JP3486703B2 - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は改良された光学特性を有
する光記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、追記型ＣＤ（コンパクトディス
ク）の開発が活発化してきている。これは、従来のＣＤ
と異なりユーザが情報を記録することが可能で且つ記録
後の信号は従来のＣＤの規格を満足するため、市販ＣＤ
プレーヤで再生可能であるという特徴をもつ。このよう
なメディアを実現する方法の１つとして、特開平２−４
２６５２号公報において、基板上に色素をスピンコーテ
ィングして光吸収層を設け、その背後に金属反射層を設
けることが提案されている。更に、後の特開平２−１３
２６５６号公報に述べられているように、光吸収層の複
素屈折率、膜厚を適当に選ぶことにより、記録後の信号
がＣＤ規格を満足するようになり、追記型ＣＤとし商品
化されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平２−
４２６５２号公報及び特開平２−１３２６５６号公報で
示されている色素を用いた追記型ＣＤは、耐光性の点で
は未だ十分なものではなかった。即ち、太陽光に長時間
さらされて放置された場合等に信号特性が変化し、ＣＤ
規格を満足することができないという欠点があった。こ
れは光吸収層に用いられる色素材料、特に従来用いられ
ていたシアニン系色素が光により変化することに起因し
ている。そこでこの変化を抑制するために、特開昭６３
−１５９０９０号公報に示されているように、光吸収層
に光安定化剤を含有することが知られている。しかし、
光安定化剤を少量（２０％以下）添加した場合には、十
分な耐光性を得ることができず、逆に多量（２０％以
上）に添加すると、光吸収層の光学的及び／又は熱的な
特性が変化し、各種の信号品質が低下するという問題点
があった。

【０００４】一方、特開平３−６２８７８号公報におい
ては、高耐光性色素であるフタロシアニン化合物を用い
た追記型ＣＤが開示されている。これは、フタロシアニ
ン化合物に特定の基を付加することにより、フタロシア
ニン化合物をスピンコートした光吸収層の複素屈折率を
追記型ＣＤに必要な値に調節し、高耐光性追記型ＣＤを
実現したものである。しかし、特開平３−６２８７８号
公報に開示されている追記型ＣＤは、従来のシアニン系
色素を光吸収層に用いたものに比べ、再生信号の品質が
劣っていた。即ち、再生信号を構成する個々の信号の長
さ（ピット長）が本来のＣＤ信号の理論値からずれやす
く、再生エラーが発生する場合があるという問題点があ
った。

【０００５】従って、本発明の目的は、前記した再生信
号に関する問題点のないフタロシアニン化合物を光吸収
層に用いた高耐光性光記録媒体、及びその製造方法を提
供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究を
重ねた結果、前記従来技術の光記録媒体において、後記
一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化合物を用
いることにより、前述の問題点を解決できるということ
を見い出し、本発明を完成するに至った。

【０００７】即ち、本発明によれば、基板上に少なくと
も光吸収層を設けてなる光記録媒体において、該光吸収
層が下記一般式（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン
系化合物を主成分として構成されていることを特徴とす
る光記録媒体が提供される。

【化１】 （式中、Ｍ及びＡ¹〜Ａ⁸は、それぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２価の金属原子、置換３価金属原子、２置換４価金
属原子又はオキシ金属。 Ａ¹とＡ²、Ａ³とＡ⁴、Ａ⁵とＡ⁶及びＡ⁷とＡ⁸：それぞれ
のどちらか一方は−ＱＲ¹又は下記一般式（II）で表わ
されるチオフェニル系基、他方は水素原子又はハロゲン
原子。但し、Ａ¹〜Ａ⁸のうち少なくとも一つは−ＱＲ¹
及び下記一般式（II）で表わされるチオフェニル系基で
ある。Ｑ：Ｏ又はＳ原子。 一般式（II）：

【化２】 Ｒ¹：Ｃ数４〜１０の直鎖又は分岐状のアルキル基。 Ｒ²〜Ｒ⁶：それぞれ独立に水素原子、Ｃ数１〜１０の直
鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、Ｃ数１〜３のアル
コキシ基又はハロゲン原子。）

