TW200903114A - Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

200903114 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器（"LCD”）裝置，且更特定 - 言之，係關於一種LCD面板及其製造方法。 _ 【先前技術】 最近’已開發各種類型的平板顯示裝置。與陰極射線管 相比’此等平板顯示裝置共用減少之厚度及體積的優點。 平板顯示裝置包括液晶顯示裝置、電漿顯示面板裝置、場 f 發射顯示裝置及電致發光顯示裝置。 LCD面板大體包括一具備一彩色濾光片陣列之彩色濾光 片基板及一具備一薄膜電晶體陣列之薄膜電晶體基板，該 溥膜電晶體陣列包括複數個薄膜電晶體（"TFT")、複數個 像素電極及複數個信號線。一液晶材料層注入於該兩個基 板之間。從而，完成製造LCD面板之過程。此種LCD裝置 藉由調整每一像素位置處透過面板之光的量來顯示一所要 v 影像。為此，施加一電場至注入於該兩個基板之間的液晶 V (該液晶具有-各向異性介電常數），且接著調整電場強 度。 先前技術LCD面板之液晶相對於由對準層或形成於共同 $極及像素電極上之隙縫建立的預傾斜角而旋轉經過一預 疋角度，從而調整透過面板之來的县 ,^ w囬极之九的1。此處，使用印刷製 程來界定對準層之對準方向，且雷i Π且而要沈積製程及蝕刻製程 來在共同電極及像素電極上形成一隙縫圖案。因此，製程 之數目增加，其導致處理時間及材料成本的增加。 127366.doc 200903114 【發明内容】 本發明提供一種LCD面板及其製造方法，其中該LCD顯 不器面板包括—Si〇c對準層，該si〇c對準層具有對在寬 沈積溫度範圍上之沈積製程之溫度不敏感的有利特性。此 外，SiOC對準層之對準方向可藉由離子束轟擊而改變。 在本發明之一態樣中’本發明提供一種液晶顯示器面 板，其包括：一下部基板，其包括一薄膜電晶體及一像素 電極；一上部基板，其包括一面對該下部基板之共同電 極；一液晶層，其形成於該上部基板與該下部基板之間； 及一對準層，其由含矽（Si)、氧（〇)及碳（c)之無機物質而 形成於該上部基板及該下部基板上。 較佳地，該無機物質為碳氧化矽（si〇c)。 適當地，該無機物質具有一化學式SiOCx，其中x係在約 0.12與約1.89之間。 此外’該對準層之厚度係在約30 nm與約500 nm之間。 此外’ §亥液晶層之對準方向具有一在約85。至約9〇。之範 圍内的預傾斜角’該預傾斜角係由Si〇c設定。 另外，該對準層具有一約lxl〇15 Qcm至約3xl〇1S Qcm之 電阻率。 此外，對於450 nm與700 nm之間的波長，該液晶顯示器 面板之透射率係在約83%至約86%之範圍内。 在另一態樣中，本發明提供一種製造一液晶顯示器面板 之方法，該方法包括：形成一包括一共同電極之上部基 板，形成一包括一薄膜電晶體及一像素電極且面對該上部 127366.doc 200903114 基板之下部基板；及在該上部基板及該下部基板上沈積— 對準層’㈣準層包含—含邦丨）、氧⑼及破（c)之無機 物質。 較佳地，該對準層形成有_約3〇 nm至約5〇〇 nm之厚 度。 適當地，該無機物質為碳氧化矽（Si〇c)。 此外，該無機物質之化學式為Si〇Cx，其中χ係在約〇 i2 與約1.89之間。 r 此外’對準層係在約3(rc至約4〇〇。。之溫度範圍内沈 積。 另外，對準層具有一在約85。至約9〇。之範圍内的液 準方向。 較佳地，本發明之方法進—步包括藉由使用_離 統來改變該對準層上之液晶對準方向。 糸 適當地’改變該液晶對準方向之方法包括： 導引在該料層f由設定該離子权_ = 定該液晶對準方向。 角而界 此外，該入射角係在約2〇。與約9〇。之間。 此外，視離子束之該人射角而將該對準層之 方向設定在-在約79〇至約9〇〇之間的角度上。 -對準 應瞭解，本發明之前述概述及以下【實施方 示性及解釋性的且意欲提供 "'】僅為例 釋。 斤張之本發明的進-步解 【實施方式】 127366.doc 10· 200903114 下文詳細描述本發明之例示性實施例（其之實例在隨附 圖f中圖示）。若適用，則將在所有圖式中使用相同參考 數子L代相同或類似部件。 下文將參看圖1至圖10描述本發明之例示性實施例。 圖1為根據本發明之LCD面板之透視圖，而圖2為圖^中 所示之LCD面板之一部分的橫截面圖。 參看圖1及圖2，根據本發明之LCD面板包括一彩色濾光 片基板180、一 TFT基板17〇及一注入於該兩個基板1⑽與 1 70之間的液晶分子層丨55，該兩個基板彼此結合。 彩色濾光片基板180包括一安置於一上部基板lu上之彩 色濾光片陣列162、一黑色矩陣（black matrix)168、一共同 電極164、一上部對準層16〇及一上部偏振板丨92。 彩色濾光片陣列162包括紅色濾光片r、綠色濾光片〇及 藍色濾光片B。紅色濾光片r、綠色濾光片G及藍色濾光片 B分別含有提供紅色、綠色及藍色的顏料。 黑色矩陣16 8經形成以重疊像素區域之邊界及彩色淚光 片陣列162中之彩色濾光片的邊界，且重疊TFT基板17〇上 之閘極線114、資料線124及TFT。黑色矩陣168藉由屏蔽歸 因於基板之未對準而發生的光透射而改良LCD面板之對比 度’且藉由屏蔽TFT以防被直接曝光而防止tft中之光誘 發漏電流。 一塗飾層166形成於彩色濾光片陣列162上以提供一平坦 表面。共同電極164形成於塗飾層166上。在操作中，將一 共同電壓施加至共同電極164且將像素電壓施加至像素電 127366.doc -11 - 200903114 極142。共同電極164係由諸如ITO(氧化銦錫）或IZO(氧化 銦鋅）之透明及導電物質形成。 上部偏振板1 92附著至上部基板111之背面，以控制光透 射量及入射束之偏振狀態。上部偏振板1 92係由加熱並伸 長聚乙稀醇之薄層且接著將所得層浸潰於含有碘酸之二向 色染料溶液中而形成。上部偏振板丨92具有一在板伸長方 向上的伸長軸及一平行於板之平面並垂直於該伸長轴的透 射抽。 TFT基板170包括具有一連接至形成於一下部基板11〇上 之閘極線114及資料線124的TFT的像素區域。TFT基板π〇 亦包括一下部對準層15〇，及一下部偏振板19〇。 T F T回應於一施加至該閘極線u 4之掃描信號而將一視訊 信號自資料線124供應至一形成於每一像素區域中之像素 電極142。TFT包括一連接至閘極線114之閘電極112、一連 接至資料線124之源電極126、一連接至像素電極142之汲 電極128、重疊閘電極112並覆蓋閘極絕緣層118以在源電 極126與汲電極128之間形成一通道之半導體圖案ι23的一 作用層120,及半導體圖案123之一歐姆接觸層122，該歐 姆接觸層是形成於作用層120而非通道區域上，以提供與 源電極126及汲電極128的歐姆接觸。 閘極線114將一掃描信號自閘極驅動器供應至tft之閘電

極112。資料線124將—視訊信號自資料驅動器供應至TFT 之源電極126。閘極線114及資料線124經配置為彼此交又 以形成像素區域陣列。 127366.doc -12- 200903114 形成於鈍化層138上之像素電極142經由接觸孔14〇而連 接至TFT之汲電極128。像素電極142係由一透明導電層而 形成。在操作中，經由TFT將視訊信號施加至像素電極Μ] 以在施加以共同電壓之共同電極164與像素電極142之間的 液晶分子155之層中產生一電場。在兩個電極142與164之 間的液晶分子155之對準方向係取決於施加至像素電極之 電壓的值且回應於所施加電壓之改變而改變。通過液晶分 子1 55之光的透射率相應改變，從而實施灰度階位準。 鈍化層130及138提供於TFT與像素電極142之間以保護 資料線124及TFT。此處，缝層13G及138可作為無機層與 有機層之雙層形成。