CN102667627B - 曝光方法及曝光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种曝光方法及曝光装置,即使在基板搬运方向上错位变大的情况下,也能够制作无缺陷的彩色滤光片。本发明的曝光方法中,将光掩膜102及涂布有光阻剂的基板202配置成与重复进行开灯及熄灯的闪亮式光源相对。一边沿与设置于光掩膜102的开口112的排列方向正交的方向连续地搬运基板202,一边使闪亮式光源闪亮,间歇地进行多次曝光。对基板202的搬运速度进行控制,以在每次曝光时,使光掩膜102的各个开口112与上一次的各个曝光图案122的一部分重叠,从而形成在基板202的搬运方向上延伸的条纹状着色层802。

Description

曝光方法及曝光装置
技术领域
本发明涉及一种制造用于液晶显示装置等的彩色滤光片基板的曝光方法及曝光装置。 
背景技术
近年来,随着液晶显示装置的大型化,用于液晶显示装置的彩色滤光片也随之大型化。彩色滤光片的制造工序中,通过光刻法对着色层进行图案化(patterning),但大型光掩膜非常高价,导致彩色滤光片的制造成本提高。因此,正在研讨各种使用小型光掩膜的新曝光方法。 
作为使用小型光掩膜的曝光方法,已知的方式是使用将尺寸比彩色滤光片基板的显示像素区域小的光掩膜装设于曝光头上的曝光机,一边搬运基板,一边对作为曝光对象的基板整面重复进行曝光(以下称为“小型掩膜连续曝光方式”)。 
图13是示出采用小型掩膜连续曝光方式的基板的曝光方法的图,此外,以下的说明中,将搬运基板的方向作为Y轴正方向。 
首先,在闪亮式光源(未图示)及光掩膜910的下面配置涂布有光阻剂(resist)的基板920。多个排列于X轴及Y轴方向上且呈行列状的开口911形成于光掩膜910。各开口911与彩色滤光片基板上的一个着色像素相对应。此外,在X轴方向上设置有与同一颜色的着色像素相对应的多个开口。其次,在Y轴正方向(图中的箭头方向)搬运基板920,在图13(a)所示的位置通过开口911对基板920上的光阻剂进行曝光。接着,将基板920搬运到曝光图案921与开口911不重叠的位置(图13(b))。在此状态下,通过开口911对基板920上的光阻剂进行曝光,从而在Y轴方向上以一定间隔形成多个排列于X轴方向上的、呈点状的曝光图案921。 
每次曝光时,根据相机所拍摄的、基板920上的图案及光掩膜的图像,来进行光掩膜910与基板920之间的对位。更具体而言,光掩膜910设置有用于检测基板920的位置的图案跟踪用开口912,根据通过图案跟踪用开口912所拍摄的基板920的图像图案来检测基板920的位置。然后,根据所检测到的基板920的位置来调整光掩膜910在X轴方向上的位置。结果,在X轴方向上能以良好精度来补正上述光掩膜与基板之间的相对错位。此外,根据检测到的基板920的位置来决定闪亮式光源的发光定时(timing)。 
作为光掩膜与基板错位的原因,有基板搬运装置的搬运轴的歪斜或基板的偏荡(yawing)所造成的基板自身的旋转、以及安装于曝光头的光掩膜的旋转。以下按错位的各个原因,依次说明在光掩膜与基板之间的相对位置关系为错开的情况下产生的问题。 
图14是说明基板的错位的图,图15是说明基板的错位方向的图。 
如图14(a)所示,基板搬运装置930用固定具932仅将基板920沿Y轴方向一侧的一边固定于搬运轴931a,并通过搬运轴931b来支撑另一侧的一边。基板搬运装置930在这样单侧支撑基板920的状态下,在图14中的Y轴正方向上搬运基板920。 
在使用仅支撑基板920的一边的基板搬运装置930的情况下,由于搬运轴931a的歪斜(图14(b))或搬运时基板920的偏荡(图14(c)),如虚线所示,基板920产生错位。由于基板920仅由搬运轴931a固定,所以该基板920例如因以搬运轴931a附近的点m为中心旋转而产生错位。当基板920的旋转中心位于搬运轴931a附近时,如图15所示,离旋转中心的点m越远,X轴方向及Y轴方向上的错位量就变得越大。例如,在距离点m最远的点d发生X轴方向的错位994及Y轴方向的错位995。虽然X轴方向的错位能够通过在上述的曝光时移动光掩膜来补正,但是Y轴方向的错位仅通过调整曝光定时是无法完全补正的,从而会有仍然存在错位的情况。 
图16是说明基板自身的旋转与着色层的错位之间的关系的俯视图,图17是沿图16的XVII-XVII线的剖面图,图18是沿图16的XVIII-XVIII线的剖面图。 
