JP3309307B2 - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は改良された光学特性
を有する光記録媒体及びその製造方法に関する。
を有する光記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、追記型ＣＤ（コンパクトディス
ク）の開発が活発化してきている。これは、従来のＣＤ
と異なりユーザが情報を記録することが可能で且つ記録
後の信号は従来のＣＤの規格を満足するため、市販ＣＤ
プレーヤで再生可能であるという特徴をもつ。このよう
なメディアを実現する方法の１つとして、特開平２−４
２６５２号公報において、基板上に色素をスピンコーテ
ィングして光吸収層を設け、その背後に金属反射層を設
けることが提案されている。更に、後の特開平２−１３
２６５６号公報に述べられているように、光吸収層の複
素屈折率、膜厚を適当に選ぶことにより、記録後の信号
がＣＤ規格を満足するようになり、追記型ＣＤとし商品
化されている。
ク）の開発が活発化してきている。これは、従来のＣＤ
と異なりユーザが情報を記録することが可能で且つ記録
後の信号は従来のＣＤの規格を満足するため、市販ＣＤ
プレーヤで再生可能であるという特徴をもつ。このよう
なメディアを実現する方法の１つとして、特開平２−４
２６５２号公報において、基板上に色素をスピンコーテ
ィングして光吸収層を設け、その背後に金属反射層を設
けることが提案されている。更に、後の特開平２−１３
２６５６号公報に述べられているように、光吸収層の複
素屈折率、膜厚を適当に選ぶことにより、記録後の信号
がＣＤ規格を満足するようになり、追記型ＣＤとし商品
化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平２−
４２６５２号公報及び特開平２−１３２６５６号公報で
示されている色素を用いた追記型ＣＤは、耐光性の点で
は未だ十分なものではなかった。即ち、太陽光に長時間
さらされて放置された場合等に信号特性が変化し、ＣＤ
規格を満足することができないという欠点があった。こ
れは光吸収層に用いられる色素材料、特に従来用いられ
ていたシアニン系色素が光により変化することに起因し
ている。そこでこの変化を抑制するために、特開昭６３
−１５９０９０号公報に示されているように、光吸収層
に光安定化剤を含有することが知られている。しかし、
光安定化剤を少量（２０％以下）添加した場合には、十
分な耐光性を得ることができず、逆に多量（２０％以
上）に添加すると、光吸収層の光学的及び／又は熱的な
特性が変化し、各種の信号品質が低下するという問題点
があった。
４２６５２号公報及び特開平２−１３２６５６号公報で
示されている色素を用いた追記型ＣＤは、耐光性の点で
は未だ十分なものではなかった。即ち、太陽光に長時間
さらされて放置された場合等に信号特性が変化し、ＣＤ
規格を満足することができないという欠点があった。こ
れは光吸収層に用いられる色素材料、特に従来用いられ
ていたシアニン系色素が光により変化することに起因し
ている。そこでこの変化を抑制するために、特開昭６３
−１５９０９０号公報に示されているように、光吸収層
に光安定化剤を含有することが知られている。しかし、
光安定化剤を少量（２０％以下）添加した場合には、十
分な耐光性を得ることができず、逆に多量（２０％以
上）に添加すると、光吸収層の光学的及び／又は熱的な
特性が変化し、各種の信号品質が低下するという問題点
があった。
【０００４】一方、特開平３−６２８７８号公報におい
ては、高耐光性色素であるフタロシアニン化合物を用い
た追記型ＣＤが開示されている。これは、フタロシアニ
ン化合物に特定の基を付加することにより、フタロシア
ニン化合物をスピンコートした光吸収層の複素屈折率を
追記型ＣＤに必要な値に調節し、高耐光性追記型ＣＤを
実現したものである。しかし、特開平３−６２８７８号
公報に開示されている追記型ＣＤは、従来のシアニン系
色素を光吸収層に用いたものに比べ、再生信号の品質が
劣っていた。即ち、再生信号を構成する個々の信号の長
さ（ピット長）が本来のＣＤ信号の理論値からずれやす
く、再生エラーが発生する場合があるという問題点があ
った。
ては、高耐光性色素であるフタロシアニン化合物を用い
た追記型ＣＤが開示されている。これは、フタロシアニ
ン化合物に特定の基を付加することにより、フタロシア
ニン化合物をスピンコートした光吸収層の複素屈折率を
追記型ＣＤに必要な値に調節し、高耐光性追記型ＣＤを
実現したものである。しかし、特開平３−６２８７８号
公報に開示されている追記型ＣＤは、従来のシアニン系
色素を光吸収層に用いたものに比べ、再生信号の品質が
劣っていた。即ち、再生信号を構成する個々の信号の長
さ（ピット長）が本来のＣＤ信号の理論値からずれやす
く、再生エラーが発生する場合があるという問題点があ
った。
【０００５】従って、本発明の目的は、前記した再生信
号に関する問題点のないフタロシアニン化合物を光吸収
層に用いた高耐光性光記録媒体、及びその製造方法を提
供することにある。
号に関する問題点のないフタロシアニン化合物を光吸収
層に用いた高耐光性光記録媒体、及びその製造方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究を
重ねた結果、前記従来技術の光記録媒体において、後記
一般式（Ｉ）、（II）及び（III)のおのおのから選ばれ
る３種のフタロシアニン系化合物を用いることにより、
前述の問題点を解決できるということを見い出し、本発
明を完成するに至った。
重ねた結果、前記従来技術の光記録媒体において、後記
一般式（Ｉ）、（II）及び（III)のおのおのから選ばれ
る３種のフタロシアニン系化合物を用いることにより、
前述の問題点を解決できるということを見い出し、本発
明を完成するに至った。
【０００７】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
少なくとも光吸収層を設けてなる光記録媒体において、
該光吸収層が下記一般式（Ｉ）、（II）及び（III)のお
のおのから選ばれる３種のフタロシアニン系化合物を主
成分とし、かつ、これら一般式（Ｉ）、（II）及び（II
I)で表される化合物のモル比をそれぞれｘ、ｙ及びｚと
したときに、ｘ＝０．３〜０．７、ｙ＝０．１〜０．
４、ｚ＝０．２〜０．６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の割合で構成
されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
少なくとも光吸収層を設けてなる光記録媒体において、
該光吸収層が下記一般式（Ｉ）、（II）及び（III)のお
のおのから選ばれる３種のフタロシアニン系化合物を主
成分とし、かつ、これら一般式（Ｉ）、（II）及び（II
I)で表される化合物のモル比をそれぞれｘ、ｙ及びｚと
したときに、ｘ＝０．３〜０．７、ｙ＝０．１〜０．
４、ｚ＝０．２〜０．６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の割合で構成
されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【化１】 （式中、ＭはＶＯを表し、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4、Ａ5と
