TW200905407A - Exposure method, exposure apparatus, condensing pattern forming element, mask, and device manufacturing method - Google Patents

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200905407 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 相關申請案 本申请案主張2007年4月2日提出中請的美 國臨時申 請案第60/907444號、及細年2月27日提出申請的美 國專利中請案（未標記專利中請號）的優先權。 本孓月疋關於在利用微影（Uth〇graphy)過程來製 造例如半導體元件、液晶顯示元件、印刷（print)基板、 CMicro-Electro-Mechanical Systems ^ MEMS) 或者光積體電料的元料，將電關案轉光於感光性 基板上的曝光方法與曝光I置、該曝光中所使用的聚光圖 案形成組件與光罩、該㈣光圖案形成組倾光罩的設計 及製造方法、以及上述元件的製造方法。 【先前技術】 κ 、例如在半導體元件、液晶顯示元件、印刷基板、廳 或者光積體電路等的树的製造過程巾，使㈣是用以於 該些7G件上形成微_案的曝光裝置（例如參照專利文獻 1 )。 [專利文獻1]美國專利第4,636,626號公報 【發明内容】 在上述專利文獻丨所揭示的曝光裝置中，使用相對於 ;糊==而配ί的光罩來轉印圖案’故圖案被 轉Ρ至基板上，而無法將微細的圖案轉印至基板。 因此本發明的目的在於能夠清晰地轉印微細圖案。 200905407 對以it γϊ光方法的特徵在於’包括：第1曝光過程’ 二==方式而配置的光罩照射曝光光，將开:成 接近於上述基板的方式而配置、且 組件照射曝光光，將規定形狀的聚光圖 tit板上，在經上述第1曝光過程而曝光的規 中，至少-部分是I的過程㈣成的上述聚光圖案 本發明的曝光方法的特徵在於 相對於規定的p圖案而靜止的二下曝 ^圖案曝光於基板上㈣1區域；第2曝光過程，一方 面使規定的第2 _與上縣板進行姉魏，-方面將 3第2圖案曝光於上述基板上的上述第1區域，·以及移 對’使要形成上述第1圖案的位置與上述基板進行相 ff，以便將上述第1圖案曝光於上述基板上 =區域不同的第2區域，上述第2曝光過程是在執f 述移動過程時進行的。 丁上 本發明的曝光裝置的特徵在於，包括：第！保持 以接近於基板的方絲保持形成有規定賴案的光罩 ^持部’以接近於上述基板的方式來保持聚光圖案形成 、且件，該聚光圖案形成組件具備多個聚光部，該些 將規定形狀的細案形成於上述基板上；以及照明部，; 上述光罩以及上述聚光圖案形成組件照射曝光光。 本發明的曝光裝置的特徵在於，包括：第丨曝光部， 200905407 的第1職曝絲基板上的第〗區域；第2曝光部， 將規疋的第2圖案曝光於上述基板上的上述第！區域；美 5移=部，使上述基板沿著狀的第！方向而移動；“ 控制上述第1及第2曝光部進行的曝光以及基板 ^進订的上述基板的移動，在進行上述第丨曝光部的 2日二上述控制部使上述第1圖案與上述基板保持為相 1止的狀態，且為了將上述第！圖案曝光於上述基板上 Η幸t第1區域不同的第2區域，而使形成有上述第Ϊ ^案的位置與上述基板進行相對移動，並於此時進行上述 第2曝光部的曝光。 本發明的聚光圖案形成組件的特徵在於，與具有第^ 光罩組合而制，包括多個聚光部，衫個聚光部， Ί 1 ®案是與形成於被曝紐上的光圖案的—部分即 第1光圖案相對應，該多個聚光部形成與上述光圖案的另 一部分即第2光圖案相對應的聚光圖案。 本發明的光罩的特徵在於，與上述聚光圖案形成組件 二=用，可配置成接近於上述被曝光體，且具 弟1圖案。 用於設計本發明的聚光圖案形成組 2於，包括以下過程：將應形成於上述被曝光體 圖案分割成多個細案的組；抽取上述多個光圖案的 =至少一個光圖案而獲得第1光圖案，·抽取上述多個光圖 ^組中的與上述所抽取的光圖案不同的光圖案第 2光圖案；以及求出用以形成上述第2光圖案的上述= 200905407 聚光部的參數，上述第1光圖案的至少一部分與上述第2 光圖案的至少一部分相互重疊著。 本發明的光罩設計方法的特徵在於，包括以下過程： 將應形成於上述被曝光體上的光圖案分割成多個光圖^的 組；抽取上述多個光圖案的組中的至少一個圖案而獲得第 1光圖案；以及根據該第1光圖案而生成上述第i圖^*。 本發明的聚光圖案形成組件的製造方法的特徵在 >於， 包括以下過程：準備透光性基板；以及根據用以形成上述 聚光圖案的上述多個聚光部的設計資料，來對上述 基板實施處理。 、本發明的光罩製造方法的特徵在於，包括以下過程： 準備透光性基板；以及根據上述第丨酸的f訊來對上述 透光性基板實施處理。

本發明的元件製造方法㈣徵在於，包括：曝光過程， 使用本發_曝光方法來將上述規定關如及上述聚光 圖案曝光於感光性基板上；顯影過程，使轉印有上述圖案 ，上述感光性基板顯影，並於上述感光性基板的表面上形 成形狀與上述圖案相對應的光罩層；以及加工過程，經由 上述光罩層⑽上述感絲基板的表面進行加工。 ^明的元件製造方法的特徵在於，包括：曝光過程， =用本旦發明的曝光裝置來將上卿轉光於感光性基板 ’㈣印有上述_的上述感光性基板顯影， 的基板的表面上軸形狀與上職案相對應 的先罩層；以及加工過程，經由上述鮮層來對上述感光 200905407 性基板的表面進行加工。 [發明的效果] 依據本發明，進行包括近接式（proximity)曝光、以 及由聚光圖案形成組件進行的聚光圖案的曝光的多重曝 光。在近接式曝光中，利用聚光圖案的曝光來補償未完全 解析的部分，故而可清晰地轉印微細的圖案。 【實施方式】 ( 根據隨附圖式來說明本發明的實施形態。圖丨是概略 1 地表示本發明的第1實施形態的曝光裝置的構成。圖1中， X軸以及Y轴設定在相對於平板（plate)p平行的方向上， Z軸设疋在相對於平板p正交的方向上。更具體而言， 平面設定成與水平面内平行，+ζ軸設定成沿著垂直方向朝 上。 如圖1所示，第1實施形態的曝光裝置包括：第i保 持部11，以接近於平板P的方式來保持光罩10，該光罩 10上形成有規定的遮光圖案或減光圖案即光罩圖案；第2 ί 保持部21，以接近於平板Ρ的方式來保持聚光圖案形成組 件20，該聚光圖案形成組件20具備多個聚光部（透鏡面） 20a、20b，該些聚光部20a、20b於平板Ρ上形成規定形狀 的光圖案，且該聚光圖案形成組件；以及照明部12、22， 該照明部12、22對光罩1〇及聚光圖案形成組件2〇照射曝 光光。 又，平板P載置於平板平台（plate stage) PS上，該 平板平台PS以使該平板ρ至少沿著γ軸可移動的方式來 200905407 保持該平板p。 而且’保持有光罩1G的第1保持部u 光圖案形成組件20的第2保持部21的構 與聚光圖案形成組件2〇沿著γ方向排列。^ 1〇 璃板再的古平板？的一例是矩形平板狀的玻 ::邊或對角線的長度大於 _ 用薄膜磁頭製造 等。 又有牛蛉體兀件製造用的圓形半導體晶圓 的朗本實施形態的曝光裝置的作用。圖2 Γ圖Γ的板p上的光圖案的 光圖案的平_目；；^^ 1㈣軸辦板p上的 株20而报圖的（C)疋表示猎由聚光圖案形成組 成；平板P上的光圖案的平面圖。 光強::二1中的二曝平板P上的光圖案3°包括: 光強度的明圖宰部^圖案心^训心：具有規定的 中間強度光„ 2，以及光強度小於酬圖案部32的 33a、33b用於开& 3外。此處，中間強度光圖案部 、、v成例如液晶顯示元件等平板顯示器（flat φ T d, IT ^ 的薄膜電晶體（Thin film transistor，TFT ) 電路中的閘極電極邮a ； 極小，例如為2〜3中間強度光圖案部33a、33b的尺寸 本實施形鲅中左右。 〜、r ’將圖2的（a)所示的光圖案30分解 11 200905407 上尺寸較粗的光圖案34、以及如圖2的 處’圖2的广具有細微特徵(feature)的光圖案35。此 ^的(c)中的光圖 尺寸極小，中間強度光圖案部33a、33b。 J 示用於形成光圖案34、35的光罩10及聚光 ^形成組件20的構成，其中，圖3的（&) =置圖，圖3的(b)是沿著圖3的⑷所示的光罩1〇 20的配晉Ϊ的剖面圖’圖3的（C)是聚光圖案形成、组件 : 7圖3的⑷是沿著圖3的(C)所示的聚光 圖案形成組件20的3d-3d線的剖面圖。 透夹(a)、圖3❸(b)所示的光罩10具有形成於 光邻的鉻或氧化鉻等的遮光圖案或減光圖案即遮 tn(f光部）1〇a、L而且，如圖！所示，該光 /·；^目對於平板P空出規定間隔（近接間隙）而配置， 的^、、、、明/12的曝光光的作用下’於平板p上形成圖2 的0>)所示的光圖案34。 od3的⑷、圖3的⑷所示的聚光圖案形成組件 ^ •形成於透光性基板上的透鏡面20a、20b，以及形 ^上述透鏡面2〇a、20b以外的區域中的遮光圖案或減光 圖案即遮光部（減光部）施。而且，如圖i所示，該聚光 圖案形成組件2G相對於平板p以規定關隔而配置， 利用透鏡面20a、20b使來自照明部22的曝光光聚光，藉 在平板1>上糊2的⑷所示的光圖案（聚光圖案） 12 200905407 /處’如圖1所示，光罩10與聚光圖案形成組件20 沿者Y方向並排地配置著。首先，藉由鮮1G而使光圖 案34總括地曝光於平板p上的特定的—個區域中，然後， 使平板平台PS在γ方向上步進移動，藉由聚光圖案形成 組件20而使光圖案35重疊並總括地曝絲平板p上的已 曝光的特㈣-個區域。以此，可在塗佈於平板p上的感 光性材料上形成潛像（latentimage)，該潛像與將圖2的⑷ 所示的光圖案30進行曝光的情形等價。 身例如，在對聚光圖案形成組件20照射平行光時（平行 半角（collimation half angle)實質上為〇。時），將聚光圖 ^形成組件2G與平板p的沿著z方向的間隔（近接間隙） 設為100 //m，且將聚光圖案35的寬度設為3私瓜，則 此時聚光圖案形成組件20的透鏡面2〇a、2〇b的平板p側 的數值孔徑NAP較佳為0.082左右。為了獲得上述平板p 側的數值孔徑NAP而將透鏡面2〇a、20b的焦距設為1〇〇 //m以便使焦點位置位於平板p上，則此時透鏡面2加、 2〇b的開口部直徑較佳為3〇〇 左右。 此處，對聚光圖案形成組件2〇照射曝光光的平行半角 例如可以是〇。〜5。，近接間隙例如可以是丨#m〜1〇〇〇 # m。 再者，圖2的（c)所示的光圖案35中包含的各特徵 的形狀是在一個方向上延伸的細長的矩形，因此，可將與 該特徵相對應的透鏡面20a、20b設為圓柱透鏡（cyiindrical lens)。此時’圓柱狀的透鏡面2〇a、2〇b的軸方向（圖3 13 200905407 的（C)的橫方向）是與光圖案35的各特徵的長度方向相 一致，上述示例的各要素成為沿著與上述圓柱狀透鏡面的 軸方向（不使光折射的經線方向）正交的方向（光折射最 強的經線方向.強主經線方向）的一維要素。 此處，沿著圓柱狀的強主經線方向的剖面形狀例如可 以是圓形、橢圓形等。

園4疋表不汆光圖案形成組件的透鏡面2〇a、2〇b 形例。此處，圖4的（a)是聚光圖案形成組件2〇的聚光 4 20a、20b的配置圖，圖4的⑴是聚光部的第j變形 例的平面圖，圖4的（c)是圖4的⑻的剖面圖，圖4 的U)是聚光部的第2變形例的平面圖，圖4的⑷是 圖4的⑷的剖面圖’圖4的⑴是聚光部的第3變形 例的平面圖，圖4的（g)是圖4的（〇的剖面圖，圖4 的⑻是聚光部的第4變形例的平面圖，圖4的⑴是 圖4的（h)的剖面圖’並且，圖4的⑴是聚光部的第 5變形例的平面圖’圖4的⑴是圖4的⑴的剖面圖。 在圖4的（b)、圖4的（c)所示的第】變形例中，將 圖4的（a)所示的聚光圖案形成組件2〇 率(―圓柱透鏡等價的明暗型(振幅型== 耳透鏡（Fresnel lens )。該明暗型的一維菲涅耳透鏡且 =帶’該遮光帶是由與形成遮光部2〇c的材料相_ = 材^所形成，且排列於規定的—維方向上，並具有向與上 述-維方向正交的方向而延伸的形狀。對於 开; 的明暗型的一維菲罐鏡而言，可利用相同二= 14 200905407 外’第:變』例:2二故而能夠極便宜地製造。此 成光罩10與聚優點：即便於同一基板上形 形成光罩1G岐㈣2組件時’亦可相同的流程而 在圖4的案與聚光部的明暗圖案。 圖4的（〜圖4的^^斤示的第2變形例中，將 倍率與複曲面透：/ 變形例的聚光部作為 板p上㈣棚ί該構成，可卿成於平 ρ上形成矩形===二維控制。例如，當於平板 菲、、圼耳、秀於从去®案時’在正父的兩個方向上將歪像 ;為===_耳透鏡的大小)分別設 度方向的尺寸進“立=該_的長度方向的尺寸與寬 在圖4的⑴、圖4的（§)所示的第3變形例中，將 Θ 4的（b)、圖4的（e)所示的第丨變形例的聚光部作為 ，位型=維菲科透鏡。根據該構成，具有可減少聚光 =的光量損失（1GSS)的優點。再者，第3變形例中，亦 可與第2變形例同樣地將上述聚光部變形為歪像菲淫耳透 鏡。 ^圖4的00、圖4的（i)所示的第4變形例中，將聚 光圖案形成組件的透鏡面20a、20b以如下方式而形成，亦 即，使該透鏡面的頂點具有與聚光圖案形成組件的表面相 同的高度，或者稍位於内側的高度。根據該第4變形例的 構成’當利用蝕刻（etching)等方法來對透光性基板進行 15 200905407 加成透鏡㈣，可減小透級基板的_量，從而 可谷易製造聚光圖案形成組件。 在圖4的⑴、圖4的⑴所示的第5變形例中 聚光圖案形成組件的透鏡面施、施形成為 組件2〇的光人射侧的面。以此，聚光圖案形成組件的聚^ 部並不限定於配置在平板卜則（光射出側）的面上，亦可 配置於聚㈣案形成組件2〇的光人射儀面上。再者，根 據該第5變形儀啟示，亦可對上述第〗至第4變形例進 行變形。 再者’作為透光性基板，可使用例如石英玻璃基板等 由透射紫外光的材料所形成的基板。 圖5是概略地表示本發明的第2實施形態的曝光裝 置。圖5中，X軸以及γ軸設定在相對於平板ρ平行的方 向上，Ζ軸設定在相對於平板ρ正交的方向上。更具體而 言，ΧΥ平面設定成與水平面内平行，+2軸設定成沿著垂 直方向朝上。