在基板920自身旋转的情况下,离基板920的旋转中心越远,基板920与光掩膜之间的错位量就变得越大。因此,例如在通过光掩膜910a曝光的区域内,着色层980从图中的A部到B部逐渐沿Y轴负方向移动(shift)。同样地,在通过光掩膜910b及910c曝光的区域内,着色层980从曝光区域的左侧端部到右侧端部逐渐沿Y轴负方向移动。结果,在邻接的光掩膜的接缝(虚线)附近有着色层980的错位量发生很大的变化的情况,导致显示不均匀。 
在此,如图17及图18所示,若着色层980与黑矩阵(black matrix)960的重叠宽度(用W1及W2表示)不同,则着色层与黑矩阵的重叠部分的最大高度(距基板表面的高度,用H1及H2表示)发生变化。具体而言,着色层980与黑矩阵960的重叠宽度越大,着色层980的最大高度越大。比较图17及图18中用实线表示的着色层,有W1<W2、且H1<H2的关系。在此,着色层980的最大高度的不同会影响到封入彩色滤光片基板与相对基板之间的液晶的取向状态。从而,在构成液晶显示装置时,在曝光区域的边界被识别为显示不均匀。 
图19是说明光掩膜的旋转与着色层的错位之间的关系的俯视图。 
在光掩膜旋转的情况下,离光掩膜的旋转中心越远,基板与光掩膜之间的错位量就变得越大。所以,着色层980相对于黑矩阵960的错位如图19所示那样从光掩膜的左侧逐渐变大到右侧。 
在如光掩膜910a及光掩膜910b那样旋转方向相同且旋转角大致相等的情况下,着色层的错位方向及错位量呈相同的趋势。具体而言,在通过光掩膜910a曝光的区域内,着色层从图中的C部到D部逐渐沿Y轴负方向移动。在通过光掩膜910b而曝光的区域内也同样,着色层从图中的E部到F部逐渐沿Y轴负方向移动。结果,着色层的错位量在D部与E部之间大不相同。 
另一方面,在如光掩膜910b及光掩膜910c那样旋转方向相反且旋转角大致相等的情况下,着色层有分别在相反方向上产生相同错位量的错位的趋势。具体而言,在通过光掩膜910b曝光的区域内,着色层从图中的E部到F部逐渐沿Y轴负方向移动。而在通过光掩膜910c曝光的区域内,着色层从图中的G部到H部逐渐沿Y轴正方向移动。结果,着色层的错位量在F部与G部 之间成为大致相等。如上所述,着色层的错位量根据邻接的光掩膜各自的旋转中心及旋转方向,而在通过各个光掩膜而曝光的区域之间大不相同。结果,与图16~图18中所说明的情况同样,液晶显示装置显示不均匀。 
专利文献 
[专利文献1]日本特开2008-216593号公报 
[专利文献2]日本特开2007-121344号公报 
发明内容
故而,本发明的目的在于提供一种曝光方法及曝光装置,能够制造即使在基板与光掩膜之间的位置关系为错开的情况下,也能抑制显示不均匀的彩色滤光片。 
本发明涉及一种曝光方法,该曝光方法一边沿第一方向搬运形成有格子状的遮光层的基板,一边在上述基板上形成用于构成彩色滤光片的着色像素。该曝光方法将具有多个开口的光掩膜和涂布有光阻剂的基板配置成与重复进行开灯及熄灯的闪亮式光源相对;一边沿第一方向连续地搬运基板,一边使闪亮式光源闪亮,间歇地进行多次曝光;在每次曝光时,使光掩膜沿与第一方向正交的第二方向移动,从而进行光掩膜与基板之间的对位;对闪亮式光源的闪亮间隔进行控制,从而在每次曝光时,使光掩膜的多个开口的一部分与、上一次曝光时通过光掩膜的开口而曝光的曝光图案的一部分重叠;光掩膜的一个开口在第一方向上的宽度与、遮光层所包围的一个开口区域在第一方向上的宽度之差,大于光掩膜的一个开口在第二方向上的宽度与、遮光层所包围的一个开口区域在第二方向上的宽度之差。 
[发明效果] 
根据本发明,即使在基板搬运方向上发生基板的错位,也能够在不出现缺陷的情况下对彩色滤光片基板进行曝光。 
附图说明
图1是示出第1实施方式所涉及的曝光装置的概略结构的图。 
图2是示出第1实施方式所涉及的曝光方法的一例的图。 
图3是在形成黑矩阵后的基板上形成有点状着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
图4是TFT基板的部分俯视图。 
图5是示出第1实施方式所涉及的曝光方法的其它例子的图。 
图6是在TFT基板上形成有点状着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
图7是第1实施方式的变形例所涉及的彩色滤光片基板的俯视图。 
图8是说明彩色滤光片基板的白色斑(white patch)的图。 
图9是示出第2实施方式所涉及的曝光方法的一例的图。 