【０００８】また、本発明によれば、好ましい態様とし
て、前記一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化
合物のＭが、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺及びＰｄ²⁺から選
ばれた少なくとも一つの２価金属原子である化合物を使
用した光吸収層を設けてなる光記録媒体が、また前記一
般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニ系化合物のＲ²及
びＲ⁶が、それぞれ独立にメチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、ｉｓｏ−プロピル、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロ
ピルオキシ、ｉｓｏ−プロピルオキシから選ばれる一つ
の基である化合物を使用した光吸収層を設けてなる光記
録媒体が、また前記光吸収層が７１０〜７５０ｎｍの範
囲に光吸収ピーク波長（λｍａｘ）を有するものである
光記録媒体が提供される。

【０００９】更に、本発明によれば、表面に情報ピット
及び／又は案内溝が形成されてなる基板上に、直接又は
他の層を介して前記一般式（Ｉ）で表わされる金属フタ
ロシアニン系化合物を主成分とする光吸収層を塗布成膜
手段により設け、その上に直接又は他の層を介して光反
射層を真空成膜手段により設け、更にその上に保護層を
設けることを特徴とする光記録媒体の製造方法が提供さ
れる。

【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
光記録媒体は、光吸収層が前記一般式（Ｉ）で表わされ
る金属フタロシアニン系化合物を主成分として構成され
ていることを特徴とする。この金属フタロシアニン系化
合物において、中心金属Ｍとしては、２価の金属原子、
１置換３価金属原子、２置換４価金属原子又はオキシ金
属原子が用いられるが、具体的には次のものが挙げられ
る。

【００１１】〈２価の金属〉 Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｒｕ²⁺、Ｒ
ｈ²⁺、Ｐｄ²⁺、Ｐｔ²⁺、Ｍｎ²⁺、Ｍｇ²⁺、Ｔｉ²⁺、Ｂｅ
²⁺、Ｃａ²⁺、Ｂａ²⁺、Ｃｄ²⁺、Ｈｇ²⁺、Ｐｂ²⁺、Ｓｎ²⁺
など。 〈１置換３価金属〉Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−
Ｆ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｉ、Ｇａ
−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｉｎ−
Ｆ、Ｔｌ−Ｃｌ、Ｔｌ−Ｂｒ、Ｔｌ−Ｉ、Ｔｌ−Ｆ、Ａ
ｌ−Ｃ₆Ｈ₅、Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃）、Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₅、
Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃）、Ｉｎ−Ｃ₁₀Ｈ₇、Ｍｎ（Ｏ
Ｈ）、Ｍｎ（ＯＣ₆Ｈ₅）、Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ₃）₃〕、
ＦｅＣｌ、ＲｕＣｌなど。

【００１２】〈２置換４価金属〉 ＣｒＣｌ₂、ＳｉＣｌ₂、ＳｉＢｒ₂、ＳｉＦ₂、Ｓｉ
Ｉ₂、ＺｒＣｌ₂、ＧｅＣｌ₂、ＧｅＢｒ₂、ＧｅＩ₂、Ｇ
ｅＦ₂、ＳｎＣｌ₂、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＩ₂、ＳｎＦ₂、Ｔ
ｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、ＴｉＦ₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｇｅ
（ＯＨ）₂、Ｚｒ（ＯＨ）₂、Ｍｎ（ＯＨ）₂、Ｓｎ（Ｏ
Ｈ）₂、ＴｉＲ₂、ＣｒＲ₂、ＳｉＲ₂、ＳｎＲ₂、ＧｅＲ₂
〔Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチル基及びその誘
導体を表わす〕、Ｓｉ（ＯＲ’）₂、Ｓｎ（ＯＲ’）₂、
Ｇｅ（ＯＲ’）₂、Ｔｉ（ＯＲ’）₂、Ｃｒ（ＯＲ’）₂
〔Ｒ’はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリア
ルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及びそ
の誘導体を表わす〕、Ｓｎ（ＳＲ^-）₂、Ｇｅ（ＳＲ^-）₂
〔Ｒ^-はアルキル基、フェニル基、ナフチル基及びその
誘導体を表わす〕など。 〈オキシ置換〉ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯなど。