或者，鈍化層13〇及138可作為無機材 料或有機材料之單層形成。有機鈍化層138較佳藉由使用 低介電常數材料之厚層而形成，使得像素電極142可以最 小寄生電容重疊閘極線114及資料線124，從而改良像素電 極142之開口比。 下部偏振板190附著至下部基板110之背面以控制退出偏 振板190之光的透射量及偏振狀態。由於下部偏振板190與 上部偏振板192之配置相同，因此將省略對其之詳細描 述。 上部對準層160及下部對準層150確定提供於TFT基板 1 7〇與彩色濾光片基板18〇之間的液晶分子1 5 5的對準方 向。上部對準層160形成於上面形成有黑色矩陣168、彩色 濾光片陣列162及共同電極164的上部基板1U上。下部對 準層150形成於上面形成有TFT及像素電極142的下部基板 127366.doc -13- 200903114 110上。洋S之，使用摻雜氧之碳化矽（sic)(亦即，碳氧化 矽（Si〇C))而使液晶分子155垂直對準。圖3為展示液晶預 傾斜對準角與用於圖1中所示之LCD面板時Si0C中之碳（c) 比或碳之組份範圍的關係曲線的圖表。更詳細言之，乂轴 表示石夕⑻在Sioc中為”1”時的碳比率，而Y軸表示根據碳 ()m範圍的液^日對準角或預傾斜角。根據圖3，當在 石夕在smc中為”1”時’碳（c)之組份範圍係在約至約 f. 1.89之範圍内時’對準層15〇及16〇之對準角係在約85。至約 90°之範圍内。 此外#由使用離子束系統以修改對準層，液晶⑸預 傾斜角之範圍可改變至一約78。擴大至約90。的範圍。由 〇Ct成之對準層15〇及16〇藉由—諸如㈣之沈積方法而 沈積於基板上。舉例而言，獄層可藉由使用-RF(射頻） 磁控濺鍍系統而形成於下部基板11〇及上部基板⑴上。 OC層可纟低於400C之溫度下藉由以eV加速之氨離 子來沈積。隨後’沈積之對準層15〇及16〇之對準方向可藉 由使用如圖8B中所不之離子束系統來改變。亦即，當使用 離子束系統以夕’ _式重新配置對準層丨5Q及1⑽之對準方 向時’不同於圖案化垂直對準（"pVA，.）模式，無需使用獨 立沈積及钮刻製程來在上部基板之共同電極及下部基板之 像素電極上形成隙縫。 在垂直對準（”VA”）模式（亦即，根據本發明之寬視角技 術）中’藉由—電場而垂直對準並垂直驅動具有負介電常 數各向異性之液晶分子，從而調整光透射率。由於當未施 127366.doc -14- 200903114 加電麼時，-垂直於液晶分子之對準方向的偏振器遮播光 透射，因此VA模式變成—常黑模式。同時，在va模式 中，由一平行於藉由一所施加之電塵而以一預定角度旋轉 之液晶分子之對準方向的偏振器而透射光。在此狀況下， 液晶155藉由SiOC之垂直對準層15〇及16〇而垂直對準，從 而防止光洩漏。 根據圖4中所示之本發明之另一實施例，可在多疇从模 式中使用SiOC對準層15〇及16〇，其中該多疇¥八模式以如 下方式獲得寬視角：藉由分割各別子像素以形成多嘴並對 稱地對準液晶分子155而對稱地產生透射率改冑。相應 地SiOC對準層15〇及16〇形成於上面形成有隙縫圖案之共 同電極264及像素電極242上。同時，可藉由在沒有對準方 向之情況下將其沈積於共同電極2 6 4及像素電極2 4 2上或藉 由使用離子束系統來確定Si〇c對準層15〇及16〇的對準方 向。 士因此’多脅VA模式（例如’ pvA模式）以如下方式形成多 壽··在上部基板之共同電極及下部基板之像素電極上提供 一隙縫’且基於該隙縫使用一由該隙縫產生之邊緣場而對 稱地驅動液晶分子。 如圖中所不，當光由一第一偏振板1 〇4偏振時，該光 未由一第二偏振板102透射，該第二偏振板102具有一與該 第一偏振板104之偏振軸形成90。角的偏振軸。同樣地，如 圖5B(其中預傾斜角〜為大約9〇。)