图10是在形成黑矩阵后的基板上形成有条纹状着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
图11是示出第2实施方式所涉及的曝光方法的其它例子的图。 
图12是在TFT基板上形成有条纹状着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
图13是示出采用小型掩膜连续曝光方式的基板的曝光方法的图。 
图14是说明搬运装置与基板之间的错位的图。 
图15是说明基板的错位方向的图。 
图16是说明基板自身的旋转与着色层的错位之间的关系的俯视图。 
图17是沿图16所示的彩色滤光片基板的XVII-XVII线的剖面图。 
图18是沿图16所示的彩色滤光片基板的XVIII-XVIII线的剖面图。 
图19是说明光掩膜的旋转与着色层的错位之间的关系的俯视图。 
(附图标记说明) 
具体实施方式
(第1实施方式) 
图1是示出第1实施方式所涉及的曝光装置的概略结构的图,具体而言,图1(a)是曝光装置的侧视图,图1(b)是从上方观看光掩膜和基板的俯视图。此外,以下的说明中,设基板搬运方向为Y轴正方向。 
图1(a)所示的曝光装置100具备闪亮式光源400、光掩膜保持机构130、搬运装置300、图像识别装置500及光掩膜移动机构140。 
闪亮式光源400是以规定的时间间隔重复进行开灯及熄灯的光源,可以通过使激光元件发脉冲光来实现。闪亮式光源400的发光间隔既可以固定,也可以根据外部的指示而改变。 
光掩膜保持机构130将光掩膜101保持于闪亮式光源400的下方。如图1(b)所示,光掩膜101具有对应于同一颜色的着色像素的配置而排列的多个 开口111、以及图案跟踪用开口120,该图案跟踪用开口120用于图像识别装置500读取基板201上的曝光图案等。如图1(b)的部分放大图所示,多个开口111以一定间隔排列于各个列(column)上。并且,由该多个开口111构成的列(column)以等间隔重复设置于行(row)方向上。在此,各个开口111与一个着色像素对应,而且,排列于列方向上的各个开口111与连续排列的各个同一颜色的着色像素对应。光掩膜保持机构130将光掩膜101保持为开口111的列方向与Y轴方向一致。第1实施方式所涉及的曝光方法及曝光装置既可以如图1(b)所示那样排列多个光掩膜101来使用,也可使用覆盖X轴方向的整个曝光区域的一片光掩膜。之后将对光掩膜的开口进行详细说明。 
搬运装置300具有未图示的搬运机构及基板固定机构,并以规定的搬运速度沿Y轴正方向连续搬运基板201。例如,可以使用图14所示的搬运轴及固定具来作为搬运机构及基板固定机构。 
图像识别装置500拍摄光掩膜101及基板201的图像,并根据拍摄图像来检测基板201相对于光掩膜101的相对位置。更具体而言,图像识别装置500根据所拍摄的光掩膜101的对准标记、以及通过图案跟踪用开口120而拍摄的基板201的图像图案,来检测光掩膜101与基板201之间的位置关系。 
光掩膜移动机构140根据图像识别装置500的检测结果来使光掩膜101移动,从而进行光掩膜101与基板201在X轴方向上的对位。该对位在闪亮式光源400的熄灯期间内进行。 
以下,参照图2及图3来说明使用了第1实施方式所涉及的曝光方法的彩色滤光片基板的制造方法。 
图2是示出第1实施方式所涉及的曝光方法的一例的图,示出的是对形成有黑矩阵的基板进行曝光的例子。此外,图3是在形成黑矩阵后的基板上形成有点状着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
此外,图2中,用实线描绘的矩形状区域表示黑矩阵600的开口部,附有影线的区域表示光阻剂已被曝光的部分。此外,双点划线表示光掩膜101及设置于该光掩膜的开口111a~111j。开口111a~111j是与同一颜色着色层相对应的开口。此外,图2中,为了便于图示,仅示出基板201及光掩膜 101的一部分。此外,图3也仅示出基板201的一部分。在此,光掩膜101的一个开口在Y轴方向上的尺寸W3(参照图1(b))与黑矩阵600所包围的一个开口区域在Y轴方向上的尺寸W5之差,大于光掩膜101的一个开口在X轴方向上的尺寸W4(参照图1(b))与黑矩阵600所包围的一个开口区域在X轴方向上的尺寸W6之差。 
首先,在基板201上形成格子状的黑矩阵600。黑矩阵600的形成方法并不受限制,可以采用各种方法。 