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、Ｒ3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またＲ2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。）
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、Ｒ3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またＲ2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。）
【化２】 （式中、ＭはＺｎを表し、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4、Ａ5と
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、Ｒ3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またＲ2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。）
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、Ｒ3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またＲ2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。）
【化３】 （式中、ＭはＺｎを表し、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4、Ａ5と
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｒ4又は−Ｓ−Ｒ4を表し、他方は水素原子を表す。
但し、Ｒ4はアルキル基を置換された若しくは未置換の
フェニル基を表す。）
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｒ4又は−Ｓ−Ｒ4を表し、他方は水素原子を表す。
但し、Ｒ4はアルキル基を置換された若しくは未置換の
フェニル基を表す。）
【０００８】更に、本発明によれば、第二に、表面に情
報ピット及び／又は案内溝が形成されてなる基板上に、
直接又は他の層を介して前記一般式（Ｉ）、（II）及び
（III)で表わされるフタロシアニン系化合物を主成分と
する光吸収層を塗布成膜手段により設け、その上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設
け、更にその上に保護層を設けることを特徴とする上記
第一に記載した光記録媒体の製造方法が提供される。
報ピット及び／又は案内溝が形成されてなる基板上に、
直接又は他の層を介して前記一般式（Ｉ）、（II）及び
（III)で表わされるフタロシアニン系化合物を主成分と
する光吸収層を塗布成膜手段により設け、その上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設
け、更にその上に保護層を設けることを特徴とする上記
第一に記載した光記録媒体の製造方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、光吸収層が前記一般式（Ｉ）、
（II）及び（III)で表されるフタロシアニン系化合物を
主成分として構成されていることを特徴とする〔以降、
前記一般式（Ｉ）、（II）及び（III)で表されるフタロ
シアニン系化合物をそれぞれ化合物（Ｉ）、化合物（I
I）及び化合物（III)と記す。〕。
本発明の光記録媒体は、光吸収層が前記一般式（Ｉ）、
（II）及び（III)で表されるフタロシアニン系化合物を
主成分として構成されていることを特徴とする〔以降、
前記一般式（Ｉ）、（II）及び（III)で表されるフタロ
シアニン系化合物をそれぞれ化合物（Ｉ）、化合物（I
I）及び化合物（III)と記す。〕。
【００１０】化合物（Ｉ）は、熱分解温度が２００℃〜
３５０℃の範囲にあり、フタロシアニン化合物としては
熱分解温度が低く、熱分解による記録ピットを形成しや
すいために、記録感度・ノイズジッターが良好である
が、熱により記録ピットが広がりやすいことにより前述
の問題、即ち、ピット長が必要な長さ（理論値の長さ）
からずれるという特性がある。更に、膜の光吸収帯波長
が長波長であり、記録／再生に用いるＬＤ波長（７８０
ｎｍ）にて、吸収が大きすぎることにより高反射率を得
にくい。
３５０℃の範囲にあり、フタロシアニン化合物としては
熱分解温度が低く、熱分解による記録ピットを形成しや
すいために、記録感度・ノイズジッターが良好である
が、熱により記録ピットが広がりやすいことにより前述
の問題、即ち、ピット長が必要な長さ（理論値の長さ）
からずれるという特性がある。更に、膜の光吸収帯波長
が長波長であり、記録／再生に用いるＬＤ波長（７８０
ｎｍ）にて、吸収が大きすぎることにより高反射率を得
にくい。
【００１１】化合物（II）は、化合物（Ｉ）と同じ置換
基を有し、化合物（Ｉ）と同様の熱分解特性を持つが、
化合物（Ｉ）とは逆に膜の光吸収帯波長が短波長であ
り、記録／再生ＬＤ波長にて光吸収が小さすぎることに
より高反射率が得られるが、一方、良好な記録感度を得
にくい。化合物（III)は熱分解温度が３５０℃〜４５０
℃の範囲にあり、化合物（Ｉ）、（II）に比べ熱分解温
度が高く、記録感度・ノイズジッターは化合物（Ｉ）に
比べ良くないが、ピット長ずれが小さいという特性があ
る。なお、熱分解温度とは熱重量変化温度であり、化合
物粉体を熱分析した場合の熱天秤でのＴＧ変曲点又は５
％変化した温度を指す（熱天秤の昇温速度は１０℃／ｍ
ｉｎ）。
基を有し、化合物（Ｉ）と同様の熱分解特性を持つが、
化合物（Ｉ）とは逆に膜の光吸収帯波長が短波長であ
り、記録／再生ＬＤ波長にて光吸収が小さすぎることに
より高反射率が得られるが、一方、良好な記録感度を得
にくい。化合物（III)は熱分解温度が３５０℃〜４５０
℃の範囲にあり、化合物（Ｉ）、（II）に比べ熱分解温
度が高く、記録感度・ノイズジッターは化合物（Ｉ）に
比べ良くないが、ピット長ずれが小さいという特性があ
る。なお、熱分解温度とは熱重量変化温度であり、化合
物粉体を熱分析した場合の熱天秤でのＴＧ変曲点又は５
％変化した温度を指す（熱天秤の昇温速度は１０℃／ｍ
ｉｎ）。
【００１２】そこで、本発明は、光吸収層を化合物
（Ｉ）、（II）及び（III)の混合層として構成すること
により、熱特性、光学特性即ち、記録感度、ノイズジッ
ター、ピット長ずれ、反射率の各特性をバランスさせた
ものである。光吸収層中における化合物（Ｉ）、（II）
及び（III)の比率は、それぞれのモル比をｘ、ｙ及びｚ
としたときに、ｘ＝０．３〜０．７、ｙ＝０．１〜０．
４、ｚ＝０．２〜０．６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１とするのが良
く、これよりも比率がずれると、各特性をバランスさせ
ることが困難となる。