中所示，光未由根據本發 明之在對準層15G及16G中使用垂直對準之Si0C的LCD面板 127366.doc -15- 200903114 層150及160之對準方 之對準方向以一預定 能防止由光洩漏而導 透射…’可藉由垂直配置對準 向，使得液晶分子155根據重新配置 角度旋轉而防止光浅漏。此外，亦可 致之串擾及閃爍。 圖6為說明一根據本 月之包括—由SiOC形成之對準層 的LCD面板及一對準層 τ 層係由聚醯亞胺（pi)形成之先前技術 LCD面板之光透射率特性的圖表。 參看圖6，圖6展示LCD面板之透射率特性’在該LCD面 板上施加電壓以在共同電極142與164像素電極之間建立電 愿差，從而使得液晶分子⑸以―預定角度旋轉以透射光。 圖表中X軸之方向指示可見光區域内之波長而γ軸之方 向才曰不根據δ亥等波長之透射率特。第__曲線2G6指示使 用如先前技術對準層中之聚醯亞胺（PI)之LCD面板的透射 率特11其中透射率特性之透射率平均值為約83.2。/。。另 一方面，第二曲線208指示在對準層15〇及16〇中使用si〇C 之LCD面板的透射率特性。在此狀況下，對於在45〇 ^爪與 700 nm之間的波長，本發明之LCD面板之透射率在約83% 與86°/❶之間，其申平均值為約85%，該平均值高於使用聚 酿亞胺（PI)對準層之先前技術LCD面板的平均透射率。 圖7為§兒明根據本發明之對準層1 5 0或1 6 0之厚度之液晶 之預傾斜角的圖表。 參看圖7，對準層1 50及1 60係由無機材料（碳氧化石夕 (SiOC))形成。圖表之X軸之方向指示對準層150及160之厚 度’而Y軸之方向指示在未施加電壓至液晶155時由對準層 127366.doc 200903114 150及160垂直對準之液晶155的預傾斜角。因此，如圖7之 圖表中所输示’對準層15〇及16G具有在約％咖至約綱 之範圍内的厚度。即使當對準層⑼及㈣成有彼此不同 之厚度時，液晶亦垂直對準。較佳地，將對準層15〇及“Ο 之厚度設定為約100 nm。 同時，對準層150及160具有-高電阻率以保持電穩定性 或具有一等同於液晶層155之電勢的電勢。 如下表1中所示，由聚醯亞胺形成之對準層之電阻率， 或者更確切地說，聚醯亞胺之電阻率為1〇12 (表i中行 4)。對比而言，由Si0C形成之對準層之電阻率，或者更確 切地說，si〇c之電阻率為在約1><1〇15 Qcm與約3χΐ〇" Qcm 之間（如表1中之行丨、行2及行3中所示），其相對高於聚醯 亞胺對準層之電阻率。此外’ Sioc之電阻率隨Si〇c沈積 製程之溫度而增加。 [表1] 沈積溫度 對準層厚度 ~~ .. 電阻率 (Qcm) 1 30°C 100 nm lxlO15 2 100°C 100 nm 2xl〇15 3 200°C 100 nm 3xl015 4 摩擦過的聚醯亞胺 ~~ 1012 5 液晶 1015 因此，由於SiOC所形成之對準層150及160之電阻率大約 等於液晶層155之電阻率（液晶層155之電阻率為1〇1; 127366.doc -17- 200903114

Qcm) ’因此對準層15〇及ι6〇與液晶層ι55具有一相等電 勢’且藉此可解決LCD裝置之影像滯留問題。 圖8A至圖8C為說明一種形成根據本發明之[(：：1)面板之對 準層之方法的圖式，圖9為說明基於根據本發明及先前技 術之對準層之沈積溫度的根據垂直對準度之光透射率特性 的圖表，而圖10為說明根據離子束之入射角的液晶之預傾 斜角的圖表。下文描述根據本發明之形成於上部基板上的 上部對準層的實例。

