JPH1148613A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH1148613A JPH1148613A JP9220091A JP22009197A JPH1148613A JP H1148613 A JPH1148613 A JP H1148613A JP 9220091 A JP9220091 A JP 9220091A JP 22009197 A JP22009197 A JP 22009197A JP H1148613 A JPH1148613 A JP H1148613A
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- Japan
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- absorbing layer
- iii
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Y10S430/146—Laser beam
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な記録特性と信号特性を有する光記録媒
体並びにその製造方法を提供する。 【解決手段】 光吸収層が下記一般式(I)その他の3
種からなる金属フタロシアニン化合物混合物を主成分と
してなる光記録媒体、並びに基体上に光吸収層を塗布成
膜手段により形成させ、且つその上に光反射層を真空成
膜手段により形成させるその製造方法。 【化1】
体並びにその製造方法を提供する。 【解決手段】 光吸収層が下記一般式(I)その他の3
種からなる金属フタロシアニン化合物混合物を主成分と
してなる光記録媒体、並びに基体上に光吸収層を塗布成
膜手段により形成させ、且つその上に光反射層を真空成
膜手段により形成させるその製造方法。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は改良された光学特性
を有する光記録媒体及びその製造方法に関する。
を有する光記録媒体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、追記型CD(コンパクトディス
ク)の開発が活発化してきている。これは、従来のCD
と異なりユーザが情報を記録することが可能で且つ記録
後の信号は従来のCDの規格を満足するため、市販CD
プレーヤで再生可能であるという特徴をもつ。このよう
なメディアを実現する方法の1つとして、特開平2−4
2652号公報において、基板上に色素をスピンコーテ
ィングして光吸収層を設け、その背後に金属反射層を設
けることが提案されている。更に、後の特開平2−13
2656号公報に述べられているように、光吸収層の複
素屈折率、膜厚を適当に選ぶことにより、記録後の信号
がCD規格を満足するようになり、追記型CDとし商品
化されている。
ク)の開発が活発化してきている。これは、従来のCD
と異なりユーザが情報を記録することが可能で且つ記録
後の信号は従来のCDの規格を満足するため、市販CD
プレーヤで再生可能であるという特徴をもつ。このよう
なメディアを実現する方法の1つとして、特開平2−4
2652号公報において、基板上に色素をスピンコーテ
ィングして光吸収層を設け、その背後に金属反射層を設
けることが提案されている。更に、後の特開平2−13
2656号公報に述べられているように、光吸収層の複
素屈折率、膜厚を適当に選ぶことにより、記録後の信号
がCD規格を満足するようになり、追記型CDとし商品
化されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平2−
42652号公報及び特開平2−132656号公報で
示されている色素を用いた追記型CDは、耐光性の点で
は未だ十分なものではなかった。即ち、太陽光に長時間
さらされて放置された場合等に信号特性が変化し、CD
規格を満足することができないという欠点があった。こ
れは光吸収層に用いられる色素材料、特に従来用いられ
ていたシアニン系色素が光により変化することに起因し
ている。そこでこの変化を抑制するために、特開昭63
−159090号公報に示されているように、光吸収層
に光安定化剤を含有することが知られている。しかし、
光安定化剤を少量(20%以下)添加した場合には、十
分な耐光性を得ることができず、逆に多量(20%以
上)に添加すると、光吸収層の光学的及び/又は熱的な
特性が変化し、各種の信号品質が低下するという問題点
があった。
42652号公報及び特開平2−132656号公報で
示されている色素を用いた追記型CDは、耐光性の点で
は未だ十分なものではなかった。即ち、太陽光に長時間
さらされて放置された場合等に信号特性が変化し、CD
規格を満足することができないという欠点があった。こ
れは光吸収層に用いられる色素材料、特に従来用いられ
ていたシアニン系色素が光により変化することに起因し
ている。そこでこの変化を抑制するために、特開昭63
−159090号公報に示されているように、光吸収層
に光安定化剤を含有することが知られている。しかし、
光安定化剤を少量(20%以下)添加した場合には、十
分な耐光性を得ることができず、逆に多量(20%以
上)に添加すると、光吸収層の光学的及び/又は熱的な
特性が変化し、各種の信号品質が低下するという問題点
があった。
【0004】一方、特開平3−62878号公報におい
ては、高耐光性色素であるフタロシアニン化合物を用い
た追記型CDが開示されている。これは、フタロシアニ
ン化合物に特定の基を付加することにより、フタロシア
ニン化合物をスピンコートした光吸収層の複素屈折率を
追記型CDに必要な値に調節し、高耐光性追記型CDを
実現したものである。しかし、特開平3−62878号
公報に開示されている追記型CDは、従来のシアニン系
色素を光吸収層に用いたものに比べ、再生信号の品質が
劣っていた。即ち、再生信号を構成する個々の信号の長
さ(ピット長)が本来のCD信号の理論値からずれやす
く、再生エラーが発生する場合があるという問題点があ
った。
ては、高耐光性色素であるフタロシアニン化合物を用い
た追記型CDが開示されている。これは、フタロシアニ
ン化合物に特定の基を付加することにより、フタロシア
ニン化合物をスピンコートした光吸収層の複素屈折率を
追記型CDに必要な値に調節し、高耐光性追記型CDを
実現したものである。しかし、特開平3−62878号
公報に開示されている追記型CDは、従来のシアニン系
色素を光吸収層に用いたものに比べ、再生信号の品質が
劣っていた。即ち、再生信号を構成する個々の信号の長
さ(ピット長)が本来のCD信号の理論値からずれやす
く、再生エラーが発生する場合があるという問題点があ
った。
【0005】従って、本発明の目的は、前記した再生信
号に関する問題点のないフタロシアニン化合物を光吸収
層に用いた高耐光性光記録媒体、及びその製造方法を提
供することにある。
号に関する問題点のないフタロシアニン化合物を光吸収
層に用いた高耐光性光記録媒体、及びその製造方法を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究を
重ねた結果、前記従来技術の光記録媒体において、後記
一般式(I)、(II)及び(III)のおのおのから選ばれ
る3種のフタロシアニン系化合物を用いることにより、
前述の問題点を解決できるということを見い出し、本発
明を完成するに至った。
重ねた結果、前記従来技術の光記録媒体において、後記
一般式(I)、(II)及び(III)のおのおのから選ばれ
る3種のフタロシアニン系化合物を用いることにより、
前述の問題点を解決できるということを見い出し、本発
明を完成するに至った。
【0007】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
少なくとも光吸収層を設けてなる光記録媒体において、
該光吸収層が下記一般式(I)、(II)及び(III)のお
のおのから選ばれる3種のフタロシアニン系化合物を主
成分として構成されていることを特徴とする光記録媒体
が提供される。
少なくとも光吸収層を設けてなる光記録媒体において、
該光吸収層が下記一般式(I)、(II)及び(III)のお
のおのから選ばれる3種のフタロシアニン系化合物を主
成分として構成されていることを特徴とする光記録媒体
が提供される。
【化1】 (式中、MはVOを表し、A1とA2、A3とA4、A5と