其次,将光掩膜101配置成与闪亮式光源400相对,并通过搬运装置300将涂布有光阻剂的基板201搬运到该光掩膜101的下方。一边沿Y轴正方向搬运基板201,一边使闪亮式光源400发光,从而如图2(a)所示那样使基板201上露出于矩形状的开口111a~111j(双点划线所包围的区域)的区域(影线部分)曝光,从而形成曝光图案211a~211j。此外,以下的例子中,以在每一次的曝光照射(shot)中,使光掩膜101与基板201之间的位置关系移动三个像素的方式,来沿Y轴正方向搬运基板201。 
在闪亮式光源400熄灯时,搬运装置300仍然以规定速度继续搬运基板201。如图2(b)所示,闪亮式光源400的发光定时被设定为,在光掩膜101与基板201之间的位置关系移动三个像素时,使基板201上的露出于开口111a~111j的区域在基板201上再次曝光。图2的例子中,5个开口沿Y轴方向排列于光掩膜101上。所以,在进行图2(b)的曝光时,上一次的曝光(图2(a))所曝光的图案的一部分与光掩膜101的开口的一部分重叠。例如,开口111a、111b、111f及111g分别重叠于曝光图案211d、211e、211i及211j。此外,第1实施方式中,使用5个开口排列于Y轴方向上的光掩膜,以在每一次的曝光照射中使基板与光掩膜之间的位置关系移动三个像素的方式,来使基板移动,但本发明并不局限于此。具体而言,只要是以在每一次的曝光照射中使基板与光掩膜之间的位置关系为移动n个着色像素的方式,来使基板移动即可(n是小于光掩膜的排列于Y轴方向上的开口数的自然数)。 
以后,通过一边搬运基板201一边使闪亮式光源400闪亮,多次重复进行曝光,从而多个点状的曝光图案如图2(c)所示那样地排列于Y轴方向上而图案化。 
此外,在闪亮式光源400熄灯的期间,图1所示的图像识别装置500基于光掩膜101上的对准标记(未图示)和基板201上的曝光图案,来检测基板201的位置。光掩膜移动机构140根据所检测到的基板201的位置,使光掩膜101沿X轴方向移动,为了下一次的曝光而进行光掩膜101与基板201在X轴方向上的对位。 
之后,进行显像处理及烧成处理,并且,通过使用其他颜色的光阻剂来重复进行图2所示的曝光处理、显像处理及烧成处理,能够获得如图3所示那样在基板201上形成有下述着色层801的彩色滤光片基板,该着色层801是,同一颜色排列于Y轴方向上、且不同颜色重复排列于X轴方向上的点状的着色层(用不同的影线来表示各个颜色)。 
如上所述,与光掩膜101的开口与黑矩阵600的开口区域在X轴方向上的尺寸差相比,光掩膜101的开口与黑矩阵600的开口区域在Y轴方向上的尺寸差较大。由于在X轴方向上能够精度良好地进行对位,所以,即使光掩膜101的开口与黑矩阵600的重叠部分狭窄也没有问题。另一方面,在Y轴方向上通过相对大幅度地确保光掩膜101的开口与黑矩阵600的重叠部分,即使在Y轴方向上的错位大的情况下,也能防止白色斑(white patch)。作为一例,设定着色层801与黑矩阵600在Y轴方向上重叠的重叠部M为2μm以上。这是将曝光装置的基板搬运轴的歪斜和/或基板的偏荡所造成的Y轴方向的错位量的最大值设想为2μm左右时的设计值。 
图4是TFT基板的部分俯视图。 
TFT基板700具备基板、多个保持电容元件710、多条源极布线720、多个像素电极730、多个薄膜晶体管740及多条栅极布线750。源极布线720形成为在Y轴方向上延伸,保持电容元件710及栅极布线750形成为在X轴方向上延伸。在此,贴合TFT基板700与彩色滤光片基板201时,保持电容元件710和、彩色滤光片基板201的着色层801与黑矩阵600在Y轴方向上重叠的部分 相对。保持电容元件710和栅极布线750在液晶显示装置中成为遮光部分。因此,液晶显示装置中,由于着色层801与黑矩阵600在Y轴方向上的重叠宽度变动的部分与被TFT基板遮光的部分相对,所以,该重叠宽度的变动不会影响到液晶显示装置的显示不均匀。 
另一方面,在X轴方向上,由于因上述基板搬运轴的歪斜、基板的偏荡及光掩膜的旋转而造成的错位量较小,并且,曝光间歇时以良好精度进行定位,所以基板201的错位几乎完全不会影响到显示不均匀。 
图5是示出本发明的实施方式所涉及的曝光方法的其它例子的图,示出的是对TFT基板上的光阻剂进行曝光的例子。此外,图6是在TFT基板上形成有着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
