TW200903475A - Optical recording medium, optical recording apparatus, and system to prepare contents-recorded optical recording medium - Google Patents

Description

200903475 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種所謂低至高類型之光學記錄媒體， 其具有一染料記錄層，其可以640至68 Onm之DVD雷射 波長或400至410nm之藍光雷射波長記錄’其中且該記錄 標記部分在記錄時對於雷射光的反射比高於記錄之前，以 及關於一光學記錄設備與系統以製備存有內容之光學記錄 媒體。 【先前技術】 除了諸如僅能重現（唯讀）dvd(數位多樣化光碟）之光 學記錄媒體以外，市面上可購得可記錄 DVD，諸如 DVD + RW、DVD + R、DVD-R、DVD-RW 與 DVD-RAM。此 等DVD之技術觀念係由傳統CD-R與CD-RW(可記錄光碟 )延伸’並設計成令其記錄密度（軌距、信號標記長度）以及 基材厚度與DVD條件一致代替與CD條件一致，以便確保 其與唯讀DVD之重現相容性。此種組態係用於例如DVD· R’其中令一染料旋塗在形成有導引凹軌及/或形成有凹點 之基材上以形成光學記錄層（下文有時稱爲「染料記錄層 」）’令一反射層在該染料記錄層反側形成以製備資訊記 錄基材’然後透過層疊材料令彼與其他相同形狀之基材層 疊在一起。 CD-R之特徵係高反射比（65%),此係以cd標準（見專 利文獻1)所界定’同時’在記錄/重現波長約爲65 0nm之 200903475 DVD + R情況中，光學記錄層應符合特定複合折射指數以 便在上述組態中實現更高反射比，因而當該光學記錄層中 使用染料材料時，藉由該染料材料之光學吸收性質而有利 地達成較高反射比。因此，與CD-R類似，該等染料材料 已用於之DVD + R中之光學記錄層。此等光學記錄媒體係 利用該染料材料中之吸光光譜的吸光帶邊緣部分之性質（ 見圖1) ’且已經可以DVD + R或DVD-R之記錄DVD系統 在市面購得此等光學記錄媒體，其中記錄係以所謂高至低 模式進行以令記錄之後的反射比（反射光量）較記錄之前降 低。 隨著光學記錄媒體容量變大，近來已需要可以高速記 錄之可記錄DVD，然而由於記錄前之記錄標記部分的反射 比較記錄之後爲大，高至低類型之傳統DVD遭遇記錄敏 感度或吸光率不足及/或在高速記錄時之記錄性質不足的 問題。 此外，記錄之後的反射比較記錄前爲低的高至低類型 光學記錄媒體具有表現出較大推挽信號（推挽（差動信號/反 射比（總和信號）（本說明書中，各次出現之推挽信號係與記 錄標記部分相關））的傾向。此種狀況下，導引凹軌所致之 信號有可能混入資料信號而成爲雜訊成份，當信號雜訊係 由頻率與資料信號相似之導引凹軌產生時特別嚴重，因而 造成難以使用頻率濾波器去除雜訊成份的問題。 因此，希望有其中之推挽信號於記錄之後降低之光學 記錄媒體；然而以DVD形式呈現之記錄後降低推挽信號 200903475 的光學記錄媒體係因其低至高類型本身尙未廣爲人知之故 尙未爲人詳知’其低至高類型已廣爲人知之藍光波長的光 學§5錄媒體（見專利文獻2、3)也尙未廣爲人知。 此外，傳統光學記錄設備係設計供不會記錄在存取區 (例如用以管理記錄之記錄區）之可記錄光學記錄媒體用， 該存取區有別於重現時存取之資料區，即使記錄完成之後 仍可供再寫未記錄部分。因此，傳統高至低類型光學記錄 媒體未經記錄之較高反射比存取區係與經記錄較低反射比 區或其他互混，然而在低至高類型之光學記錄媒體中，未 經記錄較低反射比存取區係與經記錄之較高反射比區或其 他互混。 常用重現裝置係根據高至低類型（與較高反射比存取 區互混）之傳統光學記錄媒體爲基礎而製造，因此其可能 在互混較低反射比存取區之低至高類型的光學記錄媒體中 產生伺服故障等等問題。 專利文獻1 :日本專利早期公開申請案（JP-A)第02-42652 號 專利文獻2 : JP-A第2004-2 1 3753號 專利文獻3 :日本專利（JP-B)第3 83405 3號 【發明內容】 本發明目的係提出一種低至高類型之光學記錄媒體， 其中之記錄標記部分在記錄之後的反射比高於記錄之前， 該光學記錄媒體具有一可以640至680nm或400至410nm 200903475 爲波長之記錄光加以記錄的染料記錄層，並且顯示出優良 記錄敏感度’亦提出一光學記錄設備以及系統以利用該光 學記錄設備而製備存有內容之光學記錄媒體。 由於本發明人之徹底硏究，已發現當將兩種特定種類 記錄染料材料混合並用於該記錄層時，記錄敏感度或吸光 率充足、高速記錄時之記錄性質優良以及可避免當DVD 製成低至高類型之光學記錄媒體時的信號與資料信號混淆 ，亦可獲得優良記錄電力邊限。 即，藉由以下<1>至<18>所界定之本發明可達成上述 目的。 <1> 一種光學記錄媒體，包含一染料記錄層，其中一記錄 標記部分係藉由使用波長爲640nm至6 80nm之雷射光而 在該染料記錄層形成，且該記錄標記部分在記錄之後對於 雷射光的反射比高於記錄之前。 <2>如<1>項之光學記錄媒體，其中記錄後該記錄標記部 分處之推挽信號（推挽（差動信號/反射比（總和信號））低於記 錄之前。 <3> —種光學記錄媒體，包含一染料記錄層，其中一記錄 標記部分係藉由使用波長爲400nm至410nm之雷射光而 在該染料記錄層形成’該記錄標記部分在記錄之後對於雷 射光的反射比高於記錄之前’且記錄後之推挽信號（推挽（ 差動信號/反射比（總和信號））低於記錄之則。 <4>如<1>至<3>中任一項之光學記錄媒體，其中該染料記 錄層含有一或更多種染料材料（A)’其最大吸收尖峰波長 200903475 較記錄/重現波長爲長，以及一或更多種染料材料（B)，其 最大吸收尖峰波長較記錄/重現波長爲短。 <5>如<4>項之光學記錄媒體，其中該染料材料（A)係—花 青染料，以如下所示之通式（I)表示： 通式（I)

在上式中，汉，與R，，各獨立表示烷基、芳烷基或芳基， 其可被取代基取代，且相鄰之複數個R”可彼此連接而形 成脂環烴環或雜環；z表示形成芳環之原子群’ X表示單 價陰離子，且L表示連接基圑以形成羰花青。 <6>如<4>項之光學記錄媒體，其中該染料材料（B)係方酸 菁染料’以下示之通式（II)表示： 200903475 通式（II)