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−C(R1)(R2)(R3)基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、R1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、R3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またR2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。)
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−C(R1)(R2)(R3)基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、R1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、R3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またR2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。)
【化2】 (式中、MはZnを表し、A1とA2、A3とA4、A5と
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−C(R1)(R2)(R3)基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、R1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、R3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またR2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。)
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−C(R1)(R2)(R3)基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、R1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、R3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またR2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。)
【化3】 (式中、MはZnを表し、A1とA2、A3とA4、A5と
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−R4又は−S−R4を表し、他方は水素原子を表す。
但し、R4はアルキル基を置換された若しくは未置換の
フェニル基を表す。) 第二に、光吸収層中における前記一般式(I)、(II)
及び(III)で表される化合物のモル比をそれぞれx、y
及びzとしたときに、x=0.3〜0.7、y=0.1
〜0.4、z=0.2〜0.6、x+y+z=1で表さ
れることを特徴とする上記第一に記載した光記録媒体が
提供される。
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−R4又は−S−R4を表し、他方は水素原子を表す。
但し、R4はアルキル基を置換された若しくは未置換の
フェニル基を表す。) 第二に、光吸収層中における前記一般式(I)、(II)
及び(III)で表される化合物のモル比をそれぞれx、y
及びzとしたときに、x=0.3〜0.7、y=0.1
〜0.4、z=0.2〜0.6、x+y+z=1で表さ
れることを特徴とする上記第一に記載した光記録媒体が
提供される。
【0008】更に、本発明によれば、第三に、表面に情
報ピット及び/又は案内溝が形成されてなる基板上に、
直接又は他の層を介して前記一般式(I)、(II)及び
(III)で表わされるフタロシアニン系化合物を主成分と
する光吸収層を塗布成膜手段により設け、その上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設
け、更にその上に保護層を設けることを特徴とする上記
第一又は第二に記載した光記録媒体の製造方法が提供さ
れる。
報ピット及び/又は案内溝が形成されてなる基板上に、
直接又は他の層を介して前記一般式(I)、(II)及び
(III)で表わされるフタロシアニン系化合物を主成分と
する光吸収層を塗布成膜手段により設け、その上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設
け、更にその上に保護層を設けることを特徴とする上記
第一又は第二に記載した光記録媒体の製造方法が提供さ
れる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、光吸収層が前記一般式(I)、
(II)及び(III)で表されるフタロシアニン系化合物を
主成分として構成されていることを特徴とする〔以降、
前記一般式(I)、(II)及び(III)で表されるフタロ
シアニン系化合物をそれぞれ化合物(I)、化合物(I
I)及び化合物(III)と記す。〕。
本発明の光記録媒体は、光吸収層が前記一般式(I)、
(II)及び(III)で表されるフタロシアニン系化合物を
主成分として構成されていることを特徴とする〔以降、
前記一般式(I)、(II)及び(III)で表されるフタロ
シアニン系化合物をそれぞれ化合物(I)、化合物(I
I)及び化合物(III)と記す。〕。
【0010】化合物(I)は、熱分解温度が200℃〜
350℃の範囲にあり、フタロシアニン化合物としては
熱分解温度が低く、熱分解による記録ピットを形成しや
すいために、記録感度・ノイズジッターが良好である
が、熱により記録ピットが広がりやすいことにより前述
の問題、即ち、ピット長が必要な長さ(理論値の長さ)
からずれるという特性がある。更に、膜の光吸収帯波長
が長波長であり、記録/再生に用いるLD波長(780
nm)にて、吸収が大きすぎることにより高反射率を得
にくい。
350℃の範囲にあり、フタロシアニン化合物としては
熱分解温度が低く、熱分解による記録ピットを形成しや
すいために、記録感度・ノイズジッターが良好である
が、熱により記録ピットが広がりやすいことにより前述
の問題、即ち、ピット長が必要な長さ(理論値の長さ)
からずれるという特性がある。更に、膜の光吸収帯波長
が長波長であり、記録/再生に用いるLD波長(780
nm)にて、吸収が大きすぎることにより高反射率を得
にくい。
【0011】化合物(II)は、化合物(I)と同じ置換
基を有し、化合物(I)と同様の熱分解特性を持つが、
化合物(I)とは逆に膜の光吸収帯波長が短波長であ
り、記録/再生LD波長にて光吸収が小さすぎることに
より高反射率が得られるが、一方、良好な記録感度を得
にくい。化合物(III)は熱分解温度が350℃〜450
℃の範囲にあり、化合物(I)、(II)に比べ熱分解温
度が高く、記録感度・ノイズジッターは化合物(I)に
比べ良くないが、ピット長ずれが小さいという特性があ
る。なお、熱分解温度とは熱重量変化温度であり、化合
物粉体を熱分析した場合の熱天秤でのTG変曲点又は5
%変化した温度を指す(熱天秤の昇温速度は10℃/m
in)。
基を有し、化合物(I)と同様の熱分解特性を持つが、
化合物(I)とは逆に膜の光吸収帯波長が短波長であ
り、記録/再生LD波長にて光吸収が小さすぎることに
より高反射率が得られるが、一方、良好な記録感度を得
にくい。化合物(III)は熱分解温度が350℃〜450
℃の範囲にあり、化合物(I)、(II)に比べ熱分解温
度が高く、記録感度・ノイズジッターは化合物(I)に
比べ良くないが、ピット長ずれが小さいという特性があ
る。なお、熱分解温度とは熱重量変化温度であり、化合
物粉体を熱分析した場合の熱天秤でのTG変曲点又は5
%変化した温度を指す(熱天秤の昇温速度は10℃/m
in)。
【0012】そこで、本発明は、光吸収層を化合物
(I)、(II)及び(III)の混合層として構成すること
により、熱特性、光学特性即ち、記録感度、ノイズジッ
ター、ピット長ずれ、反射率の各特性をバランスさせた
ものである。光吸収層中における化合物(I)、(II)
及び(III)の比率は、それぞれのモル比をx、y及びz
としたときに、x=0.3〜0.7、y=0.1〜0.