於上述第1實施形態中’使用光罩10以及聚光圖案形 成組件20而在平板Ρ上進行曝光，但圖5所示的第2實 施形態中，使用光圖案形成組件40進行曝光，該光圖案形 成組件40將與光罩10等價的光罩圖案區域4〇a、及具有 與聚光圖案形成組件20的聚光部等價的構造的聚光部形 成區域40b形成於一個透光性基板上。 圖5中，光圖案形成組件40藉由保持部41自上方側 (+z軸方向侧）吸附並保持著。該保持部41安裝於台座 16 200905407 j ’以相對於台座GA而在z軸方向上可移動，且圍 5軸及γ轴可傾斜（轉動）。此處，保持部41以如下方 1 =到未圖不的多個致動器（actuat〇r)的驅動控制，亦即， 3光圖案形成_ 4G相對於平板P平行且空出規定的間 ϋ者’ K 5巾’為了便於理解，以較實際情況更偏向 a方向侧的狀態而圖示有較光圖案形成組件4〇更靠近照 明-M2#l的構成。此處，保持部41可視作一體地設置有

保持上述光罩的第丨保持部、以及保持上述聚光圖案 組件的第2保持部。 照明部42是對光圖案形成組件40的光罩圖案區域 =〇a與I光部形成區域4〇b分別供給曝光光。此處，照明 邓42獨立地進行對光罩圖案區域4〇&供給曝光光或者停止 供給曝光光的控制，以及對聚光部形成區域40b供給曝光 光或者停止供給曝光光的控制。再者，照明部42的詳細構 成將於下文描述。 又，塗佈有感光性材料的平板P藉由設置成沿著χγ 平面内可移動的平板平台PS而保持著，並且在未圖示的 平板平台驅動部的驅動控制下，平板p會沿著圖中的χγ 平面内移動。又，在平板平台ps上的離開載置有平板ρ 的ΧΥ平面内的區域的位置上，設置有基準板Rp，該基準 板RP上形成有位置對準用的基準標記。 在第2實施形態的曝光裝置中，包括：用以檢測光圖 案形成組件40的在χγ平面内的位置的第丨對準系統 (alignment system) 43A〜43D、以及用以檢測平板p的 17 200905407 在XY平面内的位置的第2對準系統44A〜44D。 此處，第1對準系統43A〜43D檢測相對於基準板Rp 的光圖案形成組件40的在χγ平面内的位置。亦即，藉由 平台位置量測部來管理基準板RP的在χγ平面内的座 標，該平台位置量測部是量測設置有基準板处的平板平 台PS的在ΧΥ平面内的位置，利用第！對準系統43八〜 來檢測該基準板RP上的基準標記，由此而得知相對於基 準板RP的第1對準系、统43A〜43D的位置。利用該第i 對準系統43A〜43D來檢測光圖案形成組件4〇的位置，由 ，可間接地求出相對於管理χγ座標的基準板的光圖案形 成組件40的位置。 的伞ί Ϊ I2對準系統44A〜44D檢測相對於基準板RP 的千板P的在χγ平面内的位置。如上所述，基準板 在XY平面_鋪受到管理，利 上的基準標記，由對 第；解“第2對準糸統44a〜44d的位置。利用該 第2對準系統44A〜44D來檢測早起p ^ / 接地求出相對於管理、立置，由此可間 其次，參照;6的⑻至=板：板― 實施形態的曝先裝置的曝光動)作圖圖第2 第2實施形態㈣光裝置進行曝#<J)疋表不在 件4〇舆平板p的位置關係的的光圖案形成組 =表不以圖6的胸的順序經曝先的平板p上的(曝) 18 200905407 丹者· μ , 光動作之前，先執行上述對準順序。 , ' ”形成、纟且件40與平板p的相對位置關係總是 由平台位置量測部來管理。 如圖6的（a)印·‘ ^ , ;所不’首先’對平板平台PS進行驅動 二二以使付光圖案形成組件40的僅聚光部形成區域40b 二Ί P # ίτ ’ $後’以照明部42來對聚光部形成區 二40b照射曝光光。如圖7的⑷所示，藉由該總括的曝 光動作而在平板P上形成曝光區域八卜 然後，使平板平台Ps朝-Y方向步進移動，以使得光 圖案形成組件4〇的光罩圖案區域術與曝光區域A1相重 宜，並且以照明部42來對光罩圖案區域術與聚光部形成 區域40b照射曝光光。以此，如圖7的（b)所示，於平板

^上’利用透過光罩圖案區域4Ga的曝光光而形成與曝光 區域A1相重璺的曝光區域Bi，同時，利用透過聚光部形 成區域40b的曝光光而形成與曝光區域B1的+γ方向侧相 鄰接的曝光區域A2。 其後’如圖6的（c)、圖6的（d)所示，反覆地進行 如下操作：使平板平台PS朝-Y方向步進移動，以及以照 明部42來對光罩圖案區域4〇a與聚光部形成區域4〇b照射 曝光光’從而形成圖7的（c)、圖7的（d)所示的曝光區 域 A3、A4、B2、B3。 接著’使平板平台PS朝-γ方向步進移動，以使得光 圖案形成組件40的光罩圖案區域40a與曝光區域A4相重 疊’並成為圖6的（e)所示的位置關係，然後，以照明部 19 200905407 42來僅對光罩圖案區域4〇a明 L 、、射曝先先。藉此，如圖7的 光光而开/志盥蔽氺re，利用透過光罩圖案區域40&的曝 =相重疊的曝光區域B4。 圖宰PS—方向步進移動，以使得光 =案=組件40與平板p成為圖㈣⑺

係’隨後’以照明部42來僅 且PJ 井。蕻+ 水僅對先罩圖案區域40a照射曝光 術的曰'的⑺所示，利用透過光罩圖案區域 方==成與平板P上的曝光區域A4、B4的+X 方向側相鄰接的曝光區域A5。 圖幸Ϊ平板平台叫㈣方向步進移動，以使得光 ^案形成組件的聚光部形成區域她與曝光區域A5相重 成為圖6的（g)所示的位置關係。並且，以照明部 二、光罩圖案區域40a與聚光部形成區域杨照射曝光 祕!^如圖7的（g)所示，利用透過光罩圖案區域4〇a 南丨田、、、而形成與曝光區域A5相重疊的曝光區域B5，並 •用透過料部形航域働的曝光光而形成與曝光區域 5的-Y方向側相鄰接的曝光區域A6。 如1後如圖6的（h)、圖6的（i)所示’反覆地進行 日月立操作使平板平台PS朝+Y方向步進移動，以及以照 ^邛42來對光罩圖案區域40a與聚光部形成區域40b照^ 光光’從而形成圖7的（h)、圖7的（i)所示的曝 域 A7、A8、B6、B7。 圖安接著’使平板平台ps朝+y方向步進移動，以使得光 *形成組件40的聚光部形成區域40b與曝光區域A8相 20 200905407 重疊，並成為圖6㈤⑴所示的位置關係 '然後，以照明 部42來僅對聚光部形成區域條照射曝光光，並如圖7 的⑴所不，利用透過聚光部形成區域她的曝光光而形 成與曝光區域A8相重疊的曝光區域B8。 如上所述，第2實施形態的曝光裝置中，使平板平台 PS在XY方向上可移動’故而具有如下效果：可使光圖案 形成組件40相對於平板P而小型化，從而可降低光圖案 形成組件40本身的成本，並且可減小光圖案形成組件4〇 在重力作用下產生的彎曲的影響，由此可在高精度的前提 下進行光圖案曝光。 其次，參照圖8來說明照明部42的構成。此處，圖8 的（a)是表示自光源至光分支部為止的光路中的光學配 置’圖8的（b)是表示自光分支部至細案形成組件為止 的光路中的光學配置。圖8中，X軸以及γ軸設定在相對 於平板Ρ平行的方向上，Ζ軸設定在相對於平板ρ正交的 方向上。更具體而言，χγ平面設定成與水平面内平行， +Ζ轴設定成沿著垂直方向朝上。 圖8的（a)中’例如由超高壓水銀燈extra high pressure mercury lamp)光源構成的光源411所射出的光束，被橢 圓鏡412以及分色鏡（dichroic mirror) 413反射後，入射 至準直透鏡（collimator lens) 414。藉由橢圓鏡412的反 射膜以及分色鏡413的反射膜而取出包含g線（波長為436 nm)、h線（波長為4〇5 nm)及i線（波長為365 nm)的 光的波長帶的光，從而上述包含g、h、i線的光的波長帶 21 200905407 的光入射至準直透鏡414。又，由於光源411配置於橢圓 鏡412的第1焦點位置上，故而包含g、h、i線的光的波 長帶的光在橢圓鏡412的第2焦點位置上形成光源像。形 成於橢圓鏡412的第2焦點位置上的光源像的發散光束在 準直透鏡414的作用下成為平行光束，並透過波長選擇型 據波器415，該波長選擇型濾波器415僅使規定的曝光波 長帶的光束透過。 通過波長選擇型濾波器415後的照明光通過減光濾光 片416 ’在聚光透鏡417的作用下聚光於光導纖維 (lightguide fiber) 418 的入射口 418A。此處，光纖 418 例如疋隨機地捆束許多纖維線（fiberwire)而構成的隨機 先導纖維’該光導纖維418包括入射口 418A與兩個射出 D (以下稱為射出口 418a、418b)。 如圖8的（b)所示，入射至光導纖維418的入射口 418A的照明光於光導纖維418的内部傳播，然後，被兩個 射出口 418a、418b分割而射出’並分別入射至兩個部分照 明光學系統’上述兩個部分照明光學系統對光圖案形成組 件40的光罩圖案區域4〇a與聚光部形成區域4〇b進行部分 地照明。 自光導纖維418的射出口 418a、418b射出的照明光通 過配置於射出口 418a、418b附近的光閘（shutter) 419a、 41% ’然後，在準直透鏡421a、421b的作用下成為平行光 束’並入射至作為光學積分器（0ptical integrat〇r)的複眼 透鏡（fly eye lens) 422a、422b。形成於複眼透鏡422a、 22 200905407 422b的後侧焦點面上的許多二次光源產生的照明光，分別 透過聚光透鏡（condenser lens) 424a、424b而入射至光路 合成組件425的偏向反射面425a、425b ,並在通過上述兩 個偏向反射面425a、425b的脊線（ridge line )的面上，形 成鄰接狀態的兩個照明區域。 來自上述兩個照明區域的光在具備聚光透鏡群426及 偏向凹面鏡427的再成像光學系統的作用下，導入至光圖 案形成組件40。此時，於光圖案形成組件4〇的光罩圖案 區域40a上’形成兩個照明區域中的一個照明區域的像， 並於聚光部形成區域4〇b上，形成兩個照明區域中的另一 個照明區域的像。 此處’兩個部分照明光學系統中的光閘419a、41% 分別受到光閘驅動部420a、420b的驅動控制，且該光間 419a、419b可獨立地控制光圖案形成組件40的光罩圖案 區域40a與聚光部形成區域40b的照明的接通/斷開切換。 又，兩個部分照明光學系統中的複眼透鏡422a、422b設置 成使光軸方向的位置及光轴垂直面内的位置可變更，在複 眼透鏡驅動部423a、423b的驅動控制下，變更光軸方向的 位置及光轴垂直面内的位置。藉此，可控制入射至光圖案 形成組件40的光罩圖案區域40a與聚光部形成區域4〇b 中的照明光的焦闌性（telecentricity )(遠心性）。上述複眼 透鏡驅動部423a、423b可視作照明焦闌性控制部。 圖9的(a)至(c)是用以說明藉由對照明光的焦闌性的 控制，而可控制聚光部形成區域40b的聚光圖案的倍率。 23 200905407 圖9的（a)表示將複眼透鏡422b定位於基準位置ini的 ^。圖9的（a)中’複眼透鏡422b定位於聚光透鏡· 的削側焦點位置上，將該狀態下的複眼透鏡422b的位置嗖 為基準位置。當以上述方式將複眼透鏡422b定位於基準位 2風來自該複眼透鏡422的光經由聚光透鏡再成 f先千糸統（426、427)後，以遠心（★她i〇的昭明 ^ (照明光駐紐與練平行狀態下的㈣光對 :部:多成明先於聚光部形成區域 聚光^ 上的基準位置上形成 圖9的（b)表示使複眼透鏡422b自基準位置 =方向移動的狀態。此時’照射至聚光部形成區域二 土的=光離開遠心狀態，並在平板p上的偏離基準位置 圖案的倍率後的狀態等價的狀態。 變更t先 * 又，圖9的（c)表示使複眼透鏡42此自美 朝光軸垂直方向移動後的狀態；1 區域·上的㈣t，其椒㈣=== 成於平板?上的聚光圖案是她p 於使:f圖案位置在平板ρ上橫向移動後Lr 性的狀離所透鏡422b移動而變更照明光的焦闌 的紅減，可對形成於平板p上㈣光圖案的等方 24 200905407 性倍率、形纽置等進行控制。 動，二而使複眼透鏡4脚 的隹闌性’因2 * 案區域40a進行照明的照明光 明；!开二:亦可對藉由透過光罩圖案區域術的照 宰位置的上的光圖案的等方性倍率、以及光圖 ㈣= (在平板p上的移動）進行控制。從而， 妒奸即便在光罩圖案區域撕以及聚光部 地形成於一個組件上的情況下，亦可分別獨立 、卫1由光罩圖案區域4加所轉印的光圖案的倍率、位置 以及由聚光部形成區域働所形成的聚光圖案的倍率、位 置0 返回圖5 ’於第2實施形態中，用以檢測照明光的焦 闌性狀態的焦雜㈣裝置設置於外反平台PS上的基準 板RP内。參照圖〗〇來說明該焦闌性檢測裝置的詳細情況。