上式中，R與R可相同或不同，各表示一氫原子、 -可能具有取代基之烷基、—可能具有取代基之芳烷基、 一可能具有取代基之芳基，或一可能具有取代基.之雜環基 ;Q表示-能配位之金屬原子；4爲2或3之整數；汉3與 R4可彼此相同或不同，各表示一氫原子、一可能具有取代 基之烷基、一可能具有取代基之芳烷基，或一可能具有取 代基之方基，且R與R4可彼此連接而形成脂環烴環或雜 環；R5表示一氫原子、一可能具有取代基之烷基、一可能 具有取代基之芳烷基’或一可能具有取代基之芳基；R6表 示一鹵素原子、一可能具有取代基之烷基、一可能具有取 代基之芳烷基、一可能具有取代基之芳基、一硝基、一氰 基、或一可品具有取代基之院氧基；p爲〇至4之整數， 且當p係2至4時，複數個R6可能彼此相同或不同，且 兩個相鄰R6及鄰接的兩個碳原子可能結合而形成可能具 有取代基之芳族基團。 <7>如<1>至<6>項中任一項之光學記錄媒體，其中該染料 記錄層中在波長660nm之吸光率（Abs)大於在波長650nm -10- 200903475 之吸光率（Abs) ° <8>如<1>至<7>項中任一項之光學記錄媒體，其中該染料 記錄層中對於波長6 5 0nm之雷射光的反射比大於對波長 660nm之雷射光的反射比。 <9>如<1>或<2>項之光學記錄媒體，其中於 645nm至 670nm波長範圍中計算之波長相依參數（以下式之"η"表不） 係-25 至 +25， n = (dPw/cU)/(於 65 5nm 之 Pw)/65 5 ) 其中（dPw/dX)表示波長每改變lnm造成之記錄功率値 改變，且（於6 5 5nm之Pw)係於波長655nm記錄必需之記 錄功率。 <10>如<1>至<9>項中任一項之光學記錄媒體，包含一基材 ，該基材具有其上形成螺旋凹軌與介於凹軌間之凸軌的表 面，其中該螺旋凹軌沿著徑向以軌距〇.74±0.〇3μηι擺動， 至少該染料記錄層與一光反射層依序層疊於其上，並在該 等凹軌及/或凸軌處記錄額外資訊。 < 1 1 >如< 1 〇>項之光學記錄媒體，其中將顯示記錄後之反射 比高於記錄前之反射比的資訊加以記錄成額外資訊。 <12>如<1>至<11>項中任一項之光學記錄媒體’其中該 光學記錄媒體包含一基材，於其上形成該染料記錄層，且 該基材表面具有凹軌，該等凹軌之凹軌深度爲2〇 nm至 1 OOnm ° -11 - 200903475 <13>如<1>至<11>項中任一項之光學記錄媒體，自雷射光 入射側依序包含具有該染料記錄層之第一記錄層的第一資 訊層與具有該染料記錄層之第二記錄層的第二資訊層，其 中位於該第一資訊層之第一基材表面的凹軌之凹軌深度爲 20nm至100 nm，位於該第二資訊層之第二基材表面的凹 軌深度爲l〇nm至40nm，且各凹軌寬度的各自半値寬度爲 各軌距的2 0 %至6 0 %。 <14>如<1>至<13>項中任一項之光學記錄媒體，其中已加 以記錄一存取區，該存取區有別於重現時待存取之資料區 〇 <15>如<14>項之光學記錄媒體，其中該存取區包含在半徑 爲24mm區域內之區。 <16>如<15>項之光學記錄媒體，其中該在半徑24mm區域 內之區包含一記錄區以管理設在該光學記錄媒體中之記錄 〇 < 1 7>—種光學記錄設備，包含一記錄單元，其經配置以在 光學記錄媒體上記錄，及一辨別單元，是否置入該光學記 錄設備的光學記錄媒體爲低至高類型，該光學記錄媒體中 之記錄標記部分在記錄之後對於雷射光的反射比高於記錄 -r.- 、， 之刖， 其中當該辨別單元辨識該光學記錄媒體是爲低至高類 型時，該記錄單元令一存取區記錄在光學記錄媒體，該存 取區有別於重現時待存取之資料區。 <18>—種用於製備存有內容之光學記錄媒體的系統，包含 -12- 200903475 如<17>之光學記錄設備與一經由網路連接至該光學記錄設 備之伺服器， 其中當該辨別單元辨識該光學記錄媒體是低至高類型 時，該光學記錄設備之記錄單元製造一存取區’令其被記 錄，並記錄經由網路獲取之內容資訊，該存取區有別於重 現時待存取之資料區。 【實施方式】 下文茲詳細解釋本發明。 本發明< 1 >有關可以所謂低至高模式記錄之光學記錄 媒體，其中該記錄標記部分在記錄之後對於雷射光的反射 比高於記錄之前，使用波長爲640nm至680nm之雷射光 。於高速記錄時，該光學記錄媒體可顯示出充足記錄敏感 度（吸光率）與優良記錄性質。此外，本發明<2>之媒體（其 中記錄之後的推挽信號比記錄之前降低）很容易加以驅動 ，亦可避免因來自凹軌信號混入資料信號而導致之雜訊產 生。 本發明<3>有關一種可以低至高模式記錄之光學記錄 媒體，其使用波長爲400nm至41〇nm之雷射光。記錄之 後的推挽信號比記錄之前降低，因此可以避免因來自凹軌 信號混入資料信號而導致之雜訊產生。 較佳情況係在本發明<2>或<3>中，由於更有效率降低 來自導引凹軌之混合信號造成的資料信號雜訊之故，記錄 之後的推挽信號爲記錄之前的〇 . 9倍或更低。更佳情況係 -13- 200903475 ，由於記錄之前的較低推挽信號造成循軌伺服困難之故， 記錄之後的推挽信號仍然較低；因此本發明可有效率解決 循軌伺服困難之問題。此外，由於更有效率降低來自導引 凹軌之信號混合造成的資料信號雜訊，較佳情況係於記錄 之後該推挽信號爲0.45或更低。 本發明<4>當中，進一步混合最大吸收尖峰波長比該 記錄/重現波長爲長之染料材料（A)與最大吸收尖峰波長比 記錄/重現波長爲短之染料材料（B)，因而可減少相鄰記錄 標記之間的熱干擾（其係形成記錄標記時的問題），可大幅 加強記錄功率並且容易調整反射比。 染料材料（A)係用於以低至高模式記錄之有效材料， 染料材料（B)亦適用於傳統高至低模式之記錄材料。 本發明<5>界定較佳染料材料（a) ’且該染料材料可令 吸光波長容易調整並造成優良記錄性質。此外，當至少一 個R"爲可具有—取代基之苄基或X爲PF6-時，較有利狀 況係其中之染料材料的熱解溫度可能適於記錄（形成）一記 錄標記部分’該染料材料之分解溫度相對較低，分解速度 相對較局，且熱値可能較低。此外，當L爲五次甲基時， 有利地獲得適於以DVD雷射波長記錄之膜光學性質。 本發明<6>界定較佳染料材料（B)，該染料材料可造成 容易調整吸光波長並形成優良記錄性質。 本發明<7>中’該染料記錄層中，於波長66〇nm之吸 光率（Abs.)較於波長65〇nm之吸光率（Abs )爲大 (650nm<66〇nm) ’因此該可以低至高模式記錄之光學記錄 -14- 200903475 媒體係容易設計爲佳。 本發明<8>中，對波長6 5 0nm之之雷射光的反射比大 於對波長660nm之雷射光的反射比（650nm>660nm)，因此 該可以低至高模式記錄之光學記錄媒體係容易設計爲佳。 此外，DVD之雷射波長通常於記錄時約660nm，且於 重現時約6 5 Onm ;有關於此，本發明表現出對雷射光之波 長的反射比爲6 5 0 n m > 6 6 0 n m，因此較佳情況係可於6 5 0 nm 獲得反射比，在光重現裝置之間的互換性優良，因可於 6 6 Onm獲得吸光率之故而令記錄敏感度適當，以及高速記 錄時之記錄性質優良。 本發明<9>中，波長相依參數"n”（其係由下述之 DVD + R系統規格所界定）爲-25至+ 25，因而在645nm至 670nm波長範圍時，波長每改變lnm必要之記錄敏感度改 變率（於65 5nm之dPw/Pw)小於3.8%。因此，與記錄波長 之改變有關的記錄敏感度改變較低，且在光學記錄/重現 設備之間的互換性更爲優良。 此外，當波長相依參數"η"爲_25至0時，波長670nm 之雷射光的記錄敏感度高於波長645 nm之雷射光的記錄敏 感度（64 5 nm<67 Onm)，如此容易設計低至高類型之光學記 錄媒體。此外，DVD之雷射波長通常於記錄時約660 nm， 且於重現時約65 Onm ;有關於此，本發明表現出記錄敏感 度爲650nm<660nm，因此可降低於660nm之記錄功率。 亦眾所周知在光學光碟上延長記錄或重現會導致光學/重 現記錄設備之較高溫度，且由雷射二極體射出之雷射光波 -15- 200903475 長變得較長，如此可對應波長起伏而適當地維持記錄敏感 度。即，可在廣泛用於DVD驅動器之640至6 80nm雷射 波長下獲得安定記錄能力。 用以計算波長相依參數"η"之方法係從諸如D VD + R 4.7G位元組基本格式規格第1_3版（下文稱爲DVD + R系統 規格）之系統規格導入；即，”η”係以下式爲基礎而加以計 算。 n = (dPw/(U)/(於 655nm 之 Pw)/655) 其中（dPw/dX)表示雷射光波長每改變lnm之記錄功率 改變’且（於6 5 5nm之Pw)係使用波長爲65 5nm之雷射光 記錄資訊必需之雷射光功率。 本發明<10>中，令凹軌之格式製成與目前市售 DVD + R或DVD-R之凹軌格式相同，因而可使用與傳統高 至低類型之記錄媒體相同格式解碼額外資訊，諸如凹軌上 之定址與記錄波形。因此，很容易進行重現。可藉由使用 擺動凹軌之相調變、以特定規則加以調變在凸軌處形成之 凹點’以特疋規格加以調變之擺動凹軌的幅度或其他而記 錄此種額外資訊。擺動凹軌之幅度約1 0至60nm。 本發明< 1 1 >中，可以低至高模式記錄之光學記錄媒體 的事實係s5錄爲額外資訊，因此藉由下文所述之光學記錄 設備很容易加以判定。 本發明<12>中’在基材表面所形成之凹軌的凹軌深度 -16- 200903475 爲2 0 n m至1 0 〇 n m，因此較佳情況係記錄之後比記錄之前 容易降低推挽信號’而且在未記錄狀況下容易獲得循軌伺 服必要之推挽信號。 本發明<13>中，藉由選擇第一與第二基材之凹軌深度 與凹軌寬度，亦可在具有兩層記錄層之光學記錄媒體中進 行低至高模式之記錄。 本發明< 1 4>中，加以記錄於重現時待存取之區。如此 ，令該存取區之反射比與完成記錄後之高至低類型之光學 記錄媒體的反射比相等，並且藉由現有的DVD重現設備 很容易進行重現。 該存取區係指記錄管理與控制區（用於記錄管理之記 錄區），其存在初始資料區之24mm半徑內。該記錄管理與 控制區係用以調整記錄必要之記錄條件（例如記錄功率）、 調整重現必要之伺服或等化，或是調整記錄/重現必要之 記錄管理資訊。 此外，當資料記錄能力小（資料區窄）時，未記錄部分 留在資料區外部，如此該未記錄部分可能爲存取區。 關於這點，此等存取區可能視個別重現驅動器之規格 而另外改變。 當加以記錄此等存取區時，若不存在諸如次等伺服之 問題的話，則可對所有存取區加以記錄，或對其一部分加 以記錄。 本發明< 1 5>中，加以記錄半徑爲24mm區域內之區。 管理資訊係記錄在已記錄DVD之媒體外圍半徑23至 -17- 200903475 2 4mm區內，因此重現時必然會加以存取鄰近該區之區域 。然後，加以記錄半徑24mm區域內之區，令反射比與高 至低類型光學記錄媒體之反射比相等，並且藉由現有DVD 重現設備很容易進行重現。 此外，存在如上述具有半徑24mm區域內之用於記錄 管理的記錄區，在該媒體上完成記錄之後，該區經常保持 未經記錄。不過，如本發明< 1 6>加以記錄用於記錄管理之 記錄區時，令反射比與高至低類型之光學記錄媒體的反射 比相等，並且藉由現有DVD重現設備很容易進行重現。 根據本發明<17>，可提出形成該存取區之光學記錄設 備’該存取有別於重現時待存取之資料區，並於該光學記 錄媒體經辨別是爲低至高類型時對彼加以記錄。 根據本發明<1 8>可提出存有內容之光學記錄媒體，同 時有效率結合內容資訊。 光學記錄媒體 本發明光學gS錄媒體含有至少一層染料記錄層，亦含 有其他選擇性層，其係視該應用而加以選擇。 染料記錄層 該染料記錄層係下文所述之第一或第二具體實例之一 〇 可從能使用具有640至680nm之DVD雷射波長的記 錄光在記錄標記部分加以記錄之層當中適當選擇第一具體 -18 - 200903475 實例之染料記錄層，並且該染料記錄層必須可進行低至高 模式之記錄。 可從能使用具有400至41 0nm藍光雷射波長的記錄在 記錄標記部分加以記錄之層當中適當選擇第二具體實例之 染料記錄層，而且該染料記錄層必須可進行低至高模式之 記錄。 當以低至闻模式進行記錄時，該光學記錄媒體可能顯 示優良記錄敏感度或吸光率，以及以高速記錄時之較佳記 錄性質。 本發明中之推挽信號、徑向對比信號、差動信號反射 比或其他之定義與測量方法係於DVD + R之系統規格中加 以描述’且下文所述之實施例中的DVD評估裝置（由 P u 1 s t e c I n d u s t r i a丨C 〇 ·所製）係以此系統規格之測量條件爲 基準。 本發明中較佳情況係第一與第二具體實例二者之染料 記錄層均符合下列性質其中至少一者。 性質1 記錄後之推挽信號降低，於記錄之後不大於0.3。 當推挽信號大得不當時，因導引凹軌所造成之信號互 混比資料信號成爲雜訊成份而產生問題。 反之，本發明光學記錄媒體於記錄之後顯示較高反射 比’如此容易降低推挽信號。因此，可避免導引凹軌造成 之信號互混入資料信號中成爲雜訊成份。 -19- 200903475 性質2 於已設置光學記錄媒體並測量推挽信號之實例中，當 該推挽信號係在第一範圍內時’該光學記錄媒體辨認爲唯 讀，當該推挽信號在第二範圍（其大於第一範圍）時，則將 該光學記錄媒體辨認爲可再寫’然後記錄之後位於該染料 記錄層之推挽信號係在第一範圍內。 此實例中，該光學記錄媒體於記錄之後被辨認爲唯讀 ，因此該記錄後之光學記錄媒體可以有利且容易地重現， 即使使用可重現已被視爲唯讀光碟之光學記錄裝置的重現 設備亦不會被視爲非法複製。 於各種重現設備中適當地調整上述第一與第二範圍， 並且可由彼適當選擇光學記錄媒體。當第一範圍爲「0.45 或更小」且第二範圍爲「0.46或更大」時，可選擇於記錄 之後顯示之推挽信號爲〇 · 4 5或更小的光學記錄媒體。有 鑑於各種重現設備中之第一範圍，較有利情況係第一範圍 不大於〇.3，如此由於是否爲唯讀光碟之辨別相當可靠， 不會因不同重現設備而在第一範圍與第二範圍之間產生混 淆。 由於上述光學記錄媒體沒有下列問題，故彼等相當有 用。 即，可長時間以高影像品質在DVD上記錄數位動態 影像，如此絕對必須保護內容的著作權。保護著作權之傳 統方式係例如內容編碼系統（C S S )，其防止一般使用由民 用儀器法得之非法複製品或由電腦獲得之非法複製品。令 -20- 200903475 由CSS加密之DVD視訊內容處理成僅在唯讀DVD光碟中 合法。如此，當重現設備在可記錄DVD光碟與唯讀DVD 光碟加以辨識以判定其爲可記錄DVD光碟時，可因非法 複製品之理由而禁止重現記錄在在該可記錄DVD光碟中 之C S S內容。以推挽信號之振幅爲基礎加以辨識該可記錄 DVD光碟與唯讀DVD光碟。由於基材處不存有導引凹軌 ，故該唯讀DVD光碟表現之推挽信號低於具有導引凹軌 之可記錄DVD光碟之推挽信號。因此，當已經偵測之推 挽信號低於預定値時，該重現設備將之辨識爲唯讀DVD 光碟，且當已經偵測之推挽信號高於預定値時，該重現設 備將之判定爲可記錄DVD光碟。 另一方面，經由互聯網散佈之視訊內容被記錄在可記 錄DVD光碟、由快遞業者供應、列於影片租賃店，然後 再租予消費者之事務近來受到正視。 然而，記錄後之可記錄DVD光碟中，當消費者試圖 在家用重現設備中重現時，即使並非非法複製品仍存在可 記錄DVD光碟因法複製理由而被禁止重現（消費者無法觀 看或聽）的問題。 性質3 染料記錄層之記錄標記部分的推挽信號於記錄之後降 爲記錄前的0.9倍或更低，更佳爲0.75倍或更低。 當爲〇 . 9倍或更低時，降低因導引凹軌所致之信號雜 訊的效果相當明顯，並且容易進行循軌伺服，當其爲〇 · 7 5 -21 - 200903475 倍或更低時’此等效果有利地更爲顯著。 性質4 該染料記錄層於記錄後之推挽信號値不大於〇 . 4 5，更 佳係不大於〇 . 3。 當該推挽信號値高於0.45時，降低因導引凹軌所致 之信號雜訊的效果可能不明顯，另一方面，當該値爲〇 · 4 5 或更低時’降低因導引凹軌所致之信號雜訊的效果有利地 明顯’而特別是當該値爲0.3或更低時，降低因導引凹軌 所致之信號雜訊的效果可達到RO Μ等級，記錄有內容資 訊之光學記錄媒體的重現相容性因而獲得加強。 性質5 該染料記錄層未經記錄部分之反射比爲1 2%或更高， 更佳爲16%或更高。 當該反射比低於12%時，無法獲得循軌伺服，該光學 記錄媒體可能被系統規格（諸如D V D + R與D V D - R)拒絕， 而且現有驅動器中之記錄/重現條件難以調整；另一方面 ，當反射比爲1 2%或更高時，容易進行循軌伺服，該光學 記錄媒體可通過諸如DVD + R與DVD-R之系統規格，而且 容易調整現有驅動中之記錄/重現條件，而當反射比爲 1 6%或更高時，此等效果有利地更爲顯著。 性質6 -22- 200903475 該染料記錄層之記錄標記部分於記錄後的信號調變度 爲4 0 %或更高，更佳係4 5 %或更高。 當記錄之後該信號調變度低於時’幾乎無法獲得 記錄信號之重現S/Ν’該光學記錄媒體可能會被諸如 DVD + R與DVD-R之系統規格拒絕，而且現有驅動器中之 記錄/重現條件難以調整；另一方面’當記錄之後其爲 40%或更高時，容易獲得記錄信號之重現S/N，該光學記 錄媒體可通過諸如DVD + R與DVD-R之系統規格，而且容 易調整現有驅動中之記錄/重現條件，而當其爲45%或更 高時，此等效果有利地更爲顯著。 性質7 於記錄/重現波長下染料記錄層之吸光率（Abs.)爲0.2 至0.8，更佳係0.3至0.5。 當吸光率（Abs.)低於〇·2時，如同高至低模式之傳統 光學記錄媒體（諸如DVD + R與DVD-R)，幾乎無法獲得記 錄必要之敏感度及/或信號調變度；當其高於〇 . 8時，幾乎 無法獲得光學記錄/重現必要之反射比。另一方面，當吸 光率爲0.2至0.8時，容易獲得光學記錄/重現必要之反射 比’有利地容易獲得記錄必要之信號調變度，而當吸光率 在0.3至0.5範圍時，此等效果更爲顯著。 性質8 該染料記錄層之記錄標記部分的徑向對比（RCa)値低 -23- 200903475 於〇’更佳爲- 0.05或更低。 RCa = (凸軌部分之反射水準，凹軌部分之反射水準）/(凸軌部 分之反射水準） 高至低類型之光學記錄媒體中的RC a高於〇，因此低 於0之RCa可視爲低至高記錄媒體，-〇·〇5或更低之信號 強度使得更容易根據RCa進行辨識。此外，根據RCa進 行之光學記錄媒體辨識使得可視光學記錄媒體而加以調整 何服，結果爲谷易記錄/重現。 染料材料 較佳情況爲該染料記錄層含有一或更多種染料材料 (A)，其最大吸收尖峰波長較記錄/重現波長爲長，以及~ 或更多種染料材料（B)，其最大吸收尖峰波長較記錄/重現 波長爲短。（B)/((A) + (B))之含量比以質量計較佳爲0.1至 0.9，更佳爲0.2至0.6。當該含量比低於0.1時，幾乎無 法獲得改善記錄性質（特別是記錄功率之邊限）與反射比的 效果；當該含量比高於〇 . 9時，幾乎無法獲得記錄敏感度 與信號調變。 反之，當該含量比爲0.1至0.9時，容易獲得光學記 錄/重現，亦容易獲得記錄必要之敏感度、信號調變度與 記錄功率邊限，當該含量比爲0.2至0.6時，此等效果有 利地更爲顯著。 -24- 200903475 染料記錄係用於可設計成第一或第二具體實例之染料 記錄層的染料記錄層。 本發明媒體中’主要記錄媒體爲染料材料（A)，該媒 體之特徵爲低至高記錄模式。染料材料（A)必須具有於 DVD雷射波長之吸光性質’且最大吸收尖峰波長之較佳範 圍爲640至760nm。 另一方面，染料材料（B)具有之DVD雷射波長的吸光 性質低於染料材料（A)之吸光性質，該最大吸收尖峰波長 之較佳範圍爲560至640 nm。 介於染料材料（A)與（B)之最大吸收尖峰波長間的差異 較佳爲40nm或更高，更佳爲1 〇〇nm或更高。當介於該等 最大吸收尖峰波長之間的差異低於40nm時，由於高至低 與低至高性質被取消之故，幾乎無法獲得調變度。 此外’如圖1所示，染料膜之吸光光譜中存在兩個尖 峰。於較長波長之尖峰通常爲最大吸光尖峰，於較短波長 之尖峰在某些實例中爲最大吸光尖峰。當染料材料（A)之 最大吸光尖峰位於較短波長時且染料材料（B)之最大吸光 尖峰位於較長波長時，介於最大吸光尖峰之間的差異相對 較小，另一方面，當染料材料（A)之最大吸光尖峰在較長 波長且染料材料（B)之最大吸光尖峰在較短波長時，介於 最大吸光尖峰之間的差異相對較大。 此等最大吸光尖峰波長可於令染料溶解於溶劑中之溶 劑的光譜中加以測定；特別是，於溶液光譜中可以很容易 測定介於最大吸光尖峰波長之間的差異。 -25- 200903475 該染料材料之實例包括花青染料、偶氮染料、酞花青 染料與方酸菁染料。此等可單獨使用或令二或更多者倂用 。較佳情況係此等染料材料具有一取代基，以便容易調整 吸光波長’以及容易表現適於光學記錄之熱解性質（例如 ，：I 5 0 °C 至 2 5 0 °c )。 花青染料可以目的而加以適當選擇；其實例包括 第 3834053、 2594443、 3698708 與 3659922 號以及 JP-A 第2 00 5-20 5 8 74號中所舉例之化合物。 偶氮染料可視目的而加以適當選擇；其實例包括JP-B 第3834053、3783722與2870952號中所舉例之化合物。 酞花青染料可視目的而加以適當選擇；其實例包括曰 本專利申請案公告（JP-B)第07-56019與07-116371號以及 JP-B第3 83 6 1 92號所舉例之化合物。 方酸菁染料可依目的而加以適當選擇；其實例包括 JP-A第2002-552074與2001-544855號所舉例之化合物。 此等染料材料中， 就容易調整吸光波長之能力與優良記錄性質來看，本 發明以下列通式（I)所示之花青染料爲佳。該花青染料可能 具有二聚物組態，其係經由一連接以通式（I)所示之化合物 的基團所形成。其細節係描述於woo6/1 23 807小冊中。 -26- 200903475 通式（I) r r r r