4、z=0.2〜0.6、x+y+z=1とするのが良
く、これよりも比率がずれると、各特性をバランスさせ
ることが困難となる。
(I)、(II)及び(III)の混合層として構成すること
により、熱特性、光学特性即ち、記録感度、ノイズジッ
ター、ピット長ずれ、反射率の各特性をバランスさせた
ものである。光吸収層中における化合物(I)、(II)
及び(III)の比率は、それぞれのモル比をx、y及びz
としたときに、x=0.3〜0.7、y=0.1〜0.
4、z=0.2〜0.6、x+y+z=1とするのが良
く、これよりも比率がずれると、各特性をバランスさせ
ることが困難となる。
【0013】前記一般式(I)で表される構造を有する
化合物(I)は、−O−C(R1)(R2)(R3)で表
されるベンジルオキシ基(フェニルメチルオキシ基)に
より、熱分解温度が200〜350℃の範囲となる熱分
解特性を有する。R1はフッ素置換されたアルキル基で
あり、R1により熱分解温度の調整・光吸収帯波長の調
整が可能である。即ち、アルキル基の炭素数を増加させ
ると熱分解温度が低下する効果があり、フッ素数を増加
させると光吸収帯波長が短波長化する効果がある。一
方、フッ素置換により短波長化しない場合は、光吸収帯
が長波長であるため、LD波長(780nm)にて、光
吸収が大きく、CD−Rのような高反射率メディア用途
には適さない。
化合物(I)は、−O−C(R1)(R2)(R3)で表
されるベンジルオキシ基(フェニルメチルオキシ基)に
より、熱分解温度が200〜350℃の範囲となる熱分
解特性を有する。R1はフッ素置換されたアルキル基で
あり、R1により熱分解温度の調整・光吸収帯波長の調
整が可能である。即ち、アルキル基の炭素数を増加させ
ると熱分解温度が低下する効果があり、フッ素数を増加
させると光吸収帯波長が短波長化する効果がある。一
方、フッ素置換により短波長化しない場合は、光吸収帯
が長波長であるため、LD波長(780nm)にて、光
吸収が大きく、CD−Rのような高反射率メディア用途
には適さない。
【0014】中心金属はVOであり、VOの効果によ
り、良好な耐久性(耐光性、耐熱性)及び長波長化効果
が得られる。R1の具体例としては、−CF3、−C
2F5、−CF(CF3)2、−C4F9などを挙げることがで
きるが、炭素数の少ない−CF3、−C2F5が特に好ま
しい。
り、良好な耐久性(耐光性、耐熱性)及び長波長化効果
が得られる。R1の具体例としては、−CF3、−C
2F5、−CF(CF3)2、−C4F9などを挙げることがで
きるが、炭素数の少ない−CF3、−C2F5が特に好ま
しい。
【0015】R2の具体例としては、次の表1に示され
るものが挙げられる。
るものが挙げられる。
【表1】
【0016】R3は、R1と同様のフッ素置換された若し
くは未置換のアルキル基又は水素原子である。R3の具
体例としては、フッ素置換アルキル基としてはR1と同
じ基を挙げることができる。また、アルキル基として
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブ
チル基などを挙げることができる。
くは未置換のアルキル基又は水素原子である。R3の具
体例としては、フッ素置換アルキル基としてはR1と同
じ基を挙げることができる。また、アルキル基として
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブ
チル基などを挙げることができる。
【0017】化合物(II)は化合物(I)に比べ中心金
属Mが異なること以外同様な化合物であり、置換基は化
合物(I)と同じ効果を奏する。中心金属はZnであ
り、中心金属の効果により光吸収波長が化合物(I)に
比べ約30nm短波長化する。
属Mが異なること以外同様な化合物であり、置換基は化
合物(I)と同じ効果を奏する。中心金属はZnであ
り、中心金属の効果により光吸収波長が化合物(I)に
比べ約30nm短波長化する。
【0018】前記一般式(III)で表される構造を有する
化合物(III)は、−O−R4又は−S−R4基の効果によ
り、熱分解温度が350℃〜450℃の範囲となる熱分
解特性を有する。R4の具体例としては、次の表2に示
されるものが挙げられる。
化合物(III)は、−O−R4又は−S−R4基の効果によ
り、熱分解温度が350℃〜450℃の範囲となる熱分
解特性を有する。R4の具体例としては、次の表2に示
されるものが挙げられる。
【表2】 フェニル基に付与されるアルキル基の炭素数は1〜4が
好ましい。炭素数がこれより大きくなると光吸収層の単
位膜厚当りの吸光度が低下しやすく、良好な複素屈折率
を得にくくなるためである。置換基としては−S−R4
が−O−R4より好ましい。−S−R4は−O−R4に比
べ光吸収帯波長が約15nm長波長化するため、記録感
度が良好である。
好ましい。炭素数がこれより大きくなると光吸収層の単
位膜厚当りの吸光度が低下しやすく、良好な複素屈折率
を得にくくなるためである。置換基としては−S−R4
が−O−R4より好ましい。−S−R4は−O−R4に比
べ光吸収帯波長が約15nm長波長化するため、記録感
度が良好である。
【0019】前記化合物(I)、(II)及び(III)から
なる光吸収層は3種の化合物を溶媒に溶解し、塗布液と
して基板上にコートすることにより容易に得られる。ま
た、更にこれらの化合物に加え、アミノ化合物を添加す
ることが好ましい。アミノ化合物は中心金属に配位しや
すく、配位により溶媒への溶解性、塗布成膜性が向上す
るためである。中心金属がZnである化合物(II)、
(III)においては、特に効果が大きい。アミノ化合物の
具体例としては、以下のような化合物を挙げることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これらのな
かで、フタロシアニン系化合物の会合を防ぐ効果が高
く、且つ耐久性(耐熱性、耐光性)に優れているという
点から、N原子を複素環に含む化合物が好ましい。更
に、光吸収層の熱安定性を維持するという点から、該ア
ミノ化合物は、融点が150℃以上のものであることが
好ましい。融点が150℃未満の場合には、高温高湿環
境下で光吸収層の特性(特に光学特性)が変化しやすい
ためである。中でも特に好ましいのは、イミダゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体及びチアゾール誘導体
である。
なる光吸収層は3種の化合物を溶媒に溶解し、塗布液と
して基板上にコートすることにより容易に得られる。ま
た、更にこれらの化合物に加え、アミノ化合物を添加す
ることが好ましい。アミノ化合物は中心金属に配位しや
すく、配位により溶媒への溶解性、塗布成膜性が向上す