（Ｉ）、（II）及び（III)の混合層として構成すること
により、熱特性、光学特性即ち、記録感度、ノイズジッ
ター、ピット長ずれ、反射率の各特性をバランスさせた
ものである。光吸収層中における化合物（Ｉ）、（II）
及び（III)の比率は、それぞれのモル比をｘ、ｙ及びｚ
としたときに、ｘ＝０．３〜０．７、ｙ＝０．１〜０．
４、ｚ＝０．２〜０．６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１とするのが良
く、これよりも比率がずれると、各特性をバランスさせ
ることが困難となる。
【００１３】前記一般式（Ｉ）で表される構造を有する
化合物（Ｉ）は、−Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）で表
されるベンジルオキシ基（フェニルメチルオキシ基）に
より、熱分解温度が２００〜３５０℃の範囲となる熱分
解特性を有する。Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基で
あり、Ｒ1により熱分解温度の調整・光吸収帯波長の調
整が可能である。即ち、アルキル基の炭素数を増加させ
ると熱分解温度が低下する効果があり、フッ素数を増加
させると光吸収帯波長が短波長化する効果がある。一
方、フッ素置換により短波長化しない場合は、光吸収帯
が長波長であるため、ＬＤ波長（７８０ｎｍ）にて、光
吸収が大きく、ＣＤ−Ｒのような高反射率メディア用途
には適さない。
化合物（Ｉ）は、−Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）で表
されるベンジルオキシ基（フェニルメチルオキシ基）に
より、熱分解温度が２００〜３５０℃の範囲となる熱分
解特性を有する。Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基で
あり、Ｒ1により熱分解温度の調整・光吸収帯波長の調
整が可能である。即ち、アルキル基の炭素数を増加させ
ると熱分解温度が低下する効果があり、フッ素数を増加
させると光吸収帯波長が短波長化する効果がある。一
方、フッ素置換により短波長化しない場合は、光吸収帯
が長波長であるため、ＬＤ波長（７８０ｎｍ）にて、光
吸収が大きく、ＣＤ−Ｒのような高反射率メディア用途
には適さない。
【００１４】中心金属はＶＯであり、ＶＯの効果によ
り、良好な耐久性（耐光性、耐熱性）及び長波長化効果
が得られる。Ｒ1の具体例としては、−ＣＦ3、−Ｃ
2Ｆ5、−ＣＦ(ＣＦ3)2、−Ｃ4Ｆ9などを挙げることがで
きるが、炭素数の少ない−ＣＦ3、−Ｃ2Ｆ5が特に好ま
しい。
り、良好な耐久性（耐光性、耐熱性）及び長波長化効果
が得られる。Ｒ1の具体例としては、−ＣＦ3、−Ｃ
2Ｆ5、−ＣＦ(ＣＦ3)2、−Ｃ4Ｆ9などを挙げることがで
きるが、炭素数の少ない−ＣＦ3、−Ｃ2Ｆ5が特に好ま
しい。
【００１５】Ｒ2の具体例としては、次の表１に示され
るものが挙げられる。
るものが挙げられる。
【表１】
【００１６】Ｒ3は、Ｒ1と同様のフッ素置換された若し
くは未置換のアルキル基又は水素原子である。Ｒ3の具
体例としては、フッ素置換アルキル基としてはＲ1と同
じ基を挙げることができる。また、アルキル基として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基などを挙げることができる。
くは未置換のアルキル基又は水素原子である。Ｒ3の具
体例としては、フッ素置換アルキル基としてはＲ1と同
じ基を挙げることができる。また、アルキル基として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基などを挙げることができる。
【００１７】化合物（II）は化合物（Ｉ）に比べ中心金
属Ｍが異なること以外同様な化合物であり、置換基は化
合物（Ｉ）と同じ効果を奏する。中心金属はＺｎであ
り、中心金属の効果により光吸収波長が化合物（Ｉ）に
比べ約３０ｎｍ短波長化する。
属Ｍが異なること以外同様な化合物であり、置換基は化
合物（Ｉ）と同じ効果を奏する。中心金属はＺｎであ
り、中心金属の効果により光吸収波長が化合物（Ｉ）に
比べ約３０ｎｍ短波長化する。
【００１８】前記一般式（III)で表される構造を有する
化合物(III）は、−Ｏ−Ｒ4又は−Ｓ−Ｒ4基の効果によ
り、熱分解温度が３５０℃〜４５０℃の範囲となる熱分
解特性を有する。Ｒ4の具体例としては、次の表２に示
されるものが挙げられる。
化合物(III）は、−Ｏ−Ｒ4又は−Ｓ−Ｒ4基の効果によ
り、熱分解温度が３５０℃〜４５０℃の範囲となる熱分
解特性を有する。Ｒ4の具体例としては、次の表２に示
されるものが挙げられる。
【表２】 フェニル基に付与されるアルキル基の炭素数は１〜４が
好ましい。炭素数がこれより大きくなると光吸収層の単
位膜厚当りの吸光度が低下しやすく、良好な複素屈折率
を得にくくなるためである。置換基としては−Ｓ−Ｒ4
が−Ｏ−Ｒ4より好ましい。−Ｓ−Ｒ4は−Ｏ−Ｒ4に比
べ光吸収帯波長が約１５ｎｍ長波長化するため、記録感
度が良好である。
好ましい。炭素数がこれより大きくなると光吸収層の単
位膜厚当りの吸光度が低下しやすく、良好な複素屈折率
を得にくくなるためである。置換基としては−Ｓ−Ｒ4
が−Ｏ−Ｒ4より好ましい。−Ｓ−Ｒ4は−Ｏ−Ｒ4に比
べ光吸収帯波長が約１５ｎｍ長波長化するため、記録感
度が良好である。
【００１９】前記化合物（Ｉ）、（II）及び（III)から
なる光吸収層は３種の化合物を溶媒に溶解し、塗布液と
して基板上にコートすることにより容易に得られる。ま
た、更にこれらの化合物に加え、アミノ化合物を添加す
ることが好ましい。アミノ化合物は中心金属に配位しや
すく、配位により溶媒への溶解性、塗布成膜性が向上す
るためである。中心金属がＺｎである化合物（II）、
（III)においては、特に効果が大きい。アミノ化合物の
具体例としては、以下のような化合物を挙げることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これらのな
かで、フタロシアニン系化合物の会合を防ぐ効果が高
く、且つ耐久性（耐熱性、耐光性）に優れているという
点から、Ｎ原子を複素環に含む化合物が好ましい。更
に、光吸収層の熱安定性を維持するという点から、該ア
ミノ化合物は、融点が１５０℃以上のものであることが
好ましい。融点が１５０℃未満の場合には、高温高湿環
境下で光吸収層の特性（特に光学特性）が変化しやすい
ためである。中でも特に好ましいのは、イミダゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体及びチアゾール誘導体
である。
なる光吸収層は３種の化合物を溶媒に溶解し、塗布液と
して基板上にコートすることにより容易に得られる。ま
た、更にこれらの化合物に加え、アミノ化合物を添加す
ることが好ましい。アミノ化合物は中心金属に配位しや
すく、配位により溶媒への溶解性、塗布成膜性が向上す
るためである。中心金属がＺｎである化合物（II）、
（III)においては、特に効果が大きい。アミノ化合物の
具体例としては、以下のような化合物を挙げることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これらのな
かで、フタロシアニン系化合物の会合を防ぐ効果が高
く、且つ耐久性（耐熱性、耐光性）に優れているという