上式中’ R’與R"各獨立表示院基、芳院基或芳基，其 可被一取代基取代，且相鄰之複數個R ”可彼此連接而形 成脂環烴環或雜環。複數個R"其中至少一者較佳爲可具 有一取代基之苄基；此等實例中，較有利情況係該染料材 料·之熱解溫度適於形成記錄標記部分且亦較有利情況係該 染料材料之分解溫度可能偏低，分解速度可能高，且熱値 可能小。 Z表示形成芳環之原子群。 X表τκ單價陰離子’且較佳爲ρι?6_。當X爲ρρ6_時， 較有利狀況係該染料材料之熱解溫度適於形成記錄標記部 分’亦較有利情況係該染料材料之熱解溫度可能偏低，分 解速度可能高，且熱値可能小。 L表示一連接基團以形成羰花青。 爲 用於DVD雷射波長

如此，有利情 五2 之三 中 -27- 200903475 況爲膜之光學性質係視L之碳數而可適應記錄光之波長。 用於DVD雷射波長爲640至680 nm之染料材料（B)較 佳爲下列通式（II)所表示之方酸菁染料。 通式（Π)

a —丨，丨，合衣不一虱原子 上式中，R1與R2可相同 一可能具有取代基之烷基、一可能具有取代基之芳烷基， 或一可能具有取代基之雜環基；Q表示—能配位之金屬原 子，q爲2或3之整數；R3與R4可彼此相同或不同’各 表示一氫原子、一可能具有取代基之烷基、一可能具有取 代基之芳烷基，或一可能具有取代基之芳基，且R3與r4 可彼此連接而形成脂環烴環或雜環；r5表示一氫原子、一 可能具有取代基之院基、一可能具有取代基之芳焼基，或 —可能具有取代基之芳基；R6表示一鹵素原子、—可能具 有取代基之垸基、-可能具有取代基之㈣基、—可能具 有取代基之芳基、一硝基、—氰基、或— 一乂 町此具有取代基 之院氧基；…至4之整數’且當“系2至4時，複數 個可能彼此相同或不同，且兩個相鄰❼鄰接的 -28- 200903475 碳原子可能結合而形成可能具有取代基之芳族基團。 此外’ R較佳爲一苯基。R2較佳爲一經鹵素取代或 未經取代之烷基或具有支鏈之烷基，更佳爲三氟甲基或異 丙基。R3與R4各自較佳爲未經取代之芳基，更佳爲苄基 °R6較佳爲形成有苯環之萘基。 該通式（II)之取代基定義中的烷基與烷氧基之烷基部 分係以1至6個碳原子之直鏈或支鏈烷基或3至8個碳原 子之環烷基爲例證；其特殊實例包括甲基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、異丁基、另丁基、第三丁基、戊基、異戊 基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、第三戊基、己基、環丙基 、環丁基、環戊基、環己基、環庚基與環辛基。 芳烷基較佳爲7至19個碳原子之芳烷基，更佳爲7 至15個碳原子之芳烷基；其實例包括苄基、苯乙基、苯 丙基與萘甲基。 芳基較佳爲6至18個碳原子之芳基，更佳爲6至14 個碳原子之芳基；其實例包括苯基、萘、蒽基與葜基。 該鹵素原子之例證爲氯、溴、氟與碘原子。 能配位之金屬原子Q的實例包括鋁、鋅、銅、鐵、鎳 、絡、銘、猛、銀、飢與欽。Q是爲銘以形成錯合物之方 酸菁染料可提供具有優良光學性質之本發明光學記錄媒體 〇 由兩個相鄰R6與鄰接的兩個碳原子所形成之芳環較 佳爲6至14個碳原子之芳環；其實例包括苯環與萘環。 是爲雜環基之雜環例證爲五員或六員單環芳族或脂環 -29- 200903475 雜環，其含有至少一個選自氮、氧與硫之 三環縮合芳族或脂環雜環，其係藉由縮合 形成，其含有至少一個選自氮、氧與硫之 例包括卩比陡環、啦哄環、喃D定環、塔哄環 琳環、酞哄環、喹哗啉環、嗤曙琳環、萘 吡咯環、吡唑環、咪唑環、三唑環、四唑 喃環、噻唑環、噚唑環、吲哚環、異吲哚 并咪唑環、苯并三唑環、苯并噻唑環、苯 環、咔唑環、吡咯啶環、六氫吡啶環、六 環、硫代嗎啉環、升六氫吡啶環、升六氫 啶環、四氫唾啉環、四氫異喹啉環、四氫 喃環、二氫苯并呋喃與四氫咔唑環 該等芳烷基、芳基、烷氧基、雜環基 R與鄰接的兩個碳原子所形成之芳環的取 5個取代基，其可能相同或不同，更特別 鹵素原子、經取代或未經取代烷基、烷 取代或未經取代胺基。該鹵素原子、烷基 實例與上述者相似。 該烷基之取代基例證爲丨至3個取代 或不同，更特別爲羥基、羧基 '鹵素原子 素原子與院氧基之特定實例係與前述者相 該胺基之取代基例證爲 不同 至2個烷基 原子；與雙環或 三員至八員環而 原子；其特定實 、喹啉環、異喹 啶環、啐啉環、 環、噻吩環、呋 環、吲唑環、苯 并噚唑環、嘌呤 氫啦哄環、嗎琳 吡哄環、四氫吡 呋喃環、四氫吡 以及由兩個相鄰 代基例證爲1至 的是羥基、羧基 氧基、硝基與經 與烷氧基之特定 基，其可能相同 與院氧基。該鹵 似。 ，其可能相同或 :該烷基之特定實例與前述 以通式（II)表示之方酸菁染 者相似。 料可根據 W002/50190 小 -30- 200903475 冊中所述之方法加以製備。 該方酸菁染料之特定實例係示於表1，其中Ph爲苯 基，CF3爲三氟甲基，CH3爲甲基，t-Bu爲第三丁基，i-Pr爲異丙基，且環己基表示藉由將R3與R4結合在一起而 形成之六員環。 R6之取代基位置與下文所述之萘基的編號1相同，以 及與下文所述之CH3的編號8相同。

編號 染料結構 R1 R2 R3 R4 R5 R6 0 q No. 1 Ph cf3 ch3 ch3 ch3 萘基 A1 3 No.2 Ph cf3 ch3 ch3 苄基 ch3 A1 3 No.3 t - B u cf3 ch3 ch3 ch3 H A1 3 No.4 Ph i-Pr ch3 ch3 ch3 H A1 3 No. 5 Ph cf3 ch3 H c2h5 och3 A1 3 No.6 Ph cf3 環己 基 ch3 萘基 A1 3 No.7 Ph cf3 ch3 苄基 ch3 H A1 3 No. 8 Ph cf3 苄基 苄基 c2h5 ch3 A1 3 No.9 Ph cf3 苄基 ch3 c2h5 萘基 A1 3 No. 1 0 Ph cf3 苄基 苄基 苄基 H A1 3 No. 1 1 Ph cf3 ch3 苄基 ch3 萘基 A1 3 表1中之No · 1、8與1 1之方酸菁染料的結構式係如 下所示。 -31 - 200903475

除了献染料材料之外’本發明中之染料記錄層可視需 要包含其他成份以便加強耐光性、改善光學性質，或改良 耐溫度及/或耐濕度性。 至於有關耐光改質劑目的之材料，較佳係包括（c)一 種耐光材料，其最大吸收尖峰波長較記錄/重現波長爲長 ，或（D)—種耐光材料，其最大吸收尖峰波長較該記錄/ -32- 200903475 現波長爲短。亦較佳情況係，同時包括耐光材料（c)其中 —種物質與耐光材料（D)其中一種物質。 耐光材料（C)有效影響染料材料（A)且耐光材料（D)有效 影響染料材料（B)的原因係相近之吸光波長。 該耐光材料材料之實例包括吡琳鎗/硫代吡啉鑰染料 、莫鍚染料、甲臍螯合錯合物、偶氮金屬錯合物、二硫醇 金屬錯合物、諸如Ni與Cr之金屬錯鹽染料、萘醌/蒽醌 染料、靛酚染料、碘苯胺染料、三苯甲烷染料、三烯丙甲 院染料、鋁/二亞銨染料與亞硝基化合物。較佳情況係此 等染料材料具有一取代基，則容易加以調整該吸光波長， 且亦可針對光學記錄調整熱解性質，其中該耐光材料不會 與記錄直接相關，因此該熱解溫度可高於該中之染料的 熱解溫度，例如爲1 5 0 °C至3 0 0。(：。 較佳地，適於640nm至68 0nm之DVD雷射波長的染 料材料（A)之耐光改質劑係二硫醇金屬錯合物或鋁/二亞銨 染料，且適於640nm至680nm之DVD雷射波長的染料材 料（B)之耐光改質劑係偶氮金屬錯合物。較佳地，適用於 藍光雷射波長之染料材料（A)與（B)的耐光改質劑係偶氮金 屬錯合物。 該二硫醇金屬錯合物可依其應用而加以適當選擇，並 由 JP-B 第 3020256 號或"Nippon Kagaku Kaishi, 1992，第 10卷’第1141-1143頁”中所述者爲例。 該鋁/二亞銨染料可依其應用而加以適當選擇，並由 JP-B 第 06-26028、 3097628 、 3781283 、 3871282 號或其他 -33- 200903475 中所述者爲例。 該甲腊螯合錯合物染料可依其應用而加以適當選擇， 並由 JP-B 第 3456621 號、JP-a 第 2001-23235 與 2002-293027 號、WO00/075111 小冊與 jp_B 第 2791944 號中所 述者爲例。 該偶氮金屬錯合物可依其應用而加以適當選擇，以 JP-A第2002-201373與2005-205874號中所述者爲例。 藉由包括該化合物有利於加強儲存安定性，其中以下 列通式（111)或（IV)所表示之甲蹓化合物與—金屬形成錯合 物，是爲該甲臍螯合錯合物。 通式（III)

NHNΗ ΥΛ ΝΙΝ 上式中’環T表示一具有氮原子之經取代或未經取代 的五員或六員環；ZG表示一原子團以形成該環Τ;另—環 可能與含有該氮環之雜環縮合；A·5表示一可能具有取代基 之院基、一可能具有取代基之芳基、一可能具有取代基之 丈兀鑛基、一可能具有取代基之芳基羯基、一可能具有取代 基之烯基、一可能具有取代基之雜環殘基，或一可能具有 取代基之烷基氧羰基；且B。表示一可能具有取代基之焼 基、一可能具有取代基之烯基或一可能具有取代基之芳 -34- 200903475 通式（IV)