此外,图5所示的曝光方法本身与图2所示的相同,但是,仅有曝光对象的基板是TFT基板这一点不同。此外,图5及图6是示出在TFT基板上直接设置着色层的结构的彩色滤光片基板的制造方法的图。该结构的彩色滤光片基板中,只要在至少由源极布线720及栅极布线750包围的区域设置有着色层即可。 
首先,在基板上形成多个保持电容元件710、多条源极布线720、多个像素电极730、多个薄膜晶体管740及多条栅极布线750,从而制作TFT基板701。TFT基板701的制作方法并不受限制,可以采用各种方法。 
接着,在闪亮式光源400的下方配置光掩膜101、及涂布有光阻剂的TFT基板701。 
之后,如图2中所述,一边在Y轴方向上搬运TFT基板701,一边使闪亮式光源400闪亮,来间歇地多次进行曝光。此时,如图5(a)及(b)所示,光源的发光定时被进行调整,从而在每次曝光时,使在上一次曝光所曝光的曝光图案的一部分与光掩膜101的开口的一部分重叠。此外,也进行光掩膜与基板在X轴方向上的对位。结果,如图5(c)所示,在Y轴方向上排列成点状的曝光图案211被曝光。 
之后,进行显像处理及烧成处理,并且,通过使用其他颜色的光阻剂重复进行图5所示的曝光处理、显像处理及烧成处理,能够获得如图6所示那样在TFT基板701上形成有下述着色层801的彩色滤光片基板,该着色层801是,同一颜色排列于Y轴方向上,且不同颜色重复排列于X轴方向上的点状的着色层。在此,着色层801在Y轴方向上的端部位于栅极布线750(液晶显示装置中成为遮光部)上。所以,着色层801与栅极布线750在Y轴方向上的重叠宽度的变动不会影响到液晶显示装置的显示不均匀。
此外,由于源极布线720比栅极布线750细,所以与源极布线720正交的方向上的定位精度很重要。本实施方式中,使源极布线720的延伸方向与TFT基板201的搬运方向(Y轴方向)一致。因此,在与源极布线720正交的方向(X轴方向)上的错位量相对变小,所以在该方向上,能够以良好的位置精度在TFT基板上对着色层进行图案化。 
如上所述,即使在因基板的搬运轴的歪斜、基板的偏荡及光掩膜的旋转,而使着色层与黑矩阵之间的错位量在Y轴方向上占优势的情况下,通过在同一颜色的着色像素连续地排列的、且对应的开口排列的方向上搬运基板,能够制作既允许Y轴方向上的错位,又抑制液晶显示装置的显示不均匀的彩色滤光片。 
(第1实施方式的变形例) 
本发明也可以通过采用图7所示的着色图案810来取代上述点状的着色图案。着色图案810通过在Y轴方向上重复连接多个像素部811和连接部812来形成,该连接部812使邻接的像素部的短边的一部分彼此连接。在X轴方向上,以一定间隔重复配置有着色图案810。这样,设置连接部812例如具有能在该连接部812上形成光间隔物(photo spacer)的优点。 
(第2实施方式) 
在此,在光掩膜与基板之间的对位精度变得更差的情况下,或在设置于一片光掩膜上的开口图案形成区域在X轴方向上变大,从而基板或光掩膜的旋转中心与曝光位置之间的距离变大的情况下,在Y轴方向上会发生更大的错位。此外,根据所制造的彩色滤光片的形状,会有在Y轴方向邻接的着色像素间的距离小,从而无法将着色层在Y轴方向上的宽度设计成比黑矩阵的开口部在Y轴方向上的宽度大2μm以上的情况。结果,如图8所示,会有 因Y轴方向的着色层800与黑矩阵600之间的错位而产生未形成着色层800的区域(以下称“白色斑”)610,从而损害彩色滤光片质量的情况。为了防止该白色斑的产生,在第2实施方式中形成条纹状的着色层。以下,参照图9及图10来说明使用了第2实施方式所涉及的曝光方法的彩色滤光片基板的制造方法。此外,第2实施方式与第1实施方式不同的是,使用的光掩膜不同,并且光源的发光定时不同。对于与第1实施方式相同的结构赋予相同的标记,并省略其说明。 
图9是示出第2实施方式所涉及的曝光方法的一例的图,示出的是对形成有黑矩阵的基板进行曝光的例子。此外,图10是在形成黑矩阵后的基板上形成有条纹状着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
此外,图9中,用实线描绘的矩形状区域表示基板202上的着色像素的位置,附有影线的区域表示光阻剂已被曝光的部分。此外,双点划线表示光掩膜102及设于该光掩膜的开口112。图9中,为了便于图示,仅示出基板202及光掩膜102的一部分。在此,光掩膜102的一个开口在Y轴方向上的尺寸W7与黑矩阵600所包围的一个开口区域在Y轴方向上的尺寸W9之差,大于光掩膜102的一个开口在X轴方向上的尺寸W8与黑矩阵600所包围的一个开口区域在X轴方向上的尺寸W10之差。 