【００１３】以上の金属の中でも、特にＮｉ²⁺、Ｃ
ｕ²⁺、Ｚｎ²⁺、Ｐｄ²⁺が好ましい。これらは、耐光性が
良好であり、光吸収層のλｍａｘが７１０〜７５０ｎｍ
近傍となるためである。光吸収層のλｍａｘが７１０〜
７５０ｎｍの範囲にあると、追記型ＣＤに必要な複素屈
折率を得やすい。

【００１４】また、Ａ¹〜Ａ⁸で示される置換基に含有さ
れる−ＱＲ¹中、ＱはＯ又はＳ原子を表わし、またＲ¹は
Ｃ数４〜１０の直鎖又は分岐状のアルキル基を表わす。
Ｒ¹の具体例としては、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、
ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉ
ｓｏ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ｎｅｏ−ペンチ
ル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、ｎ−ヘキシ
ル、２−エチルブチルなどが挙げられるが、好ましくは
光学特性、耐熱性に優れた分岐状のアルキル基が良い。

【００１５】一方、Ａ¹〜Ａ⁸で示される置換基に含有さ
れ、下記一般式（II）で表わされるチオフェニル系基の
Ｒ²〜Ｒ⁶は、同じであってもあるいは異なっていてもよ
く、Ｒ²〜Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ数１〜１０
の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、Ｃ数１〜３の
アルコキシ基又はハロゲン原子を表わす。

【化２】 Ｒ²〜Ｒ⁶の具体例としては、水素原子、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ
ｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ
−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、
ｎｅｏ−ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチ
ル、ｎ−ヘキシル、２−エチルブチル、シクロヘキシ
ル、メトキシ、エトキシ、プロポキシの各基やＦ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ各原子などが挙げられるが、好ましくはＲ
²及び／又はＲ⁶にアルキル基、アルコキシ基を有するも
のが良い。Ｒ²、Ｒ⁶にアルキル基、アルコキシ基を有す
る化合物は、レーザー光波長域において良好な複素屈折
率（特に高い屈折率）を得やすいためである。なお、Ｒ
¹〜Ｒ⁶において炭素数が１０より大きくなると、光吸収
層の単位膜厚当りの吸光度が低下し、良好な複素屈折率
が得にくくなるので好ましくない。

【００１６】前記一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニ
ン系化合物は、対応するフタロニトリル混合物の環化反
応などにより容易に合成することができる。即ち、下記
（III)及び（IV)の混合物を、例えば１，８−ジアザビ
シクロ〔５，４，０〕−７−ウンデセンの存在下、金属
誘導体とアルコール中加熱反応することにより容易に合
成できる。

【化３】

【化４】

【００１７】Ａ¹〜Ａ⁸における−ＱＲ¹と前記一般式（I
I）で表わされるチオフェニル系基の比率は１／３〜３
／１が好ましく、更にこの範囲の比率を有する化合物の
混合物で光吸収層を形成することが好ましい。−ＱＲ¹
の比率が大きくなると再生信号のピット長ずれが生じや
すく、チオフェニル系基の比率が大きくなると色素の分
解温度が高くなり、記録感度が低下しやすい。また、混
合物とすることにより色素の溶解性が向上し、光吸収層
の成膜性が良くなる。

【００１８】Ａ¹〜Ａ⁸の他方は水素原子又はハロゲン原
子である。ハロゲン原子としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
各原子を挙げることができ、好ましくはＣｌ、Ｂｒ原子
が良い。ハロゲン原子を付加することにより、色素の分
解温度が低くなり、記録感度が向上しやすいためであ
る。

