有塗時 也會有得到的聚醯亞胺膜之特性降低的情^代生問秋^兄’ f趟H馬合劑之有機溶劑溶液的旋轉黏度(於測定溫度25。(：以 在含雜偶合劑之溶液中，可加人界—_ 止塗佈—斥水及露白。就界面活_而言，可舉例㈣系、氣 14 200906930 更良為含有酸觸媒。由於含有酸觸媒’可得到黏著性 、士” 偶合劑之溶液的塗佈量係可適當決定。例 .者較==性?之支稽體的-側之面、其相反侧之面，2 =二：也=〜孽2’尤佳為3〜餐 、本。有水解後之則完偶合劑的溶液時，能使用公知的方 浸=4= 網版法(silk _)、 刀片塗佈法、壓鱗法、親筒塗佈法、 行加中而㈣合劑之溶液的自支撐性膜進 緩緩進⑽〜3 4亡去〇·05〜5小時；尤佳為， 性地如下述進行：在式係階段 分鐘的第-次加熱處理；其次，在進行約〇.5〜30 0.5〜30分鐘的第二次加熱處理；然後222〇c之=下’進行約 5ΐί%0·5〜30分鐘的第三次加熱處理。若有必要ΐ/溫下， 550 C之較尚溫度下，進行第四 要可在400〜 上的連續加熱處理t，較佳之實施方皿1^、、處理。又，於25〇亡以 ^架等，將直角方向之兩端緣加以至工固定器、扣環、 邊方向，而進行加熱處理。尤其，f 條的固化膜之長 處理時間可較短。 、、襄k較薄厚度之膜時，加熱 依本發明所得到的聚醯亞胺膜 於製造聚m亞賴上_本發m，==‘、、、特舰制。然而， 效果，該聚酿亞胺膜之厚度較佳為著地獲得本發明之 μ以上30_以下，更佳為 15 200906930 以\ ，尤佳為9μηι以上2()μιη町，最佳為10陴 0.002?^)^ C聚醯亞胺膜表面之絲面原子濃度可為 自理論殘存4容耳Π圭為_〜〇.02莫耳加2。又，對於來 90%以上之旦j夜中之矽烷偶合劑未完全汽化時的殘存率）為 化太^的魏偶合敵化合物，可使其殘存在雜亞胺膜。 性良的聚醯亞胺膜係黏著性、_性、金屬蒸鑛 Μ . 黏接劑，在塗佈有矽烷偶合劑之面黏接銅箔等金 到二種iiiii屬蒸鍵或缝而設置銅層等金屬層，藉此，可得 屬包層^膜等金 日月’可传到一種包銅聚醯亞胺膜，例如聚醯亞胺膜之 =’’、、μηι以上3〇’以下，更佳為8师以上25,以下，尤佳