圖10疋抽取基準板RP的一部分所成的XZ剖面圖。 圖10中，於構成基準板RP的透光性基板45A的一部分區 域上，开》成有聚光透鏡面45B。再者，該聚光透鏡面45B "T形成於透光性基板45A的光的入射側的面上，而非光的 射出側的面上’而且，亦可形成於繞射面上，而非透鏡面 上。在與該聚光透鏡面45B相對應的光入射側（+Z方向 側）的區域的周圍形成有遮光部45C，入射光經由未形成 有該遮光部45C的區域即光通過區域而被引導至聚光透鏡 面45B，並藉由該聚光透鏡面45B而聚光，然後被引導至 配置於聚光透鏡面45B的後側焦點位置上的光檢測器46。 25 200905407 光檢測器46例如可設為二維電荷耦合裝置（Charge Coupled Device，CCD)，該光檢測器46檢測經聚光透鏡 面45B而聚光的光點（sp〇t)的光量重心位置。根據該光 檢測器4 6所檢測的光點的光量重心位置，而可量測入射的 照明光的焦闌性的狀態。 再者，在透光性基板45A上的聚光透鏡面45B的周 圍，形成+有用以防止雜散光（stray light)的遮光部45D。 又’亦可藉由透光性基板45A的光入射侧的遮光部45c而 形成上述基準標記。 第2實施形態中’使用上述第2對準系統揪〜44d 埶=明焦闌性控制部，即便於平板p中存在因流程中的加 非線性變形，亦可配合該變形來對光圖案 。亦即’使料2對準系統44α〜44 == 準，藉此，可求出該平㈣等方性： i 變:分變化(變形)量、 變化（變形）量。接著，祀摅兮二以及非線性倍率成分 ρ而求出對於母個曝光位置广 求出圖6的（a)〜圖元圖案的形成位置（亦即， 的形成位置）。秋後，以久膜j)的對於每個位置的光圖案 所求出的光圖案的形成位平尺出用以叹疋 2實施形態尹，為複眼透鏡驅動邱^控制部的驅動量（第 接著，在進行曝光動作時，以各暖^、42外的驅動量）。 _制部來控制照射至先草圖案二=照= 26 200905407 f、闌性的狀態、以及照射至聚光部形成區域働上的照明 光$焦閣性’同時進行曝光。藉此，即便於平板p中存在 口抓耘中的加熱處理而引起的非線性變形，亦可配合該變 形來對光圖案進行曝光。 圖11是概略地表示本發明的第3實施形態的曝光裝 置。圖11中，X軸以及Y軸設定在相對於平板p平行的 方向上，Z軸設定在相對於平板p正交的方向上。更具體 (''而έ，又¥平面設定成與水平面内平行，+Z軸設定成沿著 垂直方向朝上。 於上述第2實施形態中，反覆地進行平板ρ在乂丫平 面内的相對於光圖案形成組件40的步進移動以及總括曝 光，從而對平板Ρ的整個板面進行曝光，但於圖所示 的第3實施形態中，將多個光罩10Α〜10Ε及聚光圖案形 成組件20Α〜20Ε在與平板ρ大致平行的面内排列成鑛齒 狀，並反覆地進行使平板Ρ朝一個方向的步進移動以及總 括曝光，從而對平板ρ的整個板面進行曝光。 C/ 圖11中，多個光罩10A〜10E是與上述第丨實施形態 所示的光罩10等價，多個聚光圖案形成組件2〇A〜如 與第1實施形態的聚光圖案形成組件20等價，因而此處= 略詳細說明。該些光罩10A〜10E分別載置於保持部nA 〜11E上，該些保持部11A〜11E設置成於z軸方向上可 移動，且圍繞X轴及Y軸可傾斜（轉動）。此處，藉由未 圖示的多個致動器來驅動控制上述保持部11A〜11E7以使 得光罩10A〜10E相對於平板ρ平行且空出規定的間隔。 27 200905407 再者，保持部11A〜11E可視作多個第1保持部。 又’多個聚光圖案形成組件20A〜20E分別載置於保 持部21A〜21E，該些保持部21A〜21E設置成於Z軸方向 上可移動，且圍繞X軸及γ軸可傾斜（轉動）。此處，藉 由未圖示的多個致動器來驅動控制上述保持部21A〜 21E，以使得聚光圖案形成組件2〇A〜2〇E相對於平板p 平行且空出規定的間隔。再者，保持部21A〜21E可視作 多個第2保持部。 多個照明部12A〜12E是對多個光罩i〇A〜10E分別 供給曝光光的機構，可各自獨立地控制曝光光的供給、停 止。又’多個照明部22A〜22E是對多個聚光圖案形成組

件、分別供給曝光光的機構，可各自獨立地控制 曝光光的供給、停止。於上述多個照明部12A〜12E、22A 〜22E中’設置有與上述第2實施形態相同的賴性控制 部’該焦’控制部可分別獨立地變更照射至多個光罩 10A〜10E及多個聚光圖案形成組件2 〇 A〜2 〇E上的照明光 的焦闌性的狀態。 圖11中’平板對準系統44A〜44D且有與第2實 Z態的第2對準系統44A〜柳相同的構^，故而此處 4略說明。 平板P載置於在射的γ方向上可猶的平板平台 圖示的驅動部的驅動控制下，平板P沿著Y 移動在平板平台PS的Υ方向的端部上，安裝有 土 RP。上述平板對準系統44A〜44D是以該基準板 28 200905407 —·---1--- R為基準而進行平板p的位置檢 干涉儀一可視作對平板平台ps二方=、 圖中z方向為軸的旋轉方向（方向）進行檢測的 平台位置量測部。 又’多個光罩10A〜的在χγ平面内的位置及以z 方^軸的旋轉方向（ΘΖ方向）、以及多個聚光圖案形成 組件20A〜2G的在χγ平面内的位置及以ζ方向為轴的旋

轉方向（θζ方向）’可藉由埋入至基準板Rp内的未圖示 的對準系統而檢測。 圖12是表示多個光罩1〇A〜1〇E及多個聚光圖案形成 組件20A〜20E的配置的平面圖。 圖12中，多個光罩1〇A〜1〇E中的光罩1〇A、1〇c、 10E是在與γ方向正交的χ方向上，空出規定間隔並作為 第1行而配置於-Υ方向側，光罩1〇B、1〇D是在與γ方向 正交的X方向上空出規定間隔並作為第2行而配置於+γ 方向侧。 又’多個聚光圖案形成組件20A〜20E中’聚光圖案 形成組件20A、20C、20E在與Y方向正交的X方向上， 空出規定間隔並作為第3行而配置於_γ方向側，聚光圖案 形成組件20B、20D在與Υ方向正交的X方向上，空出規 定間隔並作為第4行而配置於+γ方向側。 多個光罩10A〜10E分別包括第1光罩圖案區域10A1 〜10E1、以及配置於該第1光罩圖案區域1〇A1〜1〇E1的 周圍的第2光罩圖案區域l〇A2〜10E2。此處，於X方向 29 200905407 上，以使第2光罩圖案區域10A2〜10E2相重疊的方式來 決定各光罩10A〜10E的配置情況。 第2光罩圖案區域10A2〜10E2是利用光罩10A〜10E 進行曝光時在平板P上彼此重疊的區域，亦稱為交疊 (overlap)區域。 第1行的光罩10A、10C、10E的在X方向上的間隔 是與第2行的光罩10B、10D的第1光罩圖案區域（非交 疊區域）10B1、10D1的在X方向上的寬度W101相等。 而且，第2行的光罩10B、10D的在X方向上的間隔是與 第1行的光罩10C的在X方向上的寬度W101相等。 又’多個聚光圖案形成組件20A〜20E分別包括第3 聚光圖案區域20A1〜20E1、以及配置於該第3聚光圖案 區域20A1〜20E1的周圍的第4聚光圖案區域20A2〜 20E2。此處，在X方向上，以使第3聚光圖案區域2〇A2 〜20E2相重疊的方式來決定各聚光圖案形成組件2〇a〜 20E的配置情況。 第4聚光圖案區域20A2〜20E2是利用聚光圖案形成 組件20A〜20E進行曝光時在平板p上彼此重疊的區域， 亦稱為交疊區域。 第3行的聚光圖案形成組件2〇A、2〇c、2〇E的在X 方向上的間隔是與第4行的聚光圖案形成組件2〇B、2〇D 的第3聚光圖案區域（非交疊區域）2〇B1、2〇D1的在χ 方向上的寬度W1G1相等。而且，第4行的聚光圖案形成 組件20B、2GD的在X方向上的間隔是與第3行的聚光圖 30 200905407 案形成組件20C的在X方向上的寬度W101相等。再者， 第3實施形態中，將多個光罩1〇八〜1〇E的第丨光罩圖案 區域（非交疊區域）的在X方向上的寬度、與多個聚光圖 案形成組件20A〜20E的第3聚光圖案區域（非交疊區域） 的在X方向上的寬度一起設為wioi。然而，無需將上述 多個光罩以及聚光圖案形成組件的非交疊區域的在x方向 上的寬度設為相等。 此處，若將光罩以及聚光圖案形成組件的數量設為 η，則利用光罩以及聚光圖案形成組件來進行曝光的χ方 向的寬度的最大值為： nxW101+ {(η+1) χ (W102-W101) /2} 。再者，於第3實施形態中，光罩以及聚光圖案形成 組件的數量為5，該數量是可以是自然數，而並非限定為 奇數。 如下所述，於第3實施形態中，經第1行的光罩ι〇Α、 IOC、10Ε而曝光的區域與經第3行的聚光圖案形成組件 20Α、20C、20Ε而曝光的區域在平板ρ上相重疊。此時， 若將第1行的光罩l〇A、10C、10E的第1光罩圖案區域（非 交疊區域）10A1、10C1、10E1的在Y方向上的長度設為 L10，將第3行的聚光圖案形成組件2〇A、20C、20E的第 3聚光圖案區域（非交疊區域）20A1、20C1、20E1的在Y 方向上的長度設為L20，且使L10與L20相等，則第1行 與第3行的Y方向的間隔S1滿足如下條件：

Sl=mxL10，或者 Sl=mxL20 31 200905407 (其中，m為除〇以外的整數）。再者，可使用配置於 第1行的光罩10Α、IOC、10Ε的中心、與配置於第3行的 聚光圖案形成組件20Α、20C、20Ε的中心的在γ方向上 的間隔’來作為第1行與第3行的γ方向的間隔S1。 同樣地，於第3實施形態中，經第2行的光罩10B、 10D而曝光的區域與經第4行的聚光圖案形成組件2〇B、 20D而曝光的區域在平板p上相重曼。此時，若將第2行 的光罩10B、10D的第1光罩圖案區域（非交疊區域） 10B1、10D1的在γ方向上的長度設為u〇，將第4行的 聚光圖案形成組件20B、20D的第3聚光圖案區域（非交 疊區域）20B卜20D1的在Y方向上的長度設為—，且 使U0與L2〇相等，則第2行與第4行的γ方向的間隔 S1滿足如下條件：

Sl = mxL10，或者 Sl = mxL20 (其中，m為除〇以外的整數再者，可使用配置於 鮮應、財心、與配置於第作的聚光 成組件施、綱的中心的在γ方向上的間隔，來 作為第2行與第4行的Υ方向的間隔S2。 再者^上所述中，沿著Y方向㈣丨行、第冰、 仃及第4㈣順序而配置多個光罩1ga〜腦以 個聚光圖案形成組件胤〜施，但例如亦可 方向 以第1行、第3行、第2行及第4行的順序口 〇, 第1行與第2行的順序可調換，第. 丁_ 。， 亦可調換。 们仃與第4行的順序 32 200905407 裝置^光來說明第3實施形態的曝光 (a)〜圖14的（c) ' 〇〜圖13的（c)、圖14的 態的曝光裴置進行曝 ^ 的（a)是表示第3實施形 個聚光圖案形成組件2〇A〜〜應及多 的變化情況的平面圖，^ h 與千板P之間的位置關係 14的⑷〜圖4圖的(= 13的（a)〜圖13的（J^圖15的（b)是表示以圖 以及圖15的（a)的:、14的（a)〜圖14的（c) 及多=光= 光動作之前，進行多個光= 如圖η 件2〇T與平板p的對準操作。 動控制，以使it ηΓ錢，對平板平台ps進行驅 便侍先罩1〇A、10C、10E盥平祐p相*晶 然後’以照明部12α、12Γ 1水m /、 且 照射曝光光。如圖13的⑷=來對^1GA、1GC、1〇E ^ , 口 13的（d)所不，藉由該總括曝光動作