參看圖8A，碳氧化矽（SiOC)無機對準層21〇係由一諸如 濺鍍之沈積方法而形成於一上部基板lu上。亦在上部基 板in上，形成一黑色矩陣168(未圖示）、一彩色濾光片162 (未圖示）及一共同電極160(未圖示）。 詳言之，對準層210係由含矽（Si)、氧（〇)及碳（c)之碳氧 化矽（Sioc)形成，其中當矽^卩為“夺，碳比率係在約 至約1.89之範圍内。在此範圍内之碳比率形成的以〇匸提供 一在約85。至約90。之範圍内的液晶對準方向或預傾斜角。'' 此外，si〇c之厚度較佳設定為約30 1^至5〇〇 nm，且更 佳设定為約1 〇〇 nm。 八π十虽册 液晶層插入於偏振板之間時所透射之光的量除以當無液晶 層插入於該等偏振板之間時所透射之光的量的值。低平面 内有序參數意謂良好的垂直對準。曲線2G2展示隨著沈積 溫度自約3代改變為約15H前技術氧切⑶叫對 準層之透射率迅速改變。但在圖9中，曲線2〇4展示對於本 127366.doc 18 200903114 :!=:!乎為常數的曲線，其中當對準層係由碳氧化發 1 。y、時，垂直對準較好地達成且甚至當沈積溫声在 :30 C至約4〇〇。。之範圍内變化時，光透射幾乎沒：改 變。相應地，由於對準層21〇之沈積並不受沈積溫度 影響，因此對準層21〇之沈積製程溫度裕度相對 SiOx對準層之沈積製程溫度裕度而言得以改良。 參看圖8B，液晶層之預傾斜對準方向可藉由使用一離子 束系、先處理形成於上部基板及下部基板上之對準層來界 定。 更詳、、田°之’離子束系統包括一在-真空室214中之離 子源212。一形成於基板1U上之對準層21〇位於真空室 中a入離子源2 12内之燈絲中的電流加熱該燈絲且從而 熱電子自經加熱之燈絲表面發射。所發射之熱電子與注入 至離子源212中之氬氣原子Ar碰撞且所發射之熱電子電離 氬氣以形成氬離子Αί·+，因此產生—離子束。將該離子束 施加至真空室214中之對準層21〇。此處，離子束以一在約 20。至約90。之範圍内的入射角β1撞擊對準層21〇。如圖 中所示，在對準層210之離子束韓射後，隨著離子束之入 射角eui圍自約20。增加至約9〇。，形成於對準層21〇上之 液晶層的預傾斜角範圍自79。增加至9〇。。 圖8C展示包括藉由圖8A及圖8B中所示之製程而形成之 SiaMU層Π0及16〇之LCD面板（未圖示）的光透射率特 性，展現為液晶分子155藉由像素電極電麼與共同電極電 壓之間的差而以-預定角度旋轉。亦即，當電壓未施加至 127366.doc -19· 200903114 液晶155時’液晶分子155垂直地對準以阻擋光透射，而當 電壓施加至液晶155時，液晶分子155以—預定角度旋轉: 允許光透射’從而展示圖8C中之光透射率特性。 如上文詳細描述’本發明提供—種包括碳氧化石夕⑻ 對準層之LCD面板及其製造方法。 此外’本發明提供-種包括碳氧化⑪（si〇c)對準層之 LCD面板及其製造方法’其中改良用於該等對準層之沈積 製程中溫度變化之裕度。 r

此外，當藉由使用離子束系統改變對準層之預傾斜角而 於多傳配置中設定對準層之對準方"，可在不使用先前 技術P VA模式之蝕刻及曝光製程的情況下調整液晶之對準 方向，從而簡化製程並降低製造成本。 此外，在根據本發明之包括由碳氧化矽（Si〇c)形成之對 準層的LCD面板中，改良LCD面板之透射率，且因此改良 顯示品質。 熟習此項技術者將瞭解，在不偏離本發明之精神或範疇 的情況下，可對本發明進行各種修改及變更。因此，意欲 本發明覆蓋本發明之修改及變更’其限制條件為該等修改 及變更是在隨附申請專利範圍及其均等物之範疇内。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明之LCD面板之透視圖； 圖2為圖1中所示之Lcd面板之一部分的橫載面圖； 圖3為展示液晶預傾斜對準角與圖丨中所示之lcd面板中 之3矽、氧及碳之SiOC中的碳比率的曲線關係的圖表； 127366.doc -20- 200903114 圖4為根據本發明之另-實施例之LCD面板的橫截面 圖； 圖A為5兒明第一及第二偏振板之光透射率特性的圖 式； 圖5B為-說明根據本發明之LCD面板之光透射率特性的 圖式； S為況明根據本發明之包括一由SiOC形成之對準層 的LCD面板及一具有聚醯亞胺（ρι)對準層之先前技術 面板之光透射率特性的圖表； 圖7為說明液晶層之預傾斜角與本發明之對準層之厚度 的關係曲線的圖表； 圖8A至圖8C為說明形成根據本發明之[CD面板之對準層 之方法的圖式； 圖9為說明基於根據本發明及先前技術之對準層之沈積 溫度的根據垂直對準度之光透射率特性的圖表；及 圖1 〇為說明液晶層之預傾斜角與離子束之入射角之關係 曲線的圖表。 