ί ：Ι ； 〇1〇6Ν： ^ 18μ；"Τ ； 90 ^l，J 。y，μ Υ 更佳為〇.6N/inm以上，尤佳為〇.7N/mm fU之厚度可依使用目的而適當選擇，但較佳為 〜21)μιη左右。 π 【實施例】 此等例依實施例進—步詳細說明本發明，但本發明並不限於 [參考例1] 將相對於該魏偶合劑之烧氧基總量為5G莫耳％之量的水， 以及酸觸，加人抑·苯个胺丙基三甲A基雜巾，使其在6(rc 下進订反應5小時’域結合於㈣子之錄基的5()%進行水解。 另外’將,Ν’^ί-—曱基乙醯胺加入所得到之石夕炫偶合劑的部分水 溶液中’献換异成水解前之濃度為％重量％之濃度⑽烧偶合 劑溶液。 σ 將含有該酸觸媒之溶液於4耽下進行熱處理3分鐘時 4.4重量％之Si〇2殘存下來(Si〇2之理論殘存率：ο重量〇/。）。 16 200906930 相對於此’對於未將石夕烧偶合 烧予以部分水解所調製的濃度^口重胺丙基三甲氧基石夕 將其於45(TC下進行熱處理 ==偶合劑^夜，同樣 200〇C下進行埶#：^^ 才 ％殘存少量下來。又，於 處理3分辦，峨也赫少量下來。 在聚合槽中加入既定量之NN- -甲其7^ # 二胺’接著加入3 3, 4 4,丄^:甲基乙_安’其次加入對苯 聚合反應1〇小mu二軒’並使其在3叱下進行 3〇°〇 ^ ： 0.5g/100ml ： 份則為2.4質量份之比·;丨相對於聚酿亞胺前㈣質量 物溶液組成物。此聚合’而得到聚醯亞胺前驅 泊。 亞胺則驅物〉谷液組成物的旋轉黏度為3000 板上塗佈在為支龍之玻璃 支撐體剝離而膜將此薄膜於wc加熱3分鐘後，從 係以相同於參相(相纽5g/m _销，該溶液 為35所旦。/6Λ、曲硌Α方式5周製而得，且以換算成水解前之濃度 乾燥膜的寬方向之兩端部於乞燥。f著，握持該 埶㈤声Α 44Π〇Γ J插入連續加熱爐，亚於爐内之最高加 厚、的^亞胺ΐ件下將該膜加熱、酸亞胺化，製造平均膜 將得二之聚，亞胺膜、黏接片(Du pont Kabushiki Kaisha、 UX )、堊延铜箔（NIKKO MATERIALS Co Ltd、 ! 合」並將此重合物於18°。。下加熱加廢 ' 乂 ； 下進行熱處理1小時，而得到包銅聚醯亞 17 200906930 胺膜。針對此包銅聚醯亞胺膜測定90度剝離強度時，黏接铜箱於 A面側之包銅聚醯亞胺膜為UN/mm ;黏接銅箔於b面側之包銅 聚醯亞胺膜則為Ι.ΟΝ/mm。 — [參考例2] 除對於矽烷偶合劑之N-苯-γ-胺丙基三曱氧基矽烷未加以部分 水解而使用以外，與實施例丨同樣地製造聚醯亞胺膜，得到包二 聚醯亞胺膜。針對此包銅聚醯亞胺膜測定90度剝離強度時，黏接 銅箔於Α面側之包銅聚醯亞胺膜為〇.9N/mm ;黏接銅箔於β面側 之包銅聚醯亞胺膜則為〇.7N/mm。 [參考例3] 除將含有未水解之矽烷偶合劑(N-苯-γ-胺丙基三曱氧基矽烷) 3.5質量％之濃度的乙醇溶液使用作塗佈液以外，與實施例1同樣 地製造聚醯亞胺膜，得到包銅聚醯亞胺膜。針對此包銅聚醯亞胺 膜測定90度剝離強度時，黏接銅箔於Α面侧之包銅聚醯亞胺膜為 〇.9N/mm ;黏接銅箔於B面側之包銅聚醯亞胺膜則為〇 6N/_。 [實施例2] 除聚醯亞胺膜作成時的平均膜厚設為15μηι以外，反複進行 施例1。針對得到之包銅聚醯亞胺膜測定9〇度剝離強度時，黏接 銅箔於Α面側之包銅聚醯亞胺膜為〇 9N/mm ;黏接銅箔於Β面 之包銅聚醯亞胺膜亦為〇.9N/mm。 [參考例4] 除聚fe亞胺膜作成時的平均膜厚設為丨5μιη以外，反複進行泉 义2。針簡到之包峨測定9Q賴離強度時，黏^ 銅^於A賴之包銅聚醯亞胺膜為Q.7N/mm ;黏接 之包銅聚醯亞胺膜則為〇.6N/mm。 【產業上利用性】 如上舰，依本發明，尤其於製造姆亞胺膜時，可使 件到之聚醯亞麵雌著性之差賤少，並能將黏著性經改良後 200906930 的聚醯亞胺膜穩統製造。又，可製造一種聚醯亞胺膜，於製造 補之細的一侧 無黏著性的差異。'、切體的相反狀面(A ©)二者大致 【圖式簡單說明】 (無） 【主要元件符號說明 (無） 19

Claims (1)

1. 200906930 十、申請專利範圍： 白*匕種雜严胺默製造方法，具有在聚醯亞胺前驅物溶液的 獻料或雙面，㈣含有时結合於_子之水解性 魏偶合敎溶液，且將其加熱、醯亞胺化 製造出的聚醯亞_之膜厚為7阿以上 其特徵為： #ϊίί魏偶合劑之溶液實質上並不含水，而於該溶液中的 、凡偶δ背1，結合於矽原子之烷氧基有5%以上被水解。 2.如申請專利範圍帛i項之聚醯亞胺膜之製造方法，其中 g溶液中的魏偶合劑，結合於石夕原子之垸氧基有5%〜95%被水 人士3.如申請專利範圍帛1項之聚醯亞胺膜之製造方法，其中，誃 j魏偶合劑n胁魏偶合劑或魏 ^ 以相對於燒_悤量為5〜觸莫耳％之範圍加入H 、、、σ &在矽原子之烷氧基水解，並依需要對其添加有機溶劑。 4. 如申請專利範圍第丨項之聚醯亞胺膜之製造方法， U偶巧含有選自胺基魏系石幾偶合劑、環氧石規系、= 合劑、氫硫系矽烷偶合劑的至少丨成分。 堝 5. 如申請專利範圍第丨項之聚醯亞胺膜之製造方法，i 含有矽烷偶合劑之溶液係含有酸觸媒。 “ δΛ 6_-種聚醯亞胺膜，以中請專利範圍第丨項 造方法所製造。 π㈣之製 7. —種包銅聚醯亞胺膜，係於製造申請專利範圍第6 ^月安膜時’在塗佈含魏偶合劑之溶液的—面，將鋼層疊層$ 8. 如申請專利範圍第7項之包銅聚醯亞胺膜，其 聚醯亞胺膜黏接銅箔而成。 叫_劑在 9. 如申請專利範圍第7項之包銅聚醯亞胺膜，其 鍍在聚醯亞胺膜形成銅層而成。 4鍍或蒸 20 200906930 10. 如申請專利範圍第8項之包銅聚醯亞胺膜，其中，聚醯亞 胺膜之膜厚為7μηι以上30μηι以下，90度剝離強度為0.7N/mm以 上。 11. 如申請專利範圍第9項之包銅聚醯亞胺膜，其中，聚醯亞 胺膜之膜厚為7μιη以上30μιη以下，90度剝離強度為0.7N/mm以 上。 十一、圖式： 21