【００１９】光吸収材料としては、前記フタロシアニン
系化合物のみではなく、該フタロシアニン系化合物に加
えて、従来より情報記録媒体の記録材料として知られて
いる任意の色素を混合して用いることができる。このよ
うな色素としては、例えば、シアニン系色素、ピリリウ
ム系・チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ス
クワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属錯塩系色
素、ナフトキノン系・アントラキノン系色素、インドフ
ェノール系色素、インドアニリン系色素、トリフェニル
メタン系色素、トリアリルメタン系色素、アミニウム系
・ジインモニウム系色素及びニトロソ化合物を挙げるこ
とができる。更に、必要に応じて他の第３成分、例えば
バインダー、安定剤等を含有させることができる。な
お、光吸収層の膜厚は、１００〜５０００Åが好まし
く、特に５００〜３０００Åが望ましい。光吸収層の膜
厚が、この範囲より薄くなると記録感度が低下し、また
厚くなると反射率が低下するからである。

【００２０】本発明において使用する基板は、従来の情
報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から
任意に選択することができる。基板材料の例としては、
ポリメチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹
脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アモルファ
スポリオレフィン、ポリエステル、ソーダ石灰ガラス等
のガラス及びセラミックスを挙げることができる。特に
寸法安定性、透明性及び平面性などの点から、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル及びガ
ラスなどを挙げることができる。

【００２１】光吸収層が設けられる側の基板表面には、
平面性の改善、接着力の向上及び光吸収層の変質の防止
の目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料と
しては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル
酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／無水マレイン酸
共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアク
リルアミド、スチレン／スルホン酸共重合体、スチレン
／ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチ
レン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ
オレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／
塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の
高分子物質：シランカップリング剤などの有機物質：及
び無機酸化物（ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等）、無機フッ化物
（ＭｇＦ₂）などの無機物質を挙げることができる。な
お、下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲
にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

【００２２】また、基板（又は下塗層）上には、トラッ
キング用溝又はアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形
成の目的で、プレグループ層が設けられてもよい。プレ
グループ層の材料としては、アクリル酸のモノエステ
ル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのう
ちの少なくとも一種のモノマー（又はオリゴマー）と光
重合開始剤との混合物を用いることができる。

【００２３】更に、光吸収層の上には、Ｓ／Ｎ比、反射
率の向上及び記録時における感度の向上の目的で、反射
層が設けられてもよい。反射層の材料である光反射性物
質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その
例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｓｉなどの金属及び半金
属を挙げることができる。これらのうちで好ましいもの
はＡｕ、Ａｌ及びＡｇである。これら物質は単独で用い
てもよいし、あるいは二種以上の組合せで又は合金とし
て用いてもよい。なお、反射層の層厚は一般に１００〜
３０００Åの範囲にある。また、反射層は基板と光吸収
層との間に設けられてもよく、この場合には情報の記録
再生は光吸収層側（基板とは反対の側）から行なわれ
る。

【００２４】また、光吸収層（又は反射層）の上には、
光吸収層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護
層が設けられてもよい。この保護層は、基板の光吸収層
が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的
で設けられてもよい。保護層に用いられる材料の例とし
ては、Ｓｉ、Ｏ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等の無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂を
挙げることができる。なお、保護層の層厚は一般的には
５００Å〜５０μｍの範囲にある。

【００２５】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて説明する。本発明の光記録媒体の製造方法は、表面
に情報ピット及び／又は案内溝が形成されてなる基板上
に、直接又は他の層を介して前記一般式（Ｉ）で表わさ
れる金属フタロシアニン系化合物を主成分とする光吸収
層を塗布成膜手段により設け、その上に直接又は他の層
を介して光反射層を真空成膜手段により設け、更にその
上に保護層を設けることを特徴とする。即ち、本発明の
製造方法は、下記の工程からなる。 （イ）表面に情報ピット及び／又は案内溝が形成されて
いる基板上に、直接又は他の層を介して前記一般式
（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン系化合物を主成
分とする光吸収層を塗布成膜手段により設ける工程、 （ロ）光吸収層上に直接又は他の層を介して光反射層を
真空成膜手段により設ける工程、及び （ハ）光反射層上に保護層を設ける工程。