而在平板P上形成曝光區域All、A12、A13。 然後，如圖13的（b)所示，使平板平台PS朝-Y方 10A'1〇C>10E A1 j ^ A12、A13的-Y方向側。接著，以照明部12A、12C、12E 來對光罩10A、l〇c、廳照射曝光光。藉此，如圖13的 (e)所示，於平板P上，利用透過光罩ι〇Α、1〇(：、舰 的曝光光而形成鄰接於曝光區域All、A12、A13的-Y方 向側的曝光區域A21、A22、A23。此時，曝光區域All、 A12、A13中的由光罩10A、l〇C、10E的第2光罩圖案區 33 200905407 域10A2、10C2、10E2所形成的-Y方向侧的部分、與曝光 區域Α21、Α22、Α23中的由光罩10Α、i〇c、log的第2 光罩圖案區域10Α2、10C2、10Ε2所形成+Υ方向側的部 分，在平板Ρ上彼此重疊。 其次，如圖13的（c)所示，使平板平台ps朝_¥方 向步進移動’以使得光罩10A、10C、10E鄰接於曝光區域 A21、A22、A23的-Y方向側，且使得光罩i〇B、1〇D位 於曝光區域All、A12、A13之間。接著，以照明部12A、 12C、12E來對光罩l〇A、10C、10E照射曝光光，並且以 照明部12B、12D來對光罩l〇B、l〇D照射曝光光。藉此， 如圖13的（f)所示，於平板ρ上，利用透過光罩1〇A、 10C、10E的曝光光而形成鄰接於曝光區域A2卜a〕】、A23 的_Y方向側的曝光區域A31、A32、A33，並利用透過光 罩10Β、10D的曝光光而形成位於曝光區域A11、Α12、 Α13之間的曝光區域Α14、Α15。 此時’曝光區域Α21、Α22、Α23中的由光罩1 〇Α、 10C、10Ε的第2光罩圖案區域i〇a2、10C2、10Ε2所形成 的-Υ方向側的部分、與曝光區域Α31、Α32、Α33中的由 光罩10Α、10C、10Ε的第2光罩圖案區域i〇A2、10C2、 10Ε2所形成的+Υ方向侧的部分，在平板ρ上彼此重疊。 而且’曝光區域Α14中的由光罩10Β的第2光罩圖案 區域10Β2所形成的-X方向側的部分、與曝光區域An中 的由光罩10A的第2光罩圖案區域i〇A2所形成的+X方向 侧的部分相重疊，並且曝光區域A14中的由光罩10B的第 34 200905407 2光罩圖案區域ι〇Β2所形成的+χ方向側的部分、與曝光 區域Α12中的由光罩10C的第2光罩圖案區域1〇(：2所形 成的-X方向側的部分相重疊。 同樣地，曝光區域A15中的由光罩l〇D的第2光罩圖 案區域10D2所形成的—χ方向侧的部分、與曝光區域A12 中的由光罩10C的第2光罩圖案區域i〇c2所形成的+χ方 向侧的部分相重疊，並且曝光區域Α15中的由光罩1〇D的 f 第2光罩圖案區域10D2所形成的+χ方向侧的部分、與曝 光區域Α13中的由光罩loc的第2光罩圖案區域1〇(：2所 形成的-X方向侧的部分相重疊。 其次，如圖14的（a)所示，使平板平台朽朝_¥方 向步進移動，以使得光罩10A、1〇c、1〇E鄰接於曝光區域 A31、A32、A33的-Y方向側，且使得光罩1〇B、1〇D鄰 接於曝光區域A14、A15的·Υ方向側，並以照明部12A〜 12E來對光罩i〇A〜1〇E照射曝光光。如圖14的⑷所 ^藉由該總括曝光動作而在平板P上形成曝光區域A41 〜A43、A24、A25。 然後，如圖14的（b)所示，使平板平台ps朝彳方 向步進移動’以使得光罩1GA、1GC、應鄰接於曝光區域 A41、A42、A43的-γ方向侧，且使得光罩1〇B、i〇d鄰 接於曝光11域A24、A25的·Υ方向側。此時，聚光圖案形 成組件20Α、20C、20Ε與曝光區域AU、Α12、Α13重聂 著。 且 於上述步進動作之後’以照明部12Α〜12Ε來對光罩 35 200905407 10A〜10E照射曝光光，同時以照明部22A、22c、迸來 對聚光圖案形成組件2GA、2()C、細照射曝光光。如圖 14的（e)所示，藉由該總括曝光動作而在平板p上形成 曝光區域A51〜A53、A34、A35，且以與曝光區域AU〜 A13的區域相重疊的方式而形成曝光區域mi〜Bi3。 其次，如圖14的（c)所示，使平板平台朽朝_¥方 向步進移動，以使得光罩、1GC' 鄰接於曝光區域 A5卜A52、A53的-Y方向侧，光罩1〇B、鄰接於曝 光區域A34、A35的-Y方向側’且使得聚光圖案形成組件 20A 20C、20E 鄰接於曝光區域 Bn (A11)、B12(A12)、 B13 (A13)的-γ方向侧’並以照明部12A〜12E、22A、 22C、22E來對光罩1〇A〜以及聚光圖案形成組件 20A，20C、20E照射曝光光。如圖14的⑴所示，藉由 該總括曝光動作而在平板P上形成曝光區域a61〜A63、 A44、A45,且以與曝光區域A21〜A23的區域相重疊的方 式而形成曝光區域B21〜B23。 、，如圖15的（a)所示，於上述總括曝光動作之後，使 平板平台ps朝-γ方向步進移動，以使得光罩1〇A、1〇c、

10E鄰接於曝光區域A61〜A63的_丫方向侧，且使得光罩 1 OB，10D鄰接於曝光區域A44、A45的-Y方向側。此時， 聚光圖案形成組件2〇A、20C、20E與曝光區域A3卜A32、 A33重疊著，聚光圖案形成組件2〇B、2〇d與曝光區域 A14、A15重疊著。然後，以照明部12A〜12E、22A〜22E 來對光罩l〇A〜10E以及聚光圖案形成組件2〇A〜2〇E照 36 200905407 射曝光光。 如圖15的（b)所示，藉由上述總括曝光動作而在平 板p上形成曝光區域A71〜A73、A54、A55，以與曝光區 域A31〜A33的區域相重疊的方式而形成曝光區域〜 B31，且以與曝光區域A14〜A15的區域相重疊的方式而 形成曝光區域B14〜B15。 以下，反覆地進行上述的朝向γ方向的步進動作以及 總括曝光動作，以於平板p上進行曝光。 如上所述，於第3實施形態的曝光裝置中，使用了配 置成鑛齒狀的多個光罩〜歷以及配置成鑛齒狀的多 個聚光圖案形成組件胤〜施，故而具有如下的效果： 可使光罩1GA〜1GE以及聚光圖案形成組件觀〜2〇E相 對於平板P而小型化，從而可降低光罩1〇A〜1〇E及聚光 圖案形成組件20A〜20E本身的成本，並且可減小光罩1〇A 〜1〇E及聚光圖案形成組件20A〜20E在重力作用下產生 的彎曲的影響’由此可在高精度的前提下進行光圖案曝光。 再者，於第3實施形態中，亦與上述第2實施形態同 樣使用平板對準系統44A〜44D來檢測平板p上的對 準標記，以此求出該平板P的變形量。而且，根據該些求 出的變形量’可由照明部12A〜12E、22A〜22E内的焦閑 、，制。卩對照明光的焦闌性的狀態進行控制。藉此，即便 於平板P中存在因流程中的加熱處理而引起的非線性變 形’亦可配合該變形來對光圖案進行曝光。 上述第1〜第3實施形態中，在對平板p曝光時平板 37 200905407 P處於靜止狀態，但亦可 的同時進行曝光。 马如下變形例：在使平板p移動 圖16 疋表不在使平柘p 變形例的曝光裝置的概略，動的同時進行曝光的第6 軸設定在相對於平板p平^成。圖16巾，X軸以及Y 平板P正交的方向上。軸設巧相對於 平面内平行，+2：軸 ^ σ Y平面奴成與水 疋成沿著垂直方向朝上。 圖疋將上述第1實 所示的第i實施形態1有^㈣㈣而成，對於與圖1 號。 〜有相同功能的組件，附以相同的符 止止圖16中，對保持於第1保持部η上的光罩10供給曝 光光的照明部包括：光诉$ … ΤΓ1 '、卜藉由發光控制器（controller) 512,祐I 1 °亥光源的發光、停止；輸人透鏡（inputlens) 籍八哭^自上述光源511的曝光光聚光；複眼透鏡等光學 513’根據來自輪入透鏡512的曝光光而形成二次 ^源，以及聚紐鏡514，將光學積分器513所形成的二 二人光源發出的光引導至光罩。 又對保持於第2保持部21上的聚光圖案形成組件 2〇供給曝光光的照明部，具有與對光罩1〇供給曝光光的 照明部相同的構成，因而此處省略說明。 抑分別對光源51卜521的發光、停止進行控制的發光控 制器LC1、LC2連接於主控制單元MCU。該主控制單元 MClJ上，連接有用以檢測平台PS的χγ平面内的位置的 作為平台位置量測單元的干涉儀IF、以及驅動上述平板平 38 200905407 台PS的平板平台驅動部。 又，第6變形例的曝光裝置中，訊 P触方向上的位置的面位置檢測檢測平板 置檢測裝置AF，可經常量測平板 利用該面位 乃至光罩H)與平板？__ 上的位置、 平板p的間隔。而且，根组件_ 持部的未圖示的驅動部進行控制，以變更光，於第1保 向上的位置，且對連接於第2保持部的 的土 z方 行控制，以變更聚光_形絲件=驅動部進 從而可調整光罩K)及聚光圖案形成組件2Q=上的^置’ 位置。藉此，可形成由:^ #方向上的 產生的聚光ft® 件2〇的多個聚光部 屋生的1先®案’料會使該聚光尤丨 狀態’因此，可實現更高精度的曝光。散焦（def_) 者於第6變形例的曝光裝置中， 態實施形態所示的對準= 肀未圖不），於曝光動作之 vu 成組件20與平板p的對準操作。丁先罩1〇及聚光圖案形 第6曼:形例的曝光裝置中，主控制單纟 ^台驅動部PSD來使平板平台ps沿著γ方動由= ’主控制單元MOJ經由干涉儀IF㈣常監控平板平△ f ^且’在平板？上的規定的‘區域與光

LC1而使門i控制單元MCU經由發光控制器 ’、 巧發光。亦即，在平板平台PS的XY 39 200905407 板：上的規定的曝光區域與光罩10相重疊的 ^ 511 控制單經由發光控制器LC1而使 '、，並使鮮1G上的®案曝光於平板P上。 域（曝弁聚光圖案形成組件％而形成有光®案的區 的^卩光0案形成區域、細光罩1G進行曝光

ΐίίϊ:曝光區域的瞬間相重疊時，主控制單元MCU 幸开CLC2而使光源521瞬間發光，且經由聚光 圖案形成組件2G而使光圖案於規定的曝光區域重疊曝光。 當與以光罩1G進行曝光的上述規定鱗光區域在 向上相鄰接的其他曝光區域上重疊有光罩10的瞬 間，主控制單元MCU經由發光控制器LC1而使光源^ 辦間發光，且使光罩1G _案祕光於上述其他 域。 對平板P_L的整個板面進行上述動作，由此結束 板P的曝光。 再者，第6變形例中的光源511、521可使用發出紫外 區域的光的半導體雷射以及諧波雷射等雷射錢、紫外發 光二極體（紫外LED)等。 又 根據該第6變形例，可使平板p不停止地進行曝光， 故而具有提高產量（throughput)的優點。 上述第6變形例中，在光罩1〇或聚光圖案形成組件 20重疊於被曝光區域的瞬間，主控制單元厘匸^^對發光控 制器LC1、LC2進行控制，但當對光源511、521施加電力 直至光源511、521發光為止存在時間延遲時，亦可考虎該 200905407 延遲時間來控制上述發光控制器Lci、。 變16所示的第6變形例是將上述第1實施形態 3’旦根據該揭示，亦可對上述第2實施形態及第 3實施开> 悲進行變形。 M 表不對保持上述光罩10或聚光圖案形成組件20 _ 呆、。卩11或第2保持部21進行變形的第7變形例。 :中Χϋιχ及γ轴設定在相對於平板ρ平行的方向 1轴設定在相對於平板ρ正交的方向上。更具體而言， 平面找成與水平面内平行，+ζ軸設定成沿著垂直方 ^朝上。再者’圖17中’對於與上述實施形態及變形例具 有相同功能的組件，附以相同的符號。 t者’圖17中僅圖示了保持上述聚光圖案形成組件 的第2保持部，但在保持上述光罩1G的第丨保持部中 亦可採用相同的構成。

圖17中，於聚光圖案形成組件2〇的下表面側（射出 面7)形成有多個聚光部2加、2〇|3與遮光部（減光部）2沘， 於聚光圖案形成組件2G的上面側（人射面側）的周緣部形 成有用以減少閃光（flare)等有害光的產生的遮光部（減 光部）20d。而且，在聚光圖案形成組件2〇的上表面（入 射面）與下表面（射出面）之間，形成有與第2保持部2ι 可接觸的被保持面20e’自該被保持面2Ge至射出面為止 的侧面，朝向下表面而形成為狹窄的錐狀（tape〇。 此處，於第7變形例中，被保持面20e位於較多個聚 光部20a、20b更靠入射面側，因此，即便自下側保持上述 41 200905407 =圖案形成組件20，亦可將多 、2〇 板p =的輯（物雜）狀得難。 + 處，圖'lL參照圖18以及圖19來說明第4實施形態。此 圖18的r疋表θ示第4貫施形態的曝光裝置的概略的構成， β本_、 a)疋表不曝光裝置全體的立體圖，圖18的（b) 變絲生成單元。又，圖19是對第4實施形態的 ‘ 、又的曝光動作進行說明的圖。於® 18及圖19中， f" k 定t Γ tγ軸設定在相對於平板p平行的方向上，Z軸設 目也於平板P正交的方向上。更具體而言，XY平面 二，、水平面内平行，+Ζ軸設定成沿著垂直方向朝上。 於圖18及圖19中，對於與上述實施形態及變形例 /、有相同f能的組件，附以相同的符號。 第4實施㈣的曝絲置是將圖n所示的第3實施形 ^的多個聚光圖案形成組件肅〜规替換成可變光點 生成皁元200A〜200E。 ★如圖18的（a)所示，於第4實施形態的曝光裝置中， 由第1保持部11A〜lie分別保持的多個光罩1〇A〜1〇c 在XY平面内配置成鑛齒狀。具體而言，多個光罩〜 1〇C中的光罩IGA、1GC在與γ方向正交的χ方向上，空 出規定間隔並作為第1行而配置於·γ方向側，光罩1〇Β在 與Υ方向正交的X方向上，”規定瞧並作為第2行而 配置於+Υ方向侧。 而且，於弟4實施形態的曝光裝置中，多個可變光點 生成單元200Α〜200Ε以鋸齒狀配置於多個光罩1〇Α〜 42 200905407 方向側、。具體而言’多個可變光點生成單元2〇〇a ，可變光點生成單元20〇A、200C、200E、200(3 罢方向正交的X方向上’空出規定間隔並作為第1 =4置於·Υ方向側’可變光點生成單it 2GGB、200D、 在X方向上，空出規定間隔並作為第2行而配置於 +Y方向侧。 圖18的⑴是表示可變光點生成單元的概略的構成。 再者，此處，僅以-個可變光點生成單元2GGA的構成為 代表而進行說明。其他可變光點生成單元2〇〇b〜2〇〇g的 構成與可變光點生成單元2G()A相同，故而此處省略說明。 ，圖18的（b)中，可變光點生成單元2〇〇A包括：例 如形成有二維微透鏡陣列（micr〇lens array )等多個聚光部 的聚光圖案形成部220A、供給曝光光的照明部222A、以 及例如數位微鏡（digital micromirror，DMD )陣列等空間 光調變器（spatial light modulator) 223A。而且，在空間光 5周憂器223A與聚光圖案形成部220A之間的光路中，配置