将光掩膜102配置成与闪亮式光源400相对,通过搬运装置300将涂布有光阻剂的基板202搬运到光掩膜102的下方。通过一边沿Y轴方向搬运基板202,一边使闪亮式光源400发光,如图9(a)所示,使基板202上的露出于开口112的区域(影线部分)曝光,从而形成曝光图案212。 
在闪亮式光源400熄灯时,搬运装置300也以规定速度继续搬运基板202。但是,搬运装置300搬运基板202的搬运速度被设定为,如图9(b)所示,使在每次曝光时(即,在接着闪亮式光源400的熄灯期间之后再发光的时间点),上一次曝光时所曝光的各个曝光图案212的一部分、与分别与之对应的光掩膜102的各个开口112重叠。所以,上一次被曝光的区域与本次被曝光的区域在基板202的搬运方向上无间隙地连续形成。 
以后,通过一边搬运基板202一边使闪亮式光源400闪亮,并多次重复进行图9(b)的状态下的曝光,从而如图9(c)所示,带状的曝光图案212被图案化为条纹状。 
此外,在闪亮式光源400熄灯的、曝光间歇的期间,在X轴方向上进行光掩膜与基板之间的对位。 
之后,进行显像处理及烧成处理,并且,通过使用其他颜色的光阻剂重复进行使用了图9所示的曝光方法的曝光处理、显像处理及烧成处理,能够获得如图10所示那样在基板202上呈条纹地形成有多个颜色的带状的着色层802的彩色滤光片基板。 
图11是示出本发明的实施方式所涉及的曝光方法的其它例子的图,示出的是对TFT基板进行曝光的例子。此外,图12是在TFT基板上形成有着色层的彩色滤光片基板的俯视图。 
图11所示的曝光方法本身与图9所示的相同。通过使用构成各着色像素的各颜色的光阻剂,来重复进行使用了图11所示的曝光方法的曝光处理、显像处理及烧成处理,能够获得如图12所示那样在TFT基板702上呈条纹状地形成有多个颜色的带状的着色层802的彩色滤光片基板。 
根据图11及图12所示的彩色滤光片的制造方法,即使在因基板搬运轴的歪斜、TFT基板的偏荡及光掩膜的旋转,而使光掩膜与TFT基板在Y轴方向上的错位变大的情况下,也能防止因着色像素未形成于像素电极上而造成的开口率的降低。 
如上所述,根据第2实施方式的曝光方法,能够在基板的Y轴方向上不中断地形成条纹状的着色层802。所以,第2实施方式能够不受Y轴方向上的错位的影响,而对着色层进行曝光。结果,即使在曝光时,基板与光掩膜之间的错位在Y轴方向上变得更大的情况下,也能够允许该Y轴方向上的错位,并能够抑制液晶显示装置的显示不均匀,并且还能够防止白色斑的发生。 
此外,上述的第1及第2实施方式中,基板搬运装置采用了通过搬运轴及基板固定机构来单侧支撑基板的结构,但本发明并不局限于此。例如也可以是将基板载置于线性马达致动器的运转部的结构。 
此外,上述第1及第2实施方式例示了设置有用于对光掩膜的位置进行调整的光掩膜移动机构的曝光装置,然而,也可使光掩膜相对于闪亮式光源固定,通过搬运装置来进行与搬运方向正交的方向上的位置调整。 
[工业实用性] 
本发明可应用于液晶显示装置等所使用的彩色滤光片基板的曝光方法及曝光装置。 

Claims (10)

1.一种曝光方法,一边沿第一方向搬运形成有格子状的遮光层的基板,一边在上述基板上形成用于构成彩色滤光片的着色像素,该曝光方法中,
将具有多个开口的光掩膜和涂布有光阻剂的基板配置成与重复进行开灯及熄灯的闪亮式光源相对;
一边沿上述第一方向连续地搬运上述基板,一边使上述闪亮式光源闪亮,间歇地进行多次曝光;
每次曝光时,使上述光掩膜沿与上述第一方向正交的第二方向移动,从而进行上述光掩膜与上述基板之间的对位;
对上述闪亮式光源的闪亮间隔进行控制,以在每次曝光时,使上述光掩膜的上述多个开口的一部分与、上一次曝光时通过上述光掩膜的开口而曝光的曝光图案的一部分重叠;
上述光掩膜的一个开口在上述第一方向上的宽度与、上述遮光层所包围的一个开口区域在上述第一方向上的宽度之差,大于上述光掩膜的一个开口在上述第二方向上的宽度与、上述遮光层所包围的一个开口区域在上述第二方向上的宽度之差。
2.根据权利要求1所述的曝光方法,其特征在于:
上述基板是TFT基板,该TFT基板包含多个薄膜晶体管、多条栅极布线、及在与上述栅极布线正交的方向上延伸且线宽比上述栅极布线细的多条源极布线;
使上述TFT基板相对于上述光掩膜而配置,以使上述源极布线的延伸方向与上述第一方向平行。