点から、Ｎ原子を複素環に含む化合物が好ましい。更
に、光吸収層の熱安定性を維持するという点から、該ア
ミノ化合物は、融点が１５０℃以上のものであることが
好ましい。融点が１５０℃未満の場合には、高温高湿環
境下で光吸収層の特性（特に光学特性）が変化しやすい
ためである。中でも特に好ましいのは、イミダゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体及びチアゾール誘導体
である。
【００２０】ｎ−ブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、
ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ピロール、ピロリジン、ピリ
ジン、ピペリジン、プリン、イミダゾール、ベンズイミ
ダゾール、５，６−ジメチルベンズイミダゾール、２，
５，６−トリメチルベンズイミダゾール、ナフトイミダ
ゾール、２−メチルナフトイミダゾール、キノリン、イ
ソキノリン、キノキサリン、ベンズキノリン、フェナン
スリジン、インドリン、カルバゾール、ノルハルマン、
チアゾール、ベンズチアゾール、ベンズオキサゾール、
ベンズトリアゾール、７−アザインドール、テトラヒド
ロキノリン、トリフェニルイミダゾール、フタルイミ
ド、ベンゾイソキノリン−５，１０−ジオン、トリアジ
ン、ペリミジン、５−クロロトリアゾール、エチレンジ
アミン、アゾベンゼン、トリメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、１（２Ｈ）フタラジノン、フタル
ヒドラジド、１，３−ジイミノイソインドリン、オキサ
ゾール、ポリイミダゾール、ポリベンズイミダゾール、
ポリチアゾール等。
ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ピロール、ピロリジン、ピリ
ジン、ピペリジン、プリン、イミダゾール、ベンズイミ
ダゾール、５，６−ジメチルベンズイミダゾール、２，
５，６−トリメチルベンズイミダゾール、ナフトイミダ
ゾール、２−メチルナフトイミダゾール、キノリン、イ
ソキノリン、キノキサリン、ベンズキノリン、フェナン
スリジン、インドリン、カルバゾール、ノルハルマン、
チアゾール、ベンズチアゾール、ベンズオキサゾール、
ベンズトリアゾール、７−アザインドール、テトラヒド
ロキノリン、トリフェニルイミダゾール、フタルイミ
ド、ベンゾイソキノリン−５，１０−ジオン、トリアジ
ン、ペリミジン、５−クロロトリアゾール、エチレンジ
アミン、アゾベンゼン、トリメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、１（２Ｈ）フタラジノン、フタル
ヒドラジド、１，３−ジイミノイソインドリン、オキサ
ゾール、ポリイミダゾール、ポリベンズイミダゾール、
ポリチアゾール等。
【００２１】前記一般式（Ｉ）、（II）及び（III)で示
されるフタロシアニン化合物は、対応するフタロニトリ
ル混合物の環化反応などにより容易に合成することがで
きる。即ち、下記（IV）、（Ｖ）及び（VI）のフタロニ
トリルを、例えば１，８−ジアザビシクロ〔５，４，
０〕−７−ウンデセンの存在下、金属誘導体とアルコー
ル中加熱反応することにより容易に合成できる。
されるフタロシアニン化合物は、対応するフタロニトリ
ル混合物の環化反応などにより容易に合成することがで
きる。即ち、下記（IV）、（Ｖ）及び（VI）のフタロニ
トリルを、例えば１，８−ジアザビシクロ〔５，４，
０〕−７−ウンデセンの存在下、金属誘導体とアルコー
ル中加熱反応することにより容易に合成できる。
【化４】
【化５】
【化６】
【００２２】光吸収材料としては、前記化合物（Ｉ）、
（II）、（III)に加えて、従来より情報記録媒体の記録
材料として知られている任意の色素を混合して用いるこ
とができる。このような色素としては、例えば、シアニ
ン系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズ
レニウム系色素、スクワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒな
どの金属錯塩系色素、ナフトキノン系・アントラキノン
系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色
素、トリフェニルメタン系色素、トリアリルメタン系色
素、アミニウム系・ジインモニウム系色素及びニトロソ
化合物を挙げることができる。更に、必要に応じて他の
第３成分、例えばバインダー、安定剤等を含有させるこ
とができる。なお、光吸収層の膜厚は、１００〜５００
０Åが好ましく、特に５００〜３０００Åが望ましい。
光吸収層の膜厚が、この範囲より薄くなると記録感度が
低下し、また厚くなると反射率が低下するからである。
（II）、（III)に加えて、従来より情報記録媒体の記録
材料として知られている任意の色素を混合して用いるこ
とができる。このような色素としては、例えば、シアニ
ン系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズ
レニウム系色素、スクワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒな
どの金属錯塩系色素、ナフトキノン系・アントラキノン
系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色
素、トリフェニルメタン系色素、トリアリルメタン系色
素、アミニウム系・ジインモニウム系色素及びニトロソ
化合物を挙げることができる。更に、必要に応じて他の
第３成分、例えばバインダー、安定剤等を含有させるこ
とができる。なお、光吸収層の膜厚は、１００〜５００
０Åが好ましく、特に５００〜３０００Åが望ましい。
光吸収層の膜厚が、この範囲より薄くなると記録感度が
低下し、また厚くなると反射率が低下するからである。
【００２３】本発明において使用する基板は、従来の情
報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から
任意に選択することができる。基板材料の例としては、
ポリメチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹
脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アモルファ
スポリオレフィン、ポリエステル、ソーダ石灰ガラス等
のガラス及びセラミックスを挙げることができる。特に
寸法安定性、透明性及び平面性などの点から、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル及びガ
ラスなどを挙げることができる。
報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から
任意に選択することができる。基板材料の例としては、
ポリメチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹
脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アモルファ
スポリオレフィン、ポリエステル、ソーダ石灰ガラス等