有分光鏡（beam splitter) 224A，該分光鏡224A將來自照 明部222A的曝光光引導至空間光調變器223A，並且將透 過空間光調變器223A的曝光光引導至聚光圖案形成部 220A。 又，藉由配置於空間光調變器223A與聚光圖案形成 部220A之間的光路中的中繼光學系統（relay optical system ) 225A、226A，使得空間光調變器223A的光調變 面與聚光圖案形成部220A的入射面光學共輕。此處，空 43 200905407 間光調變H 223A侧地控糊魏光隨形成部22〇A的 各聚光部（二維微透鏡_的各透鏡）的曝枝的供給、 停止。亦即，對各聚光部選擇性地照射光。藉此，僅以於 空間光調變器223A反射的曝光光所到達的聚光部而在平 板P上形成光點。亦即，可由空間光調㈣來控制形成於 平板P上的光點的出現/不出現的切換，從而可在平板p上 形成任意的光圖案。 聚光圖案形成部220A藉由框體227A而保持著，該框 體227A可視作保持上述聚光圖案形成組件的第2保持 再者於該框體227A内，收納有空間光調變器223A、 分光鏡224A、以及中繼光學系統225A、226A。 再者，以使可變光點生成單元2〇〇a〜2〇〇e的於平板 P上的曝光區域在X方向上僅一部分彼此重疊的方式，來 設定各可變光點生成單元2G()a〜2_的於平板p上的曝 光區域的最大範圍。

其次’參照®!9來說明第4實施形態的曝光裝置的曝 光動作。圖19是表示在第4實施職的曝錄 動作時的平板P的狀態。 嗓九 ▲於該曝光動作之前，進行多個光罩1〇A〜1〇c及多個 可變光點生成單元200A〜200E與平板P的對準操作。再 者，關於多個光罩10A〜l〇C與平板p的對準操作，可參 照上述各實施形態，關於多個可變光點生成單元2㈨A〜 與平板P的對準操作，可參照國際公開第 WO2006/_285號小冊子的揭示。此處，參照並援用國際 44 200905407 公開第W02006/080285號小冊子。 圖19中，為了使說明簡單，僅圖示多個光罩中的光罩 10A，並且僅圖示多個可變光點生成單元2〇〇a〜2⑻e中 的可變光點生成單元2G()A，以下，著·光罩及可 變光點生成單元200A來進行說明。 首先，如圖19的（a)所示，以使光罩1〇A與平板p 上的區域PA1相重疊的方式來驅動控制上述平板平台 PS ’然後，以照明部12A來對光罩照射曝光光。& 由該總括曝光動作而在平板p上的區域pAi上 ^ 10A的圖案轉印為潛像。 其^以使光罩10A與平板p上的區域pA2相重疊的 圖V的^板平台Μ朝圖中的+Y方向移動。此時，如 圖的（b)〜圖丨9的（e)所示’在平板平台ps 過程中’亦g卩在平板p移絲財 元2〇〇A來對平板p上的區域pA1進行光 I, 光而會於平板p上的區域ΡΑι上“ 潛像相點與已由光罩職形成的 然後，如圖19的⑴所示，以照明部以 域=====核p上的區 的、‘括曝光動作’從而對平板p的整個板面進行ί: 45 200905407 如上所述 個央置Κ)Α ώ實施形態的曝光裝置中，可在經多 個先罩1GA〜1GC曝光的曝光區域巾， 單元2嫩〜纖的光點曝光。此 〜㈣的平板p上的區域移動的步進動作過程中= 變口生成單元觀〜2_的掃描光點曝光，因此 上述可變光點生成單元2〇〇α〜2〇〇ε

1挪）曝光裝置中已為人所知，但若曝光於平 圖案的圖案資料量增加’則為了構成用以處理上述魔大的 圖案資料的控㈣統、以及將_ f料自該控制系統轉送 至空間光觀器轉送電㈣需耗費成本，或者在轉送龐 大的圖案㈣的轉送電路的資料轉送速度關約下，無法 提高產量。 相對於此’於第4貫施形態中，由於可變光點生成單 元200A〜200E所處理的圖案資料量極少，故而具有如下 優點.即便⑨法實現控㈣統及轉送電路的低成本化，亦 不會導致產量降低。 …再，，在將第4實施形態的曝光裝置用於製造液晶顯 不το件等平板顯示器時，亦可僅使用可變光點生成單元 200A〜200E來進行顯示器周邊電路上的曝光。 又，第4實施形態中，參照上述第6變形例，亦可為 如下變形例·當使用光罩1qa〜1qc來對平板p進行曝光 時，使平板P移動的同時進行曝光。 再者，上述實施形態丨至4或者各變形例的曝光裝置 46 200905407 中，亦可使用透光性樹脂等具有可挽性的薄片狀美板，以 =3=^性基板來作為平板P的情況:此時， ίί對’及第2保持部而移動的機構 的薄片狀基板卷伽狀而成的送出 ‘搬逆舰、$出的薄片狀基板的輥及鏈輪(sprocket) 等搬送機構、以及將處理後的薄片狀基板卷作輥狀而成的 捲繞輥）作為基板平纟。 解簡狀而成的 可按照以下順序來製造上述實施 形例的曝光裝置。首先，準備用w L + 谷雙 持部及用以保持上述聚光2丑用=保持上述光罩的第1保 及用以㈣ί 案形成組件的第2保持部、以 來作為子李先圖案形成組件照射曝光光的照明部， )σ接著，以接近载置有平板的 來組裝第1保持部以及第2保持部，且以 保持部以及第2保持部所保持的光罩及聚光 件照射曝光光的方式，來組裝照明部。在進行 二方ί確保規定的機械精度、電性精度、光學精 t式來板裝上述子系統。為了確保上述各種精产，在 崎之前後’對各種光學系統進行調整，“到 並I::種種:械系統進行調整’以達到機械精度， 行調整，以達到電性精度。在將上 =糸統_於曝光打的_過程結权後 =的Γ保曝光裝置全體的各種精度。再者，上述曝光 造較理想的是在溫度及潔淨度等得以管理的無塵 至（clean room )中進行。 47 200905407 使用上述實施形態1至4或者各變形例的曝光裝置而 在感光基板（玻璃板）上形成規定的圖案（電路圖案、電 極圖案等）’藉此亦可獲得作為微元件的液晶顯示元件。以 下，參照圖20〜圖30來說明該製造方法的一例。 於圖20的步驟S401 (圖案形成過程）中，首先實施 以下過程：塗佈過程，於作為曝光對象的基板上塗佈光阻 劑以準備感光基板；曝光過程，使用上述實施形態丨〜斗 或者各變形例中的任一個曝光裝置，以將液晶顯示元件用 =光罩的圖案轉印曝光於上述感光基板上；以及顯影過 程，使上述感光基板顯影。利用包括該塗佈過程、曝光過 程、、，以及顯影過料微影過程，而於上述基板上形成規定 的光阻圖案（Resistpattem)。該微影過程之後，經過以上 述光阻圖案作為光罩的綱過程、以及絲_過程等， 而於上述基板上形成包含許多電極等的規定圖案。根據上 述基板上的層數而多次實施上述微影過程等。經過該些微 影過程後，於基板上形成薄膜電晶體基板。 — 以下，參照圖21〜圖30,來詳細描述第5實施形態的 平板顯示H的製造方法中的製造薄膜電晶體基板的過程。 參照U 21來說明製造薄膜電晶體基板的過程的 第1階段。 此處’圖21的（a)是製造薄膜電晶體基板的過程中 的j 1階段的薄膜電晶體基板的配置圖，圖21的（b)是 著圖21的⑷的配置圖中的IVb-IVb，線切割而圖示的 面圖圖21的（c)是沿著圖21的（a)的配置圖中的 48 200905407 IVc-IVc'線切割而圖示的剖面圖。 如圖21所示首先，以濺鍍（SpUttering)等方法在 基板51〇 (平板p)上蒸錢厚度為1〇〇〇A〜3〇〇〇a的金屬 等的導電體層。接著，於該基板51G上塗佈感光膜，然後， 使用具有與® 21❾（a)的配置圖所示的電路圖案相當的 圖案的光罩來對感光膜進行曝光，並使該感光膜顯影。其 後，將經顯影的感光_作光罩來騎乾式·式餘刻，、 在基板510上形成包括閘極線522、閘極焊墊（gatepad) 524、閘極電極526及維持電極528的閘極配線。 圖22是第2階段的薄膜電晶體基板的剖面圖，圖22 的（a)疋沿著圖21的（a)的ivb-IVb’線切割而圖示的剖 面圖，圖22的⑻是沿著圖21的（a)的IVc_IVcl線切 割而圖示的剖面圖。 於第2階段中，使用化學氣相沈積法來連續地蒸鑛厚 度為1500A〜5000A的閘極絕緣膜530、厚度為500A〜 2000A的半導體層540、以及厚度為3〇〇A〜600A的中間 層（接觸層）550，又，以濺鍍等方法來蒸鍍厚度為15〇〇 A〜3000A的金屬等的導電體層560，然後，於該導電體 層560上塗佈厚度為1 //m〜2 的感光膜5110(感光 性樹脂（光阻）層）。 圖23是表示第3階段的薄膜電晶體基板的構成，圖 23的（a)是配置圖’圖23的（b)是沿著圖23的（a) 的配置圖中的VIb-VIb'線切割而圖示的剖面圖，圖23的（c) 是沿著圖23的（a)的配置圖中的VIc-VIc'線切割而圖示 49 200905407 的剖面圖。 圖24的（a)是第3階段中所使用的聚光圖案形成組 件2〇的配置圖’圖24的（b)是藉由第3階段中使用的聚 光圖案形成組件2〇所形成的光圖案37的配置圖。 如圖24的（a)所示’第3階段中使用的聚光圖案形 成組件20包括：形成於透光性基板上的多個聚光部20、f〜 2〇j、以及形成於該些聚絲2Gf〜2()j以外的區域上的遮光 圖案或減光圖案即遮光部（減光部）徽。該聚光圖案形成 組件2〇配置成相對於基板510離開規定的間隔，利用聚光 4 20f〜20j使來自照明部的曝光光聚光，藉此，在基板 上形成圖24的（b)所示的光圖案（聚光圖案）37。 該第3階段中，使用上述實施形態的任一個曝光裝置 與上述聚光圖案形成組件，在感光膜5110上進行光圖 案曝光。 第3階段中’將光圖案曝光於感光膜110上，缺後， 使該光圖案顯影，並如圖23的⑴及圖23的⑷所干， 形成感光臈圖案的第1部分5114、第2部分5112。此睡， 感光臈圖案的第i部分5114、第2部分5112 +，使薄膜 si曰道部C (亦即，位於源極電極565弟及極電極 3、第1部分5114)的厚度小於資料配線部A (亦 二成有資料配線562、564 ' 565、566、568的部 ==持5112)的厚度，從而將其他部分㈣感光膜 〃、二人對感光膜圖案的第1部分5〗14及其下部的膜、 50 200905407 :在=層550以及半導體層540進行 配線及lirl後，在貝料配線部A上會原樣殘留有資料 声、，且在、=的膜’在通道部C上必需僅殘留有半導體 =且在剩餘的部^上必需完全去除三個層，、55〇、 540 ’以呈現閘極絕緣膜530。 圖25、是第4階段的薄膜電晶體基板的剖面圖，圖乃 、a疋沿著11 23㈤（a)的VIb_VIb，線切割而圖示的剖