NHNN B2 L (W) B1- Γ ΓΥ1Α

上述通式中’環ϋ與V可能相同或不同，各表示具 有一氮原子之經取代或未經取代的五員或六員環；Z1與 Z2各自表示形成環U與V之原子團；其他環可能與含有 該氮環之雜環縮合；A1與A2各表示一可能具有取代基之 烷基、一可能具有取代基之芳基、一可能具有取代基之烷 羰基、一可能具有取代基之芳基羰基、一可能具有取代基 之嫌基、一可能具有取代基之雜環殘基，或一可能具有取 代基之院基氧鑛基；B1與B2各表示一可能具有取代基之 伸烷基、一可能具有取代基之伸烯基或一可能具有取代基 之伸方基；W表不- CH2 -或- S〇2-; η係0或1。 環T、u與V可能各自具有另一個與之結合的環D。 除了碳環之外，環D可能爲雜環。在碳環實例中，該環較 佳爲具有6至20個碳原子，更佳爲6至10個碳原子；其 特定實例爲苯環、萘環、環己烷環或其他。雜環之實例中 ’該環較佳爲具有5至20個碳原子，更佳爲5至14個碳 原子；其特定實例爲吡咯啶環、噻唑環、咪唑環、噻二唑 -35- 200903475 環、Df唑環、三唑環、吡唑環、噚二唑環、吡啶環、嗒哄 環、嘧啶環、吡哄環、三畊環、喹啉環、吲哚滿環、咔唑 環或其他。 與該T、u或V環結合之取代基的特定實例各自獨立 爲鹵素原子、硝基、氰基、羧基、胺基、胺甲醯基、一可 能具有取代基之烷基、一可能具有取代基之芳基、一可能 具有取代基之雜環基、一可能具有取代基之烷氧基、一可 能具有取代基之芳氧基、一可能具有取代基之烷硫基、一 可能具有取代基之芳硫基、一可能具有取代基之烷胺基、 一可能具有取代基之芳胺基、一可能具有取代基之烷氧基 鑛基、一可能具有取代基之芳氧基羰基、一可能具有取代 基之院甲醯胺基、一可能具有取代基之芳甲醯胺基、一可 把具有取代基之烷基胺甲醯基、一可能具有取代基之芳基 胺甲醯基、一可能具有取代基之烯基與—可能具有取代基 之胺磺醯基。 通式（III)與（IV)中，AQ、A1與A2各表示一可能具有 取代基之烷基、一可能具有取代基之芳基、—可能具有取 代基之烷羰基、一可能具有取代基之芳羰基、一可能具有 取代基之烯基、一可能具有取代基之雜環基、或—可能具 有取代基之烷氧基羰基。該烷基或烯基可能爲鏈狀或環。 Θ烷基之碳數較佳爲1至15，更佳爲〗至8 :該烯基之碳 數較佳爲2至8，更佳爲2至6。 通式（III)中，BQ表示一可能具有取代基之烷基、一可 具有取代基之燦基、或一可能具有取代基之芳基。該院 -36- 200903475 基或烯基可能爲鏈狀或環。該烷基之碳數較佳爲1至15 ’ 更佳爲1至8;該烯基之碳數較佳爲2至8’更佳爲2至6 :且該芳基之碳數較佳爲6至18，更佳爲6至14° 前文所示之通式（IV)中，B1與B2各表示一可能具有 取代基之伸烷基、一可能具有取代基之伸烯基或一可能具 有取代基之伸芳基。該伸烷基或該伸烯基可能爲鏈狀或環 。該伸烷基之碳數較佳爲1至15，更佳爲1至8;該伸烯 基基之碳數較佳爲2至8，更佳爲2至6;且該伸芳基之 碳數較佳爲6至18，更佳爲6至14。 通式（III)與（IV)中，該烷基之實例包括直鏈烷基，諸 如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚 基、正辛基、正壬基與正癸基；支鏈烷基，諸如異丁基、 異戊基、2_甲基丁基、2 -甲基戊基、3 -甲基戊基、4_甲基 戊基、2 -乙基丁基、2 -甲基己基、3 -甲基己基、4 -甲基己 基、5-甲基己基、2-乙基戊基、3-乙基戊基、2-甲基庚基 、3-甲基庚基、4-甲基庚基、5-甲基庚基、2-乙基己基、 3-乙基己基、異丙基、另丁基、1-乙基丙基、卜甲基丁基 、1，2-二甲基丙基、卜甲基庚基、1-乙基丁基、1,3-二甲基 丁基、1,2-二甲基丁基、1-乙基-2-二甲基丙基、1_甲基己 基、1-乙基庚基、卜丙基丁基、1-異丙基-2-甲基丙基、1-乙基-2-甲基丁基、1-丙基-2 -甲基丙基、1-甲基庚基、1-乙 基己基、1-丙基戊基、1-異丙基戊基、1-異丙基-2-甲基丁 基、1-異丙基甲基丁基、1-甲基辛基、1_乙基庚基、1-丙基己基、1-異丁基-3-甲基丁基、新戊基、第三丁基、第 -37- 200903475 三己基、第三戊基與第三辛基；以及環烷基，諸如環己基 、4-甲基環己基、4-乙基環己基、4-第三丁基環己基、4-(2-乙基己基）環己基、冰片基、異冰片基與金剛烷基；其 中以具有1至8個碳原子者爲佳。 此等烷基可經一取代基取代，該取代基係諸如羥基、 鹵素原子、硝基、羧基與氰基，或經可能具有特定取代基 之芳基或雜環基取代，該特定取代基係諸如鹵素原子或硝 基’亦可能經由雜原子而被上述其他烴基或其他取代，該 等雜原子係諸如氧、硫與氮原子。 該經由氧原子而被其他烴基取代之烷基實例包括被烷 氧基或芳氧基取代之烷基，諸如甲氧基甲基、甲氧基乙基 、乙氧基甲基、乙氧基乙基、丁氧基乙基、乙氧基乙氧基 乙基、苯氧基乙基、甲氧基丙基與乙氧基丙基。此等烷氧 基或方氧基可能另外被一'取代基取代。 該經由硫原子而被其他烴基取代之烷基實例包括被烷 硫基或芳硫基取代之烷基，諸如甲硫基乙基、乙硫基乙基 、乙硫基丙基與苯硫基乙基。此等烷硫基或芳硫基可能另 外被一取代基取代。 該經由氮原子而被其他烴基取代之烷基實例包括被烷 胺基或芳胺基取代之烷基，諸如二甲基胺基乙基、二乙基 胺基乙基、二乙基胺基丙基與苯基胺基甲基。此等烷胺基 或芳胺基可能另外被一取代基取代。 通式（III)與（IV)中之烯基較佳爲具有2至6個碳原子 者；其實例包括乙烯基、烯丙基、L丙烯基、甲基丙烯酸 -38- 200903475 基、chlothyl group、1-丁 烯基、3-丁 烯基、2-戊烯基、4- 戊嫌基、2 -己稀基、5 -己稀基、2-庚稀基與2-辛稀基。該 烯基之取代基可能與上述之烷基的取代基相似。 通式（III)與（IV)中之芳基的特定實例爲苯基、萘基、 鄰胺苯甲酸基、茜基、胞基、菲基、聯伸三苯基、苑基。 通式（III)與（IV)中之伸烷基或伸烯基可爲去掉—個氫 原子之上述烷基與烯基。 通式（III)與（IV)中之伸芳基可爲去掉一個氫原子之上 述芳基。 通式（III)與（IV)中之芳基與伸芳基可被烷基、烯基、 經基、鹵素原子、硝基、羧基、氰基、三氟甲基、可能具 有特疋取代基（諸如鹵素原子與硝基）之芳基，或可能具有 特疋取代基（諸如鹵素原子與硝基）之雜環基所取代。該烷 基、燦基與芳基可能與前述者相似；該等鹵素原子可能爲 氟、氯、溴或碘原子。 通式（III)與（IV)中之雜環基的特定實例包括呋喃基、 唾1^基、卩比咯基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、苯并噻吩 基、D引哄滿基、異吲哚滿基、咔唑基、吡啶基、哌啶基、 唾咐基、異喹啉基、噚唑基、異噚哩基、噻唑基、異噻唑 基、味哩基、吡唑（pyrazdyl)基、苯并咪唑基、吡唑 (Pyrazyl)基' 嘧啶基、噠嗪基與喹噚啉基 此等雜環基可被羥基、烷基、鹵素原子、硝基、羧基 '胃® '可能具有特定取代基（諸如鹵素原子與硝基）之芳 ® 可'能具有特定取代基（諸如鹵素原子與硝基）之雜環 -39- 200903475 基，亦可能經由雜原子而被上述其他烴基或其他取代，該 等雜原子係諸如氧、硫與氮原子。該烷基、烯基與芳基以 及鹵素原子可能與前述者相似。 該可能具有取代基之烷氧基可能爲具有烷基者，該烷 基可能具有直接鍵合於一氧原子之取代基。該烷基與取代 基之特定實例與前述者相似。 該可能具有取代基之芳氧基可能爲具有芳基者，該芳 基可能具有直接鍵合於一氧原子之取代基。該芳基與取代 基之特定實例與前述者相似。 該可能具有取代基之烷硫基可能爲具有烷基者，該烷 基可能具有直接鍵合於一硫原子之取代基。該烷基與取代 基之特定實例與前述者相似。 該可能具有取代基之芳硫基可能爲具有芳基者，該芳 基可能具有直接鍵合於一硫原子之取代基。該芳基與取代 基之特定實例與前述者相似。 該可能具有取代基之烷胺基可能爲具有烷基者，該烷 基可能具有直接鍵合於一氮原子之取代基。該烷基與取代 基之特定實例與前述者相似。此外，烷基本身可能與一氧 原子、氮原子或其他鍵合以形成諸如哌啶基、嗎啉基、吡 咯烷基、哌嗪基、吲哚滿基與異吲哚滿基之環。 該可能具有取代基之芳胺基可能爲具有芳基者，該芳 基可能具有直接鍵合於一氮原子之取代基。該芳基與取代 基之特定實例與前述者相似。 該可能具有取代基之烷羰基可能爲具有烷基者，該烷 -40- 200903475 基可能具有直接鍵合於一羰基 基與取代基之特定實例與前述 該可能具有取代基之芳羯 基可能具有直接鍵合於一羰基 基之特定實例與前述者相似。 該可能具有取代基之烷氧 烷基可能具有直接鍵合於一氧 代基之特定實例與前述者相似 該可能具有取代基之芳氧 芳基可能具有直接鍵合於一氧 代基之特定實例與前述者相似 該可能具有取代基之烷甲 該烷基可能具有直接鍵合於一 。該烷基與取代基之特定實例 該可能具有取代基之芳甲 該芳基可能具有直接鍵合於一 。該芳基與取代基之特定實例 該可能具有取代基之烷基 ，該烷基可能具有直接鍵合於 基與取代基之特定實例與前述 身可能與一氧原子、氮原子或 、嗎啉基、吡咯烷基、哌嗪基 環。 該可能具有取代基之芳基 之碳原子上的取代基。該烷 者相似。 基可能爲具有芳基者，該芳 之碳原子上的取代基。該芳 羰基可能爲具有烷基者，該 原子之取代基。該烷基與取 〇 羰基可能爲具有芳基者，該 原子之取代基。該芳基與取 0 醯胺基可能爲具有烷基者， 甲醯胺之碳原子上的取代基 與前述者相似。 醯胺基可能爲具有芳基者， 甲醯胺之碳原子上的取代基 與前述者相似。 胺甲醯基可能爲具有烷基者 一胺甲醯基之氮原子。該烷 者相似。此外，烷基烷基本 其他鍵合以形成諸如哌啶基 、吲哚滿基與異吲哚滿基之 胺甲醯基可能爲具有芳基者 -41 - 200903475 ’該芳基可能具有直接鍵合於一胺甲醯基之氮 基與取代基之特定實例與前述者相似。 該可能具有取代基之烷基胺磺醯基可能爲 ’該院基可能具有直接鍵合於一胺磺醯基之氮 基與取代基之特定實例與前述者相似。 該甲階螯合錯合物中之金屬成份可能可在 成螯合物之任何金屬或金屬化合物：該金屬成 鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鉻、 、釕、铑、鈀、其氧化物、其鹵化物或其他。 較佳爲釩、锰、鐵、站、鎳、銅、鋅或特別爲 等金屬之甲贈金屬螯合化合物的本發明光學記 顯示出優良光學性質。在鹵化物當中，較佳係 〇 以較優良儲存安定性觀點來看，該二硫酉享 較佳係錯化合物’其係以下列通式（VI)表示， 化合物與金屬Μ所形成。 通式（V): 原子。該芳 具有烷基者 原子。該烷 該甲臍中形 份實例包括 鈮、鉬、搭 該金屬成份 鈀；使用此 錄媒體可能 使用氯化物 金屬錯合物 係由二硫醇

同，其表示 200903475 可倉t：具有取代基之烷基、一可能具有取代基之烷氧基、 一可能具有取代基之芳基、一可能具有取代基之雜環基、 鹵素原子、硝基、氰基或氫原子；p、q、r與s各獨立表 示0至4之整數；μ表示Ni或Cu。 兹寥考下列圖式解釋本發明光學記錄媒體中可得之層 組態。 圖2範例顯示DVD + R或DVD-R之光學記錄媒體的層 組態；且圖3範例顯示用於B D - R之光學記錄媒體的逆層 組態。 圖2所示之光學記錄媒體從雷射光之入射側依序具有 基材1、染料記錄層（光學記錄層）2、反射層3與虛擬基材 4 〇 圖3所示之光學記錄媒體從雷射光之入射側依序具有 透光覆蓋層6、透光保護層5、染料記錄層（光學記錄層）2 、反射層3與基材1。 亦可對此等層之間提供各種層以便達到光強化、保護 耐久性、平滑度或黏著性質。 基材與虛擬基材4 基材1與虛擬基材4之材料可依其目的而加以適當選 擇；其實例包括丙烯酸樹脂（諸如聚甲基丙烯酸甲酯）、氯 乙烯樹脂（諸如聚氯乙烯與氯乙烯共聚物）、環氧樹脂、聚 碳酸酯樹脂、非晶相聚烯烴、玻璃（諸如鈉銘玻璃）與陶瓷 。有鑒於尺寸安定性、透射度與平滑度’此等材料當中以 -43- 200903475 聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯樹脂、環氧樹脂、非晶相聚 烯烴與玻璃爲佳；有鑒於成形容易度，以聚碳酸酯樹脂尤 佳。 在基材1形成導引凹軌與凹點其中至少一者。基材1 之表面的導引凹軌的凹軌深度或凹軌寬度（半寬度）可能依 記錄/重現波長而加以適當選擇。 凹軌深度較佳爲20nm至100nm，其可能提供諸如令 記錄後之推挽信號容易降至低於未經記錄之推挽信號’以 及容易獲得磁軌伺服必要之未經記錄推挽信號的益處。 當使用640至680nm之DVD雷射波長時，該凹軌深 度較佳爲30至70nm，且該凹軌寬度（半寬度）較佳爲軌距 的20%至60%。此等範圍使得能設計適用於DVD雷射波 長之記錄，並依信號性質而適當地加以調整。 亦可令定址資訊及/或媒體資訊亦先行記錄在導引凹 軌上。此等資訊可能藉由相調變擺動而記錄於DVD + R與 藉由Lpp擺動而記錄於DVD-R。在DVD + R實例中，該等 方式係描述於DVD + R系統規格，而在DVD-R實例中，此 等方式係描述於供可記錄光碟（DVD-R)用之DVD規格。 本發明中’藉由此等塗層容易添加低至高模式之光學 記錄媒體中的辨識資訊，其容許辨識該媒體以及依該媒體 而調整伺服’以令容易記錄與重現。 預凹軌層 可在基材1(或下述之底塗層）上提供預凹軌層，以便 -44 - 200903475 形成顯示諸如導引凹軌與定址信號之資訊的凹性與凸性。 該預凹軌層可依其目的而加以適當選擇；其實例爲丙 烯酸之單酯類、二酯類、三酯類、四酯類中至少一種單體 (或寡聚物）與光聚合起始劑之混合物。 底塗層 可在基材1之待提供染料記錄層2 —側的表面及/或 反射層3上提供底塗層，以便改善平滑度、提高黏著力以 及避免染料記錄層2改變，以及有助於加強信號。 該底塗層之材料可依其目的而加以適當選擇；其實例 包括聚合物材料、U V固化樹脂、黏著劑、交聯偶合劑或 其他之有機材料’諸如聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-甲基 丙烯酸共聚物、苯乙烯-順式丁烯二酸酐共聚物、聚乙烯 醇、N-羥甲基丙烯醯胺、苯乙烯-乙烯基磺酸共聚物、苯 乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝基纖維素、 聚氯乙烯、氯化聚烯烴類、聚酯類、聚醯胺類、醋酸乙烯 酯-氯乙烯共聚物、乙烯_氯乙烯共聚物、聚乙烯、聚丙烯 與聚碳酸醋類；以及無機材料’諸如無機氧化物’如训2 、Α12α3 Sn〇2、Ta2〇5 ' Nb2〇5，無機硫化物，如 ZnS 與 SnS，無機氟化物，如MgF2，及其混合。 八 該底塗層之厚度可依其應用而加以適當選擇；此厚度 通常約10至20 μηι。 反射層3 -45- 200903475 在染料記錄層2(光學記錄層）上提供反射層3以便改 善S/N比、反射比、記錄敏感度或其他。 反射層3之材料係選自對於雷射光具有較高反射比之 反光材料；其實例金屬與類金屬，諸如Mg、Se、Y、Ti、 Zr、Hf ' V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、 Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、A1、 Ca、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn ' Si 與 Nd。其中，以

Au、A1與Ag爲佳。可單獨使用此等反光材料或令二或更 多者倂用。 當使用A1或Ag作爲該反光材料時，可添加數量爲 0.1 質量 ％ 至 10質量％ 之 Ti、Nb、Ta、Mn、Pd、Pt、Zn、 Cd、Ca、In、Si、Ge、Sn、Si、Nd 或其他。 該反射層的典型厚度約爲10至3 0〇nm。 保護層 可在染料記錄層2及/或反射層3上提供一保護層（防 護層）以便物理化學性保護該等層，並且可在基材1之無 染料記錄層2 —側提供保護層（底面塗層）以便改善防裂性 或耐濕度性。