るためである。中心金属がZnである化合物(II)、
(III)においては、特に効果が大きい。アミノ化合物の
具体例としては、以下のような化合物を挙げることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これらのな
かで、フタロシアニン系化合物の会合を防ぐ効果が高
く、且つ耐久性(耐熱性、耐光性)に優れているという
点から、N原子を複素環に含む化合物が好ましい。更
に、光吸収層の熱安定性を維持するという点から、該ア
ミノ化合物は、融点が150℃以上のものであることが
好ましい。融点が150℃未満の場合には、高温高湿環
境下で光吸収層の特性(特に光学特性)が変化しやすい
ためである。中でも特に好ましいのは、イミダゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体及びチアゾール誘導体
である。
【0020】n−ブチルアミン、n−ヘキシルアミン、
tert−ブチルアミン、ピロール、ピロリジン、ピリ
ジン、ピペリジン、プリン、イミダゾール、ベンズイミ
ダゾール、5,6−ジメチルベンズイミダゾール、2,
5,6−トリメチルベンズイミダゾール、ナフトイミダ
ゾール、2−メチルナフトイミダゾール、キノリン、イ
ソキノリン、キノキサリン、ベンズキノリン、フェナン
スリジン、インドリン、カルバゾール、ノルハルマン、
チアゾール、ベンズチアゾール、ベンズオキサゾール、
ベンズトリアゾール、7−アザインドール、テトラヒド
ロキノリン、トリフェニルイミダゾール、フタルイミ
ド、ベンゾイソキノリン−5,10−ジオン、トリアジ
ン、ペリミジン、5−クロロトリアゾール、エチレンジ
アミン、アゾベンゼン、トリメチルアミン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、1(2H)フタラジノン、フタル
ヒドラジド、1,3−ジイミノイソインドリン、オキサ
ゾール、ポリイミダゾール、ポリベンズイミダゾール、
ポリチアゾール等。
tert−ブチルアミン、ピロール、ピロリジン、ピリ
ジン、ピペリジン、プリン、イミダゾール、ベンズイミ
ダゾール、5,6−ジメチルベンズイミダゾール、2,
5,6−トリメチルベンズイミダゾール、ナフトイミダ
ゾール、2−メチルナフトイミダゾール、キノリン、イ
ソキノリン、キノキサリン、ベンズキノリン、フェナン
スリジン、インドリン、カルバゾール、ノルハルマン、
チアゾール、ベンズチアゾール、ベンズオキサゾール、
ベンズトリアゾール、7−アザインドール、テトラヒド
ロキノリン、トリフェニルイミダゾール、フタルイミ
ド、ベンゾイソキノリン−5,10−ジオン、トリアジ
ン、ペリミジン、5−クロロトリアゾール、エチレンジ
アミン、アゾベンゼン、トリメチルアミン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、1(2H)フタラジノン、フタル
ヒドラジド、1,3−ジイミノイソインドリン、オキサ
ゾール、ポリイミダゾール、ポリベンズイミダゾール、
ポリチアゾール等。
【0021】前記一般式(I)、(II)及び(III)で示
されるフタロシアニン化合物は、対応するフタロニトリ
ル混合物の環化反応などにより容易に合成することがで
きる。即ち、下記(IV)、(V)及び(VI)のフタロニ
トリルを、例えば1,8−ジアザビシクロ〔5,4,
0〕−7−ウンデセンの存在下、金属誘導体とアルコー
ル中加熱反応することにより容易に合成できる。
されるフタロシアニン化合物は、対応するフタロニトリ
ル混合物の環化反応などにより容易に合成することがで
きる。即ち、下記(IV)、(V)及び(VI)のフタロニ
トリルを、例えば1,8−ジアザビシクロ〔5,4,
0〕−7−ウンデセンの存在下、金属誘導体とアルコー
ル中加熱反応することにより容易に合成できる。
【化4】
【化5】
【化6】
【0022】光吸収材料としては、前記化合物(I)、
(II)、(III)に加えて、従来より情報記録媒体の記録
材料として知られている任意の色素を混合して用いるこ
とができる。このような色素としては、例えば、シアニ
ン系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズ
レニウム系色素、スクワリリウム系色素、Ni、Crな
どの金属錯塩系色素、ナフトキノン系・アントラキノン
系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色
素、トリフェニルメタン系色素、トリアリルメタン系色
素、アミニウム系・ジインモニウム系色素及びニトロソ
化合物を挙げることができる。更に、必要に応じて他の
第3成分、例えばバインダー、安定剤等を含有させるこ
とができる。なお、光吸収層の膜厚は、100〜500
0Åが好ましく、特に500〜3000Åが望ましい。
光吸収層の膜厚が、この範囲より薄くなると記録感度が
低下し、また厚くなると反射率が低下するからである。
(II)、(III)に加えて、従来より情報記録媒体の記録
材料として知られている任意の色素を混合して用いるこ
とができる。このような色素としては、例えば、シアニ
ン系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズ
レニウム系色素、スクワリリウム系色素、Ni、Crな
どの金属錯塩系色素、ナフトキノン系・アントラキノン
系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色
素、トリフェニルメタン系色素、トリアリルメタン系色
素、アミニウム系・ジインモニウム系色素及びニトロソ
化合物を挙げることができる。更に、必要に応じて他の
第3成分、例えばバインダー、安定剤等を含有させるこ
とができる。なお、光吸収層の膜厚は、100〜500
0Åが好ましく、特に500〜3000Åが望ましい。
光吸収層の膜厚が、この範囲より薄くなると記録感度が
低下し、また厚くなると反射率が低下するからである。
【0023】本発明において使用する基板は、従来の情
報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から
任意に選択することができる。基板材料の例としては、
ポリメチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹
脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アモルファ
スポリオレフィン、ポリエステル、ソーダ石灰ガラス等
のガラス及びセラミックスを挙げることができる。特に
寸法安定性、透明性及び平面性などの点から、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル及びガ