面圖圖25的（b)是沿著圖23的（a)的VIc-VIc，線切 割而圖示的剖面圖。 於第4階段中’如圖25的（a)及圖25的（b)所示， 去除露出於其他部分B的導電體層56〇，使該導電層56〇 下部的接觸層550露出。於該過程中，可同時使用乾式鍅 刻或濕式餘刻的方法。 圖26是第5階段的薄膜電晶體基板的剖面圖，圖％ 的（a)是沿著圖23的（a)的VIb_VIb，線切割而圖示的剖 面圖，圖26的（b)是沿著圖23的（a)的Vk>VIc，線切 割而圖示的剖面圖。 於第5階段中，如圖26的（a)及圖26的（b)所示， 以乾式蝕刻的方法，將其他部分B的露出的接觸層550及 其下部的半導體層540、與感光膜的第1部分5114 —起同 時去除。此時的蝕刻是將殘留於感光膜圖案的第1部分 5114、第2部分5112與接觸層550及導電體圖案567的表 面上的感光膜殘渣去除。 圖27是第6階段的薄膜電晶體基板的剖面圖，圖27 51 200905407 的（a)是沿著圖23的（a)的VIb_VIb，線切割而圖示的剖 面圖，圖27的（b)是沿著圖23的的VIc_VIc，線切 割而圖示的剖面圖。 於第6階段中，如圖27的（a)及圖27的（b)所示， 將通道部c的源極/汲極用的導電體圖案567、以及該導電 體圖案567下部的源極/汲極用的接觸層圖案557蝕刻並去 除。藉此’位於通道部C上的感光膜圖案的第1部分5114 被去除，從而源極/汲極用的導電體圖案567露出，位於其 他部分B上的接觸層55〇及半導體層54〇被去除，從而該 接觸層550及半導體層54〇下部的閘極絕緣膜53〇露出。 另一方面，與資料配線部A相對應的感光膜圖案的第 2部分5112亦會被蝕刻而使厚度變薄。於該階段完成半導 體圖案542、548。圖式中的符號557與558分別表示源極 /汲極用的導電體圖案567下部的接觸層圖案、與維持電容 器用的導電體圖案568下部的接觸層圖案。 藉此，將源極電極565與汲極電極566分離，同時完 成資料配線（562、564、565、566、568)與位於該資料配 線下部的接觸層圖案555、556、558。 最後，去除殘留於資料配線部A上的感光膜圖案的第 2部分5112。上述第2部分5112的去除，亦可在去除位於 通道部C上的源極/汲極用的導電體圖案567之後、且去除 該導電體圖案567下方的接觸層圖案557之前而進行。 圖28是表示第7階段的薄膜電晶體基板的構成，圖 28的（a)是配置圖，圖28的（b)是沿著圖28的（a) 52 200905407 的配置圖中的xiiboaib'線切割而圖示的剖面圖，圖28的 (C)是沿著圖28的（a)的配置圖中的XIIc_XIIc,線切割 而圖示的剖面圖。 於第7階段中’以上述方式而形成資料配線（562、 564、565、566、568)，然後，如圖 28 的至圖 28 的 (c)所示，以化學氣相沈積（chemicai vap〇r如卩仍出如， CVD)方法末蒸錢氮化；g夕，或者旋塗（叩匕⑶站1哗）有機 絕緣物質，以形成厚度為3〇〇〇入或3〇〇〇A以上的保護膜 570。接著，於上述氮化矽或有機絕緣物質上塗佈感光臈。 於第8階段中’使用圖3所示的光罩1〇及聚光圖案形 成組件20、與上述實施形態及變形例中的任一個曝光裝 置，於上述感光膜上進行光圖案曝光。 使光圖案曝光後的感光膜顯影並用作光罩，對保護膜 570及閘極絕緣膜530進行蝕刻，以形成使汲極電極566、 閘極焊塾524、資料焊墊564及維持電容器用的導電體圖 案568分別露出的接觸孔57卜572、573、574。 然後，於第9階段中，蒸鍍厚度為4〇〇A〜500人的氧 化銦錫（Indium Tin Oxides，ITO )層，並於該IT0層上塗 佈感光膜。接著，使用圖29所示的光罩而於感光膜上進行 光圖案曝光，且使該感光膜顯影。將經顯影的感光膜用作 光罩並進行蝕刻，形成像素電極582、輔助閘極焊墊5料 以及輔助資料焊墊586。 +經過上述過程，可製造出第5實施形態的平板顯示器 的薄膜電晶體基板。亦即’步驟S401結束。再者，圖3〇 53 200905407 是表示該薄膜電晶體基板的構成，圖30的（a)是配置圖， 的⑻是對圖3〇的（a)所示的薄膜電晶體基板沿 了 ΙΙ_ΙΓ線及ΠΗΙ1，線切割而圖示的剖面圖，圖30的（c) ，對圖30的（a)所示的薄膜電晶體基板沿著m_ni，線切 割而圖示的剖面圖。 返回圖20，於下一步驟S4〇2 (濾色器（c〇i〇r也如） 中’將與紅R、綠G、藍6相對應的三個微細 的矸夕濾色片的組排列成矩陣狀，或者將紅R、綠G、轸 B三個條狀的多_色片的組於水 ^ 此形雜色器。於下-步驟剛（單元組裝過 驟讓中獲㈣具有規定·的基板與步驟S4〇; 胞）。传的濾色器之間注人液晶，以製造液晶面板（液晶 於其後的步驟S404 (模組組裝過程）中，安裝 方式而組裝的液晶面板（液晶胞）執行顯示動^ =電氣電路、以及背光裝置（baeklight)等零件，以= /夜晶顯示元件。 ％成 板顯如ΐ所述*於第5實施形態中’可抑制成本而製造平 。尤其當使用第1至第3實施形態及該些實施 光裝置時，可使用以低成本便能約獲得的 沾裝置來貝現低成本化，當使用實施 =光裝置時，可在高產量㈣提下騎微騎程 可抑制平板顯示器的製造成本。 而 再者，於上述第5實施形態中，使用第1至第4實施 54 200905407 形態及該些實施形態的變形例的曝光裝置，來形成細微的 特徵(feature)，亦可使用例如噴墨（inkjet)印刷法、網版 印刷（孔版印刷）法、套版印刷（0ffset printing，平版印 刷）法、凹版印刷法、或者凸版印刷法等印刷方法來形成 其他的電路圖案。又，作為基板，除了玻璃等透光性平板 之外，還可使用透光性樹脂等具有可撓性的薄型薄片。 其次’參照® 31來朗鮮及聚光圖_成組件的設 計方法、即第6實施形態。 v

於圖31的步驟S501 (光圖案準備過程）中，制 最終欲形成於光阻紅的光目案具有_形狀=^ 料（以下，稱為第1光圖案資料）。 接著，於步驟⑽（光圖案分割過程）中 S5?中所製作的第丨朗較料分割成多 的二 本實施形態中，將第1光圖案資料分 ^茱的、、且 案資料的線圖案成分、島圖:構成該光圖 於步驟_(第二:取成分。 S502中分解的光圖案資料( =:安自在步驟 形態中，抽取具有以近接式曝==料。本實施 成分作為第3光圖案資料。該第^案大小的 10的設計㈣。 吊7對應於光罩 中’抽取第2光 4光圖案資料。 用聚光圖案形成 料驟S504 (第2光圖案抽取過 圖案貧料與第3光圖案資料的差分作為 本實施形態中，該第4光_資料成為^ 55 200905407 組件的多個聚光部而應形成的光圖案。 於步驟S505 (聚光部參數計算過程）中，求出用以形 成第4光圖案資料的多個聚光部的參數。本實施形態中， 該參數可使用例如各個聚光部的XY座標（聚光圖案形成 組件内的位置）、與平板P間的沿著Z方向的距離、XZ剖 面中的焦距及數值孔徑、YZ剖面中的焦距及數值孔徑、 以及聚光部中的減光率。 f 例如’考慮用以形成上述圖2所示的光圖案35 (相當 於第4光圖案資料）的圖3所示的多個聚光部20a、20b 的參數。首先，根據光圖案35中的兩個部位的明部的重心 位置而求出多個聚光部2〇a、20b的XY座標。 其次’將兩個部位的明部的X方向的尺寸設為# m’將Y方向的尺寸設為3 ，求出多個聚光部2〇a、 20b的XZ剖面的數值孔徑與YZ剖面的數值孔徑。此時， 若將照射至聚光圖案形成組件20上的曝光光的平行半角 設為0° ’則多個聚光部2〇a、20b的ΧΖ剖面的數值孔徑大 i 致為0 ’多個聚光部20a、2〇b的YZ剖面的數值孔徑為 並且，將聚光圖案形成組件20與平板P間的沿著2 方向的間隔（近接間隙）設為100 ，求出多個聚光部 20a、20b的XZ剖面的焦距及大小、以及γζ剖面的焦距 及大小。此處，ΧΖ剖面的焦距無限大，該χζ剖面的大小 (多個聚光部20&、201)的又方向的大小）為1〇#111，¥2 剖面的焦距為100从m，該ΥΖ剖面的大小（多個聚光部 56 200905407 20a、20b的Y方向的大小）為300 。亦即，多個聚光 部20a、20b成為具有1〇〇 的作動距離、且在一個方 向（Y方向）上具有倍率（30〇 的焦距）的圓柱透鏡。 此處，照射至聚光圖案形成組件2〇上的曝光光的平行 半角可以使用0。〜5。，近接間隙可以使用1 〜1〇00 # m ° 根據上述求出的多個聚光部20a、20b的參數，當多個 聚光部20a、20b為透鏡面時，求出該透鏡面的曲率（曲率 半徑），當多個聚光部20a、20b為相位型（振幅型）繞射 圖案時’求出該繞射圖案的形狀、配置。 又’為了進行半色調（half tone)曝光，使圖2所示 的光圖案35的光強度弱於光圖案34的光強度，此處，亦 一併求出多個聚光部20a、20b的減光率。 於上述步驟S505中’一併生成將多個聚光部2〇a、20b 以外的區域作為遮光區域的遮光圖案資料（以下，稱為第 5遮光圖案資料）。 藉由以上的步驟S501〜S505而可獲得聚光圖案形成 組件的設計資料以及光罩的設計資料。 其次，參照圖32，將以下根據第6實施形態所獲得的 聚光圖案形成組件的設計資料來製造聚光圖案形成組件的 方法作為第7實施形態加以說明。 於圖32的步驟S601 (透光性基板準備過程）中，製 作透光性基板。對例如石英玻璃等基板材料進行研削、研 磨以形成為平行平减雜，紐，喊賴麵的方法 57 200905407 Ϊ表：成鉻等遮光膜。又，一般而言，於該步驟S601 ，在透光性基板上塗佈感絲樹脂（光阻劑）。 第(聚光部形成過程）中，根據上述 i所獲得的設計資料，在塗佈《光性樹脂 土板上進订圖案描緣，然後，進行顯影、後烘烤（卿 Ο、除渔、軸卜去除纽解流程處理，並於透光性 ^ =形成多個聚光部。再者’在未形成有多個聚光部的 ，域:’殘留由步驟議中形成的遮光部。於步驟震 丄虽多個技部為透鏡面時，亦可使用在主平面方向上 ς有，率分佈（濃淡）的灰階光罩（脚yseabm 進仃圖案描繪。 件 ，步驟_3 (檢查過程）t，進行由步驟獅所製 聚光，檢查。當多個聚光部為振幅型（相位型） 出’圖案時’早純根據第6實施形態中獲得 t件的設計資料’並從圖案尺寸精度、圖案位置:f 觀品質的角度來進行比較檢查。x，當多個聚光部為 兄面時’使用以多個聚光—在檢查用的感光性基板上 ;:曝光的方法以及可二維移動的光檢測器，來量測由 的^所形成的光圖案的形狀（分佈）。接著，對所量測 先圖案的形狀（分佈）與上述設計資料進行比較檢查。 藉由以上的步驟S601〜S6〇3,可製造聚光圖案形^組 當根據第6實施形態所獲得的光罩的設計資料來製造 九罩時，與上述步驟S601同樣地，準備作為光罩基板的 58 200905407 並根據該光罩設計資料，在塗佈有感光性樹 ί板上進行圖案描綠。接著，對該透光性基板 曰*，、、= ♦烘烤、除產、敍刻、去除光阻劑等流程處理。 =後該流减理後的料與設計資料進行比較檢 ;料3=序，可由第6實施形態獲得的光罩的設計 以上所說_實施職是為了使本糾料理解而記 ==非為了限定本發明。因此，上述實施形態中揭示 的各要素耗域於本發明频織㈣所有 等又，上述實卿態的各構成要料亦可進行任意 於上述各實施形態的曝光裝置中，為了量測平台的位 置而使用了㈣干涉儀，但亦可使用其他的量測感應器， 例如編碼n (_de〇 #來取代雷射干 ^射 涉儀組合而使用。 '

再者，上述各實施形態的曝光裝置中所使用的光源僅 為例不，运可使用例如KrF準分子雷射（波長為2仏肺）、 ArF準分子雷射（波長為193 nm)、F2雷射（波長為157 nm)、或者其他光源。又’亦可使用雷射電聚光源，或者 自同步加逮器執道輻射（synchr〇tr〇n 〇_&1 —η， SOR)產生的軟X射線區域，例如波長為1341^或1151^ 的極紫外（eXtremeultraviolet，EUV)輻射。此外，亦可 使用電子束或離子束（i〇n beam)等帶電粒子束（心响 particle beam)。或者’亦可使用放射出紫外區域的光的半 59 200905407 導體雷射及LED、或者叫祕光學晶體(μ crystal)來將紅外區域或可見光區域的雷射 紫外光波碰mt波。 又，當使用聚光圖案形成組件而在平板P上形成沿著 規定的-個方向的形狀的聚光圖案時，亦可將以如下丫:光 成分作為主成分的曝光光自照明部供給至平板ρ,亦即， 成為s偏光的偏光成分’且具有與上述—個方向相平行的 偏光方向。此處，亦可將與多個聚光部分卿應的偏光 设置於聚光圖案形成組件上，使以多個聚光部為單位來 應於聚光圖案的延伸形狀不同的情形。 又，為了減小平板面或塗佈於其上的感光性材料中的 曝光光的反射所導致的不良影響，亦可將以成為ρ偏光的 偏光成分作為主成分的曝光光自照明部供給至平板ρ。 ^又，上述實施形態的曝光裝置的可應用範圍，並不限 定於用以製造半導體元件、攝影元件、薄膜磁頭、以及^ 板，示器，亦可應用於例如製造微機械（mic_achi_、 去氧核糖核酸（deoxyribonucleic acid，DNA)曰 η 止 $ 或者主光罩⑽de)等。 先罩 又，於上述各實施形態的曝光農置中，亦可進行所謂 的液浸曝光，亦即，在以液縣滿於鮮與平板之間的= 間、以及聚光圖案形成組件與平板之間的空間中的至少一 個，狀態下所進行的曝光。此時，為了將液體局部地^滿 上述空間，可使用國際公開號WO99/49504號公報所揭示 的噴嘴機構（液體供給喷嘴以及液體回收喷嘴）。此處句引 200905407 用國際公開號WO99/49504號公報作為參照。 又，第4實施形態及其變形例的曝光裝置中所使用的 投影光學系_倍村从等倍、縮小倍率、放大倍率中 的任一個’亦可制反射光學系統、折射光料統、以及 反射折射光學系統中的任一個。 f