3.根据权利要求1所述的曝光方法,其特征在于:
上述多个开口是条纹状;
在每次曝光时,在各列中,上一次曝光时所曝光的曝光图案与上述开口部分重叠。
4.根据权利要求1所述的曝光方法,其特征在于:
上述多个开口是排列于上述第一方向及上述第二方向上的行列状;
在上述每次曝光时,在各列中,上述多个开口中的部分开口与、上一次曝光时通过上述多个开口而曝光的曝光图案中的部分曝光图案重叠。
5.根据权利要求1所述的曝光方法,其特征在于:
上述基板是矩形形状;
上述基板的搬运是在只有上述基板的、沿上述第一方向的一边固定于搬运装置的状态下进行的。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的曝光方法,其特征在于:
在上述闪亮式光源的熄灯期间内,进行上述光掩膜与上述基板在上述第二方向上的对位。
7.一种彩色滤光片的制造方法,是在形成有格子状的遮光层的基板上形成着色像素的彩色滤光片的制造方法,该制造方法中,
对应于上述着色像素的颜色数量相应地重复进行使用了权利要求1所述的曝光方法的曝光处理、及对经过上述曝光处理的上述基板进行显像、烧成的处理。
8.一种曝光装置,一边沿第一方向搬运形成有格子状的遮光层的基板,一边在上述基板上形成用于构成彩色滤光片的着色像素,具备:
闪亮式光源,重复进行开灯及熄灯;
光掩膜,具有多个开口;
基板搬运装置,沿第一方向连续地搬运涂布有光阻剂的上述基板;
图像识别装置,根据上述光掩膜和上述基板的拍摄图像,来检测上述光掩膜与上述基板之间的相对位置关系;
对位部,在每次曝光时,根据上述图像识别装置所检测到的位置关系,使上述光掩膜沿与上述第一方向正交的第二方向移动,来进行上述光掩膜与上述基板之间的对位;及
闪亮间隔调整部,对上述闪亮式光源的闪亮间隔进行调整,以在每次曝光时,使上述光掩膜的开口的一部分与上一次曝光时通过该开口而曝光的曝光图案的一部分重叠;
上述光掩膜的一个开口在上述第一方向上的宽度与、上述遮光层所包围的一个开口区域在上述第一方向上的宽度之差,大于上述光掩膜的一个开口在上述第二方向上的宽度与、上述遮光层所包围的一个开口区域在上述第二方向上的宽度之差。
9.根据权利要求8所述的曝光装置,其特征在于:
上述基板是矩形形状;
上述基板搬运装置包括,
搬运轴,在上述第一方向上延伸,以及
固定机构,仅将上述基板的沿上述第一方向的一边固定于上述搬运轴。
10.根据权利要求8或9所述的曝光装置,其特征在于:
上述对位部在上述闪亮式光源的熄灯期间内,根据上述图像识别装置所检测到的位置关系,进行上述光掩膜与上述基板在上述第二方向上的对位。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015008667A1 (ja) * 2013-07-17 2015-01-22 堺ディスプレイプロダクト株式会社 カラーフィルタ、液晶表示装置、及びカラーフィルタの製造方法
CN106610564B (zh) * 2015-10-26 2019-12-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板
CN106249553B (zh) * 2016-10-20 2018-03-13 南京华东电子信息科技股份有限公司 一种液晶显示器面板制造中的周边曝光方法
CN106547143B (zh) * 2017-01-24 2019-10-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
JP6940873B2 (ja) * 2017-12-08 2021-09-29 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および露光方法
CN109116593B (zh) * 2018-08-02 2021-07-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 母板曝光方法
CN109062014B (zh) 2018-09-12 2020-06-02 友达光电(昆山)有限公司 一种掩膜板组及显示面板