ラスなどを挙げることができる。
報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から
任意に選択することができる。基板材料の例としては、
ポリメチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹
脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アモルファ
スポリオレフィン、ポリエステル、ソーダ石灰ガラス等
のガラス及びセラミックスを挙げることができる。特に
寸法安定性、透明性及び平面性などの点から、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル及びガ
ラスなどを挙げることができる。
【0024】光吸収層が設けられる側の基板表面には、
平面性の改善、接着力の向上及び光吸収層の変質の防止
の目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料と
しては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル
酸/メタクリル酸共重合体、スチレン/無水マレイン酸
共重合体、ポリビニルアルコール、N−メチロールアク
リルアミド、スチレン/スルホン酸共重合体、スチレン
/ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチ
レン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ
オレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル/
塩化ビニル共重合体、エチレン/酢酸ビニル共重合体、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の
高分子物質:シランカップリング剤などの有機物質:及
び無機酸化物(SiO2、Al2O3等)、無機フッ化物
(MgF2)などの無機物質を挙げることができる。な
お、下塗層の層厚は一般に0.005〜20μmの範囲
にあり、好ましくは0.01〜10μmの範囲である。
平面性の改善、接着力の向上及び光吸収層の変質の防止
の目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料と
しては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル
酸/メタクリル酸共重合体、スチレン/無水マレイン酸
共重合体、ポリビニルアルコール、N−メチロールアク
リルアミド、スチレン/スルホン酸共重合体、スチレン
/ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチ
レン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ
オレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル/
塩化ビニル共重合体、エチレン/酢酸ビニル共重合体、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の
高分子物質:シランカップリング剤などの有機物質:及
び無機酸化物(SiO2、Al2O3等)、無機フッ化物
(MgF2)などの無機物質を挙げることができる。な
お、下塗層の層厚は一般に0.005〜20μmの範囲
にあり、好ましくは0.01〜10μmの範囲である。
【0025】また、基板(又は下塗層)上には、トラッ
キング用溝又はアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形
成の目的で、プレグループ層が設けられてもよい。プレ
グループ層の材料としては、アクリル酸のモノエステ
ル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのう
ちの少なくとも一種のモノマー(又はオリゴマー)と光
重合開始剤との混合物を用いることができる。
キング用溝又はアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形
成の目的で、プレグループ層が設けられてもよい。プレ
グループ層の材料としては、アクリル酸のモノエステ
ル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのう
ちの少なくとも一種のモノマー(又はオリゴマー)と光
重合開始剤との混合物を用いることができる。
【0026】更に、光吸収層の上には、S/N比、反射
率の向上及び記録時における感度の向上の目的で、反射
層が設けられてもよい。反射層の材料である光反射性物
質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その
例としては、Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、
Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、C
o、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、A
g、Au、Zn、Cd、Al、Ca、In、Si、G
e、Te、Pb、Po、Sn、Siなどの金属及び半金
属を挙げることができる。これらのうちで好ましいもの
はAu、Al及びAgである。これら物質は単独で用い
てもよいし、あるいは二種以上の組合せで又は合金とし
て用いてもよい。なお、反射層の層厚は一般に100〜
3000Åの範囲にある。また、反射層は基板と光吸収
層との間に設けられてもよく、この場合には情報の記録
再生は光吸収層側(基板とは反対の側)から行なわれ
る。
率の向上及び記録時における感度の向上の目的で、反射
層が設けられてもよい。反射層の材料である光反射性物
質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その
例としては、Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、
Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、C
o、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、A
g、Au、Zn、Cd、Al、Ca、In、Si、G
e、Te、Pb、Po、Sn、Siなどの金属及び半金
属を挙げることができる。これらのうちで好ましいもの