在將平面馬達用作平台的驅動裝置時，可將磁鐵單元 與，枢（麵齡）單元中的任一個連接於平台，並將磁 鐵早兀與電鮮元巾的另—個設置於平台的移動面側（基 如美國專利第5,528，118號所記載，由平台務勒產 的反作用力亦可❹框體組件而機械地釋放觀板^ =)。亦可取代此，或者除此之外，如美國專利第6,969,规 號所記載，採用以動量守恒定律（law 〇f咖纪制_ 〇f r^omentimi)來抵消平台移動時產生的反作用力的平衡質 量（咖nter mass)方式。再者，此處，引用美國專利第 5,528,118號以及美國專利第6,969,966號作為來昭。 【圖式簡單說明】 圖1是概略地表示本發明的第丨實施形態的曝光裝置。 一圖2是用以說明第1實施形態的作用，其中（ 曝光於平板P上的光圖案的一例的平面圖，（b)=表 不猎由光罩10㈣成於平板p上的光圖案的平面圖，】 是表示藉由聚光圖案形成組件20而形成於平板p 圖案的平面圖。 的尤 圖3是表示第！實施形態的光罩10以及聚光圖案形成 61 200905407 組件20的構成，其中（a)是光罩10的配置圖，（b)*(a) 所示的光罩1〇的3b_3b箭頭方向觀察圖，（c)是聚光圖案 形成組件20的配置圖，（d)是（c)所示的聚光圖案形成 組件20的3d_3d箭頭方向觀察圖。 ’ 圖4是表示第1實施形態的變形例，其中（a)是聚光 圖案形成組件20的聚光部20a、20b的配置圖，（b)是聚 光部的第1變形例的平面圖，（c)是第1變形例的剖面 f (d)是聚光部的第2變形例的平面圖，（e)是第2變形例 的剖面圖’（〇聚光部的第3變形例的平面圖，（g) ^第 3變形0例的剖面圖，（h)是聚光部的第4變形例的平面^， 是第4變形例的剖面圖，是聚光部的第5變形例 的平面圖，（k)是第5變形例的剖面圖。 夕 圖5是概略地表示本發明的第2實施形態的曝光裝置。 / 6的(a)至⑴是表示在第2實施形態的曝光裝置進 變===案形成組件40與平板。的位置關係的 圖7的⑻至①是表示以圖6的順序經曝光的平板 的曝光區域。 ，昭明i Lit是概略地表示第2實施形態的曝光裝置的 :月。M2的構成，圖8的⑻是自光分支部至 成紐件為止的光路中的光學配置。 ’ 圖9的(a)至(c)是用以說明聚光圖案的倍率控制。 圖10是概略地表示焦闌性檢測裝置的構成。 圖11是概略地表示本發明的第3實施形凡態的曝光裝 62 200905407 圖12是表示第3實施形態中的多個光罩10A〜10E及 多個聚光圖案形成組件20A〜20E的配置的平面圖。 圖13是用以說明第3實施形態的曝光裝置的曝光動作 時的情況’其中（a)〜（c)是表示第3實施形態的曝光 裝置進行曝光動作時的多個光罩10A〜10E及多個聚光圖 案形成組件20A〜20E與平板p間的位置關係的變化情況

的平面圖’（d)〜⑴是表示以（a)〜（c)的順序經曝 光的平板P上的曝光區域。 圖14是用以說明第3實施形態的曝光裝置的曝光動作 時的情，’其中（a)〜（Ο是表示第3實施形態的曝光 裝置進仃曝光動作時的多個光罩〜廳及多個聚光圖 案形成組件2〇A〜2〇E與平板p間的位置關係的變化情況 的平面圖（d)〜⑺是表示以（a)〜（e)的順序經曝 光的平板P上的曝光區域。 ^ 15是用以說明第3實施形態的曝光裝置的曝光 a , & a 士 la)疋表不第3實施形態的曝光裝置進行 曝光動作時的多個朵置ΊΛλ 丁 杜观 „先罩 廳及多個聚光圖案形成組 3 十板ρ間的位置關係的變化情況的平面 圖’（b)疋表示以（a)的 阳 域。 的順序經曝光的平板P上的曝光區 二：變形例的曝光裝置的概略的構成。 部的概略的構成。 且j乐汉乐2保持 63 200905407 圖18是表示第4實施形態的曝光裝置的概略的構成， 其中（a)是表示曝光裝置全體的立體圖，（b)是表示可變 光點生成單元。 圖19的（a)至（f)是說明第4實施形態的曝光裝置 的曝光動作。 圖20是用以說明第5實施形態的元件製造方法的流程 圖。 圖21是表示第5實施形態的平板顯示器的製造方法中 的第1階段的薄膜電晶體基板的構成，其中（a)是配置圖， (b)是沿著（a)的配置圖中的iVb-IVb，線切割而圖示的 剖面圖，（c)是沿著（a)的配置圖中的ivc-IVc，線切割而 圖示的剖面圖。 圖22是表示第5實施形態的平板顯示器的製造方法中 的第2階段的薄膜電晶體基板的構成，其中（a)是圖21 的（b)的下一階段的剖面圖，且是沿著圖21的（a)的 IVb-IVb’線切割而圖示的剖面圖，（b)是圖21的（c)的 下一階段的剖面圖，且是沿著圖21的（a)的IVc-IVc'線 切割而圖示的剖面圖。 圖23是表示第5實施形態的平板顯示器的製造方法中 的第3階段的薄膜電晶體基板的構成，其中是配置圖， (b)是沿著（a)的配置圖中的vib-VIb，線切割而圖示的 剖面圖，（c)是沿著（a)的配置圖中的vic-VIc，線切割而 圖示的剖面圖。 圖24的(a)及(b)是第5實施形態的平板顯示器的製造 64 200905407 方法中的第3階段所使用的光罩及聚光圖案形成組件的配 置圖。 圖25是表示第5實施形態的平板顯示器的製造方法中 的第4階段的薄膜電晶體基板的構成，其中（a)是圖23 的（b)的下一階段的剖面圖，且是沿著圖23的（a)的 VIb-VIb'線切割而圖不的剖面圖，（b)是圖23的（c)的 下一階段的剖面圖，且是沿著圖23的（a)的VIc-VIc'線 切割而圖示的剖面圖。 (' 、 圖26是表示第5實施形態的平板顯示器的製造方法中 的第5階段的薄膜電晶體基板的構成，其中（a)是圖25 的（a)的下一階段的剖面圖，且是沿著圖23的（a)的 VIb-VIb'線切割而圖示的剖面圖，（b)是圖25的（b)的 下一階段的剖面圖，且是沿著圖23的（a)的VIc-VIc·線 切割而圖示的剖面圖。 圖27是表示第5實施形態的平板顯示器的製造方法中 的第6階段的薄膜電晶體基板的構成，其中（a)是圖26 I 的（a)的下一階段的剖面圖，且是沿著圖23的（a)的 VIb-VIb’線切割而圖示的剖面圖，（b)是圖26的（b)的 下一階段的剖面圖，且是沿著圖23的（a)的VIc-VIc1線 切割而圖示的剖面圖。 圖28是表示第5實施形態的平板顯示器的製造方法中 的第7階段的薄膜電晶體基板的構成，其中（a)是配置圖， (b)是沿著（a)的配置圖中的Xllb-XIIb'線切割而圖示 的剖面圖’（c)是沿著（a)的配置圖中的XIIc-XIIc，線切 65 200905407 割而圖示的剖面圖。 圖29是第5實施形態的平板顯示器的製造方法中的第 9階段中所使用的光罩的配置圖。 圖30是表示以第5實施形態的平板顯示器的製造方法 所製造的薄膜電晶體基板的構成，其中（a)是配置圖，（b) 疋沿著ΙΙ-ΙΓ線及ΠΙ_ΙΙΓ線來對（a)所示的薄膜電晶體基板 切割而圖示的剖面圖，（c)是沿著ΙΠ_ΠΓ線來對（a)所示 的薄膜電晶體基板切割而圖示的剖面圖。 圖31是用以說明本發明的第6實施形態的光罩及聚光 圖案形成組件的設計方法的流程圖。 圖32是用以說明本發明的第7實施形態的聚光圖案形 成組件的製造方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 10、10A〜10E :光罩 10A1〜10E1 :第1光罩圖案區域 10A2〜10E2 :第2光罩圖案區域 l〇a、10b、10c、20c、20d、20k :遮光部（減光部） 11 .第1保持部 11A〜11E、21A〜21E :保持部 12、12A〜12E、22、22A〜22E、42、222A :照明部 20、20A〜20E :聚光圖案形成組件 20A卜20B卜2〇a、20D1、20E1 :第3聚光圖案區 20A2〜20E2 :第4聚光圖案區域 66 200905407 20a、20b、20f〜20j :聚光部 20e :被保持面 21 :第2保持部 30、34、35、37 :光圖案 31a、31b、31c :暗圖案部 32 :明圖案部 33a、33b :中間強度光圖案部 40 :光圖案形成組件 f 1 40a:光罩圖案區域 40b :聚光部形成區域 41 :保持部 43A〜43D :第1對準系統 44A〜44D :第2對準系統 45A、510 :基板 45B :聚光透鏡面 45C、45D :遮光部 ί 46:光檢測器 200Α〜200G :可變光點生成單元 220Α :聚光圖案形成部 223Α :空間光調變器 224Α :分光鏡 225Α、226Α :中繼光學系統 227Α :框體 4〇1 〜404、501 〜505、601 〜603 :步驟 67 200905407 41 卜 511、521 :光源 412 :橢圓鏡 413 :分色鏡 414、421a、421b :準直透鏡 415 :波長選擇型濾波器 416 :減光濾光片 417、424a、424b、514 :聚光透鏡 418 :光導纖維 418A :入射口 418a、418b :射出口 419a、419b :光閘 420a、420b :光閘驅動部 422a、422b :複眼透鏡 423a、423b :複眼透鏡驅動部 425 :光路合成組件 425a、425b :偏向反射面 426 :聚光透鏡群 427 :偏向凹面鏡 512 :輸入透鏡 513 :光學積分器 522 :閘極線 524 :閘極焊墊 526 :間極電極 528 :維持電極 68 200905407 530 :閘極絕緣膜 540 :半導體層 542、548 :半導體圖案 550 :中間層（接觸層） 555、556、557、558 :接觸層圖案 560 :導電體層 562、564、565、566、568 :資料配線 567 :導電體圖案 f ' 570 :保護膜 571、572、573、574 :接觸孔 582 :像素電極 584 :輔助閘極焊墊 586 :輔助資料焊墊 5110 :感光膜 5112 :第2部分 5114 :第1部分 (.； A1 〜A8、All 〜A15、A21 〜A25、A31 〜A35、A41 〜A43、A51 〜A53、A61 〜A63、B1 〜B8、B11 〜B15、B21 〜B23、B31 :曝光區域 AF :面位置檢測裝置 Axe I光轴 C :通道部 GA :台座 IF、IF1、IF2 :干涉儀 69 200905407

Ini :基準位置 L10、L20 ··長度 LC1、LC2 :發光控制器 MCU :主控制單元 P :平板 PA1、PA2 :區域 PS :平板平台 PSD :平板平台驅動部 RP :基準板 SI、S2 :間隔 W101、W102 :寬度

Claims (1)

1. 200905407 十、申請專利範圍： 1·一種曝光方法，其特徵在於， 包括： 第1曝光過耘，對以接近於基才 照射曝光光，將形成於上m…尤罩 ,. 风於上述先罩上的規定的圖案曝光於上 述基板上；以及 第2曝光過程，對以接近於上述基板的方式而配置、 r f具備多«光部㈣細案形賴賴轉光光，將規 疋形狀的聚光圖案曝光於上述基板上， 經上述第1曝光過程而曝光於上述基板上的上述規定 的圖案的至少-部分、與經上述第2曝光過程而形成於上 述基板上的上述聚光圖案的至少一部分相重疊。 2·如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，其中 於上述第1曝光過程中，在使上述光罩與上述基板相 對靜止的狀態下進行曝光。 3.如申請專利範圍第1項或第2項所述的曝光方法， 其中 於上述第2曝光過程中，在使上述聚光圖案與上述基 板才目對靜止的狀態下進行曝光。 4,如申請專利範圍第1項或第2項所述的曝光方法， 其中 於上述第2曝光過程中，一方面使要形成上述聚光圖 案的位置與上述基板進行相對移動，一方面進行曝光。 5.如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，其中 71 200905407 於上述第1曝光過程，— 進行相對義，—方面進行曝光面使上錢罩與上述基板 6.如申請專利範圍第〗項至 曝光方法，更包括 項中的任一項所述的 第！ 罩與上述基板沿著第1方向進行相對移動的 的曝光方法，更包括 f 成組件的配向來配置上述光罩與上《光圖案形 更包^如中請專利範圍第6項或第7項所述的曝光方法， ，上述光罩與上述基板沿著橫貫上述第丨方向的方 向、亦即第2方向進行相對移動的第2移動過程。 9.如申請專利範_丨項至第8項 曝光方法，其中

   、上述光罩是多個光罩中的一個，且上述曝光方法包括 乂下過程.在與上述基板大致平行的面内，將上述多個光 罩配置成鑛齒狀。 i〇.如申請專利範圍第1項至第9項中的任一項所述的 曝光方法，其中 與經上述第1曝光過程而曝光的上述規定的圖案相 比，各特徵更細微，該各特徵形成經上述第2曝光過程而 形成的上述聚光圖案。 11.一種曝光方法，其特徵在於， 72 200905407 包括： 第1曝光過程，在使基板相對於規定的第1圖案而靜 止的狀態下，將上述第1圖案曝光於上述基板上的第i區 域； 第2曝光過程，一方面使規定的第2圖案與上述基板 進行相對移動，一方面將上述第2圖案曝光於上述基板上 的上述第1區域；以及 、，移動過程，使要形成上述第丨圖案的位置與上述基板 進行相對移動，以便將上述第丨圖案曝光於上述基板上的 與上述第1區域不同的第2區域， 上述第2曝光過程是在執行上述移動過程時進行的。 如申請專利範圍第n項所述的曝光方法，其中 於上述第1曝光過程中，使用接近於上述基板而配 、且具有與上述第〗圖案相對應的圖案的光罩，來進行 第1曝光。