のガラス及びセラミックスを挙げることができる。特に
寸法安定性、透明性及び平面性などの点から、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル及びガ
ラスなどを挙げることができる。
【００２４】光吸収層が設けられる側の基板表面には、
平面性の改善、接着力の向上及び光吸収層の変質の防止
の目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料と
しては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル
酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／無水マレイン酸
共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアク
リルアミド、スチレン／スルホン酸共重合体、スチレン
／ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチ
レン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ
オレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／
塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の
高分子物質：シランカップリング剤などの有機物質：及
び無機酸化物（ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等）、無機フッ化物
（ＭｇＦ2）などの無機物質を挙げることができる。な
お、下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲
にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
平面性の改善、接着力の向上及び光吸収層の変質の防止
の目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料と
しては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル
酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／無水マレイン酸
共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアク
リルアミド、スチレン／スルホン酸共重合体、スチレン
／ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチ
レン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ
オレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／
塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の
高分子物質：シランカップリング剤などの有機物質：及
び無機酸化物（ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等）、無機フッ化物
（ＭｇＦ2）などの無機物質を挙げることができる。な
お、下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲
にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【００２５】また、基板（又は下塗層）上には、トラッ
キング用溝又はアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形
成の目的で、プレグループ層が設けられてもよい。プレ
グループ層の材料としては、アクリル酸のモノエステ
ル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのう
ちの少なくとも一種のモノマー（又はオリゴマー）と光
重合開始剤との混合物を用いることができる。
キング用溝又はアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形
成の目的で、プレグループ層が設けられてもよい。プレ
グループ層の材料としては、アクリル酸のモノエステ
ル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのう
ちの少なくとも一種のモノマー（又はオリゴマー）と光
重合開始剤との混合物を用いることができる。
【００２６】更に、光吸収層の上には、Ｓ／Ｎ比、反射
率の向上及び記録時における感度の向上の目的で、反射
層が設けられてもよい。反射層の材料である光反射性物
質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その
例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｓｉなどの金属及び半金
属を挙げることができる。これらのうちで好ましいもの
はＡｕ、Ａｌ及びＡｇである。これら物質は単独で用い
てもよいし、あるいは二種以上の組合せで又は合金とし
て用いてもよい。なお、反射層の層厚は一般に１００〜
３０００Åの範囲にある。また、反射層は基板と光吸収
層との間に設けられてもよく、この場合には情報の記録
再生は光吸収層側（基板とは反対の側）から行なわれ
る。
率の向上及び記録時における感度の向上の目的で、反射
層が設けられてもよい。反射層の材料である光反射性物
質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その
例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｓｉなどの金属及び半金
属を挙げることができる。これらのうちで好ましいもの
はＡｕ、Ａｌ及びＡｇである。これら物質は単独で用い
てもよいし、あるいは二種以上の組合せで又は合金とし
て用いてもよい。なお、反射層の層厚は一般に１００〜
３０００Åの範囲にある。また、反射層は基板と光吸収
層との間に設けられてもよく、この場合には情報の記録
再生は光吸収層側（基板とは反対の側）から行なわれ
る。
【００２７】また、光吸収層（又は反射層）の上には、
光吸収層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護
層が設けられてもよい。この保護層は、基板の光吸収層
が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的
で設けられてもよい。保護層に用いられる材料の例とし
ては、Ｓｉ、Ｏ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ 2等の無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂を
挙げることができる。なお、保護層の層厚は一般的には
５００Å〜５０μｍの範囲にある。
光吸収層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護