はAu、Al及びAgである。これら物質は単独で用い
てもよいし、あるいは二種以上の組合せで又は合金とし
て用いてもよい。なお、反射層の層厚は一般に100〜
3000Åの範囲にある。また、反射層は基板と光吸収
層との間に設けられてもよく、この場合には情報の記録
再生は光吸収層側(基板とは反対の側)から行なわれ
る。
【0027】また、光吸収層(又は反射層)の上には、
光吸収層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護
層が設けられてもよい。この保護層は、基板の光吸収層
が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的
で設けられてもよい。保護層に用いられる材料の例とし
ては、Si、O、SiO2、MgF2、SnO 2等の無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂を
挙げることができる。なお、保護層の層厚は一般的には
500Å〜50μmの範囲にある。
光吸収層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護
層が設けられてもよい。この保護層は、基板の光吸収層
が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的
で設けられてもよい。保護層に用いられる材料の例とし
ては、Si、O、SiO2、MgF2、SnO 2等の無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂を
挙げることができる。なお、保護層の層厚は一般的には
500Å〜50μmの範囲にある。
【0028】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて説明する。本発明の光記録媒体の製造方法は、表面
に情報ピット及び/又は案内溝が形成されてなる基板上
に、直接又は他の層を介して前記一般式(I)、(II)
及び(III)のおのおのから選ばれる3種のフタロシアニ
ン系化合物を主成分とする光吸収層を塗布成膜手段によ
り設け、その上に直接又は他の層を介して光反射層を真
空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設けるこ
とを特徴とする。即ち、本発明の製造方法は、下記の工
程からなる。 (イ)表面に情報ピット及び/又は案内溝が形成されて
いる基板上に、直接又は他の層を介して前記一般式
(I)、(II)及び(III)のおのおのから選ばれる3種
のフタロシアニン系化合物を主成分とする光吸収層を塗
布成膜手段により設ける工程、(ロ)光吸収層上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設け
る工程、及び(ハ)光吸収層上に保護層を設ける工程。
いて説明する。本発明の光記録媒体の製造方法は、表面
に情報ピット及び/又は案内溝が形成されてなる基板上
に、直接又は他の層を介して前記一般式(I)、(II)
及び(III)のおのおのから選ばれる3種のフタロシアニ
ン系化合物を主成分とする光吸収層を塗布成膜手段によ
り設け、その上に直接又は他の層を介して光反射層を真
空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設けるこ
とを特徴とする。即ち、本発明の製造方法は、下記の工
程からなる。 (イ)表面に情報ピット及び/又は案内溝が形成されて
いる基板上に、直接又は他の層を介して前記一般式
(I)、(II)及び(III)のおのおのから選ばれる3種
のフタロシアニン系化合物を主成分とする光吸収層を塗
布成膜手段により設ける工程、(ロ)光吸収層上に直接
又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設け
る工程、及び(ハ)光吸収層上に保護層を設ける工程。
【0029】(光吸収層形成工程)本発明の方法におい
ては、先ず表面に情報ピット及び/又は案内溝が形成さ
れている基板上に、直接又は他の層を介して、前記フタ
ロシアニン系化合物(I)、(II)及び(III)を主成分
とする光吸収層が塗布成膜手段により設けられる。即
ち、前記フタロシアニン系化合物(I)、(II)及び
(III)を溶媒に溶解し、液状の塗布液として基板上にコ
ートすることにより、光吸収層が形成される。この塗布
液を調整するための溶媒としては、公知の有機溶媒(例
えばアルコール、セルソルブ、ハロゲン化炭素、ケト
ン、エーテル等)を使用することができる。また、コー
ト方法としては、光吸収層の濃度、粘度、溶剤の乾燥温
度を調節することにより層厚を制御できるため、スピン
コート法が望ましい。
ては、先ず表面に情報ピット及び/又は案内溝が形成さ
れている基板上に、直接又は他の層を介して、前記フタ
ロシアニン系化合物(I)、(II)及び(III)を主成分
とする光吸収層が塗布成膜手段により設けられる。即
ち、前記フタロシアニン系化合物(I)、(II)及び
(III)を溶媒に溶解し、液状の塗布液として基板上にコ
ートすることにより、光吸収層が形成される。この塗布
液を調整するための溶媒としては、公知の有機溶媒(例
えばアルコール、セルソルブ、ハロゲン化炭素、ケト
ン、エーテル等)を使用することができる。また、コー
ト方法としては、光吸収層の濃度、粘度、溶剤の乾燥温
度を調節することにより層厚を制御できるため、スピン
コート法が望ましい。
【0030】なお、光吸収層が設けられる側の基体表面
に下塗層を設けることが、基板表面の平面性の改善や接
着力の向上あるいは光吸収層の変質防止等の目的で、行
なわれる。この場合の下塗層は、例えば前述した下塗層
用物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調整し
たのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、
エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面
に塗布することにより形成することができる。
に下塗層を設けることが、基板表面の平面性の改善や接
着力の向上あるいは光吸収層の変質防止等の目的で、行
なわれる。この場合の下塗層は、例えば前述した下塗層
用物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調整し
たのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、
エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面