【００２６】（光吸収層形成工程） 本発明の方法においては、先ず表面に情報ピット及び／
又は案内溝が形成されている基板上に、直接又は他の層
を介して、前記金属フタロシアニン系化合物を主成分と
する光吸収層が塗布成膜手段により設けられる。即ち、
前記フタロシアニン系化合物を、溶媒に溶解した塗布液
として基板上にコートすることにより、光吸収層が形成
される。この塗布液を調整するための溶媒としては、公
知の有機溶媒（例えばアルコール、セルソルブ、ハロゲ
ン化炭素、ケトン、エーテル等）を使用することができ
る。また、コート方法としては、光吸収層の濃度、粘
度、溶剤の乾燥温度を調節することにより層厚を制御で
きるため、スピンコート法が望ましい。

【００２７】なお、光吸収層が設けられる側の基体表面
に下塗層を設けることが、基板表面の平面性の改善や接
着力の向上あるいは光吸収層の変質防止等の目的で、行
なわれる。この場合の下塗層は、例えば前述した下塗層
用物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調整し
たのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、
エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面
に塗布することにより形成することができる。

【００２８】（光反射層形成工程） 本発明の方法においては、次に光吸収層上に直接又は他
の層を介して光反射層が真空成膜手段により設けられ
る。即ち、前述した光反射性物質を、例えば蒸着、スパ
ッタリング又はイオンプレーティングすることにより、
光反射層が光吸収層の上に形成される。

【００２９】（保護層形成工程） 本発明の方法においては、光反射層上に保護層が設けら
れる。即ち、前述した無機物質や種々の樹脂からなる保
護層用材料を、真空成膜又は塗布成膜することにより形
成される。特にＵＶ硬化性樹脂を用いるのが、好まし
く、該樹脂をスピンコート後、紫外線照射により硬化し
て形成される。

【００３０】

【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。

【００３１】実施例１ 直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイト円
板の表面上に、深さ約１２００Åの案内溝凹凸パターン
を有する基板を用意し、後記表１中（１）で表わされる
フタロシアニン化合物の光吸収層を、テトラヒドロフラ
ン、２−ブトキシエタノール、メチルシクロヘキサンか
らなる混合溶媒を塗布液としてスピンコートすることに
より設けた。なお、フタロシアニン化合物（１）は、Ａ
を有するフタロニトリルとＡ’を有するフタロニトリル
を比率（１／３）で混合し、１，８−ジアザビシクロ
〔５，４，０〕−７−ウンデセン及び金属塩化物を加え
て、１−ペンタノール中加熱反応することにより得た。
形成された光吸収層のλｍａｘは７３０ｎｍであった。
また、光吸収層の膜厚は約１５００Åであった。光吸収
層の上にＡｕスパッタ法によりＡｕを約８００Åの厚さ
に設け反射層とし、更にその上に紫外線硬化樹脂からな
る保護層を約５μｍの厚さに設けて、本発明の光記録媒
体を得た。

【００３２】得られた光記録媒体に波長７８５ｎｍ、
Ｎ．Ａ．０．５、線速１．２ｍ／ｓの条件でＥＦＭ信号
を記録し、再生信号のピット長をインターバルアナライ
ザーにより測定したところ、標準ＣＤ（Ｔｅｓｔ５Ｂ）
からのピット長のずれは４０ｎｓ以下であり、追記型Ｃ
Ｄ規格（オレンジブック）を満足する値であった。

【００３３】実施例２〜８（実施例２〜５は参考例） 後記表１中（２）〜（８）で表わされるフタロシアニン
化合物について、実施例１と同様に光記録媒体を作成し
且つ評価したところ、光吸収層のλｍａｘは表１のとお
り、７１０〜７５０ｎｍの範囲にあり、再生信号のピッ
ト長ずれは４０ｎｓ以内であった。

【００３４】比較例１〜３ 後記表１中（９）〜（１１）で表わされるフタロシアニ
ン化合物について、実施例１と同様に光記録媒体を作成
し、且つ評価したところ、光吸収層のλｍａｘは表１の
とおり、７１０〜７５０ｎｍの範囲にあったが、再生信
号のピット長ずれは、１１Ｔピットで−６０ｎｓ以下で
あり、追記型ＣＤ規格を満足することができなかった。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、光吸収層が前
記一般式（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン系化合
物を主成分として構成されていることから、信号特性に
優れ、再生エラーが発生しにくく、且つ耐光性に優れて
いる。