層が設けられてもよい。この保護層は、基板の光吸収層
が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的
で設けられてもよい。保護層に用いられる材料の例とし
ては、Ｓｉ、Ｏ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ 2等の無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂を
挙げることができる。なお、保護層の層厚は一般的には
５００Å〜５０μｍの範囲にある。
【００２８】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて説明する。本発明の光記録媒体の製造方法は、表面
に情報ピット及び／又は案内溝が形成されてなる基板上
に、直接又は他の層を介して前記一般式（Ｉ）、（II）
及び（III)のおのおのから選ばれる３種のフタロシアニ
ン系化合物を主成分とする光吸収層を塗布成膜手段によ
り設け、その上に直接又は他の層を介して光反射層を真
空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設けるこ
とを特徴とする。即ち、本発明の製造方法は、下記の工
程からなる。 （イ）表面に情報ピット及び／又は案内溝が形成されて
いる基板上に、直接又は他の層を介して前記一般式
（Ｉ）、（II）及び（III)のおのおのから選ばれる３種
のフタロシアニン系化合物を主成分とする光吸収層を塗
布成膜手段により設ける工程、（ロ）光吸収層上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設け
る工程、及び（ハ）光吸収層上に保護層を設ける工程。
いて説明する。本発明の光記録媒体の製造方法は、表面
に情報ピット及び／又は案内溝が形成されてなる基板上
に、直接又は他の層を介して前記一般式（Ｉ）、（II）
及び（III)のおのおのから選ばれる３種のフタロシアニ
ン系化合物を主成分とする光吸収層を塗布成膜手段によ
り設け、その上に直接又は他の層を介して光反射層を真
空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設けるこ
とを特徴とする。即ち、本発明の製造方法は、下記の工
程からなる。 （イ）表面に情報ピット及び／又は案内溝が形成されて
いる基板上に、直接又は他の層を介して前記一般式
（Ｉ）、（II）及び（III)のおのおのから選ばれる３種
のフタロシアニン系化合物を主成分とする光吸収層を塗
布成膜手段により設ける工程、（ロ）光吸収層上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設け
る工程、及び（ハ）光吸収層上に保護層を設ける工程。
【００２９】（光吸収層形成工程）本発明の方法におい
ては、先ず表面に情報ピット及び／又は案内溝が形成さ
れている基板上に、直接又は他の層を介して、前記フタ
ロシアニン系化合物（Ｉ）、（II）及び（III)を主成分
とする光吸収層が塗布成膜手段により設けられる。即
ち、前記フタロシアニン系化合物（Ｉ）、（II）及び
（III)を溶媒に溶解し、液状の塗布液として基板上にコ
ートすることにより、光吸収層が形成される。この塗布
液を調整するための溶媒としては、公知の有機溶媒（例
えばアルコール、セルソルブ、ハロゲン化炭素、ケト
ン、エーテル等）を使用することができる。また、コー
ト方法としては、光吸収層の濃度、粘度、溶剤の乾燥温
度を調節することにより層厚を制御できるため、スピン
コート法が望ましい。
ては、先ず表面に情報ピット及び／又は案内溝が形成さ
れている基板上に、直接又は他の層を介して、前記フタ
ロシアニン系化合物（Ｉ）、（II）及び（III)を主成分
とする光吸収層が塗布成膜手段により設けられる。即
ち、前記フタロシアニン系化合物（Ｉ）、（II）及び
（III)を溶媒に溶解し、液状の塗布液として基板上にコ
ートすることにより、光吸収層が形成される。この塗布
液を調整するための溶媒としては、公知の有機溶媒（例
えばアルコール、セルソルブ、ハロゲン化炭素、ケト
ン、エーテル等）を使用することができる。また、コー
ト方法としては、光吸収層の濃度、粘度、溶剤の乾燥温
度を調節することにより層厚を制御できるため、スピン
コート法が望ましい。
【００３０】なお、光吸収層が設けられる側の基体表面
に下塗層を設けることが、基板表面の平面性の改善や接
着力の向上あるいは光吸収層の変質防止等の目的で、行
なわれる。この場合の下塗層は、例えば前述した下塗層
用物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調整し
たのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、
エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面
に塗布することにより形成することができる。
に下塗層を設けることが、基板表面の平面性の改善や接
着力の向上あるいは光吸収層の変質防止等の目的で、行
なわれる。この場合の下塗層は、例えば前述した下塗層
用物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調整し
たのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、
エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面
に塗布することにより形成することができる。
【００３１】（光反射層形成工程）本発明の方法におい
ては、次に光吸収層上に直接又は他の層を介して光反射
層が真空成膜手段により設けられる。即ち、前述した光
反射性物質を、例えば蒸着、スパッタリング又はイオン
プレーティングすることにより、光反射層が光吸収層の
上に形成される。
ては、次に光吸収層上に直接又は他の層を介して光反射
層が真空成膜手段により設けられる。即ち、前述した光
反射性物質を、例えば蒸着、スパッタリング又はイオン
プレーティングすることにより、光反射層が光吸収層の
上に形成される。
【００３２】（保護層形成工程）本発明の方法において
は、光反射層上に保護層が設けられる。即ち、前述した
無機物質や種々の樹脂からなる保護層用材料を、真空成
膜又は塗布成膜することにより形成される。特にＵＶ硬
化性樹脂を用いるのが、好ましく、該樹脂をスピンコー
ト後、紫外線照射により硬化して形成される。
は、光反射層上に保護層が設けられる。即ち、前述した
無機物質や種々の樹脂からなる保護層用材料を、真空成
膜又は塗布成膜することにより形成される。特にＵＶ硬
化性樹脂を用いるのが、好ましく、該樹脂をスピンコー
ト後、紫外線照射により硬化して形成される。
【００３３】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
【００３４】実施例１ 直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート円
板の表面上に、深さ約１５００Åの案内溝凹凸パターン
を有する基板を用意し、後記表３中（１）で表わされる
フタロシアニン化合物（Ｉ）、（II）及び（III)とアミ