   13.如申請專利範圍第12項所述的曝光方法，其中 於上述第2曝光過程中，對以接近於上述基板 =配置、且具備多個聚光㈣聚細案形成崎照射曝^ 光，將規定形狀的聚光圖案曝光於上述基板上。 Μ.如★申請專利顧第u項所述的曝光方法， 射光曝絲程包括對上述多鮮光部選雜地照 15. 種曝光裝置，其特徵在於包括： 第1保持部，以接近域板的方絲轉形成有規定 73 200905407 -· - r — 的圖案的光罩； ，第2保持部’以接近於上述基㈣方式來保持聚光圖 案形成組件，該聚光圖案形成組件具備多個聚光部，該些 聚光部將規定形狀的光圖案形成於上述基板上；以及一 照明’對上述光罩以及上述聚光圖案形成組件照射 曝光光。 16·如中％專利範圍第15項所述的曝光裝置，更包括 二=以使上_板在第1方向上可移動 如申明專利範圍第16項所述的曝光裝置，其中 向來y呆持部以及上述第2保持部沿著上述第1方 向來保持上述光罩與上述聚光圖案形成組件。 置，申清專利範圍第】6項或第】7項所述的曝光裝 上述基板平台沿著身為橫貫上述第 2方向而可移動。 江第1方向的方向的第 19.如申請專利範圍第16項至第】 的曝光裝置，其中 3甲的任一項所述 ^述第1保持部是多個第i保持 罩疋多個光單中的一個，上述 上述先 板大致平杆沾；〜 弟1保持部在與上述基 2〇,t申Γ專狀地保持上述多個光罩。 的曝光裝置，月更包二上』m第19項中的任-項所述 控制的控制部， y以及上述基板平台進行 74 200905407 下，對與/述基板相對靜止的狀態 控制的控制部， 土攸十口進订 離、下上部在上述聚光_與上述基板相對靜止的狀 〜、下對上述聚光圖案形成組件照射上述曝光光。 第丨_f2G項中攸-項所述 =二更包括對上述照明部以及上述基板平台進行 上述控制部-方面使要形成上述聚光圖案的位置盘上 述基板沿著上述第1方向進行相對移動，—方面對上述 光圖案形成組件照射上述曝光光。 Λ 23.如申請專利範圍第16項至第19項中的任一項所述 的曝光裝置，更包括對上述照明部以及上述基 控制的控制部， 十。進仃 上述控制部-方面使上述光罩與上述基板沿著上述第 1方向進行相對移動’一方面對上述光罩照射上述曝光光。 24.如申睛專利範圍第16項至第23項中的任一項所述 的曝光裝置，其中 ' " 對上述聚光圖案形成組件上的上述多個聚光部進行定 位，使得上述多個聚光部所產生的上述多個光圖案的至少 一部分、與上述光罩上的供上述圖案進行轉印的位置相互 重疊。 75 200905407 25.如申請專利範圍第15 的曝光製置，其中 項至第24項中的任一項所述 的聚部包括設置於上述聚光圖 案形成組件上 26:申請專利範圍第25項所述的曝光裝置，其中 上述先罩與上逃聚光圖案形餘件形成為—體， 上遂光罩的上述規定的圖案包括遮光圖案， 上述第，持部及上述第2保持部設置成為一體。 的曝光範圍第15項至第25項中的任-項所述 上述光罩與上述聚光圖案形成組件是不同的組件。 28.如申請專利範圍第15項至第％項中的任一項所述 的曝光裝置，其中 、上述聚光圖案形成組件包括透光性基板、以及形成於 上述透光性基板上的相位型繞射圖案。 29·如申請專利範圍第15項至第24項中的任一項所述 的曝光裝置，其中 上述聚光圖案形成組件包括透光性基板、以及形成於 上述透光性基板上的透鏡面。 3〇.如申請專利範圍第15項至第25項中的任一項所述 的曝光裝置，其中 上述聚光圖案形成組件的上述多個聚光部在上述第1 方向上的倍率，與橫貫上述第i方向的第2方向上的上述 聚光部的倍率不同。 76 200905407 的二申㈣16項至第26項中的任一項所述 200905407 上 上述多個聚光部二維地配置於上述聚光圖案 形成組件 如申叫專利範圍第31項所述的曝光裝置，其中 曝光= Ϊ上述聚光圖案形成組件的 多個聚光部= =，，該空間光調變器對上述 的曝3光ΐ置申 閣性明部包括對上述曝光光的焦闌性進行控制的焦 34.如申請專利範圍第33項所述的曝光裝置 上賴卿包括將上述曝光光照射至 上 照明部、以及將上述曝光光照射 件上的第2照明部， U尤圖案形成組 上、十、=焦闌性控制部包括：第1焦闌性控制部，配置於 ^第1照明部内，對往上述光罩去的上述 門 性進行控制；以及第2焦闌性护 先的…、闌 明部内，對往上述聚光圖案“轉去的2照 闌性進行控制。 的上述曝光光的焦 35.如申請專利範圍第33項 置，更包括檢測上述基板的變形狀離、述的曝光裝 部， 队先、的基板變形狀態檢測 77 200905407 上述焦鬧性控制部根據來自上 的輸出來控制上述曝光光的焦閣性·板變形狀態檢測部 36.如申請專利範圍第35項 上述基板變形狀態檢測部檢淨卜^光裝置，其中 置對準標記。 又置於上述基板上的位 晉3Λ如紅申請專利範圍第35項或第36項所述的曝光# 置，更包括量測上述曝光光的焦闌性的隹 上述焦鬧性控制部根據來自上述其板、變并=部， 的輸出以及來自上述焦鬧性量測部=變=大細部 光光的上述焦闌性。 來控制上述曝 38.如申請專利範圍第Μ項至坌 的曝光裳置，其中弟項至第項中的任-項所述 第2保持部以可調整上述聚光圖案形成組件盘上 的t式’來保持上述聚光圖案形成組件。 檢測、VU著上^其^1摩巳圍第38項所述的曝光裝置，更包括 耆上述基板的上述間隔的方向的面位 ^部’並根據來自上述面位置檢測部的輸出來控制上= 40.—種曝光裝置，其特徵在於， 包括： 區域； 第1曝光部，將規定的第1圖案曝光於基板上的第i 第2曝光部，將規定的第2圖案曝光於上述基板上的 上述第1區域； 78 200905407 基板移動部，使上述基板沿著規定的第丨方向而移 動，以及 过控制上述第1及第2曝光部進行的曝光以及 上述基板移動部進行的上述基板的移動， 第==1曝光部的曝光時，上述控制部使上述 保持為相對靜止的狀態，且為了將上 2 ^ H 祕板上的與上料1 _不同的第 2£域，而使要形成上述第！圖案的位 相對，動，並於此時進行上述第2曝光部的曝=仃 上=請專利範圍第4〇項所述的曝光裝置，其中 、上述苐1曝光部包括：第丨保持部， 方式來保持形成有上述第】安 ；土板的 對上述光罩照射圖案的光罩;以及第1照明部’ 置^如申請專職圍第40項或第41項所述的曝光裝 上述第2曝光部包括：第2粗找# 板的方式來保持聚光圖案形成㈣：:；聚:^:土 = 具備多個聚光部，該些聚光部將形狀件 應的光圖案形成於上述基板上.以^上述第2圖案相對 聚光圖案形成組件照射曝光光。’以及苐2照明部，對上述 範圍第42項所述的曝光裝置，其中 照射光的空間光調變^括用以對上述多個聚光部選擇性地 44.-種聚光圖案形成組件，其特徵在於， 79 200905407 與具有第1圖_光罩組合而使用 部’上述第！圖案是與形成於被曝光體上的= = 分即第1光圖餘對應，該多個聚光部形成與上述光贿 的另一部分即第2光圖案相對應的聚光圖案 〃 件:中如申請專利範圍第44項所述的聚、光圖案形成組 ^==部包括設置於上述聚光圖案形成組件上 的聚光性遮光圖案。 ί 件 4』.中如申請專利範圍第45項所述的聚光圖案形成組 上述光罩與上述聚光圖案形成組件形成為一體， 上述光罩的上述第旧案包括遮光圖f 卞申請專利範圍第44項或第45項所述的聚光圖案 形成組件，其中 上述光罩與上述聚光圖案形成組件是不同的组件。 件 4?申請專利範圍第44項所述的聚光圖案形 其中 案 上述聚光部包括形成於透光性基板上的相位型繞射圖 件 49. ，申請專利範圍第44項所述的聚光圖案組 其中 ^述聚光部包括形成於透光性基板上的透鏡面。 50. 如申請專利範圍第料項至第的項中的任一項所述 的聚光圖案形成組件，其中 200905407 上述t光圖案具有如下縣料. 述第1圖案而形成的上、丄.她由上述光罩上的上 麵1光圖案更細微。 的聚光圖幸利f圍第4 4項至第5 0項中的任-項所述 的求九圖案形成組件，其中包括 第1 基板’該透光性基板具有上料光光所入射的 =:Γ以及較上述第1光學面更朝向上述基板侧的 乐Ζ无学面， 上述聚光部形成於上述第2光學面， 株的ΐίί紐基缺包姉⑽持上述聚細案形成組 、十、/，、、部’該被保持部沿著橫貫上述第1光學面與上 述第2光學面之間的面而形成。 52. —種光罩’其特徵在於， 取、，與申明專利範圍第44項至第51項中的任一項所述的 :光圖案形成組件組合而使用’可配置成接近於上述被曝 光體，且具有上述第1圖案。 \ 53. —種聚光圖案形成組件的設計方法，用於設計申請 專利範圍第44項至第51項中的任一項所述的聚光圖案形 成組件，該聚光圖案形成組件的設計方法的特徵在於， 包括以下過程： 將應形成於上述被曝光體上的光圖案分割成多個光圖 案的組； 自上述多個光圖案的組中抽取至少一個光圖案而獲得 第1光圖案； 自上述多個光圖案的組中柚取與上述所抽取的光圖案 81 200905407 不同的至少一個光圖案而獲得第2光圖案；以及 求出用以形成上述第2光圖案的上述多個聚光部的參 數， 上述第1光圖案的至少一部分與上述第2光圖案的至 少一部分相互重疊著。 .如申明專利範圍第53項所述的聚光圖案形成組件 的設計方法，其中 ( _上述聚光部的參數包括上述聚光部的焦距、數值孔 控、以及作動距離。 55·如申凊專利範圍第53項或第54項所述的聚光圖案 形成組件的設計方法，其中 一上述聚光部包括設置於上述聚光圖案形成組件上的聚 光! 生遮光圖案，該聚光圖案形成組件的設計方法更包括以 下過程.根據以上求出的上述聚光部的參數而求出上述聚 光性遮光圖案的形狀。 ΐ 56.如申明專利範圍第53項或第54項所述的聚光圖案 V 形成組件的設計方法，其中 上述聚光部包括設置於上述聚光圖案形成組件上的相 位型繞射圖案，該聚光圖案形成組件的設計方法更包括以 下過程：根據以上求出的上述聚光部的參數而求出上述相 位型繞射圖案的形狀。 57·如申請專利範圍第53項或第54項所述的聚光圖案 形成組件的設計方法，其中 上述聚光部包括設置於上述聚光圖案形成組件上的透 82 200905407 鏡面’該聚光圖案形成組件的設計方法更包括以下過程： 根據以上求出的上述聚光部的參數而求出上述透鏡面的形 狀。 / 58.—種光罩設計方法，用於設計申請專利範圍第44 項至第51項中的任一項所述的光罩，該光罩設計方法 徵在於包括以下過程： f /

   將應形成於上述被曝光體上的光圖案分割成多個 案的組； 自上述多個光圖案的組中抽取至少一個圖案而獲得第 1光圖案；以及 根據上述第1光圖案而生成上述第1圖案。 59.—種聚光圖案形成組件的製造方法，用於製造申言主 專利範圍第44項至第51射的任—項所述的聚光圖案^ 成組件，該聚光_形成組件的製造方糾特徵在於包括 以下過程： 準備透光性基板；以及 根翻以形成上述聚光_的上述多姉光部的設計 貝料，來對上述透光性基板實施處理。 的製=請其專中利範圍第59項所述的聚光圖案形成組件 光部包括設置於上述聚光圖案形成組件上的聚 ^述處料財包括町顧1據上述設計資料而 使上述聚光性遮光圖案關案化的方式形成於上述透光性 83 200905407 基板上。 59項所述的聚光圖案形成組件 61.如申請專利範圍第 的製造方法，其中 上述聚光部包括形成於透光性基板上的相位型繞射圖 上述處理過程中包括以下過程：根據上述設計資料而 於上述透紐基板上進行侧，則彡成上軸位型繞射圖 案。 62·如申請專利範圍第59項所述的聚光圖案形成組件 的製造方法，其中 上述聚光部包括形成於透光性基板上的透鏡面， 上述處理過程中包括以下過程：根據上述設計資料而 於上述透光性基板上進行#刻，以形成上述透鏡面。 63·如申睛專利範圍第61項或第62項所述的聚光圖案 形成組件的製造方法，其中更包括以下過程： 在上述透光性基板上的與上述聚光部不同的區域中形 成遮光部。 64.—種光罩製造方法，用於製造申請專利範圍第44 項至第51項中的任一項所述的光罩，該光罩製造方法的特 徵在於包括以下過程： 準備透光性基板；以及 根據上述第1圖案的資訊來對上述透光性基板實施處 理。 65.—種元件製造方法，其特徵在於包括： 84 200905407 一曝光過程’使用申請專利範圍第1項至第14項中的任 :項所述的曝光方法，來將上述規定的圖案以及上述聚 51案曝光於感光性基板上； 影，，影過程、’使轉印有上述圖案的上述感光性基板顯 對應的=感:Ϊ基板的表面上形成形狀與上述圖案相 面進程’經由上述光罩層來對上述感光性基板的表 L6.r種元件製造方法，其特徵在於包括： 上 項用申請專利範圍第15項至第43項中的 斤述的曝μ置，來將上述圖案曝光於感光性基板 影，並於:吏轉印有上述圖案的上述感光性基板顯 對應的光板的表面上形成形狀與上述圖案相 面進行加經由上述光罩層來對上述感光性基板的表 85