該保護層實例包括以SiO、Si02、MgF2、ZnS 或ZnO爲基底之無機材料、熱塑性樹脂、熱固性樹脂與 UV固化樹脂。 該保護層的典型厚度約l〇nrn至50μιη。 g此保遵層爲一樹脂保護層時，可提供該保護層作爲 -46- 200903475 如圖3所示之透光覆蓋層6。 茲參考圖4、5解釋本發明光學記錄媒體之範例層構 造，下文中，此結構包含具有第一記錄層之第一資訊層與 具有第二記錄層之第二資訊層。 圖4顯示以反向堆疊法製造之實例’而圖5顯示以 2P(光聚合）法製造之實例。圖4中’介於第一基材11與 第二基材18之間依序層疊第一染料記錄層12、半透射反 射層13、黏著層14、無機保護層15、第二染料記錄層16 與反射層17。圖5中，介於第一基材11與第二基材18之 間依序層疊第一染料記錄層1 2、半透射反射層1 3、中間 層19、第二染料記錄層16、反射層17與黏著層14。亦可 在此等層之間依序提供各種層以達到加強光、保護耐久性 、平滑度或其他。 較佳情況係在第一基材1 1的上表面形成凹軌深度爲 20至100nm之，並在第二基材18之下表面形成凹軌深度 爲10至40nm之導引凹軌，該等導引凹軌的凹軌寬度（半 寬度）爲軌距（相鄰凹軌之間的距離）的20%至60% ;記錄資 訊之後的推挽信號因而降低，並且在資訊未經記錄之實例 中容易獲得磁軌伺服必要之推挽信號數量。 第一與第二基材11、18之材料係與上述基材1之材 料相似；該半透射反射層1 3或反射層1 7之材料係與上述 反射層3之材料相似， 必須加以調整該半透射反射層1 3之厚度以令其具有 40 %或更高之透光性，且該厚度經常在5至30nm範圍。 -47- 200903475 另一方面’令反射層17之形成厚度爲60至300nm,以便 完全反射該雷射光。 提供該無機保護層1 5以便化學性與物理性保護該染 料記錄層’且該無機保護層15係由含有高透射性之無機 材料所形成’此等無機材料係諸如SiO、Si02、MgF2、 Sn02、ZnS、ZnS-Si02與ZnS-SiC。其中，就較低結晶性 與較高折射指數觀點，以基於ZnS之材料爲佳，諸如 ZnS-Si02 與 ZnS-SiC。 黏著層1 4係由黏著劑形成。該黏著劑之範例爲UV 固化黏著劑、陽離子U V固化黏著劑或於照射U V射線時 能顯示出黏著性質之UV固化黏著劑。藉由旋塗或其他方 式令此等黏著劑塗於兩個互對光碟體之相對表面至少一者 〇 中間層1 9係由例如含有熱塑性樹脂、熱固性樹脂、 電子束固化樹脂、UV固化樹脂（包括延遲固化型）或其他 之材料所形成。 當使用熱塑性樹脂或熱固性樹脂作爲中間層1 9之材 料時’令此等樹脂溶解於適當溶劑中以形成塗覆溶液，然 m將該塗覆溶液塗覆在形成有半透射反射層1 3之第一基 材1 1上，並令其乾燥（加熱），因而形成中間層1 9。 當使用電子束固化樹脂或UV固化樹脂作爲中間層1 9 之材料時，使用此等樹脂本身或令其溶解於適當溶劑中以 形成塗覆溶液，然後將該塗覆溶液塗覆在形成有半透射反 射層1 3之第一基材1 1上，並照射電子束或UV射線令其 -48- 200903475 固化，因而形成中間層1 9。 上述材料可單獨使用或倂用，並且可在形成有半透射 反射層13之第一基材11上塗覆數次。 此外，類似於第一與第二基材1 1、1 8，可在中間層 1 9形成之導引凹軌；因而令記錄後之推挽信號容易低於記 錄之前。此外，在資訊未經記錄之實例中容易獲得磁軌伺 服必要之推挽信號數量。另外，可對該記錄加以設計以令 其適於該記錄/重現波長及可調整成上述範圍之信號性質 光學記錄媒體之製造 可從習用方法適當選擇製造該光學記錄媒體之方法。 例如’圖2所示光學記錄媒體可藉由包含形成染料記錄層 β步驟'形成反射層之步驟與形成虛擬基材之步驟的方法 ffiig造> Η 4、5所示之光學記錄媒體可藉由習用方法製 造’此等習用方法諸如反向堆疊法與2Ρ法。 1¾反向堆疊法會造成入射至第二染料記錄層之雷射光 的反射效率較高。更明確地說，介於無機層15與第二染 料記錄層1 6之間的緊密接觸可降低第二染料記錄層1 6的 損壞’而且第二染料記錄層1 6兩側的多重干擾效應會加 強入射至第二染料記錄層16之雷射光的反射效率。 除此之外’ 2P法會產生與第二染料記錄層類似之第 〜染料記錄層的凹軌組態，此結果使得可能加強記錄性質 -49- 200903475 形成染料記錄層之步驟 形成染料S己錄層之步驟中’藉由塗覆並形成膜直接或 經由另一層而在表面上具有導引凹軌及/或凹合之基材1 上形成染料記錄層2。 當塗覆該染料材料時’該染料材料典型係溶解於溶劑 中以製備塗覆液體；該溶劑可爲傳統溶劑，諸如醇類、賽 珞蘇類、鹵代烴類、酮類與醚類，就該染料材料之較高溶 解度與控制層厚度之優良性質觀點來看，此等溶劑當中以 經氟取代之醇類爲佳。 由可藉由調整該染料記錄層之濃度與黏度與該溶劑之 乾燥溫度而加以控制厚度觀點來看，塗覆並形成膜之方法 較佳爲旋塗法。 形成反射層之步驟 在形成反射層之步驟中’藉由真空膜沉積法直接或經 由另一層而在染料記錄層2上形成反射層3。反射層3係 使用經由氣相沉積、濺鍍 '離子植入或其他之真空膜形成 法從該反光材料而在反射層2上形成。 形成虛擬基材 形成虛擬基材之步驟中，虛擬基材4係在反射層3上 形成。該虛擬基材係使用黏著劑而在反射層3上形成，例 如塗覆UV固化樹脂之作爲保護層用的材料以在反射層3 與虛擬基材4之間的表面形成一層膜，然後藉由透過虛擬 -50- 200903475 基材4照射UV射線而進行固化與層疊。 光學記錄方法 本發明光學記錄媒體可藉由傳統光學記錄系統中所使 用之藉由照射脈衝光而以低至高模式加以記錄，該等光學 記錄系統係諸如CD-R、DVD + R、DVD-R、HD DVD-R與 BD-R。因此，該光學記錄媒體具有記錄敏感度（吸光率）優 良且高速記錄時記錄性質較佳之記錄，並且亦可以其他方 法加以選擇性處理。 該脈衝光可依其目的而從傳統脈衝光加以適當選擇， 並且可能含有強度係於其頭部部分加以調整多重脈衝光或 強度係於頭部及尾部部分加以調整之脈衝光。使用脈衝光 之記錄可能記錄適當信號並使用諸如DVD + R系統規格中 所者之記錄脈衝策略。 光學記錄設備 該光學記錄設備典型上包含雷射源，諸如半導體雷射 、收集從該雷射源發射至安裝在轉軸之光學記錄媒體之雷 射光的收集透鏡、偵測從該雷射源發射之一部分雷射光的 雷射光偵測器，以及將從該雷射源發射之雷射光導至該收 集透鏡與該雷射光偵測器的光學組件，視需要包含選擇性 其他單元。 圖6顯示該光學記錄設備之構成實例，其中藉由該光 學組件將從該雷射源發射之雷射光導至該收集’藉由該收 -51 - 200903475 集透鏡收集並照射該雷射光以對該光學記錄媒體加以記錄 。同時，該光學記錄設備將從該雷射源發射之一部分雷射 光導侄該雷射光偵測器，並基於該雷射光偵測器所偵測之 雷射光量而加以控制該雷射光源之光量。該雷射光偵測器 令該測得之雷射光量轉換並輸出成所偵測量之信號。圖6 所示之光拾波器5 3 (記錄單元）係由此等雷射光源、光學組 件、收集透鏡、雷射光偵測器或其他所構成。 上述其他單元之實例爲控制單元（辨別單元）。只要能 控制該控制單元之作用，可適當選擇該控制，且其實例係 諸如定序器與電腦之儀器。 本發明中亦較佳情況係先行辨識是爲低至高記錄媒體 之事實。當基於徑向對比加以判定時，很容易藉由在記錄 管理區之記錄與重現試用與偵測徑向對比進行該判定。 亦較佳情況係將是爲低至高類型之光學記錄媒體的事 實在導引凹軌上記錄成資訊，其與現有媒體形成共同辨識 動作。 該光學記錄設備具有一個單元以透過網路獲取內容資 訊（例如界面）。該獲取單元可能是從可攜式記憶媒體（諸如 CD、DVD與USB記億體）獲取內容資訊之獲取單元。 此外，內容資訊係從網際網路或可攜式媒體讀出，然 後令之與本發明光學記錄媒體結合，因而可有效記錄該內 容資訊並且可提供具有優良重現相容性之存有內容的媒體 〇 本發明用以製備存有內容之光學記錄媒體的系統配備 -52- 200903475 有上述<1 7>之本發明光學記錄設備與一透過網路連接至光 學記錄設備之伺服器。藉由光學拾波器53同時受到雷射 控制器59控制，該光學記錄設備透過網路獲取內容資訊 並將該獲取之內容資訊記錄在該可以上述低至高記錄之光 學記錄媒體上，並加以記錄一存取區。 藉由此系統製備之存有內容的光學記錄媒體於記錄之 後表現出較低推挽信號。因此，其可解決上述與非法複製 相關之問題，因此有助於提供將著作權保護納入考量之新 穎商業形式。 本發明可提供包含可使用波長爲640至680nm或400 至4 1 Onm之記錄光、以低至高模式記錄並顯示優良記錄敏 感度的染料記錄層之光學記錄媒體。本發明亦可提供用以 記錄該光學記錄媒體之光學記錄設備以及使用該光學記錄 設備以製備存有內容之光學記錄媒體的系統。 實施例 本發明實例茲於下文中解釋，但本發明不應受該等實 施例限制。 實施例1 製得直徑120mm且厚度0.6mm之聚碳酸酯光碟之基 材1，其具有根據DVD + R格式之深約700A、凹軌底部寬 度約0.2 4 μιη且軌距爲0.7 4 μιη之導引凹軌的凹凸圖案。 然後將下文所示之12號花青染料溶解於2,2,3,3-四氟 -53- 200903475 丙醇以製備染料記錄層用之塗覆液體，然後將該塗覆液體 旋塗在基材1上，並以9 0 °C退火1 5分鐘，如此形成染料 記錄層2。染料記錄層2之最大吸光波長爲73 Onm，於最 大吸光波長之吸光率（Abs.)爲0.55，且於記錄/重現波長 65 Onm之吸光率（Abs.)爲0.49。該染料記錄層係在玻璃板 上獨立形成，且其吸光光譜係示於圖7。 12號（以下化學式中，Me表示甲基且Bu表示丁基）

然後藉由濺鍍法，使用 Ar作爲濺鍍氣體，令Ag-In 合金（In : 0.5質量％)在染料記錄層2上沉積約140nm厚， 以形成反射層3。 另外，於其上形成約4μιη厚之UV固化樹脂（SD3 90， 由 Dainippon Ink and Chemicals, Inc.所製）保護層以形成 光碟體，然後使用 UV固化黏著劑（DVD802，Nippon Kay aku Co.所製）令其與具有和基材1相同大小之聚碳酸酯 的虛擬基材4(覆蓋基材）層疊，因而製造DVD + R之光學記 錄媒體。 根據DVD + R系統規格使用光碟評估裝置ODU- 1 000( 由Pulstec Industrial Co.所製）評估該光學記錄媒體之性質 -54 - 200903475 。測量推挽信號、差動信號、反射比、信號調變度 (I14/I14H)或其他之方法係以該系統規格爲基礎，並使用 分光光度計（Hitachi Ratio Beam Spectrophotometer Type U-1000，由 Hitachi Ltd.所製）測量染料之吸光率（Abs.)、 最大吸收尖峰波長、吸光光譜或其他。 信號記錄 DVD( 8-16)信號係在以下波長條件之下加以記錄： 659nm、NA: 0.65且線性速度：8x(27.92m/s)。該記錄中 ，根據DVD + R系統規格而使用脈衝光發射的堡形圖案（見 圖8)。 信號重現 在下列波長條件下測量未經記錄與經記錄信號： 6 5 9nm、NA : 0 · 6 5 且線性速度：1 x (3 _ 4 9m/s)。 由表2所顯示結果確認該記錄爲低至高模式，其中記 錄之後的反射比提高，且記錄之後的推挽信號降低。 記錄模式欄中之「L至H」爲「低至高」之縮寫’而 「H至L」爲「高至低」之縮寫；且「PPa/PPb」一欄之値 係記錄之後的推挽信號（P p a)除以記錄前之推挽信號（p p b)( 未經記錄）的値。 實施例2 以與實施例1相同方式製造及評估DVD + R之光學記 -55- 200903475 錄媒體，但將染料記錄層2中之染料改成下文所示之13 號方酸菁染料。結果示於表2。該染料記錄層係在玻璃板 上獨立形成，且其吸光光譜係不於圖7。 13號

實施例3 以與實施例1相同方式製造及評估D V D + R之光學記 錄媒體，但將染料記錄層2中之染料改成下文所示之14 號酞花青染料’並將2,2,3,3 -四氟丙醇改成2,2,3,3 -四氣丙 醇、乙基環己烷與1-甲氧基-2-之混合物。結果示於表2 ° 該染料記錄層係在玻璃板上獨立形成’且其吸光光譜係示 於圖7。 14號（該化學式中，R1與R3各表示CF3’ R2表示一苯基’ 且Μ表示VO(氧化釩） -56 - 200903475

Rv/* R，x/

實施例4 以與實施例1相同方式製造及評估DVD + R之光學記 錄媒體，但將染料記錄層2中之染料改成下文所示之15 號酞花青染料，並將2,2,3,3-四氟丙醇改成乙基環己烷。 結果示於表2。該染料記錄層係在玻璃板上獨立形成，且 其吸光光譜係示於圖7。 15號（該化學式中，Y1與Y2其中之一、Y3與Y4其中之一 、Y5與 Y6其中之一以及 Y7與 Y8其中之一表示-〇-CH[CH(CH3)2]2，其他基團表示Br; Met表示Pd) -57- 200903475

實施例5 以與實施例1相同方式製造及評估DVD + R 錄媒體，但將染料記錄層2中之染料改成下文1 號花青染料。結果示於表2。該染料記錄層係在 獨立形成，且其吸光光譜係示於圖7。亦改變染 厚度而製造光學記錄媒體（實施例5-1至5-4)， 信號之結果示於表3。記錄模式欄中之「L至 至L」之意義以及「PPa/Ppb」一欄之意義與表2 16號（該化學式中，Me表示甲基且以表示乙基） 之光學記 听示之16 :玻璃板上 :料記錄層 記錄/重現 H」與「Η 相同。

實施例6 -58- 200903475 以與實施例5相同方式製造及評估DVD + R之光學記 錄媒體，但將染料記錄層2中之染料改成下文所示之17 號花青染料。結果示於表3。該染料記錄層係在玻璃板上 獨立形成，且其吸光光譜係示於圖7。 17號（該化學式中，Me表示甲基）

實施例7 以與實施例5相同方式製造及評估DVD + R之光學記 錄媒體’但將染料記錄層2中之染料改成1 6號花青染料 與添加有30質量％下文所示之1 8號甲臍螯合染料的混合 物。結果示於表3。此光學記錄媒體之重現信號的波形（眼 圖）係示於圖9。 I8號（該化學式中’ Ph表示苯基） -59- 200903475

實施例8 以與實施例5相同方式製造及評估DVD + R之光學記 錄媒體，但將該導引凹軌之深度從70〇A改成loooA。結 果示於表3。 實施例9 以與實施例5相同方式製造及評估DVD + R之光學記 錄媒體，但將該導引凹軌之深度從700A改成3 05A ’並將 染料記錄層2中之染料改成17號花青染料與添加有20質 量％下文所示之1 8號甲蹓螯合染料的混合物。結果示於表 對照實例1與2 以與實施例1相同方式製造及評估對照實例1與2之 DVD + R的光學記錄媒體，但對照實例1中將染料記錄層2 中之染料改成下文所示之19號方酸菁染料’並將基材1 之導引凹軌之深度改成1 5 0 0 A。該染料記錄層係在玻璃板 上獨立形成，且其吸光光譜係示於圖7。 由表3所示結果確認該記錄爲高至低模式，其中記錄 -60- 200903475 後之反射比降低且記錄後之推挽信號增加。 19號