ノ化合物として５，６−ジメチルベンズ・イミダゾール
からなる光吸収層を、テトラヒドロフラン、１−メトキ
シブタノール、エチルシクロヘキサンからなる混合溶媒
を塗布液としてスピンコートすることにより設けた。光
吸収層の膜厚は約１，５００Åであった。なお、化合物
（Ｉ）、（II）及び（III）の混合比は、ｍｏｌｅ比
［（Ｉ）／（II）／（III)］で０．５／０．２／０．３
とし、５，６−ジメチルベンズイミダゾールの混合比は
ｍｏｌｅ比［アミノ化合物／化合物（II）＋（III)］で
１．０とした。なお、化合物（Ｉ）、（II）及び（III)
の熱分解温度は、熱分析装置（ＴＧ８１１０，ＴＡＳ１
００ 理学電機社製）により測定したところ、それぞれ
図１、図２及び図３に示すようであり、化合物（Ｉ）≒
２９０℃、化合物（II）≒２５２℃、化合物（III)≒３
９０℃であった。また、これらの化合物のλｍａｘを、
分光光度計（ＵＶ−３１００ 島津社製）により測定し
たところ、それぞれ図７、図８及び図９に示すようであ
り、化合物（Ｉ）≒７２０ｎｍ（ＣＨＣｌ3中）／７３
２ｎｍ（膜）、化合物（II）≒６９５ｎｍ（ＣＨＣｌ3
中）／７０４ｎｍ（膜）、化合物（III)≒７２１ｎｍ
（ＣＨＣｌ3中）／７３２ｎｍ（膜）であった。光吸収
層の上にＡｕスパッタ法によりＡｕを約８００Åの厚さ
に設け反射層とし、更にその上に紫外線硬化樹脂からな
る保護層を約５μｍの厚さに設けて、本発明の光記録媒
体を得た。
板の表面上に、深さ約１５００Åの案内溝凹凸パターン
を有する基板を用意し、後記表３中（１）で表わされる
フタロシアニン化合物（Ｉ）、（II）及び（III)とアミ
ノ化合物として５，６−ジメチルベンズ・イミダゾール
からなる光吸収層を、テトラヒドロフラン、１−メトキ
シブタノール、エチルシクロヘキサンからなる混合溶媒
を塗布液としてスピンコートすることにより設けた。光
吸収層の膜厚は約１，５００Åであった。なお、化合物
（Ｉ）、（II）及び（III）の混合比は、ｍｏｌｅ比
［（Ｉ）／（II）／（III)］で０．５／０．２／０．３
とし、５，６−ジメチルベンズイミダゾールの混合比は
ｍｏｌｅ比［アミノ化合物／化合物（II）＋（III)］で
１．０とした。なお、化合物（Ｉ）、（II）及び（III)
の熱分解温度は、熱分析装置（ＴＧ８１１０，ＴＡＳ１
００ 理学電機社製）により測定したところ、それぞれ
図１、図２及び図３に示すようであり、化合物（Ｉ）≒
２９０℃、化合物（II）≒２５２℃、化合物（III)≒３
９０℃であった。また、これらの化合物のλｍａｘを、
分光光度計（ＵＶ−３１００ 島津社製）により測定し
たところ、それぞれ図７、図８及び図９に示すようであ
り、化合物（Ｉ）≒７２０ｎｍ（ＣＨＣｌ3中）／７３
２ｎｍ（膜）、化合物（II）≒６９５ｎｍ（ＣＨＣｌ3
中）／７０４ｎｍ（膜）、化合物（III)≒７２１ｎｍ
（ＣＨＣｌ3中）／７３２ｎｍ（膜）であった。光吸収
層の上にＡｕスパッタ法によりＡｕを約８００Åの厚さ
に設け反射層とし、更にその上に紫外線硬化樹脂からな
る保護層を約５μｍの厚さに設けて、本発明の光記録媒
体を得た。
【００３５】得られた光記録媒体に波長７８５ｎｍ、
Ｎ．Ａ．０．５、線速１．２ｍ／ｓの条件でＥＦＭ信号
を記録再生したところ、反射率（Ｉｔｏｐ）は７３％、
Ｃｌエラーは２２０以下であった。また、記録パワーは
β＝４であった。更に、再生信号のピット長をインター
バルアナライザーを用いて測定したところ、標準ＣＤ
（Ｔｅｓｔ５Ｂ）からのピット長のずれは４０ｎｓ以下
であり、追記型ＣＤ規格（オレンジブック）を満足する
値であった。それらの結果を表４に示す。
Ｎ．Ａ．０．５、線速１．２ｍ／ｓの条件でＥＦＭ信号
を記録再生したところ、反射率（Ｉｔｏｐ）は７３％、
Ｃｌエラーは２２０以下であった。また、記録パワーは
β＝４であった。更に、再生信号のピット長をインター
バルアナライザーを用いて測定したところ、標準ＣＤ
（Ｔｅｓｔ５Ｂ）からのピット長のずれは４０ｎｓ以下
であり、追記型ＣＤ規格（オレンジブック）を満足する
値であった。それらの結果を表４に示す。
【００３６】実施例２〜７ 後記表３中（２）〜（７）の条件で本発明の光記録媒体
を作製し、実施例１と同様に評価した。結果は表４に示
される通りであり、Ｉｔｏｐ、Ｃｌエラー、ピット長ず
れは追記型ＣＤ規格を満足するものであった。また、実
施例３の化合物（Ｉ）、（II）の熱分析データをそれぞ
れ図４、図５に、またそれらの光吸収スペクトルデータ
をそれぞれ図１０、図１１に示す。更に、実施例２の化
合物（III)の熱分析データを図６に、またその光吸収ス
ペクトルデータを図１２に示す。
を作製し、実施例１と同様に評価した。結果は表４に示
される通りであり、Ｉｔｏｐ、Ｃｌエラー、ピット長ず
れは追記型ＣＤ規格を満足するものであった。また、実
施例３の化合物（Ｉ）、（II）の熱分析データをそれぞ
れ図４、図５に、またそれらの光吸収スペクトルデータ
をそれぞれ図１０、図１１に示す。更に、実施例２の化
合物（III)の熱分析データを図６に、またその光吸収ス
ペクトルデータを図１２に示す。
【００３７】比較例１〜５ 表５中、（１）〜（５）の条件で比較用の光記録媒体を
作製し、実施例１と同様に評価した。結果は表６に示さ
れる通りであり、再生信号特性は追記型ＣＤ規格を満足
することができなかった。特にピット長ずれについて
は、比較例３〜５のサンプルについて１１Ｔピットで−
６０ｎｓ以下であり、規格外であった。
作製し、実施例１と同様に評価した。結果は表６に示さ
れる通りであり、再生信号特性は追記型ＣＤ規格を満足
することができなかった。特にピット長ずれについて
は、比較例３〜５のサンプルについて１１Ｔピットで−
６０ｎｓ以下であり、規格外であった。
【００３８】
【表３】
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【００４１】
【表６】
【００４２】
【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、光吸収層が前
記一般式（Ｉ）、（II）及び（III)のおのおのから選ば
れる３種のフタロシアニン系化合物を主成分として構成
されていることから、それらの化合物の熱分解特性及び
光学特性により記録特性及び信号特性に優れている。ま
た、この光記録媒体は、前記一般式（Ｉ）、（II）及び
（III)で表される化合物のモル比を特定範囲に規定した
ことから、記録特性及び信号特性がよりバランスのとれ
た良好なものとなる。
記一般式（Ｉ）、（II）及び（III)のおのおのから選ば
れる３種のフタロシアニン系化合物を主成分として構成
されていることから、それらの化合物の熱分解特性及び
光学特性により記録特性及び信号特性に優れている。ま
た、この光記録媒体は、前記一般式（Ｉ）、（II）及び
（III)で表される化合物のモル比を特定範囲に規定した
ことから、記録特性及び信号特性がよりバランスのとれ
た良好なものとなる。
【００４３】
【００４４】請求項２の光記録媒体の製造方法は、光吸
収層を塗布成膜手段により形成させ、且つ光反射層を真
空成膜手段により形成させるものとしたことから、本発
明の光記録媒体を容易に安定して製造することができ
る。
収層を塗布成膜手段により形成させ、且つ光反射層を真
空成膜手段により形成させるものとしたことから、本発
明の光記録媒体を容易に安定して製造することができ
る。