に塗布することにより形成することができる。
【0031】(光反射層形成工程)本発明の方法におい
ては、次に光吸収層上に直接又は他の層を介して光反射
層が真空成膜手段により設けられる。即ち、前述した光
反射性物質を、例えば蒸着、スパッタリング又はイオン
プレーティングすることにより、光反射層が光吸収層の
上に形成される。
ては、次に光吸収層上に直接又は他の層を介して光反射
層が真空成膜手段により設けられる。即ち、前述した光
反射性物質を、例えば蒸着、スパッタリング又はイオン
プレーティングすることにより、光反射層が光吸収層の
上に形成される。
【0032】(保護層形成工程)本発明の方法において
は、光反射層上に保護層が設けられる。即ち、前述した
無機物質や種々の樹脂からなる保護層用材料を、真空成
膜又は塗布成膜することにより形成される。特にUV硬
化性樹脂を用いるのが、好ましく、該樹脂をスピンコー
ト後、紫外線照射により硬化して形成される。
は、光反射層上に保護層が設けられる。即ち、前述した
無機物質や種々の樹脂からなる保護層用材料を、真空成
膜又は塗布成膜することにより形成される。特にUV硬
化性樹脂を用いるのが、好ましく、該樹脂をスピンコー
ト後、紫外線照射により硬化して形成される。
【0033】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
【0034】実施例1 直径120mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート円
板の表面上に、深さ約1500Åの案内溝凹凸パターン
を有する基板を用意し、後記表3中(1)で表わされる
フタロシアニン化合物(I)、(II)及び(III)とアミ
ノ化合物として5,6−ジメチルベンズ・イミダゾール
からなる光吸収層を、テトラヒドロフラン、1−メトキ
シブタノール、エチルシクロヘキサンからなる混合溶媒
を塗布液としてスピンコートすることにより設けた。光
吸収層の膜厚は約1,500Åであった。なお、化合物
(I)、(II)及び(III)の混合比は、mole比
[(I)/(II)/(III)]で0.5/0.2/0.3
とし、5,6−ジメチルベンズイミダゾールの混合比は
mole比[アミノ化合物/化合物(II)+(III)]で
1.0とした。なお、化合物(I)、(II)及び(III)
の熱分解温度は、熱分析装置(TG8110,TAS1
00 理学電機社製)により測定したところ、それぞれ
図1、図2及び図3に示すようであり、化合物(I)≒
290℃、化合物(II)≒252℃、化合物(III)≒3
90℃であった。また、これらの化合物のλmaxを、
分光光度計(UV−3100 島津社製)により測定し
たところ、それぞれ図7、図8及び図9に示すようであ
り、化合物(I)≒720nm(CHCl3中)/73
2nm(膜)、化合物(II)≒695nm(CHCl3
中)/704nm(膜)、化合物(III)≒721nm
(CHCl3中)/732nm(膜)であった。光吸収
層の上にAuスパッタ法によりAuを約800Åの厚さ
に設け反射層とし、更にその上に紫外線硬化樹脂からな
る保護層を約5μmの厚さに設けて、本発明の光記録媒
体を得た。
板の表面上に、深さ約1500Åの案内溝凹凸パターン
を有する基板を用意し、後記表3中(1)で表わされる
フタロシアニン化合物(I)、(II)及び(III)とアミ
ノ化合物として5,6−ジメチルベンズ・イミダゾール
からなる光吸収層を、テトラヒドロフラン、1−メトキ
シブタノール、エチルシクロヘキサンからなる混合溶媒
を塗布液としてスピンコートすることにより設けた。光
吸収層の膜厚は約1,500Åであった。なお、化合物
(I)、(II)及び(III)の混合比は、mole比
[(I)/(II)/(III)]で0.5/0.2/0.3
とし、5,6−ジメチルベンズイミダゾールの混合比は
mole比[アミノ化合物/化合物(II)+(III)]で
1.0とした。なお、化合物(I)、(II)及び(III)
の熱分解温度は、熱分析装置(TG8110,TAS1
00 理学電機社製)により測定したところ、それぞれ
図1、図2及び図3に示すようであり、化合物(I)≒
290℃、化合物(II)≒252℃、化合物(III)≒3
90℃であった。また、これらの化合物のλmaxを、
分光光度計(UV−3100 島津社製)により測定し
たところ、それぞれ図7、図8及び図9に示すようであ
り、化合物(I)≒720nm(CHCl3中)/73
2nm(膜)、化合物(II)≒695nm(CHCl3
中)/704nm(膜)、化合物(III)≒721nm
(CHCl3中)/732nm(膜)であった。光吸収
層の上にAuスパッタ法によりAuを約800Åの厚さ
に設け反射層とし、更にその上に紫外線硬化樹脂からな
る保護層を約5μmの厚さに設けて、本発明の光記録媒
体を得た。
【0035】得られた光記録媒体に波長785nm、
N.A.0.5、線速1.2m/sの条件でEFM信号
を記録再生したところ、反射率(Itop)は73%、
Clエラーは220以下であった。また、記録パワーは
β=4であった。更に、再生信号のピット長をインター
バルアナライザーを用いて測定したところ、標準CD
(Test5B)からのピット長のずれは40ns以下
であり、追記型CD規格(オレンジブック)を満足する
値であった。それらの結果を表4に示す。
N.A.0.5、線速1.2m/sの条件でEFM信号
を記録再生したところ、反射率(Itop)は73%、
Clエラーは220以下であった。また、記録パワーは
β=4であった。更に、再生信号のピット長をインター
バルアナライザーを用いて測定したところ、標準CD
(Test5B)からのピット長のずれは40ns以下
であり、追記型CD規格(オレンジブック)を満足する
値であった。それらの結果を表4に示す。
【0036】実施例2〜7 後記表3中(2)〜(7)の条件で本発明の光記録媒体
を作製し、実施例1と同様に評価した。結果は表4に示
される通りであり、Itop、Clエラー、ピット長ず
れは追記型CD規格を満足するものであった。また、実
施例3の化合物(I)、(II)の熱分析データをそれぞ
れ図4、図5に、またそれらの光吸収スペクトルデータ
をそれぞれ図10、図11に示す。更に、実施例2の化
合物(III)の熱分析データを図6に、またその光吸収ス
ペクトルデータを図12に示す。
を作製し、実施例1と同様に評価した。結果は表4に示
される通りであり、Itop、Clエラー、ピット長ず
れは追記型CD規格を満足するものであった。また、実
施例3の化合物(I)、(II)の熱分析データをそれぞ
れ図4、図5に、またそれらの光吸収スペクトルデータ
をそれぞれ図10、図11に示す。更に、実施例2の化