表2 實施例 染料 凹軌 深度 又最 大値 Abs (λ最大値） Abs (650nm) 記錄 模式 PPa/PPb* 1 12號 700人 730nm 0.55 0.49 L至Η 0.75 2 13號 700A 680nm 0.45 0.43 L至Η 0.75 3 14號 700A 730nm 0.58 0.28 L至Η 0.95 4 15號 700人 730nm 0.50 0.23 L至Η 0.98 5-3 16號 700人 722nm 0.68 0.58 L至Η 0.83 記錄後之推挽/記錄前之推挽信號 -61 - 200903475 1 PPa/PPb* 0.63 0.73 0.83 0.88 0.64 0.84 Ο 0.73 vn cn 2.19 顚動 (%) in 00 00 od o G\ 11.0 〇〇 卜' ο 〇\ (N 00 (N 00 1 12.0 1調變度 (%) I14/I14H 1 o 1/Ί 00 ♦η 00 推挽 經 記錄 0.39 0.40 ίθ.42 0.42 0.35 0.41 0.65 0.19 0.73 0.35 未經 記錄 0.55 ,0.50 0.48 0.55 I 0.49 0.65 0.26 1 0.54 0.16 反射比(％) 經 記錄 〇s CN Os m m m cn 00 m (N 未經 記錄 〇\ m (N (N οο ο (N <N tn 記錄 模式 L至H L至H L至H L至H L至Η L至Η L至H L至H H至L H至L I記錄功率 (mW) i〇 (N <N (N Ρϊ CN m Abs (650nm) 0.78 0.67 0.58 0.50 0.56 0.49 0.55 0.45 0.12 〇 Abs (入最大値） 0.88 0.77 0.68 0.60 0.82 0.58 0.65 0.66 0.61 0.65 λ 最大値 I j 722nm 1 722nm ,722nm 1 722nm 728nm 1 722nm 1 722nm 1 728nm 1 606nm 1 ! 606nm 凹軌 深度 700A 700A 700A 700A 700A 700Α 1000A 305A 1500A 70〇A 染料 16號 16號 16號 16號 17號 16 、 18 號 16號 17 、 18號 19號 19號 實施例 CN 1 卜 00 ON 對照 實例1 對照 實例2 -62- 200903475 實施例l〇 製得直徑120mm且厚度〇.6mm之聚碳酸酯光碟之基 材1，其具有根據HD DVD-R格式之深約600A、凹軌底部 寬度約0.20 μπι且軌距爲0.40 μιη之導引凹軌的凹凸圖案。 然後將下文所示之20號花青染料溶解於2,2,3, 3 -四戴 丙醇以製備染料記錄層用之塗覆液體’然後將該塗覆液體 旋塗在基材1上，並以90 °C退火15分鐘’如此形成染料 記錄層2。染料記錄層2之最大吸光波長爲412nm’於最 大吸光波長之吸光率（Abs.)爲0.3。 然後藉由濺鍍法，使用Ar作爲濺鍍氣體，令Ag-In 合金（In : 0.5質量％)在染料記錄層2上沉積約140nm厚’ 以形成反射層3。 另外，於其上形成約4μιη厚之UV固化樹脂保護層以 形成光碟體，然後使用UV固化黏著劑（DVD 8 02，Nippon Kay aku Co.所製）令其與具有和基材1相同大小之聚碳酸酯 的虛擬基材4(覆蓋基材）層疊，因而製造HD DVD-R之光 學記錄媒體。該染料記錄層係在玻璃板上獨立形成，且其 吸光光譜係示於圖1 〇。 20號（該化學式中，Me表示甲基） -63- 200903475

6

Μ 使用光碟評估裝置 ODU- 1 000(由 Pulstec Industrial

Co.所製）評估實施例10之光學記錄媒體。評估條件如下 〇 信號記錄 在以下條件記錄HD DVD信號：406nm、NA : 0.65且 線性速度2x(l 3.22m/s)。該記錄中，根據HD DVD + R系統 規格而使用多重脈衝光發射圖案（見圖8) 信號重現 在下列波長條件下測量未經記錄與經記錄信號‘· 406nm、NA: 0.65 且線性速度：lx(6.61m/s)。 因此’確認該模式爲低至高模式，其中記錄後之反射 比提高且記錄後之推挽信號降低，如記錄前之推挽信號爲 〇-33而記錄後爲〇19。 實施例11 製得直徑120mm且厚度〇.6mm之聚碳酸酯光碟之基 材1，其具有根據DVD + R格式之深約7 00A、凹軌底部寬 .64- 200903475 度約〇.24μηι且軌距爲〇.74μιη之導引凹軌的凹凸圖案。 然後以A/B/C = 6/2/2之質量比將以下顯示爲染料材料 (A)之21號花青染料、以下顯示爲染料材料（B)之22號花 青染料與以下顯示爲耐光材料（C)之23號二硫醇Ni錯合 物溶解於2,2,3,3-四氟丙醇，因而製備染料記錄層2用之 塗覆液體，然後將該塗覆液體旋塗在基材1上，並以90 退火1 5分鐘，如此形成染料記錄層2。 該染料材料（A)之最大吸光波長爲728nm，且於此波 長之吸光率（Abs.)爲0.58;該染料材料（B)之最大吸光波長 爲619nm，且於此波長之吸光率（Abs.)爲0.36。該染料記 錄層2於650nm之記錄/重現波長之吸光率（Abs.)爲0.44 。這些結果係示於表4。該等染料記錄層係在玻璃板上獨 立形成，且其吸光光譜係示於圖1 1至1 3。 然後藉由灑鍍法，使用Ar作爲濺鍍氣體，令Ag-In 合金（In: 0.5質量％)在染料記錄層2上沉積約140nm厚， 以形成反射層3。 另外，於其上形成約4μιη厚之UV固化樹脂（SD3 90 ’ 由 Dainippon Ink and Chemicals，Inc.所製）保護層以形成 光碟體，然後使用 UV固化黏著劑（DVD8 02 ’ Nippon Kayaku Co.所製）令其與具有和基材1相问大小之聚碳酸酯 的虛擬基材4(覆蓋基材）層疊’因而製造DVD + R之光學記 錄媒體。 21號（該化學式中Me表示甲基） -65- 200903475

22號（該化學式中Me表示甲基）

如實施例1評估上述光學記錄媒體之性質，亦測量推 挽信號、差動信號、反射比、信號調變度（Π 4/114H)、吸 光率（Abs.)、最大吸收尖峰波長、染料之吸光光譜或其他 66 - 200903475 。信號記錄與信號重現之方法與實施例中之方法相似。此 光學記錄媒體之重現信號的波形（眼圖）係示於圖1 5。 表5所示之結果證實本實施例之光學記錄媒體爲低至 高類型，其中記錄之後於記錄部分之反射比提高，且記錄 後之推挽信號降低。記錄模式欄中之「L至Η」與「Η至 L」之意義以及「PPa/PPb」一欄之意義與表2相同。 此外，雖然本實施例中以波長6 5 9 nm之記錄與重現結 果爲例證’但即使因固態材料或溫度差異之致導致雷射波 長波動約± 2 0 n m時亦可獲得相似性質；其原因係本發明中 該染料材料（A)之吸光率在640至680nm範圍中逐漸改變 ，惟於約65 Onm之DVD雷射波長時如圖i所示之傳統高 至低DVD + R吸光率迅速改變。 實施例1 2 以與實施例1 1相同方式製造與評估DVD + R之光學記 錄媒體’但將基材1之凹軌之深度改成3 〇 5 A，並將凹軌 底部寬度改成約0 · 2 5 μ m。結果示於表4與5。 實施例1 3 以與實施例1 1相同方式製造與評估D v D + R之光學記 錄媒體，但染料記錄層2之染料材料（B)改成24號花青染 料之錯鹽與偶氮染料’以令該質量比A/B/C調整爲 7/1 .5/1.5。結果示於表4與5。該染料記錄層係在玻璃板 上獨立形成，且其吸光光譜係示於圖丨丨至13。 -67- 200903475 24號

實施例1 4 以與實施例13相同方式製造與評估DVD + R之光學記 錄媒體，但將基材1之凹軌之深度改成3 05A，並將凹軌 底部寬度改成約〇.25μηι。結果示於表4與5。 實施例1 5 以與實施例1 1相同方式製造與評估DVD + R之光學記 _媒體’但染料記錄層2之染料材料（Β)改成方酸菁螯合 錯合物8號。結果示於表4與5。該染料記錄層係在玻璃 板上獨立形成，且其吸光光譜係示於圖11至13。 實施例1 6 以與實施例1 5相同方式製造與評估DVD + R之光學記 錄媒體’但將基材1之凹軌之深度改成305Α，並將凹軌 底部寬度改成約〇 · 2 5 μιη。結果示於表4與5。 -68- 200903475 實施例17 以與實施例1 2相同方式製造與評估DVD + R之光學記 錄媒體，但以A/B/C/D = 5/2.5/l，7/0.8之質量比將以下顯承 爲染料材料（A)之25號花青染料、以下顯示爲染料材料 (B)之2號方酸菁螯合染料、與以下顯示爲耐光材料（C)之 23號二硫醇Ni錯合物與以下顯示爲耐光材料（D)之26號 甲臍螯合染料溶解於2,2,3,3-四氟丙醇，因而製備染料記 錄層2用之塗覆液體。結果示於表4與5。該染料記錄層 係在玻璃板上獨立形成，且其吸光光譜係示於圖11至13 〇 25號（該式中’ Me表示甲基且Et表示乙基）

C 76

C 26號（該式中’ ph表示苯基） -69- 200903475

PhO

實施例1 8 以與實施例17相同方式製造與評估dvd + r之光學記 錄媒體，但將染料記錄層2之染料材料（A)改成2 1號花青 染料，且將染料材料（B)改成方酸菁螯合染料。結果示於 表4與5。 實施例1 9 以與實施例1 8相同方式製造與評估〇 V D + R之光學記 錄媒體’但將染料記錄層2之材料的含量比改成以質量計 爲A/B/C/D = 4.5/3.0/1.5/1.0。結果示於表4與5。該染料 記錄層係在玻璃板上獨立形成’且其吸光光譜係示於圖16 實施例20 以與實施例1 8相同方式製造與評估DVD + R之光學記 錄媒體’但以質量計爲A/B/C/D = 3/4.5/1.0/1.5之含量比 將染料記錄層2之材料溶解於2,2,3，3-四氟丙醇，以製備 該染料記錄層之塗覆液體。結果示於表4與5。 -70- 200903475 實施例2 1 以與實施例11相同方式製造與評估DVD + R之光學記 錄媒體，但將基材1之凹軌之深度改成約丨00nm，並將凹 軌底部寬度改成約〇.25μιη。結果示於表4與5。 實施例2 2 以實施例19相同方式製造與評估DVD + R之光學記錄 媒體’但使用二亞銨化合物29號（KAYASORB IRG022, 由Nippon Kayaku Co.所製）作爲耐光材料（c)。結果示於表 4與5。 實施例2 3 以實施例19相同方式製造與評估DVD + R之光學記錄 媒體’但使用鋁化合物30號（KAYASORB IRG140，由 Nippon Kayaku Co.所製）作爲耐光材料（c)。結果示於表4 與5。 實施例2 4 以實施例16相同方式製造與評估DVD + R之光學記錄 媒體，但僅使用染料（A)與（B)作爲染料材料以改變該含量 比。結果示於表4與5。 對照實例3 製得直徑120mm且厚度0.6mm之聚碳酸酯光碟之基 -71 - 200903475 材1，其具有根據DVD + R格式之深約1 5 00A、凹軌底部寬 度約0.24μηι且軌距爲0·74μιη之導引凹軌的凹凸圖案。 此外’以1號/26號=7.5/2.5之質量比將上述丨號染 料材料與26號甲臍螯合染料溶解於2,2,3,3 -四氟丙醇，由 此製備染料記錄層2用之塗覆液體。 在其他條件係與實施例1 1相同條件之情況下，製造 並評估DVD + R之光學記錄媒體。結果示於表4與5。該 等染料記錄層係在玻璃板上獨立形成，且其吸光光譜係示 於圖12與13。 本對照實例之光學記錄媒體爲高至低記錄模式，且記 錄後之推挽信號增加（PPa/PPb = 1.35)。 此外，記錄敏感度差（Wl = 37mW，W2 = 25mW)，且其 必要雷射功率比其他實施例之必要雷射功率高出20%或更 局。 實施例25 在以下波長條件之下測量實施例1 9與對照實例3之 光學記錄媒體的未經記錄與經記錄狀態之信號：650nm、 N A : 0 · 6 0且線性速度：1 x (3 · 4 9m/s)。此外，計算吸光波 長光譜” η"之波長相依參數。 結果如下’其證實實施例〗9之波長相依性更優良。 實施例19中’反射比（65〇nm): 48%且η = -2 對照實例3中’反射比（65〇nrn) : 42%且η = + 30 -72- 200903475 實施例25-2 以與實施例19相同方式製造及評估DVD + R之光學記 錄媒體，但使用21號花青染料作爲染料材料（A)並使用26 號甲腊螯合染料作爲耐光材料（D)，令其以A/D = 7.5/2.5之 質量比溶解於2,2,3,3 -四氟丙醇，由此製備染料記錄層2 用之塗覆液體。結果示於表4與5。 本實施例2 5 - 2結果證實記錄後之反射比與顫動性質 比凹軌方面係以相同條件製造之實施例1 7至2 0差，且記 錄後之調變性質亦比實施例1 2、1 4與1 6至2 0差。 如表5所示’實施例1 1至24顯示爲低至高記錄模式 ’記錄後之推挽信號降低’且經記錄D V D信號顯示出較 佳性質。 此外，個別具有3 0 5 A凹軌深度之實施例1 2、1 4、1 6 、17、18、19、20、22、23與24特佳，其於記錄後之推 挽信號不高於〇 · 2。另外，實施例1 7、1 8、1 9、2 0、2 2、 23與24顯示記錄後之反射比與市售DVD-R相似性質（約 4 5%) ° 實施例2 6 測量曝於氙光後位於λ最大値之吸光率（Abs.)變化以 便比較單獨使用21號染料材料之染料層（S-11)、實施例 25-2之染料層（S-12)與實施例19之染料層（S-13)三者的 耐光性。曝光條件爲5 0000勒克司。 圖1 7所示之結果證實實施例1 9之耐光性優於實施例 -73- 200903475 25-2 〇 實施例之耐光性評估結果係示於表5。耐光性欄之殘 留率値顯示曝光20小時後之殘留率（Abs.)。 實施例2 7 針對實施例1 9、對照實例3與實施例25-2加以評估 記錄功率之顫動邊限。評估條件與實施例n相同。結果 示於圖1 8。 圖18證實本發明記錄媒體具有比僅含有21號花青染 米斗f乍胃染料·材料之傳統高至低記錄媒體或低至高記錄媒體 更優良之功率邊限。 實施例2 8 製得直徑120mm且厚度0.6mm之聚碳酸酯光碟之基 材1 ’其具有根據HD DVD-R格式之深約600A、凹軌底部 寬度約0.24 μπι且軌距爲〇.40 μηι之導引凹軌的凹凸圖案。 然後以質量比 Α/Β = 6/4將下文所示作爲染料材料（Α) 之27號花青染料與下文所示作爲染料材料（Β)之28號酞 花青溶解於2,2,3,3-四氟丙醇，由此製備染料記錄層2用 之塗覆液體，然後將該塗覆液體旋塗在基材1上，並以90 °C退火1 5分鐘，如此形成染料記錄層2。 該染料材料（A)之最大吸光波長爲412nm，且於此波 長之吸光率（Abs.)爲0_32;該染料材料（B)之最大吸光波長 爲374nm，且於此波長之吸光率（Abs.)爲0.25。該染料記 -74- 200903475 錄層2於405nm之記錄/重現波長之吸光率（Abs.)爲0.29 。該等染料記錄層係在玻璃板上獨立形成，且其吸光光譜 係示於圖1 4。 然後藉由灑鍍法，使用Ar作爲濺鍍氣體，令Ag-In 合金（In : 0.5質量％)在染料記錄層2上沉積約100nm厚， 以形成反射層3.。 另外，於其上形成約4μιη厚之UV固化樹脂（SD390， 由 Dainippon Ink and Chemicals, Inc.所製）保護層以形成 光碟體，然後使用 UV固化黏著劑（DVD 802，Nippon Kay aku Co.所製）令其與具有和基材1相同大小之聚碳酸酯 的虛擬基材4(覆蓋基材）層疊’因而製造HD DVD-R之光 學記錄媒體。 27號（該化學式中’ Me表示甲基）