【図１】実施例１で得られた化合物（Ｉ）の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図２】実施例１で得られた化合物（II）の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図３】実施例１で得られた化合物（III）の熱分析曲
線を示す図である。
線を示す図である。
【図４】実施例３で得られた化合物（Ｉ）の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図５】実施例３で得られた化合物（II）の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図６】実施例２で得られた化合物（III）の熱分析曲
線を示す図である。
線を示す図である。
【図７】実施例１で得られた化合物（Ｉ）の光吸収スペ
クトル図である。
クトル図である。
【図８】実施例１で得られた化合物（II）の光吸収スペ
クトル図である。
クトル図である。
【図９】実施例１で得られた化合物（III）の光吸収ス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図１０】実施例３で得られた化合物（Ｉ）の光吸収ス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図１１】実施例３で得られた化合物（II）の光吸収ス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図１２】実施例２で得られた化合物（III）の光吸収
スペクトル図である。
スペクトル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−173687（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−125441（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−123603（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−123604（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−14087（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−59525（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−115533（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−286108（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−266703（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−290665（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−32737（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−330636（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−2108（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−300814（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−208838（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−226388（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−226390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−277685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−39286（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも光吸収層を設けてな
る光記録媒体において、該光吸収層が下記一般式
（Ｉ）、（II）及び（III)のおのおのから選ばれる３種
のフタロシアニン系化合物を主成分とし、かつ、これら
一般式（Ｉ）、（II）及び（III)で表される化合物のモ
ル比をそれぞれｘ、ｙ及びｚとしたときに、ｘ＝０．３
〜０．７、ｙ＝０．１〜０．４、ｚ＝０．２〜０．６、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の割合で構成されていることを特徴とす
る光記録媒体。 【化１】 （式中、ＭはＶＯを表し、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4、Ａ5と
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、Ｒ3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またＲ2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。） 【化２】 （式中、ＭはＺｎを表し、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4、Ａ5と
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、Ｒ1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、Ｒ3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またＲ2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。） 【化３】 （式中、ＭはＺｎを表し、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4、Ａ5と
Ａ6及びＡ7とＡ8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
Ｏ−Ｒ4又は−Ｓ−Ｒ4を表し、他方は水素原子を表す。
但し、Ｒ4はアルキル基を置換された若しくは未置換の
フェニル基を表す。） - 【請求項２】 表面に情報ピット及び／又は案内溝が形
成されてなる基板上に、直接又は他の層を介して前記一
般式（Ｉ）、（II）及び（III)で表わされるフタロシア
ニン系化合物を主成分とする光吸収層を塗布成膜手段に
より設け、その上に直接又は他の層を介して光反射層を
真空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設ける
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方
法。
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