【００３７】請求項２の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化合物のＭがＮｉ
²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺及びＰｄ²⁺から選ばれたものとした
ことから、耐光性が更に向上し、追記型ＣＤに必要な複
素屈折率を得やすくなるという効果が加わる。

【００３８】請求項３の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化合物のＲ²及び
Ｒ⁶が、それぞれ独立にメチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、ｉｓｏ−プロピル、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロ
ピルオキシ、ｉｓｏ−プロピルオキシから選ばれたもの
としたことから、レーザー光波長域において良好な複素
屈折率を得やすいという効果が加わる。

【００３９】請求項４の光記録媒体は、光吸収層の光吸
収ピーク波長が７１０〜７５０ｎｍの範囲にあるものと
したことから、レーザー光波長において、適切な複素屈
折率をより確実に得られるという効果が加わる。

【００４０】請求項５の光記録媒体の製造方法は、光吸
収層を塗布成膜手段により形成させ、且つ光反射層を真
空成膜手段により形成させるものとしたことから、本発
明の光記録媒体を容易に安定して製造することができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−300814（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−120186（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−62878（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−334863（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−282110（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−287514（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−2108（ＪＰ，Ａ) 米国特許5168031（ＵＳ，Ａ) 英国特許出願公開2237284（ＧＢ，Ａ) 英国特許出願公開2259517（ＧＢ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 516 ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＭＡＲＰＡＴ（ＳＴＮ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも光吸収層を設けてな
   る光記録媒体において、該光吸収層が下記一般式（Ｉ）
   で表わされる金属フタロシアニン系化合物を主成分とし
   て構成されていることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 （式中、Ｍ及びＡ¹〜Ａ⁸は、それぞれ以下のものを表わ
   す。 Ｍ：２価の金属原子、置換３価金属原子、２置換４価金
   属原子又はオキシ金属。 Ａ¹とＡ²、Ａ³とＡ⁴、Ａ⁵とＡ⁶及びＡ⁷とＡ⁸：それぞれ
   のどちらか一方は−ＱＲ¹又は下記一般式（II）で表わ
   されるチオフェニル系基、他方は水素原子又はハロゲン
   原子。但し、Ａ¹〜Ａ⁸のうち少なくとも一つは−ＱＲ¹
   及び下記一般式（II）で表わされるチオフェニル系基で
   ある。 Ｑ：Ｏ又はＳ原子。 一般式（II）： 【化２】 Ｒ¹：Ｃ数４〜１０の直鎖又は分岐状のアルキル基。 Ｒ²〜Ｒ⁶：それぞれ独立に水素原子、Ｃ数１〜１０の直
   鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、Ｃ数１〜３のアル
   コキシ基又はハロゲン原子。）
2. 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）で表わされるフタロシ
   アニン系化合物のＭが、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺及びＰ
   ｄ²⁺から選ばれた少なくとも一つの２価金属原子である
   請求項１に記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】 前記一般式（Ｉ）で表わされるフタロシ
   アニン系化合物のＲ²及びＲ⁶が、それぞれ独立にメチ
   ル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、メトキ
   シ、エトキシ、ｎ−プロピルオキシ、ｉｓｏ−プロピル
   オキシから選ばれる一つの基である請求項１に記載の光
   記録媒体。
4. 【請求項４】 前記光吸収層が７１０〜７５０ｎｍの範
   囲に光吸収ピーク波長（λｍａｘ）を有するものである
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 表面に情報ピット及び／又は案内溝が形
   成されてなる基板上に、直接又は他の層を介して前記一
   般式（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン系化合物を
   主成分とする光吸収層を塗布成膜手段により設け、その
   上に直接又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段に
   より設け、更にその上に保護層を設けることを特徴とす
   る請求項１〜４のいずれか１項に記載の光記録媒体の製
   造方法。