合物(III)の熱分析データを図6に、またその光吸収ス
ペクトルデータを図12に示す。
【0037】比較例1〜5 表5中、(1)〜(5)の条件で比較用の光記録媒体を
作製し、実施例1と同様に評価した。結果は表6に示さ
れる通りであり、再生信号特性は追記型CD規格を満足
することができなかった。特にピット長ずれについて
は、比較例3〜5のサンプルについて11Tピットで−
60ns以下であり、規格外であった。
作製し、実施例1と同様に評価した。結果は表6に示さ
れる通りであり、再生信号特性は追記型CD規格を満足
することができなかった。特にピット長ずれについて
は、比較例3〜5のサンプルについて11Tピットで−
60ns以下であり、規格外であった。
【0038】
【表3】
【0039】
【表4】
【0040】
【表5】
【0041】
【表6】
【0042】
【発明の効果】請求項1の光記録媒体は、光吸収層が前
記一般式(I)、(II)及び(III)のおのおのから選ば
れる3種のフタロシアニン系化合物を主成分として構成
されていることから、それらの化合物の熱分解特性及び
光学特性により記録特性及び信号特性に優れている。
記一般式(I)、(II)及び(III)のおのおのから選ば
れる3種のフタロシアニン系化合物を主成分として構成
されていることから、それらの化合物の熱分解特性及び
光学特性により記録特性及び信号特性に優れている。
【0043】請求項2の光記録媒体は、前記一般式
(I)、(II)及び(III)で表される化合物のモル比を
特定範囲に規定したことから、記録特性及び信号特性が
よりバランスのとれた良好なものとなる。
(I)、(II)及び(III)で表される化合物のモル比を
特定範囲に規定したことから、記録特性及び信号特性が
よりバランスのとれた良好なものとなる。
【0044】請求項3の光記録媒体の製造方法は、光吸
収層を塗布成膜手段により形成させ、且つ光反射層を真
空成膜手段により形成させるものとしたことから、本発
明の光記録媒体を容易に安定して製造することができ
る。
収層を塗布成膜手段により形成させ、且つ光反射層を真
空成膜手段により形成させるものとしたことから、本発
明の光記録媒体を容易に安定して製造することができ
る。
【図1】実施例1で得られた化合物(I)の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図2】実施例1で得られた化合物(II)の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図3】実施例1で得られた化合物(III)の熱分析曲
線を示す図である。
線を示す図である。
【図4】実施例3で得られた化合物(I)の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図5】実施例3で得られた化合物(II)の熱分析曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図6】実施例2で得られた化合物(III)の熱分析曲
線を示す図である。
線を示す図である。
【図7】実施例1で得られた化合物(I)の光吸収スペ
クトル図である。
クトル図である。
【図8】実施例1で得られた化合物(II)の光吸収スペ
クトル図である。
クトル図である。
【図9】実施例1で得られた化合物(III)の光吸収ス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図10】実施例3で得られた化合物(I)の光吸収ス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図11】実施例3で得られた化合物(II)の光吸収ス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図12】実施例2で得られた化合物(III)の光吸収
スペクトル図である。
スペクトル図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも光吸収層を設けてな
る光記録媒体において、該光吸収層が下記一般式
(I)、(II)及び(III)のおのおのから選ばれる3種
のフタロシアニン系化合物を主成分として構成されてい
ることを特徴とする光記録媒体。 【化1】 (式中、MはVOを表し、A1とA2、A3とA4、A5と
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−C(R1)(R2)(R3)基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、R1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、R3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またR2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。) 【化2】 (式中、MはZnを表し、A1とA2、A3とA4、A5と
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−C(R1)(R2)(R3)基を表し、他方は水素原
子を表す。但し、R1はフッ素置換されたアルキル基を
表し、R3はフッ素置換された若しくは未置換のアルキ
ル基又は水素原子を表し、またR2はアルキル基で置換
された若しくは未置換のフェニル基を表す。) 【化3】 (式中、MはZnを表し、A1とA2、A3とA4、A5と
A6及びA7とA8のどちらか一方は、それぞれ独立に−
O−R4又は−S−R4を表し、他方は水素原子を表す。
但し、R4はアルキル基を置換された若しくは未置換の
フェニル基を表す。) - 【請求項2】 光吸収層中における前記一般式(I)、
(II)及び(III)で表される化合物のモル比をそれぞれ
x、y及びzとしたときに、x=0.3〜0.7、y=
0.1〜0.4、z=0.2〜0.6、x+y+z=1
で表されることを特徴とする請求項1記載の光記録媒
体。 - 【請求項3】 表面に情報ピット及び/又は案内溝が形
成されてなる基板上に、直接又は他の層を介して前記一
般式(I)、(II)及び(III)で表わされるフタロシア
ニン系化合物を主成分とする光吸収層を塗布成膜手段に
より設け、その上に直接又は他の層を介して光反射層を
真空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設ける
ことを特徴とする請求項1又は2記載の光記録媒体の製
造方法。
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