【主要元件符號說明】 102 第二偏振板 104 第一偏振板 110 下部基板 111 上部基板 112 閘電極 114 閘極線 127366.doc -21 - 200903114 118 120 122 123 124 126 128 130 138 140 142 150 155 160 162 164 166 168 170 180 190 192 202 204 閘極絕緣層 作用層 歐姆接觸層 半導體圖案 資料線 源電極 汲電極 鈍化層 鈍化層 接觸孔 像素電極 下部對準層 液晶分子/液晶/液晶層 上部對準層 彩色濾光片陣列 共同電極 塗飾層 黑色矩陣 TFT基板 彩色濾光片基板 下部偏振板 上部偏振板 曲線 曲線 127366.doc -22- 200903114 206 第一曲線 208 第二曲線 210 無機對準層 212 離子源 214 真空室 242 像素電極 264 共同電極 B 藍色濾、光片 G 綠色濾光片 R 紅色濾光片 Θ1 入射角 127366.doc -23 -

Claims (1)

1. 200903114 十、申請專利範圍： i —種液晶顯示器面板，其包含： 一下部基板，其包括一薄膜電晶體及一像素電極； —上部基板’其包括一面對該下部基板之共同電極； 一液晶層’其形成於該上部基板與該下部基板之間；及 一對準層，其由一含矽（Si)、氧（0)及碳（C)之無機物質 而形成於該上部基板及該下部基板上。 2'如請求項1之液晶顯示器面板，其中該無機物質為碳氧 V 化矽（Si〇C)。 3 ·如6月求項1之液晶顯示器面板，其中該無機物質之化學 式為Si〇Cx，其中X係在約0.12與約1,89之間。 4.如請求項1之液晶顯示器面板，其中該對準層之厚度係 在約30 nm與約500 nm之間。 5·如請求項3之液晶顯示器面板，其中該液晶層之一對準 方向具有一在約85。至約90。之範圍内的預傾斜角，該預 傾斜角係由該SiOC設定。 •如請求項1之液晶顯示器面板，其中該對準層具有一約 lxl〇15Qem 至約 3xl015Qcm 之電阻率。 7·如請求項i之液晶顯示器面板，其中對於45〇 nm與7〇〇 nm之間的波長，該液晶顯示器面板之透射率係在一約 83%至約86%之範圍内。 8. 種製造一液晶顯示器面板之方法，該方法包含： 形成一包括一共同電極之上部基板； 开V成一包括一薄膜電晶體及一像素電極且面對該上部 127366.doc 200903114 基板之下部基板；及 上σ卩基板及該下部基板上沈積一對準層，該對準 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 層=含-切⑼、氧⑼及碳⑹之無機物質。 如清求項8之方法’其中該對準層之厚度係在約30 與 約500 nm之間。 項8之方法，其中該無機物質為碳氧化矽（sioc)。 月求項8之方法’其中該無機物質之化學式為⑽^， 其中X係在約0·12與約ι·89之間。 如清求項8之方法’其中該對準層係在在-約3(TC至約 40〇C之範圍内的一溫度下沈積。 如明求項"之方法，其中該對準層具有在-約85。至約 9〇。之範圍内的一液晶對準方向。 ::求項8之方法’其進一步包含藉由使用—離子束系 、洗來改變該對準層上之液晶對準方向。 藉由設定該離子束之—入射角而界定該液晶對準方 月长員14之方法’其中改變該液晶對準方向包含： 將—離子束導引在該對準層上；及 向 月长項15之方法’其中該入射角係在約2G。與約90。之 严曰 1 〇 如請求項16之方法，其中 -m » 千視該離子束之该入射角而將該 才旱層之該液晶對準方# — 向δ又夂在一在約79。至約90。之間 127366.doc