KR20210147640A (ko) * 2020-05-29 2021-12-07 동우 화인켐 주식회사 노광 패턴, 이의 형성에 사용되는 노광 마스크, 및 이를 이용한 노광 패턴 형성 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716100A (zh) * 2004-06-30 2006-01-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 光刻显影装置及采用该装置制造滤色片基板的方法
CN101449381A (zh) * 2006-04-03 2009-06-03 凸版印刷株式会社 彩色摄像元件以及彩色摄像元件制造方法
CN101589334A (zh) * 2007-04-20 2009-11-25 夏普株式会社 液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4328509B2 (ja) * 2002-10-10 2009-09-09 Nec液晶テクノロジー株式会社 基板の露光方法
JP2004212814A (ja) * 2003-01-07 2004-07-29 Sharp Corp カラーフィルタ製造方法、カラーフィルタ、及び表示装置
JP5382899B2 (ja) 2005-10-25 2014-01-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
WO2007074798A1 (ja) * 2005-12-27 2007-07-05 Sharp Kabushiki Kaisha 基板処理装置への基板搬送方法
WO2007113933A1 (ja) * 2006-04-05 2007-10-11 Sharp Kabushiki Kaisha 露光方法および露光装置
JP4984886B2 (ja) * 2006-12-27 2012-07-25 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ用基板の洗浄装置及び洗浄方法
JP4971835B2 (ja) * 2007-03-02 2012-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
US8139199B2 (en) * 2007-04-02 2012-03-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, light converging pattern formation member, mask, and device manufacturing method
JP4985308B2 (ja) * 2007-08-31 2012-07-25 大日本印刷株式会社 露光装置、フォトマスクおよび露光方法
JP2009216762A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク及びカラーフィルタの製造方法
JP2009251013A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Hitachi Displays Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置および表示装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716100A (zh) * 2004-06-30 2006-01-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 光刻显影装置及采用该装置制造滤色片基板的方法
CN101449381A (zh) * 2006-04-03 2009-06-03 凸版印刷株式会社 彩色摄像元件以及彩色摄像元件制造方法
CN101589334A (zh) * 2007-04-20 2009-11-25 夏普株式会社 液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2008-216593A 2008.09.18 *
JP特开2009-216762A 2009.09.24 *

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Publication number Publication date
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