28號（該化學式中’ Y1與Y2其中之—、Y3與Y4其中之一 、Y5與Y6其中之一以及Y7與Y8其中之一表示以下所示 之結果，而其他基團表示H) •75- 200903475

使用光碟評估裝置 ODU- 1 000(由 Pulst C〇.所製）評估實施例28之光學記錄媒體。言 文所述。 信號記錄

在以下條件記錄HD DVD信號：406nm、 線性速度2x(13.22m/s)。該記錄中’根據HD 規格而使用多重脈衝光發射圖案。 信號重現 在下列波長條件下測量未經記錄與經 406nm、NA : 0.6 5 且線性速度：1 x (6 · 6 1 m / s) 該模式爲低至高模式，其中記錄部分於記錄令 -76- ec Industrial ί估條件如下 ΝΑ : 0.65 且 DVD + R系統 記錄信號： 。因此，確認 I之反射比提 200903475 高，未經記錄之推挽信號爲〇 . 3 5，經記 ，記錄後之推挽信號降低，且PRSNR;! 錄之推挽信號〇 . 2 1 19dB。 -77- 200903475 掛 /—V 1 寸 寸 寸 寸 寸 m 寸 CN 寸 ON m 卜 (N m 卜 卜 m 卜 <Τ) CO Ό 寸 ^τ\ νη ο 〇 Ο ο ό Ο o O 〇 〇 d ο d ο 〇 Ο Μ •κ Ββ 染料 g ,0.36 0.36 !- 0.32 0.32 0.30 0.30 0.34 0.34 0.36 0.42 0.36 0.36 0.36 I 0.38 1 0.60 r< & 染料 I :0.58 0.58 0.59 0.59 0.56 0.56 0.52 0.52 0.49 0.40 0.58 0.49 0.49 0.51 0.66 i耐光 丨材料(D) 548nm 548nm 548nm 548nm 548nm 548nm 548nm 548nm 塑 4< 耐光 材料(C) >900nm >900nm 616nm 616nm >900nm >900nm >900nm >900nm >900nm >900nm >900nm >900nm >900nm m 1 s 619nm 619nm 616nm 616nm 601nm 601nm 601nm 601nm 601nm 601nm 619nm 601nm 601nm 601nm 606nm 染料 728nm 728nm 728η, 728nm 728nm 728nm 1 ! 722nm 728nm 728nm 728nm 728nm 728nm 728nm 728nm 728nm 凹軌 深度 700A 305A 700A 305A 70〇A 305A 305A 305A 305A 305A ιοοοΑ 305A 305A 305Α 1500A 305A _ S' o Ο o »〇 〇 in o 〇 00 o 00 o yr\ 〇 $ Ο in cs CN < $ so νο ίο >—« ΐτϊ CN rN In in rn — VO in — $ «ο 寸* Ό r-* o o •T) 耐光 材料(D) 26號 26號 26號 26號 26號 26號 26號 26號 耐光 材料(C) 23號 23號 24號 24號 23號 23號 23號 23號 23號 23號 23號 29號 30號 染料 Β ! :22號 22號 24號 24號 黯 00 JMJ 00 盤 (N Λ3-3 m 00 iM-3 00 00 22號 JMJ 00 IS 00 oo 為 染料 21號 21號 21號 21號 21號 21號 25號 21號 21號 21號 21號 ! 丨21號 21號 21號 r-) 累 21號 實施例 二 (Ν m 寸 卜 r·^ oo Ο 陧 25-2 -78- 200903475 s« 耐光性中 之麵率 0.63 0.63 0.43 0.43 0.48 0.48 0.62 0.63 0.67 0.69 0.63 0.68 0.70 ( 1 0.44 PPa/PPb 0.94 1- ! 0.81 , 0.91 0.72 0.89 0.68 0.78 1- 1 0.76 0.79 p s 0.83 0.88 0.79 1.35 0.73 顫動(％) 10.5 寸 ON 00 〇6 Ο) 10.5 〇 00 i—Η ο 〇 Os r- (Ν 00 (Ν 〇6 調變度(％) I14/I14H m <ri 〇\ (N m m JO 1—^ 推挽 經記錄 0.62 0.20 0.62 0.18 0.57 0.17 0.17 0.16 0.16 0.16 0.70 0.16 0.16 0.16 0.73 0.19 未經記錄 0.66 0.24 0.68 0.25 0.64 ^ΓΊ 0.22 0.21 0.20 0.15 0.68 0.19 0.18 0.20 0.54 0.26 :匕(％) 經記錄 00 m On (N 〇〇 m <N 00 cn 反射丨 未經記錄 CN (N (N <N CN ίΝ cs CN 00 (Ν CN (N m (N (N (N 記錄模式 L至Η L至Η L至Η L至Η L至Η 丨L至Η L至Η 「L至Η L至Η L至H L至Η 1 L至Η 1 L至H L至H 1 :H至L L至H 記錄功率(mW) m CN P； 實施例 - (Ν ΓΛ 寸 Ό 卜 00 as 對照實例3 25-2 -79- 200903475 實施例2 9 以與實施例1相同方式製造並評估DVD + R之光學記 錄媒體’但以質量比A/B/C/D = 5/ 2.5/l_7/0.8而將前文所示 作爲染料材料（A)之2 1號花青染料' 作爲染料材料（B )之 11號方酸菁螯合染料、前文所示作爲耐光材料（C)之二硫 醇Ni錯合物與作爲耐光材料（D)之26號甲臍螯合染料溶解 於2,2,3,3-四氟丙醇，以製備該染料記錄層之塗覆液體。 因此，確認該記錄標記部分在記錄前之反射比爲2 2 % 而記錄後之反射比爲44%，且該光學記錄媒體爲低至高類 型；調變度爲0.48，且顫動爲7.1%。亦確認記錄前該推 挽信號爲0.21，且記錄後該推挽信號爲0.16，因此記錄後 該推挽信號降低。 實施例3 0 以與實施例29相同方式製造DVD+ R之光學記錄媒體 ，但將基材1之格式改成根據DVD-R格式。 根據可讀取光碟General/Part 1 , Ver. 2.0之DVD規格 中的系統規格，使用光碟評估裝置ODU- 1 000(由Pulstec Industrial Co.所製）評估該光學記錄媒體之性質。

至於信號記錄’在DVD(8-16)信號係在以下波長條件 之下加以記錄：65 9nm ' NA : 0.65且線性速度：8 X (2 7.92m/s)。該記錄中，根據DVD-R規格而使用脈衝光發 射的堡形圖案。 至於信號重現’在下列波長條件下測量未經記錄與經 -80- 200903475 記錄信號：65 9nm、ΝΑ : 0.65且線性速度：lx(3.49m/s)。 此外，測量反射比、信號調變度、顫動、推挽信號或 其他之方法係以DVD-R系統規格爲基礎。 因此，確認記錄標記部分在記錄前之反射比爲22%， 記錄後之反射比爲44%，且該記錄爲低至高模式，其中記 錄後之反射比提高；調變度爲0.48且顫動爲7.1%。 亦確認記錄前之推挽信號爲〇 _ 2 1，記錄後之推挽信號 爲〇. 1 6，因此記錄後之推挽信號降低。 實施例3 1 以與實施例1 9相同方式製造DVD+ R之光學記錄媒體 ，但將基材1之凹軌深度改成300A。 因此，確認該光學記錄媒體爲低至高類型，記錄標記 部分在記錄前之反射比爲2 2 %，記錄後之反射比爲4 6 %。 亦確記錄前之推挽信號爲〇.2〇，記錄後之推挽信號爲〇·16 ，PPa/PPb爲0.79，記錄後該推挽信號不超過0.3，記錄 後之推挽信號低於記錄前之推挽信號。調變度爲0.5 0 ’顫 動爲 6.9%，且 RCa 爲-0.05。 對照實例5 藉由實施例29所使用之評估裝置重現市售DVD-ROM 光碟，並測得推挽信號爲〇·3〇 ’其證實實施例29之光學 記錄媒體表示該推挽信號低於市售DVD-ROM。 -81 - 200903475 實施例3 2 製得直徑爲120mm且厚度爲〇.57111111之聚碳酸酯圓盤 作爲第一基材11，其中藉由深度約350人且凹軌底部寬度 約0·24μπι之導引凹軌而在該表面上形成軌距爲〇.74μπι之 螺旋圖案。 然後，以4:3:3之質量比將作爲染料材料（Α)之花青染 料（化合物21號）、作爲染料材料（Β)之方酸菁染料（表1之 化合物8號）與作爲耐光材料（C)之甲臢螯合染料（化合物26 號）溶解於2,2,3,3-四氟丙醇，因而製備第一染料記錄層12 材料用之塗覆液體，然後將該塗覆液體旋塗在第一基材11 上，並以90 °C退火15分鐘，如此形成第一染料記錄層12 〇 然後藉由濺鍍法，使用 Ar作爲濺鍍氣體，令Ag-In 合金（In : 5質量％)在第一染料記錄層12上沉積約9nm厚 ，以形成半透射反射層1 3。該半透射反射層1 3之透射比 約 5 0%。 另一方面’製得直徑爲l2〇mm且厚度爲0.57mm之聚 碳酸酯圓盤作爲第二基材18’藉由深度約300A且凹軌底 部寬度約0.24 μηι之導引凹軌而在該表面上形成軌距爲 0.74μηι之螺旋圖案。 藉由濺鑛法’使用Ar作爲濺鍍氣體，而在第二基材 18上沉積約l〇〇nm厚，以形成Ag之反射層17。 然後’以6 : 4之質量比將作爲染料材料（A)之花青染料 (化合物21號）與作爲染料材料（B)之方酸菁染料（表1之化 -82- 200903475 合物8號）溶解於2,2,3，3_四氟丙醇，因而製備第二染料記 錄層16材料用之塗覆液體，然後將該塗覆液體旋塗在反 射層1 7上’並以9 〇 退火1 5分鐘，如此形成第二染料記 錄層1 6。 然後’藉由濺鍍法使用Ar作爲濺鍍氣體，而在第二 染料記錄層16上沉積約15nm厚之ZnS-Si02(莫耳比爲 8:2) ’以形成無機保護層15。 然後，藉由使用UV固化黏著劑（KARAYADDVD003， 由Nippon Kayaku Co.所製）令第一基材11與第二基材18 層疊’因而製造具有圖4所示之層構造的光學記錄媒體。 實施例3 3 以實施例32相同方式製造光學記錄媒體，但將第二 基材18改成藉由深度約150A且凹軌底部寬度約〇.25μηα 之導引凹軌而形成軌距爲0.74 μπι之螺旋圖案的基材。 實施例3 4 以與實施例3 2相同方式製造光學記錄媒體，但將第 二染料記錄層16之染料材料（Β)改成花青染料（化合物22 號）。 實施例35 以實施例3 4相同方式製造光學記錄媒體，但將第二 基材18改成藉由深度約150Α且凹軌底部寬度約〇·25μπι -83- 200903475 之導引凹軌而形成軌距爲〇·74μχη之螺旋圖案的基材。 實施例3 6 以與實施例3 2相同方式製造光學記錄媒體，但將第 二染料記錄層16之染料材料（Α)改成花青染料（化合物25 號）’並將染料材料（Β)改成方酸菁螯合染料（表！之化合物 2號）。 實施例3 7 以實施例3 6相同方式製造光學記錄媒體，但將第二 基材18改成藉由深度約150Α且凹軌底部寬度約〇.25μηι 之導引凹軌而形成軌距爲0·74μηι之螺旋圖案的基材。 實施例3 8 將非晶相聚烯烴（Zeonex，由Zeon Co.所製）射出成形 以製造直徑爲120mm且厚度爲0.6mm之樹脂壓模，其中 藉由深度約400A且凹軌底部寬度約0.24 μιη之導引凹軌而 形成軌距爲 〇.74 μιη之螺旋圖案（令轉移之中間層具有 〇·24μπι之凹軌底部寬度）。 製得直徑爲120mm且厚度爲0.57mm之聚碳酸酯圓盤 作爲第一基材11，其中藉由深度約35〇A且凹軌底部寬度 約〇·24μηι之導引凹軌而在該表面上形成軌距爲〇 74μιη之 螺旋圖案。 然後’以4:3:3之質量比將作爲染料材料（Α)之花青染 -84- 200903475

料（化合物21號）、作爲染料材料（B)之方酸菁染料（表1之 化合物8號）與作爲耐光材料（〇之甲臢螯合染料（化合物26 號）溶解於2,2,3,3 -四氟丙醇，因而製備第一染料記錄層12 材料用之塗覆液體’然後將該塗覆液體旋塗在第一基材U 上，並以90 °C退火1 5分鐘，如此形成第一染料記錄層！ 2 〇 藉由濺鍍法’使用Ar作爲濺鍍氣體，令Ag-In合金 (In ·· 5質量％)在第一染料記錄層12上沉積約900nm厚， 以形成半透射反射層1 3。該半透射反射層1 3之透射比約 5 0%。 然後在該半透射反射層13上塗覆約50 μηι厚之UV固 化樹脂，並將該樹脂壓模面朝該UV固化樹脂層放置。 自該樹脂壓模側照射UV射線以固化該UV固化樹脂 之後，剝離該樹脂壓模以形成具有經轉移凹凸形狀之導引 凹軌的中間層1 9。 然後，以6:4之質量比將作爲染料材料Α之花青染料 (化合物21號）與作爲染料材料B之方酸菁染料（表1之化 合物8號）溶解於2，2,3,3-四氟丙醇，因而製備第二染料記 錄層16材料用之塗覆液體，然後將該塗覆液體旋塗在中 間層19上，並以90 °C退火15分鐘’如此形成第二染料記 錄層16。 藉由濺鍍法，使用Ar作爲濺鍍氣體，而在第二染料 記錄層上沉積約l〇〇nm厚’以形成Ag之反射層17° 製得直徑爲120mm且厚度爲〇, 57mm之聚碳酸酯圓盤 -85- 200903475 作爲第二基材18，藉由深度約300 A且凹軌底部寬度約 0·24μιη之導引凹軌而在該表面上形成軌距爲〇.74μιη之螺 旋圖案。 然後，藉由使用UV固化黏著劑（KARAYADDVD003， 由Nippon Kayaku Co.所製）令第一基材11與第二基材18 層疊，因而製造具有圖5所示之層構造的光學記錄媒體。 對照實例6 以實施例32相同方式製造具有圖4所示之層構造的 光學記錄媒體，但第一基材11之凹軌深度改成約1500A ，將第一染料記錄層之染料材料（A)改成花青染料（化合物 1 9號）、將第二染料記錄層之染料材料（A)改成花青染料（ 化合物1 9號），並將染料材料（B)改成方酸菁染料（化合物 2號） 以與實施例1相同方式評估實施例3 2至3 8 (本具體實 例之光學記錄媒體）與對照實例6之光學記錄媒體的性質 。表6顯示染料記錄層之材料與基材結構的條件以及測量 結果，而表7顯示該等記錄層之性質。 由表7中所示之結果確認第一染料記錄層以及第二染 料記錄層表現出記錄後之反射比大於記錄前之反射比，因 此本具體實例爲低至高類型，且記錄前之推挽信號小於記 錄後之推挽信號。 圖1 9顯示實施例3 2之光學記錄媒體在記錄/重現條 件下的重現信號波形（眼圖）。雖然該等測量係以波長 -86- 200903475 6 9 5nm之記錄/重現光進行，但即使該記錄/重現光之波長 起伏±2 Onm時亦可獲得相似之結果。其原因係本具體實例 中該染料材料（A)之吸光率在640至6 80nm範圍中逐漸改 變，同時於約 65 0nm之 DVD雷射波長時傳統高至低 DVD + R之吸光率迅速改變。 反之，確認對照實例6之光學記錄媒體爲高至低類型 ，而且記錄後之推挽信號大於記錄前之推挽信號。 針對實施例3 2與3 8以及對照實例6的第二染料記錄 層加以評估記錄功率之顫動邊限。 圖20所示之結果證實實施例32與38之光學記錄媒 體具有比對照實例6更優良之功率邊限。 此外，針對實施例3 2與對照實例6之光學記錄媒體 計算該第二染料記錄層之波長相依參數"n"。 結果證實實施例3 2之光學記錄媒體的波長相依參數 更爲優良，其中實施例32之"η"爲"-1" ’而對照實例6之 '，η "爲"+ 2 3 ”。 如前文所解釋，本具體實例之光學記錄媒體具有低至 高類型之染料記錄層12、16，因此可以避免迅速記錄資訊 時記錄敏感度降低或是在重現資訊時推挽信號變得過大’ 因而加強記錄/重現性質。更明確地說’可避免將來自基 材1 1、1 8凹軌之反射光所造成的雜訊包含至重現信號中 〇 此外，本具體實例之光學記錄媒體的推挽信號値不大 於〇. 4 5，因此可避免將來自基材11、1 8凹軌之反射光所 -87- 200903475 造成的雜訊包含至重現信號中。 另外，本具體實例之光學記錄媒體具有低至高類型之 染料記錄層1 2、1 6，因此能在光學記錄/重現設備中加以 記錄並重現資訊，其中該設備係當該推挽信號値係在第一 範圍內時，將該光學記錄媒體辨認爲唯讀，而當該推挽信 號値在第二範圍（其大於第一範圍）時，則將該光學記錄媒 體辨認爲可再寫。更明確地說，於記錄資訊之前令以來自 第一與第二染料記錄層12、16之反射光爲基礎的推挽信 號値設在第一範圍內，且於記錄資訊之後令推挽信號値設 在第二範圍內，該光學記錄設備因而可在本具體實例之光 學記錄媒體上記錄並重現資訊。在技術意義上已相當需要 此等光學記錄媒體以避免如上述之非法複製品；於本具體 實例之光學記錄媒體中，記錄資訊後該推挽信號降低，因 此即使於記錄資訊之後亦可當作唯讀DVD而令資訊重現 〇 另外，本具體實例之光學記錄媒體中，第一染料記錄 層1 2與第二染料記錄層1 6之調變度爲40%或更高。因此 ，由於該重現信號之S/N比適當之故，可令該光學記錄媒 體上之資訊適當地重現。此外，DVD + R、HD DVD-R、 BD-R或其他之系統規格需要的重現信號調變度爲40%或 更高，而且該光學記錄媒體適用於該系統規格，因此現有 驅動器能很容易設成記錄與重現。 此外，本具體實例之光學記錄媒體中，於該記錄/重 現光下’第一染料記錄層1 2以及第二染料記錄層1 6之吸 -88- 200903475 光率（Abs.)係在0·2至0.8範圍。因此，可充： 學記錄媒體之反射比，而且可以充分確保該等！ 之敏感度與供記錄用之必要重現信號的調變度 本具體實例之光學記錄媒體的吸光率（Abs.)低於 比傳統高至低類型之光學記錄媒體（諸如傳統 DVD-R)更爲有利於加強記錄敏感度。 今確保該光 杂料記錄層 。即，由於 0.2，故其 DVD+R 與 -89- 200903475 吸光率 (650nm) 0.39 0.13 [0.56 0.55 1 1 0.60 0.59 0.55 0.54 0.56 0.18 «f s <L3 T\ 染料 (B) 0.36 0.60 0.36 0.36 0.32 0.32 0.34 0.34 0.36 0.34 1 ; 染料 ㈧ 0.58 I 0.58 0.58 ；0.59 0.59 0.52 0.52 0.58 0.60 iM 耐光 材料(C) 548 548 4< iK r< 染料 (B) 619 606 619 619 616 616 1—« s 619 § 染料 ㈧ 728 728 728 728 728 722 722 728 606 s m (N rj- a « 3 〇 〇 〇 〇 o ο ο ο 〇 〇 凹軌 深度 350A 1600Α 3 00A 150A 300A 15〇Α 300Α 15〇Α 400A 300A 比値 (A/B/C) 4/3/3 0/7/3 6/4/0 6/4/0 7/3/0 7/3/0 6/4/0 6/4/0 6/4/0 6/4/0 耐光 材料 (C) 26號 26號 染料 (B) iMJ m 00 19號 00 JM.3 oo 22號 22號 盤 (Ν JM-3 (Ν JM-3 00 JMJ CN 染料 ㈧ 21號 21號 21號 21號 21號 25號 25號 21號 19號 4g 00 湘 (N m 翠 fc (S m 匡 cn m m SO m 匡 卜 m CO cn 匡 |i： 艇 匡 習 Μ 陛 is 辑 in 辑 n 辑 * 留 n 辑 κ 辑 K 辑 * 陛 _ , a% ΟΜ nJ ιΐιια 才 <M r〇 mm 寸 锞 1 锞 1 I 搬 1 1 搬 -90- 200903475 PPa/PPb* 0.91 1.20 0.92 0.94 0.92 0.94 0.92 0.94 0.91 1.12 顫動(％) (N 00 卜 'Ο 〇\ 00 卜^ 00 od 調變度(％) I14/I14H 3 ON ίΝ (S VD g (Ν 推挽 經記錄 0.21 1 ! 0.36 0.22 1 0.16 0.22 1 0.16 0.22 0.16 0.20 0.37 未經記錄 0.23 0.30 0.24 0.17 0.24 0·17 0.24 0.17 0.22 0.33 1 Ί 經記錄 00 00 卜 〇\ 00 J-Λ 未經記錄 卜 00 1> 00 00 〇\ in 記錄模式 L至Η Γ Η至L L至Η Γ :L至Η L至Η 1 i L至Η L至Η L至Η L至Η Η至L 記錄功率(mW) CN 彡 00 (Ν (Ν (Ν (Ν 00 CN 00 (Ν 1-^ (Ν (Ν cn 00 3 實施例32至38 對照實例6 實施例32 實施例33 實施例34 實赫！1 35 實施例36 實施例37 實施例38 對照實例6 第一染料記錄層 第二染料記錄層 -91 - 200903475 【圖式簡單說明】 圖1顯示一染料材料之吸光光譜。 圖2範例顯示DVD + R或DVD-R之光學記錄媒體的層 組態。 圖3範例顯示用於BD-R之光學記錄媒體的逆層組態 〇 圖4範例顯示包含第一與第二資訊層（反向堆疊法之 實例）的光學記錄媒體之層組態。 圖5範例顯示包含第一與第二資訊層（2P法之實例）的 光學記錄媒體之層組態。 圖6範例顯示光學記錄設備之組態。 圖7顯示實施例1至5中所使用之染料的吸光光譜。 圖8顯示根據DVD + R系統規格記錄所使用之脈衝光 線發射的堡形圖案。 圖9顯示實施例7中該光學記錄媒體之重現信號的波 形（眼圖）。 圖1 〇顯示實施例1 〇中所使用之染料的吸光光譜。 圖1 1顯示化合物第2 1、2 5號之吸光光譜。 圖12顯示化合物第2、8、19、22與24號之吸光光 譜。 圖13顯示化合物第23、26號之吸光光譜。 圖14顯示化合物第27、28號之吸光光譜。 圖1 5顯示實施例1 1中該光學記錄媒體之重現信號的 波形（眼圖）。 -92- 200903475 圖1 6顯示實施例1 9中該光學記錄媒體之染料記錄層 的吸光光譜。 圖1 7顯示實施例26中該光學記錄媒體之耐光性的測 試結果。 圖1 8顯示實施例27中該光學記錄媒體之顫動邊限對 記錄功率之測試結果。 圖19顯示實施例32中該光學記錄媒體之重現信號的 波形（眼圖）。 圖2 0顯示實施例3 2與3 8以及對照實例6中該第二 染料記錄層之顫動變數與記錄功率。 【主要元件符號說明】 1 :基材 2 :染料記錄層 3 :反射層 4 :虛擬基材 5 :透光保護層 6 :透光覆蓋層 1 1 :第一基材 1 2 :第一染料記錄層 1 3 :半透射反射層 1 4 :黏著層 1 5 :無機保護層 16:第二染料記錄層 -93- 200903475 1 7 :反射層 1 8 :第二基材 1 9 :中間層 5 3 :光拾波器 5 0 :雷射控制器

Claims (1)

1. 200903475 十、申請專利範圍 1. 一種光學記錄媒體，包含一染料記錄層， 其中一記錄標記部分係藉由使用波長爲640nm至 680nm之雷射光而在該染料記錄層形成，且該記錄標記部 分在記錄之後對於雷射光的反射比高於記錄之前。 2. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中記錄 後該記錄標記部分處之推挽信號（推挽（差動信號/反射比（ 總和信號））低於記錄之前。 3. —種光學記錄媒體，包含一染料記錄層， 其中一記錄標記部分係藉由使用波長爲400nm至 4 1 Onm之雷射光而在該染料記錄層形成，該記錄標記部分 在目3錄之後對於雷射光的反射比局於記錄之則’且記錄後 之推挽信號（推挽（差動信號/反射比（總和信號））低於記錄之 前。 4 .如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該染 料記錄層含有一或更多種染料材料（A)，其最大吸收尖峰 波長較記錄/重現波長爲長，以及一或更多種染料材料（B) ’其最大吸收尖峰波長較記錄/重現波長爲短。 5，如申請專利範圍第4項之光學記錄媒體’其中該染 料材料（A)係一花青染料，以如下所示之通式⑴表示： 通式（I) -95- 200903475

   在上式中’ R，與R"各獨立表示烷基、芳烷基或芳基， 其可被取代基取代，且相鄰之複數個R"可彼此連接而形 成脂環烴環或雜環；z表示形成芳環之原子群，X表示單 價陰離子’且L表示連接基團以形成羰花青。 6.如申請專利範圍第4項之光學記錄媒體，其中該染 料材料（B)係方酸菁染料’以下示之通式（π)表示： 通式（II)

   工中，Rl與R2可相 一 」·^个Η，各表不一氫原子、 可此具有取代基之烷基、一 可㈣具有取代基之芳烷基、 可此具有取代基之芳基， 乂 可硓具有取代基之雜環基 ^表示一能配位之金屬原子· @ , t ’q爲2或3之整數；R3與 -96- 200903475 R4可彼此相同或不同，各表示一氫原子、一可能具有取代 基之烷基、一可能具有取代基之芳烷基，或一可能具有取 代基之芳基，且R3與R4可彼此連接而形成脂環烴環或雜 環；R5表示一氫原子、一可能具有取代基之烷基、一可能 具有取代基之芳烷基，或一可能具有取代基之芳基；R6表 示一鹵素原子、一可能具有取代基之烷基、一可能具有取 代基之芳烷基、一可能具有取代基之芳基、一硝基、一氰 基、或一可能具有取代基之烷氧基；P爲〇至4之整數， 且當P係2至4時，複數個R6可能彼此相同或不同，且 雨個相鄰R6及鄰接的兩個碳原子可能結合而形成可能具 有取代基之芳族基團。 7 .如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該染 料記錄層中在波長 660nm之吸光率（Abs)大於在波長 650nm之吸光率（Abs)。 8 .如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該染 料記錄層中對於波長6 5 Onm之雷射光的反射比大於對波長 660nm之雷射光的反射比。 9 .如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中於 645nm至670nm波長範圍中計算之波長相依參數（以下式 之"η"表示）係-25至+25， n = (dPw/cU)/(於 6 5 5nm 之 Pw)/6 5 5 ) 其中（dPw/cU)表示波長每改變lnm造成之記錄功率値 -97- 200903475 改變，且（於655nm之Pw)係於波長65 5nm 錄功率。 1 0 .如申請專利範圍第1項之光學記錄 基材，該基材具有其上形成螺旋凹軌與介於 的表面，其中該螺旋凹軌沿著徑向以軌距0 , 動，至少該染料記錄層與一光反射層依序層 在該等凹軌及/或凸軌處記錄額外資訊。 11.如申請專利範圍第1 〇項之光學記錄 顯示記錄後之反射比高於記錄前之反射比的 成額外資訊。 1 2.如申請專利範圍第1項之光學記錄 光學記錄媒體包含一基材，於其上形成該染 該基材表面具有凹軌，該等凹軌之凹軌深j 1 0 0 n m。 ! 3 .如申請專利範圍第1項之光學記錄 光入射側依序包含具有該染料記錄層之第一 資訊層與具有該染料記錄層之第二記錄層的' 其中位於該第一資訊層之第一基材表面 深度爲20nm至l〇〇nm，位於該第二資訊層 面的凹軌深度爲10nm至40nm，且各凹軌寬 寬度爲各軌距的20%至6〇%。 1 4 .如申請專利範圍第1項之光學記錄 加以記錄一存取區’該存取區有別於重現時 區。 記錄必需之記 媒體，包含一 凹軌間之凸軌 .74±0.03μιη 擺 疊於其上，並 媒體，其中將 資訊加以記錄 媒體，其中該 料記錄層，且 芰爲 20nm至 媒體，自雷射 記錄層的第一 第二資訊層， 的凹軌之凹軌 之第二基材表 度的各自半値 媒體，其中已 待存取之資料 -98- 200903475 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之光學記錄媒體，其中該 存取區包含在半徑爲24mm區域內之區。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之光學記錄媒體，其中該 在半徑24mm區域內之區包含一記錄區以管理設在該光學 記錄媒體中之記錄。 17.—種光學記錄設備，包含 一記錄單元，其經配置以在光學記錄媒體上記錄，及 一辨別單元，是否置入該光學記錄設備的光學記錄媒 體爲低至高類型，該光學記錄媒體中之記錄標記部分在記 錄之後對於雷射光的反射比高於記錄之前， 其中當該辨別單元辨識該光學記錄媒體是爲低至高類 型時，該記錄單元令一存取區記錄在光學記錄媒體，該存 取區有別於重現時待存取之資料區。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之光學記錄設備，其中當 該辨別單元辨識該光學記錄媒體是低至高類型時，該記錄 單元令一存取區被記錄，並記錄經由網路獲取之內容資訊 ，該存取區有別於重現時待存取之資料區。 -99-